CN112310140B - Led背板的像素结构、led显示面板及其制作方法 - Google Patents

Led背板的像素结构、led显示面板及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112310140B
CN112310140B CN202011141650.XA CN202011141650A CN112310140B CN 112310140 B CN112310140 B CN 112310140B CN 202011141650 A CN202011141650 A CN 202011141650A CN 112310140 B CN112310140 B CN 112310140B
Authority
CN
China
Prior art keywords
led
chip
display panel
driving chip
driving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011141650.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN112310140A (zh
Inventor
张鑫
肖军城
徐洪远
费嘉阳
王旭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202011141650.XA priority Critical patent/CN112310140B/zh
Publication of CN112310140A publication Critical patent/CN112310140A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112310140B publication Critical patent/CN112310140B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

本发明公开了一种LED背板的像素结构、LED显示面板及其制作方法，包含多个子像素结构，所述子像素结构按照阵列式结构排列，所述LED背板的像素结构至少包含N行M列个所述子像素结构；每个所述子像素结构包括扫描线、数据线、第一电源端、第二电源端、IC驱动芯片以及发光元件；在每个所述子像素结构中，由所述IC驱动芯片来驱动控制所述发光元件。

Description

LED背板的像素结构、LED显示面板及其制作方法
技术领域
本申请涉及一种显示器技术领域，尤其涉及一种LED背板的像素结构、LED显示面板及其制作方法。
背景技术
微型发光二极管(Micro light emitting diode，简称Micro-LED)通常是指在传统LED芯片结构基础上，将LED芯片尺寸规格缩小到200微米以内的尺寸，将红、绿、蓝三色MicroLED按照一定的规则排列在薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)或互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，简称COMS)上，则形成了能够实现全彩显示的微器件。此种显示器具有独立控制的显示画素，具有独立发光控制、高辉度、低耗电、超高分辨率和超高色彩饱和度等特点，并且Micro-LED微显示器件由于具有自发光的技术特性，还可以实现柔性、透明显示等，而其耗电量仅约为液晶面板的10％。MicroLED是新一代显示技术，是LED微缩化和矩阵化技术，简单来说，就是将LED背光源进行薄膜化、微小化、阵列化，可以让LED单元小于100微米，与OLED一样能够实现每个图元单独定址，单独驱动发光。Mini/MicroLED(简称MLED)显示技术在近两年进入加速发展阶段，可以使用在中小型高附加价值显示器应用领域。相较OLED屏幕，MLED显示可以在成本、对比度、高亮度和轻薄外形上表现出更佳性能。
Micro-LED发展成未来显示技术的热点之一，和目前的LCD和OLED显示器件相比，具有反应快、高色域、高PPI、低能耗等优势。但其技术难点多且技术复杂，特别是其关键技术巨量转移技术、LED颗粒微型化成为技术瓶颈，而Mini-LED作为Micro-LED与背板结合的产物，具有高对比度、高显色性能等可与OLED相媲美的特点，成本稍高LCD，仅为OLED的六成左右，相对Micro-LED、OLED更易实施，所以Mini-LED成为各大面板厂商布局热点。
Mini-LED以及Micro-LED是未来显示技术发展的一种比较重要的方向，而主动式矩阵驱动方式更能进一步增强Mini-LED和Micro-LED的显示效果。在目前的技术中，一般的显示面板中的玻璃基板的主动驱动Mini-LED或Micro-LED采用两个薄膜晶体管和一个电容的架构，其中采用a-Si/IGZO/LPTS等半导体晶体管作为驱动元件，因此需要复杂的半导体制作工艺流程，且制造成本较高。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本申请实施例提供一种LED背板的像素结构、LED显示面板及其制作方法，使用微型IC驱动芯片来驱动控制发光元件的方式，配合精减的工艺制程来制作主动驱动矩阵。
本发明实施例提供了一种LED背板的像素结构，所述LED背板的像素结构包含多个子像素结构，所述子像素结构按照阵列式结构排列，所述LED背板的像素结构包含N行M列个所述子像素结构；
其中，每个所述子像素结构包括扫描线、数据线、第一电源端、第二电源端、IC驱动芯片以及发光元件；
在每个所述子像素结构中，由所述IC驱动芯片来驱动控制所述发光元件。
根据本发明实施例所提供的LED背板的像素结构，在每个所述子像素结构中，所述扫描线连接所述IC驱动芯片并输出扫描信号，所述数据线连接所述IC驱动芯片并输出数据信号，所述第一电源端连接所述IC驱动芯片并输出第一电源信号，所述第二电源端连接所述IC驱动芯片并输出第二电源信号，所述发光元件的一端连接所述IC驱动芯片，所述发光元件的另一端连接所述第一电源端。
根据本发明实施例所提供的LED背板的像素结构，M和N均为大于等于2的自然数。
根据本发明实施例所提供的LED背板的像素结构，所述IC驱动芯片为主动驱动控制的IC元件。
根据本发明实施例所提供的LED背板的像素结构，所述IC驱动芯片为微型IC元件。
根据本发明实施例所提供的LED背板的像素结构，所述LED背板为Mini-LED背板或Micro-LED背板。
本发明实施例还提供一种LED显示面板，所述LED显示面板包括衬底以及形成在所述衬底上的发光单元，所述发光单元包含像素结构；
其中，所述像素结构包含多个子像素结构，所述子像素结构按照阵列式结构排列，每个所述子像素结构包括扫描线、数据线、第一电源端、第二电源端、IC驱动芯片以及发光元件；在每个所述子像素结构中，由所述IC驱动芯片来驱动控制所述发光元件；
其中，所述发光单元被划分为若干个子画面，多个所述子画面分别由各个所述子像素结构驱动控制。
根据本发明实施例所提供的LED显示面板，其特征在于，在每个所述子像素结构中，所述扫描线连接所述IC驱动芯片并输出扫描信号，所述数据线连接所述IC驱动芯片并输出数据信号，所述第一电源端连接所述IC驱动芯片并输出第一电源信号，所述第二电源端连接所述IC驱动芯片并输出第二电源信号，所述发光元件的一端连接所述IC驱动芯片，所述发光元件的另一端连接所述第一电源端。
本发明实施例还提供一种LED显示面板的制作方法，包括以下步骤：
S1、在玻璃基板上沉积第一金属层，并经过光罩图案化蚀刻形成金属导线；
S2、通过表面贴装技术将IC驱动芯片固定在所述玻璃基板上；
S3、在所述玻璃基板上沉积形成栅极绝缘层；
S4、通过光罩蚀刻所述栅极绝缘层，暴露出LED绑定面以及部分金属导线；
S5、在暴露出的所述部分金属导线上沉积形成透明导电层；
S6、通过光罩刻蚀所述透明导电层，形成COF绑定面；
S7、进行LED芯片的绑定和COF绑定。
根据本发明实施例所提供的LED显示面板的制作方法，其特征在于，所述IC驱动芯片与所述金属导线相互连接，所述IC驱动芯片控制驱动所述LED芯片；所述IC驱动芯片为微型IC元件，所述LED芯片为Mini-LED芯片或Micro-LED芯片。
本发明的有益效果为：本发明实施例所提供的一种LED背板的像素结构、LED显示面板及其制作方法，所述LED背板的像素结构包括多个子像素结构，在每个所述子像素结构中包含扫描线、数据线、第一电源端、第二电源端、IC驱动芯片以及发光元件，所述IC驱动芯片分别与扫描线、数据线、第一电源端、第二电源端以及发光元件相互连接；在所述子像素结构中，通过所述IC驱动芯片来驱动控制所述发光元件，每个所述子像素结构都是相互独立的。本实施例所提供的LED背板的像素结构采用IC驱动芯片取代了一般的两个薄膜晶体管和一个电容组成的驱动架构，本实施例所提供的LED背板的像素结构更加简洁，且制作工艺简单，还节约了制造成本。本实施例所提供的LED显示面板中使用了本实施例所提供的LED背板的像素结构，所述LED显示面板可以单独地控制每个像素中的LED元件，且由于所述LED显示面板去掉了薄膜晶体管架构，所述LED显示面板的制作更加简单方便了。本实施例所提供的LED显示面板制作方法，由于采用了IC驱动芯片作为LED发光元件的驱动结构，在基板的Array制程中不再需要制作薄膜晶体管，原来制作工艺中使用5道光罩的工艺可以缩减为只使用3到光罩的工艺，大大提升了工艺生产的生产效率，还有效的降低了制造成本。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有技术中2T1C驱动架构结构示意图。
图2为本实施例提供的LED背板的像素结构的结构示意图。
图3为本实施例提供的LED显示面板的制作方法第一道光罩蚀刻示意图。
图4为本实施例提供的LED显示面板的制作方法第二道光罩蚀刻示意图。
图5为本实施例提供的LED显示面板的制作方法第三道光罩蚀刻示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
在目前的Mini-LED以及Micro-LED显示面板中大多数均采用主动式矩阵驱动方式，主动式矩阵驱动方式更能进一步增强Mini-LED和Micro-LED的显示效果。目前常规的方法是在玻璃基板上制作主动驱动电路，所述主动驱动电路大多数采用两个薄膜晶体管和一个电容(2T1C)的架构。具体地，如图1所示，为目前2T1C驱动架构的结构示意图。参阅图1，所述驱动架构包括数据线DATA，扫描线SCAN，第一电源端VDD，第二电源端VSS，第一薄膜晶体管T1，第二薄膜晶体管T2以及LED发光元件。所述第一薄膜晶体管T1的栅极电性连接所述扫描线SCAN，所述第一薄膜晶体管T1的源极电性连接所述数据线DATA，所述第一薄膜晶体管T1的漏极电性连接所述第二薄膜晶体管T2的栅极。所述第二薄膜晶体管T2的源极电性连接所述LED发光元件的一端，所述第二薄膜晶体管T2的漏极电性连接所述第二电源端VSS。所述LED发光元件的一端电性连接所述第二薄膜晶体管T2的源极，所述LED发光元件的另一端电性连接所述第一电源端VDD。所述驱动架构通过两个薄膜晶体管之间的相互配合，来共同驱动控制所述LED发光元件。所述第一薄膜晶体管T1和所述第二薄膜晶体管T2采用了a-Si/IGZO/LPTS等半导体晶体管作为驱动元件，因此需要复杂的半导体薄膜晶体管的制作工艺流程，而且制作成本还比较高。
因此，本实施例提供了一种LED背板的像素结构，通过将扫描晶体管和控制晶体管的功能集合到微型IC驱动芯片上，从而来代替一般的2T1C驱动架构。且本实施例所提供的LED背板的像素结构制作工艺简单，还可以节约制造成本。
如图2所示，本发明实施例提供了一种LED背板的像素结构1的结构示意图。参阅图2，所述LED背板的像素结构1包括多个子像素结构10，所述子像素结构10按照阵列排布的方式排列，所述LED背板的像素结构1至少包含N行M列个所述子像素结构10；其中，M和N均为大于等于2的自然数。在本实施例中所提供的LED背板为Mini-LED背板或Micro-LED背板。
在每个所述子像素结构10中，均包括扫描线SCAN101、数据线DATA102、第一电源端VDD103、第二电源端VSS104、IC驱动芯片105以及发光元件106；其中，所述发光元件106为Mini-LED芯片或Micro-LED芯片。在所述子像素结构10中，所述IC驱动芯片105分别与所述扫描线SCAN101、所述数据线DATA102、所述第一电源端VDD103、所述第二电源端VSS104以及所述发光元件106相互连接。具体地，在每个所述子像素结构10中，所述扫描线SCAN101连接所述IC驱动芯片105并在另一端输出扫描信号SCAN，所述数据线DATA102连接所述IC驱动芯片105并在另一端输出数据信号DATA，所述第一电源端VDD103连接所述IC驱动芯片105并在另一端输出第一电源信号VDD，所述第二电源端VSS104连接所述IC驱动芯片105并输出第二电源信号VSS，所述发光元件106的一端连接所述IC驱动芯片105，所述发光元件106的另一端连接所述第一电源端VDD103。一般地，所述第一电源端VDD103为电源正电压，所述第二电源端VSS104一般为接地电压或负值，相当于电源负极。所述IC驱动芯片105在接收到所述数据线DATA102和/或所述扫描线SCAN101的信号后，驱动控制所述发光元件106点亮或熄灭。
在本实施例所提供的LED背板的像素结构1中，每个所述子像素结构10都包含一个所述IC驱动芯片105，所述IC驱动芯片105为主动驱动控制的IC元件，所述IC驱动芯片105为微型IC元件。具体地，每个子像素结构10均由各自的所述IC驱动芯片105独立控制。
本实施例还提供一种LED显示面板，所述LED显示面板包括衬底以及形成在所述衬底上的发光单元，所述发光单元包含本实施例所提供的像素结构1；其中，所述像素结构1包含多个子像素结构10，所述子像素结构10按照阵列式结构排列，每个所述子像素结构10包括扫描线SCAN101、数据线DATA102、第一电源端VDD103、第二电源端VSS104、IC驱动芯片105以及发光元件106；在每个所述子像素结构10中，由所述IC驱动芯片105来驱动控制所述发光元件106；其中，所述发光单元被若干个所述子像素结构10划分成若干个子画面，多个所述子画面分别由各个所述子像素结构10驱动控制。所述显示面板接收到显示画面后，先将其分隔成若干个画面，然后发送给若干个子画面，每个所述子画面的所述IC驱动芯片105驱动控制所述发光元件106显示相应的子画面，从而形成一幅完整的画面。其中，所述LED显示面板为Mini-LED背板或Micro-LED背板。
具体地，在每个所述子像素结构10中，均包括扫描线SCAN101、数据线DATA102、第一电源端VDD103、第二电源端VSS104、IC驱动芯片105以及发光元件106；其中，所述发光元件106为Mini-LED芯片或Micro-LED芯片。在所述子像素结构10中，所述IC驱动芯片105分别与所述扫描线SCAN101、所述数据线DATA102、所述第一电源端VDD103、所述第二电源端VSS104以及所述发光元件106相互连接。具体地，在每个所述子像素结构10中，所述扫描线SCAN101连接所述IC驱动芯片105并在另一端输出扫描信号SCAN，所述数据线DATA102连接所述IC驱动芯片105并在另一端输出数据信号DATA，所述第一电源端VDD103连接所述IC驱动芯片105并在另一端输出第一电源信号VDD，所述第二电源端VSS104连接所述IC驱动芯片105并输出第二电源信号VSS，所述发光元件106的一端连接所述IC驱动芯片105，所述发光元件106的另一端连接所述第一电源端VDD103。一般地，所述第一电源端VDD103为电源正电压，所述第二电源端VSS104一般为接地电压或负值，相当于电源负极。所述IC驱动芯片105在接收到所述数据线DATA102和/或所述扫描线SCAN101的信号后，驱动控制所述发光元件106点亮或熄灭。
在本实施例所提供的LED显示面板，每个所述子像素结构10都包含一个所述IC驱动芯片105，所述IC驱动芯片105为主动驱动控制的IC元件，所述IC驱动芯片105为微型IC元件。具体地，每个子像素结构10均由各自的所述IC驱动芯片105独立控制。
本实施例还提供一种LED显示面板的制作方法，包括以下步骤：
S1、在玻璃基板上沉积第一金属层，并经过光罩图案化蚀刻形成金属导线；
S2、通过表面贴装技术将IC驱动芯片固定在所述玻璃基板上；
S3、在所述玻璃基板上沉积形成栅极绝缘层；
S4、通过光罩蚀刻所述栅极绝缘层，暴露出LED绑定面以及部分金属导线；
S5、在暴露出的所述部分金属导线上沉积形成透明导电层；
S6、通过光罩刻蚀所述透明导电层，形成COF绑定面；
S7、进行LED芯片的绑定和COF绑定。
具体地，如图3-图5所示，为本实施例所提供的LED显示面板的制作方法的光罩蚀刻示意图。由图可知，在玻璃基板201上沉积第一金属层202，并经过一道光罩图案化蚀刻所述第一金属层202，形成金属导线，所述金属导线包括扫描线SCAN、数据线DATA、第一电源端VDD导线以及第二电源端VSS导线；随后再通过表面贴装技术将IC驱动芯片固定在所述玻璃基板101上，所述IC驱动芯片与所述金属导线相互连接；在所述IC驱动芯片沉积并形成栅极绝缘层203，所述栅极绝缘层203起到保护所述金属导线和所述IC驱动芯片的作用；通过第二道光罩蚀刻所述栅极绝缘层203，并暴露出LED绑定面204以及部分金属导线；在暴露出的所述部分金属导线上沉积氧化铟锡并形成透明导电层205；在通过第三道光罩刻蚀所述透明导电层205，形成COF绑定面206；最后在所述LED绑定面204上进行LED芯片的绑定以及在所述COF绑定面206上进行COF绑定。在本实施例所提供的LED显示面板的制作方法，只采用了三道光罩的制作工艺，而一般的Array制程因为需要制作薄膜晶体管，大多数都为5道光罩的制作工艺；因此，在本实施例所提供的LED显示面板的制作方法有效减少了制程中的光罩数量，节省了制作工艺流程，大大提高了生产效率，还有效减少了生产成本。
综上所述，本发明实施例所提供的一种LED背板的像素结构、LED显示面板及其制作方法，所述LED背板的像素结构包括多个子像素结构，在每个所述子像素结构中包含扫描线、数据线、第一电源端、第二电源端、IC驱动芯片以及发光元件，所述IC驱动芯片分别与扫描线、数据线、第一电源端、第二电源端以及发光元件相互连接；在所述子像素结构中，通过所述IC驱动芯片来驱动控制所述发光元件，每个所述子像素结构都是相互独立的。本实施例所提供的LED背板的像素结构采用IC驱动芯片取代了一般的两个薄膜晶体管和一个电容组成的驱动架构，本实施例所提供的LED背板的像素结构更加简洁，且制作工艺简单，还节约了制造成本。本实施例所提供的LED显示面板中使用了本实施所提供的LED背板的像素结构，所述LED显示面板可以单独地控制每个像素中的LED元件，且由于所述LED显示面板去掉了薄膜晶体管架构，所述LED显示面板的制作更加简单方便了。本实施例所提供的LED显示面板制作方法，由于采用了IC驱动芯片作为LED发光元件的驱动结构，在基板的Array制程中不再需要制作薄膜晶体管，原来制作工艺中使用5道光罩的工艺可以缩减为只使用3到光罩的工艺，大大提升了工艺生产的生产效率，还有效的降低了制造成本。
以上对本申请实施例所提供的一种LED背板的像素结构、LED显示面板及其制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种LED背板，其特征在于，包括
一玻璃基板；
第一金属层，设置于所述玻璃基板之上，所述第一金属层包括金属导线和LED绑定面；
多个IC驱动芯片，设置于所述玻璃基板之上，所述IC驱动芯片与所述金属导线相互连接；
栅极绝缘层，设置于所述IC驱动芯片和所述第一金属层之上，所述栅极绝缘层开设第一过孔和第二过孔，所述第一过孔暴露部分所述金属导线，所述第二过孔暴露所述LED绑定面；
透明导电层，设置于所述栅极绝缘层之上，所述透明导电层通过所述第一过孔连接部分所述金属导线；所述透明导电层还包括COF绑定面，所述COF绑定面设置于所述透明导电层主体远离所述玻璃基板的一侧；
多个发光元件，一个所述发光元件与一个所述IC驱动芯片对应电连接，所述IC驱动芯片用于驱动控制所述发光元件。
2.根据权利要求1所述的LED背板，其特征在于，所述金属导线包括扫描线、数据线、第一电源端的导线以及第二电源端的导线，所述扫描线连接所述IC驱动芯片并输出扫描信号，所述数据线连接所述IC驱动芯片并输出数据信号，所述第一电源端连接所述IC驱动芯片并输出第一电源信号，所述第二电源端连接所述IC驱动芯片并输出第二电源信号，所述发光元件的一端连接所述IC驱动芯片，所述发光元件的另一端连接所述第一电源端。
3.根据权利要求1所述的LED背板，其特征在于，所述IC驱动芯片为主动驱动控制的IC元件。
4.根据权利要求3所述的LED背板，其特征在于，所述IC驱动芯片为微型IC元件。
5.根据权利要求1所述的LED背板，其特征在于，所述LED背板为Mini-LED背板或Micro-LED背板。
6.一种LED显示面板，其特征在于，所述LED显示面板包括权利要求1～5任意一项所述的LED背板。
7.一种LED显示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在玻璃基板上沉积第一金属层，并经过光罩图案化蚀刻形成金属导线；
S2、通过表面贴装技术将IC驱动芯片固定在所述玻璃基板上；
S3、在所述玻璃基板上沉积形成栅极绝缘层；
S4、通过光罩蚀刻所述栅极绝缘层，暴露出LED绑定面以及部分金属导线；
S5、在暴露出的所述部分金属导线上沉积形成透明导电层；
S6、通过光罩刻蚀所述透明导电层，形成COF绑定面；
S7、进行LED芯片的绑定和COF绑定。
8.根据权利要求7所述的LED显示面板的制作方法，其特征在于，所述IC驱动芯片与所述金属导线相互连接，所述IC驱动芯片控制驱动所述LED芯片；所述IC驱动芯片为微型IC元件，所述LED芯片为Mini-LED芯片或Micro-LED芯片。
CN202011141650.XA 2020-10-22 2020-10-22 Led背板的像素结构、led显示面板及其制作方法 Active CN112310140B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011141650.XA CN112310140B (zh) 2020-10-22 2020-10-22 Led背板的像素结构、led显示面板及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011141650.XA CN112310140B (zh) 2020-10-22 2020-10-22 Led背板的像素结构、led显示面板及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112310140A CN112310140A (zh) 2021-02-02
CN112310140B true CN112310140B (zh) 2023-02-28

Family

ID=74326946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011141650.XA Active CN112310140B (zh) 2020-10-22 2020-10-22 Led背板的像素结构、led显示面板及其制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112310140B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112992879B (zh) * 2021-02-10 2023-10-17 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板、背光模组及显示面板
CN113674623A (zh) * 2021-08-13 2021-11-19 Tcl华星光电技术有限公司 背光灯板、背光模组及显示装置
CN114613319B (zh) * 2022-03-23 2023-11-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Mled背板的像素结构及显示面板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108281456A (zh) * 2018-01-19 2018-07-13 福州大学 Micro-LED器件结构及制作方法
US10483253B1 (en) * 2015-09-24 2019-11-19 Apple Inc. Display with embedded pixel driver chips
CN111477176A (zh) * 2020-04-30 2020-07-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法以及电子装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI237907B (en) * 2003-08-08 2005-08-11 Macroblock Inc A light-emitting semiconductor device
TWI667643B (zh) * 2018-04-18 2019-08-01 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板
KR102631739B1 (ko) * 2018-11-29 2024-01-30 엘지디스플레이 주식회사 서브화소 구동 회로 및 이를 포함한 전계발광 표시장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10483253B1 (en) * 2015-09-24 2019-11-19 Apple Inc. Display with embedded pixel driver chips
CN108281456A (zh) * 2018-01-19 2018-07-13 福州大学 Micro-LED器件结构及制作方法
CN111477176A (zh) * 2020-04-30 2020-07-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法以及电子装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN112310140A (zh) 2021-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7422869B2 (ja) アレイ基板、表示パネル、スプライシング表示パネル、及び表示駆動方法
CN112310140B (zh) Led背板的像素结构、led显示面板及其制作方法
US11444066B2 (en) Display apparatus and manufacturing method thereof
WO2023000832A1 (zh) 显示模组和显示设备
WO2022027556A1 (zh) 显示基板、显示装置
US20230253388A1 (en) Display module
WO2024011776A1 (zh) 显示面板及显示装置
US20230157099A1 (en) Display substrate, preparation method thereof, and display device
WO2020187177A1 (zh) 一种mini LED显示屏及制作方法
CN113380777B (zh) 异质集成透明MicroLED显示装置及其制作方法
US20240147785A1 (en) Display Substrate and Preparation Method Therefor, and Display Apparatus
EP4203053A1 (en) Display substrate and preparation method therefor, and display apparatus
WO2022110015A1 (zh) 显示基板、显示面板、显示装置
US11588138B2 (en) Display device and manufacturing method thereof, electronic device
CN114613319B (zh) Mled背板的像素结构及显示面板
WO2023165016A1 (zh) 显示面板及显示装置
WO2023023979A1 (zh) 显示基板和显示装置
US20230306897A1 (en) Display apparatus
US20230055746A1 (en) Displays with dual-pixel drivers
WO2023216200A1 (zh) 显示基板及显示装置
WO2023201693A1 (zh) 显示基板和显示装置
JP2006195216A (ja) 電気光学装置及びこれを用いた電子機器
CN111048543A (zh) 显示模块
JP2022098887A (ja) マルチディスプレイ
JP2022098891A (ja) マルチディスプレイ

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant