CN113380777B - 异质集成透明MicroLED显示装置及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种异质集成透明MicroLED显示装置及其制作方法，在异质集成透明MicroLED显示装置上设置有第一基板、第一晶体管、第二基板、栅/源极焊接模块，栅/源极焊接模块将第一基板、第二基板的对应电极焊接在一起，使得第一源极与第二接地焊盘电导通，第一栅极与第二源极电导通，能够有效增加装置的透光率。本发明提供的装置中第二基板与第一基板相对焊接，但第一绑定区和第二绑定区并不一一相对，能够有效的提高第一绑定区、第二绑定区与外接电路板焊接的成功率。

Description

异质集成透明MicroLED显示装置及其制作方法

技术领域

本发明涉及显示器件领域，特别是一种异质集成透明MicroLED显示装置及其制作方法。

背景技术

微型发光二极管(简称MicroLED)显示是继液晶显示与OLED显示之后新出现的下一代显示技术，其核心的不同之处在于MicroLED显示采用尺寸在几微米至几十微米之间的MicroLED发光芯片作为像素单元，一颗一颗紧密地排列成阵列，每颗芯片都能独立地被驱动点亮发出光线，将MicroLED按照一定的规则排列在薄膜晶体管(简称TFT)或互补金属氧化物半导体(简称COMS)上，形成具有独立控制的显示画素的显示器微器件。MicroLED具有独立发光控制、高辉度、低耗电、超高分辨率和超高色彩饱和度等特点，可以实现柔性、透明、高分辨显示，而其耗电量仅约为液晶面板的10％。MicroLED显示的应用产品有望覆盖所有尺寸的显示屏幕。从AR/VR等近眼显示，到对耗电量极为敏感的可穿戴设备、移动装置，以及到100吋以上的超大屏幕显示，都是MicroLED显示的潜在应用领域。

在MicroLED显示中，驱动背板是其关键技术，优化背板技术对于MicroLED显示技术至关重要。其中一些MicroLED由无源矩阵(PM)驱动。要获得高动态范围图像，需要调光区来抑制光晕效果，增加了印刷电路板的尺寸和复杂性以及IC电路的数量，从而增加了面板的成本。薄膜晶体管有源矩阵背板可以消除对用于驱动MicroLED大量IC电路的需求，从而降低了面板成本。常规TFT背板技术采用2T1C、3T2C、4T1C、4T2C、6T2C等方案，其缺点在于发光区域在整体结构的面积占比较低，难以达到符合的透光率。同时，由于薄膜晶体管IV特性的一致性不足，导致供给不同MicroLED的电流存在差异，MicroLED的驱动电流不稳定会导致显示画面呈现Mura，需要通过复杂的补偿修正进行调节。

现有的LED显示驱动方案，如专利CN110707121A公开的一种显示面板，包括具有显示区以及扇出区的透明TFT基板，通过将小尺寸的多个MicroLED显示单元阵列设于显示区，拼接形成一大尺寸的MicroLED显示面板，并且相邻的显示单元的侧壁相互紧密贴附，实现无缝拼接，提高了转移的良率以及组装效率。连接MicroLED显示单元的透明金属线以及扇出走线皆为透明材料，从而使得大尺寸的MicroLED显示面板能够透明显示。但是此方案扇出走线所占据的布线区域，会使得像素之间的间距变大，导致显示屏分辨率降低。

发明内容

针对现有的透明Micro-LED显示装置透光率低、驱动电流不稳定等问题，本申请的实施例提出了一种异质集成透明MicroLED显示装置及其制作方法来解决以上的问题。

根据第一方面，本申请的实施例提出了一种异质集成透明MicroLED显示装置，包括：第一基板、与第一基板相对设置的第二基板以及支撑在第一基板和第二基板之间的导电焊接块，第一基板上设置有发光单元和第一晶体管，第二基板上设置有第二晶体管和电容，发光单元和第一晶体管通过导电焊接块与第二晶体管和电容实现电连接以形成像素单元，若干个像素单元周期性排布形成阵列。

在一些实施例中，导电焊接块包括源极焊接模块和栅极焊接模块，源极焊接模块和栅极焊接模块垂直设置在第一基板和第二基板之间。

在一些实施例中，源极焊接模块和栅极焊接模块均包括焊接块体以及分别靠近第一基板和第二基板的上表面焊盘和下表面焊盘，焊接块体位于上表面焊盘和下表面焊盘中间，并且焊接块体的内部设置有垂直通孔，垂直通孔内填充有导电介质。

在一些实施例中，导电焊接块的高度大于第一晶体管的厚度。

在一些实施例中，像素单元中的发光单元、第一晶体管、源极焊接模块和栅极焊接模块在第一基板上垂直投影的总面积小于像素单元的面积，第二晶体管和电容的总面积也小于像素单元的面积。

在一些实施例中，第一基板包括透明衬底，透明衬底上设置有金属走线，金属走线上设置有第一漏极焊盘、第一栅极焊盘、第一源极焊盘，第一晶体管设置有第一漏极、第一栅极、第一源极，第一漏极、第一栅极、第一源极分别与第一漏极焊盘、第一栅极焊盘、第一源极焊盘一一对应连接。

在一些实施例中，第一基板上还设置有第一源极焊接焊盘、源极走线、第一栅极焊接焊盘、栅极走线，源极走线将第一源极焊接焊盘与第一源极焊盘实现电导通，栅极走线将第一栅极焊接焊盘与第一栅极焊盘实现电导通。

在一些实施例中，第一基板的边缘设置有第一接地焊盘，第二基板的边缘设置有第二接地焊盘，第二基板上还设置有第二源极焊接焊盘，第二源极焊接焊盘与第二接地焊盘实现电导通，第二晶体管设置有第二源极、第二栅极、第二漏极，第二基板上还设置有第二栅极焊接焊盘、第二源极金属布线，第二源极金属布线将第二源极与第二栅极焊接焊盘实现电导通，源极焊接模块的上下两端分别与第一源极焊接焊盘、第二源极焊接焊盘焊接以实现将第一源极焊接焊盘与第二源极焊盘之间的电导通，从而使得第一源极与第二接地焊盘电导通，栅极焊接模块的上下两端分别与第一栅极焊接焊盘、第二栅极焊接焊盘焊接以实现第一栅极焊接焊盘与第二栅极焊接焊盘之间的电导通，从而使得第一栅极与第二源极电导通。

在一些实施例中，第一基板的边缘设置有第一绑定区，第二基板的边缘设置有第二绑定区，第一绑定区与第二绑定区分别位于异质集成透明MicroLED显示装置的不同的侧边，并用于将像素单元与外部电路进行连接，第一绑定区和第二绑定区分别设置有对位识别标记。

第二方面，本申请的实施例还提供了一种异质集成透明MicroLED显示装置的制作方法，用于制作上述的异质集成透明MicroLED显示装置，包括以下步骤：

在第一基板上制作发光单元，并在发光单元以外的区域形成dummy区域，在dummy区域上制作第一源极焊盘、第一栅极焊盘、第一漏极焊盘；

在dummy区域上设置第一晶体管，并将第一晶体管的第一漏极、第一栅极、第一源极分别与第一漏极焊盘、第一栅极焊盘、第一源极焊盘一一对应连接，第一晶体管采用分立器件直接焊接，或者第一晶体管采用晶圆键合与光刻加工获得；

在第二基板上制作第二晶体管和电容；

在dummy区域上设置导电焊接块；

将第一基板上设置有发光单元和第一晶体管的一面与第二基板上设置有第二晶体管和电容的一面对合并通过导电焊接块焊接将第一基板和第二基板连接；以及

在第一基板和第二基板的中间空隙填充透明介质，得到异质集成透明MicroLED显示装置。

本申请的实施例公开了一种异质集成透明MicroLED显示装置及其制作方法，由上述对本发明的描述可知，与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：

(1)本发明提供的一种异质集成透明MicroLED显示装置，第一基板上设置有发光单元和第一晶体管，第二基板上设置有第二晶体管和电容，发光单元和第一晶体管通过导电焊接块与第二晶体管和电容实现电连接以形成像素单元。第一晶体管与第二晶体管分别位于不同的基板上，将原本需要设置于同一水平方向的晶体管，可以通过垂直方向进行纵向的空间堆叠，从而能够节约像素单元内晶体管器件所占用的水平方向面积，使得像素单元能够有更高比例的透光区域，从而提高显示屏透光率。

(2)第一基板上设置有发光单元和第一晶体管，第一晶体管焊接到第一基板上，从而能够对第一晶体管进行替换性修复，无需对驱动背板进行复杂的补偿设计或者校正，使得驱动架构获得简化。

(3)本发明提供的异质集成透明MicroLED显示装置中第二基板与第一基板相对焊接，但第一绑定区和第二绑定区并不一一相对，能够有效的提高第一绑定区和第二绑定区上与外接电路板焊接的成功率，同时可以在dummy区域设置光刻标识，保证显微模式下的校正准确度。

附图说明

包括附图以提供对实施例的进一步理解并且附图被并入本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图图示了实施例并且与描述一起用于解释本发明的原理。将容易认识到其它实施例和实施例的很多预期优点，因为通过引用以下详细描述，它们变得被更好地理解。附图的元件不一定是相互按照比例的。同样的附图标记指代对应的类似部件。

图1为本申请的实施例的异质集成透明MicroLED显示装置的结构示意图；

图2为本申请的实施例的异质集成透明MicroLED显示装置的制作方法的流程图；

图3为本申请的实施例的异质集成透明MicroLED显示装置的第一基板的结构示意图；

图4为本申请的实施例的异质集成透明MicroLED显示装置的第一基板设置第一晶体管和导电焊接块的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与有关发明相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

本发明的实施例提出了一种异质集成透明MicroLED显示装置，如图1所示，包括：第一基板101、与第一基板101相对设置的第二基板201以及支撑在第一基板101和第二基板201之间的导电焊接块301，第一基板101上设置有发光单元102和第一晶体管103，第二基板201上设置有第二晶体管202和电容203，发光单元102和第一晶体管103通过导电焊接块301与第二晶体管202和电容203实现电连接以形成像素单元，若干个像素单元周期性排布形成阵列。在优选的实施例中，第一晶体管103包括HEMT晶体管，第二晶体管202包括薄膜晶体管。

在具体的实施例中，第一基板101包括透明衬底，透明衬底上设置有金属走线，金属走线上设置有第一漏极焊盘1011、第一栅极焊盘1012、第一源极焊盘1013，第一晶体管103的第一漏极、第一栅极、第一源极分别与第一漏极焊盘1011、第一栅极焊盘1012、第一源极焊盘1013一一对应连接。

在具体的实施例中，第一基板101上还设置有第一源极焊接焊盘1014、源极走线1015、第一栅极焊接焊盘1016、栅极走线1017，源极走线1015将第一源极焊接焊盘1014与第一源极焊盘1013实现电导通，栅极走线1017将第一栅极焊接焊盘1016与第一栅极焊盘1012实现电导通。源极走线1015和栅极走线1017为透明金属线，其材料包括精细的金属线、纳米银线、石墨烯、氧化铟锡或纳米碳管。

在具体的实施例中，第一基板101的边缘设置有第一绑定区110，第二基板201的边缘设置有第二绑定区210，第一绑定区110设置有第一焊盘1101、第一接地焊盘，第二绑定区设置有第二焊盘2101、第二接地焊盘，第一焊盘1101、第一接地焊盘、第二焊盘2101、第二接地焊盘均通过外接电路板与外部电路进行连接，且第一接地焊盘与第二接地焊盘通过外接电路板连接在一起。第一绑定区110与第二绑定区210分别位于异质集成透明MicroLED显示装置的不同的侧边，并用于将像素单元与外部电路进行连接，第一绑定区110和第二绑定区210分别设置有对位识别标记。第一焊盘1101、第一接地焊盘、第二焊盘2101、第二接地焊盘均通过异方性导电胶实现与外接电路板的绑定连接，在优选的实施例中，外接电路板为柔性线路板(PCB)。

第二基板201上还设置有第二源极焊接焊盘2011，第二源极焊接焊盘2011与第二接地焊盘实现电导通，第二晶体管202设置有第二源极2021、第二栅极2022、第二漏极2023，第二基板201上还设置有第二栅极焊接焊盘2024、第二源极金属布线，第二源极金属布线将第二源极2021与第二栅极焊接焊盘2024实现电导通。在第一绑定区110和第二绑定区210上第一焊盘1101、第二焊盘2101均设置有若干个，第一焊盘1101连接外接电路的Vdd电压，第二焊盘2101设置有若干个行扫描焊盘和若干个列扫描焊盘，每个行扫描焊盘与一行像素单元的第二栅极2022相连接，每个列扫描焊盘与一列像素单元的第二漏极2023相连接。设置于第一基板101的上表面和/或下表面的柔性线路板(PCB)的电极面向第一基板101并且与第一基板101连接，第一基板101通过第一焊盘1101与PCB连接，第一焊盘1101用于接收外部驱动信号。设置于第二基板201的上表面和/或下表面的柔性线路板(PCB)的电极面向第二基板201并且与第二基板201连接，第二基板201通过第二焊盘2101与PCB连接，第二焊盘2101用于接收外部驱动信号。

在具体的实施例中，发光单元102包括缓冲层1021、第一掺杂半导体层1022、半导体发光层1023、第二掺杂半导体层1024、电流传输层1025、半导体层电极1026、绝缘层1027；第一掺杂半导体层1022、半导体发光层1023、第二掺杂半导体层1024、电流传输层1025依次设置在第一基板101上，半导体发光层1023设置于第一掺杂半导体层1022和第二掺杂半导体层1024之间，绝缘层1027设置于发光单元102的侧壁及电流传输层1025表面。半导体层电极1026与第一掺杂半导体层1022/电流传输层1025直接连接实现电导通，半导体层电极1026与半导体发光层1023、第二掺杂半导体层1024由绝缘层1027分隔绝缘。在优选的实施例中，半导体层电极1026为导电金属，半导体层电极1026的材料可选自钛、铝、金、镍、银中的一种或多种。绝缘层1027为透明材料制成，绝缘层1027的材料可选自硅胶、聚二甲基硅氧烷、环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚丙烯中的任意一种。电流传输层1025的材质为镍和金。半导体层电极1026的材质为钛、铝、金、镍、银等金属中的任意一种或多种。因此，在第一基板101上得到独立的各个发光单元102及dummy区域，在dummy区域上设置第一晶体管103、第一源极焊接焊盘1014、源极走线1015、第一栅极焊接焊盘1016、栅极走线1017。

在具体的实施例中，第一晶体管103包括衬底层1031、GaN层1032、AlGaN层1033，AlN间隔层1034、AlGaN阻隔层1035、第一漏极、第一栅极、第一源极和绝缘层1027；第一漏极、第一栅极、第一源极、AlGaN阻隔层1035、AlN间隔层1034、AlGaN层1033、GaN层1032、衬底层1031依次设置在第一基板101上，绝缘层1027设置于第一晶体管103的侧壁及AlGaN阻隔层1035表面。第一漏极、第一栅极、第一源极与AlGaN阻隔层1035直接连接实现电导通，第一漏极、第一栅极、第一源极之间以及第一晶体管103侧壁由透明绝缘层分隔绝缘。在优选的实施例中，第一漏极、第一栅极、第一源极为导电金属，第一漏极、第一栅极、第一源极的材料可选自钛、铝、金、镍、银中的一种或多种。绝缘层1027为透明材料制成，绝缘层1027的材料可选自硅胶、聚二甲基硅氧烷、环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚丙烯中的任意一种。AlGaN层1033中的Al和Ga元素中Al含量为15％，Ga含量为85％；AlGaN阻隔层1035中Al含量为30％，Ga含量为70％。第一晶体管103是在独立的衬底层1031上依次生长aN层1032、AlGaN层1033，AlN间隔层1034、AlGaN阻隔层1035，随后整体向下倒置，将第一漏极、第一栅极、第一源极与第一基板101上的第一漏极焊盘1011、第一栅极焊盘1012、第一源极焊盘1013一一对应焊接。第一基板101上设置有发光单元102和第一晶体管103，第一晶体管103焊接到第一基板101上，从而能够对第一晶体管103进行替换性修复，无需对驱动背板进行复杂的补偿设计或者校正，使得驱动架构获得简化。

在具体的实施例中，第二基板201包括：玻璃背板2032；开关区域顶部的绝缘层2012；透明电极层2013；电容绝缘层2014；第二源极2021；透明绝缘层2033；第二栅极2022；第二漏极2023；电容金属2031；其中第二源极2021、第二栅极2022、第二漏极2023共同构成第二晶体管202。在优选的实施例中，第二源极2021，第二栅极2022，第二漏极2023的材质为钛、铝、金、镍、银等金属中的任意一种或多种。第二基板201的玻璃背板2032采用透明材料，可为玻璃、蓝宝石、碳化硅等材料中的任意一种。电容金属2031的材质为铜、铝、镍中的任意一种。

在具体的实施例中，导电焊接块301包括源极焊接模块和栅极焊接模块，源极焊接模块和栅极焊接模块垂直设置在第一基板101和第二基板201之间。在dummy区域的栅极走线区和源极走线区分别焊接栅极焊接模块和源极焊接模块。源极焊接模块和栅极焊接模块均包括焊接块体3011以及分别靠近第一基板和第二基板的上表面焊盘和下表面焊盘，焊接块体位于上表面焊盘和下表面焊盘中间，并且焊接块体的内部设置有垂直通孔，垂直通孔内填充有导电介质3012。在优选的实施例中，导电介质3012的材质为铜、镍、银中的任意一种。源极焊接模块和栅极焊接模块还包括外部绝缘层，外部绝缘层的材料可选自硅胶、氧化铝、环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚丙烯中的任意一种

第二基板201上的透明电极层2013通过栅/源极焊接模块与第一基板101实现电导通。第二基板201的透明电极层2013为透明导电材质，具体为掺锡氧化铟。源极焊接模块上下两端的上表面焊盘和下表面焊盘分别上表面焊盘和下表面焊盘与第一源极焊接焊盘1014、第二源极焊接焊盘2021焊接以实现第一源极焊接焊盘1014与第二源极焊接焊盘2021电导通，从而使得第一晶体管103的第一源极与第二接地焊盘实现电导通。栅极焊接模块上下两端的上表面焊盘和下表面焊盘分别与第一栅极焊接焊盘1016、第二栅极焊接焊盘2024焊接以实现第一栅极焊接焊盘与第二栅极焊接焊盘电导通，从而使得第一晶体管103的第一栅极与第二晶体管202的第二源极实现电导通。在第二基板201的透明电极层2013上蒸镀第二源极焊接焊盘2011、第二栅极焊接焊盘2024；随后将第二基板201倒置通过栅/源极焊接模块一一对应焊接，最终实现第一基板101上的发光单元102和第一晶体管103通过导电焊接块301与第二基板201上的第二晶体管202和电容203实现电连接。在优选的实施例中，焊接块体3011，开关区域顶部的绝缘层2012，电容绝缘层2014的材质为透明绝缘材料如玻璃、氧化铝、碳化硅等材料中的任意一种。

在具体的实施例中，导电焊接块301的高度大于第一晶体管103的厚度。像素单元中的发光单元102、第一晶体管103、源极焊接模块和栅极焊接模块在第一基板101上垂直投影的总面积小于像素单元的面积，第二晶体管202和电容203的总面积也小于像素单元的面积。

在通过导电焊接块301完成第一基板101和第二基板201的对合连接之后，在第一基板101和第二基板201的中间填充透明介质，透明介质的材质为环氧树脂。

与之相对应的，本申请的实施例还提供了一种异质集成透明MicroLED显示装置的制作方法，用于制作上述的异质集成透明MicroLED显示装置，如图2所示，包括以下步骤：

S1，在第一基板上制作发光单元，并在发光单元以外的区域形成dummy区域，在dummy区域上制作第一源极焊盘、第一栅极焊盘、第一漏极焊盘；

S2，在dummy区域上设置第一晶体管，并将第一晶体管的第一漏极、第一栅极、第一源极分别与第一漏极焊盘、第一栅极焊盘、第一源极焊盘一一对应连接，第一晶体管采用分立器件直接焊接，或者第一晶体管采用晶圆键合与光刻加工获得；

S3，在第二基板上制作第二晶体管和电容；

S4，在dummy区域上设置导电焊接块；

S5，将第一基板上设置有发光单元和第一晶体管的一面与第二基板上设置有第二晶体管和电容的一面对合并通过导电焊接块焊接将第一基板和第二基板连接；以及

S6，在第一基板和第二基板的中间空隙填充透明介质，得到异质集成透明MicroLED显示装置。

步骤S1中在第一基板101上制作发光单元102具体包括以下步骤：

如图3所示，在第一基板101上依次生长缓冲层1021、第一掺杂半导体层1022、半导体发光层1023、第二掺杂半导体层1024，得到独立的各个发光单元102及dummy区域，随后在发光单元102的第二掺杂半导体层1024上蒸镀电流传输层1025，在dummy区域生长绝缘层1027；在电流传输层1025、第一掺杂半导体层1022上蒸镀半导体层电极1026；在缓冲层1021上蒸镀第一晶体管103焊接所需的第一源极、第一栅极、第一漏极；

在第一基板101上还形成有金属走线，金属走线上设置有第一漏极焊盘1011、第一栅极焊盘1012、第一源极焊盘1013，第一晶体管103的第一漏极、第一栅极、第一源极分别与第一漏极焊盘1011、第一栅极焊盘1012、第一源极焊盘1013一一对应连接。

第一晶体管103作为独立的一个器件，第一晶体管采用分立器件直接焊接，或者第一晶体管采用晶圆键合与光刻加工获得；在其中一个可选的实施例中，步骤S2中第一晶体管103的制作包括以下步骤：

如图4所示，在衬底层1031上依次生长GaN层1032、AlGaN层1033，AlN间隔层1034、AlGaN阻隔层1035、第一漏极、第一栅极、第一源极和绝缘层1027；第一漏极、第一栅极、第一源极、AlGaN阻隔层1035、AlN间隔层1034、AlGaN层1033、GaN层1032、衬底层1031依次设置在第一基板101上，绝缘层1027设置于第一晶体管103的侧壁及AlGaN阻隔层1035表面。将第一晶体管103的第一漏极、第一栅极、第一源极，分别与第一基板101上的第一源极焊盘1013、第一栅极焊盘1012、第一漏极焊盘1011一一对应地焊接，完成第一晶体管103在第一基板101上的焊接。第一基板101上设置有发光单元102和第一晶体管103，第一晶体管103焊接到第一基板101上，从而能够对第一晶体管103进行替换性修复，无需对驱动背板进行复杂的补偿设计或者校正，使得驱动架构获得简化。

在步骤S4的导电焊接块301制作过程具体包括如下步骤：

导电焊接块301包括源极焊接模块和栅极焊接模块，在源极焊接模块和栅极焊接模块中的焊接块体3011中间增设垂直通孔，垂直通孔内填充有导电介质3012。对透明绝缘层进行刻蚀，随后蒸镀第一漏极、第一栅极、第一源极、半导体层电极1026，并将第一漏极、第一栅极、第一源极、源极焊接模块和栅极焊接模块倒置焊接在对应的焊盘上。

在dummy区域的栅极走线区和源极走线区分别焊接栅极焊接模块和源极焊接模块；将第二基板201倒置后与栅极焊接模块和源极焊接模块分别对应焊接；在第一基板101和第二基板201所对应的第一焊盘和第二焊盘处与外接电路板绑定连接，用于接收外部驱动信号；在完成外部电路焊接工序后，在中间空隙填充透明介质，获得异质集成透明MicroLED显示装置。在本申请的实施例中，第二基板201与第一基板101相对焊接，但制作方法中第一焊盘1101和第二焊盘2101区域并不一一相对，能够有效的提高第一焊盘1101、第二焊盘2101与PCB焊接的成功率，同时可以在dummy区域设置光刻标识，保证显微模式下的校正准确度。

本申请的实施例公开了一种异质集成透明MicroLED显示装置及其制作方法，在异质集成透明MicroLED显示装置上设置有第一基板、第一晶体管、第二基板、栅/源极焊接模块，第一基板与第一晶体管通过第一漏极、第一栅极、第一源极一一对应连接，第一基板与第二基板通过栅/源极焊接模块一一对应连接。因此能够有效增加MicroLED显示装置的透光率，避免了现有MicroLED的驱动背板技术存在的发光区域在整体结构的面积占比较低及线路功耗过高，驱动电流不稳定等问题。并且第一基板上设置有发光单元和第一晶体管，第一晶体管焊接到第一基板上，从而能够对第一晶体管进行替换性修复，无需对驱动背板进行复杂的补偿设计或者校正，使得驱动架构获得简化。本发明提供的异质集成透明MicroLED显示装置中第二基板与第一基板相对焊接，但第一绑定区和第二绑定区并不一一相对，能够有效的提高第一焊盘、第二焊盘与外接电路板焊接的成功率，同时可以在dummy区域设置光刻标识，保证显微模式下的校正准确度。

以上描述了本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。措词‘包括’并不排除在权利要求未列出的元件或步骤的存在。元件前面的措词“一”或“一个”并不排除多个这样的元件的存在。在相互不同从属权利要求中记载某些措施的简单事实不表明这些措施的组合不能被用于改进。在权利要求中的任何参考符号不应当被解释为限制范围。

Claims (9)

1.一种异质集成透明MicroLED显示装置的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在第一基板上制作发光单元，并在所述发光单元以外的区域形成dummy区域，在所述dummy区域上制作第一源极焊盘、第一栅极焊盘、第一漏极焊盘；

在所述dummy区域上设置第一晶体管，并将所述第一晶体管的第一漏极、第一栅极、第一源极分别与所述第一漏极焊盘、所述第一栅极焊盘、所述第一源极焊盘一一对应连接，所述第一晶体管采用分立器件直接焊接，或者所述第一晶体管采用晶圆键合与光刻加工获得，所述第一晶体管包括HEMT晶体管；

在第二基板上制作第二晶体管和电容，所述第二晶体管包括薄膜晶体管；

在所述dummy区域上设置导电焊接块，所述导电焊接块包括源极焊接模块和栅极焊接模块，所述源极焊接模块和所述栅极焊接模块垂直设置在所述第一基板和所述第二基板之间；

将所述第一基板上设置有所述发光单元和所述第一晶体管的一面与所述第二基板上设置有所述第二晶体管和所述电容的一面对合并通过所述导电焊接块焊接，以形成像素单元，若干个所述像素单元周期性排布形成阵列；以及

在所述第一基板和所述第二基板的中间空隙填充透明介质，得到异质集成透明MicroLED显示装置。

2.一种采用权利要求1所述的制作方法制作的异质集成透明MicroLED显示装置，其特征在于，包括：第一基板、与所述第一基板相对设置的第二基板以及支撑在所述第一基板和所述第二基板之间的导电焊接块，所述导电焊接块包括源极焊接模块和栅极焊接模块，所述源极焊接模块和所述栅极焊接模块垂直设置在所述第一基板和所述第二基板之间，所述第一基板上设置有发光单元和第一晶体管，所述第二基板上设置有第二晶体管和电容，所述第一晶体管包括HEMT晶体管，所述第二晶体管包括薄膜晶体管，所述发光单元和所述第一晶体管通过所述导电焊接块与所述第二晶体管和所述电容实现电连接以形成像素单元，若干个所述像素单元周期性排布形成阵列。

3.根据权利要求2所述的异质集成透明MicroLED显示装置，其特征在于，所述源极焊接模块和所述栅极焊接模块均包括焊接块体以及分别靠近所述第一基板和所述第二基板的上表面焊盘和下表面焊盘，所述焊接块体位于所述上表面焊盘和所述下表面焊盘中间，并且所述焊接块体的内部设置有垂直通孔，所述垂直通孔内填充有导电介质。

4.根据权利要求3所述的异质集成透明MicroLED显示装置，其特征在于，所述导电焊接块的高度大于所述第一晶体管的厚度。

5.根据权利要求2所述的异质集成透明MicroLED显示装置，其特征在于，所述像素单元中的所述发光单元、所述第一晶体管、所述源极焊接模块和所述栅极焊接模块在所述第一基板上垂直投影的总面积小于所述像素单元的面积，所述第二晶体管和所述电容的总面积也小于所述像素单元的面积。

6.根据权利要求2所述的异质集成透明MicroLED显示装置，其特征在于，所述第一基板包括透明衬底，所述透明衬底上设置有金属走线，所述金属走线上设置有第一漏极焊盘、第一栅极焊盘、第一源极焊盘，所述第一晶体管设置有第一漏极、第一栅极、第一源极，所述第一漏极、所述第一栅极、所述第一源极分别与所述第一漏极焊盘、所述第一栅极焊盘、所述第一源极焊盘一一对应连接。

7.根据权利要求6所述的异质集成透明MicroLED显示装置，其特征在于，所述第一基板上还设置有第一源极焊接焊盘、源极走线、第一栅极焊接焊盘、栅极走线，所述源极走线将所述第一源极焊接焊盘与所述第一源极焊盘实现电导通，所述栅极走线将所述第一栅极焊接焊盘与所述第一栅极焊盘实现电导通。

8.根据权利要求7所述的异质集成透明MicroLED显示装置，其特征在于，所述第一基板的边缘设置有第一接地焊盘，所述第二基板的边缘设置有第二接地焊盘，所述第二基板上还设置有第二源极焊接焊盘，所述第二源极焊接焊盘与所述第二接地焊盘实现电导通，所述第二晶体管设置有第二源极、第二栅极、第二漏极，所述第二基板上还设置有第二栅极焊接焊盘、第二源极金属布线，所述第二源极金属布线将所述第二源极与所述第二栅极焊接焊盘实现电导通，所述源极焊接模块的上下两端分别与所述第一源极焊接焊盘、所述第二源极焊接焊盘焊接，以实现将所述第一源极焊接焊盘与所述第二源极焊盘之间的电导通，从而使得所述第一源极与所述第二接地焊盘电导通，所述栅极焊接模块的上下两端分别与所述第一栅极焊接焊盘、所述第二栅极焊接焊盘焊接，以实现所述第一栅极焊接焊盘与所述第二栅极焊接焊盘之间的电导通，从而使得所述第一栅极与所述第二源极电导通。

9.根据权利要求2-8中任一项所述的异质集成透明MicroLED显示装置，其特征在于，所述第一基板的边缘设置有第一绑定区，所述第二基板的边缘设置有第二绑定区，所述第一绑定区与所述第二绑定区分别位于所述异质集成透明MicroLED显示装置的不同的侧边，并用于将所述像素单元与外部电路进行连接，所述第一绑定区和所述第二绑定区分别设置有对位识别标记。