KR102420936B1 - 양면 tft 패널 및 그 제조 방법, 디스플레이 기기 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 양면 TFT 패널의 제조 방법을 제공하는데, 이 제조 방법은, 각각 하나의 TFT 패널이 성장하는 두 개의 기판을 제공하는 단계; 각각의 TFT 패널과 대응되는 기판으로부터 멀어지는 일측에 지지막을 각각 접착하여 설치하는 단계; 각각의 TFT 패널과 대응되는 기판을 박리하는 단계; 두 개의 TFT 패널에서 기판을 박리하는 일측을 함께 접착하여 양면 TFT 패널을 생성하는 단계; 양면 TFT 패널에 전도성 홀이 개설되어 두 개의 TFT 패널의 전극을 연통시키는 단계를 포함함으로써 양면 TFT 패널의 공간 이용률을 향상시킬 수 있다. 이 밖에, 본 발명은 양면 TFT 패널 및 이 양면 TFT 패널을 적용한 디스플레이 기기를 더 제공한다.

Description

양면 TFT 패널 및 그 제조 방법, 디스플레이 기기
본 발명은 디스플레이 기술분야에 관한 것으로, 특히 양면 TFT 패널 및 그 제조 방법, 디스플레이 기기에 관한 것이다.
디스플레이 기술분야에서, 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD) 및 유기 발광 다이오드 디스플레이(Organic Light Emitting Diode, OLED)와 같은 태블릿 디스플레이 기술은 점차 CRT 디스플레이를 대체한다. 여기서, OLED 디스플레이는 자체 발광을 갖고, 구동 전압이 낮으며, 발광 효율이 높고, 응답 시간이 짧으며, 해상도 및 콘트라스트가 높고, 약 180° 시각이며, 사용 온도 범위가 넓어 플렉서블 디스플레이 및 대규모 면적 풀 컬러 디스플레이와 같은 많은 장점을 실현할 수 있어 업계에서 가장 유망한 디스플레이 장치로 인정받고 있다.
기존의 플렉서블 OLED 디스플레이는 일반적으로 플렉서블 TFT(Thin Film Transistor Array Substrate, 박막 트랜지스터) 패널 및 플렉서블 TFT 패널에 설치되는 OLED 소자를 포함한다.
선행기술에서, 저온 다결정 실리콘 기술(Low Temperature Poly-silicon, LTPS)의 패널은 모두 일면으로 제조되기에 플렉서블 TFT 패널의 신호 라인 및 드라이버는 플렉서블 TFT 패널의 일면에만 레이아웃될 수 있고 제품의 해상도가 높아질수록 밀도가 높아져 신호 라인 및 드라이버를 설치할 경우, 플렉서블 TFT 패널에는 충분한 공간 레이아웃이 없다.
이를 감안하여, 양면 TFT 패널의 공간 이용률을 향상시킬 수 있는 양면 TFT 패널 및 그 제조 방법, 디스플레이 기기를 제공할 필요가 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 해결수단은 하기와 같다.
제1 양태에서, 본 발명의 실시예는 양면 TFT 패널의 제조 방법을 제공한다. 이 제조 방법은, 각각 하나의 TFT 패널이 성장하는 두 개의 기판을 제공하는 단계; 각각의 TFT 패널과 대응되는 기판으로부터 멀어지는 일측에 지지막을 각각 접착하여 설치하는 단계; 각각의 TFT 패널과 대응되는 기판을 박리하는 단계; 두 개의 TFT 패널에서 기판을 박리하는 일측을 함께 접착하여 양면 TFT 패널을 생성하는 단계; 양면 TFT 패널에 전도성 홀이 개설되어 두 개의 TFT 패널의 전극을 연통시키는 단계를 포함한다.
제2 양태에서, 본 발명의 실시예는 양면 TFT 패널을 제공하는데, 이 양면 TFT 패널은, 일측이 함께 접착되어 양면 TFT 패널을 생성하는 두 개의 TFT 패널을 포함하되; 양면 TFT 패널 중 어느 하나의 TFT 패널에 다른 하나의 TFT 패널과 공유할 수 있는 구동 회로가 배치되고 양면 TFT 패널에 전도성 홀이 개설되어 양면 TFT 패널의 전극을 연통시킨다.
제3 양태에서, 본 발명의 실시예는 전자기기를 제공한다. 이 전자기기는, 하우징 및 하우징 내에 설치되는 상기 양면 TFT 패널을 포함한다.
상기 양면 TFT 패널 및 그 제조 방법, 디스플레이 기기에 있어서, 두 개의 TFT 패널의 일측은 함께 접착되어 양면 TFT 패널을 생성하고 양면 TFT 패널 중 어느 하나의 TFT 패널에 다른 하나의 TFT 패널과 공유할 수 있는 구동 회로가 배치됨으로써 양면 TFT 패널의 공간 이용률을 향상시킬 수 있다.
이하 도면을 참조하여 본 발명의 예시적인 실시예를 상세하게 설명함으로써 본 분야의 통상의 지식을 가진 자로 하여금 본 발명의 상기 특징 및 장점이 보다 명확해지도록 한다. 도면에서,
도 1은 본 발명의 실시예의 양면 TFT 패널의 제조 방법의 모식도이다.
도 2a는 본 발명의 실시예의 양면 TFT 패널의 제조 과정에서의 제1 상태의 모식도이다.
도 2a-도 2b는 본 발명의 실시예의 양면 TFT 패널의 제조 과정에서의 제2 상태 변화의 모식도이다.
도 2b-도 2c는 본 발명의 실시예의 양면 TFT 패널의 제조 과정에서의 제3 상태 변화의 모식도이다.
도 2c-도 2d는 본 발명의 실시예의 양면 TFT 패널의 제조 과정에서의 제4 상태 변화의 모식도이다.
도 2d-도 2e는 본 발명의 실시예의 양면 TFT 패널의 제조 과정에서의 제5 상태 변화의 모식도이다.
도 2e-도 2f는 본 발명의 실시예의 양면 TFT 패널의 제조 과정에서의 제6 상태 변화의 모식도이다.
도 2f-도 2g는 본 발명의 실시예의 양면 TFT 패널의 제조 과정에서의 제7 상태 변화의 모식도이다.
도 2g-도 2h는 본 발명의 실시예의 양면 TFT 패널의 제조 과정에서의 제8 상태 변화의 모식도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예의 양면 TFT 패널의 모식도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 상기 양면 TFT 패널을 적용한 디스플레이 기기의 모식도이다.
본 발명의 내용을 보다 명확하고 정확하게 이해하기 위하여 도면을 결부하여 상세하게 설명한다. 도면은 본 발명의 실시예의 예시를 도시하고 여기서, 동일한 부호는 동일한 소자를 나타낸다. 도면에 도시된 비율은 본 발명의 실제 구현의 비율이 아니고 단지 예시적인 설명을 목적으로 하며 원래 크기에 따라 그려진 것이 아님을 이해할 수 있다.
도 1을 참조하면, 이는 실시예의 양면 TFT 패널(6)의 제조 방법의 모식도이다. 이 제조 방법은 하기와 같은 단계를 포함한다.
단계S601: 두 개의 기판(11)을 제공하고 두 개의 기판(11)에 하나의 TFT 패널(1)이 각각 성장한다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서, 기판(11)은 플렉서블 서브 스트레이트 기판(11)이고 기판(11)은 투명하거나 불투명할 수 있다. 기판(11)을 투명하게 설정하면, 유리 재료를 사용하여 제조될 수 있다. 유리 재료는 SiO2를 주성분으로 하는 유리 재료일 수 있지만 이에 한정되지 않는다.
구체적으로, 기판(11)은 구리 클래드 라미네이트이고 단면 및 양면 인쇄기판은 제조 과정에서 기판(11) 재료-구리 클래드 라미네이트에서 홀 가공, 화학적 구리 도금, 전기적 구리 도금 및 에칭 등 가공을 선택적으로 진행하여 필요한 회로 패턴을 얻는다. 다른 하나의 유형의 다층 인쇄 기판의 제조는 코어 박형 구리 클래드 라미네이트를 기반으로 하고 전도성 패턴층과 프리프레그는 교대로 일회성 라미네이션을 통해 함께 접합되어 3층 이상의 전도성 패턴층 사이의 연결을 형성한다. 기판(11)은 전기 전도, 절연 및 지지 등 세 가지 기능을 갖는다. 인쇄 기판의 성능, 품질, 제조의 가공성, 제조 비용, 제조 수준 등은 기판(11) 재료에 크게 의존한다.
일부 실시 가능한 실시예에서, 플렉서블 서브 스트레이트 기판(11)은 또한 플라스틱 투명 재료로 제조될 수 있고 플라스틱 유리 재료는 폴리에테르설폰(pes), 폴리아크릴레이트(par), 폴리에테르이미드(pei), 폴리에틸렌나프토에이트(pet), 폴리페닐렌설파이드(pps), 폴리α-아크릴레이트, 폴리이미드, 폴리카보네이트(pc), 셀룰로오스트리아세테이트(TAC), 초산프로피온산셀룰로오스(CAP) 등일 수 있지만 이에 한정되지 않는다. 플렉서블 서브 스트레이트 기판(11)을 불투명하게 설정하면, 금속 재료를 사용하여 제조될 수 있다. 구체적으로, 금속 재료는 구리, 알루미늄 등 플렉서블한 금속 재료일 수 있지만 이에 한정되지 않는다.
예를 들면, 저온 다결정 실리콘 기술로 제조된 TFT 패널(1)을 예로 들면, TFT 패널(1)은, 기판(11)의 일측에 형성된 구동 회로(12), 본딩 전극(13), 평탄층(15), 절연층(16), 및 버퍼층(100)을 포함한다. 여기서, 버퍼층(100), 절연층(16), 평탄층(15)은 기판(11)에 순차적으로 설치된다. 구동 회로(12)는 절연층(16) 및 평탄층(15)에 인서트된다. 평탄층(15)은 절연층(16)으로부터 멀어지는 구동 회로(12)의 일측을 피복하고 절연층(16)으로부터 멀어지는 평탄층(15)의 일측에 평평한 표면을 형성한다.
선택적으로, 구동 회로(12)는 트랜지스터 TFT, 데이터 라인, 스캔 라인 등을 포함한다. 트랜지스터 TFT의 게이트, 소스 전극, 드레인 전극은 주요 금속 재료로 제조된다. 또한 전도성 반도체 재료로 도핑된다. 금속 재료는 구리, 알루미늄, 텅스텐, 금, 은 등일 수 있지만 이에 한정되지 않는다. 전도성 반도체 재료는 폴리실리콘일 수 있지만 이에 한정되지 않는다. 구체적으로, 구동 회로(12)는 2T1C 회로일 수 있지만 이에 한정되지 않는다.
평탄층(15)은 절연 재료로 제조되고 이 절연 재료는 SiO2, Si3N4, HfO2, SiON, TiO2, TaO3, SnO2 등을 포함하지만 이에 한정되지 않는다.
절연층(16)은 게이트 절연층(16) 및 비게이트 절연층(16)을 포함한다. 절연층(16)은 무기 재료를 사용하여 제조되고 무기 재료는 산화 재료(예: SiO2), 질화 재료(SiN) 등일 수 있지만 이에 한정되지 않는다.
버퍼층(100)은 기판(11)의 상부 표면에 배치되어 기판(11)을 평탄화시키고 불순물 또는 수분이 기판(11)으로부터 침투되는 것을 효과적으로 방지한다. 버퍼층(100)은 무기 재료를 사용하여 제조될 수 있다. 무기 재료는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 티타늄 산화물 등일 수 있지만 이에 한정되지 않는다. 버퍼층(100)은 또한 유기 재료를 사용하여 제조될 수 있다. 유기 재료는 폴리이미드, 폴리아미드 또는 아크릴 일 수 있지만 이에 한정되지 않는다.
단계S602: 각각의 TFT 패널(1)과 대응되는 기판(11)으로부터 멀어지는 일측에 지지막(14)을 각각 접착하여 설치한다. 도 2a-도 2b에 도시된 바와 같이, 지지막(14)은 폴리설폰 다공성 막일 수 있지만 이에 한정되지 않고 일부 실시 가능한 실시예에서, 지지막(14)은 또한 지지 효과를 갖는 다른 재질의 지지막(14)일 수 있으며 여기서 한정하지 않는다.
단계S603: 각각의 TFT 패널(1)과 대응되는 기판(11)을 박리한다. 도 2b-도 2c에 도시된 바와 같이, 기판(11)을 박리하는 방식은 레이저 방식일 수 있지만 이에 한정되지 않고 일부 실시 가능한 실시예에서, 지지막(14)을 박리하는 방식은, 지지막(14)을 가열하여 지지막(14)이 양면 TFT 백플레인(6)로부터 이탈되도록 하는 방식; 및 자외선을 지지막(14)에 조사하여 지지막(14)이 양면 TFT 백플레인(6)로부터 이탈되도록 하는 방식이 있다. 물론, 또한 박리 방식일 수 있고 박리 효과는 상기 박리 효과와 동일하다.
단계S604: 두 개의 TFT 패널(1)에서 기판(11)을 박리하는 일측을 함께 접착하여 양면 TFT 패널(6)을 생성한다. 도 2c-도 2d에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서, 점성 절연 재료(2)를 사용하여 두 개의 TFT 패널(1)에서 기판(11)을 박리하는 일측을 함께 접착하여 양면 TFT 패널(6)을 생성한다. 구체적으로, 점성 절연 재료(2)는 폴리이미드 박막일 수 있지만 이에 한정되지 않고 일부 실시 가능한 실시예에서, 점성 절연 재료(2)는 또한 접착성을 갖는 다른 절연 재료일 수 있다. 점성 절연 재료(2)는 재료의 상이함에 근거하여 점성 절연 재료(2)는 에틸렌프로필렌 고무 접착 테이프, 에틸렌프로필렌 고무 및 부틸 고무 방수 테이프, 실리콘 고무 테이프 등일 수 있고 점성 절연 재료(2)는 기능의 상이함에 근거하여 고압 고무 접착 테이프 및 저압 고무 접착 테이프, 방수 테이프, 반도체 테이프, 전기 응력 제어 테이프, 내아크성 실리콘 고무 테이프 등으로 구분될 수 있다.
단계S605: 양면 TFT 패널(6)에 전도성 홀(3)이 개설되어 두 개의 TFT 패널(1)의 전극을 연통시킨다. 도 2d-도 2e에 도시된 바와 같이, 전도성 홀(3)을 개설하는 방식은 수동 드릴링과 전기 드릴 드릴링을 포함하고 소량의 전도성 홀(3)을 개설할 경우, 수동으로 드릴링 할 수 있으며 다량의 전도성 홀(3)이 필요한 경우, 전기 드릴을 사용하여 드릴링 할 수 있다.
전도성 홀(3)에는 금속 도금 또는 전도성 유리 재료가 충진되어 있고 전도성 홀(3)은 두 개의 TFT 패널(1)의 전극을 연통시킨다. 전도성 홀(3)이 금속 도금 재료로 충진 될 경우, 금속 도금 재료(2)는 금, 은, 구리를 사용할 수 있지만 이에 한정되지 않는다. 전도성 홀(3)이 전도성 유리 재료로 충진 될 경우, 전도성 유리는 부피 전도성 유리 및 표면 전도층 유리 두 가지로 구분된다. 부피 전도성 유리의 성분에는 알칼리성 산화물, 실리콘 산화물, 티타늄 산화물이 포함되어 있다. 표면 전도층 유리는 투명한 유리 표면에 한 층의 금속 박막(예컨대 금, 백금 등이고 두께는 10nm보다 작음)을 증착하거나, 또는 가열된 유리 표면에 금속 산화물 전도성 박막(예컨대 주석, 인듐 등)을 스프레이하여 제조된다. 따라서 전도성 유리는 저항이 작고 전기를 전도할 수 있는 유리이다.
단계S606: 양면 TFT 패널(6)의 지지막(14)을 박리한다. 도 2e-도 2f에 도시된 바와 같이, 지지막(14)을 박리하는 방식은 레이저 방식일 수 있지만 이에 한정되지 않고 일부 실시 가능한 실시예에서, 지지막(14)을 박리하는 방식은 또한, 지지막(14)을 가열하여 지지막(14)이 양면 TFT 백플레인(6)로부터 이탈되도록 하는 방식; 및 자외선을 지지막(14)에 조사하여 지지막(14)이 양면 TFT 백플레인(6)로부터 이탈되도록 하는 방식이 있다. 물론, 또한 박리 방식일 수 있고 박리 효과는 상기 박리 효과와 동일하다.
단계S607: 구동 회로(12)를 양면 TFT 패널(6) 중 어느 하나의 TFT 패널(1)에 배치하여 양면 TFT 패널(6) 중 다른 하나의 TFT 패널(1)이 구동 회로(12)를 공유할 수 있도록 한다. 도 2f-도 2g에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서, 구동 회로(12)가 양면 TFT 패널(6) 중 어느 하나의 TFT 패널(1)에 배치될 경우, 양면 TFT 패널(6) 중 다른 하나의 TFT 패널(1)도 구동 회로(12)를 공유할 수 있다. 구동 회로(12)의 신호 라인 및 데이터 라인은 두 개의 TFT 패널(1)에 분포될 수 있음으로써, 비표시 영역에 배치되는 신호 라인 및 데이터 라인을 감소시킬 수 있고 나아가, 비표시 영역의 프레임을 효과적으로 감소시킬 수 있다.
단계S608: 양면 TFT 패널(6)의 양측의 본딩 전극(13)에 발광 소자(4)를 설치한다. 도 2g-도 2h에 도시된 바와 같이,
본 실시예에서, 발광 소자(4)는 마이크로 발광 다이오드일 수 있지만 이에 한정되지 않고 마이크로 발광 다이오드의 크기는 마이크론 레벨이다. 나아가, 마이크로 발광 다이오드의 크기는 100 마이크론보다 작다. 양면 TFT 패널(6)의 마이크로 발광 다이오드는 구동 회로(12)의 작용 하에서 발광할 수 있다.
도 3을 참조하면, 이는 제1 실시예의 양면 TFT 패널(6)의 모식도이다. 양면 TFT 패널(6)은, 일측이 함께 접착되고 양면 TFT 패널(6)을 생성하는 두 개의 TFT 패널(1)을 포함한다. 양면 TFT 패널(6) 중 어느 하나의 TFT 패널(1)에 다른 하나의 TFT 패널(1)과 공유할 수 있는 구동 회로(12)가 배치되고 양면 TFT 패널(6)에 전도성 홀(3)이 개설되며 전도성 홀(3)은 양면 TFT 패널(6)의 전극을 연통시킨다. 양면 TFT 패널(6)은 양면 디스플레이 효과를 갖고 본 실시예에서, 양면 TFT 패널(6)은 전자기기에 위치할 수 있다. 예를 들면, 휴대폰, 컴퓨터 및 LED 디스플레이를 포함하는 전자기기이다.
본 실시예에서, TFT 패널(1)은 저온 다결정 실리콘 기술로 제조되고 TFT 패널(1)은, 기판(11)의 일측에 형성된 구동 회로(12), 본딩 전극(13), 평탄층(15), 절연층(16), 및 버퍼층(100)을 포함한다. 여기서, 버퍼층(100), 절연층(16), 평탄층(15)은 기판(11)에 순차적으로 설치된다. 구동 회로(12)는 절연층(16) 및 평탄층(15)에 인서트된다. 평탄층(15)은 절연층(16)으로부터 멀어지는 구동 회로(12)의 일측을 피복하고 절연층(16)으로부터 멀어지는 평탄층(15)의 일측에 평평한 표면을 형성한다.
선택적으로, 구동 회로(12)는 트랜지스터 TFT, 데이터 라인, 스캔 라인 등을 포함한다. 트랜지스터 TFT의 게이트, 소스 전극, 드레인 전극은 주요 금속 재료로 제조된다. 또한 전도성 반도체 재료로 도핑된다. 금속 재료는 구리, 알루미늄, 텅스텐, 금, 은 등일 수 있지만 이에 한정되지 않는다. 전도성 반도체 재료는 폴리실리콘 일 수 있지만 이에 한정되지 않는다. 구체적으로, 구동 회로(12)는 2T1C 회로일 수 있지만 이에 한정되지 않는다.
평탄층(15)은 절연 재료로 제조되고 이 절연 재료는 SiO2, Si3N4, HfO2, SiON, TiO2, TaO3, SnO2 등을 포함하지만 이에 한정되지 않는다.
절연층(16)은 게이트 절연층(16) 및 비게이트 절연층(16)을 포함한다. 절연층(16)은 무기 재료를 사용하여 제조되고 무기 재료는 산화 재료(예: SiO2), 질화 재료(SiN) 등일 수 있지만 이에 한정되지 않는다.
버퍼층(100)은 기판(11)의 상부 표면에 배치되어 기판(11)을 평탄화시키고 불순물 또는 수분이 기판(11)으로부터 침투되는 것을 효과적으로 방지한다. 버퍼층(100)은 무기 재료를 사용하여 제조될 수 있다. 무기 재료는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 티타늄 산화물 등일 수 있지만 이에 한정되지 않는다. 버퍼층(100)은 또한 유기 재료를 사용하여 제조될 수 있다. 유기 재료는 폴리이미드, 폴리아미드 또는 아크릴 일 수 있지만 이에 한정되지 않는다.
두 개의 TFT 패널(1)의 일측은 함께 접착된다. 양면 TFT 패널(6)의 어느 하나의 TFT 패널(1)에 다른 하나의 TFT 패널(1)과 공유할 수 있는 구동 회로(12)가 배치된다. 동시에, 구동 회로(12)의 신호 라인 및 데이터 라인은 두 개의 TFT 패널(1)에 분포될 수 있음으로써, 비표시 영역에 배치되는 신호 라인 및 데이터 라인을 감소시킬 수 있다. 나아가, 비표시 영역을 효과적으로 감소시킬 수 있다.
양면 TFT 패널(6)에는 전도성 홀(3)이 개설되고 전도성 홀(3)은 양면 TFT 패널(6)의 전극을 연통시킨다. 전도성 홀(3)을 개설하는 방식은 수동 드릴링과 전기 드릴 드릴링을 포함하고 소량의 전도성 홀(3)을 개설할 경우, 수동으로 드릴링 할 수 있으며 다량의 전도성 홀(3)이 필요한 경우, 전기 드릴을 사용하여 드릴링 할 수 있다.
전도성 홀(3)에는 금속 도금 또는 전도성 유리 재료가 충진되어 있고 전도성 홀(3)은 두 개의 TFT 패널(1)의 전극을 연통시킨다. 전도성 홀(3)이 금속 도금 재료로 충진 될 경우, 금속 도금 재료(2)는 금, 은, 구리를 사용할 수 있지만 이에 한정되지 않는다. 전도성 홀(3)이 전도성 유리 재료로 충진 될 경우, 전도성 유리는 부피 전도성 유리 및 표면 전도층 유리 두 가지로 구분된다. 부피 전도성 유리의 성분에는 알칼리성 산화물, 실리콘 산화물, 티타늄 산화물이 포함되어 있다. 표면 전도층 유리는 투명한 유리 표면에 한 층의 금속 박막(예컨대 금, 백금 등이고 두께는 10 nm보다 작음)을 증착하거나, 또는 가열된 유리 표면에 금속 산화물 전도성 박막(예컨대 주석, 인듐 등)을 스프레이하여 제조된다. 따라서 전도성 유리는 저항이 작고 전기를 전도할 수 있는 유리이다.
두 개의 TFT 패널(1)은 점성 절연 재료(2)를 통해 함께 접착된다. 점성 절연 재료(2)는 폴리이미드 박막일 수 있지만 이에 한정되지 않는다. 일부 실시 가능한 실시예에서, 점성 절연 재료(2)는 또한 접착성을 갖는 다른 절연 재료일 수 있다. 점성 절연 재료(2)는 재료의 상이함에 근거하여 점성 절연 재료(2)는 에틸렌프로필렌 고무 접착 테이프, 에틸렌프로필렌 고무 및 부틸 고무 방수 테이프, 실리콘 고무 테이프 등일 수 있고 점성 절연 재료(2)는 기능의 상이함에 근거하여 고압 고무 접착 테이프 및 저압 고무 접착 테이프, 방수 테이프, 반도체 테이프, 전기 응력 제어 테이프, 내아크성 실리콘 고무 테이프 등으로 구분될 수 있다.
본 실시예에서, 양면 TFT 패널(6)의 양측의 본딩 전극(13)에 발광 소자(4)가 설치된다. 발광 소자(4)는 마이크로 발광 다이오드일 수 있지만 이에 한정되지 않고 마이크로 발광 다이오드의 크기는 마이크론 레벨이다. 나아가, 마이크로 발광 다이오드의 크기는 100 마이크론보다 작다. 양면 TFT 패널(6)의 마이크로 발광 다이오드는 구동 회로(12)의 작용 하에서 발광할 수 있다.
도 4를 참조하면, 이는 제1 실시예에 상기 양면 TFT 패널(6)을 적용한 디스플레이 기기(5)의 모식도이다. 디스플레이 기기(5)는 양면 TFT 패널(6) 및 양면 TFT 패널(6)을 고정하는 하우징(51)을 포함한다. 디스플레이 기기(5)는 디스플레이 기능을 갖는 것을 이해할 수 있다. 여기서, 디스플레이 기기(5)는 디스플레이, 텔레비전, 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 태블릿 컴퓨터, 웨어러블 기기 등을 포함하지만 이에 한정되지 않는다.
알다시피, 본 분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 본 발명에 대해 다양한 변경 및 변형을 진행할 수 있다. 이러한 방식으로, 본 발명의 이러한 수정 및 변형이 본 발명의 특허청구범위 및 그 균등한 기술의 범위 내에 있다면 본 발명은 또한 이러한 변경 및 변형을 포함하도록 의도된다.
이상 열거된 것은 단지 본 발명의 바람직한 실시예일 뿐, 이로써 본 발명의 특허범위를 한정할 수 없으므로 본 발명의 특허청구범위에 따라 이루어진 균등한 변화는 여전히 본 발명의 범위에 속한다.

Claims (10)

  1. 양면 TFT 패널의 제조 방법으로서,
    각각의 기판에 하나의 TFT 패널이 성장하는 두 개의 기판을 제공하는 단계;
    각각의 상기 TFT 패널의 표면 양측 중에서 해당 TFT 패널과 대응되는 상기 기판으로부터 더 멀리 있는 일측에 지지막을 각각 접착하여 설치하는 단계;
    각각의 상기 TFT 패널과 대응되는 상기 기판을 박리하는 단계;
    두 개의 상기 TFT 패널에서 상기 기판을 박리한 일측을 함께 접착하여 양면 TFT 패널을 생성하는 단계;
    상기 양면 TFT 패널에 전도성 홀이 개설되어 두 개의 상기 TFT 패널의 전극을 연통시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 TFT 패널의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 양면 TFT 패널의 제조 방법은,
    상기 양면 TFT 패널의 상기 지지막을 박리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 TFT 패널의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 양면 TFT 패널의 제조 방법은,
    구동 회로를 상기 양면 TFT 패널 중 어느 하나의 TFT 패널에 배치하여 상기 양면 TFT 패널 중 다른 하나의 TFT 패널이 상기 구동 회로를 공유할 수 있도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 TFT 패널의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 양면 TFT 패널의 제조 방법은,
    상기 양면 TFT 패널의 양측의 본딩 전극에 발광 소자를 설치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 TFT 패널의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    각각의 상기 TFT 패널과 대응되는 상기 기판을 박리하는 단계는,
    레이저 방식을 이용하여 각각의 상기 TFT 패널의 상기 기판을 박리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 TFT 패널의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    두 개의 상기 TFT 패널에서 상기 기판을 박리하는 일측을 함께 접착하여 양면 TFT 패널을 생성하는 상기 단계는,
    점성 절연 재료를 이용하여 두 개의 상기 TFT 패널에서 상기 기판을 박리하는 일측을 함께 접착하여 상기 양면 TFT 패널을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 TFT 패널의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 점성 절연 재료는 폴리이미드 박막인 것을 특징으로 하는 양면 TFT 패널의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 전도성 홀에는 금속 도금 또는 전도성 유리 재료가 충진되는 것을 특징으로 하는 양면 TFT 패널의 제조 방법.
  9. 양면 TFT 패널로서,
    일측이 함께 접착되는 두 개의 TFT 패널을 포함하되;
    상기 양면 TFT 패널의 상기 두 개의 TFT 패널 중 어느 하나의 TFT 패널에는 다른 하나의 TFT 패널과 공유되는 구동 회로가 배치되고, 공유되는 상기 구동 회로는 트랜지스터, 신호 라인 및 데이터 라인을 포함하며, 상기 양면 TFT 패널에는 상기 두 개의 TFT 패널을 관통하는 전도성 홀이 개설되어 상기 양면 TFT 패널의 복수의 전극을 서로 연통시키는 것을 특징으로 하는 양면 TFT 패널.
  10. 디스플레이 기기로서,
    하우징 및 상기 하우징 내에 설치되는 제9항에 따른 양면 TFT 패널을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기기.
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