CN109585520B - 显示面板及显示模组、电子装置 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000828 alnico Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- HKBLLJHFVVWMTK-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti].[Ti] HKBLLJHFVVWMTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
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Abstract
本申请提出了一种显示面板及显示模组、电子装置，所述显示面板包括阵列基板，包括基板、及位于所述基板上的薄膜晶体管单元和存储电容；位于所述阵列基板上的发光器件层；所述存储电容在所述发光器件层上正投影面与所述发光器件层部分重合；所述存储电容内的膜层结构由透明材料制成。本申请通过利用透明材料制作阵列基板的存储电容区，并在所述存储电容上设置发光器件层，增加了显示面板的开口率，提高了显示面板的显示效果。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，特别涉及一种显示面板及显示模组、电子装置。
背景技术
在平板显示技术中，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器具有轻薄、主动发光、响应速度快、可视角大、色域宽、亮度高和功耗低等众多优点，逐渐成为继液晶显示器后的第三代显示技术。
随着显示面板的发展，对于底发光型OLED显示面板，阵列基板中的开关单元、薄膜晶体管单元及存储电容的存在，导致像素单元中开口率的限制，满足不了目前高分辨率显示面板的需求。
因此，目前亟需一种显示面板以解决上述问题。
发明内容
本申请提供一种显示面板及显示模组、电子装置，以解决现有显示面板开口率较低的技术问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供了一种显示面板，其包括：
阵列基板，包括基板、及位于所述基板上的薄膜晶体管单元和存储电容；
位于所述阵列基板上的发光器件层；
所述存储电容在所述发光器件层上正投影面与所述发光器件层部分重合；
其中，所述存储电容内的膜层结构由透明材料制成。
在本申请的显示面板中，
所述存储电容包括位于所述基板上的第一电极、位于所述第一电极上的多层绝缘层、位于所述多层绝缘层上的第四电极；
其中，所述第一电极、所述第四电极、及所述多层绝缘层由透明材料制成。
在本申请的显示面板中，
所述第一电极与所述薄膜晶体管单元中的遮光层同层设置；
所述第四电极与所述薄膜晶体管单元中的源漏极同层设置；
所述第四电极与所述薄膜晶体管单元的所述源漏极电连接；
所述第一电极、所述第四电极形成所述显示面板的所述存储电容。
在本申请的显示面板中，
所述显示面板还包括第一过孔；
所述第一过孔位于所述第四电极上；
所述发光器件层中的阳极层通过所述第一过孔与所述第四电极电连接。
在本申请的显示面板中，
所述显示面板还包括第一过孔；
所述第一过孔位于所述源漏极上；
所述发光器件层中的阳极层通过所述第一过孔与所述源漏极电连接。
在本申请的显示面板中，
所述存储电容包括位于所述基板上的第一电极、位于所述第一电极上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的第二电极、位于所述第二电极上的第三绝缘层、及位于所述第三绝缘层上的第四电极；
其中，所述第一电极、所述第二电极、所述第四电极、所述第一绝缘层、及第三绝缘层由透明材料制成。
在本申请的显示面板中，
所述第一电极与所述薄膜晶体管单元中的遮光层同层设置；
所述第二电极与所述薄膜晶体管单元中的有源层同层设置；
所述第四电极与所述薄膜晶体管单元中的源漏极同层设置；
所述第四电极与所述薄膜晶体管单元的所述源漏极电连接。
在本申请的显示面板中，
所述第一电极与所述薄膜晶体管单元中的遮光层同层设置；
所述第二电极与所述薄膜晶体管单元中的栅极同层设置；
所述第四电极与所述薄膜晶体管单元中的源漏极同层设置；
所述第四电极与所述薄膜晶体管单元的所述源漏极电连接。
在本申请的显示面板中，
所述第一电极、所述第二电极形成所述显示面板的第一电容，
所述第二电极、所述第四电极形成所述显示面板的第二电容。
在本申请的显示面板中，
所述存储电容包括位于所述基板上的第一电极、位于所述第一电极上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的第二电极、位于所述第二电极上的第二绝缘层、及位于所述第二绝缘层上的第三电极、位于所述第三电极上的第三绝缘层、及位于所述第三绝缘层上的第四电极；
其中，所述第一电极、所述第二电极、第三电极、所述第四电极、第一绝缘层、第二绝缘层、及第三绝缘层由透明材料制成。
在本申请的显示面板中，
所述第一电极与所述薄膜晶体管单元中的遮光层同层设置；
所述第二电极与所述薄膜晶体管单元中的有源层同层设置；
所述第三电极与所述薄膜晶体管单元中的栅极同层设置；
所述第四电极与所述薄膜晶体管单元中的源漏极同层设置；
所述第四电极与所述薄膜晶体管单元的所述源漏极电连接。
在本申请的显示面板中，
所述第一电极、所述第二电极形成所述显示面板的第一电容；
所述第二电极、所述第三电极形成所述显示面板的第二电容；
所述第三电极、所述第四电极形成所述显示面板的第三电容。
本申请还提出了一种显示模组，其中，所述显示模组包括上述的显示面板及位于所述显示面板的偏光层、盖板层。
本申请还提出了一种电子装置，其中，所述电子装置包括上述的显示模组。
有益效果：本申请通过利用透明材料制作阵列基板的存储电容区，并在所述存储电容上设置发光器件层，增加了显示面板的开口率，提高了显示面板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请显示面板的第一种结构图；
图2为本申请显示面板的第二种结构图；
图3为本申请显示面板的第三种结构图；
图4为本申请显示面板的第四种结构图；
图5为本申请显示面板的第五种结构图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
请参阅图1，图1为本申请显示面板的第一种结构图。
所述显示面板100包括：
阵列基板，所述阵列基板包括基板101、及位于所述基板101上的薄膜晶体管层200、及位于所述薄膜晶体管层200上的发光器件层300。
所述薄膜晶体管层200包括薄膜晶体管单元10、存储电容20、及开关单元(未画出)。所述开光单元在本申请不作具体讨论。
在一种实施例中，所述存储电容20在所述发光器件层300上正投影面与所述发光器件层300部分重合。
在一种实施例中，所述存储电容20内的膜层结构由透明材料制成。
在一种实施例中，所述基板101的原材料可以为玻璃基板、石英基板、树脂基板等中的一种。
在一种实施例中，所述基板101还可以为柔性基板。所述柔性基板的材料可以为PI(聚酰亚胺)。
所述薄膜晶体管单元10包括ESL(蚀刻阻挡层型)、BCE(背沟道蚀刻型)或Top-gate(顶栅薄膜晶体管型)结构，具体没有限制。本申请以顶栅薄膜晶体管型为例进行说明。
所述薄膜晶体管单元10包括：遮光层102、缓冲层103、有源层104、栅绝缘层105、栅极106、间绝缘层107、源漏极108、钝化层109及平坦化层110。
所述遮光层102形成于所述基板101上，主要用于遮挡光源进行薄膜晶体管单元10，影响薄膜晶体管的驱动效果。
所述缓冲层103形成于所述遮光层102上，主要用于缓冲膜层质结构之间的压力，并且还可以具有一定阻水氧的功能。
所述有源层104形成于所述缓冲层103上。所述有源层104包括经离子掺杂的掺杂区(未画出)。
在一种实施例中，所述有源层104的材料可以为铟镓锌氧化物(IGZO)，即导电的半导体，同时也是透明材料。
所述栅绝缘层105形成于所述有源层104上。
所述栅绝缘层105将所述有源层104覆盖。所述间绝缘层107用于将所述有源层104与其他金属层隔离。
所述栅极106形成于所述栅绝缘层105上。
所述栅极105的金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种金属材料的组合物。
在一种实施例中，所述栅极106的金属材料可以为钼。
所述间绝缘层107形成于所述栅极106上。
所述间绝缘层107将所述栅极106覆盖。所述间绝缘层107主要用于将所述栅极106和所述源漏极108隔离；
所述源漏极108形成于所述间绝缘层107上。
所述源漏极108的金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、铜或钛铝合金等金属，也可以使用上述几种金属材料的组合物。
所述源漏极108通过第二过孔115与所述有源层104上的掺杂区电连接。
在一种实施例中，所述源漏极108的金属材料可以为钛铝钛。
所述钝化层109及所述平坦化层110形成于所述源漏极108上，所述钝化层109用于保证所述薄膜晶体管工艺上的平整性。
所述发光器件层包括形成于所述阵列基板上的阳极层111、发光层112及阴极层113；
所述阳极层111形成于所述平坦层110上。
所述阳极层111主要用于提供吸收电子的空穴。
本实施例中，发光器件(OLED)为底发射型OLED器件，因此所述像阳极层111为透明的金属电极。
在一种实施例中，所述阳极层111的材料可选为铟锡氧化物(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)或氧化锌铝(AZO)中的至少一种；
所述发光层112形成于所述阳极层111上。所述发光层112被像素定义层114分割成多个发光单元。
所述阴极层113形成于所述发光层112上。
所述阴极层113覆盖所述发光层112及位于所述阵列基板上的像素定义层114。
在一种实施例中，所述阴极层113可以为非透明材料或透明材料。当所述阴极层113为非透明材料时，发光层112产生的光线经过所述阴极层113向所述基板101方向投射。当所述阴极层113为透明材料时，可以在所述阴极层113上设置一反射层，使得透过所述阴极层113的光向所述基板101方向投射。
请参阅图1，所述存储电容20包括位于所述基板101上的第一电极201、位于所述第一电极201上的多层绝缘层、位于所述多层绝缘层上的第四电极207。
在一种实施例中，所述第一电极201、所述第四电极207、及所述多层绝缘层由透明材料制成。
在一种实施例中，所述第一电极201与所述薄膜晶体管单元10中的遮光层102同层设置。所述第一电极201与所述遮光层102在不同的光罩工艺中形成。
在一种实施例中，所述第四电极207与所述薄膜晶体管单元10中的源漏极108同层设置。所述第四电极207与所述薄膜晶体管单元10的所述源漏极108电连接。所述第四电极207与所述源漏极108在不同的光罩工艺中形成。
在一种实施例中，所述第一电极201、所述第四电极207形成所述显示面板100的所述存储电容20。
在一种实施例中，所述多层绝缘层为与所述薄膜晶体管单元10中的所述缓冲层103与所述间绝缘层107。
所述存储电容20还包括第三过孔208。所述第一电极201通过所述第三过孔208与所述第四电极207电连接。
在一种实施例中，所述第三过孔208贯穿所述间绝缘层107及所述缓冲层103。
由于所述薄膜晶体管单元10受到光照影响，降低所述薄膜晶体管的性能，因此所述薄膜晶体管单元10需要设置遮光层102防止外界光源对所述薄膜晶体管单元10的影响。
本申请为了保证所述显示面板100的开口率，所述第一电极201、所述第二电极203以及位于所述第一电极201与所述第二电极203之间的所述缓冲层103与所述间绝缘层107采用透明材料制成。
请参阅图1，所述显示面板100还包括第一过孔116。
所述第一过孔116位于所述第四电极207上。所述发光器件层300中的阳极层111通过所述第一过孔116与所述第四电极207电连接。
请参阅图2，图2为本申请显示面板100的第二种结构图。
所述第一过孔116位于所述源漏极108上。所述发光器件层300中的阳极层111通过所述第一过孔116与所述源漏极108电连接。
请参阅图3，图3为本申请显示面板100的第三种结构图。
所述存储电容20包括位于所述基板101上的第一电极201、位于所述第一电极201上的第一绝缘层202、位于所述第一绝缘层202上的第二电极203、位于所述第二电极203上的第二绝缘层204、及位于所述第二绝缘层204上的第四电极207。
在一种实施例中，所述第一电极201、所述第二电极203、所述第四电极207、所述第一绝缘层202、及第二绝缘层204由透明材料制成。
在一种实施例中，所述第一电极201与所述薄膜晶体管单元10中的遮光层102同层设置。所述第一电极201的结构与图1及图2相同，具体不在赘述。
在一种实施例中，所述第二电极203与所述薄膜晶体管单元10中的有源层104同层设置。所述第二电极203与所述有源层104在同一道光罩工艺中形成。所述第二电极203与所述有源层104的材料相同。所述第二电极203材料为铟镓锌氧化物(IGZO)。
在一种实施例中，所述第一绝缘层202与所述缓冲层103同层设置。所述第一绝缘层202与所述缓冲层103在同一道光罩工艺中形成。
在一种实施例中，所述第二绝缘层204与所述间绝缘层107同层设置。所述第二绝缘层204与所述间绝缘层107在同一道光罩工艺中形成。
在一种实施例中，所述第四电极207与所述薄膜晶体管单元10中的源漏极108同层设置。所述第四电极207与所述薄膜晶体管单元10的所述源漏极108电连接。所述第四电极207的结构与图1及图2相同，具体不在赘述。
在一种实施例中，所述第一电极201、所述第二电极203形成所述显示面板100的第一电容。所述第二电极203、所述第四电极207形成所述显示面板100的第二电容。所述第一电容极所述第二电容并联设置，增加了所述显示面板100存储电容20的电容量，能满足在高解析度下面板对高电容的需求。
在一种实施例中，所述第一过孔116的设置与图1及图2相同，具体不在赘述。
请参阅图4，图4为本申请显示面板100的第四种结构图。
本实施例与图3中相同或类似，不同之处在于：
所述第二电极203与所述薄膜晶体管单元10中的栅极106同层设置。
所述第二电极203与所述栅极106在同一道光罩工艺中形成。
在图3和图4中，所述显示面板100还包括第一过孔116。
所述第一过孔116的连接方式与图1及图2相同，具体不在赘述。
请参阅图5，图5为本申请显示面板100的第五种结构图。
所述存储电容20包括位于所述基板101上的第一电极201、位于所述第一电极201上的第一绝缘层202、位于所述第一绝缘层202上的第二电极203、位于所述第二电极203上的第二绝缘层204、及位于所述第二绝缘层204上的第三电极205、位于所述第三电极205上的第三绝缘层206、及位于所述第三绝缘层206上的第四电极207。
在一种实施例中，所述第一电极201、所述第二电极203、第三电极205、所述第四电极207、第一绝缘层202、第二绝缘层204、及第三绝缘层206由透明材料制成。
在一种实施例中，所述第一电极201与所述薄膜晶体管单元10中的遮光层102同层设置。
在一种实施例中，所述第二电极203与所述薄膜晶体管单元10中的有源层104同层设置。
在一种实施例中，所述第三电极205与所述薄膜晶体管单元10中的栅极106同层设置。
在一种实施例中，所述第四电极207与所述薄膜晶体管单元10中的源漏极108同层设置。所述第四电极207与所述薄膜晶体管单元10的所述源漏极108电连接。
在一种实施例中，所述第一电极201、所述第二电极203形成所述显示面板100的第一电容。所述第二电极203、所述第三电极205形成所述显示面板100的第二电容。所述第三电极205、所述第四电极207形成所述显示面板100的第三电容。所述第一电容、所述第二电容及所述第三电容并联设置，增加了所述显示面板100存储电容20的电容量，能满足在高解析度下面板对高电容的需求。
在图1～图5中，位于所述显示面板100开口区下方的所述存储电容20由透明材料制成。位于开口区内的发光层发出的光穿过所述存储电容20进入外界。相比现有技术增加了所述存储电容20对应的开口区，增加了所述显示面板100的开口率，提高了显示面板100的显示效果。
在本实施例中，所述第一电极201、所述第二电极203、第三电极205以及所述第四电极207中的任意两者或三者可以进行组合形成是所述存储电容20，此类实施例，本申请不再赘述。
本申请还提出了一种显示模组，所述显示模组包括上述显示面板及位于所述显示面板上的偏光层及盖板层。所述显示模组的工作原理与所述显示面板相同或类似，具体不再赘述。
本申请还提出了一种电子装置，所述电子装置包括上述显示显示模组。所述电子装置的工作原理与所述显示模组的相同或相同，具体不再赘述。
在一种实施例中，所述电子装置包括但不限定于手机、平板电脑、计算机显示器、游戏机、电视机、显示屏幕、可穿戴设备及其他具有显示功能的生活电器或家用电器等。
本申请提出了一种显示面板及显示模组、电子装置，所述显示面板包括阵列基板，包括基板、及位于所述基板上的薄膜晶体管单元和存储电容；位于所述阵列基板上的发光器件层；所述存储电容在所述发光器件层上正投影面与所述发光器件层部分重合；所述存储电容内的膜层结构由透明材料制成。本申请通过利用透明材料制作阵列基板的存储电容区，并在所述存储电容上设置发光器件层，增加了显示面板的开口率，提高了显示面板的显示效果。
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (3)
1.一种显示面板，所述显示面板为底发光面板，其特征在于，包括：
阵列基板，包括基板、及位于所述基板上的薄膜晶体管单元和存储电容；
位于所述阵列基板上的发光器件层；
所述存储电容在所述发光器件层上正投影面与所述发光器件层部分重合；
其中，所述存储电容包括位于所述基板上的第一电极、位于所述第一电极上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的第二电极、位于所述第二电极上的第二绝缘层、及位于所述第二绝缘层上的第三电极、位于所述第三电极上的第三绝缘层、及位于所述第三绝缘层上的第四电极、以及贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第三过孔，所述第一电极通过所述第三过孔与所述第四电极电连接；
所述第一电极、所述第二电极形成所述显示面板的第一电容，所述第二电极、所述第三电极形成所述显示面板的第二电容，所述第三电极、所述第四电极形成所述显示面板的第三电容，所述第一电容、所述第二电容及所述第三电容并联设置；
其中，所述第一电极与所述薄膜晶体管单元中的遮光层同层设置，所述第二电极与所述薄膜晶体管单元中的有源层同层设置，所述第三电极与所述薄膜晶体管单元中的栅极同层设置，所述第四电极与所述薄膜晶体管单元中的源漏极同层设置，所述第四电极与所述薄膜晶体管单元的所述源漏极电连接，所述第一电极、所述第二电极、第三电极、所述第四电极、第一绝缘层、第二绝缘层、及第三绝缘层由透明材料制成；
其中，所述显示面板还包括第一过孔，所述第一过孔位于所述第四电极上，所述发光器件层中的阳极层通过所述第一过孔与所述第四电极电连接。
2.一种显示模组，其特征在于，所述显示模组包括如权利要求1所述的显示面板及位于所述显示面板的偏光层、盖板层。
3.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求2所述的显示模组。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811627052.6A CN109585520B (zh) | 2018-12-28 | 2018-12-28 | 显示面板及显示模组、电子装置 |
| PCT/CN2019/077909 WO2020133714A1 (zh) | 2018-12-28 | 2019-03-13 | 显示面板及显示模组、电子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811627052.6A CN109585520B (zh) | 2018-12-28 | 2018-12-28 | 显示面板及显示模组、电子装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109585520A CN109585520A (zh) | 2019-04-05 |
| CN109585520B true CN109585520B (zh) | 2024-05-14 |
Family
ID=65933430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811627052.6A Active CN109585520B (zh) | 2018-12-28 | 2018-12-28 | 显示面板及显示模组、电子装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109585520B (zh) |
| WO (1) | WO2020133714A1 (zh) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110148599B (zh) * | 2019-04-28 | 2023-06-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| US11049884B2 (en) | 2019-04-28 | 2021-06-29 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel and method of manufacturing same, and display module |
| CN110265412A (zh) | 2019-06-27 | 2019-09-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板和阵列基板的制造方法 |
| CN110416263A (zh) * | 2019-07-22 | 2019-11-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
| CN110491886A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-11-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
| CN110611043B (zh) * | 2019-08-26 | 2020-10-16 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及显示器件 |
| CN110600517B (zh) * | 2019-09-16 | 2021-06-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
| CN110943112B (zh) * | 2019-11-26 | 2022-07-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| CN110890408B (zh) * | 2019-11-28 | 2022-08-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置 |
| CN111341814A (zh) * | 2020-03-11 | 2020-06-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板的制作方法 |
| US11587917B2 (en) | 2020-05-06 | 2023-02-21 | Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Backlight module, display panel and electronic device |
| CN111580304B (zh) * | 2020-05-06 | 2021-09-24 | Tcl华星光电技术有限公司 | 背光模组、显示面板及电子装置 |
| CN111584593B (zh) * | 2020-05-25 | 2024-02-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置以及显示面板的制造方法 |
| CN111613633A (zh) * | 2020-05-26 | 2020-09-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN111613654B (zh) * | 2020-05-27 | 2023-11-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板制作方法 |
| CN112750846B (zh) * | 2021-01-04 | 2023-06-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及oled显示装置 |
| CN113192988A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-07-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示器件 |
| CN113224120A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-08-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110147757A1 (en) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Array substrate of display device |
| KR20150066428A (ko) * | 2013-12-05 | 2015-06-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 |
| US20160133682A1 (en) * | 2014-11-12 | 2016-05-12 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display having high aperture ratio and method for manufacturing the same |
| US20180033847A1 (en) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | Lg Display Co., Ltd. | Transparent display device and method for manufacturing the same |
| CN107785399A (zh) * | 2017-10-26 | 2018-03-09 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN107910347A (zh) * | 2017-10-18 | 2018-04-13 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示器件及oled显示面板 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102281300B1 (ko) * | 2013-09-11 | 2021-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 표시장치 |
| KR102166341B1 (ko) * | 2014-09-05 | 2020-10-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 고 개구율 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 |
| CN107808895B (zh) * | 2017-10-24 | 2019-10-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 透明oled显示器及其制作方法 |
| CN108428730B (zh) * | 2018-05-16 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 |
-
2018
- 2018-12-28 CN CN201811627052.6A patent/CN109585520B/zh active Active
-
2019
- 2019-03-13 WO PCT/CN2019/077909 patent/WO2020133714A1/zh active Application Filing
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110147757A1 (en) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Array substrate of display device |
| KR20150066428A (ko) * | 2013-12-05 | 2015-06-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 |
| US20160133682A1 (en) * | 2014-11-12 | 2016-05-12 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display having high aperture ratio and method for manufacturing the same |
| CN105590953A (zh) * | 2014-11-12 | 2016-05-18 | 乐金显示有限公司 | 具有高孔径比的有机发光二极管显示器及其制造方法 |
| US20180033847A1 (en) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | Lg Display Co., Ltd. | Transparent display device and method for manufacturing the same |
| CN107910347A (zh) * | 2017-10-18 | 2018-04-13 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示器件及oled显示面板 |
| CN107785399A (zh) * | 2017-10-26 | 2018-03-09 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2020133714A1 (zh) | 2020-07-02 |
| CN109585520A (zh) | 2019-04-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |