KR100845864B1 - 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 발광 소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로 특히, 균일한 백색광을 발광할 수 있는 발광 소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 발광 소자 패키지에 있어서, 상기 발광 소자의 장착부를 가지는 패키지 바디와; 상기 패키지 바디에 형성된 형성된 전극과; 상기 장착부에 장착되는 발광 소자와; 상기 발광 소자의 주변부에 위치하는 투광성 격벽과; 상기 격벽에 충진되는 형광체를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.

발광 소자, 격벽, 전극, 패키지, LED.

Description

발광 소자 패키지 및 그 제조방법{LED package and method of manufacturing the same}

도 1은 일반적인 발광 소자의 일례를 나타내는 단면도이다.

도 2는 종래의 백색 발광을 위한 발광 소자 패키지의 일례를 나타내는 단면도이다.

도 3 내지 도 5는 본 발명의 제1실시예를 나타내는 단면도로서,

도 3은 격벽을 형성한 단계를 나타내는 단면도이다.

도 4는 발광 소자를 장착한 단계를 나타내는 단면도이다.

도 5는 충진재를 충진한 단계를 나타내는 단면도이다.

도 6 내지 도 8은 본 발명의 제2실시예를 나타내는 단면도이다.

도 9는 본 발명의 제3실시예를 나타내는 단면도이다.

도 10 및 도 11은 본 발명의 제4실시예를 나타내는 단면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명>

100 : 기판 101 : 패키지 바디

110 : 관통홀 120 : 장착부

200 : 전극 210 : 전면전극

220 : 후면전극 300 : 격벽

310 : 충진재 400 : 발광 소자

본 발명은 발광 소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로 특히, 균일한 백색광을 발광할 수 있는 발광 소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화 된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다.

이러한 LED에 의해 방출되는 광의 파장은 LED를 제조하는데 사용되는 반도체 재료에 따른다. 이는 방출된 광의 파장이 가전자대(valence band) 전자들과 전도대(conduction band) 전자들 사이의 에너지 차를 나타내는 반도체 재료의 밴드갭(band-gap)에 따르기 때문이다.

질화 갈륨 화합물 반도체(Gallium Nitride: GaN)는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭(0.8 ~ 6.2eV)에 의해 고출력 전자소자 개발 분야에서 많은 주목을 받아왔다. 이에 대한 이유 중 하나는 GaN이 타 원소들(인듐(In), 알루미늄(Al) 등)과 조합되어 녹색, 청색 및 백색광을 방출하는 반도체 층들을 제조할 수 있기 때문이다.

이와 같이 방출 파장을 조절할 수 있기 때문에 특정 장치 특성에 맞추어 재 료의 특징들에 맞출 수 있다. 예를 들어, GaN를 이용하여 광기록에 유익한 청색 LED와 백열등을 대치할 수 있는 백색 LED를 만들 수 있다.

또한, 종래의 녹색 LED의 경우에는 처음에는 GaP로 구현이 되었는데, 이는 간접 천이형 재료로서 효율이 떨어져서 실용적인 순녹색 발광을 얻을 수 없었으나, InGaN 박박성장이 성공함에 따라 고휘도 녹색 LED 구현이 가능하게 되었다.

이와 같은 이점 및 다른 이점들로 인해, GaN 계열의 LED 시장이 급속히 성장하고 있다. 따라서, 1994년에 상업적으로 도입한 이래로 GaN 계열의 광전자장치 기술도 급격히 발달하였다.

GaN 발광 다이오드의 효율은 백열등의 효율을 능가하였고, 현재는 형광등의 효율에 필적하기 때문에, GaN 계열의 LED 시장은 급속한 성장을 계속할 것으로 예상된다.

이러한 기술의 발달로 디스플레이 소자뿐만 아니라 광통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL; Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 LED 백라이트, 형광등이나 백열전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치 및 신호 등에까지 응용이 확대되고 있다.

한편, 직류 전원에 구동되는 LED 외에 일반 AC 전원에서도 작동하는 고전압 교류용 LED 칩도 개발되고 있는데, 이러한 목적으로 발광소자를 응용하기 위해서는 동일 전력에서 동작 전압은 높고 구동 전류는 낮아야 하며, 발광효율과 휘도가 높아야 한다.

일반적인 LED 소자의 구조의 제조단계는 도 1에서와 같이, 사파이어 등의 기판(1) 위에 버퍼층(2), n-형 반도체층(3), 활성층(4), p-형 반도체층(5)을 연속적으로 증착하고, 상기 n-형 반도체층(3)이 드러나도록 메사(MESA) 패터닝 한 후, 광 투과가 용이한 투명전극으로 전류확산층(6)을 p-형 반도체층(5) 위에 형성한다.

그 후에 외부 회로와의 전기적인 연결을 위하여 p-형 반도체층(5)과 n-형 반도체층(3)위에 각각 p-형 전극(7)과 n-형 전극(8)을 형성하여 LED 구조(10)를 제작한다.

이러한 발광 소자는 외부회로에서 p-형 전극(7)과 n-형 전극(8) 사이에 전압이 인가되면 p-형 전극(7)과 n-형 전극(8)으로 정공과 전자가 주입되고 활성층(4)에서 정공과 전자가 재결합하면서 여분의 에너지가 광으로 변환되어 투명전극 및 기판을 통하여 외부로 방출하게 된다.

이와 같은 방법에 의하여 제작된 LED(10)는 실리콘이나 세라믹으로 제작한 서브 마운트에 접합되어 패키지 형태로 사용하거나, 다른 패키지에 실장하여 사용하게 된다.

이러한 LED(10)를 이용하여 백색 광원을 만드는 방법에는 크게 2가지가 있는데, 첫째는, 청색, 녹색 및 적색의 LED(10)를 이용하여 백색 광원을 만들거나, 청색 및 자색의 발광 소자에 형광체를 이용하여 백색 광원을 만드는 방법이 있다.

도 2는 리드 프레임(Lead Frame) 구조의 몰딩 기술을 응용한 표면 실장형 발광 소자 패키지(20)를 나타내고 있다.

이러한 발광 소자 패키지(20)는 도전성 금속으로 이루어진 리드 프레임(21) 구조물에 LED(10)와 내전압 특성을 보완하기 위한 제너 다이오드(30)를 접합 수지를 이용하여 다이본딩 된다.

상기 LED(10)의 n-형 전극과 제너 다이오드(30)의 p-형 전극 및 LED(10)의 p-형 전극과 제너 다이오드(30)의 n-형 전극이 병렬로 연결되고, 두 개의 전극을 리드 프레임(21)에 위치한 전극(22)과 전기적으로 연결하기 위하여 와이어(23)를 이용하여 전기적으로 연결한다.

다음 공정으로는 몰딩용 복합 수지 분말과 형광체가 혼합된 충진재(24)를 LED(10)가 접합된 리드 프레임(21)에 트래스퍼 몰딩하여 발광 소자(10)로부터 방출된 빛의 파장을 변환하여 백색 광원을 비롯한 여러 종류의 발광원을 제조하게 된다.

이러한 구조에서 발광되는 광에 대하여, a, b, 및 c로 표시된 광 경로를 예를 들어서 설명하면 다음과 같다.

상기 LED(10)에서 방출된 빛이 형광체와 충돌할 수 있는 광 경로에 해당하는 a, b, 및 c 경로에서, a 경로는 b 경로 및 c 경로에 비하여 형광체와 충돌할 확률이 크므로 황색을 포함한 백색광을 방출하게 된다.

반면, b 경로는 a 및 c 경로에 비하여 형광체와 충돌할 확률이 작으므로 청색을 포함한 백색광을 방출하게 되므로 백색 발광 소자의 위치 별로 색좌표가 불균일하게 되는 문제점을 내포하게 된다.

이와 같이, 표면에 도달할 때의 경로차가 발생하여 균일한 빛을 구할 수 없으며, 에폭시 내에 포함된 형광체의 불균일에 기인하여 색 재현성이 저하되는 문제 점이 있었다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 균일한 형광체 형성을 이용하여 발광 소자의 위치 별 색좌표 균일도를 향상시킬 수 있는 백색 발광 소자를 구현할 수 있는 발광 소자 패키지 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.

상기 기술적 과제를 이루기 위해, 본 발명은, 발광 소자 패키지에 있어서, 상기 발광 소자의 장착부를 가지는 패키지 바디와; 상기 패키지 바디에 형성된 형성된 전극과; 상기 장착부에 장착되는 발광 소자와; 상기 발광 소자의 주변부에 위치하는 투광성 격벽과; 상기 격벽에 충진되는 형광체를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.

상기 격벽은, 투광성 포토 레지스트, 감광성 폴리머, 및 유리 중 어느 하나로 형성될 수 있다.

또한, 상기 격벽은 이 격벽과 발광 소자 사이의 거리가 일정하도록 형성될 수 있으며, 특히, 상기 발광 소자의 상측면과 격벽의 높이 차이가 상기 발광 소자의 측부와 격벽 사이의 거리와 동일하도록 형성되는 것이 바람직하다.

한편, 상기 패키지 바디는, 서브 마운트, 세라믹 기판, 및 반도체 기판 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.

상기 전극은, 상기 패키지 바디의 전면에 위치하며 상기 발광 소자와 연결되는 전면전극과; 상기 패키지 바디의 후면에 위치하며 상기 전면전극과 연결되는 후 면전극을 포함하여 구성될 수 있다.

이때, 상기 전면전극과 후면전극은, 상기 패키지 바디를 관통하는 관통홀을 통하여 연결될 수 있으며, 상기 관통홀은, 상기 패키지의 분리 영역에 형성되는 것이 바람직하다.

한편, 상기 형광체는 충진재와 함께 혼합되어 상기 격벽에 충진될 수 있다.

상기 격벽과 형광체 상측에는, 상기 전극과 와이어에 의하여 연결되는 리드와; 상기 발광 소자 상측에 부착되는 렌즈를 더 포함할 수 있다.

상기 발광 소자는 와이어 본딩 또는 플립칩 본딩되는 수평형 발광 소자가 이용될 수 있고, 수직형 발광 소자도 또한 이용될 수 있다.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 다른 관점으로서, 본 발명은, 발광 소자 패키지의 제조방법에 있어서, 기판에 발광 소자가 장착될 장착부에, 상기 발광 소자 주변의 영역을 한정하는 격벽을 형성하는 단계와; 상기 장착부에 발광 소자를 장착하는 단계와; 상기 격벽 내측에 형광체를 충진하는 단계를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.

상기 격벽을 형성하는 단계 이전에는, 상기 기판에 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 격벽은, 상기 기판에 감광성 폴리머를 코팅한 후 사진 식각 공정을 이용하여 형성될 수 있고, 상기 기판에 투광성 재료의 격벽을 부착하여 형성하는 것도 가능하다.

한편, 상기 형광체는, 에폭시 또는 실리콘 젤과 혼합하여 충진될 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.

<제1실시예>

도 3 내지 도 5는 본 발명의 제1실시예에 의한 발광 소자 패키지의 제조단계를 나타내고 있다.

먼저, 도 3에서와 같이, 발광 소자의 2D 서브 마운트, 패키지로 사용할 세라믹 기판, 또는 실리콘 기판 중 어느 하나의 기판(100)에 레이저 또는 식각 방법에 의하여 관통홀(110)을 형성한다.

이와 같이 관통홀(110)이 형성된 기판(100)은 패키지 바디가 된다.

이러한 기판(100)의 전면에 발광 소자가 접합될 장착부(120)에 연결되는 전극(200)을 형성한다.

상기 전극(200)은 도 3에서 도시하는 바와 같이, 금속라인을 이용하여 기판(100)의 전면과 후면에 연결되도록 한다. 즉, 발광 소자와 연결되는 전면전극(210)과 기판(100) 후면에 형성되는 후면전극(220)이 관통홀(110)에 의하여 서로 연결되도록 할 수 있다.

이러한 후면전극(220)은 발광 소자에 전류를 공급할 외부 회로와의 전기적으로 연결될 수 있다.

이때, 상기 관통홀(110)은 패키지의 분리 영역에 형성되도록 하는 것이 바람직하다.

이후, 발광 소자(400)가 장착되는 기판(100)의 전면측에 발광 소자(400)에서 일정한 간격을 이루는 투광성이 우수한 격벽(300)을 형성한다.

이러한 격벽(300)은 감광성 폴리머를 이용하여 형성할 수 있다. 즉, 기판(100) 전면에 감광성 폴리머를 코팅하고, 사진 식각 공정을 이용하여 격벽(300)이 형성되는 부분의 감광성 폴리머는 잔류되고 이외 영역의 감광성 폴리머는 제거되도록 함으로써 형성할 수 있다.

또한, 유리와 같은 투광성이 우수한 물질을 격벽 형태로 제조하여 기판(100)에 접합하여 격벽(300)을 형성할 수도 있다.

이와 같이, 서브 마운트 또는 패키지를 제작한 다음에는 도 4에서와 같이, 발광 소자(400)를 접합한다.

이후, 도 5에서 도시하는 바와 같이, 상술한 격벽과 발광 소자 사이의 공간을 형광체가 함유된 에폭시 또는 실리콘 젤과 같은 충진재(310)로 충진한다.

상술한 격벽(300)은 발광 소자(400)의 상측면과 격벽(300)의 높이 차이가 상기 발광 소자(400)의 측부와 격벽(300) 사이의 거리와 동일하도록 형성되는 것이 바람직하다.

따라서, 도 5의 A 및 B 경로의 발광 소자(400) 측면으로부터 방사되는 빛과 C 경로의 발광 소자(400)의 상부로 방사되는 빛은 경로차가 같게 되어 균일한 특성의 광 분포를 형성할 수 있게 된다.

상기 발광 소자(400)는 수평형 발광 소자 및 수직형 발광 소자가 모두 이용될 수 있다.

이후, 상기 발광 소자(400)가 패키징된 기판(100)에는 렌즈(도시되지 않음) 가 추가로 구성될 수 있고, 그 후 개개의 패키지로 분리되어 사용될 수 있다.

<제2실시예>

도 6 내지 도 8은 본 발명의 제2실시예에 의한 발광 소자 패키지의 제조단계를 나타내고 있다.

도 6에서와 같이, 먼저, 발광 소자의 서브 마운트 또는 패키지로 사용할 실리콘 기판(100)에 KOH 또는 TMAH와 같은 이방성 식각이 가능한 용액을 이용하여 관통홀(110)을 형성한다.

이와 같이, 식각에 의하여 관통홀(110)을 형성하는 경우 도 6과 같은 관통홀(110)이 형성되며, 이러한 관통홀(110) 형성을 위한 식각은 기판의 전면과 후면에서 각각 이루어져 식각된 부분이 서로 연결되도록 할 수 있다.

이후, 이러한 기판(100)의 전면에 발광 소자가 접합될 장착부(120)에 연결되는 전극(200)을 형성한다.

상기 전극(200)은, 상기 제1실시예와 같이, 발광 소자와 연결되는 전면전극(210)과 기판(100) 후면에 형성되는 후면전극(220)이 관통홀(110)에 의하여 서로 연결되도록 할 수 있다.

또한, 이후에 격벽(300)을 형성하고, 장착부(120)에 발광 소자(400)를 장착하며 충진재(310)를 충진하는 과정은 상기 제1실시예와 동일하다.

<제3실시예>

도 9는 본 발명의 제3실시예에 의한 발광 소자 패키지를 나타내고 있다.

이러한 발광 소자 패키지는, 거울면을 갖는 알루미늄 슬러그(slug: 130)에 접착제(140)를 사용하여 발광 소자(400)를 접합하였으며, 이러한 발광 소자(400)의 주위에는 투광성이 우수한 물질을 이용하여 격벽(300)이 형성된다.

상술한 격벽(300)과 발광 소자(400) 사이에는 형광체가 함유된 에폭시 또는 실리콘 젤과 같은 충진재(310)가 충진된다.

한편, 패키지 바디(101)에 의하여 고정되어 있는 리드(150)에는 발광 소자(400)의 전극과 전도성 와이어(160)에 의하여 전기적으로 연결된다.

이와 같이 발광 소자(400)가 접합된 패키지 바디(101)의 상측에는 렌즈(170)가 형성되거나 직접 부착될 수 있다.

상술한 격벽(300)은 발광 소자(400)의 상측면과 격벽(300)의 높이 차이가 상기 발광 소자(400)의 측부와 격벽(300) 사이의 거리와 동일하도록 형성되는 것이 바람직하며, 이는 상기 실시예와 동일하다.

<제4실시예>

도 10 및 도 11은 본 발명의 제4실시예에 의한 발광 소자 패키지의 제조단계를 나타내고 있다.

즉, 도 10에서 도시하는 바와 같이, 발광 소자의 서브 마운트 또는 패키지로 사용할 세라믹 기판 또는 실리콘 기판(100)에 레이저 또는 식각 방법에 의하여 관통홀(110)을 형성하고 발광 소자가 장착될 장착부(120)를 형성한다.

이러한 장착부(120)는 도시하는 바와 같이, 식각되어 내측으로 함몰된 홈 형상으로 형성되어 발광 소자의 측면으로부터 방사된 빛을 상부로 반사시켜 줄 수 있도록 한다.

이와 같이 관통홀(110)이 형성된 기판(100)은 패키지 바디가 된다.

이러한 기판(100)에 도 10에서 도시하는 바와 같이, 금속라인을 이용하여 기판(100)의 전면과 후면이 연결되는 전극(200)을 형성한다.

즉, 이러한 전극(200)은 발광 소자와 연결되는 전면전극(210)과 기판(100) 후면에 형성되는 후면전극(220)이 관통홀(110)에 의하여 서로 연결되도록 할 수 있다.

이때, 상기 관통홀(110)은 패키지의 분리 영역에 형성되도록 하는 것이 바람직하다.

이후, 발광 소자(400)가 장착되는 기판(100)의 전면측에 발광 소자(400)에서 일정한 간격을 이루는 투광성이 우수한 격벽(300)을 형성한다.

이러한 격벽(300)은 감광성 폴리머를 이용하여 형성할 수 있다. 즉, 기판(100) 전면에 감광성 폴리머를 코팅하고, 사진 식각 공정을 이용하여 격벽(300)이 형성되는 부분의 감광성 폴리머는 잔류되고 이외 영역의 감광성 폴리머는 제거되도록 함으로써 형성할 수 있으며, 또한, 유리와 같은 투광성이 우수한 물질을 격벽 형태로 제조하여 기판(100)에 접합하여 격벽(300)을 형성할 수도 있다.

이와 같이, 서브 마운트 또는 패키지를 제작한 다음에는 발광 소자(400)를 접합한다. 이때, 발광 소자(400)는 도시하는 바와 같이, 플립칩 본딩되어 장착될 수 있다.

즉, 수평형 발광 소자가 역전된 구조로 상기 전극(200)에 본딩되어 장착될 수 있으며, 이때, 상기 전극에는 제너 다이오드(도시되지 않음)가 구비될 수 있다.

이후, 도 11에서 도시하는 바와 같이, 상술한 격벽과 발광 소자 사이의 공간을 형광체가 함유된 에폭시 또는 실리콘 젤과 같은 충진재(310)로 충진한다.

상술한 격벽(300)은 발광 소자(400)의 상측면과 격벽(300)의 높이 차이가 상기 발광 소자(400)의 측부와 격벽(300) 사이의 거리와 동일하도록 형성되는 것이 바람직하다.

상기 발광 소자(400)로부터 방사된 빛은 형광체를 통과하는 경로가 서로 거의 동일하게 되며, 이는 상기의 실시예와 같다.

이때, 발광 소자(400) 측면으로부터 방사된 빛은 형광체를 통과하여 빛의 파장이 바뀌게 되는데, 상기 격벽(300)은 투광성이 우수하므로 방사된 빛은 격벽(300)을 투과하고 장착부(120)의 측벽에서 반사되어 상부로 향하게 된다.

이때, 이러한 장착부(120)의 측벽(121)에는 별도의 반사막(도시되지 않음)이 형성될 수도 있다.

상기 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구체적으로 설명하기 위한 일례로서, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 다양한 형태의 변형이 가능하고, 이러한 기술적 사상의 여러 실시 형태는 모두 본 발명의 보호범위에 속함은 당연하다.

이상과 같은 본 발명은 다음과 같은 효과가 있는 것이다.

첫째, 발광 소자로부터 방출된 모든 빛에 대하여 경로차를 같게 함으로써 백색광의 색좌표 균일도를 크게 향상시킬 수 있다.

둘째, 반도체 공정을 이용하여 패키지 및 격벽을 형성함으로써 대량 생산에 적합하고 재현성이 우수한 백색광원을 얻을 수 있다.

Claims (16)

1. 발광 소자 패키지에 있어서,

   상기 발광 소자의 장착부를 가지는 패키지 바디와;

   상기 장착부에 장착되는 발광 소자와;

   상기 패키지 바디 상에 위치하며, 상기 패키지 바디의 전면에 위치하며 상기 발광 소자와 연결되는 전면전극과, 상기 패키지 바디의 후면에 위치하며 상기 패키지 바디를 관통하는 관통홀을 통하여 상기 전면전극과 연결되는 후면전극을 포함하는 전극과;

   상기 발광 소자의 측방향 주변부에 위치하는 투광성 격벽과;

   상기 격벽에 충진되는 형광체를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
2. 제 1항에 있어서, 상기 격벽은, 투광성 포토 레지스트, 감광성 폴리머, 및 유리 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
3. 제 1항에 있어서, 상기 격벽은, 상기 격벽과 발광 소자 사이의 거리가 일정하도록 형성된 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
4. 제 1항에 있어서, 상기 격벽은, 상기 발광 소자의 상측면과 격벽의 높이 차이가 상기 발광 소자의 측부와 격벽 사이의 거리와 동일하도록 형성된 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
5. 제 1항에 있어서, 상기 패키지 바디는, 서브 마운트, 세라믹 기판, 및 반도체 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
6. 삭제
7. 삭제
8. 발광 소자 패키지에 있어서,

   상기 발광 소자의 장착부를 가지는 패키지 바디와;

   상기 장착부에 장착되는 발광 소자와;

   상기 패키지 바디 상에 위치하며, 상기 패키지 바디의 전면에 위치하며 상기 발광 소자와 연결되는 전면전극과, 상기 패키지 바디의 후면에 위치하며 상기 패키지 바디의 측면을 통하여 상기 전면전극과 연결되는 후면전극을 포함하는 전극과;

   상기 발광 소자의 측방향 주변부에 위치하는 투광성 격벽과;

   상기 격벽에 충진되는 형광체를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
9. 제 1항에 있어서, 상기 형광체는 충진재와 함께 혼합되어 상기 격벽에 충진되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
10. 제 1항에 있어서,

    상기 전극과 와이어에 의하여 연결되는 리드와;

    상기 발광 소자 상측에 부착되는 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
11. 제 1항에 있어서, 상기 발광 소자는 플립칩 본딩된 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
12. 발광 소자 패키지의 제조방법에 있어서,

    기판에 발광 소자가 장착될 장착부에, 상기 발광 소자 주변의 영역을 한정하는 투광성의 격벽을 형성하는 단계와;

    상기 장착부에 발광 소자를 장착하는 단계와;

    상기 격벽 내측에 에폭시 또는 실리콘 젤과 혼합하여 형광체를 충진하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조방법.
13. 제 12항에 있어서, 상기 격벽을 형성하는 단계 이전에는, 상기 기판에 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조방법.
14. 제 12항에 있어서, 상기 격벽은, 상기 기판에 감광성 폴리머를 코팅한 후 사진 식각 공정을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조방법.
15. 제 12항에 있어서, 상기 격벽은, 상기 기판에 투광성 재료의 격벽을 부착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조방법.
16. 삭제

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