CN109390449A - 发光器件封装 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种发光器件封装。根据实施例的发光器件封装包括：封装主体；发光器件，其布置在封装主体上；以及粘合剂，其布置在封装主体和发光器件之间。封装主体包括在封装主体的上表面上穿过封装主体的第一和第二开口以及从封装主体的上表面在封装主体的下表面的方向中凹入的凹部。发光器件包括布置在第一开口上的第一结合部和布置在第二开口上的第二结合部。粘合剂被设置在凹部处。

Description

发光器件封装
技术领域
本实施例涉及半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源装置。
背景技术
包括诸如GaN和AlGaN的化合物的半导体器件具有许多优点，诸如宽且易于调节的带隙能，因此该器件能够以各种方式用作发光器件、光接收器件和各种二极管。
特别地，由于薄膜生长技术和器件材料的发展，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够实现具有各种波段的光，诸如红色、绿色、蓝色和紫外线。另外，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够通过使用荧光物质或组合颜色来实现具有高效率的白光源。与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，这种发光器件具有诸如低功耗、半永久寿命、快速响应速度、安全性和环境友好性的优点。
此外，当使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时，随着器件材料的发展，通过吸收具有各种波长域的光来产生光电流，使得能够使用具有各种波长域的光，例如从伽马射线到无线电波。另外，上述光接收器件具有诸如响应速度快、安全、环保、易于控制器件材料等优点，使得光接收器件能够方便地用于电源控制、超高频电路或通信模块。
因此，半导体器件已经应用并扩展到光通信工具的传输模块、替换构成液晶显示器(LCD)的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光源、可替换荧光灯或白炽灯泡的白色发光二极管照明装置、车辆前灯、交通灯和用于检测气体或火的传感器。另外，半导体器件的应用能够被扩展到高频应用电路、电力控制装置或通信模块。
例如，发光器件可以被提供作为具有通过使用元素周期表中的III-V族元素或II-VI族元素将电能转换成光能的特性的pn结二极管，并且能够通过调节化合物半导体物质的组分比实现各种波长。
例如，因为氮化物半导体具有高热稳定性和宽带隙能，所以在光学器件和高电力电子设备的开发领域中已经受到极大关注。特别地，使用氮化物半导体的蓝色发光器件、绿色发光器件、紫外(UV)发光器件和红色发光器件被商业化并广泛使用。
例如，紫外发光器件指的是产生分布在200nm至400nm的波长范围内的光的发光二极管。在上述波长范围中，短波长可以被用于灭菌、纯化等，并且长波长可以被用于光刻机、固化装置等。
紫外线可以按照长波长的顺序被分类成UV-A(315nm至400nm)、UV-B(280nm至315nm)和UV-C(200nm至280nm)。UV-A(315nm至400nm)领域被应用于各种领域，诸如工业UV固化、印刷油墨固化、曝光机、鉴别假币、光催化灭菌、特殊照明(诸如水族箱/农业)，UV-B(280nm至315nm)域被应用于医疗用途，并且UV-C(200nm至280nm)域被应用于空气净化、水净化、灭菌产品等。
同时，由于已经要求能够提供高输出的半导体器件，因此正在进行能够通过施加高电力源来增加输出电力的半导体器件的研究。
另外，对于半导体器件封装，已经进行改进半导体器件的光提取效率和改进封装阶段中的光强度的方法的研究。另外，关于半导体器件封装，已经进行改进封装电极和半导体器件之间的结合强度的方法的研究。
另外，对于半导体器件封装，已经进行通过改进工艺效率和改变结构来降低制造成本和改进制造产量的方法的研究。
发明内容
实施例可以提供能够改进光提取效率和电特性的半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源装置。
实施例可以提供能够降低制造成本并且改进制造产量的半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源装置。
实施例提供半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法，其能够防止在将半导体器件重新结合到衬底等等的工艺期间在半导体器件封装的结合区域中发生再熔化现象。
根据实施例的发光器件封装包括：封装主体；发光器件，该发光器件被布置在封装主体上；以及粘合剂，该粘合剂被布置在封装主体和发光器件之间，其中封装主体包括第一和第二开口，该第一和第二开口在封装主体的上表面上穿过封装主体；以及凹部，该凹部被设置为在封装主体的下表面的方向中从封装主体的上表面凹入，其中发光器件包括布置在第一开口上的第一粘合部和布置在第二开口上的第二粘合部，并且其中粘合剂设置在凹部处。
根据实施例，凹部可以以闭环形状被设置在第一开口和第二开口的周边(periphery)处。
根据实施例，当从发光器件的向上方向观看时，发光器件的尺寸可以设置为大于由凹部提供的闭环的内部区域。
根据实施例，当从发光器件的向上方向观看时，由凹部提供的闭环可以布置在连接发光器件的四个侧表面的轮廓(outline)中。
根据实施例，当从发光器件的向上方向观看时，连接发光器件的四个侧表面的轮廓可以设置为重叠在凹部上。
根据实施例，封装主体可以包括第一框架、第二框架和布置在第一框架和第二框架之间的主体，其中第一开口可以设置在第一框架处，其中第二开口可以设置在第二框架处，并且其中凹部可以设置成与第一框架的上表面、主体的上表面和第二框架的上表面连接。
根据实施例的发光器件封装可以进一步包括上凹部，该上凹部设置成从封装主体的上表面在封装主体的下表面的方向中凹入，其中上凹部可以设置在第一开口和第二开口之间。
根据实施例，粘合剂可以布置在第一结合部和第二结合部的周边处。
根据实施例的发光器件封装可以包括：第一导电层，该第一导电层被布置在第一开口处并且电连接到第一结合部；以及第二导电层，该第二导电层被布置在第二开口处并且电连接到第二结合部。
根据实施例的发光器件封装可以包括布置在第一结合部和第一导电层之间的第一导体以及布置在第二结合部和第二导电层之间的第二导体。
根据实施例，粘合剂可以被设置为与封装主体的上表面和发光器件的下表面直接接触，并且可以围绕并且密封第一和第二结合部的周边。
根据实施例，第一和第二结合部可以包括选自由Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO、或者其合金组成的组中的至少一种材料。
根据实施例，第一导电层和第二导电层可以包括选自由Ag、Au、Pt、Sn、Cu和SAC(Sn-Ag-Cu)或其合金组成的组中的至少一种材料。
根据实施例，第一导体可以布置在第一开口中，并且第二导体可以布置在第二开口中。
根据实施例，第一导体可以布置为在垂直方向中与第一结合部重叠，并且第二导体可以设置为在垂直方向中与第二结合部重叠。
根据实施例的发光器件封装包括：封装主体，包括：第一框架，该第一框架包括第一开口；第二框架，该第二框架包括第二开口；以及主体，该主体布置在第一框架和第二框架之间；发光器件，该发光器件布置在封装主体上并且包括第一结合部和第二结合部；以及粘合剂，该粘合剂布置在封装主体的上表面和发光器件的下表面之间，其中封装主体包括凹部，该凹部设置成从封装主体的上表面在封装主体的下表面的方向中凹入，并且其中凹部以闭环形状布置在第一和第二开口的周边处。
根据实施例，凹部可以设置成与第一框架的上表面、主体的上表面和第二框架的上表面连接。
根据实施例的发光器件封装可以包括：第一导电层，该第一导电层布置在第一开口处并且电连接到第一结合部；以及第二导电层，该第二导电层布置在第二开口处并且电连接到第二结合部。
根据实施例的发光器件封装可以包括：第一导体，该第一导体布置在第一开口中并且被布置在第一结合部和第一导电层之间；以及第二导体，该第二导体布置在第二开口中并且被布置在第二结合部和第二导电层之间。
根据实施例，第一导电层可以被布置为与第一结合部的下表面和第一导体的侧表面直接接触，并且第二导电层可以设置为与第二结合部的下表面和第二导体的侧表面直接接触。
根据实施例的发光器件封装包括：主体；第一和第二框架，该第一和第二框架在主体处彼此隔开；发光器件，该发光器件包括发光结构、被布置在发光结构下面的第一结合部以及第二结合部，该第二结合部被布置为在发光结构下面与第一结合部隔开；模制构件，该模制构件围绕发光器件；以及散热构件，该散热构件被布置在第一和第二框架之间，其中主体的下表面和第一和第二框架的下表面形成相同的平面，第一结合部包括靠近第二结合部的第一侧表面和面对第一侧表面的第二侧表面，第二结合部包括靠近第一结合部的第三侧表面和面向第三侧表面的第四侧表面，其中第一侧表面和第三侧表面接触散热构件，并且第二侧面和第四侧面与模制构件接触，散热构件的上表面与发光器件接触并且在第一方向中延伸，其中第一方向是从发光器件的上表面朝向主体的下表面的方向，并且从发光器件的上表面到第一框架的下表面的第一距离被设置为等于或大于从发光器件的上表面到散热构件的下表面的第二距离。
根据实施例，主体可以包括在主体的上表面处在第一方向中穿过主体的下表面的开口，并且散热构件可以设置在开口处。
根据实施例的发光器件封装还可以包括第一导电层，该第一导电层布置在第一结合部和第一框架之间；以及第二导电层，该第二导电层布置在第二结合部和第二框架之间。
根据实施例，模制构件(molding member)可以包括布置在发光器件下面的反射树脂部分和布置在发光器件周边的模制部(molding part)。
根据实施例，第一结合部的下表面的面积或第二结合部的下表面的面积可以小于开口的上部区域的面积。
根据实施例，散热构件可以包括环氧基树脂(epoxy-based resin)或硅酮基树脂(silicone-based resin)，并且可以包括选自由Al2O3和AlN组成的组中的至少一种材料。
根据实施例，散热构件可以设置为绝缘粘合剂，并且第一导电层和第二导电层可以设置为导电粘合剂。
根据实施例的发光器件封装还可以包括：第一导体，该第一导体被布置在第一结合部和第一导电层之间；以及第二导体，该第二导体布置在第二结合部和第二导电层之间。
根据实施例的制造发光器件封装的方法包括：设置第一框架、第二框架和封装主体，该封装主体包括布置在第一框架和第二框架之间并且包括穿过其上表面和下表面的开口的主体；设置发光器件，该发光器件包括在封装主体上的被布置在其下表面上的第一结合部和第二结合部，其中第一结合部布置在第一框架上，并且第二结合部布置在第二框架上；以及布置穿过开口设置的散热构件，该散热构件与发光器件的下表面直接接触。
根据实施例，该方法还可以包括在发光器件的周边处设置模制构件。
根据实施例，模制构件的设置可以包括：在发光器件下面设置反射树脂部分和在发光器件的周边处设置模制部。
根据实施例，在提供散热构件时，散热构件可以设置为与第一结合部和第二结合部直接接触。
根据实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法可以改进光提取效率、电特性和可靠性。
根据实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法能够改进工艺效率并且提出新的封装结构，从而降低制造成本并提高制造产量。
根据实施例，半导体器件封装被设置有具有高反射率的主体，从而能够防止反射体变色，从而改进半导体器件封装的可靠性。
根据实施例，半导体器件封装和制造半导体器件的方法能够防止在将半导体器件封装重新结合到衬底等等的工艺期间在半导体器件封装的结合区域中发生再熔化现象。
附图说明
图1是根据本发明的实施例的发光器件封装的平面图。
图2是在图1中示出的发光器件封装的底视图。
图3是沿着图1中示出的发光器件封装的线D-D截取的横截面图。
图4是解释应用于根据本发明的实施例的发光器件封装的第一框架、第二框架和主体的布置关系的视图。
图5a和5b是解释通过根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法设置封装主体的状态的视图。
图6a和6b是解释通过根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法设置发光器件的状态的视图。
图7a和7b是解释通过根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法在开口处设置散热构件的状态的视图。
图8a和8b是解释通过根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法设置模制构件的状态的视图。
图9是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例的视图。
图10是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图11是图出根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图12是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图13是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图14是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图15是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图16是解释根据本发明的实施例的发光器件封装的分解透视图。
图17是解释根据本发明的实施例的发光器件封装的封装主体、凹部和开口的布置关系的视图。
图18至图21是解释根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法的视图。
图22是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图23是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图24是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图25是解释图24中所示的发光器件封装的封装主体、凹部、开口和上凹部的布置关系的视图。
图26是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图27是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图28是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的平面图。
图29是图28中所示的发光器件封装的底视图。
图30是沿图29中所示的发光器件封装的线F-F截取的横截面图。
图31是解释图28中所示的发光器件封装的封装主体、凹部、开口的布置关系的视图。
图32是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图33是解释图32中所示的发光器件封装的封装主体、凹部、开口和上凹部的布置关系的视图。
图34是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图35是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图36是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图37是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图描述实施例。在实施例的描述中，将会理解当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一层(或膜)、区域、图案或结构“上”或“下”时，、“上”和“下”的术语包括“直接”或“通过插入另一层(间接)”的含义。此外，将基于附图作为关于每层“上”和“下”的引用，但是实施例不限于此。
在下文中，将参考附图详细描述根据本发明的实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法。在下文中，将基于应用发光器件作为半导体器件的示例的情况进行描述。
首先，将参考图1至图4描述根据本发明的实施例的发光器件封装。
根据实施例的发光器件封装100可以包括封装主体110和发光器件120，如图1至图4中所示。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。主体113可以执行作为一种电极分离线的功能。主体113也可以称为绝缘构件。
例如，第一框架111和第二框架112可以布置为在主体113处彼此隔开。例如，第一框架111和第二框架112可以布置为与其间插入的主体113彼此隔开。
主体113可以布置在第一框架111上。另外，主体113可以布置在第二框架112上。
主体113可以提供布置在第一框架111和第二框架112上的倾斜表面。腔体C可以通过主体113的倾斜表面被设置在第一框架111和第二框架112上。
根据实施例，封装主体110可以以具有腔体C的结构设置，或者可以被设置有具有平坦上表面而没有腔体C的结构。
例如，主体113可以由选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三联苯(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅酮、环氧模制化合物(EMC)(epoxy molding compound)、硅酮模制化合物(SMC)(silicone molding compound)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中的至少一种形成。另外，主体113可以包括高折射率填料，诸如TiO2和SiO2。
第一框架111和第二框架112可以设置为导电框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度，并且可以电连接到发光器件120。
根据实施例，如图2至图4中所示，主体113可以包括开口TH1。开口TH1可以布置在第一框架111和第二框架112之间。开口TH1可以布置在发光器件120下面。
根据实施例，发光器件120可以包括第一结合部121、第二结合部122、发光结构123和衬底124。
发光器件120可以包括布置在衬底124下面的发光结构123，如图3中所示。第一结合部121和第二结合部122可以布置在发光结构123和封装主体110之间。
发光结构123可以包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层。第一结合部121可以电连接到第一导电类型半导体层。另外，第二结合部122可以电连接到第二导电类型半导体层。
发光器件120可以设置在封装主体110上。发光器件120可以布置在第一框架111和第二框架112上。发光器件120可以布置在由封装主体110提供的腔体C中。
第一结合部121可以布置在发光器件120的下表面上。第二结合部122可以布置在发光器件120的下表面上。第一结合部121和第二结合部122可以布置为在发光器件120的下表面上彼此隔开。
第一结合部121可以布置在第一框架111上。第二结合部122可以布置在第二框架112上。
第一结合部121可以布置在发光结构123和第一框架111之间。第二结合部122可以布置在发光结构123和第二框架112之间。
第一结合部121和第二结合部122可以通过使用选自由Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO和Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO或其合金组成的组中的至少一种材料形成为单层或多层。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导电层321可以布置在第一框架111上。第一导电层321可以布置在第一结合部121下面。
第一导电层321可以布置为与第一结合部121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一结合部121。第一导电层321可以提供固定第一结合部121和第一框架111的功能。
第二导电层322可以布置在第二框架112上。第二导电层322可以布置在第二结合部122下面。
第二导电层322可以布置为与第二结合部122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二结合部122。第二导电层322可以提供固定第二结合部122和第二框架112的功能。
第一导电层321和第二导电层322可以包括选自由Ag、Au和Pt等或其合金组成的组中的一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以被用于第一导电层321和第二导电层322。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电浆料可以选自由焊膏、银膏等组成的组中的至少一种。
根据实施例，第一导电层321和第二导电层322可以被称为导电粘合剂。第一导电层321和第二导电层322可以将第一和第二结合部121和122固定到第一和第二框架111和112。此外，第一和第二导电层321和322可以将第一和第二结合部121和122电连接到第一和第二框架111和112。
在第一框架111和第二框架112的下表面区域中，在第一导电层321和第二导电层322之间的宽度W3可以设置为几百微米。在第一框架111和第二框架112的下表面区域中，可以选择在第一导电层321和第二导电层322之间的宽度W3以设置为超过预定距离，以便于防止当根据实施例的发光器件封装100之后被安装在电路板、子基板等等上时在焊盘之间出现的短路。
根据实施例的发光器件封装100可以包括散热构件133。
散热构件133可以布置在封装主体110和发光器件120之间。散热构件133可以布置在封装主体110的上表面和发光器件120的下表面之间。散热构件133可以布置在主体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
散热构件133可以布置在第一框架111和第二框架112之间。另外，主体113的下表面和第一框架111和第二框架112的下表面可以布置在同一平面处。
散热构件133的上表面可以布置为与发光器件120接触并且在第一方向中延伸。第一方向可以被定义为从发光器件120的上表面朝向主体113的下表面的方向。
根据实施例，从发光器件120的上表面到第一框架111的下表面的第一距离可以被设置为等于或大于从发光器件120的上表面到散热构件133的下表面的第二距离。
另外，根据实施例的发光器件封装100可以包括开口TH1，如图1至图4中所示。
开口TH1可以设置在主体113处。开口TH1可以通过穿过主体113被设置。开口TH1可以通过在第一方向穿过主体113的上表面和下表面被设置。开口TH1可以布置在发光器件120下面。开口TH1可以设置为在第一方向中与发光器件120重叠。
作为示例，开口TH1可以被设置为由主体113围绕。当从发光器件120的向上方向观看时，开口TH1可以被设置为被主体113围绕。开口TH1可以被布置在主体113的中央区域处。
根据实施例，散热构件133可以布置在开口TH1处。散热构件133可以布置在发光器件120和主体113之间。散热构件133可以布置在第一结合部121和第二结合部122之间。作为示例，散热构件133可以布置成与第一结合部121的侧表面和第二结合部122的侧表面接触。
第一结合部121可以包括靠近第二结合部122的第一侧表面和面向第一侧表面的第二侧表面。第二结合部122可以包括靠近第一结合部121的第三侧表面和面向第三侧表面的第四侧表面。
根据实施例，散热构件133可以布置为与第一结合部121的第一侧表面和第二结合部122的第三侧表面接触。作为示例，散热构件133可以布置成与第一结合部121的第一侧表面和第二结合部122的第三侧表面直接接触。
另外，散热构件133可以布置在发光器件120和封装主体110之间。散热构件133可以布置在发光器件120和第一框架111之间。散热构件133可以布置在发光器件120和第二框架112之间。散热构件133可以设置为由主体113围绕。
散热构件133可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。散热构件133可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，散热构件133可以布置为与主体113的上表面直接接触。另外，散热构件133可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
根据实施例，如上所述，从发光器件120的上表面到第一框架111的下表面的第一距离可以被设置为等于或大于从发光器件120的上表面到散热构件133的下表面的第二距离。
作为示例，散热构件133可以布置为在向上方向中与开口TH1的下表面隔开预定距离。开口TH1的上部区域可以填充有散热构件133，并且开口TH1的下部区域可以设置为其中未填充散热构件133的空的空间(empty space)。
作为示例，散热构件133可以包括环氧基材料(epoxy-based material)、硅酮基材料(silicone-based material)和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。此外，作为示例，当散热构件133包括反射功能时，散热构件133可以包括白色硅酮。另外，散热构件133可以包括具有良好的导热性的从由Al2O3、AlN等的组中选择的材料。
根据实施例，当散热构件133包括具有良好导热性的材料时，能够将发光器件120稳定地固定到封装主体110并且有效地散发从发光器件120产生的热量。因此，发光器件120可以稳定地固定到封装主体110，并且可以有效地散发热量，并且因此可以提高发光器件120的光提取效率。
另外，当散热构件133包括反射材料时，散热构件133可以在主体113和发光器件120之间提供稳定的固定力，并且散热构件133可以相对于被发射到发光器件120的下表面的光在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，散热构件133可以通过提供光扩散功能提高发光器件封装100的光提取效率。
根据实施例，散热构件133可以反射从发光器件120发射的光。当散热构件133包括反射功能时，散热构件133可以由包含TiO2、硅酮等等的材料形成。
开口TH1可以提供适当的空间，在该空间中可以在发光器件120的下部处执行一种下填充工艺(under-filling process)。这里，下填充工艺可以是将发光器件120安装在封装主体110上并且然后将散热构件133布置在发光器件120下面的工艺。开口TH1可以设置在第一深度或更大，使得散热构件133可以充分地设置在发光器件120的下表面和主体113的上表面之间。
开口TH1的深度和宽度W4可能影响散热构件133的形成位置和固定力。可以确定开口TH1的深度和宽度W4，使得通过布置在主体113和发光器件120之间的散热构件133可以充分地提供固定力。
作为示例，可以设置开口TH1的深度以对应于第一框架111或第二框架112的厚度。开口TH1的深度可以以能够保持第一框架111或第二框架112的稳定强度被设置。
另外，可以设置开口TH1的深度以对应于主体113的厚度。开口TH1的深度可以以能够保持主体113的稳定强度的厚度设置。
作为示例，开口TH1的深度可以设置为几百微米。开口TH1的深度可以设置在180至220微米。作为示例，开口TH1的深度可以设置为200微米。
另外，开口TH1的宽度W4可以设置为几十微米到几百微米。这里，开口TH1的宽度W4可以设置在发光器件120的主轴方向中。
开口TH1的宽度W4可以设置为比第一结合部121和第二结合部122之间的间隙窄。开口TH1的宽度W4可以设置为140至400微米。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为10％或更小。根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光面积并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为0.7％或更大。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二结合部121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定结合力。
作为示例，第一结合部121的面积可以设置为小于开口TH1的上部区域的面积，如图4中所示。另外，第二结合部122的面积可以设置为小于开口TH1的上部区域的面积，如图4中所示。
如上所述，因为第一结合部121和第二结合部122的面积设置为小，所以可以增加发射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面设置具有良好反射特性和散热特性的散热构件133。因此，在发光器件120的向下方向发射的光在散热构件133处被反射，并且朝向发光器件封装100的向上方向有效地发射，并且因此可以提高光提取效率。
另外，根据实施例的发光器件封装100可以包括模制构件，如图1至图3中所示。作为示例，根据实施例的模制构件可以包括树脂部分135和模制部140。
根据实施例的模制构件可以包括树脂部分135和模制部140中的至少一个。首先，在下述实施例中，基于其中模制构件包括树脂部分135和模制部140的情况进行描述。
然而，根据另一实施例，模制构件可以仅包括树脂部分135，或可以仅包括模制部140。
树脂部分135可以布置在第一框架111和发光器件120之间。树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以设置在封装主体110中提供的腔体C的下表面处。
作为示例，树脂部分135可以布置在发光器件120下面。树脂部分135可以被称为反射树脂部分。另外，树脂部分135可以被称为反射模制构件。
树脂部分135可以布置在第一结合部121的侧表面处。另外，树脂部分135可以布置在第二结合部122的侧表面处。树脂部分135可以布置在发光结构123的下面。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，树脂部分135可以是反射从发光器件120发射的光的反射器，例如，包括诸如TiO2的反射材料的树脂，或者可以包括白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面并且可以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改善发光器件120和第一框架111之间的粘附力。树脂部分135可以改善发光器件120和第二框架112之间的粘附力。
树脂部分135可以围绕第一结合部121和第二结合部122密封。树脂部分135可以防止第一导电层321和第二导电层322与第一结合部121下面的区域和第二结合部下面的区域分离，以及在发光器件120的方向中扩散和移动。
当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的外侧表面方向中扩散和移动时，第一导电层321和第二导电层322可以与发光器件120的有源层接触，从而导致由于短路引起的故障。因此，当布置树脂部分135时，能够防止由于第一导电层321和第二导电层322以及有源层引起的短路，从而改善根据实施例的发光器件封装的可靠性。
另外，当树脂部分135包括具有诸如白色硅酮的反射特性的材料时，树脂部分135可以将从发光器件120提供的光朝向封装主体110的向上方向反射，从而改善发光器件封装100的光提取效率。
此外，根据实施例的发光器件封装100可以包括模制部140，如图1和图3中所示。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装主体110提供的腔体C处。
模制部140可以包括绝缘材料。另外，模制部140可以包括波长转换部，该波长转换部被配置成入射从发光器件120发射的光并且提供波长转换的光。作为示例，模制部140可以包括从由荧光体、量子点等组成的组中选择的至少一种。
模制部分140可以布置在发光器件120的周边处。作为示例，模制部分140可以被称为波长转换模制构件。
另外，根据实施例，模制部140可以布置在树脂部分135上。
根据实施例，如上所述，第一结合部121可以包括靠近第二结合部122的第一侧表面和面对第一侧表面的第二侧表面。第二结合部122可以包括靠近第一结合部121的第三侧表面和面向第三侧表面的第四侧表面。
作为示例，第一结合部121的第一侧表面和第二结合部122的第三侧表面可以布置为与散热构件133接触。另外，第一结合部121的第二侧表面和第二结合部122的第四侧表面可以布置为与诸如树脂部分135和模制部140的模制构件接触。
同时，如上所述，按照根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例，树脂部分135可以不单独地设置，并且模制部140可以布置为与第一框架和第二框架112直接接触。此外，模制部140没有被单独地设置，并且树脂部分135可以被设置在发光器件120的周边和上部处。
另外，根据实施例，发光结构123可以被设置为化合物半导体。发光结构123可以设置为例如II-VI族或III-V族化合物半导体。作为示例，发光结构123可以设置有选自铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、磷(P)、砷(As)和氮(N)中的至少两种或更多种元素。
发光结构123可以包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。
第一和第二导电类型半导体层可以实现为II-VI族或III-V族化合物半导体中的至少一种。第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层可以由具有经验式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的半导体材料形成。例如，第一和第二导电类型半导体层可以包括选自由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP等组成的组中的至少一种。第一导电类型半导体层可以是掺杂有诸如Si、Ge、Sn、Se或Te的n型掺杂剂的n型半导体层。第二导电类型半导体层可以是掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba的p型掺杂剂的p型半导体层。
有源层可以实现为化合物半导体。有源层可以实现为III-V族或II-VI族化合物半导体中的至少一种。当有源层实现为多阱结构时，有源层可以包括交替布置的多个阱层和多个势垒层，并且有源层可以作为具有经验式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的半导体材料布置。例如，有源层可以包括选自由InGaN/GaN、GaN/AlGaN、AlGaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、AlGaAs/GaAs、InGaAs/GaAs、InGaP/GaP、AlInGaP/InGaP和InP/GaAs组成的组中的至少一种。
在根据实施例的发光器件封装100中，电源可以通过第一导电层321连接到第一结合部121，并且电源可以通过第二导电层322连接到第二结合部122。
因此，发光器件120可以由通过第一结合部121和第二结合部122供应的驱动功率驱动。另外，从发光器件120发射的光可以在封装主体110的向上方向中被提供。
同时，根据上述实施例的发光器件封装100可以被供应并且被安装在子基板、电路板等等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺(reflow process)中，在引线框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，使得可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，按照根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，根据实施例的发光器件的第一结合部和第二结合部可以通过被布置在第一和第二框架处的第一和第二导电层提供驱动功率。另外，布置在第一和第二开口处的第一和第二导电层的熔点可以选择为具有比普通结合材料更高的值。
因此，因为即使当通过回流工艺将发光器件封装100结合到主衬底时根据实施例的发光器件封装100也不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
此外，按照根据实施例的发光器件封装100和发光器件封装的制造方法，封装主体110在发光器件封装的制造工艺中不需要暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料设置主体113。
例如，主体113可以包括选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)(polyphtalamide)树脂、聚亚环己基二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)(polycyclohexylenedimethylene terephthalate)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中的至少一种材料。
然后，参考附图，将描述根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法。
在参考附图描述根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法时，可以省略与参考图1至图4描述的内容重叠的内容的描述。
首先，按照根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法，如图5a和5b中所示，可以设置封装主体110。
图5a和5b是图示通过根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法设置封装主体的状态的平面图和横截面图。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112，如图5a和图5b中所示。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。
主体113可以布置在第一框架111上。另外，主体113可以布置在第二框架112上。
主体113可以提供布置在第一框架111和第二框架112上的倾斜表面。腔体C可以通过主体113的倾斜表面被设置在第一框架111和第二框架112上。
例如，第一框架111和第二框架112可以布置成在主体113处彼此隔开。例如，第一框架111和第二框架112可以布置为与其间插入的主体113彼此隔开。
主体113可以包括开口TH1。开口TH1可以布置在第一框架111和第二框架112之间。开口TH1可以通过穿过主体113被设置。开口TH1可以通过在第一方向中穿过主体113的上表面和下表面被设置。
作为示例，开口TH1可以被设置为由主体113围绕。当从发光器件120的向上方向观看时，开口TH1可以被设置为被主体113围绕。开口TH1可以被布置在主体113的中央区域处。
然后，按照根据实施例的制造发光器件封装的方法，如图6a和6b中所示，发光器件120可以设置在封装主体110上。
图6a和图6b是图示通过根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法设置发光器件的状态的平面图和横截面图。
根据实施例，发光器件120可以包括第一结合部121、第二结合部122、发光结构123和衬底124。
发光器件120可以布置在第一框架111和第二框架112上。发光器件120可以布置在主体113上。第一结合部121可以布置在第一框架111上。第二结合部122可以布置在第二框架112上。
作为示例，第一结合部121和第二结合部122可以通过第一导电层321和第二导电层322固定在第一框架111和第二框架112上。
第一导电层321可以布置在第一框架111上。第一导电层321可以布置在第一结合部121下面。
第一导电层321可以布置为与第一结合部121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一结合部121。第一导电层321可以提供固定第一结合部121和第一框架111的功能。
第二导电层322可以布置在第二框架112上。第二导电层322可以布置在第二结合部122下面。
第二导电层322可以布置为与第二结合部122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二结合部122。第二导电层322可以提供固定第二结合部122和第二框架112的功能。
第一导电层321和第二导电层322可以包括选自由Ag、Au和Pt等或其合金组成的组中的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以被用于第一导电层321和第二导电层322。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电浆料可以选自由焊膏、银膏等组成的组中的至少一种。
根据实施例，第一导电层321和第二导电层322可以被称为导电粘合剂。第一导电层321和第二导电层322可以将第一和第二结合部121和122固定到第一和第二框架111和112。此外，第一和第二导电层321和322可以将第一和第二结合部121和122电连接到第一和第二框架111和112。
根据实施例，发光器件120可以布置在开口TH1上。当从发光器件120的向上方向观看时，开口TH1可以布置在第一结合部121和第二结合部122之间。开口TH1可以在从主体113的下表面朝向其上表面的方向中布置为与发光结构123的下表面重叠。
作为示例，可以执行用于第一导电层321和第二导电层322的固化工艺。发光器件120的第一和第二结合部121和122可以通过固化工艺稳定地固定在第一和第二框架111和112上。
然后，在根据实施例的制造发光器件封装的方法中，散热构件133可以布置在开口TH1处，如图7a和7b中所示。
散热构件133可以布置在封装主体110和发光器件120之间。散热构件133可以布置在封装主体110的上表面和发光器件120的下表面之间。散热构件133可以布置在主体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
散热构件133可以布置在第一框架111和第二框架112之间。另外，主体113的下表面和第一框架111和第二框架112的下表面可以布置在同一平面处。
散热构件133的上表面可以布置为与发光器件120接触并且在第一方向中延伸。第一方向可以被定义为从发光器件120的上表面朝向主体113的下表面的方向。
根据实施例，从发光器件120的上表面到第一框架111的下表面的第一距离可以被设置为等于或大于从发光器件120的上表面到散热构件133的下表面的第二距离。
根据实施例，散热构件133可以布置在开口TH1处。散热构件133可以布置在发光器件120和主体113之间。散热构件133可以布置在第一结合部121和第二结合部122之间。作为示例，散热构件133可以布置成与第一结合部121的侧表面和第二结合部122的侧表面接触。
第一结合部121可以包括靠近第二结合部122的第一侧表面和面向第一侧表面的第二侧表面。第二结合部122可以包括靠近第一结合部121的第三侧表面和面向第三侧表面的第四侧表面。
根据实施例，散热构件133可以布置为与第一结合部121的第一侧表面和第二结合部122的第三侧表面接触。作为示例，散热构件133可以布置成与第一结合部121的第一侧表面和第二结合部122的第三侧表面直接接触。
另外，散热构件133可以布置在发光器件120和封装主体110之间。散热构件133可以布置在发光器件120和第一框架111之间。散热构件133可以布置在发光器件120和第二框架112之间。散热构件133可以设置为由主体113围绕。
散热构件133可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。散热构件133可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，散热构件133可以布置为与主体113的上表面直接接触。另外，散热构件133可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
根据实施例，如上所述，从发光器件120的上表面到第一框架111的下表面的第一距离可以被设置为等于或大于从发光器件120的上表面到散热构件133的下表面的第二距离。
作为示例，散热构件133可以布置为在向上方向中与开口TH1的下表面隔开预定距离。开口TH1的上部区域可以填充有散热构件133，并且开口TH1的下部区域可以设置为其中未填充散热构件133的空的空间。
作为示例，散热构件133可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。此外，作为示例，当散热构件133包括反射功能时，散热构件133可以包括白色硅酮。另外，散热构件133可以包括具有良好的导热性的从由Al2O3、AlN等的组中选择的材料。
根据实施例，当散热构件133包括具有良好导热性的材料时，能够将发光器件120稳定地固定到封装主体110并且有效地散发从发光器件120产生的热量。因此，发光器件120可以稳定地固定到封装主体110，并且可以有效地散发热量，并且因此可以提高发光器件120的光提取效率。
另外，当散热构件133包括反射材料时，散热构件133可以在主体113和发光器件120之间提供稳定的固定力，并且散热构件133可以相对于被发射到发光器件120的下表面的光在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，散热构件133可以通过提供光扩散功能提高发光器件封装100的光提取效率。
根据实施例，散热构件133可以反射从发光器件120发射的光。当散热构件133包括反射功能时，散热构件133可以由包含TiO2、硅酮等等的材料形成。
作为示例，可以执行用于散热构件133的固化工艺。散热构件133可以通过固化工艺稳定地固定在发光器件120和封装主体110之间。
此外，按照根据实施例的制造发光器件封装的方法，如图8a和8b中所示，可以形成模制构件。
图8a和8b是解释通过根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法设置模制构件的状态的平面图和截面图。
如参考图1至图4所述，根据实施例的模制构件可以包括树脂部分135和模制部140中的至少一个。这里，基于模制构件包括树脂部分135和模制部140这两者的情况进行描述。
根据实施例，树脂部分135可以布置在第一框架111和发光器件120之间。树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以在设置在封装主体110中提供的腔体C的下表面处。
作为示例，树脂部分135可以布置在发光器件120下面。树脂部分135可以被称为反射树脂部分。另外，树脂部分135可以被称为反射模制构件。
树脂部分135可以布置在第一结合部121的侧表面处。另外，树脂部分135可以布置在第二结合部122的侧表面处。树脂部分135可以布置在发光结构123的下面。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，树脂部分135可以是反射从发光器件120发射的光的反射器，例如，包括诸如TiO2的反射材料的树脂，或者可以包括白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面并且可以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改善发光器件120和第一框架111之间的粘附力。树脂部分135可以改善发光器件120和第二框架112之间的粘附力。
树脂部分135可以围绕第一结合部121和第二结合部122密封。树脂部分135可以防止第一导电层321和第二导电层322与第一结合部121下面的区域和第二结合部下面的区域分离，以及在发光器件120的方向中扩散和移动。
当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的外侧表面方向中扩散和移动时，第一导电层321和第二导电层322可以与发光器件120的有源层接触，从而导致由于短路引起的故障。因此，当布置树脂部分135时，能够防止由于第一导电层321和第二导电层322以及有源层引起的短路，从而提高根据实施例的发光器件封装的可靠性。
另外，当树脂部分135包括具有诸如白色硅酮的反射特性的材料时，树脂部分135可以将从发光器件120提供的光朝向封装主体110的向上方向反射，从而改善发光器件封装100的光提取效率。
另外，根据实施例的发光器件封装100可以包括模制部140。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装主体110提供的腔体C处。
模制部140可以包括绝缘材料。另外，模制部140可以包括波长转换部，该波长转换部被配置成入射从发光器件120发射的光并提供波长转换的光。作为示例，模制部140可以包括从由荧光体、量子点等组成的组中选择的至少一种。
模制部140可以布置在发光器件120的周边处。作为示例，模制部140可以被称为波长转换模制构件。
另外，根据实施例，模制部140可以布置在树脂部分135上。
根据实施例，如上所述，第一结合部121可以包括靠近第二结合部122的第一侧表面和面对第一侧表面的第二侧表面。第二结合部122可以包括靠近第一结合部121的第三侧表面和面向第三侧表面的第四侧表面。
作为示例，第一结合部121的第一侧表面和第二结合部122的第三侧表面可以布置为与散热构件133接触。另外，第一结合部121的第二侧表面和第二结合部122的第四侧表面可以布置为与诸如树脂部分135和模制部140的模制构件接触。
同时，如上所述，按照根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例，树脂部分135可以不单独地设置，并且模制部140可以布置为与第一框架和第二框架112直接接触。此外，模制部140没有被单独地设置，并且树脂部分135可以被设置在发光器件120的周边和上部处。
如上所述，按照根据实施例的制造发光器件封装的方法，第一结合部121和第二结合部122的周边可以通过散热构件133和诸如树脂部分135和模制部140的模制构件稳定地密封。
因此，按照根据实施例的制造发光器件封装的方法，能够防止第一和第二导电层321和322在发光器件120的侧表面方向中从第一和第二结合部121和122的下表面扩散，能够防止由于发光器件120引起的短路，从而提高发光器件封装的可靠性。
同时，在以上描述中，基于在如图7a和图7b中所示形成散热构件133之后如图8a和图8b中所示形成诸如树脂部分135和模制部140的模制构件的情况进行描述。
然而，按照根据实施例的制造发光器件封装的方法的另一示例，可以首先形成诸如树脂部分135和模制部140的模制构件，并且可以稍后形成散热构件133。
另外，按照根据实施例的制造发光器件封装的方法的另一示例，可以不形成树脂部分135，并且可以仅在封装主体的腔体中形成模制部140。
在根据实施例的发光器件封装100中，电源可以通过第一导电层321连接到第一结合部121，并且电源可以通过第二导电层322连接到第二结合部122。
因此，发光器件120可以由通过第一结合部121和第二结合部122供应的驱动功率驱动。另外，从发光器件120发射的光可以设置在封装主体110的向上方向中。
同时，根据上述实施例的发光器件封装100可以被供应并且被安装在子基板、电路板等等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在框架和设置在发光器件封装处的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，使得可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。因此，可以改变发光器件的位置，并且可以降低发光器件封装的光学和电学特性以及可靠性。
然而，按照根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，根据实施例的发光器件的第一结合部和第二结合部可以通过被布置在第一和第二框架处的第一和第二导电层提供驱动功率。另外，布置在第一和第二开口处的第一和第二导电层的熔点可以选择为具有比普通结合材料更高的值。
因此，因为即使当通过回流工艺将发光器件封装100结合到主衬底时根据实施例的发光器件封装100不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
另外，按照根据实施例的发光器件封装100和发光器件封装的制造方法，封装主体110在发光器件封装的制造工艺中不需要暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料设置主体113。
例如，主体113可以包括选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚亚环己基二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中的至少一种材料。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为10％或更小。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光面积并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为0.7％或更大。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二结合部121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定结合力。
作为示例，第一结合部121的面积可以设置为小于开口TH1的上部区域的面积。另外，第二结合部122的面积可以设置为小于开口TH1的上部区域的面积。
如上所述，因为第一结合部121和第二结合部122的面积设置为小，所以可以增加透射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面设置具有良好反射特性和散热特性的散热构件133。因此，在发光器件120的向下方向发射的光在散热构件133处被反射，并且朝向发光器件封装100的向上方向有效地发射，并且因此可以提高光提取效率。
然后，将参考图9描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在描述根据参考图9的实施例的发光器件封装中，可以省略与参考附图描述的内容重叠的内容的描述。
根据实施例的发光器件封装可以包括封装主体110和发光器件120，如图9中所示。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。主体113可以执行作为一种电极分离线的功能。
例如，第一框架111和第二框架112可以布置为在主体113处彼此隔开。例如，第一框架111和第二框架112可以布置为与其间插入的主体113彼此隔开。
第一框架111和第二框架112可以设置为导电框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度，并且可以电连接到发光器件120。
根据实施例，主体113可以包括开口TH1。开口TH1可以布置在第一框架111和第二框架112之间。开口TH1可以布置在发光器件120下面。
另外，根据实施例，可以在第一框架111的上表面和第二框架112的上表面处设置阶梯式台阶形状。例如，主体113的上表面可以被设置为平坦的形状，第一框架111的上表面可以设置成具有不同高度的阶梯式台阶形状，并且第二框架112的上表面可以设置成具有不同高度的阶梯式台阶形状。
根据实施例，可以通过主体113的平坦上表面、第一框架111的阶梯式台阶形状的上表面、第二框架112的阶梯式台阶形状的上表面设置从封装主体110的上表面朝向其下表面凹入的凹陷结构。
根据实施例，发光器件120可以包括第一结合部121、第二结合部122、发光结构123和衬底124。
发光器件120可以包括布置在衬底124下面的发光结构123，如图9中所示。第一结合部121和第二结合部122可以布置在发光结构123和封装主体110之间。
第一结合部121可以布置在发光器件120的下表面上。第二结合部122可以布置在发光器件120的下表面上。第一结合部121和第二结合部122可以布置为在发光器件120的下表面上彼此隔开。
第一结合部121可以布置在第一框架111上。第二结合部122可以布置在第二框架112上。
第一结合部121可以布置在发光结构123和第一框架111之间。第二结合部122可以布置在发光结构123和第二框架112之间。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导电层321可以布置在第一框架111上。第一导电层321可以布置在第一结合部121下面。
第一导电层321可以布置为与第一结合部121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一结合部121。第一导电层321可以提供固定第一结合部121和第一框架111的功能。
第二导电层322可以布置在第二框架112上。第二导电层322可以布置在第二结合部122下面。
第二导电层322可以布置为与第二结合部122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二结合部122。第二导电层322可以提供固定第二结合部122和第二框架112的功能。
第一导电层321和第二导电层322可以包括选自由Ag、Au和Pt等或其合金组成的组中的一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以被用于第一导电层321和第二导电层322。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电浆料可以选自由焊膏、银膏等组成的组中的至少一种。
根据实施例，第一导电层321和第二导电层322可以被称为导电粘合剂。第一导电层321和第二导电层322可以将第一和第二结合部121和122固定到第一和第二框架111和112。此外，第一和第二导电层321和322可以将第一和第二结合部121和122电连接到第一和第二框架111和112。
根据实施例的发光器件封装可以包括散热构件133，如图9中所示。
散热构件133可以布置在封装主体110和发光器件120之间。散热构件133可以布置在封装主体110的上表面和发光器件120的下表面之间。散热构件133可以布置在主体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
散热构件133可以设置在第一框架111与第二框架112之间。散热构件133可以布置在被布置在第一框架111和第二框架112之间的阶梯式台阶形状的凹陷结构处。散热构件133可以布置在主体113的平坦表面上。
如上所述，根据实施例，散热构件133可以设置在由第一框架111的上表面、主体113的上表面和第二框架112的上表面提供的宽凹陷区域处。因此，可以进一步改善根据实施例的发光器件封装的散热特性。
另外，主体113的下表面以及第一框架111和第二框架112的下表面可以布置在同一平面上。
散热构件133的上表面可以布置为与发光器件120接触并且在第一方向中延伸。第一方向可以被定义为从发光器件120的上表面朝向主体113的下表面的方向。
根据实施例，从发光器件120的上表面到第一框架111的下表面的第一距离可以被设置为等于或大于从发光器件120的上表面到散热构件133的下表面的第二距离。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括开口TH1，如图9中所示。
开口TH1可以设置在主体113处。开口TH1可以通过穿过主体113被设置。开口TH1可以通过在第一方向穿过主体113的上表面和下表面被设置。开口TH1可以布置在发光器件120下面。开口TH1可以设置为在第一方向中与发光器件120重叠。
作为示例，开口TH1可以被设置为由主体113围绕。当从发光器件120的向上方向观看时，开口TH1可以被设置为被主体113围绕。开口TH1可以被布置在主体113的中央区域处。
根据实施例，散热构件133可以布置在开口TH1处。散热构件133可以布置在发光器件120和主体113之间。散热构件133可以布置在第一结合部121和第二结合部122之间。作为示例，散热构件133可以布置成与第一结合部121的侧表面和第二结合部122的侧表面接触。
第一结合部121可以包括靠近第二结合部122的第一侧表面和面向第一侧表面的第二侧表面。第二结合部122可以包括靠近第一结合部121的第三侧表面和面向第三侧表面的第四侧表面。
根据实施例，散热构件133可以布置为与第一结合部121的第一侧表面和第二结合部122的第三侧表面接触。作为示例，散热构件133可以布置成与第一结合部121的第一侧表面和第二结合部122的第三侧表面直接接触。
另外，散热构件133可以布置在发光器件120和封装主体110之间。散热构件133可以布置在发光器件120和第一框架111之间。散热构件133可以布置在发光器件120和第二框架112之间。散热构件133可以设置为由主体113围绕。
散热构件133可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。散热构件133可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，散热构件133可以布置为与主体113的上表面直接接触。另外，散热构件133可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
根据实施例，如上所述，从发光器件120的上表面到第一框架111的下表面的第一距离可以被设置为等于或大于从发光器件120的上表面到散热构件133的下表面的第二距离。
作为示例，散热构件133可以布置为在向上方向中与开口TH1的下表面隔开预定距离。开口TH1的上部区域可以填充有散热构件133，并且开口TH1的下部区域可以设置为其中未填充散热构件133的空的空间。
作为示例，散热构件133可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。此外，作为示例，当散热构件133包括反射功能时，散热构件133可以包括白色硅酮。另外，散热构件133可以包括具有良好的导热性的从由Al2O3、AlN等的组中选择的材料。
根据实施例，当散热构件133包括具有良好导热性的材料时，能够将发光器件120稳定地固定到封装主体110并且有效地散发从发光器件120产生的热量。因此，发光器件120可以稳定地固定到封装主体110，并且可以有效地散发热量，并且因此可以提高发光器件120的光提取效率。
另外，当散热构件133包括反射材料时，散热构件133可以在主体113和发光器件120之间提供稳定的固定力，并且散热构件133可以相对于被发射到发光器件120的下表面的光在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，散热构件133可以通过提供光扩散功能提高发光器件封装100的光提取效率。
根据实施例，散热构件133可以反射从发光器件120发射的光。当散热构件133包括反射功能时，散热构件133可以由包含TiO2、硅酮等等的材料形成。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为10％或更小。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光面积并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为0.7％或更大。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二结合部121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定结合力。
作为示例，第一结合部121的面积可以设置为小于开口TH1的上部区域的面积，如上面参考图4所述。另外，第二结合部122的面积可以设置为小于开口TH1的上部区域的面积，如上面参考图4所述。
如上所述，因为第一结合部121和第二结合部122的面积设置为小，所以可以增加透射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面设置具有良好反射特性和散热特性的散热构件133。因此，在发光器件120的向下方向发射的光在散热构件133处被反射，并且朝向发光器件封装100的向上方向有效地发射，并且因此可以提高光提取效率。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括模制构件，如图9中所示。作为示例，根据实施例的模制构件可以包括树脂部分135和模制部140。
树脂部分135可以布置在第一框架111和发光器件120之间。树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以设置在封装主体110中提供的腔体C的下表面处。
作为示例，树脂部分135可以布置在发光器件120下面。树脂部分135可以被称为反射树脂部分。另外，树脂部分135可以被称为反射模制构件。
树脂部分135可以布置在第一结合部121的侧表面处。另外，树脂部分135可以布置在第二结合部122的侧表面处。树脂部分135可以布置在发光结构123的下面。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，树脂部分135可以是反射从发光器件120发射的光的反射器，例如，包括诸如TiO2的反射材料的树脂，或者可以包括白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面并且可以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改善发光器件120和第一框架111之间的粘附力。树脂部分135可以改善发光器件120和第二框架112之间的粘附力。
树脂部分135可以围绕第一结合部121和第二结合部122密封。树脂部分135可以防止第一导电层321和第二导电层322与第一结合部121下面的区域和第二结合部下面的区域分离，以及在发光器件120的方向中扩散和移动。
当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的外侧表面方向中扩散和移动时，第一导电层321和第二导电层322可以与发光器件120的有源层接触，从而导致由于短路引起的故障。因此，当布置树脂部分135时，能够防止由于第一导电层321和第二导电层322以及有源层引起的短路，从而提高根据实施例的发光器件封装的可靠性。
另外，当树脂部分135包括具有诸如白色硅酮的反射特性的材料时，树脂部分135可以将从发光器件120提供的光朝向封装主体110的向上方向反射，从而改善发光器件封装100的光提取效率。
另外，根据实施例的发光器件封装100可以包括模制部140，如图9中所示。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装主体110提供的腔体C处。
模制部140可以包括绝缘材料。另外，模制部140可以包括波长转换部，该波长转换部被配置成入射从发光器件120发射的光并提供波长转换的光。作为示例，模制部140可以包括从由荧光体、量子点等组成的组中选择的至少一种。
模制部140可以布置在发光器件120的周边处。作为示例，模制部140可以被称为波长转换模制构件。
另外，根据实施例，模制部140可以布置在树脂部分135上。
根据实施例，如上所述，第一结合部121可以包括靠近第二结合部122的第一侧表面和面对第一侧表面的第二侧表面。第二结合部122可以包括靠近第一结合部121的第三侧表面和面向第三侧表面的第四侧表面。
作为示例，第一结合部121的第一侧表面和第二结合部122的第三侧表面可以布置为与散热构件133接触。另外，第一结合部121的第二侧表面和第二结合部122的第四侧表面可以布置为与诸如树脂部分135和模制部140的模制构件接触。
在根据实施例的发光器件封装中，电源可以通过第一导电层321连接到第一结合部121，并且电源可以通过第二导电层322连接到第二结合部122。
因此，发光器件120可以由通过第一结合部121和第二结合部122供应的驱动功率驱动。另外，从发光器件120发射的光可以在封装主体110的向上方向中被提供。
同时，根据上述实施例的发光器件封装可以被供应并且被安装在子基板、电路板等等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，使得可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，按照根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，根据实施例的发光器件的第一结合部和第二结合部可以通过被布置在第一和第二框架处的第一和第二导电层提供驱动功率。另外，布置在第一和第二开口处的第一和第二导电层的熔点可以选择为具有比普通结合材料更高的值。
因此，因为即使当通过回流工艺将发光器件封装100结合到主衬底时根据实施例的发光器件封装100也不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
另外，按照根据实施例的发光器件封装100和发光器件封装的制造方法，封装主体110在发光器件封装的制造工艺中不需要暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料设置主体113。
例如，主体113可以包括选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚亚环己基二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中的至少一种材料。
然后，将参考图10描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在描述根据参考图10的实施例的发光器件封装中，可以省略与参考图1至图9描述的内容重叠的内容的描述。
根据实施例的发光器件封装可以包括封装主体110和发光器件120，如图10中所示。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。主体113可以执行作为一种电极分离线的功能。
例如，第一框架111和第二框架112可以布置成在主体113处彼此隔开。例如，第一框架111和第二框架112可以布置为与其间插入的主体113彼此隔开。
根据实施例，主体113可以包括开口TH1。开口TH1可以布置在第一框架111和第二框架112之间。开口TH1可以布置在发光器件120下面。
与参考图3描述的发光器件封装相比，图10中所示的根据实施例的发光器件封装还可以包括第一凹部R1和第二凹部R2。
第一凹部R1可以设置在第一框架111的上表面上。第一凹部R1可以设置为从第一框架111的上表面在下表面方向中凹入。第一凹部R1可以是布置成与开口TH1隔开。
第二凹部R2可以设置在第二框架112的上表面上。第二凹部R2可以设置成从第二框架112的上表面在下表面方向中凹入。第二上凹部R4可以布置成与开口TH1隔开。
根据实施例，第一导电层321可以设置在第一凹部R1处。另外，第一结合部121可以设置在第一凹部R1区域处。另外，第二导电层322可以设置在第二凹部R2处。另外，第二结合部122 2可以设置在第二凹部R2区域处。第一凹部R1和第二凹部R2可以提供足够的空间，在该空间中可以设置第一导电层321和第二导电层322。
第一导电层321可以布置在第一框架111上。第一导电层321可以布置在第一结合部121下面。
第一导电层321可以布置为与第一结合部121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一结合部121。第一导电层321可以提供固定第一结合部121和第一框架111的功能。
第二导电层322可以布置在第二框架112上。第二导电层322可以布置在第二结合部122下面。
第二导电层322可以布置为与第二结合部122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二结合部122。第二导电层322可以提供固定第二结合部122和第二框架112的功能。
第一导电层321和第二导电层322可以包括选自由Ag、Au和Pt等或其合金组成的组中的一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以被用于第一导电层321和第二导电层322。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电浆料可以选自由焊膏、银膏等组成的组中的至少一种。
根据实施例，第一导电层321和第二导电层322可以被称为导电粘合剂。第一导电层321和第二导电层322可以将第一和第二结合部121和122固定到第一和第二框架111和112。此外，第一和第二导电层321和322可以将第一和第二结合部121和122电连接到第一和第二框架111和112。
根据实施例，发光器件120可以包括第一结合部121、第二结合部122、发光结构123和衬底124。
发光器件120可以包括布置在衬底124下面的发光结构123，如图10中所示。第一结合部121和第二结合部122可以布置在发光结构123和封装主体110之间。
第一结合部121可以布置在发光器件120的下表面上。第二结合部122可以布置在发光器件120的下表面上。第一结合部121和第二结合部122可以布置为在发光器件120的下表面上彼此隔开。
第一结合部121可以布置在第一框架111上。第二结合部122可以布置在第二框架112上。
第一结合部121可以布置在发光结构123和第一框架111之间。第二结合部122可以布置在发光结构123和第二框架112之间。
根据实施例的发光器件封装可以包括散热构件133，如图10中所示。
散热构件133可以布置在封装主体110和发光器件120之间。散热构件133可以布置在封装主体110的上表面和发光器件120的下表面之间。散热构件133可以布置在主体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
散热构件133可以布置在第一框架111和第二框架112之间。根据实施例，散热构件133可以设置在第一框架111的上表面、主体113的上表面和第二框架112的上表面上。
另外，主体113的下表面以及第一框架111和第二框架112的下表面可以布置在同一平面上。
散热构件133的上表面可以布置为与发光器件120接触并且在第一方向中延伸。第一方向可以被定义为从发光器件120的上表面朝向主体113的下表面的方向。
根据实施例，从发光器件120的上表面到第一框架111的下表面的第一距离可以被设置为等于或大于从发光器件120的上表面到散热构件133的下表面的第二距离。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括开口TH1，如图10中所示。
开口TH1可以设置在主体113处。开口TH1可以通过穿过主体113被设置。开口TH1可以通过在第一方向穿过主体113的上表面和下表面被设置。开口TH1可以布置在发光器件120下面。开口TH1可以设置为在第一方向中与发光器件120重叠。
作为示例，开口TH1可以被设置为由主体113围绕。当从发光器件120的向上方向观看时，开口TH1可以被设置为被主体113围绕。开口TH1可以被布置在主体113的中央区域处。
根据实施例，散热构件133可以布置在开口TH1处。散热构件133可以布置在发光器件120和主体113之间。散热构件133可以布置在第一结合部121和第二结合部122之间。作为示例，散热构件133可以布置成与第一结合部121的侧表面和第二结合部122的侧表面接触。
第一结合部121可以包括靠近第二结合部122的第一侧表面和面向第一侧表面的第二侧表面。第二结合部122可以包括靠近第一结合部121的第三侧表面和面向第三侧表面的第四侧表面。
根据实施例，散热构件133可以布置为与第一结合部121的第一侧表面和第二结合部122的第三侧表面接触。作为示例，散热构件133可以布置成与第一结合部121的第一侧表面和第二结合部122的第三侧表面直接接触。
另外，散热构件133可以布置在发光器件120和封装主体110之间。散热构件133可以布置在发光器件120和第一框架111之间。散热构件133可以布置在发光器件120和第二框架112之间。散热构件133可以设置为由主体113围绕。
散热构件133可以在发光器件120与封装主体110之间提供稳定的固定力。散热构件133可以在发光器件120与主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，散热构件133可以布置为与主体113的上表面直接接触。另外，散热构件133可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
根据实施例，如上所述，从发光器件120的上表面到第一框架111的下表面的第一距离可以被设置为等于或大于从发光器件120的上表面到散热构件133的下表面的第二距离。
作为示例，散热构件133可以布置为在向上方向中与开口TH1的下表面隔开预定距离。开口TH1的上部区域可以填充有散热构件133，并且开口TH1的下部区域可以设置为其中未填充散热构件133的空的空间。
作为示例，散热构件133可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。此外，作为示例，当散热构件133包括反射功能时，散热构件133可以包括白色硅酮。另外，散热构件133可以包括具有良好的导热性的从由Al2O3、AlN等的组中选择的材料。
根据实施例，当散热构件133包括具有良好导热性的材料时，能够将发光器件120稳定地固定到封装主体110并且有效地散发从发光器件120产生的热量。因此，发光器件120可以稳定地固定到封装主体110，并且可以有效地散发热量，并且因此可以提高发光器件120的光提取效率。
另外，当散热构件133包括反射材料时，散热构件133可以在主体113和发光器件120之间提供稳定的固定力，并且散热构件133可以相对于被发射到发光器件120的下表面的光在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，散热构件133可以通过提供光扩散功能来提高发光器件封装的光提取效率。
根据实施例，散热构件133可以反射从发光器件120发射的光。当散热构件133包括反射功能时，散热构件133可以由包含TiO2、硅酮等等的材料形成。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为10％或更小。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光面积并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为0.7％或更大。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二结合部121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定结合力。
作为示例，第一结合部121的面积可以设置为小于开口TH1的上部区域的面积，如上面参考图4所述。另外，第二结合部122的面积可以设置为小于开口TH1的上部区域的面积，如上面参考图4所述。
如上所述，因为第一结合部121和第二结合部122的面积设置为小，所以可以增加透射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面设置具有良好反射特性和散热特性的散热构件133。因此，在发光器件120的向下方向发射的光在散热构件133处被反射，并且朝向发光器件封装100的向上方向有效地发射，并且因此可以提高光提取效率。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括模制构件，如图10中所示。作为示例，根据实施例的模制构件可以包括树脂部分135和模制部140。
树脂部分135可以布置在第一框架111和发光器件120之间。树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以设置在封装主体110中提供的腔体C的下表面处。
作为示例，树脂部分135可以布置在发光器件120下面。树脂部分135可以被称为反射树脂部分。另外，树脂部分135可以被称为反射模制构件。
树脂部分135可以布置在第一结合部121的侧表面处。另外，树脂部分135可以布置在第二结合部122的侧表面处。树脂部分135可以布置在发光结构123的下面。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，树脂部分135可以是反射从发光器件120发射的光的反射器，例如，包括诸如TiO2的反射材料的树脂，或者可以包括白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面并且可以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改善发光器件120和第一框架111之间的粘附力。树脂部分135可以改善发光器件120和第二框架112之间的粘附力。
树脂部分135可以围绕第一结合部121和第二结合部122密封。树脂部分135可以防止第一导电层321和第二导电层322与第一结合部121下面的区域和第二结合部下面的区域分离，以及在发光器件120的方向中扩散和移动。
当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的外侧表面方向中扩散和移动时，第一导电层321和第二导电层322可以与发光器件120的有源层接触，从而导致由于短路引起的故障。因此，当布置树脂部分135时，能够防止由于第一导电层321和第二导电层322以及有源层引起的短路，从而提高根据实施例的发光器件封装的可靠性。
另外，当树脂部分135包括具有诸如白色硅酮的反射特性的材料时，树脂部分135可以将从发光器件120提供的光朝向封装主体110的向上方向反射，从而改善发光器件封装100的光提取效率。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括模制部140，如图10中所示。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装主体110提供的腔体C处。
模制部140可以包括绝缘材料。另外，模制部140可以包括波长转换部，该波长转换部被配置成入射从发光器件120发射的光并提供波长转换的光。作为示例，模制部140可以包括从由荧光体、量子点等组成的组中选择的至少一种。
模制部140可以布置在发光器件120的周边处。作为示例，模制部140可以被称为波长转换模制构件。
另外，根据实施例，模制部140可以布置在树脂部分135上。
根据实施例，如上所述，第一结合部121可以包括靠近第二结合部122的第一侧表面和面对第一侧表面的第二侧表面。第二结合部122可以包括靠近第一结合部121的第三侧表面和面向第三侧表面的第四侧表面。
作为示例，第一结合部121的第一侧表面和第二结合部122的第三侧表面可以布置为与散热构件133接触。另外，第一结合部121的第二侧表面和第二结合部122的第四侧表面可以布置为与诸如树脂部分135和模制部140的模制构件接触。
在根据实施例的发光器件封装中，电源可以通过第一导电层321连接到第一结合部121，并且电源可以通过第二导电层322连接到第二结合部122。
因此，发光器件120可以由通过第一结合部121和第二结合部122供应的驱动功率驱动。另外，从发光器件120发射的光可以在封装主体110的向上方向中被提供。
同时，根据上述实施例的发光器件封装可以被供应并且被安装在子基板、电路板等等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，使得可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，按照根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，根据实施例的发光器件的第一结合部和第二结合部可以通过被布置在第一和第二框架处的第一和第二导电层提供驱动功率。另外，布置在第一和第二开口处的第一和第二导电层的熔点可以选择为具有比普通结合材料更高的值。
因此，因为即使当通过回流工艺将发光器件封装100结合到主衬底时根据实施例的发光器件封装100不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
此外，按照根据实施例的发光器件封装100和发光器件封装的制造方法，封装主体110在发光器件封装的制造工艺中不需要暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料设置主体113。
例如，主体113可以包括选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚亚环己基二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中的至少一种材料。
然后，将参考图11描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在描述根据参考图11的实施例的发光器件封装中，可以省略描述与参考图1至图10描述的内容重叠的内容。
根据实施例的发光器件封装可以包括封装主体110和发光器件120，如图11中所示。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。主体113可以执行作为一种电极分离线的功能。
例如，第一框架111和第二框架112可以布置为在主体113处彼此隔开。例如，第一框架111和第二框架112可以布置为与其间插入的主体113彼此隔开。
根据实施例，主体113可以包括开口TH1。开口TH1可以布置在第一框架111和第二框架112之间。开口TH1可以布置在发光器件120下面。
与参考图9描述的发光器件封装相比，根据图11中所示的实施例的发光器件封装还可以包括第一凹部R1和第二凹部R2。
第一凹部R1可以设置在第一框架111的上表面上。第一凹部R1可以设置为在下表面方向中从第一框架111的上表面凹入。第一凹部R1可以是布置成与凹部R隔开。
第二凹部R2可以设置在第二框架112的上表面上。第二凹部R2可以设置成从第二框架112的上表面在下表面方向中凹入。第二上凹部R4可以布置成与凹部R隔开。
第二凹部R2可以设置在第二框架112的上表面上。第二凹部R2可以设置成从第二框架112的上表面在下表面方向中凹入。第二上凹部R4可以布置成与开口TH1隔开。
根据实施例，第一导电层321可以设置在第一凹部R1处。另外，第一结合部121可以设置在第一凹部R1区域处。另外，第二导电层322可以设置在第二凹部R2处。另外，第二结合部122 2可以设置在第二凹部R2区域处。第一凹部R1和第二凹部R2可以提供足够的空间，在该空间中可以设置第一导电层321和第二导电层322。
第一导电层321可以布置在第一框架111上。第一导电层321可以布置在第一结合部121下面。
第一导电层321可以布置为与第一结合部121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一结合部121。第一导电层321可以提供固定第一结合部121和第一框架111的功能。
第二导电层322可以布置在第二框架112上。第二导电层322可以布置在第二结合部122下面。
第二导电层322可以布置为与第二结合部122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二结合部122。第二导电层322可以提供固定第二结合部122和第二框架112的功能。
第一导电层321和第二导电层322可以包括选自由Ag、Au和Pt等或其合金组成的组中的一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以被用于第一导电层321和第二导电层322。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电浆料可以选自由焊膏、银膏等组成的组中的至少一种。
根据实施例，第一导电层321和第二导电层322可以被称为导电粘合剂。第一导电层321和第二导电层322可以将第一和第二结合部121和122固定到第一和第二框架111和112。此外，第一和第二导电层321和322可以将第一和第二结合部121和122电连接到第一和第二框架111和112。
根据实施例，发光器件120可以包括第一结合部121、第二结合部122、发光结构123和衬底124。
发光器件120可以包括布置在衬底124下面的发光结构123，如图11中所示。第一结合部121和第二结合部122可以布置在发光结构123和封装主体110之间。
第一结合部121可以布置在发光器件120的下表面上。第二结合部122可以布置在发光器件120的下表面上。第一结合部121和第二结合部122可以布置为在发光器件120的下表面上彼此隔开。
第一结合部121可以布置在第一框架111上。第二结合部122可以布置在第二框架112上。
第一结合部121可以布置在发光结构123和第一框架111之间。第二结合部122可以布置在发光结构123和第二框架112之间。
根据实施例的发光器件封装可以包括散热构件133，如图11中所示。
散热构件133可以布置在封装主体110和发光器件120之间。散热构件133可以布置在封装主体110的上表面和发光器件120的下表面之间。散热构件133可以布置在主体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
散热构件133可以布置在第一框架111与第二框架112之间。散热构件133可以布置在被布置在第一框架111和第二框架112之间的阶梯式台阶形状的凹陷结构处。散热构件133可以布置在主体113的平坦表面上。
如上所述，根据实施例，散热构件133可以设置在由第一框架111的上表面、主体113的上表面和第二框架112的上表面提供的宽凹陷区域处。因此，可以进一步改善根据实施例的发光器件封装的散热特性。
另外，主体113的下表面以及第一框架111和第二框架112的下表面可以布置在同一平面上。
散热构件133的上表面可以布置为与发光器件120接触并且在第一方向中延伸。第一方向可以被定义为从发光器件120的上表面朝向主体113的下表面的方向。
根据实施例，从发光器件120的上表面到第一框架111的下表面的第一距离可以被设置为等于或大于从发光器件120的上表面到散热构件133的下表面的第二距离。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括开口TH1，如图11中所示。
开口TH1可以设置在主体113处。开口TH1可以通过穿过主体113被设置。开口TH1可以通过在第一方向穿过主体113的上表面和下表面被设置。开口TH1可以布置在发光器件120下面。开口TH1可以设置为在第一方向中与发光器件120重叠。
作为示例，开口TH1可以被设置为由主体113围绕。当从发光器件120的向上方向观看时，开口TH1可以被设置为被主体113围绕。开口TH1可以被布置在主体113的中央区域处。
根据实施例，散热构件133可以布置在开口TH1处。散热构件133可以布置在发光器件120和主体113之间。散热构件133可以布置在第一结合部121和第二结合部122之间。作为示例，散热构件133可以布置成与第一结合部121的侧表面和第二结合部122的侧表面接触。
第一结合部121可以包括靠近第二结合部122的第一侧表面和面向第一侧表面的第二侧表面。第二结合部122可以包括靠近第一结合部121的第三侧表面和面向第三侧表面的第四侧表面。
根据实施例，散热构件133可以布置为与第一结合部121的第一侧表面和第二结合部122的第三侧表面接触。作为示例，散热构件133可以布置成与第一结合部121的第一侧表面和第二结合部122的第三侧表面直接接触。
另外，散热构件133可以布置在发光器件120和封装主体110之间。散热构件133可以布置在发光器件120和第一框架111之间。散热构件133可以布置在发光器件120和第二框架112之间。散热构件133可以设置为由主体113围绕。
散热构件133可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。散热构件133可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，散热构件133可以布置为与主体113的上表面直接接触。另外，散热构件133可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
根据实施例，如上所述，从发光器件120的上表面到第一框架111的下表面的第一距离可以被设置为等于或大于从发光器件120的上表面到散热构件133的下表面的第二距离。
作为示例，散热构件133可以布置为在向上方向中与开口TH1的下表面隔开预定距离。开口TH1的上部区域可以填充有散热构件133，并且开口TH1的下部区域可以设置为其中未填充散热构件133的空的空间。
作为示例，散热构件133可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。此外，作为示例，当散热构件133包括反射功能时，散热构件133可以包括白色硅酮。另外，散热构件133可以包括具有良好的导热性的从由Al2O3、AlN等的组中选择的材料。
根据实施例，当散热构件133包括具有良好导热性的材料时，能够将发光器件120稳定地固定到封装主体110并且有效地散发从发光器件120产生的热量。因此，发光器件120可以稳定地固定到封装主体110，并且可以有效地散发热量，并且因此可以提高发光器件120的光提取效率。
另外，当散热构件133包括反射材料时，散热构件133可以在主体113和发光器件120之间提供稳定的固定力，并且散热构件133可以相对于被发射到发光器件120的下表面的光在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，散热构件133可以通过提供光扩散功能提高发光器件封装100的光提取效率。
根据实施例，散热构件133可以反射从发光器件120发射的光。当散热构件133包括反射功能时，散热构件133可以由包含TiO2、硅酮等等的材料形成。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为10％或更小。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光面积并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为0.7％或更大。在根据实施例的发光器件封装中，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二结合部121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定结合力。
作为示例，第一结合部121的面积可以设置为小于开口TH1的上部区域的面积，如上面参考图4所述。另外，第二结合部122的面积可以设置为小于开口TH1的上部区域的面积，如上面参考图4所述。
如上所述，因为第一结合部121和第二结合部122的面积设置为小，所以可以增加发射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面设置具有良好反射特性和散热特性的散热构件133。因此，在发光器件120的向下方向发射的光在散热构件133处被反射，并且朝向发光器件封装100的向上方向有效地发射，并且因此可以提高光提取效率。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括模制构件，如图11中所示。作为示例，根据实施例的模制构件可以包括树脂部分135和模制部140。
树脂部分135可以布置在第一框架111和发光器件120之间。树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以设置在封装主体110中提供的腔体C的下表面处。
作为示例，树脂部分135可以布置在发光器件120下面。树脂部分135可以被称为反射树脂部分。另外，树脂部分135可以被称为反射模制构件。
树脂部分135可以布置在第一结合部121的侧表面处。另外，树脂部分135可以布置在第二结合部122的侧表面处。树脂部分135可以布置在发光结构123的下面。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，树脂部分135可以是反射从发光器件120发射的光的反射器，例如，包括诸如TiO2的反射材料的树脂，或者可以包括白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面并且可以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改善发光器件120和第一框架111之间的粘附力。树脂部分135可以改善发光器件120和第二框架112之间的粘附力。
树脂部分135可以围绕第一结合部121和第二结合部122密封。树脂部分135可以防止第一导电层321和第二导电层322与第一结合部121下面的区域和第二结合部下面的区域分离，以及在发光器件120的方向中扩散和移动。
当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的外侧表面方向中扩散和移动时，第一导电层321和第二导电层322可以与发光器件120的有源层接触，从而导致由于短路引起的故障。因此，当布置树脂部分135时，能够防止由于第一导电层321和第二导电层322以及有源层引起的短路，从而提高根据实施例的发光器件封装的可靠性。
另外，当树脂部分135包括具有诸如白色硅酮的反射特性的材料时，树脂部分135可以将从发光器件120提供的光朝向封装主体110的向上方向反射，从而改善发光器件封装100的光提取效率。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括模制部140，如图11中所示。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装主体110提供的腔体C处。
模制部140可以包括绝缘材料。另外，模制部140可以包括波长转换部，该波长转换部被配置成入射从发光器件120发射的光并提供波长转换的光。作为示例，模制部140可以包括从由荧光体、量子点等组成的组中选择的至少一种。
模制部140可以布置在发光器件120的周边处。作为示例，模制部140可以被称为波长转换模制构件。
另外，根据实施例，模制部140可以布置在树脂部分135上。
根据实施例，如上所述，第一结合部121可以包括靠近第二结合部122的第一侧表面和面对第一侧表面的第二侧表面。第二结合部122可以包括靠近第一结合部121的第三侧表面和面向第三侧表面的第四侧表面。
作为示例，第一结合部121的第一侧表面和第二结合部122的第三侧表面可以布置为与散热构件133接触。另外，第一结合部121的第二侧表面和第二结合部122的第四侧表面可以布置为与诸如树脂部分135和模制部140的模制构件接触。
在根据实施例的发光器件封装中，电源可以通过第一导电层321连接到第一结合部121，并且电源可以通过第二导电层322连接到第二结合部122。
因此，发光器件120可以由通过第一结合部121和第二结合部122供应的驱动功率驱动。另外，从发光器件120发射的光可以设置在封装主体110的向上方向中。
同时，根据上述实施例的发光器件封装可以被供应并且被安装在子基板、电路板等等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，使得可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，按照根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，根据实施例的发光器件的第一结合部和第二结合部可以通过被布置在第一和第二框架处的第一和第二导电层提供驱动功率。另外，布置在第一和第二开口处的第一和第二导电层的熔点可以选择为具有比普通结合材料更高的值。
因此，因为即使当通过回流工艺将发光器件封装100结合到主衬底时根据实施例的发光器件封装100不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
此外，按照根据实施例的发光器件封装100和发光器件封装的制造方法，封装主体110在发光器件封装的制造工艺中不需要暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料设置主体113。
例如，主体113可以包括选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚亚环己基二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中的至少一种材料。
同时，上面参考图1至图11描述的根据实施例的发光器件封装100可以被供应并且被安装在子基板、电路板等等上。
然后，将参考图12描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
图12中示出的根据本发明的实施例的发光器件封装300是参考图1至图11描述的发光器件封装安装在电路板310上并且被供应的示例。
在参考图12描述的根据本发明的实施例的发光器件封装300的制造方法中，可以省略与参考图1至图11描述的内容重叠的描述。
根据实施例的发光器件封装300可以包括电路板310、封装主体110和发光器件120，如图12中所示。
电路板310可以包括第一焊盘311、第二焊盘312和支撑基板313。支撑基板313可以设置有电源电路，该电源电路被配置成控制发光器件120的驱动。
封装主体110可以布置在电路板310上。第一焊盘311和第一焊盘电极121可以彼此电连接。第二焊盘312和第二焊盘电极122可以彼此电连接。
第一焊盘311和第二焊盘312可以包括导电材料。例如，第一焊盘311和第二焊盘312可以包括从由Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P、Fe、Sn、Zn和Al或其合金组成的组中选择的一种材料。第一焊盘311和第二焊盘312可以设置为单层或多层。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。主体113可以执行作为一种电极分离线的功能。主体113也可以称为绝缘构件。
例如，第一框架111和第二框架112可以布置成在主体113处彼此隔开。例如，第一框架111和第二框架112可以布置为与其间插入的主体113彼此隔开。
主体113可以布置在第一框架111上。另外，主体113可以布置在第二框架112上。
主体113可以设置布置在第一框架111和第二框架112上的倾斜表面。腔体C可以通过主体113的倾斜表面设置在第一框架111和第二框架112上。
根据实施例，封装主体110可以以具有腔体C的结构设置，或者可以被设置有具有平坦上表面而没有腔体C的结构。
例如，主体113可以由选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三联苯(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅酮、环氧模制化合物(EMC)、硅酮模制化合物(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中的至少一种形成。另外，主体113可以包括高折射率填料，诸如TiO 2和SiO2。
第一框架111和第二框架112可以设置为导电框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度，并且可以电连接到发光器件120。
根据实施例，如图12中所示，主体113可以包括开口TH1。开口TH1可以布置在第一框架111和第二框架112之间。开口TH1可以布置在发光器件120下面。
根据实施例，发光器件120可以包括第一结合部121、第二结合部122、发光结构123和衬底124。
发光器件120可以包括布置在衬底124下面的发光结构123，如图12中所示。第一结合部121和第二结合部122可以布置在发光结构123和封装主体110之间。
发光结构123可以包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层。第一结合部121可以电连接到第一导电类型半导体层。另外，第二结合部122可以电连接到第二导电类型半导体层。
发光器件120可以布置在封装主体110上。发光器件120可以布置在第一框架111和第二框架112上。发光器件120可以布置在由封装主体110提供的腔体C中。
第一结合部121可以布置在发光器件120的下表面上。第二结合部122可以布置在发光器件120的下表面上。第一结合部121和第二结合部122可以布置为在发光器件120的下表面上彼此隔开。
第一结合部121可以布置在第一框架111上。第二结合部122可以布置在第二框架112上。
第一结合部121可以布置在发光结构123和第一框架111之间。第二结合部122可以布置在发光结构123和第二框架112之间。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导电层321可以布置在第一框架111上。第一导电层321可以布置在第一结合部121下面。
第一导电层321可以布置为与第一结合部121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一结合部121。第一导电层321可以提供固定第一结合部121和第一框架111的功能。
第二导电层322可以布置在第二框架112上。第二导电层322可以布置在第二结合部122下面。
第二导电层322可以布置为与第二结合部122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二结合部122。第二导电层322可以提供固定第二结合部122和第二框架112的功能。
第一导电层321和第二导电层322可以包括选自由Ag、Au和Pt等或其合金组成的组中的一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以被用于第一导电层321和第二导电层322。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电浆料可以选自由焊膏、银膏等组成的组中的至少一种。
根据实施例，第一导电层321和第二导电层322可以被称为导电粘合剂。第一导电层321和第二导电层322可以将第一和第二结合部121和122固定到第一和第二框架111和112。此外，第一和第二导电层321和322可以将第一和第二结合部121和122电连接到第一和第二框架111和112。
根据实施例的发光器件封装可以包括散热构件133。
散热构件133可以布置在封装主体110和发光器件120之间。散热构件133可以布置在封装主体110的上表面和发光器件120的下表面之间。散热构件133可以布置在主体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
散热构件133可以布置在第一框架111和第二框架112之间。另外，主体113的下表面以及第一框架111和第二框架112的下表面可以设置在同一平面处。
散热构件133的上表面可以布置为与发光器件120接触并且在第一方向中延伸。第一方向可以被定义为从发光器件120的上表面朝向主体113的下表面的方向。
根据实施例，从发光器件120的上表面到第一框架111的下表面的第一距离可以被设置为等于或大于从发光器件120的上表面到散热构件133的下表面的第二距离。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括开口TH1，如图12中所示。
开口TH1可以设置在主体113处。开口TH1可以通过穿过主体113被设置。开口TH1可以通过在第一方向穿过主体113的上表面和下表面被设置。开口TH1可以布置在发光器件120下面。开口TH1可以设置为在第一方向中与发光器件120重叠。
作为示例，开口TH1可以被设置为由主体113围绕。当从发光器件120的向上方向观看时，开口TH1可以被设置为被主体113围绕。开口TH1可以被布置在主体113的中央区域处。
根据实施例，散热构件133可以布置在开口TH1处。散热构件133可以布置在发光器件120和主体113之间。散热构件133可以布置在第一结合部121和第二结合部122之间。作为示例，散热构件133可以布置成与第一结合部121的侧表面和第二结合部122的侧表面接触。
第一结合部121可以包括靠近第二结合部122的第一侧表面和面向第一侧表面的第二侧表面。第二结合部122可以包括靠近第一结合部121的第三侧表面和面向第三侧表面的第四侧表面。
根据实施例，散热构件133可以布置为与第一结合部121的第一侧表面和第二结合部122的第三侧表面接触。作为示例，散热构件133可以布置成与第一结合部121的第一侧表面和第二结合部122的第三侧表面直接接触。
另外，散热构件133可以布置在发光器件120和封装主体110之间。散热构件133可以布置在发光器件120和第一框架111之间。散热构件133可以布置在发光器件120和第二框架112之间。散热构件133可以设置为由主体113围绕。
散热构件133可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。散热构件133可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，散热构件133可以布置为与主体113的上表面直接接触。另外，散热构件133可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
根据实施例，如上所述，从发光器件120的上表面到第一框架111的下表面的第一距离可以被设置为等于或大于从发光器件120的上表面到散热构件133的下表面的第二距离。
作为示例，散热构件133可以布置为在向上方向中与开口TH1的下表面隔开预定距离。开口TH1的上部区域可以填充有散热构件133，并且开口TH1的下部区域可以设置为其中未填充散热构件133的空的空间。
作为示例，散热构件133可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。此外，作为示例，当散热构件133包括反射功能时，散热构件133可以包括白色硅酮。另外，散热构件133可以包括具有良好的导热性的从由Al2O3、AlN等的组中选择的材料。
根据实施例，当散热构件133包括具有良好导热性的材料时，能够将发光器件120稳定地固定到封装主体110并且有效地散发从发光器件120产生的热量。因此，发光器件120可以稳定地固定到封装主体110，并且可以有效地散发热量，并且因此可以提高发光器件120的光提取效率。
此外，当散热构件133包括反射材料时，散热构件133可以在主体113和发光器件120之间提供稳定的固定力，并且散热构件133可以相对于被发射到发光器件120的下表面的光在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，散热构件133可以通过提供光扩散功能来提高发光器件封装的光提取效率。
根据实施例，散热构件133可以反射从发光器件120发射的光。当散热构件133包括反射功能时，散热构件133可以由包含TiO2、硅酮等等的材料形成。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为10％或更小。根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光面积并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为0.7％或更大。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二结合部121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定结合力。
作为示例，第一结合部121的面积可以设置为小于开口TH1的上部区域的面积，如上面参考图4所述。另外，第二结合部122的面积可以设置为小于开口TH1的上部区域的面积，如上面参考图4所述。
如上所述，因为第一结合部121和第二结合部122的面积设置为小，所以可以增加透射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面设置具有良好反射特性和散热特性的散热构件133。因此，在发光器件120的向下方向发射的光在散热构件133处被反射，并且朝向发光器件封装100的向上方向有效地发射，并且因此可以提高光提取效率。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括模制构件，如图12中所示。作为示例，根据实施例的模制构件可以包括树脂部分135和模制部140。
树脂部分135可以布置在第一框架111和发光器件120之间。树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以设置在封装主体110中提供的腔体C的下表面处。
作为示例，树脂部分135可以布置在发光器件120下面。树脂部分135可以被称为反射树脂部分。另外，树脂部分135可以被称为反射模制构件。
树脂部分135可以布置在第一结合部121的侧表面处。另外，树脂部分135可以布置在第二结合部122的侧表面处。树脂部分135可以布置在发光结构123的下面。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，树脂部分135可以是反射从发光器件120发射的光的反射器，例如，包括诸如TiO2的反射材料的树脂，或者可以包括白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面并且可以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改善发光器件120和第一框架111之间的粘附力。树脂部分135可以改善发光器件120和第二框架112之间的粘附力。
树脂部分135可以围绕第一结合部121和第二结合部122密封。树脂部分135可以防止第一导电层321和第二导电层322与第一结合部121下面的区域和第二结合部下面的区域分离，以及在发光器件120的方向中扩散和移动。
当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的外侧表面方向中扩散和移动时，第一导电层321和第二导电层322可以与发光器件120的有源层接触，从而导致由于短路引起的故障。因此，当布置树脂部分135时，能够防止由于第一导电层321和第二导电层322以及有源层引起的短路，从而提高根据实施例的发光器件封装的可靠性。
另外，当树脂部分135包括具有诸如白色硅酮的反射特性的材料时，树脂部分135可以将从发光器件120提供的光朝向封装主体110的向上方向反射，从而改善发光器件封装100的光提取效率。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括模制部140，如图12中所示。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装主体110提供的腔体C处。
模制部140可以包括绝缘材料。另外，模制部140可以包括波长转换部，该波长转换部被配置成入射从发光器件120发射的光并提供波长转换的光。作为示例，模制部140可以包括从由荧光体、量子点等组成的组中选择的至少一种。
模制部140可以布置在发光器件120的周边处。作为示例，模制部140可以被称为波长转换模制构件。
另外，根据实施例，模制部140可以布置在树脂部分135上。
根据实施例，如上所述，第一结合部121可以包括靠近第二结合部122的第一侧表面和面对第一侧表面的第二侧表面。第二结合部122可以包括靠近第一结合部121的第三侧表面和面向第三侧表面的第四侧表面。
作为示例，第一结合部121的第一侧表面和第二结合部122的第三侧表面可以布置为与散热构件133接触。另外，第一结合部121的第二侧表面和第二结合部122的第四侧表面可以布置为与诸如树脂部分135和模制部140的模制构件接触。
在根据实施例的发光器件封装中，电源可以通过第一导电层321连接到第一结合部121，并且电源可以通过第二导电层322连接到第二结合部122。
因此，发光器件120可以由通过第一结合部121和第二结合部122供应的驱动功率驱动。另外，从发光器件120发射的光可以设置在封装主体110的向上方向中。
根据实施例，电路板310的第一焊盘311和第一导电层321可以电连接。另外，电路板310的第二焊盘312和第二导电层322可以电连接。
同时，根据实施例，可以在第一焊盘311和第一导电层321之间另外设置单独的结合层。此外，可以在第二焊盘312和第二导电层322之间另外设置单独的结合层。
此外，根据另一实施例，第一导电层321和第二导电层322可以通过共晶结合安装在电路板310上。
如上所述，按照根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，可以通过被布置在第一和第二框架处的第一和第二导电层根据实施例的发光器件的第一结合部和第二结合部可以提供驱动功率。另外，布置在第一和第二开口处的第一和第二导电层的熔点可以选择为具有比普通结合材料更高的值。
因此，因为即使当通过回流工艺将发光器件封装100结合到主衬底时，根据实施例的发光器件封装也不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
此外，按照根据实施例的发光器件封装100和发光器件封装的制造方法，封装主体110在发光器件封装的制造工艺中不需要暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料设置主体113。
例如，主体113可以包括选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚亚环己基二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中的至少一种材料。
另外，按照根据上述实施例的发光器件封装，封装主体110仅包括其中上表面是平坦的支撑构件，并且可以被设置有被布置为倾斜的反射部。
作为另一示例，根据实施例的发光器件封装，封装主体110可以设置有其中设置有腔体C的结构。此外，封装主体110可以设置有上表面是平坦的而不提供腔体C的结构。
如参考图1至图12所述，在第一结合部121和第二结合部122之间发射的光可以入射到布置在主体113区域处的散热构件133。在发光器件的向下方向发射的光可以通过散热构件133光学地扩散，并且因此可以提高光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为10％或更小。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光面积并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为0.7％或更大。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二结合部121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定结合力。
例如，根据发光器件的主轴方向的第一结合部121的宽度可以是几十微米。第一结合部121的宽度可以是例如70至90微米。另外，第一结合部121的面积可以是几千平方微米。
此外，根据发光器件的主轴方向的第二结合部122的宽度可以是几十微米。第二结合部122的宽度可以是例如70至90微米。另外，第二结合部122的面积可以是几千平方微米。
如上所述，因为第一结合部121和第二结合部122的面积设置为小，所以可以增加透射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面设置具有良好反射特性和散热特性的散热构件133。因此，在发光器件120的向下方向发射的光在散热构件133处被反射，并且朝向发光器件封装100的向上方向有效地发射，并且因此可以提高光提取效率。
同时，基于第一结合部121和第二结合部122与第一导电层321和第二导电层322直接接触的情况描述根据上述实施例的发光器件封装。
然而，按照根据实施例的发光器件封装的又一示例，可以在第一结合部121和第二结合部122与第一导电层321和第二导电层322之间进一步设置另一导电组件。
然后，将参考图13描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在描述根据参考图13的实施例的发光器件封装中，可以省略与参考图1至图12描述的内容重叠的内容的描述。
根据实施例的发光器件封装可以包括封装主体110和发光器件120，如图13中所示。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。主体113可以执行作为一种电极分离线的功能。主体113也可以称为绝缘构件。
例如，第一框架111和第二框架112可以布置成在主体113处彼此隔开。例如，第一框架111和第二框架112可以布置为与其间插入的主体113彼此隔开。
主体113可以布置在第一框架111上。另外，主体113可以布置在第二框架112上。
主体113可以设置布置在第一框架111和第二框架112上的倾斜表面。腔体C可以通过主体113的倾斜表面设置在第一框架111和第二框架112上。
根据实施例，封装主体110可以以具有腔体C的结构设置，或者可以被设置有具有平坦上表面而没有腔体C的结构。
例如，主体113可以由选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三联苯(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅酮、环氧模制化合物(EMC)、硅酮模制化合物(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中的至少一种形成。另外，主体113可以包括高折射率填料，诸如TiO2和SiO2。
根据实施例，发光器件120可以包括第一结合部121、第二结合部122、发光结构123和衬底124。
发光器件120可以包括布置在衬底124下面的发光结构123，如图13中所示。第一结合部121和第二结合部122可以布置在发光结构123和主体113之间。
发光结构123可以包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层。第一结合部121可以电连接到第一导电类型半导体层。另外，第二结合部122可以电连接到第二导电类型半导体层。
发光器件120可以布置在封装主体110上。发光器件120可以布置在第一框架111和第二框架112上。发光器件120可以布置在由封装主体110提供的腔体C中。
第一结合部121可以布置在发光器件120的下表面上。第二结合部122可以布置在发光器件120的下表面上。第一结合部121和第二结合部122可以布置为在发光器件120的下表面上彼此隔开。
第一结合部121可以布置在第一框架111上。第二结合部122可以布置在第二框架112上。
第一结合部121可以布置在发光结构123和第一框架111之间。第二结合部122可以布置在发光结构123和第二框架112之间。
根据实施例的发光器件封装，如图13中所示，可以包括第一导体221和第二导体222。此外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导体221可以布置在第一结合部121下面。第一导体221可以电连接到第一结合部121。第一导体221可以被布置为在第一方向中与第一结合部121重叠。
第一导体221可以布置在第一框架111上。第一导体221可以布置在第一结合部121和第一导电层321之间。第一导体221可以电连接到第一结合部121和第一导电层321。
另外，第二导体222可以布置在第二结合部122下面。第二导体222可以电连接到第二结合部122。第二导体222可以布置为在第一方向中与第二结合部重叠122。
第二导体222可以布置在第二框架112上。第二导体222可以布置在第二结合部122和第二导电层322之间。第二导体222可以电连接到第二结合部122和第二导电层322。
根据实施例，第一导电层321可以布置在第一导体221的下表面和侧表面上。第一导电层321可以布置为与第一导体221的下表面和侧表面直接接触。
如上所述，根据实施例的发光器件封装，第一导电层321和第一导体221之间的接触面积增加，使得可以通过第一导体221更稳定地设置第一导电层321与第一结合部121之间的电连接。
另外，根据实施例，第二导电层322可以布置在第二导体222的下表面和侧表面处。第二导电层322可以布置为与第二导体222的下表面和侧表面直接接触。
如上所述，根据实施例的发光器件封装200，第二导电层322和第二导体222之间的接触面积增加，使得可以通过第二导体222稳定地提供在第二导体322和第二结合部122之间的电连接。
作为示例，第一导体221和第二导体222可以分别经由单独的结合材料稳定地结合到第一结合部121和第二结合部122。另外，第一导体221和第二导体222的侧表面和下表面可以分别与第一导电层321和第二导电层322接触。
因此，与其中第一和第二导电层321和322分别被直接地接触第一和第二结合部121和122的情况相比较，其中第一和第二导电层321和322分别接触第一和第二导体221和222的面积可以被进一步增加。
因此，可以经由第一导体221和第二导体222从第一导电层321和第二导电层322到第一结合部121和第二结合部122稳定地提供电力。
第一导电层321和第二导电层322可以包括选自由Ag、Au和Pt等或其合金组成的组中的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以被用于第一导电层321和第二导电层322。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由由不同材料组成的多层或者由其合金组成的多层或者单层组成。
此外，第一和第二导体221和222可以包括选自由Ag、Au、Pt、Sn、Al等或其合金组成的组中的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以用于第一导体221和第二导体222。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括散热构件133。
散热构件133可以布置在封装主体110和发光器件120之间。散热构件133可以布置在封装主体110的上表面和发光器件120的下表面之间。散热构件133可以布置在主体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
散热构件133可以布置在第一框架111和第二框架112之间。另外，主体113的下表面以及第一框架111和第二框架112的下表面可以布置在同一平面处。
散热构件133的上表面可以布置为与发光器件120接触并且在第一方向中延伸。第一方向可以被定义为从发光器件120的上表面朝向主体113的下表面的方向。
根据实施例，从发光器件120的上表面到第一框架111的下表面的第一距离可以被设置为等于或大于从发光器件120的上表面到散热构件133的下表面的第二距离。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括开口TH1，如图13中所示。
开口TH1可以设置在主体113处。开口TH1可以通过穿过主体113被设置。开口TH1可以通过在第一方向穿过主体113的上表面和下表面被设置。开口TH1可以布置在发光器件120下面。开口TH1可以设置为在第一方向中与发光器件120重叠。
作为示例，开口TH1可以被设置为由主体113围绕。当从发光器件120的向上方向观看时，开口TH1可以被设置为被主体113围绕。开口TH1可以被布置在主体113的中央区域处。
根据实施例，散热构件133可以布置在开口TH1处。散热构件133可以布置在发光器件120和主体113之间。散热构件133可以布置在第一结合部121和第二结合部122之间。作为示例，散热构件133可以布置成与第一结合部121的侧表面和第二结合部122的侧表面接触。
第一结合部121可以包括靠近第二结合部122的第一侧表面和面向第一侧表面的第二侧表面。第二结合部122可以包括靠近第一结合部121的第三侧表面和面向第三侧表面的第四侧表面。
根据实施例，散热构件133可以布置为与第一结合部121的第一侧表面和第二结合部122的第三侧表面接触。作为示例，散热构件133可以布置成与第一结合部121的第一侧表面和第二结合部122的第三侧表面直接接触。
另外，散热构件133可以布置在发光器件120和封装主体110之间。散热构件133可以布置在发光器件120和第一框架111之间。散热构件133可以布置在发光器件120和第二框架112之间。散热构件133可以设置为由主体113围绕。
散热构件133可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。散热构件133可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，散热构件133可以布置为与主体113的上表面直接接触。另外，散热构件133可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
根据实施例，如上所述，从发光器件120的上表面到第一框架111的下表面的第一距离可以被设置为等于或大于从发光器件120的上表面到散热构件133的下表面的第二距离。
作为示例，散热构件133可以布置为在向上方向中与开口TH1的下表面隔开预定距离。开口TH1的上部区域可以填充有散热构件133，并且开口TH1的下部区域可以设置为其中未填充散热构件133的空的空间。
作为示例，散热构件133可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。此外，作为示例，当散热构件133包括反射功能时，散热构件133可以包括白色硅酮。另外，散热构件133可以包括具有良好的导热性的从由Al2O3、AlN等的组中选择的材料。
根据实施例，当散热构件133包括具有良好导热性的材料时，能够将发光器件120稳定地固定到封装主体110并且有效地散发从发光器件120产生的热量。因此，发光器件120可以稳定地固定到封装主体110，并且可以有效地散发热量，并且因此可以提高发光器件120的光提取效率。
另外，当散热构件133包括反射材料时，散热构件133可以在主体113和发光器件120之间提供稳定的固定力，并且散热构件133可以相对于被发射到发光器件120的下表面的光在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，散热构件133可以通过提供光扩散功能来提高发光器件封装的光提取效率。
根据实施例，散热构件133可以反射从发光器件120发射的光。当散热构件133包括反射功能时，散热构件133可以由包含TiO2、硅酮等等的材料形成。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以以10％或更小设置。按照根据实施例的发光器件封装，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以基于衬底124的上表面的面积设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光面积并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以基于衬底124的上表面的面积设置为0.7％或更大。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二结合部121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定结合力。
根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二结合部121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，使得可以稳定地排列第一导体221和第二导体222。
作为示例，第一结合部121的面积可以设置为小于开口TH1的上部区域的面积，如图4中所示。另外，第二结合部122的面积可以设置为小于开口TH1的上部区域的面积，如图4中所示。
如上所述，因为第一结合部121和第二结合部122的面积设置为小，所以可以增加透射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面设置具有良好反射特性和散热特性的散热构件133。因此，在发光器件120的向下方向发射的光在散热构件133处被反射，并且朝向发光器件封装100的向上方向有效地发射，并且因此可以提高光提取效率。
此外，根据实施例的发光器件封装200可以包括模制构件，如图13中所示。作为示例，根据实施例的模制构件可以包括树脂部分135和模制部140。
根据实施例的模制构件可以包括树脂部分135和模制部140中的至少一个。首先，在下述实施例中，基于其中模制构件包括树脂部分135和模制部140的情况进行描述。
然而，根据另一实施例，模制构件可以仅包括树脂部分135，或可以仅包括模制部140。
树脂部分135可以布置在第一框架111和发光器件120之间。树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以设置在封装主体110中提供的腔体C的下表面处。
作为示例，树脂部分135可以布置在发光器件120下面。树脂部分135可以被称为反射树脂部分。另外，树脂部分135可以被称为反射模制构件。
树脂部分135可以布置在第一结合部121的侧表面处。另外，树脂部分135可以布置在第二结合部122的侧表面处。树脂部分135可以布置在发光结构123的下面。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，树脂部分135可以是反射从发光器件120发射的光的反射器，例如，包括诸如TiO2的反射材料的树脂，或者可以包括白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面并且可以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改善发光器件120和第一框架111之间的粘附力。树脂部分135可以改善发光器件120和第二框架112之间的粘附力。
树脂部分135可以围绕第一结合部121和第二结合部122密封。树脂部分135可以防止第一导电层321和第二导电层322与第一结合部121下面的区域和第二结合部下面的区域分离，以及在发光器件120的方向中扩散和移动。
当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的外侧表面方向中扩散和移动时，第一导电层321和第二导电层322可以与发光器件120的有源层接触，从而导致由于短路引起的故障。因此，当布置树脂部分135时，能够防止由于第一导电层321和第二导电层322以及有源层引起的短路，从而提高根据实施例的发光器件封装的可靠性。
另外，当树脂部分135包括具有诸如白色硅酮的反射特性的材料时，树脂部分135可以将从发光器件120提供的光朝向封装主体110的向上方向反射，从而改善发光器件封装100的光提取效率。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括模制部140，如图13中所示。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装主体110提供的腔体C处。
模制部140可以包括绝缘材料。另外，模制部140可以包括波长转换部，该波长转换部被配置成入射从发光器件120发射的光并提供波长转换的光。作为示例，模制部140可以包括从由荧光体、量子点等组成的组中选择的至少一种。
模制部140可以布置在发光器件120的周边处。作为示例，模制部140可以被称为波长转换模制构件。
另外，根据实施例，模制部140可以布置在树脂部分135上。
根据实施例，如上所述，第一结合部121可以包括靠近第二结合部122的第一侧表面和面对第一侧表面的第二侧表面。第二结合部122可以包括靠近第一结合部121的第三侧表面和面向第三侧表面的第四侧表面。
作为示例，第一结合部121的第一侧表面和第二结合部122的第三侧表面可以布置为与散热构件133接触。另外，第一结合部121的第二侧表面和第二结合部122的第四侧表面可以布置为与诸如树脂部分135和模制部140的模制构件接触。
同时，如上所述，按照根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例，树脂部分135可以不单独地设置，并且模制部140可以布置为与第一框架和第二框架112直接接触。此外，模制部140没有被单独地设置，并且树脂部分135可以被设置在发光器件120的周边和上部处。
在根据实施例的发光器件封装中，电源可以通过第一导电层321连接到第一结合部121，并且电源可以通过第二导电层322连接到第二结合部122。
因此，发光器件120可以由通过第一结合部121和第二结合部122供应的驱动功率驱动。另外，从发光器件120发射的光可以设置在封装主体110的向上方向中。
同时，根据上述实施例的发光器件封装可以被供应并且被安装在子基板、电路板等等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，使得可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，按照根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，根据实施例的发光器件的第一结合部和第二结合部可以通过被布置在第一和第二框架处的第一和第二导电层提供驱动功率。另外，布置在第一和第二开口处的第一和第二导电层的熔点可以选择为具有比普通结合材料更高的值。
因此，因为即使当通过回流工艺将发光器件封装100结合到主衬底时，根据实施例的发光器件封装也不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
此外，按照根据实施例的发光器件封装100和发光器件封装的制造方法，封装主体110在发光器件封装的制造工艺中不需要暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料设置主体113。
例如，主体113可以包括选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚亚环己基二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中的至少一种材料。
然后，将参考图14描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在描述根据参考图14的实施例的发光器件封装中，可以省略与参考图1至图14描述的内容重叠的内容的描述。
根据实施例的发光器件封装可以包括封装主体110和发光器件120，如图14中所示。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。主体113可以执行作为一种电极分离线的功能。主体113也可以称为绝缘构件。
例如，第一框架111和第二框架112可以布置成在主体113处彼此隔开。例如，第一框架111和第二框架112可以布置为与其间插入的主体113彼此隔开。
主体113可以布置在第一框架111上。另外，主体113可以布置在第二框架112上。
主体113可以设置布置在第一框架111和第二框架112上的倾斜表面。腔体C可以通过主体113的倾斜表面设置在第一框架111和第二框架112上。
根据实施例，封装主体110可以以具有腔体C的结构设置，或者可以被设置有具有平坦上表面而没有腔体C的结构。
例如，主体113可以由选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三联苯(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅酮、环氧模制化合物(EMC)、硅酮模制化合物(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中的至少一种形成。另外，主体113可以包括高折射率填料，诸如TiO2和SiO2。
根据实施例，发光器件120可以包括第一结合部121、第二结合部122、发光结构123和衬底124。
发光器件120可以包括布置在衬底124下面的发光结构123，如图13中所示。第一结合部121和第二结合部122可以布置在发光结构123和主体113之间。
根据实施例的发光器件封装可以包括第一导体221和第二导体222。此外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导体221可以布置在第一结合部121下面。第一导体221可以电连接到第一结合部121。第一导体221可以被布置为在第一方向中与第一结合部121重叠。
第一导体221可以布置在第一框架111上。第一导体221可以布置在第一结合部121和第一导电层321之间。第一导体221可以电连接到第一结合部121和第一导电层321。
另外，第二导体222可以布置在第二结合部122下面。第二导体222可以电连接到第二结合部122。第二导体222可以布置为在第一方向中与第二结合部重叠122。
第二导体222可以布置在第二框架112上。第二导体222可以布置在第二结合部122和第二导电层322之间。第二导体222可以电连接到第二结合部122和第二导电层322。
第一导电层321和第二导电层322可以包括选自由Ag、Au和Pt等或其合金组成的组中的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以被用于第一导电层321和第二导电层322。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电浆料可以选自由焊膏、银膏等组成的组中的至少一种。
根据实施例，第一导电层321和第二导电层322可以被称为导电粘合剂。第一导电层321和第二导电层322可以将第一和第二结合部121和122固定到第一和第二框架111和112。此外，第一和第二导电层321和322可以将第一和第二结合部121和122电连接到第一和第二框架111和112。
此外，第一导体221和第二导体222可以包括选自由Ag、Au、Pt、Sn、Al等或其合金组成的组中的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以用于第一导体221和第二导体222。
根据实施例，第一导体221和第二导体222的下表面的面积可以设置为大于第一和第二结合部121和122的下表面的面积。因此，其中第一导电层321和第二导电层322与第一和第二导体221和222直接接触的面积可以设置为大于其中第一导电层321和第二导电层322与第一和第二结合部121和122直接接触的面积。因此，根据本实施例的发光器件封装，当第一和第二导体221和222被设置时，从第一和第二框架111和112供应到发光器件120的电力可以被更加稳定地提供。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括散热构件133。
散热构件133可以布置在封装主体110和发光器件120之间。散热构件133可以布置在封装主体110的上表面和发光器件120的下表面之间。散热构件133可以布置在主体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
散热构件133可以布置在第一框架111和第二框架112之间。另外，主体113的下表面和第一框架111和第二框架112的下表面可以布置在同一平面处。
散热构件133的上表面可以布置为与发光器件120接触并且在第一方向中延伸。第一方向可以被定义为从发光器件120的上表面朝向主体113的下表面的方向。
根据实施例，从发光器件120的上表面到第一框架111的下表面的第一距离可以被设置为等于或大于从发光器件120的上表面到散热构件133的下表面的第二距离。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括开口TH1，如图14中所示。
开口TH1可以设置在主体113处。开口TH1可以通过穿过主体113被设置。开口TH1可以通过在第一方向穿过主体113的上表面和下表面被设置。开口TH1可以布置在发光器件120下面。开口TH1可以设置为在第一方向中与发光器件120重叠。
作为示例，开口TH1可以被设置为由主体113围绕。当从发光器件120的向上方向观看时，开口TH1可以被设置为被主体113围绕。开口TH1可以被布置在主体113的中央区域处。
根据实施例，散热构件133可以布置在开口TH1处。散热构件133可以布置在发光器件120和主体113之间。散热构件133可以布置在第一结合部121和第二结合部122之间。作为示例，散热构件133可以被设置为被发光器件120下面的树脂部分135围绕。
散热构件133可以在发光器件120和封装主体110之间提供稳定的固定力。散热构件133可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，散热构件133可以布置为与主体113的上表面直接接触。另外，散热构件133可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
根据实施例，如上所述，从发光器件120的上表面到第一框架111的下表面的第一距离可以被设置为等于或大于从发光器件120的上表面到散热构件133的下表面的第二距离。
作为示例，散热构件133可以布置为在向上方向中与开口TH1的下表面隔开预定距离。开口TH1的上部区域可以填充有散热构件133，并且开口TH1的下部区域可以设置为其中未填充散热构件133的空的空间。
作为示例，散热构件133可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。此外，作为示例，当散热构件133包括反射功能时，散热构件133可以包括白色硅酮。另外，散热构件133可以包括具有良好的导热性的从由Al2O3、AlN等的组中选择的材料。
根据实施例，当散热构件133包括具有良好导热性的材料时，可以将发光器件120稳定地固定到封装主体110并有效地散发从发光器件产生的热量。因此，发光器件120可以稳定地固定到封装主体110，并且可以有效地散发热量，并且因此可以提高发光器件120的光提取效率。
此外，当散热构件133包括反射材料时，散热构件133可以在主体113和发光器件120之间提供稳定的固定力，并且散热构件133可以相对于被发射到发光器件120的下表面的光在发光器件120和主体113之间提供光扩散功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，散热构件133可以通过提供光扩散功能来提高发光器件封装的光提取效率。
根据实施例，散热构件133可以反射从发光器件120发射的光。当散热构件133包括反射功能时，散热构件133可以由包含TiO2、硅酮等等的材料形成。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为10％或更小。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光面积并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为0.7％或更大。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二结合部121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定结合力。
如上所述，因为第一结合部121和第二结合部122的面积设置为小，所以可以增加透射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面设置具有良好反射特性和散热特性的散热构件133。因此，在发光器件120的向下方向发射的光在散热构件133处被反射，并且朝向发光器件封装100的向上方向有效地发射，并且因此可以提高光提取效率。
另外，根据实施例的发光器件封装200可以包括模制构件，如图13中所示。作为示例，根据实施例的模制构件可以包括树脂部分135和模制部140。
根据实施例的模制构件可以包括树脂部分135和模制部140中的至少一个。首先，在下述实施例中，基于其中模制构件包括树脂部分135和模制部140的情况进行描述。
然而，根据另一实施例，模制构件可以仅包括树脂部分135，或可以仅包括模制部140。
树脂部分135可以布置在第一框架111和发光器件120之间。树脂部分135可以布置在第二框架112和发光器件120之间。树脂部分135可以设置在封装主体110中提供的腔体C的下表面处。
作为示例，树脂部分135可以布置在发光器件120下面。树脂部分135可以被称为反射树脂部分。另外，树脂部分135可以被称为反射模制构件。
树脂部分135可以布置在第一结合部121的侧表面处。另外，树脂部分135可以布置在第二结合部122的侧表面处。树脂部分135可以布置在发光结构123的下面。树脂部分135可以布置在发光器件120下面的散热构件133的周边。
作为示例，树脂部分135可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，树脂部分135可以是反射从发光器件120发射的光的反射器，例如，包括诸如TiO2的反射材料的树脂，或者可以包括白色硅酮。
树脂部分135可以布置在发光器件120下面并且可以执行密封功能。另外，树脂部分135可以改善发光器件120和第一框架111之间的粘附力。树脂部分135可以改善发光器件120和第二框架112之间的粘附力。
树脂部分135可以围绕第一结合部121和第二结合部122密封。树脂部分135可以防止第一导电层321和第二导电层322与第一结合部121下面的区域和第二结合部下面的区域分离，以及在发光器件120的方向中扩散和移动。
当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的外侧表面方向中扩散和移动时，第一导电层321和第二导电层322可以与发光器件120的有源层接触，从而导致由于短路引起的故障。因此，当布置树脂部分135时，能够防止由于第一导电层321和第二导电层322以及有源层引起的短路，从而提高根据实施例的发光器件封装的可靠性。
另外，当树脂部分135包括具有诸如白色硅酮的反射特性的材料时，树脂部分135可以将从发光器件120提供的光朝向封装主体110的向上方向反射，从而改善发光器件封装100的光提取效率。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括模制部140，如图14中所示。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装主体110提供的腔体C处。
模制部140可以包括绝缘材料。另外，模制部140可以包括波长转换部，该波长转换部被配置成入射从发光器件120发射的光并提供波长转换的光。作为示例，模制部140可以包括从由荧光体、量子点等组成的组中选择的至少一种。
模制部140可以布置在发光器件120的周边处。另外，根据实施例，模制部140可以布置在树脂部分135上。
在根据实施例的发光器件封装中，电源可以通过第一导电层321连接到第一结合部121，并且电源可以通过第二导电层322连接到第二结合部122。
因此，发光器件120可以由通过第一结合部121和第二结合部122供应的驱动功率驱动。另外，从发光器件120发射的光可以在封装主体110的向上方向中被提供。
同时，根据上述实施例的发光器件封装可以被供应并且被安装在子基板、电路板等等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，使得可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，按照根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，根据实施例的发光器件的第一结合部和第二结合部可以通过被布置在第一和第二框架处的第一和第二导电层提供驱动功率。另外，布置在第一和第二开口处的第一和第二导电层的熔点可以选择为具有比普通结合材料更高的值。
因此，因为即使当通过回流工艺将发光器件封装100结合到主衬底时，根据实施例的发光器件封装也不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
另外，按照根据实施例的发光器件封装100和发光器件封装的制造方法，封装主体110在发光器件封装的制造工艺中不需要暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料设置主体113。
例如，主体113可以包括选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚亚环己基二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中的至少一种材料。
接下来，将参考图15至图17描述根据本发明的实施例的发光器件封装。根据实施例的发光器件封装1100可以包括封装主体110和发光器件120，如图15至17中所示。
封装主体110可以包括主体113和反射器117。反射器117可以布置在主体113上。反射器117可以布置在主体113的上表面的周边。反射器117可以在主体113的上表面上提供腔体C。
换句话说，主体113可以被称为下主体，反射器117可以被称为上主体。另外，根据实施例，封装主体110可以不包括提供腔体的反射器117，而是可以仅包括提供平坦上表面的主体113。
反射器117可以在向上方向中反射从发光器件120发射的光。反射器117可以布置为相对于主体113的上表面倾斜。
封装主体110可以包括腔体C。腔体可以包括底表面和从底表面向封装主体110的上表面倾斜的侧表面。
根据实施例，封装主体110可以被设置为具有腔体C的结构，或者可以被设置为具有平坦上表面而没有腔体C的结构。
例如，封装主体110可以由选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三联苯(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅酮、环氧模制化合物(EMC)、硅酮模制化合物(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中的至少一种形成。另外，封装主体110可以包括高折射率填料，诸如TiO2和SiO2。
根据实施例，发光器件120可以包括第一结合部121、第二结合部122、发光结构123和衬底124。
发光器件120可以包括布置在衬底124下面的发光结构123。发光结构123可以包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层。第一结合部121可以电连接到第一导电类型半导体层。另外，第二结合部122可以电连接到第二导电类型半导体层。
发光器件120可以布置在封装主体110上。发光器件120可以布置在主体113上。发光器件120可以布置在由反射器117提供的腔体C中。
第一结合部121可以布置在发光器件120的下表面上。第二结合部122可以布置在发光器件120的下表面上。第一结合部121和第二结合部122可以布置为在发光器件120的下表面上彼此隔开。
第一结合部121可以布置在发光结构123和主体113之间。第二结合部122可以布置在发光结构123和主体113之间。
第一结合部121和第二结合部122可以通过使用选自由Ti、Al、Sn、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO和Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO或其合金组成的组中的至少一种材料形成为单层或多层。
同时，根据实施例的发光器件封装1100可以包括第一开口TH1和第二开口TH2，如图15至图17中所示。
封装主体110可以包括从腔体C的底表面穿过封装主体110的下表面的第一开口TH1。封装主体110可以包括从腔体C的底表面穿过封装主体110的下表面的第二开口TH2。
第一开口TH1可以设置在主体113处。第一开口TH1可以通过穿过主体113被设置。第一开口TH1可以通过在第一方向中穿过主体113的上表面和下表面被设置。
第一开口TH1可以布置在发光器件120的第一结合部121下面。第一开口TH1可以设置为与发光器件120的第一结合部121重叠。第一开口TH1可以设置为从主体113的上表面朝向其下表面在第一方向中与发光器件120的第一结合部121重叠。
第二开口TH2可以设置在主体113处。第二开口TH2可以通过穿过主体113被设置。第二开口TH2可以通过在第一方向中穿过主体113的上表面和下表面被设置。
第二开口TH2可以布置在发光器件120的第二结合部122下面。第二开口TH2可以设置为与发光器件120的第二结合部122重叠。第二开口TH2可以设置为从主体113的上表面朝向其下表面在第一方向中与发光器件120的第二结合部122重叠。
第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为彼此隔开。第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为在发光器件120的下表面下面彼此隔开。
根据实施例，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以设置为小于或等于第一结合部121的宽度。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以被设置为小于或者等于第二结合部122的宽度。
此外，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以设置为小于或等于第一开口TH1的下部区域的宽度W2。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置为小于或等于第二开口TH2的下部区域的宽度。
第一开口TH1可以以倾斜的形状设置，其中宽度从下部区域朝向上部区域逐渐减小。第二开口TH2可以以倾斜的形状设置，其中宽度从下部区域朝向上部区域逐渐减小。
然而，本发明不限于此，并且第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域和下部区域之间的倾斜表面可以具有多个具有不同斜率的倾斜表面，并且倾斜表面可以被布置为具有曲率。
主体113的下表面区域中的第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度可以设置为几百微米。主体113的下表面区域中的第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度可以设置为例如100至150微米。
可以选择在主体113的下表面区域中的第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度以设置为超过预定距离，以便于防止当根据实施例的发光器件封装1100随后安装在电路板、子基板等上时发生结合部之间的短路。
根据实施例的发光器件封装1100可以包括凹部R，如图15至图17中所示。凹部R可以设置成从腔体C的底表面凹入封装主体110的下表面。
凹部R可以设置在主体113处。凹部R可以设置在第一开口TH1和反射器117之间。另外，凹部R可以设置在第二开口TH2和反射器117之间。凹部R可以设置成从主体113的上表面朝向其下表面凹入。凹部R可以布置在发光器件120下面。作为示例，凹部R可以以闭环形状设置在发光器件120下面。
当从发光器件120的向上方向观看时，凹部R可以布置在第一结合部121和反射器117之间以与第一开口TH1相邻。另外，当从发光器件120的向上方向观看时，凹部R可以被布置在第二结合部122和反射器117之间以与第二开口TH2相邻。
凹部R可以以闭环形状设置在第一开口TH1和第二开口TH2的周边。
当从发光器件120的向上方向观看时，发光器件120的尺寸可以被设置为大于由凹部R设置的闭环区域。
当从发光器件120的向上方向观看时，由凹部R形成的闭环可以设置在连接发光器件120的四个侧表面的轮廓中。
根据实施例的发光器件封装1100可以包括粘合剂130，如图15中所示。
粘合剂130可以布置在凹部R处。粘合剂130可以布置在发光器件120和主体113之间。粘合剂130可以布置在第一结合部121和反射器117之间。粘合剂130可以被布置在第二结合部122和反射器117之间。例如，可以将粘合剂130布置为与第一结合部121的侧表面和第二结合部122的侧表面接触。
粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，粘合剂130可以设置成与主体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
作为示例，粘合剂130可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，粘合剂130可以反射从发光器件120发射的光。当粘合剂130包括反射功能时，粘合剂130可以包括白色硅酮。当粘合剂130包括反射功能时，粘合剂130可以由包括例如TiO2、硅酮等的材料形成。
根据实施例，凹部R的深度可以设置为小于第一开口TH1的深度或第二开口TH2的深度。
可以考虑粘合剂130的粘附力来确定凹部R的深度。此外，凹部R的深度可以通过考虑主体113的稳定强度以及/或者没有由于从发光器件120散发的热量而在发光器件封装1100中出现裂缝来被确定。
凹部R可以提供适当的空间，在该空间中可以在发光器件120的下部处执行一种下填充工艺。凹部R可以设置在第一深度或更大的深度上，使得粘合剂130可以充分地设置在发光器件120的下表面和主体113的上表面之间。另外，凹部R可以设置在第二深度或更小，以提供主体113的稳定强度。
凹部R的深度和宽度W3可能影响粘合剂130的形成位置和固定力。凹部R的深度和宽度W3可以被确定为使得通过被布置在主体113和发光器件120之间的粘合剂130可以充分地提供固定力。
作为示例，凹部R的深度可以设置为几十微米。凹部R的深度可以设置为40至60微米。
另外，凹部R的宽度W3可以设置为几百微米。凹部R的宽度W3可以设置为140至160微米。作为示例，凹部R的宽度W3可以设置为150微米。
发光器件120的第一和第二结合部121和122可以通过设置在凹部R处的粘合剂130从外部密封。粘合剂130可以以闭环形状被设置在发光器件120的下面。
粘合剂130可以沿着凹部R的形状以闭环形状设置，如图16和17中所示。凹部R可以设置为具有矩形形状的闭环或具有圆形或椭圆形形状的闭环。
可以设置第一开口TH1的深度以对应于主体113的厚度。第一开口TH1的深度可以设置为能够保持主体113的稳定强度的厚度。
作为示例，第一开口TH1的深度可以设置为几百微米。第一开口TH1的深度可以设置为180至220微米。作为示例，第一开口TH1的深度可以设置为200微米。
作为示例，通过从第一开口TH1的深度减去凹部R的深度而获得的厚度可以选择为至少100微米或更大。这是考虑到能够提供主体113的无裂缝的注入工艺的厚度。
根据实施例，第一开口TH1的深度可以设置为凹部R的深度的两倍至十倍。作为示例，当第一开口TH1的深度设置为200微米时，凹部R的深度可以设置为20至100微米。
另外，根据实施例的发光器件封装1100可以包括模制部140，如图15中所示。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在主体113上。模制部140可以布置在由反射器117提供的腔体C处。
模制部140可以包括绝缘材料。另外，模制部140可以包括波长转换部，该波长转换部被配置成是从发光器件120发射的入射光并且被配置成提供波长转换的光。作为示例，模制部140可以包括荧光体、量子点等。
另外，根据实施例，发光结构123可以被设置为化合物半导体。作为示例，发光结构123可以被设置为II-VI族或III-V族化合物半导体。例如，发光结构123可以设置有选自铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、磷(P)、砷(As)和氮(N)中的至少两种或更多种元素。
发光结构123可以包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。
另外，如图15中所示，根据实施例的发光器件封装1100可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导电层321可以设置在第一开口TH1处。第一导电层321可以布置在第一结合部121下面。第一导电层321的宽度可以设置为小于第一结合部121的宽度。
第一结合部121可以具有垂直于形成第一开口TH1的第一方向的第二方向的宽度。第一结合部121的宽度可以设置为大于第一开口TH1的第二方向的宽度。
第一导电层321可以布置为与第一结合部121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一结合部121。第一导电层321可以被布置为被主体113围绕。
第二导电层322可以设置在第二开口TH2处。第二导电层322可以布置在第二结合部122下面。第二导电层322的宽度可以设置为小于第二结合部122的宽度。
第二结合部122可以具有垂直于形成第二开口TH2的第一方向的第二方向的宽度。第二结合部122的宽度可以设置为大于第二开口TH2的第二方向的宽度。
第二导电层322可以布置为与第二结合部122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二结合部122。第二导电层322可以被布置为被主体113围绕。
第一导电层321和第二导电层322可以包括选自由Ag、Au和Pt、Sn、Cu等或其合金组成的组中的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以被用于第一导电层321和第二导电层322。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由由不同材料组成的多层或者由其合金组成的多层或者单层组成。作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以包括SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
根据实施例，第一导电层321可以电连接到第一结合部121，并且第二导电层322可以电连接到第二结合部122。作为示例，外部电力可以被供应到第一导电层321和第二导电层322，并且因此，发光器件120可以被驱动。
同时，根据实施例的发光器件封装1100，设置在凹部R处的粘合剂130可以设置在发光器件120的下表面和封装主体110的上表面之间，如图15至图17中所示。当从发光器件120的向上方向观看时，粘合剂130可以以闭环形状设置在第一和第二结合部121和122的周边。此外，当从发光器件120的向上方向观看时，粘合剂130可以以闭环形状被设置在第一和第二开口TH1和TH2的周边处。
粘合剂130可以执行将发光器件120稳定地固定在封装主体110中的功能。此外，粘合剂130可以被布置在与第一和第二结合部121和122的侧表面接触的第一和第二结合部121和122的周边处。粘合剂130可以被布置使得当从发光器件120的向上方向观看时第一和第二开口TH1和TH2与其中模制部140被设置的外部区域隔离。
粘合剂130可以防止设置在第一开口TH1和第二开口TH2处的第一导电层321和第二导电层322与凹部R的闭环分离以及在发光器件120的向外方向中流动。
当从发光器件120的向上方向观看时，在第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的向外方向中移动的情况下，沿着发光器件120的侧表面可以扩散第一和第二导电层321和322。如上所述，当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的侧表面中移动时，发光器件120的第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层可能被电短路。另外，如上所述，当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的侧表面中移动时，发光器件120的光提取效率可能降低。
然而，根据实施例，因为基于其中通过粘合剂130设置凹部R的区域，内部和外部彼此隔离，所以能够防止第一和第二导电层321和322与其中凹部R被设置的区域分离以及在向外方向中移动。
因此，根据实施例的发光器件封装1100，可以防止第一导电层321和第二导电层322移动到发光器件120的侧表面，并且防止发光器件120被电短路，从而提高光提取效率。
根据本发明的实施例，设置在凹部R处的粘合剂130可以沿着发光器件120的下表面移动到位于发光器件120下面的第一区域A1，并且可以被布置为与第一和第二结合部121和122的四个侧表面接触。因此，第一和第二结合部121和122可以被布置为被粘合剂130围绕，并且第一和第二开口TH1和TH2可以通过粘合剂130被密封。
如上所述，因为第一和第二开口TH1和TH2可以通过粘合剂130密封，所以可以防止设置在第一开口TH1和第二开口TH2处的第一导电层321和第二导电层322在主体113的上表面上移动。
同时，当未充分设置粘合剂130的量时，位于发光器件120下面的第一区域A1可能为未填充粘合剂130，并且其部分区域可以设置为空的空间。因此，第一导电层321和第二导电层322可以通过粘合剂130的空隙扩散并移动到第一区域A1的空的空间。
然而，在选择根据实施例的主体113的物理特性以及第一导电层321和第二导电层322的物理特性中，通过选择彼此具有差的粘附性的属性可以限制导电层321和322从主体113的上表面扩散的距离。因此，因为可以控制第一导电层321和第二导电层322在主体113的上表面处移动的距离，所以可以防止第一区域A1中的第一导电层321和第二导电层322电短路。
然后，将参考图18至图21描述根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法。
在参考图18至图21描述根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法中，可以省略与参考图1至图17描述的内容重叠的内容的描述。
首先，按照根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法，如图18中所示，可以设置封装主体110。
封装主体110可以包括主体113和反射器117。封装主体110可以包括第一开口TH1和第二开口TH2。此外，封装主体110可以包括凹部R。
第一开口TH1可以设置在主体113处。第一开口TH1可以通过穿过主体113被设置。第一开口TH1可以通过在第一方向中穿过主体113的上表面和下表面被设置。
第二开口TH2可以设置在主体113处。第二开口TH2可以通过穿过主体113被设置。第二开口TH2可以通过在第一方向中穿过主体113的上表面和下表面被设置。
第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为彼此隔开。
凹部R可以设置在主体113处。凹部R可以设置在第一开口TH1和反射器117之间。另外，凹部R可以设置在第二开口TH2和反射器117之间。凹部R可以设置成从主体113的上表面朝向其下表面凹入。凹部R可以布置在发光器件120下面。作为示例，凹部R可以以闭环形状设置在发光器件120下面。
凹部R可以布置在第一结合部121和反射器117之间。凹部R可以布置在第二结合部122和反射器117之间。
接下来，在根据实施例的制造发光器件封装的方法中，可以在凹部R处设置粘合剂130，如图19中所示。
粘合剂130可以通过点标方法等设置在凹陷区域处。例如，粘合剂130可以以预定量设置到形成凹部R的区域，并且可以设置为溢出凹部R。
另外，按照根据实施例的制造发光器件封装的方法，发光器件120可以设置在主体113上，如图20中所示。
根据实施例，在将发光器件120布置在主体113上的工艺中，凹部R也可以用作一种对准键。
发光器件120可以通过粘合剂130固定在主体113处。设置在凹部R处的粘合剂130的一部分可以在第一结合部121和第二结合部122的方向中移动并且可以被固化。因此，粘合剂130可以设置在发光器件120的下表面和主体113的上表面之间的宽区域处，并且可以改善发光器件120和主体113之间的固定力。
根据实施例，第一开口TH1可以布置在发光器件120的第一结合部121下面。第一开口TH1可以设置为与发光器件120的第一结合部121重叠。第一开口TH1可以设置为从主体113的上表面朝向其下表面在第一方向中与发光器件120的第一结合层121重叠。
第二开口TH2可以布置在发光器件120的第二结合部122下面。第二开口TH2可以设置为与发光器件120的第二结合部122重叠。第二开口TH2可以设置为从主体113的上表面朝向其下表面在第一方向中与发光器件120的第二结合部122重叠。
粘合剂130可以执行将发光器件120稳定地固定在封装主体110中的功能。此外，粘合剂130可以布置在与第一和第二结合部121和122的侧表面接触的第一和第二结合部121和122的周边处。当从发光器件120的向上方向观看时粘合剂130可以被布置使得第一和第二开口TH1和TH2与其中设置模制部140的外部区域隔离。
接下来，按照根据实施例的制造发光器件封装的方法，如图21中所示，可以在发光器件120上设置模制部140，并且可以在第一和第二开口TH1和TH2处设置第一和第二导电层321和322。
第一导电层321可以设置在第一开口TH1处。第一导电层321可以布置在第一结合部121下面。第一导电层321的宽度可以设置为小于第一结合部121的宽度。
第一结合部121可以具有垂直于形成第一开口TH1的第一方向的第二方向的宽度。第一结合部121的宽度可以设置为大于第一开口TH1的第二方向的宽度。
第一导电层321可以布置为与第一结合部121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一结合部121。第一导电层321可以被布置为被主体113围绕。
第二导电层322可以设置在第二开口TH2处。第二导电层322可以布置在第二结合部122下面。第二导电层322的宽度可以设置为小于第二结合部122的宽度。
第二结合部122可以具有垂直于形成第二开口TH2的第一方向的第二方向的宽度。第二结合部122的宽度可以设置为大于第二开口TH2的第二方向的宽度。
第二导电层322可以布置为与第二结合部122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二结合部122。第二导电层322可以被布置为被主体113围绕。
第一导电层321和第二导电层322可以包括选自由Ag、Au和Pt、Sn和Cu等或其合金组成的组中的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以被用于第一导电层321和第二导电层322。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由由不同材料组成的多层或者由其合金组成的多层或者单层组成。作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以包括SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
粘合剂130可以防止设置在第一开口TH1和第二开口TH2处的第一导电层321和第二导电层322与凹部R的闭环分离以及在发光器件120的向外方向中流动。
当从发光器件120的向上方向观看时，在第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的向外方向中移动的情况下，沿着发光器件120的侧表面可以扩散第一和第二导电层321和322。如上所述，当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的侧表面中移动时，发光器件120的第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层可能被电短路。另外，如上所述，当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的侧表面中移动时，发光器件120的光提取效率可能降低。
然而，根据实施例，因为内部和外部可以基于通过粘合剂130设置凹部R的区域而彼此隔离，所以能够防止第一和第二导电层321和322与其中凹部R被设置的区域分离以及在向外方向中移动。
因此，根据实施例的发光器件封装1100，可以防止第一导电层321和第二导电层322移动到发光器件120的侧表面，并且防止发光器件120被电短路，从而提高光提取效率。
另外，根据本发明的实施例，设置在凹部R处的粘合剂130可以沿着发光器件120的下表面移动到位于发光器件120下面的第一区域A1，并且可以被布置为与第一和第二结合部121和122的四个侧表面接触。因此，第一和第二结合部121和122可以被布置以被粘合剂130围绕，并且第一和第二开口TH1和TH2可以通过粘合剂130密封。
如上所述，因为第一和第二开口TH1和TH2可以通过粘合剂130密封，所以可以防止设置在第一开口TH1和第二开口TH2处的第一导电层321和第二导电层322在主体113的上表面上移动。
同时，当没有充分设置粘合剂130的量时，位于发光器件120下面的第一区域A1可能未填充粘合剂130，并且其部分区域可以设置为空的空间。因此，第一导电层321和第二导电层322可以通过粘合剂130的空隙扩散并移动到第一区域A1的空的空间。
然而，在选择根据实施例的主体113的物理特性以及第一导电层321和第二导电层322的物理特性中，第一导电层321和第二导电层322从主体113的上表面扩散的距离可以通过选择彼此具有差粘附性的属性被限制。因此，因为可以控制第一导电层321和第二导电层322在主体113的上表面处移动的距离，所以可以防止第一区域A1中的第一导电层321和第二导电层322电短路。
同时，根据实施例，可以在形成模制部140之后形成第一导电层321和第二导电层322。另外，可以在形成第一导电层321和第二导电层322之后形成模制部140。
在根据实施例的发光器件封装1100中，在形成封装主体110中没有使用传统的引线框架。
在应用传统引线框架的发光器件封装的情况下，尽管另外需要形成引线框架的工艺，但是按照根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法，不需要形成引线框架的工艺。因此，按照根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法，不仅可以缩短工艺时间而且可以减少材料。
此外，在应用传统引线框架的发光器件封装的情况下，尽管应添加镀银工艺以防止引线框架的劣化，但是根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法，因为不需要引线框架，所以可以不需要诸如镀银的附加工艺。如上所述，按照根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法，可以降低制造成本并且可以提高制造产量。
在根据实施例的发光器件封装1100中，电源可以通过设置在第一开口TH1处的第一导电层321连接到第一结合部121，并且电源可以通过被设置在第二开口TH2处的第二导电层322被连接到第二结合部122。
因此，发光器件120可以由通过第一结合部121和第二结合部122供应的驱动功率驱动。另外，从发光器件120发射的光可以设置在封装主体110的向上方向中。
同时，根据上述实施例的发光器件封装可以被供应并且被安装在子基板、电路板等等上。
接下来，将参考图22描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
图22中所示的根据本发明的实施例的发光器件封装是参考图15至21中描述的发光器件封装1100被安装在电路板310上并且被供应的示例。例如，安装在电路板310上的发光器件封装1100可以在照明装置中被使用。
在参考图22描述根据本发明的实施例的发光器件封装的制造方法中，可以省略与参考图1至图22描述的内容重叠的内容的描述。
根据实施例的发光器件封装可以包括电路板310、封装主体110和发光器件120，如图22中所示。
电路板310可以包括第一焊盘311、第二焊盘312和支撑基板313。支撑基板313可以设置有电源电路，该电源电路被配置成控制发光器件120的驱动。
封装主体110可以布置在电路板310上。第一焊盘311和第一焊盘电极121可以彼此电连接。第二焊盘312和第二焊盘电极122可以彼此电连接。
第一焊盘311和第二焊盘312可以包括导电材料。例如，第一焊盘311和第二焊盘312可以包括从由Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P、Fe、Sn、Zn和Al或其合金组成的组中选择的一种材料。第一焊盘311和第二焊盘312可以设置为单层或多层。
封装主体110可以包括主体113和反射器117。
封装主体110可以包括第一开口TH1和第二开口TH2，第一开口TH1和第二开口TH2在第一方向中从上表面穿过到下表面。第一开口TH1和第二开口TH2可以通过从主体113的上表面在第一方向中穿过其下表面被设置。
发光器件120可以包括第一结合部121、第二结合部122和发光结构123。
发光器件120可以布置在封装主体110上。发光器件120可以布置在主体113上。发光器件120可以布置在由反射器117提供的腔体C中。
第一结合部121可以布置在发光器件120的下表面上。第二结合部122可以布置在发光器件120的下表面上。第一结合部121和第二结合部122可以布置为在发光器件120的下表面下面彼此隔开。
第一结合部121可以布置在发光结构123和主体113之间。第二结合部122可以布置在发光结构123和主体113之间。
第一开口TH1可以布置在发光器件120的第一结合部121下面。第一开口TH1可以设置为与发光器件120的第一结合部121重叠。第一开口TH1可以设置为从主体113的上表面朝向其下表面在第一方向中与发光器件120的第一结合部121重叠。
第一开口TH1可以设置为与第一焊盘311重叠。第一结合部121和第一焊盘311可以设置为在垂直方向中彼此重叠。
第二开口TH2可以布置在发光器件120的第二结合部122下面。第二开口TH2可以设置为与发光器件120的第二结合部122重叠。第二开口TH2可以设置为从主体113的上表面朝向其下表面在第一方向中与发光器件120的第二结合部122重叠。
第二开口TH2可以设置为与第二焊盘312重叠。第二结合部122和第二焊盘312可以设置为在垂直方向中彼此重叠。
第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为彼此隔开。第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为在发光器件120的下表面下面彼此隔开。
根据实施例的发光器件封装可以包括第一导电层321和第二导电层322，如图22中所示。
第一导电层321可以设置在第一开口TH1处。第一导电层321可以设置为在第一结合部121的下表面处直接接触。第一导电层321可以设置为在垂直方向中与第一结合部121重叠。
第一导电层321的上表面可以布置在与主体113的上表面相同的平面上。第一导电层321的下表面可以设置在与主体113的下表面相同的平面处。
第二导电层322可以设置在第二开口TH2处。第二导电层322可以布置为在第二结合部122的下表面处直接接触。第二导电层322可以设置为在垂直方向中与第二结合部122重叠。
第二导电层322的上表面可以布置在与主体113的上表面相同的平面上。第二导电层322的下表面可以设置在与主体113的下表面相同的平面处。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以包括从由Ag、Au、Pt、Sn和Cu等或其合金组成的组中选择的至少一种材料。
根据实施例的发光器件封装，如图22中所示，可以包括第一结合层421和第二结合层422。
在封装主体110安装在电路板310上的工艺中，第一结合层421可以电连接到第一结合部121。在其中封装主体110被安装在电路板310处的工艺中第二结合层422可以被电连接到第二结合部122。
第一结合层421和第二结合层422可以由选自由Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag和P以及其选择性合金组成的组中的至少一种金属形成。
根据实施例，电路板310的第一焊盘311和第一导电层321可以通过第一结合层421彼此电连接。另外，电路板310的第二焊盘312和第二导电层322可以通过第二结合层422彼此电连接。
同时，根据实施例，第一导电层321和第二导电层322可以通过共晶结合被安装在电路板310上。此外，根据实施例，可以不设置第一结合层421和第二结合层422，并且第一导电层321和第二导电层322可以分别电连接到第一焊盘311和第二焊盘312。
根据实施例的发光器件封装可以包括凹部R，如图22中所示。
凹部R可以设置在主体113处。凹部R可以设置在第一开口TH1和反射器117之间。另外，凹部R可以设置在第二开口TH2和反射器117之间。凹部R可以设置成从主体113的上表面朝向其下表面凹入。凹部R可以布置在发光器件120下面。作为示例，凹部R可以以闭环形状设置在发光器件120下面。
凹部R可以布置在第一结合部121和反射器117之间。凹部R可以布置在第二结合部122和反射器117之间。
根据实施例的发光器件封装可以包括粘合剂130，如图22中所示。
粘合剂130可以布置在凹部R处。粘合剂130可以布置在发光器件120和主体113之间。粘合剂130可以布置在第一结合部121和反射器117之间。粘合剂130可以被布置在第二结合部122和反射器117之间。例如，可以将粘合剂130布置为与第一结合部121的侧表面和第二结合部122的侧表面接触。
粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，粘合剂130可以布置成与主体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
作为示例，粘合剂130可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，粘合剂130可以反射从发光器件120发射的光。当粘合剂130包括反射功能时，粘合剂130可以包括白色硅酮。当粘合剂130包括反射功能时，粘合剂130可以由包括例如TiO2、硅酮等的材料形成。
根据实施例，凹部R的深度可以设置为小于第一开口TH1的深度或第二开口TH2的深度。
可以考虑粘合剂130的粘附力来确定凹部R的深度。此外，凹部R的深度可以通过考虑主体113的稳定强度以及/或者没有由于从发光器件120散发的热量而在发光器件封装1100中出现裂缝来被确定。
凹部R可以提供适当的空间，在该空间中可以在发光器件120的下部处执行一种下填充工艺。凹部R可以设置在第一深度或更大的深度上以使得粘合剂130可以充分地设置在发光器件120的下表面和主体113的上表面之间。另外，凹部R可以设置在第二深度或更小，以提供主体113的稳定强度。
凹部R的深度和宽度W3可能影响粘合剂130的形成位置和固定力。凹部R的深度和宽度W3可以被确定为使得通过被布置在主体113和发光器件120之间的粘合剂130可以充分地提供固定力。
作为示例，凹部R的深度可以设置为几十微米。凹部R的深度可以设置为40至60微米。
另外，凹部R的宽度W3可以设置为几百微米。凹部R的宽度W3可以设置为140至160微米。作为示例，凹部R的宽度W3可以设置为150微米。
发光器件120的第一和第二结合部121和122可以通过设置在凹部R处的粘合剂130从外部密封。粘合剂130可以以闭环形状被设置在发光器件120的下面。粘合剂130可以沿凹部R的形状设置成闭环形状，如图16和17中所示。凹部R可以设置为具有矩形形状的闭环或具有圆形或椭圆形形状的闭环。
可以设置第一开口TH1的深度以对应于主体113的厚度。第一开口TH1的深度可以设置为能够保持主体113的稳定强度的厚度。
作为示例，第一开口TH1的深度可以设置为几百微米。第一开口TH1的深度可以设置为180至220微米。作为示例，第一开口TH1的深度可以设置为200微米。
作为示例，通过从第一开口TH1的深度减去凹部R的深度而获得的厚度可以选择为至少100微米或更大。这是考虑到能够提供主体113的无裂缝的注入工艺的厚度。
根据实施例，第一开口TH1的深度可以设置为凹部R的深度的二至十倍。作为示例，当第一开口TH1的深度设置为200微米时，凹部R的深度可以设置为20至100微米。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括模制部140，如图22中所示。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在主体113上。模制部140可以布置在由反射器117提供的腔体C处。
在根据实施例的发光器件封装中，在形成封装主体110中没有使用传统的引线框架，如上面参考图22所述。
在应用传统引线框架的发光器件封装的情况下，尽管另外需要形成引线框架的工艺，但是按照根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法，不需要形成引线框架的工艺。因此，按照根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法，不仅可以缩短工艺时间而且可以减少材料。
此外，在应用传统引线框架的发光器件封装的情况下，尽管应添加镀银工艺以防止引线框架的劣化，按照根据本发明的实施例的发光器件封装，因为不需要引线框架，所以可以省略诸如镀银的附加工艺。因此，发光器件封装的实施例可以解决诸如镀银的材料变色的问题，并且可以通过省略该工艺来降低制造成本。因此，按照根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法，可以降低制造成本，并且可以提高产品的制造产量和可靠性。
同时，根据实施例的发光器件封装1100，设置在凹部R处的粘合剂130可以设置在发光器件120的下表面和封装主体110的上表面之间。当从发光器件120的向上方向观看时，粘合剂130可以以闭环形状设置在第一和第二结合部121和122的周边。此外，当从发光器件120的向上方向观看时，粘合剂130可以以闭环形状设置在第一开口TH1和第二开口TH2的周边处。
粘合剂130可以执行将发光器件120稳定地固定在封装主体110中的功能。此外，粘合剂130可以被布置在与第一和第二结合部121和122的侧表面接触的第一和第二结合部121和122的周边处。粘合剂130可以被布置使得当从发光器件120的向上方向观看时第一和第二开口TH1和TH2与其中模制部140被设置的外部区域隔离。
粘合剂130可以防止设置在第一开口TH1和第二开口TH2处的第一导电层321和第二导电层322与凹部R的闭环分离以及在发光器件120的向外方向中流动。
当从发光器件120的向上方向观看时，在第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的向外方向中移动的情况下，沿着发光器件120的侧表面可以扩散第一和第二导电层321和322。如上所述，当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的侧表面中移动时，发光器件120的第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层可能被电短路。另外，如上所述，当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的侧表面中移动时，发光器件120的光提取效率可能降低。
然而，根据实施例，因为基于其中通过粘合剂130设置凹部R的区域，内部和外部彼此隔离，所以能够防止第一和第二导电层321和322与其中凹部R被设置的区域分离以及在向外方向中移动。
因此，根据实施例的发光器件封装1100，可以防止第一导电层321和第二导电层322移动到发光器件120的侧表面，并且防止发光器件120被电短路，从而提高光提取效率。
根据本发明的实施例，设置在凹部R处的粘合剂130可以沿着发光器件120的下表面移动到位于发光器件120下面的第一区域A1，并且可以被布置为与第一和第二结合部121和122的四个侧表面接触。因此，第一和第二结合部121和122可以被布置为被粘合剂130围绕，并且第一和第二开口TH1和TH2可以通过粘合剂130被密封。
如上所述，因为第一和第二开口TH1和TH2可以通过粘合剂130密封，所以可以防止设置在第一开口TH1和第二开口TH2处的第一导电层321和第二导电层322在主体113的上表面上移动。
同时，当没有充分设置粘合剂130的量时，位于发光器件120下面的第一区域A1可能未填充粘合剂130，并且其部分区域可以设置为空的空间。因此，第一导电层321和第二导电层322可以通过粘合剂130的空隙扩散并移动到第一区域A1的空的空间。
然而，在选择根据实施例的主体113的物理特性以及第一导电层321和第二导电层322的物理特性中，导电层321和322从主体113的上表面扩散的距离通过选择彼此具有差的粘附性的属性被限制。因此，因为可以控制第一导电层321和第二导电层322在主体113的上表面处移动的距离，所以可以防止第一区域A1中的第一导电层321和第二导电层322电短路。
同时，图23是图示根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。如图23中所示，与参考图15至图22描述的发光器件封装相比，根据实施例的发光器件封装还可以包括金属层430。
金属层430可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2处。金属层430可以被设置在设置第一开口TH1的封装主体110的侧壁和设置第二开口TH2的封装主体110的侧壁处。
金属层430可以布置在设置第一开口TH1的封装主体110和第一导电层321之间。另外，金属层430可以被布置设置第二开口TH2的封装主体110和第二导电层322之间。
此外，根据实施例，金属层430也可以设置在封装主体110的与第一开口TH1和第二开口TH2相邻的下表面处。
金属层430可以由对封装主体110具有良好粘附性的材料形成。另外，金属层430可以由对第一和第二导电层321和322具有良好粘附性的材料形成。
因此，第一导电层321和第二导电层322可以稳定地设置在第一开口TH1和第二开口TH2中。根据实施例，即使当第一导电层321和第二导电层322与封装主体110之间的粘附力不足时，第一导电层321和第二导电层322也可以通过金属层430稳定地设置在第一开口TH1和第二开口TH2中。
同时，在根据上述实施例的发光器件封装的情况下，基于在每个结合部下面设置一个开口的情况来解释发光器件封装。
然而，根据另一实施例的发光器件封装，可以在每个开口下面设置多个开口。此外，多个开口可以设置为具有不同宽度的开口。
另外，根据实施例的开口的形状可以以各种形状设置。
例如，根据实施例的开口可以从其上部区域到下部区域设置有相同的宽度。
另外，根据实施例的开口可以以多阶梯式结构的形状提供。作为示例，开口可以设置成具有两个阶梯式结构的不同倾斜角的形状。此外，开口可以设置成具有三个或更多个阶梯式结构的不同倾斜角的形状。
此外，开口可以以宽度从上部区域朝向下部区域变化的形状设置。作为示例，开口可以设置成具有从上部区域朝向下部区域的曲率的形状。
另外，根据实施例的发光器件封装，封装主体110仅包括主体113，并且可以被设置使得不包括被布置在主体113上的反射器117。
接下来，将参考图24和图25描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在参考图24和图25描述根据本发明的实施例的发光器件封装中，可以省略与参考图1至图23描述的内容重叠的描述。
根据实施例的半导体器件封装，如图24和图25中所示，与参考图15至图23描述的半导体器件封装相比，可以进一步包括上凹部R10。
上凹部R10可以设置在主体113的上表面处。上凹部R10可以设置在位于发光器件120的下表面下面的第一区域A1处。可以设置上凹部R10以从主体113的上表面朝向其下表面在第一方向中凹入。
凹部R10可以布置在发光器件120下面，并且可以设置在第一结合部121和第二结合部122之间。上凹部R10可以设置为在发光器件120的副轴方向中在发光器件120下面延伸。
如参考图15至图23所述，当设置到凹部R的粘合剂130的量不足时，位于发光器件120下面的第一区域A1可能未填充粘合剂130，并且其部分区域可以设置为空的空间。因此，第一导电层321和第二导电层322可以通过粘合剂130的空隙扩散并移动到第一区域A1的空的空间。
然而，在选择根据实施例的主体113的物理特性以及第一导电层321和第二导电层322的物理特性中，导电层321和322从主体113的上表面扩散的距离通过选择彼此具有差的粘附性的属性被限制。因此，因为可以控制第一导电层321和第二导电层322在主体113的上表面处移动的距离，所以可以防止第一区域A1中的第一导电层321和第二导电层322电短路。
此外，当根据实施例的发光器件封装包括上凹部R10时，上凹部R10可以提供进一步限制在第一区域A1中第一和第二导电层321和322的扩散和移动的功能。
当设置上凹部R10时，即使当第一导电层321和第二导电层322的一部分扩散到主体113的上部时，在上凹部R10中也产生一种陷阱效应，限制第一导电层321和第二导电层322的形状。发生下述现象：通过第一开口TH1扩散的第一导电层321可能不从上凹部R10的凹陷区域的边界表面在上凹部R10的向下方向移动。另外，发生下述现象：通过第二开口TH2扩散的第二导电层322可能不从上凹部R10的凹陷区域的边界表面在上凹部R10的向下方向移动。这被解释为由于表面张力等的影响，第一导电层321和第二导电层322的流动被限制在上凹部R10的凹陷区域的边界表面处。
因此，因为可以稳定且可靠地控制第一导电层321和第二导电层322在主体113的上表面处移动的距离，所以可以防止第一导电层321和第二导电层322在第一区域A1中被电短路。
接下来，将参考图26描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在参考图26描述根据本发明的实施例的发光器件封装中，可以省略与参考图1至图25描述的内容重叠的内容的描述。
如图26中所示，在根据实施例的发光器件封装中，发光器件120的尺寸可以小于参考图15至图25描述的半导体器件封装的尺寸。
如参考图15至图25所述，发光器件120的下表面和主体113的上表面可以通过粘合剂130连接和密封。
当从发光器件120的向上方向观看时，在参考图15至25描述的发光器件封装中，基于发光器件120设置为大于由凹部R的外边界表面形成的区域的情况进行描述。
然而，在根据实施例的发光器件封装中，如图26中所示，当从发光器件120的向上方向观看时，发光器件120的外侧表面可以设置为与凹部R重叠。
如上所述，发光器件120的外表面可以布置在凹部R的区域上，使得发光器件120的下表面和主体113的上表面可以固定并且由设置在凹部R中的粘合剂130密封。
此外，根据实施例的发光器件封装，如图26中所示，可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导电层321可以设置在第一开口TH1处。第一导电层321可以布置在第一结合部121下面。第一导电层321的宽度可以设置为小于第一结合部121的宽度。
第一结合部121可以具有与形成第一开口TH1的第一方向垂直的第二方向的宽度。第一结合部121的宽度可以设置为大于第一开口TH1的第二方向的宽度。
第一导电层321可以布置为与第一结合部121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一结合部121。第一导电层321可以被布置为被主体113围绕。
第二导电层322可以设置在第二开口TH2处。第二导电层322可以布置在第二结合部122下面。第二导电层322的宽度可以设置为小于第二结合部122的宽度。
第二结合部122可以具有垂直于形成第二开口TH2的第一方向的第二方向的宽度。第二结合部122的宽度可以设置为大于第二开口TH2的第二方向的宽度。
第二导电层322可以布置为与第二结合部122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二结合部122。第二导电层322可以被布置为被主体113围绕。
第一导电层321和第二导电层322可以包括选自由Ag、Au和Pt、Sn和Cu等或其合金组成的组中的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以被用于第一导电层321和第二导电层322。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由由不同材料组成的多层或者由其合金组成的多层或者单层组成。作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以包括SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
根据实施例，第一导电层321可以电连接到第一结合部121，并且第二导电层322可以电连接到第二结合部122。作为示例，外部电力可以被供应到第一导电层321和第二导电层322，并且因此，发光器件120可以被驱动。
同时，根据实施例的发光器件封装，设置在凹部R处的粘合剂130可以设置在发光器件120的下表面和封装主体110的上表面之间，如图26中所示。当从发光器件120的向上方向观看时，粘合剂130可以以闭环形状设置在第一和第二粘合部121和122的周边。此外，当从发光器件120的向上方向观看时，粘合剂130可以以闭环形状设置在第一开口TH1和第二开口TH2的周边。当从发光器件120的向上方向观看时连接发光器件120的四个侧表面的轮廓可以设置为重叠在凹部R上。
粘合剂130可以执行将发光器件120稳定地固定在封装主体110中的功能。此外，粘合剂130可以被布置在与第一和第二结合部121和122的侧表面接触的第一和第二结合部121和122的周边处。粘合剂130可以被布置使得当从发光器件120的向上方向观看时第一和第二开口TH1和TH2与其中模制部140被设置的外部区域隔离。
粘合剂130可以防止设置在第一开口TH1和第二开口TH2处的第一导电层321和第二导电层322与凹部R的闭环分离以及在发光器件120的向外方向中流动。
当从发光器件120的向上方向观看时，在第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的向外方向中移动的情况下，沿着发光器件120的侧表面可以扩散第一和第二导电层321和322。如上所述，当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的侧表面中移动时，发光器件120的第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层可能被电短路。另外，如上所述，当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的侧表面中移动时，发光器件120的光提取效率可能降低。
然而，根据实施例，因为基于其中通过粘合剂130设置凹部R的区域，内部和外部彼此隔离，所以能够防止第一和第二导电层321和322与其中凹部R被设置的区域分离以及在向外方向中移动。
因此，按照根据实施例的发光器件封装，可以防止第一导电层321和第二导电层322移动到发光器件120的侧表面，并且防止发光器件120没有被电短路，从而提高光提取效率。
另外，根据本发明的实施例，设置在凹部R处的粘合剂130可以沿着发光器件120的下表面移动到位于发光器件120下面的第一区域A1，并且可以被布置以接触第一和第二结合部121和122的四个侧表面。因此，第一和第二结合部121和122可以布置成由粘合剂130和第一和第二开口TH1围绕并且可以通过粘合剂130密封TH2和TH2。
如上所述，因为第一和第二开口TH1和TH2可以通过粘合剂130密封，所以可以防止设置在第一开口TH1和第二开口TH2处的第一导电层321和第二导电层322在主体113的上表面上移动。
同时，当未充分设置粘合剂130的量时，位于发光器件120下面的第一区域A1可能未填充粘合剂130，并且其部分区域可以设置为空的空间。因此，第一导电层321和第二导电层322可以通过粘合剂130的空隙扩散并移动到第一区域A1的空的空间。
然而，在选择根据实施例的主体113的物理特性以及第一导电层321和第二导电层322的物理特性中，第一导电层321和第二导电层322从主体113的上表面扩散的距离可以通过选择彼此具有差的粘附性的属性被限制。因此，因为可以控制第一导电层321和第二导电层322在主体113的上表面处移动的距离，所以可以防止第一区域A1中的第一导电层321和第二导电层322电短路。
接下来，将参考图27描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在参考图27描述根据本发明的实施例的发光器件封装中，可以省略与参考图1至图26描述的内容重叠的描述。
与参考图26描述的半导体器件封装相比，根据实施例的半导体器件封装，如图27中所示，可以进一步包括上凹部R10。
上凹部R10可以设置在主体113的上表面处。上凹部R10可以设置在位于发光器件120的下表面下面的第一区域A1处。可以设置上凹部R10以从主体113的上表面朝向其下表面在第一方向中凹入。
凹部R10可以布置在发光器件120下面，并且可以设置在第一结合部121和第二结合部122之间。上凹部R10可以设置为在发光器件120的副轴方向中在发光器件120下面延伸。
如参考图15至图23以及图26所述，当设置到凹部R的粘合剂130的量不足时，位于发光器件120下面的第一区域A1可能未填充粘合剂130，并且其部分区域可以设置为一个空的空间。因此，第一导电层321和第二导电层322可以通过粘合剂130的空隙扩散并且移动到第一区域A1的空的空间。
然而，在选择根据实施例的主体113的物理特性以及第一导电层321和第二导电层322的物理特性中，导体层321和322从主体113的上表面扩散的距离可以通过选择彼此具有差的粘附性的属性被限制。因此，因为可以控制第一导电层321和第二导电层322在主体113的上表面处移动的距离，所以可以防止第一区域A1中的第一导电层321和第二导电层322电短路。
此外，当根据实施例的发光器件封装包括上凹部R10时，上凹部R10可以提供进一步限制在第一区域A1中第一和第二导电层321和322的扩散和移动的功能。
当设置上凹部R10时，即使当第一和第二导电层321和322的一部分被扩散到主体113的上部时在上凹部R10中产生一种陷阱效应，第一和第二导电层321和322的流动被限制。发生下述现象：通过第一开口TH1扩散的第一导电层321可能不从上凹部R10的凹陷区域的边界表面在上凹部R10的向下方向移动。另外，发生下述现象：通过第二开口TH2扩散的第二导电层322可能不从上凹部R10的凹陷区域的边界表面在上凹部R10的向下方向移动。这被解释为由于表面张力等的影响，第一导电层321和第二导电层322的流动被限制在上凹部R10的凹陷区域的边界表面处。
因此，因为可以可靠地控制第一导电层321和第二导电层322在主体113的上表面处移动的距离，所以可以防止第一导电层321和第二导电层322在第一区域A1中被电短路。
接下来，将参考图28至图31描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在参考图28至图31描述根据本发明的实施例的发光器件封装中，可以省略与参考图1至27描述的内容重叠的描述。
根据实施例的发光器件封装可以包括封装主体110和发光器件120。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。主体113可以执行作为一种电极分离线的功能。主体113也可以称为绝缘构件。
主体113可以布置在第一框架111上。另外，主体113可以布置在第二框架112上。
主体113可以设置布置在第一框架111和第二框架112上的倾斜表面。腔体C可以通过主体113的倾斜表面设置在第一框架111和第二框架112上。
根据实施例，封装主体110可以以具有腔体C的结构设置，或者可以被设置有具有平坦上表面而没有腔体C的结构。
例如，主体113可以由选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三联苯(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅酮、环氧模制化合物(EMC)、硅酮模制化合物(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中的至少一种形成。另外，主体113可以包括高折射率填料，诸如TiO2和SiO2。
第一框架111和第二框架112可以设置为绝缘框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度。
另外，第一框架111和第二框架112可以设置为导电框架。第一框架111和第二框架112可以稳定地提供封装主体110的结构强度，并且可以电连接到发光器件120。
发光器件120可以包括第一结合部121、第二结合部122、发光结构123和衬底124。
发光器件120可以布置在封装主体110上。发光器件120可以布置在第一框架111和第二框架112上。发光器件120可以布置在主体113上。发光器件120可以布置在由封装主体110提供的腔体C中。
第一结合部121可以布置在发光器件120的下表面上。第二结合部122可以布置在发光器件120的下表面上。第一结合部121和第二结合部122可以布置为在发光器件120的下表面上彼此隔开。
第一结合部121可以布置在第一框架111上。第二结合部122可以布置在第二框架112上。
第一结合部121可以布置在发光结构123和第一框架111之间。第二结合部122可以布置在发光结构123和第二框架112之间。
同时，根据实施例的发光器件封装可以包括第一开口TH1和第二开口TH2。第一框架111可以包括第一开口TH1。第二框架112可以包括第二开口TH2。
第一开口TH1可以设置在第一框架111处。第一开口TH1可以通过穿过第一框架111被设置。第一开口TH1可以通过在第一方向中穿过第一框架111的上表面和下表面被设置。
第一开口TH1可以布置在发光器件120的第一结合部121下面。第一开口TH1可以设置为与发光器件120的第一结合部121重叠。第一开口TH1可以设置为从第一框架111的上表面朝向其下表面在第一方向中与发光器件120的第一结合部121重叠。
第二开口TH2可以设置在第二框架112处。第二开口TH2可以通过穿过第二框架112被设置。第二开口TH2可以通过在第一方向中穿过第二框架113的上表面和下表面被设置。
第二开口TH2可以布置在发光器件120的第二结合部122下面。第二开口TH2可以设置为与发光器件120的第二结合部122重叠。第二开口TH2可以设置为从第二框架112的上表面朝向其下表面在第一方向中与发光器件120的第二结合部122重叠。
第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为彼此隔开。第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为在发光器件120的下表面下面彼此隔开。
根据实施例，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以设置为小于或等于第一结合部121的宽度。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以被设置为小于或者等于第二结合部122的宽度。
因此，发光器件120的第一结合部121和第一框架111可以更牢固地附接。另外，发光器件120的第二结合部122和第二框架112可以更牢固地附接。
此外，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以设置为小于或等于第一开口TH1的下部区域的宽度W2。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置为小于或等于第二开口TH2的下部区域的宽度。
第一开口TH1可以以倾斜的形状设置，其中宽度从下部区域朝向上部区域逐渐减小。第二开口TH2可以以倾斜的形状设置，其中宽度从下部区域朝向上部区域逐渐减小。
然而，本发明不限于此，并且第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域和下部区域之间的倾斜表面可以具有多个具有不同斜率的倾斜表面，并且倾斜表面可以被布置为具有曲率。
第一框架111和第二框架112的下表面区域中的第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度可以设置为几百微米。作为示例，第一框架111和第二框架112的下表面区域中的第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度可以设置为100至150微米。
可以选择在第一框架111和第二框架112的下表面区域中的第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度以设置为超过预定距离，以便于防止当根据实施例的发光器件封装稍后被安装在电路板、子基板等等上时在焊盘之间发生电电路。
根据实施例的发光器件封装可以包括粘合剂130。
粘合剂130可以布置在主体113和发光器件120之间。粘合剂130可以布置在主体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括凹部R。
凹部R可以设置在主体113处。凹部R可以设置在第一开口TH1和反射器117之间。另外，凹部R可以设置在第二开口TH2和反射器117之间。凹部R可以设置成从主体113的上表面朝向其下表面凹入。凹部R可以布置在发光器件120下面。作为示例，凹部R可以以闭环形状设置在发光器件120下面。
当从发光器件120的向上方向观看时，凹部R可以布置在第一结合部121和反射器117之间以与第一开口TH1相邻。另外，当从发光器件120的向上方向观看时凹部R可以被布置在第二结合部122与被布置为与第二开口TH2相邻的反射器117之间。
粘合剂130可以布置在凹部R处。粘合剂130可以布置在发光器件120和主体113之间。粘合剂130可以布置在第一粘合部121和反射器117之间。粘合剂130可以布置在第二粘合部122和反射器117之间。例如，可以将粘合剂130布置为与第一结合部121的侧表面和第二结合部122的侧表面接触。
粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，粘合剂130可以布置为与主体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
作为示例，粘合剂130可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，粘合剂130可以反射从发光器件120发射的光。当粘合剂130包括反射功能时，粘合剂130可以包括白色硅酮。当粘合剂130包括反射功能时，粘合剂130可以由包括例如TiO2、硅酮等的材料形成。
根据实施例，凹部R的深度可以设置为小于第一开口TH1的深度或第二开口TH2的深度。
可以考虑粘合剂130的粘附力来确定凹部R的深度。另外，凹部R的深度可以通过考虑主体113的稳定强度以及/或者没有由于从发光器件120散发的热量而在发光器件封装1100中出现裂缝来被确定。
凹部R可以提供适当的空间，在该空间中可以在发光器件120的下部处执行一种下填充工艺。凹部R可以设置在第一深度或更大的深度上，使得粘合剂130可以充分地设置在发光器件120的下表面和主体113的上表面之间。另外，凹部R可以设置在第二深度或更小，以提供主体113的稳定强度。
凹部R的深度和宽度W3可能影响粘合剂130的形成位置和固定力。凹部R的深度和宽度W3可以被确定为使得通过被布置在主体113和发光器件120之间的粘合剂130可以充分地提供固定力。
作为示例，凹部R的深度可以设置为几十微米。凹部R的深度可以设置为40至60微米。
此外，凹部R的宽度W3可以设置为几百微米。凹部R的宽度W3可以设置为140至160微米。作为示例，凹部R的宽度W3可以设置为150微米。
发光器件120的第一结合部121和第二结合部122可以通过设置在凹部R处的粘合剂130从外部密封。粘合剂130可以以闭环形状被设置在发光器件120的下面。
粘合剂130可以沿着凹部R的形状以闭环形状设置，如图30和31中所示。凹部R可以设置为具有矩形形状的闭环或具有圆形或椭圆形形状的闭环。
可以设置第一开口TH1的深度以对应于第一框架111的厚度。第一开口TH1的深度可以以能够保持第一框架111的稳定强度的厚度设置。
可以设置第二开口TH2的深度以对应于第二框架112的厚度。第二开口TH2的深度可以以能够保持第二框架112的稳定强度的厚度设置。
作为示例，第一开口TH1的深度可以设置为几百微米。第一开口TH1的深度可以设置为180至220微米。作为示例，第一开口TH1的深度可以设置为200微米。
作为示例，通过从第一开口TH1的深度减去凹部R的深度而获得的厚度可以选择为至少100微米或更大。这是考虑到能够提供主体113的无裂缝的注入工艺的厚度。
根据实施例，第一开口TH1的深度可以设置为凹部R的深度的两倍至十倍。作为示例，当第一开口TH1的深度设置为200微米时，凹部R的深度可以设置为20至100微米。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括模制部140。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在第一框架111和第二框架112上。模制部140可以布置在由封装主体110提供的腔体C处。
模制部140可以包括绝缘材料。另外，模制部140可以包括波长转换部，该波长转换部被配置成入射从发光器件120发射的光并且被配置成提供波长转换的光。作为示例，模制部140可以包括从由荧光体、量子点等组成的组中选择的至少一种。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导电层321可以设置在第一开口TH1处。第一导电层321可以布置在第一结合部121下面。第一导电层321的宽度可以设置为小于第一结合部121的宽度。
第一结合部121可以具有与形成第一开口TH1的第一方向垂直的第二方向的宽度。第一结合部121的宽度可以设置为大于第一开口TH1的第二方向的宽度。
第一导电层321可以布置为与第一结合部121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一结合部121。第一导电层321可以被布置成被第一框架111围绕。
第二导电层322可以设置在第二开口TH2处。第二导电层322可以布置在第二结合部122下面。第二导电层322的宽度可以设置为小于第二结合部122的宽度。
第二结合部122可以具有垂直于形成第二开口TH2的第一方向的第二方向的宽度。第二结合部122的宽度可以设置为大于第二开口TH2的第二方向的宽度。
第二导电层322可以布置为与第二结合部122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二结合部122。第二导电层322可以被布置成被第二框架112围绕。
第一导电层321和第二导电层322可以包括选自由Ag、Au和Pt、Sn、Cu等或其合金组成的组中的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以被用于第一导电层321和第二导电层322。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由由不同材料组成的多层或者由其合金组成的多层或者单层组成。作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以包括SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一下凹部R11和第二下凹部R12。第一下凹部R11和第二下凹部R12可以布置为彼此隔开。
第一下凹部R11可以设置在第一框架111的下表面处。第一下凹部R11可以设置成在从第一框架111的下表面到上表面的方向中凹入。下凹部R11可以布置为与第一开口TH1隔开。
第一下凹部R11可以设置为具有几微米到几十微米的宽度。树脂部分可以设置在第一下凹部R11处。填充在第一下凹部R11中的树脂部分可以设置为具有例如与主体113相同的材料。
然而，本发明不限于此，并且树脂部分可以设置为具有选自与第一和第二导电层321和322具有差的粘附力和润湿性的材料的材料。可替选地，树脂部分可以被设置以从相对于第一和第二导电层321和322具有低表面张力的材料中选择。
作为示例，填充在第一下凹部R11中的树脂部分可以在通过注入工艺等形成第一框架111、第二框架112和主体113的工艺中设置。
填充在第一下凹部R11中的树脂部分可以布置在设置第一开口TH1的第一框架111的下表面区域的周边处。设置第一开口TH1的第一框架111的下表面可以布置为以一种岛的形状与形成在第一框架111的周边中的第一框架111的下表面分离。
作为示例，如图15中所示，设置第一开口TH1的第一框架111的下表面可以通过填充在第一下凹部R11和主体113中的树脂部分与第一框架111的周边隔离。
因此，当树脂部分被布置成具有与第一和第二导电层321和322具有差的粘附力和差的润湿性的材料或者在树脂部分和第一和第二导电层321和322之间具有低的表面张力的材料时，可以防止设置在第一开口TH1处的第一导电层321与第一开口TH1分离以及在填充在第一下凹部R11或主体113中的树脂部分上扩散。
这是基于第一导电层321与树脂部分和主体113之间的粘附关系或树脂部分与第一导电层321和第二导电层322之间的润湿性和表面张力等不好的事实。也就是说，可以选择构成第一导电层321的材料以具有与第一框架111的良好粘附特性。此外，可以选择构成第一导电层321的材料以与树脂部分和主体113具有差的粘附特性。
因此，因为第一导电层321从第一开口TH1朝向设置有树脂或主体113的区域溢出，所以防止溢出或延伸到在其中设置树脂或者主体113的区域的外部，使得第一导电层321可以稳定地布置在其中第一开口TH1被设置的区域处。
当布置在第一开口TH1处的第一导电层321溢出时，可以防止第一导电层321延伸到其中设置树脂部分或主体113的第一下凹部R11的区域的外部。另外，第一导电层321可以稳定地连接到第一开口TH1中的第一结合部121的下表面。
因此，当发光器件封装安装在电路板上时，可以防止第一导电层321和第二导电层322彼此接触并且短路的问题，并且在布置第一导电层321和第二导电层322的工艺中，很容易控制第一导电层321和第二导电层322的量。
另外，第二下凹部R12可以设置在第二框架112的下表面处。第二下凹部R12可以设置成从第二框架112的下表面在上表面方向中凹入。第二下凹部R12可以布置为与第二开口TH2隔开。
第二下凹部R12可以设置为具有几微米到几十微米的宽度。树脂部分可以设置在第二下凹部R12处。填充在第二下凹部R12中的树脂部分可以设置为具有例如与主体113相同的材料。
然而，本发明不限于此，并且树脂部分可以设置为具有选自与第一和第二导电层321和322具有差的粘附力和润湿性的材料的材料。可替选地，树脂部分可以被设置以从相对于第一和第二导电层321和322具有低表面张力的材料中选择。
作为示例，填充在第二下凹部R12中的树脂部分可以在通过注入工艺等形成第一框架111、第二框架112和主体113的工艺中提供。
填充在第二下凹部R12中的树脂部分可以布置在设置第二开口TH2的第二框架112的下表面区域的周边处。设置第二开口TH2的第二框架112的下表面可以布置成以一种岛的形状与在第二框架112的周边中形成的第二框架112的下表面分离。
作为示例，如图29中所示，设置第二开口TH2的第二框架112的下表面可以通过填充在第二下凹部R12和主体113中的树脂部分与第一框架111的周边隔离。
因此，当树脂部分被布置成具有与第一和第二导电层321和322具有差的粘附力和差的润湿性的材料或者在树脂部分和第一和第二导电层321和322之间具有低的表面张力的材料时，可以防止设置在第二开口TH2处的第二导电层322与第二开口TH2分离以及在填充在第二下凹部R12或主体113中的树脂部分上扩散。
这是基于第二导电层322与树脂部分和主体113之间的粘附关系或树脂部分与第一导电层321和第二导电层322之间的润湿性和表面张力等不好的事实。也就是说，可以选择构成第二导电层322的材料以与第二框架112具有良好的粘附特性。此外，可以选择构成第二导电层322的材料以与树脂部分和主体113具有差的粘附特性。
因此，因为第二导电层322从第二开口TH2朝向设置有树脂或主体113的区域溢出，所以防止第二导电层322溢出或延伸到其中树脂部分或主体113被设置的区域的外部，使得第二导电层322可以被稳定地设置在其中第二开口TH2被设置的区域处。
因此，当布置在第二开口TH2处的第二导电层322溢出时，可以防止第二导电层322延伸到其中设置树脂部分或者主体113的第二下凹部R12的区域的外部。另外，第二导电层322可以稳定地连接到第二开口TH2中的第二结合部122的下表面。
因此，当发光器件封装安装在电路板上时，可以防止第一导电层321和第二导电层322彼此接触并且短路的问题，并且在布置第一导电层321和第二导电层322的工艺中，很容易控制第一导电层321和第二导电层322的量。
根据实施例，第一导电层321可以电连接到第一结合部121，并且第二导电层322可以电连接到第二结合部122。作为示例，外部电力可以被供应到第一导电层321和第二导电层322，并且因此，发光器件120可以被驱动。
同时，按照根据实施例的发光器件封装1100，设置在凹部R处的粘合剂130可以设置在发光器件120的下表面和封装主体110的上表面之间，如图15至图17中所示。当从发光器件120的向上方向观看时，粘合剂130可以以闭环形状设置在第一和第二结合部121和122的周边。此外，当从发光器件120的向上方向观看时，粘合剂130可以以闭环形状被设置在第一和第二开口TH1和TH2的周边处。
粘合剂130可以执行将发光器件120稳定地固定在封装主体110中的功能。此外，粘合剂130可以被布置在与第一和第二结合部121和122的侧表面接触的第一和第二结合部121和122的周边处。粘合剂130可以被布置使得当从发光器件120的向上方向观看时第一和第二开口TH1和TH2与其中模制部140被设置的外部区域隔离。
粘合剂130可以防止设置在第一开口TH1和第二开口TH2处的第一导电层321和第二导电层322与凹部R的闭环分离以及在发光器件120的向外方向中流动。
当从发光器件120的向上方向观看时，在第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的向外方向中移动的情况下，沿着发光器件120的侧表面可以扩散第一和第二导电层321和322。如上所述，当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的侧表面中移动时，发光器件120的第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层可能被电短路。另外，如上所述，当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的侧表面中移动时，发光器件120的光提取效率可能降低。
然而，根据实施例，因为基于其中通过粘合剂130设置凹部R的区域，内部和外部彼此隔离，所以能够防止第一和第二导电层321和322与其中凹部R被设置的区域分离以及在向外方向中移动。
因此，根据实施例的发光器件封装，可以防止第一导电层321和第二导电层322移动到发光器件120的侧表面，并且防止发光器件120没有被电短路，从而提高光提取效率。
根据本发明的实施例，设置在凹部R处的粘合剂130可以沿着发光器件120的下表面移动到位于发光器件120下面的第一区域A1，并且可以被布置为与第一和第二结合部121和122的四个侧表面接触。因此，第一和第二结合部121和122可以被布置为被粘合剂130围绕，并且第一和第二开口TH1和TH2可以通过粘合剂130被密封。
如上所述，因为第一和第二开口TH1和TH2可以通过粘合剂130密封，所以可以防止设置在第一开口TH1和第二开口TH2处的第一导电层321和第二导电层322在主体113的上表面上移动。
同时，当未充分设置粘合剂130的量时，位于发光器件120下面的第一区域A1可能未填充粘合剂130，并且其部分区域可以设置为空的空间。因此，第一导电层321和第二导电层322可以通过粘合剂130的空隙扩散并移动到第一区域A1的空的空间。
然而，在选择根据实施例的主体113的物理特性以及第一导电层321和第二导电层322的物理特性中，通过选择彼此具有差的粘附性的属性可以限制导电层321和322从主体113的上表面扩散的距离。因此，因为可以控制第一导电层321和第二导电层322在主体113的上表面处移动的距离，所以可以防止第一区域A1中的第一导电层321和第二导电层322电短路。
同时，根据上述实施例的发光器件封装可以被供应并且被安装在子基板、电路板等等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流或热处理的高温工艺。此时，在回流或热处理工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装处的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，从而可能减弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，按照根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，可以通过被布置在开口处的导电层设置根据实施例的发光器件的电极部以具有驱动功率。另外，布置在开口中的导电层的熔点可以选择为具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为即使当通过回流工艺将发光器件封装100结合到主衬底时，根据实施例的发光器件封装也不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
另外，按照根据实施例的发光器件封装100和发光器件封装的制造方法，封装主体110在发光器件封装的制造工艺中不需要暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料设置主体113。
例如，主体113可以包括选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚亚环己基二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中的至少一种材料。
接下来，将参考图32和图33描述根据本发明的实施例的发光器件封装。
在参考图32和图33描述根据本发明的实施例的发光器件封装中，可以省略与参考图1至图31描述的内容重叠的描述。
与参考图28至图31描述的半导体器件封装相比，根据实施例的半导体器件封装，如图32和图33中所示，可以进一步包括上凹部R10。
上凹部R10可以设置在主体113的上表面处。上凹部R10可以设置在位于发光器件120的下表面下面的第一区域A1处。可以设置上凹部R10以从主体113的上表面朝向其下表面在第一方向中凹入。
凹部R10可以布置在发光器件120下面，并且可以设置在第一结合部121和第二结合部122之间。上凹部R10可以设置为在发光器件120的副轴方向中在发光器件120下面延伸。
如参考图28至31所述，当设置到凹部R的粘合剂130的量不足时，位于发光器件120下面的第一区域A1可能未填充粘合剂130，并且其部分区域可以设置为空的空间。因此，第一导电层321和第二导电层322可以通过粘合剂130的空隙扩散并移动到第一区域A1的空的空间。
然而，在选择根据实施例的主体113的物理特性以及第一导电层321和第二导电层322的物理特性中，导体层321和322从主体113的上表面扩散的距离可以通过选择彼此具有差的粘附性的属性被限制。因此，因为可以控制第一导电层321和第二导电层322在主体113的上表面处移动的距离，所以可以防止第一区域A1中的第一导电层321和第二导电层322电短路。
另外，当根据实施例的发光器件封装包括上凹部R10时，上凹部R10可以提供进一步限制第一导电层321和第二导电层322在第一区域A1中的扩散和移动的功能。
当设置上凹部R10时，即使当第一导电层321和第二导电层322的一部分扩散到主体113的上部时，在上凹部R10中也产生一种陷阱效应，限制第一导电层321和第二导电层322的形状。发生下述现象：通过第一开口TH1扩散的第一导电层321可能不从上凹部R10的凹陷区域的边界表面在上凹部R10的向下方向移动。另外，发生下述现象：通过第二开口TH2扩散的第二导电层322可能不从上凹部R10的凹陷区域的边界表面在上凹部R10的向下方向移动。这被解释为由于表面张力等的影响，第一导电层321和第二导电层322的流动被限制在上凹部R10的凹陷区域的边界表面处。
因此，因为可以稳定且可靠地控制第一导电层321和第二导电层322在主体113的上表面处移动的距离，所以可以防止第一导电层321和第二导电层322在第一区域A1中被电短路。
同时，在参考图28至图33描述的发光器件封装中，当从发光器件120的向上方向观看时，基于发光器件120被设置为大于由凹部R的外边界表面形成的区域的情况来描述。
然而，在根据另一实施例的发光器件封装中，类似于参考图26描述的发光器件封装，当从发光器件120的向上方向观看时，发光器件120的外侧表面可以设置为与凹部R重叠。
如上所述，发光器件120的外表面可以布置在凹部R的区域上，使得发光器件120的下表面和主体113的上表面可以固定并且由设置在凹部R中的粘合剂130密封。
然后，将参考图34描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在描述根据参考图34的实施例的发光器件封装中，可以省略与参考图1至图33描述的内容重叠的描述。
根据实施例的发光器件封装1100可以包括封装主体110和发光器件120。
封装主体110可以包括主体113和反射器117。反射器117可以布置在主体113上。反射器117可以布置在主体113的上表面的周边。反射器117可以在主体113的上表面上提供腔体C。
根据实施例，封装主体110可以被设置为具有腔体C的结构，或者可以被设置为具有平坦上表面而没有腔体C的结构。
例如，主体113可以由选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三联苯(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅酮、环氧模制化合物(EMC)、硅酮模制化合物(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中的至少一种形成。另外，主体113可以包括高折射率填料，诸如TiO2和SiO2。
根据实施例，发光器件120可以包括第一结合部121、第二结合部122、发光结构123和衬底124。
发光器件120可以包括布置在衬底124下面的发光结构123。第一结合部121和第二结合部122可以布置在发光结构123和主体113之间。
发光器件120可以布置在封装主体110上。发光器件120可以布置在主体113上。发光器件120可以布置在由反射器117提供的腔体C中。
第一结合部121可以布置在发光器件120的下表面上。第二结合部122可以布置在发光器件120的下表面上。第一结合部121和第二结合部122可以布置为在发光器件120的下表面下面彼此隔开。
第一结合部121可以布置在发光结构123和主体113之间。第二结合部122可以布置在发光结构123和主体113之间。
同时，根据实施例的发光器件封装可以包括第一开口TH1和第二开口TH2。
封装主体110可以包括从腔体C的底表面穿过封装主体110的下表面的第一开口TH1。封装主体110可以包括从腔体C的底表面穿过封装主体110的下表面的第二开口TH2。
第一开口TH1可以布置在发光器件120的第一结合部121下面。第一开口TH1可以设置为与发光器件120的第一结合部121重叠。第一开口TH1可以设置为从主体113的上表面朝向其下表面在第一方向中与发光器件120的第一结合部121重叠。
第二开口TH2可以设置在主体113处。第二开口TH2可以通过穿过主体113被设置。第二开口TH2可以通过在第一方向中穿过主体113的上表面和下表面被设置。
第二开口TH2可以布置在发光器件120的第二结合部122下面。第二开口TH2可以设置为与发光器件120的第二结合部122重叠。第二开口TH2可以设置为从主体113的上表面朝向其下表面在第一方向中与发光器件120的第二结合部122重叠。
第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为彼此隔开。第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为在发光器件120的下表面下面彼此隔开。
根据实施例，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以设置为大于第一结合部121的宽度。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以是设置为大于第二结合部122的尺寸。
根据实施例，第一结合部121的下部区域可以布置在第一开口TH1的上部区域中。第一结合部121的底表面可以布置为低于主体113的上表面。
另外，第二结合部122的下部区域可以布置在第二开口TH2的上部区域中。第二结合部122的底表面可以布置为低于主体113的上表面。
此外，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以设置为小于或等于第一开口TH1的下部区域的宽度W2。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置为小于或等于第二开口TH2的下部区域的宽度。
第一开口TH1可以以倾斜的形状设置，其中宽度从下部区域朝向上部区域逐渐减小。第二开口TH2可以以倾斜的形状设置，其中宽度从下部区域朝向上部区域逐渐减小。
然而，本发明不限于此，并且第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域和下部区域之间的倾斜表面可以具有多个具有不同斜率的倾斜表面，并且倾斜表面可以被布置为具有曲率。
主体113的下表面区域中的第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度可以设置为几百微米。主体113的下表面区域中的第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度可以设置为例如100至150微米。
可以选择在主体113的下表面区域中的第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度以设置为超过预定距离，以便于防止当根据实施例的发光器件封装稍后被安装在电路板、子基板等等上时在焊盘之间出现短路。
根据实施例的发光器件封装可以包括粘合剂130。
粘合剂130可以布置在主体113和发光器件120之间。粘合剂130可以布置在主体113的上表面和发光器件120的下表面之间。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括凹部R。
凹部R可以设置在主体113处。凹部R可以设置在第一开口TH1和反射器117之间。另外，凹部R可以设置在第二开口TH2和反射器117之间。凹部R可以设置成从主体113的上表面朝向其下表面凹入。凹部R可以布置在发光器件120下面。作为示例，凹部R可以以闭环形状设置在发光器件120下面。
当从发光器件120的向上方向观看时，凹部R可以布置在第一结合部121和反射器117之间，反射器117设置为与第一开口TH1相邻。另外，当从发光器件120的向上方向看到时，凹部R可以被布置在被布置为与第二开口TH2相邻的反射器117和第二结合部122之间。
粘合剂130可以布置在凹部R处。粘合剂130可以布置在发光器件120和主体113之间。粘合剂130可以布置在第一粘合部121和反射器117之间。粘合剂130可以布置在第二粘合部121和反射器117之间。例如，可以将粘合剂130布置为与第一结合部121的侧表面和第二结合部122的侧表面接触。
粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，粘合剂130可以布置成与主体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
作为示例，粘合剂130可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，粘合剂130可以反射从发光器件120发射的光。当粘合剂130包括反射功能时，粘合剂130可以包括白色硅酮。当粘合剂130包括反射功能时，粘合剂130可以由包括例如TiO2、硅酮等的材料形成。
根据实施例，凹部R的深度可以设置为小于第一开口TH1的深度或第二开口TH2的深度。
可以考虑粘合剂130的粘附力来确定凹部R的深度。此外，凹部R的深度可以通过考虑主体113的稳定强度以及/或者没有由于从发光器件120散发的热量而在发光器件封装1100中出现裂缝来被确定。
凹部R可以提供适当的空间，在该空间中可以在发光器件120的下部处执行一种下填充工艺。凹部R可以设置在第一深度或更大的深度上，使得粘合剂130可以充分地设置在发光器件120的下表面和主体113的上表面之间。另外，凹部R可以设置在第二深度或更小，以提供主体113的稳定强度。
凹部R的深度和宽度W3可能影响粘合剂130的形成位置和固定力。可以确定凹部R的深度和宽度W3，使得可以通过被布置在主体113和发光器件120之间的粘合剂130充分地提供固定力。
作为示例，凹部R的深度可以设置为几十微米。凹部R的深度可以设置为40至60微米。
此外，凹部R的宽度W3可以设置为几百微米。凹部R的宽度W3可以设置为140至160微米。作为示例，凹部R的宽度W3可以设置为150微米。
发光器件120的第一和第二结合部121和122可以通过设置在凹部R处的粘合剂130从外部密封。粘合剂130可以以闭环形状被设置在发光器件120的下面。
粘合剂130可以沿着凹部R的形状以闭环形状设置，如上面参考图16和图17所述。凹部R可以设置为具有矩形形状的闭环或具有圆形或椭圆形形状的闭环。
可以设置第一开口TH1的深度以对应于主体113的厚度。第一开口TH1的深度可以以能够保持主体113的稳定强度的厚度设置。
作为示例，第一开口TH1的深度可以设置为几百微米。第一开口TH1的深度可以设置为180至220微米。作为示例，第一开口TH1的深度可以设置为200微米。
作为示例，通过从第一开口TH1的深度减去凹部R的深度而获得的厚度可以选择为至少100微米或更大。这是考虑到能够提供主体113的无裂缝的注入工艺的厚度。
根据实施例，第一开口TH1的深度可以设置为凹部R的深度的2至10倍。例如，当第一开口TH1的深度设置为200微米时，凹部R的深度可以设置为20至100微米。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为10％或更小。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光面积并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为0.7％或更大。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二结合部121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定结合力。
如上所述，因为第一结合部121和第二结合部122的面积设置为小，所以可以增加发射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面提供具有良好反射特性的粘合剂130。因此，在发光器件120的下面发射的光在粘合剂130处被反射，并且朝着发光器件封装的向上方向被有效地发射，因此，可以提高发光器件封装的光提取效率。
此外，根据实施例的发光器件封装可以包括模制部140。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在主体113上。模制部140可以布置在由反射器117提供的腔体C处。
模制部140可以包括绝缘材料。另外，模制部140可以包括波长转换部，该波长转换部被配置成是从发光器件120发射的入射光并且被配置成提供波长转换的光。作为示例，模制部140可以包括荧光体、量子点等。
根据实施例的发光器件封装可以包括第一导体221和第二导体222。此外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导体221可以布置在第一结合部121下面。第一导体221可以电连接到第一结合部121。第一导体221可以被布置为在第一方向中与第一结合部121重叠。
第一导体221可以设置在第一开口TH1处。第一导体221可以布置在第一结合部121和第一导电层321之间。第一导体221可以电连接到第一结合部121和第一导电层321。
第一导体221的下表面可以布置为低于第一开口TH1的上表面。第一导体221的下表面可以布置为低于第一导电层321的上表面。
第一导体221可以布置在第一开口TH1上。另外，第一导体221可以布置为从第一结合部121延伸到第一开口TH1的内部。
另外，第二导体222可以布置在第二结合部122下面。第二导体222可以电连接到第二结合部122。第二导体222可以布置为在第一方向中与第二结合部重叠122。
第二导体222可以设置在第二开口TH2处。第二导体222可以布置在第二结合部122和第二导电层322之间。第二导体222可以电连接到第二结合部122和第二导电层322。
第二导体222的下表面可以布置为低于第二开口TH2的上表面。第二导体222的下表面可以布置为低于第二导电层322的上表面。
第二导体222可以布置在第二开口TH2上。另外，第二导体222可以布置为从第二结合部122延伸到第二开口TH2的内部。
根据实施例，第一导电层321可以布置在第一导体221的下表面和侧表面上。第一导电层321可以布置为与第一导体221的下表面和侧表面直接接触。
第一导电层321可以设置在第一开口TH1处。第一导电层321可以布置在第一结合部121下面。第一导电层321的宽度可以设置为大于第一结合部121的宽度。
如上所述，按照根据实施例的发光器件封装，第一导电层321和第一结合部121之间的电连接可以由第一导体221更稳定地提供。
另外，根据实施例，第二导电层322可以布置在第二导体222的下表面和侧表面处。第二导电层322可以布置为与第二导体222的下表面和侧表面直接接触。
第二导电层322可以设置在第二开口TH2处。第二导电层322可以布置在第二结合部122下面。第二导电层322的宽度可以设置为大于第二结合部122的宽度。
如上所述，根据实施例的发光器件封装，第二导体222可以更稳定地提供第二导电层322和第二结合部122之间的电连接。
作为示例，第一导体221和第二导体222可以分别经由单独的结合材料稳定地结合到第一结合部121和第二结合部122。另外，第一导体221和第二导体222的侧表面和下表面可以分别与第一导电层321和第二导电层322接触。
因此，与其中第一和第二导电层321和322分别被直接地接触第一和第二结合部121和122的情况相比较，其中第一和第二导电层321和322分别接触第一和第二导体221和222的面积可以被进一步增加。
因此，可以经由第一导体221和第二导体222从第一导电层321和第二导电层322到第一结合部121和第二结合部122稳定地提供电力。
作为示例，第一导体221和第二导体222可以包括从由Al、Au、Ag和Pt等或其合金组成的组中选择的至少一种材料。另外，第一和第二导体221和222可以设置为单层或多层。
第一结合部121可以具有垂直于形成第一开口TH1的第一方向的第二方向的宽度。第一结合部121的宽度可以设置为小于第一开口TH1的第二方向的宽度。
第一导电层321可以布置为与第一结合部121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一结合部121。第一导电层321可以被布置为被主体113围绕。
第一导电层321的上部可以布置在第一开口TH1的上部区域中的第一结合部121的下部的周边。第一导电层321的上表面可以布置为高于第一结合部121的下表面。
第二导电层322可以设置在第二开口TH2处。第二导电层322可以布置在第二结合部122下面。第二导电层322的宽度可以设置为大于第二结合部122的宽度。
第二结合部122可以具有垂直于形成第二开口TH2的第一方向的第二方向的宽度。第二结合部122的宽度可以设置为小于第二开口TH2的第二方向的宽度。
第二导电层322可以布置为与第二结合部122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二结合部122。第二导电层322可以被布置为被主体113围绕。
第二导电层322的上部可以布置在第二开口TH2的上部区域中的第二结合部122的下部的周边。第二导电层322的上表面可以布置为高于第二结合部122的下表面。
第一导电层321和第二导电层322可以包括选自由Ag、Au和Pt、Sn、Cu等或其合金组成的组中的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以被用于第一导电层321和第二导电层322。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由由不同材料组成的多层或者由其合金组成的多层或者单层组成。作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以包括SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
根据实施例，第一导电层321可以电连接到第一结合部121，并且第二导电层322可以电连接到第二结合部122。作为示例，外部电力可以被供应到第一导电层321和第二导电层322，并且因此，发光器件120可以被驱动。
同时，根据实施例的发光器件封装，设置在凹部R处的粘合剂130可以设置在发光器件120的下表面和封装主体110的上表面之间。当从发光器件120的向上方向观看时，可以以闭环形状在第一和第二结合部121和122的周边处设置粘合剂130。当从发光器件120的向上方向观看时，粘合剂130可以以闭环形状设置在第一和第二开口TH1和TH2的周边处。
粘合剂130可以执行将发光器件120稳定地固定在封装主体110中的功能。此外，粘合剂130可以被布置在与第一和第二结合部121和122的侧表面接触的第一和第二结合部121和122的周边处。粘合剂130可以被布置使得当从发光器件120的向上方向观看时第一和第二开口TH1和TH2与其中模制部140被设置的外部区域隔离。
粘合剂130可以防止设置在第一开口TH1和第二开口TH2处的第一导电层321和第二导电层322与凹部R的闭环分离以及在发光器件120的向外方向中流动。
当从发光器件120的向上方向观看时，在第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的向外方向中移动的情况下，沿着发光器件120的侧表面可以扩散第一和第二导电层321和322。如上所述，当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的侧表面中移动时，发光器件120的第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层可能被电短路。另外，如上所述，当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的侧表面中移动时，发光器件120的光提取效率可能降低。
然而，根据实施例，因为基于其中通过粘合剂130设置凹部R的区域，内部和外部彼此隔离，所以能够防止第一和第二导电层321和322与其中凹部R被设置的区域分离以及在向外方向中移动。
因此，根据实施例的发光器件封装，可以防止第一导电层321和第二导电层322移动到发光器件120的侧表面，并且防止发光器件120被电短路，从而提高光提取效率。
根据本发明的实施例，设置在凹部R处的粘合剂130可以沿着发光器件120的下表面移动到位于发光器件120下面的第一区域A1，并且可以被布置为与第一和第二结合部121和122的四个侧表面接触。因此，第一和第二结合部121和122可以被布置为被粘合剂130围绕，并且第一和第二开口TH1和TH2可以通过粘合剂130被密封。
如上所述，因为第一和第二开口TH1和TH2可以通过粘合剂130密封，所以可以防止设置在第一开口TH1和第二开口TH2处的第一导电层321和第二导电层322在主体113的上表面上移动。
同时，当未充分设置粘合剂130的量时，位于发光器件120下面的第一区域A1可能未填充粘合剂130，并且其部分区域可以设置为空的空间。因此，第一导电层321和第二导电层322可以通过粘合剂130的空隙扩散并移动到第一区域A1的空的空间。
然而，在选择根据实施例的主体113的物理特性以及第一导电层321和第二导电层322的物理特性中，通过选择彼此具有差的粘附性的属性可以限制导电层321和322从主体113的上表面扩散的距离。因此，因为可以控制第一导电层321和第二导电层322在主体113的上表面处移动的距离，所以可以防止第一区域A1中的第一导电层321和第二导电层322电短路。
同时，根据上述实施例的发光器件封装可以被供应并且被安装在子基板、电路板等等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流或热处理的高温工艺。此时，在回流或热处理工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装处的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，使得可以减弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，通过被布置在开口处的导电层根据实施例的发光器件的电极部可以被设置以具有驱动功率。另外，布置在开口中的导电层的熔点可以选择为具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为即使当通过回流工艺将发光器件封装100结合到主衬底时，根据实施例的发光器件封装也不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
另外，按照根据实施例的发光器件封装100和发光器件封装的制造方法，封装主体110在发光器件封装的制造工艺中不需要暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料设置主体113。
例如，主体113可以包括选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚亚环己基二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中的至少一种材料。
接下来，将参考图35描述根据本发明的实施例的发光器件封装。
在参考图35描述根据本发明的实施例的发光器件封装中，可以省略与参考图1至图34描述的内容重叠的描述。
与参考图34描述的半导体器件封装相比，根据实施例的半导体器件封装可以进一步包括上凹部R10。
上凹部R10可以设置在主体113的上表面处。上凹部R10可以设置在位于发光器件120的下表面下面的第一区域A1处。可以设置上凹部R10以从主体113的上表面朝向其下表面在第一方向中凹入。
凹部R10可以布置在发光器件120下面，并且可以设置在第一结合部121和第二结合部122之间。上凹部R10可以设置为在发光器件120的副轴方向中在发光器件120下面延伸。
如参考图34所述，当设置到凹部R的粘合剂130的量不足时，位于发光器件120下面的第一区域A1可能未填充粘合剂130，并且其部分区域可以设置为空的空间。因此，第一导电层321和第二导电层322可以通过粘合剂130的空隙扩散并移动到第一区域A1的空的空间。
然而，在选择根据实施例的主体113的物理特性以及第一导电层321和第二导电层322的物理特性中，导体层321和322从主体113的上表面扩散的距离可以通过选择彼此具有差的粘附性的属性被限制。因此，因为可以控制第一导电层321和第二导电层322在主体113的上表面处移动的距离，所以可以防止第一区域A1中的第一导电层321和第二导电层322电短路。
另外，当根据实施例的发光器件封装包括上凹部R10时，上凹部R10可以提供进一步限制在第一区域A1中第一和第二导电层321和322的扩散和移动的功能。
当设置上凹部R10时，即使当第一导电层321和第二导电层322的一部分扩散到主体113的上部时在上凹部R10中也会产生一种陷阱效应，限制第一导电层321和第二导电层322的流动。发生下述现象：通过第一开口TH1扩散的第一导电层321可能不从上凹部R10的凹陷区域的边界表面在上凹部R10的向下方向移动的。另外，发生下述现象：通过第二开口TH2扩散的第二导电层322可能不从上凹部R10的凹陷区域的边界表面在上凹部R10的向下方向移动。这被解释为由于表面张力等的影响，第一导电层321和第二导电层322的流动被限制在上凹部R10的凹陷区域的边界表面处。
因此，因为可以稳定且可靠地控制第一导电层321和第二导电层322在主体113的上表面处移动的距离，所以可以防止第一导电层321和第二导电层322在第一区域A1中被电短路。
同时，在参考图34至图35描述的发光器件封装中，当从发光器件120的向上方向观看时，基于发光器件120被设置为大于由凹部R的外边界表面形成的区域的情况来描述。
然而，在根据另一实施例的发光器件封装中，类似于参考图26描述的发光器件封装，当从发光器件120的向上方向观看时，发光器件120的外侧表面可以设置为与凹部R重叠。
如上所述，发光器件120的外表面可以布置在凹部R的区域上，使得发光器件120的下表面和主体113的上表面可以固定并且由设置在凹部R中的粘合剂130密封。
然后，将参考图36描述根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例。
在参考图36描述根据实施例的发光器件封装中，可以省略与参考图1至图35描述的内容重叠的内容的描述。
根据实施例的发光器件封装可以包括封装主体110和发光器件120。
封装主体110可以包括第一框架111和第二框架112。第一框架111和第二框架112可以布置为彼此隔开。
封装主体110可以包括主体113。主体113可以布置在第一框架111和第二框架112之间。主体113可以执行作为一种电极分离线的功能。主体113也可以称为绝缘构件。
主体113可以布置在第一框架111上。另外，主体113可以布置在第二框架112上。
主体113可以设置布置在第一框架111和第二框架112上的倾斜表面。腔体C可以通过主体113的倾斜表面设置在第一框架111和第二框架112上。
根据实施例，封装主体110可以以具有腔体C的结构设置，或者可以被设置有具有平坦上表面而没有腔体C的结构。
例如，主体113可以由选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三联苯(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅酮、环氧模制化合物(EMC)、硅酮模制化合物(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中的至少一种形成。另外，主体113可以包括高折射率填料，诸如TiO2和SiO2。
发光器件120可以包括第一结合部121、第二结合部122、发光结构123和衬底124。
第一结合部121可以布置在发光器件120的下表面上。第二结合部122可以布置在发光器件120的下表面上。第一结合部121和第二结合部122可以布置为在发光器件120的下表面上彼此隔开。
第一结合部121可以布置在第一框架111上。第二结合部122可以布置在第二框架112上。
第一结合部121可以布置在发光结构123和第一框架111之间。第二结合部122可以布置在发光结构123和第二框架112之间。
同时，根据实施例的发光器件封装可以包括第一开口TH1和第二开口TH2。第一框架111可以包括第一开口TH1。第二框架112可以包括第二开口TH2。
第一开口TH1可以设置在第一框架111处。第一开口TH1可以通过穿过第一框架111被设置。第一开口TH1可以通过在第一方向中穿过第一框架111的上表面和下表面被设置。
第一开口TH1可以布置在发光器件120的第一结合部121下面。第一开口TH1可以设置为与发光器件120的第一结合部121重叠。第一开口TH1可以设置为从第一框架111的上表面朝向其下表面在第一方向中与发光器件120的第一结合部121重叠。
第二开口TH2可以设置在第二框架112处。第二开口TH2可以通过穿过第二框架112被设置。第二开口TH2可以通过在第一方向中穿过第二框架113的上表面和下表面被设置。
第二开口TH2可以布置在发光器件120的第二结合部122下面。第二开口TH2可以设置为与发光器件120的第二结合部122重叠。第二开口TH2可以设置为从第二框架112的上表面朝向其下表面在第一方向中与发光器件120的第二结合部122重叠。
第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为彼此隔开。第一开口TH1和第二开口TH2可以布置为在发光器件120的下表面下面彼此隔开。
根据实施例，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以设置为大于第一结合部121的宽度。另外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以是设置为大于第二结合部122的尺寸。
根据实施例的发光器件封装可以包括第一导体221和第二导体222。此外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以布置为与第二导电层322隔开。
第一导体221可以布置在第一结合部121下面。第一导体221可以电连接到第一结合部121。第一导体221可以被布置为在第一方向中与第一结合部121重叠。
第一导体221可以设置在第一开口TH1处。第一导体221可以布置在第一结合部121和第一导电层321之间。第一导体221可以电连接到第一结合部121和第一导电层321。
第一导体221的下表面可以布置为低于第一开口TH1的上表面。第一导体221的下表面可以布置为低于第一导电层321的上表面。
第一导体221可以布置在第一开口TH1上。另外，第一导体221可以布置为从第一结合部121延伸到第一开口TH1的内部。
另外，第二导体222可以布置在第二结合部122下面。第二导体222可以电连接到第二结合部122。第二导体222可以布置为在第一方向中与第二结合部重叠122。
第二导体222可以设置在第二开口TH2处。第二导体222可以布置在第二结合部122和第二导电层322之间。第二导体222可以电连接到第二结合部122和第二导电层322。
第二导体222的下表面可以布置为低于第二开口TH2的上表面。第二导体222的下表面可以布置为低于第二导电层322的上表面。
第二导体222可以布置在第二开口TH2上。另外，第二导体222可以布置为从第二结合部122延伸到第二开口TH2的内部。
根据实施例，第一导电层321可以布置在第一导体221的下表面和侧表面上。第一导电层321可以布置为与第一导体221的下表面和侧表面直接接触。
第一导电层321可以设置在第一开口TH1处。第一导电层321可以布置在第一结合部121下面。第一导电层321的宽度可以设置为大于第一结合部121的宽度。
如上所述，根据实施例的发光器件封装，第一导电层321和第一结合部121之间的电连接可以由第一导体221更稳定地提供。
另外，根据实施例，第二导电层322可以布置在第二导体222的下表面和侧表面处。第二导电层322可以布置为与第二导体222的下表面和侧表面直接接触。
第二导电层322可以设置在第二开口TH2处。第二导电层322可以布置在第二结合部122下面。第二导电层322的宽度可以设置为大于第二结合部122的宽度。
如上所述，根据实施例的发光器件封装，第二导体222可以更稳定地提供第二导电层322和第二结合部122之间的电连接。
作为示例，第一导体221和第二导体222可以分别经由单独的结合材料稳定地结合到第一结合部121和第二结合部122。另外，第一导体221和第二导体222的侧表面和下表面可以分别与第一导电层321和第二导电层322接触。
因此，与其中第一和第二导电层321和322分别被直接地接触第一和第二结合部121和122的情况相比较，其中第一和第二导电层321和322分别接触第一和第二导体221和222的面积可以被进一步增加。
因此，可以经由第一导体221和第二导体222从第一导电层321和第二导电层322到第一结合部121和第二结合部122稳定地提供电力。
第一导电层321和第二导电层322可以包括选自由Ag、Au和Pt、Sn、Cu等或其合金组成的组中的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且能够确保导电功能的材料可以被用于第一导电层321和第二导电层322。
作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以通过使用导电膏形成。导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由由不同材料组成的多层或者由其合金组成的多层或者单层组成。作为示例，第一导电层321和第二导电层322可以包括SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括凹部R。
粘合剂130可以布置在凹部R处。粘合剂130可以布置在发光器件120和主体113之间。粘合剂130可以布置在第一粘合部121和反射器117之间。粘合剂130可以布置在第二粘合部122和反射器117之间。例如，可以将粘合剂130布置为与第一结合部121的侧表面和第二结合部122的侧表面接触。
粘合剂130可以在发光器件120和主体113之间提供稳定的固定力。作为示例，粘合剂130可以布置成与主体113的上表面直接接触。另外，粘合剂130可以布置为与发光器件120的下表面直接接触。
作为示例，粘合剂130可以包括环氧基材料、硅酮基材料和包含环氧基材料和硅酮基材料的混合材料中的至少一种。另外，粘合剂130可以反射从发光器件120发射的光。当粘合剂130包括反射功能时，粘合剂130可以包括白色硅酮。当粘合剂130包括反射功能时，粘合剂130可以由包括例如TiO2、硅酮等的材料形成。
根据实施例，凹部R的深度可以设置为小于第一开口TH1的深度或第二开口TH2的深度。
可以考虑粘合剂130的粘附力来确定凹部R的深度。此外，凹部R的深度可以通过考虑主体113的稳定强度以及/或者没有由于从发光器件120散发的热量而在发光器件封装1100中出现裂缝来被确定。
凹部R可以提供适当的空间，在该空间中可以在发光器件120的下部处执行一种下填充工艺。凹部R可以设置在第一深度或更大的深度上，使得粘合剂130可以充分地设置在发光器件120的下表面和主体113的上表面之间。另外，凹部R可以设置在第二深度或更小，以提供主体113的稳定强度。
凹部R的深度和宽度W3可能影响粘合剂130的形成位置和固定力。可以确定凹部R的深度和宽度W3，使得可以通过被布置在主体113和发光器件120之间的粘合剂130充分地提供固定力。
作为示例，凹部R的深度可以设置为几十微米。凹部R的深度可以设置为40至60微米。
此外，凹部R的宽度W3可以设置为几百微米。凹部R的宽度W3可以设置为140至160微米。作为示例，凹部R的宽度W3可以设置为150微米。
发光器件120的第一和第二结合部121和122可以通过设置在凹部R处的粘合剂130从外部密封。粘合剂130可以以闭环形状被设置在发光器件120的下面。
粘合剂130可以沿着凹部R的形状以闭环形状设置，如上面参考图16和图17所述。凹部R可以设置为具有矩形形状的闭环或具有圆形或椭圆形形状的闭环。
可以设置第一开口TH1的深度以对应于主体113的厚度。第一开口TH1的深度可以设置为能够保持主体113的稳定强度的厚度。
作为示例，第一开口TH1的深度可以设置为几百微米。第一开口TH1的深度可以设置为180至220微米。作为示例，第一开口TH1的深度可以设置为200微米。
作为示例，通过从第一开口TH1的深度减去凹部R的深度而获得的厚度可以选择为至少100微米或更大。这是考虑到能够提供主体113的无裂缝的注入工艺的厚度。
根据实施例，第一开口TH1的深度可以设置为凹部R的深度的两倍至十倍。作为示例，当第一开口TH1的深度设置为200微米时，凹部R的深度可以设置为20至100微米。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括模制部140。
模制部140可以设置在发光器件120上。模制部140可以布置在主体113上。模制部140可以布置在由反射器117提供的腔体C处。
模制部140可以包括绝缘材料。另外，模制部140可以包括波长转换部，该波长转换部被配置成是从发光器件120发射的入射光并且被配置成提供波长转换的光。作为示例，模制部140可以包括荧光体、量子点等。
另外，根据实施例的发光器件封装可以包括第一下凹部R11和第二下凹部R12。第一下凹部R11和第二下凹部R12可以布置为彼此隔开。
第一下凹部R11可以设置在第一框架111的下表面处。第一下凹部R11可以设置成在从第一框架111的下表面到上表面的方向中凹入。下凹部R11可以布置为与第一开口TH1隔开。
第一下凹部R11可以设置为具有几微米到几十微米的宽度。树脂部分可以设置在第一下凹部R11处。填充在第一下凹部R11中的树脂部分可以设置为具有例如与主体113相同的材料。
然而，本发明不限于此，并且树脂部分可以设置为具有选自与第一和第二导电层321和322具有差的粘附力和润湿性的材料的材料。可替选地，树脂部分可以被设置以从相对于第一和第二导电层321和322具有低表面张力的材料中选择。
作为示例，填充在第一下凹部R11中的树脂部分可以在通过注入工艺等形成第一框架111、第二框架112和主体113的工艺中提供。
填充在第一下凹部R11中的树脂部分可以布置在设置第一开口TH1的第一框架111的下表面区域的周边处。设置第一开口TH1的第一框架111的下表面可以布置以一种岛的形状与形成在第一框架111的周边中的第一框架111的下表面分离。
因此，当树脂部分被布置成具有与第一和第二导电层321和322具有差的粘附力和差的润湿性的材料或者在树脂部分和第一和第二导电层321和322之间具有低的表面张力的材料时，可以防止设置在第一开口TH1处的第一导电层321与第一开口TH1分离以及在填充在第一下凹部R11或主体113中的树脂部分上扩散。
这是基于第一导电层321与树脂部分和主体113之间的粘附关系或树脂部分与第一导电层321和第二导电层322之间的润湿性和表面张力等不好的事实。也就是说，可以选择构成第一导电层321的材料以具有与第一框架111的良好粘附特性。此外，可以选择构成第一导电层321的材料以与树脂部分和主体113具有差的粘附特性。
因此，因为第一导电层321从第一开口TH1朝向设置有树脂或主体113的区域溢出，所以防止溢出或延伸到在其中设置树脂或者主体113的区域的外部，使得第一导电层321可以稳定地布置在其中第一开口TH1被设置的区域处。
当布置在第一开口TH1处的第一导电层321溢出时，可以防止第一导电层321延伸到其中设置树脂部分或主体113的第一下凹部R11的区域的外部。另外，第一导电层321可以稳定地连接到第一开口TH1中的第一结合部121的下表面。
因此，当发光器件封装安装在电路板上时，可以防止第一导电层321和第二导电层322彼此接触并且短路的问题，并且在布置第一导电层321和第二导电层322的工艺中，很容易控制第一导电层321和第二导电层322的量。
另外，第二下凹部R12可以设置在第二框架112的下表面处。第二下凹部R12可以设置成从第二框架112的下表面在上表面方向中凹入。第二下凹部R12可以布置为与第二开口TH2隔开。
第二下凹部R12可以设置为具有几微米到几十微米的宽度。树脂部分可以设置在第二下凹部R12处。填充在第二下凹部R12中的树脂部分可以设置为具有例如与主体113相同的材料。
然而，本发明不限于此，并且树脂部分可以设置为具有选自与第一和第二导电层321和322具有差的粘附力和润湿性的材料的材料。可替选地，树脂部分可以被设置以从相对于第一和第二导电层321和322具有低表面张力的材料中选择。
作为示例，填充在第二下凹部R12中的树脂部分可以在通过注入工艺等形成第一框架111、第二框架112和主体113的工艺中提供。
填充在第二下凹部R12中的树脂部分可以布置在设置第二开口TH2的第二框架112的下表面区域的周边处。设置第二开口TH2的第二框架112的下表面可以布置成以一种岛的形状与形成在第二框架112的周边的第二框架112的下表面分离。
因此，当树脂部分被布置成具有与第一和第二导电层321和322具有差的粘附力和差的润湿性的材料或者在树脂部分与第一和第二导电层之间具有低表面张力的材料时，可以防止设置在第二开口TH2处的第二导电层322与第二开口TH2分离以及在填充在第二下凹部R12或主体113中的树脂部分上扩散。
这是基于第二导电层322与树脂部分和主体113之间的粘附关系或树脂部分与第一和第二导电层321和322之间的润湿性和表面张力等不好的事实。也就是说，可以选择构成第二导电层322的材料以与第二框架112具有良好的粘附特性。此外，可以选择构成第二导电层322的材料以与树脂部分和主体113具有差的粘附特性。
因此，由于第二导电层322从第二开口TH2朝向设置有树脂或主体113的区域溢出，所以防止溢出或延伸到其中树脂部分或主体113被设置的区域的外部，使得第二导电层322可以被稳定地设置在其中第二开口TH2被设置的区域处。
因此，当布置在第二开口TH2处的第二导电层322溢出时，可以防止第二导电层322延伸到其中设置树脂部分或者主体113的第二下凹部R12的区域的外部。另外，第二导电层322可以稳定地连接到第二开口TH2中的第二结合部122的下表面。
因此，当发光器件封装安装在电路板上时，可以防止第一导电层321和第二导电层322彼此接触并且短路的问题，并且在布置第一导电层321和第二导电层322的工艺中，很容易控制第一导电层321和第二导电层322的量。
同时，在形成第一开口TH1和第二开口TH2的工艺中，图36中所示的发光器件封装示出分别在第一和第二框架111和112的上表面和下表面的方向中执行蚀刻的情况。
当每个蚀刻工艺在第一框架111和第二框架112的上表面和下表面的方向中前进时，第一开口TH1和第二开口TH2的形状可以被设置为一种雪人形状。
第一开口TH1和第二开口TH2的宽度可以从下部区域朝向中间区域逐渐增加，并且然后再次减小。此外，宽度可以从宽度减小的中间区域再次朝向上部区域逐渐增加，并且然后再次减小。
第一开口TH1和第二开口TH2可以包括布置在第一框架111和第二框架112中的每一个的上表面上的第一区域，以及布置在第一框架111和第二框架112中的每一个的下表面上的第二区域。第一区域的上表面的宽度可以设置为小于第二区域的下表面的宽度。
另外，第一开口TH1的下部区域的宽度可以设置为宽于第一开口TH1的上部区域的宽度。第一开口TH1可以包括以预定宽度在上部区域处设置有预定深度的第一区域和设置为朝向下部区域的倾斜形状的第二区域。另外，第一区域和第二区域可以形成为圆形形状，其中侧表面具有曲率，并且第一区域的上表面的宽度可以窄于第二区域的宽度。第一区域和第二区域彼此接触的部分可以具有弯曲部分。
此外，根据实施例，完成用于形成第一开口TH1和第二开口TH2的蚀刻工艺，并且然后可以执行第一框架111和第二框架112的涂镀工艺(plating process)。因此，第一和第二镀层111a和112a可以分别形成在第一和第二框架111和112的表面上。
第一和第二镀层111a和112a可以分别设置在第一和第二框架111和112的上表面和下表面上。此外，第一和第二镀层111a和112a可以设置在与第一和第二开口TH1和TH2接触的边界区域中。
作为示例，可以设置第一和第二框架111和112以具有Cu层作为基础支撑构件。另外，第一和第二镀层111a和112a可以包括Ni层、Ag层等中的至少一种。
当第一和第二镀层111a和112a包括Ni层时，因为相对于Ni层的热膨胀的变化小，即使当通过热膨胀改变封装主体的尺寸或布置位置时，布置在上部区域处的发光器件的位置可以通过Ni层稳定地固定。当第一和第二镀层111a和112a包括Ag层时，Ag层可以有效地反射从布置在上部处的发光器件发射的光，并且可以提高光强度。
根据实施例，当发光器件120的第一和第二结合部121和122的尺寸可以设置得小以提高光提取效率时，第一开口TH1的上部区域的宽度可以被设置为大于第一结合部121的宽度。另外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置为大于或等于第二结合部122的宽度。
此外，第一开口TH1的上部区域的宽度W1可以设置为小于或等于第一开口TH1的下部区域的宽度w2。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置为小于或等于第二开口TH2的下部区域的宽度。
作为示例，第一开口TH1的上部区域的宽度可以设置为几十微米到几百微米。此外，第一开口TH1的下部区域的宽度可以设置为比第一开口TH1的上部区域的宽度大几十微米到几百微米。
另外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置为几十微米到几百微米。此外，第二开口TH2的下部区域的宽度可以设置为比第二开口TH2的上部区域的宽度大几十微米到几百微米。
另外，第一开口TH1的下部区域的宽度可以设置得比第一开口TH1的上部区域的宽度宽。第一开口TH1可以以预定的深度被设置以在上部区域中具有预定宽度，并且可以设置成朝向下部区域的倾斜形状。
另外，第二开口TH2的下部区域的宽度可以设置为宽于第二开口TH2的上部区域的宽度。第二开口TH2可以以预定的深度被设置为在上部区域中具有预定宽度，并且可以以朝向下部区域的倾斜形状设置。
例如，第一开口TH1可以以倾斜的形状设置，其中宽度从下部区域朝向上部区域逐渐减小。此外，第二开口TH2可以以倾斜的形状设置，其中宽度从下部区域朝向上部区域逐渐减小。
然而，本发明不限于此，并且第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域和下部区域之间的倾斜表面可以具有多个具有不同斜率的倾斜表面，并且倾斜表面可以被布置为具有曲率。
在根据实施例的发光器件封装中，当第一结合部121和第二结合部122的面积小时，第一结合部121和第二结合部122可以布置在第一开口TH1和第二开口TH1中。
此时，因为第一结合部121和第二结合部122的面积小，因此难以确保第一导电层321和第二导电层322与第一结合部121和第二结合部121之间的粘附力。因此，根据实施例的发光器件封装可以包括第一导体221和第二导体222，以进一步确保第一导电层321和第二导电层322与第一和第二结合部121和122接触的区域。
根据实施例，第一导电层321可以电连接到第一结合部121，并且第二导电层322可以电连接到第二结合部122。作为示例，外部电力可以被供应到第一导电层321和第二导电层322，并且因此，发光器件120可以被驱动。
同时，根据实施例的发光器件封装1100，设置在凹部R处的粘合剂130可以设置在发光器件120的下表面和封装主体110的上表面之间。当从发光器件120的向上方向观看时，粘合剂130可以以闭环形状设置在第一和第二结合部121和122的周边。此外，当从发光器件120的向上方向观看时，粘合剂130可以以闭环形状被设置在第一开口TH1和第二开口TH2的周边处。
粘合剂130可以执行将发光器件120稳定地固定在封装主体110中的功能。此外，粘合剂130可以被布置在与第一和第二结合部121和122的侧表面接触的第一和第二结合部121和122的周边处。当从发光器件120的向上方向观看时，粘合剂130可以被布置使得第一和第二开口TH1和TH2与其中设置模制部140的外部区域隔离。
粘合剂130可以防止设置在第一开口TH1和第二开口TH2处的第一导电层321和第二导电层322与凹部R的闭环分离以及在发光器件120的向外方向中流动。
当从发光器件120的向上方向观看时，在第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的向外方向中移动的情况下，沿着发光器件120的侧表面可以扩散第一和第二导电层321和322。如上所述，当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的侧表面中移动时，发光器件120的第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层可能被电短路。另外，如上所述，当第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的侧表面中移动时，发光器件120的光提取效率可能降低。
然而，根据实施例，因为基于其中通过粘合剂130设置凹部R的区域，内部和外部彼此隔离，所以能够防止第一和第二导电层321和322与其中凹部R被设置的区域分离以及在向外方向中移动。
因此，根据实施例的发光器件封装，可以防止第一导电层321和第二导电层322移动到发光器件120的侧表面，并且防止发光器件120没有被电短路，从而提高光提取效率。
根据本发明的实施例，设置在凹部R处的粘合剂130可以沿着发光器件120的下表面移动到位于发光器件120下面的第一区域A1，并且可以被布置为与第一和第二结合部121和122的四个侧表面接触。因此，第一和第二结合部121和122可以被布置为被粘合剂130围绕，并且第一和第二开口TH1和TH2可以通过粘合剂130被密封。
如上所述，因为第一和第二开口TH1和TH2可以通过粘合剂130密封，所以可以防止设置在第一开口TH1和第二开口TH2处的第一导电层321和第二导电层322在主体113的上表面上移动。
同时，当未充分设置粘合剂130的量时，位于发光器件120下面的第一区域A1可能未填充粘合剂130，并且其部分区域可以设置为空的空间。因此，第一导电层321和第二导电层322可以通过粘合剂130的空隙扩散并移动到第一区域A1的空的空间。
然而，在选择根据实施例的主体113的物理特性以及第一导电层321和第二导电层322的物理特性中，导体层321和322从主体113的上表面扩散的距离可以通过选择彼此具有差的粘附性的属性被限制。因此，因为可以控制第一导电层321和第二导电层322在主体113的上表面处移动的距离，所以可以防止第一区域A1中的第一导电层321和第二导电层322电短路。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为10％或更小。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为10％或更小，以便于确保从发光器件发射的发光面积并且增加光提取效率。
另外，根据实施例，基于衬底124的上表面的面积，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以设置为0.7％或更大。按照根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二结合部121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，以便于对要被安装的发光器件提供稳定结合力。
根据实施例的发光器件封装，基于衬底124的上表面的面积，第一和第二结合部121和122的面积之和可以设置为0.7％或更大，使得能够稳定地排列第一导体221和第二导体222。
如上所述，因为第一结合部121和第二结合部122的面积设置为小，所以可以增加透射到发光器件120的下表面的光量。另外，可以在发光器件120下面提供具有良好反射特性和散热特性的粘合剂130。因此，在发光器件120的下面发射的光在粘合剂130处被反射，并且朝着发光器件封装的向上方向被有效地发射，并且因此可以提高光提取效率。
同时，根据上述实施例的发光器件封装可以被供应并且被安装在子基板、电路板等等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子基板、电路板等上时，可以应用诸如回流的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装中的发光器件之间的结合区域中发生再熔化现象，使得可能削弱电连接和物理耦合的稳定性。
然而，按照根据实施例的发光器件封装和发光器件封装的制造方法，根据实施例的发光器件的结合部可以通过布置在开口中的导电层提供有驱动功率。另外，可以选择布置在开口中的导电层的熔点，以使其具有比一般结合材料更高的值。
因此，因为即使当通过回流工艺将发光器件封装100结合到主衬底时，根据实施例的发光器件封装也不会引起再熔化现象，所以电连接和物理结合力可能不会劣化。
另外，根据实施例的发光器件封装和发光器件封装的制造方法，封装主体110在发光器件的制造工艺中不需要暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止封装主体110由于暴露于高温而损坏或变色。
因此，可以扩宽形成主体113的材料的选择范围。根据实施例，可以通过不仅使用诸如陶瓷的昂贵材料而且使用相对便宜的树脂材料设置主体113。
例如，主体113可以包括选自由聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚亚环己基二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模制化合物(EMC)树脂和硅酮模制化合物(SMC)树脂组成的组中的至少一种材料。
接下来，将参考图37描述根据本发明的实施例的发光器件封装。
在参考图37描述根据本发明的实施例的发光器件封装中，可以省略与参考图1至图36描述的内容重叠的描述。
与参考图36描述的半导体器件封装相比，根据实施例的半导体器件封装，如图37中所示，可以进一步包括上凹部R10。
上凹部R10可以设置在主体113的上表面处。上凹部R10可以设置在位于发光器件120的下表面下面的第一区域A1处。可以提供上凹部R10从主体113的上表面朝向其下表面在第一方向中凹入。
凹部R10可以布置在发光器件120下面，并且可以设置在第一结合部121和第二结合部122之间。上凹部R10可以设置为在发光器件120的副轴方向中在发光器件120下面延伸。
如参考图36所述，当设置到凹部R的粘合剂130的量不足时，位于发光器件120下面的第一区域A1可能未填充粘合剂130，并且其部分区域可以设置为空的空间。因此，第一导电层321和第二导电层322可以通过粘合剂130的空隙扩散并移动到第一区域A1的空的空间。
然而，在选择根据实施例的主体113的物理特性以及第一导电层321和第二导电层322的物理特性中，通过选择彼此具有差的粘附性的属性可以限制导电层321和322从主体113的上表面扩散的距离。因此，因为可以控制第一导电层321和第二导电层322在主体113的上表面处移动的距离，所以可以防止第一区域A1中的第一导电层321和第二导电层322电短路。
另外，当根据实施例的发光器件封装包括上凹部R10时，上凹部R10可以提供进一步限制在第一区域A1中第一和第二导电层321和322的扩散和移动的功能。
当设置上凹部R10时，即使当第一导电层321和第二导电层322的一部分扩散到主体113的上部时在上凹部R10中也产生一种陷阱效应，限制第一导电层321和第二导电层322的流动。发生下述现象：通过第一开口TH1扩散的第一导电层321可能不从上凹部R10的凹陷区域的边界表面在上凹部R10的向下方向移动。另外，发生下述现象：通过第二开口TH2扩散的第二导电层322可能不从上凹部R10的凹陷区域的边界表面在上凹部R10的向下方向移动。这被解释为由于表面张力等的影响，第一导电层321和第二导电层322的流动被限制在上凹部R10的凹陷区域的边界表面处。
因此，因为可以稳定且可靠地控制第一导电层321和第二导电层322在主体113的上表面处移动的距离，所以可以防止第一导电层321和第二导电层322在第一区域A1中被电短路。
同时，在参考图36描述的发光器件封装中，当从发光器件120的向上方向观看时，基于发光器件120被设置为大于由凹部R的外边界表面形成的区域的情况来描述。
然而，在根据另一实施例的发光器件封装中，类似于参考图26描述的发光器件封装，当从发光器件120的向上方向观看时，发光器件120的外侧表面可以设置为与凹部R重叠。
如上所述，发光器件120的外表面可以布置在凹部R的区域上，使得发光器件120的下表面和主体113的上表面可以固定并且由设置在凹部R中的粘合剂130密封。
同时，在根据上述实施例的发光器件封装中，当粘合剂层130设置为与发光器件120的侧表面相邻时，粘合剂层130可以沿着发光器件120的侧表面扩散到部分区域。
此外，尽管基于形成在封装主体处的凹部R设置为闭环的情况描述根据上述实施例的发光器件封装，但是凹部R可以不必形成为闭环。在凹部R设置成彼此隔开预定距离而不形成闭合环的形状的情况下，当凹部R隔开小距离使得设置在凹部R中的粘合剂层彼此连接时，发光器件和封装主体可以通过粘合剂稳定地密封，并且因此能够充分实现期望的效果。此外，因为粘合剂具有扩散性，所以布置在彼此隔开的凹部R处的粘合剂层可以从发光器件的下表面和封装主体的上表面扩散，并且因此在发光器件的下表面和封装主体的上表面之间的空间能够被有效地密封。
同时，作为示例，可以在上述发光器件封装中提供倒装芯片发光器件。
作为示例，倒装芯片发光器件可以被设置为在六个表面方向中发光的透射型倒装芯片发光器件，或者可以被设置为在五个表面方向中发射光的反射型倒装芯片发光器件。
其中光在五个表面方向中发射的反射型倒装芯片发光器件可以具有其中反射层在靠近封装主体110的方向中被布置的结构。例如，反射型倒装芯片发光器件可以在第一和第二结合部和发光结构之间包括绝缘反射层(例如，分布式布拉格反射器、全向反射器等)和/或导电型反射层(例如，Ag、Al、Ni、Au等)。
此外，倒装芯片发光器件可以包括电连接到第一导电类型半导体层的第一结合部、以及电连接到第二导电类型半导体层的第二结合部，并且可以作为一般水平发光器件被设置，其中在第一结合部和第二结合部之间发射光。
此外，其中光在六个表面方向中发射的倒装芯片发光器件可以被设置为包括其中反射层布置在第一和第二结合部之间的反射区域和发射光的透射区域的透射型倒装芯片发光器件。
这里，透射型倒装芯片发光器件意指将光发射到上表面、四个侧表面和下表面的六个表面的器件。另外，反射型倒装芯片发光器件意指向上表面和四个侧表面发射光的器件。
同时，根据实施例的发光器件封装，如上面参考图1至图37所述，可以应用于光源装置。
此外，光源装置可以包括基于工业领域的显示装置、照明装置、前照灯等。
作为光源装置的示例，显示装置包括底盖、设置在底盖上的反射板、发射光并包括发光器件的发光模块、布置在反射板的前面并且引导从发光模块发射的光的导光板、包括被布置在导光板前面的棱镜片的光学片、布置在光学片前面的显示面板、连接到显示面板并且将图像信号供应给显示面板的图像信号输出电路、以及布置在显示面板前面的滤色器。这里，底盖、反射板、发光模块、导光板和光学片可以形成背光单元。另外，显示装置可以具有布置每个发射红色、绿色和蓝色光的发光器件而不包括滤色器的结构。
作为光源装置的另一示例，前照灯可以包括发光模块，该发光模块包括布置在衬底上的发光器件封装、用于例如在向前方向中的预定方向中反射从发光模块发射的光的反射器、用于向前折射光的透镜和用于阻挡或反射由反射器反射并被直射到透镜的光的一部分以形成设计者所希望的光分布图案的遮光物。
作为另一光源装置的照明装置可以包括盖、光源模块、散热器、电源、内壳和插座。另外，根据实施例的光源装置还可以包括构件和保持器中的至少一个。光源模块可以包括根据实施例的发光器件封装。
在上面的实施例中描述的特征、结构、效果等包括在至少一个实施例中，并且不仅限于一个实施例。此外，关于实施例中描述的特征、结构、效果等，可以通过本领域中普通技术人员的组合或修改来实现其他实施例。因此，与组合和修改相关的内容应被解释为包括在实施例的范围内。
尽管已经在前述说明书中提出并阐述优选的实施例，但是本发明不应该被解释为限于此。对于本领域的普通技术人员来说，将会显而易见的是，在没有脱离本发明的实施例的固有特征的情况下在范围内未被图示的各种变形和修改是可用的。例如，可以通过修改来执行实施例中具体示出的每个组件。另外，显而易见的是，与修改和变形相关的差异被包括在本发明的所附权利要求中设置的实施例的范围内。

Claims (10)

1.一种发光器件封装，包括：
封装主体；
发光器件，所述发光器件被布置在所述封装主体上；以及
粘合剂，所述粘合剂被布置在所述封装主体和所述发光器件之间，
其中，所述封装主体包括：第一开口和第二开口，所述第一开口和所述第二开口在所述封装主体的上表面上穿过所述封装主体；和凹部，所述凹部被设置为从所述封装主体的上表面在所述封装主体的下表面的方向中凹入，
其中，所述发光器件包括第一结合部和第二结合部，所述第一结合部被布置在所述第一开口上，所述第二结合部被布置在所述第二开口上，以及
其中，所述粘合剂被设置在所述凹部处。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述凹部以闭环形状被设置在所述第一和第二开口的周边处。
3.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中，当从所述发光器件的向上方向观看时，所述发光器件的尺寸被设置为大于由所述凹部设置的所述闭环的内部面积。
4.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中，当从所述发光器件的向上方向观看时，由所述凹部设置的所述闭环被布置在连接所述发光器件的四个侧表面的轮廓中。
5.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中，连接所述发光器件的四个侧表面的轮廓被设置为当从所述发光器件的向上方向观看时重叠在所述凹部上。
6.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述封装主体包括第一框架、第二框架和在所述第一框架和所述第二框架之间布置的主体，
其中，所述第一开口被设置在所述第一框架处，并且所述第二开口被设置在所述第二框架处，以及
其中，所述凹部被设置成与所述第一框架的上表面、所述主体的上表面和所述第二框架的上表面连接。
7.根据权利要求1所述的发光器件封装，还包括：
上凹部，所述上凹部被设置为从所述封装主体的上表面在所述封装主体的下表面的方向中凹入，
其中，所述上凹部被设置在所述第一开口和所述第二开口之间。
8.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述粘合剂被布置在所述第一结合部和所述第二结合部的周边处。
9.根据权利要求1所述的发光器件封装，包括：
第一导电层，所述第一导电层被布置在所述第一开口处并且被电连接到所述第一结合部；以及
第二导电层，所述第二导电层被布置在所述第二开口处并且被电连接到所述第二结合部。
10.根据权利要求9所述的发光器件封装，包括：
第一导体，所述第一导体被布置在所述第一结合部和所述第一导电层之间；以及
第二导体，所述第二导体被布置在所述第二结合部和所述第二导电层之间。
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