DE102018125138A1 - Strahlungsemittierendes bauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauteils - Google Patents

Strahlungsemittierendes bauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauteils Download PDF

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Abstract

Es wird ein strahlungsemittierendes Bauteil (1) angegeben mit:- einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), der eine Deckfläche (3) und zumindest eine Seitenfläche (4) aufweist,- einem ersten Konversionselement (5), und- einem zweiten Konversionselement (6), wobei- das erste Konversionselement (5) auf der Deckfläche des Halbleiterchips (3) angeordnet ist,- das zweite Konversionselement (6) auf der zumindest einen Seitenfläche des Halbleiterchips (4) angeordnet ist, und- das zweite Konversionselement (6) eine Bodenfläche des ersten Konversionselements (5) in vertikaler Richtung nicht überragt.Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen strahlungsemittierenden Bauteils (1) angegeben.

Description

  • Es wird ein strahlungsemittierendes Bauteil angegeben. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauteils angegeben.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein strahlungsemittierendes Bauteil anzugeben, das eine besonders gute Effizienz aufweist. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines solchen strahlungsemittierenden Bauteils anzugeben.
  • Diese Aufgaben werden durch ein strahlungsemittierendes Bauteil mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 und durch ein Verfahren mit den Schritten des Patentanspruchs 14 gelöst.
  • Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des strahlungsemittierenden Bauteils und des Verfahrens sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Es wird ein strahlungsemittierendes Bauteil angegeben. Bei dem strahlungsemittierenden Bauteil handelt es sich bevorzugt um ein Bauteil, das im Betrieb elektromagnetische Strahlung, insbesondere sichtbares Licht, emittiert. Zum Beispiel handelt es sich bei dem strahlungsemittierenden Bauteil um eine Leuchtdiode.
  • Das strahlungsemittierende Bauteil weist eine Haupterstreckungsebene auf. Eine laterale Richtung ist hierbei parallel zur Haupterstreckungsebene ausgerichtet und die vertikale Richtung ist senkrecht zur Haupterstreckungsebene ausgerichtet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das strahlungsemittierende Bauteil einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip, der eine Deckfläche und zumindest eine Seitenfläche aufweist. Die Deckfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips erstreckt sich bevorzugt in lateraler Richtung und liegt einer Bodenfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips gegen. Die Deckfläche und die Bodenfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips sind durch zumindest eine Seitenfläche verbunden.
  • Der strahlungsemittierende Halbleiterchip ist bevorzugt zur Erzeugung von elektromagnetischer Primärstrahlung ausgebildet. Bei dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip kann es sich um einen Volumenemitter handeln. Ein volumenemittierender, strahlungsemittierender Halbleiterchip weist beispielsweise ein Substrat auf, auf dem ein Halbleiterkörper epitaktisch gewachsen oder aufgebracht ist. Das Substrat kann eines der folgenden Materialien aufweisen oder aus einem der folgenden Materialien bestehen: Saphir, Siliziumcarbid, Galliumnitrid, Glas. Volumenemittierende, strahlungsemittierende Halbleiterchips senden die elektromagnetische Primärstrahlung in der Regel nicht nur über die Deckfläche, sondern auch über die Seitenfläche aus. Beispielsweise treten beim volumenemittierenden, strahlungsemittierenden Halbleiterchip wenigstens 30 % der emittierten Primärstrahlung durch die Seitenfläche aus.
  • Der Halbleiterkörper des strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist zur Erzeugung der elektromagnetischen Primärstrahlung ausgebildet. Der Halbleiterkörper umfasst bevorzugt einen aktiven Bereich, der eine Quantentopfstruktur oder eine Mehrfachquantentopfstruktur umfassen kann. Der aktive Bereich ist dazu ausgebildet, die elektromagnetische Primärstrahlung zu erzeugen.
  • Bei dem Halbleiterkörper handelt es sich beispielsweise um einen epitaktisch gewachsenen Halbleiterkörper. Der Halbleiterkörper kann auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial basieren oder aus einem solchen bestehen. Bei dem III/V-Verbindungshalbleitermaterial kann es sich um ein Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial handeln. Nitrid-Verbindungshalbleitermaterialien sind Verbindungshalbleitermaterialien, die Stickstoff enthalten, wie die Materialien aus dem System InxAlyGa1-x-yN mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x+y ≤ 1. Insbesondere sind epitaktisch gewachsenen Halbleiterkörper mit aktiven Bereichen, die auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basieren, in der Regel dazu geeignet, Licht aus dem ultravioletten bis blauen Spektralbereich als elektromagnetische Primärstrahlung zu erzeugen. Außerdem können Halbleiterkörper, die auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basieren, auf einem Substrat, das Saphir, Siliziumcarbid oder Galliumnitrid aufweist, epitaktisch gewachsen werden. Diese Materialien sind in der Regel durchlässig für blaue oder ultraviolette Primärstrahlung, die in dem aktiven Bereich erzeugt wird.
  • Bei dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip handelt es sich beispielsweise um einen Flip-Chip. Der Flip-Chip weist bevorzugt zwei Chipkontaktflächen an der Bodenfläche auf. Alternativ ist es möglich, dass auch die Deckfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips mittels mindestens einer Drahtverbindung elektrisch leitend kontaktiert ist, beispielsweise bei einem volumenemittierenden Halbleiterchip, der ein Saphirsubstrat aufweist.
  • Weiterhin ist es möglich, dass das strahlungsemittierende Bauteil zumindest zwei strahlungsemittierende Halbleiterchips umfasst, wobei es sich bevorzugt jeweils um einen Volumenemitter handeln kann. Die zwei strahlungsemittierenden Halbleiterchips sind in diesem Fall bevorzugt beabstandet zueinander angeordnet, bevorzugt in lateraler Richtung.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das strahlungsemittierende Bauteil ein erstes Konversionselement. Das erste Konversionselement umfasst bevorzugt ein erstes Matrixmaterial, in das erste Leuchtstoffpartikel eingebracht sind. Die ersten Leuchtstoffpartikel sind bevorzugt dazu ausgebildet, die elektromagnetische Primärstrahlung in elektromagnetische erste Sekundärstrahlung zu konvertieren. Beispielsweise handelt es sich bei der Primärstrahlung um ultraviolettes bis blaues Licht. Weiterhin handelt es sich bei der ersten Sekundärstrahlung beispielsweise um gelb bis grünes Licht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das strahlungsemittierende Bauteil ein zweites Konversionselement. Das zweite Konversionselement umfasst bevorzugt ein zweites Matrixmaterial, in das zweite Leuchtstoffpartikel eingebracht sind. Die zweiten Leuchtstoffpartikel sind dazu ausgebildet, die elektromagnetische Primärstrahlung in elektromagnetische zweite Sekundärstrahlung zu konvertieren. Beispielsweise handelt es sich bei der zweiten Sekundärstrahlung um rotes Licht.
  • Bei dem ersten Matrixmaterial und/oder dem zweiten Matrixmaterial kann es sich um ein Harz, etwa um ein Epoxid oder um ein Silikon oder um eine Mischung dieser Materialien, oder um ein keramisches Material handeln. Das erste Matrixmaterial und das zweite Matrixmaterial sind bevorzugt aus dem gleichen Material gebildet. Alternativ können das erste Matrixmaterial und das zweite Matrixmaterial voneinander unterschiedlich sein.
  • Für die ersten Leuchtstoffpartikel und/oder die zweiten Leuchtstoffpartikel kann jeweils eines der folgenden Materialien geeignet sein: mit seltenen Erden dotierte Granate, mit seltenen Erden dotierte Erdalkalisulfide, mit seltenen Erden dotierte Thiogallate, mit seltenen Erden dotierte Aluminate, mit seltenen Erden dotierte Silikate, mit seltenen Erden dotierte Orthosilikate, mit seltenen Erden dotierte Chlorosilikate, mit seltenen Erden dotierte Erdalkalisiliziumnitride, mit seltenen Erden dotierte Oxynitride, mit seltenen Erden dotierte Aluminiumoxinitride, mit seltenen Erden dotierte Siliziumnitride, mit seltenen Erden dotierte Sialone, Quantum dots. Diese Materialien können auch ohne das erste Matrixmaterial und/oder das zweite Matrixmaterial Verwendung finden. Das erste Konversionselement und/oder das zweite Konversionselement können/kann dann aus einem der Materialien bestehen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das erste Konversionselement auf der Deckfläche des Halbleiterchips angeordnet. Bevorzugt steht das erste Konversionselement in direktem Kontakt mit dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip. Weiterhin überragt das erste Konversionselement den strahlungsemittierenden Halbleiterchip in lateraler Richtung bevorzugt nicht. Besonders bevorzugt überdeckt das erste Konversionselement die Deckfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips vollständig.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das zweite Konversionselement auf der zumindest einen Seitenfläche des Halbleiterchips angeordnet. Die Deckfläche des Halbleiterchips ist bevorzugt frei von dem ersten Konversionselement. Das zweite Konversionselement steht bevorzugt in direktem Kontakt mit der Seitenfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips. Weiterhin überragt das zweite Konversionselement den strahlungsemittierenden Halbleiterchip in vertikaler Richtung bevorzugt nicht. Besonders bevorzugt überdeckt das zweite Konversionselement die Seitenfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips vollständig.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform überragt das zweite Konversionselement eine Bodenfläche des ersten Konversionselements in vertikaler Richtung nicht. Die Bodenfläche des zweiten Konversionselements ist dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip zugewandt. Das erste Konversionselement schließt damit bevorzugt mit der Deckfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips in vertikaler Richtung bündig ab. Das zweite Konversionselement überdeckt das erste Konversionselement damit bevorzugt nicht.
  • Durch die Anordnung des ersten Konversionselements auf der Deckfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips und die Anordnung des zweiten Konversionselements auf der Seitenfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips stehen das erste Konversionselement und das zweite Konversionselement bevorzugt nicht in direktem Kontakt. Durch herstellungsbedingte Toleranzen kann es jedoch möglich sein, dass das erste Konversionselement mit dem zweiten Konversionselement in einem vergleichsweise kleinen Bereich, wo die Deckfläche des Halbleiterchips und die zumindest eine Seitenfläche des Halbleiterchips in Kontakt stehen, in direktem Kontakt steht.
  • Eine Idee des hier beschriebenen strahlungsemittierenden Bauteils ist unter anderem, das erste Konversionsmaterial lediglich auf der Deckfläche anzuordnen und das zweite Konversionsmaterial lediglich auf der Seitenfläche des Halbleiterchips. Durch solch eine Anordnung ist eine Reabsorption von bereits konvertierter Primärstrahlung vorteilhafterweise unterbunden. Durch die Reduzierung der Reabsorption bereits konvertierter Primärstrahlung sind Absorptionsverluste reduziert und ein erhöhter Lichtstrom beziehungsweise eine erhöhte Lichtauskopplung von Strahlung aus dem strahlungsemittierenden Bauteil ist erzielbar. Das heißt, die Effizient des Bauteils ist vorteilhafterweise verbessert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das erste Konversionselement dazu ausgebildet, eine erste Sekundärstrahlung zu erzeugen. Das erste Konversionselement kann bevorzugt elektromagnetische Primärstrahlung in elektromagnetische erste Sekundärstrahlung eines anderen Wellenlängenbereichs umwandeln. Beispielsweise weist das erste Konversionselement hierzu erste Leuchtstoffpartikel auf, die elektromagnetische Primärstrahlung in elektromagnetische erste Sekundärstrahlung umwandeln.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das zweite Konversionselement dazu ausgebildet, eine zweite Sekundärstrahlung zu erzeugen. Das erste Konversionselement kann bevorzugt elektromagnetische Primärstrahlung in elektromagnetische zweite Sekundärstrahlung eines anderen Wellenlängenbereichs umwandeln. Beispielsweise weist das zweite Konversionselement hierzu zweite Leuchtstoffpartikel auf, die elektromagnetische Primärstrahlung in elektromagnetische zweite Sekundärstrahlung umwandeln.
  • Insbesondere können die erste Sekundärstrahlung und die zweite Sekundärstrahlung größere Wellenlängen als die Primärstrahlung umfassen. Beispielsweise handelt es sich bei der elektromagnetischen Primärstrahlung um blaues oder ultraviolettes Licht. Die elektromagnetische erste Sekundärstrahlung und die elektromagnetische zweite Sekundärstrahlung können beispielsweise jeweils grünes, gelbes oder rotes Licht sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die erste Sekundärstrahlung kürzere Wellenlängen als die zweite Sekundärstrahlung. Bevorzugt ist die erste Sekundärstrahlung eine gelbe Sekundärstrahlung und/oder eine grüne Sekundärstrahlung. Besonders bevorzugt konvertiert das erste Konversionselement die blaue Primärstrahlung teilweise in gelbe Sekundärstrahlung und/oder grüne Sekundärstrahlung. Eine Peakwellenlänge der gelben Sekundärstrahlung liegt bevorzugt zwischen einschließlich 570 Nanometer und einschließlich 600 Nanometer. Eine Peakwellenlänge der grünen Sekundärstrahlung liegt bevorzugt zwischen einschließlich 490 Nanometer und einschließlich 570 Nanometer.
  • Weiterhin ist die zweite Sekundärstrahlung bevorzugt eine rote Sekundärstrahlung. Besonders bevorzugt konvertiert das zweite Konversionselement die blaue Primärstrahlung teilweise in rote Sekundärstrahlung. Eine Peakwellenlänge der roten Sekundärstrahlung liegt bevorzugt zwischen einschließlich 600 Nanometer und einschließlich 780 Nanometer.
  • Erste Leuchtstoffpartikel, die blaue Primärstrahlung in zweite grün-gelbe Sekundärstrahlung umwandeln, weisen beispielsweise einen Granat-Leuchtstoff, der beispielsweise der chemischen Formel (Lu, Y)3(Al,Ga)5O12:Ce3+ gehorcht, auf. Insbesondere sind ein LuAG-Leuchtstoff mit der chemischen Formel Lu3Al5O12:Ce3+, ein LuAGaG-Leuchtstoff mit der chemischen Formel Lu3(Al,Ga)5O12:Ce3+, ein YAG-Leuchtstoff mit der chemischen Formel Y3Al5O12:Ce3+ oder ein YAGaG-Leuchtstoff mit der chemischen Formel Y3(Al,Ga)5O12:Ce3+ für erste Leuchtstoffpartikel geeignet, die blaues Licht in gelb-grünes Licht umwandeln.
  • Zweite Leuchtstoffpartikel, die blaue Primärstrahlung in zweite rote Sekundärstrahlung umwandeln, weisen beispielsweise einen Nitrid-Leuchtstoff auf. Bei dem Nitrid-Leuchtstoff kann es sich beispielsweise um ein Erdalkalisiliziumnitrid, ein Oxynitrid, ein Aluminiumoxinitrid, ein Siliziumnitrid oder ein Sialon handeln. Beispielsweise handelt es sich bei dem Nitrid-Leuchtstoff um (Ca,Sr,Ba)AlSiN3:Eu2+, (Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+ (SCASN), Sr(Ca,Sr)Al2Si2N6:Eu2+ oder M2Si5N8:Eu2+ mit M = Ca, Ba oder Sr alleine oder in Kombination.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das strahlungsemittierende Bauteil einen Träger. Der Träger enthält beispielsweise ein Kunststoffmaterial, wie ein Epoxid oder ein Silikon, oder ein Keramikmaterial oder besteht aus einem dieser Materialien. Weiterhin kann der Träger ein Metall umfassen. Der Träger ist oder umfasst beispielsweise eine Leiterplatte (englisch circuit board) oder einen Anschlussrahmen (englisch leadframe).
  • Der Träger ist beispielsweise Teil eines Gehäuses, das den Träger und zumindest eine Seitenwand umfasst. Die Seitenwand ist bevorzugt auf dem Träger angeordnet und bildet eine Kavität in dem Gehäuse. Weiterhin können die Seitenwand und der Träger bevorzugt einstückig miteinander ausgebildet sein. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip oder die zumindest zwei strahlungsemittierenden Halbleiterchips sind bevorzugt vollständig in der Kavität angeordnet. Das heißt, dass der strahlungsemittierende Halbleiterchip oder die zumindest zwei strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf einer Deckfläche des Trägers angeordnet sind und die Seitenwand des Gehäuses den Halbleiterchip oder die zumindest zwei Halbleiterchips in vertikaler Richtung überragt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Träger eine Ausnehmung auf. Bevorzugt durchdringt die Ausnehmung den Träger teilweise. Das heißt, im Bereich der Ausnehmung ist ein Material des Trägers lediglich bis zu einer bestimmten Tiefe entfernt. Eine Bodenfläche der Ausnehmung ist hierbei bevorzugt durch nicht entfernte Bereiche des Trägers gebildet. Besonders bevorzugt durchdringt die Ausnehmung den Träger an keiner Stelle.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der strahlungsemittierende Halbleiterchip auf dem Träger angeordnet. Der Träger umfasst weiterhin bevorzugt zumindest zwei Kontaktflächen, die beispielsweise ein Metall enthalten oder aus einem Metall bestehen. Die Chipkontaktflächen des strahlungsemittierenden Halbleiterchips können bevorzugt auf den zumindest zwei Kontaktflächen angeordnet sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Träger an einer dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip zugewandten Deckfläche eine reflektierende Beschichtung. Weiterhin weist die Beschichtung bevorzugt elektrisch leitende Eigenschaften auf. Besonders bevorzugt umfasst die reflektierende Beschichtung Silber oder ist aus Silber gebildet. Die reflektierende Beschichtung ist bevorzugt reflektierend für die vom strahlungsemittierenden Halbleiterchip emittierte Primärstrahlung, beispielsweise Licht aus dem blauen bis ultravioletten Spektralbereich, ausgebildet. Weiterhin kann die reflektierende Beschichtung reflektierend für die erste Sekundärstrahlung und die zweite Sekundärstrahlung ausgebildet sein. Die reflektierende Beschichtung weist für die vom strahlungsemittierenden Halbleiterchip erzeugte elektromagnetische Primärstrahlung bevorzugt eine Reflektivität von wenigstens 90 % auf. Weiterhin weist die reflektierende Beschichtung für die erste Sekundärstrahlung und die zweite Sekundärstrahlung bevorzugt eine Reflektivität von wenigstens 90 % auf.
  • Die reflektierende Beschichtung ist mit Vorteil dazu ausgebildet, die in Richtung Träger ausgesendete Primärstrahlung und/oder erste Sekundärstrahlung und/oder zweite Sekundärstrahlung zu einer Lichtauskoppelfläche des strahlungsemittierenden Bauteils zu lenken. Damit kann vorteilhafterweise eine erhöhte Lichtauskopplung und Effizienz des strahlungsemittierenden Bauteils erzielt werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umgibt die Ausnehmung einen ersten Bereich an der Deckfläche des Trägers. Die Ausnehmung umgibt den ersten Bereich bevorzugt vollständig in lateraler Richtung. Mit anderen Worten umschließt die Ausnehmung den ersten Bereich rahmenartig. Der Begriff „rahmenartig“ ist dabei hinsichtlich der Form und des Verlaufs der Ausnehmung nicht als einschränkend zu verstehen. Die Ausnehmung kann beispielsweise eine rechteckige, eine vieleckige, eine runde oder eine ovale Form aufweisen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der strahlungsemittierende Halbleiterchip mit dem ersten Konversionselement und dem zweiten Konversionselement im ersten Bereich auf dem Träger angeordnet. Die Ausnehmung ist bevorzugt derart ausgebildet, dass die Ausnehmung einen Montagebereich für den strahlungsemittierenden Halbleiterchip auf dem Träger umgeben. Besonders bevorzugt bildet der erste Bereich den Montagebereich.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Ausnehmung im Wesentlichen frei von einem Material des zweiten Konversionselements. „Im Wesentlichen frei“ heißt, dass herstellungsbedingt kleine Mengen des Materials des zweiten Konversionselements in der Ausnehmung angeordnet sein können. Insbesondere ist die Bodenfläche der Ausnehmung im Wesentlichen frei vom Material des zweiten Konversionselements. Weiterhin kann das Material des zweiten Konversionselements an den die Ausnehmung begrenzenden Seitenflächen der Ausnehmung vorhanden sein, die Ausnehmung ist jedoch nicht mit dem Material des zweiten Konversionselements gefüllt und damit zumindest stellenweise bevorzugt vollständig frei von dem Material des zweiten Konversionselements. Insbesondere bevorzugt ist höchstens 1 % des Volumens der Ausnehmung mit Material des zweiten Konversionselements befüllt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist auf einem zweiten Bereich einer Deckfläche des Trägers ein weiteres erstes Konversionselement angeordnet. Der zweite Bereich der Deckfläche des Trägers erstreckt sich von der Ausnehmung bis zu der Seitenwand des Gehäuses. Das weitere erste Konversionselement überdeckt die Deckfläche des Trägers im zweiten Bereich bevorzugt vollständig. Bevorzugt bedeckt das weitere erste Konversionselement eine dem Halbleiterchip zugewandte Seitenfläche der zumindest einen Seitenwand vollständig. Das weitere erste Konversionselement ist in diesem Fall bevorzugt mit dem ersten Matrixmaterial und den ersten Leuchtstoffpartikel gebildet. Demzufolge ist das weitere erste Konversionselement ebenfalls bevorzugt dazu ausgebildet, elektromagnetische Primärstrahlung in elektromagnetische erste Sekundärstrahlung zu konvertieren.
  • Alternativ kann das weitere erste Konversionselement die Deckfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips in vertikaler Richtung nicht überragen. Die dem Halbleiterchip zugewandte Seitenfläche der zumindest einen Seitenwand ist in diesem Fall teilweise bedeckt. Das weitere erste Konversionselement bedeckt die Seitenfläche der zumindest einen Seitenwand in diesem Fall bis zu einer Höhe, die nicht einer maximalen Ausdehnung der Seitenfläche in vertikaler Richtung entspricht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der zweite Bereich an der Seite der Ausnehmung angeordnet, die vom ersten Bereich abgewandt ist. Der zweite Bereich umgibt den ersten Bereich bevorzugt vollständig. Weiterhin ist der erste Bereich vom zweiten Bereich mittels der Ausnehmung bevorzugt beabstandet. Durch die Beabstandung steht das weitere erste Konversionselement bevorzugt nicht mit dem zweiten Konversionselement in direktem Kontakt. Weiterhin überlappen das weitere erste Konversionselement und das zweite Konversionselement in Draufsicht bevorzugt nicht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Ausnehmung im Wesentlichen frei von einem Material des weiteren ersten Konversionselements. Im Wesentlichen frei heißt, dass herstellungsbedingt kleine Mengen des Materials des weiteren ersten Konversionselements in der Ausnehmung angeordnet sein können. Insbesondere ist die Bodenfläche der Ausnehmung im Wesentlichen frei vom Material des weiteren ersten Konversionselements. Weiterhin kann das Material des weiteren ersten Konversionselements unter Umständen an den die Ausnehmung begrenzenden Seitenflächen der Ausnehmung vorhanden sein, die Ausnehmung ist jedoch nicht mit dem Material des weiteren ersten Konversionselements gefüllt und damit zumindest stellenweise bevorzugt vollständig frei von dem Material des weiteren ersten Konversionselements. Insbesondere bevorzugt ist höchstens 1 % des Volumens der Ausnehmung mit Material des weiteren ersten Konversionselements befüllt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das erste Konversionselement ein größeres Volumen auf als das zweite Konversionselement. Bevorzugt ist das zweite Konversionselement als vergleichsweise dünne Schicht ausgebildet. Die dünne Schicht weist beispielsweise eine Dicke zwischen einschließlich 10 Mikrometer und einschließlich 500 Mikrometer auf. Die Dicke der dünnen Schicht ist bevorzugt annähernd konstant ausgebildet, sodass das zweite Konversionselement im Querschnitt beispielsweise rechteckig geformt ist.
  • Weist das Bauteil beispielsweise die zumindest zwei strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf, die beabstandet zueinander angeordnet sind, kann das zweite Konversionselement zwischen benachbarten Halbleiterchips angeordnet sein. Eine Deckfläche des dazwischen angeordneten zweiten Konversionselements kann dabei plan ausgebildet sein, oder eine konkave oder konvexe Form aufweisen.
  • Alternativ kann eine Außenfläche des zweiten Konversionselements an einer der Seitenflächen des Halbleiterkörpers abgewandten Seite gekrümmt verlaufen. Weiterhin ist es möglich, dass eine Außenfläche des weiteren ersten Konversionselements an einer der Seitenflächen des Halbleiterkörpers zugewandten Seite gekrümmt verläuft. Eine Querschnittsfläche des zweiten Konversionselements und/oder des weiteren ersten Konversionselements vergrößert sich dabei durch die gekrümmte Form zu einer Oberseite des Bauteils hin bevorzugt. Hierbei ist das zweite Konversionselement und/oder das weitere erste Konversionselement beispielsweise konvex oder konkav geformt. Alternativ kann das zweite Konversionselement im Querschnitt beispielsweise dreieckig geformt sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform überlappt das erste Konversionselement in Draufsicht nicht mit dem zweiten Konversionselement. Weiterhin ist es möglich, dass das erste Konversionselement und das zweite Konversionselement in Draufsicht nicht überlappen. Weiterhin ist es möglich, dass sich das erste Konversionselement und das zweite Konversionselement in einer Seitenansicht nicht überlappen. Durch diese Anordnung kann die erzeugte elektromagnetische Primärstrahlung entweder durch die Deckfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips austreten und von dem ersten Konversionselement zu erster Sekundärstrahlung konvertiert werden oder durch die zumindest eine Seitenfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips austreten und mittels des zweiten Konversionselements zu zweiter Sekundärstrahlung konvertiert werden. Ein Großteil der konvertierten Strahlung, also der ersten Sekundärstrahlung und der zweiten Sekundärstrahlung, wird dann nicht noch einmal durch das jeweils andere Konversionselement geführt. Vorteilhafterweise ist eine Reabsorption des konvertierten Lichts damit reduziert. Mit Vorteil wird so der Lichtstrom, der aus dem strahlungsemittierenden Bauteil austritt, erhöht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der strahlungsemittierende Halbleiterchip ein volumenemittierender Halbleiterchip. Ein Strahlfluss der elektromagnetischen Primärstrahlung, die durch die Deckfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips austritt, ist im Vergleich zu einem Strahlfluss der elektromagnetischen Primärstrahlung, die durch die zumindest eine Seitenfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips austritt, erhöht. Vorteilhafterwiese ist das in der Regel vergleichsweise hitzeempfindlichere zweite Konversionselement an der zumindest einen Seitenfläche des Halbleiterchips angeordnet. Da an der Seitenfläche des Halbleiterchips der Strahlfluss im Vergleich zur Deckfläche des strahlungsemittierenden Bauteils erniedrigt ist, erhitzt sich das strahlungsemittierende Bauteil vorteilhafterweise vergleichsweise wenig und ist damit alterungsstabiler.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das erste Konversionselement nur auf der Deckfläche des Halbleiterchips angeordnet ist und das zweite Konversionselement ist nur auf der Seitenfläche des Halbleiterchips angeordnet ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Primärstrahlung blaues Licht, die erste Sekundärstrahlung gelb bis grünes Licht, und die zweite Sekundärstrahlung rotes Licht. Die jeweiligen Konversionselemente konvertierenden hierbei die Primärstrahlung jeweils nur teilweise in die entsprechende Sekundärstrahlung. Weiterhin mischt sich die Primärstrahlung, die erste Sekundärstrahlung und die die zweite Sekundärstrahlung bei dieser Ausführungsform bevorzugt zu weißem Mischlicht.
  • Es wird darüber hinaus ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauteils angegeben. Bevorzugt eignet sich das Verfahren zur Herstellung eines hier beschriebenen strahlungsemittierenden Bauteils. Das heißt, ein hier beschriebenes strahlungsemittierendes Bauteil ist mit dem beschriebenen Verfahren herstellbar oder wird mit dem beschriebenen Verfahren hergestellt. Sämtliche in Verbindung mit dem strahlungsemittierenden Bauteil offenbarten Merkmale sind daher auch in Verbindung mit dem Verfahren offenbart und umgekehrt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird in einem Schritt des Verfahrens ein Halbleiterchip bereitgestellt. Sämtliche in Verbindung mit dem zuvor beschriebenen strahlungsemittierenden Halbleiterchip offenbarten Merkmale und Ausführungsformen sind auch in Verbindung mit dem hier beschriebenen strahlungsemittierenden Halbleiterchip anwendbar und umgekehrt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein erstes Konversionsmaterial auf die Deckfläche des Halbleiterchips aufgebracht. Hierbei liegt das erste Konversionsmaterial bevorzugt in einer fließfähigen Form vor.
  • In diesem Fall wird das erste Konversionsmaterial nach dem Aufbringen bevorzugt zum ersten Konversionselement ausgehärtet. Ferner kann das erste Konversionsmaterial mittels Sprühen, Siebdruck oder Rakeln aufgebracht werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein zweites Konversionsmaterial auf die zumindest eine Seitenfläche des Halbleiterchips aufgebracht. Das zweite Konversionsmaterial liegt beim Aufbringen bevorzugt in einer fließfähigen Form vor. In diesem Fall wird das zweite Konversionsmaterial nach dem Aufbringen bevorzugt zum zweiten Konversionselement ausgehärtet. Ferner kann das zweite Konversionsmaterial mittels Sprühen, Siebdruck oder Rakeln aufgebracht werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Ausnehmung in dem Träger erzeugt. Die Ausnehmung kann bevorzugt durch Materialabtrag des Trägers erzeugt werden. Der Materialabtrag des Trägers kann durch eine Säge oder einen Laser erzeugt werden. Alternativ ist es möglich, die Ausnehmung durch Stanzen oder Prägen zu erzeugen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird der strahlungsemittierende Halbleiterchip auf dem Träger angeordnet. Der Träger umfasst bevorzugt eine Kontaktfläche, die beispielsweise ein Metall enthält oder aus diesem besteht. Zudem umfasst der Halbleiterchip bevorzugt zumindest eine Chipkontaktfläche, die beispielsweise ein Metall enthält oder aus diesem besteht. Die zumindest eine Chipkontaktfläche kann durch Kleben, Bonden oder Löten auf die zumindest eine Kontaktfläche des Trägers aufgebracht werden. Diese Verbindung befestigt den Halbleiterchip auf dem Träger.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform wirkt eine erste Kante der Ausnehmung als erste Stoppkante für das zweite Konversionsmaterial. Bevorzugt wird zuerst das erste Konversionsmaterial auf die Deckfläche des Halbleiterchips aufgebracht und zu dem ersten Konversionselement ausgehärtet. Bevorzugt wird nachfolgend das zweite Konversionsmaterial auf die zumindest eine Seitenfläche des Halbleiterchips aufgebracht. Die erste Stoppkante ist bevorzugt die erste Kante, die durch die Deckfläche des Trägers und eine dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip zugewandte Seitenfläche der Ausnehmung gebildet ist. Damit die erste Kante die Funktion als Stoppkante erfüllt, ist die erste Stoppkante bevorzugt nicht abgerundet, sondern weist eine Ecke auf, die beispielsweise in einem 90°-Winkel oder einem Winkel < 90° verläuft. Das heißt, die erste Stoppkante ist bevorzugt scharf definiert, weist also keine Rundungen, Scharten oder Kerben auf. Da das zweite Konversionsmaterial beim Aufbringen bevorzugt in fließfähiger Form vorliegt, kann ein Wegfließen des zweiten Konversionsmaterials aus dem ersten Bereich hinaus so vorteilhafterweise unterbunden werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein weiteres erstes Konversionsmaterial auf den zweiten Bereich auf den Träger aufgebracht. Das weitere erste Konversionsmaterial kann bevorzugt wie das erste Konversionsmaterial aufgebracht werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wirkt eine zweite Kante der Ausnehmung als zweite Stoppkante für das weitere erste Konversionsmaterial. Die zweite Stoppkante ist bevorzugt die zweite Kante, die durch die Deckfläche des Trägers und eine dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip abgewandte Seitenfläche der Ausnehmung gebildet ist. Damit die zweite Kante die Funktion als Stoppkante erfüllt, weist diese bevorzugt die gleichen Eigenschaften wie die oben beschriebene erste Stoppkante auf. Da das weitere erste Konversionsmaterial beim Aufbringen bevorzugt in fließfähiger Form vorliegt, kann ein Wegfließen des weiteren ersten Konversionsmaterials aus dem zweiten Bereich hinaus vorteilhafterweise unterbunden werden. Weiterhin kann so ein mit Vorteil verhindert werden, dass das weitere erste Konversionsmaterial das zweite Konversionsmaterial überdeckt. Auf diese Art und Weise sind das weitere erste Konversionsmaterial und das zweite Konversionsmaterial beabstandet voneinander angeordnet.
  • Durch die erste Stoppkante und/oder die zweite Stoppkante ist es weiterhin möglich ein Verlauf einer Außenfläche des zweiten Konversionsmaterials und/oder des weiteren ersten Konversionsmaterials von einer konkaven bis zu einer konvexen Form inklusive aller Zwischenstufen einzustellen. Ohne die erste Stoppkante und/oder die zweiten Stoppkante wäre lediglich die Ausbildung der konkaven Form möglich.
  • Der Verlauf der Außenfläche des zweiten Konversionsmaterials und/oder des weiteren ersten Konversionsmaterials ist unter anderem durch die Veränderung eines Volumens des ersten Konversionsmaterials und/oder des weiteren ersten Konversionsmaterial einstellbar. Die Außenfläche des zweiten Konversionsmaterials und/oder des weiteren ersten Konversionsmaterials. Durch eine Wahl des Volumens des zweiten Konversionsmaterials und/oder des weiteren ersten Konversionsmaterials können zum Beispiel alle Zwischenstufen von konkaven bis hin zu konvexen Formen hergestellt werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden das erste Konversionselement und/oder das zweite Konversionselement durch einen Sedimentationsprozess und einem nachfolgenden Aushärteprozess erzeugt. Die ersten Leuchtstoffpartikel werden bevorzugt in dem ersten Matrixmaterial und/oder die zweiten Leuchtstoffpartikel werden bevorzugt in dem zweiten Matrixmaterial sedimentiert. Das erste Matrixmaterial und/oder das zweite Matrixmaterial liegen in diesem Fall bevorzugt in fließfähiger Form vor. Nach dem Sedimentationsprozess werden das erste Konversionsmaterial und/oder das zweite Konversionsmaterial zu dem ersten Konversionselement und dem zweiten Konversionselement ausgehärtet.
  • Bei einem Sedimentationsprozess wird die zu beschichtende Oberfläche in einem Volumen bereitgestellt, das mit dem Matrixmaterial mit den Leuchtstoffpartikeln befüllt wird. Anschließend setzten sich die Leuchtstoffpartikel aufgrund der Schwerkraft auf der zu beschichtenden Oberfläche ab. Das Absetzten der Leuchtstoffpartikel kann hierbei auch durch Zentrifugieren beschleunigt werden. Auch die Verwendung eines verdünnten Matrixmaterials beschleunigt den Sedimentationsprozess in der Regel.
  • Ein Kennzeichen eines Konversionselements, das mittels eines Sedimentationsprozesses aufgebracht wurde, besteht darin, dass sämtliche Oberflächen, auf denen sich die Leuchtstoffpartikel aufgrund der Schwerkraft absetzen können, mit dem Konversionselement bedeckt sind. Weiterhin stehen die Leuchtstoffpartikel eines sedimentierten Konversionselements in der Regel in direktem Kontakt miteinander.
  • Im Folgenden werden das hier beschriebene strahlungsemittierende Bauteil und das Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauteils anhand von Ausführungsbeispielen und den zugehörigen Figuren näher erläutert.
  • Es zeigen:
    • 1, eine schematische Darstellung eines strahlungsemittierenden Bauteils gemäß einem Ausführungsbeispiel,
    • 2, eine schematische Schnittdarstellung des strahlungsemittierenden Bauteils gemäß dem Ausführungsbeispiel der 1,
    • 3 und 4, schematische Schnittdarstellungen von Verfahrensstadien eines Verfahrens zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauteils gemäß einem Ausführungsbeispiel,
    • 5, exemplarisch ein Emissionsspektrum eines Bauteils gemäß einem Ausführungsbeispiel im Vergleich zu einem Emissionsspektrum eines herkömmlichen Bauteils, und
    • 6, exemplarisch ein Vergleichsdiagramm.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
  • Das strahlungsemittierende Bauteil gemäß dem Ausführungsbeispiel der 1 umfasst zwei strahlungsemittierende Halbleiterchips 1, die von einem ersten Konversionselement 5 und einem zweiten Konversionselement 6 überdeckt sind. Das erste Konversionselement 5 ist jeweils auf einer Deckfläche der Halbleiterchips 2 angeordnet und das zweite Konversionselement 6 ist jeweils auf einer zumindest einen Seitenfläche des Halbleiterchips 11 angeordnet. Das zweite Konversionselement 6 überragt eine Bodenfläche des ersten Konversionselements 5, die durch die Deckfläche der Halbleiterchips 3 gebildet ist in vertikaler Richtung nicht. Weiterhin wird das zweite Konversionselements 6 von einem weiteren ersten Konversionselement 16 umgeben.
  • Außerdem umfasst das Bauteil ein Gehäuse 7, das einen Träger 8 und zumindest eine Seitenwand 10 aufweist. Die Seitenwand 10 ist auf dem Träger 8 angeordnet und bildet eine Kavität 21 in dem Gehäuse 7. Die Seitenwand 10 und der Träger 8 sind einstückig miteinander ausgebildet. Die gezeigte Strichlinie zwischen der Seitenwand 10 und dem Träger 8 ist hier zum besseren Verständnis eingezeichnet und ist demnach vorliegend virtueller Natur.
  • Der Träger 8 weist eine Ausnehmung 11 auf, die das zweite Konversionselements 6 vollständig umgibt. Die Ausnehmung 11 beabstandet weiterhin das zweite Konversionselements 6 und das weitere erste Konversionselement 16.
  • Die schematische Schnittdarstellung gemäß 2 zeigt einen Schnitt entlang der Linie A-A des Bauteils aus 1. Die Halbleiterchips 2 sind dabei in einem ersten Bereich 17 angeordnet, der von der Ausnehmung 11 vollständig umgeben ist. Der zweite Bereich 18 ist an der Seite der Ausnehmung 11 angeordnet, die vom ersten Bereich 17 abgewandt ist.
  • Zwischen den beabstandeten Halbleiterchips 2 ist das zweite Konversionselement 6 angeordnet. Das zwischen den Halbleiterchips 2 angeordnete zweite Konversionselement 6 bedeckt daran anliegende Seitenflächen der Halbleiterchips 2 vollständig. Eine Deckfläche des zwischen den Halbleiterchips 2 angeordneten zweiten Konversionselements 6 weist eine konkave Form auf.
  • Weiterhin verläuft eine Außenfläche des zweiten Konversionselements 19 an einer der Seitenflächen des Halbleiterkörpers 4 abgewandten Fläche gekrümmt. Eine Außenfläche des weiteren ersten Konversionselements 16 verläuft an einer der Seitenflächen des Halbleiterkörpers 4 zugewandten Seite gekrümmt. Die Form des zweiten Konversionselements 6 ist hierbei konkav (durchgezogene Außenfläche 19) oder konvex(gestrichelte Außenfläche 19) geformt.
  • Das zweite Konversionselement 6 bedeckt dabei die Deckfläche des Trägers 9 im ersten Bereich 17 vollständig, die nicht von den Halbleiterchips 2 überdeckt ist und das weitere erste Konversionselement 16 überdeckt die Deckfläche des Trägers 9 im zweiten Bereich 18 vollständig. Weiterhin bedeckt das weitere erste Konversionselement 16 eine dem Halbleiterchip 2 zugewandte Seitenfläche der zumindest einen Seitenwand 10 vollständig. Die Ausnehmung 11 im Träger ist dabei frei von einem Material des zweiten Konversionselements und einem Material des weiteren ersten Konversionselements.
  • In Verbindung mit dem Ausführungsbeispiel der 3 und 4 sind Verfahrensstadien bei der Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauteils 1 dargestellt.
  • Wie in 3 gezeigt, wird auf den Deckflächen der bereitgestellten Halbleiterchips 2 jeweils ein erstes Konversionsmaterial aufgebracht und nachfolgend zum ersten Konversionselement 5 ausgehärtet. Die Deckfläche des Halbleiterchips 2 ist hierbei jeweils vollständig von dem ersten Konversionselement 5 bedeckt.
  • In einem nächsten Verfahrensschritt, der schematisch in 4 dargestellt ist, wird ein zweites Konversionsmaterial auf die zumindest eine Seitenfläche des Halbleiterchips 11 aufgebracht und nachfolgend zum zweiten Konversionselement 6 ausgehärtet. Hierbei liegt das zweite Konversionsmaterial beim Aufbringen in fließfähiger Form vor. Eine erste Kante der Ausnehmung 11 wirkt in diesem Ausführungsbeispiel als erste Stoppkante 14 für das zweite Konversionsmaterial. Die erste Stoppkante 11 ist die erste Kante, die durch die Deckfläche des Trägers 9 und eine der strahlungsemittierenden Halbleiterchips 2 zugewandten Seitenfläche der Ausnehmung 11 gebildet ist. Die erste Stoppkante 12 verhindert vorteilhafterweise ein Wegfließen des zweiten Konversionsmaterials aus dem ersten Bereich 17.
  • 5 zeigt schematisch eine Simulation eines Emissionsspektrums eines strahlungsemittierenden Bauteils gemäß einem Ausführungsbeispiel. Das Emissionsspektrum zeigt eine relative Strahlungsleistung P in Watt W, die über eine Wellenlänge wL in Nanometern aufgetragen ist. Ein erstes Emissionsspektrum E1 zeigt ein typisches Emissionsspektrum eines herkömmlichen strahlungsemittierenden Bauteils, bei dem erste Leuchtstoffpartikel eines ersten Konversionselements und zweite Leuchtstoffpartikel eines zweiten Konversionselements homogen gemischt sind. Ein zweites Emissionsspektrum E2 zeigt ein Emissionsspektrum eines hier beschriebenen strahlungsemittierenden Bauteils. Im Bereich zwischen ca. 500 Nanometer und ca. 620 Nanometer ist die relative Strahlungsleistung P des hier beschriebenen strahlungsemittierenden Bauteils erhöht.
  • Weiterhin zeigt 5 exemplarisch Simulationsergebnisse, bei dem ein relativer Unterschied D in Prozent % von Simulationsparametern angegeben ist. Die Simulationsparameter sind ein Strahlungsfluss (ΦE ), ein Lichtstrom (Φv ), einer Lichtausbeute (LER) und ein Farbwiedergabeindex (CRI) eines hier beschriebenen strahlungsemittierenden Bauteils im Unterschied zu einem herkömmlichen strahlungsemittierenden Bauteil, bei dem ein erstes Konversionselement und ein zweites Konversionselement auf einem Halbleiterchip angeordnet sind und das zweite Konversionselement das erste Konversionselement überdeckt.
  • Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    strahlungsemittierendes Bauteil
    2
    strahlungsemittierender Halbleiterchip
    3
    Deckfläche Halbleiterchip
    4
    Seitenfläche Halbleiterchip
    5
    erstes Konversionselement
    6
    zweites Konversionselement
    7
    Gehäuse
    8
    Träger
    9
    Deckfläche Träger
    10
    Seitenwand
    11
    Ausnehmung
    12
    Seitenfläche Ausnehmung
    13
    Bodenfläche Ausnehmung
    14
    erste Stoppkante
    15
    zweite Stoppkante
    16
    weiteres erstes Konversionselement
    17
    erster Bereich
    18
    zweiter Bereich
    19
    Außenfläche zweites Konversionselement
    20
    Außenfläche weiteres erstes Konversionselement
    21
    Kavität
    P
    Strahlungsleistung
    wL
    Wellenlänge
    E1
    erstes Emissionsspektrum
    E2
    zweites Emissionsspektrum
    U
    Unterschied
    ΦE
    Strahlungsfluss
    ΦV
    ein Lichtstrom
    LER
    Lichtausbeute
    CRI
    Farbwiedergabeindex

Claims (17)

  1. Strahlungsemittierendes Bauteil (1) mit - einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), der eine Deckfläche (3) und zumindest eine Seitenfläche (4) aufweist, - einem ersten Konversionselement (5), und - einem zweiten Konversionselement (6), wobei - das erste Konversionselement (5) auf der Deckfläche des Halbleiterchips (3) angeordnet ist, - das zweite Konversionselement (6) auf der zumindest einen Seitenfläche des Halbleiterchips (4) angeordnet ist, und - das zweite Konversionselement (6) eine Bodenfläche des ersten Konversionselements (5) in vertikaler Richtung nicht überragt.
  2. Strahlungsemittierendes Bauteil (1) nach dem vorherigen Anspruch, bei dem - das erste Konversionselement (5) dazu ausgebildet ist, eine erste Sekundärstrahlung zu erzeugen, - das zweite Konversionselement (6) dazu ausgebildet ist, eine zweite Sekundärstrahlung zu erzeugen, - die erste Sekundärstrahlung kürzere Wellenlängen als die zweite Sekundärstrahlung umfasst.
  3. Strahlungsemittierendes Bauteil (1) nach einem der vorherigen Ansprüche mit einem Träger (8), wobei - der Träger (8) eine Ausnehmung (11) aufweist, und - der strahlungsemittierende Halbleiterchip (2) auf dem Träger (8) angeordnet ist.
  4. Strahlungsemittierendes Bauteil (1) nach dem vorherigen Anspruch, bei dem der Träger (8) an einer dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2) zugewandten Deckfläche (9) eine reflektierende Beschichtung umfasst.
  5. Strahlungsemittierendes Bauteil (1) nach einem der Ansprüche 3 bis 4, bei dem - die Ausnehmung (11) einen ersten Bereich (17) an der Deckfläche des Trägers (9) umgibt, und - der strahlungsemittierende Halbleiterchip (2) mit dem ersten Konversionselement (5) und dem zweiten Konversionselement (6) im ersten Bereich (17) auf dem Träger (8) angeordnet ist.
  6. Strahlungsemittierendes Bauteil (1) nach einem der Ansprüche 3 bis 5, bei dem die Ausnehmung (11) im Wesentlichen frei von einem Material des zweiten Konversionselements (6) ist.
  7. Strahlungsemittierendes Bauteil (1) nach einem der Ansprüche 3 bis 6, bei dem - auf einem zweiten Bereich (18) an der Deckfläche des Trägers (9) ein weiteres erstes Konversionselement (16) angeordnet ist, und - der zweite Bereich (18) an der Seite der Ausnehmung (11) angeordnet ist, die vom ersten Bereich (17) abgewandt ist.
  8. Strahlungsemittierendes Bauteil (1) nach dem vorherigen Anspruch, bei dem, die Ausnehmung (11) im Wesentlichen frei von einem Material des weiteren ersten Konversionselements (16) ist.
  9. Strahlungsemittierendes Bauteil (1) nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem das erste Konversionselement (5) ein größeres Volumen aufweist als das zweite Konversionselement (6).
  10. Strahlungsemittierendes Bauteil (1) nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem das erste Konversionselement (5) in Draufsicht nicht mit dem zweiten Konversionselement überlappt (6).
  11. Strahlungsemittierendes Bauteil (1) nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der strahlungsemittierende Halbleiterchip (2) ein volumenemittierender Halbleiterchip (2) ist.
  12. Strahlungsemittierendes Bauteil (1) nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem - das erste Konversionselement (5) nur auf der Deckfläche des Halbleiterchips (2) angeordnet ist, - das zweite Konversionselement (6) nur auf der Seitenfläche des Halbleiterchips (4) angeordnet ist.
  13. Strahlungsemittierendes Bauteil (1) nach dem vorherigen Anspruch, bei dem - die Primärstrahlung blaues Licht ist, - die erste Sekundärstrahlung gelb bis grünes Licht ist, - die zweite Sekundärstrahlung rotes Licht ist, und - sich Primärstrahlung, die erste Sekundärstrahlung und die zweite Sekundärstrahlung zu weißem Mischlicht mischt.
  14. Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauteils (1) nach einem der vorherigen Ansprüche, mit den Schritten: - Bereitstellen des Halbleiterchips (2), - Aufbringen eines ersten Konversionsmaterials auf die Deckfläche des Halbleiterchips (3), - Aufbringen eines zweiten Konversionsmaterials auf die zumindest eine Seitenfläche des Halbleiterchips (4).
  15. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei - die Ausnehmung (11) in dem Träger (8) erzeugt wird, - der strahlungsemittierende Halbleiterchip (2) auf dem Träger (8) angeordnet wird, - die Ausnehmung (11) den ersten Bereich (17) an der Deckfläche des Trägers (9) umgibt, und - eine erste Kante der Ausnehmung (11) als erste Stoppkante (14) für das zweite Konversionsmaterial wirkt.
  16. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei - ein weiteres erstes Konversionsmaterial auf den zweiten Bereich (18) auf den Träger (8) aufgebracht wird, und - eine zweite Kante der Ausnehmung (11) als zweite Stoppkante (15) für das weitere erste Konversionsmaterial wirkt.
  17. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche 14 bis 16, wobei das erste Konversionselement (5) und/oder das zweite Konversionselement (6) durch einen Sedimentationsprozess und einem nachfolgenden Aushärteprozess erzeugt werden.
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