DE102010053362B4 - Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips, strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Bauelement - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips, strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Bauelement Download PDF

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Abstract

Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips mit den Schritten:- Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1), der dazu vorgesehen ist, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs von einer Strahlungsaustrittsfläche (2) auszusenden,- Aufbringen einer ersten wellenlängenkonvertierenden Schicht (8) mit einem ersten Wellenlängenkonversionsstoff (9), der Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umwandelt, über der Strahlungsaustrittsfläche (2) des Halbleiterkörpers (1), wobei das Aufbringungsverfahren aus der folgenden Gruppe gewählt ist: Sedimentation, Elektrophorese, und- Aufbringen einer zweiten wellenlängenkonvertierenden Schicht (4) mit einem zweiten Wellenlängenkonversionsstoff (6), der Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in Strahlung eines dritten Wellenlängenbereichs umwandelt, über der Strahlungsaustrittsfläche (2) des Halbleiterkörpers (1), wobei die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht (4) entweder in einem separaten Verfahrensschritt hergestellt und nachfolgend aufgebracht wird oder das Aufbringungsverfahren aus der folgenden Gruppe gewählt ist: Sedimentation, Elektrophorese, Drucken, wobei die elektrophoretisch abgeschiedene erste und/oder zweite wellenlängenkonvertierende Schicht (8, 4) eine Partikeldichte aufweist, die größer oder gleich 50 Vol% ist, und die erste und/oder zweite wellenlängenkonvertierende Schicht (8, 4), die mittels Sedimentation abgeschieden ist, eine Partikeldichte aufweist, die zwischen einschließlich 20 Vol% und einschließlich 35 Vol% liegt.

Description

  • Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips, ein Halbleiterchip und ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben.
  • In der Druckschrift DE 102 61 428 A1 ist ein Halbleiterkörper beschrieben, auf den mehrere wellenlängenkonvertierende Schichten aufgebracht sind, die Strahlung des Halbleiterkörpers in verschiedene Wellenlängenbereiche umwandelt. Die wellenlängenkonvertierenden Schichten sind hierbei derart nacheinander angeordnet, dass die Wellenlängen, in die die Strahlung des Halbleiterkörpers jeweils konvertiert wird, ausgehend vom Halbleiterkörper in dessen Abstrahlrichtung abnehmen.
  • Die Druckschrift DE 101 09 349 A1 betrifft ein strahlungsemittierendes Bauelement.
  • Die Druckschrift DE 10 2007 057 710 A1 betrifft ein strahlungsemittierendes Bauelement mit einem Konversionselement.
  • Die Druckschrift US 2003 / 0 080 341 A1 offenbart eine Leuchtdiode, ein optisches Halbleiterelement und einen Epoxidverguss für ein optisches Halbleiterelement sowie entsprechende Herstellungsverfahren.
  • In der Druckschrift US 2003 / 0 132 701 A1 sind eine lichtemittierende Vorrichtung mit fluoreszierenden Partikeln und ein lichtemittierendes Halbleiterbauelement sowie entsprechende Herstellungsverfahren offenbart.
  • Die Druckschrift US 2008 / 0 122 343 A1 betrifft ein lichtemittierendes Bauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung.
  • In der Druckschrift US 2009 / 0 039 762 A1 sind ein weißes LED-Bauelement mit einem zweifachen Verguss und ein Verfahren zu dessen Herstellung beschrieben.
  • Die Druckschrift US 2009 / 0 236 622 A1 betrifft ein weißes lichtemittierendes Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung.
  • In der Druckschrift US 2010 / 0 181 582 A1 sind ein lichtemittierendes Bauelement mit Wellenlängenkonversion und ein Verfahren zu dessen Herstellung beschrieben.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips für ein strahlungsemittierendes Bauteil mit erhöhter Effizienz anzugeben. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip sowie ein strahlungsemittierendes Bauelement mit erhöhter Effizienz anzugeben.
  • Diese Aufgaben werden durch ein Verfahren mit den Schritten des Patentanspruches 1 sowie durch einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip mit den Merkmalen des Patentanspruches 10 und ein strahlungsemittierendes Bauelement mit den Merkmalen des Patentanspruchs 13 gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen sind jeweils in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips für ein Bauteil mit erhöhter Effizienz umfasst insbesondere die folgenden Schritte:
    • - Bereitstellen eines Halbleiterkörpers, der dazu vorgesehen ist, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs von einer Strahlungsaustrittsfläche auszusenden,
    • - Aufbringen einer ersten wellenlängenkonvertierenden Schicht mit einem ersten Wellenlängenkonversionsstoff, der Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umwandelt, über der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers, wobei das Aufbringungsverfahren aus der folgenden Gruppe gewählt ist: Sedimentation, Elektrophorese,
    • - Aufbringen einer zweiten wellenlängenkonvertierenden Schicht mit einem zweiten Wellenlängenkonversionsstoff, der Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in Strahlung eines dritten Wellenlängenbereichs umwandelt, über der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers, wobei die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht entweder in einem separaten Verfahrensschritt hergestellt und nachfolgend aufgebracht wird oder das Aufbringungsverfahren aus der folgenden Gruppe gewählt ist: Sedimentation, Elektrophorese, Drucken.
  • Mit Elektrophorese wird vorliegend ein Verfahren bezeichnet, bei dem Partikel, beispielsweise des Wellenlängenkonversionsstoffs, mittels eines elektrischen Feldes beschleunigt werden, sodass eine Schicht dieser Partikel auf einer bereitgestellten Oberfläche, beispielsweise der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers, abgeschieden wird. In der Regel wird die zu beschichtende Oberfläche in einem Elektrophoresebad bereitgestellt, das die Partikel enthält, die dazu vorgesehen sind, die wellenlängenkonvertierende Schicht zu bilden.
  • Die Abscheidung einer elektrophoretisch abgeschiedenen wellenlängenkonvertierenden Schicht ist auf elektrisch leitenden, halbleitenden sowie isolierenden Oberflächen möglich.
  • Ein Kennzeichen einer mittels Elektrophorese abgeschiedenen wellenlängenkonvertierenden Schicht ist es, dass in der Regel alle Oberflächen, die dem Elektrophoresebad ausgesetzt sind, vollständig mit der wellenlängenkonvertierenden Schicht beschichtet werden. Ein weiteres Kennzeichen einer mittels Elektrophorese abgeschiedenen wellenlängenkonvertierenden Schicht besteht in der Regel darin, dass diese eine Partikeldichte größer oder gleich 30 Vol%, besonders bevorzugt größer als 50 Vol%, aufweist.
  • In der Regel ist die Struktur einer elektrophoretisch abgeschiedenen wellenlängenkonvertierenden Schicht weiterhin abhängig von der Leitfähigkeit der Oberfläche, auf der die wellenlängenkonvertierende Schicht aufgebracht wird. In der Regel stehen die Partikel einer elektrophoretisch abgeschiedenen wellenlängenkonvertierenden Schicht in direktem Kontakt miteinander.
  • Der Begriff „Partikeldichte“ ist hierbei auf das Volumen bezogen. Die Partikeldichte innerhalb der wellenlängenkonvertierenden Schicht wird dadurch festgelegt, dass die Anzahl an Partikel innerhalb einer Querschnittsfläche der wellenlängenkonvertierenden Schicht bestimmt wird.
  • Der Halbleiterkörper kann beispielsweise auch auf Waferlevel mittels Elektrophorese mit einer wellenlängenkonvertierenden Schicht beschichtet werden. Hierbei wird der gesamte Wafer, der die einzelnen Halbleiterkörper umfasst, dem Elektrophoresebad ausgesetzt. Nach der Beschichtung mit der wellenlängenkonvertierenden Schicht wird der Wafer dann in einzelne Halbleiterchips vereinzelt, beispielsweise durch Sägen. Weiterhin ist es auch möglich, das der einzelne Halbleiterkörper oder ein Halbleiterkörper, der auf einem Träger oder in der Ausnehmung eines Bauelementgehäuses angeordnet ist, mittels Elektrophorese mit einer wellenlängenkonvertierenden Schicht versehen wird.
  • In der Regel wird die wellenlängenkonvertierende Schicht, die mittels Elektrophorese erzeugt wird, nach dem Elektrophoreseverfahren durch ein Bindemittel fixiert. Bei dem Bindemittel kann es sich beispielsweise um Silikon oder Epoxid oder ein Hybridmaterial handeln. Als Hybridmaterial wird hierbei ein Material bezeichnet, das mindestens zwei Hauptkomponenten aufweist, wobei eine dieser Hauptkomponenten ein Silikon oder ein Epoxid ist. Weiterhin kann ein Hybridmaterial beispielsweise genau zwei Hauptkomponenten aufweisen, wobei die erste Hauptkomponente ein Epoxid und die zweite Hauptkomponente ein Silikon ist.
  • Als Bindemittel zur Fixierung einer elektrophoretisch abgeschiedenen wellenlängenkonvertierenden Schicht kann weiterhin ein Spin-On-Glas, beispielsweise ein Polysiloxan, verwendet werden.
  • Wird direkt in Anschluss an die elektrophoretische Abscheidung einer wellenlängenkonvertierenden Schicht eine weitere wellenlängenkonvertierenden Schicht auf die elektrophoretisch abgeschiedene wellenlängenkonvertierende Schicht aufgebracht, so kann in der Regel auf die Fixierung der elektrophoretisch abgeschiedenen wellenlängenkonvertierenden Schicht verzichtet werden.
  • Neben den Hauptkomponenten kann das Hybridmaterial weitere Bestandteile als Hilfsstoffe aufweisen, wie etwa Blaumacher. Solche Bestandteile haben jedoch in der Regel geringen Masseanteil an dem Hybridmaterial. Der überwiegende Teil des Hybridmaterials weist die Hauptkomponenten auf.
  • Eine wellenlängenkonvertierende Schicht, die mittels eines Elektrophoreseverfahrens aufgebracht ist, weist bevorzugt eine Dicke auf, die maximal 60 µm beträgt.
  • In der Regel ist die Struktur einer mit einem Sedimentationsverfahren abgeschiedenen wellenlängenkonvertierenden Schicht weiterhin abhängig von dem Volumen über der Oberfläche, auf der die wellenlängenkonvertierende Schicht aufgebracht wird. In der Regel stehen die Partikel einer mittels Sedimentation abgeschiedenen wellenlängenkonvertierenden Schicht in direktem Kontakt miteinander.
  • Bei einem Sedimentationsverfahren werden Partikel des Wellenlängenkonversionsstoffs in ein Vergussmaterial eingebracht. Die Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers wird beispielsweise in der Ausnehmung eines Bauelementgehäuses bereitgestellt, die mit dem Vergussmaterial, einem verdünnten Vergussmaterial oder einer anderen Flüssigkeit befüllt wird. Anschließend setzten sich die Partikel des Wellenlängenkonversionsstoffs in Form einer wellenlängenkonvertieren Schicht aufgrund der Schwerkraft zumindest auf der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers ab. Das Absetzten der Partikel kann hierbei auch durch Zentrifugieren beschleunigt werden. Auch die Verwendung eines verdünnten Vergussmaterials beschleunigt den Sedimentationsprozess in der Regel. Nach dem Absinken der Partikel wird das Vergussmaterial ausgehärtet.
  • Weiterhin ist es auch möglich, den Halbleiterkörper auf einem Träger aufzubringen, der dann mit einer Hilfskavität umgeben wird, in die das Vergussmaterial mit dem Wellenlängenkonversionsstoff eingebracht wird. Nach dem Absinken des Wellenlängenkonversionsstoffes wird das Vergussmaterial ausgehärtet und die Hilfskavität wieder entfernt. Es ist auch denkbar, einen gesamten Wafer, der eine Vielzahl an Halbleiterkörpern aufweist, mittels einer Hilfskavität mit einem Sedimentationsverfahren mit einer wellenlängenkonvertierenden Schicht zu versehen.
  • Ein Kennzeichen einer wellenlängenkonvertierenden Schicht, die mittels eines Sedimentationsverfahrens aufgebracht wurde, besteht darin, dass sämtliche Oberflächen, auf denen sich die Partikel aufgrund der Schwerkraft absetzen können, mit der wellenlängenkonvertierenden Schicht beschichtet werden.
  • Ein weiteres Kennzeichen einer mittels Sedimentation abgeschiedenen wellenlängenkonvertierenden Schicht besteht in der Regel darin, dass diese eine Partikeldichte zwischen 20 Vol% und 35 Vol% aufweist, wobei die Grenzen eingeschlossen sind.
  • Eine wellenlängenkonvertierende Schicht, die mittels eines Sedimentationsverfahrens erzeugt ist, weist bevorzugt eine Dicke auf, die maximal 60 µm beträgt.
  • Ein zur Herstellung einer wellenlängenkonvertierenden Schicht geeignetes Druckverfahren ist beispielsweise Siebdruck oder Schablonendruck. Es wird in der Regel eine Masse gedruckt, die ein bereits oben beschriebenes Vergussmaterial umfasst, in das Partikel des Wellenlängenkonversionsstoffs eingebracht sind.
  • Eine mittels einem Druckverfahren hergestellt wellenlängenkonvertierende Schicht weist bezogen auf denselben Farbort in der Regel eine Partikeldichte auf, die deutlich geringer ist, als eine wellenlängenkonvertierende Schicht, die mittels eines Elektrophoreseverfahrens oder eines Sedimentationsverfahrens erzeugt wurde.
  • Besonders bevorzugt weist eine wellenlängenkonvertierende Schicht, die mittels eines Druckverfahrens erzeugt wurde, eine Partikeldichte auf, die zwischen 25 Vol% und 45 Vol% liegt, wobei die Grenzen eingeschlossen sind.
  • Eine wellenlängenkonvertierende Schicht, die mittels Siebdrucks erzeugt ist, weist bevorzugt eine Dicke auf, die zwischen 20 µm und 60 µm liegt, wobei die Grenzen eingeschlossen sind.
  • Eine wellenlängenkonvertierende Schicht, die mittels Schablonendruck erzeugt ist, weist bevorzugt eine Dicke auf, die zwischen 20 µm und 150 µm liegt, wobei die Grenzen eingeschlossen sind.
  • Eine wellenlängenkonvertierende Schicht, die mittels eines Druckverfahrens erzeugt ist, weist in der Regel einer Oberfläche auf, bei der die Oberfläche der Schicht den Partikeln der Wellenlängenkonversionsstoffes folgt. In der Regel stehen bei der gedruckten wellenlängenkonvertierenden Schicht lediglich wenige Partikel des Wellenlängenkonversionsstoffs in direktem Kontakt miteinander.
  • Wird die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht in einem separaten Verfahrensschritt hergestellt, so wird hierbei bevorzugt eines der folgenden Verfahren durchgeführt: Spritzgießen, Sintern. Mit anderen Worten handelt es sich bei der zweiten wellenlängenkonvertierenden Schicht bevorzugt um eine spritzgegossene Schicht oder um eine Keramik.
  • Eine wellenlängenkonvertierende Schicht, die als Keramik ausgebildet ist, weist bevorzugt eine Dicke zwischen 50 µm und 2 mm auf, wobei die Grenzen eingeschlossen sind.
  • Eine wellenlängenkonvertierende Schicht, die als Keramik ausgebildet ist, weist ein Partikeldichte zwischen 95 Vol% und 100 Vol% auf, wobei die Grenzen eingeschlossen sind.
  • Bei einer spritzgegossenen wellenlängenkonvertierenden Schicht werden in der Regel Partikel des Wellenlängenkonversionsstoffs in ein Vergussmaterial eingebracht, wie es bereits oben beschrieben wurde.
  • Das Vergussmaterial mit den eingebrachten Partikeln des Wellenlängenkonversionsstoffs wird dann in Form einer Schicht spritzgegossen.
  • Eine spritzgegossene wellenlängenkonvertierende Schicht weist bezogen auf denselben Farbort in der Regel ebenfalls eine Partikeldichte auf, die deutliche geringer ist, als eine wellenlängenkonvertierende Schicht, die mittels eines Elektrophoreseverfahrens oder eines Sedimentationsverfahrens erzeugt wurde.
  • Besonders bevorzugt weist eine spritzgegossene wellenlängenkonvertierende Schicht eine Partikeldichte auf, die zwischen 10 µm und 55 µm liegt, wobei die Grenzen eingeschlossen sind.
  • Eine spritzgegossene wellenlängenkonvertierende Schicht, die ein Dicke von ca. 50 µm aufweist, zeigt bevorzugt eine Partikeldichte, die zwischen 22 Vol% und 55 Vol% liegt, wobei die Grenzen eingeschlossen sind.
  • Eine spritzgegossene wellenlängenkonvertierende Schicht, die ein Dicke von ca. 110 µm aufweist, zeigt bevorzugt eine Partikeldichte, die zwischen 10 Vol% und 30 Vol% liegt, wobei die Grenzen eingeschlossen sind.
  • Eine spritzgegossene wellenlängenkonvertierende Schicht weist bevorzugt eine Dicke auf, die zwischen 50 µm und 150 µm liegt, wobei die Grenzen eingeschlossen sind.
  • Eine spritzgegossene wellenlängenkonvertierende Schicht weist in der Regel eine vergleichsweise definierte Form aufgrund der vorgegeben Form auf.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens werden die beiden wellenlängenkonvertierenden Schichten mit unterschiedlichen Verfahren erzeugt.
  • Neben den bereits beschriebenen Verfahren können die erste und/oder die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht auch mittels einem der folgenden Verfahren erzeugt werden: Sprühen des Wellenlängenkonversionsstoffes, Jetten des Wellenlängenkonversionsstoffes.
  • Eine wellenlängenkonvertierende Schicht, die mittels Sprühen erzeugt wird, weist bevorzugt eine Dicke zwischen 20 µm und 60 µm auf, wobei die Grenzen eingeschlossen sind. Die Partikeldichte einer wellenlängenkonvertierenden Schicht, die mittels Sprühen erzeugt wird, liegt bevorzugt zwischen 20 Vol% und 35 Vol%, wobei wiederum die Grenzen eingeschlossen sind.
  • Eine wellenlängenkonvertierende Schicht, die mittels Jetten erzeugt wird, weist bevorzugt eine Dicke zwischen 50 µm und 300 µm auf, wobei die Grenzen eingeschlossen sind. Die Partikeldichte einer wellenlängenkonvertierenden Schicht, die mittels Jetten erzeugt wird, liegt bevorzugt zwischen 2 Vol% und 55 Vol%, wobei wiederum die Grenzen eingeschlossen sind.
  • Weiterhin kann es sich bei der ersten und/oder zweiten wellenlängenkonvertierenden Schicht auch um eine Schicht handeln, die durch ein Glas gebildet ist, in das Partikel einer Wellenlängenkonversionsstoffes eingebettet sind. Eine solche wellenlängenkonvertierende Schicht weist bevorzugt eine Dicke zwischen 50 µm und 300 µm auf, wobei die Grenzen eingeschlossen sind. Die Partikeldichte einer wellenlängenkonvertierenden Schicht, die durch ein Glas gebildet wird, in das Partikel eines Wellenlängenkonversionsstoffes eingebracht sind, beträgt bevorzugt zwischen 2 Vol% und 55 Vol%, wobei die Grenzen eingeschlossen sind.
  • Weiterhin kann es sich bei der ersten und/oder zweiten wellenlängenkonvertierenden Schicht auch um eine Schicht handeln, die durch Gießen eines Vergussmaterials erzeugt wird, wobei in das Vergussmaterial Partikel eines Wellenlängenkonversionsstoffes eingebracht sind. Eine solche wellenlängenkonvertierende Schicht weist bevorzugt eine Dicke zwischen 200 µm und 400 µm auf, wobei die Grenzen eingeschlossen sind. Die Partikeldichte einer solchen Schicht beträgt bevorzugt zwischen 0,5 Vol% und 2 Vol%, wobei die Grenzen eingeschlossen sind.
  • Eine separat gefertigte wellenlängenkonvertierende Schicht, die nachfolgend beispielsweise auf der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers oder auf der ersten wellenlängenkonvertierenden Schicht aufgebracht wird, kann mittels einer Fügeschicht befestigt werden. Die Fügeschicht kann beispielsweise Silikon umfassen oder aus Silikon bestehen.
  • Bevorzugt bilden die erste wellenlängenkonvertierende Schicht und die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht eine gemeinsame Grenzfläche aus.
  • Gemäß einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist eine der beiden wellenlängenkonvertierenden Schichten, das heißt entweder die erste wellenlängenkonvertierende Schicht oder die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht, in direktem Kontakt auf die Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers aufgebracht.
  • Besonders bevorzugt weist die erste wellenlängenkonvertierende Schicht einen einzigen ersten Wellenlängenkonversionsstoff. Auch die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht weist besonders bevorzugt einen einzigen zweiten Wellenlängenkonversionsstoff auf. Durch die räumliche Trennung der Wellenlängenkonversionsstoffe in verschiedene Schichten kann die Effizienz eines strahlungsemittierenden Bauelements mit dem Halbleiterchip vorteilhafterweise erhöht werden, da hierdurch beispielsweise die Reabsorption von bereits durch den einen Wellenlängenkonversionsstoff konvertierter Strahlung durch den anderen Wellenlängenkonversionsstoff verringert werden kann.
  • Besonders bevorzugt ist der erste Wellenlängenkonversionsstoff und/oder der zweite Wellenlängenkonversionsstoff aus der folgenden Gruppe gewählt: mit Metallen der seltenen Erden dotierte Granate, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Erdalkalisulfide, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Thiogalate, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Aluminate, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Orthosilikate, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Chlorosilikate, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Erdalkalisiliziumnitride, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Oxynitride und mit Metallen der seltenen Erden dotierte Aluminiumoxinitride, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Siliziumnitride.
  • Weiterhin können Oxide, Nitride, Sulfide, Selenide und Siliziumoxinitride als erster und/oder zweiter Wellenlängenkonversionsstoff verwendet werden.
  • Bevorzugt weisen die Partikel des ersten und/oder zweiten Wellenlängenkonversionsstoffs einen Durchmesser zwischen 2 µm und 20 µm auf, wobei die Grenzen eingeschlossen sind.
  • Es sei an dieser Stelle darauf hingewiesen, dass das vorliegende Verfahren nicht auf die Aufbringung genau zweier wellenlängenkonvertierenden Schichten beschränkt ist. Vielmehr können gemäß dem vorliegenden Verfahren weitere wellenlängenkonvertierende Schicht mit den hier beschriebenen Methoden auf den Halbleiterkörper aufgebracht werden.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist die wellenlängenkonvertierende Schicht mit dem Wellenlängenkonversionsstoff, der Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in einen langwelligeren Wellenlängenbereich umwandelt als der andere Wellenlängenkonversionsstoff, näher am Halbleiterkörper angeordnet, als die andere Wellenlängen konvertierende Schicht. Auf diese Art und Weise kann vorteilhafterweise vermieden werden, dass bereits konvertierte Strahlung durch eine nachfolgende wellenlängenkonvertierende Schicht absorbiert und die Strahlungsausbeute so verringert wird.
  • Weiterhin entsteht insbesondere bei der Konversion in langwellige Strahlung aufgrund der großen Stokesshift ein vergleichsweise großer Wärmebetrag, der durch eine Anordnung in der Nähe des Halbleiterkörpers effizient von dem Wellenlängenkonversionsstoff abgeleitet werden kann, da der Halbleiterkörper als Wärmesenke dient.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Halbleiterchips weisen Partikel des zweiten Wellenlängenkonversionsstoffes eine Partikeldichte zwischen 10 Vol% und 55 Vol% auf, wobei die Grenzen eingeschlossen sind. Eine wellenlängenkonvertierende Schicht, bei dem die Partikel des Wellenlängenkonversionsstoffes eine Partikeldichte zwischen 10 Vol% und 55 Vol% aufweisen, können insbesondere durch Spritzgießen oder Drucken erzeugt werden.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Halbleiterchips sind die Seitenflächen des Halbleiterkörpers vollständig mit der ersten wellenlängenkonvertierenden Schicht bedeckt. Eine solche wellenlängenkonvertierende Schicht kann insbesondere mit Elektrophorese erzeugt werden.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Halbleiterchips sind die Seitenflächen der wellenlängenkonvertierenden Schicht, die näher am Halbleiterkörper angeordnet ist, vollständig von der anderen wellenlängenkonvertierenden Schicht bedeckt. Eine solche wellenlängenkonvertierende Schicht kann ebenfalls insbesondere mittels Elektrophorese erzeugt werden.
  • Die Bedeckung der Seitenflächen der einen wellenlängenkonvertierenden Schicht und/oder der Seitenflächen des Halbleiterkörpers tragen vorteilhafterweise dazu bei, eine Effizienzschwächung eines strahlungsemittierenden Bauteils mit dem Halbleiterchip durch seitlich aus dem Halbleiterkörper und/oder der wellenlängenkonvertierenden Schicht austretenden primären Strahlung des ersten Wellenlängenbereiches zu verringern.
  • Weiterhin können auf diese Art und Weise Farbinhomogenitäten in der Abstrahlcharakteristik, wie beispielsweise Ringe oder Streifen, verringert werden sowie ggf. die Gehäusealterung reduziert werden, falls der Halbleiterchip in einem Gehäuse verbaut ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Halbleiterkörper auf einem Träger oder in der Ausnehmung eines Bauelementgehäuses aufgebracht und die Oberfläche des Trägers oder zumindest des Bodens der Ausnehmung vollständig mit der ersten wellenlängenkonvertierenden Schicht bedeckt. Dies ist in der Regel der Fall, wenn die wellenlängenkonvertierende Schicht mittels Sedimentation oder Elektrophorese hergestellt wird.
  • Bevorzugt konvertieren der erste und/oder der zweite Wellenlängenkonversionsstoff die Strahlung des Halbleiterkörpers nur teilweise. Besonders bevorzugt mischt sich die unkonvertierte Strahlung des Halbleiterkörpers mit der konvertierten Strahlung der Wellenlängenkonversionsstoffe derart, dass der Halbleiterchip mischfarbige Strahlung mit einem Farbort im weißen Bereich der CIE-Normfarbtafel aussendet.
  • Besonders bevorzugt emittiert der Halbleiterkörper Strahlung aus dem blauen Spektralbereich. Das heißt, der erste Wellenlängenbereich umfasst insbesondere blaue Strahlung.
  • Ein Halbleiterkörper, der blaue Strahlung emittierte, basiert in der Regel auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial. Nitrid-Verbindungshalbleitermaterialien sind Verbindungshalbleitermaterialien, die Stickstoff enthalten und aus dem System InxAlyGa1-x-yN mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x+y ≤ 1 stammen.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Halbleiterchips sendet der Halbleiterkörper blaue Strahlung aus, die durch einen der Wellenlängenkonversionsstoffe in Strahlung aus dem roten Spektralbereich umgewandelt wird. Besonders bevorzugt handelt es sich hierbei um den zweiten Wellenlängenkonversionsstoff. Die zweite wellenlängenkonvertierenden Schicht mit dem zweiten Wellenlängenkonversionsstoff ist hierbei besonders bevorzugt direkt auf die Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers aufgebracht. Bei dieser Ausführungsform wandelt der andere Wellenlängenkonversionsstoff bevorzugt einen weiteren Teil der blauen Strahlung des Halbleiterkörpers in Strahlung aus dem grünen Spektralbereich um.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des Halbleiterchips sendet der Halbleiterkörper blaue Strahlung aus, die von dem ersten Wellenlängenkonversionsstoff der ersten wellenlängenkonvertierenden Schicht bevorzugt in Strahlung des gelben Spektralbereichs umgewandelt wird. Bevorzugt mischt sich hierbei das blaue Licht des Halbleiterkörpers mit dem konvertierten Licht derart, das der Halbleiterchip elektromagnetische Strahlung mit einem Farbort im warmweißen Bereich der CIE-Normfarbtafel aussendet.
  • Bei dieser Ausführungsform ist es auch möglich, dass der zweite Wellenlängenkonversionsstoff einen weiteren Teil der blauen Strahlung ebenfalls in Strahlung aus dem gelben Spektralbereich umwandelt. Alternativ ist es auch möglich, dass der zweite Wellenlängenkonversionsstoff einen weiteren Teil der blauen Strahlung in Strahlung aus dem roten oder grünen Spektralbereich umwandelt.
  • Weiterhin kann auch ein dritter Wellenlängenkonversionsstoff verwendet sein.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Halbleiterchips sendet der Halbleiterkörper blaue Strahlung aus, die von dem ersten Wellenlängenkonversionsstoff in Strahlung aus dem grünen Spektralbereich umgewandelt wird. Bevorzugt mischt sich das unkonvertierte blaue Licht des Halbleiterkörpers derart mit dem konvertierten Licht, dass der Halbleiterchip weißes Licht aussendet. Solche strahlungsemittierende Halbleiterchips sind insbesondere zur Hinterleuchtung von Displays geeignet.
  • Weiterhin ist es auch möglich, dass der Halbleiterkörper ultraviolette Strahlung aussendet, die von dem ersten und/oder zweiten Wellenlängenkonversionsstoff nahezu vollständig in sichtbares Licht umgewandelt wird.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Halbleiterchips ist der Wellenlängenkonversionsstoff, der die Strahlung des Halbleiterkörpers stärker streut als der andere Wellenlängenkonversionsstoff näher an dem Halbleiterkörper angeordnet. Besonders bevorzugt ist die wellenlängenkonvertierende Schicht mit dem Wellenlängenkonversionsstoff, der die Strahlung des Halbleiterkörpers stärker streut als der andere Wellenlängenkonversionsstoff in direktem Kontakt auf die Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers aufgebracht. Dies kann Effizienzvorteile für ein Bauteil mit dem Halbleiterchip bringen, da die Reflektivität des Halbleiterkörpers in der Regel besser ist als die des Bauelementgehäuses oder des Trägers.
  • Ein Halbleiterchip, der gemäß dem vorliegenden Verfahren gefertigt wurde und daher eine wellenlängenkonvertierende Schicht aufweist, die elektrophoretisch oder mittels Sedimentation erzeugt wurde, und eine weitere wellenlängenkonvertierende Schicht mit einem weiteren Wellenlängenkonversionsstoff umfasst, sendet in der Regel vorteilhafterweise Strahlung mit einem vergleichsweise homogenen Farbort in Abhängigkeit des Raumwinkels aus.
  • Merkmale, die in Bezug auf das Herstellungsverfahren beschrieben wurden, können ebenso Anwendung bei dem Halbleiterchip finden und umgekehrt.
  • Weitere vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.
  • Die 1A bis 1C zeigen schematische Schnittdarstellungen eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips während verschiedener Verfahrensstadien gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel.
  • Die 2A und 2B zeigen jeweils eine schematische Schnittdarstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips gemäß zweier weiterer Ausführungsbeispiele.
  • 3A bis 3D zeigen schematische Schnittdarstellungen eines strahlungsemittierenden Bauelements während verschiedener Verfahrensstadien gemäß einem Ausführungsbeispiel.
  • 4 zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
  • Die 5A bis 5B zeigen schematische Schnittdarstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchipss bei verschiedenen Verfahrensstadien gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
  • Die 6 bis 9 zeigen schematische Schnittdarstellungen strahlungsemittierender Halbleiterchips gemäß weiterer Ausführungsbeispiele.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
  • Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 1A bis 1C wird in einem ersten Verfahrensschritt ein Halbleiterkörper 1 bereitgestellt, der dazu vorgesehen ist, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs von einer Strahlungsaustrittsfläche 2 auszusenden (1A). Der Halbleiterkörper 1 weist eine aktive strahlungserzeugende Zone 3 auf, die dazu vorgesehen ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen.
  • Die aktive Zone 3 umfasst bevorzugt einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, einen Einfach-Quantentopf oder besonders bevorzugt eine Mehrfach-Quantentopfstruktur (MQW) zur Strahlungserzeugung. Die Bezeichnung Quantentopfstruktur beinhaltet hierbei keine Angabe über die Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit u.a. Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen.
  • Vorliegend erzeugt die aktive Zone 3 elektromagnetische Strahlung aus dem blauen Spektralbereich.
  • In einem weiteren Verfahrensschritt wird eine separat hergestellte zweite wellenlängenkonvertierende Schicht 4 auf die Strahlungsaustrittsfläche 2 des Halbleiterkörpers 1 aufgebracht (1B). Die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht 4 ist mit einer Fügeschicht 5, die vorliegend Silikon aufweist oder aus Silikon besteht, auf dem Halbleiterkörper 1 befestigt.
  • Die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht 4 weist einen zweiten Wellenlängenkonversionsstoff 6 auf, der Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in Strahlung eines dritten Wellenlängenbereichs umwandelt, der von dem ersten Wellenlängenbereich verschieden ist. Der zweite Wellenlängenkonversionsstoff 6 ist in ein Vergussmaterial 7 eingebettet, bei dem es sich beispielsweise um Silikon, Epoxid oder ein Hybridmaterial handeln kann. Die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht 4 ist vorliegend mittels eines Spritzgussverfahrens hergestellt.
  • In einem weiteren Verfahrensschritt wird in direktem Kontakt auf die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht 4 eine erste wellenlängenkonvertierende Schicht 8 mittels eines Elektrophoreseverfahrens aufgebracht (1C). Die erste wellenlängenkonvertierende Schicht 8 weist einen ersten Wellenlängenkonversionsstoff 9 auf, der Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umwandelt, der von dem ersten und dem dritten Wellenlängenbereich verschieden ist.
  • Da die erste wellenlängenkonvertierende Schicht 8 mittels eines Elektrophoreseverfahrens aufgebracht wird, bedeckt diese vorteilhafterweise neben einer Hauptfläche 10 der zweiten wellenlängenkonvertierenden Schicht 4 auch die Seitenflächen 11 der zweiten wellenlängenkonvertierenden Schicht sowie die Seitenflächen 12 des Halbleiterkörpers 1 vollständig. Auf diese Art und Weise kann die Effizienz eines Bauteils mit dem Halbleiterkörper 1 erhöht werden, da Strahlung, die seitlich aus dem Halbleiterkörper 1 oder der zweiten wellenlängenkonvertierenden Schicht 4 austritt, nicht verloren geht.
  • Vorliegend weist die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht 4 einen zweiten Wellenlängenkonversionsstoff 6 auf, der dazu geeignet ist, einen Teil der Strahlung aus dem blauen Spektralbereich, die von dem Halbleiterkörper 1 in dessen aktiver Zone 3 erzeugt wird, in Strahlung aus dem roten Spektralbereich umzuwandeln.
  • Der erste Wellenlängenkonversionsstoff 9 der ersten wellenlängenkonvertierenden Schicht 8 ist weiterhin dazu geeignet, einen weiteren Teil der blauen Strahlung des Halbleiterkörpers 1 in Strahlung aus dem gelben Spektralbereich umzuwandeln. Die jeweils konvertierten Strahlungsanteile der ersten wellenlängenkonvertierenden Schicht 8 und der zweiten wellenlängenkonvertierenden Schicht 4 mischen sich vorliegend mit der übrigen unkonvertierten blauen Strahlung zu warmweißer Mischstrahlung.
  • Anstelle eines spritzgegossenen Plättchens als zweite wellenlängenkonvertierende Schicht 4, wie bei dem Ausführungsbeispiel der 1C, kann beispielsweise auch ein Keramikplättchen verwendet sein, wie schematisch in 2A dargestellt. Eine Keramik weist beispielsweise den Vorteil auf, dass sie besonders gut Wärme, die bei der Wellenlängenkonversion entsteht nach außen ableiten kann.
  • Bei dem Halbleiterchip gemäß dem Ausführungsbeispiel der 2B ist im Unterschied zu dem Halbleiterchip gemäß dem Ausführungsbeispiel der 1C die erste wellenlängenkonvertierende Schicht 8 mittels Sedimentation auf der zweiten wellenlängenkonvertierenden Schicht 4 aufgebracht. Im Unterschied zu dem Halbleiterchip gemäß 1C sind die Seitenflächen 12 des Halbleiterkörpers 1 und die Seitenflächen 11 der zweiten wellenlängenkonvertierenden Schicht 4 daher frei von der ersten wellenlängenkonvertierenden Schicht 8. Weiterhin ist der Halbleiterchip in ein Vergussmaterial 7 eingebracht, aus dem die Partikel des ersten Wellenlängenkonversionsstoffs 9 sedimentiert sind.
  • Die Durchführung eines Sedimentationsverfahrens gemäß einem Ausführungsbeispiels wird im Folgenden anhand der 3A bis 3D beschrieben.
  • In einem ersten Schritt wird auf einen Halbleiterkörper 1 eine zweite wellenlängenkonvertierende Schicht 4 aufgedruckt (3A). Als Druckverfahren eignet sich hierbei beispielsweise Siebdruck. Es wird eine Vergussmaterial 7 gedruckt, in das Partikel des zweiten Wellenlängenkonversionsstoffs 6 eingebracht sind.
  • In einem nächsten Schritt wird der Halbleiterkörper 1 mit der zweiten wellenlängenkonvertierenden Schicht 4 auf einen Boden 13 einer Ausnehmung 14 eines Bauelementgehäuses 15 montiert (3B).
  • In einem nächsten Schritt wird in die Ausnehmung 14 ein Vergussmaterial 4 eingefüllt, in das Partikel eines ersten Wellenlängenkonversionsstoffes 9 eingebracht sind (3C). Nach einiger Zeit setzen sich die Partikel des ersten Wellenlängenkonversionsstoffes 9 durch Sedimentation auf der Hauptfläche 10 der zweiten wellenlängenkonvertierenden Schicht 4 sowie auf dem Boden 13 der Ausnehmung 14 ab. Die Seitenflächen 12 des Halbleiterkörpers 1 bleiben hierbei frei von der ersten wellenlängenkonvertierenden Schicht 8 ( 3D) .
  • Weiterhin ist es auch möglich, dass der Halbleiterkörper alleine, ohne die Montage in ein Bauelementgehäuse, mittels Sedimentation mit einer wellenlängenkonvertierenden Schicht versehen wird. Hierzu kann vorteilhafterweise ein Träger mit einer temporären Hilfsausnehmung verwendet werden.
  • Im Unterschied zu dem Halbleiterchip gemäß dem Ausführungsbeispiel der 3D ist bei dem Halbleiterchip gemäß der 4 die erste wellenlängenkonvertierende Schicht 8 mittels eines Elektrophoreseverfahrens auf die gedruckte zweite wellenlängenkonvertierende Schicht aufgebracht 4. Hierbei werden im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel der 3D auch die Seitenflächen 12 des Halbleiterkörpers 1 mit der ersten wellenlängenkonvertierenden Schicht 8 bedeckt. Zur Durchführung des Elektrophoreseverfahrens kann der Halbleiterkörper 1 auf einem Träger 16 aufgebracht sein. Auch die freie Oberfläche des Trägers 16 ist vollständig mit der ersten wellenlängenkonvertierenden Schicht 8 bedeckt.
  • Bei dem Verfahren gemäß der 5A und 5B wird auf einen auf einem Träger 16 bereitgestellten Halbleiterkörper 1 eine erste wellenlängenkonvertierende Schicht 8 mittels Elektrophorese auf die Strahlungsaustrittsfläche 2 des Halbleiterkörpers 1 sowie dessen Seitenflächen 12 aufgebracht (5A). Auch die freie Oberfläche eines Trägers 16 wird hierbei vollständig mit der ersten wellenlängenkonvertierenden Schicht 8 bedeckt.
  • In einem weiteren Verfahrensschritt (5B) wird auf die erste wellenlängenkonvertierende Schicht 8 eine weitere separat hergestellte zweite wellenlängenkonvertierende Schicht 4 aufgebracht (5B). Die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht 4 ist beispielsweise mittels eines Spritzgussverfahrens erzeugt worden. Alternativ kann es sich auch um ein keramisches Plättchen handeln. Die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht 4 wird mittels einer Fügeschicht 5 auf der ersten wellenlängenkonvertierenden Schicht 4 befestigt.
  • Die erste wellenlängenkonvertierende Schicht 8 des Halbleiterchips gemäß 5B weist bevorzugt einen ersten Wellenlängenkonversionsstoff 9 auf, der blaue Strahlung des Halbleiterkörpers 1 in rote Strahlung umwandelt. Da die elektrophoretisch abgeschiedene erste wellenlängenkonvertierende Schicht 8 in direktem Kontakt mit dem Halbleiterkörper 1 angeordnet ist und eine vergleichsweise hohe Partikeldichte aufweist, kann auf diese Art und Weise, Wärme, die aufgrund der Stokesshift in der ersten wellenlängenkonvertierenden Schicht 8 entsteht, leicht an den Halbleiterkörper abgegeben werden. Der zweite Wellenlängenkonversionsstoff 6 wandelt bevorzugt blaue Strahlung des Halbleiterkörpers 1 in gelbe Strahlung um.
  • Im Unterschied zu dem Halbleiterchip gemäß 5B ist bei dem Halbleiterchip gemäß dem Ausführungsbeispiel der 6 die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht 4 mittels Drucken erzeugt.
  • Im Unterschied zu dem Halbleiterchip gemäß 5B ist bei dem Ausführungsbeispiel gemäß der 7 die erste wellenlängenkonvertierende Schicht 8 mittels Sedimentation auf die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht 4 aufgebracht.
  • 8 zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines Halbleiterchips mit einem Halbleiterkörper 1 auf dessen Strahlungsaustrittsfläche 2 eine erste wellenlängenkonvertierende Schicht 8 mittels Sedimentation aufgebracht ist, auf die weiterhin in direktem Kontakt eine zweite wellenlängenkonvertierende Schicht 4 angeordnet ist, die mittels Drucken hergestellt ist.
  • Im Unterschied zu dem Halbleiterchip der 8 ist bei dem Halbleiterchip der 9 die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht 4 mittels Spritzguss in einem separaten Verfahrensschritt erzeugt und auf die erste wellenlängenkonvertierende Schicht 8, die mittels eines Sedimentationsverfahrens erzeugt wurde, aufgebracht.

Claims (13)

  1. Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips mit den Schritten: - Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1), der dazu vorgesehen ist, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs von einer Strahlungsaustrittsfläche (2) auszusenden, - Aufbringen einer ersten wellenlängenkonvertierenden Schicht (8) mit einem ersten Wellenlängenkonversionsstoff (9), der Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umwandelt, über der Strahlungsaustrittsfläche (2) des Halbleiterkörpers (1), wobei das Aufbringungsverfahren aus der folgenden Gruppe gewählt ist: Sedimentation, Elektrophorese, und - Aufbringen einer zweiten wellenlängenkonvertierenden Schicht (4) mit einem zweiten Wellenlängenkonversionsstoff (6), der Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in Strahlung eines dritten Wellenlängenbereichs umwandelt, über der Strahlungsaustrittsfläche (2) des Halbleiterkörpers (1), wobei die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht (4) entweder in einem separaten Verfahrensschritt hergestellt und nachfolgend aufgebracht wird oder das Aufbringungsverfahren aus der folgenden Gruppe gewählt ist: Sedimentation, Elektrophorese, Drucken, wobei die elektrophoretisch abgeschiedene erste und/oder zweite wellenlängenkonvertierende Schicht (8, 4) eine Partikeldichte aufweist, die größer oder gleich 50 Vol% ist, und die erste und/oder zweite wellenlängenkonvertierende Schicht (8, 4), die mittels Sedimentation abgeschieden ist, eine Partikeldichte aufweist, die zwischen einschließlich 20 Vol% und einschließlich 35 Vol% liegt.
  2. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem während des separaten Verfahrensschrittes zur Herstellung der zweiten wellenlängenkonvertierenden Schicht (4) eines der folgenden Verfahren durchgeführt wird: Spritzgießen, Sintern.
  3. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die erste wellenlängenkonvertierende Schicht (8) und die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht (4) eine gemeinsame Grenzfläche ausbilden.
  4. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die erste wellenlängenkonvertierende Schicht (8) oder die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht (4) in direktem Kontakt auf die Strahlungsaustrittsfläche (2) des Halbleiterkörpers (1) aufgebracht wird.
  5. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem der erste Wellenlängenkonversionsstoff (8) und/oder der zweite Wellenlängenkonversionsstoff (6) aus der folgenden Gruppe gewählt ist: mit Metallen der seltenen Erden dotierte Granate, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Erdalkalisulfide, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Thiogalate, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Aluminate, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Orthosilikate, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Chlorosilikate, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Erdalkalisiliziumnitride, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Oxynitride und mit Metallen der seltenen Erden dotierte Aluminiumoxinitride, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Siliziumnitride, Wellenlängenkonversionsstoffsystem auf Basis von Oxiden, Wellenlängenkonversionsstoffsystem auf Basis von Nitriden, Wellenlängenkonversionsstoffsystem auf Basis von Sulfiden, Wellenlängenkonversionsstoffsystem auf Basis von Seleniden, Wellenlängenkonversionsstoffsystem auf Basis von Siliziumoxintriden.
  6. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die wellenlängenkonvertierende Schicht (4, 8) mit dem Wellenlängenkonversionsstoff (6, 9), der Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in einen langwelligeren Wellenlängenbereich umwandelt als der andere Wellenlängenkonversionsstoff (6, 9) näher am Halbleiterkörper (1) angeordnet ist, als die andere wellenlängenkonvertierende Schicht (4, 8) mit dem anderen Wellenlängenkonversionsstoff (6, 9).
  7. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Partikel des ersten und/oder zweiten Wellenlängenkonversionsstoffs (6, 9) einen Durchmesser zwischen 2 µm und 20 µm auf, wobei die Grenzen eingeschlossen sind.
  8. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem Seitenflächen (12) des Halbleiterkörpers (1) vollständig mit der ersten wellenlängenkonvertierenden Schicht (8) bedeckt werden.
  9. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem Seitenflächen (11) der wellenlängenkonvertierenden Schicht (4, 8), die näher am Halbleiterkörper (1) angeordnet ist, vollständig von der anderen wellenlängenkonvertierenden Schicht (4, 8) bedeckt werden.
  10. Strahlungsemittierender Halbleiterchip, der mit einem Verfahren nach einem der obigen Ansprüche hergestellt ist.
  11. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht (4) in direktem Kontakt mit der Strahlungsaustrittsfläche (2) des Halbleiterkörpers (1) angeordnet ist und die erste wellenlängenkonvertierende Schicht (8) in direktem Kontakt auf die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht (4) aufgebracht ist, wobei die erste wellenlängenkonvertierende Schicht (8) eine Hauptfläche (10) der zweiten wellenlängenkonvertierenden Schicht (4), Seitenflächen (11) der zweiten wellenlängenkonvertierenden Schicht (4) und Seitenflächen (12) des Halbleiterkörpers (1) vollständig bedeckt.
  12. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach Anspruch 10, bei dem die erste wellenlängenkonvertierende Schicht (8) in direktem Kontakt mit der Strahlungsaustrittsfläche (2) und Seitenflächen (12) des Halbleiterkörpers (1) angeordnet ist und die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht (4) in direktem Kontakt auf die erste wellenlängenkonvertierende Schicht (8) aufgebracht ist.
  13. Strahlungsemittierendes Bauelement, bei dem ein Halbleiterchip nach einem der Ansprüche 10 bis 12 auf einem Träger (16) oder in der Ausnehmung (14) eines Bauelementgehäuses (15) angeordnet ist.
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