CN113345927A - 屏下摄像头显示面板及透明显示区域的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种屏下摄像头显示面板及透明显示区域的制备方法，该屏下摄像头显示面板的透明显示区域包括阵列设置的Micro LED像素；Micro LED像素包括衬底、设于衬底背侧的Micro LED驱动电路层、阵列设于Micro LED驱动电路层背侧的Micro LED芯片，Micro LED芯片的引脚位于Micro LED芯片的非出光面上，且引脚通过金属走线图案与驱动电路层电性连接；本发明中的Micro LED像素位于显示区域的内侧，确保了屏下摄像头显示面板的所有显示区的显示画面处于同一高度，避免Micro LED显示画面悬浮的问题，且每个Micro LED芯片避开出光面设置有引脚和金属走线图案，避免引脚影响Micro LED出光的面积和视角，从而提高了屏下摄像头显示面板的整个显示区的显示品质。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种屏下摄像头显示面板及透明显示区域的制备方法。
背景技术
随着显示面板的快速发展，具有高屏占比的显示面板成为当前发展的趋势，例如全面屏手机依次发展为异形屏、美人尖、挖空屏，这些都是为了提高显示面板的屏占比。由于全面屏手机在出光面一侧设置有前置摄像头，液晶屏属于整面背光的被动发光，前置摄像头与光学显示无法同时在盲孔或通孔上重合，因此限制了液晶屏向全面屏的方向发展。
为了解决上述问题，面板厂家发现Micro LED显示面板具有超高亮度，高对比度，响应时间快，透明度高，可绕性等物理特点，成为全面屏手机所需显示产品，例如，参考图1中的(a)，在既能正常显示又能保证外界光线穿过屏体情况下，外界光穿过液晶屏11的透过率为10％；参考图1中的(b)，外界光穿过OLED屏12的透过率可达到为50％；参考图1中的(c)，外界光穿过Micro LED屏13的透过率可达到为80％。但是目前Micro LED芯粒的巨量转移技术未有突破，在制备技术上存在巨量转移良率低和效率低的问题，现阶段无法用MicroLED来大尺寸批量化的Micro LED显示器，但小尺寸Micro LED显示屏可以实现，因此利用小尺寸的Micro LED显示屏填补前置摄像头上缺失显示，可实现真正意义上的全面屏，参考图2和图3。
如图2中的(c)所示，现有技术的全面屏包括液晶显示区20和Micro LED显示区30，液晶显示区20包括背光源21、阵列基板、液晶层25、以及彩膜基板，其中，阵列基板包括第一基板23和位于第一基板23之上的驱动电路层24，彩膜基板包括第二基板26和位于第二基板26之下的色阻层25，阵列基板的背部设置有第一偏光片22，彩膜基板表面设置有第二偏光片27。Micro LED显示区30包括与色阻层同层设置的Micro LED芯片32和位于Micro LED芯片32之上的驱动电路层33，其中，Micro LED芯片32外设置有封装层31，Micro LED显示区30背部还设置有光学传感器34。如图2中的(d)所示，Micro LED芯片32出光面与驱动电路层33之间采用绑定电极35和绑定电极36连接，存在Micro LED芯片32出光被绑定电极遮挡，导致Micro LED显示区30出射光线S1出光面积和视角较小的问题。
如图3中的(e)所示，图3中的(e)的液晶显示区20跟图2中的(c)相同，Micro LED显示区40包括位于第二基板26表面的驱动电路层41和位于驱动电路层41表面的Micro LED芯片43，Micro LED芯片43外围设置有封装层42，Micro LED显示区40背部还设置有光学传感器44。如图3中的(f)所示，Micro LED芯片43底部与驱动电路层41之间采用绑定电极45和绑定电极46连接，存在液晶显示区20和Micro LED显示区40显示不共面，导致Micro LED显示区40出射光线S2的显示画面悬浮的问题。
综上所述，现有技术利用Micro LED显示屏与液晶屏叠加形成全面屏后，存在Micro LED显示区出光品质较差的问题，需要改进。
发明内容
本发明提供一种屏下摄像头显示面板及透明显示区域的制备方法，能够解决现有技术利用Micro LED显示屏与液晶屏叠加形成全面屏后，存在Micro LED显示区出光品质较差的问题。
本发明提供的技术方案如下：
本发明实施例提供一种屏下摄像头显示面板，该屏下摄像头显示面板包括显示区域，所述显示区域内至少设置有一用于接受外界光的透明显示区域，所述透明显示区域包括阵列设置的Micro LED像素。
其中，所述Micro LED像素包括衬底、设于所述衬底背侧的Micro LED驱动电路层、阵列设于所述Micro LED驱动电路层背侧的Micro LED芯片，所述Micro LED芯片的引脚位于所述Micro LED芯片的非出光面上，且所述引脚通过金属走线图案与所述驱动电路层电性连接。
根据本发明一优选实施例，除所述透明显示区域之外的显示区域包括液晶像素，所述液晶像素的出光面与所述Micro LED像素的出光面平齐。
其中，所述液晶像素包括阵列基板、与所述阵列基板相对设置的彩膜基板、以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层，所述阵列基板包括基底和位于所述基底之上的液晶驱动电路层，所述彩膜基板包括所述衬底和位于所述衬底背侧的色阻层；所述液晶层、所述基底和所述衬底延伸至所述Micro LED像素内。
根据本发明一优选实施例，所述Micro LED像素还包括位于所述Micro LED驱动电路层与所述Micro LED芯片之间的钝化层、用于放置所述Micro LED芯片的平坦化层、以及位于所述Micro LED芯片背侧的封装层。
其中，在所述屏下摄像头显示面板厚度方向上，所述Micro LED驱动电路层、所述钝化层、所述Micro LED芯片、所述平坦化层和所述封装层形成有复合膜层，所述复合膜层与所述色阻层齐平。
根据本发明一优选实施例，所述Micro LED芯片出光侧与所述钝化层之间设置有高透明粘结层，所述高透明粘结层的材料为光学透明胶或有机硅胶。
根据本发明一优选实施例，所述引脚包括位于所述出光面相反一侧两端的阳极绑定端和阴极绑定端，所述金属走线图案包括第一金属走线图案和第二金属走线图案，所述Micro LED驱动电路层设置有正电位输出端和负电位输出端。
所述第一金属走线图案和所述第二金属走线图案的一端分别与所述阳极绑定端和阴极绑定端电性连接，另一端分别与所述正电位输出端和所述负电位输出端电性连接。
根据本发明一优选实施例，所述第一金属走线图案和所述第二金属走线图案均为L型、U型、Z型或S型中一种或一种以上形状。
根据本发明一优选实施例，所述屏下摄像头显示面板的背部设置有摄像头，所述摄像头与所述Micro LED像素对位设置。
依据上述实施例的屏下摄像头显示面板，本发明还提供一种如上述实施例的屏下摄像头显示面板的透明显示区域的制备方法，所述透明显示区域的制备方法包括：
步骤S10，提供一衬底，在所述衬底下方制备Micro LED驱动电路层。
步骤S20，在所述Micro LED驱动电路层下方阵列设置Micro LED芯片，其中，所述Micro LED芯片的引脚设于所述Micro LED芯片的非出光面上，且所述引脚通过金属走线图案与所述驱动电路层电性连接。
根据本发明一优选实施例，步骤S20具体包括：
步骤S201，在所述透明驱动电路层下方形成钝化层，在所述钝化层下方形成平坦化层，在所述平坦化层下方形成光阻层。
步骤S202，由所述光阻层向所述钝化层的方向上刻蚀第一过孔，所述第一过孔与所述Micro LED驱动电路层的电位输出端对位设置，然后剥离剩余所述光阻层。
步骤S203，在所述第一过孔内和所述平坦化层表面制备金属走线图案，所述平坦化层对应所述金属走线图案之间设置所述Micro LED芯片，且所述金属走线图案通过点焊与所述Micro LED芯片的引脚电性连接。
步骤S204，在所述Micro LED芯片背侧制备封装层，所述封装层的材料为无机材料。
根据本发明一优选实施例，步骤S20具体包括：
步骤S205，在所述透明驱动电路层下方形成钝化层，在所述钝化层下方设置所述Micro LED芯片，所述钝化层下方形成用于包裹所述Micro LED芯片的平坦化层，在所述平坦化层下方设置光阻层。
步骤S206，由所述光阻层向所述钝化层的方向上刻蚀第二过孔和第三过孔，所述第二过孔和所述第三过孔分别与所述Micro LED驱动电路层的电位输出端和所述MicroLED芯片的引脚对位设置，然后剥离剩余的光阻层。
步骤S207，在所述第二过孔内和所述第三过孔内以及位于所述第二过孔和所述第三过孔之间的平坦化层表面制备金属走线图案，以使金属走线图案电连接所述Micro LED芯片和所述Micro LED驱动电路层。
步骤S208，在所述Micro LED芯片背侧制备封装层，所述封装层的材料为无机材料。
本发明的有益效果：本发明实施例提供一种屏下摄像头显示面板及透明显示区域的制备方法，该屏下摄像头显示面板包括显示区域，显示区域内至少设置有一用于接受外界光的透明显示区域，透明显示区域包括阵列设置的Micro LED像素；其中，Micro LED像素包括衬底、设于衬底背侧的Micro LED驱动电路层、阵列设于Micro LED驱动电路层背侧的Micro LED芯片，Micro LED芯片的引脚位于Micro LED芯片的非出光面上，且引脚通过金属走线图案与驱动电路层电性连接；本发明中的Micro LED像素位于显示区域的内侧，确保了屏下摄像头显示面板的所有显示区的显示画面处于同一高度，避免Micro LED显示画面悬浮的问题，且每个Micro LED芯片避开出光面设置有引脚和金属走线图案，避免引脚影响Micro LED出光的面积和视角，从而提高了屏下摄像头显示面板的整个显示区的显示品质。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术的三种显示屏环境光穿透率的示意图。
图2至3为现有技术的两种全面屏的膜层结构示意图。
图4为本发明提供一种屏下摄像头显示面板的膜层结构示意图。
图5为本发明提供一种屏下摄像头显示面板的透明显示区域制备方法的流程中的一种结构示意图。
图6为本发明提供一种屏下摄像头显示面板的透明显示区域制备方法的流程中的另一种结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示，图中虚线表示在结构中并不存在的，仅仅说明结构的形状和位置。
本发明针对现有技术利用Micro LED显示屏与液晶屏叠加形成全面屏后，存在Micro LED显示区出光品质较差的问题，本实施例能够解决该缺陷。
本发明实施例提供一种屏下摄像头显示面板，该屏下摄像头显示面板包括显示区域，显示区域内至少设置有一用于接受外界光的透明显示区域，透明显示区域包括阵列设置的Micro LED像素；其中，Micro LED像素包括衬底、设于衬底背侧的Micro LED驱动电路层、阵列设于Micro LED驱动电路层背侧的Micro LED芯片，Micro LED芯片的引脚位于Micro LED芯片的非出光面上，且引脚通过金属走线图案与驱动电路层电性连接；本发明中的Micro LED像素位于显示区域的内侧，确保了屏下摄像头显示面板的所有显示区的显示画面处于同一高度，避免Micro LED显示画面悬浮的问题，且每个Micro LED芯片避开出光面设置有引脚和金属走线图案，避免引脚影响Micro LED出光的面积和视角，从而提高了屏下摄像头显示面板的整个显示区的显示品质。
具体地，如图4中的(g)所示，本发明提供一种屏下摄像头显示面板的结构示意图。屏下摄像头显示面板100包括显示区域，该显示区域包括液晶区域1001和与液晶区域1001临近的透明显示区域1002，透明显示区域1002既可以正常显示，又可以透过环境光，以供屏下摄像头110获取所需要的环境光。液晶区域1001包括液晶像素，透明显示区域1002包括Micro LED像素，液晶像素的出光面与Micro LED像素的出光面平齐，避免Micro LED显示画面悬浮的问题。
液晶像素包括背光源101、位于背光源101上的阵列基板103、与阵列基板103相对设置的彩膜基板105、以及位于阵列基板103和彩膜基板105之间的液晶层104，阵列基板103包括基底1031和位于基底1031之上的液晶驱动电路层1032，液晶层104包括框胶和位于框胶内的液晶1041，彩膜基板105包括衬底1051和位于衬底1051之下的色阻层1052，色阻层1052包括阵列设置的红色色阻块、绿色色阻块和蓝色色阻块。本实施例的背光源101与阵列基板103之间还设置有第一偏光片102，彩膜基板105表面还设置有第二偏光片106。基底1031和衬底1051均为透明聚酰薄膜或透明玻璃基板，液晶驱动电路层1032为有源选址驱动电路层(薄膜晶体管驱动电路层)，基底1031、液晶层104和衬底1051延伸至整个显示区域的膜层，即透明显示区域1002也具有有部分基底1031和部分衬底1051，透明显示区域1002中的部分液晶层104的液晶与液晶区域1001的液晶层104的液晶偏转角度在屏下摄像时存在差异。透明显示区域1002未设置第一偏光片102、第二偏光片106和背光源101。
图4中的(g)结合图4中的(h)，可知显示区域内至少设置有一用于接受外界光的透明显示区域1002，透明显示区域1002包括阵列设置的Micro LED像素，屏下摄像头显示面板的背部设置有摄像头110，摄像头110与Micro LED像素对位设置。其中，Micro LED像素包括衬底1051、设于衬底1051背侧的Micro LED驱动电路层112、阵列设于Micro LED驱动电路层112背侧的Micro LED芯片111，Micro LED芯片111的引脚位于Micro LED芯片111的非出光面上，且引脚通过金属走线图案116与Micro LED驱动电路层112电性连接，Micro LED驱动电路层112为无源选址驱动电路层，无源选址驱动电路层采用透明的扫描线和数据线进行信号传递。
本实施例的Micro LED像素还包括位于Micro LED驱动电路层112与Micro LED芯片111之间的钝化层113、用于放置Micro LED芯片111的平坦化层115、以及位于Micro LED芯片111背侧的封装层117；钝化层113的材料为透明的氮化硅和氧化硅，平坦化层115的材料为吸湿胶黏剂(POC胶)，封装层117的材料为无机材料，形成保护膜。其中，在屏下摄像头显示面板厚度方向上，Micro LED驱动电路层112、钝化层113、Micro LED芯片111、平坦化层115和封装层117形成有复合膜层，该复合膜层与色阻层1052齐平，避免Micro LED显示画面悬浮的问题。
Micro LED芯片111出光侧与钝化层113之间设置有高透明粘结层114，高透明粘结层114的材料为光学透明胶或有机硅胶，用于固定Micro LED芯片111。
本实施例的Micro LED芯片111的引脚包括位于出光面相反一侧两端的阳极绑定端1111和阴极绑定端1112，金属走线图案116包括第一金属走线图案1161和第二金属走线图案1162，Micro LED驱动电路层112设置有正电位输出端1121和负电位输出端1122；第一金属走线图案1161和第二金属走线图案1162的一端分别与阳极绑定端1111和阴极绑定端1112电性连接，另一端分别与正电位输出端1121和负电位输出端1122电性连接，金属走线图案与绑定端优选采用点焊电性连接，点焊的材料为锡或铟。第一金属走线图案1161和第二金属走线图案1162均为L型、U型、Z型或S型中一种或一种以上形状，便于弯折，提高金属走线图案116的柔韧性，另一方面金属走线图案为多段弯折形状，容易制备。由于本实施例的阳极绑定端1111、阴极绑定端1112、第一金属走线图案1161、第二金属走线图案1162、正电位输出端1121和负电位输出端1122均避开Micro LED芯片111出光面设计，避免绑定电极和金属走线影响Micro LED芯片111出光的面积和视角的问题，间接提高透明显示区域1002的显示品质。
本实施例的Micro LED芯片111的长宽尺寸均为5um至50μm，厚度为5μm至8μm。相邻两个Micro LED像素之间的间距为100μm至300μm。
依据上述实施例的屏下摄像头显示面板，本发明还提供一种屏下摄像头显示面板的透明显示区域制备方法，所述屏下摄像头显示面板包括显示区域，所述显示区域内至少设置有一用于接受外界光的透明显示区域，所述透明显示区域包括阵列设置的Micro LED像素，所述Micro LED像素至少包括Micro LED驱动电路层和与所述Micro LED驱动电路层电连接的Micro LED芯片，所述透明显示区域的制备方法包括：
步骤S10，提供一衬底，在所述衬底下方制备Micro LED驱动电路层。
步骤S20，在所述Micro LED驱动电路层下方阵列设置Micro LED芯片，其中，所述Micro LED芯片的引脚位于所述Micro LED芯片的非出光面上，且所述引脚通过金属走线图案与所述驱动电路层电性连接。
本发明透明显示区域采用两种制备方法，其中一种制备方法如下：
步骤S20具体包括：步骤S201，在所述透明驱动电路层下方形成钝化层，在所述钝化层下方形成平坦化层，在所述平坦化层下方形成光阻层；步骤S202，由所述光阻层向所述钝化层的方向上刻蚀第一过孔，所述第一过孔与所述Micro LED驱动电路层的电位输出端对位设置，然后剥离剩余所述光阻层；步骤S203，在所述第一过孔内和所述平坦化层表面制备金属走线图案，所述平坦化层对应所述金属走线图案之间设置所述Micro LED芯片，且所述金属走线图案通过点焊与所述Micro LED芯片的引脚电性连接；步骤S204，在所述MicroLED芯片背侧制备封装层，所述封装层的材料为无机材料。
具体地，如图5中的(a)所示，在衬底1051之下按显示面板常规工艺进行Micro LED驱动电路层112制作，Micro LED驱动电路层112为无源选址驱动电路层，无源选址驱动电路层采用透明的扫描线和数据线进行信号传递。在Micro LED驱动电路层112之下制备钝化层113，Micro LED驱动电路层112外漏正电位输出端1121和负电位输出端1122，其中，衬底1051优选为玻璃基板，钝化层113优选为氧化硅和氮化硅复合材料。如图5中的(b)所示，在钝化层113之下制备平坦化层115，在平坦化层115之下制备光阻层121，平坦化层115的材料优选为透明的POC胶，在显示面板膜层厚度方向上，平坦化层115的厚度比Micro LED芯片大出±2μm以内，Micro LED芯片的厚度为5μm-8μm。如图5中的(c)所示，由光阻层121向钝化层113的方向上刻蚀第一过孔122和第一过孔123，第一过孔122和第一过孔123分别与MicroLED驱动电路层112的正电位输出端1121和负电位输出端1122对位设置，然后剥离剩余的光阻层121。如图5中的(d)所示，在第一过孔122内、第一过孔123内和第一过孔122和第二过孔123之间平坦化层115表面制备金属走线图案1161和金属走线图案1162。如图5中的(e)和5(f)所示，平坦化层115对应金属走线图案之间设置方型凹槽124，并在方型凹槽124内设置Micro LED芯片111，Micro LED芯片111的出光面与钝化层113之间设置有高透明粘结层114，高透明粘结层114的材料为光学透明胶或有机硅胶，Micro LED芯片111背离出光面一侧外漏有阳极绑定端1111和阴极绑定端1112。如图5中的(g)和5(h)所示，第一金属走线图案1161和第二金属走线图案1162的一端分别通过点焊与阳极绑定端1111和阴极绑定端1112电性连接，另一端分别与正电位输出端和1121负电位输出端1122电性连接，点焊的材料为锡或铟，点焊层包括点焊层125和点焊层126。如图5中的(i)所示，在Micro LED芯片111背侧制备封装层117，封装层117的材料为无机材料，Micro LED芯片111的出光面出射光线S3。
制备透明显示区域的另一种制备方法如下：步骤S20具体包括：步骤S205，在所述透明驱动电路层下方形成钝化层，在所述钝化层下方设置所述Micro LED芯片，所述钝化层下方用于包裹所述Micro LED芯片的平坦化层，在所述平坦化层下方设置光阻层；步骤S206，由所述光阻层向所述钝化层的方向上刻蚀第二过孔和第三过孔，所述第二过孔和所述第三过孔分别与所述Micro LED驱动电路层的电位输出端和所述Micro LED芯片的引脚对位设置，然后剥离剩余的光阻层；步骤S207，在所述第二过孔内和所述第三过孔内以及位于所述第二过孔和所述第三过孔之间的平坦化层表面制备金属走线图案，以使金属走线图案电连接所述Micro LED芯片和所述Micro LED驱动电路层；步骤S208，在所述Micro LED芯片背侧制备封装层，所述封装层的材料为无机材料。
具体地，如图6中的(a)所示，在衬底1051之下按显示面板常规工艺进行Micro LED驱动电路层112制作，在Micro LED驱动电路层112之下制备钝化层113，Micro LED驱动电路层112外漏正电位输出端1121和负电位输出端1122，其中，衬底1051优选为玻璃基板，钝化层113优选为氧化硅和氮化硅复合材料。如图6中的(b)所示，在钝化层113下方设置MicroLED芯片111，Micro LED芯片111的出光面与钝化层113之间设置有高透明粘结层114，高透明粘结层114的材料为光学透明胶或有机硅胶，Micro LED芯片111背离出光面一侧外漏有阳极绑定端1111和阴极绑定端1112。如图6中的(c)所示，钝化层113下方制备包裹MicroLED芯片111的平坦化层115，平坦化层115之下制备光阻层121，平坦化层115的材料优选为透明的POC胶，在显示面板膜层厚度方向上，平坦化层115的厚度比Micro LED芯片大出±2μm以内，Micro LED芯片的厚度为5μm-8μm。如图6中的(d)至6(f)，由光阻层向钝化层的方向上刻蚀第二过孔1221、第三过孔1222、第二过孔1231和第三过孔1232，第二过孔1221和第二过孔1231分别与正电位输出端1121和负电位输出端1122对位设置，第三过孔1222和第三过孔1232分别与阳极绑定端1111和阴极绑定端1112对位设置，图6中的(f)为第二过孔1221和第二过孔1231的俯视结构示意图。如图6中的(g)所示，在第二过孔1221内、第三过孔1222内、第二过孔1231内、第三过孔1232内、第二过孔1221与第三过孔1222之间的平坦化层表面、第二过孔1231内和第三过孔1232之间的平坦化层表面制备金属走线图案1161和金属走线图案1162，第一金属走线图案1161和第二金属走线图案1162的一端分别与阳极绑定端1111和阴极绑定端1112电性连接，另一端分别与正电位输出端和1121负电位输出端1122电性连接。如图6中的(h)所示，在Micro LED芯片111背侧制备封装层117，封装层117的材料为无机材料。
在另一实施例中制备透明显示区域时，还可以将屏下摄像头显示面板反置，然后制备依次透明显示区域各个膜层和安装好Micro LED芯片以后，再将屏下摄像头显示面板翻转过来，以正常放置，出光面朝上，背光源朝下，透明显示区域的制备方法跟上述实施例的方法类似，区别点为制备时膜层的朝向不同，此处不再赘述具体膜层制备方法。
本发明实施例提供一种屏下摄像头显示面板及透明显示区域的制备方法，该屏下摄像头显示面板包括显示区域，显示区域内至少设置有一用于接受外界光的透明显示区域，透明显示区域包括阵列设置的Micro LED像素；其中，Micro LED像素包括衬底、设于衬底背侧的Micro LED驱动电路层、阵列设于Micro LED驱动电路层背侧的Micro LED芯片，Micro LED芯片的引脚位于Micro LED芯片的非出光面上，且引脚通过金属走线图案与驱动电路层电性连接；本发明中的Micro LED像素位于显示区域的内侧，确保了屏下摄像头显示面板的所有显示区的显示画面处于同一高度，避免Micro LED显示画面悬浮的问题，且每个Micro LED芯片避开出光面设置有引脚和金属走线图案，避免引脚影响Micro LED出光的面积和视角，从而提高了屏下摄像头显示面板的整个显示区的显示品质。
综上，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种屏下摄像头显示面板，其特征在于，包括显示区域，所述显示区域内至少设置有一用于接受外界光的透明显示区域，所述透明显示区域包括阵列设置的Micro LED像素；
其中，所述Micro LED像素包括衬底、设于所述衬底背侧的Micro LED驱动电路层、阵列设于所述Micro LED驱动电路层背侧的Micro LED芯片，所述Micro LED芯片的引脚位于所述Micro LED芯片的非出光面上，且所述引脚通过金属走线图案与所述驱动电路层电性连接。
2.根据权利要求1所述的屏下摄像头显示面板，其特征在于，除所述透明显示区域之外的显示区域包括液晶像素，所述液晶像素的出光面与所述Micro LED像素的出光面平齐；
其中，所述液晶像素包括阵列基板、与所述阵列基板相对设置的彩膜基板、以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层，所述阵列基板包括基底和位于所述基底之上的液晶驱动电路层，所述彩膜基板包括所述衬底和位于所述衬底背侧的色阻层；所述液晶层、所述基底和所述衬底延伸至所述Micro LED像素内。
3.根据权利要求2所述的屏下摄像头显示面板，其特征在于，所述Micro LED像素还包括位于所述Micro LED驱动电路层与所述Micro LED芯片之间的钝化层、用于放置所述Micro LED芯片的平坦化层、以及位于所述Micro LED芯片背侧的封装层；
其中，在所述屏下摄像头显示面板厚度方向上，所述Micro LED驱动电路层、所述钝化层、所述Micro LED芯片、所述平坦化层和所述封装层形成有复合膜层，所述复合膜层与所述色阻层齐平。
4.根据权利要求3所述的屏下摄像头显示面板，其特征在于，所述Micro LED芯片出光侧与所述钝化层之间设置有高透明粘结层，所述高透明粘结层的材料为光学透明胶或有机硅胶。
5.根据权利要求3所述的屏下摄像头显示面板，其特征在于，所述引脚包括位于所述出光面相反一侧两端的阳极绑定端和阴极绑定端，所述金属走线图案包括第一金属走线图案和第二金属走线图案，所述Micro LED驱动电路层设置有正电位输出端和负电位输出端；
所述第一金属走线图案和所述第二金属走线图案的一端分别与所述阳极绑定端和阴极绑定端电性连接，另一端分别与所述正电位输出端和所述负电位输出端电性连接。
6.根据权利要求5所述的屏下摄像头显示面板，其特征在于，所述第一金属走线图案和所述第二金属走线图案均为L型、U型、Z型或S型中一种或一种以上形状。
7.根据权利要求1所述的屏下摄像头显示面板，其特征在于，所述屏下摄像头显示面板的背部设置有摄像头，所述摄像头与所述Micro LED像素对位设置。
8.一种如权利要求1至7任一所述的屏下摄像头显示面板的透明显示区域的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤S10，提供一衬底，在所述衬底下方制备Micro LED驱动电路层；
步骤S20，在所述Micro LED驱动电路层下方阵列设置Micro LED芯片，其中，所述MicroLED芯片的引脚设于所述Micro LED芯片的非出光面上，且所述引脚通过金属走线图案与所述驱动电路层电性连接。
9.根据权利要求8所述的透明显示区域的制备方法，其特征在于，步骤S20具体包括：
步骤S201，在所述透明驱动电路层下方形成钝化层，在所述钝化层下方形成平坦化层，在所述平坦化层下方形成光阻层；
步骤S202，由所述光阻层向所述钝化层的方向上刻蚀第一过孔，所述第一过孔与所述Micro LED驱动电路层的电位输出端对位设置，然后剥离剩余所述光阻层；
步骤S203，在所述第一过孔内和所述平坦化层表面制备金属走线图案，所述平坦化层对应所述金属走线图案之间设置所述Micro LED芯片，且所述金属走线图案通过点焊与所述Micro LED芯片的引脚电性连接；
步骤S204，在所述Micro LED芯片背侧制备封装层，所述封装层的材料为无机材料。
10.根据权利要求8所述的透明显示区域的制备方法，其特征在于，步骤S20具体包括：
步骤S205，在所述透明驱动电路层下方形成钝化层，在所述钝化层下方设置所述MicroLED芯片，所述钝化层下方形成用于包裹所述Micro LED芯片的平坦化层，在所述平坦化层下方设置光阻层；
步骤S206，由所述光阻层向所述钝化层的方向上刻蚀第二过孔和第三过孔，所述第二过孔和所述第三过孔分别与所述Micro LED驱动电路层的电位输出端和所述Micro LED芯片的引脚对位设置，然后剥离剩余的光阻层；
步骤S207，在所述第二过孔内和所述第三过孔内以及位于所述第二过孔和所述第三过孔之间的平坦化层表面制备金属走线图案，以使金属走线图案电连接所述Micro LED芯片和所述Micro LED驱动电路层；
步骤S208，在所述Micro LED芯片背侧制备封装层，所述封装层的材料为无机材料。
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|---|---|
| CN (1) | CN113345927B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114156376A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-03-08 | Tcl华星光电技术有限公司 | Micro-LED显示面板及其制备方法 |
| CN114188466A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-03-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN114284319B (zh) * | 2021-12-14 | 2023-09-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及电子设备 |
Citations (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107230685A (zh) * | 2017-06-02 | 2017-10-03 | 南京迈智芯微光电科技有限公司 | 一种全彩化的半导体发光微显示器及其制造工艺 |
| US20170294424A1 (en) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
| CN109449259A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-03-08 | 青岛海信电器股份有限公司 | 微型发光二极管灯板、其制作方法、背光模组及显示装置 |
| CN109859646A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-07 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 |
| US20190198488A1 (en) * | 2017-12-26 | 2019-06-27 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Micro led display panel and manufacturing method thereof |
| WO2019127704A1 (zh) * | 2017-12-26 | 2019-07-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 微型发光二极管显示面板及其制作方法 |
| US20190227358A1 (en) * | 2017-06-05 | 2019-07-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display panel, and display device and drive method thereof |
| CN110277053A (zh) * | 2019-06-25 | 2019-09-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、驱动方法、显示装置 |
| CN110275340A (zh) * | 2019-06-10 | 2019-09-24 | 武汉华星光电技术有限公司 | 用于屏下辨识方案的液晶显示设备 |
| WO2019218551A1 (zh) * | 2018-05-17 | 2019-11-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Micro LED显示面板的制作方法 |
| CN110568649A (zh) * | 2019-09-10 | 2019-12-13 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种显示装置及其驱动方法 |
| CN110632789A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-12-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示装置 |
| CN110794604A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-02-14 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示装置及显示装置的制作方法 |
| US20200168661A1 (en) * | 2018-11-22 | 2020-05-28 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, method for manufacturing display substrate, and display device |
| US20200203319A1 (en) * | 2018-12-20 | 2020-06-25 | J-Metrics Technology Co., Ltd. | Mass transfer method for micro light emitting diode and light emitting panel module using thereof |
| CN111369903A (zh) * | 2020-04-08 | 2020-07-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Micro LED显示装置 |
| CN111596484A (zh) * | 2020-06-01 | 2020-08-28 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种彩膜基板和显示面板 |
| CN111653585A (zh) * | 2020-06-19 | 2020-09-11 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN111708196A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-09-25 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN212276177U (zh) * | 2020-06-01 | 2021-01-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种彩膜基板和显示面板 |
| US20210013367A1 (en) * | 2019-04-04 | 2021-01-14 | Bor-Jen Wu | System and Method for Making Micro LED Display |
| CN112349745A (zh) * | 2020-11-10 | 2021-02-09 | 厦门强力巨彩光电科技有限公司 | Micro-LED显示面板和Micro-LED显示装置 |
| US20210055600A1 (en) * | 2019-08-22 | 2021-02-25 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display panel and display module |
| US20210408103A1 (en) * | 2020-06-30 | 2021-12-30 | Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. | Display Panel, Preparation Method Thereof And Display Device |
-
2021
- 2021-05-31 CN CN202110602006.6A patent/CN113345927B/zh active Active
Patent Citations (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170294424A1 (en) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
| CN107230685A (zh) * | 2017-06-02 | 2017-10-03 | 南京迈智芯微光电科技有限公司 | 一种全彩化的半导体发光微显示器及其制造工艺 |
| US20190227358A1 (en) * | 2017-06-05 | 2019-07-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display panel, and display device and drive method thereof |
| US20190198488A1 (en) * | 2017-12-26 | 2019-06-27 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Micro led display panel and manufacturing method thereof |
| WO2019127704A1 (zh) * | 2017-12-26 | 2019-07-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 微型发光二极管显示面板及其制作方法 |
| WO2019218551A1 (zh) * | 2018-05-17 | 2019-11-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Micro LED显示面板的制作方法 |
| CN109449259A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-03-08 | 青岛海信电器股份有限公司 | 微型发光二极管灯板、其制作方法、背光模组及显示装置 |
| US20200168661A1 (en) * | 2018-11-22 | 2020-05-28 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, method for manufacturing display substrate, and display device |
| US20200203319A1 (en) * | 2018-12-20 | 2020-06-25 | J-Metrics Technology Co., Ltd. | Mass transfer method for micro light emitting diode and light emitting panel module using thereof |
| CN109859646A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-07 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 |
| US20210013367A1 (en) * | 2019-04-04 | 2021-01-14 | Bor-Jen Wu | System and Method for Making Micro LED Display |
| CN110275340A (zh) * | 2019-06-10 | 2019-09-24 | 武汉华星光电技术有限公司 | 用于屏下辨识方案的液晶显示设备 |
| CN110277053A (zh) * | 2019-06-25 | 2019-09-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、驱动方法、显示装置 |
| CN110632789A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-12-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示装置 |
| US20210055600A1 (en) * | 2019-08-22 | 2021-02-25 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display panel and display module |
| CN110568649A (zh) * | 2019-09-10 | 2019-12-13 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种显示装置及其驱动方法 |
| CN110794604A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-02-14 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示装置及显示装置的制作方法 |
| CN111369903A (zh) * | 2020-04-08 | 2020-07-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Micro LED显示装置 |
| CN212276177U (zh) * | 2020-06-01 | 2021-01-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种彩膜基板和显示面板 |
| CN111596484A (zh) * | 2020-06-01 | 2020-08-28 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种彩膜基板和显示面板 |
| CN111653585A (zh) * | 2020-06-19 | 2020-09-11 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN111708196A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-09-25 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| US20210408103A1 (en) * | 2020-06-30 | 2021-12-30 | Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. | Display Panel, Preparation Method Thereof And Display Device |
| CN112349745A (zh) * | 2020-11-10 | 2021-02-09 | 厦门强力巨彩光电科技有限公司 | Micro-LED显示面板和Micro-LED显示装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114156376A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-03-08 | Tcl华星光电技术有限公司 | Micro-LED显示面板及其制备方法 |
| CN114156376B (zh) * | 2021-11-30 | 2023-10-13 | Tcl华星光电技术有限公司 | Micro-LED显示面板及其制备方法 |
| CN114188466A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-03-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN114188466B (zh) * | 2021-12-03 | 2023-11-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN114284319B (zh) * | 2021-12-14 | 2023-09-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及电子设备 |
Also Published As
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