CN113703211B - 拼接显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种拼接显示装置，其包括拼接的两个液晶显示面板和发光二极管芯片。液晶显示面板包括第一边框区，两个液晶显示面板的第一边框区相邻设置。发光二极管芯片设置于第一边框区上。根据本申请的拼接显示装置，通过在两个液晶显示面板拼接处的边框区设置发光二极管芯片以显示图像，减小拼接显示装置的拼接缝。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种拼接显示装置。
背景技术
着眼于大数据、融媒体以及会议等高阶大屏的显示需求，各大厂商在积极布局拼接技术。有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)以及次毫米发光二极管(mini-LED)等拼接屏因成本及信赖性等问题无法大规模推广，而使液晶器(LiquidCrystal Display，LCD)拼接屏成为市面上的主流产品。但，LCD的边框区无法显示画面，从而导致LCD拼接屏产生视觉上的拼接缝。因此，如何减小拼接显示屏的拼接缝已经成为各大厂商的迫切期望。
发明内容
有鉴于此，本申请目的在于提供一种能够减小拼接缝的拼接显示装置。
本申请提供一种拼接显示装置，其包括：
拼接的两个液晶显示面板，所述液晶显示面板包括第一边框区，两个所述液晶显示面板的所述第一边框区相邻设置；以及
发光二极管芯片，设置于所述第一边框区上。
在一种实施方式中，所述液晶显示面板包括阵列基板和对向基板，所述阵列基板与所述对向基板相对设置，所述对向基板包括衬底，所述发光二极管芯片位于所述衬底远离所述阵列基板的表面。
在一种实施方式中，所述衬底上设置有扫描线和数据线，所述发光二极管芯片的阳极连接于所述数据线，所述发光二极管芯片的阴极连接于所述扫描线。
在一种实施方式中，所述衬底上设置有薄膜晶体管阵列以及连接于所述薄膜晶体管阵列的扇出线，所述发光二极管芯片位于所述薄膜晶体管阵列远离所述衬底的一侧，且所述发光二极管芯片形成的发光区域在所述薄膜晶体管阵列所在平面上的正投影覆盖部分所述扇出线。
在一种实施方式中，所述拼接显示装置包括背光模组和覆晶薄膜，所述背光模组设置于所述阵列基板远离所述对向基板的一侧，所述覆晶薄膜位于相邻两个所述第一边框区之间，并且所述覆晶薄膜的一端连接于所述发光二极管芯片，另一端设置于所述背光模组远离所述阵列基板的表面。
在一种实施方式中，所述衬底的侧壁上开设有凹槽，所述拼接显示装置还包括扇出线，所述扇出线的一端连接于所述发光二极管芯片，所述扇出线的另一端延伸至所述凹槽内，并与所述覆晶薄膜连接。
在一种实施方式中，所述拼接显示装置包括四个所述液晶显示面板，每两个所述液晶显示面板沿第一方向排列成行，且每两个所述液晶显示面板沿与所述第一方向垂直的第二方向排列成列，所述液晶显示面板还包括与所述第一边框相交的第二边框区，在所述第一方向上拼接的两个所述液晶显示面板的所述第一边框区相邻设置，在所述第二方向上拼接的两个所述液晶显示面板的所述第二边框区相邻设置，所述发光二极管芯片还设置于所述第二边框区上。
在一种实施方式中，所述液晶显示面板还包括与第三边框区和第四边框区，所述第三边框区与所述第一边框区相对，所述第四边框区与所述第二边框区相对，所述第三边框区上绑定源极驱动器，所述第四边框区中设置有栅极驱动电路。
在一种实施方式中，所述液晶显示面板包括多个像素，相邻两个所述发光二极管芯片之间的间距与所述液晶显示面板中相邻两个像素之间的间距相等。
在一种实施方式中，所述发光二极管芯片为蓝色发光二极管芯片，所述拼接显示装置包括封装层，所述封装层封装所述发光二极管芯片，所述封装层包括第一封装部和第二封装部，所述第一封装部朝向所述发光二极管芯片的表面设置有红色量子点彩膜，所述第二封装部朝向所述发光二极管芯片的表面设置有绿色量子点彩膜。
根据本申请的拼接显示装置，通过在两个液晶显示面板拼接处的边框区设置发光二极管芯片以显示图像，减小拼接显示装置的拼接缝。
附图说明
为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请第一实施方式的拼接显示装置的俯视示意图。
图2为图1的拼接显示装置沿A-A线的剖视图。
图3为图1的拼接显示装置的两个第一边框区的俯视示意图。
图4为图1的拼接显示装置的O部的放大示意图。
图5为图1的拼接显示装置的发光二极管芯片和封装层的结构示意图。
图6为本申请第二实施方式的拼接显示装置的两个第一边框区的俯视示意图。
图7为本申请第三实施方式的拼接显示装置的第一边框区的俯视示意图。
图8为图7的拼接显示装置的O部的放大示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接，也可以包括第一和第二特征不是直接连接而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
请参考图1，本申请第一实施方式的拼接显示装置100包括拼接的两个液晶显示面板10：第一液晶显示面板11和第二液晶显示面板12。需要说明的是，本文在描述第一液晶显示面板11和第二液晶显示面板12的共同点时，以液晶显示面板10代替第一液晶显示面板11和第二液晶显示面板12来进行描述。液晶显示面板10包括显示区AA和包围显示区AA的第一边框区BA1、第二边框区BA2、第三边框区BA3以及第四边框区BA4。第一边框区BA1与第三边框区BA3相对，第二边框区BA2与第四边框区BA4相对。第二边框区BA2与第一边框区BA1与第三边框区BA3分别相交，第四边框区BA4也与第一边框区BA1与第三边框区BA3分别相交。
两个液晶显示面板10的第一边框区BA1相邻设置。即，第一边框区BA1为两个液晶显示面板10拼接处的边框。第一边框区BA1中不设置驱动芯片或者驱动电路。第二边框区BA2不设置驱动芯片或者驱动电路。第三边框区BA3可以设置栅极驱动电路，例如，GOA(阵列基板行驱动，GateDriverOnArray)电路。第四边框区BA4可以并绑定液晶显示面板10的源极驱动器SD。可以理解，在本实施方式中，只要在第一边框区BA1中不设置驱动芯片或者驱动电路即可，驱动芯片或者驱动电路可以设置于第二边框区BA2、第三边框区BA3和第四边框区BA4的至少一个中。第一边框区BA1由于没有设置驱动电路和驱动芯片，其宽度较设置有驱动电路或者驱动器的第三边框区BA3和第四边框区BA4要窄，因而，两个液晶显示面板10可以在第一边框区BA1处进行拼接。
可选的，第一液晶显示面板11与第二液晶显示面板12在第一方向D1上排列。第一方向D1可以为水平方向。拼接的两个液晶显示面板10具有对称结构。对于第一液晶显示面板11而言，第一边框区BA1为右边框，第二边框区BA2为下边框区，第三边框区BA3为左边框区，第四边框区BA4为上边框区。对于第二液晶显示面板12而言，第一边框区BA1为左边框，第二边框区BA2为下边框区，第三边框区BA3为右边框区，第四边框区BA4为上边框区。当然，第一液晶显示面板11与第二液晶显示面板12也可以在于第一方向D1垂直的第二方向D2，即垂直方向上排列。在这种情况下，对于第一液晶显示面板11而言，第一边框区BA1为下边框，第三边框区BA3为上边框区。则对于第二液晶显示面板12而言，第一边框区BA1为上边框，第三边框区BA3为下边框区。
在显示区AA进行显示的时候，两个液晶显示面板10的两个第一边框区BA1呈现黑色，而产生视觉上的拼接缝。对此，本申请提供的拼接显示装置100的第一边框区BA1上设置有发光二极管芯片30。具体地，可以在两个液晶显示面板10的第一边框区BA1均设置发光二极管芯片30，也可以在两个液晶显示面板10的其中一个的第一边框区BA1设置发光二极管芯片30。发光二极管芯片30与液晶显示面板10配合显示完整画面。发光二极管芯片30可以为mini-LED芯片或者micro-LED(微发光二极管)芯片。
根据本申请的拼接显示装置100，通过在两个液晶显示面板10拼接处的边框区设置发光二极管芯片30以显示图像，减小甚至消除拼接显示装置的拼接缝。可选的，可以通过网线及接收卡将信号同时传输到液晶显示面板10和发光二极管芯片30，以使发光二极管芯片30显示与液晶显示面板10的显示区AA显示连续的图像，以保持显示的连续性。由于LCD显示面板的信赖性比OLED、micro-LED和mini-LED显示面板好，且成本比OLED、micro-LED和mini-LED显示面板低，本申请的拼接显示装置100使用LCD显示面板作为主要的显示面板，并在边框区设置少量的发光二极管芯片30，从而获得了信赖性高，且成本低的拼接显示装置100。
请参考图2，液晶显示面板10包括阵列基板11、对向基板12以及位于阵列基板11与对向基板12之间的框胶13和液晶(未图示)。阵列基板11与对向基板12相对设置。对向基板12包括衬底121和设置于衬底121靠近阵列基板11的表面彩膜层122等。衬底121的材料可以为塑料或者玻璃。发光二极管芯片30设置于衬底121远离阵列基板11的表面，即，衬底121的上表面。当发光二极管芯片30为mini-LED芯片时，可以通过表面贴装(SMT)或者固晶/贴片(Die Bonding)方式形成在衬底121上。当发光二极管芯片30为micro-LED芯片时，可以通过巨量转移方式固定到衬底121上。通过将发光二极管芯片30设置在玻璃或者塑料的衬底121上，能够利用液晶显示面板10原有的结构来设置发光二极管芯片30，并且由于在玻璃或者塑料上形成发光二极管芯片30的技术较为成熟，能够降低本申请的拼接显示装置的制程难度。
可选的，请参考图3，发光二极管芯片30可以采用被动矩阵(PM：Passive Matrix)驱动模式。具体地，第一边框区BA1上设置有多条扫描线Scan和多条数据线Data。多条数据线Data沿第一方向D1延伸，且沿第二方向D2间隔设置。第一边框区BA1上还设置有多条扇出线F。每一扇出线F连接于一条数据线Data，并以其中一条扇出线F为中心汇聚，再连接于源极驱动器(未图示)。多条扫描线Scan沿第二方D2向延伸，且沿第一方向D1间隔设置。第四边框区BA4上还设置有用于驱动发光二极管芯片30的栅极驱动器40。多条扫描线Scan连接至栅极驱动器40。发光二极管芯片30的阳极连接于数据线Data，发光二极管芯片30的阴极连接于扫描线Scan。由于PM驱动方式不需要设置薄膜晶体管，只需要设置数据线Data和扫描线Scan，大大简化了驱动电路，降低了制造难度和制造成本。另一方面，以PM驱动方式驱动的发光二极管芯片30就足以满足边框区的显示分辨率。
请再次参考图2，发光二极管芯片30的源极驱动器SD2采用侧绑定技术进行绑定。具体地，拼接显示装置100包括背光模组50和覆晶薄膜60。背光模组50设置于阵列基板11远离对向基板12的一侧，用于对液晶显示面板10提供背光。具体地，每一液晶显示面板10对应于一个背光模组50。覆晶薄膜60位于相邻两个第一边框区BA1之间，即位于相邻两个液晶显示面板10与背光模组50之间。覆晶薄膜60的一端连接于发光二极管芯片30，另一端设置于背光模组50远离阵列基板11的表面。可选的，第一边框区BA1的侧壁上开设有凹槽121a。更具体的，通过激光打孔或者机械钻孔的方式在第一边框区BA1的衬底121的侧壁上形成多个凹槽121a。多条扇出线F的一端经由数据线Data连接至发光二极管芯片30，另一端延伸至第一边框区BA1的边缘，设置于凹槽12a内形成绑定垫，并与覆晶薄膜60连接。扇出线F的材料可以为铜。覆晶薄膜60与凹槽12a中的由扇出线F形成的绑定垫连接，并沿两个第一边框区BA1之间的空隙延伸，弯折至背光模组50远离阵列基板11的表面，再进行发光二极管芯片30的源极驱动器SD2的绑定。可以理解，覆晶薄膜60的绑定方式不限于上述方式，例如，也可以采用研磨第一边框区BA1暴露出信号线以形成绑定垫的方式来绑定覆晶薄膜60。图2中示出了第一液晶显示面板11与覆晶薄膜的绑定方式，第二液晶显示面板12与覆晶薄膜的绑定方式也是一样的，省略其说明。在本实施方式中，发光二极管芯片30的源极驱动器SD2采用侧绑定技术进行绑定，能够缩窄由于设置发光二极管芯片30而产生的非显示区。
进一步，拼接显示装置100还包括盖板70和光学胶80。盖板70设置于液晶显示面板10远离背光模组50的一侧。光学胶80贴合盖板70与液晶显示面板10和发光二极管芯片30。光学胶80为透明胶体，并作为平坦层，使衬底121设置有发光二极管芯片30的表面平坦化，便于设置盖板70。
请参考图4，可选的，多个发光二极管芯片30呈阵列排布。液晶显示面板10包括多个子像素PX。多个子像素PX也呈阵列排布。相邻两个发光二极管芯片30之间的间距与液晶显示面板10中相邻两个子像素PX之间的间距相等。本文中所示的“间距”是指相邻两个发光二极管芯片30的中心之间的间距，或者相邻两个子像素PX之间的中心之间的间距。“间距”包括横向间距和纵向间距。横向间距是指相邻两个发光二极管芯片30或者子像素PX在水平方向，即第一方向D1上的间距。纵向间距是指相邻两个发光二极管芯片30或者子像素PX在竖直方向，即第二方向D2上的间距。相邻两个发光二极管芯片30之间的横向间距P1与液晶显示面板10中相邻两个子像素PX之间的横向间距P2相等。相邻两个发光二极管芯片30之间的纵向间距P3与液晶显示面板10中相邻两个子像素PX之间的纵向间距P4相等。如果相邻两个发光二极管芯片30之间的间距与液晶显示面板10的相邻两个子像素PX之间的间距不一致，则会导致拼接处产生显示mura。通过使二者保持相同间距，能够减小拼接处的mura。进一步，多个发光二极管芯片30沿第一方向D1排列成行。每一行发光二极管芯片30与液晶显示面板10的一行子像素PX对齐。具体地，每一行发光二极管芯片30的中心与液晶显示面板10的一行子像素PX的中心在同一条直线上，进一步防止拼接缝处的mura。
可选的，请参考图5，发光二极管芯片30为蓝色发光二极管芯片30。拼接显示装置100还包括封装层90。封装层90封装发光二极管芯片30。封装层90包括第一封装部(package)91、第二封装部92以及第三封装部93。每一封装部从衬底121的上方包围一个发光二极管芯片30。第一封装部91朝向发光二极管芯片30的表面设置有红色量子点彩膜(Quantum Dots Color Filter，QDCF)R，第二封装部92朝向发光二极管芯片30的表面设置有绿色量子点彩膜G。第三封装部93朝向发光二极管芯片30的表面不设置量子点彩膜，或者仅设置透明膜层。由于直接使用三种颜色的发光二极管芯片30成本高，本申请采用蓝色发光二极管芯片30配合QDCF膜转换颜色再进行混色。如果直接用量子点膜，因为QD膜无法实现百分之百颜色转换，色纯度不高，需要用到CF膜去过滤。本申请使用QDCF膜进行转换，能够提高色纯度，并降低膜层厚度。
请参考图6，本申请第二实施方式的拼接显示装置100与第一实施方式的不同之处在于：
本申请第二实施方式的拼接显示装置100采用主动矩阵(Active Matrix)驱动模式进行驱动。衬底121上设置有薄膜晶体管阵列TA以及连接于薄膜晶体管阵列TA的扫描线Scan和数据线Data。衬底121的上表面还设置有多条扇出线F。每一扇出线F连接于一条数据线Data，并以一条扇出线F为中心汇聚，再连接于源极驱动器(未图示)。发光二极管芯片30位于薄膜晶体管阵列TA远离衬底121的一侧，且发光二极管芯片30形成的发光区域LA在薄膜晶体管阵列TA所在平面上的正投影覆盖部分扇出线F。
本实施方式的发光二极管芯片30通过将部分扇出线F设置于发光二极管芯片30形成的发光区域LA的下方，能够将外引脚结合(Outer Lead Bonding，OLB)区缩窄至几十微米，从而减小了为了驱动发光二极管芯片30而产生的非显示区。
请参考图7和图8，本申请第三实施方式的拼接显示装置100与第一实施方式的不同之处在于：
拼接显示装置100包括四个液晶显示面板10，且四个液晶显示面板10以2×2的方式排列。具体地，每两个液晶显示面板10沿第一方向D1排列成行，且每两个液晶显示面板10沿与第一方向D1垂直的第二方向D2排列成列。在第一方向D1上拼接的两个液晶显示面板10的第一边框区BA1相邻设置。在第二方向D2上拼接的两个液晶显示面板10的第二边框区BA2相邻设置。具体地，拼接显示装置100包括第一液晶显示面板11、第二液晶显示面板12第三液晶显示面板13以及第四液晶显示面板14。第一液晶显示面板11与第二液晶显示面板12在第一方向D1上拼接，第三液晶显示面板13与第四液晶显示面板D2在第一方向D1上拼接。第三液晶显示面板13与第一液晶显示面板11在第二方向D2上拼接，第四液晶显示面板D2与第二液晶显示面板12在第二方向D2上拼接。第一液晶显示面板11与第四液晶显示面板14具有相同结构，第二液晶显示面板12与第三液晶显示面板13具有相同结构。第一液晶显示面板11与第二液晶显示面板12具有对称结构。第一边框区BA1和第二边框区BA2中均不设置驱动芯片或者驱动电路。第三边框区BA3可以设置栅极驱动电路。第四边框区BA4可以设置数据线Data的扇出(fan-out)线，并绑定源极驱动器SD。由此，四个液晶显示面板10在没有设置驱动芯片或者驱动电路的边框区进行拼接，从而减小拼接缝。另外，发光二极管芯片30还设置于第二边框区BA2上。第二边框区BA2上的发光二极管芯片30、封装层、扫描线、数据线结构等可以参考第一实施方式中描述的第一边框区BA1的结构。并且，第二边框区BA2上的发光二极管芯片30也可以采用PM驱动和AM驱动，具体可以参考第一实施方式和第二实施方式中的第一边框区BA1的发光二极管芯片30，在此省略其说明。
根据本申请的拼接显示装置，通过在两个液晶显示面板拼接处的边框区设置发光二极管芯片以显示图像，减小或者消除拼接显示装置的拼接缝。
根据本申请的一个实施方式，发光二极管芯片采用PM驱动方式，既能满足边框区的分辨率要求，又能简化驱动电路，降低制造难度和制造成本。
根据本申请的一个实施方式，发光二极管芯片的源极驱动器采用侧绑定技术进行绑定，能够缩窄由于设置发光二极管芯片而产生的非显示区。
根据本申请的一个实施方式，相邻两个发光二极管芯片之间的间距与液晶显示面板中相邻两个子像素之间的间距相等，能够减小拼接的边框区处的mura。
根据本申请的一个实施方式，发光二极管芯片采用AM驱动，并使扇出线部分设置于发光二极管芯片下方，能够缩窄由于设置发光二极管芯片而产生的非显示区。
根据本申请的一个实施方式，能够提供一种包括以2×2的方式排列的四个液晶显示面板的拼接显示装置。
以上对本申请实施方式提供了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (7)
1.一种拼接显示装置，其特征在于，包括：
拼接的两个液晶显示面板，所述液晶显示面板包括第一边框区，两个所述液晶显示面板的所述第一边框区相邻设置；以及
发光二极管芯片，设置于所述第一边框区上；
其中，所述液晶显示面板包括阵列基板和对向基板，所述阵列基板与所述对向基板相对设置，所述对向基板包括衬底，所述发光二极管芯片直接设置于所述衬底远离所述阵列基板的表面；
所述拼接显示装置还包括背光模组和覆晶薄膜，所述背光模组设置于所述阵列基板远离所述对向基板的一侧，所述覆晶薄膜位于相邻两个所述第一边框区之间，并且所述覆晶薄膜的一端连接于所述发光二极管芯片，另一端设置于所述背光模组远离所述阵列基板的表面；
所述衬底的侧壁上开设有凹槽，所述拼接显示装置还包括扇出线，所述扇出线的一端连接于所述发光二极管芯片，所述扇出线的另一端延伸至所述凹槽内，并与所述覆晶薄膜连接。
2.如权利要求1所述的拼接显示装置，其特征在于，所述衬底上设置有扫描线和数据线，所述发光二极管芯片的阳极连接于所述数据线，所述发光二极管芯片的阴极连接于所述扫描线。
3.如权利要求1所述的拼接显示装置，其特征在于，所述衬底上设置有薄膜晶体管阵列以及连接于所述薄膜晶体管阵列的扇出线，所述发光二极管芯片位于所述薄膜晶体管阵列远离所述衬底的一侧，且所述发光二极管芯片形成的发光区域在所述薄膜晶体管阵列所在平面上的正投影覆盖部分所述扇出线。
4.如权利要求1所述的拼接显示装置，其特征在于，所述拼接显示装置包括四个所述液晶显示面板，每两个所述液晶显示面板沿第一方向排列成行，且每两个所述液晶显示面板沿与所述第一方向垂直的第二方向排列成列，所述液晶显示面板还包括与所述第一边框相交的第二边框区，在所述第一方向上拼接的两个所述液晶显示面板的所述第一边框区相邻设置，在所述第二方向上拼接的两个所述液晶显示面板的所述第二边框区相邻设置，所述发光二极管芯片还设置于所述第二边框区上。
5.如权利要求4所述的拼接显示装置，其特征在于，所述液晶显示面板还包括与第三边框区和第四边框区，所述第三边框区与所述第一边框区相对，所述第四边框区与所述第二边框区相对，所述第三边框区上绑定有源极驱动器，所述第四边框区中设置有栅极驱动电路。
6.如权利要求1所述的拼接显示装置，其特征在于，所述液晶显示面板包括多个像素，相邻两个所述发光二极管芯片之间的间距与所述液晶显示面板中相邻两个像素之间的间距相等。
7.如权利要求1所述的拼接显示装置，其特征在于，所述发光二极管芯片为蓝色发光二极管芯片，所述拼接显示装置包括封装层，所述封装层封装所述发光二极管芯片，所述封装层包括第一封装部和第二封装部，所述第一封装部朝向所述发光二极管芯片的表面设置有红色量子点彩膜，所述第二封装部朝向所述发光二极管芯片的表面设置有绿色量子点彩膜。
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