CN114156376A - Micro-LED显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种Micro‑LED显示面板及其制备方法，本发明提供一驱动电路层，驱动电路层的背面外漏绑定端子，在驱动电路层的侧面形成金属膜层，并在金属膜层上涂布光阻层；接着将压印模板压合在驱动电路层侧面，在光阻层形成阵列分布的凹槽；将压印模板从驱动电路层侧面脱离，然后使用等离子气体轰击凹槽正下方的光阻，将凹槽下方部分光阻层去除，裸露出待刻蚀的金属膜层；最后以残留的光阻层为阻挡层，刻蚀掉凹槽下方的金属膜层，形成阵列分布的电极，并剥离残留的光阻层，以完成驱动电路层侧面的印刷线路的制备；与现有侧面的印刷线路制备工艺相比，本发明的制备工艺无需激光镭射，制备工艺简单，且周期较短，降低Micro‑LED显示面板的生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及Micro-LED显示技术领域，具体而言，涉及一种Micro-LED显示面板及其制备方法。
背景技术
微发光二极管(Micro-LED)是新一代显示技术，具有自发光显示特性，相较于现有的有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)技术，Micro-LED显示面板具有亮度更高、发光效率更好、功耗更低的优点。
由于Micro-LED显示面板具有自发光特性，并且不采用额外的光源。因此可以被制造的比采用单独光源的显示设备更加薄和轻，相对容易实现柔性、可折叠显示的特性。现有技术中的Micro-LED显示面板中的Micro-LED芯片固晶焊接在驱动电路层表面的焊盘上，制备工艺复杂，且需要精准对位，制备时间较长。另一制备方法中Micro-LED转移通过在基板侧面涂布银浆，银浆通过激光固化，固化后再进行激光雕刻，最终形成需要的侧面线路，Micro-LED芯片绑定到侧面线路上，同样存在侧面线路雕刻的方式复杂，制作周期长，雕刻时先进行正面雕刻，再进行侧面雕刻，至少需要进行两次镭射。
综上，本发明提出一种Micro-LED显示面板及其制备方法，以解决上述技术问题中的Micro-LED芯片转移通过与基板侧面的线路绑定，基板侧面的线路制备过程需要先涂布银浆，银浆通过激光固化，固化后再进行激光雕刻，整个激光雕刻的方式复杂，且至少需要进行两次镭射，造成制作周期长的问题。
发明内容
本申请依据现有技术问题，提供一种Micro-LED显示面板及其制备方法，能够解决现有技术中的Micro-LED芯片转移通过与基板侧面的线路绑定，基板侧面的线路制备过程需要先涂布银浆，银浆通过激光固化，固化后再进行激光雕刻，整个激光雕刻的方式复杂，且至少需要进行两次镭射，造成制作周期长的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明实施例提供一种Micro-LED显示面板的制备方法，所述方法包括：
步骤S1、提供一驱动电路层，所述驱动电路层的背面外漏绑定端子，在驱动电路层的侧面形成金属膜层，并在所述金属膜层上涂布光阻层；
步骤S2、将压印模板压合在驱动电路层侧面，在所述光阻层形成阵列分布的凹槽；将所述压印模板从驱动电路层侧面脱离，使用等离子气体轰击所述凹槽正下方的光阻，将所述凹槽下方部分光阻层去除，裸露出待刻蚀的金属膜层；
步骤S3、以残留的光阻层为阻挡层，刻蚀掉所述凹槽下方的金属膜层，形成阵列分布的电极，并剥离残留的光阻层，以完成所述驱动电路层侧面的印刷线路的制备。
根据本发明一优选实施例，步骤S1还包括：在所述驱动电路层正面和背面贴附一层保护膜，并打磨所述驱动电路层的侧面，便于后期涂布金属膜层，所述保护膜用于保护所述驱动电路层正面的第一信号线和背面的第二信号线。
根据本发明一优选实施例，步骤S1还包括：利用物理气相沉积法在所述驱动电路层侧面制备金属膜层，所述金属膜层的厚度为
至
所述金属膜层的材料为铜、钼和铝中一种金属材料或者两种以上合金材料。
根据本发明一优选实施例，步骤S2中轰击所述凹槽正下方的光阻的等离子气体为氧气。
根据本发明一优选实施例，步骤S3还包括：待阵列分布的电极制备完成后，在所述驱动电路层上巨量转移Micro-LED芯片，将所述Micro-LED芯片的引脚通过所述第一信号线与所述电极一端电性连接，所述电极的另一端通过所述第二信号线与所述外漏绑定端子电性连接。
依据上述实施例的Micro-LED显示面板的制备方法，本发明还提供一种Micro-LED显示面板，该Micro-LED显示面板包括驱动电路层和阵列设置于所述驱动电路层正面之上的Micro-LED芯片；其中，所述驱动电路层远离所述Micro-LED芯片的背面上设置有绑定端子，所述驱动电路层的侧面上设置有印刷线路，所述Micro-LED芯片通过所述印刷线路与所述绑定端子电性连接。
根据本发明一优选实施例，所述印刷线路为阵列分布的电极，所述电极一端与所述驱动电路层的正面齐平，所述电极另一端与所述驱动电路层的背面齐平。
根据本发明一优选实施例，所述电极的材料为铜、钼和铝中一种金属材料或者两种以上合金材料。
根据本发明一优选实施例，所述Micro-LED芯片的引脚通过第一信号线与所述电极一端电性连接，所述电极另一端通过第二信号线与所述绑定端子电性连接；其中，所述第一信号线和所述第二信号线均低电阻信号线。
根据本发明一优选实施例，所述驱动电路层表面设置有凹槽，所述Micro-LED芯片位于所述凹槽内。
本发明的有益效果：本发明实施例提供一种Micro-LED显示面板及其制备方法，本发明首先提供一驱动电路层，所述驱动电路层的背面外漏绑定端子，在驱动电路层的侧面形成金属膜层，并在所述金属膜层上涂布光阻层；接着将压印模板压合在驱动电路层侧面，在所述光阻层形成阵列分布的凹槽；将所述压印模板从驱动电路层侧面脱离，然后使用等离子气体轰击所述凹槽正下方的光阻，将所述凹槽下方部分光阻层去除，裸露出待刻蚀的金属膜层；最后以残留的光阻层为阻挡层，刻蚀掉所述凹槽下方的金属膜层，形成阵列分布的电极，并剥离残留的光阻层，以完成所述驱动电路层侧面的印刷线路的制备，与现有的侧面的印刷线路制备工艺相比，本发明的制备工艺无需激光镭射，制备工艺简单，且周期较短，降低Micro-LED显示面板的生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术的Micro-LED显示面板中的侧面的线路制备流程中的结构示意图。
图2为本发明提供一种Micro-LED显示面板中的驱动电路层的立体结构。
图3-9为本发明提供一种Micro-LED显示面板中的侧面的印刷线路的制备流程中的结构示意图。
图10为本发明提供一种Micro-LED显示面板结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示，图中虚线表示在结构中并不存在的，仅仅说明结构的形状和位置。
如图1所示，现有技术的Micro-LED芯片转移通过与基板侧面的线路绑定，基板侧面的线路制备如下，如图1中的(a)所示，利用沉积装置12在基板11的侧面涂布一层金属膜层14，金属膜层14的材料优选为银浆。如图1中的(b)所示，金属膜层14通过激光装置15散发的光线固化。如图1中的(c)所示，固化后金属膜层14再进行激光雕刻，最终形成需要的线路16，由于目前雕刻的方式复杂，且至少需要进行两次镭射，造成制作周期长的问题，本实施例能够解决该缺陷。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种Micro-LED显示面板的制备方法，所述方法包括：
步骤S1、提供一驱动电路层，所述驱动电路层的背面外漏绑定端子，在驱动电路层的侧面形成金属膜层，并在所述金属膜层上涂布光阻层。
步骤S2、将压印模板压合在驱动电路层侧面，在所述光阻层形成阵列分布的凹槽；将所述压印模板从驱动电路层侧面脱离，使用等离子气体轰击所述凹槽正下方的光阻，将所述凹槽部分光阻层全部去除，裸露出待刻蚀的金属膜层。
步骤S3、以残留的光阻层为阻挡层，刻蚀掉所述凹槽下方的金属膜层，形成阵列分布的电极，并剥离残留的光阻层，完成所述驱动电路层侧面的印刷线路的制备。
本实施例在制备驱动电路层的侧面印刷线路时，采用压印模板和等离子气体刻蚀出裸露的沟道，然后在刻蚀掉沟道内的金属膜层，形成阵列分布的电极，无需镭射工艺，制备工艺简单，且周期较短，降低Micro-LED显示面板的生产成本。
优选地，步骤S1还包括：在所述驱动电路层正面和背面贴附一层保护膜，并打磨所述驱动电路层的侧面，便于后期涂布金属膜层，所述保护膜用于保护所述驱动电路层正面的第一信号线和背面的第二信号线。优选地，步骤S1还包括：利用物理气相沉积法在所述驱动电路层侧面制备金属膜层，所述金属膜层的厚度为
至
所述金属膜层的材料为铜、钼和铝中一种金属材料或者两种以上合金材料。优选地，步骤S2中轰击所述凹槽正下方的光阻的等离子气体为氧气。优选地，步骤S3还包括：待阵列分布的电极制备完成后，在所述驱动电路层上巨量转移Micro-LED芯片，将所述Micro-LED芯片的引脚通过所述第一信号线与所述电极一端电性连接，所述电极通过所述第二信号线与所述外漏绑定端子电性连接。
Micro-LED显示面板至少包括驱动电路层和位于驱动电路层正面的Micro-LED芯片。如图2至图9为本发明的所述驱动电路层侧面的印刷线路的制备流程中的结构示意图。具体地，如图2所示，本发明提供一种驱动电路层101的立体结构，印刷线路中的电极103阵列分布在驱动电路层101的侧面1013上。如图3所示，在涂布金属膜层之前，需要对驱动电路层101对正面和背面进行保护和侧面进行打磨。在所述驱动电路层100正面贴附一层保护膜1051，在所述驱动电路层100背面贴附一层保护膜1052，然后打磨所述驱动电路层101的侧面1013，便于后期涂布金属膜层，保护膜1051用于保护所述驱动电路层101正面的第一信号线，例如第一信号线S1、第一信号线S2和第一信号线S3。保护膜1052用于保护所述驱动电路层101背面的第二信号线。
如图4所示，本发明提供一种驱动电路层101的侧面1013的结构示意图，在侧面1013上涂布一金属膜层1031，在金属膜层1031上涂布一光阻层106，所述驱动电路101的背面外漏绑定端子。如图5和图6所示，将压印模板107的凸块1071压合在驱动电路层101侧面1013，在所述光阻层106形成阵列分布的凹槽；将所述压印模板107从驱动电路层101侧面1013脱离。如图7所示，使用等离子气体轰击所述凹槽1061正下方的光阻层106，将所述凹槽1061部分光阻层去除，裸露出待刻蚀的金属膜层1031，同时形成有沟道1062。如图8和图9所示，以残留的光阻层106为阻挡层，刻蚀掉所述凹槽下方的金属膜层1031，形成阵列分布的电极103，相邻的两个电极103之间形成有沟道1063，并剥离残留的光阻层106，完成所述驱动电路层101侧面1013的印刷线路的制备。
依据上述实施例中的Micro-LED显示面板的制备方法，如图10和图2所示，本发明实施例提供一种Micro-LED显示面板100的膜层示意图，所述Micro-LED显示面板100包括驱动电路层101和阵列设置于所述驱动电路层101正面之上的Micro-LED芯片；其中，所述驱动电路层101远离所述Micro-LED芯片的背面上设置有绑定端子1011，所述驱动电路层101的侧面上设置有印刷线路，所述Micro-LED芯片通过所述印刷线路与所述绑定端子电性连接。所述印刷线路为阵列分布的电极104，所述Micro-LED芯片的引脚通过第一信号线与所述电极104一端电性连接，所述电极104另一端与所述绑定端子电性连接；其中，所述第一信号线和所述第二信号线均低电阻信号线，以完成所述Micro-LED芯片所需要的驱动信号的传递。本实施例的绑定端子设置在所述驱动电路层101远离所述Micro-LED芯片一侧，绑定端子不受所述Micro-LED芯片位置的影响，绑定端子的设置的位置和空间更大，有利于提高驱动信号传递的速率和稳定性。其次Micro-LED芯片的分布密度不受绑定端子的影响，排列密度可以更大，从而提高Micro-LED显示面板的分辨率。
所述电极104一端与所述驱动电路层的正面齐平，所述电极104另一端与所述驱动电路层的背面齐平。所述Micro-LED芯片的引脚通过第一信号线与所述电极104一端电性连接，所述电极104另一端通过第二信号线1012与所述绑定端子1011电性连接，其中，所述电极103的材料为铜、钼和铝中一种金属材料或者两种以上合金材料。例如Micro-LED芯片1021通过第一信号线S1与所述电极104一端电性连接，Micro-LED芯片1022通过第一信号线S2与所述电极104一端电性连接，Micro-LED芯片1023通过第一信号线S3与所述电极104一端电性连接。本实施例中的不同的Micro-LED芯片绑定不同的所述电极104，由于图中的侧视图所限制，图中未完全画出具体结构，参考图2。
为了便于安装固定Micro-LED芯片，所述驱动电路层101表面优选设置有凹槽，所述Micro-LED芯片位于所述凹槽内。
本发明实施例提供一种Micro-LED显示面板及其制备方法，本发明的Micro-LED显示面板包括驱动电路层和阵列设置于所述驱动电路层正面之上的Micro-LED芯片；其中，所述驱动电路层远离所述Micro-LED芯片的背面上设置有绑定端子，所述驱动电路层的侧面上设置有印刷线路，所述Micro-LED芯片通过所述印刷线路与所述绑定端子电性连接；由于绑定端子设置在所述驱动电路层远离所述Micro-LED芯片一侧，绑定端子不受所述Micro-LED芯片位置的影响，绑定端子的设置的位置和空间更大，有利于提高驱动信号传递的速率和稳定性，其次Micro-LED芯片的分布密度可以排列的更大，从而提高Micro-LED显示面板的分辨率。另外本发明在驱动电路层的侧面形成金属膜层，并在所述金属膜层上涂布光阻层；将压印模板压合在驱动电路层侧面，在所述光阻层形成阵列分布的凹槽；将所述压印模板从驱动电路层侧面脱离，使用等离子气体轰击所述凹槽正下方的光阻，将所述凹槽部分光阻层全部去除，裸露出待刻蚀的金属膜层；以残留的光阻层为阻挡层，刻蚀掉所述凹槽下方的金属膜层，形成阵列分布的电极，并剥离残留的光阻层，完成所述驱动电路层侧面的印刷线路的制备；制备工艺周期短，且不需要激光刻蚀，工艺简单，降低Micro-LED显示面板的生产成本。
综上，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种Micro-LED显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤S1、提供一驱动电路层，所述驱动电路层的背面外漏绑定端子，在驱动电路层的侧面形成金属膜层，并在所述金属膜层上涂布光阻层；
步骤S2、将压印模板压合在驱动电路层侧面，在所述光阻层形成阵列分布的凹槽；将所述压印模板从驱动电路层侧面脱离，使用等离子气体轰击所述凹槽正下方的光阻，将所述凹槽下方部分光阻层去除，裸露出待刻蚀的金属膜层；
步骤S3、以残留的光阻层为阻挡层，刻蚀掉所述凹槽下方的金属膜层，形成阵列分布的电极，并剥离残留的光阻层，以完成所述驱动电路层侧面的印刷线路的制备。
2.根据权利要求1所述的Micro-LED显示面板的制备方法，其特征在于，步骤S1还包括：在所述驱动电路层正面和背面贴附一层保护膜，并打磨所述驱动电路层的侧面，便于后期涂布金属膜层，所述保护膜用于保护所述驱动电路层正面的第一信号线和背面的第二信号线。
3.根据权利要求1所述的Micro-LED显示面板的制备方法，其特征在于，步骤S1还包括：利用物理气相沉积法在所述驱动电路层侧面制备金属膜层，所述金属膜层的厚度为
至
所述金属膜层的材料为铜、钼和铝中一种金属材料或者两种以上合金材料。
4.根据权利要求1所述的Micro-LED显示面板的制备方法，其特征在于，步骤S2中轰击所述凹槽正下方的光阻的等离子气体为氧气。
5.根据权利要求2所述的Micro-LED显示面板的制备方法，其特征在于，步骤S3还包括：待阵列分布的电极制备完成后，在所述驱动电路层上巨量转移Micro-LED芯片，将所述Micro-LED芯片的引脚通过所述第一信号线与所述电极一端电性连接，所述电极的另一端通过所述第二信号线与所述外漏绑定端子电性连接。
6.一种Micro-LED显示面板，其特征在于，包括驱动电路层和阵列设置于所述驱动电路层正面之上的Micro-LED芯片；
其中，所述驱动电路层远离所述Micro-LED芯片的背面上设置有绑定端子，所述驱动电路层的侧面上设置有印刷线路，所述Micro-LED芯片通过所述印刷线路与所述绑定端子电性连接。
7.根据权利要求6所述的Micro-LED显示面板，其特征在于，所述印刷线路为阵列分布的电极，所述电极一端与所述驱动电路层的正面齐平，所述电极另一端与所述驱动电路层的背面齐平。
8.根据权利要求7所述的Micro-LED显示面板，其特征在于，所述电极的材料为铜、钼和铝中一种金属材料或者两种以上合金材料。
9.根据权利要求7所述的Micro-LED显示面板，其特征在于，所述Micro-LED芯片的引脚通过第一信号线与所述电极一端电性连接，所述电极另一端通过第二信号线与所述绑定端子电性连接；其中，所述第一信号线和所述第二信号线均低电阻信号线。
10.根据权利要求6所述的Micro-LED显示面板，其特征在于，所述驱动电路层表面设置有凹槽，所述Micro-LED芯片位于所述凹槽内。
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