CN103053023A - 光电子装置以及用于制造所述光电子装置的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提出一种具有第一光电子器件和第二器件的光电子装置和用于制造所述光电子装置的方法。光电子器件包括：第一基板，在第一基板上设置有有源区和第一接触区域；以及设置在第一接触区域中的第一接触层。第二器件包括第二基板（20），在所述第二基板上设置有设置在第二接触区域中的至少一个第二接触层。第一接触层与有源区导电地连接，并且此外经由胶粘层与第二接触层连接。所述胶粘层包含能导电的胶粘剂。第一接触层和/或第二接触层至少部分地结构化。

Description

光电子装置以及用于制造所述光电子装置的方法
技术领域
本发明涉及一种具有第一光电子器件和第二器件的光电子装置，其中所述光电子器件与所述第二器件电接触。在此，第二器件尤其能够具有用于控制光电子器件的组件。
本专利申请要求德国专利申请10 2010 032 834.0的优先权，其公开内容通过参引的方式并入本文。
背景技术
已确定的是，在一定时间后，光电子器件显现出脱层现象，其中不存在或仅不足够地提供两个器件的电接触，其中将例如用于控制光电子器件的第二器件借助于能导电的胶粘层施加到所述光电子器件上。
发明内容
因此，本发明的目的在于提出一种光电子装置，所述光电子装置具有改善的老化稳定性，其中尤其对光电子器件通过第二器件的电接触的老化稳定性起作用。另一目的是，提出一种用于制造这类光电子装置的方法。
所述目的通过根据独立权利要求所述的一种光电子装置和一种方法得以实现。从属权利要求、下述说明和附图传授其有利的实施形式和改进方案。
根据本发明的光电子装置包括（第一）光电子器件和第二器件。在此，光电子器件具有第一基板，在所述第一基板上设置有有源区和第一接触区域。在第一接触区域中设置有至少一个第一接触层。第二器件具有第二基板，第二接触层设置在所述第二基板上的第二接触区域中。在此，如第一接触层和第二接触层一样，第一接触层和有源区相互导电地连接。在此，在第一接触层和第二接触层之间的连接通过胶粘层实现，所述胶粘层包括能导电的胶粘剂。此外，将第一接触层或第二接触层或两个接触层至少部分地结构化。
第一和/或第二接触层的结构化能够在于，结构元件例如包含沟槽，所述沟槽使接触层的部分区域相互分离。但是，也能够仅将胶粘层的第一接触层的或第二接触层的或两个接触层的朝向胶粘层的表面结构化。结构化部尤其能够构造为，使得在接触层和胶粘层之间存在有力配合的或形状配合的连接。在此，当结构化部在朝向层平面的方向的牵引力作用下防止了胶粘层和接触层能够相对于彼此运动时，存在力配合的连接。接触层的结构化或所述接触层的表面的结构化尤其理解为，在施加接触层后，所述接触层经受如下结构化法，在所述结构化法中仅在部分区域中将材料从接触层的表面移除，以至于例如产生沟槽。替选地，结构化也能够实现为，使得在例如通过应用掩模或印刷法来施加接触层时就已经制成接触层表面，在所述掩模或印刷法中，仅选择性地压印特定的区域，在所述接触层表面中，至少在通过掩模或印刷法产生的不同区域中的接触层的厚度是不同的。通常，结构化还实现为，使得所述结构化不仅存在于接触区域的边缘上，而且尤其存在于接触区域的中央。结构化部例如能够包括沟槽或通道型的构造（所述构造也能够彼此平行地定向）；但是，所述结构化部也能够包括其他几何形状的任意的凹陷部，所述凹陷部部分地或完全地穿过接触层。
根据本发明可见，通过将两个接触层中的至少一个结构化能够实现胶粘层的更好的附着，并且因此能够不那么轻易地发生脱层。在此，更好的附着如下产生，表面的结构元件辅助于在胶粘层和接触层表面之间的粘附力，使得所述结构元件建立力配合的连接，以便例如将应力通过从特定方向产生的力（例如朝第一和第二基板的基板平面方向的剪力或牵引力）缓冲；但是，结构化也能够归因于在胶粘层和接触层表面之间的形状配合的连接（例如通过现有的侧凹部）。
在一个实施形式中，将第一和/或第二接触层结构化为，使得所述第一和/或第二接触层至少具有通过分离区域彼此分离的部分区域。在此，尤其用能导电的胶粘剂填充所述分离区域。在此，当结构化部或分离区域以沟槽的形式构造在接触层中时，接触层例如能够构造成梳状结构。所述沟槽例如能够基本上彼此平行地延伸。此外，沟槽能够设置为，使得所述沟槽基本上垂直于例如是矩形的接触层的较长的侧（接下来也称为纵侧）延伸。
但是，根据一个替选方案，接触层的部分区域也能够完全彼此分离。在这种情况下，光电子器件或第二器件的接触层的部分区域通常情况下附加地导电地相互连接。这例如能够通过在基板和接触层部分区域之间设置的连接层实现，或者也能够通过相应地设置在光电子器件或第二器件的基板上的带状导线来实现。如果结构化的接触层的部分区域完全彼此分离，那么“分块”尤其能够在接触层的纵向方向上进行，以至于各个部分区域在纵向方向上一个接一个地设置在基板上，其中在制造工艺期间用能导电的胶粘剂填充的部分区域是这样构成的部分区域链的连接部。如果存在接触层的这种分离的部分区域，那么所述部分区域通常情况下与适用于控制在有源区中的各个像素的各个电极部段不相符。相反，接触层的部分区域通常情况下刚好不设置为用作有源矩阵显示器或无源矩阵显示器的组成部分。
根据另一实施形式，在第一接触层和第一基板之间或在第二接触层和第二基板之间或既在光电子器件的接触层和基板之间也在第二器件的接触层和基板之间存在有连接层。此外，如接触层一样，连接层也由能导电的材料构成。在此，通常情况下，构成器件的连接层和接触层的材料是不同的。
根据一个实施形式，光电子器件的和第二器件的连接层和接触层都能够包含金属或透明的能导电的氧化物。根据一个实施形式，第一和/或第二接触层例如能够包括金属或由金属构成。根据再一实施形式，连接层能够包括能导电的氧化物、尤其包括透明的、能导电的氧化物，或者由上述材料构成。如果存在具有完全分离的接触层部分区域的一个实施形式，那么因此例如在由透明的、能导电的氧化物制成的连接层上能够存在有通过多个部分区域构成的、由金属制成的接触层，在所述接触层中，只要在接触层上还未设置有能导电的胶粘剂，各个部分区域就彼此分离或—从电连接的角度看来—仅经由连接层相互连接。
透明的、导电的氧化物（transparent conductive oxides，简称“TCO”）是透明的、导电的材料，通常情况下是金属氧化物，例如是氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或铟锡氧化物（ITO）。除了例如是ZnO、SnO2或In2O3的二元金属氧化物以外，还有例如是Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、MgIn2O4、GaInO3、Zn2In2O5或In4Sn3O12的三元金属氧化物或不同的透明的、导电的氧化物的混合物属于TCO。此外，TCO不强制性地对应化学计量的组分，并且也能够是p掺杂的或n掺杂的。
连接层或接触层的金属例如能够包括铬、铜或铝，或者也由上述材料制成。替选地，金属能够由所述元素的合金或包含所述元素的合金构成。
根据一个实施形式，尤其当连接层由透明的、能导电的氧化物或非常薄的（例如具有10nm至30nm的厚度的）金属层构成时，连接层能够过渡到光电子器件的有源区的基板侧的电极中。那么，基板侧的电极和连接层因此构成连续的层，在所述连续的层上一方面设置有接触层，并且另一方面设置有有源层；通常情况下，在所述两个层之间还设置有在彼此过渡的连接层/基板侧电极上的封装部。同样，根据一个实施形式，在第二器件的情况下，连接层能够过渡到带状导线中或过渡到设置在电组件中的能导电的层中。
根据又一实施形式，至少接触层的纵侧的横向面完全地或部分地用胶粘层覆盖。尤其当接触层具有分离区域时，由此得到至少对不处于纵向延伸的接触层的窄侧上的部分区域的封装效果，其中在所述分离区域中部分区域完全彼此分离。因此，部分区域能够完全地由胶粘剂和例如位于其下方的基板和电接触部或位于其下方的连接层包围。
但是，设置在两个器件的接触层之间的胶粘剂或胶粘层也能够设置为，使得接触层在接触区域的边缘上的横向侧面不被胶粘剂覆盖，并且仅接触层的朝向胶粘层的主面和存在于其中的结构化部被胶粘剂覆盖。如果两个器件中的一个具有不带有结构化部的接触层，这也就是说，那么仅接触层的朝向胶粘层的主表面被胶粘剂覆盖。那么，因此实施用于连接两个器件的方法，使得没有胶粘剂从胶粘接合部中溢出，并且因此不能润湿横向面。
根据又一实施形式，使用能各向异性地导电的胶粘剂作为胶粘剂。相关于接触层的彼此相向的表面，胶粘剂在连接两个器件后在垂直方向上具有导电能力。在水平方向上，在胶粘层中通常不具有导电能力。因此，能各向异性地导电的胶粘剂（“anistotropic conductive film”，ACF）的特征在于，所述能各向异性地导电的胶粘剂不是在所有方向上同样地导电作用，尤其是仅在一个方向上导电。能各向异性地导电的胶粘剂尤其能够设置在第一和第二接触层之间，使得相应的接触层的例如相互重叠地设置的相符的部分区域或者还有仅结构化的接触层的部分区域和相符的未结构化的接触层导电地连接，但是，相邻地设置的部分区域不导电地相互连接。为此，各向异性地导电的胶粘剂能够具有导电的填充材料。导电的填充材料的颗粒尤其能够设置和构造为，使得导电路径不沿着所有方向，并且尤其仅沿着在胶粘剂中的优选方向，优选在相对于接触层的主面的垂直方向上构造。在此，填充材料的尺寸和密度，也就是说，导电的颗粒的尺寸和密度例如能够与相符的第一和第二接触层的间距和/或分离区域的最小宽度相匹配。
因此，各向异性地导电的胶粘剂能够在第一和第二基板之间或在第一和第二接触层之间实现大面积的和尤其是未结构化的胶粘连接，以至于第二器件持久地并且机械稳定地安装在光电子器件上。如果接触层中的至少一个具有完全彼此分离的部分区域，那么也能够借助于能导电的胶粘剂—如前述以通常的方式实现的一样—来实现部分区域的封装。在水平方向上不具有或仅具有减弱的导电能力之后，也能够继续禁止不期望的物质的渗入，所述不期望的物质能够由所述水平的导电能力辅助而更轻易地渗入胶粘接合部中。尤其能够阻止或至少减少例如是质子的或其他侵蚀性离子的离子种类的渗入。
根据又一实施形式，能各向异性地导电的胶粘剂，或一般导电的胶粘剂附加地包含将例如是侵蚀性种类或水的不期望的物质结合或阻挡的材料（即吸气剂材料）。由此，能够还要更好地实现例如接触层的部分区域的封装。在此，吸气剂材料优选选择为，使得不损害在接触层之间的垂直的导电能力的构造。吸气剂材料的颗粒的颗粒尺寸例如能够选择为与在胶粘剂中的填充材料的颗粒尺寸相比，也就是说与导电颗粒的颗粒尺寸相比明显更小的。此外，在能各向异性地导电的胶粘剂中，颗粒尺寸也应明显小于胶粘层在连接器件后产生导电连接的区域中的厚度。
根据又一实施形式，一方面能导电的胶粘剂和连接层的或基板的材料选择为，使得能导电的胶粘剂在连接层上或在基板上比在接触层上更好地附着。当存在接触层的分离的部分区域时，所述实施形式才是尤其重要的。例如，胶粘层能够基于环氧化物或基于丙烯酸，并且连接层由透明的、能导电的氧化物构成，或者基板由聚合物或玻璃构成。如果作为接触层存在有金属层，那么在所有已提及的情况下确保，与附着在包含金属的接触层上相比，能导电的胶粘层更好地附着在基板或连接层上。因此，根据所述实施形式可能的是，附加地改进第二器件在光电子器件上的附着，并且能够减少或阻止不期望的、促进脱层的物质（例如水或侵蚀性物质）的渗入，所述脱层通过光电子装置的机械应力造成或由促使第二器件相对于光电子器件相对运动的力引起。
根据又一实施形式，光电子装置具有第一电极，所述第一电极构造为大面积的。在此，作为第一电极，电极理解为直接（即不经由有源区的功能层间接地）与第一接触层连接的电极。
在这种情况下，大面积尤其意味着，电极不是像素电极，并且因此不构造为，使得通过与尤其带状的第二电极的相互作用（更确切地说通过两个设置在有源区中的电极的相应地仅一个部分区域相互作用）来控制有源层的仅一个部分区域。更确切地说，大面积意味着，发射辐射的装置的整个有源区通过第一电极接通，并且在此，两个电极的为此必需的叠合区域是最大的。但是还可能的是，大面积的电极存在于分段的平面光源中，也就是说，存在于为了将在一个区域失效时以及在出现黑点时的问题保持为尽可能少而分为多个部段的平面光源中。“大面积”尤其能够意味着，器件的有源区、平面光源的部段或在此存在的、在有源区的区域中的第一电极具有大于或等于若干平方毫米的面积，优选具有大于或等于一平方厘米的面积，并且尤其优选具有大于或等于一平方厘米的面积。
根据又一实施形式，将光电子装置的分离区域根据直的通道的类型实现，并且所述分离区域具有0.1mm至0.5mm的宽度，尤其具有0.2mm至0.3mm的宽度。考虑到在导电的胶粘剂、尤其是能各向异性地导电的胶粘剂中，能导电的颗粒的颗粒尺寸仅为若干微米的实际情况，因此导致，由于分离区域的这种宽度，在接触层的部分区域之间不能或仅能够轻微程度地构成导电连接。此外，所述区域足够宽到能够充分地附着在基板或连接层上，以便提高机械稳定性，并且此外也能够实现接触层的部分区域的充分的封装效果。
光电子装置常常构造为，使得（在纵向方向上）例如所有接触层的总长的10%至25%设置有部分区域。在能够具有接触区域的例如0.5cm至1cm的纵向伸展尺寸的较小的装置中，分离区域的数量也能够是较少的，例如2个分离区域。在例如接触层具有10cm的纵向延伸长度的较大的装置中，分离区域的数量也能够超过十。因此，两个分离区域之间的间距常常为约1cm（即例如在0.5cm和1.5cm之间）。通常情况下，所述间距为至少1mm。在间距较小时——尤其在使用能各向异性地导电的胶粘剂时——部分区域的小的伸展长度还能够导致，在垂直方向上产生差的或减弱的导电能力。
根据又一实施形式，在接触层中存在不同尺寸的部分区域。此外，接触层包括至少一个中间区域和至少一个边缘区域，其中边缘区域的纵向伸展尺寸小于中间区域的纵向伸展尺寸（在此，中间区域具有多于一个的相邻的部分区域，尤其是两个相邻的部分区域，而边缘区域通常具有仅一个部分区域）。通常，至少两个边缘区域存在于接触层（相关于纵向伸展）的两个端部上。通常，尤其在接触层具有≥1cm的纵向伸展尺寸的装置中，也存在多于一个中间区域。如上所述，这也与在两个分离区域之间的通常情况下设有的间距相符。
在此（尤其当接触层具有1cm至10cm的纵向伸展尺寸时），边缘区域能够具有纵向总长的2%至10%的，通常5%的宽度（其中在两个现有的边缘区域中的这些数值仅涉及两个边缘区域中的一个）。当然，这在边缘区域的纵向尺寸非常小时，所述宽度更可能处于10%的范围内，并且在接触层的纵向延伸长度非常大时，例如是10cm时，所述宽度更可能在2%的范围内。还更大的伸展长度在个别情况下也能够导致，边缘区域的宽度选择为，所述宽度由前述百分比值的倍数和示例地提及的在纵向方向上的伸展长度得到。
边缘区域能够用于从横向的窄侧对接触层附加地进行电接触。但是，所述边缘区域具有不相关于或几乎不相关于装置的关于脱层的特性的宽度。因为中间区域中的大部分或一个中间区域能够完全通过胶粘层封装，能够阻止不期望的物质渗入中间区域中，以至于由此不会明显地改变耐老化性。但是同时，边缘区域也宽到使得在垂直方向上存在导电能力，进而确保了借助于在横向的窄侧上的附加的电触点的附加的控制。
根据又一实施形式，第一基板和第二基板都能够由刚性的材料或者替选地由柔性的或可弯曲的材料制成。在此，仅第一基板或仅第二基板由刚性材料制成，相应地另一基板由柔性材料制成；但是，两个基板也能够都由刚性材料制成，或者两个基板也能够都由柔性材料制成。
刚性材料例如能够是玻璃或者也例如能够是塑料，例如环氧树脂板。柔性基板例如能够包括热塑性聚合物，但是，还能够包括热固性塑料的薄层。此外，由刚性材料制成的基板和柔性基板都能够具有层压板或由多个层构成的层序列。
根据又一实施形式，光电子器件的有源区能够构造为，使得所述有源区在工作时能够发射出电磁辐射。在此，电磁辐射能够包括紫外的至红外的波长范围的至少一部分。
根据又一实施形式，光电子器件能够适于将电磁辐射转换为电流或电压。特别是有源区也能够选择为，使得构造有机的光电子器件，其中有源区还包括至少一个由有机材料制成的层。在此，由有机材料构成的所述层尤其能够选择为，使得所述层适于在工作时发射出电磁辐射，或适于将电磁辐射转换为电流或电压。
根据又一实施形式，光电子装置的光电子器件是有机的光电子器件。光电子器件尤其能够实现为有机发光二极管（OLED）。OLED例如能够在有源区中具有设置在基板上的第一电极。在第一电极的上方能够设置有具有一个或多个由有机材料制成的功能层的功能区。在此，所述层例如能够构造为电子传输层、电致发光层和/或空穴传输层。同样能够存在用于空穴或电子的阻挡层。在功能层的上方能够施加第二电极。那么，在功能层中能够通过电子注入和空穴注入以及电子复合和空穴复合产生具有单一波长或波长范围的电磁辐射。在此，在观察者看来，能够激发单色的、多色的和/或例如为白色的发光印象的混合色的发光印象。
一种用于制造根据一个实施形式的光电子装置的方法尤其包括下述步骤：
A）提供具有有源区和在第一基板上设置在第一接触区域中的至少一个第一接触层的光电子器件，其中第一接触层与有源区导电地连接；
B）提供第二基板，所述第二基板具有设置在第二接触区域中的至少一个第二接触层；
D）将能导电的胶粘剂涂覆在第一接触区域中和/或涂覆在第二接触区域中；
E）将第二基板设置在第一基板的上方，使得第一接触层经由所述能导电的胶粘剂与第二接触层能导电地连接；
在此，将第一接触层和/或第二接触层在步骤C1）中在提供前以结构化的方式施加，或者在紧接着步骤A）和/或步骤B）的步骤C2）中将其结构化。
在此，在步骤A）中能够提供具有有源区的光电子器件，所述光电子器件具有上述实施形式的一个或多个特征。同时或替选地，在步骤B）中提供的第二基板也能够选择为，使得所述第二基板具有上述实施形式的一个或多个特征。
在所述方法的又一实施形式中，借助于对接触层的刻蚀来实现根据步骤C2）的结构化。以这种方式，能够特别容易地进行结构化，因为刻蚀剂例如能够选择为，使得所述刻蚀剂虽然对接触层进行刻蚀，但是不对位于其下的基板或位于其下的连接层进行刻蚀。例如，对由金属制成的接触层的刻蚀能够借助于酸来进行，所述酸不侵蚀位于所述接触层下的由透明的、导电的氧化物制成的层。在此，所述刻蚀例如能够借助于掩模来进行，并且也借助于两个刻蚀步骤的组合来实施，其中第一步骤各向异性地进行，并且第二步骤各向同性地进行，使得获得作为结构化特征的侧凹部。然后，通过这种侧凹部能够附加地导致在胶粘层和连接层之间的材料接合的连接或者在接触层和胶粘层之间的、位于基板前的形状配合的连接。但是，也能够通过例如借助于光刻法或使用掩模或本身有机化的单分子层来施加由金属制成的接触层，而引入结构化部。
附图说明
从下面的结合附图说明的实施形式中得到本发明的其他优点和有利的实施形式和改进方案。附图示出：
图1示出根据实施例的光电子装置的示意图；
图2A至H示出一种用于制造根据实施例的光电子装置的方法的示意性俯视图。
在实施例和附图中，相同的或起相同作用的组成部分总是设有相同的附图标记。原则上，所示出的元件和其彼此之间的尺寸比例不视为是合乎比例的，相反，为了更好的可示出性和/或为了更好的理解，可以过厚或过大地示出例如是层、部件、器件和区域的各个元件。
具体实施方式
在图1中示出用于光电子装置的一个实施例。在此，光电子装置具有带有第一基板10的光电子器件1，所述第一基板例如能够由玻璃制成。在所述基板上设置有有源区11，所述有源区适于发射电磁辐射。光电子器件1构成为OLED。在此，在有源区中，将第一电极12、有机的功能层13和第二电极14施加在基板上。然后，第一电极12尤其能够是正极；第二电极14是负极。然而，还可设想的是，第一电极是负极。此外，有源区具有封装部15，所述封装部适于保护电极12、14和功能层13免受例如是湿气或氧气的有害的外部影响。
功能层13能够具有有机聚合物，有机低聚物，有机的小的、非聚合分子（小分子）或由上述物质构成的组合。在发射层中，荧光的和/或磷光的发射器例如基于“小分子”而存在。用于功能层的适合的材料以及材料的布置和结构化是本领域技术人员已知的，并且因此在这里不进一步详述。
第二电极14能够构成为负极，并且因此用作为电子诱导材料。此外，尤其是铝、钡、铟、银、金、镁、钙或锂作为负极材料能够被证实为是有利的。如果存在顶部发射器或顶部/底部发射器，那么第二电极也能够构成为透明的，并且例如由透明的、导电的氧化物制成或包含所述氧化物。
有源区11的封装部15用于保护电极12、14和功能层13免于湿气和例如是氧气的氧化物质。在此，封装部15能够是单层的或多层的，并且例如包括平坦化层、阻隔层、吸收水和/或氧气的层。
在所示出的实施例中，光电子器件1尤其构造为底部发射器。这意味着，在有源区11中产生的电磁辐射通过第一基板10射出。为了实现对比度的提高并且为了避免光的反射，所述光能够从外部入射到有源区11上和尤其是电极12、14上，在基板10的与有源区相对置的侧上设置有圆极化器16。但是替选地，OLED也能够构成为顶部发射器，也就是说，所产生的电磁辐射通过封装部15射出。最终，所述装置也还能够构成为顶部/底部发射器，其中所发射的辐射既通过第一基板10也通过封装部15射出。
光电子器件1的在图1中示出的实施例是纯示例性的，并且能够相应于通常情况下在OLED中存在的实施形式相应地改变或扩展。
第一电极12与连接层18导电地连接；两个层施加在第一基板10上。在连接层18上设置有由金属，尤其由铜制成的接触层19。在此未示出接触层19的结构化部，因为附图示出穿过光电子装置的横向于接触层的纵侧的剖面。连接层18能够—也如第一电极12一样—由ITO构成。因此，第一电极12过渡到存在于接触区域17中的连接层18中。但是替选地，在不存在连接层18的情况下，还可设想第一电极12过渡到接触层19中；在此，第一电极12和接触层19也能够实现为由不同材料制成的。
此外，光电子装置具有例如由玻璃制成的、具有第二基板20的第二器件2。根据一个实施形式，在基板上能够设置有电组件21，所述电组件适于控制光电子器件1的有源区11。电组件21也能够是电子电路的一部分，所述电子电路适于控制光电子器件1。电组件21尤其例如能够是集成的开关电路（“集成电路”，IC）或用于电路的有源的或无源的电子组件或有源的或无源的电子部件。此外，多个这种电组件21也能够设置在第二基板20上。替选地或除了电组件21以外，在基板20上还能够设置有另一光电子器件。特别是，在第二基板20上的这样的光电子器件能够具有如光电子器件1一样的特征。由此，例如可将具有第一基板10的光电子器件1和具有光电子器件21的第二器件2导电地相互连接，并且将光电子器件2、21相互电接通。
此外，电组件21与双层式输入管路连接，类似于光电子器件1，所述输入管路具有第二接触层29和第二连接层28。如已经对光电子器件详述的，在此连接层28不是强制性必需的。电组件21例如能够经由胶粘连接或焊接与层28、29导电地连接。
第二器件2的第二基板20相对于光电子器件1的第一基板10设置为，使得基板的彼此相向的表面在接触区域17中彼此重叠。特别地，在所示出的实施例中，彼此相向的表面彼此平行地设置。在接触层19、29之间设置有由各向异性地导电的胶粘剂制成的胶粘层3。在此，胶粘剂完全包围第一接触层18，也就是说，所述胶粘剂也覆盖横向侧。替选于所示出的实施形式，胶粘层3也能够拉伸至光电子器件1的封装部15，以至于例如能够弃用连接层18，并且尽管如此仍然能够实现对接触层19的封装。不言而喻，在存在第一连接层18时，也能够将胶粘层3拉伸至封装部15。在此，各向异性地导电的胶粘剂尤其适于将电流在接触层19、29之间在垂直方向上传导，也就是说，电流传导在纸平面中进行。在此，胶粘层3例如能够具有10μm的厚度。所述胶粘层例如能够基于环氧化物或丙烯酸树脂，并且作为导电的颗粒，所述胶粘剂能够具有带有聚合物芯和金属外皮的，例如由镍制成的，双层式颗粒。
光电子器件1和第二器件2相对彼此能够设置有间距4。所述间距尤其能够是≥0.1mm的。借助于这样的间距例如也能够使用第一和第二基板，所述第一和第二基板具有不同的热膨胀系数，以至于在温度变化时，能够避免例如第二基板20和封装部15相互间的张力和力。此外，在制造公差和装配公差方面，这样的间距也能够是有利的。此外，对于光电子装置的紧凑的和节省空间的结构形式而言，小于1mm的间距4是有利的。
根据一个实施形式，第一基板10和第二基板20或者甚至两个基板10、20都由玻璃构成。替选地，两个基板10、20中的一个或两个基板10、20都包含石英、塑料薄膜、金属、金属薄膜、硅晶圆或任意其他的基板材料。
图2A至2H示出一种用于制造根据本发明的光电子装置的方法。首先在此示出，如何制造光电子器件1。
在图2A中首先示出准备好的第一基板10。在第一基板10上直接设置有第一能导电的层38，之后由所述第一能导电的层构成连接层18和第一电极12。在第一能导电的层38上直接设置有第二能导电的层39（所述第二能导电的层通常情况下基本上与第一能导电的层38完全重合地设置在基板10上），之后由所述第二能导电的层构成接触层。
在图2B中示出，在能导电的层38、39中例如借助于激光烧蚀制成暴露的区域31，以至于产生两个彼此分离的第一能导电的层38、38’和第二能导电的层39、39’，以用于之后与第一电极12和第二电极14的接触。
在图2C中示出，如何由第二能导电的层39产生接触层19。在此，接触层19具有纵向伸展尺寸19L和宽度19B。在此，通过接触层的宽度19B和接触层的纵向长度19L形成的区域基本上相当于接触区域17。接触层19由多个部分区域19R、19M构成，其中存在四个中间区域19M，并且端部上在纵向方向上分别存在有边缘区域19R。在此，部分区域19R、19M通过分离区域5彼此分离。在分离区域5中可见位于其下的连接层18，所述连接层也继续朝第一电极12的方向延伸。
相应地，具有中间区域19’M和边缘区域19’R以及位于所述中间区域和边缘区域之间的分离区域5’的接触层能够构成在为第二电极14设置的区域中。在此，在分离区域5’中也可见位于其下的连接层18’。
接触层19的结构化例如能够如下进行，将第二能导电的层39可选地用保护材料覆盖，并且紧接着对第二能导电的层39进行刻蚀，其中第二能导电的层39的由保护材料覆盖的区域保持不变。第一能导电的层基本上不被这个方法步骤改变。第二能导电的层39或接触层19例如能够由金属制成，并且连接层18以及第一电极12能够由透明的、能导电的氧化物制成。借助于保护材料的结构化能够相应地例如借助蚀刻浴来进行。接下来，例如能够借助于溶剂来去除存在于接触层19的剩余的中间区域19M和边缘区域19R上的保护层。以有利的方式，借助于所述方法，在光电子器件的有源区11中附加地还能够设有带状导线33。如在接触层19的部分区域中一样，这也能够借助于设置保护层来进行，接下来再去除所述保护层移除。这种带状导线33能够由于更均匀的电流分布用于平面光源的更均匀的亮度。
图2D示出在施加第二电极14后的状态。首先，将一个或多个功能层13施加在第一电极12上。为了清晰起见，未示出所述功能层。在此，第二电极14接触连接层18’。为了清晰起见，未绘出设置在之前暴露的区域31中的绝缘材料和第二电极14的精确的设计方案，尤其是关于过渡到连接层18’时的高度差以及在连接层18中的精确的设计方案。
图2E示出将封装部15施加在有源区11的上方之后的状态。
图2F和2G示出第二器件2的部分，所述第二器件构造为用于与光电子器件1接触。所述第二器件2的基板20尤其能够是柔性的基板，其中柔性的基板尤其理解为塑料基板，例如是包括多个聚合物层的基板，例如是基于聚酰亚胺薄膜的基板。
在此，在图2F中可见类似于图2C的实施方案所述地制成的、具有边缘区域29R和中间区域29M的第二接触层29。在所述第二接触层下和在第二接触层29的部分区域之间的分离区域5中可见设置在第二基板20中的第二连接层28。在图2G中示出，为了将第二器件2与光电子器件1接触而设置有由能各向异性地导电的胶粘剂制成的胶粘层3。在此，胶粘层3完全地覆盖接触层29，以至于分离区域5和中间区域29M也在不由分离区域5构成的横向的侧面上完全地由胶粘层3覆盖。
最终，在图2H中示出第二器件2的背侧2R，所述背侧设置在光电子器件1上。在此，也示出第二器件2的仅一个部分区域。
在根据图2A至2H的实施形式中，第一接触层19和第二接触层29都被结构化。此外，结构化实现为，使得第一接触层19的和第二接触层29的分离区域5直接相互重叠。这不是强制性必需的，但是出于工艺经济上的原因能够这样实施。因此，可设想的设置例如是，尤其当在光电子器件1的制造工艺中，由于不同地实施的工艺步骤，接触层19的结构化几乎不可能实现时，仅将第二器件的接触层29结构化。此外，例如当与在图2E中所示出不同，连接层18、18’的外棱边和接触层19、19’的部分区域不相互重叠时，胶粘层3不仅能够完全地覆盖第二器件2的中间区域29M的横向面，而且也能够覆盖光电子器件1的横向面。
此外，图2H示出下述状态，在所述状态下首先仅实施第二电极14的借助于第二器件2的接触。以相应的方式，第一电极12也能够经由接触层19的部分区域19R、19M和连接层18来进行接触。
未示出的是，根据实施形式可能需要将胶粘层3硬化。例如，能够使用索尼化学公司的能各向异性地导电的胶粘剂CP5720GT。借助于几秒的在70℃至100℃的温度下和0.5MPa至1.5MPa的压力下的预先键合步骤，并且借助于10秒的在170℃至200℃的温度下和3MPa至5MPa的压力下的主键合步骤能够将两个器件1、2相互连接。如已经详述的，作为能各向异性地导电的胶粘剂环氧树脂胶粘剂或丙烯酸胶粘剂是适宜的，所述胶粘剂包含在微米范围内的能导电的颗粒，其中颗粒例如能够构造为双层的，并且由聚合物芯构成。一般来说，在1MPa至5MPa的情况下，在5秒至15秒的时间内，常规加工温度为130℃至220℃之间。如所述的，所述方法也能够分两步地实施。在此情况下，通过所述方法例如能够制成大约10μm的胶粘层3。由于例如由铜制成的接触层19、29的厚度为5μm至10μm，（当接触层中的仅一个被结构化时）在分离区域5的区域中得到两倍厚的胶粘层厚度，这导致，在分离区域5的区域中基本上不存在垂直方向上的导电能力。所有方法参数适用于Chip-On-Glass（COG，玻璃上芯片封装）、Flex-On-Glass（FOG，玻璃上柔性板封装）、Flex-On-Board（FOB，板上柔性板封装）、Flex-On-Flex（FOF，柔性板上柔性板封装）、Chip-On-Flex（COF，柔性板上芯片封装）、Chip-On-Board（COB，板上芯片封装）以及类似的应用。
所构成的装置的改善的特性能够借助于剥离测试测定。为了测量剥离强度，选择具有由铜制成的接触层和由ITO制成的连接层的装置，在所述装置中存在三个具有0.5mm的宽度的中间区域，三个具有0.1mm宽度的边缘区域和四个具有0.25mm宽度的分离区域。在垂直于胶粘面的方向上，对至少部分柔性的第二器件2中的1cm宽的部块用牵引力加载。所述剥离测试示出，当接触层19、29中的的仅一个借助分离区域被结构化时，剥离强度就已经相对于未结构化的接触层提高50%。如果将两个接触层结构化，那么剥离强度能够再提高50%。通过高的剥离强度，也改进了耐老化性，如上述详述的，所述耐老化性还能够附加地通过对接触层19、29的至少中间区域19M、29M进行封装而改进。
本发明不由于借助于所述实施例的说明而局限于所述实施例。相反，本发明包括每个新的特征以及特征的每个组合，这特别是包括在权利要求中的特征的每个组合，即使所述特征或所述组合本身在权利要求中或实施例中没有明确地说明。

Claims (15)

1.光电子装置，包括：
-具有第一基板（10）的光电子器件（1），在所述第一基板上设置有有源区（11）和第一接触区域；
-设置在所述第一接触区域中的至少一个第一接触层（19）；
-具有第二基板（20）的第二器件（2），在所述第二基板上设置有设置在第二接触区域中的至少一个第二接触层（29）；
其中，
-所述第一接触层（19）与所述有源区（11）导电地连接，并且
-所述第一接触层（19）和所述第二接触层（29）经由包含能导电的胶粘剂的胶粘层（3）相互导电地连接，
-其中所述第一接触层（19）和/或所述第二接触层（29）至少部分地结构化。
2.根据权利要求1所述的光电子装置，
其中，所述第一接触层（19）和/或所述第二接触层（29）具有部分区域（19R、19M、29R、29M），所述部分区域至少部分地通过分离区域（5）彼此分离，所述分离区域用所述能导电的胶粘剂填充。
3.根据前述权利要求之一所述的光电子装置，
其中，在所述第一接触层（19）与所述第一基板（10）之间和/或在所述第二接触层（29）与所述第二基板（20）之间存在连接层（18、28）。
4.根据前述权利要求之一所述的光电子装置，
其中，所述第一接触层（19）和/或所述第二接触层（29）包含金属。
5.根据前述权利要求之一所述的光电子装置，
其中，所述能导电的胶粘剂是能各向异性地导电的胶粘剂。
6.根据前述权利要求3至5之一所述的光电子装置，
其中，所述装置构造为，使得借助于所述能各向异性地导电的胶粘剂基本上仅实现如下导电能力，所述导电能力基本上垂直于所述第一接触层（19）的和所述第二接触层（29）的彼此相向的表面。
7.根据前述权利要求之一所述的光电子装置，
其中，所述连接层（18、28）的或所述基板（10、20）的材料和所述能导电的胶粘剂选择成，使得所述能导电的胶粘剂在所述连接层（18、28）上或在所述基板（10、20）上比在所述接触层（19、29）上更好地附着。
8.根据前述权利要求2至7之一所述的光电子装置，
其中，所述第一接触层（19）的和/或所述第二接触层（29）的所述部分区域（19R、19M、29R、29M）中的至少一个在横向面的至少一部分上由所述胶粘层覆盖。
9.根据前述权利要求之一所述的光电子装置，
其中，所述装置具有第一电极（12、14），所述第一电极构造为大面积的。
10.根据前述权利要求2至9之一所述的光电子装置，
其中，所述分离区域（5）的宽度为0.1mm至0.5mm，尤其为0.2mm至0.3mm。
11.根据前述权利要求2至9之一所述的光电子装置，
其中，所述部分区域（19R、19M、29R、29M）包括至少一个中间区域（19M、29M）和至少一个边缘区域（19R、29R），其中所述边缘区域（19R、29R）的纵向伸展尺寸小于所述中间区域（19M、29M）的纵向伸展尺寸。
12.根据前述权利要求2至9之一所述的光电子装置，
其中，存在至少两个分离区域（5）。
13.根据前述权利要求之一所述的光电子装置，
其中，所述光电子器件（1）是有机的光电子器件。
14.用于制造光电子装置的方法，具有下面的步骤：
A）提供具有有源区（11）和设置在第一接触区域中的第一基板（10）上的至少一个第一接触层（19）的光电子器件（1），其中所述第一接触层（19）与所述有源区（11）导电地连接；
B）提供具有第二基板（20）的第二器件（2），所述第二基板具有设置在第二接触区域中的至少一个第二接触层（29）；
D）将能导电的胶粘剂涂覆在所述第一接触区域中和/或涂覆在所述第二接触区域中；
E）将所述第二基板（20）设置在所述第一基板（10）之上，使得所述第一接触层（19）经由所述能导电的胶粘剂与所述第二接触层（29）能导电地连接；
其中，将所述第一接触层（19）和/或所述第二接触层（29）在步骤C1）中在提供前以结构化的方式施加，或者在紧接着步骤A）和/或步骤B）的步骤C2）中进行结构化。
15.根据前一权利要求所述的方法，
其中，步骤C2借助于刻蚀所述接触层（19、29）进行。
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