KR101548400B1 - 유기 발광 다이오드，접촉 장치 및 유기 발광 다이오드의 제조 방법 - Google Patents

유기 발광 다이오드，접촉 장치 및 유기 발광 다이오드의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전자기 복사(6)의 방출을 위한 층 스택(2)을 포함하는 유기 발광 다이오드에 관한 것이다. 층 스택(2)의 제1표면상에 전기 전도 제1연결층(4)이 배치되고, 층 스택(2)의 제2표면상에 전기 전도 제2연결층(5)이 배치되며, 상기 제2연결층은 방출 가능한 전자기 복사(6)의 특정한 파장을 적어도 대부분 투과시킨다. 유기 발광 다이오드는 층 스택에 대향된 제1연결층(4)의 측에 배치된 도전 접촉 구조(7)를 특징으로 하며, 상기 접촉 구조는 제1연결층(4)의 복수 개의 리세스(12)의 영역에서 제2연결층(5)과 전기적으로 연결된다. 또한, 본 발명은 광학적 활성 면형 부재를 위한 접촉 장치(15) 및 유기 발광 다이오드(1)의 제조 방법에 관한 것이기도 하다.

Description

유기 발광 다이오드，접촉 장치 및 유기 발광 다이오드의 제조 방법{ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODE, CONTACT ARRANGEMENT AND METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODE}
본 발명은 일반적으로 면형의 광학적 활성 영역을 구비하고, 특히 유기 발광 다이오드를 구비하는 전자 소자에 관한 것이다. 이와 관련하여 면형이란, 광학적 활성 부재가 제1 및 제2표면이 펼쳐지는 제1 및 제2공간 방향에서 나머지 제3공간 방향에 비해 현저히 더 넓게 연장됨을 의미한다.
종래 발광 다이오드는 구동 전압의 균일한 공급에 문제가 있다. 일반적으로, 유기 층 스택을 위한 구동 전압은 2개의 연결층의 테두리 영역에 인가된다. 금속 연결층을 이용하는 전기적 공급은 금속의 양호한 전도도에 의해 비교적 수월하나, 테두리로부터 다른 종류의 연결층, 특히 투명한 연결층에 인가되는 전압은 감소한다. 이는, 그러한 층들이 금속층에 비해 낮은 횡전도도를 가지고, 금속 연결층만큼 공급 전압을 양호하게 안내하지 않는다는 점에 근거한다. 특히 유기 발광 다이오드의 경우, 테두리로부터 발광면의 내부 영역의 방향으로 달성될 수 있는 휘도도 구동 전압과 함께 감소한다.
본 발명의 과제는 층 스택 또는 광학적 활성 부재의 전기적 연결을 개선하는 유기 발광 다이오드, 및 면형 광학적 활성 부재용 접촉 장치를 제공하는 것이다. 또한, 전체면에 걸쳐 균일한 방출을 구현하는 유기 발광 다이오드를 제공하는 것이기도 하다. 또한, 이러한 발광 다이오드를 제조하기에 적합한 방법을 제공하는 것이기도 하다.
본 발명의 형성예에 따르면, 층 스택을 포함한 발광 다이오드가 기술되고, 이때 층 스택은 전자기 복사의 방출을 위한 적어도 하나의 유기층, 그리고 제1표면 및 상기 제1표면에 대향된 제2표면을 포함한다. 또한, 발광 다이오드는, 층 스택의 제1표면상에 배치되어 상기 층 스택과 전기적으로 연결되는 전기 전도 제1연결층을 포함한다. 또한, 발광 다이오드는 방출 가능한 전자기 복사의 특정 파장을 가진 전자기 복사를 적어도 대부분 투과시키는 전기 전도 제2연결층도 포함하며, 상기 제2연결층은 층 스택의 제2표면상에 배치되고, 층 스택과 전기적으로 연결된다. 발광 다이오드는, 특히, 층 스택에 대향된 제1연결층의 측에 상기 연결층으로부터 전기적으로 절연된 도전 접촉 구조가 배치되고, 제1연결층이 복수 개의 리세스를 포함하며, 제2연결층이 상기 제1연결층의 복수 개의 리세스의 영역에서 상기 접촉 구조와 전기적으로 연결된다는 것을 특징으로 한다.
상기 제1연결층의 대향된 측에 부가적인 도전 접촉 구조가 사용됨으로써, 예를 들면 캐리어 기판의 일 측으로부터 제1연결층을 통과하는 전류 공급이 가능하다. 이러한 방식으로, 제2연결층을 위한 복수 개의 리세스의 영역에서 전기 전위가 준비될 수 있다. 따라서, 도전 접촉 구조는 부분적으로 제2연결층의 기능을 하며, 횡전도도의 개선에 효과적 역할을 한다.
유리한 형성예에 따르면, 접촉 구조는 적어도 하나의 제1절연층 및 전기 전도 제3연결층을 포함하고, 이때 제1절연층은 층 스택을 등지는 제1연결층의 측과 직접 물리적으로 접촉하고, 제3연결층은 제1연결층을 등지는 제1절연층의 측과 직접 물리적으로 접촉한다. 제1절연층 및 전기 전도 제3연결층을 포함한 접촉 구조가 사용됨으로써, 필요 구동 전압을 공급하기 위한 콤팩트한 연결 구조가 구현될 수 있다.
다른 유리한 형성예에 따르면, 절연층은 전기 절연성 캐리어 기판으로서 형성되고, 복수 개의 리세스를 포함하며, 상기 리세스는 제1연결층의 복수 개의 리세스에 부속한다. 복수 개의 리세스를 포함한 캐리어 기판이 사용됨으로써, 유기 발광 다이오드의 기계적 및 전기적 구성이 더욱 간단해진다.
다른 유리한 형성예에 따르면, 층 스택은 제1연결층의 복수 개의 리세스의 영역에서 각각 하나의 함몰부를 포함하고, 제2연결층은 접촉 구조를 전기적으로 접촉시키기 위해 상기 함몰부안으로 삽입 연장된다. 층 스택에 리세스가 형성됨으로써, 제2연결층과 접촉 구조간의 직접적 전기 접촉이 가능하다.
다른 유리한 형성예에 따르면, 층 스택에는 복수 개의 접촉 부재가 배치되고, 상기 접촉 부재는 제1연결층의 복수 개의 리세스에 부속하며, 제2연결층을 상기 접촉 구조와 전기적으로 연결한다. 층 스택에 복수 개의 접촉 부재가 사용됨으로써, 접촉 구조와 제2연결층간의 전기적 연결이 형성된다.
다른 유리한 형성예에 따르면, 각 하나의 절연층이 복수 개의 접촉 부재 각각을 둘러싸고, 상기 절연층은 각각의 접촉 부재를 층 스택으로부터 전기적으로 절연시킨다. 절연층이 사용됨으로써, 층 스택내에서 예기치 않은 전기 접촉 또는 전류가 방지될 수 있다.
다른 유리한 형성예에 따르면, 제2연결층은 도핑된 전이금속산화물, 특히 인듐 주석 산화물 또는 알루미늄 도핑된 아연산화물을 포함한다. 도핑된 전이 금속 산화물이 제2연결층으로서 사용됨으로써, 특히 투광성 연결층이 제조될 수 있다.
다른 유리한 형성예에 따르면, 제2연결층은 두께가 5와 50 nm사이인 얇은 금속층, 특히 두께가 30 nm보다 얇은 금속층을 포함한다. 제2연결층으로서 얇은 금속층이 사용됨으로써, 층 스택의 제2표면에서 구동 전압의 분포가 개선될 수 있다.
다른 유리한 형성예에 따르면, 제2연결층은 적어도 하나의 도핑된 전이 금속 산화물층을 더 포함하고, 이때 얇은 금속층 및 전이 금속층은 결합 구조체를 형성한다. 적어도 하나의 얇은 금속층 및 적어도 하나의 전이 금속 산화물층을 포함하는 연결층이 사용됨으로써, 허용 가능한 투명도가 유지되면서도 순수한 금속층에 비해 제2연결층의 횡전도도가 개선될 수 있다. 예를 들면, 2개의 전이 금속층들 사이에 배치된 얇은 금속층을 포함하거나, 2개의 얇은 금속층들 사이에 배치된 전이 금속 산화물층을 포함하는 샌드위치 구조가 가능하다.
또한, 본 발명의 과제는 제1표면 및 상기 제1표면에 평행하게 대향된 제2표면을 가진 면형 광학적 활성 부재를 위한 접촉 장치에 의해 해결된다.
제1표면 및 상기 제1표면에 평행하게 대향된 제2표면을 가진 면형 광학적 활성 부재용 접촉 장치의 적어도 일 실시예에 따르면, 접촉 장치는
- 광학적 활성 부재의 제1표면상에 배치되며 상기 광학적 활성 부재와 전기적으로 연결된 전기 전도 제1연결층, 및
- 광학적 활성 부재의 제2표면상에 배치되며 상기 광학적 활성 부재와 전기적으로 연결되고, 소정의 특정한 파장을 가진 전자기 복사를 적어도 대부분 투과시키는 전기 전도 제2연결층을 포함하며, 이때
상기 광학적 활성 부재에 대향된 제1연결층의 측에 상기 연결층으로부터 전기적으로 절연되는 도전 접촉 구조가 배치되고,
상기 제1연결층이 복수 개의 리세스를 포함하며, 그리고
상기 제2연결층이 상기 제1연결층의 복수 개의 리세스의 영역에서 상기 접촉 구조와 전기적으로 연결된다.
접촉 장치는 예를 들면 본 명세서에 기술된 발광 다이오드에 사용될 수 있다. 즉, 발광 다이오드와 관련하여 기술된 특징은 본 명세서에 기술된 접촉 장치를 위해서도 개시되며, 그 반대의 경우도 가능하다.
또한, 유기 발광 다이오드 및 다른 면형 소자의 제조 방법은:
- 면형의 전기 전도 제1연결층 및 제1연결층의 영역에 배치되며 상기 제1연결층으로부터 전기적으로 절연된 도전 접촉 구조를 준비하는 단계,
- 상기 제1연결층에 복수 개의 리세스를 형성하는 단계,
- 전자기 복사의 방출을 위한 적어도 하나의 유기층을 포함하는 층 스택을 상기 접촉 구조에 대향된 제1연결층의 측에 면형 도포하는 단계,
- 방출 가능한 전자기 복사의 소정의 특정한 파장을 적어도 대부분 투과시키는 전기 전도 제2연결층을 상기 제1연결층에 대향된 층 스택의 측에 면형 도포하는 단계, 및
- 제1연결층의 복수 개의 리세스를 이용하여 상기 제2연결층과 접촉 구조 사이에 복수 개의 전기적 연결을 형성하는 단계를 포함한다.
상기에 열거된 방법의 단계에 의해, 제1연결층을 관통하는 면형 제2연결층의 전기 접촉이 부가적 접촉 구조에 의해 가능하다.
본 방법을 이용하면, 본 명세서에 기술된 유기 발광 다이오드가 제조될 수 있다. 즉 유기 발광 다이오드와 관련하여 기술된 특징은 방법과 관련하여서도 개시되며, 그 반대의 경우도 가능하다.
유리한 형성예에 따르면, 층 스택은 우선 제1연결층의 전체 표면상에 도포되며, 이후의 단계에서 제1연결층의 복수 개의 리세스에 부속하는 층 스택 부분들이 제거된다. 면형 도포 및 이후의 층 스택의 일부 제거에 의해, 제2연결층이 매우 간단하게 접촉될 수 있다.
다른 유리한 형성예에 따르면, 제1연결층에서 복수 개의 리세스의 형성 단계는 층 스택의 일부 제거 단계와 함께 실시된다. 리세스의 형성 또는 층 스택의 일부 제거가 함께 이루어짐으로써, 유기 발광 다이오드의 제조가 더욱 간단해진다.
다른 유리한 형성예에 따르면, 층 스택의 부분들은 전자기 복사의 작용에 의해, 특히 레이저 박리에 의해 제거된다. 전자기 복사의 작용에 의해 층 스택의 부분들이 제거됨으로써, 부가적인 화학적 중간 단계 또는 기타 중간 단계없이도 비접촉식 제조가 수행될 수 있다.
다른 유리한 형성예에 따르면, 층 스택은 구조화되어 도포되며, 이때 층 스택의 도포 시 제1연결층의 복수 개의 리세스에 부속하는 영역들은 홈이 파이고, 그 결과 층 스택도 마찬가지로 복수 개의 리세스를 포함한다. 층 스택의 도포 시 영역들에 홈이 파이면, 차후에 층 스택에 리세스를 삽입하는 경우가 방지될 수 있다.
다른 유리한 형성예에 따르면, 층 스택은 스크린인쇄 기술을 이용하여 제1연결층상에 도포된다. 스크린 인쇄 기술을 이용하면 리세스를 포함한 층 스택이 간단히 제조될 수 있다.
다른 유리한 형성예에 따르면, 층 스택은 증발 증착을 이용하여 제1연결층상에 도포되며, 이때 홈이 파일 영역들은 그림자 마스크를 이용하여 덮인다. 증발 증착법 및 그에 속한 그림자 마스크를 이용하여 층 스택이 도포됨으로써, 리세스를 포함한 층 스택의 균일한 도포가 가능하다.
다른 유리한 형성예에 따르면, 제1연결층의 복수 개의 리세스에 부속하는 층 스택의 영역들에 복수 개의 접촉 부재가 삽입된다. 복수 개의 접촉 부재의 삽입에 의해, 접촉 구조는 층 스택을 관통하여 제2연결층과 전기적으로 연결될 수 있다.
다른 유리한 형성예에 따르면, 발광 다이오드는 캐리어 기판을 포함한다. 제1연결층 및/또는 접촉 구조는 포토리소그라피를 이용하여 캐리어 기판상에 도포된다. 포토리소그라피를 이용하여 캐리어 기판상에 접촉 구조 및/또는 제1연결층이 도포됨으로써 유기 발광 다이오드의 제조가 더욱 간단해질 수 있다.
본 발명의 다른 유리한 형성예 및 상세 사항은 특허 청구 범위에 기술된다. 이하, 본 발명은 도면을 이용하는 다양한 실시예에 의거하여 상세히 설명된다. 도면에서 동일하거나 유사한 기능의 부재를 위해 동일한 참조 번호가 사용된다.
도 1은 일 실시예에 따른 부가적 접촉 부재를 포함한 유기 발광 다이오드의 횡단면도이다.
도 2는 다른 실시예에 따른 제1배열의 접촉 부재를 포함한 유기 발광 다이오드의 제1평면도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 제2배열의 접촉 부재를 포함한 유기 발광 다이오드의 제2평면도이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 제1접촉 장치를 포함한 유기 발광 다이오드의 횡단면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 제2접촉 장치를 포함한 유기 발광 다이오드의 횡단면도이다.
도 6은 서로 다른 실시예에 따른 다양한 접촉 장치의 구조화에 대한 서로 다른 가능성을 도시한 도면이다.
도 7은 유기 발광 다이오드 및 다른 면형 소자의 제조 방법의 일 실시예에 대한 흐름도이다.
도 1은 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(1)의 횡단면도를 도시한다. 유기 발광 다이오드(1)는 전자기 복사의 방출을 위해 적어도 하나의 유기층(3)을 구비한 층 스택(2)을 포함한다. 층 스택(2)은 다이오드 구조의 형성을 위해 필요하거나 유리한 유기층 및 무기층을 더 포함할 수 있다. 이러한 층의 예는 예를 들면 정공 수송이나 전자 수송을 위한 층, 방출층, n형 도핑된 층, p형 도핑된 층, 버퍼층 및 중간층이 있으며, 이는 당업자에게 공지된 바와 같다. 그러나, 이러한 부가적 층들은 개관상의 이유로 도 1에 미도시되었다.
층 스택(2)은 유기 물질로 구성된 하나 이상의 기능층을 구비하는 기능 영역을 포함한다. 기능층은 예를 들면 전자 수송층, 전계 발광층 및/또는 정공 수송층으로서 형성될 수 있다. 기능층 중에, 활성 영역에서는 전자 주입, 정공 주입 및 전자 정공 재조합에 의해 하나의 개별 파장 또는 파장들의 영역을 포함하는 전자기 복사(6)가 생성될 수 있다. 이때, 관찰자에게는 좁은 대역 또는 광대역의 1차 복사의 방출에 의해 단색, 다색 및/또는 혼합색의 1차 복사 발광 인상이 야기될 수 있다.
기능층은 유기 폴리머, 유기 올리고머, 유기 모노머, 비폴리머 유기 소분자("small molecules") 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 기능층을 위해 적합한 물질, 그리고 그 물질의 배열 및 구조화는 당업자에게 공지되어 있으므로 이 부분에서 더 이상 설명하지 않는다.
여기서 그리고 이하에서, 층 또는 부재가 다른 층 또는 다른 부재의 "상"에 또는 "그위에 걸쳐서" 배치 또는 도포된다는 것은, 상기 층 또는 부재가 다른 층 또는 다른 부재상에 직접적인 기계적 및/또는 전기적 접촉하면서 직접 배치되어 있음을 의미할 수 있다. 또한, 상기 층 또는 부재가 다른 층 또는 다른 부재상에 또는 그 위에 걸쳐서 간접적으로 배치되어 있음을 의미할 수도 있다. 이때, 상기 층과 다른 층 사이에 또 다른 층들 및/또는 부재들이 배치될 수도 있다.
또한, 도 1에 따른 유기 발광 다이오드(1)는 제1연결층(4)을 포함하고, 상기 제1연결층은 유기층(3)의 전류 공급을 위한 제1전극을 형성한다. 예를 들면, 제1연결층(4)은 유기 발광 다이오드를 위해 전도성이 매우 양호한 캐소드 구조 또는 애노드 구조를 제공하는 금속층을 가리킬 수 있다. 유리한 형성예에서, 제1연결층(4)은 유기 발광 다이오드(1)의 구동 시 유기층(3)에서 생성되는 전자기 복사(6)를 반사한다. 이러한 방식으로, 유기 발광 다이오드(1)의 표면의 방향으로 전자기 복사의 아웃커플링이 집중될 수 있다. 이를 위해 예를 들면 알루미늄층이 적합하다.
제1연결층(4)은 캐소드로서 형성될 수 있어, 전자 주입 물질로서 역할할 수 있다. 캐소드 물질로서, 무엇보다 특히, 알루미늄, 바륨, 인듐, 은, 금, 마그네슘, 칼슘 또는 리튬, 그리고 그 화합물, 조성물 및 합금이 유리한 것으로 증명될 수 있다.
제1연결층은 전극부 영역에서 구조화되어 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1연결층(4)은 평행하게 나란히 배치된 제1전극 스트립의 형태로 형성될 수 있다. 더욱 바람직하게는, 제1연결층(4)은 도전로와 전기 전도적으로 연결된다. 이때, 연결층(4)은 예를 들면 제1도전로와 맞물리거나 제1도전로와 별도로 형성되어 상기 도전로와 전기 전도적으로 연결될 수 있다.
또한, 유기 발광 다이오드(1)는 제2연결층(5)을 포함한다. 제2연결층(5)은 층 스택(2)의 표면에 구동 전압을 인가하기 위한 제2전극을 형성한다.
예를 들면 애노드로 형성될 수 있어 정공 주입 물질로서 역할할 수 있는 제2연결층(5)은 예를 들면 투명한 전기 전도 산화물을 포함하거나 투명 전도 산화물로 구성될 수 있다. 투명 전기 전도 산화물(transparent conductive oxide, 약어로 "TCO")은 투명한 도전 물질로서 일반적으로 금속 산화물이며, 예를 들면 아연산화물, 주석산화물, 카드뮴산화물, 티타늄산화물, 인듐산화물 또는 더욱 바람직하게는 인듐주석산화물(ITO)이 있다. 예를 들면 ZnO, SnO2 또는 In2O3와 같은 2원 산화금속화합물외에, 예를 들면 Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 또는 In4Sn3O12와 같은 3원 산화금속화합물 또는 서로 다른 투명 전기 전도 산화물의 혼합물이 TCO군에 속한다. 또한, TCO는 화학량론적 조성에 반드시 부합할 필요는 없으며, p형 또는 n형으로 도핑될 수 있다. 예를 들면, 제2연결층(5)은 인듐주석산화물로 구성된 층을 가리킬 수 있다.
인듐주석산화물 및 다른 도핑된 전이금속산화물은 특정 파장의 전자기 복사에 대해, 특히 가시 파장 영역 즉 400 내지 800 nm의 전자기 복사에 대해 적어도 부분적으로 투명하다. 이러한 방식으로, 전자기 복사(6)는 제2연결층(5)을 투과하여, 즉 즉 도 1에서 상측을 향하여, 유기 발광 다이오드(1)로부터 출사될 수 있다. 유기 발광 다이오드(1)는 면이미터를 형성한다. 이를 통해, 예를 들면 층 스택(2)의 하부에서 제1연결층(4)의 물질은 광학적 특성과 무관하게 선택될 수 있다.
대안적 또는 부가적으로, 제2연결층(5)도 금속 및/또는 금속 합금 및/또는 층 시퀀스, 예를 들면 소위 IMI층들(ITO/금속/ITO)을 포함하거나, 그러한 것으로서 구성될 수 있고, 상기 층들은 Ag, Al, Cr, Mo, Au 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
또는, 제1연결층(4)은 애노드로서, 제2연결층(5)은 캐소드로서 상기에 열거한 물질 또는 그 조합을 포함하며 형성될 수 있다. 또한, 연결층(4, 5)은 전기 전도 유기 물질 또는 반도체 유기 물질을 포함할 수 있다.
도 1에 따른 유기 발광 다이오드는 제2연결층(5)에 전기 전압을 공급하기 위한 기능의 접촉 구조(7)를 포함한다. 실시예에서, 접촉 구조(7)는 제3연결층(8), 제1절연층(9) 및 제2절연층(10)으로 구성된다. 제1절연층(9)은 제3연결층(8)을 제1연결층(4)으로부터 전기적으로 절연시킨다. 제2절연층(10)은 제3연결층(8)을 하측을 향해, 예를 들면 도 1에 미도시된 캐리어 기판을 마주하여 절연시킨다. 유기 발광 다이오드(1)가 비도전 캐리어 기판상에 배치되면, 절연층(10)은 생략될 수 있다.
제3연결층(8)은 예를 들면 제1연결층(4)과 동일한 물질로 구성되거나 그것을 포함할 수 있다. 제1 및 제2절연층(9, 10)은 예를 들면 폴리머 물질 또는 금속 물질의 산화물 또는 반도체 물질의 산화물을 포함하거나 그것으로 구성될 수 있다. 이를 위해, 예를 들면, 얇은 플라스틱 필름, 규소이산화물층 또는 공지된 리드프레임 물질이 적합하다.
또한, 접촉 구조(7)는 복수 개의 접촉 부재(11)를 포함한다. 접촉 부재(11)는 도 1에 도시된 실시예에서 도전 브리지를 가리키며, 상기 브리지는 유기 층 스택(3)에 삽입된다. 접촉 부재(11)는 제1연결층(4)에서 리세스(12)를 통해 안내된다. 제1절연층(9)도 마찬가지로 접촉 부재(11)의 관통을 위한 리세스를 포함한다. 접촉 부재는 예를 들면 약 10 ㎛의 직경을 가진 금속 브리지를 가리킬 수 있다. 또는, 예를 들면 도전성이 양호한 비금속 접촉 부재의 사용도 필요하다. 예를 들면, 층 스택(2)에 소형 탄소나노관 또는 고온 초전도체가 형성될 수 있다.
접촉 부재(11)를 상기 접촉 부재를 둘러싸는 제1연결층(4)으로부터 그리고 층 스택(2)으로부터 절연시키기 위해, 접촉 부재(11) 각각은 제3절연층(14)에 의해 둘러싸인다. 예를 들면, 제3절연층(14)을 형성하기 위해, 접촉 부재(11)의 형성을 위해 사용되는 금속 또는 반도체 물질은 부분적으로 산화되거나 부가적 절연 물질로 코팅될 수 있다.
도 1에 도시된 유기 발광 다이오드(1)에 의해, 층 스택(2)에 구동 전류 또는 구동 전압이 가능한 한 균일하게 공급된다. 이를 위해 바람직하게는, 제1연결층(4)은 전도도가 매우 양호한 금속물질로 구성된다. 예를 들면, 제1연결층(4)은 구리 또는 알루미늄으로 제조될 수 있다.
제2연결층(5)은 가능한 한 투명한 물질로 구성된다. 바람직하게는, 제2연결층(5)은 도핑된 전이금속 또는 매우 얇은 금속층으로 구성된다. 예를 들면, 두께가 20과 150 nm사이인 인듐주석산화물층은 사용되는 물질의 품질 및 순도에 따라 가시 파장 영역에서 80%가 넘는 투과도를 가진다. 층 두께가 5 내지 50 nm이고, 예를 들면 10과 30 nm사이인 금속층의 경우, 층 두께 및 물질에 따라 가시 영역에서 70%가 넘는 투명도가 얻어진다. 적어도 하나의 얇은 금속층 및 전이금속산화물층을 포함하는 결합 구조체가 사용될 수도 있다. 부가적으로, 투명도를 늘리기 위해, 제2연결층(5)에 무반사 코팅층이 통합될 수 있다.
이러한 방식으로, 유기 발광 다이오드(1)로부터 전체 표면에 걸쳐 전자기 복사(6)의 아웃커플링이 전체 표면에 걸쳐 매우 효과적으로 수행된다. 그러나, 상기와 같은 투명 연결층(5)은 비교적 낮은 횡전도도만을 가진다. 그럼에도 불구하고, 접촉 부재(11)에 의해 제2연결층(5)을 수회 전기 접촉시킴으로써, 유기 발광 다이오드(1)의 표면을 따르는 구동 전압의 감소가 최소로 제한될 수 있고, 따라서 전체 표면에 걸쳐 균일한 전류 공급이 달성될 수 있으며, 균일한 밝기로 발광하는 면의 인상이 야기된다.
박막 봉지 또는 덮개의 형태로 된 종래 발광 다이오드(1)의 봉지부는 개관상의 이유로 도 1에 미도시되었으나, 배제하진 않는다. 예를 들면, 혼합광을 생성하기 위해 서로 다른 복수 개의 활성 영역을 사용하였을 때 발생할 수 있는 차등적 컬러 시효를 방지하기 위해, 봉지 조립체에 파장 변환층이 사용되는 것이 유리하다. 다른 한편으로는, 광전 소자에서 야기된 발광 인상의 색 위치가 복사 방출 층 시퀀스의 전기 특성과 무관하게 최적화될 수 있다.
특히, 변환층을 사용하면 발광 다이오드(1)는 1차 복사 및 2차 복사의 중첩물을 방출할 수 있다. 이때, 1차 복사의 일부는 변환되지 않은 채로 파장 변환층을 통과하여 봉지 조립체로부터 출사될 수 있다. 또한, 전자기 2차 복사가 봉지 조립체로부터 출사하여 상기 봉지 조립체로부터 방출될 수 있다. 외부 관찰자에게는 전자기 1차 복사 및 전자기 2차 복사의 중첩에 의해 혼합색의 발광 인상이 인지될 수 있다. 혼합색의 발광 인상은 1차 복사 및 2차 복사의 상호간 상대적 비율에 의존할 수 있다. 1차 복사 및 2차 복사는 서로 다른 파장 영역을 가질 수 있다. 이를 통해, 예를 들면 서로 상이한 색의 전자기 복사(6)가 혼합될 수 있고, 원하는 결과색을 가진 총 방출이 야기된다.
예를 들면 얇은 금속층과 같은 얇은 연결층(4, 5, 7)이 선택적으로 사용되고, 예를 들면 얇은 플라스틱 필름과 같은 가요성 캐리어 기판이 구비됨으로써, 가요적 소자, 특히 휨이 가능한 유기 발광 다이오드가 제조될 수 있다.
도 2 및 3에는 접촉 부재(11)의 배열이 서로 다른 유기 발광 다이오드(1)의 2개의 평면도가 도시되어 있다. 도 2에 도시된 다른 실시예에 따르면, 복수 개의 접촉 부재(11)가 층 스택(2)의 표면에 걸쳐 균일하게 분포한다. 예를 들면, 직경이 동일한 금속 브리지가 육방 밀집 구조(hexagonal close-packing)로 층 스택(2)에 삽입될 수 있다.
도 3에 도시된 다른 실시예에 따르면, 대안적 배열의 접촉 부재(11)가 사용된다. 도 3에 따르면, 제2연결층(5)의 접촉은 확률적으로(stochastically) 배치된 복수 개의 접촉 부재(11)를 이용하여, 예를 들면 도전 물질이 층 스택(2)에 확산됨으로써 해결된다. 여기서, 개별 접촉 부재(11)의 위치 및 그 정확한 형태와 직경은 임의 분포에 따른다.
접촉 부재(11)의 각 형성에 따라, 결합 브리지는 약 100 nm 내지 수 마이크로미터의 직경을 가질 수 있다. 개별 접촉 부재들(11)간의 간격은, 유기 발광 다이오드(1)의 관찰자에게 균일한 발광면의 인상이 야기되도록 산정된다. 제2연결층(5)의 횡전도도가 양호할수록, 개별 접촉 부재들(11)간의 간격도 더 넓어질 수 있다. 통상적으로, 대면적 유기 발광 다이오드의 제조를 위해, 수 밀리미터 내지 수 센티미터의 간격이 가능하고, 유리하다.
도 1에 도시된 접촉 부재(11)는 예를 들면 부가적 브리지의 삽입에 의해, 또는 층 스택(2)의 일부 변환에 의해 제조될 수 있다. 또는, 제2연결층(5)과 접촉 구조(7)간의 전기적 연결이 다양한 층들의 구조화 도포에 의해서 제조될 수 있다. 이는 이하에서 도 4 및 도 5를 참조하여 상세히 설명된다.
도 4는 본 발명의 다른 형성예에 따른 접촉 장치(15)를 도시한다. 접촉 장치(15)는 유기층(3)을 구비한 층 스택(2)을 포함한다. 유기층(3)의 하측에 제1연결층(4)이 배치된다. 제1연결층(4)에 마주하여, 층 스택(2)의 표면상에 제2연결층(5)이 배치된다. 개별층들은 도 1을 참조하여 설명된 물질로 구성될 수 있거나, 그러한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1연결층(4)은 금속을, 제2연결층(5)은 인듐주석산화물을 포함한다.
제1연결층(4)의 하부에는 접촉 구조(7)가 배치된다. 접촉 구조(7)는 절연층(9) 및 상기 절연층(9)의 하부에 배치된 제3연결층(8)을 포함하고, 상기 제3연결층은 금속 도체 물질로 구성된다. 도 4의 좌측 및 우측 테두리 영역에서 층들(8, 9, 4, 3, 5)이 층 스택을 형성하며, 이때 유기층(3)은 제1연결층(4)과 제2연결층(5)사이에서 샌드위치 구조로 개재되며, 상기 샌드위치 구조는 예를 들면 유기 발광 다이오드 구조를 형성한다.
도 4의 중앙 영역에는 접촉부(17)가 도시되어 있으며, 상기 접촉부는 제2연결층(5)을 제3연결층(8)과 전기적으로 연결하는 역할을 한다. 상기 영역에는 제2연결층(5)이 삽입되는 함몰부(16)가 제공된다. 특히, 절연층(9)뿐만 아니라 제1연결층(4)도 상기 영역에서 리세스를 포함하여, 도시된 횡단면도의 함몰부(16)의 영역에서 상기 층들이 중단된다. 유기층(3)도, 함몰부(16)를 형성하는 리세스를 포함한다. 제2연결층(5)은 도 4에 도시된 층 스택(2)상에 면형으로 도포됨으로써, 제2연결층(5)이 함몰부(16)안으로 삽입되고, 제3연결층(8)과 전기 접촉을 이룬다. 예를 들면, 제2연결층(5)이 접촉 장치(15)상에 도포되기 전에, 층들(3, 4, 9)은 마이크로기계적 가공 단계에 의해, 예를 들면 레이저 박리를 이용하여 함몰부(16)의 영역에서 제거될 수 있다.
도 5는 층 스택(2)을 위한 접촉 장치(15)의 다른 실시예를 도시한다. 접촉 장치(15)는 제3연결층(8), 절연층(9), 제1연결층(4), 유기층(3) 및 제2연결층(5)을 포함한다. 따라서, 층 시퀀스는 도 4에 도시된 층 시퀀스와 동일한 층들을 포함하며, 예를 들면 동일한 물질로 구성된다.
도 5에 따른 접촉 장치(15)는 접촉부(17)의 영역에서 함몰부(16)를 포함한다. 제2연결층(5)은 함몰부(16)안으로 삽입되어, 제3연결층(8)과 전기 접촉을 형성한다. 도 4에 도시된 접촉 장치와 달리, 도 5에서 절연층(9)에 존재하는 리세스(13)는 더 작게 형성된다. 도 4에 따른 접촉 장치(15)에서 제2연결층(5)이 제3연결층(8)과의 전기 접촉의 외부에서 전체적으로 유기층(3)상에 안착되는 반면, 도 5에 따른 제2연결층(5)은 접촉부의 옆으로 좌,우측에서 절연층(9)상에 안착된다. 이러한 방식으로, 연결층(4, 8)들간의 전기적 절연이 개선되어, 접촉 장치의 영역에서 단락 발생 확률이 감소한다. 또한, 이를 통해, 층 스택(2)의 내부에서 더 균일한 전기장이 생성될 수 있어서, 접촉 구조(7)의 영역에서도 균일하게 발광하는 면이 발생한다.
도 1 내지 도 5에는 접촉 부재(11) 또는 접촉부(17)가 점형 접촉, 특히 동심원형 접촉으로서 도시되어 있다. 그러나, 접촉부가 다른 형상으로 형성될 수도 있다. 도 6A 내지 6C에 따른 다른 실시예에서, 제2연결층(5)과 접촉 구조(7)사이의 다른 접촉 가능성이 도시되어 있다.
도 6A에는 십자형 접촉 장치(15)가 도시되어 있다. 십자형 접촉 장치(15)는, 특히, 연결층(8)과 제2연결층(5) 사이에 비교적 큰 전류 흐름이 가능하다는 이점이 있다. 도 6B는 스트립형 접촉 장치(15)를 도시한다. 스트립형 접촉 장치(15)는 매우 간단한 방식으로 층 스택(2)에 삽입된다. 예를 들면, 세그먼트들이 유기층(3), 제1연결층(4) 및 제1절연층(9)에 삽입될 수 있다. 도 6C는 거미줄형 접촉(15a) 또는 벌집형 접촉 장치(15b)를 도시한다. 거미줄형 접촉(15a) 또는 벌집형 접촉 장치(15b)에 의해, 유기 발광 다이오드 또는 다른 광학적 활성 부재의 구동을 위한 전기적 구동 전류가 제2연결층(5)에 규칙적으로 균일하게 공급된다.
상기에 기술한 장치의 이점은, 양호한 전도성 접촉 구조(7) 또는 연결층(8)에 의해 전체 발광면에 걸쳐 래터럴 전류 분포가 얻어질 수 있다는 것이다. 연결층은 임의의 두께를 가진 불투명 물질로 제조될 수 있으므로, 원칙적으로, 기술된 장치를 이용하면 임의의 크기를 가진 면에 구동 전류가 공급될 수 있다. 예를 들면, 제1연결층(4), 제1절연층(9) 및 제3연결층(8)으로 구성된 샌드위치 구조가 사용될 수 있다. 2개의 금속층 및 1개의 절연층을 포함한 이러한 샌드위치 구조는 간단히 제조될 수 있다.
예를 들면, 상측 또는 하측에서 도전 물질로 이루어진 도전로가 리소그라피 방법으로 제조될 수 있다. 또는, 2개의 금속층 및 그 사이에 위치한 1개의 플라스틱층으로 구성된 라미네이트가 사용될 수도 있다.
도 7은 유기 발광 다이오드, 및 적어도 하나의 광학적 활성 부재를 포함한 다른 면형 소자, 특히 무기 발광 다이오드, 면형 복사 검출기 또는 태양 전지의 제조 방법에 대한 실시예를 도시한다.
제1단계(71)에서 제1연결층(4)이 준비된다. 제1연결층은 예를 들면 제조될 발광 다이오드용 캐리어 기판상에 준비될 수 있다. 예를 들면, 상기 기판은 세라믹 캐리어 기판을 가리킬 수 있다. 또는, 리드프레임이 사용되거나 기타 적합한 캐리어 물질이 사용될 수 있다. 경우에 따라서, 캐리어 기판의 사용이 생략될 수 있으며, 특히 제1연결층(4)이 예를 들면 금속층 또는 필름으로 구성된 경우에 그러하다. 또한, 제1연결층(4)으로부터 전기적으로 절연되고 상기 제1연결층상에 면형으로 배치되는 제3연결층(8)도 준비된다. 예를 들면, 제1연결층(4) 및 제3연결층(8)은 이미 캐리어 기판상에 배치되어 있거나, 방법의 진행 중에 차후에 예를 들면 포토리소그라피 또는 코팅을 이용하여 캐리어 기판상에 도포될 수 있다. 물론, 비도전 캐리어 기판상에 도전 금속 필름이 접착되거나 다른 방법으로 고정될 수도 있다.
이후 단계(72)에서, 제1연결층(4)에 리세스(12)가 형성되고, 경우에 따라서 절연층(9)에도 리세스(13)가 형성된다. 리세스에 의해, 차후에 도포되는 제2연결층(5)이 제1연결층(4)을 접촉할 수 있다. 리세스(12 또는 13)는 기계적 방법, 마이크로기계적 방법 또는 화학적 방법에 의해 제1연결층(4) 또는 제1절연층(9)에 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1연결층(4) 및/또는 제1절연층(9)에 홀이 천공되거나, 밀링되거나, 식각되거나 새겨질 수 있다.
이후 단계(73)에서, 적어도 하나의 유기층(3)을 포함한 층 스택이 제1연결층(4)상에 도포된다. 유기 층 스택(2)은 제1연결층(4)의 노출된 표면에 도포되어, 제1연결층(4)과 층 스택(2)간의 제1전기 접촉이 형성된다.
기본적으로, 층 스택(2)은 우선 제연결층(4)의 전체 영역에 도포될 수 있다. 선택적으로, 차후에 접촉 부재(11)가 유기층(3)에 삽입되거나, 층 스택(2)에 함몰부(16)가 형성될 수 있다. 또는, 유기층(3)은, 제1연결층(4) 또는 절연층(9)의 리세스(12 또는 13)에 부속하지 않는 영역들에서만 도포될 수 있다.
제1대안예에 따르면, 층 스택(2)은 제1연결층(4)의 전체 영역에 도포되고, 예를 들면 스퍼터링된다. 이후, 층 스택(2)에서 제1연결층(4) 또는 절연층(9)의 리세스(12 또는 13)에 부속하는 부분들이 예를 들면 레이저 박리를 이용하여 제거된다. 제2대안예에 따르면, 유기층(3)은 예를 들면 스크린 인쇄 기술을 이용하여 도포되고, 이때 리세스(12 또는 13)에 부속하는 영역들이 스크린 인쇄 방법에 의해 홈이 파인다. 또한, 층 스택(2)이 진공 확산 기술을 이용하여 제1연결층(4)상에 증발증착될 수 있고, 이때 그림자 마스크를 이용하여 리세스(12 또는 13)에 부속한 영역들이 홈이 파인다.
변경된 형성예에 따르면, 유기층을 포함한 층 스택(2)대신에 다른 층 스택, 예를 들면 무기 층 스택이 도포되어 에피택시얼 성장되거나, 종래 기술로부터 공지된 다른 방법에 따라 형성된다. 상기 무기 층 스택은 예를 들면 반도체 물질을 포함한다. 이러한 방식으로, 예를 들면 태양 전지, 전자기 복사의 감지를 위한 복사 검출기 또는 면형 광학 활성 영역을 포함한 다른 전자 소자가 제조될 수 있다.
이후의 단계(74)에서 제2연결층(5)이 층 스택(2)상에 도포된다. 예를 들면, 인듐-주석산화물-층이 층 스택(2)의 표면상에 증발증착되거나, 성장되거나, 증착될 수 있다. 제2연결층(5)은 전체 층 스택(2)의 영역에서 대면적으로 도포된다.
마지막 단계(75)에서 제2연결층(5)과 제3연결층(8)사이에 전기적 연결이 발생한다. 층 스택(2)에 함몰부(16)가 제공된 경우, 상기 단계는 단계(74)와 함께 수행된다. 즉, 제2연결층(5)의 도포됨으로써 그와 동시에 제3연결층(8)이 리세스(12)의 영역에서 전기 접촉된다. 또는, 층 스택(2)에 부가적 접촉 부재(11)가 삽입되어 제2연결층(5)과 제3연결층(8)간의 전기적 연결이 형성될 수 있다. 예를 들면, 얇은 금속핀이 층 스택(2)에 삽입될 수 있다. 이를 위해, 예를 들면, 직경이 20 nm보다 작은 은 소재의 금속핀이 적합하다.
상기에 기술된 단계는 기술된 순서와 다른 순서로 수행될 수 있다. 예를 들면, 층 시퀀스는 반대의 순서로 구성될 수 있는데, 즉, 제2연결층(5)으로 형성된 덮개 전극으로부터 시작하여 층 스택(2), 제1연결층(4), 절연층(9) 및 제3연결층(8)을 경유하며 구성될 수 있다. 또한, 복수 개의 방법 단계가 하나의 개별 단계로 통합될 수 있다. 예를 들면, 제1연결층(4) 및 제1절연층(9)의 리세스(12, 13)는 층 스택(2)의 함몰부(16)와 함께 제조될 수 있다.
기술된 실시예에서, 제3연결층(8)은 절연층(9)상에 면형으로 도포된 부가적 금속층 또는 기타 도체층으로서 기술되었다. 물론, 면형 접촉 구조(7)대신, 제2연결층(5)에 전기적 구동 전류의 균일한 공급을 보장하는 다른 접촉 부재가 층 스택(2)을 등지는 제1연결층(4)의 측에 배치될 수 있다. 예를 들면, 개별 접촉 부재(11)가 도전로 또는 케이블 연결을 이용하여 전류원에 연결될 수 있다.
마지막으로, 기술된 실시예의 개별적 특징들은 다른 가능한 형성예를 구현하기 위해 상호간에 조합될 수 있다.
본 특허 출원은 독일 특허 출원 DE 10 2008 011867.2 및 DE 10 2008 020816.7의 우선권을 청구하고, 그 공개 내용은 참조로 포함된다.
본 발명은 실시예에 의거한 기재에 의하여 상기 실시예에 한정되지 않는다. 오히려 본 발명은 각 새로운 특징 및 특징들의 각 조합을 포함하고, 이는 특히 특허 청구 범위에서의 특징들의 각 조합을 포함하며, 비록 이러한 특징 또는 이러한 조합이 그 자체로 명백하게 특허 청구 범위 또는 실시예에 기술되지 않더라도 그러하다.

Claims (15)

  1. 유기 발광 다이오드(1)에 있어서,
    전자기 복사(6)의 방출을 위해 적어도 하나의 유기층(3)을 구비하고, 제1표면 및 상기 제1표면에 대향된 제2표면을 가지는 층 스택(2);
    상기 층 스택(2)의 제1표면상에 배치되며 상기 층 스택과 전기적으로 연결되는 전기 전도 제1연결층(4); 및
    상기 층 스택(2)의 제2표면상에 배치되며 상기 층 스택과 전기적으로 연결되고, 방출 가능한 전자기 복사(6)의 특정한 파장을 투과시키는 전기 전도 제2연결층(5)
    을 포함하고,
    상기 층 스택(2)에 대향된 제1연결층(4)의 측에는 상기 제1연결층으로부터 전기적으로 절연된 전도 접촉 구조(7)가 배치되고,
    상기 제1연결층(4)은 복수 개의 리세스(12)를 포함하며,
    상기 제2연결층(5)은 상기 제1연결층(4)의 복수 개의 리세스(12)의 영역에서 상기 층 스택(2)에 배치된 복수 개의 접촉 부재(11)에 의해 상기 접촉 구조(7)와 전기적으로 연결되고,
    상기 접촉 구조(7)는 적어도 하나의 제1절연층(9) 및 전기 전도 제3연결층(8)을 포함하고, 상기 제1절연층(9)은 상기 층 스택(2)을 등지는 제1연결층(4)의 측과 직접적인 물리적 접촉을 하고, 상기 제3연결층(8)은 상기 제1연결층(4)을 등지는 제1절연층(9)의 측과 직접적인 물리적 접촉을 하고,
    상기 제1절연층(9)은 전기 절연 캐리어 기판으로서 형성되고, 복수 개의 리세스(13)를 포함하며, 상기 리세스(13)는 상기 제1연결층(4)의 복수 개의 리세스(12)에 부속하고,
    상기 제2연결층(5)은 상기 제1연결층(4)의 상기 리세스(12)를 커버하며,
    발광 다이오드의 구동 시 방출되는 전자기 복사(6)는 상기 제2연결층(5)을 통해 발광 다이오드로부터 출사되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2연결층(5)과 상기 제3연결층(8)은 상기 접촉 부재(11)에 의해 전기적으로 연결되고, 상기 접촉 부재(11)는 상기 층 스택(2)에 삽입된 금속핀에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.
  3. 청구항 1에 있어서, 평면도에서 볼 때 십자형, 벌집형, 스트립형 또는 거미줄형 접촉 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 층 스택(2)은 상기 제1연결층(4)의 복수 개의 리세스(12)의 영역에서 함몰부(16)를 각각 포함하고, 상기 제2연결층(5)은 상기 접촉 구조(7)를 전기적으로 접촉시키기 위해 상기 함몰부(16)안으로 삽입 연장되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.
  5. 청구항 1에 있어서,
    각각의 절연층(14)은 상기 복수 개의 접촉 부재(11) 각각 중 하나를 둘러싸고, 상기 절연층은 상기 접촉 부재(11) 각각을 상기 층 스택(2)으로부터 전기적으로 절연시키는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2연결층(5)은 도핑된 전이금속산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.
  7. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2연결층(5)은 인듐주석산화물 또는 알루미늄 도핑된 아연산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.
  8. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2연결층(5)은 두께가 5와 50 nm사이인 적어도 하나의 얇은 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 제2연결층(5)은 적어도 하나의 도핑된 전이금속산화물층을 더 포함하고, 상기 얇은 금속층 및 전이금속층은 결합 구조체를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.
  10. 유기 발광 다이오드(1)를 제조하는 방법에 있어서,
    면형의 전기 전도 제1연결층(4)과, 상기 제1연결층(4)의 영역에 배치되고 상기 제1연결층으로부터 전기적으로 절연되고 전기 절연성 캐리어 기판으로서 형성된 적어도 하나의 제1절연층(9) 및 전기 전도 제3연결층(8)을 포함하는 전도 접촉 구조(7)를 제공하는 단계;
    상기 제1연결층(4)에 복수 개의 리세스(12)를 형성하고, 상기 절연층(9)에 상기 제1연결층(4)의 상기 복수 개의 리세스(12)에 부속하는 복수 개의 리세스(13)를 형성하는 단계;
    전자기 복사(6)의 방출을 위해 적어도 하나의 유기층(3)을 구비한 층 스택(2)을 상기 접촉 구조(7)에 대향된 제1연결층(4)의 측에 면형 적층하는 단계;
    방출 가능한 전자기 복사(6)의 소정의 특정 파장을 투과시키는 전기 전도 제2연결층(5)을 상기 제1연결층(4)에 대향된 층 스택(2)의 측에 면형 적층하되, 상기 제2연결층(5)이 상기 제1연결층(4)의 리세스(12)를 커버하며 발광 다이오드의 구동 시 방출되는 전자기 복사(6)가 상기 제2연결층(5)을 통해 발광 다이오드로부터 출사되도록 제2연결층(5)을 면형 적층하는 단계; 및
    복수 개의 전기 접촉 부재(11)를 상기 층 스택(2)에 삽입하여, 상기 제2연결층(5)과 상기 접촉 구조(7) 사이에 상기 제1연결층(4)의 복수 개의 리세스(12)를 통한 복수 개의 전기적 연결을 형성하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 접촉 부재(11)의 형성을 위해 금속핀이 상기 층 스택(2)에 삽입되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
  12. 청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,
    상기 층 스택(2)은 우선 상기 제1연결층(4)의 전체 표면상에 적층되고, 이후의 단계에서 상기 제1연결층(4)의 복수 개의 리세스(12)에 부속하는 층 스택(2)의 부분들이 제거되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
  13. 청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,
    상기 제1연결층(4)에 복수 개의 리세스(12)를 형성하는 단계는 상기 층 스택(2)의 일부 제거 단계와 함께 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
  14. 청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,
    상기 층 스택(2)의 부분들은 전자기 복사의 작용에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
  15. 청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,
    상기 층 스택(2)은 구조화되어 적층되며, 상기 층 스택(2)의 적층 시 상기 제1연결층(4)의 복수 개의 리세스(12)에 부속하는 영역들에 리세스가 형성되어 상기 층 스택(2)도 복수 개의 리세스를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
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