CN115719743A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及显示技术领域,公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置;该显示面板包括驱动背板、发光器件以及导电连接部;驱动背板包括开关单元、第一连接部和第二连接部,第二连接部连接于开关单元,第一连接部与第二连接部间隔设置;发光器件键合于第一连接部的一侧,发光器件包括相互连接的发光单元和第三连接部;导电连接部连接于第二连接部和第三连接部之间,导电连接部的宽度为微米级。该显示面板驱动背板与发光器件之间的连接精度较高。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种显示面板及显示面板的制备方法、包括该显示面板的显示装置。
背景技术
Micro LED(Micro Light-Emitting Diode,微发光二极管)显示面板具有高亮度、高对比度、高清晰度、可靠性强、反应时间快、更加节能等特性,受到广大消费者的青睐。
但是,目前的驱动背板与发光器件之间的连接精度较低。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于克服上述现有技术的驱动背板与发光器件之间的连接精度较低的不足,提供一种驱动背板与发光器件之间的连接精度较高的显示面板及显示面板的制备方法、包括该显示面板的显示装置。
根据本公开的一个方面,提供了一种显示面板,包括:
驱动背板,包括开关单元、第一连接部和第二连接部,所述第二连接部连接于所述开关单元,所述第一连接部与所述第二连接部间隔设置;
发光器件,键合于所述第一连接部的一侧,所述发光器件包括相互连接的发光单元和第三连接部;
导电连接部,连接于所述第二连接部和所述第三连接部之间,所述导电连接部的宽度为微米级。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一连接部为金属键合层,所述第一连接部与所述发光单元通过金属键键合。
在本公开的一种示例性实施例中,所述显示面板包括:
衬底基板,所述开关单元设于所述衬底基板的一侧,所述第一连接部设于所述开关单元背离所述衬底基板的一侧,所述发光单元设于所述第一连接部背离所述衬底基板的一侧,所述第三连接部设于发光单元背离所述衬底基板的一侧;
第二平坦化层,设于所述发光器件背离所述衬底基板的一侧,所述第二平坦化层上设置有第一过孔和第二过孔,所述第一过孔连通至所述第二连接部,所述第二过孔连通至所述第三连接部,所述导电连接部通过所述第一过孔连接至所述第二连接部,且通过所述第二过孔连接至所述第三连接部。
在本公开的一种示例性实施例中,所述显示面板包括:
衬底基板,所述开关单元和所述第一连接部并排设于所述衬底基板的同一侧,所述发光单元设于所述第一连接部背离所述衬底基板的一侧,所述第三连接部设于发光单元背离所述衬底基板的一侧;
第二平坦化层,设于所述开关单元以及所述发光器件背离所述衬底基板的一侧,所述第二平坦化层上设置有第一过孔和第二过孔,所述第一过孔连通至所述第二连接部,所述第二过孔连通至所述第三连接部,所述导电连接部通过所述第一过孔连接至所述第二连接部,且通过所述第二过孔连通至所述第三连接部。
在本公开的一种示例性实施例中,所述显示面板还包括:
支撑层,设于所述衬底基板的一侧,所述开关单元设于所述支撑层背离所述衬底基板的一侧,所述支撑层上设置有第四过孔,所述第一连接部设于所述第一过孔内,所述发光器件的一部分位于所述第一过孔内。
在本公开的一种示例性实施例中,所述显示面板还包括:
色彩转换层,包括色彩转换部,所述色彩转换部设于所述发光器件背离所述衬底基板的一侧;
滤光层,包括滤光部,所述滤光部设于所述色彩转换部背离所述衬底基板的一侧;
盖板,设于所述滤光层背离所述衬底基板的一侧。
在本公开的一种示例性实施例中,所述驱动背板包括:
有源层,设于所述衬底基板的一侧,所述有源层包括沟道部、源极连接部和漏极连接部,所述源极连接部和所述漏极连接部连接于所述沟道部;
第一绝缘层,设于所述有源层背离所述衬底基板的一侧,所述第一绝缘层上设置有第五过孔;
栅极层组,设于所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧,所述栅极层组包括栅极;
第二绝缘层,设于所述栅极层组背离所述衬底基板的一侧,所述第二绝缘层上设置有第六过孔;
连接导体层组,设于所述第二绝缘层背离所述衬底基板的一侧,所述连接导体层组包括源极、漏极和所述第二连接部,所述源极通过所述第六过孔和所述第五过孔连接至所述源极连接部,所述漏极通过所述第六过孔和所述第五过孔连接至所述漏极连接部,所述开关单元包括所述有源层、所述栅极、所述源极以及所述漏极,所述第二连接部连接于所述源极或所述漏极;
所述发光单元包括:
导电基底层,设于所述第一连接部的一侧;
第一半导体层,设于所述导电基底层背离所述第一连接部的一侧;
多量子阱发光层,设于所述第一半导体层背离所述第一连接部的一侧;
第二半导体层,设于所述多量子阱发光层背离所述第一连接部的一侧,所述第三连接部设于所述第二半导体层背离所述第一连接部的一侧。
在本公开的一种示例性实施例中,一个所述发光单元包括三个发光部,三个所述发光部的所述导电基底层和所述第一半导体层共用。
根据本公开的另一个方面,提供了一种显示面板的制备方法,包括:
形成驱动背板,所述驱动背板包括开关单元、第一连接部和第二连接部,所述第二连接部连接于所述开关单元,所述第一连接部与所述第二连接部间隔设置;
在所述第一连接部的一侧键合发光器件,所述发光器件包括相互连接的发光单元和第三连接部;
形成导电连接部,所述导电连接部连接于所述第二连接部和所述第三连接部之间,所述导电连接部的宽度为微米级。
在本公开的一种示例性实施例中,形成导电连接部,包括:
形成导电连接层,对所述导电连接层进行图案化处理形成导电连接部。
根据本公开的再一个方面,提供了一种显示装置,包括:上述任意一项所述的显示面板。
本公开的显示面板及其制备方法,一方面,发光器件键合于第一连接部的一侧,即发光器件与第一连接部通过键合连接,相对于回流焊固晶工艺精度较高,满足Micro LED显示面板的要求;而且,键合工艺简单,有着很强的可操作性和可行性;第一连接部可作导热层,第一连接部的导电导热性能更好,从而有利于改善发光单元热电性能;而且,键合是一个低温退火过程,不影响发光单元的微结构、光学和电学性能,因此可防止高温对发光单元产生的影响。另一方面,导电连接部的宽度为微米级,相对于回流焊固晶工艺精度较高,满足Micro LED显示面板的要求。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开显示面板一示例实施方式的结构示意图。
图2为本公开显示面板另一示例实施方式的结构示意图。
图3为图2中驱动背板的结构示意图。
图4为本公开显示面板的制备方法一示例实施方式的流程示意框图。
图5-图8为本公开显示面板中发光器件的制备过程各步骤的结构示意图。
附图标记说明:
1、衬底基板;
2、驱动背板;21、第一连接部;22、第二连接部;23、开关单元;24、有源层;241、沟道部;242、源极连接部;243、漏极连接部;25、第一绝缘层;251、第五过孔;26、栅极层组;261、第一栅极;262、栅绝缘层;2621、第七过孔;263、第二栅极;27、第二绝缘层;271、第六过孔;28、连接导体层组;281、第一连接导体层;2811、源极;2812、漏极;2813、数据线;282、第一平坦化层;283、第二连接导体层;29、第二保护层;
3、发光器件;31、发光单元;31a、发光部;311、导电基底层;312、第一半导体层;313、多量子阱发光层;314、第二半导体层;315、隔离层;32、第三连接部;33、衬底;34、隔离缓冲层;35、uGaN层;36、胶层;37、临时基板;
4、第二平坦化层;41、第一过孔;42、第二过孔;
5、导电连接部;
6、支撑层;61、第四过孔;
7、色彩转换层;71、色彩转换部;72、限定部;
8、滤光层;81、滤光部;82、黑矩阵;
9、盖板;
101、第一保护层;102、阻挡层;103、缓冲层;104、外围引线;105、封装层。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本公开将全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。此外,附图仅为本公开的示意性图解,并非一定是按比例绘制。
虽然本说明书中使用相对性的用语,例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系,但是这些术语用于本说明书中仅出于方便,例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是,如果将图标的装置翻转使其上下颠倒,则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时,有可能是指某结构一体形成于其它结构上,或指某结构“直接”设置在其它结构上,或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等;用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等;用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用,不是对其对象的数量限制。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,术语“连接”应做广义理解,例如,“连接”可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。“和/或”,仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。另外,本文中字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
本公开示例实施方式提供了一种显示面板,参照图1-图3所示,该显示面板可以包括驱动背板2、发光器件3以及导电连接部5;驱动背板2可以包括开关单元23、第一连接部21和第二连接部22,第二连接部22连接于开关单元23,第一连接部21与第二连接部22间隔设置;发光器件3键合于第一连接部21的一侧,发光器件3包括相互连接的发光单元31和第三连接部32;导电连接部5连接于第二连接部22和第三连接部32之间,导电连接部5的宽度为微米级。
本公开的显示面板及其制备方法,一方面,发光器件3键合于第一连接部21的一侧,即发光器件3与第一连接部21通过键合连接,相对于回流焊固晶工艺精度较高,满足Micro LED显示面板的要求;而且,键合工艺简单,有着很强的可操作性和可行性;第一连接部21可作导热层,第一连接部21的导电导热性能更好,从而有利于改善发光单元31热电性能;而且,键合是一个低温退火过程,不影响发光单元31的微结构、光学和电学性能,因此可防止高温对发光单元31产生的影响。另一方面,导电连接部5的宽度为微米级,相对于回流焊固晶工艺精度较高,满足Micro LED显示面板的要求。
参照图1-图3所示,驱动背板2可以包括阵列排布的多个开关单元23、多个第一连接部21和多个第二连接部22,第二连接部22一一对应连接于开关单元23,开关单元23可以驱动发光单元31发光。
衬底基板1的材料可以包括无机材料,例如,该无机材料可以为玻璃、石英或金属等。衬底基板1的材料还可以包括有机材料,例如,该有机材料可以为聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯等树脂类材料。该衬底基板1可以由多层材料层形成,例如衬底基板1可以包括多层基材层,基材层的材料可以是上述的任意一种材料。当然,衬底基板1还可以设置为单层,可以是上述任一一种材料。
参照图1所示,在衬底基板1的一侧还可以依次层叠设置有第一保护层101、阻挡层102以及缓冲层103。缓冲层103起到阻隔衬底基板1(特别是有机材料)中的水汽以及杂质离子的作用,并且起到为后续形成的有源层24增加氢离子的作用,缓冲层103可以包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。依据衬底基板1的类型或工艺条件,第一保护层101、阻挡层102以及缓冲层103中的一种或两种可被省略。
依据薄膜晶体管的类型,在衬底基板1的一侧还可以设置遮光层,从衬底基板1射入有源层24的光线会在有源层24产生光生载流子,进而对薄膜晶体管的特性产生巨大影响,最终影响显示装置的显示画质;通过遮光层可以遮挡从衬底基板1射入的光线,从而避免对薄膜晶体管的特性产生影响,避免影响显示装置的显示画质。当然,遮光层可被省略。
在缓冲层103的背离衬底基板1的一侧设置有源层24,有源层24的材质可以是多晶硅、金属氧化物、非晶硅等等,有源层24的材质不同,形成的薄膜晶体管的类型不同。有源层24可以包括沟道部241以及设置在沟道部241两端的导体部,两个导体部中的一个为源极连接部242,另一个为漏极连接部243。在有源层24背离衬底基板1的一侧设置有第一绝缘层25,第一绝缘层25上设置有多个第五过孔251,第五过孔251分别连通至源极连接部242和漏极连接部243。
在第一绝缘层25背离衬底基板1的一侧设置有栅极层组26,栅极层组26可以包括依次层叠设置的第一栅极261、栅绝缘层262和第二栅极263,即第一栅极261设于第一绝缘层25背离衬底基板1的一侧,栅绝缘层262设于第一栅极261背离衬底基板1的一侧,第二栅极263设于栅绝缘层262背离衬底基板1的一侧;而且,第一栅极261和第二栅极263相对设置。在栅绝缘层262上设置有多个第七过孔2621,第七过孔2621与第五过孔251连通,第七过孔2621也分别连通至源极连接部242和漏极连接部243。该栅极层组26形成双栅结构,当然,在本公开的其他一些示例实施方式中,可以仅设置一层栅极,该栅极设置在第一绝缘层25和第二绝缘层27之间。
在栅极层组26背离衬底基板1的一侧设置有第二绝缘层27,在第二绝缘层27上设置有第六过孔271,第六过孔271与第七过孔2621连通,第六过孔271也分别连通至源极连接部242和漏极连接部243。
在第二绝缘层27的背离衬底基板1的一侧设置有连接导体层组28。连接导体层组28可以包括依次层叠设置的第一连接导体层281、平坦化层以及第二连接导体层283,第一连接导体层281设于第二绝缘层27背离衬底基板1的一侧,第一平坦化层282设于第一连接导体层281背离衬底基板1的一侧,第二连接导体层283设于第一平坦化层282背离衬底基板1的一侧。
第一连接导体层281可以包括源极2811、漏极2812和数据线2813。源极2811连接于数据线2813,源极2811通过第六过孔271、第七过孔2621以及第五过孔251连接至源极连接部242;漏极2812通过第六过孔271、第七过孔2621以及第五过孔251连接至漏极连接部243。数据线2813连接至外围引线104。
第一平坦化层282上设置有第八过孔,第八过孔连通至漏极2812,当然,第八过孔也可以是连通至源极2811。
第二连接导体层283可以包括第二连接部22,第二连接部22通过第八过孔连通至漏极2812,当然,在第八过孔连通至源极2811的情况下,第二连接部22通过第八过孔连通至源极2811。
开关单元23包括有源层24、栅极、源极2811和漏极2812,开关单元23为薄膜晶体管。
在本公开的另一些示例实施方式中,可以仅设置第一连接导体层281,而不设置第二连接导体层283,这种情况下,源极2811或漏极2812可以复用为第二连接部22。当然,根据需要还可以设置第三连接导体层、第四连接导体层等等。
需要说明的是,本说明书中说明的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管,在本公开的其他示例实施方式中,薄膜晶体管还可以是底栅型,对其具体结构在此不再赘述。而且,在使用极性相反的薄膜晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下,“源极2811”及“漏极2812”的功能有时互相调换。因此,在本说明书中,“源极2811”和“漏极2812”可以互相调换。
参照图1所示,在连接导体层组28背离衬底基板1的一侧设置有第二保护层29,也就是说在第二连接导体层283背离衬底基板1的一侧设置有第二保护层29。在第二保护层29背离衬底基板1的一侧设置有第一连接部21,使得第一连接部21设于开关单元23背离衬底基板1的一侧。发光单元31键合于第一连接部21背离衬底基板1的一侧。即将发光单元31与开关单元23层叠设置,如此设置可以增加显示面板的开口率以及像素密度。
参照图2和图3所示,开关单元23和第一连接部21并排设于衬底基板1的同一侧,即开关单元23和第一连接部21不是层叠设于衬底基板1的同一侧;具体地,第一连接部21设于第一保护层101背离衬底基板1的一侧。发光单元31设于第一连接部21背离衬底基板1的一侧。即在上述阻挡层102、缓冲层103、第一绝缘层25、栅绝缘层262、第二绝缘层27以及平坦化层上设置有连通的通孔,发光单元31设于该通孔内,从而使得开关单元23和发光单元31并排设于衬底基板1的同一侧。
第一连接部21为金属键合层,第一连接部21与发光单元31通过金属键键合。
键合为将两片表面清洁、原子级平整的同质或异质半导体材料经表面清洗和活化处理,在一定条件下直接结合,通过范德华力、分子力甚至原子力使晶片键合成为一体的技术。
原子可使电子以不同的方式键合,有时原子会带有相同的电荷,每一个原子释放出一个电子来形成这种“键”,这种“键”称为共价键。另一种键则是由正负离子间的静电引力形成的,被称为离子键。在金属中,电子绕着所有的原子运动,这成为金属键。
金属键合工艺简单,有着很强的可操作性和可行性;第一连接部21可作为导热层,第一连接部21的导电导热性能更好,从而有利于改善发光单元31热电性能;而且,金属键合是一个低温退火过程,不影响发光单元31的微结构、光学和电学性能,因此可防止高温对发光单元31产生的影响。
当然,在本公开的其他一些示例实施方式中,第一连接部21可以是透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide,简称TCO),例如,第一连接部21可以是ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)等等;而且,导电基底层311的材质可以与第一连接部21的材质相同,也可以与第一连接部21的材质不相同,只要能够实现导电和键合即可。
参照图1-图3所示,发光单元31可以是LED(Kight-Emitting Diode,发光二极管),发光单元31可以是垂直结构,有利于降低显示面板的功耗;具体地,发光单元31可以包括导电基底层311、第一半导体层312、多量子阱发光层313以及第二半导体层314;导电基底层311设于第一连接部21的一侧;具体地,导电基底层311设于第一连接部21背离衬底基板1的一侧;导电基底层311的材料为Ti/Al/Ni/Au的多层组合结构或者Gr/Pt/Au的多层组合结构,当然,导电基底层311的材料为可以为上述材料中的一层或两层结构,导电基底层311的材料还可以是ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)等等。第一半导体层312设于导电基底层311背离第一连接部21的一侧,第一半导体层312为N型GaN层。多量子阱发光层313设于第一半导体层312背离第一连接部21的一侧;第二半导体层314设于多量子阱发光层313背离第一连接部21的一侧,第二半导体层314为P型GaN层。根据需要,发光单元31还可以包括P型空穴注入层,P型空穴注入层可以设置在多量子阱发光层313与第二半导体层314之间之间。发光单元31还可以包括uGaN层35等等。发光单元31可以采用现有技术中的任意一种发光二极管,其具体结构在此不再赘述。
参照图8所示,一个发光单元31可以包括三个发光部31a,三个发光部31a的导电基底层311和第一半导体层312是共用的,三个发光部31a具有各自独立的多量子阱发光层313和第二半导体层314,多量子阱发光层313和第二半导体层314之间通过隔离层隔离开。一个发光单元31的导电基底层311键合于一个第一连接部21,但是一个发光单元31的三个发光部31a一一对应地连接三个开关单元23,通过三个开关单元23一一对应地控制三个发光部31a的发光。
在发光单元31背离衬底基板1的一侧设置有第三连接部32,即第三连接部32与第二半导体层314连接。参照图8所示,在一个发光单元31可以包括三个发光部31a的情况下,每个发光部31a背离衬底基板1的一侧均设置有第三连接部32,且三个第三连接部32互不连接。
参照图1所示,在发光器件3背离衬底基板1的一侧设置有第二平坦化层4,第二平坦化层4上设置有第一过孔41,第一过孔41连通至第二连接部22,第二平坦化层4上还设置有第二过孔42,第二过孔42连通至第三连接部32,导电连接部5通过第二过孔42连接至第三连接部32,且导电连接部5通过第一过孔41连接至第二连接部22,从而通过导电连接部5将第二连接部22和第三连接部32连接,也就是通过导电连接部5将开关单元23与发光单元31连接,通过开关单元23可以控制发光单元31。
参照图2和图3所示,在发光器件3以及开关单元23背离衬底基板1的一侧设置有第二平坦化层4,第二平坦化层4上设置有第一过孔41,第一过孔41连通至第二连接部22,第二平坦化层4上还设置有第二过孔42,第二过孔42连通至第三连接部32,导电连接部5通过第二过孔42连接至第三连接部32,且导电连接部5通过第一过孔41连接至第二连接部22,从而通过导电连接部5将第二连接部22和第三连接部32连接,也就是通过导电连接部5将开关单元23与发光单元31连接,通过开关单元23可以控制发光单元31。
导电连接部5的材质可以是金属,也可以是导电金属氧化物。
发光器件3的厚度大约在5微米左右,开关单元23的厚度大约在2微米左右;如果发光器件3和开关单元23设置在同一高度的基础面上,会导致开关单元23背离衬底基板1的一面与发光器件3背离衬底基板1的一面之间的高度差较大,使得需要形成的第二平坦化层4的厚度较厚才能补偿上述高度差,如果,第二平坦化层4的厚度较薄的话,第二平坦化层4背离衬底基板1的一面与开关单元23相对的一部分和与发光器件3相对的另一部分之间会形成较高的高度差(断差),后续形成的导电连接部5需要跨越该断差,会形成折弯结构,导致导电连接部5容易断裂,从而导致断路不良。
因此,为了方便第二平坦化层4的制备,避免制备较厚的第二平坦化层4,为了避免出现导电连接部5断裂的断路不良;使得开关单元23背离衬底基板1的一面与发光器件3背离衬底基板1的一面之间的高度差小于等于15微米。例如,高度差可以是3微米、7微米、8.5微米、10微米、13微米、14.5微米等等;进一步地,开关单元23背离衬底基板1的一面与发光器件3背离衬底基板1的一面可以共面。
具体地,显示面板还可以包括支撑层6,支撑层6的厚度大于等于3且小于等于15微米。支撑层6设于衬底基板1的一侧,例如,支撑层6可以设于衬底基板1与第一保护层101之间;开关单元23设于支撑层6背离衬底基板1的一侧,使得支撑层6可以抬高开关单元23。支撑层6上设置有第四过孔61,第一保护层101延伸至第四过孔61内,第一连接部21设于第一过孔41内,发光器件3的一部分位于第一过孔41内,从而使得发光器件3的高度降低,开关单元23背离衬底基板1的一面与发光器件3背离衬底基板1的一面之间的高度差基本等于0,即开关单元23背离衬底基板1的一面与发光器件3背离衬底基板1的一面共面。
在本示例实施方式中,参照图1和图2所示,显示面板还可以包括色彩转换层7、滤光层8以及盖板9;色彩转换层7可以包括限定部72和色彩转换部71,限定部72可以设置为网格状,在一个网格内设置有一个色彩转换部71,也可以说是在限定部72上设置有多个过孔,一个过孔内设置有一个色彩转换部71。色彩转换部71设于发光器件3背离衬底基板1的一侧,色彩转换部71可以将发光器件3发出的光的颜色进行转换,例如,发光器件3均发出蓝光,蓝光经过色彩转换部71可以转换成红光和绿光,形成红绿蓝三色LED,实现彩色化的显示方案。一方面,由于红色LED发光效率低,而且成本高等问题,造成驱动设计复杂和成本较高,如此设置,避免采用红色LED,从而提高显示面板的发光效率,而且成本较低。另一方面,显示面板中所有的发光器件3均一样,因此发光器件3的转移工艺较为简单,避免执行转移红绿蓝三色LED的复杂工艺,提高了转移的效率和良率,而且容易检测和修复。
色彩转换部71的材质可以是量子点材料、钙钛矿量子点材料、有机荧光材料等材料中的一种或多种,通过色彩转换部71的转换后的出射光的波长可以在100nm至1200nm范围内,即涵盖了可见光、紫外光以及红外光,可以根据需要设置需要的转换波长。
参照图1和图2所示,滤光层8可以包括黑矩阵82和滤光部81,黑矩阵82可以设置为网格状,在一个网格内设置有一个滤光部81,也可以说是在黑矩阵82上设置有多个过孔,一个过孔内设置有一个滤光部81,滤光部81设于色彩转换部71背离衬底基板1的一侧;通过色彩转换部71可以对经过色彩转换部71的光进一步过滤,保证色彩的单一性,避免混色。
盖板9设于滤光层8背离衬底基板1的一侧。盖板9可以对整个显示面板进行保护。
基于同一发明构思,本公开示例实施方式提供了一种显示面板的制备方法,参照图4所示,该制备方法可以包括以下步骤包括:
步骤S10,形成驱动背板,所述驱动背板包括开关单元、第一连接部和第二连接部,所述第二连接部连接于所述开关单元,所述第一连接部与所述第二连接部间隔设置。
步骤S20,在所述第一连接部的一侧键合发光器件,所述发光器件包括相互连接的发光单元和第三连接部。
步骤S30,形成导电连接部,所述导电连接部连接于所述第二连接部和所述第三连接部之间,所述导电连接部的宽度为微米级。
下面对显示面板的制备方法的各个步骤进行详细说明。
驱动背板2的制备方法为现有技术中的制备方法,因此,此处不再赘述。需要说明的是,在形成图2所示的显示面板的时候,需要在形成驱动背板2中的第一栅极261或第二栅极263的同时形成第一连接部21,即第一连接部21与第一栅极261或第二栅极263通过同一次构图工艺形成。当然,也可以在形成第一连接导体层281或第二连接导体层283的同时形成第一连接部21,即第一连接部21与第一连接导体层281或第二连接导体层283通过同一次构图工艺形成。
参照图5所示,在衬底33上依次形成隔离缓冲层34、uGaN层35、第一半导体层312、多量子阱发光层313以及第二半导体层314。衬底33可以是蓝宝石衬底,也可以是硅衬底。参照图6所示,然后对多量子阱发光层313、第二半导体层314以及第一半导体层312的一部分进行刻蚀形成三个发光部31a,在三个发光部31a的顶部分别制备三个第三连接部32。参照图7所示,在发光器件的顶面涂覆胶层36,然后将临时基板37与发光器件粘接。参照图8所示,去除衬底33、隔离缓冲层34以及uGaN层35;对于蓝宝石衬底可以通过激光剥离技术去除,对于硅衬底可以采用湿法腐蚀的方法去除。隔离缓冲层34可以采用干法刻蚀工艺去除。后在第一半导体层312背离第二半导体层314的一侧形成导电基底层311。
将发光器件3与第一连接部21通过金属键键合。例如,将驱动背板2以及发光器件3的连接表面进行清洁,然后将发光器件3的导电基底层311与第一连接部21贴合,然后施加设定的条件(对于导电氧化物材料,可以采用1MPa真空压力,温度450℃,以及10000N的推压力实现键合;对于金属材料,可以采用10MPa真空压力,温度190℃,以及15000N的推压力实现键合),使得导电基底层311与第一连接部21通过金属键键合,从而将发光器件3键合于驱动背板2。
在开关单元23以及发光器件3背离所述衬底基板1的一侧涂覆平坦化层,或者,在发光器件3背离所述衬底基板1的一侧涂覆平坦化层;然后对平坦化层进行图案化处理形成第一过孔41和第二过孔42。
形成导电连接部5可以包括形成导电连接层,对导电连接层进行图案化处理形成导电连接部5,例如,可以对导电连接层进行光刻工艺形成导电连接部5,使得导电连接部5的宽度为微米级,满足Micro LED显示面板的要求。
滤光层8以及色彩转换层7的制备具体为:在盖板9上形成黑矩阵82以及滤光部81(红色滤光部、绿色滤光部、蓝色滤光部);然后,在滤光层8背离盖板9的一侧形成限定层,并对限定层进行图案化处理形成多个过孔以及限定部72,在过孔内形成色彩转换部71。在色彩转换层7背离盖板9的一侧形成封装层105形成盖板组件,封装层105的材质可以是氮化硅。将盖板组件对盒于发光器件3形成显示面板。
当然,在本公开的其他一些示例实施方式中,可以在发光器件3背离衬底基板1的一侧形成第三平坦化层,在第三平坦化层背离衬底基板1的一侧形成限定层,并对限定层进行图案化处理形成多个过孔以及限定部72,在过孔内形成色彩转换部71。在色彩转换层背离衬底基板1的一侧形成黑矩阵82以及滤光部81(红色滤光部、绿色滤光部、蓝色滤光部);最后,将盖板9粘接于滤光层8形成显示面板。
基于同一发明构思,本公开示例实施方式提供了本公开示例实施方式还提供了一种显示装置,该显示装置可以包括上述任意一项所述的显示面板,显示面板的具体结构上述已经进行了详细说明,因此,此处不再赘述。
而该显示装置的具体类型不受特别的限制,本领域常用的显示装置类型均可,具体例如手机等移动装置、手表等可穿戴设备、VR装置等等,本领域技术人员可根据该显示设备的具体用途进行相应地选择,在此不再赘述。
需要说明的是,该显示装置除了显示面板以外,还包括其他必要的部件和组成,以显示器为例,具体例如外壳、电路板、电源线,等等,本领域技术人员可根据该显示装置的具体使用要求进行相应地补充,在此不再赘述。
与现有技术相比,本发明示例实施方式提供的显示装置的有益效果与上述示例实施方式提供的显示面板的有益效果相同,在此不做赘述。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。
Claims (11)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
驱动背板,包括开关单元、第一连接部和第二连接部,所述第二连接部连接于所述开关单元,所述第一连接部与所述第二连接部间隔设置;
发光器件,键合于所述第一连接部的一侧,所述发光器件包括相互连接的发光单元和第三连接部;
导电连接部,连接于所述第二连接部和所述第三连接部之间,所述导电连接部的宽度为微米级。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一连接部为金属键合层,所述第一连接部与所述发光单元通过金属键键合。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
衬底基板,所述开关单元设于所述衬底基板的一侧,所述第一连接部设于所述开关单元背离所述衬底基板的一侧,所述发光单元设于所述第一连接部背离所述衬底基板的一侧,所述第三连接部设于发光单元背离所述衬底基板的一侧;
第二平坦化层,设于所述发光器件背离所述衬底基板的一侧,所述第二平坦化层上设置有第一过孔和第二过孔,所述第一过孔连通至所述第二连接部,所述第二过孔连通至所述第三连接部,所述导电连接部通过所述第一过孔连接至所述第二连接部,且通过所述第二过孔连接至所述第三连接部。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
衬底基板,所述开关单元和所述第一连接部并排设于所述衬底基板的同一侧,所述发光单元设于所述第一连接部背离所述衬底基板的一侧,所述第三连接部设于发光单元背离所述衬底基板的一侧;
第二平坦化层,设于所述开关单元以及所述发光器件背离所述衬底基板的一侧,所述第二平坦化层上设置有第一过孔和第二过孔,所述第一过孔连通至所述第二连接部,所述第二过孔连通至所述第三连接部,所述导电连接部通过所述第一过孔连接至所述第二连接部,且通过所述第二过孔连通至所述第三连接部。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
支撑层,设于所述衬底基板的一侧,所述开关单元设于所述支撑层背离所述衬底基板的一侧,所述支撑层上设置有第四过孔,所述第一连接部设于所述第一过孔内,所述发光器件的一部分位于所述第一过孔内。
6.根据权利要求3或4所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
色彩转换层,包括色彩转换部,所述色彩转换部设于所述发光器件背离所述衬底基板的一侧;
滤光层,包括滤光部,所述滤光部设于所述色彩转换部背离所述衬底基板的一侧;
盖板,设于所述滤光层背离所述衬底基板的一侧。
7.根据权利要求3或4所述的显示面板,其特征在于,所述驱动背板包括:
有源层,设于所述衬底基板的一侧,所述有源层包括沟道部、源极连接部和漏极连接部,所述源极连接部和所述漏极连接部连接于所述沟道部;
第一绝缘层,设于所述有源层背离所述衬底基板的一侧,所述第一绝缘层上设置有第五过孔;
栅极层组,设于所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧,所述栅极层组包括栅极;
第二绝缘层,设于所述栅极层组背离所述衬底基板的一侧,所述第二绝缘层上设置有第六过孔;
连接导体层组,设于所述第二绝缘层背离所述衬底基板的一侧,所述连接导体层组包括源极、漏极和所述第二连接部,所述源极通过所述第六过孔和所述第五过孔连接至所述源极连接部,所述漏极通过所述第六过孔和所述第五过孔连接至所述漏极连接部,所述开关单元包括所述有源层、所述栅极、所述源极以及所述漏极,所述第二连接部连接于所述源极或所述漏极;
所述发光单元包括:
导电基底层,设于所述第一连接部的一侧;
第一半导体层,设于所述导电基底层背离所述第一连接部的一侧;
多量子阱发光层,设于所述第一半导体层背离所述第一连接部的一侧;
第二半导体层,设于所述多量子阱发光层背离所述第一连接部的一侧,所述第三连接部设于所述第二半导体层背离所述第一连接部的一侧。
8.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,一个所述发光单元包括三个发光部,三个所述发光部的所述导电基底层和所述第一半导体层共用。
9.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
形成驱动背板,所述驱动背板包括开关单元、第一连接部和第二连接部,所述第二连接部连接于所述开关单元,所述第一连接部与所述第二连接部间隔设置;
在所述第一连接部的一侧键合发光器件,所述发光器件包括相互连接的发光单元和第三连接部;
形成导电连接部,所述导电连接部连接于所述第二连接部和所述第三连接部之间,所述导电连接部的宽度为微米级。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制备方法,其特征在于,形成导电连接部,包括:
形成导电连接层,对所述导电连接层进行图案化处理形成导电连接部。
11.一种显示装置,其特征在于,包括:权利要求1~8任意一项所述的显示面板。
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