WO2009106040A1 - Organische leuchtdiode, kontaktanordnung und verfahren zur herstellung einer organischen leuchtdiode - Google Patents

Organische leuchtdiode, kontaktanordnung und verfahren zur herstellung einer organischen leuchtdiode Download PDF

Info

Publication number
WO2009106040A1
WO2009106040A1 PCT/DE2009/000217 DE2009000217W WO2009106040A1 WO 2009106040 A1 WO2009106040 A1 WO 2009106040A1 DE 2009000217 W DE2009000217 W DE 2009000217W WO 2009106040 A1 WO2009106040 A1 WO 2009106040A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
connection layer
recesses
emitting diode
connection
Prior art date
Application number
PCT/DE2009/000217
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Erwin Lang
Dirk Becker
Thomas Dobbertin
Markus Klein
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority to JP2010547945A priority Critical patent/JP2011513901A/ja
Priority to US12/867,241 priority patent/US8791490B2/en
Priority to CN200980106793.2A priority patent/CN101965654B/zh
Priority to EP09715337A priority patent/EP2248202A1/de
Publication of WO2009106040A1 publication Critical patent/WO2009106040A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting

Definitions

  • Organic light-emitting diode contact arrangement and method for producing an organic light-emitting diode
  • the invention relates to electronic components with a planar, optically active region in general and organic light-emitting diodes in particular.
  • Flat in this context means that the optically active element extends substantially further in a first and second spatial direction spanning the first and second surface than in the remaining third spatial direction.
  • a problem of conventional light-emitting diodes is the uniform supply of an operating voltage.
  • the operating voltage for an organic layer stack is applied to edge regions of two connection layers. While an electrical supply via a metallic connection layer is relatively uncritical due to the good conductivity of metal, a voltage applied to a different type of, in particular transparent, connection layer drops from the edge. This is because such layers have a low transverse conductivity compared to metallic layers and thus do not conduct the supply voltage as well as a metallic connection layer. Together with the operating voltage, the achievable luminance drops, in particular in the case of organic light-emitting diodes, from the edge in the direction of an inner region of a luminous surface.
  • the object of the invention is therefore to describe an organic light-emitting diode and a contact arrangement for a planar, optically active element, the one allow improved electrical connection of a layer stack or an optically active element.
  • an organic light-emitting diode is described, which allows a uniform radiation over the entire surface. It should also be described a method which is suitable for producing such a light-emitting diode.
  • a light-emitting diode which comprises a layer stack, wherein the
  • the Light-emitting diode has at least one organic layer for emitting electromagnetic radiation and a first surface and a second surface opposite the first surface.
  • the light-emitting diode further comprises an electrically conductive first connection layer, which is arranged on the first surface of the layer stack and electrically connected thereto.
  • the light-emitting diode comprises an electrically conductive and for electromagnetic radiation of a characteristic wavelength of the emissive electromagnetic radiation at least predominantly permeable, second connection layer, which is arranged on the second surface of the layer stack and electrically connected thereto.
  • the light emitting diode is characterized in that on the side opposite the layer stack of the first
  • Terminal layer is arranged one of these electrically insulated, conductive contact structure, the first connection layer having a plurality of recesses and the second connection layer in the region of the plurality of recesses of the first connection layer electrically to the
  • Contact structure is connected.
  • a current supply is made possible through the first connection layer, for example from one side of a carrier substrate.
  • an electrical potential in the region of the plurality of recesses for the second connection layer can be provided.
  • the conductive contact structure partially takes on the task of the second connection layer and effectively improves the transverse conductivity.
  • the contact structure comprises at least a first insulating layer and an electrically conductive third connecting layer, wherein the first insulating layer is in direct physical contact with the side facing away from the layer stack of the first connection layer and the third connection layer facing away in direct physical contact with the first connection layer Side of the first insulating layer is.
  • the insulating layer is designed as an electrically insulating carrier substrate and has a plurality of recesses, which is assigned to the plurality of recesses of the first connection layer.
  • the layer stack in the region of the plurality of recesses of the first connection layer in each case has a depression and the second connection layer protrudes into these recesses in order to electrically contact the contact structure.
  • a plurality of contact elements is arranged in the layer stack, which is assigned to the plurality of recesses of the first connection layer and electrically connects the second connection layer with the contact structure.
  • each of the plurality of contact elements each surrounds an insulating layer which electrically isolates the respective contact element from the layer stack.
  • the second connection layer comprises a doped transition metal oxide, in particular indium tin oxide or aluminum doped zinc oxide.
  • the second connection layer comprises a thin metal layer having a thickness between 5 and 50 nm, in particular a metal layer having a thickness of 'less than 30 nm.
  • a thin metal layer as a second connection layer allows for improved distribution of the operating voltage at the second surface of the layer stack.
  • the second connection layer additionally comprises at least one doped transition metal oxide layer, the thin metal layer and the transition metal layer forming a composite structure.
  • a terminal layer comprising at least a thin metal layer and at least one transition metal oxide layer
  • the transverse conductivity of the second terminal layer can be improved while maintaining acceptable transparency as compared with a pure metal layer.
  • sandwich structures with a thin metal layer, which is arranged between two transition metal layers, or a transition metal oxide layer, which is arranged between two thin metal layers.
  • the underlying object is further achieved by a contact arrangement for a planar, optically active element having a first surface and a parallel second surface opposite the first surface.
  • the contact arrangement for a planar, optically active element having a first Surface and one of the first surface opposite parallel second surface has the contact arrangement:
  • a conductive contact structure which is electrically insulated from this, is arranged,
  • the first connection layer has a plurality of recesses
  • the second connection layer in the region of the plurality of recesses of the first connection layer is electrically connected to the contact structure.
  • the contact arrangement can be used, for example, for a light-emitting diode described here. That is, the features specified in connection with the light-emitting diode are also disclosed for the contact arrangement described here, and vice versa.
  • Providing a flat, electrically conductive first connection layer and one in the region of the first Forming a layer stack comprising at least one organic layer for emitting electromagnetic radiation on a side opposite the contact structure of the first connection layer, surface application of an electrically conductive and for a predetermined characteristic wavelength of the emissive electromagnetic radiation at least predominantly transparent second connection layer on one side of the layer stack opposite the first connection layer, and - forming a plurality of electrical connections between the second connection layer and the contact structure through the plurality of recesses in the first connection layer.
  • an organic light-emitting diode described here can be produced. That is, the features described in connection with the organic light emitting diode are also disclosed in connection with the method and vice versa.
  • the shaping of the plurality of recesses in the first connection layer is carried out together with the removal of the parts of the layer stack.
  • Parts of the layer stack are removed by the action of electromagnetic radiation, in particular by laser ablation.
  • the production can take place without additional chemical or other intermediate steps without contact.
  • the layer stack is applied in a structured manner, areas being allocated during the application of the layer stack which are assigned to the plurality of recesses of the first connection layer, so that the layer stack likewise has a plurality of recesses. If areas are omitted during the application of the layer stack, a subsequent introduction of recesses in the
  • the layer stack is applied to the first connection layer by means of screen printing technology.
  • the use of the screen printing technique allows a simple production of Schichtstapeis with recesses.
  • the layer stack is applied by vapor deposition on the first connection layer, wherein the areas to be omitted are covered by means of a shadow mask.
  • the application of the layer stack by means of vapor deposition and an associated shadow mask allows a uniform application of a layer stack with recesses.
  • a plurality of contact elements is introduced into regions of the layer stack which is assigned to the plurality of recesses in the first connection layer.
  • Layer stack can be connected through.
  • the light-emitting diode comprises a carrier substrate and the first connection layer and / or the contact structure are applied to the carrier substrate by means of photolithography.
  • FIG. 1 shows a cross section through an organic light-emitting diode with additional contact elements according to a
  • Figure 2 is a first plan view of an organic compound
  • Figure 3 is a second plan view of an organic compound
  • FIG. 4 shows a cross section through an organic light-emitting diode with a first contact arrangement according to a further exemplary embodiment
  • FIG. 5 shows a cross section through an organic light-emitting diode with a second contact arrangement according to a further exemplary embodiment
  • Figure 6 shows different ways of structuring various contact arrangements according to different embodiments and Figure 7 shows an embodiment of a flowchart of a method for producing organic light emitting diodes and other planar components.
  • FIG. 1 shows a cross section through an organic light-emitting diode 1 according to one exemplary embodiment.
  • the organic light-emitting diode 1 comprises a layer stack 2 which has at least one organic layer 3 for emission of electromagnetic radiation.
  • the layer stack 2 may contain further organic and inorganic layers which are necessary or advantageous for the formation of a diode structure. Examples of such layers are layers for hole transport or electron transport, emitter layers, n-doped layers, p-doped layers, buffer layers and intermediate layers, as are known to the person skilled in the art. For reasons of clarity, however, such additional layers are not shown in FIG.
  • the layer stack 2 includes a functional area with one or more functional layers of organic materials.
  • the functional layers may be formed, for example, as electron-transport layers, electroluminescent layers and / or hole-transport layers.
  • electromagnetic radiation 6 having a single wavelength or a range of wavelengths can be generated in the active region by electron and hole injection and recombination. It can by a viewer through
  • the functional layers may include organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules"), or combinations thereof Suitable materials, as well as arrangements and structuring of the functional layer materials, are known to those skilled in the art and are therefore useful this point not further elaborated.
  • a layer or an element is arranged or applied "on” or “over” another layer or another element may mean here and below that the one layer or the one element directly in the direct mechanical and / or electrical Contact is arranged on the other layer or the other element.
  • the one layer or the one element is arranged indirectly on or above the other layer or the other element. In this case, further layers and / or elements can then be arranged between the one and the other layer.
  • the organic light-emitting diode 1 according to FIG. 1 furthermore comprises a first connection layer 4, which forms a first electrode for the power supply of the organic layer 3. For example, it may be at the first
  • Terminal layer 4 to act on a metal layer, which provides a very good conductive cathode or anode structure for the organic light emitting diode.
  • the first connection layer 4 reflects electromagnetic radiation 6, which is generated in the organic layer 3 during operation of the organic light-emitting diode 1. In this way, a decoupling of electromagnetic radiation in the direction of a surface the organic light emitting diode 1 are concentrated.
  • an aluminum layer is suitable for this purpose.
  • the first connection layer 4 can be designed as a cathode and thus serve as an electron-injecting material.
  • aluminum, barium, indium, silver, gold, magnesium, calcium or lithium, as well as compounds, combinations and alloys thereof, may be advantageous as the cathode material.
  • the first connection layer can be structured in electrode subregions.
  • the first connection layer 4 can be embodied in the form of parallel-arranged first electrode strips.
  • the first connection layer 4 is electrically conductively connected to a conductor track.
  • the connection layer 4 can, for example, pass over into a first conductor track or be carried out separately from a first conductor track and be connected to it electrically conductively.
  • the organic light-emitting diode 1 further comprises a second connection layer 5.
  • the second connection layer 5 forms a second electrode for applying an operating voltage to the surface of the layer stack 2.
  • the second connection layer 5 which can be embodied, for example, as an anode and thus can serve as a hole-injecting material, can for example comprise a transparent, electrically conductive oxide or consist of a transparent, conductive oxide.
  • Transparent, electrically conductive oxides (“transparent conductive oxides", “TCO” for short) are transparent, conductive materials in which Usually metal oxides, such as zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide or particularly preferably indium tin oxide (ITO).
  • binary metal oxygen compounds such as ZnO, SnO 2 or In 2 O 3 also include ternary metal oxygen compounds such as ' Zn 2 SnO 4 , CdSnO 3 , ZnSnO 3 , MgIn 2 O 4 , GaInO 3 , Zn 2 In 2 O 5 or In 4 Sn 3 O 12 or mixtures of different transparent, electrically conductive oxides to the group of TCOs.
  • the TCOs do not necessarily have to correspond to a stoichiometric composition and can also be p- or n-doped.
  • the second connection layer 5 may be a layer of indium tin oxide.
  • Indium tin oxide and other doped transition metal oxides are at least partially transparent to electromagnetic radiation of a specific wavelength, in particular for electromagnetic radiation, in the visible wavelength range, ie from 400 to 800 nm.
  • electromagnetic radiation 6 can pass out of the organic light-emitting diode 1 through the second connection layer 5, that is to say upward in FIG. 1.
  • the organic light-emitting diode 1 thus forms a surface radiator.
  • a material of the first connection layer 4 below the layer stack 2 can be selected independently of its optical properties.
  • the second connection layer 5 may alternatively or additionally also comprise metals or / and metal alloys and / or layer sequences, for example so-called IMI layers (ITO / metal / ITO) or be constructed of those which comprise at least one of the materials Ag, Al, Cr, Mo and Au include.
  • IMI layers ITO / metal / ITO
  • the first connection layer 4 may be formed as an anode and the second connection conductor 5 as a cathode with the materials listed above or combinations thereof.
  • the connection layers 4 and 5 may also comprise electrically conductive or semiconducting organic material.
  • the organic light-emitting diode according to FIG. 1 has a contact structure 7 which serves to supply an electrical voltage to the second connection layer 5.
  • Contact structure 7 is formed in the exemplary embodiment by a third connection layer 8, a first insulation layer 9 and a second insulation layer 10.
  • the first insulating layer 9 electrically insulates the third terminal layer 8 from the first terminal layer 4.
  • Insulation layer 10 insulates the third connection layer 8 downwards, for example, with respect to a carrier substrate not shown in FIG. If the organic light-emitting diode 1 is arranged on a non-conductive carrier substrate, the insulating layer 10 can also be dispensed with.
  • the third connection layer 8 may, for example, be constructed of the same materials as the first connection layer 4 or comprise it.
  • the first and second insulating layers 9 and 10 may, for example, contain or be composed of a polymer material or an oxide of a metal or semiconductor material. For example, thin plastic films, silicon dioxide layers or known printed circuit board materials are suitable for this purpose.
  • the contact structure 7 furthermore comprises a plurality of contact elements 11.
  • the contact elements 11 in the exemplary embodiment illustrated in FIG. 1 are conductive webs which are introduced into the organic layer stack 3.
  • the contact elements 11 are through
  • the first insulation layer 9 also has recesses for passing through the contact elements 11.
  • the contact elements may be, for example, metallic webs with a diameter of about 10 microns.
  • a use of highly conductive, non-metallic contact elements is necessary.
  • carbon nanotubes or high-temperature superconductors can be formed in the layer stack 2.
  • each of the contact elements 11 is surrounded by a third insulation layer 14.
  • Forming the contact elements 11 used metal or semiconductor material may be partially oxidized or coated with an additional insulating material to form a third insulating layer 14.
  • the first connection layer 4 preferably consists of a metal material which has a very good conductivity.
  • the first connection layer 4 may be made of copper or aluminum.
  • the second connection layer 5 consists of a largely transparent material.
  • the second connection layer 5 consists of a doped transition metal or a very thin metal layer.
  • an indium tin oxide layer having a thickness of between 20 and 150 nm, depending on the quality and purity of the material used, has a transmittance of more than 80% in the visible wavelength range.
  • composite structures comprising at least a thin metal layer and a transition metal oxide layer can be used.
  • an antireflection coating can also be integrated into the second connection layer 5 in order to increase its transparency.
  • connection layers 5 have only a relatively low transverse conductivity. Due to the multiple electrical contacting of the second connection layer 5 by the contact elements 11, a drop in an operating voltage along the surface of the organic light-emitting diode 1 can still be limited to a minimum, so that a uniform power supply over the entire surface can be achieved and the impression of a uniformly bright glowing surface arises.
  • a conventional encapsulation of the light-emitting diode 1 in the form of a thin-film encapsulation or a cover is not shown in FIG. 1 for reasons of clarity but not excluded.
  • the use of a wavelength conversion layer in an encapsulation arrangement is advantageous in order, for example, to avoid differential color aging associated with the use of a plurality of different active regions
  • the color location of the luminous impression of the optoelectronic component can be optimized independently of the electronic properties of the radiation-emitting layer sequence.
  • the light-emitting diode 1 when using a conversion layer, can emit an overlay of the primary radiation and a secondary radiation. In this case, a part of the primary radiation can traverse the wavelength conversion layer without conversion and from a
  • electromagnetic secondary radiation can also emerge from the encapsulation arrangement and be emitted by it.
  • a mixed-color luminous impression can be perceived by the superposition of the electromagnetic primary radiation and electromagnetic secondary radiation.
  • the mixed-color luminous impression can depend on the relative proportions of the primary radiation and secondary radiation to each other.
  • the primary radiation and the secondary radiation may have different wavelength ranges from each other.
  • a mixture of, for example, different colors of the electromagnetic radiation 6 can be generated, which leads to a total radiation with the desired, resulting color.
  • connection layers 4, 5 and 7, for example thin metal layers, and, if so If there is a flexible carrier substrate, for example a thin plastic film, it is also possible to produce flexible components, in particular flexible organic light-emitting diodes.
  • FIGS. 2 and 3 show two plan views of organic light-emitting diodes 1 with differently arranged contact elements 11.
  • a plurality of contact elements 11 are distributed uniformly over a surface of the layer stack 2.
  • metallic webs of the same diameter have been introduced into the layer stack 2 in the most hexagonal packing.
  • Embodiment an alternative arrangement of the contact elements 11 is used.
  • the contacting of the second connection layer 5 has been solved by means of a plurality of stochastically arranged contact elements 11, for example by diffusion of conductive materials in the layer stack 2. Both the position of the individual contact elements 11 and their exact shape and their diameter depend here on a random distribution from.
  • Germansstege have a diameter of about 100 nm to several micrometers.
  • the distance between the individual contact elements 11 is dimensioned such that the impression of a homogeneous luminous surface is created for a viewer of the organic light-emitting diode 1.
  • the contact elements 11 shown in FIG. 1 can be produced, for example, by the introduction of additional bars or the partial conversion of a layer stack 2.
  • an electrical connection between the second connection layer 5 and the contact structure 7 can also be produced by structured application of different layers. This will be described in more detail below with reference to Figures 4 and 5.
  • FIG. 4 shows a contact arrangement 15 according to a further embodiment of the invention.
  • the contact arrangement 15 comprises a layer stack 2 with an organic layer 3.
  • a first connection layer 4 is arranged on the underside of the organic layer 3.
  • a second connection layer 5 is arranged on a surface of the layer stack 2.
  • Each 'layers can be constructed from those described with reference to Figure 1, materials or containing them.
  • the first connection layer 4 comprises a metal and the second connection layer 5 comprises indium tin oxide.
  • the contact structure 7 comprises an insulation layer 9 and a third connection layer 8, which is arranged below the insulation layer 9 and consists for example of a metallic conductor material.
  • the layers 8, 9, 4, 3 and 5 form a layer stack, wherein the Organic layer 3 is enclosed between the first terminal layer 4 and the second terminal layer 5 in a sandwich structure which forms, for example, an organic light-emitting diode structure.
  • a contact point 17 is shown, which serves for the electrical connection of the second connection layer 5 to the third connection layer 8.
  • a recess 16 is present, into which the second connection layer 5 penetrates.
  • both the insulation layer 9 and the first connection layer 4 have a recess in this area, so that these layers are interrupted in the region of the depression 16 in the illustrated cross-section.
  • the organic layer 3 has a recess which forms the recess 16.
  • the second connection layer 5 is applied in a planar manner to the layer stack 2 shown in FIG. 4, so that the second connection layer 5 penetrates into the depression 16 and makes electrical contact with the third connection layer 8.
  • the layers 3, 4 and 9 can be removed by micromechanical processing steps, for example by laser ablation in the region of the depression 16, before the second connection layer 5 is applied to the contact arrangement 15.
  • FIG. 5 shows a further exemplary embodiment of a contact arrangement 15 for a layer stack 2.
  • the contact arrangement 15 comprises a third connection layer 8, an insulation layer 9, a first connection layer 4, an organic layer 3 and a second connection layer 5.
  • the layer sequence thus comprises the same layers as FIG in the Figure 4 shown layer sequence and is constructed for example of the same materials.
  • the contact arrangement 15 according to FIG. 5 has a depression 16 in the region of a contact point 17.
  • the second connection layer 5 penetrates into the recess 16 and thus forms an electrical contact with the third connection layer 8.
  • a recess 13 provided in the insulation layer 9 is made smaller in FIG.
  • the second connection layer 5 rests outside of the electrical contact with the third connection layer 8 everywhere on the organic layer 3
  • the second connection layer 5 according to FIG. 5 rests on the insulation layer 9 on the left and right next to the contact point.
  • the electrical insulation between the terminal layers 4 and 8 is improved, so that the probability of occurrence of a short circuit in the region of the contact arrangement is reduced.
  • a more uniform electric field can be generated within the layer stack 2, so that a uniformly luminous surface also arises in the region of the contact structure 7.
  • FIGS. 1 to 5 the contact elements 11 or contact points 17 have been represented as punctiform, in particular circular, contacts. However, other forms for forming contacts are also possible.
  • FIGS. 6A to 6C other possibilities of contacting between the second connection layer 5 and the contact structure 7 are illustrated.
  • FIG. 6A cross-shaped contact arrangements 15 are shown.
  • Cross-shaped contact arrangements 15 have inter alia the advantage that a relatively large current flow between the connection layer 8 and the second connection layer 5 is made possible.
  • Figure SB shows strip-shaped contact arrangements 15. Strip-shaped contact arrangements 15 can be introduced into a layer stack 2 in a particularly simple manner. For example, cuts can be made in the organic layer 3, the first connection layer 4 and the first insulation layer 9.
  • FIG. 1 to 5 the contact elements 11 or contact points 17 have been represented as punctiform, in particular circular, contacts. However, other forms for forming contacts are also possible.
  • FIGS. 6A to 6C other possibilities of contacting between the second connection layer 5 and the contact structure 7 are illustrated.
  • FIG. 6A cross-
  • Spider-web-like contacts 15a or honeycomb-shaped contact arrangements 15b allow a regular and uniform supply of the second connection layer 5 with an electrical operating current for operating an organic light-emitting diode or another optically active element.
  • a lateral current distribution over the entire luminous area can be effected by a well-conducting contact structure 7 or connecting layer 8. Since these can be made of an arbitrarily thick and non-transparent material, in principle, any desired large areas can be supplied with an operating current with the described arrangements.
  • a sandwich structure consisting of a first connection layer 4, the first insulation layer 9 and the third connection layer 8 can be used.
  • sandwich structures with two metallic and one insulating layer are easy to manufacture.
  • printed conductors can be produced on the upper side or lower side of a conductive material by lithographic means.
  • the use of a laminate of two metal layers and a plastic splint therebetween is possible.
  • FIG. 7 shows an exemplary embodiment of a method for producing organic light emitting diodes and other planar components having at least one optically active element, in particular inorganic light emitting diodes, planar radiation detectors or solar cells.
  • a first connection layer 4 is provided.
  • the first connection layer can be provided, for example, on a carrier substrate for the light-emitting diode to be produced.
  • a carrier substrate for the light-emitting diode to be produced for example, it may be a ceramic carrier substrate.
  • the use of a printed circuit board or other suitable carrier material is possible. If necessary, can on the
  • a carrier substrate Use of a carrier substrate are also dispensed with, in particular if the first connection layer 4 is formed, for example, from a metallic layer or foil. Furthermore, a third connection layer 8 is provided, which is electrically insulated from the first connection layer 4 and arranged on this surface.
  • the first connection layer 4 and the third connection layer 8 can already be arranged on a carrier substrate or can be subsequently applied to a carrier substrate in the course of the method, for example by means of photolithography or coating. Of course, it is also possible to stick conductive metal foils on a non-conductive carrier substrate or to attach in other ways.
  • recesses 12 are formed in the first connection layer 4 and optionally recesses 13 in the insulation layer 9.
  • the recesses enable a later applied second connection layer 5, the first 'connecting layer 4 to contact.
  • the recesses 12 and 13 can be formed by mechanical, micromechanical or chemical processes in the first connection layer 4 or the first insulation layer 9. For example, holes in the first connection layer 4 and / or the first insulation layer 9 can be drilled, milled, etched or baked.
  • a layer stack having at least one organic layer 3 is applied to the first connection layer 4.
  • the organic layer stack 2 is applied to an exposed surface of the first connection layer 4, so that a first electrical contact between the first connection layer 4 and the layer stack 2 is produced.
  • the layer stack 2 can first be applied in the entire region of the first connection layer 4.
  • contact elements 11 can subsequently be introduced into the organic layer 3 or depressions 16 can be formed in the layer stack 2.
  • the organic layer 3 it is also possible to apply the organic layer 3 only in the areas which are not associated with any recess 12 or 13 in the first connection layer 4 or insulation layer 9.
  • the layer stack 2 is applied in the entire region of the first connection layer 4, for example sputtered on. Subsequently, the parts of the layer stack 2 which are associated with the recesses 12 or 13 of the first connection layer 4 or insulation layer 9 are removed, for example by means of laser ablation.
  • the organic layer 3 is applied for example by means of screen printing technology, wherein the areas associated with the recesses 12 and 13 are recessed by the screen printing process. Furthermore, it is also possible to evaporate the layer stacks 2 by means of a vacuum diffusion technique onto the first connection layer 4, the areas allocated to the recesses 12 and 13 being recessed by means of a shadow mask.
  • the layer stack 2 instead of the layer stack 2 with the organic layer, another, for example also inorganic, layer stack, for example comprising a semiconductor material, is applied, epitaxially grown or shaped according to other methods known from the prior art.
  • another, for example also inorganic, layer stack for example comprising a semiconductor material
  • solar cells, radiation detectors for detecting electromagnetic radiation or other electronic components can be produced with a planar optically active region.
  • the second connection layer 5 is applied to the layer stack 2.
  • an indium-tin oxide layer may be applied to the surface of the
  • Layer stack 2 vapor-deposited or grown or deposited on her.
  • the second connection layer 5 is thereby applied over a large area in the region of the entire layer stack 2.
  • a last step 75 electrical connections between the second connection layer 5 and the third connection layer 8 are formed.
  • this step is performed together with the step 74.
  • thin metal pins can be introduced into the layer stack 2.
  • metal pins made of silver with a diameter of less than 20 nm are suitable for this purpose.
  • the steps described above may also be performed in a different order than described.
  • the layer sequence can be constructed in the reverse order, that is to say starting from a cover electrode formed by the second connection layer 5, via the layer stack 2, the first one
  • Terminal layer 4 the insulation layer 9 and the third terminal layer 8. Furthermore, several of the method steps can be combined in a single step. For example, the recesses 12 and 13 in the first connection layer 4 and the first
  • Insulation layer 9 are produced together with the recesses 16 in the layer stack 2.
  • the third connection layer 8 has been described as an additional metal or other conductor layer, which is applied in a planar manner to an insulation layer 9.
  • individual contact elements 11 can be connected by means of conductors or Jardinverbi ⁇ disme to a power source.

Abstract

Die Erfindung betrifft eine organische Leuchtdiode (1), umfassend einen Schichtstapel (2) zur Emission elektromagnetischer Strahlung (6). Auf einer ersten Oberfläche des Schichtstapels (2) ist eine elektrisch leitfähige erste Anschlussschicht (4) angeordnet und auf einer zweiten Oberfläche des Schichtstapels (2) ist eine elektrisch leitfähige und für eine charakteristische Wellenlänge der emittierbaren elektromagnetischen Strahlung (6) zumindest überwiegend durchlässige zweite Anschlussschicht (5) angeordnet. Die organische Leuchtdiode ist gekennzeichnet durch eine auf der dem Schichtstapel gegenüberliegenden Seite der ersten Anschlussschicht (4) angeordnete leitfähige Kontaktstruktur (7), die mit der zweiten Anschlussschicht (5) im Bereich einer Mehrzahl von Aussparungen (12) der ersten Anschlussschicht (4) elektrisch verbunden ist. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Kontaktanordnung (15) für ein flächiges, optisch aktives Element sowie ein Verfahren zur Herstellung organischer Leuchtdioden (1).

Description

Beschreibung
Organische Leuchtdiode, Kontaktanordnung und Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode
Die Erfindung betrifft elektronische Bauelemente mit einem flächigen, optisch aktiven Bereich im Allgemeinen und organische Leuchtdioden im Besonderen. Flächig in diesem Zusammenhang bedeutet, dass sich das optisch aktive Element in einer ersten und zweiten, die erste und zweite Oberfläche aufspannenden Raumrichtung wesentlich weiter erstreckt als in der verbleibenden dritten Raumrichtung.
Ein Problem konventioneller Leuchtdioden stellt die gleichmäßige Zuführung einer Betriebsspannung dar.
Üblicherweise wird die Betriebsspannung für einen organischen Schichtstapel an Randbereichen zweier Anschlussschichten angelegt. Während eine elektrische Zuführung über eine metallische Anschlussschicht aufgrund der guten Leitfähigkeit von Metall verhältnismäßig unkritisch ist, fällt eine an eine andersartige, insbesondere transparente, Anschlussschicht angelegte Spannung vom Rand her ab. Dies liegt daran, dass solche Schichten eine gegenüber metallischen Schichten geringe Querleitfähigkeit aufweisen und somit die VersorgungsSpannung nicht so gut leiten wie eine metallische Anschlussschicht. Zusammen mit der Betriebsspannung fällt insbesondere bei organischen Leuchtdioden auch die erzielbare Leuchtdichte vom Rand in Richtung eines Innenbereiches einer Leuchtfläche ab.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine organische Leuchtdiode sowie eine Kontaktanordnung für ein flächiges, optisch aktives Element zu beschreiben, die einen verbesserten elektrischen Anschluss eines Schichtstapels beziehungsweise eines optisch aktiven Elements gestatten. Darüber hinaus soll eine organische Leuchtdiode beschrieben werden, die eine gleichmäßige Abstrahlung über die gesamte Fläche ermöglicht. Es soll auch ein Verfahren beschrieben werden, das zur Herstellung einer solchen Leuchtdiode geeignet ist.
Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung wird eine Leuchtdiode beschrieben, die einen Schichtstapel umfasst, wobei der
Schichtstapel wenigstens eine organische Schicht zur Emission elektromagnetischer Strahlung und eine erste Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüberliegende zweite Oberfläche aufweist. Die Leuchtdiode umfasst des Weiteren eine elektrisch leitfähige erste Anschlussschicht, die auf der ersten Oberfläche des Schichtstapels angeordnet und mit diesem elektrisch verbunden ist. Ferner umfasst die Leuchtdiode eine elektrisch leitfähige und für elektromagnetische Strahlung einer charakteristischen Wellenlänge der emittierbaren elektromagnetischen Strahlung zumindest überwiegend durchlässige, zweite Anschlussschicht, die auf der zweiten Oberfläche des Schichtstapels angeordnet und mit diesem elektrisch verbunden ist. Die Leuchtdiode ist unter anderem dadurch gekennzeichnet, dass auf der dem Schichtstapel gegenüberliegenden Seite der ersten
Anschlussschicht eine von dieser elektrisch isolierte, leitfähige Kontaktstruktur angeordnet ist, die erste Anschlussschicht eine Mehrzahl von Aussparungen aufweist und die zweite Anschlussschicht im Bereich der Mehrzahl von Aussparungen der ersten Anschlussschicht elektrisch mit der
Kontaktstruktur verbunden ist. Durch Verwendung einer zusätzlichen, leitfähigen Kontaktstruktur auf der gegenüberliegenden Seite der ersten Anschlussschicht wird eine Stromzuführung durch die erste Anschlussschicht hindurch, beispielsweise von einer Seite eines Trägersubstrats her, ermöglicht. Auf diese Weise kann ein elektrisches Potential im Bereich der Mehrzahl von Aussparungen für die zweite Anschlussschicht bereitgestellt werden. Somit übernimmt die leitfähige Kontaktstruktur teilweise die Aufgabe der zweiten Anschlussschicht und bewirkt effektiv eine Verbesserung der Querleitfähigkeit.
Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung umfasst die Kontaktstruktur wenigstens eine erste Isolierschicht und eine elektrisch leitfähige dritte Anschlussschicht, wobei die erste Isolierschicht in direktem physikalischen Kontakt mit der dem Schichtstapel abgewandten Seite der ersten Anschlussschicht steht und die dritte Anschlussschicht in direktem physikalischen Kontakt mit der der ersten Anschlussschicht abgewandten Seite der ersten Isolierschicht steht. Durch die Verwendung einer Kontaktstruktur mit einer ersten Isolierschicht und einer elektrisch leitfähigen, dritten Anschlussschicht kann eine kompakte Anschlussstruktur zur Zuführung einer benötigten Betriebsspannung verwirklicht werden .
Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist die Isolierschicht als elektrisch isolierendes Trägersubstrat ausgestaltet und weist eine Mehrzahl von Aussparungen auf, die der Mehrzahl von Aussparungen der ersten Anschlussschicht zugeordnet ist. Durch Verwendung eines Trägersubstrates mit einer Mehrzahl von Aussparungen wird der mechanische und elektrische Aufbau der organischen Leuchtdiode weiter vereinfacht. Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weist der Schichtstapel im Bereich der Mehrzahl von Aussparungen der ersten Anschlussschicht jeweils eine Vertiefung auf und die zweite Anschlussschicht ragt in diese Vertiefungen hinein, um die KontaktStruktur elektrisch zu kontaktieren. Durch die Ausbildung von Aussparungen in dem Schichtstapel wird eine direkte elektrische Kontaktierung zwischen der zweiten Anschlussschicht und der Kontaktstruktur ermöglicht.
Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist in dem Schichtstapel eine Mehrzahl von Kontaktelementen angeordnet, die der Mehrzahl von Aussparungen der ersten Anschlussschicht zugeordnet ist und die zweite Anschlussschicht elektrisch mit der Kontaktstruktur verbindet. Durch die Verwendung einer Mehrzahl von Kontaktelementen in dem Schichtstapel werden elektrische Verbindungen zwischen der Kontaktstruktur und der zweiten Anschlussschicht hergestellt.
Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung umgibt jedes der Mehrzahl der Kontaktelemente jeweils eine Isolationsschicht, die das jeweilige Kontaktelement elektrisch von dem Schichtstapel isoliert. Durch den Einsatz der Isolationsschichten können unbeabsichtigte elektrische Kontakte oder Ströme innerhalb des Schichtstapels vermieden werden .
Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung umfasst die zweite Anschlussschicht ein dotiertes Übergangsmetalloxid, insbesondere Indium-Zinn-Oxid oder aluminiumdotiertes Zink-
Oxid. Durch die Verwendung eines dotierten Übergangsmetalloxids als zweiter Anschlussschicht können besonders lichtdurchlässige Anschlussschichten hergestellt werden.
Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung umfasst die zweite Anschlussschicht eine dünne Metallschicht mit einer Dicke zwischen 5 und 50 nm, insbesondere eine Metallschicht mit einer Dicke von 'weniger als 30 nm. Die Verwendung einer dünnen Metallschicht als zweite Anschlussschicht ermöglicht eine verbesserte Verteilung der Betriebsspannung an der zweiten Oberfläche des Schichtstapels.
Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung umfasst die zweite Anschlussschicht zusätzlich wenigstens eine dotierte Übergangsmetalloxidschicht, wobei die dünne Metallschicht und die Übergangsmetallschicht eine Verbundstruktur bilden. Durch Verwendung einer Anschlussschicht, umfassend wenigstens eine dünne Metallschicht und wenigstens eine Übergangsmetalloxidschicht, kann die Querleitfähigkeit der zweiten Anschlussschicht unter Beibehaltung einer akzeptablen Transparenz im Vergleich zu einer reinen Metallschicht verbessert werden. Möglich sind beispielsweise auch Sandwich- Strukturen mit einer dünnen Metallschicht, die zwischen zwei Übergangsmetallschichten angeordnet ist, oder einer Übergangsmetalloxidschicht, die zwischen zwei dünnen Metallschichten angeordnet ist.
Die zugrunde liegende Aufgabe wird des Weiteren durch eine Kontaktanordnung für ein flächiges, optisch aktives Element mit einer ersten Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden parallelen zweiten Oberfläche gelöst.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Kontaktanordnung für ein flächiges, optisch aktives Element mit einer ersten Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden parallelen zweiten Oberfläche weist die Kontaktanordnung auf :
- eine elektrisch leitfähige erste Anschlussschicht, die auf der ersten Oberfläche des optisch aktiven Elements angeordnet und mit diesem elektrisch verbunden ist, und
- eine elektrisch leitfähige und für elektromagnetische Strahlung einer vorbestimmten charakteristischen Wellenlänge zumindest überwiegend durchlässige zweite Anschlussschicht, die auf der zweiten Oberfläche des optisch aktiven Elementes angeordnet und mit diesem elektrisch verbunden ist, wobei
- auf der dem optisch aktiven Element gegenüberliegenden Seite der ersten Anschlussschicht eine von dieser elektrisch isolierte, leitfähige Kontaktstruktur angeordnet ist,
- die erste Anschlussschicht eine Mehrzahl von Aussparungen aufweist und
- die zweite Anschlussschicht im Bereich der Mehrzahl von Aussparungen der ersten Anschlussschicht elektrisch mit der Kontaktstruktur verbunden ist.
Die Kontaktanordnung kann zum Beispiel für eine hier beschriebene Leuchtdiode Verwendung finden. Das heißt die in Verbindung mit der Leuchtdiode angegebenen Merkmale sind auch für die hier beschriebene Kontaktanordnung offenbart und umgekehrt .
Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung organischer Leuchtdioden und anderer flächiger Bauelemente mit den folgenden Schritten beschrieben:
Bereitstellen einer flächigen, elektrisch leitfähigen ersten Anschlussschicht und einer im Bereich der ersten Anschlussschicht angeordneten, von dieser elektrisch isolierten, leitfähigen Kontaktstruktur, Formen einer Mehrzahl von Aussparungen in der ersten AnschlussSchicht , - flächiges Aufbringen eines Schichtstapels aufweisend wenigstens eine organische Schicht zur Emission elektromagnetischer Strahlung auf eine der Kontaktstruktur gegenüberliegenden Seite der ersten Anschlussschicht, flächiges Aufbringen einer elektrisch leitfähigen und für eine vorbestimmte charakteristische Wellenlänge der emittierbaren elektromagnetischen Strahlung zumindest überwiegend durchlässigen zweiten Anschlussschicht auf einer der ersten Anschlussschicht gegenüberliegenden Seite des Schichtstapels und - Formen einer Mehrzahl von elektrischen Verbindungen zwischen der zweiten Anschlussschicht und der Kontaktstruktur durch die Mehrzahl von Aussparungen in der ersten Anschlussschicht.
Durch die oben genannten Verfahrensschritte wird eine elektrische Kontaktierung einer flächigen zweiten Anschlussschicht durch eine erste Anschlussschicht hindurch mittels einer zusätzlichen Kontaktstruktur ermöglicht.
Mittels des Verfahrens kann eine hier beschriebene organische Leuchtdiode hergestellt werden. Das heißt, die in Verbindung mit der organischen Leuchtdiode beschriebenen Merkmale sind auch in Verbindung mit dem Verfahren offenbart und umgekehrt.
Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung wird der
Schichtstapel zunächst auf der gesamten Oberfläche der ersten Anschlussschicht aufgebracht und in einem nachfolgenden Schritt werden Teile des Schichtstapels, die der Mehrzahl von Aussparungen in der ersten Anschlussschicht zugeordnet sind, abgetragen. Durch das flächige Aufbringen und nachfolgende, teilweise Abtragen des Schichtstapeis wird eine besonders einfache Kontaktierung der zweiten Anschlussschicht ermöglicht .
Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird das Formen der Mehrzahl von Aussparungen in der ersten Anschlussschicht gemeinsam mit dem Abtragen der Teile des Schichtstapels durchgeführt. Durch das gemeinsame Formen von Aussparungen beziehungsweise Abtragen von Teilen des Schichtstapels wird die Herstellung der organischen Leuchtdiode weiter vereinfacht.
Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung werden die
Teile des Schichtstapels durch Einwirkung elektromagnetischer Strahlung, insbesondere durch Laserablation, abgetragen. Durch das Abtragen von Teilen des Schichtstapels durch Einwirkung elektromagnetischer Strahlung kann die Herstellung ohne zusätzliche chemische oder sonstige Zwischenschritte berührungsfrei erfolgen.
Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird der Schichtstapel strukturiert aufgebracht, wobei beim Aufbringen des Schichtstapels Bereiche ausgespart werden, die der Mehrzahl von Aussparungen der ersten Anschlussschicht zugeordnet sind, so dass der Schichtstapel ebenfalls eine Mehrzahl von Aussparungen aufweist. Sofern beim Aufbringen des Schichtstapels Bereiche ausgespart werden, kann ein nachträgliches Einbringen von Aussparungen in dem
Schichtstapel vermieden werden. Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird der Schichtstapel mittels Siebdrucktechnik auf die erste Anschlussschicht aufgebracht. Die Verwendung der Siebdrucktechnik ermöglicht eine einfache Herstellung eines Schichtstapeis mit Aussparungen.
Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird der Schichtstapel mittels Aufdampfen auf die erste Anschlussschicht aufgebracht, wobei die auszusparenden Bereiche mittels einer Schattenmaske abgedeckt werden. Das Aufbringen des Schichtstapels mittels Aufdampfen und einer zugehörigen Schattenmaske gestattet ein gleichmäßiges Aufbringen eines Schichtstapels mit Aussparungen.
Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird eine Mehrzahl von Kontaktelementen in Bereiche des Schichtstapels eingebracht, die der Mehrzahl von Aussparungen in der ersten Anschlussschicht zugeordnet ist. Durch das Einbringen einer Mehrzahl von Kontaktelementen kann die Kontaktstruktur elektrisch mit der zweiten Anschlussschicht durch den
SchichtStapel hindurch verbunden werden.
Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung umfasst die Leuchtdiode ein Trägersubstrat und die erste Anschlussschicht und/oder die Kontaktstruktur werden mittels Photolithographie auf dem Trägersubstrat aufgebracht . Durch das Aufbringen der ersten Anschlussschicht und/oder der Kontaktstruktur mittels Photolithographie auf einem Trägersubstrat kann die Herstellung der organischen Leuchtdiode weiter vereinfacht werden .
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Einzelheiten der vorliegenden Erfindung sind in den Patentansprüchen beschrieben. Die Erfindung wird anhand von unterschiedlichen Ausführungsbeispielen unter Verwendung von Figuren nachfolgend näher erläutert . Dabei werden in den Figuren gleiche Bezugszeichen für Elemente gleicher oder ähnlicher Funktion verwendet .
In den Figuren zeigen:
Figur 1 einen Querschnitt durch eine organische Leuchtdiode mit zusätzlichen Kontaktelementen gemäß einem
Ausführungsbeispiel,
Figur 2 eine erste Draufsicht auf eine organische
Leuchtdiode mit einer ersten Anordnung von Kontaktelementen gemäß einem weiteren
Ausführungsbeispiel ,
Figur 3 eine zweite Draufsicht auf eine organische
Leuchtdiode mit einer zweiten Anordnung von Kontaktelementen gemäß einem weiteren
Ausführungsbeispiel,
Figur 4 einen Querschnitt durch eine organische Leuchtdiode mit einer ersten Kontaktanordnung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel,
Figur 5 einen Querschnitt durch eine organische Leuchtdiode mit einer zweiten Kontaktanordnung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel,
Figur 6 unterschiedliche Möglichkeiten einer Strukturierung verschiedener Kontaktanordnungen gemäß unterschiedlicher Ausführungsbeispiele und Figur 7 ein Ausführungsbeispiel eines Ablaufdiagramms eines Verfahrens zur Herstellung organischer Leuchtdioden und anderen flächigen Bauelementen.
Figur 1 zeigt einen Querschnitt durch eine organische Leuchtdiode 1 gemäß einem Ausführungsbeispiel. Die organische Leuchtdiode 1 umfasst einen Schichtstapel 2, der wenigstens eine organische Schicht 3 zur Emission elektromagnetischer Strahlung aufweist. Der Schichtstapel 2 kann noch weitere organische und anorganische Schichten beinhalten, die zur Ausbildung einer Diodenstruktur notwendig oder vorteilhaft sind. Beispiele solcher Schichten sind Schichten zum Lochtransport beziehungsweise Elektronentransport, Emitterschichten, n-dotierte Schichten, p-dotierte Schichten, Pufferschichten und Zwischenschichten, wie sie dem Fachmann bekannt sind. Aus Gründen der Übersichtlichkeit sind solche zusätzlichen Schichten in der Figur 1 jedoch nicht dargestellt .
Der Schichtstapel 2 beinhaltet einen funktionalen Bereich mit einer oder mehreren funktionalen Schichten aus organischen Materialien. Die funktionalen Schichten können dabei beispielsweise als Elektronentransportschichten, elektro- lumineszierende Schichten und/oder Lochtransportschichten ausgebildet sein. In den funktionellen Schichten kann im aktiven Bereich durch Elektronen- und Löcherinjektion und -rekombination elektromagnetische Strahlung 6 mit einer einzelnen Wellenlänge oder einem Bereich von Wellenlängen erzeugt werden. Dabei kann bei einem Betrachter durch
Emission schmal- oder breitbandiger PrimärStrahlung ein einfarbiger, ein mehrfarbiger und/oder ein mischfarbiger Leuchteindruck der PrimärStrahlung erweckt werden. Die funktionalen Schichten können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht-polymere Moleküle („small molecules") oder Kombinationen daraus aufweisen. Geeignete Materialien sowie Anordnungen und Strukturierungen der Materialien für funktionale Schichten sind dem Fachmann bekannt und werden daher an dieser Stelle nicht weiter ausgeführt.
Dass eine Schicht oder ein Element „auf" oder „über" einer anderen Schicht oder einem anderen Element 'angeordnet oder aufgebracht ist, kann dabei hier und im Folgenden bedeuten, dass die eine Schicht oder das eine Element unmittelbar im direkten mechanischen und/oder elektrischen Kontakt auf der anderen Schicht oder dem anderen Element angeordnet ist.
Weiterhin kann es auch bedeuten, dass die eine Schicht oder das eine Element mittelbar auf beziehungsweise über der anderen Schicht oder dem anderen Element angeordnet ist. Dabei können dann weitere Schichten und/oder Elemente zwischen der einen und der anderen Schicht angeordnet sein.
Die organische Leuchtdiode 1 gemäß Figur 1 umfasst des Weiteren eine erste Anschlussschicht 4, die eine erste Elektrode zur Stromversorgung der organischen Schicht 3 bildet. Beispielsweise kann es sich bei der ersten
AnschlussSchicht 4 um eine Metallschicht handeln, die eine sehr gut leitfähige Kathoden- oder Anodenstruktur für die organische Leuchtdiode bereitstellt. In einer vorteilhaften Ausgestaltung reflektiert die erste Anschlussschicht 4 elektromagnetische Strahlung 6, die im Betrieb der organischen Leuchtdiode 1 in der organischen Schicht 3 erzeugt wird. Auf diese Weise kann eine Auskoppelung elektromagnetischer Strahlung in Richtung einer Oberfläche der organischen Leuchtdiode 1 konzentriert werden. Beispielsweise ist hierzu eine Aluminiumschicht geeignet.
Die erste Anschlussschicht 4 kann als Kathode ausgeführt sein und somit als Elektronen-injizierendes Material dienen. Als Kathodenmaterial können sich unter anderem insbesondere Aluminium, Barium, Indium, Silber, Gold, Magnesium, Calcium oder Lithium sowie Verbindungen, Kombinationen und Legierungen davon als vorteilhaft erweisen.
Die erste Anschlussschicht kann in Elektrodenteilbereiche strukturiert ausgeführt sein. Beispielsweise kann die erste Anschlussschicht 4 in Form parallel nebeneinander angeordneter -erster Elektrodenstreifen ausgeführt sein. Besonders bevorzugt ist die erste Anschlussschicht 4 elektrisch leitend mit einer Leiterbahn verbunden. Dabei kann die Anschlussschicht 4 beispielsweise in eine erste Leiterbahn übergehen oder getrennt von einer ersten Leiterbahn ausgeführt und elektrisch leitend mit dieser verbunden sein.
Die organische Leuchtdiode 1 umfasst des Weiteren eine zweite Anschlussschicht 5. Die zweite Anschlussschicht 5 bildet eine zweite Elektrode zum Anlegen einer Betriebsspannung auf der Oberfläche des Schichtstapels 2.
Die zweite Anschlussschicht 5, die beispielsweise als Anode ausgeführt sein kann und somit als Löcher-injizierendes Material dienen kann, kann beispielsweise ein transparentes, elektrisch leitendes Oxid aufweisen oder aus einem transparenten, leitenden Oxid bestehen. Transparente, elektrisch leitende Oxide (transparent conductive oxides, kurz „TCO") sind transparente, leitende Materialien, in der Regel Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder besonders bevorzugt Indiumzinnoxid (ITO) . Neben binären Metallsauerstoff - Verbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO2 oder In2O3 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise' Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 oder In4Sn3O12 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter, elektrisch leitender Oxide zu der Gruppe der TCOs . Weiterhin müssen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung entsprechen und können auch p- oder n-dotiert sein.
Beispielsweise kann es sich bei der zweiten Anschlussschicht 5 um eine Schicht aus Indium- Zinn-Oxid handeln.
Indium- Zinn-Oxid und andere dotierte Übergangsmetalloxide sind für elektromagnetische Strahlung bestimmter Wellenlänge, insbesondere für elektromagnetische Strahlung, im sichtbaren Wellenlängenbereich, also von 400 bis 800 rnn, zumindest teilweise transparent. Auf diese Weise kann elektromagnetische Strahlung 6 durch die zweite Anschlussschicht 5 hindurch, also in der Figur 1 nach oben, aus der organischen Leuchtdiode 1 austreten. Die organische Leuchtdiode 1 bildet somit einen Flächenstrahler. Dadurch kann beispielsweise ein Material der ersten Anschlussschicht 4 unterhalb des Schichtstapels 2 unabhängig von seinen optischen Eigenschaften gewählt werden.
Die zweite Anschlussschicht 5 kann alternativ oder zusätzlich auch Metalle und/oder Metalllegierungen und/oder Schichtfolgen, beispielsweise so genannte IMI-Schichten (ITO/Metall/ITO) aufweisen oder aus solchen aufgebaut sein, die zumindest eines der Materialien Ag, Al, Cr, Mo und Au umfassen. Alternativ können die erste Anschlussschicht 4 als Anode und die zweite Anschlussschient 5 als Kathode mit den oben aufgeführten Materialien oder Kombinationen daraus ausgebildet sein. Weiterhin können die Anschlussschichten 4 und 5 auch elektrisch leitendes oder halbleitendes organisches Material aufweisen.
Die organische Leuchtdiode gemäß Figur 1 weist eine Kontaktstruktur 7 auf, die zur Zuführung einer elektrischen Spannung zur zweiten Anschlussschicht 5 dient. Die
Kontaktstruktur 7 wird im Ausführungsbeispiel durch eine dritte Anschlussschicht 8, eine erste Isolationsschicht 9 sowie eine zweite Isolationsschicht 10 gebildet. Die erste Isolationsschicht 9 isoliert die dritte Anschlussschicht 8 elektrisch von der ersten Anschlussschicht 4. Die zweite
Isolationsschicht 10 isoliert die dritte Anschlussschicht 8 nach unten, beispielsweise gegenüber einem in der Figur 1 nicht dargestellten Trägersubstrat. Sofern die organische Leuchtdiode 1 auf einem nicht leitfähigen Trägersubstrat angeordnet ist, kann auf die Isolationsschicht 10 auch verzichtet werden.
Die dritte Anschlussschicht 8 kann beispielsweise aus denselben Materialien aufgebaut sein wie die erste Anschlussschicht 4 oder diese umfassen. Die erste und zweite Isolationsschicht 9 und 10 können beispielsweise ein Polymermaterial oder ein Oxid eines Metall- oder Halbleitermaterials enthalten oder daraus aufgebaut sein. Beispielsweise eignen sich hierfür dünne Kunststofffolien, Siliziumdioxidschichten oder bekannte Leiterplattenmaterialien . Die Kontaktstruktur 7 umfasst des Weiteren eine Mehrzahl von Kontaktelementen 11. Bei den Kontaktelementen 11 handelt es sich im in der Figur 1 dargestellten Ausführungsbeispiel um leitfähige Stege, die in dem organischen Schichtstapel 3 eingebracht sind. Die Kontaktelemente 11 sind durch
Aussparungen 12 in der ersten AnschlussSchicht 4 geführt. Die erste Isolationsschicht 9 weist ebenfalls Aussparungen zum Durchführen der Kontaktelemente 11 auf. Bei den Kontaktelementen kann es sich beispielsweise um metallische Stege mit einem Durchmesser von etwa 10 μm handeln.
Alternativ ist beispielsweise auch eine Verwendung gut leitender, nichtmetallischer Kontaktelemente nötig. Beispielsweise können in dem Schichtstapel 2 Kohlenstoffnanoröhrchen oder Hochtemperatur-Supraleiter ausgebildet werden.
Um die Kontaktelemente 11 von der sie umgebenden ersten Anschlussschicht 4 sowie dem Schichtstapel 2 zu isolieren, ist jedes der Kontaktelemente 11 mit einer dritten Isolationsschicht 14 umgeben. Beispielsweise kann ein zum
Bilden der Kontaktelemente 11 verwendetes Metall oder Halbleitermaterial teilweise oxidiert oder mit einem zusätzlichen Isolationsmaterial beschichtet werden, um eine dritte Isolationsschicht 14 auszubilden.
Die in der Figur 1 dargestellte organische Leuchtdiode 1 erlaubt eine weitgehend gleichmäßige Versorgung des Schichtstapels 2 mit einem Betriebsstrom beziehungsweise einer Betriebsspannung. Die erste Anschlussschicht 4 besteht hierzu vorzugsweise aus einem Metallmaterial, das eine sehr gute Leitfähigkeit besitzt. Beispielsweise kann die erste Anschlussschicht 4 aus Kupfer oder Aluminium gefertigt sein. Die zweite AnschlussSchicht 5 besteht aus einem weitgehend transparenten Material . Vorzugsweise besteht die zweite Anschlussschicht 5 aus einem dotierten Übergangsmetall oder einer sehr dünnen Metallschicht. Beispielsweise besitzt eine Indium-Zinn-Oxid-Schicht mit einer Dicke zwischen 20 und 150 nm in Abhängigkeit der Qualität und Reinheit des verwendeten Materials einen Transmissionsgrad von über 80 % im sichtbaren Wellenlängenbereich. Eine Metallschicht mit einer Schichtdicke von 5 bis 50 nm, beispielsweise zwischen 10 und 30 nm, erreicht in Abhängigkeit der Schichtdicke und des Materials eine Transparenz von über 70 % im sichtbaren Bereich. Auch Verbundstrukturen, umfassend wenigstens eine dünne Metallschicht und eine Übergangsmetalloxidschicht , können Verwendung finden. Zusätzlich kann auch eine Entspiegelungsschicht in die zweiten Anschlussschicht 5 integriert werden, um deren Transparenz zu erhöhen.
Auf diese Weise ist eine sehr effiziente Auskoppelung der elektromagnetischen Strahlung 6 aus der organischen Leuchtdiode 1 über die gesamte Oberfläche gewährleistet.
Derartige transparente Anschlussschichten 5 weisen jedoch nur eine verhältnismäßig geringe Querleitfähigkeit auf . Durch die mehrfache elektrische Kontaktierung der zweiten Anschlussschicht 5 durch die Kontaktelemente 11 kann ein Abfall einer Betriebsspannung entlang der Oberfläche der organischen Leuchtdiode 1 dennoch auf ein Minimum begrenzt werden, so dass eine gleichmäßige Stromzuführung über die gesamte Oberfläche erzielt werden kann und der Eindruck einer gleichmäßig hell leuchtenden Fläche entsteht.
Eine herkömmliche Verkapselung der Leuchtdiode 1 in Form einer Dünnfilmverkapseiung oder eines Deckels ist in der Figur 1 aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht dargestellt aber nicht ausgeschlossen. Beispielsweise ist die Verwendung einer Wellenlängenkonversionsschicht in einer Verkapselungsanordnung vorteilhaft, um beispielsweise eine differenzielle Farbalterung zu vermeiden, die bei der Verwendung mehrerer verschiedener aktiver Bereiche zur
Erzeugung von Mischlicht auftreten kann. Zum anderen kann der Farbort des Leuchteindrucks des optoelektronischen Bauelements unabhängig von den elektronischen Eigenschaften der Strahlungsemittierenden Schichtenfolge optimiert werden.
Insbesondere kann die Leuchtdiode 1 bei Verwendung einer Konversionsschicht eine Überlagerung aus der PrimärStrahlung und einer Sekundärstrahlung abstrahlen. Dabei kann ein Teil der Primärstrahlung die Wellenlängenkonversionsschicht unkonvertiert durchqueren und aus einer
Verkapselungsanordnung austreten. Weiterhin kann auch elektromagnetische Sekundärstrahlung aus der Verkapselungsanordnung austreten und von dieser abgestrahlt werden. Für einen externen Beobachter kann daher ein mischfarbiger Leuchteindruck durch die Überlagerung der elektromagnetischen PrimärStrahlung und elektromagnetischen SekundärStrahlung wahrgenommen werden. Der mischfarbige Leuchteindruck kann dabei von den relativen Anteilen der Primärstrahlung und SekundärStrahlung zueinander abhängen. Die Primärstrahlung und die Sekundärstrahlung können voneinander verschiedene Wellenlängenbereiche aufweisen. Dadurch kann eine Mischung von beispielsweise unterschiedlichen Farben der elektromagnetischen Strahlung 6 erzeugt werden, die zu einer Gesamtstrahlung mit der gewünschten, resultierenden Farbe führen.
Durch die optionale Verwendung dünner Anschlussschichten 4, 5 und 7, beispielsweise dünner Metallschichten, und, sofern vorhanden, eines flexiblen Trägersubstrats, beispielsweise einer dünnen Kunststofffolie, können auch flexible Bauelemente, insbesondere biegsame organische Leuchtdioden, hergestellt werden. .
In den Figuren 2 und 3 sind zwei Draufsichten auf organische Leuchtdioden 1 mit unterschiedlich angeordneten Kontaktelementen 11 dargestellt. Gemäß einem weiteren, in der Figur 2 dargestellten Ausführungsbeispiel ist eine Mehrzahl von Kontaktelementen 11 gleichmäßig über eine Oberfläche des Schichtstapels 2 verteilt. Beispielsweise sind metallische Stege gleichen Durchmessers in hexagonal dichtester Packung in den Schichtstapel 2 eingebracht worden.
Gemäß einem weiteren, in der Figur 3 dargestellten
Ausführungsbeispiel wird eine alternative Anordnung der Kontaktelemente 11 verwendet . Gemäß Figur 3 wurde die Kontaktierung der zweiten Anschlussschicht 5 mittels einer Mehrzahl von stochastisch angeordneten Kontaktelementen 11 gelöst, beispielsweise durch Diffusion leitfähiger Materialen in den Schichtstapel 2. Sowohl die Position der einzelnen Kontaktelemente 11 als auch deren genaue Form und deren Durchmesser hängen hier von einer Zufallsverteilung ab.
Je nach Ausgestaltung der Kontaktelemente 11 können die
VerbindungsStege einen Durchmesser von etwa 100 nm bis zu einigen Mikrometern aufweisen. Dabei wird der Abstand zwischen den einzelnen Kontaktelementen 11 so bemessen, dass für einen Betrachter der organischen Leuchtdiode 1 der Eindruck einer homogenen Leuchtfläche entsteht. Je besser die Querleitfähigkeit der zweiten Anschlussschicht 5, umso weiter kann der Abstand zwischen den einzelnen Kontaktelementen 11 werden. Typischerweise sind für die Herstellung großflächiger organischer Leuchtdioden Abstände von einigen Millimetern bis zu wenigen Zentimetern möglich und vorteilhaft .
Die in der Figur 1 dargestellten Kontaktelemente 11 können beispielsweise durch das Einbringen von zusätzlichen Stegen oder die teilweise Konversion eines Schichtstapels 2 hergestellt werden. Alternativ kann eine elektrische Verbindung zwischen der zweiten Anschlussschicht 5 und der Kontaktstruktur 7 auch durch strukturiertes Aufbringen verschiedener Schichten hergestellt werden. Dies wird im Folgenden unter Bezugnahme auf die Figuren 4 und 5 näher beschrieben.
Figur 4 zeigt eine Kontaktanordnung 15 gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung. Die Kontaktanordnung 15 umfasst einen Schichtstapel 2 mit einer organischen Schicht 3. Auf der Unterseite der organischen Schicht 3 ist eine erste Anschlussschicht 4 angeordnet. Gegenüber der ersten Anschlussschicht 4 ist eine zweite Anschlussschicht 5 auf einer Oberfläche des Schichtstapels 2 angeordnet. Die einzelnen' Schichten können aus den unter Bezugnahme auf die Figur 1 beschriebenen Materialen aufgebaut sein beziehungsweise diese enthalten. Beispielsweise umfasst die erste Anschlussschicht 4 ein Metall und die zweite Anschlussschicht 5 Indium-Zinn-Oxid.
Unterhalb der ersten Anschlussschicht 4 ist eine Kontaktstruktur 7 angeordnet. Die Kontaktstruktur 7 umfasst eine Isolationsschicht 9 und eine dritte Anschlussschicht 8, die unterhalb der Isolationsschicht 9 angeordnet ist und beispielsweise aus einem metallischen Leitermaterial besteht. In dem linken und rechten Randbereich der Figur 4 bilden die Schichten 8, 9, 4, 3 und 5 einen Schichtstapel, wobei die organische Schicht 3 zwischen der ersten Anschlussschicht 4 und der zweiten Anschlussschicht 5 in einer Sandwichstruktur eingeschlossen ist, die beispielsweise eine organische Leuchtdiodenstruktur bildet.
Im mittleren Bereich der Figur 4 ist eine Kontaktstelle 17 dargestellt, die zur elektrischen Verbindung der zweiten Anschlussschicht 5 mit der dritten Anschlussschicht 8 dient. In diesem Bereich ist eine Vertiefung 16 vorhanden, in die die zweite Anschlussschicht 5 eindringt. Insbesondere weist sowohl die Isolationsschicht 9 als auch die erste Anschlussschicht 4 in diesem Bereich eine Aussparung auf, so dass diese Schichten im Bereich der Vertiefung 16 im dargestellten Querschnitt unterbrochen sind. Auch die organische Schicht 3 weist eine Aussparung auf, die die Vertiefung 16 bildet. Die zweite Anschlussschicht 5 ist flächig auf den in der in Figur 4 dargestellten Schichtstapel 2 aufgebracht, so dass die zweite Anschlussschicht 5 in die Vertiefung 16 eindringt und einen elektrischen Kontakt mit der dritten Anschlussschicht 8 herstellt. Beispielsweise können die Schichten 3 , 4 und 9 durch mikromechanische Bearbeitungsschritte, beispielsweise mit durch Laserabiation im Bereich der Vertiefung 16, entfernt werden, bevor die zweite Anschlussschicht 5 auf die Kontaktanordnung 15 aufgetragen wird.
Figur 5 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Kontaktanordnung 15 für einen Schichtstapel 2. Die Kontaktanordnung 15 umfasst eine dritte Anschlussschicht 8, eine Isolationsschicht 9, eine erste Anschlussschicht 4, eine organische Schicht 3 und eine zweite Anschlussschicht 5. Die Schichtfolge umfasst somit dieselben Schichten wie die in der Figur 4 dargestellte Schichtfolge und ist beispielsweise aus denselben Materialien aufgebaut.
Auf die Kontaktanordnung 15 gemäß Figur 5 weist eine Vertiefung 16 im Bereich einer Kontaktstelle 17 auf. Die zweite Anschlussschicht 5 dringt in die Vertiefung 16 ein und bildet somit einen elektrischen Kontakt mit der dritten Anschlussschicht 8. Im Unterschied zu der in der Figur 4 dargestellten Kontaktanordnung ist eine in der Isolationsschicht 9 vorhandene Aussparung 13 in der Figur 5 kleiner ausgestaltet. Während in der Kontaktanordnung 15 gemäß der Figur 4 die zweite Anschlussschicht 5 außerhalb des elektrischen Kontakts mit der dritten Anschlussschicht 8 überall auf der organischen Schicht 3 aufliegt, liegt die zweite Anschlussschicht 5 gemäß Figur 5 links und rechts neben der Kontaktstelle auf der Isolationsschicht 9 auf. Auf diese Weise wird die elektrische Isolation zwischen der den Anschlussschichten 4 und 8 verbessert, so dass die Wahrscheinlichkeit eines Auftretens eines Kurzschlusses im Bereich der Kontaktanordnung reduziert wird. Des Weiteren kann hierdurch ein gleichförmigeres elektrisches Feld innerhalb des Schichtstapels 2 erzeugt werden, so dass auch im Bereich der KontaktStruktur 7 eine gleichmäßig leuchtende Fläche entsteht .
In den Figuren 1 bis 5 wurden die Kontaktelemente 11 beziehungsweise Kontaktstellen 17 als punktförmige, insbesondere kreisrunde, Kontakte dargestellt. Möglich sind jedoch auch andere Formen zur Bildung von Kontakten. In den weiteren Ausführungsbeispielen gemäß den Figuren 6A bis 6C sind andere Möglichkeiten der Kontaktierung zwischen der zweiten AnschlussSchicht 5 und der Kontaktstruktur 7 dargestellt . In der Figur 6A sind kreuzförmige Kontaktanordnungen 15 dargestellt. Kreuzförmige Kontaktanordnungen 15 weisen unter anderem den Vorteil auf, dass ein verhältnismäßig großer Stromfluss zwischen der Anschlussschicht 8 und der zweiten Anschlussschicht 5 ermöglicht wird. Figur SB zeigt streifenförmige Kontaktanordnungen 15. Streifenförmige Kontaktanordnungen 15 lassen sich auf besonders einfache Weise in einen Schichtstapel 2 einbringen. Beispielsweise können Schnitte in die organische Schicht 3 , die erste Anschlussschicht 4 und die erste Isolationsschicht 9 eingebracht werden. Figur 6C zeigt spinnennetzartige Kontakte 15a beziehungsweise wabenförmige Kontaktanordnungen 15b. Spinnennetzartige Kontakte 15a beziehungsweise wabenförmige Kontaktanordnungen 15b erlauben eine regelmäßige und gleichförmige Versorgung der zweiten Anschlussschicht 5 mit einem elektrischen Betriebsstrom zum Betrieb einer organischen Leuchtdiode oder eines anderen optisch aktiven Elements .
Ein Vorteil der oben beschriebenen Anordnungen besteht darin, dass eine laterale Stromverteilung über die gesamte Leuchtfläche durch eine gut leitende Kontaktstruktur 7 beziehungsweise Anschlussschicht 8 erfolgen kann. Da diese aus einem beliebig dicken und auch nicht transparenten Material hergestellt werden kann, lassen sich mit den beschriebenen Anordnungen im Prinzip beliebig große Flächen mit einem Betriebsstrom versorgen. Beispielsweise kann eine Sandwichstruktur, bestehend aus einer ersten Anschlussschicht 4, der ersten Isolationsschicht 9 und der dritten Anschlussschicht 8 verwendet werden. Solche Sandwichstrukturen mit zwei metallischen und einer isolierenden Schicht sind einfach herzustellen. Beispielsweise können Leiterbahnen auf der Oberseite beziehungsweise Unterseite eines leitenden Materials auf lithographischem Wege hergestellt werden. Alternativ ist auch die Verwendung eines Laminats aus zwei Metallschichten und einer dazwischen liegenden Kunststoffschient möglich.
Figur 7 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung von organischen Leuchtdioden und anderen flächigen Bauelemente mit wenigstens einem optisch aktiven Element, insbesondere anorganische Leuchtdioden, flächige Strahlungsdetektoren oder Solarzellen.
In einem ersten Schritt 71 wird eine erste Anschlussschicht 4 bereitgestellt. Die erste Anschlussschicht kann beispielsweise auf einem Trägersubstrat für die herzustellende Leuchtdiode bereitgestellt werden. Beispielsweise kann es sich dabei um ein keramisches Trägersubstrat handeln. Alternativ ist auch die Verwendung einer Leiterplatte oder eines sonstigen geeigneten Trägermaterials möglich. Gegebenenfalls kann auf die
Verwendung eines TrägerSubstrats auch verzichtet werden, insbesondere wenn die erste Anschlussschicht 4 beispielsweise aus einer metallischen Schicht oder Folie gebildet wird. Des Weiteren wird eine dritte Anschlussschicht 8 bereitgestellt, die elektrisch von der ersten Anschlussschicht 4 isoliert und auf dieser flächig angeordnet ist. Beispielsweise können die erste Anschlussschicht 4 und die dritte Anschlussschicht 8 bereits auf einem Trägersubstrat angeordnet sein oder nachträglich im Laufe des Verfahren, beispielsweise mittels Photolithographie oder Beschichtung, auf ein Trägersubstrat aufgetragen werden. Selbstverständlich ist es auch möglich, leitende Metallfolien auf ein nicht leitendes Trägersubstrat aufzukleben oder auf anderem Wege zu befestigen. In einem weiteren Schritt 72 werden Aussparungen 12 in der ersten AnschlussSchicht 4 sowie gegebenenfalls Aussparungen 13 in der Isolationsschicht 9 gebildet. Die Aussparungen ermöglichen es einer später aufgetragenen zweiten Anschlussschicht 5, die erste 'Anschlussschicht 4 zu kontaktieren. Die Aussparungen 12 beziehungsweise 13 können durch mechanische, mikromechanische oder chemische Verfahren in der ersten Anschlussschicht 4 beziehungsweise der ersten Isolationsschicht 9 gebildet werden. Beispielsweise können Löcher in die erste Anschlussschicht 4 und/oder die erste Isolationsschicht 9 gebohrt, gefräst, geätzt oder eingebrannt werden.
In einem weiteren Verfahrensschritt 73 wird ein Schichtstapel mit mindestens einer organischen Schicht 3 auf die erste Anschlussschicht 4 aufgetragen. Der organische Schichtstapel 2 wird auf eine freiliegende Oberfläche der ersten Anschlussschicht 4 aufgetragen, so dass ein erster elektrischer Kontakt zwischen der ersten Anschlussschicht 4 und dem Schichtstapel 2 hergestellt wird.
Grundsätzlich kann der Schichtstapel 2 zunächst im gesamten Bereich der ersten Anschlussschicht 4 aufgetragen werden. Optional können nachträglich Kontaktelemente 11 in die organische Schicht 3 eingebracht oder Vertiefungen 16 in dem Schichtstapel 2 ausgebildet werden. Alternativ ist es auch möglich, die organische Schicht 3 nur in den Bereichen aufzutragen, die keiner Aussparung 12 beziehungsweise 13 in der ersten Anschlussschicht 4 beziehungsweise Isolationsschicht 9 zugeordnet sind. Gemäß der ersten Alternative wird der SchichtStapel 2 im gesamten Bereich der ersten Anschlussschicht 4 aufgetragen, zum Beispiel aufgesputtert . Nachfolgend werden die Teile des Schichtstapels 2, die den Aussparungen 12 oder 13 der ersten Anschlussschicht 4 beziehungsweise Isolationsschicht 9 zugeordnet sind, beispielsweise mittels Laserablation entfernt. Gemäß der zweiten Alternative wird die organische Schicht 3 beispielsweise mittels Siebdrucktechnik aufgetragen, wobei die den Aussparungen 12 beziehungsweise 13 zugeordneten Bereiche durch das Siebdruckverfahren ausgespart werden. Des Weiteren ist es auch möglich, die Schichtstapel 2 mittels Vakuumdiffusionstechnik auf die erste Anschlussschicht 4 aufzudampfen, wobei mittels einer Schattenmaske die den Aussparungen 12 beziehungsweise 13 zugeordneten Bereiche ausgespart werden.
Gemäß einer abgewandelten Ausgestaltung wird anstelle des Schichtstapel 2 mit der organischen Schicht ein anderer, beispielsweise auch anorganischer Schichtstapel, zum Beispiel umfassend ein Halbleitermaterial, aufgetragen, epitaktisch aufgewachsen oder gemäß anderen aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren geformt. Auf diese Weise können beispielsweise auch Solarzellen, Strahlungsdetektoren zur Erkennung elektromagnetischer Strahlung oder andere elektronische Bauelemente mit einem flächigen optisch aktiven Bereich hergestellt werden.
In einem weiteren Schritt 74 wird die zweite Anschlussschicht 5 auf den Schichtstapel 2 aufgebracht. Beispielsweise kann eine Indium- Zinnoxid- Schicht auf die Oberfläche des
Schichtstapels 2 aufgedampft oder aufgewachsen oder auf ihr abgeschieden werden. Die zweite AnschlussSchicht 5 wird dabei großflächig im Bereich des gesamten Schichtstapels 2 aufgetragen .
In einem letzten Schritt 75 werden elektrische Verbindungen zwischen der zweiten Anschlussschicht 5 und der dritten Anschlussschicht 8 gebildet. In dem Fall, in dem in dem Schichtstapel 2 Vertiefungen IS vorgesehen sind, wird dieser Schritt gemeinsam mit dem Schritt 74 durchgeführt. Das heißt, dass durch Aufbringen der zweiten Anschlussschicht 5 gleichzeitig auch eine elektrische Kontaktierung der dritten Anschlussschicht 8 im Bereich der Aussparungen 12 erfolgt. Alternativ ist es auch möglich, durch Einbringen zusätzlicher Kontaktelemente 11 in den Schichtstapel 2 elektrische Verbindungen zwischen der zweiten Anschlussschicht 5 und der dritten Anschlussschicht 8 zu bilden. Beispielsweise können dünne Metallstifte in den Schichtstapel 2 eingebracht werden. Zum Beispiel eignen sich hierzu Metallstifte aus Silber mit einem Durchmesser von weniger als 20 nm.
Die oben beschriebenen Schritte können auch in einer anderen als der beschriebenen Reihenfolge durchgeführt werden. Beispielsweise kann die Schichtfolge in umgekehrter Reihenfolge aufgebaut werden, das heißt beginnend von einer durch die zweite Anschlussschicht 5 gebildeten Deckelelektrode, über den Schichtstapel 2, die erste
Anschlussschicht 4, die Isolationsschicht 9 und die dritte Anschlussschicht 8. Des Weiteren können mehrere der Verfahrensschritte in einem einzelnen Schritt vereinigt werden. Beispielsweise können die Aussparungen 12 und 13 in der ersten Anschlussschicht 4 und der ersten
Isolationsschicht 9 gemeinsam mit den Vertiefungen 16 in dem Schichtstapel 2 hergestellt werden. In den beschriebenen Ausführungsbeispielen wurde die dritte Anschlussschicht 8 als zusätzliche Metall- oder sonstige Leiterschicht beschrieben, die flächig auf einer Isolationsschicht 9 aufgetragen ist. Anstelle einer flächigen Kontaktstruktur 7 können selbstverständlich auch andere Kontaktelemente auf einer dem Schichtstapel 2 abgewandten Seite der ersten Anschlussschicht 4 angeordnet werden, die eine gleichmäßige Versorgung der zweiten Anschlussschicht 5 mit einem elektrischen Betriebsstrom gewährleisten. Beispielsweise können einzelne Kontaktelemente 11 mittels Leiterbahnen oder Kabelverbiηdungen an eine Stromquelle angeschlossen werden.
Schließlich ist es möglich, einzelne Merkmale der beschriebenen Ausführungsbeispiele miteinander zu kombinieren, um zu weiteren möglichen Ausgestaltungen zu gelangen.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Prioritäten der deutschen Patentanmeldungen DE 102008011867.2 und DE
102008020816.7, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Patentansprüche
1. Organische Leuchtdiode (1) umfassend
- einen Schichtstapel (2) aufweisend wenigstens eine organische Schicht (3) zur Emission elektromagnetischer Strahlung (6) , wobei der Schichtstapel (2) eine erste Oberfläche und eine der ersten Oberfläche gegenüberliegende zweite Oberfläche aufweist,
- eine elektrisch leitfähige erste Anschlussschicht (4) , die auf der ersten Oberfläche des Schichtstapels (2) angeordnet und mit diesem elektrisch verbunden ist, und
- eine elektrisch leitfähige und für eine charakteristische Wellenlänge der emittierbaren elektromagnetischen Strahlung
(6) zumindest überwiegend durchlässige zweite Anschlussschicht (5) , die auf der zweiten Oberfläche des Schichtstapeis (2) angeordnet und mit diesem elektrisch verbunden ist, wobei
- auf der dem Schichtstapel (2) gegenüberliegenden Seite der ersten Anschlussschicht (4) eine von dieser elektrisch isolierte, leitfähige Kontaktstruktur (7) angeordnet ist,
- die erste Anschlussschicht (4) eine Mehrzahl von Aussparungen (12) aufweist und
- die zweite Anschlussschicht (5) im Bereich der Mehrzahl von Aussparungen (12) der ersten AnschlussSchicht (4) elektrisch mit der Kontaktstruktur (7) verbunden ist.
2. Organische Leuchtdiode (1) nach dem vorherigen Anspruch, wobei die KontaktStruktur (7) wenigstens eine erste
Isolationsschicht (9) und eine elektrisch leitfähige dritte Anschlussschicht (8) umfasst, wobei die erste Isolationsschicht (9) in direktem physikalischen Kontakt mit der dem SchichtStapel (2) abgewandten Seite der ersten Anschlussschicht (4) steht und die dritte Anschlussschicht (8) in direktem physikalischen Kontakt mit der der ersten Anschlussschicht (4) abgewandten Seite der ersten Isolationsschicht (9) steht.
3. Organische Leuchtdiode nach zumindest einem der vorherigen Ansprüche , wobei die erste Isolationsschicht (9) als elektrisch isolierendes Trägersubstrat ausgestaltet ist und eine
Mehrzahl von Aussparungen (13) aufweist, die der Mehrzahl von Aussparungen (12) der ersten Anschlussschicht (4) zugeordnet ist.
4. Organische Leuchtdiode (1) nach zumindest einem der vorherigen Ansprüche, wobei der SchichtStapel (2) im Bereich der Mehrzahl von Aussparungen (12) der ersten Anschlussschicht (4) jeweils eine Vertiefung (16) aufweist und die zweite Anschlussschicht (5) in diese Vertiefungen (16) hineinragt, um die Kontaktstruktur (7) elektrisch zu kontaktieren.
5. Organische Leuchtdiode (1) nach zumindest einem der vorherigen Ansprüche, wobei in dem Schichtstapel (2) eine Mehrzahl von
Kontaktelementen (11) angeordnet ist, die der Mehrzahl von Aussparungen (12) der ersten Anschlussschicht (4) zugeordnet ist und die zweite Anschlussschicht (5) elektrisch mit der Kontaktstruktur (7) verbindet.
6 . Organische Leuchtdiode ( 1) nach zumindest einem der vorherigen Ansprüche , wobei jeweils eine Isolationsschicht (14) jeweils eines der Mehrzahl der Kontaktelemente (11) umgibt, die das jeweilige Kontaktelement (11) elektrisch von dem Schichtstapel (2) isoliert.
7. Organische Leuchtdiode (1) nach zumindest einem der vorherigen Ansprüche, wobei die zweite Anschlussschicht (5) ein dotiertes Übergangsmetalloxid, insbesondere Indium-Zinnoxid oder aluminiumdotiertes Zinkoxid, umfasst.
8. Organische Leuchtdiode (1) nach zumindest einem der vorherigen Ansprüche, wobei die zweite Anschlussschicht (5) wenigstens eine dünne Metallschicht mit einer Dicke zwischen 5 und 50 nm umfasst, insbesondere eine Metallschicht mit einer Dicke von weniger als 30 nm.
9. Organische Leuchtdiode (1) nach zumindest einem der vorherigen Ansprüche, wobei die zweite Anschlussschicht (5) zusätzlich wenigstens eine dotierte Übergangsmetalloxidschicht umfasst, wobei die dünne Metallschicht und die ÜbergangsmetallSchicht eine Verbundstruktur bilden.
10. Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode (1) , umfassend:
- Bereitstellen einer flächigen, elektrisch leitfähigen ersten Anschlussschicht (4) und einer im Bereich der ersten Anschlussschicht (4) angeordneten, von dieser elektrisch isolierten, leitfähigen Kontaktstruktur (7),
- Formen einer Mehrzahl von Aussparungen (12) in der ersten Anschlussschicht (4) , - flächiges Aufbringen eines Schichtstapels (2) aufweisend wenigstens eine organische Schicht (3) zur Emission elektromagnetischer Strahlung (6) auf einer der Kontaktstruktur (7) gegenüberliegenden Seite der ersten Anschlussschicht (4) ,
- flächiges Aufbringen einer elektrisch leitfähigen und für eine vorbestimmte charakteristische Wellenlänge der emittierbaren elektromagnetischen Strahlung (6) zumindest überwiegend durchlässige zweiten Anschlussschicht (5) , auf einer der ersten Anschlussschicht (4) gegenüberliegenden Seite des Schichtstapels (2) und
- Formen einer Mehrzahl von elektrischen Verbindungen zwischen der zweiten Anschlussschicht (5) und der Kontaktstruktur (7) durch die Mehrzahl von Aussparungen (12) in der ersten Anschlussschicht (4) .
11. Verfahren nach zumindest einem der vorherigen Ansprüche, wobei der Schichtstapel (2) zunächst auf der gesamten Oberfläche der ersten Anschlussschicht (4) aufgebracht wird und in einem nachfolgenden Schritt Teile des Schichtstapels (2), die der Mehrzahl von Aussparungen (12) in der ersten Anschlussschicht (4) zugeordnet sind, abgetragen werden.
12. Verfahren nach zumindest einem der vorherigen Ansprüche, wobei das Formen der Mehrzahl von Aussparungen (12) in der ersten Anschlussschicht (4) gemeinsam mit dem Abtragen der Teile des Schichtstapels (2) durchgeführt wird.
13. Verfahren nach zumindest einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Teile des Schichtstapels (2) durch Einwirkung elektromagnetischer Strahlung, insbesondere durch Laserabiation, abgetragen werden.
14. Verfahren nach zumindest einem der vorherigen Ansprüche, wobei der Schichtstapel (2) strukturiert aufgebracht wird, wobei beim Aufbringen, des Schichtstapels (2) Bereiche ausgespart werden, die der Mehrzahl von Aussparungen (12) der ersten Anschlussschicht (4) zugeordnet sind, so dass der Schichtstapel (2) ebenfalls eine Mehrzahl von Aussparungen aufweist .
15. Herstellungsverfahren nach zumindest einem der vorherigen Ansprüche, wobei eine Mehrzahl von Kontaktelementen (11) in Bereiche des Schichtstapels (2) eingebracht wird, die der Mehrzahl von Aussparungen (12) in der ersten Anschlussschicht (4) zugeordnet ist.
PCT/DE2009/000217 2008-02-29 2009-02-16 Organische leuchtdiode, kontaktanordnung und verfahren zur herstellung einer organischen leuchtdiode WO2009106040A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010547945A JP2011513901A (ja) 2008-02-29 2009-02-16 有機発光ダイオード、コンタクト装置および有機発光ダイオードの製造方法
US12/867,241 US8791490B2 (en) 2008-02-29 2009-02-16 Organic light-emitting diode, contact arrangement and method for producing an organic light-emitting diode
CN200980106793.2A CN101965654B (zh) 2008-02-29 2009-02-16 有机发光二极管、接触装置和制造有机发光二极管的方法
EP09715337A EP2248202A1 (de) 2008-02-29 2009-02-16 Organische leuchtdiode, kontaktanordnung und verfahren zur herstellung einer organischen leuchtdiode

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008011867.2 2008-02-29
DE102008011867 2008-02-29
DE102008020816.7A DE102008020816B4 (de) 2008-02-29 2008-04-25 Organische Leuchtdiode, flächiges, optisch aktives Element mit einer Kontaktanordnung und Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode
DE102008020816.7 2008-04-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2009106040A1 true WO2009106040A1 (de) 2009-09-03

Family

ID=40911437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE2009/000217 WO2009106040A1 (de) 2008-02-29 2009-02-16 Organische leuchtdiode, kontaktanordnung und verfahren zur herstellung einer organischen leuchtdiode

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8791490B2 (de)
EP (1) EP2248202A1 (de)
JP (1) JP2011513901A (de)
KR (1) KR101548400B1 (de)
CN (1) CN101965654B (de)
DE (1) DE102008020816B4 (de)
TW (1) TW200943601A (de)
WO (1) WO2009106040A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011129368A (ja) * 2009-12-17 2011-06-30 Kaneka Corp 有機発光装置の製造方法および有機発光装置
JP2011222485A (ja) * 2010-04-06 2011-11-04 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置及びその製造方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120090595A (ko) * 2011-02-08 2012-08-17 삼성전자주식회사 유기 발광 소자
DE102012221191B4 (de) * 2012-11-20 2022-03-17 Pictiva Displays International Limited Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102013107467A1 (de) * 2013-07-15 2015-01-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches lichtemittierendes Bauteil
DE102014110067A1 (de) * 2014-07-17 2016-01-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102014111345B4 (de) * 2014-08-08 2023-05-04 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102014119538A1 (de) * 2014-12-23 2016-06-23 Osram Oled Gmbh Optoelektronische Baugruppe und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe
DE102015105756A1 (de) * 2015-04-15 2016-10-20 Osram Oled Gmbh Beleuchtungsanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Beleuchtungsanordnung
TWI548131B (zh) * 2015-04-30 2016-09-01 Wisechip Semiconductor Inc Available for organic light emitting diode modules
DE102015114844A1 (de) * 2015-09-04 2017-03-09 Osram Oled Gmbh Organische Leuchtdiode und Fahrzeugaußenbeleuchtung
CN106252525B (zh) * 2016-08-26 2018-03-27 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件及制作方法、显示面板以及显示装置
FI128685B (en) 2016-09-27 2020-10-15 Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy Layered device and its manufacturing method

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1187212A2 (de) * 2000-08-31 2002-03-13 Sony Corporation Anzeigevorrichtung
US6448710B1 (en) * 1998-09-25 2002-09-10 Sony Corporation Optical device with conductive projections in non-optical operation regions
JP2002299047A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
EP1469450A1 (de) * 2003-04-18 2004-10-20 Barco N.V. Anzeigevorrichtung aus organischen Leuchtdioden zur Verwendung in einem Grossbildschirm
US20050270464A1 (en) * 2004-06-03 2005-12-08 Satoshi Seo Lighting system
US20060091126A1 (en) * 2001-01-31 2006-05-04 Baird Brian W Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6771328B2 (en) * 2001-07-25 2004-08-03 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Active matrix organic electroluminescent device simplifying a fabricating process and a fabricating method thereof
GB2379317A (en) 2001-08-30 2003-03-05 Cambridge Display Tech Ltd Optoelectronic display operating by photoluminescence quenching
EP1418634A1 (de) * 2002-11-06 2004-05-12 Samsung SDI Co. Ltd. Display auf Basis organischer, lichtemittierender Bauelemente (OLED) mit niederohmigem Kathodenkontakt
US20040152240A1 (en) * 2003-01-24 2004-08-05 Carlos Dangelo Method and apparatus for the use of self-assembled nanowires for the removal of heat from integrated circuits
JP4380242B2 (ja) 2003-07-16 2009-12-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
JP2005122910A (ja) * 2003-10-14 2005-05-12 Hitachi Ltd 有機ｅｌディスプレイ装置および有機ｅｌ素子の構造体の製造方法
JP4027914B2 (ja) 2004-05-21 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置及びそれを用いた機器
EP1717877B1 (de) * 2005-04-26 2015-06-03 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Laserverfahren zur Herstellung von zuverlässigen und niederohmigen elektrischen Kontakten
CN1728898A (zh) 2005-07-21 2006-02-01 徐良衡 一种有机高分子电致发光显示器件及其制备方法
US20070077349A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Eastman Kodak Company Patterning OLED device electrodes and optical material
JP4513777B2 (ja) * 2005-11-14 2010-07-28 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
US7990054B2 (en) 2005-12-19 2011-08-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Organic LED device with electrodes having reduced resistance
KR101148720B1 (ko) * 2005-12-31 2012-05-23 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
DE102006052029B4 (de) * 2006-09-22 2020-01-09 Osram Oled Gmbh Lichtemittierende Vorrichtung

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6448710B1 (en) * 1998-09-25 2002-09-10 Sony Corporation Optical device with conductive projections in non-optical operation regions
EP1187212A2 (de) * 2000-08-31 2002-03-13 Sony Corporation Anzeigevorrichtung
US20060091126A1 (en) * 2001-01-31 2006-05-04 Baird Brian W Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors
JP2002299047A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
EP1469450A1 (de) * 2003-04-18 2004-10-20 Barco N.V. Anzeigevorrichtung aus organischen Leuchtdioden zur Verwendung in einem Grossbildschirm
US20050270464A1 (en) * 2004-06-03 2005-12-08 Satoshi Seo Lighting system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011129368A (ja) * 2009-12-17 2011-06-30 Kaneka Corp 有機発光装置の製造方法および有機発光装置
JP2011222485A (ja) * 2010-04-06 2011-11-04 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置及びその製造方法
US9059426B2 (en) 2010-04-06 2015-06-16 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
EP2248202A1 (de) 2010-11-10
US20110198657A1 (en) 2011-08-18
DE102008020816B4 (de) 2019-10-10
TW200943601A (en) 2009-10-16
CN101965654B (zh) 2016-04-06
KR20100134561A (ko) 2010-12-23
DE102008020816A1 (de) 2009-09-03
US8791490B2 (en) 2014-07-29
KR101548400B1 (ko) 2015-09-04
JP2011513901A (ja) 2011-04-28
CN101965654A (zh) 2011-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102008020816B4 (de) Organische Leuchtdiode, flächiges, optisch aktives Element mit einer Kontaktanordnung und Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode
EP2321863B1 (de) Verfahren zur herstellung eines organischen strahlungsemittierenden bauelements und organisches strahlungsemittierendes bauelement
DE102010032834B4 (de) Optoelektronische Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
EP1916723B1 (de) Organische lichtemittierende Diode und Verfahren zur Herstellung einer organischen lichtemittierenden Diode
WO2001057938A1 (de) Vorrichtung für die emission elektromagnetischer strahlung und verfahren zu deren herstellung
EP2460204A1 (de) Elektronisches bauelement sowie elektrischer kontakt
EP2316143B1 (de) Oled-struktur und ein verfahren zur herstellung einer oled-struktur
WO2008061524A2 (de) Beleuchtungselement und verfahren zu seiner herstellung
WO2017021372A1 (de) Organisches optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines organischen optoelektronischen bauelements
WO2017005490A1 (de) Organisches lichtemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines organischen lichtemittierenden bauelements
EP2453498B1 (de) Strahlungsemittierende Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Vorrichtung
WO2017071948A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
WO2016146439A1 (de) Organisches optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines organischen optoelektronischen bauelements
WO2016146630A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
WO2008083671A1 (de) Optoelektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen vorrichtung
DE102017100929A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements
DE102012024599B4 (de) Anordnung mit optisch transparenten und funktionalen Bauelementen
DE102014223507A1 (de) Organisches Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen Licht emittierenden Bauelements
WO2016146438A1 (de) Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
WO2007096349A2 (de) Organische diode und verfahren zum herstellen von organischen dioden
DE102015106630A1 (de) Organisches lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen lichtemittierenden Bauelements
WO2016078882A1 (de) Optoelektronische vorrichtung mit schmelzsicherung
WO2018138161A1 (de) Organisches licht emittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines organischen licht emittierenden bauelements
DE102017102689A1 (de) Organisches Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen Licht emittierenden Bauelements
WO2016124507A1 (de) Verfahren zur herstellung eines lichtemittierenden bauelements und lichtemittierendes bauelement

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200980106793.2

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09715337

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20107018129

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010547945

Country of ref document: JP

Ref document number: 2009715337

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12867241

Country of ref document: US