CN101965654A - 有机发光二极管、接触装置和制造有机发光二极管的方法 - Google Patents

有机发光二极管、接触装置和制造有机发光二极管的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101965654A
CN101965654A CN2009801067932A CN200980106793A CN101965654A CN 101965654 A CN101965654 A CN 101965654A CN 2009801067932 A CN2009801067932 A CN 2009801067932A CN 200980106793 A CN200980106793 A CN 200980106793A CN 101965654 A CN101965654 A CN 101965654A
Authority
CN
China
Prior art keywords
articulamentum
lamination
emitting diode
organic light
spaces
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2009801067932A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101965654B (zh
Inventor
E·朗
D·贝克尔
T·多贝廷
M·克莱因
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of CN101965654A publication Critical patent/CN101965654A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101965654B publication Critical patent/CN101965654B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/88—Terminals, e.g. bond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种有机发光二极管(1)，包括用于发射电磁射线(6)的叠层(2)。在该叠层(2)的第一表面上设置导电的第一连接层(4)，以及在该叠层(2)的第二表面上设置导电的并且对于可发射的电磁射线(6)的特征性波长来说至少绝大部分可被穿透的第二连接层(5)。该有机发光二极管的特征在于设置在第一连接层(4)的与该叠层相对的面上的导电的接触结构(7)，该接触结构与该第二连接层(5)在第一连接层(4)的多个空隙(12)的区域中电连接。本发明还涉及用于平面的光学活性元件的接触装置(15)以及一种用于制造有机发光二极管(1)的方法。

Description

有机发光二极管、接触装置和制造有机发光二极管的方法
技术领域
本发明一般涉及具有平面的、光学活性区域的电子器件，并特别涉及有机发光二极管。在本文中，平面的表示光学活性元件在张紧第一和第二表面的第一和第二空间方向上比在剩余的第三空间方向上延伸得明显更远。
背景技术
常规发光二极管的问题是均匀地引入工作电压。通常，该工作电压对于有机叠层来说被施加在两个连接层的边缘区域上。通过金属连接层的电引入由于金属的良好导电性比较不危险，而施加在其它类型的、尤其是透明的连接层上的电压从边缘开始下降。这是因为，这样的层具有相对于金属层更小的横向导电率，由此供电电压不像金属连接层那么良好地传导。与工作电压一起，尤其是在有机发光二极管的情况下可达到的发光密度也从边缘开始在发光面的内部区域的方向上下降。
发明内容
本发明的任务因此在于，描述一种有机发光二极管以及用于平面的、光学活性元件的接触装置，该接触装置构成叠层或光学活性元件的改善的电连接。此外还应该描述一种有机发光二极管，其实现了通过整个平面的均匀的辐射。还应当描述一种方法，该方法适用于制造这样的发光二极管。
根据本发明的一种实施方式，描述一种包括叠层的发光二极管，其中该叠层具有至少一个有机层用于发射电磁射线，以及具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面。该发光二极管还包括导电的第一连接层，该第一连接层设置在该叠层的第一表面上并且与该叠层电连接。此外，该发光二极管包括导电的并且对于具有可发射的电磁射线的特征性波长的电磁射线来说至少绝大部分可被穿透的第二连接层，该第二连接层设置在该叠层的第二表面上并且与该叠层电连接。发光二极管的特征还在于，在第一连接层的与该叠层相对的面上设置与该第一连接层电绝缘的、导电的接触结构，该第一连接层具有多个空隙，该第二连接层在第一连接层的多个空隙的区域中与该接触结构电连接。
通过在第一连接层的该相对面上使用附加的导电的接触结构，可以贯穿第一连接层地，例如从载体衬底的一面开始实现电流引入。通过这种方式可以在多个空隙的区域中为第二连接层提供电势。由此该导电的接触结构部分地承担了第二连接层的任务并且有效地起到了改善横向导电率的效果。
根据优选的实施方式，所述接触结构包括至少一个第一绝缘层和导电的第三连接层，其中该第一绝缘层与第一连接层的背离叠层的面直接物理接触，并且第三连接层与第一绝缘层的背离第一连接层的面直接物理接触。通过使用具有第一绝缘层和导电的第三连接层的接触结构，可以实现用于引入所需要的工作电压的紧凑的连接结构。
根据另一优选实施方式，所述绝缘层构成为电绝缘的载体衬底，并且具有多个空隙，该多个空隙对应于第一连接层的多个空隙。通过使用具有多个空隙的载体衬底，进一步简化了有机发光二极管的机械和电结构。
根据另一优选的实施方式，所述叠层在第一连接层的多个空隙的区域内分别具有凹陷，第二连接层伸入到这些凹陷中，以电接触所述接触结构。通过在叠层中形成空隙，实现了在第二连接层和接触结构之间的直接电接触。
根据另一优选实施方式，在所述叠层中设置多个接触元件，该多个接触元件被分配给第一连接层的多个空隙，并且将第二连接层与接触结构电连接。通过在所述叠层中使用多个接触元件，在接触结构和第二连接层之间产生了电连接。
根据另一优选实施方式，多个接触元件的每一个分别被一个绝缘层包围，该绝缘层将相应的接触元件与所述叠层电绝缘。通过使用绝缘层，可以避免在该叠层内的无意的电接触或电流。
根据另一优选实施方式，第二连接层包括掺杂的过渡金属氧化物，尤其是铟锡氧化物或掺杂铝的锌氧化物。通过将掺杂的过渡金属氧化物用作第二连接层，可以制造特别可被光穿透的连接层。
根据另一优选实施方式，第二连接层包括厚度在5至50nm之间的薄金属层，尤其是厚度小于30nm的金属层。将薄金属层用作第二连接层使得可以改善工作电压在叠层的第二表面上的分布。
根据另一优选实施方式，第二连接层附加地包括至少一个掺杂的过渡金属氧化物层，其中所述薄金属层和该过渡金属层形成复合结构。通过使用连接层，包括至少一个薄金属层和至少一个过渡金属氧化物层，与纯金属层相比，在保持可接受的透明度的同时改善了第二连接层的横向导电率。例如还可以采用具有薄金属层的夹层结构，该薄金属层设置在两个过渡金属层之间，或者采用具有过渡金属氧化物层的夹层结构，该过渡金属氧化物层设置在两个薄金属层之间。
所基于的任务还通过用于具有第一表面和与第一表面相对平行的第二表面的平面的光学活性元件的接触装置解决。
根据用于具有第一表面和与第一表面相对平行的第二表面的平面的光学活性元件的接触装置的至少一个实施方式，该接触装置具有：
-导电的第一连接层，该第一连接层设置在该光学活性元件的第一表面上并且与该光学活性元件电连接，以及
-导电的以及对于具有预定特征性波长的电磁射线来说至少绝大部分可被穿透的第二连接层，该第二连接层设置在光学活性元件的第二表面上并且与该光学活性元件电连接，其中
-在第一连接层的与光学活性元件相对的面上设置与该第一连接层电绝缘的导电的接触结构，
-该第一连接层具有多个空隙，以及
-第二连接层在第一连接层的多个空隙的区域内与接触结构电连接。
该接触装置例如可以用于在此描述的发光二极管。也就是说，与发光二极管结合给出的特征也对在此所描述的接触装置公开，反之亦然。
此外，还描述一种用于制造有机发光二极管和其它平面器件的方法，具有以下步骤：
-提供平面的、导电的第一连接层和设置在第一连接层的区域中并与该第一连接层电绝缘的导电的接触结构，
-在第一连接层中形成多个空隙，
-在第一连接层的与接触结构相对的面上平面地施加叠层，该叠层具有至少一个有机层用于发射电磁射线，
-在叠层的与第一连接层相对的面上平面地施加导电的以及对于可发射的电磁射线的预定特征性波长来说至少绝大部分可被穿透的第二连接层，以及
-通过第一连接层中的多个空隙在第二连接层和接触结构之间形成多个电连接。
通过上述方法步骤，可以借助附加的接触结构实现平面的第二连接层穿透第一连接层的电接触。
借助该方法可以制造在此所描述的有机发光二极管。也就是说，结合有机发光二极管描述的特征也结合该方法公开，反之亦然。
根据优选的实施方式，所述叠层首先施加在第一连接层的整个表面上，并且在下一个步骤中腐蚀出叠层的对应于第一连接层中的多个空隙的部分。通过平面地施加叠层和接着对该叠层的部分腐蚀，实现第二连接层的特别简单的接触。
根据另一优选实施方式，与腐蚀出叠层的所述部分一起在第一连接层中形成多个空隙。通过一起形成空隙和腐蚀出叠层的所述部分，进一步简化了有机发光二极管的制造。
根据另一优选实施方式，所述叠层的部分通过电磁射线的作用，尤其是通过激光烧蚀而腐蚀出。通过用电磁射线的作用腐蚀出叠层的部分，可以无接触地进行制造而无需附加的化学或其它中间步骤。
根据另一优选实施方式，结构化地施加所述叠层，其中在施加该叠层时留出空隙区域，这些空隙区域对应于第一连接层的多个空隙，使得该叠层同样具有多个空隙。只要在施加叠层时留出空隙区域，就可以避免事后在该叠层中引入空隙。
根据另一优选实施方式，借助丝网印刷技术将叠层施加在第一连接层上。丝网印刷技术的使用使得可以简单制造具有空隙的叠层。
根据另一优选实施方式，借助蒸镀将所述叠层施加在第一连接层上，其中借助荫罩(Schattenmaske)覆盖被留出空隙的区域。借助蒸镀和所属的荫罩施加叠层实现均匀地施加具有空隙的叠层。
根据另一优选实施方式，将多个接触元件引入到叠层的区域中，这些区域对应于第一连接层中的多个空隙。通过引入多个接触元件，接触结构可以穿透叠层地与第二连接层电连接。
根据另一优选实施方式，发光二极管包括载体衬底，第一连接层和/或接触结构被借助光刻法施加在该载体衬底上。通过借助光刻法将第一连接层和/或接触结构施加在载体衬底上，可以进一步简单地制造有机发光二极管。
本发明的其它优选的实施方式和细节在权利要求中描述。下面借助不同实施例采用附图详细解释本发明。在此，在附图中对具有相同或类似功能的元件使用相同的附图标记。
附图说明
在附图中：
图1示出根据实施例的具有附加接触元件的有机发光二极管的横截面，
图2示出根据另一实施例的具有第一接触元件布置的有机发光二极管的第一俯视图，
图3示出根据另一实施例的具有第二接触元件布置的有机发光二极管的第二俯视图，
图4示出根据另一实施例的具有第一接触装置的有机发光二极管的横截面，
图5示出根据另一实施例的具有第二接触装置的有机发光二极管的横截面，
图6示出根据不同实施例的不同接触装置的结构化的不同可能，
图7示出用于制造有机发光二极管和其它平面器件的方法的流程图的实施例。
具体实施方式
图1示出根据实施例的有机发光二极管1的横截面。有机发光二极管1包括叠层2，该叠层2具有至少一个用于发射电磁射线的有机层3。叠层2还可以包含其它有机和无机层，这些层对于形成二极管结构是必须或有利的。这些层的示例是用于传输空穴或传输电子的层、发射层、n掺杂的层、p掺杂的层、缓冲层和中间层，这些都是本领域技术人员公知的。但为了看清概貌，这些附加的层未在图1中示出。
叠层2包含具有一个或多个由有机材料制成的功能层的功能区域。这些功能层在此例如可以实施为电子传输层、电致发光层和/或空穴传输层。在这些功能层中，在活性区域中通过电子和空穴喷射以及电子和空穴重新组合产生具有单个波长或具有波长范围的电磁射线6。在此，可以通过发射窄带或宽带的初级射线在观察者那里激励出该初级射线的单色的、多色的和/或混合色的发光印象。
这些功能层可以具有有机聚合物、有机低聚物、有机单聚物、有机的小非聚合分子(“小分子”)或它们的组合。用于功能层的合适材料以及这些材料的布置和结构化是本领域技术人员公知的，因此在此不再进一步讲述。
在该过程中，层或元件设置或施加在另一层或另一元件“上”或“上方”在此以及下面意味着，该层或该元件与该另一层或另一元件直接机械接触和/或电接触。此外还可以表示，该层或该元件间接地设置在该另一层或该另一元件上方。由此在该层和该另一层之间可以设置其它层和/或元件。
根据图1的有机发光二极管1还包括第一连接层4，该第一连接层形成用于向有机层3提供电流的第一电极。例如，第一连接层4可以是金属层，该金属层为有机发光二极管提供导电非常好的阴极或阳极结构。在优选实施方式中，第一连接层4反射电磁射线6，该电磁射线在该有机发光二极管1运行时在有机层3中产生。通过这种方式电磁射线6的输出耦合可以集中在有机发光二极管1的表面的方向上。例如为此铝层是合适的。
第一连接层4可以实施为阴极，并由此用作喷射电子的材料。作为阴极材料，除其他之外优选的尤其是铝、钡、铟、银、金、镁、钙或锂以及它们的化合物、组合物和合金。
第一连接层可以结构化地实施为电极子区域。例如，第一连接层4能以并行相邻排列的第一电极条的形式实施。特别优选的，第一连接层4导电地与印刷线路连接。在此，连接层4例如可以转换为第一印刷线路地实施，或与第一印刷线路分离地实施并且导电地与该第一印刷线路连接。
有机发光二极管1还包括第二连接层5。第二连接层5形成第二电极用于在叠层2的表面上施加工作电压。
例如可以实施为阳极并由此可以用作空穴注入材料的第二连接层5例如可以具有透明的导电氧化物，或者由透明的导电氧化物组成。透明的导电氧化物(简写为“TCO”)是透明的导电材料，一般是金属氧化物，例如锌氧化物，锡氧化物，镉氧化物，钛氧化物，铟氧化物或特别优选的是铟锡氧化物(ITO)。除了二价金属氧化物如ZnO、SnO2或In2O3之外，还有三价金属氧化物如Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、MgIn2O4、GaInO3、Zn2In2O5或In4Sn3O12或不同的透明导电氧化物的混合物都属于TCO组。此外，TCO不需要对应于化学计量的组成，还可以是p或n掺杂的。例如第二连接层5可以是由铟锡氧化物制成的层。
铟锡氧化物和其它的掺杂的过渡金属氧化物对于具有特定波长的电磁射线，尤其是对于在可见光波长范围内、即从400nm到800nm的电磁射线来说至少部分透明。通过这种方式，电磁射线6可以穿透第二连接层5地，也就是图1中从上穿出有机发光二极管1。有机发光二极管1由此形成平面辐射器。由此例如可以在叠层2的下方与其有机特性无关地选择第一连接层4的材料。
第二连接层5替换或附加地还可以具有金属和/或金属合金和/或层序列，例如所谓的IMI层(ITO/金属/ITO)，或由这样的金属和/或金属合金和/或层序列制成，它们包括材料Ag，Al，Cr，Mo和Au中的至少一种。
替换的，第一连接层4可以构成为具有上述材料或上述材料的组合的阳极，第二连接层5可以构成为具有上述材料或上述材料的组合的阴极。此外，连接层4和5还可以具有导电或半导电的有机材料。
根据图1的有机发光二极管具有接触结构7，该接触结构用于向第二连接层5引入电压。接触结构7在该实施例中通过第三连接层8、第一绝缘层9以及第二绝缘层10形成。第一绝缘层9将第三连接层8与第一连接层4电绝缘。第二绝缘层10向下将第三连接层8例如相对于图1未示出的载体衬底绝缘。只要有机发光二极管1设置在不导电的载体衬底上，就可以放弃绝缘层10。
第三连接层8例如可以由与第一连接层4相同的材料构成或包括这些材料。第一和第二绝缘层9和10例如可以包含聚合物材料或金属或半导体材料的氧化物，或者由聚合物材料或金属或半导体材料的氧化物制成。例如，为此合适的是塑料薄膜、二氧化硅层或公知的印刷电路板材料。
接触结构7还包括多个接触元件11。接触元件11在图1所示的实施例中是导电的换向片(Steg)，这些换向片设置在有机的叠层3内。接触元件11通过第一连接层4中的空隙12引导。第一绝缘层9同样具有空隙用以实施接触元件11。这些接触元件例如可以是金属换向片，具有大约10μm的直径。替换的，例如还需要使用良好导电的非金属接触元件。例如可以在叠层2中形成碳纳米管或高温超导体。
为了将接触元件11与包围该接触元件的第一连接层4绝缘以及与叠层2绝缘，用第三绝缘层14包围每个接触元件11。例如，用于形成接触元件11的金属或半导体材料部分被氧化或者用附加的绝缘材料涂层，以形成第三绝缘层14。
图1所示的有机发光二极管1使得可以基本上均匀地向叠层2提供工作电流或工作电压。第一连接层4为此优选由具有非常好的导电性的金属材料组成。例如，第一连接层4可以由铜或铝制造。
第二连接层5由基本上透明的材料组成。优选的，第二连接层5由掺杂的过渡金属或非常薄的金属层组成。例如，具有20nm至150nm之间厚度的铟锡氧化物层依据所使用的材料的质量和纯度而在可见波长范围内具有超过80％的透射度。具有从5nm至50nm、例如在10nm至30nm之间的层厚的金属层依据材料的层厚而在可见光区域内达到超过70％的透明度。也可以使用包括至少一个薄金属层和过渡金属氧化物层的复合结构。附加地，还可以将减反射层集成到第二连接层5中，以提高第二连接层的透明度。
通过这种方式保证电磁射线6通过整个表面从有机发光二极管1出去的非常高效的输出耦合。但是，这种透明的连接层5只具有比较小的横向导电率。尽管如此，通过经由接触元件11对第二连接层5的多重电接触，可以将工作电压沿着有机发光二极管1的表面的下降限制为最小值，从而可以实现通过整个表面的均匀的电流引导，并且形成亮度均匀的发光平面的印象。
在图1中出于看到概貌的原因未示出以薄膜封装或盖子的形式对发光二极管1的常规封装，但并不排除。例如波长转换层在封装装置中的使用是有利的，以例如避免有差异的颜色老化，该颜色老化例如在使用多个不同的活性区域来产生混合光的情况下出现。另一方面，光电器件的发光印象的色度坐标可与发射射线的层序列的电子特性无关地被优化。
尤其是，发光二极管1在使用转换层时可以辐射出由初级射线和次级射线组成的重叠射线。在此，初级射线的一部分可以未经转换地横贯波长转换层，并且从封装装置射出。此外，电磁次级射线还可以从封装装置射出，并由封装装置辐射出去。因此对于外部观察者来说，通过电磁初级射线和电磁次级射线的叠加可以觉察到混合色的发光印象。在此，该混合色的发光印象取决于初级射线和次级射线的相对部分。初级射线和次级射线可以具有相互不同的波长范围。由此可以产生电磁射线6的例如不同颜色的混合，这些不同颜色导致具有期望的最终颜色的总射线。
通过可选地使用薄连接层4，5，和7，例如薄金属层，以及只要存在还使用柔性的载体衬底，例如塑料薄膜，还可以制造柔性器件，尤其是可弯曲的有机发光二极管。
在图2和图3中示出具有不同设置的接触元件11的有机发光二极管1的两个俯视图。根据在图2示出的另一实施例，在叠层2的表面上均匀地分布多个接触元件11。例如，具有相同直径的金属换向片以六面形的密闭包装设置到叠层2中。
根据图3所示的另一实施例，使用接触元件11的替换布置。根据图3，借助多个随机设置的接触元件11来解决第二连接层5的接触，例如通过将导电材料扩散到叠层2中。各个接触元件11的位置以及这些接触元件的精确形状和直径在此都取决于随机分布。
根据接触元件11的实施方式，所述连接换向片可以具有大约100nm到几微米的直径。在此，各个接触元件11之间的间距被确定为，使得对于有机发光二极管1的观察者来说形成均匀发光面的印象。第二连接层5的横向导电率越好，各个接触元件11之间的间距越大。典型地，为了制造大面积的有机发光二极管，几毫米到几厘米的间距是可能的也是优选的。
在图1中示出的接触元件11例如可以通过引入附加的换向片或通过部分转换叠层2来制造。替换的，在第二连接层5和接触结构7之间还通过结构化地施加不同的层来制造电连接。下面参照图4和图5详细描述。
图4示出根据本发明另一实施方式的接触装置15。接触装置15包括具有有机层3的叠层2。在有机层3的底面上设置第一连接层4。与第一连接层4相对地在叠层2的表面上设置第二连接层5。各个层可以由上面参照图1描述的材料制造或包含这些材料。例如，第一连接层4包括一种金属，第二连接层5包括铟锡氧化物。
在第一连接层4的下方设置接触结构7。该接触结构7包括绝缘层9和第三连接层8，该第三连接层8设置在绝缘层9的下方并且例如由金属导体材料组成。在图4的左边缘区域和右边缘区域，层8，9，4，3和5形成一个叠层，其中第一连接层4和第二连接层5之间的有机层3被包含在夹层结构中，该夹层结构例如形成有机发光二极管结构。
图4的中部区域中示出接触位置17，该接触位置用于将第二连接层5与第三连接层8电连接。在该区域中存在凹陷16，在该凹陷中引入第二连接层5。尤其是绝缘层9以及第一连接层4都在该区域中具有空隙，从而这些层在凹陷16的区域中以所示出的横截面中断。有机层3具有空隙，该空隙形成凹陷16。第二连接层5平面地施加在图4中所示出的叠层2上，从而第二连接层5侵入该凹陷16中并且产生与第三连接层8的电接触。例如，在第二连接层5被施加在接触装置15上之前，可以通过微机械的处理步骤例如利用激光烧蚀在凹陷16的区域中除去层3，4和9。
图5示出用于叠层2的接触装置15的另一实施例。接触装置15包括第三连接层8、绝缘层9、第一连接层4、有机层3和第二连接层5。由此该层序列包括与在图4所示的层序列相同的层并且例如由相同的材料制成。
根据图5的接触装置15在接触位置17的区域中具有凹陷16。第二连接层5侵入到凹陷16中并由此形成与第三连接层8的电接触。与图4所示的接触装置不同，绝缘层9中所具有的空隙13在图5中的构成得更小。在根据图4的接触装置15中，第二连接层5在与第三连接层8的电接触之外覆盖在整个有机层3上，而根据图5的第二连接层5在绝缘层9上位于该接触位置旁的左边和右边。通过这种方式，改善了连接层4和8之间的电绝缘，从而减小了在接触装置的区域中出现短路的概率。此外，由此可以在叠层2内产生均匀的电场，从而在接触结构7的区域中也形成了均匀的发光面。
在图1至图5中作为点状的、尤其是圆形的接触示出接触元件11或接触位置17。但是还可以是其它用于形成接触的形状。在根据图6A至6C的其它实施例中，示出在第二连接层5和接触结构7之间形成接触的其它可能。
在图6A中示出十字形的接触装置15。十字形的接触装置15除其它之外具有以下优点：使得可以在连接层8和第二连接层5之间实现比较大的电流。图6B示出条纹形状的接触装置15。条纹形状的接触装置15可以通过特别简单的方式侵入到叠层2中。例如，可以在有机层3、第一连接层4和第一绝缘层9中引入切口(Schnitte)。图6C示出十字叉网状的接触15a和蜂窝形状的接触装置15b。十字叉网状的接触15a和蜂窝状的接触装置15b使得可以规则和均匀地向第二连接层5提供工作电流，以用于运行有机发光二极管或其它光学活性元件。
上述装置的优点在于，整个发光面上的横向电流分布可以通过导电良好的接触结构7或连接层8进行。由于接触结构7或连接层8可以由任意厚度以及不透明的材料制造，因此原则上可以用所述装置为任意大的平面提供工作电流。例如可以使用由第一连接层4、第一绝缘层9和第三连接层8组成的夹层结构。这样的具有两个金属层和一个绝缘层的夹层结构可以简单的制造。
例如可以通过平版印刷的方式在导电材料的表面或底面上制造印刷电路。替换的，还可以使用由两个金属层和位于这些金属层之间的一个塑料层形成的叠层。
图7示出用于制造具有至少一个光学活性元件的有机发光二极管和其它平面器件的方法的实施例，该其它平面器件尤其是无机发光二极管、平面的射线检测器或太阳能电池。
在第一步骤71中提供第一连接层4。第一连接层例如可以在载体衬底上提供给待制造的发光二极管。例如，该载体衬底可以是陶瓷载体衬底。替换的，还可以使用印刷电路板或其它合适的载体材料。必要时也可以放弃使用载体衬底，尤其是在第一连接层4例如由金属层或薄膜形成的情况下。此外，提供第三连接层8，该第三连接层与第一连接层4电绝缘并且平面地设置在该第一连接层4上。例如，第一连接层4和第三连接层8可以已经设置在载体衬底上或者事后在该方法的实行过程中例如借助光刻或涂层的方法施加在载体衬底上。当然还可以在不导电的载体衬底上粘合或通过其它方式固定导电的金属膜。
在另一步骤72中，在第一连接层4中形成空隙12以及在绝缘层9中必要时也形成空隙13。这些空隙使得稍后出现的第二连接层5可以与第一连接层4接触。空隙12和13可以通过机械、微机械或化学方法形成在第一连接层4中和第一绝缘层9中。例如可以通过钻孔、跣削、蚀刻或侵入的方式在第一连接层4中和/或第一绝缘层9中引入孔。
在另一方法步骤73中，在第一连接层4上涂覆具有至少一个有机层3的叠层。有机叠层2被涂覆在第一连接层4的露出的表面上，从而制造第一连接层4和叠层2之间的第一电接触。
原则上，叠层2首先可以涂覆在第一连接层4的整个区域内。可选的，可以事后在有机层3中引入接触元件11或在叠层2中形成凹陷16。替换的，还可以仅在以下区域中涂覆有机层3，这些区域不对应于在第一连接层4或绝缘层9中的空隙12或13。
根据第一替换方案，叠层2被涂覆在第一连接层4的整个区域中，例如以喷射的方式。随后，对应于第一连接层4或绝缘层9的空隙12或13的叠层2部分例如借助激光烧蚀而被除去。根据第二替换方案，例如借助丝网印刷技术涂覆有机层3，其中通过丝网印刷方法留出对应于空隙12或13的空隙区域。此外还可以在第一连接层4上借助真空扩散技术蒸镀叠层2，其中借助荫罩留出对应于空隙12或13的空隙区域。
根据不同的实施方式，替代具有有机层的叠层2涂覆、外延生长或根据其它现有技术公知的方法形成另一例如无机的叠层，例如包括半导体材料。通过这种方式例如还可以制造太阳能电池、用于识别电磁射线的射线检测器或其它具有平面光学活性区域的电子器件。
在另一步骤74中在叠层2上施加第二连接层5。例如，可以在叠层2的表面上蒸镀或生长或在该表面上沉积铟锡氧化物层。在此，第二连接层5大面积地涂覆在整个叠层2的区域中。
在最后一个步骤75中，在第二连接层5和第三连接层8之间形成电连接。在叠层2中设置凹陷16的情况下，该步骤与步骤74一起执行。也就是说，通过施加第二连接层5同时也在空隙12的区域中进行第三连接层8的电接触。替换的，还可以通过在叠层2中引入附加的接触元件11而在第二连接层5和第三连接层8之间形成电连接。例如可以在叠层2中引入薄金属针。例如为此合适的是由银制成的具有小于20nm直径的金属针。
上述步骤也能以不同于上述的顺序执行。例如按照相反的顺序制造该层序列，也就是说从通过第二连接层5形成的覆盖电极开始、通过叠层2、第三连接层4、绝缘层9和第三连接层8。此外，多个方法步骤可以组合到一个步骤中。例如可以与叠层2中的凹陷16中一起在第一连接层4和第一绝缘层9中制造空隙12和13。
在所描述的实施例中，第三连接层8被描述为附加的金属导体层或其它导体层，该第三连接层8被平面地涂覆在绝缘层9上。替换平面的接触结构7，当然还可以在第一连接层4的背离叠层2的面上设置其它接触元件，这些接触元件保证向第二连接层5均匀地提供工作电流。例如，各个接触元件11可以借助印刷电路或电缆连接而连接到电流源。
最后，可以将所描述的实施例的各个特征相互组合，以实现其它可能的实施方式。
该专利申请要求德国专利申请DE102008011867.2和DE102008020816.7的优先权，其公开内容在此通过引用结合于此。
本发明不是要通过借助实施例的描述限制于这些实施例。本发明包括每个新的特征以及特征的每种组合，这尤其是包含权利要求中的特征的每种组合，即使这些特征或组合本身没有清楚地在权利要求或实施例中给出。

Claims (15)

1.一种有机发光二极管(1)，包括
-叠层(2)，该叠层具有至少一个有机层(3)用于发射电磁射线(6)，其中该叠层(2)具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面，
-导电的第一连接层(4)，该第一连接层(4)设置在该叠层(2)的第一表面上并且与该叠层电连接，以及
-导电的并且对于能发射的电磁射线(6)的特征性波长来说至少绝大部分能被穿透的第二连接层(5)，该第二连接层(5)设置在该叠层(2)的第二表面上并且与该叠层电连接，
其中
-在第一连接层(4)的与该叠层(2)相对的面上设置与该第一连接层(4)电绝缘的、导电的接触结构(7)，
-该第一连接层(4)具有多个空隙(12)，以及
-该第二连接层(5)在第一连接层(4)的多个空隙(12)的区域中与该接触结构(7)电连接。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管(1)，其中
所述接触结构(7)包括至少一个第一绝缘层(9)和导电的第三连接层(8)，其中该第一绝缘层(9)与第一连接层(4)的背离叠层(2)的面直接物理接触，并且第三连接层(8)与第一绝缘层(9)的背离第一连接层(4)的面直接物理接触。
3.根据前述权利要求至少之一所述的有机发光二极管(1)，
其中所述第一绝缘层(9)构成为电绝缘的载体衬底并且具有多个空隙(13)，该多个空隙对应于第一连接层(4)的多个空隙(12)。
4.根据前述权利要求至少之一所述的有机发光二极管(1)，
其中所述叠层(2)在第一连接层(4)的多个空隙(12)的区域内分别具有凹陷(16)，第二连接层(5)伸入到这些凹陷(16)中，以电接触所述接触结构(7)。
5.根据前述权利要求至少之一所述的有机发光二极管(1)，
其中在所述叠层(2)中设置多个接触元件(11)，该多个接触元件被分配给第一连接层(4)的多个空隙(12)，并且将第二连接层(5)与接触结构(7)电连接。
6.根据前述权利要求至少之一所述的有机发光二极管(1)，
其中多个接触元件(11)的每一个分别被一个绝缘层(14)包围，该绝缘层(14)将相应的接触元件(11)与所述叠层(2)电绝缘。
7.根据前述权利要求至少之一所述的有机发光二极管(1)，
其中第二连接层(5)包括掺杂的过渡金属氧化物，尤其是铟锡氧化物或掺杂铝的锌氧化物。
8.根据前述权利要求至少之一所述的有机发光二极管(1)，
其中第二连接层(5)包括至少一个厚度在5至50nm之间的薄金属层，尤其是厚度小于30nm的金属层。
9.根据前述权利要求至少之一所述的有机发光二极管(1)，
其中第二连接层(5)附加地包括至少一个掺杂的过渡金属氧化物层，其中所述薄金属层和该过渡金属层形成复合结构。
10.一种用于制造有机发光二极管(1)的方法，具有以下步骤：
-提供平面的、导电的第一连接层(4)和设置在第一连接层(4)的区域中并与该第一连接层(4)电绝缘的导电的接触结构(7)，
-在第一连接层(4)中形成多个空隙(12)，
-在第一连接层(4)的与接触结构(7)相对的面上平面地施加叠层(2)，该叠层(2)具有至少一个有机层(3)用于发射电磁射线(6)，
-在叠层(2)的与第一连接层(4)相对的面上平面地施加导电的以及对于能发射的电磁射线(6)的预定特征性波长来说至少绝大部分能被穿透的第二连接层(5)，以及
-通过第一连接层(4)中的多个空隙(12)在第二连接层(5)和接触结构(7)之间形成多个电连接。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述叠层(2)首先施加在第一连接层(4)的整个表面上，并且在下一个步骤中腐蚀出叠层(2)的对应于第一连接层(4)中的多个空隙(12)的部分。
12.根据权利要求10和11至少之一所述的方法，其中与腐蚀出叠层(2)的所述部分一起在第一连接层(4)中形成多个空隙(12)。
13.根据权利要求10至12至少之一所述的方法，其中所述叠层(2)的所述部分通过电磁射线的作用，尤其是通过激光烧蚀而被腐蚀出。
14.根据权利要求10至13至少之一所述的方法，其中结构化地施加所述叠层(2)，其中在施加该叠层(2)时留出空隙区域，这些空隙区域对应于第一连接层(4)的多个空隙(12)，使得该叠层(2)同样具有多个空隙。
15.根据权利要求10至14至少之一所述的制造方法，其中将多个接触元件(11)引入到叠层(2)的对应于第一连接层(4)中多个空隙(12)的区域中。
CN200980106793.2A 2008-02-29 2009-02-16 有机发光二极管、接触装置和制造有机发光二极管的方法 Active CN101965654B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008011867 2008-02-29
DE102008011867.2 2008-02-29
DE102008020816.7A DE102008020816B4 (de) 2008-02-29 2008-04-25 Organische Leuchtdiode, flächiges, optisch aktives Element mit einer Kontaktanordnung und Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode
DE102008020816.7 2008-04-25
PCT/DE2009/000217 WO2009106040A1 (de) 2008-02-29 2009-02-16 Organische leuchtdiode, kontaktanordnung und verfahren zur herstellung einer organischen leuchtdiode

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101965654A true CN101965654A (zh) 2011-02-02
CN101965654B CN101965654B (zh) 2016-04-06

Family

ID=40911437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200980106793.2A Active CN101965654B (zh) 2008-02-29 2009-02-16 有机发光二极管、接触装置和制造有机发光二极管的方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8791490B2 (zh)
EP (1) EP2248202A1 (zh)
JP (1) JP2011513901A (zh)
KR (1) KR101548400B1 (zh)
CN (1) CN101965654B (zh)
DE (1) DE102008020816B4 (zh)
TW (1) TW200943601A (zh)
WO (1) WO2009106040A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104823297A (zh) * 2012-11-20 2015-08-05 欧司朗Oled有限责任公司 光电器件和用于制造光电器件的方法
CN106663744A (zh) * 2014-08-08 2017-05-10 欧司朗Oled股份有限公司 光电子器件和其制造方法
CN114220895A (zh) * 2021-12-15 2022-03-22 安徽格恩半导体有限公司 一种发光器件及其制作方法
CN114220895B (zh) * 2021-12-15 2024-07-05 安徽格恩半导体有限公司 一种发光器件及其制作方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5460291B2 (ja) * 2009-12-17 2014-04-02 株式会社カネカ 有機発光装置の製造方法および有機発光装置
KR101671342B1 (ko) 2010-04-06 2016-11-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20120090595A (ko) * 2011-02-08 2012-08-17 삼성전자주식회사 유기 발광 소자
US8963420B2 (en) 2011-08-29 2015-02-24 Lg Display Co., Ltd. Organic electro-luminescence display panel for preventing the display panel from degrading and a method for fabricating the same
DE102013107467A1 (de) * 2013-07-15 2015-01-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches lichtemittierendes Bauteil
DE102014110067A1 (de) * 2014-07-17 2016-01-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102014119538A1 (de) * 2014-12-23 2016-06-23 Osram Oled Gmbh Optoelektronische Baugruppe und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe
DE102015105756A1 (de) * 2015-04-15 2016-10-20 Osram Oled Gmbh Beleuchtungsanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Beleuchtungsanordnung
TWI548131B (zh) * 2015-04-30 2016-09-01 Wisechip Semiconductor Inc Available for organic light emitting diode modules
DE102015114844A1 (de) 2015-09-04 2017-03-09 Osram Oled Gmbh Organische Leuchtdiode und Fahrzeugaußenbeleuchtung
CN106252525B (zh) * 2016-08-26 2018-03-27 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件及制作方法、显示面板以及显示装置
FI128685B (en) 2016-09-27 2020-10-15 Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy Layered device and its manufacturing method

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4269195B2 (ja) 1998-09-25 2009-05-27 ソニー株式会社 発光又は調光素子、及びその製造方法
JP2002072907A (ja) * 2000-08-31 2002-03-12 Sony Corp 表示装置
US20060091126A1 (en) * 2001-01-31 2006-05-04 Baird Brian W Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors
JP2002299047A (ja) 2001-03-30 2002-10-11 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
US6771328B2 (en) * 2001-07-25 2004-08-03 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Active matrix organic electroluminescent device simplifying a fabricating process and a fabricating method thereof
GB2379317A (en) * 2001-08-30 2003-03-05 Cambridge Display Tech Ltd Optoelectronic display operating by photoluminescence quenching
EP1418634A1 (de) * 2002-11-06 2004-05-12 Samsung SDI Co. Ltd. Display auf Basis organischer, lichtemittierender Bauelemente (OLED) mit niederohmigem Kathodenkontakt
US20040152240A1 (en) * 2003-01-24 2004-08-05 Carlos Dangelo Method and apparatus for the use of self-assembled nanowires for the removal of heat from integrated circuits
EP1469450A1 (en) * 2003-04-18 2004-10-20 Barco N.V. Organic light-emitting diode display assembly for use in a large-screen display
JP4380242B2 (ja) * 2003-07-16 2009-12-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
JP2005122910A (ja) * 2003-10-14 2005-05-12 Hitachi Ltd 有機ｅｌディスプレイ装置および有機ｅｌ素子の構造体の製造方法
JP4027914B2 (ja) 2004-05-21 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置及びそれを用いた機器
US7733441B2 (en) * 2004-06-03 2010-06-08 Semiconductor Energy Labortory Co., Ltd. Organic electroluminescent lighting system provided with an insulating layer containing fluorescent material
EP1717877B1 (en) * 2005-04-26 2015-06-03 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Laser process for reliable and low-resistance electrical contacts
CN1728898A (zh) * 2005-07-21 2006-02-01 徐良衡 一种有机高分子电致发光显示器件及其制备方法
US20070077349A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Eastman Kodak Company Patterning OLED device electrodes and optical material
JP4513777B2 (ja) * 2005-11-14 2010-07-28 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
KR101345344B1 (ko) 2005-12-19 2013-12-30 코닌클리케 필립스 엔.브이. 유기 ｅｌ 장치
KR101148720B1 (ko) * 2005-12-31 2012-05-23 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
DE102006052029B4 (de) * 2006-09-22 2020-01-09 Osram Oled Gmbh Lichtemittierende Vorrichtung

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104823297A (zh) * 2012-11-20 2015-08-05 欧司朗Oled有限责任公司 光电器件和用于制造光电器件的方法
US9692005B2 (en) 2012-11-20 2017-06-27 Osram Oled Gmbh Optoelectronic device and method for producing an optoelectronic device
CN104823297B (zh) * 2012-11-20 2018-02-02 欧司朗Oled有限责任公司 光电器件和用于制造光电器件的方法
US10333094B2 (en) 2012-11-20 2019-06-25 Osram Oled Gmbh Optoelectronic device with an organic active layer
CN106663744A (zh) * 2014-08-08 2017-05-10 欧司朗Oled股份有限公司 光电子器件和其制造方法
CN106663744B (zh) * 2014-08-08 2018-10-26 欧司朗Oled股份有限公司 光电子器件和其制造方法
CN114220895A (zh) * 2021-12-15 2022-03-22 安徽格恩半导体有限公司 一种发光器件及其制作方法
CN114220895B (zh) * 2021-12-15 2024-07-05 安徽格恩半导体有限公司 一种发光器件及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE102008020816B4 (de) 2019-10-10
DE102008020816A1 (de) 2009-09-03
US8791490B2 (en) 2014-07-29
CN101965654B (zh) 2016-04-06
JP2011513901A (ja) 2011-04-28
WO2009106040A1 (de) 2009-09-03
KR20100134561A (ko) 2010-12-23
KR101548400B1 (ko) 2015-09-04
US20110198657A1 (en) 2011-08-18
TW200943601A (en) 2009-10-16
EP2248202A1 (de) 2010-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101965654B (zh) 有机发光二极管、接触装置和制造有机发光二极管的方法
CN102144314B (zh) 用于制造发射辐射的有机器件的方法以及发射辐射的有机器件
JP5744022B2 (ja) 封止光電子デバイス及びその製造方法
US8344389B2 (en) Optoelectronic device array
US20120097927A1 (en) Organic Light Emitting Diode Display
US20050242721A1 (en) Large organic light-emitting diodes and methods of fabricating large organic light-emitting diodes
JP2013219025A (ja) 発光装置、及び発光装置の作製方法
CN103098215A (zh) 有机电致发光器件
KR20150041116A (ko) 컴포넌트들 및 컴포넌트들을 생성하기 위한 방법
CN103081575B (zh) 在电路板上的光源装置和具有多个光源装置的光源设备
TW201019458A (en) Optoelectronic module with a carrier substrate and a plurality of radiation-emitting semiconductor devices and its manufacturing method
US8766286B2 (en) Organic opto-electric device and a method for manufacturing an organic opto-electric device
CN102652371A (zh) 用于创建串联连接的oled器件的方法
JP6143763B2 (ja) 発光デバイスパターンのための改良されたマスキング
KR20160055142A (ko) 복사선 방출 장치 및 그 제조 방법
US20230034282A1 (en) Oled panel for lighting device with moisture intrusion delay effect
KR101032026B1 (ko) 대면적 유기조명을 위한 유기발광 장치 및 그 제조 방법
CN116456770A (zh) 显示基板及其制备方法、显示面板
WO2012127400A1 (en) Oled with a shunting layer

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: OSRAM OLED GMBH

Free format text: FORMER OWNER: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH + CO. OHG

Effective date: 20150507

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20150507

Address after: Regensburg, Germany

Applicant after: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Address before: Regensburg, Germany

Applicant before: Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant