CN110034224A - 一种基于条形Micro-LED的转印方法 - Google Patents
一种基于条形Micro-LED的转印方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110034224A CN110034224A CN201910341631.2A CN201910341631A CN110034224A CN 110034224 A CN110034224 A CN 110034224A CN 201910341631 A CN201910341631 A CN 201910341631A CN 110034224 A CN110034224 A CN 110034224A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- micro
- led
- led chip
- bar shaped
- transfer method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 39
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PLXMOAALOJOTIY-FPTXNFDTSA-N Aesculin Natural products OC[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1Oc2cc3C=CC(=O)Oc3cc2O PLXMOAALOJOTIY-FPTXNFDTSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 239000006071 cream Substances 0.000 claims description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 2
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 claims 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000399 optical microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- -1 temporary carrier 5 Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一种基于条形Micro‑LED的转印方法，涉及显示器制备技术领域，解决现有方法需要逐个转印Micro‑LED效率低下且精度难以控制，进而导致制作成本高等问题，所述转印方法通过激光将基底上制备的Micro‑LED阵列切割成条状Micro‑LED结构，利用提供的临时载体将条形Micro‑LED转移到具有电极结构的目标基板上，再采用激光剥离的方法去除所述临时载体，完成Micro‑LED芯片的转印。基于条形Micro‑LED的转印方法不同于传统机械手单独摆放单个Micro‑LED芯片的方法，能一次性转印多个制作成条形结构的Micro‑LED芯片到目标基板上。同时，将多颗分立的Micro‑LED芯片制作成条形结构，能降低转印过程中定位和操作的难度，相对现有技术而言，转印效率更高、成本较低。
Description
技术领域
本发明涉及显示器制备技术领域，具体涉及一种基于条形Micro-LED的转印方法。
背景技术
Micro-LED为Micro-Light Emitting Diode的缩写，中文名为“微型发光二极管”，是尺寸很小的LED，通常小于100μm。Micro-LED由于具备更小的体积、更为均匀的电流扩散能力、更为出色的显示范围，被认为是下一代显示技术最合适的解决方案。
按照现有技术，在制造全彩色LED显示器件过程中，需要逐个拾取红、绿、蓝(RGB)三种像素的LED芯片，并把它们分别放置到目标基板对应的电极上，通过引线键合、或者倒装焊的方式实现LED与基板的电气连接，进而形成全彩色显示器件，这个拾取和放置转移的过程称为LED的转印。这个过程中需要多次拾起并放下LED芯片，大大降低了生产显示器件的效率，使LED显示器件的成本升高。同时，由于Micro-LED体积较常规LED更小，通常小于100μm，拾取和放下很难精准控制，存在有较大的误差，现有技术难以满足Micro-LED的转印需求，生产出的Micro-LED显示器件质量良莠不齐。
综上，现有技术中需要机械手实现精准对位，且必须要求机械手能够长时间连续稳定工作，这对机械手的制作提出了很高的要求，当前阶段制作成本较高。并且逐个Micro-LED的转印效率低下且精度难以控制。
发明内容
本发明为解决现有方法需要逐个转印Micro-LED存在效率低下且精度难以控制，进而导致制作成本高等问题，提供一种基于条形Micro-LED的转印方法。
基于条形Micro-LED的转印方法，该方法由以下步骤实现：
步骤一、选择Micro-LED阵列，所述Micro-LED阵列包括基底和位于所述基底第二表面上的多个呈阵列排列的Micro-LED芯片，
步骤二、采用激光器在相邻行Micro-LED芯片或相邻列Micro-LED芯片之间的基底第二表面加工V型凹槽，并对所述V型凹槽施加外力，使所述基底沿着V型凹槽裂开，获得条形Micro-LED芯片；
步骤三、采用粘合剂与步骤二获得的条形Micro-LED芯片的基底的第一表面粘接，然后将临时载体与所述粘合剂粘接；
步骤四、在所述条形Micro-LED芯片中的每个Micro-LED芯片的表面填涂焊料，然后将目标基板与条形Micro-LED芯片通过热压键合实现电气互联；
步骤五、去除所述临时载体，去除所述粘合剂，完成条形Micro-LED芯片的转印。
本发明的有益效果：
本发明所述的转印方法，通过激光切割将位于基底上分离的Micro-LED芯片制作成条形Micro-LED芯片，使用临时载体实现条形Micro-LED芯片的转印，不同于现有的单个转印技术，能一次性转印多个Micro-LED芯片到目标基板，避免了多次转印Micro-LED芯片对显示器件造成的损伤，极大减少转印次数，具有转印效率高、成本低、操作简单等优点。
本发明所述的转印方法，能一次性转印多个制作成条形结构的Micro-LED芯片到目标基板上，转印效率高。同时，将多颗分离的Micro-LED芯片制作成条形结构，再对条形结构进行转印，能降低转印过程中定位和操作的难度，降低制造成本并提高良品率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来说，在付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明所述的基于条形Micro-LED的转印方法的流程图；
图2为本发明所述的基于条形Micro-LED的转印方法中Micro-LED阵列的结构示意图；
图3为单个Micro-LED芯片的示意图；
图4为图3的剖视图；
图5为本发明所述的基于条形Micro-LED的转印方法中目标基板的结构示意图；
图6为本发明所述的基于条形Micro-LED的转印方法中的基底上加工出V型凹槽的示意图；
图7为图6的俯视图；
图8为本发明所述的基于条形Micro-LED的转印方法中沿X方向上加工出V型凹槽并裂解制作条形Micro-LED芯片的示意图；
图9为图8的俯视图；
图10为本发明所述的基于条形Micro-LED的转印方法中沿Y方向上加工条形Micro-LED芯片的示意图；
图11为图10的俯视图；
图12为条形Micro-LED芯片的剖视图；
图13为图12的右视图；
图14为粘合剂与条形Micro-LED芯片结合后，条形Micro-LED芯片的剖视图；
图15为图14的右视图；
图16为临时载体与粘合剂结合后，条形Micro-LED芯片的剖视图；
图17为图16的右视图；
图18为在条形Micro-LED芯片中的每个Micro-LED芯片表面填涂焊后，条形Micro-LED芯片的剖视图；
图19为图18的右视图；
图20为将条形Micro-LED芯片与目标基板对齐结合后，条形Micro-LED芯片的剖视图；
图21为图20的右视图；
图22为去除临时载体的条形Micro-LED芯片的剖视图；
图23为图22的右视图；
图24为去除粘合剂的条形Micro-LED芯片的剖视图；
图25为图24的右视图；
图26为采用本发明所述的基于条形Micro-LED的转印方法获得的一种Micro-LED显示屏结构示意图。
图中：1、基底，2、Micro-LED芯片，3、条形Micro-LED芯片，4、粘合剂，5、临时载体，6、焊料，7、目标基板，8、P型电极接口，9、N型电极接口，20、P型半导体，21、N型半导体、22、P型电极，23、N型电极，2R、发红光的Micro-LED芯片，2G、发绿光的Micro-LED芯片，2B、发蓝光的Micro-LED芯片。
具体实施方式
具体实施方式一、结合图1说明本实施方式，一种基于条形Micro-LED的转印方法，该方法由以下步骤实现：
步骤S101：提供在基底上的Micro-LED阵列，其中Micro-LED阵列上有n颗分离的Micro-LED芯片，n≥2。
步骤S102：提供粘合剂、临时载体和目标基板。
步骤S103：利用激光器在所述基底的第二表面加工出V形凹槽，对所述V形凹槽施加外力，使所述基底沿着V形凹槽裂解，制作出条形Micro-LED芯片。
步骤S104：将所述粘合剂和所述条形Micro-LED芯片结合。
步骤S105：将所述临时载体和粘合剂结合，形成连接。
步骤S106：在每个Micro-LED芯片的第二表面上填涂焊料。
步骤S107：将所述条形Micro-LED和目标基板对齐并结合。
步骤S108：对粘合剂进行处理，使粘合剂粘性减弱，去除所述临时载体，去除所述粘合剂，完成条状Micro-LED的转印。
本发明提供的基于条形Micro-LED的转印方法，通过激光切割将位于基底上分离的Micro-LED芯片制作成条形Micro-LED芯片，使用临时载体实现条形Micro-LED芯片的转印，不同于现有的单个转印技术，具有转印效率高、成本低、操作简单等优点。
具体实施方式二、结合图1至图26说明本实施方式，本实施方式为具体实施方式一所述的一种基于条形Micro-LED的转印方法的实施例：
结合图1，图1为本实施例提供的一种基于条形Micro-LED转印方法流程图，所述条形Micro-LED转印方法包括：
S101：提供Micro-LED阵列，所述Micro-LED阵列包括基底1和位于所述基底1表面上的多个呈阵列排列的Micro-LED芯片，所述基底1包括相对设置的第一表面和第二表面，所述Micro-LED芯片2位于所述基底第二表面。每个Micro-LED芯片2包括相对设置的第一表面和第二表面，所述Micro-LED的第二表面位于所述基底1的第二表面，所述Micro-LED芯片的第一表面上没有任何保护膜、介质膜。
结合图2，图2为所述Micro-LED阵列，包括基底1和位于基底1第二表面上的多个Micro-LED芯片2共同组成。在本实施例中，所述基底1为蓝宝石衬底，可以是C-Plane蓝宝石衬底、图案化蓝宝石衬底或是其它形式的蓝宝石衬底。
所述多个Micro-LED芯片2均具有相同尺寸和间距，按照行或列排列形成阵列。所述多个Micro-LED芯片2的尺寸可以是符合Micro-LED定义的任意值，即所述Micro-LED芯片2是长、宽均小于100μm的任意值。为方便说明，图2中所述Micro-LED芯片2的数目只画出了一部分，在本实施例中所述Micro-LED芯片数目可以是大于等于2个的任意数值。
本实施例中不限定Micro-LED阵列中Micro-LED芯片2之间的距离，只需确保每个Micro-LED芯片2之间的距离是确定不变的即可。
所述Micro-LED芯片2包括：P电极22、P型半导体20、有源层、N型半导体21和N电极23。所述Micro-LED芯片2是同侧电极，即P型电极22和N型电极23位于同一侧，结合图3和图4，图3为单个所述Micro-LED芯片2的示意图，图4为单个所述Micro-LED芯片2的剖视图。为方便说明，图3和图4中Micro-LED芯片2中包含了P电极22、P型半导体20、有源层和N型半导体层21和N电极23。
本实施例中不限定所述Micro-LED阵列中Micro-LED芯片2的材料组分，可以是单色的Micro-LED芯片，也可以是多色的Micro-LED芯片。本实施例中对所述Micro-LED芯片2材质不做限定，可以是GaAs、GaP、GaN、SiC或AlGaN。
本实施例中不限定所述Micro-LED阵列的具体形成方法，可以先形成多个独立的Micro-LED芯片2，然后将Micro-LED芯片2放置在基底1的第二表面。
S102：提供粘合剂4、目标基板6和临时载体5。
所述粘合剂4用来提供粘性，可以是SU-8胶、苯并环丁烯、聚酰亚胺、聚苯并恶唑树脂或硅酮胶。所述粘合剂5应该是粘性易于控制的，可以是紫外线或其它辐射能够固化的光敏粘合剂，也可以是热处理能够固化的粘合剂，在本实施例中不进行限定。
结合图5，所述目标基板6表面具有电极结构，每个电极结构具有P型电极接口8和N型电极接口9，能够实现驱动Micro-LED的功能，所述目标基板6上的电极结构大小应和Micro-LED芯片2大小相同，所述电极结构的间距应和所述Micro-LED阵列上的Micro-LED芯片2的间距相同，所述电极结构的总数应大于等于所述Micro-LED阵列上的Micro-LED芯片2的数目。所述目标基板的驱动方式在此不做限定，可以是主动驱动、也可以是被动驱动。所述目标基板的材料在此不做限定，可以是硅基材料，也可以是碳基或其它类型的材料。
所述临时载体5应为一种容易去除、能起到支撑作用、具有一定厚度的物质，材质可以是硅、蓝宝石、玻璃、陶瓷或聚合物基板。
S103：利用激光器在所述基底的第二表面加工出V形凹槽，对所述V形凹槽施加外力，使所述基底沿着V形凹槽裂解，制作出条形Micro-LED芯片。
本实施方式中，所述激光器可以波长为200-300nm的紫外激光器，激光焦点光斑应在1～10μm之间。所述激光加工应在所述Micro-LED阵列基底的第二表面进行，激光切割中使用氮气作为保护气体，结合图6，图6为加工出的V型凹槽示意图。所述V型凹槽应位于两行Micro-LED芯片2之间，应对相邻的Micro-LED芯片2没有影响，结合图7，图7为加工出的V型凹槽的俯视图。为了方便V型凹槽在外力的作用下裂解，所述V型凹槽的深度应大于20μm。
本实施例对所述对V型凹槽施加应力的方法不做限定，能实现V型凹槽裂解的方法均可。
结合图8和图9，图8为加工出的条形Micro-LED芯片3示意图，图9为加工出的条形Micro-LED芯片3俯视图，所述条形Micro-LED芯片3是由基底1连接而成具有不少于2个的Micro-LED芯片2组成。
需要说明的是，图8和图9是沿着图示中X方向上加工出V型凹槽并裂解制作条形Micro-LED芯片3，在本实施例中，也可以沿着图示Y方向上加工出V型凹槽并裂解形成条形Micro-LED芯片3，结合图10和图11，图10为沿Y方向上加工条形Micro-LED芯片3的示意图，图11为沿Y轴方向上加工出条形Micro-LED芯片3的俯视图。
结合图12和图13，所述条形Micro-LED芯片3由基底1和多个Micro-LED芯片2组成。
S104：将所述粘合剂4和所述条形Micro-LED芯片结合。
结合图14和图15，将粘合剂4和所述基底1的第一表面结合，通过所述基底1实现所述粘合剂4和所述条形Micro-LED芯片3的结合。
S105：将所述临时载体5和粘合剂4结合，形成连接。
结合图16和图17，将所述临时载体5和粘合剂4结合，在粘合剂的作用下，临时载体5、粘合剂4和条形Micro-LED芯片3结合到一起。所述结合过程中，可以给临时载体5施加作用力，实现临时载体5和粘合剂4之间形成较稳定的连接。
S106：在每个Micro-LED芯片2的第二表面上填涂焊料。
结合图18和图19，在每个Micro-LED芯片2的第二表面上填涂焊料6。
所述填涂方式在本实施例中不做限定，只要能实现焊料在Micro-LED芯片上的精确填涂即可。所述焊料在本实施例中不做限定，可以是导电银胶、锡膏等。
S107：将所述条形Micro-LED和目标基板对齐并结合。
结合图20和图21，将所述条形Micro-LED芯片3和目标基板7对齐并结合。所述对齐可以借助光学显微镜，将Micro-LED芯片2的电极和目标基板7上的电极一一对应。所述结合应当理解为使目标基板7和Micro-LED芯片2实现电气互联。
S108：对粘合剂4进行处理，使粘合剂粘性减弱，去除所述临时载体，去除所述粘合剂，完成条状Micro-LED的转印。
结合图22和图23，去除所述临时载体5；结合图24和图25，去除Micro-LED芯片2的第一表面上覆盖的粘合剂4。需要说明的是，所述对粘合剂4进行处理的方法，需要结合所述粘合剂4的特点进行选择，可选的，若使用光敏型粘合剂可以进行紫外曝光或辐射来降低粘性，若使用热处理能够改变粘性的粘合剂则可以进行热处理降低粘性。
所述去除临时载体5通过激光剥离实现。所述去除粘合剂4可以通过干法刻蚀或湿法腐蚀等方式实现。
结合图26，采用本发明所述的基于条形Micro-LED的转印方法获得的一种Micro-LED显示屏结构示意图。采用多色的Micro-LED芯片。其中，图2R为发红光的Micro-LED芯片，2G为发绿光的Micro-LED芯片，2B为发蓝光的Micro-LED芯片。
对所公开实施的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对实施例中的多种修改对本领域的专业技术人员来说是显而易见的，本文所定义的一般原理可以在不脱离本发明精神和范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会限制于本文所示的这些实施例，而是要复合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.基于条形Micro-LED的转印方法，其特征是：该方法由以下步骤实现：
步骤一、选择Micro-LED阵列，所述Micro-LED阵列包括基底和位于所述基底第二表面上的多个呈阵列排列的Micro-LED芯片；
步骤二、采用激光器在相邻行Micro-LED芯片或相邻列Micro-LED芯片之间的基底第二表面加工V型凹槽，并对所述V型凹槽施加外力，使所述基底沿着V型凹槽裂开，获得条形Micro-LED芯片；
步骤三、采用粘合剂与步骤二获得的条形Micro-LED芯片的基底的第一表面粘接，然后将临时载体与所述粘合剂粘接；
步骤四、在所述条形Micro-LED芯片中的每个Micro-LED芯片的表面填涂焊料，然后将目标基板与条形Micro-LED芯片通过热压键合实现电气互联；
步骤五、去除所述临时载体，去除所述粘合剂，完成条形Micro-LED芯片的转印。
2.根据权利要求1所述的基于条形Micro-LED的转印方法，其特征在于：所述Micro-LED阵列中各Micro-LED芯片是分离的，条形Micro-LED芯片中分离Micro-LED芯片个数大于2个。
3.根据权利要求1所述的基于条形Micro-LED的转印方法，其特征在于：所述Micro-LED芯片为单色的Micro-LED芯片或多色的Micro-LED芯片，所述Micro-LED芯片的材料为GaAs、GaP、GaN、SiC或AlGaN；
所述Micro-LED芯片是同侧电极，即P型电极和N型电极位于同一侧。
4.根据权利要求1所述的基于条形Micro-LED的转印方法，其特征在于：所述目标基板表面具有电极结构，每个电极结构具有P型电极接口和N型电极接口，用于实现驱动Micro-LED芯片，所述目标基板上的P型电极接口的尺寸应小于或等于Micro-LED芯片P电极的尺寸，所述目标基板上的N型电极接口的尺寸应小于或等于Micro-LED芯片N电极的尺寸；
所述电极结构的间距与Micro-LED芯片的间距相同，所述电极结构的总数大于或等于所述Micro-LED阵列上的Micro-LED芯片的数目；
所述目标基板的材料为硅基材料或碳基材料。
5.根据权利要求1所述的基于条形Micro-LED的转印方法，其特征在于：所述Micro-LED阵列的基底是蓝宝石，具体为C-Plane蓝宝石衬底或图案化蓝宝石衬底。
6.根据权利要求1所述的基于条形Micro-LED的转印方法，其特征在于：所述激光切割使用200-300nm的紫外激光器，激光焦点光斑在1～10μm之间；切割过程使用氦气作为保护气体。
7.根据权利要求1所述的基于条形Micro-LED的转印方法，其特征在于：所述粘合剂为SU-8胶、苯并环丁烯、聚酰亚胺、聚苯并恶唑树脂或硅酮胶。
8.根据权利要求1所述的基于条形Micro-LED的转印方法，其特征在于：所述临时载体为硅片、蓝宝石片、玻璃片、陶瓷或聚合物基板。
9.根据权利要求1所述的基于条形Micro-LED的转印方法，其特征在于：所述焊料是导电银胶或导电锡膏。
10.根据权利要求1所述的基于条形Micro-LED的转印方法，其特征在于：所述去除临时载体采用激光剥离实现，所述去除粘合剂通过干法刻蚀或湿法腐蚀实现。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910341631.2A CN110034224A (zh) | 2019-04-26 | 2019-04-26 | 一种基于条形Micro-LED的转印方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910341631.2A CN110034224A (zh) | 2019-04-26 | 2019-04-26 | 一种基于条形Micro-LED的转印方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110034224A true CN110034224A (zh) | 2019-07-19 |
Family
ID=67240436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910341631.2A Pending CN110034224A (zh) | 2019-04-26 | 2019-04-26 | 一种基于条形Micro-LED的转印方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110034224A (zh) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111261658A (zh) * | 2020-02-10 | 2020-06-09 | Tcl华星光电技术有限公司 | 微型发光二极管显示面板及微型发光二极管的转印方法 |
| CN111584538A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-08-25 | 武汉华星光电技术有限公司 | 微型发光二极管显示装置及其制造方法 |
| CN111739987A (zh) * | 2020-08-18 | 2020-10-02 | 深圳市Tcl高新技术开发有限公司 | Led芯片转移方法和光源板 |
| WO2021109010A1 (zh) * | 2019-12-03 | 2021-06-10 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种半导体装置巨量转移方法和系统 |
| CN112968021A (zh) * | 2020-05-26 | 2021-06-15 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种键合方法和显示装置 |
| WO2021184688A1 (zh) * | 2020-03-16 | 2021-09-23 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种led芯片的固晶方法及显示装置 |
| CN113644176A (zh) * | 2021-07-29 | 2021-11-12 | 厦门三安光电有限公司 | 一种led芯片 |
| CN113764546A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-12-07 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 一种Mini-LED器件、LED显示模块及其制作方法 |
| CN114007858A (zh) * | 2020-02-17 | 2022-02-01 | 米岛毛毡产业株式会社 | 层叠材料、中间片材的制造方法以及复合材料的制造方法 |
| US11387384B2 (en) | 2019-04-16 | 2022-07-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | LED transferring method and display module manufactured by the same |
| CN118404905A (zh) * | 2024-07-04 | 2024-07-30 | 绍兴圆炬科技有限公司 | 一种用于芯片转印的激光设备及其控制方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN206134683U (zh) * | 2014-11-27 | 2017-04-26 | 广州硅芯电子科技有限公司 | 微型led显示器 |
| CN107768487A (zh) * | 2016-08-18 | 2018-03-06 | 新世纪光电股份有限公司 | 巨量转移电子元件的方法 |
| US20180294248A1 (en) * | 2017-04-06 | 2018-10-11 | Ultra Display Technology Corp. | Method of batch transferring micro semiconductor structures |
| TW201840015A (zh) * | 2017-03-16 | 2018-11-01 | 美商康寧公司 | 用於大量轉移微型led的方法及製程 |
| CN109314126A (zh) * | 2016-08-11 | 2019-02-05 | 株式会社流明斯 | Led模块及其制造方法 |
| CN109449146A (zh) * | 2018-11-12 | 2019-03-08 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 堆叠结构微型led显示器的制备方法 |
| CN109524512A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-03-26 | 华中科技大学 | 基于可控微反射镜阵列的微型发光二极管巨量转移方法 |
-
2019
- 2019-04-26 CN CN201910341631.2A patent/CN110034224A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN206134683U (zh) * | 2014-11-27 | 2017-04-26 | 广州硅芯电子科技有限公司 | 微型led显示器 |
| CN109314126A (zh) * | 2016-08-11 | 2019-02-05 | 株式会社流明斯 | Led模块及其制造方法 |
| CN107768487A (zh) * | 2016-08-18 | 2018-03-06 | 新世纪光电股份有限公司 | 巨量转移电子元件的方法 |
| TW201840015A (zh) * | 2017-03-16 | 2018-11-01 | 美商康寧公司 | 用於大量轉移微型led的方法及製程 |
| US20180294248A1 (en) * | 2017-04-06 | 2018-10-11 | Ultra Display Technology Corp. | Method of batch transferring micro semiconductor structures |
| CN109449146A (zh) * | 2018-11-12 | 2019-03-08 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 堆叠结构微型led显示器的制备方法 |
| CN109524512A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-03-26 | 华中科技大学 | 基于可控微反射镜阵列的微型发光二极管巨量转移方法 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11387384B2 (en) | 2019-04-16 | 2022-07-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | LED transferring method and display module manufactured by the same |
| WO2021109010A1 (zh) * | 2019-12-03 | 2021-06-10 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种半导体装置巨量转移方法和系统 |
| CN111261658A (zh) * | 2020-02-10 | 2020-06-09 | Tcl华星光电技术有限公司 | 微型发光二极管显示面板及微型发光二极管的转印方法 |
| CN111261658B (zh) * | 2020-02-10 | 2023-02-28 | Tcl华星光电技术有限公司 | 微型发光二极管显示面板及微型发光二极管的转印方法 |
| CN114007858A (zh) * | 2020-02-17 | 2022-02-01 | 米岛毛毡产业株式会社 | 层叠材料、中间片材的制造方法以及复合材料的制造方法 |
| WO2021184688A1 (zh) * | 2020-03-16 | 2021-09-23 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种led芯片的固晶方法及显示装置 |
| CN112968021A (zh) * | 2020-05-26 | 2021-06-15 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种键合方法和显示装置 |
| WO2021243762A1 (zh) * | 2020-06-05 | 2021-12-09 | 武汉华星光电技术有限公司 | 微型发光二极管显示装置及其制造方法 |
| CN111584538A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-08-25 | 武汉华星光电技术有限公司 | 微型发光二极管显示装置及其制造方法 |
| CN111739987B (zh) * | 2020-08-18 | 2021-02-05 | 深圳市Tcl高新技术开发有限公司 | Led芯片转移方法和光源板 |
| CN111739987A (zh) * | 2020-08-18 | 2020-10-02 | 深圳市Tcl高新技术开发有限公司 | Led芯片转移方法和光源板 |
| CN113644176A (zh) * | 2021-07-29 | 2021-11-12 | 厦门三安光电有限公司 | 一种led芯片 |
| CN113764546A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-12-07 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 一种Mini-LED器件、LED显示模块及其制作方法 |
| CN118404905A (zh) * | 2024-07-04 | 2024-07-30 | 绍兴圆炬科技有限公司 | 一种用于芯片转印的激光设备及其控制方法 |
| CN118404905B (zh) * | 2024-07-04 | 2024-09-06 | 绍兴圆炬科技有限公司 | 一种用于芯片转印的激光设备及其控制方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110034224A (zh) | 一种基于条形Micro-LED的转印方法 | |
| TWI682436B (zh) | 微型發光二極體巨量轉移的方法及該方法所製作的發光面板組件 | |
| US10147622B2 (en) | Electric-programmable magnetic module | |
| TWI548058B (zh) | Led陣列封裝結構及其製造方法 | |
| CN102939497B (zh) | 多维发光二极管阵列系统以及相关联方法及结构 | |
| CN110034212A (zh) | 垂直结构条形Micro-LED的制备方法及转印方法 | |
| US20180076365A1 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
| JP2013211443A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
| JP6107060B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
| CN110610931A (zh) | 多色Micro LED分区分批次制备方法 | |
| KR102078643B1 (ko) | 원칩 타입의 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR102137014B1 (ko) | 마이크로 반도체 발광소자 제조방법 | |
| KR102360325B1 (ko) | 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조되는 디스플레이 장치 | |
| US11404398B2 (en) | Method of mounting semiconductor elements and method of manufacturing semiconductor device using a stretched film | |
| US8227271B1 (en) | Packaging method of wafer level chips | |
| CN102237348B (zh) | Led微阵列封装结构及其制造方法 | |
| US9391233B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device package | |
| TWI685987B (zh) | 微晶粒模組轉移方法 | |
| KR102073572B1 (ko) | 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 | |
| CN113471339B (zh) | 一种Micro-LED芯片的巨量转移方法 | |
| JP2021072390A (ja) | 発光デバイスの製造方法 | |
| TWI467808B (zh) | 發光二極體元件、其製作方法以及發光裝置 | |
| CN111864037B (zh) | 微元件阵列基板、显示面板及其制备方法 | |
| CN112768394A (zh) | 发光元件及微发光二极管的转移方法 | |
| KR101700899B1 (ko) | 집단 본딩을 이용한 반도체 디바이스 제조 방법 및 그것에 의해 제조된 반도체 디바이스 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190719 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |