CN109148505A - 一种顶发射MircroLED显示面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种顶发射MircroLED显示面板，包括：驱动背板，包括衬底基板，位于衬底基板上的多个驱动电路；至少一种颜色的MircroLED，设置在驱动背板上；每一MircroLED的位置处对应设置一微腔结构，微腔结构包括反射层、介质层和半反射层。每一微腔结构，反射层位于相应的MircroLED下方，并与一驱动电路电连接；介质层位于MircroLED上，并覆盖相应的MircroLED；半反射层位于介质层上。其中：每一微腔结构，用于对该微腔结构内的MircroLED发出的光进行加强。由于本申请实施例中的显示器件在发光器件的发光区域处设置了一个微腔结构，使得特定波长的光通过微腔结构会得到加强，避免白色失真，从而提高了整体显示器件的显示效果。

Description

一种顶发射MircroLED显示面板及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种顶发射MircroLED显示面板及其制造方法。
背景技术
Micro LED(Micro Light Emitting Diode，微发光二极管)；以下简称Micro LED是指在一个驱动芯片上集成高密度的微米级别的小尺寸LED阵列，其像素点从现在的毫米级别降至微米级别。相比现在传统的LED，Micro LED解析度大大提高，具有高效率、高亮度、响应速度快以及节能等特点，同时还属于自发光无需背光源，在柔软性、轻薄等方面具有广阔的应用前景。
在实际使用中，申请人发现，Micro LED的颜色色坐标在低灰阶(如灰阶小于等于50)和高灰阶(如灰阶大于等于250)显示时会有不同程度的漂移，最终会导致白色失真，降低显示效果。因此，需要对现有技术进行改进，从而解决上述技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种显示器件及其制造方法，用于解决现有技术中由于Micro LED的颜色坐标的漂移而导致白色失真，降低显示效果的问题。
针对上述问题，在第一方面中，本申请实施例公开了
一种顶发射MircroLED显示面板，包括：
驱动背板，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的多个驱动电路；
至少一种颜色的MircroLED，设置在所述驱动背板上；
每一所述MircroLED的位置处对应设置一微腔结构，所述微腔结构包括反射层、介质层和半反射层；
每一所述微腔结构，所述反射层位于相应的所述MircroLED下方，并与一所述驱动电路电连接；所述介质层位于所述MircroLED上，并覆盖相应的所述MircroLED；所述半反射层位于所述介质层上；其中：
每一所述微腔结构，用于对该微腔结构内的MircroLED发出的光进行加强。
在第二方面中，本申请实施例还公开了
一种顶发射MircroLED显示面板的制造方法，包括：
制作驱动背板，以及制作至少一种颜色的MircroLED；
在所述MircroLED上制作一反射层；
采用转印技术将制作有所述反射层的MircroLED转印到所述驱动背板上，并将所述反射层与所述驱动背板包括的驱动电路电连接；
在所述MircroLED上制作介质层，所述介质层覆盖所述MircroLED；
在所述介质层上制作半反射层；其中，包括所述反射层、介质层和半反射层的微腔结构用于对该微腔结构内的MircroLED发出的光进行加强。
应用本发明实施例所获得的有益效果包括：
由于本申请实施例中的显示器件在每一MircroLED的发光区域对应位置处设置了一个微腔结构，微腔结构包括反射层、介质层和半反射层，每一微腔结构，反射层位于相应的MircroLED下方，并与一驱动电路电连接；介质层位于MircroLED上，并覆盖相应的MircroLED；半反射层位于介质层上；当驱动电路为与该驱动电路电连接的反射层提供电信号时，每一微腔结构，能够对该微腔结构内的MircroLED发出的光进行加强，且对应的光谱发生窄化，当MircroLED发出的光为绿色光时，绿光会被加强，且对应的光谱发生窄化，这时提高了绿光的纯度，进而能够避免白色失真，从而提高了整体显示器件的显示效果。
本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为现有技术的显示面板的结构示意图；
图2为现有技术中OLED与Micro LED相比绿色色坐标在横轴上变化的坐标比较图；
图3为现有技术中OLED与Micro LED相比绿色色坐标在纵轴上变化的坐标比较图；
图4为本申请实施例的顶发射MircroLED显示面板的结构示意图；
图5为三色LED的发光光谱图；
图6为本申请的另一个实施例中同时布设红色发光器件、绿色发光器件以及蓝色发光器件的结构示意图；
图7为本申请实施例的顶发射MircroLED显示面板的制造方法的流程图。
附图标记介绍如下：
1-衬底基板；2-驱动电路；21-源极；22-漏极；23-栅极；24-栅极绝缘层；25-半导体有源层；26-第一绝缘层；27-第二绝缘层；
251-欧姆接触层；252-半导体层；
3-MircroLED；4-微腔结构；41-反射层；42-介质层；43-半反射层；
5-红色MircroLED；6-绿色MircroLED；7-蓝色MircroLED。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本发明的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”到另一元件时，它可以直接连接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”可以包括无线连接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
图1示出了传统顶发射Micro LED显示面板的结构示意图。如图1所示，在衬底基板1上设置有驱动电路2，形成驱动背板，其中，驱动电路2包括依次位于衬底基板1上的半导体有源层25、第一绝缘层26、栅极23、栅极绝缘层24、源极21、漏极22以及第二绝缘层27。半导体有源层25包括：欧姆接触层251和半导体层252，欧姆接触层251的导电性较好，与源极21和漏极22电连接。在第二绝缘层27上的预设位置上还设置有MircroLED3，MircroLED3的下电极与驱动电路2的漏极22电连接，通过驱动电路2提供的电流，使得MircroLED3发光，进而显示出相应的图像或画面。
但是，申请人发现，Micro LED在低灰阶和高灰阶显示时，红绿色色坐标会有不同程度的漂移，以绿色为例，Micro LED与有机电致发光二极管(Organic Light EmittingDiode，OLED)的色坐标对比如图2和图3所示，图中uLED Gx表示Micro LED的x色坐标，OLEDGx表示OLED的x色坐标，uLED Gy表示Micro LED的y色坐标，OLED Gy表示OLED的y色坐标。
如图2和图3所示，Micro LED与传统OLED相比，在灰阶100以下时，Micro LED的绿色色坐标的横坐标(x色坐标)和纵坐标(y色坐标)的漂移要大于OLED的绿色色坐标的横坐标和纵坐标的漂移。色坐标上的漂移将无法保证在低灰阶下的白平衡，最终会导致白色失真，从而影响显示面板的显示效果。
本领域技术人员发现，当MircroLED3的发光区位于一个全反射膜和半反射膜构成的谐振腔内，并且谐振腔的腔长与光波的波长在同一数量级时，特定波长的光会通过谐振腔得到选择和加强，特定波长的光的光谱也同时会发生窄化，此为微腔效应。因此，在顶MircroLED中，微腔设计很重要，当光波波长λ满足公式(1)时，允许存在于腔内的光学共振：
其中，ni和di分别表示有机物的折射率和厚度；m为整数，是微腔的模数；φ1和φ2分别表示光在不同金属电极界面上产生的相移。
进一步地，φ能够通过公式(2)计算得出：
其中，Nm和Km分别表示金属的折射系数和消光系数；n为与金属接触的有机物的折射率。
另外，微腔效应的强弱可以通过半高宽(Full Width at Half Maximum；FWHM)来计算得出，微腔效应的强弱满足公式(3)：
其中，d是微腔的有效长度；n是腔内有机材料的折射率；Rb是底电极的反射率；Rt是半透明顶电极的反射率。
进一步地，微腔的谐振模式满足F-P方程，具体方程式为公式(4)：
其中，L为微腔的总长；为有机和金属界面的相移；ni和di分别为有机层的折射率和厚度；m为发射模的级数；λ为m模的波长。
通过公式(4)，可以得出计算谐振腔腔长的公式为：
其中，λpeak为光波峰的波长值。
最终，申请人发现，影响微腔强弱的是公式(5)以及如下示出的古典光学公式：
其中，F-P方程表明谐振腔腔长影响出光波峰，反射率影响半峰宽情况。
下面结合附图详细说明本发明的实施例。
图4示出了本申请实施例的顶发射MircroLED显示面板的结构示意图。如图4所示，本申请实施例的显示面板包括：驱动背板，包括衬底基板1，位于衬底基板1上的多个驱动电路2。至少一种颜色的MircroLED3，设置在驱动背板2上。每一MircroLED3的位置处对应设置一微腔结构4，微腔结构4包括反射层41、介质层42和半反射层43。每一微腔结构4，反射层41位于相应的MircroLED3下方，并与一驱动电路2电连接；介质层42位于MircroLED3上，并覆盖相应的MircroLED3；半反射层43位于介质层42上，其中：每一微腔结构4，用于对该微腔结构4内的MircroLED3发出的光进行加强。
另外，在图4中示出的MircroLED3从上到下依次至少设置有上电极层、功能层、发光层以及下电极层。本申请实施例中驱动背板以及MircroLED3的具体设置与现有技术类似，这里不再赘述。
如图4所示，每一MircroLED3对应设置一微腔结构4，微腔结构4包括反射层41、介质层42和半反射层43。每一微腔结构4中，反射层41位于相应的MircroLED3的下方，且反射层41与一驱动电路2电连接；介质层42位于反射层41上，并覆盖相应的MircroLED3；半反射层43位于介质层42上。进一步地，介质层42的厚度与相应的MircroLED3发光颜色对应的波长在同一数量级，且根据发光颜色对应的波长和介质层42的折射率设定。
由于本申请实施例中的显示器件在MircroLED3的发光区域处设置了一个微腔结构4，微腔结构4包括反射层41、介质层42和半反射层43，当介质层42的厚度与相应的MircroLED3所发光的颜色对应的波长在同一数量级时，特定波长的光通过微腔结构4会得到选择和加强，对应的光谱同时发生窄化，当特定波长的光为绿色光时，绿光会被加强，且对应的光谱发生窄化，这时提高了绿光的纯度，进而能够避免白色失真，从而提高了整体显示器件的显示效果。另外，由于介质层42的厚度根据发光颜色对应的波长设定，因此微腔结构4能够对不同颜色的光进行加强，提高不同颜色光的纯度，从而提高显示效果。
具体地，任一微腔结构4包括的反射层和半反射层之间的距离通过以下公式(6)：
进一步推导得出公式(7)：
其中，d为反射层和半反射层之间的距离，j为整数，n为介质层42的折射率，λ为MircroLED发光颜色对应的波长。
表1示出了针对不同颜色(即，红色、绿色和蓝色)的波长所得到的反射层和半反射层之间的距离变化，具体地，公式(7)中的j通常根据LED的厚度进行选择，在本申请实施例中，采用常规转印技术转印后的LED的厚度小于1微米(μm)，从而能够很好的实现微腔效应。
通过表1可知，红色MircroLED的特定波长为628纳米(nm)，绿色MircroLED的特定波长为518nm以及蓝色MircroLED的特定波长为450nm，因此，根据公式(7)，可以得出红色MircroLED对应的反射层和半反射层之间的距离为209jnm，绿色MircroLED对应的反射层和半反射层之间的距离为173jnm，蓝色发光器对应的反射层和半反射层之间的距离为150jnm。
本申请具体实施例介质层42以派瑞林为例，其折射率为1.5，由于j的取值为整数，通过公式(7)可以依次为j取不同的整数值，计算得到的反射层和半反射层之间的距离d需要满足大于LED的厚度且小于1μm，例如本申请实施例LED的厚度为500nm，计算得出j为4，此时，红色MircroLED对应的反射层和半反射层之间的距离d为836nm，绿色MircroLED对应的反射层和半反射层之间的距离d为692nm，蓝色MircroLED对应的反射层和半反射层之间的距离d为600nm。
红色MircroLED 绿色MircroLED 蓝色MircroLED
波长 628nm 518nm 450nm
距离d 209jnm 173jnm 150jnm
表1
通常，单片全彩LED采用氮化镓(Gallium Nitride；GaN)或氮化铟镓(IndiumGallium Nitride；InGaN)的多层量子阱结构。具体地，在本申请实施例中，MircroLED3可以包括发光颜色为红色的红色MircroLED，发光颜色为绿色的绿色MircroLED和发光颜色为蓝色的蓝色MircroLED。对于本领域技术人员而言，也可以使用其他颜色的MircroLED3。而LED的发光颜色由通过LED的电流所决定。如图5所示，如电流为15毫安(mA)时，LED的发光颜色为红色；电流为200毫安时，LED的发光颜色为绿色，电流为400毫安时，LED的发光颜色为蓝色。
为了使显示器件达到更好的显示效果，对于每一微腔结构4，反射层41、介质层42和半反射层43在驱动背板上的正投影区域重合。另外，所有的微腔结构4包括的介质层42在驱动背板上的正投影区域的面积均相等，且所有的微腔结构包括的介质层在驱动背板上的正投影区域的形状相同。另外，MircroLED3的发光颜色可以包括红色、绿色和蓝色，因此，图6示出了在本申请的另一个实施例中同时布设红色MircroLED5、绿色MircroLED6以及蓝色MircroLED7的结构示意图。由于红色MircroLED5、绿色MircroLED6以及蓝色MircroLED7的结构彼此类似，为了方便描述，在红色MircroLED5、绿色MircroLED6以及蓝色MircroLED7中相同的部件使用相同的附图标记。
类似于图4中示出的显示器件，在这个优选实施例的红色MircroLED5对应的微腔结构4中，反射层41位于红色MircroLED5的下方，且反射层41与一驱动电路2电连接；介质层42位于反射层41上，并覆盖红色MircroLED5；半反射层43位于介质层42上。进一步地，介质层42的厚度与红色MircroLED5的红色对应的波长在同一数量级。
类似地，在绿色MircroLED6对应的微腔结构4中，反射层41位于绿色MircroLED6的下方，且反射层41与一驱动电路2电连接；介质层42位于反射层41上，并覆盖绿色MircroLED6；半反射层43位于介质层42上。进一步地，介质层42的厚度与绿色MircroLED6的绿色对应的波长在同一数量级。
类似地，在蓝色发MircroLED7对应的微腔结构4中，反射层41位于蓝色MircroLED7的下方，且反射层41与一驱动电路2电连接；介质层42位于反射层41上，并覆盖蓝色MircroLED7；半反射层43位于介质层42上。进一步地，介质层42的厚度与蓝色MircroLED7的蓝色对应的波长在同一数量级。
进一步，在一种可选的实施方式中，每一微腔结构4，介质层42在驱动背板上的正投影区域的面积大于MircroLED3在驱动背板上的正投影区域的面积。
关于微腔结构4，反射层41包括银、铝和铝钕合金中的至少一种，在本申请实施例中，反射层41的金属反射率在80％以上。并且，半反射层43包括镁银合金、钛和钼中的至少一种，其中，半反射层43可以选用10nm-14nm的镁银合金，或者选用50％透过率的钛和钼等其他金属。
介质层42包括有机材料或无机材料，介质层42能够起到进一步保护MircroLED3的作用。在申请实施例中，不同颜色的MircroLED使用了相同材料的介质层42，且由派瑞林制成，但是，对于本领域技术人员而言，还可以使用其他合适的材料制成介质层42。
在第二方面中，本发明还公开了一种根据第一方面的顶发射MircroLED的制造方法，如图7所示，包括以下步骤：
S101：制作驱动背板，以及制作至少一种颜色的MircroLED；
S102：在MircroLED上制作一反射层；
S103：采用转印技术将制作有反射层的MircroLED转印到驱动背板上，并将反射层与驱动背板包括的驱动电路电连接；
S104：在MircroLED上制作介质层，介质层覆盖MircroLED；
S105：在介质层上制作半反射层；其中，包括反射层、介质层和半反射层的微腔结构用于对该微腔结构内的MircroLED发出的光进行加强。
具体实施时，本申请实施例中制作驱动背板和MircroLED的具体方法与现有技术类似，这里不再赘述。
具体实施时，上述S102在MircroLED上制作一反射层的步骤中，反射层的制作具体可以通过构图工艺制作形成。
具体实施时，上述S103采用转印技术将制作有反射层的MircroLED转印到驱动背板上的步骤中，转印技术与传统的Micro LED制造方法中的转印技术类似，这里不再赘述。
具体实施时，上述S104在MircroLED上制作介质层，以及上述S105在介质层上制作半反射层的步骤中，介质层以及半反射层均可以通过构图工艺制作形成。
应用本发明实施例所获得的有益效果包括：
由于本申请实施例中的显示器件在每一MircroLED的发光区域对应位置处设置了一个微腔结构，微腔结构包括反射层、介质层和半反射层，每一微腔结构，反射层位于相应的MircroLED下方，并与一驱动电路电连接；介质层位于MircroLED上，并覆盖相应的MircroLED；半反射层位于介质层上；当驱动电路为与该驱动电路电连接的反射层提供电信号时，每一微腔结构，能够对该微腔结构内的MircroLED发出的光进行加强，且对应的光谱发生窄化，当MircroLED发出的光为绿色光时，绿光会被加强，且对应的光谱发生窄化，这时提高了绿光的纯度，进而能够避免白色失真，从而提高了整体显示器件的显示效果。
以上所述仅是本发明的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种顶发射MircroLED显示面板，其特征在于，包括：
驱动背板，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的多个驱动电路；
至少一种颜色的MircroLED，设置在所述驱动背板上；
每一所述MircroLED的位置处对应设置一微腔结构，所述微腔结构包括反射层、介质层和半反射层；
每一所述微腔结构，所述反射层位于相应的所述MircroLED下方，并与一所述驱动电路电连接；所述介质层位于所述MircroLED上，并覆盖相应的所述MircroLED；所述半反射层位于所述介质层上；其中：
每一所述微腔结构，用于对该微腔结构内的MircroLED发出的光进行加强。
2.根据权利要求1所述的顶发射MircroLED显示面板，其特征在于，所述反射层和半反射层之间的距离通过以下公式计算得出：
其中，d为所述反射层和半反射层之间的距离，j为整数，n为所述介质层的折射率，λ为所述MircroLED发光颜色对应的波长。
3.根据权利要求1所述的顶发射MircroLED显示面板，其特征在于，每一所述微腔结构中，所述反射层、所述介质层和所述半反射层在所述驱动背板上的正投影区域重合。
4.根据权利要求3所述的顶发射MircroLED显示面板，其特征在于，所有的所述微腔结构包括的介质层在所述驱动背板上的正投影区域的面积均相等，且所有的所述微腔结构包括的介质层在所述驱动背板上的正投影区域的形状相同。
5.根据权利要求3所述的顶发射MircroLED显示面板，其特征在于，每一所述微腔结构，所述介质层在所述驱动背板上的正投影区域的面积大于所述MircroLED在所述驱动背板上的正投影区域的面积。
6.根据权利要求1所述的顶发射MircroLED显示面板，其特征在于，所述反射层包括银、铝和铝钕合金中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的顶发射MircroLED显示面板，其特征在于，所述半反射层包括镁银合金、钛和钼中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的顶发射MircroLED显示面板，其特征在于，所有的所述微腔结构包括的介质层的材料相同。
9.根据权利要求1-8任一项所述的顶发射MircroLED显示面板，其特征在于，所述MircroLED的发光颜色包括红色、绿色和蓝色。
10.一种顶发射MircroLED显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
制作驱动背板，以及制作至少一种颜色的MircroLED；
在所述MircroLED上制作一反射层；
采用转印技术将制作有所述反射层的MircroLED转印到所述驱动背板上，并将所述反射层与所述驱动背板包括的驱动电路电连接；
在所述MircroLED上制作介质层，所述介质层覆盖所述MircroLED；
在所述介质层上制作半反射层；其中，包括所述反射层、介质层和半反射层的微腔结构用于对该微腔结构内的MircroLED发出的光进行加强。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112968097A (zh) * 2020-05-14 2021-06-15 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种色彩转换方法及显示器件
EP3836212A1 (en) * 2019-12-11 2021-06-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI721783B (zh) * 2020-02-15 2021-03-11 聚積科技股份有限公司 顯示模組
CN113763828B (zh) * 2021-08-06 2022-12-13 深圳市思坦科技有限公司 显示结构及电子器件

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000174327A (ja) * 1998-12-03 2000-06-23 Oki Electric Ind Co Ltd 垂直微小共振器型発光ダイオード
CN101094543A (zh) * 2007-07-19 2007-12-26 中国科学院长春应用化学研究所 顶发射结构彩色有机电致发光器件及其制备方法
CN102386200A (zh) * 2010-08-27 2012-03-21 财团法人工业技术研究院 发光单元阵列与投影系统
CN204271141U (zh) * 2014-09-30 2015-04-15 合肥鑫晟光电科技有限公司 有机电致发光器件和具有该器件的显示器
CN107146835A (zh) * 2017-06-30 2017-09-08 中国科学院半导体研究所 一种微led器件阵列单元的制作方法
CN107195654A (zh) * 2017-06-02 2017-09-22 南京迈智芯微光电科技有限公司 一种全彩半导体发光微显示器及其制造工艺

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5877992B2 (ja) * 2010-10-25 2016-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
TWI467528B (zh) * 2013-10-30 2015-01-01 Au Optronics Corp 發光二極體顯示面板及其製作方法
JP6496664B2 (ja) * 2013-11-07 2019-04-03 東芝ホクト電子株式会社 発光装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000174327A (ja) * 1998-12-03 2000-06-23 Oki Electric Ind Co Ltd 垂直微小共振器型発光ダイオード
CN101094543A (zh) * 2007-07-19 2007-12-26 中国科学院长春应用化学研究所 顶发射结构彩色有机电致发光器件及其制备方法
CN102386200A (zh) * 2010-08-27 2012-03-21 财团法人工业技术研究院 发光单元阵列与投影系统
CN204271141U (zh) * 2014-09-30 2015-04-15 合肥鑫晟光电科技有限公司 有机电致发光器件和具有该器件的显示器
CN107195654A (zh) * 2017-06-02 2017-09-22 南京迈智芯微光电科技有限公司 一种全彩半导体发光微显示器及其制造工艺
CN107146835A (zh) * 2017-06-30 2017-09-08 中国科学院半导体研究所 一种微led器件阵列单元的制作方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
王惟彪: "基于Ⅲ族氮化物宽带隙半导体的微显示技术", 《光机电信息》 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3836212A1 (en) * 2019-12-11 2021-06-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
US11430374B2 (en) 2019-12-11 2022-08-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
US11837155B2 (en) 2019-12-11 2023-12-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
US12100340B2 (en) 2019-12-11 2024-09-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
CN112968097A (zh) * 2020-05-14 2021-06-15 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种色彩转换方法及显示器件

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