CN107211504A - 使用半导体发光器件的显示装置及制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种显示装置包括：基板，包括布线电极；粘合剂层，布置在基板上；多个半导体发光器件，粘附至粘合剂层，并电连接至布线电极；以及荧光体层，布置为覆盖所述多个半导体发光器件。另外，荧光体层包括用于转换光的波长的多个荧光体部分、以及形成在所述多个荧光体部分之间的多个分隔壁部，并且所述多个分隔壁部分别沿着彼此相交的第一方向和第二方向依次布置在荧光体部分之间，并且依次布置的多个分隔壁部中的至少一个与所述多个半导体发光器件中的至少一个重叠。

Description

使用半导体发光器件的显示装置及制造方法
技术领域
本公开文本涉及一种显示装置及其制造方法，更具体地，涉及一种使用半导体发光器件的柔性显示装置。
背景技术
近年来，具有诸如薄型、柔性等优异特性的显示装置在显示技术领域取得了发展。相反，目前商业化的主要显示器的代表是液晶显示器(LCD)和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)。然而，液晶显示器存在诸如响应时间慢、难以实现柔性等问题，而AMOLED存在诸如使用寿命短、产量低、以及柔性低等缺点。
此外，发光二极管(LED)将电流转换成光，并且已经被用作用于在包括信息通信设备的电子设备中显示图像的光源，因为使用GaAsP化合物半导体的红色LED连同GaP：N基绿色LED于1962年已可通过商业途径获得。因而，半导体发光器件可以用于实现柔性显示器，从而提出解决问题的方案。
使用荧光体层激发从半导体发光器件发出的光的结构适用于使用半导体发光器件的柔性显示器。在这种情况下，用于防止混色的分隔壁结构可以设置在荧光体层上，但是对此的研究并不充分。特别地，当实现使用半导体发光器件的高清晰度显示器时，半导体发光器件的尺寸应该减小，但是存在限制。为了解决这个问题，pentile型显示驱动方案可以用于使用半导体发光器件的显示器，但是对于其相关分隔壁结构的研究尚未进行。
发明内容
技术问题
因而，本公开文本的一个方面是提供一种能够进一步增加显示装置中的荧光体的填充空间的结构及其制造方法。
本公开文本的另一个方面是提供一种具有能够得到柔性并防止混色的新型分隔壁结构的显示装置。
本公开文本的又一个方面是在使用半导体发光器件的显示装置中实现pentile型结构。
问题的解决方案
根据本公开文本的显示装置可以包括：基板，形成有布线电极；粘合剂层，布置在基板上；多个半导体发光器件，粘附至粘合剂层，并电连接至布线电极；以及荧光体层，布置为覆盖多个半导体发光器件，其中荧光体层包括用于转换光的波长的多个荧光体部分、以及形成在多个荧光体部分之间的多个分隔壁部，其中多个分隔壁部分别沿着彼此相交的第一方向和第二方向依次布置在荧光体部分之间，并且依次布置的多个分隔壁部中的至少一个与多个半导体发光器件中的至少一个重叠(overlap)。
此外，本公开文本提出了一种显示装置的制造方法，该方法可以包括：将多个半导体发光器件耦接到形成在基板上的粘合剂层；以及形成布置为覆盖多个半导体发光器件的荧光体层，其中荧光体层包括用于转换光的波长的多个荧光体部分、以及形成在多个荧光体部分之间的多个分隔壁部，并且多个分隔壁部分别沿着彼此相交的第一方向和第二方向依次布置在荧光体部分之间，并且依次布置的多个分隔壁部中的至少一个与多个半导体发光器件中的至少一个重叠。
此外，由于将透光材料填充到金属薄膜中，本公开文本能够实现适合于具有柔性特征的显示器的分隔壁部。因此，通过透光材料，柔性材料可以用于分隔壁部，而且，从半导体发光器件发出的光可以沿荧光体层的厚度方向传输。因而，当发出蓝色光时，可以提供分隔壁部与蓝色半导体发光器件重叠的结构。
发明的有益效果
在根据本公开文本的显示装置中，多个分隔壁部中的至少一个可以与多个半导体发光器件中的至少一个重叠，从而进一步确保填充荧光体的空间。
此外，由于将透光材料填充到金属薄膜中，本公开文本可以实现适合于具有柔性特征的显示器的分隔壁部。借此，通过透光材料，柔性材料可以用于分隔壁部，而且，从半导体发光器件发出的光可以沿荧光体层的厚度方向传输。因而，当发出蓝色光时，可以提供分隔壁部与蓝色半导体发光器件重叠的结构。
另外，根据本公开文本，多个分隔壁部可以沿水平方向和垂直方向分别布置在荧光体部分之间，从而在pentile型硬件上实现能够增加荧光体部分的尺寸以及防止混色的分隔壁结构。通过这样，与其他类型相比，可以以相同的像素尺寸实现高分辨率，特别地，可以进一步确保与绿色对应的像素的面积，从而提高效率。
附图说明
被包括以用来提供对本发明的进一步理解并且并入并构成本说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
在附图中：
图1是示出根据本公开文本的实施例的使用半导体发光器件的显示装置的概念图；
图2是图1中的部分“A”的局部放大图，以及图3a和图3b是沿着图2中的线B-B和线C-C截取的横截面图；
图4是示出图3a中的倒装芯片型半导体发光器件的概念图；
图5a至图5c是示出实现与倒装芯片型半导体发光器件相关的多种颜色的各种形式的概念图；
图6是示出根据本公开文本的使用半导体发光器件的显示装置的制造方法的横截面图；
图7是示出根据本公开文本的另一个实施例的使用半导体发光器件的显示装置的立体图；
图8是沿着图7中的线D-D截取的横截面图；
图9是示出图8中的垂直型半导体发光器件的概念图；
图10是示出图1中的部分“A”的放大图，示出应用了新型半导体发光器件的本公开文本的另一个实施例；
图11a是沿着图10中的线E-E截取的横截面图；
图11b是沿着图10中的线F-F截取的横截面图；
图12是示出图11a中的倒装芯片型半导体发光器件的概念图；
图13是示出图1的部分“A”的放大图，示出了本公开文本的另一个实施例；
图14a是沿着图13中的线G-G截取的横截面图，图14b是沿着图13中的线H-H截取的横截面图，图15是沿着图13中的线I-I截取的横截面图，以及图16是示出图13的部分“J”的平面图；
图17a、图17b、图17c、图17d和图17e是示出图16中的分隔壁部的变形示例的平面图；
图18a和图18b是分别示出图15中的分隔壁部的变形示例的横截面图；
图19a、图19b、图19c、图20a、图20b、图20c、图20d和图20e是示出本公开文本的使用半导体发光器件的显示装置的制造方法的横截面图；以及
图21和图22是示出本公开文本的其它示例的概念图。
具体实施方式
下文将参考附图详细描述本文公开的实施例，相同或相似的元件用相同的附图标记表示，而不管附图中的数字如何，并且将省略其重复的描述。以下描述中公开的组成元件使用的后缀“模块”或“单元”仅用于简单描述说明书，后缀本身不具有任何特殊的含义或功能。而且，应当注意，示出附图仅用于使本发明的概念容易解释，因此，不应解释为用附图限制本文公开的技术概念。
此外，当诸如层、区域或基板等元件称为在另一个元件“上”时，其可以直接在另一个元件上，或者中间元件也可以置于其间。
本文公开的显示装置可以包括便携式电话、智能手机、膝上型计算机、数字广播终端、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、导航、平板计算机、平板电脑、超极本、数字电视、台式计算机等。然而，本领域技术人员将容易理解，本文公开的构造可以适用于任何可显示装置，即使它是有待后续开发的新的产品类型。
图1是示出根据本公开文本的实施例的使用半导体发光器件的显示装置的概念图。根据该图，在显示装置100的控制器中处理的信息可以使用柔性显示器来显示。
柔性显示器可以包括柔性的、可弯曲的、可扭转的、可折叠的以及可卷曲的显示器。例如，柔性显示器可以是在能像纸张一样扭曲(warped)、弯曲、折叠或卷曲的柔性薄基板上制造的同时保持有相关技术中平板显示器的显示特性的显示器。
柔性显示器的显示区域在柔性显示器不扭曲的构造(例如，具有无限曲率半径的构造，以下称为“第一构造”)中变为平面。柔性显示器的显示区域在第一构造中由于外力而使柔性显示器扭曲的构造(例如，具有有限曲率半径的构造，以下称为“第二构造”)中变为曲面。如图所示，在第二构造中显示的信息可以是在曲面上显示的视觉信息。视觉信息可以通过单独地控制布置成矩阵形式的子像素的发光来实现。子像素是指用于实现一种颜色的最小单位。
柔性显示器的子像素可以由半导体发光器件来实现。根据本公开文本的实施例，示出作为半导体发光器件的一种类型的发光二极管(LED)。发光二极管可以形成为小尺寸，以便即使在第二构造中也能够通过这样起到子像素的作用。
下文参考附图来更具体地描述使用发光二极管实现的柔性显示器。图2是图1中的部分“A”的局部放大图，图3a和图3b是沿着图2中的线B-B和线C-C截取的横截面图，图4是示出图3a中的倒装芯片型半导体发光器件的概念图，以及图5a至图5c是示出实现与倒装芯片型半导体发光器件相关的多种颜色的各种形式的概念图。
图2、图3a和图3b示出了显示装置100，显示装置100使用无源矩阵(PM)型半导体发光器件作为使用半导体发光器件的显示装置100。然而，以下说明也可适用于有源矩阵(AM)型半导体发光器件。
显示装置100包括基板110、第一电极120、导电粘合剂层130、第二电极140以及多个半导体发光器件150。基板110可以是柔性基板。基板110可以包含玻璃或聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示装置。此外，如果是柔性材料，则可以使用例如聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等任何一种。而且，基板110可以是透明材料和非透明材料中的任何一种。基板110可以是布置有第一电极120的布线基板，因此第一电极120可以设置在基板110上。
根据附图，绝缘层160布置在设置有第一电极120的基板110上，辅助电极170设置在绝缘层160上。在这种情况下，将绝缘层160沉积在基板110上的构造可以是单个布线基板。更具体地，绝缘层160可以用诸如聚酰亚胺(PI)、PET、PEN等柔性绝缘材料结合到基板110中，以形成单个布线基板。
另外，作为将第一电极120电连接至半导体发光器件150的电极的辅助电极170设置在绝缘层160上，并且布置为与第一电极120的位置对应。例如，辅助电极170具有点形状，并且可以通过穿过绝缘层160的电极孔171电连接至第一电极120。电极孔171可以通过在通孔中填充导电材料来形成。
参照附图，导电粘合剂层130可以形成在绝缘层160的一个表面上，但是本公开文本不限于此。例如，也可以具有这样一种结构，其中导电粘合剂层130布置在基板110上，而不存在绝缘层160。在将导电粘合剂层130布置在基板110上的结构中，导电粘合剂层130可以起到绝缘层的作用。
导电粘合剂层130可以是具有粘合性和导电性的层，并且导电粘合剂层130上可以混合导电材料和粘合材料。此外，导电粘合剂层130可以具有柔性，从而使显示装置具有柔性功能。
例如，导电粘合剂层130可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电膏、含有导电粒子的溶液等。导电粘合剂层130在穿过其厚度的z方向上允许电互连，但是可以配置为在其水平x-y方向上具有电绝缘的层。因此，导电粘合剂层130可以称为z轴导电层(然而，下文称为“导电粘合剂层”)。
各向异性导电膜包括与绝缘基底元件(base member)混合的各向异性导电介质，因此当向其施加热压(heat and pressure)时，由于各向异性导电介质，只有其特定部分可以具有导电性。在下文中，热压施加到各向异性导电膜，但是使各向异性导电膜部分具有导电性的其它方法也可用。这些方法可以包括仅向各向异性导电膜施加热压中的任意一种、施加UV固化等。
此外，各向异性导电介质可以是导电球或导电粒子。根据附图，在本实施例中，各向异性导电膜是这样一种形式的膜，其中各向异性导电介质与绝缘基底元件混合，因此当向其施加热压时，仅其特定部分由于导电球可以具有导电性。各向异性导电膜可以处于这样一种状态，其中具有导电材料的芯包含由具有聚合物材料的绝缘层涂布的多个粒子，并且在这种情况下，其在施加有热压的那一部分破坏了绝缘层时由于芯而具有导电性。这里，芯可以变型以实现一种层，该层具有沿膜的厚度方向接触物体的两个表面。
对于一个更具体的示例，热压作为整体施加到各向异性导电膜，由于与使用各向异性导电膜粘附的配合物体(mating object)的高度差，z轴方向上的电连接部分形成。在另一个示例中，各向异性导电膜可以处于包含多个粒子的状态，其中导电材料涂布在绝缘芯上。
在这种情况下，施加热压的部分可以被转化(按压和粘附)为导电材料，以沿膜的厚度方向具有导电性。对于又一个示例，其可以形成为沿膜的厚度方向具有导电性，其中导电材料沿z方向穿过绝缘基底元件。在这种情况下，导电材料可以具有尖端(pointed end)部分。
根据附图，各向异性导电膜可以是包括插入到绝缘基底元件的一个表面中的导电球的固定阵列各向异性导电膜(ACF)。更具体地，绝缘基底元件包括粘合剂材料，并且导电球集中布置在绝缘基底元件的底部，当热压施加到此时，基底元件与导电球一起变型，从而在其垂直方向上具有导电性。
然而，本公开文本不限于此，各向异性导电膜可以包括与绝缘基底元件随机混合的多个导电球，或者可以是多个层(其中导电球布置在任何一层(双ACF)处)等。
作为与膏状物耦接的形式的各向异性导电膏以及导电球可以是这样一种膏状物，其中导电球与绝缘的粘合剂基底元件混合。此外，含有导电粒子的溶液可以是含有导电粒子或纳米粒子的形式的溶液。
再次参照附图，第二电极140位于绝缘层160处，与辅助电极170分开。换句话说，导电粘合剂层130布置在设置有辅助电极170和第二电极140的绝缘层160上。
当在设置有辅助电极170和第二电极140的状态下形成粘合剂层130，然后半导体发光器件150以倒装芯片形式连接至此并施加有热压时，半导体发光器件150电连接至第一电极120和第二电极140。
参照图4，半导体发光器件可以是倒装芯片型半导体发光器件。例如，半导体发光器件可以包括：p型电极156；p型半导体层155，形成有p型电极156；有源层154，形成在p型半导体层155上；n型半导体层153，形成在有源层154上；以及n型电极152，布置在n型半导体层153上，沿水平方向与p型电极156分开。在这种情况下，p型电极156可以通过导电粘合剂层130电连接至焊接部179，n型电极152可以电连接至第二电极140。
再次参照图2、图3a和图3b，辅助电极170能够以沿一个方向延长的方式形成，以电连接至多个半导体发光器件150。例如，在辅助电极周围的半导体发光器件的左面和右面的p型电极可以电连接至一个辅助电极。
更具体地，半导体发光器件150被压入导电粘合剂层130中，通过这样，只有半导体发光器件150的p型电极156与辅助电极170之间的部分以及半导体发光器件150的n型电极152与第二电极140之间的部分具有导电性，其余部分因为半导体发光器件没有受到下压而不具有导电性。
此外，多个半导体发光器件150构成发光阵列，并且荧光体层180形成在发光阵列上。发光器件可以包括具有不同自身亮度值的多个半导体发光器件。每个半导体发光器件150构成子像素并且电连接至第一电极120。例如，可以存在多个第一电极120，并且半导体发光器件布置成几行，例如，每行半导体发光器件可以电连接至多个第一电极中的任何一个。
此外，半导体发光器件可以以倒装芯片形式连接，这样，半导体发光器件生长在透明电介质基板上。此外，例如，半导体发光器件可以是氮化物半导体发光器件。半导体发光器件150具有优良的亮度特性，因此即使其尺寸较小，也可以配置各个子像素。
根据附图，分隔壁190可以形成在半导体发光器件150之间。在这种情况下，分隔壁190可以起到将各个子像素彼此分开的作用，并且与导电粘合剂层130形成为整体。例如，当半导体发光器件150插入到各向异性导电膜中时，各向异性导电膜的基底元件可以形成分隔壁。
此外，当各向异性导电膜的基底元件是黑色时，分隔壁190可以具有反射特性，同时在没有附加黑色绝缘体的情况下增加了对比度。在另一个示例中，反射分隔壁可以单独设置有分隔壁190。在这种情况下，根据显示装置的目的，分隔壁190可以包括黑色或白色绝缘体。当使用白色绝缘体的分隔壁时，可以具有提高反射率的效果，并且增加对比度同时具有反射特性。
荧光体层180可以位于半导体发光器件150的外表面处。例如，半导体发光器件150是发出蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件，并且荧光体层180的作用是将蓝色(B)光转换为子像素的颜色。荧光体层180可以是构成各个像素的红色荧光体层181或绿色荧光体层182。
换句话说，能够将蓝色光转换为红色(R)光的红色荧光体181可以沉积在处于实现红色子像素的位置的蓝色半导体发光器件151上，并且能够将蓝色光转换为绿色(G)光的绿色荧光体182可以沉积在处于实现绿色子像素的位置的蓝色半导体发光器件151上。此外，只有蓝色半导体发光器件151可以在实现蓝色子像素的位置处单独使用。在这种情况下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可以实现一个像素。更具体地，一种颜色的荧光体可以沿着第一电极120的每一条线沉积。因此，第一电极120上的一条线可以是控制一种颜色的电极。换句话说，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)可以依次布置，从而实现子像素。
然而，本公开文本不限于此，半导体发光器件150可以与量子点(QD)结合而不是与荧光体结合，以实现诸如红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)等子像素。此外，黑色矩阵191可以布置在每个荧光体层之间以增强对比度。换句话说，黑色矩阵191可以增强亮度的对比度。然而，本公开文本不限于此，并且实现蓝色、红色和绿色的其它结构也可适用于此。
参照图5a，半导体发光器件150中的每一个可以用发出包括蓝色的各种光的大功率发光器件来实现，其中主要使用氮化镓(GaN)，并且加入了铟(In)和/或铝(Al)。
在这种情况下，半导体发光器件150可以分别是红色、绿色和蓝色半导体发光器件，以实现每一个子像素。例如，红色、绿色和蓝色半导体发光器件(R、G、B)交替布置，并且红色、绿色和蓝色子像素通过红色、绿色和蓝色半导体发光器件实现一个像素，从而实现全色显示。
参照图5b，对于每一个元件，半导体发光器件可以具有设置有黄色荧光体层的白色发光器件(W)。在这种情况下，红色荧光体层181、绿色荧光体层182和蓝色荧光体层183可以设置在白色发光器件(W)上以实现子像素。此外，在白色发光器件(W)上按照红色、绿色和蓝色重复的滤色器可以用来实现子像素。
参照图5c，也可以具有这样一种结构，其中红色荧光体层181、绿色荧光体层182和蓝色荧光体层183可以设置在紫外线(UV)发光器件上。因此，半导体发光器件可以在紫外线(UV)以及可见光的整个区域上使用，并且可以扩展到可将紫外线(UV)用作激发源的这种形式的半导体发光器件。
再次考虑本示例，半导体发光器件150设置在导电粘合剂层130上以配置显示装置中的子像素。半导体发光器件150可以具有良好的亮度特性，因此即使其尺寸小，也可以配置各个子像素。单个半导体发光器件150的一个边的长度的尺寸可以小于80μm，并且形成有矩形或正方形元件。在矩形元件的情况下，其尺寸可以小于20×80μm。
此外，即使将边长度为10μm的正方形半导体发光器件150用于子像素，也会展现出实现显示装置的足够亮度。因此，例如，在子像素的一个边的尺寸为600μm，子像素的剩余一边为300μm的矩形像素的情况下，半导体发光器件之间的相对距离变得足够大。因此，在这种情况下，可以实现具有HD图像质量的柔性显示装置。
使用上述半导体发光器件的显示装置通过新型的制造方法来制造。下文参考图6来描述该制造方法。特别地，图6包括示出根据本公开文本的实施例的使用半导体发光器件的显示装置的制造方法的横截面图。
参照附图，首先，导电粘合剂层130形成在设置有辅助电极170和第二电极140的绝缘层160上。绝缘层160沉积在第一基板110上以形成一个基板(或布线基板)，并且第一电极120、辅助电极170和第二电极140布置在布线基板处。在这种情况下，第一电极120和第二电极140可以沿彼此垂直的方向布置。此外，第一基板110和绝缘层160可以分别包含玻璃或聚酰亚胺(PI)，以实现柔性显示装置。
例如，导电粘合剂层130可以由各向异性导电膜实现，并且各向异性导电膜可以涂布在设置有绝缘层160的基板上。接下来，设置有与辅助电极170和第二电极140的位置对应且构成各个像素的多个半导体发光器件150的第二基板112布置为使得半导体发光器件150面对辅助电极170和第二电极140。
在这种情况下，作为生长半导体发光器件150的生长基板的第二基板112可以是蓝宝石基板或硅基板。当以晶片为单位形成时，半导体发光器件可以具有能够实现显示装置的间隙和尺寸，因此有效地用于显示装置。
接下来，布线基板被热压缩至第二基板112。例如，布线基板和第二基板112可以通过应用ACF压头彼此热压缩。布线基板和第二基板112使用热压缩彼此接合。由于各向异性导电膜受到热压缩才具有导电性从而允许电极和半导体发光器件150彼此电连接的特性，半导体发光器件150与辅助电极170和第二电极140之间只有一部分可以具有导电性。此时，半导体发光器件150可以插入到各向异性导电膜中，从而在半导体发光器件150之间形成分隔壁。
接下来，去除第二基板112。例如，第二基板112可以使用激光剥离(LLO)或化学剥离(CLO)方法来去除。最后，第二基板112被去除以将半导体发光器件150暴露在外。氧化硅(SiOx)等可以涂布在耦接至半导体发光器件150的布线基板上，以形成透明绝缘层。
此外，荧光体层可以形成在半导体发光器件150的一个表面上。例如，半导体发光器件150可以是发出蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件，并且将蓝色(B)光转换为子像素的颜色的红色或绿色荧光体可以在蓝色半导体发光器件的一个表面上形成一个层。
使用上述半导体发光器件的显示装置的制造方法或结构可以以各种形式变型。例如，上述显示装置能够适用于垂直半导体发光器件。下文参考图5和图6来描述垂直结构。此外，根据以下变形示例或实施例，与前述示例相同或相似的构造指定相同或相似的附图标记，并且用先前的描述来代替对其的描述。
图7是示出根据本公开文本的另一个实施例的使用半导体发光器件的显示装置的立体图，图8是沿着图7中的线D-D截取的横截面图，以及图9是示出图8中的垂直型半导体发光器件的概念图。
根据附图，显示装置可以使用无源矩阵(PM)类型的垂直半导体发光器件。显示装置包括基板210、第一电极220、导电粘合剂层230、第二电极240以及多个半导体发光器件250。
作为布置有第一电极220的布线基板的基板210可以包括聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示装置。另外，如果是柔性绝缘材料，则可以使用任何一种。第一电极220可以位于基板210上，并且形成为沿一个方向延长的棒状电极。第一电极220可以形成为起到数据电极的作用。
导电粘合剂层230形成在设置有第一电极220的基板210上。类似于应用了倒装芯片型发光器件的显示装置，导电粘合剂层230可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电膏、含有导电粒子的溶液等。然而，本实施例示出了导电粘合剂层230由各向异性导电膜实现的情况。
当在第一电极220位于基板210上的情况下设置各向异性导电膜、然后施加热压以将半导体发光器件250连接至此时，半导体发光器件250电连接至第一电极220。此时，半导体发光器件250可以优选布置在第一电极220上。
如上所述，因为各向异性导电膜在施加有热压时在厚度方向上部分具有导电性，因而产生了电连接。因此，各向异性导电膜被分隔成具有导电性的部分231和在其厚度方向上没有导电性的部分232。
此外，各向异性导电膜包含粘合剂成分，因此导电粘合剂层230在半导体发光器件250与第一电极220之间实现机械耦接以及电耦接。因此，半导体发光器件250设置在导电粘合剂层230上，从而在显示装置中配置单独的子像素。
半导体发光器件250可以具有优良的亮度特性，因此即使其尺寸较小，也可以配置各个子像素。单个半导体发光器件250的一个边的长度的尺寸可以小于80μm，并且形成有矩形或正方形元件。在矩形元件的情况下，其尺寸可以小于20×80μm。
半导体发光器件250可以是垂直结构。沿与第一电极220的长度方向交叉的方向布置、并且电连接至垂直半导体发光器件250的多个第二电极240可以位于垂直半导体发光器件之间。
参照图9，垂直半导体发光器件可以包括：p型电极256；p型半导体层255，形成有p型电极256；有源层254，形成在p型半导体层255上；n型半导体层253，形成在有源层254上；以及n型电极252，形成在n型半导体层253上。在这种情况下，位于垂直半导体发光器件底部的p型电极256可以通过导电粘合剂层230电连接至第一电极220，而位于垂直半导体发光器件顶部的n型电极252可以电连接至第二电极240，这将后文描述。这些电极可以在垂直半导体发光器件250中沿向上/向下方向布置，从而提供能够减小芯片尺寸的巨大优势。
再次参照图8，荧光体层280可以形成在半导体发光器件250的一个表面上。例如，半导体发光器件250是发出蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件251，将蓝色(B)光转换为子像素的颜色的荧光体层280可以设置在其上。在这种情况下，荧光体层280可以是构成各个像素的红色荧光体281和绿色荧光体282。
换句话说，能够将蓝色光转换为红色(R)光的红色荧光体281可以沉积在处于实现红色子像素的位置的蓝色半导体发光器件251上，并且能够将蓝色光转换为绿色(G)光的绿色荧光体282可以沉积在处于实现绿色子像素的位置的蓝色半导体发光器件251上。此外，只有蓝色半导体发光器件251可以在实现蓝色子像素的位置处单独使用。在这种情况下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可以实现一个像素。然而，本公开文本不限于此，如上所述，在应用了倒装芯片型发光器件的显示装置中，用于实现蓝色、红色和绿色的其它结构也可适用于此。
再次考虑本实施例，第二电极240位于半导体发光器件250之间，并电连接至半导体发光器件250。例如，半导体发光器件250可以布置成多行，并且第二电极240可以位于该多行半导体发光器件250之间。
由于构成各个像素的半导体发光器件250之间的距离足够大，第二电极240可以位于半导体发光器件250之间。第二电极240可以形成为沿一个方向延长的棒状电极，并且沿与第一电极垂直的方向布置。
此外，第二电极240可以通过从第二电极240突出的连接电极电连接至半导体发光器件250。更具体地，连接电极可以是半导体发光器件250的n型电极。例如，n型电极形成为用于欧姆接触的欧姆电极，并且第二电极通过印刷或沉积覆盖欧姆电极的至少一部分。通过这样，第二电极240可以电连接至半导体发光器件250的n型电极。
根据附图，第二电极240可以位于导电粘合剂层230上。根据不同的情况，包含氧化硅(SiOx)的透明绝缘层可以形成在形成有半导体发光器件250的基板210上。当透明绝缘层形成然后将第二电极240设置在透明绝缘层上时，第二电极240可以位于透明绝缘层上。此外，第二电极240可以形成为与导电粘合剂层230或透明绝缘层分开。
如果使用诸如氧化铟锡(ITO)等透明电极将第二电极240设置在半导体发光器件250上，则ITO材料具有的问题是与n型半导体的粘合性差。因此，第二电极240可以设置在半导体发光器件250之间，从而获得的优点是不需要透明电极。因而，具有良好粘合性的n型半导体层和导电材料可以用作水平电极，而不会受到透明材料的选择限制，从而提高光提取效率。
根据附图，分隔壁290可以形成在半导体发光器件250之间。换句话说，分隔壁290可以布置在垂直半导体发光器件250之间，以分隔开构成各个像素的半导体发光器件250。在这种情况下，分隔壁290可以起到将各个子像素彼此分开的作用，并且与导电粘合剂层230形成为整体。例如，当半导体发光器件250插入到各向异性导电膜中时，各向异性导电膜的基底元件可以形成分隔壁。
此外，当各向异性导电膜的基底元件是黑色时，分隔壁290可以具有反射特性，同时在没有额外黑色绝缘体的情况下增加了对比度。在另一个示例中，反射分隔壁可以单独地设置有分隔壁290。在这种情况下，分隔壁290可以根据显示装置的目的包括黑色或白色绝缘体。
如果第二电极240精确地位于半导体发光器件250之间的导电粘合剂层230上，则分隔壁290可以位于半导体发光器件250与第二电极240之间。因而，使用半导体发光器件250，即使尺寸小，也可以配置各个子像素，并且半导体发光器件250之间的距离可以相对足够大，以将第二电极240设置在半导体发光器件250之间，从而具有实现具有HD图像质量的柔性显示装置的作用。此外，根据附图，黑色矩阵291可以布置在每一个荧光体层之间以增强对比度。换句话说，黑色矩阵191可以增强亮度的对比度。
如上所述，半导体发光器件250位于导电粘合剂层230上，从而构成显示装置上的各个像素。由于半导体发光器件250具有优良的亮度特性，因此即使其尺寸小，也可以构成各个子像素。结果是，可以实现全色显示，其中红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素通过半导体发光器件实现一个像素。
当倒装芯片类型应用于使用本公开文本的前述半导体发光器件的显示装置时，第一电极和第二电极可以布置在同一平面上，从而导致难以实现细间距(fine pitch)的问题。下文将描述应用了根据本公开文本的另一个实施例的倒装芯片型发光器件的显示装置。
图10是示出图1中的部分“A”的放大图，示出了应用了新型半导体发光器件的本公开文本的另一个实施例，图11a是沿着图10中的线E-E截取的横截面图，图11b是沿着图10中的线F-F截取的横截面图，以及图12是示出图11a中的倒装芯片型半导体发光器件的概念图。
根据图10、图11a和图11b，使用无源矩阵(PM)型半导体发光器件的显示装置1000被示出为使用半导体发光器件的显示装置1000。然而，下文描述的示例也可适用于有源矩阵(AM)型半导体发光器件。
显示装置1000可以包括基板1010、第一电极1020、导电粘合剂层1030、第二电极1040以及多个半导体发光器件1050。这里，第一电极1020和第二电极1040可以分别包括多个电极线。
作为其上布置有第一电极1020的布线基板的基板1010可以包括聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示装置。另外，如果是柔性绝缘材料，则任何材料可以用于基板1010。第一电极1020可以位于基板1010上，并且形成为沿一个方向延长的棒状电极。第一电极1020可以形成为起到数据电极的作用。
导电粘合剂层1030形成在设置有第一电极1020的基板1010上。类似于应用了倒装芯片型发光器件的显示装置，导电粘合剂层1030可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电膏、含有导电粒子的溶液等。然而，根据本实施例，导电粘合剂层1030可以由粘合剂层代替。例如，当第一电极1020不位于基板1010上而是与半导体发光器件的导电电极一体形成时，可能不需要粘合剂层的导电性。
沿与第一电极1020的长度方向交叉的方向布置并且电连接至垂直半导体发光器件1050的多个第二电极1040可以位于半导体发光器件之间。
根据附图，第二电极1040可以位于导电粘合剂层1030上。换句话说，导电粘合剂层1030布置在布线基板与第二电极1040之间。第二电极1040可以通过接触电连接至半导体发光器件1050。根据前述结构，多个半导体发光器件1050耦接至导电粘合剂层1030，并且电连接至第一电极1020和第二电极1040。
根据不同的情况，包含氧化硅(SiOx)的透明绝缘层可以形成在形成有半导体发光器件1050的基板1010上。当透明绝缘层形成然后将第二电极1040设置在透明绝缘层上时，第二电极1040可以位于透明绝缘层上。此外，第二电极1040可以形成为与导电粘合剂层1030或透明绝缘层分开。
如图所示，多个半导体发光器件1050可以沿与设置在第一电极1020中的多个电极线平行的方向形成多个列。然而，本公开文本不限于此。例如，多个半导体发光器件1050可以沿着第二电极1040形成多个列。
而且，显示装置1000还可以包括形成在多个半导体发光器件1050的一个表面上的荧光体层1080。例如，半导体发光器件1050是发出蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件，并且荧光体层1080执行的作用是将蓝色(B)光转换为子像素的颜色。
荧光体层1080可以是构成各个像素的红色荧光体层1081或绿色荧光体层1082。换句话说，能够将蓝色光转换为红色(R)光的红色荧光体1081可以沉积在处于实现红色子像素的位置的蓝色半导体发光器件1051a上，并且能够将蓝色光转换为绿色(G)光的绿色荧光体1082可以沉积在处于实现绿色子像素的位置的蓝色半导体发光器件1051b上。此外，只有蓝色半导体发光器件1051c可以在实现蓝色子像素的位置处单独使用。在这种情况下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可以实现一个像素。更具体地，一种颜色的荧光体可以沿着第一电极120的每一条线沉积。
因而，第一电极1020的一条线可以是控制一种颜色的电极。换句话说，红色(R)、绿色(B)和蓝色(B)可以沿着第二电极1040依次布置，从而实现多个子像素。然而，本公开文本不限于此，半导体发光器件1050可以与量子点(QD)结合而不是与荧光体结合，以实现诸如红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)等子像素。
另外，显示装置还可以包括布置在每一个荧光体之间的黑色矩阵1091，以增强荧光体层1080的对比度。黑色矩阵1091可以形成为使得在荧光点之间形成间隙，并且黑色材料填充到间隙中。通过这样，黑色矩阵1091可以增强光和影之间的对比度，同时吸收外部光反射。黑色矩阵1091沿荧光体层1080沉积的方向沿着第一电极1020设置在每一个荧光体之间。在这种情况下，荧光体层没有形成在与蓝色半导体发光器件1051对应的位置处，但是黑色矩阵可以通过在其间插入没有荧光体层的空间(或者在其间插入蓝色半导体发光器件1051c)而形成在两侧。
再次参照根据本示例的半导体发光器件1050，对于本例子中的半导体发光器件1050，电极布置在顶部/底部这两者，从而具有减小芯片尺寸的优点。然而，电极布置在顶部/底部，但是本公开文本的半导体发光器件可以是倒装芯片型发光器件。
参照图12，例如，半导体发光器件1050可以包括：第一导电电极1156；第一导电半导体层1155，形成有第一导电电极1156；有源层1154，形成在第一导电半导体层1155上；第二导电半导体层1153，形成在有源层1154上；以及第二导电电极1152，形成在第二导电半导体层1153上。
更具体地，第一导电电极1156和第一导电半导体层1155可以分别是p型电极和p型半导体层，第二导电电极1152和第二导电半导体层1153可以分别是n型电极和n型半导体层。然而，本公开文本不限于此，并且也可以具有这样一个例子，其中第一导电类型是n型，而第二导电类型是p型。
更具体地，第一导电电极1156形成在第一导电半导体层1155的一个表面上，有源层1154形成在第一导电半导体层1155的另一个表面与第二导电半导体层1153的一个表面之间，并且第二导电电极1152形成在第二导电半导体层1153的一个表面上。
在这种情况下，第二导电电极可以布置在第二导电半导体层1153的一个表面上，未掺杂半导体层1153a可以形成在第二导电半导体层1153的另一个表面上。
参照图12与图10至图11b，第二导电半导体层的一个表面可以是离布线基板最近的表面，而第二导电半导体层的另一个表面可以是离布线基板最远的表面。此外，第一导电电极1156和第二导电电极1152形成为在沿着半导体发光器件的宽度方向的分开位置处沿宽度方向和垂直方向(或厚度方向)具有高度差。
第二导电电极1152使用高度差形成在第二导电半导体层1153上，但是与位于半导体发光器件的上侧的第二电极1040相邻布置。例如，第二导电电极1152的至少一部分可以沿着宽度方向从第二导电半导体层1153的侧表面(或未掺杂半导体层1153a的侧表面)突出。因此，由于第二导电电极1152从侧表面突出，因而第二导电电极1152可能暴露于半导体发光器件的上侧。通过这样，第二导电电极1152布置在与布置在导电粘合剂层1030的上侧的第二电极1040重叠的位置处。
更具体地，半导体发光器件可以包括从第二导电电极1152延伸并且从多个半导体发光器件的侧表面突出的突出部1152a。在这种情况下，基于突出部1152a，可以表示第一导电电极1156和第二导电电极1152沿着突出部1152a的突出方向布置在分开的位置处，并且形成为沿与突出方向垂直的方向彼此具有高度差。
突出部1152a从第二导电半导体层1153的一个表面延伸到其侧表面，并且延伸到第二导电半导体层1153的上表面，更具体地，延伸到未掺杂半导体层1153a的上表面。突出部1152a从未掺杂半导体层1153a的侧表面沿着宽度方向突出。因而，突出部1152a可以基于第二半导体层在第一导电电极的相对侧电连接至第二电极1040。
具有突出部1152a的结构可以是这样一种结构，其中可以使用前述水平半导体发光器件和垂直半导体发光器件的优点。同时，通过在未掺杂半导体层1153a的离第一导电电极1156最远的上表面进行粗加工(roughing)来形成细沟槽。
根据前述显示装置，从半导体发光器件发出的光使用荧光体来激发，以实现红色(R)和绿色(G)。此外，前述黑色矩阵(191、291、1091，参见图3b、图8和图11b)充当分隔壁，用于防止荧光体之间的颜色混合。结果是，本公开文本提出了一种能够增大荧光体的填充空间的荧光体层结构，或者与能够允许其柔性的相关技术不同的一种新型分隔壁结构。
此外，如上所述的显示装置具有用于在每一个像素上沉积相同形状的荧光体以实现红色、绿色和蓝色的真实ppi型结构。本公开文本提供了一种用于以pentile方式实现显示装置的新型结构。
下文将参考附图更详细地描述具有新型分隔壁结构的pentile型显示装置的结构。具体地，图13是示出图1的部分“A”的放大图，示出了本公开文本的另一个实施例，图14a是沿着图13中的线G-G截取的横截面图，图14b是沿着图13中的线H-H截取的横截面图，图15是沿着图13中的线I-I截取的横截面图，以及图16是示出图13的部分“J”的平面图。
图13、图14a、图14b、图15和图16示出了使用参考图10至图12描述的倒装芯片型半导体发光器件的显示装置2000。更具体地，新型结构的荧光体层应用于参考图10至图12描述的倒装芯片型半导体发光器件。然而，下文描述的示例也可适用于使用上述不同类型的半导体发光器件的显示装置。
根据下文将描述的本示例，相同或相似的附图标记被指定给与参考图10至图12描述的前述示例的每个配置相同或相似的配置，并且对其的描述将由先前描述来代替。例如，显示装置2000可以包括基板2010、第一电极2020、导电粘合剂层2030、第二电极2040以及多个半导体发光器件2050，并且对其的描述将由参考图10至图12的描述来代替。因而，根据本实施例，导电粘合剂层2030可以由粘合剂层代替，并且多个半导体发光器件可以粘附至布置在基板2010上的粘合剂层，并且第一电极2020可以与半导体发光器件的导电电极一体形成，而不设置在基板2010上。
第二电极2040可以位于导电粘合剂层2030上。换句话说，导电粘合剂层2030布置在布线基板与第二电极2040之间。第二电极2040可以通过接触电连接至半导体发光器件2050。
如上所述，显示装置2000可以包括布置为覆盖多个半导体发光器件2050的荧光体层2080。例如，半导体发光器件2050是发出蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件，并且荧光体层2080执行将蓝色(B)光转换为子像素的颜色的功能。
根据附图，荧光体层2080可以包括用于转换光的波长的多个荧光体部分2084。多个荧光体部分2084可以包括设置有红色荧光体的红色荧光体部分2084a以及设置有绿色荧光体的绿色荧光体部分2084b。能够将蓝色光转换为红色(R)光的红色荧光体部分2084a可以沉积在处于实现红色像素的位置的蓝色半导体发光器件2051a上，并且能够将蓝色光转换为绿色(G)光的绿色荧光体部分2084b可以沉积在处于实现绿色像素的位置的蓝色半导体发光器件2051b上。
另外，一个分隔壁部2085布置在红色荧光体部分2084a与绿色荧光体部分2084b之间。在这种情况下，多个分隔壁部2085中的至少一个沿着荧光体层2080的厚度方向与多个半导体发光器件中的至少一个重叠。此外，多个分隔壁部2085中的至少一个形成为沿着荧光体层2080的厚度方向传输光。更具体地，一个分隔壁部2085布置在处于实现蓝色像素的部分的蓝色半导体发光器件2085c上，以将从蓝色半导体发光器件2051c发出的光传输到外部，而不转换光。
在这种情况下，与蓝色对应的分隔壁部、绿色荧光体部分、红色荧光体部分以及与蓝色对应的分隔壁部可以交替沉积以依次布置发出蓝色光和绿色光的像素以及发出红色光和绿色光的像素。
与一种颜色对应的荧光体部分或分隔壁部可以不沿着第一电极2020的每一条线形成，但是一条线可以是用于控制一种颜色的电极，而另一条线可以是用于控制多种颜色的线。例如，绿色荧光体部分可以布置在第一电极2020的一条线上，而红色荧光体部分以及与蓝色对应的分隔壁部可以交替布置在第一电极2020的另一条线上。
此外，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)可以沿着第二电极2040依次布置，从而实现子像素共享红色和蓝色的显示装置。然而，本公开文本不限于此，量子点(QD)而不是荧光体可以填充到荧光体部分中以实现发出红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素。
在更具体的示例中，多个分隔壁部2085可以包括第一分隔壁部2086和第二分隔壁部2087。第一分隔壁部2086布置成覆盖在多个半导体发光器件之间。因而，多个荧光体部分2084的至少一部分通过在其间插入第一分隔壁部2086来布置。在这种情况下，多个荧光体部分2084的至少一部分可以包括红色荧光体、绿色荧光体以及黄色荧光体中的至少之一。更具体地，第一分隔壁部2086位于这样一部分处，该部分中蓝色像素没有布置在重复形成的红色荧光体部分2084a和绿色荧光体部分2084b之间。因而，半导体发光器件没有布置在第一分隔壁部2086下方。
另外，第二分隔壁部2087布置为覆盖多个半导体发光器件中的至少一个。在这种情况下，由第二分隔壁部2087覆盖的多个半导体发光器件中的至少一个可以包括蓝色半导体发光器件2051c。换句话说，第二分隔壁部2087位于这一部分处，在该部分中蓝色像素布置在位于重复形成的红色荧光体部分2084a和绿色荧光体部分2084b之间的空间中。因而，蓝色半导体发光器件2051c布置在第二分隔壁部2087下方。
为了实现上述结构，第一分隔壁部2086和第二分隔壁部2087可以分别在发出红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素内逐个布置。此外，第一分隔壁部2086和第二分隔壁部2087可以沿着与荧光体层2080的厚度方向垂直的方向形成为不同的宽度尺寸。
在这种情况下，第一分隔壁部2086配置为具有的宽度尺寸小于第二分隔壁部2087的宽度尺寸。第二分隔壁部2087的宽度配置为等于或大于半导体发光器件2050的宽度，因而，第一分隔壁部2086的宽度可以形成为小于半导体发光器件2050的宽度。
更具体地，第二分隔壁部2087的宽度的尺寸可以是像素之间的间距的70％至135％。这是因为，如果第二分隔壁部2087太大，则可能不能充分确保红色和绿色像素的发光区域，而如果第二分隔壁部2087太小，则蓝色像素和红色像素之间或者蓝色像素和绿色像素之间可能发生光干扰。
另外，第一分隔壁部2086的宽度的尺寸可以是像素之间的间距的10％至40％。例如，当间距为30微米时，第一分隔壁部2086的宽度可以形成为小于10微米。目的是要充分确保其发光面积。
根据附图，荧光体部分2084的宽度可以配置为大于半导体发光器件2050的宽度。另外，子像素内只能存在两个分隔壁部，这两个分隔壁部中的一个(例如，第一分隔壁部)的宽度可能减小，从而进一步增加荧光体部分2084的宽度。因此，荧光体部分2084的宽度可以增加从而与相关技术相比进一步确保荧光体部分的填充空间，从而进一步增加了填充在其中的荧光体的量。在这种情况下，填充到荧光体部分中的荧光体粒子尺寸可以为3至15微米。
另外，多个分隔壁部分别沿着彼此相交的第一方向和第二方向依次布置在荧光体部分之间。因此，可以防止沿垂直方向(对应于第一方向)和水平方向(对应于第二方向)的光泄漏。此外，依次布置的多个分隔壁部中的至少一个与多个半导体发光器件中的至少一个重叠。通过这样，沿水平方向和垂直方向的新型分隔壁结构可适用于pentile型显示装置。
这里，第一分隔壁部2086和第二分隔壁部2087可以形成为沿水平方向和垂直方向形成不同的宽度尺寸。例如，用于传输蓝色光的第二分隔壁部2087可以在垂直方向和水平方向上形成不同的宽度。根据附图，示出了垂直方向上的宽度大于水平方向上的宽度。
另外，第一分隔壁部2086和第二分隔壁部2087可以形成为使得像素彼此不连接。因此，在连接空间的情况下，可以消除或防止光引导和干扰其他像素。
此外，根据附图，用于降低反射率的防反射涂层2090可以形成在多个分隔壁部的底面上。防反射涂层2090可以包括非导电材料，从而允许其在第二电极2040与分隔壁部之间绝缘。
更具体地描述分隔壁部2085的结构，多个分隔壁部形成为将透光材料填充到金属薄膜2088所包围的空间中。例如，多个分隔壁部2085包括形成在其边缘处的一个或多个金属薄膜2088，并且形成为在金属薄膜2088之间填充透光材料2089。
作为在可见光区域具有高透光率的材料，例如，环氧树脂基光致抗蚀剂(PR)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、树脂等可以用于透光材料2089。这些材料适合于应用于柔性显示器的分隔壁部的材料，因为它们在高温下不具有硬化特性。
第二分隔壁部2087覆盖蓝色半导体发光器件，因此透光材料2089在与蓝色像素对应的部分处与蓝色半导体发光器件重叠。在这种情况下，与蓝色半导体发光器件重叠的透光材料2089可以沿着第一方向和第二方向中的任何一个布置在绿色荧光体部分之间，并且沿着第一方向和第二方向中的另一个方向布置在红色荧光体部分之间。根据本示例，与蓝色半导体发光器件重叠的透光材料2089沿水平方向布置在绿色荧光体部分之间，并且沿垂直方向布置在红色荧光体部分之间。
另外，多个分隔壁部可以分别具有至少一倾斜平面，并且金属薄膜可以分别设置在沿着水平方向和垂直方向中的至少一个方向依次布置的多个平面上。例如，每一个荧光体部分可以沿着水平方向和垂直方向由金属薄膜包围。
此外，金属薄膜2088可以形成为覆盖荧光体部分2084的侧表面以反射光。根据这种结构，红色或绿色荧光体部分的所有四个表面可以涂布有金属薄膜。
金属薄膜2088可以包括沿水平方向布置在分隔壁部2085的一对边处的第一金属薄膜2088a和第二金属薄膜2088b。此外，金属薄膜2088可以包括沿垂直方向布置在分隔壁部2085的一对边处的第三金属薄膜2088c和第四金属薄膜2088d。
金属薄膜2088可以分别具有50至1000纳米的厚度。更具体地，第一金属薄膜2088a、第二金属薄膜2088b、第三金属薄膜2088c以及第四金属薄膜2088d可以分别形成为100至200纳米。金属薄膜2088可能不存在于分隔壁部的上端和下端。因此，穿过透光材料的光可以从分隔壁部的上端发射到外部。
第一金属薄膜2088a、第二金属薄膜2088b、第三金属薄膜2088c以及第四金属薄膜2088d由在可见光区域具有高反射率的诸如铝、银等金属材料形成以反射光，从而防止荧光体部分之间的混色。然而，本公开不限于此，例如，金属薄膜可以用诸如TiOx、CrOx等氧化物薄膜来代替，或者分布式布拉格反射器(DBR)结构也可适用于此。
如图所示，金属薄膜2088可以由单个金属薄膜形成，但是本公开文本不限于此。例如，金属薄膜2088可以形成有多层薄膜，如图18a所示。特别地，图18a和图18b是分别示出图15中的分隔壁部的变形示例的截面图。
如图所示，具有用于增强氧化保护和粘合性的另一种材料的金属薄膜(I1、I2)可以形成在金属薄膜2088的一个表面上。在这种情况下，钛、镍、铬等可以用于另一种材料。
在另一种示例中，如图18b所示，绝缘膜(I3)可以形成在金属薄膜2088和透光材料之间。绝缘膜(I3)可以由不透明材料形成，例如，可以使用SiO2、SiNx等。对于另一个示例，绝缘膜(I3)可以是黑色矩阵。在这种情况下，黑色矩阵可以发挥导致增强对比度的额外作用。
再次参照图16，多个分隔壁部2085中的至少一个可以包括第一部分2085e和第二部分2085f。金属薄膜2088可以布置在多个分隔壁部2085的边处，因此，金属薄膜2088可以包括类似于分隔壁部2085的第一部分2088e和第二部分2088f。
第一部分2085e沿着第一方向(垂直方向)延伸，而第二部分2085f沿与第一方向垂直的第二方向(水平方向)从第一部分2085e的端部突出。通过这种结构，分隔壁部在分别包围半导体发光器件的同时彼此连接。
在另一个示例中，参照图17a、图17b、图17c、图17d和图17e，多个分隔壁部2085中的至少一个可以沿着第一方向或第二方向与相邻的分隔壁部分开。图17a、图17b、图17c、图17d和图17e是示出图16中的分隔壁部的变形示例的平面图。
通过部分分离，可以确保与显示装置的柔性。例如，如图17a所示，其可以是按照单元单位(cell unit)断开的封闭结构，其中在单元单位中多个分隔壁部彼此断开(一个单位包含三个半导体发光器件，CU)，并且在一个单位中封闭。在单元单位(CU)中，与蓝色对应的分隔壁部可以布置在绿色荧光体部2084b之间，或者与绿色荧光体部分2084b、红色荧光体部分2084a以及蓝色对应的分隔壁部都可以布置在其上。
根据附图，为了提高刚性，突出部2085c可以从第一部分和第二部分彼此相交的位置突出。此外，突出部2085c可以从位于单元单位的边缘的分隔壁部突出。在这种情况下，参考图13、图14a、图14b和图15描述的上述结构可以是按照单元单位连接的封闭结构。
在另一个示例中，也可以使用在相同颜色的像素之间沿垂直方向没有分隔壁的结构，如图17b所示。更具体地，绿色荧光体部分2084b可以彼此连接，而在垂直方向，即第二电极延伸的方向上不存在分隔壁。
在又一个示例中，按照单元单位断开的开放结构也可以用作在单元单位(CU)中断开分隔壁的结构，并且其一部分不布置在单元内，如图17c所示。根据附图，在单元单位(CU)中沿着垂直方向的上侧没有分隔壁，因此其一部分在单元单位(CU)中是开放的。另外，还可以使用按照单元单位(CU)等连接的非对称结构，如图17d所示。
因此，根据本公开文本，分隔壁部可以用于各种结构，例如形成彼此连接的封闭结构或者形成一侧突出结构，其中仅形成相邻分隔壁部的一侧以阻挡这一侧，等等。此外，本公开文本可以通过分隔壁部彼此分离但其一部分彼此连接的结构，来提高同时确保柔性和刚性的设计自由度。
在另一个示例中，如图17e所示，与每一个子像素对应的分隔壁部的宽度的尺寸可以彼此不同。例如，分隔壁部和荧光体部分可以彼此耦接以形成蜂窝形状，但是蜂窝形状的每一个腔室的尺寸可以彼此不同。
更具体地，第一分隔壁部2086和第二分隔壁部2087的宽度可以分别沿水平方向或垂直方向变化。通过这样，根据本公开文本，具有红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的每一个区域的尺寸可以不同。
例如，与蓝色对应的第二分隔壁部2087、绿色荧光体部分2084b和红色荧光体部分2084a可以形成为彼此具有不同的尺寸。如图所示，红色荧光体部分2084a以及与蓝色对应的第二分隔壁部2087的尺寸可以大于绿色荧光体部分2084b的尺寸。可选择地，它们的尺寸可以按照红色荧光体部分2084a、与蓝色对应的第二分隔壁部2087以及绿色荧光体部分2084b的顺序逐渐减小，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的每一个区域的尺寸可以不同。
此外，可以通过沿着垂直方向改变荧光体部分或分隔壁部的长度来实现尺寸的改变。在这种情况下，红色荧光体部分2084a以及与蓝色对应的第二分隔壁部2087的垂直方向的长度可以大于绿色荧光体部分2084b的垂直方向的长度。在另一个示例中，红色荧光体部分2084a的垂直方向的长度最大，并且垂直方向的长度按照与蓝色对应的第二分隔壁部2087以及绿色荧光体部分2084b的顺序减小。然而，本公开文本不限于此，并且水平方向的长度也可以改变。
根据如上所述的新型荧光体层结构，可以实现适合于具有柔性特性的显示器的分隔壁部。下文将参考附图更详细地描述如上所述的新型荧光体层结构的制造方法。图19a、图19b、图19c、图20a、图20b、图20c、图20d和图20e是示出本公开文本的使用半导体发光器件的显示装置的制造方法的横截面图，以及图21是示出图20b中的沉积金属薄膜的概念的概念图。
图19a、图19b和图19c是示出使用本公开文本的半导体发光器件的显示装置的制造方法的视图，参考沿图13中的方向G-G看到的横截面图，以及图20a、图20b、图20c、图20d和图20e是示出使用本公开文本的半导体发光器件的显示装置的制造方法的视图，参考沿图13中的方向H-H看到的横截面图。
首先，根据制造方法，执行将多个半导体发光器件耦接到基板的工艺。例如，例如，在生长基板上生长第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层，并且通过蚀刻产生每一个半导体发光器件，然后形成第一导电电极2156和第二导电电极2152(图19a)。
生长基板2101(晶片)可以由具有透光性的材料形成，例如，蓝宝石(Al2O3)、GaN、ZnO和AlO中的任何一种，但不限于此。此外，生长基板2101可以由适合于半导体材料生长、载体晶片的材料形成。生长基板2101可以由具有高热导率的材料形成，并且使用热导率高于蓝宝石基板(Al2O3)的热导率的SiC基板，或者使用包括导电基板或绝缘基板的Si、GaAs、GaP、InP和Ga2O3中的至少之一。
第一导电电极2156和第一导电半导体层可以分别是p型电极和p型半导体层，而第二导电电极2152和第二导电半导体层可以是n型电极和n型半导体层。然而，本公开文本不限于此，而是还可以具有这样的例子，其中第一导电类型是n型，而第二导电类型是p型。
在这种情况下，如上所述，第二导电电极2152的至少一部分从第二导电半导体层(或未掺杂半导体层2153a的侧表面)的侧表面突出。接下来，使用导电粘合剂层2030将倒装芯片型半导体发光器件耦接到布线基板，并去除生长基板(图19b)。
布线基板是这样一种结构，其中第一电极2020形成在其上，并且作为下布线层的第一电极2020通过导电粘合剂层2030内的导电球等电连接至第一导电电极2156。
然后，蚀刻去除未掺杂半导体层2153a，然后形成与突出的第二导电电极2152连接的第二电极2040(图19c)。作为上布线层，布线可以直接连接至第二导电电极2152。
然而，本公开文本不限于此，未掺杂半导体层可以由用于吸收UV激光的另一种类型的吸收层代替。吸收层可以是缓冲层，并且在低温环境中形成，并且由能够消除半导体层与生长基板之间的晶格常数差异的材料形成。例如，吸收层可以包括诸如GaN、InN、AlN、AlInN、InGaN、AlGaN和InAlGaN等材料。
此外，涂布用于降低反射率的防反射涂层2090以覆盖通过该工艺形成的半导体发光器件。换句话说，执行在多个半导体发光器件与透光材料(将后文描述)之间形成防反射涂层2090的工艺。防反射涂层2090可以包括非导电材料，例如，非导电材料可以涂布在导电粘合剂层的一个表面上以覆盖第二电极2040。通过这种结构，可以实现与第二电极2040和分隔壁部的绝缘结构。
接下来，形成布置为覆盖多个半导体发光器件的荧光体层。荧光体层可以包括用于转换光的波长的多个荧光体部分以及形成在多个荧光体部分之间的多个分隔壁部。在这种情况下，多个分隔壁部中的至少一个可以沿着荧光体层的厚度方向与多个半导体发光器件中的至少一个重叠。
根据附图，首先，可以执行形成分隔壁部的工艺。参照图20a，透光材料(RT)涂布在多个半导体发光器件上。作为在可见光区域具有高透光率的材料，如上所述，环氧树脂基光致抗蚀剂(PR)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、树脂等可以用于透光材料(RT)。
然后，执行蚀刻透光材料(RT)，并将荧光体填充到将透光材料(RT)蚀刻掉的部分(LR)中以产生荧光体部分。更具体地，参照图20B，对透光材料(RT)进行蚀刻，在这种情况下，不蚀刻与多个半导体发光器件中的至少一个对应的部分的透光材料(RT)。换句话说，由于蚀刻，透光材料(RT)可以分隔成布置为覆盖在多个半导体发光器件之间的部分(LT1)以及布置为覆盖多个半导体发光器件中的至少一个的部分(LT2)。
在这种情况下，多个分隔壁部可以被蚀刻以分别沿彼此相交的垂直方向和水平方向依次布置在荧光体部分之间。此外，多个分隔壁部可以被蚀刻成包括第一部分、第二部分和突出部的形状。例如，蚀刻的透光材料可以包括从第一部分的端部突出的第二部分或突出部分，以沿着金属薄膜的沉积方向掩盖透光材料的至少一部分。
参照图20c，执行蚀刻透光材料然后在透光材料(RT)上沉积金属薄膜2088的工艺。通过这样，该工艺可以被执行以使金属薄膜包围透光材料未被蚀刻掉的部分。
在这种情况下，可以使用沉积技术或溅射将金属薄膜2088沉积在透光材料(RT)的整个外表面上。如上所述，金属薄膜可以由在可见光区域中具有高反射率的诸如铝、银等金属材料形成。
这里，当运用公知原理使用设备沉积金属薄膜时，可以通过预定高度和宽度比来调节内侧表面上的沉积水平。然后，去除金属薄膜的至少一部分，以将从半导体发光器件发出的光传输到与多个半导体发光器件中的至少一个对应的部分(参照图20d)。
例如，可以从分隔壁部的上表面(离半导体发光器件最远的表面)去除金属薄膜，在这种情况下，金属薄膜的上部可以通过干蚀刻去除以最小化对半导体发光器件的影响。此外，此时，防反射涂层可以从不包括分隔壁部的区域去除。根据该工艺，用于降低反射率的防反射涂层可以仅形成在多个分隔壁部的底面。
接下来，如图20e所示，荧光体填充在沉积有金属薄膜的透光材料之间，以产生荧光体部分。对于产生荧光体部分的示例，首先，可以使用涂布和显影光致抗蚀剂然后依次涂布红色荧光体和绿色荧光体的方法。
在另一个示例中，可以使用在沉积有金属薄膜的透光材料之间填充黄色荧光体、然后粘附按照红色、绿色和蓝色重复的滤色器的方法。在这种情况下，荧光体部分可以与滤色器结合以实现红色、绿色和蓝色子像素。
在上述内容中，已经基于绿色荧光体部分布置在沿着垂直方向排列的第一电极2020的一条线上，而红色荧光体部分以及与蓝色对应的分隔壁部交替地布置在第一电极2020的另一条线上的情况描述了本公开文本的构造。本公开文本不限于此，并且荧光体部分的排列可以以各种方式变型。在下文中，将参考图22a和图22b描述这种变型示例。
图21和图22是示出本公开的其他示例的概念图。参照图21，参考图13至图18b的前述示例中的绿色荧光体部分2084b的一部分可以由黄色荧光体部分2084c代替。
具体地，透光材料可以沿着第一方向和第二方向中的任何一个方向布置在绿色荧光体部分2084b与黄色荧光体部分2084c之间，并且沿着第一方向和第二方向中的另一个方向布置在红色荧光体部分2084a之间。例如，绿色荧光体部分2084b和黄色荧光体部分2084c可以交替地布置在第一电极2020的一条线上，而红色荧光体部分2084a以及与蓝色对应的分隔壁部可以交替地布置在第一电极2020的另一条线上。
根据这种排列，得到这样一种结构，其中红色、绿色、蓝色和黄色荧光体部分沿水平方向排列在第一列，蓝色、黄色、红色和绿色荧光体部分排列在下一列。在另一个示例中，参照图22，参考图13至图18b的前述示例中的绿色荧光体部分2084b的一部分可以由白色荧光体部分2084d代替。
具体地，透光材料可以沿着第一方向和第二方向中的任何一个方向布置在绿色荧光体部分2084b与白色荧光体部分2084d之间，并且沿第一方向和第二方向中的另一个方向布置在红色荧光体部分2084a之间。例如，绿色荧光体部分2084b和白色荧光体部分2084d可以交替地布置在第一电极2020的一条线上，而红色荧光体部分2084a以及与蓝色对应的分隔壁部可以交替地布置在第一电极2020的另一条线上。
根据这种排列，允许这样一种结构，其中红色、绿色、蓝色和白色荧光体部分沿水平方向排列在第一列，而蓝色、白色、红色和绿色荧光体部分排列在下一列。
本发明涵盖了本文讨论的每个示例和实施例的各种变型。根据本发明，在一个实施例或示例中描述的一个或多个特征可以等同地应用于上述另一个实施例或示例。上述一个或多个实施例或示例的特征可以组合到上述每个实施例或示例中。本发明的一个或多个实施例或示例的任何全部或部分组合也是本发明的一部分。
由于本发明可以在不脱离其精神或基本特征的情况下以多种形式具体实施，还应当理解，除非另有说明，否则上述实施例不受前述描述的任何细节的限制，而是应当在所附权利要求书所限定的精神和范围内宽泛地解释，因此，落入权利要求的范围内的所有改变和变型、或者这些范围的等同项因此旨在被所附权利要求所涵盖。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
基板，包括布线电极；
粘合剂层，布置在所述基板上；
多个半导体发光器件，粘附至所述粘合剂层，并电连接至所述布线电极；以及
荧光体层，布置为覆盖所述多个半导体发光器件，
其中所述荧光体层包括用于转换光的波长的多个荧光体部分、以及形成在所述多个荧光体部分之间的多个分隔壁部，并且
其中所述多个分隔壁部分别沿着彼此相交的第一方向和第二方向依次布置在所述荧光体部分之间，并且依次布置的所述多个分隔壁部中的至少一个与所述多个半导体发光器件中的至少一个重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述多个分隔壁部包括位于金属薄膜所包围的空间中的透光材料。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述多个分隔壁部分别具有至少一倾斜平面，并且所述金属薄膜分别布置在沿着所述第一方向和所述第二方向中的至少一个方向依次布置的多个平面上。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述金属薄膜覆盖所述荧光体部分的侧表面，以将光从所述金属薄膜反射。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述荧光体部分包括红色荧光体部分、绿色荧光体部分和黄色荧光体部分中的至少之一。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述透光材料沿着所述第一方向和所述第二方向中的任何一个方向布置在绿色荧光体部分之间，并且沿着其中的另一个方向布置在红色荧光体部分之间。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述透光材料沿着所述第一方向和所述第二方向中的任何一个方向布置在绿色荧光体部分和黄色荧光体部分之间，并且沿着其中的另一个方向布置在红色荧光体部分之间。
8.根据权利要求7所述的显示装置，还包括：
依次布置的发出蓝色光和绿色光的像素以及发出红色光和绿色光的像素。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述多个分隔壁部包括：
布置为覆盖在所述多个半导体发光器件之间的第一分隔壁部，以及布置成覆盖所述多个半导体发光器件中的至少一个的第二分隔壁部。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中由所述第二分隔壁部覆盖的所述多个半导体发光器件中的至少一个包括蓝色半导体发光器件。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述多个荧光体部分的至少一部分通过在其间插入所述第一分隔壁部布置而成，以及
其中所述第一分隔壁部和所述第二分隔壁部具有沿所述第一方向和所述第二方向形成的不同的宽度尺寸。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述多个分隔壁部中的至少一个包括：
第一部分，沿所述第一方向延伸；以及
第二部分，沿所述第二方向从所述第一部分突出。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述第一方向和所述第二方向中的至少一个形成为连接到相邻的分隔壁部。
14.根据权利要求12所述的显示装置，还包括：
突出部，从所述第一部分和所述第二部分彼此相交的位置处突出。
15.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述多个分隔壁部中的至少一个沿着所述第一方向或所述第二方向与相邻的分隔壁部分离。
16.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
防反射涂层，位于所述多个分隔壁部的底面上。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中所述防反射涂层包括非导电材料。
18.一种显示装置的制造方法，所述方法包括：
将多个半导体发光器件耦接到形成在基板上的粘合剂层；以及
形成布置为覆盖所述多个半导体发光器件的荧光体层，
其中所述荧光体层包括用于转换光的波长的多个荧光体部分、以及形成在所述多个荧光体部分之间的多个分隔壁部，并且所述多个分隔壁部分别沿着彼此相交的第一方向和第二方向依次布置在所述荧光体部分之间，并且依次布置的所述多个分隔壁部中的至少一个与所述多个半导体发光器件中的至少一个重叠。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述的形成所述荧光体层包括：
涂布透光材料以覆盖所述多个半导体发光器件；
蚀刻所述透光材料，然后在所述透光材料上沉积金属薄膜；以及
将荧光体填充到蚀刻掉所述透光材料的部分中，以产生所述荧光体部分，并且
其中所述透光材料在与所述多个半导体发光器件中的至少一个对应的部分没有被蚀刻，并且所述金属薄膜形成为包围未蚀刻所述透光材料的所述部分。
20.根据权利要求19所述的方法，还包括：
在所述多个半导体发光器件与所述透光材料之间形成防反射涂层。
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