CN111684601A - 利用半导体发光元件的显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种显示装置及其制造方法，尤其，涉及一种利用半导体发光元件的显示装置。根据本发明的显示装置，其特征在于，包括：基板；多个单元格，具备从所述基板上凸出的分隔壁，多个所述单元格沿着一个方向依次配置；半导体发光元件，容纳于多个所述单元格中的每一个；以及第一电极，具备配置于多个所述单元格中的每一个的底部的多个电极线，所述第一电极与所述半导体发光元件电连接，多个所述单元格中的每一个的底部具有：第一区域，被多个所述电极线覆盖；以及第二区域，形成在多个所述电极线之间。

Description

利用半导体发光元件的显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种显示装置及其制造方法，尤其，涉及一种利用了半导体发光元件的显示装置。
背景技术
近来，在显示器的技术领域中正在开发薄且具有柔性等的优异特性的显示装置。相反地，目前商业化了的显示器主要以LCD(Liguid Crystal Display：液晶显示器)和AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes：有源矩阵有机发光二极管)为代表。
然而，在LCD的情况下，存在有响应时间不快且难以实现柔性的问题，而在AMOLED的情况下，存在有寿命短、量产效率不佳，而且柔性程度差的问题。
另一方面，发光二极管(Light Emitting Diode：LED)是用于将电流转换为光的众所周知的半导体发光元件，在1962年利用GaAsP(磷砷化镓)化合物半导体的红色LED成为商品化作为契机，与GaP:N系绿色LED一起被用作以信息通信设备为首的电子装置的显示图像用光源。因此，可以利用所述半导体发光元件来实现柔性显示器，从而可以提供解决上述问题的方法。
然而，在利用半导体发光元件的显示器的情况下，存在有难以实现大屏幕的显示装置的问题。因此，可以考虑在利用半导体发光元件的显示器中能够实现大屏幕的显示装置的制造工序。
发明内容
发明所要解决的问题
本发明的一目的在于，实现具有崭新结构的显示装置。
本发明的另一目的在于，提供一种用于实现显示装置的崭新的制造工序。
本发明的另一目的在于，提供一种崭新的制造工艺，其在将生长的半导体发光元件转移到电路基板的过程中，能够减少转移工序并能够提高转移精度。
解决问题的技术方案
根据本发明的显示装置，其特征在于，包括：基板；多个单元格，其具备从所述基板上凸出的分隔壁，并沿着一个方向依次配置；半导体发光元件，其容纳于多个所述单元格中的每一个；以及第一电极，其具备配置于多个所述单元格中的每一个的底部的多个电极线，并且与所述半导体发光元件电连接，多个所述单元格中的每一个的底部具有：被所述多个电极线覆盖的第一区域；和形成在多个所述电极线之间的第二区域。
实施例中，其特征在于，所述基板还包括介电层，其用于使所述第一电极与外部电极形成电场。
实施例中，其特征在于，在多个所述单元格中的每一个的内部，通过形成在多个所述电极线之间的所述第二区域来形成所述电场。
实施例中，其特征在于，设置于多个所述单元格的所述分隔壁形成为，覆盖配置于多个所述单元格中的每一个的所述第一电极的至少一部分。
实施例中，其特征在于，所述分隔壁由聚合物(polymer)材料形成，通过所述分隔壁在多个所述单元格中的每一个的内部形成所述电场。
实施例中，其特征在于，所述分隔壁的至少一部分形成为覆盖所述第一电极的至少一部分，所述分隔壁的其余部分覆盖所述介电层。
实施例中，其特征在于，所述第二区域具有多个狭缝(slit)，多个所述狭缝被设置于所述第一电极的多个所述电极线分隔。
实施例中，其特征在于，分别容纳于多个所述单元格中的每一个的内部的所述半导体发光元件包括：第一导电型电极；第二导电型电极；第一导电型半导体层，其配置有所述第一导电型电极；第二导电型半导体层，其与所述第一导电型半导体层重叠并配置有所述第二导电型电极；以及活性层，其配置在所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间，所述第一导电型电极配置成与所述第一电极相向。
实施例中，其特征在于，所述半导体发光元件利用由所述第一电极和外部电极所形成的电场来容纳于多个所述单元格。
实施例中，其特征在于，还包括第二电极，所述第二电极在配置于所述第二导电型电极的至少一部分，并由沿着与所述第一电极交叉的方向延伸的实施例中，所述基板具有一个表面和另一个表面，在所述基板的一个表面设置有所述第一电极，而在所述基板的另一个表面设置有第三电极，在所述基板的一侧形成有贯通所述基板的导通孔。
实施例中，其特征在于，所述第二电极和所述第二导电型电极经由所述导通孔与所述第三电极电连接。
实施例中，其特征在于，所述基板具有一个表面和另一个表面，在所述基板的一个表面设置有所述第一电极，在所述基板的另一个表面设置有第三电极，通过所述第一电极和第三电极在多个所述单元格中的每一个形成电场。
实施例中，其特征在于，多个所述单元格以矩阵结构排列，多个所述电极线延伸至相邻的多个所述单元格。
实施例中，其特征在于，在所述分隔壁和所述半导体发光元件之间填充有绝缘物质。
发明效果
在根据本发明的显示装置中，可以利用由布线电极所形成的电场来转移半导体发光元件，由此将半导体发光元件组装到正位置，从而能够提高组装效率。
此外，在根据本发明的显示装置中，可以在没有额外的掩膜过程的情况下，利用电场来能够选择性地转移红色、绿色以及蓝色半导体发光元件，从而能够提高转移工序效率。
附图说明
图1是表示本发明的利用半导体发光元件的显示装置的一实施例的概念图。
图2是图1中A部分的局部放大图，图3a和图3b分别是沿图2的B-B线和C-C线剖开的剖视图。
图4是表示图3的倒装芯片型半导体发光元件的概念图。
图5a至图5c是表示与倒装芯片型半导体发光元件相关的用于实现颜色的各种形式的概念图。
图6是表示本发明的利用半导体发光元件的显示装置的制造方法的剖视图。
图7是表示本发明的利用半导体发光元件的显示装置的另一实施例的立体图。
图8是沿图7的C-C线剖开的剖视图。
图9是表示图8的垂直型半导体发光元件的概念图。
图10和图11是用于说明根据本发明的崭新结构的显示装置的概念图。
图12是用于说明根据本发明的半导体发光元件的概念图。
图13、图14a、图14b以及图15是用于说明根据另一例的显示装置的概念图。
图16a和图16b是用于说明在根据本发明的显示装置中转移半导体发光元件的过程的概念图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本说明书中公开的实施例进行详细说明，另外，与图号无关地，对相同或相似的构成要素标上相同的附图标记，并省略对其重复说明。在以下的说明中所使用的构成要素的后缀“模块”和“部”是，为了便于撰写说明书而赋予或混用的，其自身并不具有相互区别的含义或作用。此外，在说明本发明公开的实施例的过程中，当判断对相关公知技术的具体说明会混淆本发明公开的实施例的要旨的情况下，省略对该公知技术的详细说明。此外，应当注意的是，附图仅用于容易理解本说明书中公开的实施例，而不能解释为本说明书中公开的技术思想限定于附图。
另外，可以理解的是，当提及到诸如层、区域或基板的要素存在于其他结构要素“上”时，该要素可以直接存在于其他要素上，或者也可以在它们之间存在中间要素。
本说明书中说明的显示装置可以包括便携式电话、智能电话(smart phone)、笔记本电脑(laptop computer)、数字广播终端、PDA(personal digital assistants：个人数字助理)、PMP(portable multimedia player：便携式多媒体播放器)、导航仪、触屏平板(Slate PC)、平板电脑(Tablet PC)、超级本(Ultra Book)、数字电视、台式计算机等。然而，根据本说明书中记载的实施例的结构，即使是以后将要开发的新产品类型也能够应用于能够显示的显示装置，这对本技术领域的技术人员而言是显而易见的。
图1是表示本发明的利用半导体发光元件的显示装置的一实施例的概念图。
根据附图，在显示装置100的控制部中被处理的信息可以利用柔性显示器(flexible display)来显示。
柔性显示器包括能够被外力弯曲、弯折、扭曲、折叠、卷曲的显示器。例如，柔性显示器可以是在薄的柔性基板上制造的显示器，该柔性显示器保持现有的平板显示器的显示器特性，并能够像纸一样弯曲、弯折、折叠或卷曲。
所述柔性显示器在不弯曲的状态(例如，具有无限的曲率半径的状态，以下称为第一状态)中，所述柔性显示器的显示器区域成为平面。因外力从所述第一状态形成为弯曲的状态(例如，具有有限的曲率半径的状态，以下称为第二状态)中，所述显示器区域可以成为曲面。如图所示，在所述第二状态下显示的信息可以称为输出在曲面上的视觉信息。这种视觉信息可以通过对以矩阵形式配置的单位像素(sub-pixel)的发光进行独立地控制来实现。所述单位像素是指用于实现一种颜色的最小单位。
所述柔性显示器的单位像素可以由半导体发光元件实现。在本发明中，作为将电流转换为光的半导体发光元件的一种类型，示例发光二极管(Light Emitting Diode：LED)。所述发光二极管形成为较小的尺寸，由此，即使在所述第二状态下也可以起着单位像素的作用。
以下，参照附图，进一步对利用所述发光二极管来实现的柔性显示器进行详细说明。
图2是图1中A部分的局部放大图，图3a和图3b分别是沿图2的B-B线和C-C线剖开的剖视图，图4是表示图3a的倒装芯片型半导体发光元件的概念图，图5a至图5c是表示与倒装芯片型半导体发光元件相关的用于实现颜色的各种形式的概念图。
根据图2、图3a以及图3b的图示，作为利用半导体发光元件的显示装置100，示例了利用无源矩阵(Passive Matrix，PM)方式的半导体发光元件的显示装置100。但是，在以下说明的示例也可以适用于有源矩阵(Active Matrix，AM)方式的半导体发光元件。
所述显示装置100包括基板110、第一电极120、导电粘合层130、第二电极140以及多个半导体发光元件150。
基板110可以是柔性基板。例如，基板110可以包括玻璃或聚酰亚胺(PI，Polyimide)以实现柔性(flexible)显示装置。此外，只要是具有绝缘性和柔软性的材料，例如PEN(Polyethylene Naphthalate：聚萘二甲酸乙二醇之)、PET(PolyethyleneTerephthalate：聚对苯二甲酸乙二醇酯)等，即可使用任意一种。此外，所述基板110可以是透明材料和不透明材料中的任意一种。
所述基板110可以是配置有第一电极120的电路基板，因此所述第一电极120可以位于基板110上。
根据附图，绝缘层160可以配置于第一电极120所在的基板110上，辅助电极170可以位于所述绝缘层160。在这种情况下，绝缘层160层叠于所述基板110的状态可以形成为单个电路基板。更具体地，绝缘层160可以由诸如聚酰亚胺(PI，Polyimide)、PET、PEN等具有绝缘性和柔软性的材料制成，并且可以与所述基板110一体地形成，从而形成单个基板。
辅助电极170是用于使第一电极120和半导体发光元件150电连接的电极，所述辅助电极170位于绝缘层160上并配置成与第一电极120的位置相对应。例如，辅助电极170可以是点(dot)形状，并可以通过贯通绝缘层160的电极孔171来与第一电极120电连接。可以通过将导电材料填充到导通孔来形成所述电极孔171。
参照本附图，导电粘合层130形成于绝缘层160的一个表面，但是本发明不必限于此。例如，可以在绝缘层160和导电粘合层130之间形成用于执行特定功能的层，或者也可以是在没有绝缘层160的情况下将导电粘合层130配置在基板110上的结构。在导电粘合层130配置于基板110上的结构中，导电粘合层130可以起到绝缘层的作用。
所述导电粘合层130可以是具有粘合性和导电性的层，为此，可以在所述导电粘合层130中混合具有导电性的物质和具有粘合性的物质。此外，导电粘合层130具有柔性，由此，显示装置可以实现柔性功能。
在这种例子中，导电粘合层130可以是各向异性导电膜(anistropy conductivefilm，ACF)，各向异性导电浆料(paste)、含有导电粒子的溶液(solution)等。所述导电粘合层130可以构成为允许在贯通其厚度的Z方向上相互电连接，但在水平的X-Y方向上具有电绝缘性的层。因此，所述导电粘合层130可以命名为Z轴导电层(然而，在以下称为“导电粘合层”)。
所述各向异性导电膜是将各向异性导电介质(anisotropic conductive medium)混合到绝缘性基底构件而成的膜，在施加热量和压力的情况下，只有特定部分因各向异性导电介质而具有导电性。以下，对热量和压力施加到所述各向异性导电膜的情况进行说明，但是也可以利用其他方法来使所述各向异性导电膜部分地具有导电性。这种方法可以是，例如仅仅施加所述热量和压力中的任意一个或UV固化等。
此外，所述各向异性导电介质可以是，例如导电球或导电粒子。根据附图，在本示例中，所述各向异性导电膜是将导电球混合到绝缘性基底构件而成的膜(film)，当施加了热量和压力时，只有特定部分因导电球而具有导电性。各向异性导电膜可以是含有多个粒子的状态，每个粒子中的导电材料的芯被聚合物材料的绝缘膜覆盖，在这种情况下，绝缘膜中的施加了热量和压力的部分被破坏，从而借助芯而获得导电性。此时，芯的形状发生变形，并形成为在膜的厚度方向上彼此接触的层。作为更具体的例子，热量和压力施加到整个各向异性导电膜，并且利用由各向异性导电膜而粘合的物体的高度差来部分地形成Z轴方向上的电连接。
作为另一例，各向异性导电膜可以是含有多个粒子的状态，每个粒子中的绝缘芯被导电材料覆盖。在这种情况下，导电材料中的施加了热量和压力的部分发生变形(按压而粘贴)，从而该部分在膜的厚度方向上具有导电性。作为另一例子，也可以是导电材料在Z轴方向上贯通绝缘性基底构件而在膜的厚度方向上具有导电性的形式。在这种情况下，导电材料可以具有尖尖的端部。
根据附图，所述各向异性导电膜可以是以导电球插入于绝缘性基底构件的一个表面的形式而构成的固定阵列各向异性导电膜(fixed array ACF)。更具体地，绝缘性基底构件由具有粘合性的材料形成，导电球集中地配置于所述绝缘性基底构件的底部，当热量和压力施加到所述基底构件时，所述基底构件与所述导电球一起发生变形，从而在垂直方向上具有导电性。
但是，本发明不必限于此，所述各向异性导电膜可以是导电球随机地混入到绝缘性基底构件的形式，或者可以由多个层构成，并且在任意一层上配置了导电球的形式(double-ACF)等。
各向异性导电浆料是浆料和导电球的结合形状，可以是导电球与具有绝缘性和粘合性的基底物质混合的浆料。此外，含有导电粒子的溶液(solution)可以是包含导电性(particle)或纳米(nano)粒子的形式的溶液。
再次参照附图，第二电极140与辅助电极170隔开而位于绝缘层160。即，所述导电粘合层130配置在绝缘层160上，辅助电极170和第二电极140位于绝缘层160。
在辅助电极170和第二电极140位于绝缘层160的状态下，形成导电粘合层130，然后，若对半导体发光元件150施加热量和压力而以倒装芯片的形式连接，则所述半导体发光元件150与第一电极120和第二电极140电连接。
参照图4，所述半导体发光元件可以是倒装芯片型(flip chip type)发光元件。
例如，所述半导体发光元件包括：p型电极156；形成有p型电极156的p型半导体层155；形成在p型半导体层155上的活性层154；形成在活性层154上的n型半导体层153；以及在n型半导体层153上与p型电极156沿着水平方向隔开配置的n型电极152。在这种情况下，p型电极156可以利用导电粘合层130来与辅助电极170电连接，n型电极152可以与第二电极140电连接。
再次参照图2、图3a以及图3b，辅助电极170在一个方向上长长地形成，并且一个辅助电极可以与多个半导体发光元件150电连接。例如，以辅助电极为中心的左右半导体发光元件的p型电极可以电连接于一个辅助电极。
更具体地，半导体发光元件150因热量和压力而压入到导电粘合层130的内部，由此，只有在半导体发光元件150的p型电极156和辅助电极170之间的部分以及在半导体发光元件150的n型电极152和第二电极140之间的部分具有导电性，其余部分因不存在半导体发光元件的压入而不会具有导电性。如上所述，导电粘合层130不仅使半导体发光元件150和辅助电极170之间以及半导体发光元件150和第二电极140之间彼此结合，而且还形成电连接。
此外，多个半导体发光元件150可以构成发光元件阵列(array)，并且在发光元件阵列中形成有荧光体层180。
发光元件阵列可以包括自身亮度值不同的多个半导体发光元件。每个半导体发光元件150构成单位像素，并且与第一电极120电连接。例如，第一电极120可以是多个，多个半导体发光元件例如可以配置成若干列，每个列中的半导体发光元件可以电连接于多个所述第一电极中的任意一个。
此外，由于多个半导体发光元件可以以倒装芯片的形式连接，因此可以利用在透明电介质基板生长了的多个半导体发光元件。此外，所述半导体发光元件例如可以是氮化物半导体发光元件。半导体发光元件150具有优异的亮度，所以即使尺寸较小，也可以构成单个单位像素。
根据附图，可以在半导体发光元件150之间形成分隔壁190。在这种情况下，分隔壁190可以起到将单个单位像素彼此分离的作用，并且可以与导电粘合层130形成为一体。例如，当半导体发光元件150插入到各向异性导电膜时，各向异性导电膜的基底构件可以形成所述分隔壁190。
此外，当所述各向异性导电膜的基底构件为黑色时，即使不存在有额外的黑色绝缘体，所述分隔壁190也可以具有反射特性，同时能够增加对比度(contrast)。
作为另一例，作为所述分隔壁190，可以单独地设置反射性分隔壁。在这种情况下，所述分隔壁190可以根据显示装置的目的而包括黑色(Black)或白色(White)绝缘体。在利用白色绝缘体的分隔壁的情况下，能够具有提高反射性的效果，在利用黑色绝缘体的分隔壁的情况下，也可以具有反射特性，同时能够增加对比度(contrast)。
荧光体层180可以位于半导体发光元件150的外表面。例如，半导体发光元件150是发出蓝色B光的蓝色半导体发光元件，荧光体层180执行用于将所述蓝色B光转换为单位像素的颜色的功能。所述荧光体层180可以是构成单个像素的红色荧光体181或绿色荧光体182。
即，在构成红色单位像素的位置上，可以将能够使蓝色光转换为红色R光的红色荧光体181层叠在蓝色半导体发光元件151上，而在构成绿色单位像素的位置上，可以将能够使蓝色光转换为绿色G光的绿色荧光体182层叠在蓝色半导体发光元件151。此外，在构成蓝色单位像素的部分，可以单独地只利用蓝色半导体发光元件151。在这种情况下，红色R、绿色G以及蓝色B的单位像素可以构成一个像素。更具体地，沿着第一电极120的各个线可以层叠有一种颜色的荧光体。因此，第一电极120中的一条线可以是用于控制一种颜色的电极。即，可以沿着第二电极140依次配置红色R、绿色G以及蓝色B，由此，可以实现单位像素。
但是，本发明不必限于此，代替荧光体可以组合半导体发光元件150和量子点QD，从而实现红色R、绿色G以及蓝色B的单位像素。
此外，黑矩阵191可以配置于各个荧光体层之间，以提高对比度(contrast)。即，这种黑矩阵191可以提高明暗对比度。
但是，本发明不必限于此，可以应用用于实现蓝色、红色、绿色的其他结构。
参照图5a，每个半导体发光元件150以氮化镓(GaN)为主，同时添加铟(In)和/或铝(Al)，从而可以实现为发射包括蓝色在内的各种光的高功率的发光元件。
在这种情况下，半导体发光元件150可以是红色、绿色以及蓝色半导体发光元件，以构成各个单位像素(sub-pixel)。例如，交替地配置红色R、绿色G以及蓝色B半导体发光元件，红色(Red)、绿色(Green)以及蓝色(Blue)的单位像素通过红色、绿色以及蓝色半导体发光元件来构成一个像素(pixel)，从而能够实现全彩显示器。
参照图5b，半导体发光元件可以具有白色发光元件W，在所述白色发光元件W中黄色荧光体层设置在每个单个元件。在这种情况下，红色荧光体层181、绿色荧光体层182以及蓝色荧光体层183可以设置在白色发光元件W上，以构成单位像素。此外，利用红色、绿色以及蓝色重复的滤色器来可以在这种白色发光元件W上构成单位像素。
参照图5c，可以是在紫外线发光元件UV上设置有红色荧光体层181、绿色荧光体层182以及蓝色荧光体层183的结构。如上所述，半导体发光元件可以使用于可见光以及紫外线UV的整个区域，并且可以扩展为能够将紫外线UV用作上部荧光体的激光源(excitationsource)的半导体发光元件的形式。
再次观察本示例，半导体发光元件150位于导电粘合层130上，从而在显示装置中构成单位像素。半导体发光元件150具有优异的亮度，因此，即使尺寸较小，也能构成单个单位像素，这种单个半导体发光元件150的尺寸的一边的长度可以是80μm以下，并且可以是矩形或正方形的元件。在矩形的情况下，可以是20×80μm以下的尺寸。
此外，即使将一边的长度为10μm的正方形半导体发光元件150用作单位像素，也会显示出用于实现显示装置的足够的亮度。因此，若将单位像素的尺寸的一边为600μm而另一边为300μm的矩形像素的情况为一例，则半导体发光元件的距离相对变得足够大。因此，在这种情况下，可以实现具有HD画质的柔性显示装置。
利用上述说明的半导体发光元件的显示装置，可以通过新型的制造方法制造。以下，参照图6，对所述制造方法进行说明。
图6是表示本发明的利用半导体发光元件的显示装置的制造方法的剖视图。
参照该图，首先，在设置有辅助电极170和第二电极140的绝缘层160上形成导电粘合层130。通过将绝缘层160层叠在第一基板110来形成一个基板(或电路基板)，在所述电路基板配置有第一电极120、辅助电极170以及第二电极140。在这种情况下，第一电极120和第二电极140可以在彼此正交的方向上配置。此外，第一基板110和绝缘层160分别可以包括玻璃或聚酰亚胺(PI)，以实现柔性(flexible)显示装置。
所述导电粘合层130例如可以由各向异性导电膜实现，为此，可以将各向异性导电膜涂覆在设置有绝缘层160的基板。
然后，将设置有构成单个像素的多个半导体发光元件150(其与辅助电极170和第二电极140的位置相对应)的第二基板112配置成，所述半导体发光元件150与辅助电极170和第二电极140相向。
在这种情况下，第二基板112作为用于使半导体发光元件150生长的生长基板，可以是蓝宝石(spire)基板或硅(silicon)基板。
当所述半导体发光元件以晶片(wafer)单位形成时，具有可以构成显示装置的间隔和尺寸，从而能够有效地应用于显示装置。
接下来，将电路基板与第二基板112进行热压焊。例如，可以应用ACF压头(ACFpress head)而将电路基板与第二基板112彼此热压焊。电路基板和第二基板112利用所述热压焊来彼此焊接(bonding)。根据利用热压焊来具有导电性的各向异性导电膜的特性，只有在半导体发光元件150和辅助电极170之间以及半导体发光元件150和第二电极140之间的部分具有导电性，由此，多个电极和半导体发光元件150可以电连接。此时，半导体发光元件150可以插入到所述各向异性导电膜的内部，从而在多个半导体发光元件150之间形成分隔壁。
接下来，去除所述第二基板112。例如，第二基板112可以利用激光剥离法(LaserLift-off，LLO)或化学剥离法(Chemical Lift-off，CLO)来去除。
最后，去除所述第二基板112而将多个半导体发光元件150露出于外部。根据需要，可以将氧化硅(SiOx)等涂布到结合有半导体发光元件150的电路基板上，由此形成透明绝缘层(未图示)。
此外，还可以包括：在所述半导体发光元件150的一个表面形成荧光体层的步骤。例如，半导体发光元件150可以是发射蓝色B光的蓝色半导体发光元件，用于将这种蓝色B光转换为单位像素的颜色的红色荧光体或绿色荧光体可以在所述蓝色半导体发光元件的一个表面形成层(layer)。
以上说明的利用半导体发光元件的显示装置的制造方法或结构能够以各种形式变形。作为该例子，垂直型半导体发光元件也可以应用于如上所述的显示装置。以下，参照图5和图6，对垂直型结构进行说明
另外，在以下说明的变形例或实施例中，与先前示例相同或相似的构成标上相同或相似的附图标记，并由第一次说明来代替该说明。
图7是表示本发明的利用半导体发光元件的显示装置的另一实施例的立体图，图8是沿图7的D-D线剖开的剖视图，图9是表示图8的垂直型半导体发光元件的概念图。
参照本附图，显示装置可以是，利用采用了无源矩阵(Passive Matrix，PM)方式的垂直型半导体发光元件的显示装置。
所述显示装置包括基板210、第一电极220、导电粘合层230、第二电极240以及多个半导体发光元件250。
基板210是用于配置第一电极220的电路基板，可以包括聚酰亚胺(PI)以实现柔性(flexible)显示装置。此外，只要是具有绝缘性和柔软性的材料，就可以使用任意一种。
第一电极220位于基板210上，并且可以沿着一个方向形成为长长的条(bar)形状的电极。所述第一电极220可以形成为起到数据电极的作用。
导电粘合层230形成用于设置第一电极220的基板210上。如应用了倒装芯片型(flip chip type)的发光元件的显示装置那样，导电粘合层230可以是各向异性导电膜(anistropy conductive film，ACF)、各向异性导电浆料(paste)、含有导电粒子的溶液(solution)等。但是，本实施例中也例示了利用各向异性导电膜来实现导电粘合层230的情况。
在将第一电极220位于基板210上的状态下，在将各向异性导电膜设置于所述基板210之后，若通过施加热量和压力来使半导体发光元件250连接，则所述半导体发光元件250与第一电极220电连接。此时，所述半导体发光元件250优选配置在第一电极220上。
如上所述，实现所述电连接是因为，当施加热量和压力时，各向异性导电膜中的一部分在厚度方向上具有导电性。因此，各向异性导电膜划分为，在厚度方向上具有导电性的部分231和不具有导电性的部分232。
此外，由于各向异性导电膜包含粘合组分，因此，导电粘合层230不仅在半导体发光元件250和第一电极220之间实现电连接，还可实现机械性结合。
如上所述，半导体发光元件250位于导电粘合层230上，据此，在显示装置中构成单个像素。半导体发光元件250具有优异的亮度，因此，即使以较小的尺寸也能构成单个单位像素。在这种单个半导体发光元件250的尺寸中，一边的长度可以是80μm以下，并且可以是矩形或正方形元件。在矩形的情况下，可以是20×80μm以下的尺寸。
所述半导体发光元件250可以是垂直型结构。
多个垂直型半导体发光元件之间设置有多个第二电极240，所述第二电极240在与第一电极220的长度方向交叉的方向上配置，并且与垂直型半导体发光元件250电连接。
参照图9，这种垂直型半导体发光元件包括：p型电极256；形成在p型电极256上的p型半导体层255；形成在p型半导体层255上的活性层254；形成在活性层254上的n型半导体层253；以及形成在n型半导体层253上的n型电极252。在这种情况下，位于下部的p型电极256可以利用导电粘合层230来与第一电极220电连接，位于上部的n型电极252可以与后述的第二电极240电连接。这种垂直型半导体发光元件250，可以上下配置电极，因此具有能够减小芯片大小的巨大优点。
再次参照图8，荧光体层280可以形成在所述半导体发光元件250的一个表面。例如，半导体发光元件250可以是发出蓝色B光的蓝色半导体发光元件251，并且可以具备用于将这种蓝色B光转换为单位像素的颜色的荧光体层280。在这种情况下，荧光体层280可以是用于构成单个像素的红色荧光体281和绿色荧光体282。
即，在构成红色的单位像素的位置上，可以将能够使蓝色光转换为红色R光的红色荧光体281层叠在蓝色半导体发光元件251上；在构成绿色的单位像素的位置上，可以将能够使蓝色光转换为绿色G光的绿色荧光体282层叠在蓝色半导体发光元件251上。此外，在构成蓝色的单位像素的部分，可以单独地只利用蓝色半导体发光元件251。在这种情况下，红色R、绿色G以及蓝色B的多个单位像素可以构成一个像素。
但是，本发明不必限于此，如上所述，在应用了倒装芯片型(flip chip type)的发光元件的显示装置中，可以应用用于实现蓝色、红色、绿色的其他结构。
再次观察本实施例，第二电极240位于多个半导体发光元件250之间，并且与多个半导体发光元件250电连接。例如，多个半导体发光元件250可以配置成多个列，第二电极240可以位于多个半导体发光元件250的多个列之间。
由于构成单个像素的半导体发光元件250之间的距离足够大，因此第二电极240可以位于多个半导体发光元件250之间。
第二电极240可以构成为沿着一个方向长长地形成的条(bar)形状的电极，并且可以在与第一电极彼此垂直的方向上配置。
此外，第二电极240和半导体发光元件250可以利用从第二电极240凸出的连接电极来彼此电连接。更具体地，所述连接电极可以是半导体发光元件250的n型电极。例如，n型电极形成为用于进行欧姆(ohmic)接触的欧姆电极，所述第二电极通过印刷或沉积来覆盖欧姆电极的至少一部分。由此，第二电极240和半导体发光元件250的n型电极彼此可以电连接。
根据附图，所述第二电极240可以位于导电粘合层230上。根据情况，可以在形成有半导体发光元件250的基板210上形成包含氧化硅(SiOx)等的透明绝缘层(未图示)。当在形成透明绝缘层之后设置第二电极240时，所述第二电极240位于透明绝缘层上。另外，第二电极240也可以形成为与导电粘合层230或透明绝缘层隔开。
如果为了使第二电极240位于半导体发光元件250上，利用诸如ITO(Indium TinOxide：氧化铟锡)的透明电极，则存在有ITO材料和n型半导体层之间的粘合性较差的问题。因此，本发明可以将第二电极240位于半导体发光元件250之间，从而具有可以无需使用诸如ITO的透明电极的优点。因此，可以将n型半导体层和具有良好粘合性的导电材料用作水平电极，而不会受到选择透明材料的方面上的限制，从而能够提高光提取效率。
根据附图，分隔壁290可以位于半导体发光元件250之间。即，分隔壁290可以配置于垂直型半导体发光元件250之间，以隔离构成单个像素的半导体发光元件250。在这种情况下，分隔壁290可以起到用于将单个单位像素彼此分开的作用，并且可以与所述导电粘合层230形成为一体。例如，当半导体发光元件250插入于各向异性导电膜时，各向异性导电膜的基底构件可以形成所述分隔壁。
另外，当所述各向异性导电膜的基底构件为黑色时，即使没有额外的黑色绝缘体，所述分隔壁290也能具有反射特性，同时能够增加对比度(contrast)。
作为另一例，作为所述分隔壁190，可以单独地设置反射性分隔壁。根据显示装置的目的，分隔壁290可以包括黑色(Black)或白色(White)绝缘体。
假如，在第二电极240正好位于半导体发光元件250之间的导电粘合层230上的情况下，分隔壁290可以位于垂直型半导体发光元件250和第二电极240之间。因此，利用半导体发光元件250来也能以较小的尺寸构成单个单位像素，并且半导体发光元件250的距离相对变得足够大，从而可以使第二电极240位于半导体发光元件250之间，并且能够实现具有HD画质的柔性显示装置。
此外，根据附图，黑矩阵291可以配置于各个荧光体之间，以提高对比度(contrast)。即，这种黑矩阵291可以提高明暗对比。
如上述说明，半导体发光元件250位于导电粘合层230上，据此，在显示装置中构成单个像素。半导体发光元件250具有优异的亮度，因此，即使尺寸较小，也能够构成单个单位像素。因此，通过半导体发光元件可以实现全彩显示器，所述全彩显示器中的红色R、绿色G以及蓝色B的多个单位像素构成一个像素。
在下文中，将参照附图更详细地说明根据本发明的利用半导体发光元件的显示装置。图10和图11是用于说明根据本发明的崭新结构的显示装置的概念图，图12是用于说明根据本发明的半导体发光元件的概念图。
根据图10和图11的图示，作为利用半导体发光元件的显示装置1000，例示了利用无源矩阵(Passive Matrix，PM)方式的垂直型半导体发光元件的显示装置1000。但是，以下说明的示例也可以适用于有源矩阵(Active Matrix，AM)方式的半导体发光元件。
显示装置1000包括基板1010、第一电极1020、多个半导体发光元件1050、用于容纳多个所述半导体发光元件1050的多个单元格(cell)1070以及第二电极1040。在此，第一电极1020和第二电极1040分别包括多个电极线。
基板1010是用于配置第一电极1020的电路基板，并可以包含聚酰亚胺(PI)，由此实现柔性(flexible)显示装置。此外，可以以非柔性显示器或标牌的形式实现，因此，基板1010可以使用任何具有绝缘性和柔软性的材料。
另一方面，如图所示，基板1010还包括介电层1010a，所述介电层1010a用于使第一电极1020与外部电极(或者，包括在基板上的第三电极(未图示))形成电场。
介电层1010a可以由诸如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、HfO2等的无机物质构成。
与此不同，介电层1010a是有机绝缘体，并可以由单层或多层构成。介电层1010a的厚度可以是几十nm到几nm。
此外，基板还可以包括与介电层1010a层叠的基底基板1010c。在这种情况下，基底基板1010c可以由具有绝缘性的材料制成。
此外，根据本发明的显示装置包括多个单元格1070，多个所述单元格1070具有从基板1010上凸出的分隔壁1071。多个单元格1070沿着一个方向依次配置，并且形成如图所示的矩阵结构。
单元格1070可以由聚合物(polymer)材料制成，并且所述单元格1070的至少一部分覆盖第一电极1020的一部分。此外，构成单元格1070的分隔壁形成为与相邻的多个单元格共用。
如图所示，单元格1070的内部设置有用于容纳半导体发光元件1050的孔1072，孔1072的形状可以与半导体发光元件1050的形状相同或相似。如图所示，在半导体发光元件1050是矩形形状的情况下，孔1072可以是矩形形状。此外，尽管在图中未示出，但是，在半导体发光元件是圆形的情况下，形成于单元格1070内部的孔1072可以形成为圆形。
此外，多个单元格的每一个形成为容纳单个半导体发光元件1050。即，在一个单元格中容纳有一个半导体发光元件1050。形成于单元格1070内部的孔1072的尺寸可以与半导体发光元件的尺寸相同，或者相对于半导体发光元件的尺寸大20％以内，使得一个半导体发光元件安置于各个单元格。
另一方面，第一电极1020包括配置在各个单元格1070的底部的多个电极线1020a、1020b，并且与半导体发光元件1050电连接。构成第一电极1020的多个电极线，可以形成为延伸到相邻的单元格。
如图所示，一个半导体发光元件1050与多个电极线1020a、1020b电连接。
此外，多个电极线1020a、1020b形成为彼此隔开配置。
多个所述电极线1020a、1020b配置在介电层1010a上。分隔壁1071的至少一部分层叠于多个所述电极线1020a、1020b的至少一部分1020a-2、1020b-2。
即，设置于单元格1070的分隔壁1071可以形成为，覆盖配置于各个所述单元格1070的所述第一电极1020的至少一部分1020a-2、1020b-2。
此外，半导体发光元件1050可以配置在所述第一电极1020的剩余一部分1020a-1、1020b-1。
另一方面，通过这种多个电极线1020a、1020b，多个单元格1070的每一个的底部具有：被多个所述电极线1020a、1020b覆盖的第一区域1010a-1；和形成在多个所述电极线1020a、1020b之间的第二区域1010a-2。此外，所述单元格1070还可以包括被所述分隔壁1071覆盖的第三区域1010a-3。
如上所述，分隔壁1071的至少一部分可以形成为覆盖所述第一电极1020的至少一部分，所述分隔壁1071的剩余部分可以形成为覆盖所述介电层1010a。
在具有上述结构的显示装置中，通过形成在多个单元格1070内部的第二区域1010a-2来在第一电极1020和外部电极之间形成电场，从而将半导体发光元件1050插入到多个所述单元格的内部。
如图所示，第二区域1010a-2包括至少一个狭缝(slit)，所述至少一个狭缝被设置于所述第一电极1020的多个所述电极线1020a、1020b分隔。
在图示中，举例了配置于单元格的内部的电极线为两个的情况，因此狭缝的数量显示为一个。但是，在配置于单元格的内部的彼此隔开的电极线为三个的情况下，狭缝的数量可以为两个。
如上所述，狭缝的数量可以是，从配置于单元格的内部的彼此隔开的电极线的数量n减去1而获得的值。
另一方面，形成于半导体发光元件1050的导电型电极可以利用由形成在第一电极1020和外部电极(或者，包括在基板上的第三电极(未图示))之间的电场所产生的吸引力，来引导该半导体发光元件位于各个单元格的内部。如上所述，可以通过所述分隔壁来在每个所述单元格的内部形成电场。
所述半导体发光元件通过由所述第一电极和外部电极所形成的电场来容纳于多个所述单元格。
另一方面，上述的外部电极可以在用于将半导体发光元件配置于基板1010的过程(或者转移过程)中层叠于介电层1010a的下方。并且，在半导体发光元件的转移完成时，可以从基板中去除这种外部电极。
并且，与此不同，在半导体发光元件的转移完成的情况下，也可以存在有外部电极。在这种情况下，如图13所示，外部电极可以位于介电层1010a和基底基板1010c之间。稍后将对此进行详细说明。
另一方面，如图12所示，根据本发明的半导体发光元件可以包括：第一导电型电极1052；形成有第一导电型电极1052的第一导电型半导体层1053；形成在第一导电型半导体层1053上的活性层1054；形成在所述活性层1054上的第二导电型半导体层1055；以及形成在第二导电型半导体层1055的第二导电型电极1056。
所述第一导电型半导体层1053和第二导电型半导体层1055彼此重叠，在第二导电型半导体层1055的上表面配置有第二导电型电极1056，在所述第一导电型半导体层1053的下表面配置有第一导电型电极1052。在这种情况下，第二导电型半导体层1055的上表面可以是离所述第一导电型半导体层1053最远的第二导电型半导体层1055的一个表面，而所述第一导电型半导体层1053的下表面可以是离所述第二导电型半导体层1055最远的第一导电型半导体层1053的一个表面。如上所述，所述第一导电型电极1052和第二导电型电极1056隔着所述第一导电型半导体层1053和所述第二导电型半导体层1055而分别配置在上方和下方。
更具体地，所述第一导电型电极1052可以是p型电极，第一导电型半导体层1053可以是p型半导体层，所述第二导电型电极1056可以是n型电极，第二导电型半导体层1055可以是n型半导体层。在这种情况下，p型电极可以电连接于第一电极1020，n型电极可以电连接于第二电极1040。但是，本发明不必限于此，可以示例为第一导电型为n型，第二导电型为p型。
如上所述，所述第一导电型电极1052配置成与所述第一电极1020相向，并且配置成覆盖用于构成第一电极1020的多个电极线1020a、1020b的至少一部分。
另一方面，第二电极1040沿着与第一电极交叉的方向延伸，并电连接于半导体发光元件的第二导电型电极1056。
如图所示，第二电极1040可以包括：电极线1040b；和从电极线1040b朝向半导体发光元件延伸的连接电极1040a。
并且，与此不同，第二电极1040可以仅仅由电极线构成，在这种情况下，第二电极1040的至少一部分覆盖第二导电型电极1056的至少一部分。另一方面，第二电极1040的至少一部分可以由透明电极构成。
此外，如图所示，构成第二电极1040的电极线可以形成为，覆盖分隔壁1071的至少一部分。
如图所示，在多个所述半导体发光元件之间设置有多个第二电极1040，所述第二电极1040沿着与第一电极1020的长度方向交叉的方向配置，并与所述半导体发光元件1050电连接。
另一方面，如图11所示，绝缘物质1073可以填充到单元格1070的内部。即，绝缘物质1073可以位于分隔壁1071和半导体发光元件1050之间。
另一方面，分隔壁1071的高度和配置在电路基板1050上的半导体发光元件1050的高度，可以形成为相同。这是为了配置用于构成第二电极1040的电极线1040b。
此外，显示装置1000还可以包括形成在多个半导体发光元件1050的一个表面的荧光体层1080。例如，半导体发光元件1050可以是发出蓝色B光的蓝色半导体发光元件，荧光体层1080可以是执行将所述蓝色B光转换成单位像素的颜色的功能。所述荧光体层1080可以是构成单个像素的红色荧光体1081或绿色荧光体1082。即，可以在构成红色单位像素的位置，将能够使蓝色光转换成红色R光的红色荧光体1081层叠在蓝色半导体发光元件上，可以在构成绿色单位像素的位置，将能够使蓝色光转换为绿色G光的绿色荧光体1082层叠在蓝色半导体发光元件上。此外，在构成蓝色单位像素的部分，可以仅单独利用蓝色半导体发光元件。在这种情况下，红色R、绿色G以及蓝色B的单位像素可以构成一个像素。更具体地，沿着构成第一电极1020的线可以层叠有一种颜色的荧光体。在多个单元格上，以沿着构成第一电极的电极线所延伸的方向配置的多个单元格为基准，可以层叠有对应于同一种颜色的荧光体。在第一电极延伸的方向上，在构成列的多个单元格中配置有对应于一种颜色的荧光体层。另一方面，可以沿着第二电极1040延伸的方向依次配置对应于红色R、绿色G以及蓝色B的半导体发光元件，由此，可以实现单位像素。但是，本发明不必限于此，可以将半导体发光元件1050和量子点QD组合以代替荧光体，从而实现发出红色R、绿色G以及蓝色B的光的单位像素。
另一方面，为了提高这种荧光体层1080的对比度(Contrast)，显示装置还可以包括配置在各个荧光体之间的黑矩阵1091。所述黑矩阵1091在荧光体点之间形成间隙，并可以形成为黑色材料填充所述间隙的形式。由此，黑矩阵1091可以在吸收外部光反射的同时提高明暗对比。
这种黑矩阵1091沿着层叠有荧光体层1080的方向、即第一电极1020而位于各个荧光体层之间。在这种情况下，在与蓝色半导体发光元件1051相对应的位置上，可以不形成荧光体层，但是黑矩阵1091可以隔着没有所述荧光体层的空间(或者，隔着蓝色半导体发光元件1051c)而分别形成于两侧。
如上所述，根据本发明的显示装置可以通过包括用于容纳半导体发光元件的单元格和设置于各个单元格的多个电极线的结构，来有效地将半导体发光元件转移到电路基板上。
在上文中，对外部电极不包括在电路基板的结构进行了观察。本发明为了将半导体发光元件转移到电路基板，将会利用形成在外部电极和设置于电路基板的第一电极1020之间的电场。在这种情况下，如前述实施例所述，外部电极可以在半导体发光元件的转移过程中应用，之后可以被去除，从而不存在于显示装置中。在这种情况下，电路基板可以包括介电层1010a和基底基板1010b。
此外，在本发明中，即使半导体发光元件已全部转移到电路基板，也可以直接将外部电极配置到电路基板上，从而将外部电极用作附加电极。在下文中，参照附图，进一步细地说明包括作为外部电极的第三电极的显示器装置。图13、图14a、图14b以及图15是用于说明根据另一例的显示装置的概念图。
基板1010是配置有第一电极1020的电路基板，该基板可以包括聚酰亚胺(PI)以实现柔性(flexible)显示装置。此外，可以以非柔性显示器或标牌的形式实现，因此，基板1010可以使用任何具有绝缘性和柔软性的材料。
另一方面，如图所示，基板1010可以包括：配置有第一电极1020的介电层1010a、与介电层1010a重叠的基底基板1010b以及配置在介电层1010a和基底基板1010b之间的第三电极层(或者第三电极1010c)。
介电层1010a可以由诸如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、HfO2等的无机材料制成。
与此不同，介电层1010a是有机绝缘体，并可以由单层或多层构成。介电层1010a的厚度可以是几十nm到几nm。
介电层1010a配置在第一电极1020a和第三电极1030c之间，从而可以用作由第一电极1020a和第三电极1030c形成的电场的通道。
另一方面，由第一电极1020a和第三电极1030c形成的电场是，在转移半导体发光元件时由从外部施加的电压而形成，而在半导体发光元件的转移结束时使所述第一电极1020a和所述第三电极1030c绝缘。
此外，基底基板1010c可以由具有绝缘性的材料制成。
此外，第三电极1030c由表面电极形成，根据情况，可以大于或等于介电层的宽度。
此外，根据本发明的显示装置包括多个单元格1070，多个所述单元格1070具有在基板1010上凸出的分隔壁1071。多个单元格1070沿着一个方向依次配置，并且形成如图所示的矩阵结构。
单元格1070可以由聚合物(polymer)材料制成，并形成为所述单元格1070的至少一部分覆盖第一电极1020的一部分。此外，构成单元格1070的分隔壁形成为与相邻的多个单元格共用。
如图所示，单元格1070的内部设置有用于容纳半导体发光元件1050的孔1072，孔1072的形状可以与半导体发光元件1050的形状相同或相似。如图所示，在半导体发光元件1050是矩形形状的情况下，孔1072可以是矩形形状。此外，尽管在图中未示出，在半导体发光元件是圆形的情况下，形成于单元格1070内部的孔1072可以形成为圆形。
此外，多个单元格的每一个形成为容纳单个半导体发光元件1050。即，在一个单元格中容纳有一个半导体发光元件1050。形成于单元格1070内部的孔1072的尺寸可以与半导体发光元件的尺寸相同，或者相对于半导体发光元件的尺寸大20％以内，使得一个半导体发光元件安置于各个单元格。
另一方面，第一电极1020包括配置在各个单元格1070的底部的多个电极线1020a、1020b，并且与半导体发光元件1050电连接。构成第一电极1020的多个电极线，可以形成为延伸至相邻的单元格。
如图所示，一个半导体发光元件1050与多个电极线1020a、1020b电连接。
此外，如图14a所示，多个电极线1020a、1020b形成为彼此隔开配置。
多个所述电极线1020a、1020b配置在介电层1010a上。分隔壁1071的至少一部分层叠于多个所述电极线1020a、1020b的至少一部分1020a-2、1020b-2。
即，设置于多个单元格1070的分隔壁1071可以形成为覆盖配置于多个所述单元格1070中的每一个的所述第一电极1020的至少一部分1020a-2、1020b-2。
此外，半导体发光元件1050可以配置在所述第一电极1020的剩余部分1020a-1、1020b-1。
另一方面，利用这种多个电极线1020a、1020b，多个单元格1070的每一个的底部具有：被多个所述电极线1020a、1020b覆盖的第一区域1010a-1；和形成在多个所述电极线1020a、1020b之间的第二区域1010a-2。此外，多个所述单元格1070还可以包括被所述分隔壁1071覆盖的第三区域1010a-3。
如上所述，分隔壁1071的至少一部分可以形成为覆盖所述第一电极1020的至少一部分，所述分隔壁1071的剩余部分可以形成为覆盖所述介电层1010a。
在具有上述的结构的显示装置中，通过形成在多个单元格1070内部的第二区域1010a-2来在第一电极1020和第三电极1010c之间形成电场，从而将半导体发光元件1050插入到多个所述单元格的内部。
如图所示，第二区域1010a-2包括至少一个狭缝(slit)，所述至少一个狭缝被设置于所述第一电极1020的多个所述电极线1020a、1020b分隔。
在图14a中，举例了配置于单元格的内部的电极线为两个的情况，因此狭缝的数量显示为一个。但是，如图14b所示，在配置于单元格的内部的彼此隔开的电极线1020a、1020b、1020c为三个时，狭缝的数量可以为两个。
即，在一个单元格内，当第一电极1020由彼此隔开的三个电极线1020a、1020b、1020c构成时，单元格的底部中可以包括未被电极线覆盖的两个区域，这种区域可以称为狭缝。如上所述，狭缝的数量可以是，从配置于单元格的内部的彼此隔开的电极线的数量n减去1而获得的值。
另一方面，形成于半导体发光元件1050的导电型电极可以利用由形成在第一电极1020和第三电极1010c之间的电场所产生的吸引力，来引导该半导体发光元件位于各个单元格的内部。如上所述，可以通过所述分隔壁来在每个所述单元格的内部形成电场。
所述半导体发光元件通过由所述第一电极和外部电极形成的电场而容纳到所述单元格。
另一方面，如图12所示，根据本发明的半导体发光元件包括：第一导电型电极1052；形成有第一导电型电极1052的第一导电型半导体层1053；形成在第一导电型半导体层1053上的活性层1054；形成在所述活性层1054上的第二导电型半导体层1055；以及形成在第二导电型半导体层1055的第二导电型电极1056。
所述第一导电型半导体层1053和第二导电型半导体层1055彼此重叠，在第二导电型半导体层1055的上表面配置有第二导电型电极1056，在所述第一导电型半导体层1053的下表面配置有第一导电型电极1052。在这种情况下，第二导电型半导体层1055的上表面可以是离所述第一导电型半导体层1053最远的第二导电型半导体层1055的一个表面，所述第一导电型半导体层1053的下表面可以是离所述第二导电型半导体层1055最远的第一导电型半导体层1053的一个表面。如上所述，所述第一导电型电极1052和第二导电型电极1056隔着所述第一导电型半导体层1053和所述第二导电型半导体层1055而分别配置在上方和下方。
更具体地，所述第一导电型电极1052可以是p型电极，第一导电型半导体层1053可以是p型半导体层，所述第二导电型电极1056可以是n型电极，第二导电型半导体层1055可以是n型半导体层。在这种情况下，p型电极可以电连接到第一电极1020，n型电极可以电连接到第二电极1040。但是，本发明不必限于此，可以示例为第一导电型为n型，第二导电型为p型。
如上所述，所述第一导电型电极1052配置成与所述第一电极1020相对，并且配置成覆盖用于构成第一电极1020的多个电极线1020a、1020b的至少一部分。
另一方面，第二电极1040沿着与第一电极交叉的方向延伸，并电连接到半导体发光元件的第二导电型电极1056。
如图所示，第二电极1040可以包括电极线1040b和从电极线1040b朝向半导体发光元件延伸的连接电极1040a。
并且，与此不同，第二电极1040可以仅仅由电极线构成，在这种情况下，第二电极1040的至少一部分覆盖第二导电型电极1056的至少一部分。另一方面，第二电极1040的至少一部分可以由透明电极构成。
此外，如图所示，构成第二电极1040的电极线可以形成为，覆盖分隔壁1071的至少一部分。
如图所示，在多个所述半导体发光元件之间设置有多个第二电极1040，所述第二电极1040沿着与第一电极1020的长度方向交叉的方向配置，并与所述半导体发光元件1050电连接。
另一方面，如图15所示，第二电极可以通过电极连接部1060电连接到第三电极1010c。如图所示，电极连接部1060包括用于使与电极连接部1060和第二电极1040之间的阶梯差对齐的第一电极垫(pad)1060a和第二电极垫1060b，还包括导通孔电极1060c，该导通孔电极1060c用于使第二电极1040经由形成在介电层1010a的导通孔而与第三电极1010c电连接。
尽管在图中未示出，第二电极1040可以通过与第三电极1010c之间的电连接，来经由第三电极1010c与驱动器电连接。
另一方面，如图11所示，绝缘物质1073可以填充到单元格1070的内部。即，绝缘物质1073可以位于分隔壁1071和半导体发光元件1050之间。
另一方面，分隔壁1071的高度和配置在电路基板1050上的半导体发光元件1050的高度，可以形成为相同。这是为了配置用于构成第二电极1040的电极线1040b。
此外，显示装置1000还可以包括形成于多个半导体发光元件1050的一个表面的荧光体层1080。例如，半导体发光元件1050可以是发出蓝色B光的蓝色半导体发光元件，荧光体层1080执行将所述蓝色B光转换成单位像素的颜色的功能。所述荧光体层1080可以是构成单个像素的红色荧光体1081或绿色荧光体1082。即，可以在构成红色单位像素的位置，将能够使蓝色光转换成红色R光的红色荧光体1081层叠在蓝色半导体发光元件上，可以在构成绿色单位像素的位置，将能够使蓝色光转换为绿色G光的绿色荧光体1082层叠在蓝色半导体发光元件上。此外，在构成蓝色单位像素的部分，可以仅单独利用蓝色半导体发光元件。在这种情况下，红色R、绿色G以及蓝色B的单位像素可以构成一个像素。更具体地，沿着构成第一电极1020的线可以层叠有一种颜色的荧光体。在多个单元格上，以沿着构成第一电极的电极线所延伸的方向配置的多个单元格为基准，可以层叠有对应于同一种颜色的荧光体。在第一电极延伸的方向上，在构成列的多个单元格中配置有对应于一种颜色的荧光体层。另一方面，可以沿着第二电极1040延伸的方向依次配置对应于红色R、绿色G以及蓝色B的半导体发光元件，由此，可以实现单位像素。但是，本发明不必限于此，可以将半导体发光元件1050和量子点QD组合以代替荧光体，从而实现发出红色R、绿色G以及蓝色B的单位像素。
另一方面，为了提高这种荧光体层1080的对比度(Contrast)，显示装置还可以包括配置在各个荧光体之间的黑矩阵1091。所述黑矩阵1091在荧光体点之间形成间隙，并可以形成为黑色材料填充所述间隙的形式。由此，黑矩阵1091可以在吸收外部光反射的同时提高明暗对比。
这种黑矩阵1091沿着层叠有荧光体层1080的方向、即第一电极1020而位于各个荧光体层之间。在这种情况下，在与蓝色半导体发光元件1051相对应的位置上，可以不形成荧光体层，但是黑矩阵1091可以隔着没有所述荧光体层的空间(或者隔着蓝色半导体发光元件1051c)而分别形成于两侧。
如上所述，根据本发明的显示装置可以通过包括用于容纳半导体发光元件的单元格和设置于各个单元格的多个电极线的结构，来有效地将半导体发光元件转移到电路基板上。
图16a和图16b是用于说明在根据本发明的显示装置中转移半导体发光元件的过程的概念图。
如图16a所示，在根据本发明的显示装置中，通过由第一电极1020a和第三电极1030c所形成的电场，来可以使半导体发光元件1050容纳到每个单元格1070中。此时，所述电场可以通过向第一电极1020a和第三电极1030c之间施加电压来形成。
另一方面，如图16b所示，在根据本发明的显示装置中，可以选择性地转移半导体发光元件。可以选择性地转移分别与红色、绿色以及蓝色相对应的半导体发光元件。
例如，在根据本发明的显示器装置中，可以只对形成在配置有与红色、绿色以及蓝色中任意一种颜色相对应的半导体发光元件的位置上的第一电极施加电压，使得电场仅在该电极中形成。在这种情况下，半导体发光元件可以仅配置在形成有电场的位置。如上所述，在根据本发明的显示装置中，可以仅向与要转移的位置相对应的包括电极的单元格施加电压以形成电场，从而将半导体发光元件转移到期望的位置。
如上所述，在根据本发明的显示装置中，利用电场将半导体发光元件组装到电路基板，从而可以在没有额外的掩膜的情况下，选择性地组装对应不同颜色的半导体发光元件。
另一方面，由第一电极1020a和第三电极1030c所形成的电场在转移半导体发光元件的情况下通过从外部施加的电压来形成，而在完成半导体发光元件的转移的情况下使第一电极1020a和第三电极1030c彼此绝缘。
另一方面，在上述实施例中，示出了在各个单元格中包括的第一电极的电极线的形状彼此平行地配置，但是本发明不限于这种形状，可以扩展为各种方式。
即，第一电极的电极线可以以各种形状配置以形成更强的电场，可以以凹口形状、格子形状、圆形形状、波形形状等各种方式形成。
另一方面，根据本发明的单元格可以形成为孔的形状，在这种情况下，在本发明中，可以在聚合物层形成与半导体发光元件的配置间隔相对应的孔。
此外，在根据本发明的显示装置中，可以在溶液中执行将半导体发光元件转移到电路基板的过程。这是为了利用形成在电路基板的电场，将在溶液中处于游动状态的半导体发光元件配置到单元格中。此时，在根据本发明的显示装置中，可以通过诸如滑动(sliding)、摇动(shaking)、搅拌(agitation)、空气流动(air flow)、声波、超声波等各种方法，将位于溶液中的半导体发光元件移动到单元格的附近。
另一方面，半导体发光元件通过介电力(dielectric force)或静电力(electrostatic force)而安置于单元格。
在根据本发明的显示装置中，可以利用通过布线电极而形成的电场转移半导体发光元件，以将半导体发光元件组装到固定位置，从而提高组装效率。
此外，在根据本发明的显示装置中，可以在没有额外的掩膜工艺的情况下，利用电场来选择性地转移红色、绿色以及蓝色半导体发光元件，从而可以提高转移工序效率。

Claims (15)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
基板；
多个单元格，具备从所述基板上凸出的分隔壁，多个所述单元格沿着一个方向依次配置；
半导体发光元件，容纳于多个所述单元格中的每一个；以及
第一电极，具备配置于多个所述单元格中的每一个的底部的多个电极线，所述第一电极与所述半导体发光元件电连接，
多个所述单元格中的每一个的底部具有：
第一区域，被多个所述电极线覆盖；以及
第二区域，形成在多个所述电极线之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述基板还包括介电层，所述介电层使所述第一电极与外部电极形成电场。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
在多个所述单元格中的每一个的内部，通过形成在多个所述电极线之间的所述第二区域来形成所述电场。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
设置于多个所述单元格的所述分隔壁形成为，覆盖配置于多个所述单元格中的每一个的所述第一电极的至少一部分。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
所述分隔壁由聚合物材料形成，
通过所述分隔壁在多个所述单元格中的每一个的内部形成所述电场。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
所述分隔壁的至少一部分形成为覆盖所述第一电极的至少一部分，
所述分隔壁的其余部分形成为覆盖所述介电层。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第二区域具有至少一个狭缝，
至少一个所述狭缝被设置于所述第一电极的多个所述电极线分隔。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
分别容纳于多个所述单元格中的每一个的内部的所述半导体发光元件包括：
第一导电型电极和第二导电型电极；
第一导电型半导体层，所述第一导电型电极配置于所述第一导电型半导体层；
第二导电型半导体层，与所述第一导电型半导体层重叠，所述第二导电型电极配置于所述第二导电型半导体层；以及
活性层，配置在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间，
所述第一导电型电极以与所述第一电极相向的方式配置。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
所述半导体发光元件利用由所述第一电极和外部电极形成的电场来容纳于多个所述单元格。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
还包括第二电极，所述第二电极配置于所述第二导电型电极的至少一部分，并且由沿着与所述第一电极交叉的方向延伸的电极线构成。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，
所述基板具有一个表面和另一个表面，
在所述基板的一个表面设置有所述第一电极，在所述基板的另一个表面设置有第三电极，
在所述基板的一侧形成有贯通所述基板的导通孔。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，
所述第二电极和所述第二导电型电极经由所述导通孔与所述第三电极电连接。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述基板具有一个表面和另一个表面，
在所述基板的一个表面设置有所述第一电极，在所述基板的另一个表面设置有第三电极，
通过所述第一电极和所述第三电极在多个所述单元格中的每一个形成电场。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
多个所述单元格以矩阵结构排列，
多个所述电极线延伸至相邻的多个单元格。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在所述分隔壁和所述半导体发光元件之间填充有绝缘物质。
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