CN105830141B - 使用半导体发光器件的显示设备及其制造方法 - Google Patents

使用半导体发光器件的显示设备及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105830141B
CN105830141B CN201480068665.4A CN201480068665A CN105830141B CN 105830141 B CN105830141 B CN 105830141B CN 201480068665 A CN201480068665 A CN 201480068665A CN 105830141 B CN105830141 B CN 105830141B
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductive
electrode
light emitting
layer
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201480068665.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105830141A (zh
Inventor
李炳俊
方圭铉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Electronics Inc
Original Assignee
LG Electronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Electronics Inc filed Critical LG Electronics Inc
Publication of CN105830141A publication Critical patent/CN105830141A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105830141B publication Critical patent/CN105830141B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/189—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components characterised by the use of a flexible or folded printed circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H05K3/323—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/387—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • H05K1/112—Pads for surface mounting, e.g. lay-out directly combined with via connections
    • H05K1/113—Via provided in pad; Pad over filled via
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0145—Polyester, e.g. polyethylene terephthalate [PET], polyethylene naphthalate [PEN]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0154—Polyimide
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

公开了一种显示设备，该显示设备包括：布线衬底，该布线衬底设置有第一电极；导电粘合剂层，该导电粘合剂层设置在布线衬底和第二电极之间；以及多个半导体发光器件，该多个半导体发光器件联接到导电粘合剂层，并且电连接到第一电极和第二电极，其中，多个半导体发光器件中的至少一个包括被设置成彼此分开的第一导电电极和第二导电电极，半导体发光器件中的至少一个具有侧表面，并且其中，第二导电电极延伸超过半导体发光器件中的至少一个的侧表面。

Description

使用半导体发光器件的显示设备及其制造方法
技术领域
本发明的实施例涉及显示设备，更特别地，涉及使用半导体发光器件的显示设备。
背景技术
近年来，在显示技术领域中已经开发出具有诸如低轮廓、柔性等优异特性的显示设备。相反，当前商用的主要显示器是以液晶显示器(LCD)和有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)为代表。
然而，就LCD而言，存在诸如中等响应时间、难以实现柔性的问题，并且就AMOLED而言，存在诸如短寿命、中等良率以及低柔性的缺陷。
另一方面，发光二极管(LED)是熟知的用于将电流转换成光的发光器件，并且被用作在包括信息通信设备的电子设备中显示图像的光源，因为使用GaAsP化合物半导体的红色LED连同基于GaP:N的绿色LED一起是1962年实现商用的。因此，可使用半导体发光器件实现柔性显示器，从而提出用于解决这些问题的方案。
此外，除此之外，可以设想进一步简化使用半导体发光器件的柔性显示器的制造工艺的结构。
发明内容
技术问题
本发明的实施例的一方面是提供能够进一步简化其制造工艺以及提供柔性的显示设备。
本发明的实施例的另一方面是提供易于以精细间距制造的半导体发光器件被实现为子像素的显示设备。
本发明的实施例的又一方面是提供具有新结构的倒装芯片型半导体发光器件。
技术方案
为了实现本发明的实施例的以上任务，根据本发明的实施例的一种显示设备可包括：布线衬底，其设置有第一电极；导电粘合剂层，其设置在布线衬底和第二电极之间；以及多个半导体发光器件，其联接到导电粘合剂层，并且电连接到第一电极和所述第二电极，多个半导体发光器件中的至少一个包括被设置成彼此分开的第一导电电极和第二导电电极，所述半导体发光器件中的至少一个具有侧表面，第二导电电极延伸超过半导体发光器件中的至少一个的侧表面。
根据与本发明的实施例关联的示例，多个半导体发光器件中的每个发射红色光、绿色光、蓝色光和紫外光中的至少一种。
根据与本发明的实施例关联的示例，荧光体层被形成为将预定光转换成红色光、绿色光和蓝色光中的至少一种。
根据与本发明的实施例关联的示例，第一导电电极和第二导电电极在第一方向上彼此分开并且在与所述第一方向垂直的第二方向上彼此具有高度差，以在第一方向上分开的位置处分别电连接到第一电极和所述第二电极，多个半导体发光器件中的至少一个进一步分别包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，以及第一导电电极形成在第一导电半导体层的一个表面上，有源层形成在第一导电半导体层的另一个表面和第二导电半导体层的一个表面之间，并且第二导电电极形成在第二导电半导体层上并且由于高度差而与第二电极相邻设置。
根据与本发明的实施例关联的示例，第二导电半导体层具有凹陷部分，凹陷部分形成在与布线衬底最近的第二导电半导体层的表面中，并且第二导电电极的一部分被容纳在凹陷部分中。
根据与本发明的实施例关联的示例，凹陷部分形成在第二导电半导体层的边缘处。
根据与本发明的实施例关联的示例，当第二导电电极被容纳在凹陷部分中，第二导电电极的下表面与第二导电半导体层的一个表面共平面。
根据与本发明的实施例关联的示例，多个半导体发光器件中的至少一个进一步分别包括堆叠在一个方向上的第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，并且第二导电电极的至少部分沿着与一个方向垂直的另一个方向从第二导电半导体层的侧表面突出。
根据与本发明的实施例关联的示例，第二电极电连接到延伸超过第二导电半导体层的侧表面的第二导电电极的突出部分的表面。
根据与本发明的实施例关联的示例，第二导电电极具有最远离布线衬底的上表面，并且第二电极电连接到该上表面。
根据与本发明的实施例关联的示例，第二导电电极的突出部分的表面与最远离布线衬底的第二导电半导体层的另一个表面具有高度差。
根据与本发明的实施例关联的示例，第二导电电极的至少部分嵌入在导电粘合剂层中。
根据与本发明的实施例关联的示例，多个半导体发光器件中的两个或更多个在子像素内共享单个第二导电电极。
根据与本发明的实施例关联的示例，通过相互连接的子像素内的半导体发光器件的邻接的第二导电电极，形成单个第二导电电极。
根据与本发明的实施例关联的示例，多个半导体发光器件是倒装芯片型发光器件。
为了实现本发明的实施例的以上任务，根据本发明的实施例的一种制造显示设备的方法可包括：形成具有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的半导体发光器件；去除第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的至少部分以暴露第二导电半导体层的至少部分并且在第二导电半导体层上形成凹槽；分别在第一导电半导体层和第二导电半导体层上，形成在导电粘合剂层的厚度方向上具有高度差的第一导电电极和第二导电电极，以实现倒装芯片型发光器件，第一导电电极和第二导电电极被设置成彼此分开，半导体发光器件具有侧表面，并且第二导电电极延伸超过半导体发光器件的侧表面；以及将倒装芯片型发光器件联接到导电粘合剂层。
根据本发明的实施例的一种倒装芯片型半导体发光器件可包括：第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，在第一导电半导体层的一个表面上形成第一导电电极，有源层形成在第一导电半导体层的另一个表面和第二导电半导体层的一个表面之间，并且在第二导电半导体层上形成第二导电电极，第二导电电极延伸超过第二导电半导体层的侧表面，并且覆盖第二导电半导体层的侧表面的至少部分。
根据与本发明的实施例关联的示例，第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层在一个方向上堆叠；并且第二导电电极的至少部分沿着与一个方向垂直的另一个方向从第二导电半导体层的侧表面突出。
根据与本发明的实施例关联的示例，第二导电电极的突出部分具有最远离第一导电电极的上表面，并且第二导电电极的突出部分的上表面与最远离第一导电电极的第二导电半导体层的另一个表面具有高度差。
有益效果
根据具有以上构造的本公开，半导体发光器件可被布置成具有精细间距，并且其导电粘合剂层可具有柔性，从而实现可卷起的显示设备。
此外，根据本公开，可通过具有新结构的倒装芯片型半导体发光器件来实现能够省去用于电极欧姆形成的蚀刻或真空工艺的制造工艺
附图说明
附图示出本发明的实施例并且与描述一起用于说明本发明的原理，包括附图是为了提供对本发明的进一步理解并且附图被并入且构成本说明书的部分。
在附图中：
图1是示出根据本发明的实施例的使用半导体发光器件的显示设备的概念视图；
图2是图1中的一部分“A”的部分放大视图，并且图3A和图3B是沿着图2中的B-B线和C-C线截取的截面图；
图4是示出图3A中的倒装芯片型半导体发光器件的概念视图；
图5A至图5C是示出结合倒装芯片型半导体发光器件实现颜色的各种形式的概念视图；
图6是示出根据本发明的实施例的使用半导体发光器件制造显示设备的方法的截面图；
图7是示出根据本发明的另一个实施例的使用半导体发光器件的显示设备的透视图；
图8是沿着图7中的C-C线截取的截面图；
图9是示出图8中的垂直型半导体发光器件的概念视图；
图10是示出应用具有新结构的半导体发光器件的显示设备的部分放大视图；
图11A是沿着A-A线截取的截面图；
图11B是沿着B-B线截取的截面图；
图12是示出图11A中的倒装芯片型半导体发光器件的概念视图；
图13A至图13C是示出与具有新结构的倒装芯片型半导体发光器件关联地实现颜色的各种形式的概念视图；
图14A和图14B是示出根据本发明的实施例的使用具有新结构的倒装芯片型半导体发光器件制造显示设备的方法的截面图；以及
图15是示出根据本发明的另一个实施例的应用具有新结构的半导体发光器件的显示设备的部分放大视图。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细描述本文中公开的实施例，并且用相同的参考标号指定相同或类似的元件，而不管附图中的标号如何，并且将省略对其的冗余描述。用于下面描述中公开的构成元件的后缀“模块”或“单元”只是意在便于描述说明书，后缀本身并没有提供任何特殊的含义或功能。此外，在描述本文公开的实施例中，当对本发明所属公知技术的具体描述被判定为使本发明的主旨模糊不清时，将省略其详细描述。另外，应该注意，示出附图仅仅是为了方便说明本发明的构思，因此，附图不应该被理解为通过附图限制本文中公开的技术构思。
此外，应该理解，当诸如层、区域或衬底的元件被称为“在”另一个元件“上”时，它可直接在另一个元件上或者还可在其间插入中间元件。
本文中公开的显示设备可包括便携式电话、智能电话、膝上型计算机、数字广播终端、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、导航、板型PC(slate PC)、平板PC、超级本、数字TV、台式计算机等。然而，本领域的技术人员应该容易理解，本文中公开的构造可应用于任何可显示的设备，即便该设备是随后将被开发出的新产品类型。
图1是示出根据本公开的实施例的使用半导体发光器件的显示设备的概念视图。
根据该图，可使用柔性显示器显示在显示设备100的控制器中被处理的信息。
柔性显示器可包括柔性、可弯曲、可扭曲、可折叠和可卷起的显示器。例如，在现有技术中，柔性显示器可以是制造在薄柔性衬底上的显示器，该薄柔性衬底可像纸张一样被卷曲、弯曲、折叠或卷起，同时保持平板显示器的显示特性。
柔性显示器的显示区变成柔性显示器不卷曲的构造(例如，具有无限曲率半径的构造，下文中，被称为“第一构造”)中的平面。其显示区在第一构造中变成由外力卷曲柔性显示器的构造(例如，具有有限曲率半径的构造，下文中，被称为“第二构造”)中的弯曲表面。如图中所示，第二构造下显示的信息可以是弯曲表面上显示的可视信息。可通过独立控制设置成矩阵形式的子像素的发光来实现可视信息。子像素代表用于实现一种颜色的最小单元。
可通过半导体发光器件实现柔性显示器的子像素。根据本发明的实施例，发光二极管(LED)被图示为一种类型的半导体发光器件。发光二极管可形成为小尺寸，以通过此甚至在第二构造中起到子像素的作用。
下文中，将参照附图更详细地描述使用发光二极管实现的柔性显示器。
图2是图1中的部分“A”的部分放大视图，图3A和图3B是沿着图2中的B-B线和C-C线截取的截面图，图4是示出图3A中的倒装芯片型半导体发光器件的概念视图，图5A至图5C是示出结合倒装芯片型半导体发光芯片实现颜色的各种形式的概念视图。
根据图2、3A和3B中的图，使用无源矩阵(PM)型半导体发光器件的显示设备100被图示为使用半导体发光器件的显示设备100。然而，下面的图示也可应用于有源矩阵(AM)型半导体发光器件。
显示设备100可包括衬底110、第一电极120、导电粘合剂层130、第二电极40和多个半导体发光器件150。
衬底110可以是柔性衬底。衬底100可含有玻璃或聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示设备。另外，如果其是柔性材料，则可使用诸如聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等的任一种。此外，衬底110可以是透明材料和非透明材料中的任一种。
衬底110可以是设置有第一电极120的布线衬底，因此第一电极120可布置在衬底110上。
根据该图，绝缘层160可设置在布置有第一电极120的衬底110上，辅助电极170可布置在绝缘层160上。在这种情形下，绝缘层160沉积在衬底110上的构造可以是单个布线衬底。更具体地，绝缘层160可被合并在具有诸如聚酰亚胺(PI)、PET、PEN等的绝缘柔性材料的衬底110中，形成单个布线衬底。
作为用于将第一电极120电连接到半导体发光器件150的电极的辅助电极170布置在绝缘层160上，被设置成对应于第一电极120的位置。例如，辅助电极170具有点形，并且可通过穿过绝缘层160的电极孔171电连接到第一电极120。可通过将导电材料填充在通孔中，形成电极孔171。
参照这些图，导电粘合剂层130可形成在绝缘层160的一个表面上，但本发明的实施例可不必限于此。例如，有可能还可以具有导电粘合剂层130设置在不带绝缘层160的衬底110上的结构。导电粘合剂层130可在导电粘合剂层130设置在衬底110上的结构中起到绝缘层的作用。
导电粘合剂层130可以是具有粘附性和导电性的层，为此目的，导电材料和粘合剂材料可在导电粘合剂层130上进行混合。此外，导电粘合剂层130可具有柔性，从而允许显示设备中的柔性功能。
例如，导电粘合剂层130可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电膏、含有导电颗粒的溶液等。导电粘合剂层130可允许穿过其厚度的z方向上的电互连，但可被构造为在其水平x-y方向上具有电绝缘的层。因此，导电粘合剂层130可被称为z轴导电层(然而，下文中被称为“导电粘合剂层”)。
各向异性导电膜是具有各向异性导电介质与绝缘基体构件相混合的形式的膜，因此，当向其施加热和压力时，因有各向异性导电介质，各向异性导电膜中只有特定的一部分可具有导电性。下文中，向各向异性导电膜施加热和压力，但其它方法也可用于各向异性导电膜，使其部分地具有导电性。这些方法可包括向其只施加热和压力中的任一个、UV固化等。
此外，各向异性导电介质可以是导电球或颗粒。根据该图，在本实施例中，各向异性导电膜是具有各向异性导电介质与绝缘基体构件相混合的形式的膜，因此，当向其施加热和压力时，因有导电球，各向异性导电膜中只有特定的一部分可具有导电性。各向异性导电膜可以处于其中具有导电材料的核包含由具有聚合物材料的绝缘层涂覆的多个颗粒的状态，并且在这种情形下，在被施加热和压力的部分上的绝缘层断裂时，因有核，各向异性导电膜可具有导电性。这里，核可被转变，以实现具有对象在膜的厚度方向上接触的两个表面的层。
至于更具体的示例，向各向异性导电膜整体地施加热和压力，z轴方向上的电连接因与使用各向异性导电膜粘附的配合对象的高度差而部分地形成。
至于另一个示例，各向异性导电膜可处于包含其中导电材料涂覆在绝缘核上的多个颗粒的状态。在这种情形下，被施加热和压力的部分可被转换(压缩且粘合)成导电材料，以在膜的厚度方向上具有导电性。对又一个示例，它可被形成为在其中导电材料在z方向上经过绝缘基体构件的膜的厚度方向上具有导电性。在这种情形下，导电材料可具有尖锐端部。
根据该图，各向异性导电膜可以是固定阵列各向异性导电膜(ACF)，被构造成具有导电球被插入绝缘基体构件的一个表面中的形式。更具体地，绝缘基体构件由粘合剂材料形成，导电球被密集地设置在绝缘基体构件的底部部分，并且当向其施加热和压力时，基体构件连同导电球发生改变，从而在其垂直方向上具有导电性。
然而，本发明的实施例可不必限于此，各向异性导电膜可全部被允许具有导电球与绝缘基体构件随机混合的形式或配置有其中导电球设置在任一个层上的多个层的形式(双ACF)等。
作为联接膏体和导电球的形式的各向异性导电膏可以是其中导电球与绝缘粘合剂基体材料相混合的膏体。此外，含有导电颗粒的溶液可以是含有导电颗粒或纳米粒子的形式的溶液。
再参照该图，第二电极140位于绝缘层160上，与辅助电极170分开。换句话讲，导电粘合剂层130设置在定位有辅助电极170和第二电极140的绝缘层160上。
当在定位了辅助电极170和第二电极140的状态下形成导电粘合剂层130并且接着在施加热和压力的情况下以倒装芯片形式将半导体发光器件150连接到导电粘合剂层130时，半导体发光器件150电连接到第一电极120和第二电极140。
参照图4，半导体发光器件可以是倒装芯片型半导体发光器件。
例如，半导体发光器件可包括p型电极156、形成有p型电极156的p型半导体层155、形成在p型半导体层155上的有源层154、形成在有源层154上的n型半导体层153、被设置成在n型半导体层153上的水平方向上与p型电极156分开的n型电极152。在这种情形下，p型电极156可通过导电粘合剂层130电连接到焊接部，n型电极152可电连接到第二电极140。
再参照图2、图3A和图3B，辅助电极170可在一个方向上以伸长方式形成，以电连接到多个半导体发光器件150。例如，包围辅助电极的半导体发光器件的左右p型电极可电连接到一个辅助电极。
更具体地，半导体发光器件150被压入导电粘合剂层130中，通过这样，只有半导体发光器件150的p型电极156和辅助电极170之间的部分和半导体发光器件150的n型电极152和第二电极140之间的部分具有导电性，剩余部分没有导电性，因为半导体发光器件没有被下推。
此外，多个半导体发光器件150构成发光阵列，荧光体层180形成在发光阵列上。
发光器件可包括具有不同自发光值的多个半导体发光器件。半导体发光器件150中的每个构成子像素，并且电连接到第一电极120。例如，可存在多个第一电极120，并且，例如，半导体发光器件布置成多行，半导体发光器件的每行可电连接到多个第一电极中的任一个。
此外，半导体发光器件可按倒装芯片形式连接，因此，在透明介电衬底上生长半导体发光器件。此外，例如，半导体发光器件可以是氮化物半导体发光器件。半导体发光器件150具有优异的亮度特性，因此可以构成甚至小尺寸的单个子像素。
根据该图，隔墙190可形成在半导体发光器件150之间。在这种情形下，隔墙190可起到将单个子像素相互划分开的作用，并且与导电粘合剂层130一起形成为一体的主体。例如，当半导体发光器件150被插入各向异性导电膜中时，各向异性导电膜的基体构件可形成隔墙。
此外，当各向异性导电膜的基体构件是黑色时，隔墙190可具有反射特性，同时在没有另外的黑色绝缘体的情况下增大对比度。
至于另一个示例，反射型隔墙可分别设置有隔墙190。在这种情形下，根据显示设备的目的，隔墙190可包括黑色或白色绝缘体。当使用白色绝缘体的隔墙时，可具有增强反射率的效果，并且在具有反射特性的同时增大对比度。
荧光体层180可位于半导体发光器件150的外表面上。例如，半导体发光器件150是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件，荧光体层180起到将蓝色(B)光转换成子像素颜色的作用。荧光体层180可以是构成单个像素的红色荧光体层181或绿色荧光体层182。
换句话讲，能够将蓝色光转换成红色(R)光的红色荧光体181可在实现红色子像素的位置处沉积在蓝色半导体发光器件151上，能够将蓝色光转换成绿色(G)光的绿色荧光体182可在实现绿色子像素的位置处沉积在蓝色半导体发光器件151上。此外，只有蓝色半导体发光器件151可唯一地用在实现蓝色子像素的位置。在这种情形下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可实现一个像素。更具体地，可沿着第一电极120的每条线沉积一种颜色的荧光体。因此，第一电极120的一条线可以是控制一种颜色的电极。换句话讲，可顺序地设置红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)，从而实现子像素。
然而，本发明的实施例可不必限于此，半导体发光器件150可与替代荧光体的量子点(QD)相结合，以实现诸如红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素。
此外，可在各荧光体层之间设置黑底191，以增强对比度。换句话讲，黑底191可增强亮度的对比度。
然而，本公开可不必限于此，用于实现蓝色、红色和绿色的另一种结构也可应用于此。
参照图5A，可用高功率发光器件实现半导体发光器件150中的每个，高功率发光器件发射各种光，包括大多数使用氮化镓(GaN)并且其中添加铟(In)和/或铝(Al)的蓝色。
在这种情形下，半导体发光器件150可分别是用于实现各子像素的红色、绿色和蓝色半导体发光器件。例如，交替设置红色、绿色和蓝色半导体发光器件(R、G、B)，红色、绿色和蓝色子像素通过红色、绿色和蓝色半导体发光器件实现一个像素，从而实现全彩色显示器。
参照图5B，对于每个元件，半导体发光器件可具有设置有黄色荧光体层的白色发光器件(W)。在这种情形下，红色荧光体层181、绿色荧光体层182和蓝色荧光体层183可设置在白色发光器件(W)上，实现子像素。此外，可使用白色发光器件(W)上重复有红色、绿色和蓝色的滤色器来实现子像素。
参照图5C，可能还可以具有其中红色荧光体层181、绿色荧光体层182和蓝色荧光体层183可设置在超紫外光发光器件(UV)上的结构。以这种方式，半导体发光器件可用在直到紫外光(UV)以及可见光的整个区域内，并且可延伸到紫外光(UV)可用作激发源的半导体发光器件的形式。
再考虑本示例，半导体发光器件150布置在导电粘合剂层130上，已配置显示设备中的子像素。半导体发光器件150可具有优异的亮度特性，因此可以配置甚至具有小尺寸的个体子像素。个体半导体发光器件150的尺寸在其一侧的长度可小于80μm，并且形成有矩形或正方形形状的元件。在矩形形状的元件的情况下，其尺寸可小于20×80μm。
此外，即使当针对子像素使用边长长度是10μm的正方形形状的半导体发光器件150时，也将呈现出用于实现显示设备的足够亮度。因此，例如，在子像素的一条边长的尺寸是600μm并且其剩余的一条边是300μm的矩形像素的情况下，半导体发光器件之间的相对距离变得充分大。因此，在这种情形下，可以实现具有HD图像质量的柔性显示设备。
将用新型制造方法来制造使用上述半导体发光器件的显示设备。下文中，将参照图6描述该制造方法。
图6是示出根据本发明的实施例的使用半导体发光器件制造显示设备的方法的截面图。
参照该图，首先，在定位有辅助电极170和第二电极140的绝缘层160上，形成导电粘合剂层130。在第一衬底110上沉积绝缘层160以形成一个衬底(或布线衬底)，并且在布线衬底上设置第一电极120、辅助电极170和第二电极140。在这种情形下，第一电极120和第二电极140可设置在彼此垂直的方向上。此外，第一衬底110和绝缘层160可分别含有用于实现柔性显示设备的玻璃或聚酰亚胺(PI)。
例如，可用各向异性导电膜实现导电粘合剂层130，并且出于此目的，可在定位有绝缘层160的衬底上涂覆各向异性导电膜。
接下来，设置与辅助电极170和第二电极140的位置相对应并且构成单个像素的定位有多个半导体发光器件150的第二衬底112，使得半导体发光器件150面对辅助电极170和第二电极140。
在这种情形下，作为用于生长半导体发光器件150的生长衬底的第二衬底112可以是蓝宝石衬底或硅衬底。
半导体发光器件可具有能够在被形成为晶圆单元时实现显示设备的间隙和尺寸，并因此被有效用于显示设备。
接下来，将布线衬底热压缩成第二衬底112。例如，可通过应用ACF压头，将布线衬底和第二衬底112彼此热压缩。使用热压缩，将布线衬底和第二衬底112彼此粘结。只有半导体发光器件150与辅助电极170和第二电极140之间的一部分可由于因热压缩而具有导电性的各向异性导电膜的特性而具有导电性，从而允许电极和半导体发光器件150彼此电连接。此时，半导体发光器件150可被插入各向异性导电膜中，从而形成半导体发光器件150之间的隔墙。
接下来，去除第二衬底112。例如，可使用激光剥离(LLO)或化学剥离(CLO)方法去除第二衬底112。
最终，去除第二衬底112，以将半导体发光器件150暴露于外部。可在与半导体发光器件150联接的布线衬底上涂覆氧化硅(SiOx)等，以形成透明绝缘层。
此外，还可进一步包括在半导体发光器件150的一个表面上形成荧光体层的过程。例如，半导体发光器件150可以是用于发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件，并且用于将蓝色(B)光转换成子像素颜色的红色或绿色荧光体可在蓝色半导体发光器件的一个表面上形成层。
可按各种形式修改使用上述半导体发光器件的显示设备的制造方法或结构。例如，上述显示设备可应用于垂直型半导体发光器件。下文中，将参照图5和图6描述垂直结构。
此外，根据下面的修改的示例或实施例，为与以上示例相同或类似的构造指定相同或类似的参考标号，并且将用之前的描述取代对其的描述。
图7是示出根据本发明的另一个实施例的使用半导体发光器件的显示设备的透视图。图8是沿着图7中的C-C线截取的截面图，图9是示出图8中的垂直型半导体发光器件的概念视图。
根据这些图，显示设备可以是使用无源矩阵(PM)型的垂直型半导体发光器件的显示设备。
该显示设备可包括衬底210、第一电极220、导电粘合剂层230、第二电极240和多个半导体发光器件250。
作为设置有第一电极220的布线衬底的衬底210可包括用于实现柔性显示设备的聚酰亚胺(PI)。另外，可使用任一种材料，如果它是绝缘柔性材料的话。
第一电极220可位于衬底210上，并且形成有电极，该电极具有在一个方向上伸长的条。第一电极220可被形成为起到数据电极的作用。
导电粘合剂层230形成在定位有第一电极220的衬底210上。类似于应用倒装芯片型发光器件的显示设备，导电粘合剂层230可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电膏、含有导电颗粒的溶液等。然而，本实施例示出用各向异性导电膜实现导电粘合剂层230的情况。
当在第一电极220位于衬底210上的状态下定位各向异性导电膜并且接着施加热和压力以将半导体发光器件250连接到各向异性导电膜时，半导体发光器件250电连接到第一电极220。此外，半导体发光器件250可优选地设置在第一电极220上。
因为在如上所述施加热和压力时，各向异性导电膜部分具有厚度方向上的导电性，所以产生电连接。因此，各向异性导电膜被分隔成在其厚度方向上具有导电性的部分231和没有导电性的部分232。
此外，各向异性导电膜含有粘合剂成分，因此，导电粘合剂层230实现半导体发光器件250和第一电极220之间的机械联接以及电联接。
以这种方式，半导体发光器件250布置在导电粘合剂层230上，从而在显示设备中构成单独的子像素。半导体发光器件250可具有优异的亮度特性，因此可以配置甚至具有小尺寸的个体子像素。单个半导体发光器件250的尺寸在其一侧的长度可小于80μm，并且形成有矩形或正方形形状的元件。在矩形形状的元件的情况下，其尺寸可小于20×80μm。
半导体发光器件250可以是垂直结构。
设置在与第一电极220的长度方向交叉的方向上并且与垂直型半导体发光器件250电连接的多个第二电极240可位于垂直型半导体发光器件之间。
参照图9，垂直型半导体发光器件可包括p型电极256、形成有p型电极256的p型半导体层255、形成在p型半导体层255上的有源层254、形成在有源层254上的n型半导体层253、形成在n型半导体层253上的n型电极252。在这种情形下，位于其底部的p型电极256可通过导电粘合剂层230电连接到第一电极220，位于其顶部的n型电极252可电连接到随后将描述的第二电极240。这些电极可设置在垂直型半导体发光器件250中的向上/向下方向上，从而提供能够减小芯片尺寸的显著优势。
再参照图8，荧光体层280可形成在半导体发光器件250的一个表面上。例如，半导体发光器件250是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件251，可在其上设置用于将蓝色(B)光转换成子像素颜色的荧光体层280。在这种情形下，荧光体层280可以是构成单个像素的红色荧光体281和绿色荧光体282。
换句话讲，能够将蓝色光转换成红色(R)光的红色荧光体281可在实现红色子像素的位置处沉积在蓝色半导体发光器件251上，能够将蓝色光转换成绿色(G)光的绿色荧光体282可在实现绿色子像素的位置处沉积在蓝色半导体发光器件251上。此外，只有蓝色半导体发光器件251可唯一地用在实现蓝色子像素的位置。在这种情形下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可实现一个像素。
然而，本公开不限于此，并且用于实现蓝色、红色和绿色的另一个结构还可如上所述应用于应用倒装芯片型发光器件的显示设备中。
再考虑本实施例，第二电极240位于半导体发光器件250之间，并且电连接到半导体发光器件250。例如，半导体发光器件250可设置成多行，第二电极240可位于半导体发光器件250的各行之间。
由于构成单个像素的半导体发光器件250之间的距离充分大，因此第二电极240可位于半导体发光器件250之间。
第二电极240可形成有具有在一个方向上伸长的条的电极，并且设置在第一电极的垂直方向上。
此外，第二电极240可通过从第二电极240突出的连接电极电连接到半导体发光器件250。更具体地，连接电极可以是半导体发光器件250的n型电极。例如，n型电极形成有用于欧姆接触的欧姆电极，通过印刷或沉积使第二电极覆盖欧姆电极的至少一部分。通过这样，第二电极240可电连接到半导体发光器件250的n型电极。
根据该图，第二电极240可位于导电粘合剂层230上。根据情形，含有氧化硅(SiOx)的透明绝缘层可形成在形成有半导体发光器件250的衬底210上。当形成透明绝缘层并接着在其上布置第二电极240时，第二电极240可位于透明绝缘层上。此外，第二电极240可被形成为与导电粘合剂层230或透明绝缘层分开。
如果使用诸如氧化铟锡(ITO)的透明电极将第二电极240定位在半导体发光器件250上，则ITO材料的问题是与n型半导体的粘附性差。因此，第二电极240可布置在半导体发光器件250之间，从而获得不需要透明电极的优点。因此，具有优良粘附性的n型半导体层和导电材料可被用作水平电极，而不受选择透明材料的限制，从而增强光提取效率。
根据该图，隔墙290可形成在半导体发光器件250之间。换句话讲，隔壁290可设置在垂直型半导体发光器件250之间，以将构成单个像素的半导体发光器件250隔离。在这种情形下，隔墙290可起到将单个子像素相互划分开的作用，并且与导电粘合剂层230一起形成为一体化的主体。例如，当半导体发光器件150被插入各向异性导电膜中时，各向异性导电膜的基体构件可形成隔墙。
此外，当各向异性导电膜的基体构件是黑色时，在没有另外的黑色绝缘体的情况下增大对比度的同时，隔墙290可具有反射特性。
至于另一个示例，反射性隔墙可分别设置有隔墙290。在这种情形下，根据显示设备的目的，隔墙290可包括黑色或白色绝缘体。
如果第二电极240精确地定位在半导体发光器件250之间的导电粘合剂层230上，则隔墙290可位于半导体发光器件250和第二电极240之间。因此，可使用半导体发光器件250配置甚至具有小尺寸的单个子像素，半导体发光器件250之间的距离可相对充分大，以将第二电极240布置在半导体发光器件250之间，从而具有实现具有HD图像质量的柔性显示设备的效果。
此外，根据该图，黑底291可设置在各荧光体层之间，以增强对比度。换句话讲，黑底191可增强亮度的对比度。
如上所述，半导体发光器件250位于导电粘合剂层230上，从而在显示设备上构成单个像素。由于半导体发光器件250具有优异的亮度特性，因此配置甚至具有小尺寸的单个子像素。结果，可以通过半导体发光器件实现其中红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素实现一个像素的全彩色显示器。
根据使用如上所述的根据本发明的实施例的半导体发光器件的显示设备，会难以实现精细间距，因为在应用倒装芯片型时，第一电极和第二电极被布置在同一平面上，并且会存在以下问题：当应用垂直型半导体发光器件时，对于电极欧姆形成，蚀刻工艺和真空工艺是伴随进行的。根据本发明的实施例，提出了具有新形式的倒装芯片型半导体发光器件来解决以上问题。下文中，将更详细地描述应用具有新形式的倒装芯片型半导体发光器件的显示设备。
图10是示出应用具有新结构的半导体发光器件的显示设备的部分放大视图，图11A是沿着A-A线截取的截面图，图11B是沿着B-B线截取的截面图，图12是示出图11A中的倒装芯片型半导体发光器件的概念视图。
参照图10、图11A和图11B，示出了使用无源矩阵(PM)型半导体发光器件的显示设备100作为使用半导体发光器件的显示设备1000。然而，下面的例证还可应用于有源矩阵(AM)型半导体发光器件。
显示设备1000可包括衬底1010、第一电极1020、导电粘合剂层1030、第二电极1040和多个半导体发光器件1050。这里，第一电极1020和第二电极1040可分别包括多个电极。
作为上面设置有第一电极1020的布线衬底的衬底1010可包括用于实现柔性显示设备的聚酰亚胺(PI)。另外，可使用任一种材料，如果它是绝缘柔性材料的话。
第一电极1020可位于衬底1010上，并且形成有电极，该电极具有在一个方向上伸长的条。第一电极220可被形成为起到数据电极的作用。
导电粘合剂层1030形成在定位了第一电极1020的衬底1010上。类似于应用倒装芯片型发光器件的显示设备，导电粘合剂层1030可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电膏、含有导电颗粒的溶液等。然而，本实施例示出可用粘合剂层取代导电粘合剂层1030的情况。
当在第一电极120位于衬底1010上的状态下定位各向异性导电膜并且接着施加热和压力以将半导体发光器件1050与之连接时，半导体发光器件1050电连接到第一电极1020。此时，半导体发光器件1050可优选地设置在第一电极1020上。
当如上所述施加热和压力时，因为各向异性导电膜在厚度方向上部分具有导电性，所以产生电连接。因此，各向异性导电膜在其厚度方向上被分隔成具有导电性的一部分和无导电性的一部分。
此外，各向异性导电膜含有粘合剂成分，因此导电粘合剂层1030实现半导体发光器件1050和第一电极1020之间的机械联接以及电联接。
设置在与第一电极1020的长度方向交叉的方向上并且与半导体发光器件1050电连接的多个第二电极1040可位于半导体发光器件之间。
根据该图，第二电极1040可位于导电粘合剂层1030上。换句话讲，导电粘合剂层1030设置在布线衬底和第二电极1040之间。第二电极1040可由于与半导体发光器件1050接触而与之电连接。
由于以上结构，多个半导体发光器件1050联接到导电粘合剂层130，并且电连接到第一电极1020和第二电极1040。
根据情况，可在形成有半导体发光器件1050的衬底1010上，形成含有氧化硅(SiOx)的透明绝缘层。当形成透明绝缘层并且接着将第二电极1040布置在其上时，第二电极1040可位于透明绝缘层上。此外，第二电极1040可被形成为与导电粘合剂层1030或透明绝缘层分开。
如该图中示出的，多个半导体发光器件1050可在与第一电极1020中设置的多条电极线平行的方向上形成多列。然而，本发明的实施例可不必限于此。例如，多个半导体发光器件1050可沿着第二电极1040形成多列。
此外，显示设备1000还可包括荧光体层1080，荧光体层1080形成在多个半导体发光器件1050的一个表面上。例如，半导体发光器件1050是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件，荧光体层1080起到将蓝色(B)光转换成子像素颜色的作用。荧光体层1080可以是构成单个像素的红色荧光体层1081或绿色荧光体层1082。换句话讲，能够将蓝色光转换成红色(R)光的红色荧光体1081可在实现红色子像素的位置处沉积在蓝色半导体发光器件1051a上，能够将蓝色光转换成绿色(G)光的绿色荧光体1082可在实现绿色子像素的位置处沉积在蓝色半导体发光器件1051b上。此外，只有蓝色半导体发光器件1051c可唯一地用在实现蓝色子像素的位置。在这种情形下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可实现一个像素。更具体地，可沿着第一电极120的每条线沉积一种颜色的荧光体。因此，第一电极120的一条线可以是控制一种颜色的电极。换句话讲，可顺序地沿着第二电极1040设置红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)，从而实现子像素。然而，本发明的实施例不限于此，半导体发光器件1050可与替代荧光体的量子点(QD)相结合，以实现诸如红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素。
另一方面，显示设备还可包括设置在各荧光体层之间的黑底1091，以增强荧光体层1080的对比度。黑底1091可按使得在荧光体点之间形成间隙并且在间隙中填充黑色材料这样的方式形成。通过这样，黑底1091可在吸收外部光反射的同时增强明暗之间的对比度。黑底1091在荧光体层1080的沉积方向上沿着第一电极1020位于各荧光体之间。在这种情形下，荧光体层没有形成在与蓝色半导体发光器件1051对应的位置，但黑底可形成在两侧，在其间间隔中没有插入荧光体层(或者在其间插入蓝色半导体发光器件1051c)。
再参照根据本发明的实施例的半导体发光器件1050，对于本例证中的半导体发光器件1050，电极设置在顶部/底部，从而具有减小芯片尺寸的优点。然而，电极既设置在顶部/又设置在底部，但根据本发明的实施例的半导体发光器件可以是倒装芯片型发光器件。这里，将详细描述这种新的半导体发光器件的结构。
参照图12，例如，半导体发光器件1050可包括第一导电电极1156、形成有第一导电电极1156的第一导电半导体层1155、形成在第一导电半导体层1155上的有源层1154、形成在有源层1154上的第二导电半导体层1153和形成在第二导电半导体层1153上的第二导电电极1152。
第一导电电极1156和第一导电半导体层1155可分别是p型电极和p型半导体层，第二导电电极1152和第二导电半导体层1153可分别是n型电极和n型半导体层。然而，本发明的实施例可不必限于此，还可具有第一导电类型是n型并且第二导电类型是p型的例证。
更具体地，第一导电电极1156形成在第一导电半导体层1155的一个表面上，有源层1154形成在第一导电半导体层1155的另一个表面和第二导电半导体层1153的一个表面之间，第二导电电极1152形成在第二导电半导体层1153上。
此外，第一导电电极1156和第二导电电极1152被形成为分别在一个方向(或第一方向)上分开的位置在垂直于所述第一方向的方向(或第二方向)上具有互不相同的高度差。这里，一个方向可以是半导体发光器件的宽度方向，与所述一个方向垂直的方向可以是半导体发光器件的厚度方向。
第二导电电极1152利用该高度差形成在第二导电半导体层1153上，但与位于半导体发光器件上侧的第二电极1040相邻地设置。例如，第二导电电极1152的至少部分在所述一个方向上从第二导电半导体层1153的侧表面突出(或突出超过该侧表面)。以这种方式，第二导电电极1152从其侧表面突出(或突出超过该侧表面)，因此第二导电电极1152可暴露于半导体发光器件上。通过这样，第二导电电极1152设置在与设置在导电粘合剂层1030上的第二电极1040直接接触的位置。
如该图中所示，朝着第二导电半导体层1153凹陷的凹陷部分1153a可形成在第二导电半导体层1153的一个表面上，并且第二导电电极1152可被容纳在凹陷部分1153a中。在这种情形下，凹陷部分1153a可形成在第二导电半导体层1153的边缘上。
凹陷部分1153a可形成在第二导电半导体层1153的一个表面上没有被有源层1154覆盖的一部分的至少部分。
当如上所述形成凹陷部分1153a时，第二导电电极1152可位于比当第二导电电极1152没有凹陷部分时的位置更高的位置。此外，当第二导电电极1152容纳在凹陷部分1153a中时，第二导电电极1152的下表面可与第二导电半导体层1153的一个表面共平面。即，第二导电电极1152的下表面与第二导电半导体层1153的一个表面形成相同的平面。
根据该图，第二导电电极1152的至少部分嵌入导电粘合剂层1030中。例如，第二导电电极1152的整个部分可嵌入导电粘合剂层1030中。尽管第二导电电极1152嵌入导电粘合剂层1030中，但第二导电电极1152形成没有与导电粘合剂层1030导通的结构。对于第二导电电极1152，第二导电电极1152通过第二导电半导体层1153位于上侧，因为设置在导电粘合剂层1030下侧的导电球的大小被形成具有不可能接触第二导电电极1152的大小。换句话讲，分别对应于“P”和“N”的导电电极之间的高度差和导电粘合剂层1030的树脂起到绝缘体的作用，因此没有出现短路。
此外，从第二导电电极1152上的第二导电半导体层1153的侧表面突出的部分的上表面具有与第二导电半导体层1153的其他表面不同的高度。由于该高度差，导致在导电粘合剂层1030上形成凹槽1031。凹槽1031可处于在显示设备的制造工艺期间形成用于吸收UV的吸收层(或缓冲层)的位置。吸收层(或缓冲层)可用作在激光剥离期间将电极与蓝宝石或衬底分开的缓冲层，并且其厚度不具有以埃为单位的大小。以下，将描述使用这种吸收层(或缓冲层)的制造工艺。
在本发明的实施例中，当第二导电电极1152容纳在凹陷部分1153a中时，第二导电电极1152在所述一个方向上从第二导电半导体层1153的侧表面突出(或突出超过该侧表面)，使得第二导电电极1152的一部分覆盖第二导电半导体层1153的侧表面的一部分。在本发明的各种实施例中，第二导电电极1152可被形成为不覆盖第二导电半导体层1153的侧表面、覆盖该侧表面的部分或全部。当第二导电电极1152被形成为不覆盖第二导电半导体层1153的侧表面或覆盖该侧表面的部分时，在第二导电电极1152和第二导电半导体层1153之间存在高度差。当第二导电电极1152被形成为覆盖第二导电半导体层1153的侧表面的全部时，在第二导电电极1152和第二导电半导体层1153之间会没有高度差。如果第二导电电极1152和第二导电半导体层1153的上表面共平面，则如果第二导电电极1152突出超过第二导电半导体层1153的上表面，则会存在高度差。
第二电极1040的至少部分可被形成为填充在导电粘合剂层1030上形成的凹槽1031中。为此目的，第二电极1040被形成为具有突出和凹陷在其下表面上重复的形状。通过这样，第二电极1040可具有其任一个部分插入导电粘合剂层1030中并且其另一个部分设置在导电粘合剂层1030外部的结构。
此外，根据本发明的实施例，多个半导体发光器件1050可被形成为共享子像素内的单个第二导电电极1152。参照图11B，顺序地沉积上面沿着第二电极1040的布置方向沉积红色荧光体1081的蓝色半导体发光器件1051a、上面沉积绿色荧光体1082的蓝色半导体发光器件1051b、和上面没有沉积荧光体的蓝色半导体发光器件1051c。在这种情形下，与子像素内的蓝色半导体发光器件1051a、1051b、1051c对应的各个第二导电电极1152彼此电连接。换句话讲，单个第二导电电极1152a被形成为使得在子像素内彼此相邻的半导体发光器件的第二导电电极1152彼此连接。例如，单个第二导电电极1152a在子像素内形成为单个条形形状。
参照图10，为各子像素提供单个第二导电电极1152a，并且当在制造工艺期间蓝宝石衬底与其分开时，将其暴露于半导体发光器件的N-GaN侧。因此，在没有用于欧姆接触的蚀刻或真空工艺的情况下，可在第二导电电极1152上直接涂覆印刷电极，从而允许印刷电极成为第二电极1040。
具有以上新结构的倒装芯片型半导体发光器件可用细小间距或简单制造工艺来实现柔性显示设备。
上文中，已经描述了显示设备包括发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件的情况，但本发明的实施例可不必限于此，并且也可向其应用用于实现蓝色、绿色和红色的另一种结构。
图13A至图13C是示出与具有新结构的倒装芯片型半导体发光器件关联地实现颜色的各种形式的概念视图。
参照图13A，各半导体发光器件1050可被实现为发射除了最常使用氮化镓(GaN)的蓝色之外还额外使用铟(In)和/或铝(Al)的各种光的高功率发光器件。
在这种情形下，半导体发光器件1050可以是分别用于实现各子像素的红色、绿色和蓝色半导体发光器件。例如，红色、绿色和蓝色半导体发光器件(R、G、B)是交替设置的，并且红色、绿色和蓝色子像素形成一个像素，从而实现全彩色显示器。
类似于以上描述，根据以上结构，半导体发光器件可包括具有互不相同的高度差的第一导电电极1156和第二导电电极1152。此外，分别与红色、绿色和蓝色半导体发光器件(R、G、B)对应的第二导电电极1152彼此电连接。以这种方式，红色、绿色和蓝色半导体发光器件(R、G、B)可实现分别参照图10、图11A和图11B描述的具有新结构的半导体发光器件。将通过之前的描述来替代以上结构的描述。
半导体发光器件可实现具有多列的阵列结构。这里，发射同一颜色的半导体发光器件可被设置成对应同一列。例如，半导体发光器件可沿着多行第一电极1020设置成数列，其中，每列由发射同一颜色的半导体发光器件构成。
以这种方式，当半导体发光器件独立实现R、G和B时，可不设置额外的荧光体层。同时，甚至在这种情形下，显示设备还可包括黑底1091，黑底1091设置在配置有半导体发光器件的多列之间。如图中所示，黑底1091可被设置成在水平方向上彼此分开。
至于另一个示例，参照图13B，半导体发光器件可包括为各设备设置黄色荧光体层的白色发光器件(W)。在这种情形下，荧光体层可形成在白色发光器件(W)的上表面上。此外，为了实现子像素，可在白色发光器件(W)上设置红色荧光体层1081、绿色荧光体层1082和蓝色荧光体层1083。
此外，可使用红色、绿色和蓝色在白色发光器件(W)上重复的滤色器来实现子像素。即使在这种结构中，类似于以上描述，白色发光器件(W)可包括具有互不相同的高度差的第一导电电极1156和第二导电电极1152。以这种方式，白色发光器件(W)可实现分别参照图10、图11A和图11B描述的具有新结构的半导体发光器件。将通过之前的描述来替代以上结构的描述。
另一方面，即使在这种情形下，显示单元1000a还可进一步包括设置在配置有半导体发光器件的多列之间用于增强对比度和外部反射的黑底1091。黑底1091可设置在红色荧光体层1081、绿色荧光体层1082和蓝色荧光体层1083之间。
至于又一个示例，参照图13C，其可具有红色荧光体层1081、绿色荧光体层1082和蓝色荧光体层1083设置在紫外线发射器件(UV)上的结构。以这种方式，半导体发光器件可用于包括可见光以及紫外线(UV)的整个区域，并且可扩展成可使用紫外线(UV)作为上部荧光体的激发源的半导体发光器件的形式。
再参照本例证，半导体发光器件1050位于导电粘合剂层1030上，以构成显示设备中的子像素。半导体发光器件1050具有优异的亮度，因此单个子像素可被配置成甚至具有小尺寸。半导体发光器件1050的一条边的长度的尺寸小于80μm，并且可以是矩形或正方形的器件。在矩形形状的情况下，半导体发光器件1050的尺寸可小于20×80μm。
甚至在以上结构中，类似于以上描述，紫外线发光器件(UV)可包括具有互不相同的高度差的第一导电电极1156和第二导电电极1152。以这种方式，紫外线发光器件(UV)可实现分别参照图10、图11A和图11B描述的具有新结构的半导体发光器件。将通过之前的描述来替代以上结构的描述。
此外，即使当使用一条边的长度尺寸是10μm的正方形的半导体发光器件150作为子像素时，也可实现用于实现显示设备的足够亮度。因此，当子像素的一条边的长度尺寸是600μm并且其另一条边的长度是300μm时，半导体发光器件之间的距离相对地变得充分大。因此，在这种情形下，可以实现具有HD质量的柔性显示设备。
另一方面，即使在这种情形下，显示设备还可进一步包括设置在配置有半导体发光器件的多列之间用于增强对比度和外部反射的黑底1091。黑底1091可设置在红色荧光体层1081、绿色荧光体层1082和蓝色荧光体层1083之间。
将用新型制造方法制造使用以上的半导体发光器件的显示设备。下文中，将参照图14A和图14B描述该制造方法。
图14A和图14B是示出根据本发明的实施例的使用具有新结构的倒装芯片型半导体发光器件制造显示设备的方法的截面图。
首先，根据制造方法，在生长衬底1101上生长第一导电半导体层1155(图14A的(a))。
可形成包括具有透光性质的材料(例如，蓝宝石(Al2O3)、GaN、ZnO和AlO中的任一种)的生长衬底1101，但生长衬底1101可不必限于此。此外，生长衬底1101可由适于半导体材料生长的材料(载体晶圆)形成。生长衬底1101可由具有优异导热性的材料形成，该材料包括导体衬底或绝缘衬底，例如，具有高于蓝宝石衬底(Al2O3)的导热率的SiC衬底或Si、GaAs、GaP、InP和Ga2O3中的至少一种。
当生长第一导电半导体层1155时，在第一导电半导体层1155上顺序沉积有源层1154，并且在有源层1154上沉积第二导电半导体层1153(图14A的(b))。此外，去除第一导电半导体层1155、有源层1154和第二导电半导体层1153中的至少部分，以暴露第二导电半导体层1153的至少部分并且在第二导电半导体层1153上形成凹槽(图14A的(c))。
在这种情形下，在垂直方向上去除第一导电半导体层1155和有源层1154的部分，以将第二导电半导体层1153暴露于外部。如该图中所示，去除第二导电半导体层1153，以相比于有源层1154的表面使从第二导电半导体层1153暴露于外部的表面的至少部分更加凹陷。
接下来，分别在第一导电半导体层1155和第二导电半导体层1153上，形成在导电粘合剂层1030的厚度方向上具有高度差的第一导电电极1156和第二导电电极1152，以实现倒装芯片型半导体发光器件(图14A的(d))。可使用诸如溅射等沉积方法，形成第一导电电极1156和第二导电电极1152，但本发明的实施例可不必限于此。
在这种情形下，在从第二导电半导体层1153的侧表面突出的一部分的上表面上，形成用于吸收UV激光的吸收层1102。
吸收层1102可以是缓冲层，在低温气氛中形成，并且由减小半导体层和生长衬底110之间的晶格常数的材料形成。吸收层1102可包括诸如GaN、InN、AlN、AlInN、InGaN、AlGaN和InAlGaN的材料，但本发明的实施例可不必限于此。吸收层1102可在生长衬底1101上生长为单晶层。
如该图中示出的，在第一导电半导体层1155的一个表面上形成第一导电电极1156，在第一导电半导体层1155的另一个表面和第二导电半导体层1153的一个表面之间形成有源层1154，并且在第二导电半导体层1153上形成第二导电电极1152。
此外，第一导电电极1156和第二导电电极1152分别被形成为在所述一个方向上分开的位置在与所述一个方向垂直的方向上具有互不相同的高度差。
第二导电电极1152利用该高度差形成在第二导电半导体层1153上，但是位于半导体发光器件的上侧。例如，第二导电电极1152的至少部分从第二导电半导体层1153的侧表面突出。以这种方式，由于第二导电电极1152从侧表面突出，因此第二导电电极1152被暴露于半导体发光器件上。
当去除第二导电半导体层1153以相比于有源层1154的表面使第二导电半导体层1153暴露于外部的表面更加凹陷时，第二导电电极1152的至少部分处于形成的凹陷部分1153a上。
接下来，倒装芯片型半导体发光器件联接到导电粘合剂层1030(图14B的(b))。
例如，发光器件联接到生长衬底的组与设置在导电粘合剂层1030的下部分上的布线电极对准(图14B的(a))，然后，在将其压向导电粘合剂层1030的同时，施加热或催化剂。
导电粘合剂层1030由于热而具有流动性，并且半导体发光器件嵌入在导电粘合剂层1030中，并且第一导电电极1156和第一电极1020由于导电粘合剂层1030内的导电球等而彼此电连接。然而，在散热工艺期间，导电粘合剂层1030被固化。
在这种情形下，第二导电电极1152上的从第二导电半导体层1153的侧表面突出的一部分的上表面与第二导电半导体层1153的上表面具有高度差，并且凹槽1031由于该高度差而形成在导电粘合剂层1030上，并且吸收层1102可形成在凹槽1031上。
接下来，当导电粘合剂层1030固化时，去除生长衬底1101和吸收层1102(14B(c))。可将激光剥离(LLO)方法用于生长衬底的去除方法。然而，本发明的实施例可不必限于此，并且对于另一个示例，可使用湿蚀刻、干蚀刻或激光剥离(LLO)方法。
最终，印刷(涂覆)第二电极1040，使其覆盖导电粘合剂层的上表面上的第二导电电极(图14B的(d))。如上所述，第二电极1040在制造工艺期间蓝宝石衬底与其分开时暴露于半导体发光器件的N-GaN侧。因此，在没有用于欧姆接触的真空工艺的情况下，印刷电极可直接形成在第二导电电极上。
图15是示出根据本发明的另一个实施例的应用具有新结构的半导体发光器件的显示设备的部分放大视图。下文中，除非另外声明，否则根据本例证的结构，参照图10、图11A和图11B描述的内容将可应用于应用新型倒装芯片型半导体发光器件的显示设备。
根据该图，第一导电电极2156形成在第一导电半导体层2155的一个表面上，有源层2154形成在第一导电半导体层2155的另一个表面和第二导电半导体层2153的一个表面之间，并且第二导电电极2152形成在第二导电半导体层2153上。
此外，第一导电电极2156和第二导电电极2152被形成为在一个方向上分开的位置在与所述一个方向垂直的方向上具有互不相同的高度差。这里，一个方向可以是半导体发光器件的宽度方向，与所述一个方向垂直的方向可以是半导体发光器件的厚度方向。
第二导电电极2152利用该高度差形成在第二导电半导体层2153上，但与位于半导体发光器件上侧的第二电极2040相邻地设置。例如，第二导电电极2152的至少部分在所述一个方向上从第二导电半导体层2153的侧表面突出。以这种方式，第二导电电极2152从其侧表面突出，因此第二导电电极2152可暴露于半导体发光器件上。通过这样，第二导电电极2152设置在与设置在导电粘合剂层2030上的第二电极2040直接接触的位置。
如该图中所示，朝着第二导电半导体层2153的一个表面凹陷的凹陷部分2153a可形成在第二导电半导体层2153的另一个表面上，并且第二导电电极2152可被形成在凹陷部分2153a上。在这种情形下，没有被有源层2154覆盖的部分在第二导电半导体层2153的一个表面上一体地凹陷。因此，被有源层2154覆盖的部分和没有被其覆盖的部分在第二导电半导体层2153上彼此具有高度差。
第二导电电极2152设置在未覆盖部分上，第二导电电极2152可位于比当第二导电电极没有凹陷部分时的位置更高的位置。
此外，根据该图，第二导电电极2152的至少部分嵌入导电粘合剂层2030中。例如，第二导电电极2152的整个部分可嵌入导电粘合剂层2030中。
第二电极2040的至少部分可被形成为填充在导电粘合剂层2030上形成的凹槽2301中。为此目的，第二电极2040被形成为具有突出和凹陷在其下表面上重复的形状。通过这样，第二电极2040可具有其任一部分插入导电粘合剂层2030中并且其另一部分设置在导电粘合剂层2030外部的结构。
此外，根据本发明的实施例，多个半导体发光器件1050在子像素内相互电连接以及形成子像素之间的电连接结构。换句话讲，第二导电电极2152在子像素之间彼此连接，没有断开。以这种方式，第二导电电极2152被形成为使邻接的半导体发光器件沿着第二电极相互连接。因此，类似于第二电极2040的形状具有多个邻接的子像素相互连接的形状的第二导电电极2152被形成为细长条形状。
可按如以上结构中所示的各种形式，改造应用根据本发明的实施例的新型倒装芯片型半导体发光器件的显示设备。
根据上述实施例的构造和方法将不会以受限制的方式应用于使用半导体发光器件的以上显示设备，并且可选择性组合和配置各实施例的全部或部分，以对其进行各种修改。

Claims (15)

1.一种显示设备，包括：
布线衬底，所述布线衬底设置有第一电极；
导电粘合剂层，所述导电粘合剂层设置在所述布线衬底和第二电极之间；以及
多个半导体发光器件，所述多个半导体发光器件联接到所述导电粘合剂层，并且电连接到所述第一电极和所述第二电极，
其中，所述多个半导体发光器件中的至少一个包括被设置成彼此分开的第一导电电极和第二导电电极，所述半导体发光器件中的至少一个具有侧表面，并且
其中，所述第二导电电极延伸超过所述半导体发光器件中的至少一个的所述侧表面，
其中，所述导电粘合剂层是各向异性导电膜(ACF)或者各向异性导电膏，并且所述多个半导体发光器件被插入到所述导电粘合剂层，
其中，所述第一电极经由所述导电粘合剂层电连接到第一导电电极，以及
其中，所述第二导电电极具有最远离所述布线衬底的上表面，并且所述第二电极电连接到所述上表面。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述多个半导体发光器件中的每个发射红色光、绿色光、蓝色光和紫外光中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括用于将预定光转换成红色光、绿色光和蓝色光中的至少一种的荧光体层。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一导电电极和所述第二导电电极在第一方向上彼此分开并且在与所述第一方向垂直的第二方向上具有互不相同的高度差，以在所述第一方向上分开的位置处分别电连接到所述第一电极和所述第二电极，
其中，所述多个半导体发光器件中的至少一个进一步分别包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，并且
所述第一导电电极形成在所述第一导电半导体层的一个表面上，并且所述有源层形成在所述第一导电半导体层的另一个表面和所述第二导电半导体层的一个表面之间，并且所述第二导电电极形成在所述第二导电半导体层上并且由于所述高度差而与所述第二电极相邻设置。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述第二导电半导体层具有凹陷部分，所述凹陷部分形成在与所述布线衬底最近的所述第二导电半导体层的表面中，并且所述第二导电电极的部分被容纳在所述凹陷部分中。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述凹陷部分形成在所述第二导电半导体层的边缘处。
7.根据权利要求5所述的显示设备，其中，当所述第二导电电极被容纳在所述凹陷部分中，所述第二导电电极的下表面与所述第二导电半导体层的所述一个表面共面。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述多个半导体发光器件中的至少一个进一步分别包括堆叠在一个方向上的第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，以及
其中，所述第二导电电极的至少部分沿着与所述一个方向垂直的另一个方向从所述第二导电半导体层的所述侧表面突出。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述第二电极电连接到延伸超过所述第二导电半导体层的所述侧表面的所述第二导电电极的突出部分的表面。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述第二导电电极的突出部分的表面与最远离所述布线衬底的所述第二导电半导体层的另一个表面具有高度差。
11.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述第二导电电极的至少部分嵌入在所述导电粘合剂层中。
12.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述多个半导体发光器件中的两个或更多个在子像素内共享单个第二导电电极。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，通过相互连接的所述子像素内的所述半导体发光器件的邻接的所述第二导电电极，形成所述单个第二导电电极。
14.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述多个半导体发光器件是倒装芯片型发光器件。
15.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：
形成具有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的半导体发光器件；
去除所述第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的至少部分以暴露所述第二导电半导体层的至少部分并且在所述第二导电半导体层上形成凹槽；
分别在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层上形成第一导电电极和第二导电电极，以实现多个倒装芯片型发光器件，其中，所述第一导电电极和所述第二导电电极被设置成彼此分开，所述半导体发光器件具有侧表面，并且所述第二导电电极延伸超过所述半导体发光器件的所述侧表面；以及
将所述多个倒装芯片型发光器件联接到导电粘合剂层，
其中，所述第一导电电极和所述第二导电电极在所述导电粘合剂层的厚度方向上具有高度差，
其中，所述导电粘合剂层是各向异性导电膜(ACF)或者各向异性导电膏，并且所述多个倒装芯片型发光器件被插入到所述导电粘合剂层，
其中，布线衬底的第一电极经由所述导电粘合剂层电连接到所述第一导电电极，以及
其中，所述第二导电电极具有最远离所述布线衬底的上表面，并且第二电极电连接到所述上表面。
CN201480068665.4A 2013-12-17 2014-10-13 使用半导体发光器件的显示设备及其制造方法 Active CN105830141B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130157568A KR101521939B1 (ko) 2013-12-17 2013-12-17 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR10-2013-0157568 2013-12-17
US14/478,599 US9093629B2 (en) 2013-12-17 2014-09-05 Display device using semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
US14/478,599 2014-09-05
PCT/KR2014/009584 WO2015093721A1 (en) 2013-12-17 2014-10-13 Display device using semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105830141A CN105830141A (zh) 2016-08-03
CN105830141B true CN105830141B (zh) 2019-06-04

Family

ID=53369557

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480068665.4A Active CN105830141B (zh) 2013-12-17 2014-10-13 使用半导体发光器件的显示设备及其制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9093629B2 (zh)
EP (1) EP3084748B1 (zh)
KR (1) KR101521939B1 (zh)
CN (1) CN105830141B (zh)
WO (1) WO2015093721A1 (zh)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB201418772D0 (en) * 2014-10-22 2014-12-03 Infiniled Ltd Display
KR102014258B1 (ko) * 2014-11-21 2019-08-26 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US20160163940A1 (en) * 2014-12-05 2016-06-09 Industrial Technology Research Institute Package structure for light emitting device
KR102377794B1 (ko) * 2015-07-06 2022-03-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US11605757B2 (en) 2015-08-21 2023-03-14 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting diode
KR102412409B1 (ko) * 2015-10-26 2022-06-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
CN106848046B (zh) * 2015-12-04 2020-10-20 晶元光电股份有限公司 发光装置
DE102016103324A1 (de) * 2016-02-25 2017-08-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Videowand-Modul und Verfahren zum Herstellen eines Videowand-Moduls
KR20170139924A (ko) 2016-06-10 2017-12-20 엘지전자 주식회사 투명 발광다이오드 필름
KR102553630B1 (ko) 2016-08-11 2023-07-10 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102650341B1 (ko) * 2016-11-25 2024-03-22 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
JPWO2019031183A1 (ja) * 2017-08-10 2020-08-20 シャープ株式会社 半導体モジュール、表示装置、及び半導体モジュールの製造方法
US11355549B2 (en) 2017-12-29 2022-06-07 Lumileds Llc High density interconnect for segmented LEDs
KR102048994B1 (ko) * 2018-01-16 2019-11-27 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
CN108735102B (zh) * 2018-05-26 2021-07-02 矽照光电（厦门）有限公司 一种柔性显示屏及其生产方法
CN108766269A (zh) * 2018-07-27 2018-11-06 祺虹电子科技（深圳）有限公司 透明显示基板、透明显示屏及其制作方法
TWI685096B (zh) * 2018-11-21 2020-02-11 瑩耀科技股份有限公司 多層堆疊補隙發光半導體結構及其製作方法
KR102145016B1 (ko) * 2019-02-28 2020-08-18 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 디스플레이 패널에 조립하는 조립 장치
KR20210019323A (ko) 2019-08-12 2021-02-22 삼성전자주식회사 마이크로 엘이디 디스플레이 및 이의 제작 방법
US20220059496A1 (en) * 2020-08-18 2022-02-24 Seoul National University R&Db Foundation Electronic device and method of transferring electronic element using stamping and magnetic field alignment

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101297606A (zh) * 2005-10-21 2008-10-29 法国圣-戈班玻璃公司 包括至少一个发光二极管的发光结构、其制造及其应用
TW201113940A (en) * 2009-05-12 2011-04-16 Univ Illinois Printed assemblies of ultrathin, microscale inorganic light emitting diodes for deformable and semitransparent displays
TW201230408A (en) * 2010-11-08 2012-07-16 Bridgelux Inc LED-based light source utilizing asymmetric conductors
US8272757B1 (en) * 2005-06-03 2012-09-25 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diode lamp capable of high AC/DC voltage operation

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7087936B2 (en) * 2003-04-30 2006-08-08 Cree, Inc. Methods of forming light-emitting devices having an antireflective layer that has a graded index of refraction
WO2006104935A2 (en) * 2005-03-28 2006-10-05 Goldeneye,Inc. Light emitting diodes and methods of fabrication
US20070290196A1 (en) * 2005-07-08 2007-12-20 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic light emitting display device and method for manufacturing the organic light emitting display device
US7639335B2 (en) * 2007-03-19 2009-12-29 Epson Imaging Devices Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
KR101580827B1 (ko) 2009-09-16 2015-12-29 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
KR101258586B1 (ko) * 2009-12-21 2013-05-02 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 패키지 및 이의 제조방법
KR101230622B1 (ko) * 2010-12-10 2013-02-06 이정훈 집단 본딩을 이용한 반도체 디바이스 제조 방법 및 그것에 의해 제조된 반도체 디바이스
KR20130087160A (ko) * 2012-01-27 2013-08-06 삼성전자주식회사 발광소자 어레이 및 이를 이용한 발광소자 패키지

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8272757B1 (en) * 2005-06-03 2012-09-25 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diode lamp capable of high AC/DC voltage operation
CN101297606A (zh) * 2005-10-21 2008-10-29 法国圣-戈班玻璃公司 包括至少一个发光二极管的发光结构、其制造及其应用
TW201113940A (en) * 2009-05-12 2011-04-16 Univ Illinois Printed assemblies of ultrathin, microscale inorganic light emitting diodes for deformable and semitransparent displays
TW201230408A (en) * 2010-11-08 2012-07-16 Bridgelux Inc LED-based light source utilizing asymmetric conductors

Also Published As

Publication number Publication date
KR101521939B1 (ko) 2015-05-20
WO2015093721A1 (en) 2015-06-25
CN105830141A (zh) 2016-08-03
EP3084748A1 (en) 2016-10-26
EP3084748B1 (en) 2018-07-11
US9093629B2 (en) 2015-07-28
US20150171297A1 (en) 2015-06-18
EP3084748A4 (en) 2017-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105830141B (zh) 使用半导体发光器件的显示设备及其制造方法
CN106058001B (zh) 半导体发光装置、其转移头及转移半导体发光装置的方法
CN106024801B (zh) 使用半导体发光器件的显示器件及其制造方法
CN105051804B (zh) 使用半导体发光器件的显示装置
CN106409864B (zh) 使用半导体发光二极管的显示设备
CN106062858B (zh) 使用半导体发光器件的显示设备
CN110050511A (zh) 使用半导体发光二极管的显示装置
CN105684070B (zh) 使用半导体发光器件的显示装置
CN110024484A (zh) 使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法
CN107211504A (zh) 使用半导体发光器件的显示装置及制造方法
CN109792817A (zh) 使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法
CN109691231A (zh) 使用半导体发光元件的显示器件
CN105474747A (zh) 使用半导体发光器件的显示装置
CN106663721A (zh) 使用半导体发光器件的显示装置
CN105493625A (zh) 利用半导体发光器件的显示装置
CN107210292A (zh) 使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法
US20230117219A1 (en) Method for manufacturing display device using semiconductor light-emitting elements and display device
CN110050512A (zh) 使用半导体发光元件的显示装置
EP4068368A1 (en) Display device using semiconductor light emitting elements, and method for manufacturing same
KR102014258B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US20210376211A1 (en) Display apparatus using semiconductor light-emitting device
EP3823029B1 (en) Display device using semiconductor light-emitting elements
US20220123175A1 (en) Display device employing semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor
US20220416127A1 (en) Display apparatus using semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
US20230411575A1 (en) Display device and method for manufacturing same

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant