KR102048994B1 - 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 하부배선을 구비하는 기판과, 상기 하부배선의 양측에 배치되며, 상기 기판의 일면에서 돌출되게 이루어지는 제1리브 및 제2리브를 구비하는 리브부와, 상기 제1리브 및 제2리브의 사이에 충전되며, 상기 하부배선을 덮도록 형성되는 솔더블 메탈, 및 상기 리브부를 따라 순차적으로 배치되며, 상기 하부배선에 전기적으로 연결되도록 상기 솔더블 메탈에 적어도 일부가 삽입되는 복수의 반도체 발광소자들을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치{DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다.
최근에는 디스플레이 기술분야에서 박형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 이에 반해, 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liguid Crystal Display)와 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다.
그러나, LCD의 경우에 빠르지 않은 반응 시간과, 박형, 플렉서블의 구현이 어렵다는 문제점이 존재하고, AMOLED의 경우에 수명이 짧고, 양산 수율이 좋지 않을 뿐 아니라 박형, 플렉서블의 정도가 약하다는 취약점이 존재한다.
한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 따라서, 상기 반도체 발광 소자를 이용하여 디스플레이를 구현하여, 상기의 문제점을 해결하는 방안이 제시될 수 있다.
한편, 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 구현시, 초소형의 반도체 발광소자를 배선에 연결시에, 고난이도의 작업이 필요하고 고비용이 소요되는 문제가 지속적으로 제기되어 왔다. 나아가, 면적이 커질수록 반도체 발광소자의 안정된 부착이 어렵다는 문제가 존재한다. 이에 본 발명에서는 전술한 문제점들을 해결할 수 있는 새로운 구조의 디스플레이 장치를 제안한다.
본 발명의 일 목적은 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치에서, 대면적의 전사가 가능한 새로운 메커니즘을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 일 목적은 보다 용이하게 반도체 발광소자를 배선기판으로 전사할 수 있는 디스플레이 장치를 제공하기 위한 것이다.
과제를 해결하는 수단으로, 본 발명에서는 반도체 발광소자를 구조물의 사이에 배치하고, 솔더블 메탈을 충전하여 배선과 연결한다.
보다 구체적으로, 본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 하부배선을 구비하는 기판과, 상기 하부배선의 양측에 배치되며, 상기 기판의 일면에서 돌출되게 이루어지는 제1리브 및 제2리브를 구비하는 리브부와, 상기 제1리브 및 제2리브의 사이에 충전되며, 상기 하부배선을 덮도록 형성되는 솔더블 메탈, 및 상기 리브부를 따라 순차적으로 배치되며, 상기 하부배선에 전기적으로 연결되도록 상기 솔더블 메탈에 적어도 일부가 삽입되는 복수의 반도체 발광소자들을 포함한다.
실시 예에 있어서, 상기 디스플레이 장치는 상기 솔더블 메탈을 덮도록 형성되는 평탄층을 포함한다. 상기 평탄층에는 상기 반도체 발광소자들과 전기적으로 연결되는 상부배선이 배치될 수 있다.
실시 예에 있어서, 상기 디스플레이 장치는 상기 평탄층 및 반도체 발광소자들을 덮도록 형성되며, 빛의 파장을 변환하는 형광체층을 포함한다. 상기 리브부는 일방향으로 따라 기설정된 간격으로 배치되는 복수의 리브부들 중 어느 하나이고, 상기 형광체층은 상기 리브부들의 사이로 연장될 수 있다.
상기 복수의 리브부들은 제1리브부 및 제2리브부를 구비하고, 상기 제1리브부를 덮는 형광체층은 상기 제1리브부와 상기 제2리브부의 사이를 충전할 수 있다. 상기 제1리브부의 리브들 중 상기 제2리브부에 가까운 리브는 광투과성 재질로 이루어질 수 있다.
실시 예에 있어서, 상기 제1리브 및 제2리브 중 어느 하나는 빛을 투과하도록 형성되고, 다른 하나는 빛을 반사하도록 형성된다. 상기 제1리브 및 제2리브는 상기 반도체 발광소자를 기준으로 좌우 대칭되도록 이루어질 수 있다. 상기 기판의 일면을 기준으로 상기 리브부의 높이는 상기 하부배선보다 높도록 이루어질 수 있다.
실시 예에 있어서, 상기 리브부는 일방향으로 따라 기설정된 간격으로 배치되는 복수의 리브부들 중 어느 하나이고, 상기 리브부들의 사이에는 절연재질이 충전된다. 상기 리브부의 상면에는 빛의 파장을 변환하는 형광체층이 형성되며, 상기 형광체층은 상기 절연재질을 덮도록 연장될 수 있다.
상기와 같은 구성의 본 발명에 의하면, 리브부를 통하여, 솔더블 메탈을 액상으로 가열하고, 반도체 발광소자를 삽입하여 배선을 완성하는 것이 가능하게 되며, 따라서, 디스플레이 장치에서 배선을 위한 공정이 단순화될 수 있다.
또한, 리브부를 이용함에 따라, 전사시에 반도체 발광소자가 보호되며 이를 통하여 저비용으로 선택적 전사하는 것이 가능하게 된다. 나아가, 투명한 리브부를 이용하여 형광체가 분포되는 면적이 보다 확보될 수 있게 된다. 이를 통하여, 반도체 발광소자의 사이 공간에서 빛의 색상이 변환되도록 한다.
또한, 본 발명에 의하면 이방성 전도필름 등을 이용한 필요가 없어, 비용이 저감되며 대면적 부착시에 접착층의 유동으로 인한 불안정성이 방지될 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이다.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이다.
도 9는 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 10 및 도 11은 본 발명에 따른 새로운 구조의 반도체 발광소자가 적용된 본 발명의 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A의 부분의 확대도 및 평면도이다.
도 12 및 도 13은 도 10의 라인 E-E 및 라인 F-F를 따라 취한 단면도들이다.
도 14는 도 10의 수직형 반도체 발광 소자를 나타내는 확대도이다.
도 15는 도 10의 디스플레이의 제조방법에서 선택적 전사를 하는 과정을 나타내는 공정도이다.
도 16 및 도 17은 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 다른 실시예를 나타내는 단면도들이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.
또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도시에 의하면, 디스플레이 장치(100)의 제어부에서 처리되는 정보는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 이용하여 표시될 수 있다.
플렉서블 디스플레이는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있는 디스플레이를 포함한다. 예를 들어, 플렉서블 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 디스플레이 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나, 구부리거나, 접을 수 있거나 말 수 있는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 디스플레이가 될 수 있다.
상기 플렉서블 디스플레이가 휘어지지 않는 상태(예를 들어, 무한대의 곡률반경을 가지는 상태, 이하 제1상태라 한다)에서는 상기 플렉서블 디스플레이의 디스플레이 영역이 평면이 된다. 상기 제1상태에서 외력에 의하여 휘어진 상태(예를 들어, 유한의 곡률반경을 가지는 상태, 이하, 제2상태라 한다)에서는 상기 디스플레이 영역이 곡면이 될 수 있다. 도시와 같이, 상기 제2상태에서 표시되는 정보는 곡면상에 출력되는 시각 정보가 될 수 있다. 이러한 시각 정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다. 상기 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다.
상기 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 반도체 발광 소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 단위 화소의 역할을 할 수 있게 된다.
이하, 상기 발광 다이오드를 이용하여 구현된 플렉서블 디스플레이에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이며, 도 4는 도 3a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이고, 도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 2, 도 3a 및 도 3b의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.
상기 디스플레이 장치(100)는 기판(110), 제1전극(120), 전도성 접착층(130), 제2전극(140) 및 복수의 반도체 발광 소자(150)를 포함한다.
기판(110)은 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 기판(110)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.
상기 기판(110)은 제1전극(120)이 배치되는 배선기판이 될 수 있으며, 따라서 상기 제1전극(120)은 기판(110) 상에 위치할 수 있다.
도시에 의하면, 절연층(160)은 제1전극(120)이 위치한 기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 상기 절연층(160)에는 보조전극(170)이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 기판(110)에 절연층(160)이 적층된 상태가 하나의 배선기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(160)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 기판(110)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수 있다.
보조전극(170)은 제1전극(120)과 반도체 발광 소자(150)를 전기적으로 연결하는 전극으로서, 절연층(160) 상에 위치하고, 제1전극(120)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 보조전극(170)은 닷(dot) 형태이며, 절연층(160)을 관통하는 전극홀(171)에 의하여 제1전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극홀(171)은 비아 홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다.
본 도면들을 참조하면, 절연층(160)의 일면에는 전도성 접착층(130)이 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 절연층(160)과 전도성 접착층(130)의 사이에 특정 기능을 수행하는 레이어가 형성되거나, 절연층(160)이 없이 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조도 가능하다. 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조에서는 전도성 접착층(130)이 절연층의 역할을 할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(130)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(130)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.
이러한 예로서, 전도성 접착층(130)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 전도성 접착층(130)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 전도성 접착층(130)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다(다만, 이하 '전도성 접착층'이라 한다).
상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법도 가능하다. 이러한 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 도시에 의하면, 본 예시에서 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.
다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.
도시에 의하면, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)가 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스부재의 바닥부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직방향으로 전도성을 가지게 된다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.
이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 particle 혹은 nano 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.
다시 도면을 참조하면, 제2전극(140)은 보조전극(170)과 이격하여 절연층(160)에 위치한다. 즉, 상기 전도성 접착층(130)은 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치하는 절연층(160) 상에 배치된다.
절연층(160)에 보조전극(170)과 제2전극(140)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(130)을 형성한 후에, 반도체 발광 소자(150)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(150)는 제1전극(120) 및 제2전극(140)과 전기적으로 연결된다.
도 4를 참조하면, 상기 반도체 발광 소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.
예를 들어, 상기 반도체 발광 소자는 p형 전극(156), p형 전극(156)이 형성되는 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154) 상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에서 p형 전극(156)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(156)은 보조전극(170)과 전도성 접착층(130)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, n형 전극(152)은 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다.
다시 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 보조전극(170)은 일방향으로 길게 형성되어, 하나의 보조전극이 복수의 반도체 발광 소자(150)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 보조전극을 중심으로 좌우의 반도체 발광 소자들의 p형 전극들이 하나의 보조전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(130)의 내부로 반도체 발광 소자(150)가 압입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150)의 p형 전극(156)과 보조전극(170) 사이의 부분과, 반도체 발광 소자(150)의 n형 전극(152)과 제2전극(140) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 되고, 나머지 부분에서는 반도체 발광 소자의 압입이 없어 전도성을 가지지 않게 된다. 이와 같이, 전도성 접착층(130)은 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 사이 및 반도체 발광 소자(150)와 제2전극(140) 사이를 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 형성시킨다.
또한, 복수의 반도체 발광 소자(150)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(180)이 형성된다.
발광 소자 어레이는 자체 휘도값이 상이한 복수의 반도체 발광 소자들을 포함할 수 있다. 각각의 반도체 발광 소자(150)는 단위 화소를 구성하며, 제1전극(120)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제1전극(120)은 복수 개일 수 있고, 반도체 발광 소자들은 예컨대 수 열로 배치되며, 각 열의 반도체 발광 소자들은 상기 복수 개의 제1전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 반도체 발광 소자들이 플립 칩 형태로 접속되므로, 투명 유전체 기판에 성장시킨 반도체 발광 소자들을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광 소자들은 예컨대 질화물 반도체 발광 소자일 수 있다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(150)의 사이에 격벽(190)이 형성될 수 있다. 이 경우, 격벽(190)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 전도성 접착층(130)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(150)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(190)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 이 경우에, 상기 격벽(190)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.
형광체층(180)은 반도체 발광 소자(150)의 외면에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(180)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(180)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(181) 또는 녹색 형광체(182)가 될 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(181)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(182)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(151)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(120)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(120)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(140)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(150)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들을 구현할 수 있다.
또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(191)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(191)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
도 5a를 참조하면, 각각의 반도체 발광 소자(150)는 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다.
이 경우, 반도체 발광 소자(150)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(R, G, B)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자에 의하여 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 단위 화소들이 하나의 화소(pixel)를 이루며, 이를 통하여 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 반도체 발광 소자는 황색 형광체층이 개별 소자마다 구비된 백색 발광 소자(W)를 구비할 수 있다. 이 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 발광 소자(W) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비될 수 있다. 또한, 이러한 백색 발광 소자(W) 상에 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 이용하여 단위 화소를 이룰 수 있다.
도 5c를 참조하면, 자외선 발광 소자(UV) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비되는 구조도 가능하다. 이와 같이, 반도체 발광 소자는 가시광선뿐만 아니라 자외선(UV)까지 전영역에 사용가능하며, 자외선(UV)이 상부 형광체의 여기원(excitation source)으로 사용가능한 반도체 발광 소자의 형태로 확장될 수 있다.
본 예시를 다시 살펴보면, 반도체 발광 소자(150)는 전도성 접착층(130) 상에 위치되어, 디스플레이 장치에서 단위 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(150)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
또한, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광 소자(150)를 단위 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다. 따라서, 단위 화소의 크기가 한 변이 600㎛, 나머지 한변이 300㎛인 직사각형 화소인 경우를 예로 들면, 반도체 발광 소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 된다. 따라서, 이러한 경우, HD화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.
상기에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 새로운 형태의 제조방법에 의하여 제조될 수 있다. 이하, 도 6을 참조하여 상기 제조방법에 대하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
본 도면을 참조하면, 먼저, 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치된 절연층(160) 상에 전도성 접착층(130)을 형성한다. 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층되어 하나의 기판(또는 배선기판)을 형성하며, 상기 배선기판에는 제1전극(120), 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 배치된다. 이 경우에, 제1전극(120)과 제2전극(140)은 상호 직교 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110) 및 절연층(160)은 각각 유리 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 의하여 구현될 수 있으며, 이를 위하여 절연층(160)이 위치된 기판에 이방성 전도성 필름이 도포될 수 있다.
다음에, 보조전극(170) 및 제2전극(140)들의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 복수의 반도체 발광 소자(150)가 위치된 제2기판(112)을 상기 반도체 발광 소자(150)가 보조전극(170) 및 제2전극(140)와 대향하도록 배치한다.
이 경우에, 제2기판(112)은 반도체 발광 소자(150)를 성장시키는 성장 기판으로서, 사파이어(spire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자는 웨이퍼(wafer) 단위로 형성될 때, 디스플레이 장치를 이룰 수 있는 간격 및 크기를 가지도록 함으로써, 디스플레이 장치에 효과적으로 이용될 수 있다.
그 다음에, 배선기판과 제2기판(112)을 열압착한다. 예를 들어, 배선기판과 제2기판(112)은 ACF press head 를 적용하여 열압착될 수 있다. 상기 열압착에 의하여 배선기판과 제2기판(112)은 본딩(bonding)된다. 열압착에 의하여 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 및 제2전극(140)의 사이의 부분만 전도성을 가지게 되며, 이를 통하여 전극들과 반도체 발광소자(150)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때에, 반도체 발광 소자(150)가 상기 이방성 전도성 필름의 내부로 삽입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150) 사이에 격벽이 형성될 수 있다.
그 다음에, 상기 제2기판(112)을 제거한다. 예를 들어, 제2기판(112)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다.
마지막으로, 상기 제2기판(112)을 제거하여 반도체 발광 소자들(150)을 외부로 노출시킨다. 필요에 따라, 반도체 발광 소자(150)가 결합된 배선기판 상을 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 코팅하여 투명 절연층(미도시)을 형성할 수 있다.
또한, 상기 반도체 발광 소자(150)의 일면에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 적색 형광체 또는 녹색 형광체가 상기 청색 반도체 발광 소자의 일면에 레이어를 형성할 수 있다.
이상에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법이나 구조는 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 그 예로서, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에는 수직형 반도체 발광 소자도 적용될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 수직형 구조에 대하여 설명한다.
또한, 이하 설명되는 변형예 또는 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이고, 도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이며, 도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
본 도면들을 참조하면, 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 수직형 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있다.
상기 디스플레이 장치는 기판(210), 제1전극(220), 전도성 접착층(230), 제2전극(240) 및 복수의 반도체 발광 소자(250)를 포함한다.
기판(210)은 제1전극(220)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.
제1전극(220)은 기판(210) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(220)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.
전도성 접착층(230)은 제1전극(220)이 위치하는 기판(210)상에 형성된다. 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(230)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서도 이방성 전도성 필름에 의하여 전도성 접착층(230)이 구현되는 경우를 예시한다.
기판(210) 상에 제1전극(220)이 위치하는 상태에서 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광 소자(250)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(250)가 제1전극(220)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광 소자(250)는 제1전극(220) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다.
상기 전기적 연결은 전술한 바와 같이, 이방성 전도성 필름에서 열 및 압력이 가해지면 부분적으로 두께방향으로 전도성을 가지기 때문에 생성된다. 따라서, 이방성 전도성 필름에서는 두께방향으로 전도성을 가지는 부분(231)과 전도성을 가지지 않는 부분(232)으로 구획된다.
또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 전도성 접착층(230)은 반도체 발광 소자(250)와 제1전극(220) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.
이와 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(250)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자(250)는 수직형 구조가 될 수 있다.
수직형 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(220)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광 소자(250)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(240)이 위치한다.
도 9를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광 소자는 p형 전극(256), p형 전극(256) 상에 형성된 p형 반도체층(255), p형 반도체층(255) 상에 형성된 활성층(254), 활성층(254)상에 형성된 n형 반도체층(253) 및 n형 반도체층(253) 상에 형성된 n형 전극(252)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(256)은 제1전극(220)과 전도성 접착층(230)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(252)은 후술하는 제2전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광 소자(250)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.
다시 도 8을 참조하면, 상기 반도체 발광 소자(250)의 일면에는 형광체층(280)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(250)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자(251)이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(280)이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층(280)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(281) 및 녹색 형광체(282) 일 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(281)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(282)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(251)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치에서 전술한 바와 같이, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
다시 본 실시예를 살펴보면, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치하고, 반도체 발광 소자들(250)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자들(250)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250)의 열들 사이에 위치할 수 있다.
개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치될 수 있다.
제2전극(240)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있으며, 제1전극과 상호 수직한 방향으로 배치될 수 있다.
또한, 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)는 제2전극(240)에서 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 연결 전극이 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 될 수 있다. 예를 들어, n형 전극은 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 전극으로 형성되며, 상기 제2전극은 인쇄 또는 증착에 의하여 오믹 전극의 적어도 일부를 덮게 된다. 이를 통하여 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 전기적으로 연결될 수 있다.
도시에 의하면, 상기 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 상에 위치될 수 있다. 경우에 따라, 반도체 발광 소자(250)가 형성된 기판(210) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(240)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(240)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 또는 투명 절연층에 이격되어 형성될 수도 있다.
만약 반도체 발광 소자(250) 상에 제2전극(240)을 위치시키기 위하여는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극을 사용한다면, ITO 물질은 n형 반도체층과는 접착성이 좋지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 발광 소자(250) 사이에 제2전극(240)을 위치시킴으로써, ITO와 같은 투명 전극을 사용하지 않아도 되는 이점이 있다. 따라서, 투명한 재료 선택에 구속되지 않고, n형 반도체층과 접착성이 좋은 전도성 물질을 수평 전극으로 사용하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 위치할 수 있다. 즉, 개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250)를 격리시키기 위하여 수직형 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 배치될 수 있다. 이 경우, 격벽(290)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 상기 전도성 접착층(230)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(250)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(290)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로서, 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 격벽(290)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다.
만일 제2전극(240)이 반도체 발광 소자(250) 사이의 전도성 접착층(230) 상에 바로 위치된 경우, 격벽(290)은 수직형 반도체 발광 소자(250) 및 제2전극(240)의 사이사이에 위치될 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자(250)를 이용하여 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있고, 반도체 발광 소자(250)의 거리가 상대적으로 충분히 크게 되어 제2전극(240)을 반도체 발광 소자(250) 사이에 위치시킬 수 있고, HD 화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.
또한, 도시에 의하면, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체 사이에는 블랙 매트릭스(291)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(291)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
상기 설명과 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자에 의하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이루는 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
한편, 반도체 발광소자를 구비한 디스플레이 장치에서는, 전술한 도전성 접착층에 의하여 가격이 매우 높고, 대면적에서는 안정된 부착이 어렵게 되는 문제가 있다. 이에 본 발명에서는 구조물을 이용하여 가격 상승을 억제하고 대면적에도 대응할 수 있는 새로운 배선구조를 제안한다.
본 발명의 새로운 구조는, 리브들의 사이에 반도체 발광소자를 배열하며 솔더블 메탈을 이용하여 배선하며, 이에 대해서는 아래에서 구체적으로 설명한다.
이하에서는, 첨부된 도면과 함께, 새로운 구조가 적용된 디스플레이 장치에 대하여 보다 구체적으로 살펴본다.
도 10 및 도 11은 본 발명에 따른 새로운 구조의 반도체 발광소자가 적용된 본 발명의 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A의 부분의 확대도 및 평면도이며, 도 12 및 도 13은 도 10의 라인 E-E 및 라인 F-F를 따라 취한 단면도들이고, 도 14는 도 10의 수직형 반도체 발광 소자를 나타내는 확대도이다.
도 10, 도 11, 도 12, 도 13 및 도 14의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.
디스플레이 장치(1000)는 기판(1010), 제1배선(1020), 리브부(1030), 제2배선(1040), 솔더블 메탈(1090) 및 복수의 반도체 발광 소자(1050)를 포함한다. 여기에서, 제1배선(1020) 및 제2배선(1040)은 각각 복수의 전극 라인들을 포함할 수 있다.
기판(1010)은 제1전극(1020)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 플렉서블이 아닌 디스플레이나, 사이니지로 구현될 수 있으며, 따라서 기판(1010)은 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능하다.
제1배선(1020)은 기판(1010) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 제1배선(1020)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다. 또한, 상기 제1배선(1020)은 반도체 발광소자의 하부에 배치되므로, 하부배선이 될 수 있다.
리브부(1030)는 상기 하부배선의 양측에 배치되며, 상기 기판(1010)의 일면에서 돌출되게 이루어진다. 상기 리브부(1030)는 복수의 라인으로 형성될 수 있으며, 각각의 라인은 한쌍의 리브를 구비할 수 있다. 예를 들어, 서로 이격배치되는 제1리브(1031) 및 제2리브(1032)가 하나의 라인을 구성할 수 있다. 이 경우에, 상기 제1리브(1031) 및 제2리브(1032)의 이격거리보다 상기 복수의 라인들의 이격거리가 보다 크도록 상기 리브부(1030)가 형성될 수 있다.
상기 제1리브(1031) 및 제2리브(1032)는 상기 기판을 기준으로 서로 동일한 높이를 가질 수 있으며, 동일한 재질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 리브부(1030)의 높이는 상기 기판(1010)의 일면을 기준으로 상기 하부배선보다 높도록 이루어진다.
다른 예로서, 상기 리브부(1030)는 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 리브부(1030)를 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 리브부(1030)를 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.
도시에 의하면, 접착층이 제1배선(1020)이 위치하는 기판(1010)과 반도체 발광 소자(1050) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착층은 저융점이며, 솔더가 가능한 메탈을 구비할 수 있다. 보다 구체적으로, 솔더블 메탈(1090)이 상기 제1리브 및 제2리브의 사이에 충전되며, 상기 하부배선을 덮도록 형성된다.
이와 같이, 솔더블 메탈(1090)을 형성하여 제1배선(1020)과 반도체 발광 소자(1050)를 물리적으로 연결할 수 있다. 이에, 반도체 발광 소자(1050)과 제1배선(1020)이 서로 연결되어 전기적으로 도통될 수 있다.
예를 들어, 상기 솔더블 메탈(1090)은 저융점의 재질로 형성되어, 상기 리브부(1030)에 닷(dot) 형태로 도포되거나 라인 형태로 도포될 수 있다.
닷 형태로 도포되는 경우에는, 상기 리브부(1030)의 라인을 따라 반도체 발광소자의 간격과 동일한 간격으로 상기 반도체 발광소자에 대응하는 위치에 배치될 수 있다. 라인 형태로 도포되는 경우는 상기 리브부(1030)의 제1리브(1031)와 제2리브(1032)의 사이를 라인을 따라 모두 채우도록 도포될 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 반도체 발광소자(1050)는 상기 솔더블 메탈(1090)을 이용한 솔더링(soldering)을 통해 상기 기판에 전기적 및 물리적으로 연결된다. 솔더링은, 땜납,　플럭스(溶劑) 및 열을 사용하여 금속끼리 붙이는 것을 의미한다. 상기 솔더블 메탈(1090)은 예를 들어, Sn, Ag, Cu, Pb, Al, Bi, Cd, Fe, In, Ni, Sb, Zn, Co 및 Au 중 적어도 하나가 될 수 있다.
또한, 다른 예로서 상기 접착층은 실버 페이스트, 주석 페이스트 및 솔더 페이스트로 형성될 수 있다. 접착층에 대한 열거 사항은 예시적일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도시에 의하면, 상기 복수의 반도체 발광 소자(1050)는 상기 리브부(1030)를 따라 순차적으로 배치되며, 상기 하부배선에 전기적으로 연결되도록 상기 솔더블 메탈(1090)에 적어도 일부가 삽입된다. 예를 들어, 상기 반도체 발광 소자들(1050)은 상기 제1리브(1031)와 제2리브(1032)의 사이에서 기설정된 간격으로 배치되며, 이 경우에 상기 제1리브(1031)와 제2리브(1032)는 상기 반도체 발광소자를 기준으로 좌우 대칭되도록 이루어진다.
이 때에, 상기 반도체 발광 소자들(1050)은 제1배선(1020)에 구비되는 복수의 전극 라인들과 나란한 방향으로 복수의 열들을 형성할 수 있다. 또한, 반도체 발광 소자들(1050)은 상기 제1배선(1020)과 교차하는 방향으로 복수의 행들을 형성할 수 있다.
도시에 의하면, 상기 반도체 발광 소자들(1050)은 녹색 반도체 발광소자 또는 청색 반도체 발광소자 중 어느 하나가 될 수 있다.
이 경우에, 녹색 반도체 발광소자 및 청색 반도체 발광소자의 구조는 동일하며, 먼저 이에 대하여 도 14를 참조하여 설명한다.
상기 반도체 발광소자(1050)는, 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색이나 녹색의 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다. 이러한 예로서, 상기 복수의 반도체 발광소자(1050)는 n-Gan, p-Gan, AlGaN, InGan 등 다양한 계층으로 형성되는 질화갈륨 박막이 될 수 있다.
또한, 상기 반도체 발광소자는 마이크로 발광 다이오드 칩이 될 수 있다. 여기서, 마이크로 발광 다이오드 칩은 서브 화소에서 발광 영역의 크기보다 작은 단면적을 가질 수 있으며, 이러한 예로서, 1 내지 100 마이크로 미터의 스케일을 가질 수 있다.
도 14를 참조하면, 예를 들어, 상기 반도체 발광 소자(1050)는 수직형 반도체 발광 소자로서, 제1도전형 전극(1156)과, 제1도전형 전극(1156)이 형성되는 제1도전형 반도체층(1155)과, 제1도전형 반도체층(1155) 상에 형성된 활성층(1154)과, 상기 활성층(1154) 상에 형성된 제2도전형 반도체층(1153) 및 제2도전형 반도체층(1153)에 형성되는 제2도전형 전극(1152)을 포함한다.
상기 제1도전형 반도체층(1155)과 제2도전형 반도체층(1153)은 서로 오버랩되며, 제2도전형 반도체층(1153)의 상면에 제2도전형 전극(1152)이 배치되고, 상기 제1도전형 반도체층(1155)의 하면에 제1도전형 전극(1156)이 배치된다. 이 경우에, 제2도전형 반도체층(1153)의 상면은 상기 제1도전형 반도체층(1155)과 가장 먼 제2도전형 반도체층(1153)의 일면이며, 상기 제1도전형 반도체층(1155)의 하면은 상기 제2도전형 반도체층(1153)과 가장 먼 제1도전형 반도체층(1155)의 일면이 될 수 있다. 이와 같이, 상기 제1도전형 전극(1156) 및 제2도전형 전극(1152)은 상기 제1도전형 반도체층(1155)과 상기 제2도전형 반도체층(1153)을 사이에 두고 상하에 각각 배치된다.
또한, 패시베이션층(1157)을 반도체 발광 소자(1050)의 최외각에 구비되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(1050)의 안정화 특성이 향상될 수 있다. 패시베이션층(1157)은 반도체 발광 소자(1050a)의 제1도전형 반도체층(1155), 활성층(1154) 및 제2도전형 반도체층(1153)을 감쌀 수 있다.
도 14를 도 10 내지 도 13과 함께 참조하면, 상기 제1도전형 반도체층(1155)의 하면은 상기 배선기판에 가장 가까운 면이 될 수 있고, 상기 제2도전형 반도체층의 상면은 상기 배선기판에 가장 먼 면이 될 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 제1도전형 전극(1156) 및 제1도전형 반도체층(1155)은 각각 p형 전극 및 p형 반도체층이 될 수 있으며, 상기 제2도전형 전극(1152) 및 제2도전형 반도체층(1153)은 각각 n형 전극 및 n형 반도체층이 될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1도전형이 n형이 되고 제2도전형이 p형이 되는 예시도 가능하다. 상기 p형 반도체층은 P-type GaN 이고, 상기 n형 반도체층은 N-type GaN 이 될 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 진성 또는 도핑된 반도체기판에 불순물을 주입하여, 상기 제1도전형 및 제2도전형 반도체층을 형성할 수 있다. 또한, 상기 불순물 주입에 의하여 p-n 접합이 형성된 영역이 상기 활성층과 같은 역할을 할 수도 있다.
이 경우, 하부에 위치한 p형 전극은 제1배선(1020)과 솔더블 메탈에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극은 제2배선(1040)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때에, 상기 p형 전극은 서로 다른 금속으로 이루어지는 복수의 금속층을 구비할 수 있다. 예를 들어, Ti, Pt, Au, Ti, Cr 등으로 이루어진 복수의 금속층이 적층되어 상기 p형 전극을 형성할 수 있다.
상기 반도체 발광 소자들을 사이에 두고, 제1배선(1020)과 제2배선(1040)이 배치될 수 있다. 제2배선(1040)은 제1배선(1020)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 복수개가 배치될 수 있다. 상기에서 설명된 구조에 의하여, 복수의 반도체 발광 소자(1050)는 상기 배선기판(1010)에 결합되며, 제1전극(1020) 및 제2전극(1040)과 전기적으로 연결된다.
도시에 의하면, 상기 제2배선(1040)은 평탄층(1060) 상에 위치될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 리브부에는 상기 솔더블 메탈을 덮도록 절연물질이 충전되어 평탄층(1060)을 형성하고, 상기 평탄층(1060)의 일면에는 상부 배선인 제2전극(1040)이 배치된다. 즉, 평탄층이 상기 솔더블 메탈을 덮도록 형성되고, 상기 평탄층에 상기 반도체 발광소자들과 전기적으로 연결되는 상부배선이 배치된다.
상기 평탄층(1060)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN, PDMS, PMPS 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 기판(1010)과 일체로 이루어져 하나의 배선 기판을 형성할 수 있다.
보다 구체적인 예로서, 상기 평탄층(1060)은 투명 Resin 혹은 white material 이 함유된 PDMS & PMPS mixture (0 ≤ PDMS ≤ 100) 가 될 수 있다. 상기 절연층에 의하여, 외부환경에서 칩이 보호되며, 나아가 광추출 효율도 향상될 수 있다. 이 경우에, 상기 제2전극(1040)은 상기 반도체 발광 소자(1050)의 제2도전형 전극(1152)과 접촉에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 평탄층은 반도체 발광소자들의 사이를 충전하도록 형성될 수 있다. 이러한 예로서, 복수의 리브부들의 사이에는 상기 평탄층의 절연물질이 충전될 수 있다.
도시에 의하면, 상기 리브부의 상면에는 형광체층(1080)이 형성되며, 상기 형광체층(1080)은 상기 절연재질을 덮도록 연장될 수 있다.
상기 형광체층(1080)은 복수의 반도체 발광소자(1050)를 덮도록 형성되며, 빛의 파장을 변환하여 적색, 녹색 및 청색의 삼원색을 구현하기 위한 구조로서, 상기 평탄층 상에 배치될 수 있다. 즉, 상기 형광체층(1080)은 상기 평탄층 및 반도체 발광소자들을 덮도록 형성되어, 빛의 파장을 변환한다.
예를 들어, 반도체 발광 소자(1050)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(1080)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(1080)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(1081) 또는 녹색 형광체(1082)가 될 수 있다. 즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(1051a) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(1081)가 적층 될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(1051b) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(1082)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(1051c)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(1020)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층 될 수 있다. 따라서, 제1전극(1020)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(1040)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(1050)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 발광하는 단위 화소를 구현할 수 있다.
한편, 이러한 형광체층(1080)의 대비비(Contrast) 향상을 위하여 디스플레이 장치는 각각의 형광체들의 사이에 배치되는 블랙 매트릭스(1083)를 더 포함할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(1083)는 형광체 도트 사이에 갭을 만들고, 흑색 물질이 상기 갭을 채우는 형태로 형성될 수 있다. 이를 통하여 블랙 매트릭스(1083)는 외광반사를 흡수함과 동시에 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. 이러한 블랙 매트릭스(1083)는, 형광체층(1080)이 적층된 방향인 제2전극(1040)을 따라 각각의 형광체층들의 사이에 위치한다. 이 경우에, 청색 반도체 발광 소자에 해당하는 위치에는 형광체층이 형성되지 않으나, 블랙 매트릭스(1083)는 상기 형광체층이 없는 공간을 사이에 두고(또는 청색 반도체 발광 소자를 사이에 두고) 양측에 각각 형성될 수 있다.
다시, 본 예시의 반도체 발광소자(1050)를 살펴보면, 본 예시에서 반도체 발광 소자(1050)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다. 다만, 전극이 상/하로 배치되나, 본 발명의 반도체 발광소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.
또한, 상기와 같이 리브부를 이용하는 구조에 의하여 선택적 전사가 가능하게 된다. 도 15는 도 10의 디스플레이의 제조방법에서 선택적 전사를 하는 과정을 나타내는 공정도이다.
본 도면을 참조하면, 먼저, 제1전극(1020)이 위치된 배선기판 상에 제1전극을 덮도록 리브부(1030)에 솔더블 메탈을 충전한다. 이 후에, 열을 가하여 솔더블 메탈을 액상으로 변환한다(도 15의 (a)).
다음에, 개별 화소를 구성하는 복수의 반도체 발광 소자(1050)가 위치된 기판을 상기 반도체 발광 소자(1050)가 리브부(1030) 및 제2전극(1020)와 대향하도록 배치한다. 이 경우에, 기판은 반도체 발광 소자(1050)를 성장시키는 성장 기판으로서, 사파이어(spire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다.
그 다음에, 배선기판과 성장기판을 압착한다. 액상의 솔더블 메탈에 반도체 발광소자의 하부가 삽입되며, 상기 솔더블 메탈의 경화에 의하여 반도체 발광소자가 배선기판에 결합된다(도 15의 (b)). 이 때에, 성장기판상의 반도체 발광소자들 중 리브부와 대향하지 않는 발광소자들은 리브부들의 사이에 배치되며, 리브부들의 사이가 빈 공간이므로 반도체 발광소자에 구조물의 접촉이 발생하지 않게 된다.
다음으로, 상기 성장기판을 제거한다(도 15의 (c)). 예를 들어, 성장기판은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다. 이 경우에, 상기 솔더블 메탈에 삽입된 반도체 발광소자에만 레이저가 가해지도록, 반사판 등을 이용하여 리브부들의 사이의 반도체 발광소자를 가리게 된다. 이를 통하여, 성장기판 상의 반도체 발광소자들은 선택적으로 배선기판으로 전사된다.
마지막으로, 절연재질을 충전하여 평탄층을 구성하고, 상부배선을 증착한다(도 15의 (d)).
한편, 본 발명과 같이 리브부를 이용하여 반도체 발광소자를 배선기판에 연결하는 조합하는 디스플레이 장치는, 여러가지 형태로 변형될 수 있다.이하, 이러한 본 발명의 다른 실시예에 대하여 설명한다.
도 16 및 도 17은 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 다른 실시예를 나타내는 단면도들이다.
도 16의 도시에 의하면, 형광체층이 리브부들의 사이로 연장되는 구조가 개시된다.
이 경우에, 디스플레이 장치는 전술한 예시와 마찬가지로, 기판(2010), 제1배선(2020), 리브부(2030), 제2배선(2040), 평탄층(2060), 형광체층(2080), 솔더블 메탈(2090) 및 복수의 반도체 발광 소자(2050)를 포함한다.
이 경우에, 상기 리브부(2030), 평탄층(2060), 형광체층(2080), 솔더블 메탈(2090) 이외의 구조는 전술한 예시와 동일한 구조가 될 수 있으며, 따라서 이에 대한 설명은 도 10 내지 도 14를 참조하여 전술한 내용으로 갈음한다.
도시에 의하면, 상기 리브부(2030)는 하부배선의 양측에 배치되며, 상기 기판(1010)의 일면에서 돌출되게 이루어진다. 상기 리브부(2030)는 복수의 라인으로 형성될 수 있으며, 각각의 라인은 한쌍의 리브를 구비할 수 있다. 예를 들어, 서로 이격배치되는 제1리브(2031) 및 제2리브(2032)가 하나의 라인을 구성할 수 있다. 이 경우에, 상기 제1리브(2031) 및 제2리브(2032)의 이격거리보다 상기 복수의 라인들의 이격거리가 보다 크도록 상기 리브부(2030)가 형성될 수 있다.
상기 제1리브(2031) 및 제2리브(2032)는 상기 기판을 기준으로 서로 동일한 높이를 가질 수 있으며, 상기 리브부(2030)의 높이는 상기 기판(2010)의 일면을 기준으로 상기 하부배선보다 높도록 이루어진다.
도시에 의하면, 접착층이 제1배선(2020)이 위치하는 기판(2010)과 반도체 발광 소자(2050) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착층은 저융점이며, 솔더가 가능한 메탈을 구비할 수 있다. 보다 구체적으로, 솔더블 메탈(2090)이 상기 제1리브(2031) 및 제2리브(2032)의 사이에 충전되며, 상기 하부배선을 덮도록 형성된다.
이와 같이, 솔더블 메탈(2090)을 형성하여 제1배선(2020)과 반도체 발광 소자(2050)를 물리적으로 연결할 수 있다. 이에, 반도체 발광 소자(2050)과 제1배선(2020)이 서로 연결되어 전기적으로 도통될 수 있다.
예를 들어, 상기 솔더블 메탈(2090)은 저융점의 재질로 형성되어, 상기 리브부에 닷(dot) 형태로 도포되거나 라인 형태로 도포될 수 있다. 본 예시에서 솔더블 메탈(2090)은 광투과성 재질로 형성될 수 있다.
한편, 도시에 의하면 상기 복수의 리브부들 중 일부는 광투과성으로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 복수의 리브부들(2030)은 제1리브부(2030a) 및 제2리브부(2030b)를 구비하고, 상기 제1리브부(2030a)를 덮는 형광체층(2081)은 상기 제1리브부(2030a)와 상기 제2리브부(2030b)의 사이를 충전한다. 이 때에, 상기 제1리브부(2030a)의 리브들 중 상기 제2리브부(2030b)에 가까운 리브(2032a)는 광투과성 재질로 이루어진다. 상기 광투과성 재질은 가시광선 영역에서 투과율이 높은 물질로서, 예를 들어 에폭시 계열의 PR(포토 레지스트), PDMS(polydimethylsiloxane), 레진 등이 이용될 수 있다. 이러한 재질들은 고온에서 견고해지는 성질이 없기에 플렉서블 디스플레이에 적용되는 리브부의 재질로서 적합하다.
보다 구체적으로, 상기 리브부(2030)의 상면에는 형광체층(2081)이 형성되며, 상기 형광체층(2081)은 상기 리브들 중 광투과성 리브(2032a)를 넘어서 상기 반도체 발광소자의 사이를 채우게 된다. 상기 형광체층(2081)은 반도체 발광소자를 기준으로 좌측 또는 우측의 빈공간을 채우게 되며, 제1리브(2031a) 및 제2리브(2032b) 중 어느 하나를 완전히 감싸게 된다. 본 예시에서는 좌측의 리브(2031a)가 불투광성으로 이루어지고, 우측의 리브(2031b)가 광투과성으로 형성된다. 이와 같이, 형광체층에 의하여 감싸지는 리브가 광투과성으로 형성되어, 반도체 발광소자에서 방출되는 빛의 파장이 반도체 발광소자들의 사이에서도 변환할 수 있게 된다.
한편, 도 17을 참조하면, 상기 리브부(3030)에서 상기 제1리브(3031a) 및 제2리브(3032a) 중 어느 하나는 빛을 투과하도록 형성되고, 다른 하나는 빛을 반사하도록 형성되는 것도 가능하다. 이러한 예로서, 좌측의 리브에는 반사막(3033)이 형성될 수 있다.
상기 반사막(3033)은 상기 리브의 가장자리에 형성되는 하나 또는 하나 이상의 금속 박막이 될 수 있다. 예를 들어, 상기 반사막(3033)은 빛이 반사되도록 상기 좌측의 리브의 측면을 덮도록 이루어진다. 반사막(3033)은 가시광선 영역의 반사율이 좋은 알루미늄이나 은 등의 금속 재질로 형성되어 빛을 반사하며, 이를 통하여 형광체층의 사이에서 혼색을 방지하게 된다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 상기 반사막(3033)은 TiOx, CrOx 등의 산화박막으로 대체되거나, 분산 브레그 반사경(DBR)의 구조가 적용될 수 있다.
이와 같이, 본 발명에서는, 투명한 리브부를 이용하여 형광체가 분포되는 면적이 보다 확보될 수 있게 된다.
이상에서 설명한 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.

Claims (12)

  1. 하부배선을 구비하는 기판;
    상기 하부배선의 양측에 배치되며, 상기 기판의 일면에서 돌출되게 이루어지는 제1리브 및 제2리브를 구비하는 리브부;
    상기 제1리브 및 제2리브의 사이에 충전되며, 상기 하부배선을 덮도록 형성되는 솔더블 메탈; 및
    상기 리브부를 따라 순차적으로 배치되며, 상기 하부배선에 전기적으로 연결되도록 상기 솔더블 메탈에 적어도 일부가 삽입되는 복수의 반도체 발광소자들을 포함하고,
    상기 제1리브 및 제2리브 중 어느 하나는 빛을 투과하도록 형성되고, 다른 하나는 빛을 반사하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 솔더블 메탈을 덮도록 형성되는 평탄층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 평탄층에는 상기 반도체 발광소자들과 전기적으로 연결되는 상부배선이 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 평탄층 및 반도체 발광소자들을 덮도록 형성되며, 빛의 파장을 변환하는 형광체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 리브부는 일방향으로 따라 기설정된 간격으로 배치되는 복수의 리브부들 중 어느 하나이고,
    상기 형광체층은 상기 리브부들의 사이로 연장되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 복수의 리브부들은 제1리브부 및 제2리브부를 구비하고,
    상기 제1리브부를 덮는 형광체층은 상기 제1리브부와 상기 제2리브부의 사이를 충전하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1리브부의 리브들 중 상기 제2리브부에 가까운 리브는 광투과성 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1리브 및 제2리브는 상기 반도체 발광소자를 기준으로 좌우 대칭되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 일면을 기준으로 상기 리브부의 높이는 상기 하부배선보다 높도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  11. 삭제
  12. 삭제
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