KR102435409B1 - 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 디스플레이 장치는 전극을 포함하는 기판, 상기 기판에 조립되는 복수의 반도체 발광소자 및 상기 반도체 발광소자에 적층되어 색상을 변환하는 색상 변환부를 포함한다. 상세하게, 상기 색상 변환부는 다공층, 파장변환층 및 반사층을 포함하고, 상기 파장변환층은 상기 다공층과 상기 반사층 사이에 배치되고, 상기 다공층은 전해연마(Electro Polishing)가 가능한 다공성 재질로 형성될 수 있다. 나아가, 상기 반사층의 표면은 제1영역 및 상기 제1영역으로 둘러쌓인 제2영역을 구비하고, 상기 제2영역은 상기 제1영역보다 표면 거칠기가 크고, 상기 제2영역에는 복수의 제1돌기가 배치되는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치{DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다.
최근에는 디스플레이 기술분야에서 박형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 이에 반해, 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liguid Crystal Display)와 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다.
그러나, LCD의 경우에 빠르지 않은 반응 시간과, 플렉서블의 구현이 어렵다는 문제점이 존재하고, AMOLED의 경우에 수명이 짧고, 양산 수율이 좋지 않다는 취약점이 존재한다.
한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 따라서, 상기 반도체 발광소자를 이용하여 디스플레이를 구현하여, 상기의 문제점을 해결하는 방안이 제시될 수 있다.
디스플레이 장치가 진보됨에 따라 화소 집적도 또는 화소 밀도를 향상시켜야 한다는 필요성이 존재할 수 있다. 특히, 화소 집적도 또는 화소 밀도가 높아짐에 따라, 반도체 발광소자의 크기와 화소간 좁은 간격으로 인하여 디스플레이 장치의 칼라를 구현하는 것에 어려움이 따를 수 있다. 이에, 본 발명에서는 화소 집적도 또는 화소 밀도가 높고, 반도체 발광소자의 크기가 작고, 화소간 간격이 좁은 디스플레이 장치에서 칼라를 구현할 수 있는 디스플레이 장치 구조에 대하여 제시한다.
본 발명의 일 목적은 화소 집적도 또는 화소 밀도가 높고, 반도체 발광소자의 크기가 작고, 화소간 간격이 좁은 디스플레이 장치에서 칼라를 구현하기 위한 구조 및 이의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명의 다른 일 목적은 디스플레이 장치에서 색변환 효율을 향상하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 디스플레이 장치는 전극을 포함하는 기판, 상기 기판에 조립되는 복수의 반도체 발광소자 및 상기 반도체 발광소자에 적층되어 색상을 변환하는 색상 변환부를 포함한다. 상세하게, 상기 색상 변환부는 다공층, 파장변환층 및 반사층을 포함하고, 상기 파장변환층은 상기 다공층과 상기 반사층 사이에 배치되고, 상기 다공층은 전해연마(Electro Polishing)가 가능한 다공성 재질로 형성될 수 있다. 나아가, 상기 반사층의 표면은 제1영역 및 상기 제1영역으로 둘러쌓인 제2영역을 구비하고, 상기 제2영역은 상기 제1영역보다 표면 거칠기가 크고, 상기 제2영역에는 복수의 제1돌기가 배치되는 것을 특징으로 한다.
실시예에 있어서, 상기 제1돌기의 상부면은 평평한 절단면인 것을 특징으로 한다.
실시예에 있어서, 상기 다공층의 표면은 제1영역 및 상기 제1영역으로 둘러쌓인 제2영역을 구비하고, 상기 제2영역은 상기 제1영역보다 표면 거칠기가 크고, 상기 제2영역에는 복수의 제2돌기가 더 배치되는 것을 특징으로 한다.
실시예에 있어서, 상기 제2돌기의 상부면은 평평한 절단면인 것을 특징으로 한다.
실시예에 있어서, 상기 반사층은 복수 레이어를 포함하고, 상기 반사층의 복수 레이어의 적어도 하나는 III-V 화합물을 포함하는 레이어인 것을 특징으로 한다.
실시예에 있어서, 상기 색상 변환부와 반도체 발광소자가 물리적인 결합을 형성하도록 상기 색상 변환부의 다공층과 상기 반도체 발광 소자의 일면 사이에 접착부재를 구비하는 것을 특징으로 한다.
실시예에 있어서, 상기 접착부재는 투명한 재질로 형성되어 상기 반도체 발광소자에서 방출되는 광을 통과하도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
실시예에 있어서, 상기 반도체 발광소자는, 제1도전형 전극 및 제2도전형 전극, 상기 제1도전형 전극이 배치되는 제1도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층과 오버랩되며, 상기 제2도전형 전극이 배치되는 제2도전형 반도체층, 및 상기 제1도전형 반도체층과 상기 제2도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함한다. 상세하게, 상기 제2도전형 반도체층은, 전해연마(Electro Polishing)가 가능한 다공성 재질로 형성되고 상기 반도체 발광소자의 외각에 배치되는 제1레이어, 상기 제1레이어 하부에 배치되고 상기 제1레이어보다 불순물 농도가 낮은 제2레이어 및 상기 제2레이어과 상기 활성층 사이에 배치되고 상기 제2레이어보다 불순물 농도가 높은 제3레이어를 구비하는 것을 특징으로 한다.
실시예에 있어서, 상기 제1도전형 전극과 제1도전형 반도체층 사이에 반사전극을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
실시예에 있어서, 상기 제1레이어의 표면은 제1영역 및 상기 제1영역으로 둘러쌓인 제2영역을 구비하고, 상기 제2영역은 상기 제1영역보다 표면 거칠기가 크고, 상기 제2영역에는 복수의 제3돌기가 배치되는 것을 특징으로 한다.
실시예에 있어서, 상기 제3돌기는 제2도전형 반도체로 형성되고, 상기 제1레이어보다 불순물 농도가 더 높게 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 디스플레이 장치에서는, 반도체 발광 소자에 적층되어 색상을 변환하는 색상 변환부를 포함하고, 상기 색상 변환부는 전해연마(Electro Polishing)가 가능한 다공성 재질로 형성되는 다공층을 구비하여 두께가 얇은 색상 변환부를 제공할 수 있다. 이에, 화소 집적도 또는 화소 밀도가 높고, 반도체 발광소자의 크기가 작고, 화소간 간격이 좁은 디스플레이 장치에서 칼라를 구현할 수 있는 디스플레이 장치가 제공될 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 색상 변환부에서 반사층을 구비하여, 반도체 발광소자에서 방출되는 광원 중 색상 변환부의 파장변환층에서 변환되지 못한 광이 방출되는 것을 방지하여 파장변환층에서 변환된 광과 혼색되는 것을 방지하여 색변환 효율을 극대화할 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 반도체 발광소자에서 제1도전형 전극과 제1도전형 반도체층 사이에 반사전극을 구비하여 반도체 발광소자에서 방출되는 광원의 손실없이 색상 변환부에서 활용할 수 있으므로 색변환 효율을 극대화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이다.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7은 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이다.
도 9는 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 10은 새로운 구조가 적용된 본 발명의 다른 실시예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이다.
도 11은 도 10의 라인 E-E를 따라 취한 단면도이다.
도 12a는 도 11의 적색 색상 변환부의 개념도이다.
도 12b는 도 11의 적색 색상 변환부의 사시도이다.
도 12c는 도 11의 적색 색상 변환부의 저면에서 바라본 사시도이다.
도 13a는 도 11의 플립 칩 타입 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 13b는 도 11의 플립 칩 타입 반도체 발광소자를 나타내는 사시도이다.
도 14a는 도 11의 적색 색상 변환부에서의 색변환을 나타내는 모식도이다.
도 14b는 도 11의 녹색 색상 변환부에서의 색변환을 나타내는 모식도이다.
도 15는 새로운 구조가 적용된 디스플레이 장치의 다른 실시예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 16은 새로운 구조가 적용된 디스플레이 장치의 또 다른 실시예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 17은 새로운 구조가 적용된 디스플레이 장치의 또 다른 실시예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이다.
도 18은 본 발명의 색상 변환부의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.
또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도시에 의하면, 디스플레이 장치(100)의 제어부에서 처리되는 정보는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 이용하여 표시될 수 있다.
플렉서블 디스플레이는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있는 디스플레이를 포함한다. 예를 들어, 플렉서블 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 디스플레이 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나, 구부리거나, 접을 수 있거나 말 수 있는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 디스플레이가 될 수 있다.
상기 플렉서블 디스플레이가 휘어지지 않는 상태(예를 들어, 무한대의 곡률반경을 가지는 상태, 이하 제1상태라 한다)에서는 상기 플렉서블 디스플레이의 디스플레이 영역이 평면이 된다. 상기 제1상태에서 외력에 의하여 휘어진 상태(예를 들어, 유한의 곡률반경을 가지는 상태, 이하, 제2상태라 한다)에서는 상기 디스플레이 영역이 곡면이 될 수 있다. 도시와 같이, 상기 제2상태에서 표시되는 정보는 곡면상에 출력되는 시각 정보가 될 수 있다. 이러한 시각 정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다. 상기 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다.
상기 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 반도체 발광소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 단위 화소의 역할을 할 수 있게 된다.
이하, 상기 발광 다이오드를 이용하여 구현된 플렉서블 디스플레이에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이며, 도 4는 도 3a의 플립 칩 타입 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이고, 도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 2, 도 3a 및 도 3b의 도시에 의하면, 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광소자에도 적용 가능하다.
상기 디스플레이 장치(100)는 기판(110), 제1전극(120), 전도성 접착층(130), 제2전극(140) 및 복수의 반도체 발광소자(150)를 포함한다.
기판(110)은 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 기판(110)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.
상기 기판(110)은 제1전극(120)이 배치되는 배선기판이 될 수 있으며, 따라서 상기 제1전극(120)은 기판(110) 상에 위치할 수 있다.
도시에 의하면, 절연층(160)은 제1전극(120)이 위치한 기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 상기 절연층(160)에는 보조전극(170)이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 기판(110)에 절연층(160)이 적층된 상태가 하나의 배선기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(160)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 기판(110)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수 있다.
보조전극(170)은 제1전극(120)과 반도체 발광소자(150)를 전기적으로 연결하는 전극으로서, 절연층(160) 상에 위치하고, 제1전극(120)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 보조전극(170)은 닷(dot) 형태이며, 절연층(160)을 관통하는 전극홀(171)에 의하여 제1전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극홀(171)은 비아 홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다.
본 도면들을 참조하면, 절연층(160)의 일면에는 전도성 접착층(130)이 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 절연층(160)과 전도성 접착층(130)의 사이에 특정 기능을 수행하는 레이어가 형성되거나, 절연층(160)이 없이 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조도 가능하다. 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조에서는 전도성 접착층(130)이 절연층의 역할을 할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(130)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(130)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.
이러한 예로서, 전도성 접착층(130)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 전도성 접착층(130)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 전도성 접착층(130)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다(다만, 이하 '전도성 접착층'이라 한다).
상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법도 가능하다. 이러한 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 도시에 의하면, 본 예시에서 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.
다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.
도시에 의하면, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)가 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스부재의 바닥부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직방향으로 전도성을 가지게 된다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.
이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 particle 혹은 nano 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.
다시 도면을 참조하면, 제2전극(140)은 보조전극(170)과 이격하여 절연층(160)에 위치한다. 즉, 상기 전도성 접착층(130)은 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치하는 절연층(160) 상에 배치된다.
절연층(160)에 보조전극(170)과 제2전극(140)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(130)을 형성한 후에, 반도체 발광소자(150)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광소자(150)는 제1전극(120) 및 제2전극(140)과 전기적으로 연결된다.
도 4를 참조하면, 상기 반도체 발광소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광소자가 될 수 있다.
예를 들어, 상기 반도체 발광소자는 p형 전극(156), p형 전극(156)이 형성되는 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154) 상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에서 p형 전극(156)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(156)은 보조전극(170)과 전도성 접착층(130)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, n형 전극(152)은 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다.
다시 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 보조전극(170)은 일방향으로 길게 형성되어, 하나의 보조전극이 복수의 반도체 발광소자(150)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 보조전극을 중심으로 좌우의 반도체 발광소자들의 p형 전극들이 하나의 보조전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(130)의 내부로 반도체 발광소자(150)가 압입되며, 이를 통하여 반도체 발광소자(150)의 p형 전극(156)과 보조전극(170) 사이의 부분과, 반도체 발광소자(150)의 n형 전극(152)과 제2전극(140) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 되고, 나머지 부분에서는 반도체 발광소자의 압입이 없어 전도성을 가지지 않게 된다. 이와 같이, 전도성 접착층(130)은 반도체 발광소자(150)와 보조전극(170) 사이 및 반도체 발광소자(150)와 제2전극(140) 사이를 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 형성시킨다.
또한, 복수의 반도체 발광소자(150)는 발광소자 어레이(array)를 구성하며, 발광소자 어레이에는 형광체층(180)이 형성된다.
발광소자 어레이는 자체 휘도값이 상이한 복수의 반도체 발광소자들을 포함할 수 있다. 각각의 반도체 발광소자(150)는 단위 화소를 구성하며, 제1전극(120)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제1전극(120)은 복수 개일 수 있고, 반도체 발광소자들은 예컨대 수 열로 배치되며, 각 열의 반도체 발광소자들은 상기 복수 개의 제1전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 반도체 발광소자들이 플립 칩 형태로 접속되므로, 투명 유전체 기판에 성장시킨 반도체 발광소자들을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광소자들은 예컨대 질화물 반도체 발광소자일 수 있다. 반도체 발광소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광소자(150)의 사이에 격벽(190)이 형성될 수 있다. 이 경우, 격벽(190)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 전도성 접착층(130)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광소자(150)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(190)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 이 경우에, 상기 격벽(190)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.
형광체층(180)은 반도체 발광소자(150)의 외면에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광소자고이고, 형광체층(180)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(180)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(181) 또는 녹색 형광체(182)가 될 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광소자(151) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(181)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광소자(151) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(182)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광소자(151)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(120)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(120)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(140)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광소자(150)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들을 구현할 수 있다.
또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(191)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(191)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
도 5a를 참조하면, 각각의 반도체 발광소자(150)는 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광소자로 구현될 수 있다.
이 경우, 반도체 발광소자(150)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광소자일 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광소자(R, G, B)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광소자에 의하여 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 단위 화소들이 하나의 화소(pixel)를 이루며, 이를 통하여 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 반도체 발광소자는 황색 형광체층이 개별 소자마다 구비된 백색 발광소자(W)를 구비할 수 있다. 이 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 발광소자(W) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비될 수 있다. 또한, 이러한 백색 발광소자(W) 상에 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 이용하여 단위 화소를 이룰 수 있다.
도 5c를 참조하면, 자외선 발광소자(UV) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비되는 구조도 가능하다. 이와 같이, 반도체 발광소자는 가시광선뿐만 아니라 자외선(UV)까지 전영역에 사용가능하며, 자외선(UV)이 상부 형광체의 여기원(excitation source)으로 사용가능한 반도체 발광소자의 형태로 확장될 수 있다.
본 예시를 다시 살펴보면, 반도체 발광소자(150)는 전도성 접착층(130) 상에 위치되어, 디스플레이 장치에서 단위 화소를 구성한다. 반도체 발광소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광소자(150)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
또한, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광소자(150)를 단위 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다. 따라서, 단위 화소의 크기가 한 변이 600㎛, 나머지 한변이 300㎛인 직사각형 화소인 경우를 예로 들면, 반도체 발광소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 된다. 따라서, 이러한 경우, HD화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.
상기에서 설명된 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치는 새로운 형태의 제조방법에 의하여 제조될 수 있다. 이하, 도 6을 참조하여 상기 제조방법에 대하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
본 도면을 참조하면, 먼저, 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치된 절연층(160) 상에 전도성 접착층(130)을 형성한다. 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층되어 하나의 기판(또는 배선기판)을 형성하며, 상기 배선기판에는 제1전극(120), 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 배치된다. 이 경우에, 제1전극(120)과 제2전극(140)은 상호 직교 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110) 및 절연층(160)은 각각 유리 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 의하여 구현될 수 있으며, 이를 위하여 절연층(160)이 위치된 기판에 이방성 전도성 필름이 도포될 수 있다.
다음에, 보조전극(170) 및 제2전극(140)들의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 복수의 반도체 발광소자(150)가 위치된 제2기판(112)을 상기 반도체 발광소자(150)가 보조전극(170) 및 제2전극(140)와 대향하도록 배치한다.
이 경우에, 제2기판(112)은 반도체 발광소자(150)를 성장시키는 성장기판으로서, 사파이어(spire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다.
상기 반도체 발광소자는 웨이퍼(wafer) 단위로 형성될 때, 디스플레이 장치를 이룰 수 있는 간격 및 크기를 가지도록 함으로써, 디스플레이 장치에 효과적으로 이용될 수 있다.
그 다음에, 배선기판과 제2기판(112)을 열압착한다. 예를 들어, 배선기판과 제2기판(112)은 ACF press head 를 적용하여 열압착될 수 있다. 상기 열압착에 의하여 배선기판과 제2기판(112)은 본딩(bonding)된다. 열압착에 의하여 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 반도체 발광소자(150)와 보조전극(170) 및 제2전극(140)의 사이의 부분만 전도성을 가지게 되며, 이를 통하여 전극들과 반도체 발광소자(150)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때에, 반도체 발광소자(150)가 상기 이방성 전도성 필름의 내부로 삽입되며, 이를 통하여 반도체 발광소자(150) 사이에 격벽이 형성될 수 있다.
그 다음에, 상기 제2기판(112)을 제거한다. 예를 들어, 제2기판(112)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다.
마지막으로, 상기 제2기판(112)을 제거하여 반도체 발광소자들(150)를 외부로 노출시킨다. 필요에 따라, 반도체 발광소자(150)가 결합된 배선기판 상을 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 코팅하여 투명 절연층(미도시)을 형성할 수 있다.
또한, 상기 반도체 발광소자(150)의 일면에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광소자고이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 적색 형광체 또는 녹색 형광체가 상기 청색 반도체 발광소자의 일면에 레이어를 형성할 수 있다.
이상에서 설명된 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법이나 구조는 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 그 예로서, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에는 수직형 반도체 발광소자도 적용될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 수직형 구조에 대하여 설명한다.
또한, 이하 설명되는 변형예 또는 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다.
도 7은 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이고, 도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이며, 도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
본 도면들을 참조하면, 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 수직형 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있다.
상기 디스플레이 장치는 기판(210), 제1전극(220), 전도성 접착층(230), 제2전극(240) 및 복수의 반도체 발광소자(250)를 포함한다.
기판(210)은 제1전극(220)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.
제1전극(220)은 기판(210) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(220)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.
전도성 접착층(230)은 제1전극(220)이 위치하는 기판(210)상에 형성된다. 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(230)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서도 이방성 전도성 필름에 의하여 전도성 접착층(230)이 구현되는 경우를 예시한다.
기판(210) 상에 제1전극(220)이 위치하는 상태에서 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광소자(250)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광소자(250)가 제1전극(220)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광소자(250)는 제1전극(220) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다.
상기 전기적 연결은 전술한 바와 같이, 이방성 전도성 필름에서 열 및 압력이 가해지면 부분적으로 두께방향으로 전도성을 가지기 때문에 생성된다. 따라서, 이방성 전도성 필름에서는 두께방향으로 전도성을 가지는 부분(231)과 전도성을 가지지 않는 부분(232)으로 구획된다.
또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 전도성 접착층(230)은 반도체 발광소자(250)와 제1전극(220) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.
이와 같이, 반도체 발광소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광소자(250)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
상기 반도체 발광소자(250)는 수직형 구조가 될 수 있다.
수직형 반도체 발광소자들의 사이에는, 제1전극(220)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광소자(250)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(240)이 위치한다.
도 9를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광소자는 p형 전극(256), p형 전극(256) 상에 형성된 p형 반도체층(255), p형 반도체층(255) 상에 형성된 활성층(254), 활성층(254)상에 형성된 n형 반도체층(253) 및 n형 반도체층(253) 상에 형성된 n형 전극(252)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(256)은 제1전극(220)과 전도성 접착층(230)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(252)은 후술하는 제2전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광소자(250)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.
다시 도 8을 참조하면, 상기 반도체 발광소자(250)의 일면에는 형광체층(280)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광소자(250)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광소자(251)이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(280)이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층(280)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(281) 및 녹색 형광체(282) 일 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광소자(251) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(281)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광소자(251) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(282)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광소자(251)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광소자가 적용된 디스플레이 장치에서 전술한 바와 같이, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
다시 본 실시예를 살펴보면, 제2전극(240)은 반도체 발광소자들(250) 사이에 위치하고, 반도체 발광소자들(250)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광소자들(250)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(240)은 반도체 발광소자들(250)의 열들 사이에 위치할 수 있다.
개별 화소를 이루는 반도체 발광소자(250) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2전극(240)은 반도체 발광소자들(250) 사이에 위치될 수 있다.
제2전극(240)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있으며, 제1전극과 상호 수직한 방향으로 배치될 수 있다.
또한, 제2전극(240)과 반도체 발광소자(250)는 제2전극(240)에서 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 연결 전극이 반도체 발광소자(250)의 n형 전극이 될 수 있다. 예를 들어, n형 전극은 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 전극으로 형성되며, 상기 제2전극은 인쇄 또는 증착에 의하여 오믹 전극의 적어도 일부를 덮게 된다. 이를 통하여 제2전극(240)과 반도체 발광소자(250)의 n형 전극이 전기적으로 연결될 수 있다.
도시에 의하면, 상기 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 상에 위치될 수 있다. 경우에 따라, 반도체 발광소자(250)가 형성된 기판(210) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(240)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(240)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 또는 투명 절연층에 이격되어 형성될 수도 있다.
만약 반도체 발광소자(250) 상에 제2전극(240)을 위치시키기 위하여는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극을 사용한다면, ITO 물질은 n형 반도체층과는 접착성이 좋지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 발광소자(250) 사이에 제2전극(240)을 위치시킴으로써, ITO와 같은 투명 전극을 사용하지 않아도 되는 이점이 있다. 따라서, 투명한 재료 선택에 구속되지 않고, n형 반도체층과 접착성이 좋은 전도성 물질을 수평 전극으로 사용하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광소자(250) 사이에는 격벽(290)이 위치할 수 있다. 즉, 개별 화소를 이루는 반도체 발광소자(250)를 격리시키기 위하여 수직형 반도체 발광소자(250) 사이에는 격벽(290)이 배치될 수 있다. 이 경우, 격벽(290)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 상기 전도성 접착층(230)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광소자(250)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(290)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로서, 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 격벽(290)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다.
만일 제2전극(240)이 반도체 발광소자(250) 사이의 전도성 접착층(230) 상에 바로 위치된 경우, 격벽(290)은 수직형 반도체 발광소자(250) 및 제2전극(240)의 사이사이에 위치될 수 있다. 따라서, 반도체 발광소자(250)를 이용하여 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있고, 반도체 발광소자(250)의 거리가 상대적으로 충분히 크게 되어 제2전극(240)을 반도체 발광소자(250) 사이에 위치시킬 수 있고, HD 화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.
또한, 도시에 의하면, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체 사이에는 블랙 매트릭스(291)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(291)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
상기 설명과 같이, 반도체 발광소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 따라서, 반도체 발광소자에 의하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이루는 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
상기에서 설명된 본 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치가 진보됨에 따라 화소 집적도 또는 화소 밀도가 향상될 필요성이 있다. 특히, 가상현실(Virtual Reality, VR) 또는 증강현실(Augmented Reality, AR)을 구현할 수 있는 디스플레이 장치에서 화소 집적도 또는 화소 밀도를 향상시키기 위해서, 초소형 반도체 발광소자가 적용되며 화소간 좁은 간격으로 디스플레이 장치가 디자인될 필요성이 존재한다. 이에, 화소 집적도 또는 화소 밀도가 향상된 디스플레이 장치에 기존의 두꺼운 형광체를 적용하는 것은 한계가 있다. 이에 본 발명에서는 이러한 문제를 해결할 수 있는 새로운 구조의 디스플레이 장치에 대하여 설명한다.
즉, 본 발명에 의하면 두께가 얇은 색상 변환부를 제공하여, 화소 집적도 또는 화소 밀도가 높고, 반도체 발광소자의 크기가 작고, 화소간 간격이 좁은 디스플레이 장치에서 칼라를 구현할 수 있는 디스플레이 장치가 제공될 수 있다.
나아가, 색상 변환부에서 반사층을 구비하고, 반도체 발광소자에서 제1도전형 전극과 제1도전형 반도체층 사이에 반사전극을 구비하여 반도체 발광소자에서 방출되는 광원의 손실없이 색상 변환부에서 활용될 수 있다. 이에, 디스플레이 장치의 색상 변환부의 두께가 얇더라도 색변환 효율이 극대화될 수 있다.
도 10은 새로운 구조가 적용된 본 발명의 다른 실시예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분 확대도이다. 도 11은 도 10의 E-E를 따라 취한 단면도이다.
도 10 및 도 11의 도시에 의하면, 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치(1000) 또는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광소자에도 적용 가능하다.
디스플레이 장치(1000)는 기판(1010), 제1전극(1020), 절연부재(1030), 제2전극(1040) 및 복수의 반도체 발광소자(1050)를 포함한다. 여기에서, 제1전극(1020) 및 제2전극(1040)은 기판(1010)에서 돌출되고 각각 복수의 전극 라인들을 포함할 수 있다.
기판(1010)은 제1전극(1020)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 또한, 경우에 상기 기판(1010)은 절연성은 있으나, 플렉서블이 아닌 재질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 기판(1010)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.
제1전극(1020)은 기판(1010) 상에 돌출되어, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(1020)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.
본 도면들을 참조하면, 기판(1010)의 일면에는 반도체 발광소자(1050)들을 감싸는 절연부재(1030)가 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 절연부재(1030)는 고분자 소재로 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane, PDMS) 또는 폴리메틸페닐실록산(polymethylphenylsiloxane, PMPS)을 포함할 수 있으며, 반도체 발광소자(1050)를 감싸며, 절연성을 가지는 다양한 소재를 포함할 수 있다.
다시 도면을 참조하면, 절연부재(1030)는 반도체 발광소자(1050)들을 사이에 배치되어 단위 화소의 대비비(Contrast) 향상을 위한 블랙 매트릭스로의 역할을 수행할 수도 있다. 블랙 매트릭스는 상기 단위 화소 사이에서 외광반사를 흡수함과 동시에 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. 또한, 도면과 같이 절연부재(1030)는 반도체 발광소자(1050)들과 색상 변환부들(1100, 1200)을 감쌀 수도 있다.
복수의 반도체 발광소자(1050)는 제1전극(1020)에 구비되는 복수의 전극 라인들과 나란한 방향으로 복수의 열들을 형성할 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
반도체 발광소자(1050)들의 제1도전형 전극(1156) 및 제2도전형 전극(1152)은 각각 제1전극(1020) 및 제2전극(1040)에 대향되어 전기적으로 결합될 수 있다. 나아가 전술된 보조전극(미도시)을 구비하여 제1전극(1020) 또는 제2전극(1040) 간의 전기적인 결합을 형성할 수도 있다.
상세하게, 제1전극(1020)은 돌출된 금속층(1020a) 및 접착층(1020b)을 포함할 수 있다. 접착층(1020b)에 압력 또는 열을 가하여 제1도전형 전극(1156)과 금속층(1020a)이 서로 전기적으로 결합된다.
또한, 제1전극(1020)과 제1도전형 전극(1056)의 결합과 유사하게 제2전극(1040)과 제2도전형 전극(1052)의 결합이 형성될 수 있다. 제2전극(1040)은 돌출된 금속층(1040a) 및 접착층(1020b)을 포함할 수 있다. 접착층(1040b)에 압력 또는 열을 가하여 제2도전형 전극(1152)과 금속층(1040a)이 서로 전기적으로 결합시킬 수 있다.
본 도면들을 참조하면, 제1전극(1020) 및 제2전극(1040)의 접착층(1020b, 1040b)에 의하여 반도체 발광소자(1050)와 제1전극(1020) 및 제2전극(1040)의 전기적 결합을 형성하나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 반도체 발광소자의 전극은 전술된 전도성 접착층 등에 의하여 전기적으로 결합되는 것도 가능하다. 이 경우에는 본 예시에서의 접착층(1020b, 1040b)은 배제될 수도 있다.
나아가, 디스플레이 장치(1000)는, 복수의 반도체 발광소자(1050)의 일면에 적층되는 색상을 변환하는 색상 변환부들(1100, 1200)을 포함한다. 색상 변환부들(1100, 1200)과 반도체 발광소자(1050) 사이에는 이들의 물리적인 결합을 형성하도록 접착부재(1060)를 구비할 수 있다. 접착부재(1060)는 투명한 재질로 형성되어 반도체 발광소자(1050)에서 방출되는 광을 색상 변환부들(1100, 1200)로 입사될 수 있도록 할 수 있다.
일 실시예에서, 반도체 발광소자(1050)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광소자이고, 색상 변환부들(1100, 1200)은 접착부재(1060)를 통과하여 입사된 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행할 수 있다. 색상 변환부들(1100, 1200)은 각각 개별화소를 구성하는 적색 색상 변환부(1100) 또는 녹색 색상 변환부(1200)가 될 수 있다.
상세하게, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광소자(1050) 상에 적색 색상 변환부(1100)가 적층되어 청색(B) 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광소자(1050) 상에 녹색 색상 변환부(1200)가 적층되어 청색(B) 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광소자(1050)만 단독으로 이용되어 청색(B) 광이 방출될 수 있다. 이에, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.
보다 구체적으로, 제1전극(1020)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 색상 변환부가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(1020)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(1040)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
적색 색상 변환부(1100)를 살펴보면, 다공층(1101), 파장변환층(1102), 반사층(1103) 및 돌기들(1105, 1107)을 포함한다. 다공층(1101)은 적색 색상 변환부(1100)의 타면 즉, 반도체 발광소자(1050)의 청색(B) 광이 입사되는 면과 가까운 곳에서 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 파장변환층(1102)은 전술된 형광체층과 같이 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 즉, 적색 색상 변환부(1100)의 파장변환층(1102)은 청색(B) 광을 적색(R) 광으로 변환시킨다.
한편, 다공층(1101)은 반도체 발광소자(1050)에서 방출되는 청색 광이 적색 색상 변환부(1100)의 측면으로 방출되는 것을 최소화되도록 하여, 파장변환층(1102)에서 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시키는 것의 효율을 향상시켜줄 수 있다.
또한, 반사층(1103)은 파장변환층(1102)에서 적색 광으로 변환되지 못한 청색 광이 방출되는 것을 방지한다. 따라서, 파장변환층에서 변환된 광과 적색 광으로 변환되지 못한 청색 광이 서로 혼색되어 방출되는 것을 방지할 수 있다. 나아가, 반사층(1103)에서 반사된 청색 광은 다시 파장변환층(1102)으로 돌아가 적색 광으로 변환될 수 있으며, 이에 색변환 효율을 향상될 수 있다. 이는 후술되는 도 14a에서 자세히 서술한다.
나아가, 적색 색상 변환부(1100)의 반사층(1103)은 복수의 레이어(1103a 내지 1103d)를 포함하여 파장변환층(1102)에서 적색 광으로 변환되지 못한 청색 광을 효율적으로 반사하도록 형성될 수 있다. 상기 복수 레이어의 적어도 하나는 III-V 화합물을 포함하여 청색 광을 효율적으로 반사시킬 수 있다.
일 실시예에서, 청색 광을 적색 광으로 색상을 변환하는 적색 색상 변환부(1100)에서는 상기 복수 레이어는 AlAs를 포함하는 레이어 및 GaAs를 포함하는 레이어가 적층된 형태일 수 있다. 상세하게, 파장변환층(1102)의 일면에 적층된 반사층(1103)의 제1레이어(1103a)는 불순물이 주입되지 않은 AlAs 레이어로 형성될 수 있고, 제2레이어(1103b)는 불순물이 주입되지 않은 GaAs 레이어로 형성될 수 있다. 나아가, 제3레이어(1103c)는 제1레이어(1103a)와 동일한 불순물이 주입되지 않은 AlAs 레이어로 형성될 수 있다. 또한, 제4레이어(1103d)는 제2레이어(1103b)와 동일한 불순물이 주입되지 않은 GaAs 레이어로 형성될 수 있다. 하지만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 적색 색상 변환부(1100)의 반사층(1103)은 적색 광을 통과시키고 청색 광을 다시 파장변환층(1102)로 반사시킬 수 있는 복수의 레이어로 다양한 구성 및 다양한 두께를 가질 수 도 있다.
한편, 녹색 색상 변환부(1200)를 살펴보면, 다공층(1201), 파장변환층(1202), 반사층(1203) 및 돌기들(1205, 1207)을 포함한다. 다공층(1201)은 녹색 색상 변환부(1200)의 타면 즉, 반도체 발광소자(1050)의 청색(B) 광이 입사되는 면과 가까운 곳에서 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 파장변환층(1202)은 전술된 형광체층과 같이 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 즉, 녹색 색상 변환부(1200)의 파장변환층(1202)은 청색(B) 광을 녹색(G) 광으로 변환시킨다.
한편, 다공층(1201)은 전술된 다공층(1101)과 유사하게 형성될 수 있다. 다공층(1201)은 반도체 발광소자(1050)에서 방출되는 청색(B) 광이 녹색 색상 변환부(1200)의 측면으로 방출되는 것을 최소화되도록 하여, 파장변환층(1202)에서 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시키는 것의 효율을 향상시켜줄 수 있다.
또한, 반사층(1203)은 파장변환층(1202)에서 녹색 광으로 변환되지 못한 청색 광이 방출되는 것을 방지한다. 따라서, 파장변환층에서 변환된 광과 녹색 광으로 변환되지 못한 청색 광이 서로 혼색되어 방출되는 것을 방지할 수 있다. 나아가, 반사층(2103)에서 반사된 청색 광은 다시 파장변환층(2102)으로 돌아가 녹색 광으로 변환될 수 있으며, 이에 색변환 효율을 향상될 수 있다. 이는 후술되는 도 14b에서 자세히 서술한다.
나아가, 녹색 색상 변환부(1200)의 반사층(1203)은 복수의 레이어(1203a 내지 1203e)를 포함하여 파장변환층(1202)에서 녹색 광으로 변환되지 못한 광을 효율적으로 반사하도록 형성될 수 있다. 상기 복수 레이어의 적어도 하나는 III-V 화합물을 포함하여 청색 광을 효율적으로 반사시킬 수 있다.
일 실시예에서, 청색 광을 녹색 광으로 색상을 변환하는 녹색 색상 변환부(1200)에서 반사층(1203)의 상기 복수 레이어는 GaN를 포함하는 레이어가 적층된 형태일 수 있다. 상세하게, 파장변환층(1202)의 일면에 적층된 반사층(1203)의 제1레이어(1203a)는 제2도전형 불순물이 주입된 GaN 레이어로 형성될 수 있고, 제2레이어(1203b) 및 제4레이어(1203d)는 제1레이어(1203a)보다 제2도전형 불순물의 농도가 낮은 GaN 레이어로 형성될 수 있다. 나아가, 제3레이어(1203c) 및 제5레이어(1203e)는 제1레이어(1203a)와 동일한 제2도전형 불순물이 주입된 GaN 레이어로 형성될 수 있다.
한편, 제1레이어(1203a), 제3레이어(1203c) 및 제5레이어(1203e)는 전해연마가 가능한 다공성 재질로 기공이 형성될 수 있다. 하지만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 녹색 색상 변환부(1200)의 반사층(1203)은 녹색 광을 통과시키고 청색 광을 다시 파장변환층(1202)로 반사시킬 수 있는 복수의 레이어로 다양한 구성 및 다양한 두께를 가질 수도 있다.
도 12a는 도 11의 적색 색상 변환부(1100)의 개념도이고, 도 12b 및 도 12c는 도 11의 적색 색상 변환부(1100)의 사시도이다.
도 12a, 도 12b 및 도 12c를 참조하면, 적색 색상 변환부(1100)는 전술한 것과 같이, 다공층(1101), 파장변환층(1102), 반사층(1103) 및 제1돌기(1105)를 포함할 수 있다. 나아가, 적색 색상 변환부(1100) 다공층(1101)의 타면에 제2돌기(1107)를 더 포함할 수도 있다.
본 도면들을 참조하면, 전술된 반도체 발광소자(1050)에서 방출되는 청색 광은 제2돌기(1107), 다공층(1101), 파장변환층(1102), 반사층(1103) 및 제1돌기(1105)의 순으로 입사된다. 특히, 반도체 발광소자(1050)에서 방출되는 청색 광은 광의 손실없이 파장변환층(1102)으로 전달될 필요가 있다. 이에, 다공층(1101)은 전해연마가 가능한 다공성 재질로 기공이 형성될 수 있다. 또한 다공층(1101)은 제2도전형 반도체로 형성될 수 있다.
상세하게 다공성 재질의 다공층(1101)을 통과할 때, 반도체 발광소자(1050)에서 방출되는 청색 광은 다공층(1101)에 갇히지 않고 파장변환층(1102)으로 전달될 수 있다.
또한, 반도체 발광소자(1050) 에서 방출되는 청색 광은 다공층(1101)에서 회절될 수 있다. 따라서 적색 색상 변환부(1100)의 측면으로 방출되는 빛의 손실을 최소화할 수 있다. 이에, 반도체 발광소자(1050)에서 방출되는 청색광의 손실을 감소시킬 수 있으며, 이에, 적색 색상 변환부(1100)를 통하여 청색 광을 적색 광으로 변환되는 경우의 색변환 효율이 증대될 수 있다.
일 실시예에서, 파장변환층(1102)은 반도체 발광소자의 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상세하게, 적색 색상 변환부(1100)의 파장변환층(1102)은 청색(B) 광을 적색(R) 광으로 변화시킬 수 있다.
또한, 반사층(1103)은 복수의 레이어(1103a 내지 1103d)를 포함하여 파장변환층(1102)에서 적색 광으로 변환되지 못한 청색 광을 반사하도록 형성될 수 있다. 상기 복수 레이어의 적어도 하나는 III-V 화합물을 포함하여 청색 광을 효율적으로 반사시킬 수 있다.
일 실시예에서, 청색 광을 적색 광으로 색상을 변환하는 적색 색상 변환부(1100)에서는 상기 복수 레이어는 AlAs를 포함하는 레이어 및 GaAs를 포함하는 레이어가 순차적으로 적층될 수 있다.
한편 다른 실시예에서, 상기 파장변환층은 반도체 발광소자의 청색(B) 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수도 있으며, 청색 광을 녹색 광으로 변화하는 경우에는 상기 반사층의 상기 복수 레이어는 GaN를 포함하는 레이어가 적층된 형태일 수 있다.
도 12b를 참조하면, 반사층(1103)의 일면 즉 반사층(1103)의 표면(1104)에는 제1영역(1104a) 및 제1영역(1104a)으로 둘러쌓인 제2영역(1104b)이 구비된다. 표면(1104)의 제1영역(1104a)과 제2영역(1104b)은 상이한 거칠기를 갖는다. 상세하게, 제2영역(1104b)은 제1영역(1104a)보다 표면 거칠기가 크고, 제2영역(1104b)에는 복수의 제1돌기(1105)들이 배치된다.
실시예에 있어서, 제1돌기(1105)는 제2도전형 반도체로 형성될 수 있으며, 다공층(1101)보다 기공률이 크고, 불순물 농도가 더 높게 형성될 수 있다. 제1돌기(1105)는 전해연마가 가능한 재질로 형성될 수 있다.
나아가, 제1돌기(1105)는 내부에 기공이 형성된 다공성 구조물일 수 있다. 따라서, 제1돌기(1105)가 반사층(1103) 상에 형성됨에도 방출되는 빛을 방해하지 않으며, 방출되는 빛의 손실이 최소화 될 수 있다.
또한, 제1돌기(1105)들의 상부면은 평평한 절단면으로 형성될 수 있다. 덧붙여 제1돌기(1105)들 중 일부는 원기둥 형태일 수 있다. 또한, 제1돌기(1105)들 중 다른 일부는 원뿔 형태를 가질 수 있다. 또한, 제1돌기(1105)들은 서로 다른 높이를 포함할 수 있다.
한편, 도 12c를 참조하면, 다공층(1101)의 타면의 표면(1106) 또한 제1영역(1106a) 및 제1영역(1106a)으로 둘러쌓인 제2영역(1106b)이 구비되고, 제2영역(1106b)은 제1영역(1106a)보다 표면 거칠기가 크고, 제2영역(1106b)에는 복수의 제2돌기(1107)들이 더 배치될 수 있다.
실시예에 있어서, 제2돌기(1107)는 제2도전형 반도체로 형성될 수 있으며, 다공층(1101)보다 불순물 농도가 더 높게 형성될 수 있다. 제2돌기(1107)들 또한 다공층(1101)과 같이 전해연마가 가능한 재질로 형성될 수 있다.
나아가, 제2돌기(1107)는 내부에 기공이 형성된 다공성 구조물일 수 있다. 상세하게, 제2돌기(1107)의 기공률은 다공층(1101)의 기공률 보다 높게 형성될 수 있다. 따라서, 제2돌기(1107)가 다공층(1101)의 타면 상에 형성됨에도 반도체 발광소자(1050)에서 방출되는 청색 광이 파장변환층(1102)으로 전달되는데 빛의 손실을 최소화할 수 있다.
또한, 제2돌기(1107)들의 상부면은 평평한 절단면으로 형성될 수 있다. 덧붙여 제2돌기(1107)들 중 일부는 원기둥 형태일 수 있다. 또한, 제2돌기(1107)들 중 다른 일부는 원뿔 형태를 가질 수 있다. 또한, 제2돌기(1107)들은 서로 다른 높이를 포함할 수 있다.
도 13a는 도 11의 플립 칩 타입 반도체 발광소자(1050)를 나타내는 개념도이고, 도 13b는 도 11의 플립 칩 타입 반도체 발광소자(1050)를 나타내는 사시도이다.
본 예시의 반도체 발광소자(1050)를 살펴보면, 다공성 재질로 형성된 레이어가 반도체 발광소자(1050)에 배치되어, 반도체 발광소자(1050) 측면으로 방출되는 빛을 최소화되고, 반도체 발광소자의 표면으로 빛이 방출되도록 형성되므로 반도체 발광소자의 발광 효율이 증대될 수 있다.
도 13a 및 도 13b를 참조하면, 디스플레이 장치(1000)의 반도체 발광소자(1050)는 제1도전형 전극(1156) 및 제2도전형 전극(1152), 제1도전형 전극(1156)이 배치되는 제1도전형 반도체층(1155), 제1도전형 반도체층(1155)과 오버랩되며, 상기 제2도전형 전극(1152)이 배치되는 제2도전형 반도체층(1153) 및 제1도전형 반도체층(1155)과 제2도전형 반도체층(1153) 사이에 배치되는 활성층(1154)을 포함한다.
제1도전형 전극(1156)은 제1도전형 반도체층(1155)의 일면에 형성되며, 활성층(1154)은 제1도전형 반도체층(1155)의 타면과 제2도전형 반도체층(1153)의 일면의 사이에 형성되고, 제2도전형 전극(1152)은 제2도전형 반도체층(1153)의 일면에 형성된다. 이 경우에, 제2도전형 전극(1152)은 제2도전형 반도체층(1153)에서 제1도전형 반도체층(1155)에 의하여 덮이지 않는 일면에 배치될 수 있다.
제1도전형 전극(1156) 및 제1도전형 반도체층(1155)은 각각 p형 전극 및 p형 반도체층이 될 수 있으며, 상기 제2도전형 전극(1152) 및 제2도전형 반도체층(1153)은 각각 n형 전극 및 n형 반도체층이 될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1도전형이 n형이 되고 제2도전형이 p형이 되는 예시도 가능하다.
제1도전형 전극(1156) 및 제2도전형 전극(1152)은 접착층, 장벽층, 저저항층, 산화방지층와 같은 역할을 수행하는 다층 레이어로 이루어질 수 있다.
보다 구체적으로, 제1도전형 전극(1156)은 전도전극(1156a) 및 반사전극(1156b) 을 포함할 수 있다.
일 실시예에서 반사전극(1156b)은 반도체 발광소자(1050)에서 방출되는 광을 반사할 수 있도록 설계될 수 있다. 따라서, 반사전극(1156b)은 반도체 발광소자(1050)에서 방출되는 광 중 반도체 발광소자(1050)의 타면 즉 기판 방향으로 손실될 수 있는 광을 반도체 발광소자(1050)의 발광면으로 방출되도록 형성될 수 있다. 이에, 반도체 발광소자에서 방출되는 광원의 손실없이 색상 변환부들(1100, 1200)에서 활용되도록 할 수 있으므로 색변환 효율을 극대화할 수 있다.
또한, 반도체 발광소자(1050)는 제1도전형 반도체층(1155)과 제2도전형 반도체층(1153)의 외면들을 덮도록 형성되는 패시베이션층(1157)을 포함한다. 예를 들어, 패시베이션층(1157)은 제1도전형 반도체층(1155)과 제2도전형 반도체층(1153)의 측면들과 하면들을 감싸도록 형성될 수 있다.
상세하게, 패시베이션층(1157)은 상기 반도체 발광소자의 측면을 감싸서, 반도체 발광소자(1050) 특성의 안정화를 기하도록 이루어지며, 절연 재질로 형성된다. 이러한 예로서, 패시베이션층(1157)은 실리콘 합성물 또는 산화물로 이루어지는 절연 박막이 될 수 있다. 이와 같이, 패시베이션층(1157)에 의해 제1도전형 반도체층(1155)과 제2도전형 반도체층(1153)의 사이가 전기적으로 단절되므로, 반도체 발광소자의 P-type GaN 과 N-type GaN 은 서로 절연될 수 있다.
이 경우에, 패시베이션층(1157)은 제1도전형 반도체층(1155)과 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 측면들로 방출되는 빛을 반사하도록, 서로 다른 굴절률을 가지는 복수의 패시베이션 레이어를 구비할 수도 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 패시베이션층(1157)은 단일 레이어로 형성될 수 있다. 상기 복수의 패시베이션 레이어는 상대적으로 굴절률이 높은 물질과 낮은 물질이 반복되며 적층될 수 있다.
한편, 제2도전형 반도체층(1153)은 전해연마(Electro Polishing)가 가능한 다공성 재질로 형성되고 반도체 발광소자(1050)의 외각에 배치되는 제1레이어(1153a), 제1레이어(1153a) 하부에 배치되고 제1레이어(1153a)보다 불순물 농도가 낮은 제2레이어(1153b), 제2레이어(1153b)와 활성층(1154) 사이에 배치되고 제2레이어(1153b)보다 불순물 농도가 높은 제3레이어(1153c)를 구비한다.
상세하게, 제1레이어(1153a), 제3레이어(1153c), 제2레이어(1153b) 순서로 불순물 농도가 높게 형성될 수 있다. 즉, 제1레이어(1153a)는 제3레이어(1153c)보다 불순물 농도가 더 높게 형성되고, 제2도전형 반도체층(1153)의 제2레이어(1153b)는 가장 낮은 불순물 농도를 가질 수 있다.
또한, 제1레이어(1153a)는 전해연마가 가능한 다공성 재질로 기공이 형성될 수 있다. 상세하게 다공성 재질의 제1레이어(1153a)는 반도체 발광소자(1050) 내부에서 생성된 빛들이 제1레이어(1153a)에 갇히지 않고 반도체 발광소자의 발광면으로 빛을 방출할 수 있게 해준다.
또한, 반도체 발광소자(1050) 내부에서 생성된 빛들이 제1레이어(1153a)에서 회절될 수 있다. 따라서 반도체 발광소자(1050) 측면으로 방출되는 빛의 손실을 최소화할 수 있다. 이에, 반도체 발광소자(1050)의 발광면으로 다수의 빛이 방출되므로 반도체 발광소자(1050)의 발광 효율이 증대될 수 있다.
덧붙여, 제1레이어(1153a)의 표면(1158)에는 제1영역(1158a) 및 제1영역(1158a)으로 둘러쌓인 제2영역(1158b)이 구비된다. 제1레이어(1153a)의 표면(1158)은 거칠기가 상이한 제1영역(1158a)과 제2영역(1158b)을 포함한다. 상세하게, 제2영역(1158b)은 제1영역(1158a)보다 표면 거칠기가 크고, 제2영역(1158b)에는 복수의 제3돌기(1159)가 배치된다.
실시예에 있어서, 제3돌기(1159)는 제2도전형 반도체로 형성될 수 있으며, 제1레이어(1153a)보다 불순물 농도가 더 높게 형성된다. 제3돌기(1159)들 또한 제1레이어(1153a)와 같이 전해연마가 가능한 재질로 형성될 수 있다.
나아가, 제3돌기(1159)는 내부에 기공이 형성된 다공성 구조물일 수 있다. 상세하게, 제3돌기(1159)의 기공률은 제1레이어(1153a)의 기공률 보다 높게 형성될 수 있다. 따라서, 제3돌기(1159)가 제1레이어(1153a) 상에 형성됨에도 반도체 발광소자(1050)에서 방출되는 빛을 방해하지 않으며, 방출되는 빛의 손실이 최소화 될 수 있고, 반도체 발광소자(1050)의 발광면으로 다수의 빛이 방출될 수 있다.
또한, 제3돌기(1159)들의 상부면은 평평한 절단면으로 형성될 수 있다. 덧붙여 제3돌기(1159)들 중 일부는 원기둥 형태일 수 있다. 또한, 제3돌기(1159)들 중 다른 일부는 원뿔 형태를 가질 수 있다. 덧붙여, 제3돌기(1159)들은 서로 다른 높이를 포함할 수 있다.
도 14a는 도 11의 적색 색상 변환부(1100)에서의 색변환을 나타내는 모식도이고, 도 14b는 도 11의 녹색 색상 변환부(1200)에서의 색변환을 나타내는 모식도이다.
도 14a를 참조하면, 반도체 발광소자(1050)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광소자이고, 접착부재(1060)를 통과하여 입사된 상기 청색(B) 광은 파장변환층(1102)을 통과하며 적색(R) 광으로 변환될 수 있다. 나아가, 복수의 레이어를 포함하는 반사층(1103)은 적색(R) 광은 통과시키고, 파장변환층(1102)에서 적색 광으로 변환되지 못한 청색(B) 광을 파장변환층(1102)으로 반사하도록 형성될 수 있다. 이에, 반사층(1103)에서 반사된 청색(B) 광은 다시 파장변환층(1102)에서 적색 광으로 변환될 수 있다.
한편, 반도체 발광소자(1050)에서 방출되는 광 중 반도체 발광소자(1050)의 타면 즉 기판 방향으로 손실될 수 있는 광은 반사전극(1156b)에서 반사하도록 형성될 수 있다. 이에, 반도체 발광소자에서 방출되는 광원의 손실없이 반도체 발광소자(1050)의 발광면으로 광이 방출될 수 있으며, 반사전극(1156b)에서 반사된 광 또한 파장변환층(1102)에서 적색 광으로 변환될 수 있으므로 색변환 효율이 극대화할 수 있다.
이와 같이, 적색 색상 변환부(1100)의 반사층(1103) 및 반도체 발광소자(1050)의 반사전극(1156b)의 상호작용으로 적색 색상 변환부(1100) 전체의 두께를 감소시키더라도 색변환 효율을 극대화 할 수 있다.
도 14b를 참조하면, 반도체 발광소자(1050)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광소자이고, 접착부재(1060)를 통과하여 입사된 상기 청색(B) 광은 파장변환층(1202)을 통과하며 녹색(G) 광으로 변환될 수 있다. 나아가, 복수의 레이어를 포함하는 반사층(1103)은 녹색(G) 광은 통과시키고, 파장변환층(1202)에서 녹색 광으로 변환되지 못한 청색(B) 광을 파장변환층(1202)으로 반사하도록 형성될 수 있다. 이에, 반사층(1103)에서 반사된 청색(B) 광은 다시 파장변환층(1202)에서 녹색 광으로 변환될 수 있다.
한편, 반도체 발광소자(1050)에서 방출되는 광 중 반도체 발광소자(1050)의 타면 즉 기판 방향으로 손실될 수 있는 광은 반사전극(1156b)에서 반사하도록 형성될 수 있다. 이에, 반도체 발광소자에서 방출되는 광원의 손실없이 반도체 발광소자(1050)의 발광면으로 광이 방출될 수 있으며, 반사전극(1156b)에서 반사된 광 또한 파장변환층(1202)에서 녹색 광으로 변환될 수 있으므로 색변환 효율이 극대화할 수 있다.
이와 같이, 녹색 색상 변환부(1200)의 반사층(1103) 및 반도체 발광소자(1050)의 반사전극(1156b)의 상호작용으로 녹색 색상 변환부(1200) 전체의 두께를 감소시키더라도 색변환 효율을 극대화 할 수 있다.
이에, 본 발명에 따른 디스플레이 장치(1000)는 반사층들(1103, 1203) 및 반사전극(1156b)을 구비하여 화소 집적도 또는 화소 밀도가 높고, 반도체 발광소자의 크기가 작고, 화소간 간격이 좁은 디스플레이 장치에서 두께가 얇은 색상 변환부들(1100, 1200)을 제공할 수 있다는 장점이 있다.
한편, 이상에서 설명한 디스플레이 장치에 적용된 반도체 발광소자는 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 이러한 변형예들에 대하여 후술되는 내용에서 설명한다.
도 15는 새로운 구조가 적용된 디스플레이 장치(2000)의 다른 실시예를 설명하기 위한 단면도이고, 도 16은 새로운 구조가 적용된 디스플레이 장치(3000)의 본 발명의 또 다른 실시예를 설명하기 위한 단면도이다. 또한, 도 17은 새로운 구조의 디스플레이 장치(4000)가 적용된 본 발명의 또 다른 실시예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이다.
도 15를 참조하면, 디스플레이 장치(2000)는 청색 반도체 발광소자(2050a) 및 녹색 반도체 발광소자(2050b)를 포함할 수 있다. 상세하게, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광소자(2050a) 상에 적색 색상 변환부(2100)가 적층될 수 있다.
한편, 도 16을 참조하면, 디스플레이 장치(3000)는 청색 반도체 발광소자(3050a) 및 녹색 반도체 발광소자(3050b)를 포함할 수 있다. 상세하게, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 녹색 반도체 발광소자(3050b) 상에 적색 색상 변환부(3100)가 적층될 수 있다. 이에 녹색 반도체 발광소자(3050b)에서 방출되는 녹색(G) 광이 적색(R) 광으로 변환될 수 있다.
또한, 도 15 및 도 16을 참조하면, 녹색의 단위 화소를 이루는 부분에는 녹색 반도체 발광소자(2050b)만 단독으로 이용될 수 있으며, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광소자(2050a)만 단독으로 이용되어 단위 화소를 이룰 수 있다. 이에, 디스플레이 장치들(2000, 3000)에서 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.
도 17을 참조하면, 디스플레이 장치(4000)는 백색 반도체 발광소자(4050)를 구비할 수 있다. 이 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 반도체 발광소자(4050) 상에 적색 색상 변환부(4100), 녹색 색상 변환부(4200) 및 청색 색상 변환부(4300)가 구비되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.
나아가, 디스플레이 장치(4000)는 적색 색상 변환부(4100), 녹색 색상 변환부(4200) 및 청색 색상 변환부(4300)를 감싸는 절연부재(4030')를 포함할 수 있다. 또한, 적색 색상 변환부(4100), 녹색 색상 변환부(4200) 및 청색 색상 변환부(4300) 상에 접착부재(4060')를 더 포함할 수 있다. 나아가, 접착부재(4060') 상에 폴리이미드(4070)와 유리(4080)를 더 구비하여 백색 반도체 발광소자(4050)와 적색 색상 변환부(4100), 녹색 색상 변환부(4200) 및 청색 색상 변환부(4300)를 보호할 수도 있다.
도 18은 본 발명의 녹색 색상 변환부(1200)의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다. 이하 설명되는 녹색 색상 변환부(1200)의 제조 방법에서는 앞선 실시예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다.
도 18의 (a)를 참조하면, 성장기판(W) 상에 녹색 색상 변환부(1200)를 제조하기 위한 복수의 레이어가 적층될 수 있다. 상세하게 성장기판(W)은 언도프드 반도체층(W1) 및 사파이어(spire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판으로 이루어지는 성장기판(W2)를 포함할 수 있다.
녹색 색상 변환부(1200)를 제조하기 위하여 성장기판(W) 상에 전해연마(Electro Polishing)가 가능한 제2도전형 반도체층(1201'), 파장변환층(1202), 반사층(1203) 및 전해연마가 가능한 희생층(1208)이 적층될 수 있다. 나아가, 녹색 색상 변환부(1200)를 제조하기 위한 제2도전형 반도체층(1201'), 파장변환층(1202), 반사층(1203) 및 희생층(1208)은 서로 전기적 연결이 필요없다. 따라서, 제2도전형 반도체층(1201'), 파장변환층(1202), 반사층(1203) 및 희생층(1208)은 쌍을 이루며 여러 층으로 적층될 수 있다. 나아가 한쌍의 제2도전형 반도체층(1201'), 파장변환층(1202), 반사층(1203) 및 희생층(1208)을 식각하여 반복적으로 녹색 색상 변환부(1200)를 연속적으로 제조하는 것이 가능하다.
도 18의 (b)를 참조하면, 제2도전형 반도체층(1201') 상에 접착부재(1060) 패턴을 형성한 다음 식각하여, 제2도전형 반도체층(1201'), 파장변환층(1202), 반사층(1203) 및 희생층(1208)은 녹색 색상 변환부(1200)의 형태로 아이솔레이션될 수 있다.
도 18의 (c)를 참조하면, 전해액 상에서 제2도전형 반도체층(1201'), 및 희생층(1208)에 전류의 흐름을 가하여 전해연마가 수행될 수 있다. 이에, 제2도전형 반도체층(1201')의 일부가 식각되어 다공층(1201)이 형성될 수 있다. 나아가, 제2도전형 불순물의 농도가 더 높은 희생층(1208)에서는 반응속도 차이에 의하여 더욱 활발하게 전해연마가 수행될 수 있다. 이에, 내부에 기공이 형성된 다공성 구조물인 복수의 기둥(1205')이 형성될 수 있다. 즉, 전해연마에 따른 반응속도 차이에 의하여 기둥(1205')의 기공률은 다공층(1201)의 기공률 보다 높게 형성될 수 있다.
도 18의 (d)를 참조하면, 전술된 반도체 발광소자(1050)의 발광면에 접착부재(1060)를 통하여 접착되어 전사될 수 있다. 녹색 색상 변환부(1200)의 분리는 외부의 힘에 의하여 수행되고, 내부에 기공이 형성된 다공성 구조물인 복수의 기둥(1205')은 절단될 수 있다. 이와 같이 도 18의 (a) 내지 (d)에 의하여 제조된 상기 녹색 색상 변환부는 전술된 제2돌기를 포함하지 않는 형태일 수 있다. 기둥(1205')은 절단되어 각각 반사층(1203) 상의 제1돌기(1205) 및 후속하여 제조될 녹색 색상 변환부의 다공층(1201) 상의 제2돌기(1207)로 분리될 수 있다.
이어서 도 18의 (e) 내지 (h)는 전술된 도 18의 (a) 내지 (d)의 과정을 반복하여 녹색 색상 변환부(1200)를 전술된 반도체 발광소자(1050)에 전사될 수 있다. 나아가, 녹색 색상 변환부(1200)를 전술된 반도체 발광소자(1050)에 전사될 때, 기둥(1205')은 외부의 힘에 의하여 절단되므로 녹색 색상 변환부의 다공층(1201) 상의 제2돌기(1207)로 분리될 수 있다. 이에, 도 18의 (e) 내지 (h)에서 제조된 상기 녹색 색상 변환부는 다공층(1201) 상의 제2돌기(1207)를 더 포함할 수 있다.
나아가, 전술된 적색 색상 변환부(1100)도 도 18에서 설명된 제조 방법으로 제조될 수 있다.
이상에서 설명한 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.

Claims (11)

  1. 전극을 포함하는 기판;
    상기 기판에 조립되는 복수의 반도체 발광소자; 및
    상기 반도체 발광소자에 적층되어 색상을 변환하는 색상 변환부를 포함하고,
    상기 색상 변환부는,
    다공층;
    파장변환층; 및
    반사층을 포함하고,
    상기 파장변환층은 상기 다공층과 상기 반사층 사이에 배치되고, 상기 다공층은 전해연마(Electro Polishing)가 가능한 다공성 재질로 형성되고,
    상기 반사층의 표면은 제1영역; 및
    상기 제1영역으로 둘러쌓인 제2영역을 구비하고,
    상기 제2영역은 상기 제1영역보다 표면 거칠기가 크고, 상기 제2영역에는 복수의 제1돌기가 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1돌기의 상부면은 평평한 절단면인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 다공층의 표면은 제1영역; 및
    상기 제1영역으로 둘러쌓인 제2영역을 구비하고,
    상기 제2영역은 상기 제1영역보다 표면 거칠기가 크고, 상기 제2영역에는 복수의 제2돌기가 더 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2돌기의 상부면은 평평한 절단면인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 반사층은 복수 레이어를 포함하고,
    상기 반사층의 복수 레이어의 적어도 하나는 III-V 화합물을 포함하는 레이어인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 색상 변환부와 반도체 발광소자가 물리적인 결합을 형성하도록 상기 색상 변환부의 다공층과 상기 반도체 발광 소자의 일면 사이에 접착부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 발광소자는,
    제1도전형 전극 및 제2도전형 전극;
    상기 제1도전형 전극이 배치되는 제1도전형 반도체층;
    상기 제1도전형 반도체층과 오버랩되며, 상기 제2도전형 전극이 배치되는 제2도전형 반도체층; 및
    상기 제1도전형 반도체층과 상기 제2도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하고,
    상기 제2도전형 반도체층은,
    전해연마(Electro Polishing)가 가능한 다공성 재질로 형성되고 상기 반도체 발광소자의 외각에 배치되는 제1레이어;
    상기 제1레이어 하부에 배치되고 상기 제1레이어보다 불순물 농도가 낮은 제2레이어; 및
    상기 제2레이어과 상기 활성층 사이에 배치되고 상기 제2레이어보다 불순물 농도가 높은 제3레이어를 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1도전형 전극과 제1도전형 반도체층 사이에 반사전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제1레이어의 표면은 제1영역; 및
    상기 제1영역으로 둘러쌓인 제2영역을 구비하고,
    상기 제2영역은 상기 제1영역보다 표면 거칠기가 크고, 상기 제2영역에는 복수의 제3돌기가 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제3돌기는 제2도전형 반도체로 형성되고, 상기 제1레이어보다 불순물 농도가 더 높게 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.

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