DE112018006775B4 - Anzeigevorrichtung, die lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet - Google Patents

Anzeigevorrichtung, die lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet Download PDF

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Abstract

Anzeigevorrichtung, die aufweist:ein Substrat (1010) mit einer Elektrode (1020);mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen (1050, 2050a, 2050b, 3050a, 3050b), die auf dem Substrat (1010) montiert sind; undeinen Farbumwandlungsteil (1100, 1200, 2100, 3100), der auf die mehreren lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen gestapelt ist und eine Farbe umwandelt, wobeider Farbumwandlungsteil (1100, 1200, 2100, 3100) umfasst:eine poröse Schicht (1101, 1201, 2101, 3101);eine Wellenlängenumwandlungsschicht (1102, 1202, 2102); undeine reflektierende Schicht (1103, 1203, 2103),wobei die Wellenlängenumwandlungsschicht zwischen der porösen Schicht und der reflektierenden Schicht angeordnet ist,die poröse Schicht aus einem elektropolierbaren porösen Material ausgebildet ist,eine Oberfläche (1104) der reflektierenden Schicht einen ersten Bereich (1104a) und einen von dem ersten Bereich umgebenen zweiten Bereich (1104b) umfasst,der zweite Bereich eine höhere Rauheit als die des ersten Bereichs hat, undmehrere erste Vorsprünge (1105, 1205) in dem zweiten Bereich angeordnet sind.

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Anzeigevorrichtung und insbesondere eine Anzeigevorrichtung, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet.
  • 2. Hintergrund der Erfindung
  • In den letzten Jahren wurden Anzeigevorrichtungen mit hervorragenden Charakteristiken, wie etwa einem niedrigen Profil, Flexibilität und Ähnlichem auf dem technischen Gebiet von Anzeigen entwickelt. Im Gegensatz dazu werden aktuell vermarktete Hauptanzeigen durch Flüssigkristallanzeigen (LCDs) und aktive organische Matrix-Leuchtdioden (AMOLEDs) dargestellt.
  • Es bestehen jedoch Probleme, wie etwa eine mittelmäßige Antwortzeit, eine schwierige Implementierung der Flexibilität im Fall von LCDs, und es bestehen Nachteile, wie etwa eine kurze Lebensdauer, eine mittelmäßige Ausbeute ebenso wie eine geringe Flexibilität im Fall von AMOLEDs.
  • Indessen sind Leuchtdioden (LEDs) wohlbekannte lichtemittierende Vorrichtungen zur Umwandlung eines elektrischen Stroms in Licht und wurden als eine Lichtquelle zum Anzeigen eines Bilds in einer elektronischen Vorrichtung, die Informationskommunikationsvorrichtungen umfasst, seit rote LEDs unter Verwendung von GaAsP-Verbindungshalbleitern 1962 im Handel verfügbar gemacht wurden, zusammen mit GaP:N-basierten grünen LEDs verwendet. Folglich können die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen verwendet werden, um eine flexible Anzeige zu implementieren, wodurch ein Schema zur Lösung der Probleme vorgestellt wird.
  • Während Anzeigevorrichtungen Fortschritte machen, kann eine Notwendigkeit bestehen, die Bildpunktintegration oder die Bildpunktdichte zu verbessern. Insbesondere kann es aufgrund einer Größe einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung und einem engen Abstand zwischen Bildpunkten schwierig sein, eine Farbe einer Anzeigevorrichtung zu realisieren. Folglich schlägt die vorliegende Erfindung eine Anzeigevorrichtungsstruktur vor, die fähig ist, eine Farbe in einer Anzeigevorrichtung, in der die Bildpunktintegration oder Bildpunktdichte hoch ist, eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung klein ist, ein Raum zwischen Bildpunkten eng ist, zu realisieren.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Daher ist es ein Aspekt der detaillierten Beschreibung, eine Anzeigevorrichtungsstruktur, um eine Farbe in einer Anzeigevorrichtung, in der die Bildpunktintegration oder Bildpunktdichte hoch ist, eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung klein ist, ein Raum zwischen Bildpunkten eng ist, zu realisieren, und ein Herstellungsverfahren dafür bereitzustellen.
  • Ein anderer Aspekt der detaillierten Beschreibung ist es, den Farbumwandlungswirkungsgrad in einer Anzeigevorrichtung zu verbessern.
  • Um diese und andere Vorteile gemäß dem Zweck dieser Spezifikation, wie sie hier ausgeführt und allgemein beschrieben ist, zu erreichen, umfasst eine Anzeigevorrichtung: ein Substrat mit einer Elektrode; mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen, die auf dem Substrat montiert sind; und einen Farbumwandlungsteil, der auf die mehreren lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen gestapelt ist und eine Farbe umwandelt. Insbesondere umfasst der Farbumwandlungsteil: eine poröse Schicht; eine Wellenlängenumwandlungsschicht; und eine reflektierende Schicht, wobei die Wellenlängenumwandlungsschicht zwischen der porösen Schicht und der reflektierenden Schicht angeordnet ist, und die poröse Schicht aus einem elektropolierbaren porösen Material ausgebildet ist. Eine Oberfläche der reflektierenden Schicht umfasst einen ersten Bereich und einen von dem ersten Bereich umgebenen zweiten Bereich, der zweite Bereich hat eine höhere Rauheit als die des ersten Bereichs, und mehrere erste Vorsprünge sind in dem zweiten Bereich angeordnet.
  • Eine obere Oberfläche jedes der mehreren ersten Vorsprünge kann eine eben geschnittene Oberfläche sein.
  • Eine Oberfläche der porösen Schicht kann umfassen: einen dritten Bereich; und einen vierten Bereich, der von dem dritten Bereich umgeben ist, der vierte Bereich kann eine Rauheit haben, die höher als die des dritten Bereichs ist, und mehrere zweite Vorsprünge können in dem vierten Bereich angeordnet sein.
  • Eine obere Oberfläche jedes der mehreren zweiten Vorsprünge kann eine eben geschnittene Oberfläche sein.
  • Die reflektierende Schicht kann mehrere Schichten umfassen und wenigstens eine der mehreren Schichte der reflektierenden Schicht kann eine Schicht sein, die III-V-Verbindungen umfasst.
  • Ein Klebstoffelement kann zwischen der porösen Schicht des Farbumwandlungsteils und einer Oberfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung bereitgestellt werden, so dass der Farbumwandlungsteil und die lichtemittierende Halbleitervorrichtung physikalisch gekoppelt werden können.
  • Das Klebstoffelement kann aus einem transparenten Material ausgebildet sein, das ermöglicht, dass von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung emittiertes Licht hindurchgeht.
  • Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung kann umfassen: Elektroden vom ersten und zweiten Leitfähigkeitstyp; eine Halbleiterschicht vom ersten Leitfähigkeitstyp, die ermöglicht, dass die Elektrode vom ersten Leitfähigkeitstyp darauf angeordnet wird; eine Halbleiterschicht vom zweiten Leitfähigkeitstyp, welche die Halbleiterschicht vom ersten Leitfähigkeitstyp überlappt und ermöglicht, dass die Elektrode vom zweiten Leitfähigkeitstyp darauf angeordnet wird; und eine aktive Schicht, die zwischen den Halbleiterschichten vom ersten und zweiten Leitfähigkeitstyp angeordnet ist, wobei die Halbleiterschicht vom zweiten Leitfähigkeitstyp umfasst: eine erste Schicht, die aus einem elektropolierbaren porösen Material ausgebildet ist und auf einer Außenseite der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung angeordnet ist; eine zweite Schicht, die unter der ersten Schicht angeordnet ist und eine Verunreinigungskonzentration hat, die niedriger als die der ersten Schicht ist; und eine dritte Schicht, die zwischen der zweiten Schicht und der aktiven Schicht angeordnet ist und die eine Verunreinigungskonzentration hat, die höher als die der zweiten Schicht ist.
  • Die Anzeigevorrichtung kann ferner umfassen: eine reflektierende Elektrode, die zwischen der Elektrode vom ersten Leitfähigkeitstyp und der Halbleiterschicht vom ersten Leitfähigkeitstyp angeordnet ist.
  • Eine Oberfläche der ersten Schicht kann umfassen: einen fünften Bereich und einen von dem fünften Bereich umgebenen sechsten Bereich, wobei der sechste Bereich eine höhere Oberflächenrauheit als die des fünften Bereichs hat und mehrere dritte Vorsprünge in dem sechsten Bereich angeordnet sein können.
  • Die mehreren dritten Vorsprünge können aus einem Halbleiter vom zweiten Leitfähigkeitstyp ausgebildet sein und eine Verunreinigungskonzentration haben, die höher als die der ersten Schicht ist.
  • Die Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst den Farbumwandlungsteil, der auf die lichtemittierende Halbleitervorrichtung gestapelt ist und eine Farbe umwandelt, und der vorstehend beschriebene Farbumwandlungsteil kann die poröse Schicht, die aus einem elektropolierbaren Material ausgebildet ist, umfassen, um als ein dünner Farbumwandlungsteil bereitgestellt zu werden. Folglich kann die Anzeigevorrichtung, die eine hohe Bildpunktkonzentration oder eine hohe Bildpunktdichte hat, eine kleine lichtemittierende Halbleitervorrichtung hat, Bildpunkte mit einem engen Abstand dazwischen hat und fähig ist, Farbe zu realisieren, bereitgestellt werden.
  • Da der Farbumwandlungsteil außerdem die reflektierende Schicht umfasst, kann die Emission von Licht, das nicht in der Wellenumwandlungsschicht des Farbumwandlungsteils umgewandelt wurde, nachdem es von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung emittiert wurde, verhindert werden, um die Farbmischung mit Licht, das in der Wellenlängenumwandlungsschicht umgewandelt wurde, zu verhindern, wobei der Farbumwandlungswirkungsgrad maximiert wird.
  • Da in der vorstehend beschriebenen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung außerdem die reflektierende Elektrode zwischen der Elektrode vom ersten Leitfähigkeitstyp und der Halbleiterschicht vom ersten Leitfähigkeitstyp bereitgestellt ist, kann das von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung emittierte Licht in dem Farbumwandlungsteil ohne Lichtverlust genutzt werden, und somit kann der Farbumwandlungswirkungsgrad maximiert werden.
  • Ein weiterer Bereich der Anwendbarkeit der vorliegenden Anmeldung wird aus der hier nachstehend gegebenen detaillierten Beschreibung offensichtlicher. Es sollte sich jedoch verstehen, dass die detaillierte Beschreibung und spezifische Beispiele, während sie bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung anzeigen, lediglich zur Veranschaulichung gegeben werden, da für Fachleute der Technik aus der detaillierten Beschreibung vielfältige Änderungen und Modifikationen innerhalb des Schutzbereichs der Erfindung offensichtlich werden.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die begleitenden Zeichnungen, die aufgenommen sind, um ein weiteres Verständnis der Erfindung bereitzustellen, und eingearbeitet sind und einen Teil dieser Spezifikation bilden, stellen beispielhafte Ausführungsformen dar und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien der Erfindung zu erklären.
  • In den Zeichnungen:
    • 1 ist eine Konzeptansicht, die eine Anzeigevorrichtung unter Verwendung einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung darstellt.
    • 2 ist eine vergrößerte Teilansicht des Abschnitts „A“ in 1, und 3A und 3B sind entlang der Linien B-B und C-C in 2 genommene Querschnittansichten.
    • 4 ist eine Konzeptansicht, die eine lichtemittierende Flip-Chip-Halbleitervorrichtung in 3 darstellt.
    • 5A bis 5C sind Konzeptansichten, die vielfältige Formen zur Implementierung von Farben in Verbindung mit einer lichtemittierenden Flip-Chip-Halbleitervorrichtung darstellen.
    • 6 sind Querschnittansichten, die ein Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung darstellen, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung verwendet.
    • 7 ist eine Perspektivansicht, die eine Anzeigevorrichtung unter Verwendung einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung darstellt.
    • 8 ist eine entlang der Linie D-D in 7 genommene Querschnittansicht.
    • 9 ist eine Konzeptansicht, die eine vertikale lichtemittierende Halbleitervorrichtung in 8 darstellt.
    • 10 ist eine vergrößerte Ansicht des Abschnitts „A“ von 1 zur Erklärung einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, auf welche eine neue Struktur angewendet wird.
    • 11 ist eine entlang der Linie E-E in 10 genommene Querschnittansicht.
    • 12A ist eine Konzeptansicht des roten Farbumwandlungsteils von 11.
    • 12B ist eine Perspektivansicht des roten Farbumwandlungsteils von 11.
    • 12C ist eine untere Perspektivansicht des roten Farbumwandlungsteils von 11.
    • 13A ist eine Konzeptansicht, die eine lichtemittierende Flip-Chip-Halbleitervorrichtung von 11 darstellt.
    • 13B ist eine Perspektivansicht, welche die lichtemittierende Flip-Chip Halbleitervorrichtung von 11 darstellt.
    • 14A ist eine schematische Ansicht, die die Farbumwandlung in dem roten Farbumwandlungsteil von 11 darstellt.
    • 14B ist eine schematische Ansicht, die die Farbumwandlung in einem grünen Farbumwandlungsteil in 11 zeigt.
    • 15 ist eine Querschnittansicht zur Erklärung einer anderen Ausführungsform einer Anzeigevorrichtung, auf die eine neue Struktur angewendet wird.
    • 16 ist eine Querschnittansicht zur Erklärung einer anderen Ausführungsform einer Anzeigevorrichtung, auf die eine neue Struktur angewendet wird.
    • 17 ist eine vergrößerte Ansicht des Abschnitts „A“ in 1 zur Erklärung einer anderen Ausführungsform einer Anzeigevorrichtung, auf die eine neue Struktur angewendet wird.
    • 18 ist eine Querschnittansicht, die ein Verfahren zur Herstellung eines Farbumwandlungsteils der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • Hier nachstehend werden hier offenbarte Ausführungsformen unter Bezug auf die begleitenden Zeichnungen im Detail beschrieben, und die gleichen oder ähnlichen Elemente werden ungeachtet der Zahlen in den Zeichnungen mit den gleichen Bezugszahlen bezeichnet und ihre redundante Beschreibung wird weggelassen. Ein Suffix „Modul“ oder „Einheit“, das für in der folgenden Beschreibung offenbarte Bestandteilelemente verwendet wird, ist lediglich zur einfacheren Beschreibung der Spezifikation gedacht, und das Suffix selbst bietet keine spezielle Bedeutung oder Funktion. Bei der Beschreibung der hier offenbarten Ausführungsformen wird überdies die detaillierte Beschreibung weggelassen, wenn eine spezifische Beschreibung öffentlich bekannter Technologien, welche die Erfindung betrifft, als den Geist der vorliegenden Erfindung verschleiernd beurteilt wird. Ebenso sollte bemerkt werden, dass die begleitenden Zeichnungen lediglich der Einfachheit der Erklärung des Konzepts der Erfindung halber dargestellt werden, und daher nicht als das hier durch die begleitenden Zeichnungen offenbarte technologische Konzept beschränkend ausgelegt werden sollten.
  • Außerdem versteht sich, dass, wenn auf ein Element, wie eine Schicht, einen Bereich oder ein Substrat als „auf“ einem anderen Element Bezug genommen wird, es direkt auf dem anderen Element sein kann oder auch ein Zwischenelement dazwischen eingefügt sein kann.
  • Eine hier offenbarte Anzeigevorrichtung kann ein tragbares Telefon, ein Smartphone, einen Laptop-Computer, ein digitales Rundfunkendgerät, einen persönlichen digitalen Assistenten (PDA), ein tragbares Multimedia-Abspielgerät (PMP), eine Navigationseinrichtung, einen Slate-PC, einen Tablet-PC, ein Ultrabook, ein digitales TV, einen Desktop-Computer und Ähnliche umfassen. Es wäre für Fachleute der Technik jedoch leicht zu verstehen, dass eine hier offenbarte Konfiguration auf jede anzeigbare Vorrichtung anwendbar sein kann, auch wenn sie ein neuer Produkttyp ist, der später entwickelt werden wird.
  • 1 ist eine Konzeptansicht, die eine Anzeigevorrichtung unter Verwendung einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung darstellt.
  • Gemäß der Zeichnung können in der Steuerung der Anzeigevorrichtung 100 verarbeitete Informationen unter Verwendung einer flexiblen Anzeige angezeigt werden.
  • Die flexible Anzeige kann eine flexible, biegsame, verdrehbare, faltbare und rollbare Anzeige umfassen. Zum Beispiel kann die flexible Anzeige eine Anzeige sein, die auf einem dünnen und flexiblen Substrat hergestellt ist, das wie ein Blatt Papier gekrümmt, gebogen oder gerollt werden kann, während die Anzeigecharakteristiken einer flachen Anzeige in der verwandten Technik aufrechterhalten werden.
  • Eine Anzeigefläche der flexiblen Anzeige wird in einer Konfiguration, in der die flexible Anzeige nicht gekrümmt ist (zum Beispiel einer Konfiguration mit einem unendlichen Krümmungsradius, auf die hier nachstehend als „erste Konfiguration“ Bezug genommen wird) eine Ebene. Ihre Anzeigefläche wird in einer Konfiguration, in der die flexible Anzeige durch eine äußere Kraft in der ersten Konfiguration gekrümmt wird (zum Beispiel eine Konfiguration mit einem endlichen Krümmungsradius, auf die hier nachstehend als eine „zweite Konfiguration“ Bezug genommen wird), eine gekrümmte Oberfläche. Wie in der Zeichnung dargestellt, können Informationen, die in der zweiten Konfiguration angezeigt werden, visuelle Informationen sein, die auf einer gekrümmten Oberfläche angezeigt werden. Die visuellen Informationen können durch einzelnes Steuern der Lichtemission von Teilbildpunkten, die in einer Matrixform angeordnet sind, implementiert werden. Der Teilbildpunkt bezeichnet eine minimale Einheit zum Implementieren einer Farbe.
  • Der Teilbildpunkt der flexiblen Anzeige kann durch eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung implementiert werden. Gemäß der Ausführungsform der Erfindung wird eine Leuchtdiode (LED) als eine Art lichtemittierende Halbleitervorrichtung dargestellt. Die Leuchtdiode kann mit einer kleinen Größe ausgebildet werden, um dadurch selbst in der zweiten Konfiguration die Rolle eines Teilbildpunkts auszuführen.
  • Hier nachstehend wird eine flexible Anzeige unter Verwendung der Leuchtdiode unter Bezug auf die begleitenden Zeichnungen detaillierter beschrieben.
  • 2 ist eine vergrößerte Teilansicht des Abschnitts „A“ in 1, und 3A und 3B sind entlang der Linien B-B und C-C in 2 genommene Querschnittansichten, 4 ist eine Konzeptansicht, die eine lichtemittierende Flip-Chip-Halbleitervorrichtung in 3A darstellt, und 5A bis 5C sind Konzeptansichten, die vielfältige Formen zur Implementierung von Farben in Verbindung mit einer lichtemittierenden Flip-Chip-Halbleitervorrichtung darstellen.
  • Gemäß den Zeichnungen in 2, 3A und 3B wird eine Anzeigevorrichtung 100 dargestellt, die beispielhaft eine lichtemittierende Passivmatrix-, (PM-) Halbleitervorrichtung als eine Anzeigevorrichtung 100 unter Verwendung einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung verwendet. Die folgende Darstellung kann jedoch in anderen Ausführungsformen auch auf eine lichtemittierende Aktivmatrix- (AM-) Halbleitervorrichtung angewendet werden.
  • Die Anzeigevorrichtung 100 kann ein Substrat 110, eine erste Elektrode 120, eine leitfähige Klebstoffschicht 130, eine zweite Elektrode 140 und mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen 150 umfassen.
  • Das Substrat 110 kann ein flexibles Substrat sein. Das Substrat 110 kann Glas oder Polyimid (PI) enthalten, um die flexible Anzeigevorrichtung zu implementieren. Außerdem kann als ein flexibles Material eines, wie etwa Polyethylennaphthalen (PEN), Polyethylenterephthalat (PET) oder Ähnliches verwendet werden. Außerdem kann das Substrat 110 entweder aus transparenten oder nichttransparenten Materialien sein.
  • Das Substrat 110 kann ein Verdrahtungssubstrat sein, das mit der ersten Elektrode 120 angeordnet ist, und somit kann die erste Elektrode 120 auf dem Substrat 110 angeordnet sein.
  • Gemäß der Zeichnung kann eine Isolierschicht 160 auf dem Substrat 110 angeordnet sein, das mit der ersten Elektrode 120 angeordnet ist, und eine Hilfselektrode 170 kann auf der Isolierschicht 160 angeordnet sein. In diesem Fall kann eine Konfiguration, in der die Isolierschicht 160 auf dem Substrat 110 abgelagert wird, ein einzelnes Verdrahtungssubstrat sein. Insbesondere kann die Isolierschicht 160 mit einem isolierenden und flexiblen Material, wie etwa Polyimid (PI), PET, PEN oder Ähnlichem in das Substrat 110 eingearbeitet werden, um ein einzelnes Verdrahtungssubstrat zu bilden.
  • Die Hilfselektrode 170 als eine Elektrode zum elektrischen Verbinden der ersten Elektrode 120 mit der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 ist auf der Isolierschicht 160 angeordnet und derart angeordnet, dass sie dem Ort der ersten Elektrode 120 entspricht. Zum Beispiel hat die Hilfselektrode 170 eine Punktform und kann mittels eines Elektrodenlochs 171, das durch die Isolierschicht 160 geht, mit der ersten Elektrode 120 elektrisch verbunden werden. Das Elektrodenloch 171 kann durch Füllen eines leitfähigen Materials in ein Durchkontaktierungsloch ausgebildet werden.
  • Bezugnehmend auf die Zeichnungen kann die leitfähige Klebstoffschicht 130 auf einer Oberfläche der Isolierschicht 160 ausgebildet werden, aber die Ausführungsformen der Erfindung brauchen nicht notwendigerweise auf dieses beschränkt zu sein. Zum Beispiel kann es möglich sein, auch eine Struktur zu haben, in der eine Schicht, die eine spezifische Funktion ausführt, zwischen der Isolierschicht 160 und der leitfähigen Klebstoffschicht 130 angeordnet ist oder die leitfähige Klebstoffschicht 130 ohne Isolierschicht 160 auf dem Substrat 110 angeordnet ist. Die leitfähige Klebstoffschicht 130 kann in der Struktur, in der die leitfähige Klebstoffschicht 130 auf dem Substrat 110 angeordnet ist, die Rolle einer Isolierschicht ausführen.
  • Die leitfähige Klebstoffschicht 130 kann eine Schicht mit Haftfähigkeit und Leitfähigkeit sein, und zu diesem Zweck können ein leitfähiges Material und ein Klebstoffmaterial auf der leitfähigen Klebstoffschicht 130 vermischt werden. Außerdem kann die leitfähige Klebstoffschicht 130 Flexibilität haben, wodurch in der Anzeigevorrichtung eine flexible Funktion ermöglicht wird.
  • Für ein derartiges Beispiel kann die leitfähige Klebstoffschicht 130 ein anisotroper leitfähiger Film (ACF), eine anisotrope leitfähige Paste, eine Lösung, die leitfähige Partikel enthält, und Ähnliches sein. Die leitfähige Klebstoffschicht 130 kann die elektrische Verbindung in der z-Richtung, die durch ihre Dicke geht, ermöglichen, kann aber in ihrer horizontalen x-y-Richtung als eine Schicht mit elektrischer Isolierung konfiguriert werden. Folglich kann auf die leitfähige Klebstoffschicht 130 als eine leitfähige z-Achsen-Schicht Bezug genommen werden (wobei hier nachstehend jedoch als eine „leitfähige Klebstoffschicht“ auf sie Bezug genommen wird).
  • Der anisotrope leitfähige Film ist ein Film mit einer Form, in der ein anisotropes leitfähiges Medium mit einem isolierenden Basiselement vermischt ist, und wenn Wärme und Druck darauf angewendet werden, kann mittels des anisotropen leitfähigen Mediums somit nur ein spezifischer Abschnitt davon Leifähigkeit haben. Hier nachstehend werden Wärme und Druck auf den anisotropen leitfähigen Film angewendet, aber für den anisotropen leitfähigen Film können ebenso andere Verfahren verfügbar sein, um teilweise Leitfähigkeit zu haben. Die Verfahren können das Anwenden von Wärme und/oder Druck, UV-Härtung und Ähnlicher umfassen.
  • Außerdem kann das anisotrope leitfähige Medium leitfähige Kugeln oder Partikel sein. Gemäß der Zeichnung ist der anisotrope leitfähige Film ein Film mit einer Form, in der ein anisotropes leitfähiges Medium mit einem isolierenden Basiselement vermischt ist, und wenn Wärme und Druck darauf angewendet werden, kann somit mittels der leitfähigen Kugeln nur ein spezifischer Abschnitt davon Leifähigkeit haben. Der anisotrope leitfähige Film kann in einem Zustand sein, in dem ein Kern mit einem leitfähigen Material mehrere Partikel enthält, die durch eine Isolierschicht mit einem Polymermaterial beschichtet sind, und in diesem Fall kann er mittels des Kerns Leitfähigkeit haben, während eine Isolierschicht auf einem Abschnitt bricht, auf den Wärme und Druck angewendet werden. In diesem Fall kann ein Kern transformiert werden, um eine Schicht mit beiden Oberflächen zu implementieren, welche Objekte in der Dickenrichtung des Films kontaktieren.
  • Für ein spezifischeres Beispiel werden Wärme und Druck auf einen anisotropen leitfähigen Film als Ganzes angewendet, und die elektrische Verbindung in der z-Achsenrichtung wird teilweise durch eine Höhendifferenz zu einem passenden Objekt, das unter Verwendung des anisotropen leitfähigen Films ausgebildet wird, ausgebildet.
  • Für ein anderes Beispiel kann ein anisotroper leitfähiger Film in einem Zustand sein, in dem er mehrere Partikel enthält, in denen ein leitfähiges Material auf isolierende Kerne beschichtet ist. In diesem Fall kann ein Abschnitt, auf den Wärme und Druck angewendet werden (der gedrückt und geklebt wird), in ein leitfähiges Material umgewandelt werden, so dass er in der Dickenrichtung des Films Leitfähigkeit hat. Für noch ein anderes Beispiel kann er derart ausgebildet werden, dass er in der Dickenrichtung des Films Leitfähigkeit hat, in der ein leitfähiges Material in der z-Richtung durch ein isolierendes Basiselement geht. In diesem Fall kann das leitfähige Material einen spitzen Endabschnitt haben.
  • Gemäß der Zeichnung kann der anisotrope leitfähige Film ein anisotroper leitfähiger Film mit fester Anordnung (ACF) sein, der mit einer Form konfiguriert ist, in der leitfähige Kugeln in eine Oberfläche des isolierenden Basiselements eingesetzt sind. Insbesondere ist das isolierende Basiselement aus einem Klebstoffmaterial ausgebildet und die leitfähigen Kugeln sind konzentriert an einem unteren Abschnitt des isolierenden Basiselements angeordnet, und wenn Wärme und Druck darauf angewendet werden, wird das Basiselement zusammen mit den leifähigen Kugeln modifiziert, wodurch es in seiner Vertikalrichtung Leitfähigkeit hat.
  • Die Ausführungsformen der Erfindung brauchen jedoch nicht notwendigerweise darauf beschränkt sein, und es kann zugelassen werden, dass der anisotrope leitfähige Film eine Form, in der die leitfähigen Kugeln zufällig mit einem isolierenden Basiselement gemischt sind, oder eine Form, die mit mehreren Schichten konfiguriert ist, in denen leitfähige Kugeln auf irgendeiner Schicht (Doppel-ACF) angeordnet sind, und Ähnliche hat.
  • Die anisotrope leitfähige Paste als eine Form, die mit einer Paste und leitfähigen Kugeln gekoppelt wird, kann eine Paste sein, in der leitfähige Kugeln mit einem isolierenden und Klebstoffbasismaterial gemischt sind. Außerdem kann eine Lösung, die leitfähige Partikel enthält, eine Lösung in einer Form sein, die leitfähige Partikel oder Nanopartikel enthält.
  • Erneut Bezug nehmend auf die Zeichnung ist die zweite Elektrode 140 an der Isolierschicht 160 angeordnet, so dass sie von der Hilfselektrode 170 getrennt ist. Mit anderen Worten ist die leitfähige Klebstoffschicht 130 auf der Isolierschicht 160 angeordnet, die mit der Hilfselektrode 170 und der zweiten Elektrode 140 angeordnet ist.
  • Wenn die leitfähige Klebstoffschicht 130 in einem Zustand ausgebildet wird, in dem die Hilfselektrode 170 und die zweite Elektrode 140 angeordnet sind, und die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 dann in einer Flip-Chip-Form unter Anwendung von Wärme und Druck damit verbunden wird, wird die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 mit der ersten Elektrode 120 und der zweiten Elektrode 140 elektrisch verbunden.
  • Bezugnehmend auf 4 kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung eine lichtemittierende Flip-Chip-Halbleitervorrichtung sein.
  • Zum Beispiel kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung umfassen: eine p-Elektrode 156, eine p-Halbleiterschicht 155, die mit der p-Elektrode 156 ausgebildet ist, eine aktive Schicht 154, die auf der p-Halbleiterschicht 155 ausgebildet ist, eine n-Halbleiterschicht 153, die auf der aktiven Schicht 154 ausgebildet ist, und eine n-Elektrode 152, die derart angeordnet ist, dass sie von der p-Elektrode 156 in der Horizontalrichtung getrennt ist, auf der n-Halbleiterschicht 153. In diesem Fall kann die p-Elektrode 156 durch die leitfähige Klebstoffschicht 130 mit dem Schweißabschnitt 179 elektrisch verbunden sein und die n-Elektrode 152 kann mit der zweiten Elektrode 140 elektrisch verbunden sein.
  • Erneut Bezug nehmend auf 2, 3A und 3B kann die Hilfselektrode 170 in eine Richtung in einer länglichen Weise ausgebildet sein, um mit mehreren lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 elektrisch verbunden zu werden. Zum Beispiel können die linken und rechten p-Elektroden der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen um die Hilfselektrode herum mit einer Hilfselektrode elektrisch verbunden werden.
  • Insbesondere wird die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 in die leitfähige Klebstoffschicht 130 gedrückt und dadurch haben nur ein Abschnitt zwischen der p-Elektrode 156 und der Hilfselektrode 170 der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 und ein Abschnitt zwischen der n-Elektrode 152 und der zweiten Elektrode 140 der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 Leitfähigkeit, und der verbleibende Abschnitt hat keine Leitfähigkeit, da es kein Herunterdrücken der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gibt.
  • Außerdem bilden mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen 150 eine lichtemittierende Anordnung, und eine Leuchtstoffschicht 180 wird auf der lichtemittierenden Anordnung ausgebildet.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung kann mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen mit unterschiedlichen Selbstilluminanzwerten umfassen. Jede der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 bildet einen Teilbildpunkt und ist elektrisch mit der ersten Elektrode 120 verbunden. Zum Beispiel können mehrere erste Elektroden 120 vorhanden sein, und die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen sind zum Beispiel in mehrere Reihen angeordnet, und jede Reihe der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen kann mit einer beliebigen der mehreren ersten Elektroden elektrisch verbunden werden.
  • Außerdem können die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen in einer Flip-Chip-Form verbunden werden, und somit können lichtemittierende Halbleitervorrichtungen auf einem transparenten dielektrischen Substrat gezüchtet werden. Außerdem können die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen zum Beispiel lichtemittierende Nitridhalbleitervorrichtungen sein. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 hat eine hervorragende Helligkeitscharakteristik, und somit kann es möglich sein, selbst mit ihrer kleinen Größe einzelne Teilbildpunkte zu konfigurieren.
  • Gemäß der Zeichnung kann eine Trennwand 190 zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 ausgebildet werden In diesem Fall kann die Trennwand 190 die Rolle zur Trennung einzelner Teilbildpunkte voneinander durchführen und als ein integraler Körper mit der leitfähigen Klebstoffschicht 130 ausgebildet werden. Zum Beispiel kann ein Basiselement des anisotropen leitfähigen Films die Trennwand bilden, wenn die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 in den anisotropen leitfähigen Film eingesetzt wird.
  • Wenn außerdem das Basiselement des anisotropen leitfähigen Films schwarz ist, kann die Trennwand 190 Reflexionscharakteristiken haben, während gleichzeitig der Kontrast ohne zusätzlichen schwarzen Isolator vergrößert wird.
  • Für ein anderes Beispiel kann eine reflektierende Trennwand getrennt mit der Trennwand 190 versehen sein. In diesem Fall kann die Trennwand 190 gemäß dem Zweck der Anzeigevorrichtung einen schwarzen oder weißen Isolator umfassen. Sie kann eine Wirkung zur Verbesserung des Reflexionsvermögens haben, wenn die Trennwand des weißen Isolators verwendet wird, und den Kontrast vergrößern, während sie gleichzeitig Reflexionscharakteristiken hat.
  • Die Leuchtstoffschicht 180 kann an einer Außenoberfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 angeordnet sein. Zum Beispiel ist die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 in einer Ausführungsform der Erfindung eine blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung, die blaues (B) Licht emittiert, und die Leuchtstoffschicht 180 führt die Rolle des Umwandelns des blauen (B) Lichts in die Farbe eines Teilbildpunkts aus. Die Leuchtstoffschicht 180 kann eine rote Leuchtstoffschicht 181 oder eine grüne Leuchtstoffschicht 182, die einzelne Bildpunkte bilden, sein. Die Leuchtstoffschicht 180 kann die Leuchtstoffschichten anderer Farbe sein.
  • Mit anderen Worten kann roter Leuchtstoff 181, der fähig ist, blaues Licht in rotes (R) Licht umzuwandeln, an einer Stelle, die einen roten Teilbildpunkt implementiert, auf der blauen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung abgeschieden werden, und ein grüner Leuchtstoff 182, der fähig ist, blaues Licht in grünes (G) Licht umzuwandeln, kann an einer Stelle, die einen grünen Teilbildpunkt implementiert, auf der blauen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung abgeschieden werden. Außerdem kann an einer Stelle, die einen blauen Teilbildpunkt implementiert, nur die blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung allein verwendet werden. In diesem Fall können die roten (R), grünen (G) und blauen (B) Teilbildpunkte einen Bildpunkt implementieren. Insbesondere kann ein Farbleuchtstoff entlang jeder Linie der ersten Elektrode 120 abgeschieden werden. Folglich kann eine Linie auf der ersten Elektrode 120 eine Elektrode sein, die eine Farbe steuert. Mit anderen Worten können rot (R), grün (G) und blau (B) der Reihe nach angeordnet werden, wodurch Teilbildpunkte implementiert werden.
  • Die Ausführungsformen der Erfindung können nicht notwendigerweise auf dieses beschränkt sein, und die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 kann anstelle eines Leuchtstoffs mit einem Quantenpunkt (QD) kombiniert werden, um Teilbildpunkte, wie etwa rot (R), grün (G) und blau (B) zu implementieren.
  • Außerdem kann eine schwarze Matrix 191 zwischen jeder Leuchtstoffschicht angeordnet sein, um den Kontrast zu vergrößern. Mit anderen Worten kann die schwarze Matrix 191 den Kontrast der Beleuchtungsstärke zu vergrößern.
  • Die Ausführungsformen der Erfindung brauchen jedoch nicht notwendigerweise auf dieses beschränkt zu werden, und eine andere Struktur zum Implementieren von blau, rot und grün kann ebenfalls darauf anwendbar sein.
  • Bezugnehmend auf 5A kann jede der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 mit einer lichtemittierenden Hochleistungsvorrichtung implementiert werden, die verschiedene Lichter emittiert, die blau umfassen, bei der hauptsächlich Galliumnitrid (GaN) verwendet wird, und wobei Indium (In) und oder Aluminium (Al) hinzugefügt wird.
  • In diesem Fall kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 jeweils rote, grüne und blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtungen sein, um jeden Teilbildpunkt zu implementieren. Zum Beispiel sind abwechselnd rote, grüne und blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtungen (R, G, B) angeordnet, und rote, grüne und blaue Teilbildpunkte implementieren einen Bildpunkt mittels roter, grüner und blauer lichtemittierender Halbleitervorrichtungen, wodurch eine vollständige Farbanzeige implementiert wird.
  • Bezugnehmend auf 5B kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung eine weiße lichtemittierende Vorrichtung (W) haben, die mit einer gelben Leuchtstoffschicht für jedes Element versehen ist. In diesem Fall können eine rote Leuchtstoffschicht 181, eine grüne Leuchtstoffschicht 182 und eine blaue Leuchtstoffschicht 183 auf der weißen lichtemittierenden Vorrichtung (W) bereitgestellt werden, um einen Teilbildpunkt zu implementieren. Außerdem kann ein Farbfilter, das mit rot, grün und blau auf der weißen lichtemittierenden Vorrichtung (W) wiederholt wird, verwendet werden, um einen Teilbildpunkt zu implementieren.
  • Bezugnehmend auf 5C kann es möglich sein, auch eine Struktur zu haben, in der eine rote Leuchtstoffschicht 181, eine grüne Leuchtstoffschicht 182 und eine blaue Leuchtstoffschicht 183 auf einer Ultraviolett-emittierenden Vorrichtung (UV) bereitgestellt werden. Auf diese Weise kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung über den gesamten Bereich bis zu Ultraviolett (UV) ebenso wie im sichtbaren Licht verwendet werden und kann zu einer Form einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung erweitert werden, in der Ultraviolett (UV) als eine Anregungsquelle verwendet werden kann.
  • Wenn man erneut das vorliegende Beispiel betrachtet, ist die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 auf der leitfähigen Klebstoffschicht 130 angeordnet, um einen Teilbildpunkt in der Anzeigevorrichtung zu konfigurieren. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 kann hervorragende Helligkeitscharakteristiken haben, und somit kann es möglich sein, sogar mit ihrer kleinen Größe einzelne Teilbildpunkte zu konfigurieren. Die Größe der einzelnen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 kann in der Länge einer ihrer Seiten kleiner 80 µm sein, und sie kann mit einem rechteckig oder quadratisch geformten Element ausgebildet sein. In einem Fall eines rechteckig geformten Elements kann seine Größe kleiner als 20 × 80 µm sein.
  • Wenn außerdem eine quadratförmige lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 mit einer Seitenlänge von 10 µm für einen Teilbildpunkt verwendet wird, wird sie eine ausreichende Helligkeit zur Implementierung einer Anzeigevorrichtung zeigen. Folglich wird zum Beispiel in dem Fall eines rechteckigen Bildpunkts, bei dem eine Seite eines Teilbildpunkts 600 µm groß ist und seine verbleibende Seite 300 µm groß ist, ein relativer Abstand zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen ausreichend groß. Folglich kann es in diesem Fall möglich sein, eine flexible Anzeigevorrichtung mit einer HD-Bildqualität zu implementieren.
  • Eine Anzeigevorrichtung, welche die vorangehende lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet, wird mit einer neuen Art von Herstellungsverfahren hergestellt. Hier nachstehend wird das Herstellungsverfahren unter Bezug auf 6 beschrieben.
  • 6 sind Querschnittansichten, die ein Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung darstellen, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform der Erfindung verwendet.
  • Bezugnehmend auf die Zeichnung wird zuerst die leitfähige Klebstoffschicht 130 auf der Isolierschicht 160 ausgebildet, die mit der Hilfselektrode 170 und der zweiten Elektrode 140 angeordnet ist. Die Isolierschicht 160 wird auf dem ersten Substrat 110 abgeschieden, um ein Substrat (oder Verdrahtungssubstrat) zu bilden, und die erste Elektrode 120, Hilfselektrode 170 und zweite Elektrode 140 werden an dem Verdrahtungssubstrat angeordnet. In diesem Fall können die erste Elektrode 120 und die zweite Elektrode 140 in einer senkrechten Richtung zueinander angeordnet sein. Außerdem können das erste Substrat 110 und die Isolierschicht 160 jeweils Glas oder Polyimid (PI) enthalten, um eine flexible Anzeigevorrichtung zu implementieren.
  • Die leitfähige Klebstoffschicht 130 kann zum Beispiel durch einen anisotropen leitfähigen Film implementiert werden, und zu diesem Zweck kann ein anisotroper leitfähiger Film auf ein Substrat beschichtet werden, das mit der Isolierschicht 160 angeordnet ist.
  • Als Nächstes wird ein zweites Substrat 112, das mit mehreren lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 angeordnet ist, die der Stelle der Hilfselektroden 170 und der zweiten Elektroden 140 entsprechen und einzelne Bildpunkte bilden, derart angeordnet, dass die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 der Hilfselektrode 170 und der zweiten Elektrode 140 zugewandt ist.
  • In diesem Fall kann das zweite Substrat 112 als ein Zuchtsubstrat zum Züchten der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 ein Saphirsubstrat oder ein Siliziumsubstrat sein.
  • Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung kann eine Lücke und eine Größe haben, die fähig ist, eine Anzeigevorrichtung zu implementieren, wenn sie in der Einheit des Wafers ausgebildet ist, und kann somit effektiv für eine Anzeigevorrichtung verwendet werden.
  • Als Nächstes wird das Verdrahtungssubstrat thermisch an das zweite Substrat 112 komprimiert. Zum Beispiel können das Verdrahtungssubstrat und das zweite Substrat 112 thermisch aneinander komprimiert werden, indem ein ACF-Presskopf angewendet wird. Das Verdrahtungssubstrat und das zweite Substrat 112 werden unter Verwendung der thermischen Kompression miteinander verbunden. Aufgrund der Charakteristiken eines anisotropen leitfähigen Films mit Leitfähigkeit durch thermische Kompression kann nur ein Abschnitt zwischen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 und der Hilfselektrode 170 und der zweiten Elektrode 140 Leitfähigkeit haben, wodurch ermöglicht wird, dass die Elektroden und die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 elektrisch miteinander verbunden werden. Zu dieser Zeit kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 in den anisotropen leitfähigen Film eingesetzt werden, wodurch eine Trennwand zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 gebildet wird.
  • Als Nächstes wird das zweite Substrat 112 entfernt. Zum Beispiel kann das zweite Substrat 112 unter Verwendung eines Laser-Abhebeverfahrens (LLO) oder eines chemischen Abhebeverfahrens (CLO) entfernt werden.
  • Schließlich wird das zweite Substrat 112 entfernt, um die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 nach außen freizulegen. Siliziumoxid (SiOx) oder Ähnliches kann auf das Verdrahtungssubstrat, das mit der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 gekoppelt ist, beschichtet werden, um eine transparente Isolierschicht zu bilden.
  • Außerdem kann es ferner das Verfahren zum Ausbilden einer Leuchtstoffschicht auf einer Oberfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 umfassen. Zum Beispiel kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 eine blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung zum Emittieren von blauem (B) Licht sein, und ein roter oder grüner Leuchtstoff zum Umwandeln des blauen (B) Lichts in die Farbe des Teilbildpunkts kann eine Schicht auf einer Oberfläche der blauen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung bilden.
  • Das Herstellungsverfahren oder die Struktur einer Anzeigevorrichtung, die die vorstehende lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet, kann in vielfältigen Formen modifiziert werden. Für ein derartiges Beispiel kann die vorstehende Anzeigevorrichtung auf eine vertikale lichtemittierende Halbleitervorrichtung anwendbar sein. Hier nachstehend wird die vertikale Struktur unter Bezug auf 5 und 6 beschrieben.
  • Außerdem werden gemäß dem folgenden modifizierten Beispiel oder der Ausführungsform die gleichen oder ähnlichen Bezugszahlen für die gleichen oder ähnlichen Konfigurationen wie in dem vorstehenden Beispiel verwendet und ihre Beschreibung wird durch die frühere Beschreibung ersetzt.
  • 7 ist eine Perspektivansicht, die eine Anzeigevorrichtung unter Verwendung einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung darstellt. 8 ist eine entlang der Linie D-D in 7 genommene Querschnittansicht, und 9 ist eine Konzeptansicht, die eine vertikale lichtemittierende Halbleitervorrichtung in 8 darstellt.
  • Gemäß den Zeichnungen kann die Anzeigevorrichtung eine Anzeigevorrichtung sein, die eine lichtemittierende vertikale Passivmatrix- (PM-) Halbleitervorrichtung verwendet, aber in anderen Ausführungsformen kann eine lichtemittierende vertikale Aktivmatrix- (AP-) Halbleitervorrichtung verwendet werden.
  • Die Anzeigevorrichtung kann ein Substrat 210, eine erste Elektrode 220, eine leifähige Klebstoffschicht 230, eine zweite Elektrode 240 und mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen 250 umfassen.
  • Das Substrat 210 als ein Verdrahtungssubstrat, das mit der ersten Elektrode 220 angeordnet ist, kann Polyimid (PI) umfassen, um eine flexible Anzeigevorrichtung zu implementieren. Außerdem kann Beliebiges verwendet werden, wenn es ein isolierendes und flexibles Material ist.
  • Die erste Elektrode 220 kann auf dem Substrat 210 angeordnet sein und mit einer Elektrode ausgebildet sein, die einen in eine Richtung verlängerten Streifen hat. Die erste Elektrode 220 kann ausgebildet sein, um die Rolle einer Datenelektrode auszuführen.
  • Die leitfähige Klebstoffschicht 230 ist auf dem Substrat 210 ausgebildet, das mit der ersten Elektrode 220 angeordnet ist. Ähnlich einer Anzeigevorrichtung, auf die eine lichtemittierende Flip-Chip-Vorrichtung angewendet wird, kann die leitfähige Klebstoffschicht 230 ein anisotroper leitfähiger Film (ACF), eine anisotrope leitfähige Paste, eine Lösung, die leitfähige Partikel enthält, und Ähnliches sein. Die vorliegende Ausführungsform stellt jedoch einen Fall dar, in dem die leitfähige Klebstoffschicht 230 durch einen anisotropen leitfähigen Film implementiert wird.
  • Wenn ein anisotroper leitfähiger Film in einem Zustand, in dem die erste Elektrode 220 auf dem Substrat 210 angeordnet ist, angeordnet wird und dann Wärme und Druck angewendet werden, um die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 damit zu verbinden, wird die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 mit der ersten Elektrode 220 elektrisch verbunden. Zu dieser Zeit kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 bevorzugt auf der ersten Elektrode 220 angeordnet sein.
  • Die elektrische Verbindung wird erzeugt, da ein anisotroper leitfähiger Film in der Dickenrichtung teilweise Leitfähigkeit hat, wenn, wie vorstehend beschrieben, Wärme und Druck angewendet werden. Der anisotrope Film wird entsprechend in einen Abschnitt mit Leitfähigkeit und einen Abschnitt ohne Leitfähigkeit in seiner Dickenrichtung unterteilt.
  • Außerdem enthält der anisotrope leifähige Film eine Klebstoffkomponente, und somit implementiert die leitfähige Klebstoffschicht 230 eine mechanische Kopplung ebenso wie eine elektrische Kopplung zwischen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 und der erste Elektrode 220.
  • Auf diese Weise wird die lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 auf der leitfähigen Klebstoffschicht 230 angeordnet, wodurch ein getrennter Teilbildpunkt in der Anzeigevorrichtung konfiguriert wird. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 kann hervorragende Helligkeitscharakteristiken haben, und es kann möglich sein, auch mit ihrer kleinen Größe einzelne Teilbildpunkte zu konfigurieren. Die Größe der einzelnen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 kann auf einer ihrer Seiten weniger als 80 µm lang sein, und sie kann mit einem rechteckig oder quadratisch geformten Element ausgebildet sein. In dem Fall eines rechteckig geformten Elements kann seine Größe kleiner als 20 × 80 µm sein.
  • Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 kann eine vertikale Struktur haben.
  • Mehrere zweite Elektroden 240, die in eine Richtung angeordnet sind, die mit der Längenrichtung der ersten Elektrode 220 kreuzt, und die mit der vertikalen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 elektrisch verbunden sind, können zwischen vertikalen lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 angeordnet sein.
  • Bezugnehmend auf 9 kann die vertikale lichtemittierende Halbleitervorrichtung eine p-Elektrode 256, eine p-Halbleiterschicht 255, die mit der p-Elektrode 256 ausgebildet ist, eine auf der p-Halbleiterschicht 255 ausgebildete aktive Schicht 254, eine auf der aktiven Schicht 254 ausgebildete n-Halbleiterschicht 253 und eine auf der n-Halbleiterschicht 253 ausgebildete n-Elektrode 252 umfassen. In diesem Fall kann die an ihrer Unterseite angeordnete p-Elektrode 256 durch die leitfähige Klebstoffschicht 230 mit der ersten Elektrode 220 elektrisch verbunden sein, und die auf ihrer Oberseite angeordnete n-Elektrode 252 kann mit der zweiten Elektrode 240 elektrisch verbunden sein, was später beschrieben wird. Die Elektroden können in der Aufwärts-/Abwärtsrichtung in der vertikalen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 angeordnet sein, wodurch ein großer Vorteil bereitgestellt wird, dass die Fähigkeit besteht, die Chipgröße zu verkleinern.
  • Erneut Bezug nehmend auf 8 kann eine Leuchtstoffschicht 280 auf einer Oberfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 ausgebildet sein. Zum Beispiel ist die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 eine blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung 251, die blaues (B) Licht emittiert, und die Leuchtstoffschicht 280 zum Umwandeln des blauen (B) Lichts in die Farbe des Teilbildpunkts kann darauf bereitgestellt sein. In diesem Fall kann die Leuchtstoffschicht 280 ein roter Leuchtstoff 281 und ein grüner Leuchtstoff 282 sein, die einzelne Bildpunkte bilden.
  • Mit anderen Worten kann ein roter Leuchtstoff 281, der fähig ist, blaues Licht in rotes (R) Licht umzuwandeln, auf der blauen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 251 an einer Stelle abgeschieden werden, die einen roten Teilbildpunkt implementiert, und ein grüner Leuchtstoff 282, der fähig ist, blaues Licht in grünes (G) Licht umzuwandeln, kann auf der blauen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 251 an einer Stelle abgeschieden werden, die einen grünen Teilbildpunkt implementiert. Außerdem kann an einer Stelle, die einen blauen Teilbildpunkt implementiert, einzig die blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung 251 verwendet werden. In diesem Fall können die roten (R), grünen (G) und blauen (B) Teilbildpunkte einen Bildpunkt implementieren.
  • Die Ausführungsformen der Erfindung brauchen jedoch nicht notwendigerweise auf dieses beschränkt zu sein, und eine andere Struktur zur Implementierung von blau, rot und grün kann, wie vorstehend beschrieben, ebenfalls in einer Anzeigevorrichtung, auf die eine lichtemittierende Flip-Chip-Halbleitervorrichtung angewendet wird, darauf anwendbar sein.
  • Wenn man erneut die vorliegende Ausführungsform betrachtet, ist die zweite Elektrode 240 zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 angeordnet und mit den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 elektrisch verbunden. Zum Beispiel können die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 in mehreren Reihen angeordnet sein und die zweite Elektrode 240 kann zwischen den Reihen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 angeordnet sein.
  • Da ein Abstand zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250, die einzelne Bildpunkte bilden, ausreichend groß ist, kann die zweite Elektrode 240 zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 angeordnet werden.
  • Die zweite Elektrode 240 kann mit einer Elektrode mit einem Streifen, der in einer Richtung verlängert ist und in einer zu der ersten Elektrode senkrechten Richtung angeordnet ist, ausgebildet sein.
  • Außerdem kann die zweite Elektrode 240 durch eine Verbindungselektrode, die von der zweiten Elektrode 240 vorsteht, mit der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 elektrisch verbunden sein. Genauer kann die Verbindungselektrode eine n-Elektrode der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 sein. Zum Beispiel ist die n-Elektrode mit einer Ohmschen Elektrode für den Ohmschen Kontakt ausgebildet, und die zweite Elektrode bedeckt durch Drucken oder Abscheidung wenigstens einen Teil der Ohmschen Elektrode. Dadurch kann die zweite Elektrode 240 mit der n-Elektrode der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 elektrisch verbunden werden.
  • Gemäß der Zeichnung kann die zweite Elektrode 240 auf der leitfähigen Klebstoffschicht 230 angeordnet sein. Gemäß den Gegebenheiten kann eine transparente Isolierschicht, die Siliziumoxid (SiOx) enthält, auf dem Substrat 210 ausgebildet sein, das mit der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 ausgebildet ist. Wenn die transparente Isolierschicht ausgebildet wird und dann die zweite Elektrode 240 darauf angeordnet wird, kann die zweite Elektrode 240 auf der transparenten Isolierschicht angeordnet werden. Außerdem kann die zweite Elektrode 240 derart ausgebildet sein, dass sie von der leitfähigen Klebstoffschicht 230 oder der transparenten Isolierschicht getrennt ist.
  • Wenn eine transparente Elektrode, wie etwa Indiumzinnoxid (ITO) verwendet wird, um die zweite Elektrode 240 auf der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 anzuordnen, hat das ITO-Material ein Problem schlechten Haftvermögens mit einem n-Halbleiter. Folglich kann die zweite Elektrode 240 zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 angeordnet werden, wodurch ein Vorteil erhalten wird, bei dem die transparente Elektrode nicht erforderlich ist. Folglich können eine n-Halbleiterschicht und ein leitfähiges Material mit einem guten Haftvermögen als eine horizontale Elektrode verwendet werden, ohne durch die Auswahl eines transparenten Materials beschränkt zu sein, wodurch der Lichtextraktionswirkungsgrad erhöht wird.
  • Gemäß der Zeichnung kann eine Trennwand 290 zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Trennwand 290 zwischen den vertikalen lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 angeordnet sein, um die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250, die einzelne Bildpunkte bilden, zu isolieren. In diesem Fall kann die Trennwand 290 die Rolle des Unterteilens einzelner Teilbildpunkte voneinander ausführen und als ein integraler Körper mit der leitfähigen Klebstoffschicht 230 ausgebildet sein. Zum Beispiel kann ein Basiselement des anisotropen leitfähigen Films die Trennwand bilden, wenn die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 in den anisotropen leitfähigen Film eingesetzt wird.
  • Wenn das Basiselement des anisotropen leitfähigen Films schwarz ist, kann die Trennwand 290 außerdem Reflexionscharakteristiken haben, während gleichzeitig der Kontrast ohne zusätzlichen schwarzen Isolator vergrößert wird.
  • Für ein anderes Beispiel kann eine reflektierende Trennwand getrennt mit der Trennwand 290 bereitgestellt werden. In diesem Fall kann die Trennwand 290 gemäß dem Zweck der Anzeigevorrichtung einen schwarzen oder weißen Isolator umfassen.
  • Wenn die zweite Elektrode 240 genau auf der leitfähigen Klebstoffschicht 230 zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 angeordnet ist, kann die Trennwand 290 zwischen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 und der zweiten Elektrode 240 angeordnet werden. Entsprechend können unter Verwendung der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 einzelne Teilbildpunkte auch mit einer kleinen Größe konfiguriert werden, und ein Abstand zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 kann relativ ausreichend groß sein, um die zweite Elektrode 240 zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 anzuordnen, wodurch man die Wirkung der Implementierung einer flexiblen Anzeigevorrichtung mit einer HD-Bildqualität hat.
  • Außerdem kann gemäß der Zeichnung eine schwarze Matrix 291 zwischen jeder Leuchtstoffschicht angeordnet werden, um den Kontrast zu vergrößern. Mit anderen Worten kann die schwarze Matrix 191 den Helligkeitskontrast vergrößern.
  • Wie vorstehend beschrieben, ist die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 auf der leitfähigen Klebstoffschicht 230 angeordnet, wodurch einzelne Bildpunkte in der Anzeigevorrichtung gebildet werden. Da die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 eine hervorragende Helligkeit hat, kann sie auch mit einer kleinen Größe einen einzelnen Einheitsbildpunkt bilden. Daher kann durch die lichtemittierende Halbleitervorrichtung eine vollständige Farbanzeige, in der rote (R), grüne (G) und blaue (B) Einheitsbildpunkte einen Bildpunkt bilden, realisiert werden.
  • Da Anzeigevorrichtungen, welche die vorstehend beschriebene lichtemittierende Halbleitervorrichtung der vorliegenden Erfindung verwenden, fortgeschritten sind, besteht keine Notwendigkeit, die Bildpunktintegration oder Bildpunktdichte zu verbessern. Insbesondere, um die Bildpunktintegration oder Bildpunktdichte in einer Anzeigevorrichtung zu verbessern, die fähig ist, eine virtuelle Realität (VR) oder eine erweiterte Realität (AR) zu realisieren, ist es notwendig, dass eine Anzeigevorrichtung eine ultrakleine lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet und derart konstruiert wird, dass sie Bildpunkte in engen Abständen hat. Daher gibt es eine Grenze für die Anwendung eines herkömmlichen dicken Leuchtstoffs, damit die Anzeigevorrichtung eine verbesserte Bildpunktintegration oder Bildpunktdichte hat. Somit wird in der vorliegenden Erfindung eine Anzeigevorrichtung mit einer neuen Struktur, die fähig ist, ein derartiges Problem zu lösen, beschrieben.
  • Das heißt, gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, eine Anzeigevorrichtung bereitzustellen, die fähig ist, eine Farbe in einer Anzeigevorrichtung zu realisieren, in der eine hohe Bildpunktintegration oder Bildpunktdichte hoch ist, eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung klein ist und ein Raum zwischen Bildpunkten eng ist, indem ein dünner Farbumwandlungsteil bereitgestellt wird.
  • Ferner wird eine reflektierende Schicht in dem Farbumwandlungsteil bereitgestellt und eine reflektierende Elektrode zwischen einer Elektrode vom ersten Leitfähigkeitstyp und einer Halbleiterschicht vom ersten Leitfähigkeitstyp in der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung bereitgestellt, so dass eine Lichtquelle, die von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung emittiert wird, verwendet werden kann, ohne in dem Farbumwandlungsteil verloren zu gehen. Obwohl der Farbumwandlungsteil der Anzeigevorrichtung dünn ist, kann daher der Farbumwandlungswirkungsgrad maximiert werden.
  • 10 ist eine vergrößerte Ansicht des Abschnitts A von 1 zur Erklärung einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, auf welche eine neue Struktur angewendet wird. 11 ist eine entlang der Linie E-E in 10 genommene Querschnittansicht.
  • Wie in 10 und 11 dargestellt, kann eine Anzeigevorrichtung 1000, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet, auch als eine Anzeigevorrichtung 1000, die eine lichtemittierende Passivmatrix- (PM-) Halbleitervorrichtung verwendet, oder eine Anzeigevorrichtung 1000, die eine lichtemittierende Aktivmatrix- (AM-) Halbleitervorrichtung verwendet, angewendet werden.
  • Die Anzeigevorrichtung 1000 umfasst ein Substrat 1010, eine erste Elektrode 1020, ein Isolierelement 1030, eine zweite Elektrode 1040 und mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen 1050. Hier können die erste Elektrode 1020 und die zweite Elektrode 1040 von dem Substrat 1010 vorstehen und können jeweils mehrere Elektrodenlinien umfassen.
  • Das Substrat 10110 ist ein Verdrahtungssubstrat, auf dem die erste Elektrode 1020 angeordnet ist, und kann Polyimid (PI) umfassen, um eine flexible Anzeigevorrichtung zu implementieren. Außerdem kann das Substrat 1010 aus einem Material ausgebildet sein, das Isoliereigenschaften hat und das nicht flexibel ist. Außerdem kann das Substrat 1010 entweder transparent oder opak sein.
  • Die erste Elektrode 1020 steht von dem Substrat 1010 vor und kann als eine streifenförmige Elektrode, die sich in eine Richtung erstreckt, ausgebildet sein. Die erste Elektrode 1020 kann als eine Datenelektrode dienen.
  • Bezugnehmend auf diese Zeichnungen kann das Isolierelement 1030, das die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 1050 umgibt, auf einer Seite des Substrats 1010 angeordnet sein. In einer Ausführungsform kann das Isolierelement 1030 Polydimethylsiloxan (PDMS) oder Polymethylphenylsiloxan (PMPS) als ein Polymermaterial umfassen und die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 umgeben und vielfältige Materialien mit Isoliereigenschaften umfassen.
  • Rückbezugnehmend auf 10 kann das Isolierelement 1030 zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 1050 angeordnet werden, um als eine schwarze Matrix zu dienen, um den Kontrast von Einheitsbildpunkten zu vergrößern. Die schwarze Matrix kann äußeres Licht, das zwischen den Einheitsbildpunkten reflektiert wird, absorbieren und den Kontrast von Licht und Schatten vergrößern. Wie in der Figur gezeigt, kann das Isolierelement 1030 ebenso die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 1050 und die Farbumwandlungsteile 1100 und 1200 umgeben.
  • Die mehreren lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 1050 können mehrere Reihen in einer Richtung parallel zu mehreren Elektrodenlinien, die in der ersten Elektrode 1020 bereitgestellt sind, bilden. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Eine Elektrode 1156 vom ersten Leitfähigkeitstyp und eine Elektrode 1152 vom zweiten Leitfähigkeitstyp jeder der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 1050 können der ersten Elektrode 1020 und der zweiten Elektrode 1040 zugewandt sein und können jeweils elektrisch damit gekoppelt sein. Ferner kann die (nicht gezeigte) vorstehend erwähnte Hilfselektrode derart bereitgestellt sein, dass sie eine elektrische Kopplung zwischen der ersten Elektrode 1020 und der zweiten Elektrode 1040 bildet.
  • Im Detail kann die erste Elektrode 1020 eine vorstehende Metallschicht 1020a und eine Klebstoffschicht 1020b umfassen. Die Elektrode 1156 vom ersten Leitfähigkeitstyp und die Metallschicht 1020a werden durch Anwenden von Druck oder Wärme auf die Klebstoffschicht 1020b elektrisch miteinander gekoppelt.
  • Ähnlich der Kopplung zwischen der ersten Elektrode 1020 und der Elektrode 1156 vom ersten Leitfähigkeitstyp können die zweite Elektrode 1040 und die Elektrode 1052 vom zweiten Leitfähigkeitstyp miteinander gekoppelt werden. Die zweite Elektrode 1040 kann eine vorstehende Metallschicht 1040a und eine Klebstoffschicht 1040b umfassen. Die Elektrode 1152 vom zweiten Leitfähigkeitstyp und die Metallschicht 1040a können durch Anwenden von Druck oder Wärme auf die Klebstoffschicht 1040b elektrisch miteinander gekoppelt werden.
  • Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 und die erste Elektrode 1020 und die zweite Elektrode 1040 sind durch die Klebstoffschichten 1020b und 1040b der ersten Elektrode 1020 und der zweiten Elektrode 1040 elektrisch verbunden, aber die vorliegende Erfindung ist nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel können die Elektroden der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung durch die vorstehend beschriebene leitfähige Klebstoffschicht oder Ähnliches elektrisch gekoppelt werden. In diesem Fall können die Klebstoffschichten 1020b und 1040b in diesem Beispiel weggelassen werden.
  • Ferner umfasst die Anzeigevorrichtung 1000 Farbumwandlungsteile 1100 und 1200, die Farben umwandeln, die auf eine Oberfläche der mehreren lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 1050 gestapelt sind. Ein Klebstoffelement 1060 kann zwischen den Farbumwandlungsteilen 1100 und 1200 und den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 1050 bereitgestellt werden, um eine physikalische Verbindung dazwischen zu bilden. Das Klebstoffelement 1060 kann aus einem transparenten Material ausgebildet werden, so dass von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 emittiertes Licht auf die Farbumwandlungsteile 1100 und 1200 einfallen kann.
  • In einer Ausführungsform kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 eine blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung, die blaues (B) Licht emittiert, sein, und die Farbumwandlungsteile 1100 und 1200 können dazu dienen, das blaue (B) Licht, das durch Durchlaufen des Klebstoffelements 1060 einfällt, in eine Farbe eines Einheitsbildpunkts umzuwandeln. Die Farbumwandlungsteile 1100 und 1200 können ein roter Farbumwandlungsteil 1100 oder ein grüner Farbumwandlungsteil 1200 sein, die getrennt einzelne Bildpunkte bilden.
  • Im Detail kann ein roter Farbumwandlungsteil 1100 an einer Position, die einen roten Einheitsbildpunkt bildet, auf die blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 gestapelt werden, um blaues (B) Licht in rotes (R) Licht umzuwandeln. Außerdem kann an einer Position, die die einen grünen Einheitsbildpunkt bildet, ein grüner Farbumwandlungsteil 1200 auf die blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 gestapelt werden, um blaues (B) Licht in grünes (G) Licht umzuwandeln. Außerdem wird in einem Abschnitt, der einen blauen Einheitsbildpunkt bildet, nur die blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 allein verwendet, um blaues (B) Licht zu emittieren. Folglich können die roten (R), grünen (G) und blauen Einheitsbildpunkte einen Bildpunkt bilden.
  • Insbesondere kann ein Farbumwandlungsteil mit einer Farbe entlang jeder Linie der ersten Elektrode 1020 gestapelt werden. Folglich kann eine Linie in der ersten Elektrode 1020 eine Elektrode zum Steuern einer Farbe sein. Das heißt, rot (R), grün (G) und Blau (B) können der Reihe nach entlang der zweiten Elektrode 1040 angeordnet werden, wodurch ein Einheitsbildpunkt realisiert werden kann. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt.
  • Der rote Farbumwandlungsteil 1100 umfasst eine poröse Schicht 1101, eine Wellenlängenumwandlungsschicht 1102, eine reflektierende Schicht 1103 und Vorsprünge 1105 und 1107. Die poröse Schicht 1101 kann auf der anderen Oberfläche des roten Farbumwandlungsteils 1100, das heißt, in der Nähe einer Oberfläche, auf die blaues (B) Licht von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 einfällt, angeordnet werden.
  • In einer Ausführungsform dient die Wellenlängenumwandlungsschicht 1102 wie die vorstehend beschriebene Leuchtstoffschicht dazu, das blaue (B) Licht in eine Farbe des Einheitsbildpunkts umzuwandeln. Das heißt, die Wellenlängenumwandlungsschicht 1102 des roten Farbumwandlungsteils 1100 wandelt blaues (B) Licht in rotes (R) Licht um.
  • Die poröse Schicht 1101 minimiert die Emission von blauem Licht, das von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 zu der Seite des roten Farbumwandlungsteils 1100 emittiert wird, um den Umwandlungswirkungsgrad von blauem Licht in rotes Licht in der Wellenlängenumwandlungsschicht 1102 zu verbessern.
  • Außerdem verhindert die reflektierende Schicht 1103 die Emission von blauem Licht, das in der Wellenlängenumwandlungsschicht 1102 nicht in rotes Licht umgewandelt wurde. Daher ist es möglich, zu verhindern, dass in der Wellenlängenumwandlungsschicht umgewandeltes Licht und blaues Licht, das nicht in rotes Licht umgewandelt wurde, vermischt und emittiert werden. Ferner kann blaues Licht, das von der reflektierenden Schicht 1103 reflektiert wird, an die Wellenlängenumwandlungsschicht 1102 rückgeführt werden, und in das rote Licht umgewandelt werden, was den Farbumwandlungswirkungsgrad erhöht. Dies wird später in 14A im Detail erklärt.
  • Die reflektierende Schicht 1103 des roten Farbumwandlungsteils 1100 kann mehrere Schichten 1103a bis 1103d umfassen, um effektiv blaues Licht zu reflektieren, das in der Wellenlängenumwandlungsschicht 1102 nicht in rotes Licht umgewandelt wurde. Wenigstens eine der mehreren Schichten kann II-V-Verbindungen umfassen, um blaues Licht effizient zu reflektieren.
  • In einer Ausführungsform können in dem roten Farbumwandlungsteil 1100 zum Umwandeln von blauem Licht in rotes Licht die mehreren Schichten in einer Form sein, in die eine Schicht, die AlAs umfasst, und eine Schicht, die GaAs umfasst, gestapelt sind. Im Detail kann die erste Schicht 1103a der reflektierenden Schicht 1103, die auf eine Oberfläche der Wellenlängenumwandlungsschicht 1102 gestapelt ist, als eine AlAs-Schicht ausgebildet sein, die nicht mit einer Verunreinigung dotiert ist, und die zweite Schicht 1103b kann als eine GaAs-Schicht ausgebildet sein, die nicht mit einer Verunreinigung dotiert ist. Außerdem kann die dritte Schicht 1103c wie die erste Schicht 1103a als eine AlAs-Schicht ausgebildet sein, die nicht mit einer Verunreinigung dotiert ist. Außerdem kann die vierte Schicht 1103d wie die zweite Schicht 1103b als eine GaAs-Schicht ausgebildet sein, die nicht mit einer Verunreinigung dotiert ist. Die vorliegende Erfindung ist j edoch nicht darauf beschränkt und die reflektierende Schicht 1103 des roten Farbumwandlungsteils 1100 kann mehrere Schichten umfassen, die ermöglichen, dass rotes Licht durch sie hindurchgeht, und blaues Licht zurück zu der Wellenlängenumwandlungsschicht 1102 reflektieren, und kann vielfältige Konfigurationen und vielfältige Dicken haben.
  • Der grüne Farbumwandlungsteil 1200 umfasst eine poröse Schicht 1201, eine Wellenlängenumwandlungsschicht 1202, eine reflektierende Schicht 1203 und Vorsprünge 1205 und 1207. Die poröse Schicht 1201 kann auf der anderen Oberfläche des grünen Farbumwandlungsteils 1200, das heißt, in der Nähe einer Oberfläche, auf die blaues (B) Licht der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 einfällt, angeordnet sein.
  • In einer Ausführungsform dient die Wellenlängenumwandlungsschicht 1202 wie die vorstehend beschrieben Leuchtstoffschicht dazu, blaues (B) Licht in eine Farbe des Einheitsbildpunkts umzuwandeln. Das heißt, die Wellenlängenumwandlungsschicht 1202 des grünen Farbumwandlungsteils 1200 wandelt blaues (B) Licht in grünes (G) Licht um.
  • Indessen kann die poröse Schicht 1201 in einer Weise ausgebildet sein, die ähnlich der der vorstehend beschriebenen porösen Schicht 1101 ist. Die poröse Schicht 1201 kann die Emission von blauem Licht, das von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 zu der Seite des grünen Farbumwandlungsteils 1200 emittiert wird, minimieren, wodurch der Umwandlungswirkungsgrad von blauem Licht in grünes Licht G durch die Wellenlängenumwandlungsschicht 1202 erhöht wird.
  • Ebenso verhindert die reflektierende Schicht 1203, dass blaues Licht, das nicht in grünes Licht umgewandelt wurde, von der Wellenlängenumwandlungsschicht 1202 emittiert wird. Daher ist es möglich, zu verhindern, dass Licht, das in der Wellenlängenumwandlungsschicht umgewandelt wurde, und blaues Licht, das nicht in grünes Licht umgewandelt wurde, vermischt und emittiert werden. Ferner kann blaues Licht, das durch die reflektierende Schicht 2103 reflektiert wird, an die Wellenlängenumwandlungsschicht 2102 rückgeführt und in grünes Licht umgewandelt werden, wodurch der Farbumwandlungswirkungsgrad erhöht wird. Dies wird später in 14B im Detail beschrieben.
  • Die reflektierende Schicht 1203 des grünen Farbumwandlungsteils 1200 kann mehrere Schichten 1203a bis 1203e umfassen, um Licht, das in der Wellenlängenumwandlungsschicht 1202 nicht in grünes Licht umgewandelt wurde, effizient zu reflektieren. Wenigstens eine der mehreren Schichten kann III-V-Verbindungen umfassen, um blaues Licht effizient zu reflektieren.
  • In einer Ausführungsform können die mehreren Schichten der reflektierenden Schicht 1203 in dem grünen Farbumwandlungsteil 1200 zum Umwandeln von blauem Licht in grünes Licht eine Form haben, in der Schichten, die GaN umfassen, gestapelt sind. Im Detail kann die erste Schicht 1203 der reflektierenden Schicht 1203, die auf eine Oberfläche der Wellenlängenumwandlungsschicht 1202 gestapelt ist, als eine GaN-Schicht, die mit einer Verunreinigung vom zweiten Leitfähigkeitstyp dotiert ist, ausgebildet sein, und die zweite Schicht 1203b und die vierte Schicht 1203d können als GaN-Schichten mit einer Konzentration der Verunreinigung vom zweiten Leitfähigkeitstyp, die niedriger als die der ersten Schicht 1203a ist, ausgebildet sein. Ebenso können die dritte Schicht 1203c und die fünfte Schicht 1203e als GaN-Schichten, die mit der Verunreinigung vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie dem der ersten Schicht 1203a dotiert sind, ausgebildet sein.
  • Die erste Schicht 1203a, die dritte Schicht 1203c und die fünfte Schicht 1203e können aus einem elektropolierbaren porösen Material ausgebildet sein. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt, und die reflektierende Schicht 1203 des grünen Farbumwandlungsteils 1200 kann mehrere Schichten umfassen, die ermöglichen, das grünes Licht durch sie hindurch transmittiert wird, und die blaues Licht reflektieren, das zu der Wellenlängenumwandlungsschicht 1202 reflektiert werden soll, und können vielfältige Dicken haben.
  • 12A ist eine Konzeptansicht des roten Farbumwandlungsteils 1100 von 11, und 12A und 12B sind Perspektivansichten des roten Farbumwandlungsteils 1100 von 11.
  • Bezugnehmend auf 12A, 12B und 12C kann der rote Farbumwandlungsteil 1100 die poröse Schicht 1101, die Wellenlängenumwandlungsschicht 1102, die reflektierende Schicht 1103 und einen ersten Vorsprung 1105 umfassen. Der rote Farbumwandlungsteil 1100 kann ferner einen zweiten Vorsprung 1107 auf der anderen Seite der porösen Schicht 1101 umfassen.
  • Bezugnehmend auf diese Figuren wird blaues Licht, das von der vorstehend beschriebenen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 emittiert wird, nacheinander zu dem zweiten Vorsprung 1107, der porösen Schicht 1101, der Wellenlängenumwandlungsschicht 1102, der reflektierenden Schicht 1103 und dem ersten Vorsprung 1105 transmittiert. Insbesondere muss blaues Licht, das von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 emittiert wird, ohne Lichtverlust zu der Wellenlängenumwandlungsschicht 1102 transmittiert werden. Folglich kann die poröse Schicht aus einem porösen Material ausgebildet sein, das elektropoliert werden kann. Die poröse Schicht 1101 kann aus einem Halbleiter vom zweiten Leitfähigkeitstyp ausgebildet sein.
  • Wenn es die aus einem porösen Material ausgebildete poröse Schicht 1101 durchläuft, kann blaues Licht, das von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 emittiert wird, zu der Wellenlängenumwandlungsschicht 1102 transmittiert werden, ohne in der porösen Schicht 1101 eingefangen zu werden.
  • Außerdem kann blaues Licht, das von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 emittiert wird, in der porösen Schicht 1101 gebeugt werden. Daher kann der Verlust von Licht, das zu der Seite des roten Farbumwandlungsteils 1100 emittiert wird, minimiert werden. Folglich kann der Verlust an blauem Licht, das von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 emittiert wird, verringert werden, und der Farbumwandlungswirkungsgrad im Fall der Umwandlung von blauem Licht in rotes Licht durch den roten Farbumwandlungsteil 1100 kann erhöht werden.
  • In einer Ausführungsform dient die Wellenlängenumwandlungsschicht 1102 dazu, das blaue (B) Licht der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung in die Farbe des Einheitsbildpunkts umzuwandeln. Im Detail kann die Wellenlängenumwandlungsschicht 1102 des roten Farbumwandlungsteils 1100 blaues (B) Licht in rotes (R) Licht ändern.
  • Die reflektierende Schicht 1103 kann mehrere Schichten 1103a bis 1103d umfassen, um blaues Licht, das in der Wellenlängenumwandlungsschicht 1102 nicht in rotes Licht umgewandelt wurde, zu reflektieren. Wenigstens eine der mehreren Schichten kann III-V-Verbindungen umfassen, um blaues Licht effizient zu reflektieren.
  • In einer Ausführungsform können die mehreren Schichten in dem roten Farbumwandlungsteil 1100, der blaues Licht in rotes Licht umwandelt, eine Schicht, die AlAs umfasst, und eine Schicht, die GaAs umfasst, die nacheinander gestapelt sind, umfassen.
  • In einer anderen Ausführungsform kann die Wellenlängenumwandlungsschicht blaues (B) Licht der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung in grünes (G) Licht umwandeln, und in dem Fall der Umwandlung von blauem Licht in grünes Licht können die mehreren Schichten der reflektierenden Schicht gestapelte Schichten, die GaN umfassen, sein.
  • Bezugnehmend auf 12B sind ein erster Bereich 1104a und ein von dem ersten Bereich 1104a umgebener zweiter Bereich 1104b auf einer Oberfläche der reflektierenden Schicht 1103, das heißt, auf einer Oberfläche 1104 der reflektierenden Schicht 1103 ausgebildet. Der erste Bereich 1104a und der zweite Bereich 1104b der Oberfläche 1104 haben eine unterschiedliche Rauheit. Im Detail hat der zweite Bereich 1104b eine größere Oberflächenrauheit als der erste Bereich 1104a, und mehrere Vorsprünge 1105 sind in dem zweiten Bereich 1104b angeordnet.
  • In einer Ausführungsform können die ersten Vorsprünge 1105 aus einem Halbleiter vom zweiten Leitfähigkeitstyp ausgebildet sein und eine höhere Porosität und höhere Verunreinigungskonzentration als die der porösen Schicht 1101 haben. Die ersten Vorsprünge 1105 können aus einem elektropolierbaren Material ausgebildet sein.
  • Außerdem können die ersten Vorsprünge 1105 eine poröse Struktur sein, die darin ausgebildete Poren hat. Wenngleich die ersten Vorsprünge 1105 auf der reflektierenden Schicht 1103 ausgebildet sind, stören die ersten Vorsprünge 1105 daher emittiertes Licht nicht, wobei der Verlust von emittiertem Licht minimiert wird.
  • Außerdem kann eine obere Oberfläche jedes der ersten Vorsprünge 1105 als eine eben geschnittene Oberfläche ausgebildet sein. Außerdem können einige der ersten Vorsprünge 1105 eine zylindrische Form haben. Ebenso können die anderen der ersten Vorsprünge 1105 eine konische Form haben. Außerdem können die ersten Vorsprünge 1105 verschiedene Höhen haben.
  • Indessen umfasst eine Oberfläche 1106 der anderen Oberfläche der porösen Schicht 1101 Bezugnehmend auf 12C einen dritten Bereich 1106a und einen von dem dritten Bereich 1106a umgebenen vierten Bereich 1106b. Der vierte Bereich 1106b kann eine höhere Oberflächenrauheit als die des dritten Bereichs 1106a haben, und mehrere der zweiten Vorsprünge 1107 können in dem vierten Bereich 1106b angeordnet sein.
  • In einer Ausführungsform kann der zweite Vorsprung 1107 aus einem Halbleiter vom zweiten Leitfähigkeitstyp ausgebildet sein und eine Verunreinigungskonzentration haben, die höher als die der porösen Schicht 1101 ist. Die zweiten Vorsprünge 1107 können wie die poröse Schicht 1101 aus einem elektropolierbare Material ausgebildet sein.
  • Die zweiten Vorsprünge 1107 können eine poröse Struktur mit Poren darin sein. Im Detail kann die Porosität der zweiten Vorsprünge 1107 höher als die Porosität der porösen Schicht 1101 sein. Wenngleich die zweiten Vorsprünge 1107 auf der anderen Oberfläche der porösen Schicht 1101 ausgebildet sind, kann daher der Lichtverlust, wenn blaues Licht, das von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 emittiert wird, zu der Wellenlängenumwandlungsschicht 1102 transmittiert wird, minimiert werden.
  • Außerdem kann eine obere Oberfläche jedes der zweiten Vorsprünge 1107 als eine eben geschnittene Oberfläche ausgebildet sein. Außerdem können einige der zweiten Vorsprünge 1107 eine zylindrische Form haben. Ebenso kann der andere der zweiten Vorsprünge 1107 eine konische Form haben. Außerdem können die zweiten Vorsprünge 1107 unterschiedliche Höhen haben.
  • 13A ist eine Konzeptansicht, welche die lichtemittierende Flip-Chip-Halbleitervorrichtung 1050 von 11 darstellt, und 13B ist eine Perspektivansicht, welche die lichtemittierende Flip-Chip Halbleitervorrichtung 1050 von 11 darstellt.
  • Da die aus dem porösen Material ausgebildete Schicht Bezugnehmend auf die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 in der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 angeordnet ist, um Licht, das zu der Seitenoberfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 emittiert wird, zu minimieren und Licht zu der Oberfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 emittiert wird, kann der Leuchtwirkungsgrad der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 erhöht werden.
  • Bezugnehmend auf 13A und 13B umfasst die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 einer Anzeigevorrichtung 1000 eine Elektrode 1156 vom ersten Leitfähigkeitstyp, eine Elektrode 1152 vom zweiten Leitfähigkeitstyp, eine Halbleiterschicht 1155 vom ersten Leitfähigkeitstyp, auf dem die Elektrode 1156 vom ersten Leitfähigkeitstyp angeordnet ist, eine Halbleiterschicht 1153 vom zweiten Leitfähigkeitstyp, die die Halbleiterschicht 1155 vom ersten Leitfähigkeitstyp überlappt und ermöglicht, dass die Elektrode 1152 vom zweiten Leitfähigkeitstyp darauf angeordnet wird, und eine aktive Schicht 1154, die zwischen der Halbleiterschicht 1155 vom ersten Leitfähigkeitstyp und der Halbleiterschicht 1153 vom zweiten Leitfähigkeitstyp angeordnet ist.
  • Die Elektrode 1156 vom ersten Leitfähigkeitstyp ist auf einer Oberfläche der Halbleiterschicht 1155 vom ersten Leitfähigkeitstyp ausgebildet, und die aktive Schicht 1154 ist zwischen der anderen Oberfläche der Halbleiterschicht 1155 vom ersten Leitfähigkeitstyp und einer Oberfläche der Halbleiterschicht 1153 vom zweiten Leitfähigkeitstyp ausgebildet, und die Elektrode 1152 vom zweiten Leitfähigkeitstyp ist auf einer Oberfläche der Halbleiterschicht 1153 vom zweiten Leitfähigkeitstyp ausgebildet. In diesem Fall kann die Elektrode 1152 vom zweiten Leitfähigkeitstyp auf einer Oberfläche der Halbleiterschicht 1153 vom zweiten Leitfähigkeitstyp angeordnet werden, die von der Halbleiterschicht 1115 vom ersten Leitfähigkeitstyp bedeckt wird.
  • Die Elektrode 1156 vom ersten Leitfähigkeitstyp und die Halbleiterschicht 1155 vom ersten Leitfähigkeitstyp können jeweils eine p-Elektrode und eine p-Halbleiterschicht sein, und die Elektrode 1152 vom zweiten Leitfähigkeitstyp und die Halbleiterschicht 1153 vom zweiten Leitfähigkeitstyp können jeweils eine n-Elektrode und eine n-Halbleiterschicht sein. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt und der erste Leitfähigkeitstyp kann der n-Typ sein und der zweite Leitfähigkeitstyp kann der p-Typ sein.
  • Die Elektrode 1156 vom ersten Leitfähigkeitstyp und die Elektrode 1152 vom zweiten Leitfähigkeitstyp können aus einer Mehrfachschicht, die als eine Klebstoffschicht, eine Sperrschicht, eine Schicht mit geringem Widerstand und eine Antioxidationsschicht wirkt, ausgebildet sein.
  • Insbesondere kann die Elektrode 1156 vom ersten Leitfähigkeitstyp eine leitfähige Elektrode 1156a und eine reflektierende Elektrode 1156b umfassen.
  • In einer Ausführungsform kann die reflektierende Elektrode 1156b konstruiert sein, um Licht, das von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 emittiert wird, zu reflektieren. Die reflektierende Elektrode 1156b kann ausgebildet sein, um Licht, das zu der anderen Oberfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050, das heißt, in eine Richtung zu dem Substrat verloren gehen kann, von Licht, das von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 emittiert wird, zu einer Emissionsoberfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 zu emittieren. Daher können die Farbumwandlungsteile 1100 und 1200 ohne Verlust des Lichts, das von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 emittiert wird, verwendet werden, wobei der Farbumwandlungswirkungsgrad maximiert wird.
  • Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 umfasst eine Passivierungsschicht 1157, die ausgebildet ist, um Außenoberflächen der Halbleiterschicht 1155 vom ersten Leitfähigkeitstyp und der Halbleiterschicht 1153 vom zweiten Leitfähigkeitstyp zu bedecken. Zum Beispiel kann die Passivierungsschicht 1157 ausgebildet sein, um Seitenoberflächen und die unteren Oberflächen der Halbleiterschicht 1155 vom ersten Leitfähigkeitstyp und der Halbleiterschicht 1153 vom zweiten Leitfähigkeitstyp zu bedecken.
  • Im Detail ist die Passivierungsschicht 1157 ausgebildet, um die Seitenoberfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 zu bedecken, um Charakteristiken der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 zu stabilisieren, und ist aus einem Isoliermaterial ausgebildet. Zum Beispiel kann die Passivierungsschicht 1157 ein isolierender dünner Film sein, der aus einer Siliziumverbindung oder einem Oxid ausgebildet ist. Da die Halbleiterschicht vom ersten Leitfähigkeitstyp, und die Halbleiterschicht 1153 vom zweiten Leitfähigkeitstyp, wie vorstehend beschrieben, durch die Passivierungsschicht 1157 elektrisch getrennt sind, können p-GaN und n-GaN der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung voneinander isoliert werden.
  • In diesem Fall kann die Passivierungsschicht 1157 mehrere Passivierungsschichten mit verschiedenen Brechungsindizes umfassen, um Licht, das zu den Seitenoberflächen der Halbleiterschicht 1155 vom ersten Leitfähigkeitstyp und der Halbleiterschicht 1153 vom zweiten Leitfähigkeitstyp reflektiert wird, zu reflektieren.
  • Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt, und die Passivierungsschicht 1157 kann als eine einzelne Schicht ausgebildet werden. Die mehreren Passivierungsschichten können ausgebildet werden, indem wiederholt ein Material mit einem relativ hohen Brechungsindex und ein Material mit einem relativ geringen Brechungsindex gestapelt werden.
  • Die zweite leitfähige Halbleiterschicht 1153 ist aus einem elektropolierbaren porösen Material ausgebildet und umfasst eine erste Schicht 1153a, die auf der Außenseite der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 angeordnet ist, eine zweite Schicht 1153b, die unter der ersten Schicht 1153a angeordnet ist und eine Verunreinigungskonzentration hat, die niedriger als die der ersten Schicht 1153a ist, und eine dritte Schicht 1153c, die zwischen der zweiten Schicht 1153b und der aktiven Schicht 1154 angeordnet ist und eine Verunreinigungskonzentration hat, die höher als die der zweiten Schicht 1153b ist.
  • Im Detail können Verunreinigungskonzentrationen in der Reihenfolge der ersten Schicht 1153a, der dritten Schicht 1153c und der zweiten Schicht 1153b höher sein. Das heißt, die Verunreinigungskonzentration der ersten Schicht 1153a kann höher als die der dritten Schicht 1153c sein, und die zweite Schicht 1153b der Halbleiterschicht 1153 vom zweiten Leitfähigkeitstyp kann die niedrigste Verunreinigungskonzentration haben.
  • Die erste Schicht 1153a kann aus einem elektropolierbaren porösen Material ausgebildet sein. Im Detail ermöglicht die erste Schicht 1153a des porösen Materials, dass in der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 erzeugtes Licht Licht zu einer Emissionsoberfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung emittiert, ohne in der ersten Schicht 1153 eingefangen zu werden.
  • Außerdem kann im Inneren der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 eingefangenes Licht durch die erste Schicht 1153a gebeugt werden. Daher kann der Verlust von Licht, das zu der Seite der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1150 emittiert wird, minimiert werden. Da eine große Menge an Licht zu der Emissionsoberfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 emittiert wird, kann folglich der Leuchtwirkungsgrad der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 erhöht werden.
  • Außerdem umfasst eine Oberfläche 1158 der ersten Schicht 1153a einen fünften Bereich 1158a und einen von dem fünften Bereich 1158a umgebenen sechsten Bereich 1158b. Die Oberfläche 1158 der ersten Schicht 1153a umfasst den fünften Bereich 1158a und den sechsten Bereich 1158b mit unterschiedlicher Rauheit. Insbesondere hat der sechste Bereich 1158b eine Oberflächenrauheit, die höher als die des fünften Bereichs 1158a ist, und mehrere dritte Vorsprünge 1159 sind in dem sechsten Bereich 1158b angeordnet.
  • In einer Ausführungsform können die dritten Vorsprünge 1159 aus einem Halbleiter vom zweiten Leitfähigkeitstyp ausgebildet sein und eine Verunreinigungskonzentration haben, die höher als die der ersten Schicht 1153a ist. Die dritten Vorsprünge 1159 können wie die erste Schicht 1153a auch aus einem elektropolierbaren Material ausgebildet sein.
  • Ferner können die dritten Vorsprünge 1159 eine poröse Struktur sein, die Poren darin hat. Im Detail kann die Porosität der dritten Vorsprünge 1159 höher als die Porosität der ersten Schicht 1153a sein. Wenngleich die dritten Vorsprünge 1159 auf der ersten Schicht 1153a ausgebildet sind, wird Licht, das von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 emittiert wird, nicht gestört, der Verlust von emittiertem Licht kann minimiert werden, und eine große Lichtmenge kann zu der Emissionsoberfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 emittiert werden.
  • Außerdem kann eine obere Oberfläche jedes der dritten Vorsprünge 1159 als eine eben geschnittene Oberfläche ausgebildet sein. Außerdem können einige der dritten Vorsprünge 1159 eine zylindrische Form haben. Ebenso kann der andere der dritten Vorsprünge 1159 eine konische Form haben. Außerdem können die dritten Vorsprünge 1159 unterschiedliche Höhen haben.
  • 14A ist eine schematische Ansicht, die die Farbumwandlung in dem roten Farbumwandlungsteil 1100 von 11 darstellt, und 14B ist eine schematische Ansicht, die die Farbumwandlung in dem grünen Farbumwandlungsteil 1200 in 11 zeigt.
  • Bezugnehmend auf 14A kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 eine blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung, die blaues (B) Licht emittiert, sein, und blaues (B) Licht, das durch das Klebstoffelement 1060 einfällt, durchläuft die Wellenlängenumwandlungsschicht 1102, um in rotes (R) Licht umgewandelt zu werden. Ferner kann die reflektierende Schicht 1103, die mehrere Schichten umfasst, ermöglichen, dass rotes (R) Licht hindurch transmittiert wird, und reflektiert blaues (B) Licht, das in der Wellenlängenumwandlungsschicht 1102 nicht in rotes Licht umgewandelt wurde, zu der Wellenlängenumwandlungsschicht 1102. Folglich kann blaues (B) Licht, das von der reflektierenden Schicht 1103 reflektiert wird, in der Wellenlängenumwandlungsschicht 1102 in rotes Licht umgewandelt werden.
  • Indessen kann von dem Licht, das von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 emittiert wird, Licht das zu der anderen Oberfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050, das heißt, in die Richtung auf das Substrat zu, verloren geht, von der reflektierenden Elektrode 1156b reflektiert werden. Folglich kann Licht ohne Verlust zu der Emissionsoberfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 emittiert werden, und Licht, das von der reflektierenden Elektrode 1156 reflektiert wird, kann in der Wellenlängenumwandlungsschicht 1102 in rotes Licht umgewandelt werden, wodurch der Farbumwandlungswirkungsgrad maximiert wird.
  • Wenngleich eine Dicke des gesamten roten Farbumwandlungsteils 1100 durch die Wechselwirkung zwischen der reflektierenden Schicht 1103 des roten Farbumwandlungsteils 1100 und der reflektierenden Elektrode 1156 der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 verringert wird, kann der Farbumwandlungswirkungsgrad maximiert werden.
  • Bezugnehmend auf 14B ist die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 eine blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung, die blaues Licht emittiert. Das blaue Licht, das durch das Klebstoffelement 1060 einfällt, durchläuft die Wellenlängenumwandlungsschicht 1202, so dass es in grünes (G) Licht umgewandelt wird. Die reflektierende Schicht 1103, die mehrere Schichten umfasst, ermöglicht, dass grünes (G) Licht hindurchgeht, und reflektiert blaues (B) Licht, das nicht in der Wellenlängenumwandlungsschicht 1202 in grünes Licht umgewandelt wurde, zu der Wellenlängenumwandlungsschicht 1202. Folglich kann das blaue (B) Licht, das von der reflektierenden Schicht 1103 reflektiert wird, in der Wellenlängenumwandlungsschicht 1202 wieder in grünes Licht umgewandelt werden.
  • Indessen kann von Licht, das von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 emittiert wird, Licht, das zu der anderen Oberfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050, das heißt, in die Richtung des Substrats, verloren gehen kann, von der reflektierenden Elektrode 1156b reflektiert werden. Folglich kann Licht ohne Verlust zu der Emissionsoberfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 emittiert werden, und Licht, das von der reflektierenden Elektrode 1156b reflektiert wird, kann in der Wellenlängenumwandlungsschicht 1202 in grünes Licht umgewandelt werden, wodurch der Farbumwandlungswirkungsgrad maximiert wird.
  • Wenngleich eine Dicke des gesamten grünen Farbumwandlungsteils 1200 durch die Wechselwirkung zwischen der reflektierenden Schicht 1103 des grünen Farbumwandlungsteils 1200 und der reflektierenden Elektrode 1156 der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050, wie vorstehend beschrieben, verringert wird, kann der Farbumwandlungswirkungsgrad maximiert werden.
  • Da die Anzeigevorrichtung 1000 gemäß der vorliegenden Erfindung die reflektierenden Schichten 1103 und 1203 und die reflektierende Elektrode 1156 umfasst, können die dünnen Farbumwandlungsteile 1100 und 1200 vorteilhaft in der Anzeigevorrichtung bereitgestellt werden, in der die Bildpunktintegration oder Bildpunktdichte höher ist, die lichtemittierende Halbleitervorrichtung klein ist und ein Raum zwischen Bildpunkten eng ist.
  • Indessen kann die vorstehend beschriebene lichtemittierende Halbleitervorrichtung, die auf die auf die Anzeigevorrichtung angewendet wird, in vielfältigen Formen modifiziert werden. Diese Modifikationen werden später beschrieben.
  • 15 ist eine Querschnittansicht zur Erklärung einer anderen Ausführungsform einer Anzeigevorrichtung 2000, auf welche die neue Struktur angewendet wird, und 16 ist eine Querschnittansicht zur Erklärung einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung einer Anzeigevorrichtung, auf welche die neue Struktur angewendet wird. 17 ist eine vergrößerte Ansicht des Abschnitts „A“ von 1 zur Erklärung einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, auf die eine Anzeigevorrichtung 4000 mit einer neuen Struktur angewendet wird.
  • Bezugnehmend auf 15 kann die Anzeigevorrichtung 2000 eine blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung 2050a und eine grüne lichtemittierende Halbleitervorrichtung 2050b umfassen. Im Detail kann ein roter Farbumwandlungsteil 2100 an einer Position, die einem roten Einheitsbildpunkt entspricht, auf die blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung 2050a gestapelt werden.
  • Bezugnehmend auf 16 kann die Anzeigevorrichtung 3000 eine blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung 3050a und eine grüne lichtemittierende Halbleitervorrichtung 3050b umfassen. Im Detail kann ein roter Farbumwandlungsteil 3100 an einer Position, die einen roten Einheitsbildpunkt bildet, auf die grüne lichtemittierende Halbleitervorrichtung 3050b gestapelt werden. Folglich kann grünes (G) Licht, das von der grünen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 3050b emittiert wird, in rotes (R) Licht umgewandelt werden.
  • Bezugnehmend auf 15 und 16 kann für einen Abschnitt, der den grünen Einheitsbildpunkt bildet, nur die grüne lichtemittierende Halbleitervorrichtung 2050b verwendet werden, und die blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung 2050a kann verwendet werden, um einen Einheitsbildpunkt zu bilden. Folglich können die Einheitsbildpunkte aus rot (R), grün (G) und blau (B) in den Anzeigevorrichtungen 2000 und 3000 einen Bildpunkt bilden.
  • Bezugnehmend auf 17 kann die Anzeigevorrichtung 4000 eine weiße lichtemittierende Halbleitervorrichtung 4050 umfassen. Um diesem Fall einen Einheitsbildpunkt zu bilden, können ein roter Farbumwandlungsteil 4100, ein grüner Farbumwandlungsteil 4200 und ein blauer Farbumwandlungsteil 4300 auf der weißen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 4050 bereitgestellt werden, so dass rote (R), grüne (G) und blaue (B) Einheitsbildpunkte einen Bildpunkt bilden.
  • Die Anzeigevorrichtung 4000 kann ferner ein Isolierelement 4030' umfassen, das einen roten Farbumwandlungsteil 4100, einen grünen Farbumwandlungsteil 4200 und einen blauen Farbumwandlungsteil 4300 umgibt. Außerdem kann die Anzeigevorrichtung 400 ferner ein Klebstoffelement 4060' auf dem roten Farbumwandlungsteil 4100, dem grünen Farbumwandlungsteil 4200 und dem blauen Farbumwandlungsteil 4300 umfassen. Ferner können weiter ein Polyimid 4070 und ein Glas 4080 auf dem Klebstoffelement 4060' bereitgestellt werden, um die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 4050 für weißes Licht, den roten Farbumwandlungsteil 4100, den grünen Farbumwandlungsteil 4200 und den blauen Farbumwandlungsteil 4300 zu schützen.
  • 18 ist eine Querschnittansicht, die ein Verfahren zur Herstellung des grünen Farbumwandlungsteils 1200 der vorliegenden Erfindung darstellt. In dem nachstehend beschriebenen Verfahren zur Herstellung des grünen Farbumwandlungsteils 1200 werden die gleichen oder ähnliche Bezugszahlen für gleiche oder ähnliche Komponenten wie die der vorhergehenden Ausführungsform angegeben, und ihre Beschreibung wird durch die erste Beschreibung ersetzt.
  • Bezugnehmend auf (a) von 18 können mehrere Schichten zur Herstellung des grünen Farbumwandlungsteils 1200 auf einem Zuchtsubstrat W gestapelt werden. Im Detail kann das Zuchtsubstrat W eine undotierte Halbleiterschicht W1 und ein Wachstumssubstrat W2, das aus einem Saphirsubstrat oder einem Siliziumsubstrat ausgebildet ist, umfassen.
  • Um den grünen Farbumwandlungsteil 1200 herzustellen, können eine Halbleiterschicht 1201' vom zweiten Leitfähigkeitstyp, eine Wellenlängenumwandlungsschicht 1202, eine reflektierende Schicht 1203 und eine Opferschicht 1208, die elektropoliert werden kann, auf dem Zuchtsubstrat W ausgebildet werden. Ferner brauchen die Halbleiterschicht 1201' vom zweiten Leitfähigkeitstyp, die Wellenlängenumwandlungsschicht 1202, die reflektierende Schicht 1203 und die Opferschicht 1208 zur Herstellung des grünen Farbumwandlungsteils 1200 nicht elektrisch miteinander verbunden sein. Somit können die Halbleiterschicht 1201' vom zweiten Leitfähigkeitstyp, die Wellenlängenumwandlungsschicht 1202, die reflektierende Schicht 1203 und die Opferschicht 1208 paarweise angeordnet und als mehrere Schichten gestapelt werden. Der grüne Farbumwandlungsteil 1200 kann wiederholt kontinuierlich hergestellt werden, indem das Paar der Halbleiterschichten 1201 ` vom zweiten Leitfähigkeitstyp, das Paar der Wellenlängenumwandlungsschichten 1202, die Paare reflektierender Schichten 1203 und das Paar von Opferschichten 1208 geätzt werden.
  • Bezugnehmend auf (b) von 18 kann ein Muster des Klebstoffelements 1060 auf der Halbleiterschicht 1201' vom zweiten Leitfähigkeitstyp ausgebildet und dann geätzt werden, um die Halbleiterschicht 1201 ` vom zweiten Leitfähigkeitstyp, die Wellenlängenumwandlungsschicht 1202, die reflektierende Schicht 1203 und die Opferschicht 1208 in der Form des grünen Farbumwandlungsteils 1200 zu isolieren.
  • Bezugnehmend auf (c) von 18 kann elektrolytisches Polieren durchgeführt werden, indem ein Stromfluss an die Halbleiterschicht 1201 ` vom zweiten Leitfähigkeitstyp und die Opferschicht 1208 auf einem Elektrolyten angelegt wird. Folglich kann ein Teil der Halbleiterschicht 1201' vom zweiten Leitfähigkeitstyp geätzt werden, um die poröse Schicht 1201 zu bilden. Ferner kann in der Opferschicht 1208 mit einer höheren Konzentration der Verunreinigung vom zweiten Leitfähigkeitstyp aufgrund einer Differenz in der Reaktionsrate elektrolytisches Polieren aktiver durchgeführt werden. Folglich können mehrere Säulen 1205', die poröse Strukturen mit darin ausgebildeten Poren sind, ausgebildet werden. Das heißt, die Porosität der Säule 1205` kann aufgrund der Differenz der Reaktionsrate gemäß elektrolytischem Polieren höher als die Porosität der porösen Schicht 1201 sein.
  • Bezugnehmend auf (d) von 18 kann der grüne Farbumwandlungsteil 1200 durch das Klebstoffelement 1060 an die Emissionsoberfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 geklebt und transferiert werden. Der grüne Farbumwandlungsteil 1200 kann durch eine äußere Kraft getrennt werden, und mehrere Säulen 1205', die poröse Strukturen mit darin ausgebildeten Poren sind, können geschnitten werden. Wie vorstehend beschrieben, kann der in den Schritten (a) bis (d) von 18 hergestellte grüne Farbumwandlungsteil die zweiten Vorsprünge nicht umfassen. Die Säulen 1205' können geschnitten und in die ersten Vorsprünge 1205 auf der reflektierenden Schicht 1203 und die zweiten Vorsprünge 1207 auf der porösen Schicht 1201 des grünen Farbumwandlungsteils getrennt werden, um nacheinander hergestellt zu werden.
  • Danach kann der grüne Farbumwandlungsteil 1200, wie in (e) bis (h) von 18 gezeigt, an die vorstehend beschriebene lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 transferiert werden, indem die vorstehend beschriebenen Verfahren von (a) bis (d) von 18 wiederholt werden. Wenn ferner der grüne Farbumwandlungsteil 1200 an die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 transferiert wird, werden die Säulen 1205' durch eine äußere Kraft geschnitten, um die zweiten Vorsprünge 1207 auf der porösen Schicht 1201 des grünen Farbumwandlungsteils 1200 zu bilden. Folglich kann der in (e) bis (h) von 18 hergestellte grüne Farbumwandlungsteil ferner die zweiten Vorsprünge 1207 auf der porösen Schicht 1201 umfassen.
  • Außerdem kann der vorstehend beschriebene rote Farbumwandlungsteil 1100 auch durch das in 18 beschriebene Herstellungsverfahren hergestellt werden.
  • Der vorstehend beschriebene Farbumwandlungsteil kann die poröse Schicht, die aus einem elektropolierbaren Material ausgebildet ist, umfassen, so dass er als ein dünner Farbumwandlungsteil bereitgestellt wird. Folglich kann die Anzeigevorrichtung, die eine hohe Bildpunktkonzentration oder eine hohe Bildpunktdichte hat, eine kleine lichtemittierende Halbleitervorrichtung hat, Bildpunkte in einem engen Abstand dazwischen hat, fähig ist, Farbe zu realisieren, bereitgestellt werden.
  • Da der Farbumwandlungsteil außerdem die reflektierende Schicht umfasst, kann die Emission von Licht, das nicht in der Wellenlängenumwandlungsschicht des Farbumwandlungsteils umgewandelt wurde, nachdem es von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung emittiert wurde, verhindert werden, um die Farbmischung mit Licht, das in der Wellenlängenumwandlungsschicht umgewandelt wurde, zu verhindern, wodurch der Farbumwandlungswirkungsgrad maximiert wird.
  • Da in der vorstehend beschriebenen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung außerdem die reflektierende Elektrode zwischen der Elektrode vom ersten Leitfähigkeitstyp und der Halbleiterschicht vom ersten Leitfähigkeitstyp bereitgestellt ist, kann von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung emittiertes Licht ohne Verlust in dem Farbumwandlungsteil verwendet werden, und somit kann der Farbumwandlungswirkungsgrad maximiert werden.
  • Die vorstehend beschriebene Anzeigevorrichtung, welche die lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet, ist nicht auf die Konfiguration und das Verfahren der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen beschränkt, sondern alle oder ein Teil der Ausführungsformen können wahlweise zu vielfältigen Modifikationen kombiniert werden.
  • Die vorangehenden Ausführungsformen und Vorteile sind lediglich beispielhaft und sollen nicht als die vorliegende Offenbarung beschränkend betrachtet werden. Die vorliegenden Lehren können ohne Weiteres auf andere Arten von Vorrichtungen angewendet werden. Diese Beschreibung ist dazu gedacht, veranschaulichend zu sein und nicht, um den Schutzbereich der Patentansprüche zu beschränken. Viele Alternativen, Modifikationen und Variationen werden für Fachleute der Technik offensichtlich. Die Merkmale, Strukturen, Verfahren und andere Charakteristiken der hier beschriebenen beispielhaften Ausführungsformen können auf vielfältige Weisen kombiniert werden, um zusätzliche und/oder alternative beispielhafte Ausführungsformen zu erhalten.
  • Da die vorliegenden Merkmale in mehreren Formen ausgeführt werden können, ohne von ihren Charakteristiken abzuweichen, versteht sich auch, dass die vorstehend beschriebenen Ausführungsformen, wenn nicht anders spezifiziert, nicht durch irgendeines der Details der vorstehenden Beschreibung beschränkt sind, sondern vielmehr allgemein innerhalb ihres Schutzbereichs, wie in den beigefügten Patentansprüchen definiert, betrachtet werden sollten, und daher sollen alle Änderungen und Modifikationen, die in die in derartige Bereiche und die Grenzen fallen, von den beigefügten Patentansprüchen umfasst werden.

Claims (11)

  1. Anzeigevorrichtung, die aufweist: ein Substrat (1010) mit einer Elektrode (1020); mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen (1050, 2050a, 2050b, 3050a, 3050b), die auf dem Substrat (1010) montiert sind; und einen Farbumwandlungsteil (1100, 1200, 2100, 3100), der auf die mehreren lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen gestapelt ist und eine Farbe umwandelt, wobei der Farbumwandlungsteil (1100, 1200, 2100, 3100) umfasst: eine poröse Schicht (1101, 1201, 2101, 3101); eine Wellenlängenumwandlungsschicht (1102, 1202, 2102); und eine reflektierende Schicht (1103, 1203, 2103), wobei die Wellenlängenumwandlungsschicht zwischen der porösen Schicht und der reflektierenden Schicht angeordnet ist, die poröse Schicht aus einem elektropolierbaren porösen Material ausgebildet ist, eine Oberfläche (1104) der reflektierenden Schicht einen ersten Bereich (1104a) und einen von dem ersten Bereich umgebenen zweiten Bereich (1104b) umfasst, der zweite Bereich eine höhere Rauheit als die des ersten Bereichs hat, und mehrere erste Vorsprünge (1105, 1205) in dem zweiten Bereich angeordnet sind.
  2. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine obere Oberfläche jedes der mehreren ersten Vorsprünge eine eben geschnittene Oberfläche ist.
  3. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine Oberfläche (1106) der porösen Schicht umfasst: einen dritten Bereich (1106a); und einen vierten Bereich (1106b), der von dem dritten Bereich (1106a) umgeben ist, wobei der vierte Bereich (1 106b) eine Rauheit hat, die höher als die des dritten Bereichs (1106a) ist, und mehrere zweite Vorsprünge (1107, 1207) in dem vierten Bereich angeordnet sind.
  4. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 3, wobei eine obere Oberfläche jedes der mehreren zweiten Vorsprünge (1107, 1207) eine eben geschnittene Oberfläche ist.
  5. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die reflektierende Schicht mehrere Schichten (1103a bis 1103d, 1203a bis 1203e) umfasst, und wenigstens eine der mehreren Schichte der reflektierenden Schicht eine Schicht ist, die III-V-Verbindungen umfasst.
  6. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei ein Klebstoffelement (1060) zwischen der porösen Schicht des Farbumwandlungsteils und einer Oberfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung bereitgestellt ist, so dass der Farbumwandlungsteil und die lichtemittierende Halbleitervorrichtung physikalisch gekoppelt werden können.
  7. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 6, wobei das Klebstoffelement aus einem transparenten Material ausgebildet ist, das ermöglicht, dass von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung emittiertes Licht hindurchgeht.
  8. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die lichtemittierende Halbleitervorrichtung umfasst: Elektroden (1152, 1156) vom ersten und zweiten Leitfähigkeitstyp; eine Halbleiterschicht (1155) vom ersten Leitfähigkeitstyp, die ermöglicht, dass die Elektrode (1156) vom ersten Leitfähigkeitstyp darauf angeordnet wird; eine Halbleiterschicht (1153) vom zweiten Leitfähigkeitstyp, welche die Halbleiterschicht (1155) vom ersten Leitfähigkeitstyp überlappt und ermöglicht, dass die Elektrode (1152) vom zweiten Leitfähigkeitstyp darauf angeordnet wird; und eine aktive Schicht (1154), die zwischen den Halbleiterschichten (1153, 1155) vom ersten und zweiten Leitfähigkeitstyp angeordnet ist, wobei die Halbleiterschicht (1153) vom zweiten Leitfähigkeitstyp umfasst: eine erste Schicht (1153a), die aus einem elektropolierbaren porösen Material ausgebildet ist und auf einer Außenseite der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung angeordnet ist; eine zweite Schicht (1153), die unter der ersten Schicht angeordnet ist und eine Verunreinigungskonzentration hat, die niedriger als die der ersten Schicht ist; und eine dritte Schicht (1153c), die zwischen der zweiten Schicht und der aktiven Schicht angeordnet ist und die eine Verunreinigungskonzentration hat, die höher als die der zweiten Schicht ist.
  9. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 8, die ferner aufweist: eine reflektierende Elektrode (1156b), die zwischen der Elektrode vom ersten Leitfähigkeitstyp und der Halbleiterschicht vom ersten Leitfähigkeitstyp angeordnet ist.
  10. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 8, wobei eine Oberfläche (1158) der ersten Schicht (1153a) umfasst: einen fünften Bereich (1158a); und einen von dem fünften Bereich umgebenen sechsten Bereich (1158b), wobei der sechste Bereich eine höhere Oberflächenrauheit als die des fünften Bereichs hat, und mehrere dritte Vorsprünge (1159) in dem sechsten Bereich angeordnet sind.
  11. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 10, wobei die mehreren dritten Vorsprünge aus einem Halbleiter vom zweiten Leitfähigkeitstyp ausgebildet sind und eine Verunreinigungskonzentration haben, die höher als die der ersten Schicht ist.
DE112018006775.0T 2018-01-04 2018-02-06 Anzeigevorrichtung, die lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet Active DE112018006775B4 (de)

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