DE102020130702A1

DE102020130702A1 - Mikro-leuchtdioden-anzeigepanel

Info

Publication number: DE102020130702A1
Application number: DE102020130702.0A
Authority: DE
Inventors: Yu-Yun Lo; Sheng-Yuan Sun; Chih-Ling Wu; Yen-Yeh Chen
Original assignee: PlayNitride Display Co Ltd
Current assignee: PlayNitride Display Co Ltd
Priority date: 2019-12-04
Filing date: 2020-11-20
Publication date: 2021-06-10
Also published as: JP6992148B2; US11587973B2; US20210175278A1; KR20210070926A; TW202123503A; TWI707491B; JP2021089427A; KR102433835B1

Abstract

Ein Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel enthält ein Substrat, eine Vielzahl von Pixelstrukturen und eine Vielzahl von Wellenlängenumwandlungsstrukturen. Die Pixelstrukturen sind auf dem Substrat angeordnet. Jede Pixelstruktur enthält eine Vielzahl von Mikro-Leuchtdioden. Die Mikro-Leuchtdioden werden durch eine Vielzahl von verschiedenen Abschnitten einer verbundenen Epitaxie-Struktur gebildet. Die Wellenlängenumwandlungsstrukturen sind in der Epitaxie-Struktur angeordnet und jeweils mit mindestens einem Abschnitt der Mikro-Leuchtdioden ausgerichtet.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Gebiet der Erfindung
Die Erfindung bezieht sich auf eine Anzeigepanel, insbesondere auf eine Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel.
Beschreibung des Standes der Technik
In einer Mikro-Leuchtdiodenanzeige können eine Vielzahl vertikaler Mikro-Leuchtdioden in einer Anordnung bzw. einem Array geordnet und auf eines Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanels angeordnet werden. Gegenwärtig wird im Allgemeinen eine transparente leitende Schicht (wie beispielsweise ein Indium-Zinn-Oxid) als eine gemeinsame Elektrode verwendet. Auf diese Weise kann die Vielzahl der vertikalen Mikro-Leuchtdioden elektrisch miteinander verbunden werden, und die Mikro-Leuchtdiodenanzeige kann arbeiten. Mit zunehmender Größe der Anzeige muss jedoch auch die Dicke des Indium-Zinn-Oxids als eine gemeinsame Elektrode erhöht werden, um die transversale Leitfähigkeit und den niedrigen Stromverbrauch aufrechtzuerhalten. Die Zunahme der Dicke der gemeinsamen Elektrode führt jedoch zu einer Abnahme der Lichtausgaberate der Anzeige, wodurch das Problem des Lichtleckage bzw. Lichtverlusts entsteht. Darüber hinaus führt eine Farbkonversionsstruktur, die auf dem Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel angeordnet und so konfiguriert ist, dass sie eine Farbkonversion durchführt, zu einer unebenen Oberfläche, wodurch die Fertigungsausbeute nachfolgender gemeinsamer Elektroden verringert wird.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Die Erfindung bezieht sich auf eine Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel, das in der Lage ist, die Lichtausgaberate zu erhöhen und den Lichtverlust zu verringern.
Eine Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel der Erfindung enthält ein Substrat, eine Vielzahl von Pixelstrukturen und eine Vielzahl von Wellenlängenkonversions- bzw. Wellenlängenumwandlungsstrukturen. Die Pixelstrukturen sind auf dem Substrat angeordnet. Jede Pixelstruktur enthält eine Vielzahl von Mikro-Leuchtdioden. Die Mikro-Leuchtdioden werden durch eine Vielzahl von verschiedenen Abschnitten einer verbundenen epitaxiale Struktur bzw. Epitaxie-Struktur gebildet. Die Wellenlängenumwandlungsstrukturen sind in der Epitaxie-Struktur angeordnet und jeweils mit mindestens einem Abschnitt der Mikro-Leuchtdioden ausgerichtet.
In einer Ausführungsform der Erfindung enthält die oben erwähnte Epitaxie-Struktur eine Halbleiterschicht eines ersten Typs, die zumindest teilweise verbunden ist, eine Vielzahl von lichtemittierenden Schichten, die voneinander getrennt sind, und eine Vielzahl von Halbleiterschichten eines zweiten Typs, die voneinander getrennt sind. Die lichtemittierenden Schichten sind zwischen der Halbleiterschicht des ersten Typs und den Halbleiterschichten des zweiten Typs angeordnet.
In einer Ausführungsform der Erfindung ist eine Dicke jeder der Wellenlängenumwandlungsstrukturen größer als die Dicke eines verbundenen Abschnitts der Halbleiterschicht des ersten Typs.
In einer Ausführungsform der Erfindung erfüllt das Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel eine Bedingung, dass 1<A/B<50, 1,5<A/C<70 und 1,5≤B/C≤15 ist. A ist eine Dicke der Wellenlängenumwandlungsstrukturen, B ist eine Dicke eines verbundenen Abschnitts der Halbleiterschicht des ersten Typs und C ist eine Distanz e des verbundenen Abschnitts der Halbleiterschicht des ersten Typs zu einem Ende jeder Halbleiterschicht des zweiten Typs, das von den Wellenlängenumwandlungsstrukturen in einer Richtung senkrecht zum Substrat entfernt liegt.
Bei einer Ausführungsform der Erfindung ist eine Dicke eines nicht verbundenen Abschnitts der Halbleiterschicht des ersten Typs der Epitaxie-Struktur größer als eine Dicke eines verbundenen Abschnitts.
Bei einer Ausführungsform der Erfindung liegt ein Verhältnis einer Dicke des nicht verbundenen Abschnitts zu einer Dicke der Wellenlängenumwandlungsstruktur zwischen 0,9 und 1,1.
In einer Ausführungsform der Erfindung enthält das Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel außerdem eine Gemeinsame-Elektrode-Schicht bzw. eine gemeinsame Elektrodenschicht. Die gemeinsame Elektrodenschicht ist auf den Pixelstrukturen angeordnet und elektrisch mit der Halbleiterschicht des ersten Typs verbunden.
Bei einer Ausführungsform der Erfindung ist ein vom Substrat entferntes Ende eines Abschnitts der Epitaxie-Struktur in einer Ebene bzw. koplanar mit einem vom Substrat entfernten Ende jeder Wellenlängenumwandlungsstruktur.
In einer Ausführungsform der Erfindung enthält das Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel außerdem eine lichtblockierende Schicht bzw. Lichtsperrschicht. Die Lichtsperrschicht ist zwischen der Epitaxie-Struktur und den Wellenlängenumwandlungsstrukturen angeordnet.
In einer Ausführungsform der Erfindung weist die Lichtsperrschicht elektrische Leitfähigkeit auf.
Bei einer Ausführungsform der Erfindung ist ein Abstand zwischen den Mikro-Leuchtdioden kleiner als eine Breite jeder Mikro-Leuchtdiode.
Bei einer Ausführungsform der Erfindung liegt ein Verhältnis des Abstands zwischen den Mikro-Leuchtdioden und der Breite jeder Mikro-Leuchtdiode im Bereich von 0,1 bis 0,9.
In einer Ausführungsform der Erfindung ist der Abstand zwischen den Mikro-Leuchtdioden kleiner oder gleich 10 Mikrometer.
In einer Ausführungsform der Erfindung enthält das Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel zusätzlich eine Trennschicht. Die Trennschicht ist an Seitenwänden der Mikro-Leuchtdioden und auf dem verbundenen Abschnitt der Epitaxie-Struktur unter bzw. zwischen bzw. bei den Mikro-Leuchtdioden angeordnet.
In einer Ausführungsform der Erfindung umfasst ein Material der Trennschicht ein lichtabsorbierendes Material, ein reflektierendes Material, ein streuendes Material oder eine Kombination davon.
Bei einer Ausführungsform der Erfindung befindet sich ein Abschnitt der Epitaxie-Struktur zwischen den benachbarten Wellenlängenumwandlungsstrukturen.
Auf der Grundlage der obigen Beschreibung kann in dem Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel gemäß den Ausführungsformen der Erfindung die verbundene Epitaxie-Struktur als gemeinsame Elektrode verwendet werden, um eine Vielzahl von Mikro-Leuchtdioden elektrisch zu verbinden. Anschließend kann durch Anordnen der Wellenlängenumwandlungsstrukturen in der Epitaxie-Struktur eine Dicke der Epitaxie-Struktur in lichtemittierenden Bereichen und unterhalb der Wellenlängenumwandlungsstrukturen verringert werden, und Unebenheiten, die durch Anordnen der Wellenlängenumwandlungsstrukturen auf einer Oberfläche der Epitaxie-Struktur verursacht werden, können ebenfalls verringert werden. Im Vergleich zu einem herkömmlichen Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel hat das Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel gemäß der Ausführungsformen der Erfindung daher die Vorteile, dass der verbundene Abschnitt der Epitaxie-Struktur als gemeinsame Elektrode zur Übertragung von Strömen verwendet wird und ein dicker und nicht verbundener Abschnitt der Epitaxie-Struktur zur Verringerung des Stromverbrauchs erhalten bleibt. Darüber hinaus kann die verdünnte Epitaxie-Struktur es auch ermöglichen, dass das Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel gemäß den Ausführungsformen der Erfindung die Effekte einer Erhöhung der Lichtausgaberate und einer Verringerung der Lichtleckage aufweist.
Figurenliste

1A ist eine schematische Draufsicht eines Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanels gemäß einer Ausführungsform der Erfindung.
1B ist eine schematische Querschnittsansicht des Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanels in 1A, aufgenommen entlang einer Schnittlinie I-I'.
2 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanels gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung.
3 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanels gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung.
4 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanels gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung.

BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
1A ist eine schematische Draufsicht eines Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanels gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. 1B ist eine schematische Querschnittsansicht des Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanels in 1A, aufgenommen entlang einer Schnittlinie I-I'.
Unter Bezugnahme auf 1A und 1B zusammen umfasst ein Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10 der vorliegenden Ausführungsform ein Substrat 110, eine Vielzahl von Pixelstrukturen 120 und eine Vielzahl von Wellenlängenumwandlungsstrukturen 130 und 131. Das Substrat 110 enthält eine Basis 111 und eine Schaltungsschicht 112, die auf der Basis 111 angeordnet ist. Die Schaltungsschicht 112 enthält eine erste Treiberschaltung 112a, eine zweite Treiberschaltung 112b und eine Vielzahl von Schaltelementen (nicht abgebildet). Die erste Treiberschaltung 112a und die zweite Treiberschaltung 112b befinden sich in einem Nichtanzeigebereich 100a des Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanels 10. Die Basis 111 kann beispielsweise ein Kunststoffsubstrat, ein Glassubstrat oder ein Saphirsubstrat sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
In der vorliegenden Ausführungsform sind die Pixelstrukturen 120 zu einem Array geordnet und auf dem Substrat 110 angeordnet. Die Pixelstrukturen 120 befinden sich in einem Anzeigebereich 100b des Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanels 10. Jede Pixelstruktur 120 umfasst lichtemittierende Bereiche 120a und nicht lichtemittierende Bereiche 120b. Jede Pixelstruktur 120 enthält eine Vielzahl von Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123, die in den lichtemittierenden Bereichen 120a angeordnet sind. In der vorliegenden Ausführungsform ist ein Abstand W1 zwischen den benachbarten Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 beispielsweise kleiner oder gleich 10 Mikrometer, und eine Breite W2 jeder der Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 ist beispielsweise kleiner oder gleich 10 Mikrometer, aber die vorliegende Ausführungsform ist nicht darauf beschränkt. In einigen Ausführungsformen ist der Abstand W1 zwischen den benachbarten Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 beispielsweise kleiner oder gleich 5 Mikrometer und die Breite W2 jeder der Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 ist beispielsweise kleiner oder gleich 5 Mikrometer, so dass das Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10 eine hohe Auflösung hat.
Ferner ist in der vorliegenden Ausführungsform der Abstand W1 zwischen den benachbarten Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 beispielsweise kleiner als die Breite W2 jeder der Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123, so dass das Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10 eine hohe Auflösung hat, aber die vorliegende Ausführungsform ist nicht darauf beschränkt. In einigen Ausführungsformen liegt beispielsweise das Verhältnis des Abstands W1 zwischen den benachbarten Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 zur Breite W2 jeder der Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 im Bereich von 0,1 bis 0,9, ist aber nicht darauf beschränkt.
In der vorliegenden Ausführungsform können die Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 vertikale Mikro-Leuchtdioden sein, sind aber nicht darauf beschränkt. Konkret sind die Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 der vorliegenden Ausführungsform jeweils auf Kontakt-Pads bzw. -flächen 113 auf dem Substrat 110 angeordnet. Die Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 sowie das Substrat 110 befinden sich jeweils auf zwei gegenüberliegenden Seiten der Kontaktflächen 113. Die Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 werden durch eine Vielzahl von verschiedenen Abschnitten einer verbundenen Epitaxie-Struktur 124 gebildet. Die Epitaxie-Struktur 124 enthält eine Halbleiterschicht 1241 eines ersten Typs, die zumindest teilweise verbunden ist, eine Vielzahl von lichtemittierenden Schichten 1242, die voneinander getrennt sind, und eine Vielzahl von Halbleiterschichten 1243 eines zweiten Typs, die voneinander getrennt sind. Die lichtemittierenden Schichten 1242 sind zwischen der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs und den Halbleiterschichten 1243 des zweiten Typs angeordnet.
Genauer gesagt enthält die Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs in der vorliegenden Ausführungsform einen verbundenen Abschnitt 1241a, einen nicht verbundenen Abschnitt 1241b und einen Mesa-Abschnitt 1241c. Der nicht verbundene Abschnitt 1241b ist auf dem verbundenen Abschnitt 1241a angeordnet. Der nicht verbundene Abschnitt 1241b und der Mesa-Abschnitt 1241c befinden sich jeweils auf zwei gegenüberliegenden Seiten des verbundenen Abschnitts 1241a. Der verbundene Abschnitt 1241a und die lichtemittierenden Schichten 1242 befinden sich jeweils auf zwei gegenüberliegenden Seiten des Mesa-Abschnitts 1241c. Der nicht verbundene Abschnitt 1241b entspricht der Mikro-Leuchtdioden 123, aber nicht den Mikro-Leuchtdioden 121 und 122. Das heißt, eine orthographische Projektion des nicht verbundenen Abschnitts 1241b auf das Substrat 110 überlappt eine orthographische Projektion der Mikro-Leuchtdiode 123 auf das Substrat 110, aber nicht die orthographischen Projektionen der Mikro-Leuchtdioden 121 und 122 auf das Substrat 110. In einigen Ausführungsformen ist der nicht verbundene Abschnitt 1241b in einem Abschnitt der lichtemittierenden Bereiche 120a der Pixelstrukturen 120 angeordnet. In der vorliegenden Ausführungsform ist ein Material der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs beispielsweise N-dotiertes GaN, das eine bessere elektrische Verbindung erreichen kann, aber nicht darauf beschränkt ist.
In der vorliegenden Ausführungsform befinden sich die Halbleiterschichten 1243 des zweiten Typs und das Substrat 110 jeweils auf zwei gegenüberliegenden Seiten der Kontaktflächen 113. Die Halbleiterschichten 1243 des zweiten Typs können mit den Kontaktflächen 113 auf dem Substrat 110 in Kontakt sein. Die Halbleiterschichten 1243 des zweiten Typs können mit der Schaltungsschicht 112 des Substrats 110 über die auf dem Substrat 110 angeordneten Kontaktflächen 113 elektrisch verbunden sein. Das heißt, die Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 können jeweils über die entsprechenden Kontaktflächen 113 elektrisch mit der Schaltungsschicht 112 des Substrats 110 verbunden sein.
In der vorliegenden Ausführungsform sind die Wellenlängenumwandlungsstrukturen 130 und 131 in der Epitaxie-Struktur 124 angeordnet und befinden sich auf den Mikro-Leuchtdioden 121 und 122. Die Wellenlängenumwandlungsstrukturen 130 und 131 sind in einem Abschnitt der lichtemittierenden Bereiche 120a der Pixelstrukturen 120 angeordnet. Konkret ist die Wellenlängenumwandlungsstruktur 130 mit der Mikro-Leuchtdiode 121 und die Wellenlängenumwandlungsstruktur 131 mit der Mikro-Leuchtdiode 122 ausgerichtet. Die Wellenlängenumwandlungsstruktur 130 und das Substrat 110 befinden sich jeweils auf zwei gegenüberliegenden Seiten der Mikro-Leuchtdiode 121, und die Wellenlängenumwandlungsstruktur 131 und das Substrat 110 befinden sich jeweils auf zwei gegenüberliegenden Seiten der Mikro-Leuchtdiode 122. Das heißt, eine orthographische Projektion der Wellenlängenumwandlungsstruktur 130 auf das Substrat 110 überlappt eine orthographische Projektion der Mikro-Leuchtdiode 121 auf das Substrat 110, und eine orthographische Projektion der Wellenlängenumwandlungsstruktur 131 auf das Substrat 110 überlappt eine orthographische Projektion der Mikro-Leuchtdiode 122 auf das Substrat 110. In einigen Ausführungsformen sind die Wellenlängenumwandlungsstrukturen 130 und 131 in Kontakt mit dem verbundenen Abschnitt 1241a der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs.
Darüber hinaus befindet sich in der vorliegenden Ausführungsform der nicht verbundene Abschnitt 1241b der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs zwischen der Wellenlängenumwandlungsstruktur 131 einer Pixelstruktur 120 und der Wellenlängenumwandlungsstruktur 130 einer anderen benachbarten Pixelstruktur 120. Das heißt, ein Abschnitt der Epitaxie-Struktur 124 (nämlich der nicht verbundene Abschnitt 1241b der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs) kann sich zwischen der Wellenlängenumwandlungsstruktur 130 und der benachbarten Wellenlängenumwandlungsstruktur 131 befinden. In einigen Ausführungsformen ist ein Ende 1241b1 eines Abschnitts der Epitaxie-Struktur 124 (nämlich der nicht verbundene Abschnitt 1241b der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs) entfernt vom Substrat 110 koplanar mit einem Ende 130a und einem Ende 131a der Wellenlängenumwandlungsstrukturen 130 und 131 entfernt vom Substrat 110.
Darüber hinaus beträgt in der vorliegenden Ausführungsform eine Dicke A jeder der Wellenlängenumwandlungsstrukturen 130 und 131 beispielsweise 1 Mikrometer bis 14 Mikrometer, eine Dicke B des verbundenen Abschnitts 1241a der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs beispielsweise 0,3 Mikrometer bis 3 Mikrometer. Eine Distanz C von dem verbundenen Abschnitt 1241a der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs zu einem Ende 1243a jeder Halbleiterschicht 1243 des zweiten Typs, das von den Wellenlängenumwandlungsstrukturen 130 und 131 entfernt ist, beträgt beispielsweise 0,2 Mikrometer bis 2 Mikrometer in einer Richtung senkrecht zum Substrat 110. Eine Dicke D des nicht verbundenen Abschnitts 1241b der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs beträgt zum Beispiel 3,0 Mikrometer bis 14 Mikrometer. Die vorliegende Ausführungsform ist jedoch nicht darauf beschränkt.
In einigen Ausführungsformen ist ein Verhältnis der Dicke A jeder der Wellenlängenumwandlungsstrukturen 130 und 131 zur Dicke B des verbundenen Abschnitts 1241a der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs beispielsweise 1≤A/B≤50. Ist das Verhältnis kleiner als 1, kann die Wellenlängenumwandlungseffizienz ungünstig sein, und ist das Verhältnis größer als 50, wird die Lichtausgabeeffizienz aufgrund der großen Dicke beeinträchtigt. Die Ausführungsformen sind jedoch nicht darauf beschränkt. In einigen Ausführungsformen ist ein Verhältnis der Dicke A jeder der Wellenlängenumwandlungsstrukturen 130 und 131 zur Distanz C vom verbundenen Abschnitt 1241a der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs zu einem Ende 1243a jeder Halbleiterschicht 1243 des zweiten Typs beispielsweise 1,5≤A/C≤70. Falls das Verhältnis kleiner als 1,5 ist, kann die Wellenlängenumwandlungseffizienz ungünstig sein, und falls das Verhältnis über 70 liegt, wird die Lichtausgabeeffizienz aufgrund der großen Dicke beeinträchtigt. Die Ausführungsformen sind jedoch nicht darauf beschränkt. In einigen Ausführungsformen ist ein Verhältnis der Dicke B des verbundenen Abschnitts 1241a der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs zu der Distanz C vom verbundenen Abschnitt 1241a der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs zu einem Ende 1243a jeder Halbleiterschicht 1243 des zweiten Typs beispielsweise 1,5≤B/C≤15. Falls das Verhältnis kleiner als 1,5 ist, verringert sich die Prozessausbeute des verbundenen Abschnitts 1241a, und falls das Verhältnis 15 übersteigt, wird die Lichtausgabeeffizienz aufgrund der großen Dicke beeinträchtigt. Die Ausführungsformen sind jedoch nicht darauf beschränkt.
Darüber hinaus ist in der vorliegenden Ausführungsform eine Dicke D des nicht verbundenen Abschnitts 1241b der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs der Epitaxie-Struktur 124 beispielsweise größer als die Dicke B des verbundenen Abschnitts 1241a der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs. In einigen Ausführungsformen liegt ein Verhältnis der Dicke B des verbundenen Abschnitts 1241a der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs der Epitaxie-Struktur 124 zur Dicke D des nicht verbundenen Abschnitts 1241b der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs der Epitaxie-Struktur 124 beispielsweise zwischen 1 und 50. Falls das Verhältnis kleiner als 1 ist, kann die Wellenlängenkonversionseffizienz ungünstig sein, und falls das Verhältnis 50 übersteigt, wird die Lichtausgabeeffizienz aufgrund der großen Dicke beeinträchtigt. Die vorliegende Ausführungsform ist jedoch nicht darauf beschränkt. In der vorliegenden Ausführungsform liegt ein Verhältnis der Dicke D des nicht verbundenen Abschnitts 1241b der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs zur Dicke A jeder der Wellenlängenumwandlungsstrukturen 130 und 131 beispielsweise zwischen 0,9 und 1,1. Die vorliegende Ausführungsform ist jedoch nicht darauf beschränkt. In einigen Ausführungsformen, wenn die Dicke D des nicht verbundenen Abschnitts 1241b der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs gleich der Dicke A jeder der Wellenlängenumwandlungsstrukturen 130 und 131 ist, kann das Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10 eine günstige Lichtumwandlungsqualität und eine konstante Lichtausgabeeffizienz aufweisen.
In der vorliegenden Ausführungsform können die Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 Mikro-Leuchtdioden sein, die das gleiche Licht aussenden können, wie beispielsweise Mikro-Leuchtdioden, die blaues Licht aussenden können, oder Mikro-Leuchtdioden, die ultraviolettes Licht aussenden können, sind aber nicht darauf beschränkt. Die Wellenlängenumwandlungsstrukturen 130 und 131 können beispielsweise Quantum-Dots bzw. Quantenpunkte aufweisen, sind aber nicht darauf beschränkt. Die Wellenlängenumwandlungsstrukturen 130 und 131 können beispielsweise eine Vielzahl von verschiedenen konvertierten Lichtfarben haben. In einigen Ausführungsformen können die Wellenlängenumwandlungsstrukturen 130 und 131 beispielsweise rote, grüne oder blaue konvertierte Lichtfarben haben, sind aber nicht darauf beschränkt. Wenn zum Beispiel die Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 Mikro-Leuchtdioden sind, die blaues Licht emittieren können, kann die Mikro-Leuchtdiode 121 rotes Licht durch die entsprechende Wellenlängenumwandlungsstruktur 130 mit einer roten konvertierten Lichtfarbe darstellen, die Mikro-Leuchtdiode 122 kann grünes Licht durch die entsprechende Wellenlängenumwandlungsstruktur 130 mit einer grünen konvertierten Lichtfarbe darstellen, und das blaue Licht, das von der Mikro-Leuchtdiode 123 emittiert wird, kann durch den nicht verbundenen Abschnitt 1241b der entsprechenden Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs hindurchgehen, um blaues Licht darzustellen. Dadurch wird ein Pixeleffekt einer Vollfarbanzeige erreicht.
In der vorliegenden Ausführungsform, obwohl die Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs der Epitaxie-Struktur 124 den nicht verbundenen Abschnitt 1241b enthält, ist die Erfindung nicht darauf beschränkt. Das heißt, in anderen Ausführungsformen kann der nicht verbundene Abschnitt 1241b der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs auch durch streuende Materialien, Wellenlängenumwandlungsstrukturen oder andere geeignete Materialien ersetzt werden, solange die ersetzten streuenden Materialien, Wellenlängenumwandlungsstrukturen oder andere geeignete Materialien die Lichtabgabe der Mikro-Leuchtdiode 123 nicht beeinträchtigen.
In der vorliegenden Ausführungsform enthält das Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10 außerdem Lichtsperrschichten 140. Die Lichtsperrschichten 140 sind zwischen der Epitaxie-Struktur 124 und den Wellenlängenumwandlungsstrukturen 130 angeordnet. Die Lichtsperrschichten 140 sind in den nicht lichtemittierenden Bereichen 120b der Pixelstrukturen 120 angeordnet. Insbesondere befinden sich die Lichtsperrschichten 140 auf linken und rechten Seiten der Wellenlängenumwandlungsstrukturen 130 und 131 und auf linken und rechten Seiten des nicht verbundenen Abschnitts 1241b der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs. Die Lichtsperrschichten 140 befinden sich auf dem verbundenen Abschnitt 1241a der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs. Die Lichtsperrschichten 140 sind in Kontakt mit dem verbundenen Abschnitt 1241a der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs. Die Lichtsperrschichten 140 sind zwischen den benachbarten Wellenlängenumwandlungsstrukturen 130 und 131 angeordnet, und die Lichtsperrschichten 140 sind zwischen den Wellenlängenumwandlungsstrukturen 130 und 131 und dem nicht verbundenen Abschnitt 1241b der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs angeordnet. In einigen Ausführungsformen überlappen orthographische Projektionen der Lichtsperrschichten 140 auf das Substrat 110 nicht orthographischen Projektionen der Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 auf das Substrat 110. Darüber hinaus können in der vorliegenden Ausführungsform die Lichtsperrschichten 140 die Eigenschaften der Reflexion, Streuung oder Lichtabsorption aufweisen, um zu verhindern, dass sich das von den Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 ausgestrahlte Licht gegenseitig stört, und um die Lichtleckage zu verringern. In einigen Ausführungsformen können die Lichtsperrschichten 140 elektrisch leitend sein, so dass die Lichtsperrschichten 140 mit dem verbundenen Abschnitt 1241a der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs elektrisch verbunden werden können, um die Transvers-Leitfähigkeit zu erhöhen und den Stromverbrauch zu verringern.
In der vorliegenden Ausführungsform enthält das Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10 ferner eine gemeinsame Elektrodenschicht 150 mit einer Lichtdurchlässigkeitseigenschaft. Die gemeinsame Elektrodenschicht 150 ist auf den Pixelstrukturen 120 angeordnet und elektrisch mit der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs verbunden. Insbesondere bedeckt die gemeinsame Elektrodenschicht 150 die Wellenlängenumwandlungsstrukturen 130 und 131, die Lichtsperrschichten 140 und die Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123. Die gemeinsame Elektrodenschicht 150 kann in Kontakt mit den Wellenlängenumwandlungsstrukturen 130 und 131, den Lichtsperrschichten 140 und dem nicht verbundenen Abschnitt 1241b der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs stehen. Daher kann die gemeinsame Elektrodenschicht 150 über den nicht verbundenen Abschnitt 1241b und den verbundenen Abschnitt 1241a der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs elektrisch mit den Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 verbunden sein. In einigen Ausführungsformen kann die gemeinsame Elektrodenschicht 150 auch mit den Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 durch die Lichtsperrschichten 140 mit elektrischer Leitfähigkeit und den verbundenen Abschnitt 1241a der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs elektrisch verbunden sein. Darüber hinaus kann in der vorliegenden Ausführungsform die gemeinsame Elektrodenschicht 150 auch mit der Schaltungsschicht 112 des Substrats 110 über die Kontaktflächen 113a auf dem Substrat 110 elektrisch verbunden sein.
In der vorliegenden Ausführungsform enthält das Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10 zudem Trennschichten 160. Die Trennschichten 160 sind auf Seitenwänden 121a, 122a und 123a der Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 und auf dem verbundenen Abschnitt 1241a der Epitaxie-Struktur 124 bei den Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 angeordnet. In der vorliegenden Ausführungsform kann ein Material der Trennschichten 160 beispielsweise ein lichtabsorbierendes Material, ein reflektierendes Material, ein streuendes Material oder eine Kombination davon sein, ist aber nicht darauf beschränkt. Die Trennschichten 160 können so konfiguriert werden, dass das von den Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 ausgestrahlte Licht nicht miteinander interferiert und Lichtleckage reduziert wird. In einigen Ausführungsformen können die Trennschichten 160 ein Verteilungs-Bragg-Reflektor (DBR) sein, sind aber nicht darauf beschränkt.
In der vorliegenden Ausführungsform enthält das Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10 zusätzlich eine auf dem Substrat 110 angeordnete Schutzschicht 170. Die Schutzschicht 170 ist zwischen der gemeinsamen Elektrodenschicht 150 und den Pixelstrukturen 120 und zwischen den benachbarten Pixelstrukturen 120 angeordnet und so konfiguriert, dass sie das Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10 vor Erzeugung von Feuchtigkeit oder Oxidation schützt.
Erwähnenswert ist, dass in dem Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10 der vorliegenden Ausführungsform die verbundene Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs als eine gemeinsame Elektrode verwendet werden kann, um eine Vielzahl von Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 elektrisch zu verbinden. Anschließend kann durch Anordnen der Wellenlängenumwandlungsstrukturen 130 und 131 in der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs die Dicke der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs in lichtemittierenden Bereichen 120b verringert werden, und Unebenheiten, die durch Anordnen der Wellenlängenumwandlungsstrukturen 130 und 131 verursacht werden, auf einer Oberfläche der Epitaxie-Struktur 124, können ebenfalls verringert werden. Daher hat das Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10 der Erfindung im Vergleich zu einer herkömmlichen Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel die Vorteile, dass der verdünnte verbundene Abschnitt der Epitaxie-Struktur 124 (nämlich der verbundene Abschnitt 1241a der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs) als gemeinsame Elektrode zur Übertragung von Strömen verwendet wird und der dicke nicht verbundene Abschnitt der Epitaxie-Struktur 124 (nämlich der nicht verbundene Abschnitt 1241b der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs) zur Verringerung des Stromverbrauchs beibehalten wird. Darüber hinaus kann die verdünnte Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs auch das Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10 der Erfindung in die Lage versetzen, die Lichtausgaberate zu erhöhen und die Lichtleckage zu verringern.
Andere Ausführungsformen werden zur Veranschaulichung unten aufgeführt. Es ist zu beachten, dass die folgenden Ausführungsformen den Komponentensymbolen und Teilinhalten der obigen Ausführungsformen folgen, die gleichen Symbole zur Darstellung gleicher oder ähnlicher Komponenten verwendet werden und die Beschreibungen der gleichen technischen Inhalte weggelassen werden. Die Beschreibungen der weggelassenen Abschnitte können unter Bezugnahme auf die obigen Ausführungsformen verstanden werden, und die Beschreibungen werden in den folgenden Ausführungsformen weggelassen.
2 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanels gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung. Zur Verdeutlichung der Darstellung und Beschreibung werden in 2 die gemeinsame Elektrodenschicht 150 und die Schutzschicht 170 weggelassen. Unter Bezugnahme auf 1B und 2 zusammen ist ein Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10a der vorliegenden Ausführungsform des Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanels 10 in 1B ähnlich, und der Hauptunterschied zwischen dem Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10a und dem Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10 besteht darin, dass das Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10a der vorliegenden Ausführungsform ferner einen nicht verbundenen Abschnitt 1241d einer Halbleiterschicht 1241 eines ersten Typs enthält.
Unter Bezugnahme auf 2 ist der nicht verbundene Abschnitt 1241d der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs in nicht lichtemittierenden Bereichen 120b der Pixelstrukturen 120 angeordnet, so dass sich die Lichtsperrschichten 140a und 140b jeweils auf zwei gegenüberliegenden Seiten der nicht verbundenen Abschnitte 1241d befinden. Insbesondere befindet sich die Lichtsperrschicht 140a zwischen einer Wellenlängenumwandlungsstruktur 130 und dem nicht verbundenen Abschnitt 1241d, und die Lichtsperrschicht 140b befindet sich zwischen einer Wellenlängenumwandlungsstruktur 131 und dem nicht verbundenen Abschnitt 1241d. Eine orthographische Projektion der Lichtsperrschicht 140a auf ein Substrat 110 überlappt nicht orthographischen Projektionen der Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 auf das Substrat 110. In der vorliegenden Ausführungsform kann, da der nicht verbundene Abschnitt 1241d in Kontakt mit der gemeinsamen Elektrodenschicht 150 (nicht abgebildet) sein kann, die gemeinsame Elektrodenschicht 150 durch den nicht verbundenen Abschnitt 1241b, den nicht verbundenen Abschnitt 1241d und den verbundenen Abschnitt 1241a der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs elektrisch mit den Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 verbunden sein. Dadurch kann der Stromverbrauch verringert und ein höherer Strom übertragen werden, um eine höhere Helligkeit zu erzielen.
3 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanels gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung. Zur Verdeutlichung der Darstellung und Beschreibung sind in 3 eine gemeinsame Elektrodenschicht 150 und eine Schutzschicht 170 weggelassen. Unter Bezugnahme auf 1B und 3 zusammen ist ein Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10b der vorliegenden Ausführungsform ähnlich dem Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10 in 1B, und der Hauptunterschied zwischen dem Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10b und dem Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10 besteht darin, dass in dem Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanels 10b der vorliegenden Ausführungsform der nicht verbundene Abschnitt 1241b der Halbleiterschicht 1241 des ersten Typs in dem Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10 durch eine Wellenlängenumwandlungsstruktur 132 ersetzt ist.
Unter Bezugnahme auf 3 ist die Wellenlängenumwandlungsstruktur 132 in lichtemittierenden Bereichen 120a von Pixelstrukturen 120 angeordnet, und die Wellenlängenumwandlungsstruktur 132 ist mit einer Mikro-Leuchtdiode 123 ausgerichtet. Daher, wenn die Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 Mikro-Leuchtdioden sind, die ultraviolettes Licht aussenden können, kann die Mikro-Leuchtdiode 121 rotes Licht durch die entsprechende Wellenlängenumwandlungsstruktur 130 mit einer roten konvertierten Lichtfarbe, die Mikro-Leuchtdiode 122 grünes Licht durch die entsprechende Wellenlängenumwandlungsstruktur 130 mit einer grünen konvertierten Lichtfarbe und die Mikro-Leuchtdiode 123 blaues Licht durch die entsprechende Wellenlängenumwandlungsstruktur 132 mit einer blauen konvertierten Lichtfarbe emittieren. Dadurch wird der Pixeleffekt einer Vollfarbanzeige erreicht.
4 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanels gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung. Unter Bezugnahme auf 1B und 4 zusammen ist ein Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10c der vorliegenden Ausführungsform ähnlich dem Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10 in 1B, und der Hauptunterschied zwischen dem Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10c und dem Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10 besteht darin, dass in dem Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel 10c der vorliegenden Ausführungsform Pixelstrukturen 120c miteinander verbunden sind. Die Pixelstrukturen 120c sind durch einen verbundenen Abschnitt 1241a einer Halbleiterschicht 1241 eines ersten Typs in einer Epitaxie-Struktur 124 verbunden, so dass in einem Prozess der Herstellung des Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanels 10c Mikro-Leuchtdioden 121, 122 und 123 während des Transfers nicht abweichen, die Transferzahl zudem verringert und die Fertigungsausbeute erhöht werden kann. Insbesondere können alle Pixelstrukturen in dem Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel verbunden werden, und es können Teilpixelstrukturen gemäß einem Transferdesign verbunden werden. Die vorliegende Ausführungsform ist jedoch nicht darauf beschränkt.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass in dem Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel gemäß den Ausführungsformen der Erfindung die verbundene Halbleiterschicht des ersten Typs als eine gemeinsame Elektrode verwendet werden kann, um die Vielzahl der Mikro-Leuchtdioden elektrisch zu verbinden. Anschließend kann durch Anordnen der Wellenlängenumwandlungsstrukturen in der Halbleiterschicht des ersten Typs die Dicke der Halbleiterschicht des ersten Typs in lichtemittierenden Bereichen und unterhalb der Wellenlängenumwandlungsstrukturen verringert werden, und Unebenheiten, die durch Anordnen der Wellenlängenumwandlungsstrukturen verursacht werden, auf der Oberfläche der Epitaxie-Struktur, können ebenfalls verringert werden. Im Vergleich zu einem herkömmlichen Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel hat das Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel gemäß den Ausführungsformen der Erfindung daher die Vorteile, dass der verbundene Abschnitt der Epitaxie-Struktur als gemeinsame Elektrode zur Übertragung von Strömen verwendet wird und der nicht verbundene Abschnitt der Epitaxie-Struktur zur Verringerung des Stromverbrauchs erhalten bleibt. Darüber hinaus kann die verdünnte Halbleiterschicht des ersten Typs auch so konfiguriert werden, dass das Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel gemäß den Ausführungsformen der Erfindung die Effekte einer Erhöhung der Lichtausgaberate und einer Verringerung der Lichtleckage aufweist.

Claims

Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel (10, 10a, 10b, 10c), umfassend: ein Substrat (110); eine Vielzahl von Pixelstrukturen (120, 120c), die auf dem Substrat (110) angeordnet sind, wobei jede Pixelstruktur (120, 120c) eine Vielzahl von Mikro-Leuchtdioden (121, 122, 123) umfasst und die Mikro-Leuchtdioden (121, 122, 123) durch eine Vielzahl von verschiedenen Abschnitten einer verbundenen Epitaxie-Struktur (124) gebildet werden; und eine Vielzahl von Wellenlängenumwandlungsstrukturen (130, 131), die in der Epitaxie-Struktur (124) angeordnet und jeweils mit mindestens einem Abschnitt der Mikro-Leuchtdioden (121, 122) ausgerichtet sind.
Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel (10, 10a, 10b, 10c) gemäß Anspruch 1, wobei die Epitaxie-Struktur (124) eine Halbleiterschicht (1241) eines ersten Typs, die zumindest teilweise verbunden ist, eine Vielzahl von lichtemittierenden Schichten (1242), die voneinander getrennt sind, und eine Vielzahl von Halbleiterschichten (1243) eines zweiten Typs, die voneinander getrennt sind, umfasst, und die lichtemittierenden Schichten (1242) zwischen der Halbleiterschicht (1241) des ersten Typs und den Halbleiterschichten (1243) des zweiten Typs angeordnet sind.
Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel (10, 10a, 10b, 10c) gemäß Anspruch 2, wobei eine Dicke (A) jeder Wellenlängenumwandlungsstruktur (130, 131) größer ist als eine Dicke (B) eines verbundenen Abschnitts (1241a) der Halbleiterschicht (1241) des ersten Typs.
Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel (10, 10a, 10b, 10c)gemäß Anspruch 2, wobei das Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel (10, 10a, 10b, 10c)eine Bedingung erfüllt, dass: 1≤A/B≤50, 1,5≤A/C≤70 und 1,5≤B/C≤15, wobei A eine Dicke (A) von jeder der Wellenlängenumwandlungsstrukturen (130, 131) ist, B eine Dicke (B) eines verbundenen Abschnitts (1241a) der Halbleiterschicht (1241) des ersten Typs ist und C eine Distanz (C) von dem verbundenen Abschnitt (1241a) der Halbleiterschicht (1241) des ersten Typs zu einem Ende (1243a) jeder Halbleiterschicht (1243) des zweiten Typs entfernt von den Wellenlängenumwandlungsstrukturen (130, 131) ist, in einer Richtung senkrecht zum Substrat (110).
Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel (10, 10a, 10b, 10c) gemäß Anspruch 2, wobei eine Dicke (D) eines nicht verbundenen Abschnitts (1241b) der Halbleiterschicht (1241) des ersten Typs der Epitaxie-Struktur (124) größer ist als eine Dicke (B) eines verbundenen Abschnitts (1241a).
Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel (10, 10a, 10b, 10c) gemäß Anspruch 5, wobei ein Verhältnis der Dicke (D) des nicht verbundenen Abschnitts (1241b) zu einer Dicke (A) der Wellenlängenumwandlungsstruktur (130, 131) zwischen 0,9 und 1,1 liegt.
Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel (10, 10a, 10b, 10c) gemäß Anspruch 1, ferner umfassend eine gemeinsame Elektrodenschicht (150), die auf den Pixelstrukturen (120, 120c) angeordnet und elektrisch mit der Halbleiterschicht (1241) des ersten Typs verbunden ist.
Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel (10, 10a, 10b, 10c) gemäß Anspruch 1, wobei ein Ende (1241b1) eines von dem Substrat (110) entfernten Abschnitts der Epitaxie-Struktur (124) koplanar mit einem von dem Substrat (110) entfernten Ende (130a, 131a) jeder Wellenlängenumwandlungsstruktur (130, 131) ist.
Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel (10, 10a, 10b, 10c) gemäß Anspruch 1, ferner umfassend eine Lichtsperrschicht (140), die zwischen der Epitaxie-Struktur (124) und den Wellenlängenumwandlungsstrukturen (130, 131) angeordnet ist.
Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel (10, 10a, 10b, 10c) gemäß Anspruch 9, wobei die Lichtsperrschicht (140) elektrische Leitfähigkeit aufweist.
Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel (10, 10a, 10b, 10c) gemäß Anspruch 1, wobei ein Abstand (W1) zwischen den Mikro-Leuchtdioden (121, 122, 123) kleiner als eine Breite (W2) jeder der Mikro-Leuchtdioden (121, 122, 123) ist.
Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel (10, 10a, 10b, 10c) gemäß Anspruch 11, wobei ein Verhältnis des Abstands (W1) zwischen den Mikro-Leuchtdioden (121, 122, 123) und der Breite (W2) jeder der Mikro-Leuchtdioden (121, 122, 123) im Bereich von 0,1 bis 0,9 liegt.
Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel (10, 10a, 10b, 10c) gemäß Anspruch 11, wobei der Abstand (W1) zwischen den Mikro-Leuchtdioden (121, 122, 123) kleiner oder gleich 10 Mikrometer ist.
Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel (10, 10a, 10b, 10c) gemäß Anspruch 1, ferner umfassend eine Trennschicht (160), die auf Seitenwänden (121a, 122a, 123a) der Mikro-Leuchtdioden (121, 122, 123) und auf dem verbundenen Abschnitt (1241a) der Epitaxie-Struktur (124) bei den Mikro-Leuchtdioden (121, 122, 123) angeordnet ist.
Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel (10, 10a, 10b, 10c) gemäß Anspruch 14, wobei ein Material der Trennschicht (160) ein lichtabsorbierendes Material, ein reflektierendes Material, ein streuendes Material oder eine Kombination davon umfasst.
Mikro-Leuchtdioden-Anzeigepanel (10, 10a, 10b, 10c) gemäß Anspruch 1, wobei sich ein Abschnitt der Epitaxie-Struktur (124) zwischen den benachbarten Wellenlängenumwandlungsstrukturen (130, 131) befindet.