CN112259573B - 微型发光二极管显示器 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种微型发光二极管显示器，其包括第一型半导体基底层、多个半导体发光平台、半导体垫高部、第一接合金属层以及多个第二接合金属层。这些半导体发光平台分散地配置于第一型半导体基底层上。半导体垫高部配置于第一型半导体基底层上，其中半导体垫高部在背对第一型半导体基底层的顶面与这些半导体发光平台在背对第一型半导体基底层的多个顶面为共平面。第一接合金属层配置于半导体垫高部上。这些第二接合金属层分别配置于这些半导体发光平台上。半导体垫高部的顶面形成与第一接合金属层相邻的第一接合面，这些半导体发光平台的这些顶面分别形成与这些第二接合金属层相邻的多个第二接合面，且第一接合面与这些第二接合面为共平面。

Description

微型发光二极管显示器

技术领域

本发明涉及一种显示器，尤其涉及一种微型发光二极管显示器。

背景技术

在发光二极管显示器中，发光二极管以阵列形式排列。不同的发光二极管之间可以第一型半导体(例如N极)基底层作为共电极，第一型半导体基底层电性连接电路基板(例如TFT显示基板)上对应的电极，每个发光二极管的第二型半导体(例如P极)则分别电性连接电路基板。目前，必须设置垫高金属层，使得第一型半导体基底层对应的接合区域与第二型半导体对应的接合区域共平面。然而，上述的垫高金属层必须通过额外的制程来制造，增加了制程的时间及成本。此外，当发光二极管的尺寸较小时(例如微型发光二极管)，垫高金属层本身的膜厚精度要求变高，容易因垫高金属层的膜厚误差而使第二型半导体的接合良率不佳。

发明内容

本发明是针对一种微型发光二极管显示器，降低了制程的时间及成本。

根据本发明一实施例，提供一种微型发光二极管显示器，其包括第一型半导体基底层、多个半导体发光平台、半导体垫高部、第一接合金属层以及多个第二接合金属层。这些半导体发光平台分散地配置于第一型半导体基底层上。半导体垫高部配置于第一型半导体基底层上，其中半导体垫高部在背对第一型半导体基底层的顶面与这些半导体发光平台在背对第一型半导体基底层的多个顶面为共平面。第一接合金属层配置于半导体垫高部上。这些第二接合金属层分别配置于这些半导体发光平台上。半导体垫高部的顶面形成与第一接合金属层相邻的第一接合面，这些半导体发光平台的这些顶面分别形成与这些第二接合金属层相邻的多个第二接合面，且第一接合面与这些第二接合面为共平面。

根据本发明另一实施例，提供一种微型发光二极管显示器，包括第一型半导体基底层、多个半导体发光平台、绝缘垫高部、第一接合金属层以及多个第二接合金属层。多个半导体发光平台分散地配置于第一型半导体基底层上。绝缘垫高部配置于第一型半导体基底层上，其中绝缘垫高部在背对第一型半导体基底层的顶面与这些半导体发光平台在背对第一型半导体基底层的多个顶面为共平面。第一接合金属层配置于绝缘垫高部上。多个第二接合金属层分别配置于这些半导体发光平台上

基于上述，本发明实施例提供的微型发光二极管显示器，具备了半导体垫高部，提供了使第一型半导体对应的接合区域与第二型半导体对应的接合区域共平面的功能，且本发明的半导体垫高部可以借由制造半导体发光平台的制程来制造，换句话说，不需要额外的制程来制造垫高金属层，降低了制程的时间及成本，亦避免了现有技艺中因垫高金属层的膜厚精度导致的接合良率问题。除此之外，本发明另一实施例提供的微型发光二极管显示器，具备了绝缘垫高部，提供了使第一型半导体对应的接合区域与第二型半导体对应的接合区域共平面的功能。

附图说明

图1～图5示出了根据本发明第一实施例至第五实施例的微型发光二极管显示器的部分剖面图；

图6A示出了根据本发明第六实施例的微型发光二极管显示器的平面示意图；

图6B示出了图6A的微型发光二极管显示器延着线I-I’的剖面图；

图7示出了根据本发明第七实施例的微型发光二极管显示器的部分剖面图。

附图标记说明

100、200、300、400、500、600、700:微型发光二极管显示器

101:第一型半导体基底层

102:半导体发光平台

1021:发光层

1022、1022C:第二接合面

1023、1033:第二型半导体层

103:半导体垫高部

1031:主动层

1032:第一接合面

104、204、404、504:第二接合金属层

105:第一接合金属层

105E:外延段

1041、1051、504T:接合金属层顶面

106:电路基板

1061:第三接合金属层

1062、2062:第四接合金属层

1061S、1062S:接合面

2071、2072、307、407、507、607:绝缘层

2071H、507H:开口

507T:绝缘层顶面

608:导电层

609:反射金属层

703:绝缘垫高部

D1:距离

W1、W2:宽度

具体实施方式

现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

参照图1，其示出了根据本发明第一实施例的微型发光二极管显示器100的部分剖面图。微型发光二极管显示器100包括第一型半导体基底层101、多个半导体发光平台102、半导体垫高部103、第一接合金属层105以及多个第二接合金属层104。半导体发光平台102分散地配置于第一型半导体基底层101上。半导体垫高部103配置于第一型半导体基底层101上，其中半导体垫高部103在背对第一型半导体基底层101的顶面与这些半导体发光平台102在背对第一型半导体基底层101的多个顶面为共平面。

具体而言，半导体垫高部103可以借由制造半导体发光平台102的制程来制造并且具有与半导体发光平台102类似的结构。在本实施例中，可以利用例如蚀刻制程来制造半导体发光平台102，并同样蚀刻出半导体垫高部103。每个半导体发光平台102包括连接第一型半导体基底层101的第一型半导体层(未标示)、发光层1021以及远离第一型半导体基底层101的第二型半导体层1023。半导体垫高部103包括连接第一型半导体基底层101的第一型半导体层(未标示)、主动层1031以及远离第一型半导体基底层101的第二型半导体层1033。第二型半导体层1023以及第二型半导体层1033的电性相反于第一型半导体基底层101的电性。

根据本发明一实施例，第一型半导体基底层101是N型半导体，且每个半导体发光平台102包括连接第一型半导体基底层101的N型半导体层、发光层1021以及远离第一型半导体基底层101的P型半导体层(即图1所示的第二型半导体层1023)。发光层1021介于N型半导体层以及P型半导体层之间且可以例如是多重量子井(Multiple Quantum Well，MQW)。类似地，半导体垫高部103同样具有连接第一型半导体基底层101的N型半导体层、主动层1031以及远离第一型半导体基底层101的P型半导体层(即图1所示的第二型半导体层1033)。应当注意的是，由于半导体结构的各膜层是于制程中一起形成，故半导体垫高部103和半导体发光平台102可以在相同的蚀刻制程中制造，省去了现有技艺中制造垫高金属层的制程，降低了制造时间及成本。进一步地，半导体垫高部103、半导体发光平台102以及第一型半导体基底层101采用相同的半导体材料，三者在磊晶层中为一体的结构。

在本发明的另一实施例中，第一型半导体基底层101可以例如是P型半导体，每个半导体发光平台102以及半导体垫高部103连接第一型半导体基底层101的部分为P型半导体层，远离第一型半导体基底层101的部分为N型半导体层。

在图1所示的实施例中，第一接合金属层105配置于半导体垫高部103上。多个第二接合金属层104分别配置于多个半导体发光平台102上。半导体垫高部103的顶面形成与第一接合金属层105相邻的第一接合面1032，多个半导体发光平台102的顶面分别形成与多个第二接合金属层104相邻的多个第二接合面1022。如同前述，半导体发光平台102以及半导体垫高部103可以利用同一个蚀刻制程来制造，因此，可以通过上述的蚀刻制程控制半导体发光平台102的顶面与半导体垫高部103的顶面共面，换句话说，在半导体垫高部103和第一接合金属层105之间的第一接合面1032以及在多个半导体发光平台102和多个第二接合金属层104之间的第二接合面1022为共平面。

第一接合金属层105与多个第二接合金属层104可以通过例如沉积制程来形成，其沉积厚度可以通过制程条件来控制。因为第一接合面1032与多个第二接合面1022为共平面，当适当控制第一接合金属层105与多个第二接合金属层104的沉积厚度时，可以使得第一接合金属层105的顶面1051与多个第二接合金属层104的顶面1041具有良好的平坦度并同样维持共平面。

根据上述，可以看到，根据本发明第一实施例的微型发光二极管显示器100，包括了半导体垫高部103，半导体垫高部103与多个半导体发光平台102可以通过同一个制程来制造，使得半导体垫高部103与多个半导体发光平台102具有相同的蚀刻条件与制程时间，故两者的顶面为共平面。当沉积于半导体垫高部103上的第一接合金属层105以及沉积于多个半导体发光平台102上的多个第二接合金属层104具有相同的沉积厚度时，第一接合金属层105的顶面1051以及多个第二接合金属层104的顶面1041也是共平面，并且可以具备良好的平坦度，有利于进行下面即将描述的接合电路基板106的制程。

同样参照图1，微型发光二极管显示器100还包括了电路基板106、第三接合金属层1061以及多个第四接合金属层1062。在一个实施例中，电路基板106可以例如以IC来实现。第三接合金属层1061将第一接合金属层105与电路基板106电性连接。多个第四接合金属层1062分别将多个第二接合金属层104与电路基板106电性连接。如同前述，由于第一接合金属层105的顶面1051以及多个第二接合金属层104的顶面1041共平面，第一接合金属层105与第三接合金属层1061之间的接合面1061S共平面于每一个第二接合金属层104与对应的第四接合金属层1062之间的接合面1062S，提高第一接合金属层105与第三接合金属层1061之间的接合良率以及每一个第二接合金属层104与对应的第四接合金属层1062之间的接合良率。

当以电路基板106对第三接合金属层1061以及第四接合金属层1062施加电压，通过第三接合金属层1061以及第四接合金属层1062之间的电位差所产生的电流，致能半导体发光平台102以发出(可见)光束。具体来说，第一型半导体基底层101作为微型发光二极管显示器100的共电极，当以电路基板106对第三接合金属层1061以及第四接合金属层1062施加电压，第一接合金属层105的电性相反于第二接合金属层104的电性。半导体发光平台102的第一型半导体层(未标示)因接触第一型半导体基底层101而与第二型半导体层1023之间具备电位差，使电子空穴在发光层1021发生复合(recombination)而产生光。更具体地说，可以借由电路基板106的有源元件进行控制，例如：对于与不同的半导体发光平台102对应的第四接合金属层1062分别施加不同的电压，致使不同的半导体发光平台102因不同的电位差而发出不同强度的光束，进而在微型发光二极管显示器100的图像画面呈现图像信息。

应当说明的是，在本实施例中，第一接合金属层105包括外延段105E，其经由半导体垫高部103的侧面延伸至第一型半导体基底层101。由于第一接合金属层105借由其外延段105E电性接合第一型半导体基底层101，当以电路基板106对第三接合金属层1061施加电压，电流(或电子流)将自电路基板106经过第三接合金属层1061以及第一接合金属层105而到达第一型半导体基底层101，而较不会经过半导体垫高部103，这是由于第一接合金属层105的电阻值小于半导体垫高部103。从另一个角度来说，当以电路基板106对第三接合金属层1061施加电压，施加于半导体垫高部103的电压是逆向偏压，半导体垫高部103的主动层1031不会发生电子及空穴的复合(recombination)，所以不会发光。半导体垫高部103是虚设半导体层(dummy semiconductor layer)。

在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

参照图2，其示出了根据本发明第二实施例的微型发光二极管显示器200的部分剖面图。微型发光二极管显示器200包括第一型半导体基底层101、多个半导体发光平台102、半导体垫高部103、第一接合金属层105、多个第二接合金属层204、电路基板106、第三接合金属层1061以及多个第四接合金属层2062。

相较于微型发光二极管显示器100，微型发光二极管显示器200不同在于其进一步包括了绝缘层2071。绝缘层2071覆盖每一个半导体发光平台102的一部分，且暴露出每一个半导体发光平台102的另一部分。具体而言，每一个半导体发光平台102以第二接合面1022C与对应的第二接合金属层204接合，如图2所示。从另一个角度来看，绝缘层2071具有多个开口2071H，以暴露出多个半导体发光平台102的另一部分，且多个第二接合金属层204分别嵌入这些开口2071H中，每一个半导体发光平台102以第二接合面1022C与对应的第二接合金属层204接合。

微型发光二极管显示器200还包括绝缘层2072，绝缘层2072位于半导体垫高部103与第一接合金属层105之间，绝缘层2072在第一接合面1032接合半导体垫高部103的顶面，第一接合面1032与第二接合面1022C为共平面。绝缘层2071及2072可以是氮化层或钝化层，但本发明不以此为限。

参照图3，其示出了根据本发明第三实施例的微型发光二极管显示器300的部分剖面图。微型发光二极管显示器300包括第一型半导体基底层101、多个半导体发光平台102、半导体垫高部103、第一接合金属层105、多个第二接合金属层104、电路基板106、第三接合金属层1061、多个第四接合金属层1062以及绝缘层307。半导体垫高部103的顶面形成与第一接合金属层105相邻的第一接合面1032，多个半导体发光平台102的顶面分别形成与多个第二接合金属层104相邻的多个第二接合面1022。在半导体垫高部103和第一接合金属层105之间的第一接合面1032以及在多个半导体发光平台102和多个第二接合金属层104之间的第二接合面1022为共平面。绝缘层307覆盖了半导体发光平台102的侧面及部分顶面。

参照图4，其示出了根据本发明第四实施例的微型发光二极管显示器400的部分剖面图。微型发光二极管显示器400包括第一型半导体基底层101、多个半导体发光平台102、半导体垫高部103、第一接合金属层105、多个第二接合金属层404、电路基板106、第三接合金属层1061、多个第四接合金属层1062以及绝缘层407。半导体垫高部103的顶面形成与第一接合金属层105相邻的第一接合面1032，多个半导体发光平台102的顶面分别形成与多个第二接合金属层404相邻的多个第二接合面1022C。在半导体垫高部103和第一接合金属层105之间的第一接合面1032以及在多个半导体发光平台102和多个第二接合金属层404之间的第二接合面1022C为共平面。绝缘层407覆盖每一个半导体发光平台102的侧面及部分顶面，且暴露出每一个半导体发光平台102的一部分顶面以与对应的第二接合金属层404接合。

参照图5，其示出了根据本发明第五实施例的微型发光二极管显示器500的部分剖面图。微型发光二极管显示器500包括第一型半导体基底层101、多个半导体发光平台102、半导体垫高部103、第一接合金属层105、多个第二接合金属层504、电路基板106、第三接合金属层1061、多个第四接合金属层1062以及绝缘层507。绝缘层507具有多个开口507H，以暴露出每一个半导体发光平台102的一部分顶面，且多个第二接合金属层504分别嵌入这些开口507H中以与对应的半导体发光平台102接合。这些第二接合金属层504的背对第一半导体基底层101的顶面504T与绝缘层507的背对第一半导体基底层101的顶面507T齐平。

参照图6A及图6B，图6A示出了根据本发明第六实施例的微型发光二极管显示器600的平面示意图，图6B示出了微型发光二极管显示器600延着线I-I’的剖面图。微型发光二极管显示器600包括第一型半导体基底层101、多个半导体发光平台102、半导体垫高部103、第一接合金属层105、多个第二接合金属层104、电路基板106、第三接合金属层1061、多个第四接合金属层1062以及导电层608。

在本实施例中，进一步设置了导电层608。导电层608为图案化结构，配置于第一型半导体基底层101上并与多个半导体发光平台102交错分布，且第一接合金属层105的外延段105E借由导电层608电性接合第一型半导体基底层101。导电层608的材料可包括铬、铂、金、铝、钛、硅、银、铜、锡、镍、铟、上述元素的合金、透明导电膜如氧化铟锡或其组合，但是本发明不以此为限。例如，导电层608可以是金属氧化物层以及石墨烯中的一者。具体而言，利用导电层608的电阻值低于第一型半导体基底层101的特性，使得电子(或空穴)可以较容易地传递至较远离第一接合金属层105的半导体发光平台102，而使得距离第一接合金属层105较远的半导体发光平台102仍具有足够的电子空穴对以进行复合，进而改善微型发光二极管显示器600整体亮度的均匀性。

在本发明的一个实施例中，半导体垫高部103与最靠近的半导体发光平台102在一方向上的最小距离为D1，第一接合金属层105的外延段105E在此方向上具备宽度W1，导电层608在此方向上具备宽度W2，其中外延段105E的宽度W1小于导电层608的宽度W2，导电层608的宽度W2小于前述距离D1。外延段105E的宽度W1大于0.1微米，且前述距离D1小于5毫米，但是本发明不以此为限。

在图6A及图6B所示的实施例中，微型发光二极管显示器600还包括了绝缘层607以及多个反射金属层609。多个反射金属层609分别配置于多个半导体发光平台102的侧面，每一个反射金属层609被设置以反射自对应的半导体发光平台102的发光层1021射出的光束，增加微型发光二极管显示器600的显示面的出光量，并避免不同的半导体发光平台102的发光层1021射出的光束发生混光(mixing)的状况。绝缘层607配置于每一个反射金属层609与对应的半导体发光平台102之间，以绝缘反射金属层609与半导体发光平台102，避免反射金属层609与半导体发光平台102发生短路。反射金属层609可以包括铝、钛、银、铬等导电材料，但是本发明不以此为限。

另外说明的是，图6A与图6B所示出的导电层608和/或反射金属层609亦可搭配绝缘材料而在图1至图5的各个实施例中实现，以增进这些实施例中的电性传导与光学表现。

参照图7，其示出了根据本发明第七实施例的微型发光二极管显示器700的部分剖面图。微型发光二极管显示器700包括第一型半导体基底层101、多个半导体发光平台102、绝缘垫高部703、第一接合金属层105、多个第二接合金属层104、电路基板106、第三接合金属层1061、多个第四接合金属层1062以及绝缘层507。微型发光二极管显示器700与微型发光二极管显示器100不同仅在于绝缘垫高部703的配置，而不是微型发光二极管显示器100中的半导体垫高部103。微型发光二极管显示器700与微型发光二极管显示器100相同在于电路基板106通过第三接合金属层1061以及多个第四接合金属层1062施加电压，电流(或电子流)将自电路基板106经过第三接合金属层1061以及第一接合金属层105而到达第一型半导体基底层101，并连同经过第四接合金属层1062以及第二接合金属层104的电子流(或电流)，使半导体发光平台102产生电子与空穴，电子与空穴在发光层1021复合，致使发光层1021发光。

另外，前述的绝缘垫高部703，其电性绝缘是指相对于第一接合金属层105为绝缘，但本发明并不限定绝缘垫高部703的整体必须为绝缘材料。例如在其他实施例中，绝缘垫高部703可以如同图2、图6B所示出，仅在表面涂布绝缘材料以达成绝缘效果。或者，在更多的一些实施例中，绝缘垫高部703可以为非掺杂区域(例如使用栅状结构掺杂)，借以形成电性绝缘。

在本发明的其他实施例中，类似于第二实施例至第六实施例，对微型发光二极管显示器700的配置进行了改变，例如设置绝缘层、导电层以及反射金属层等，详细的实施方式可以参考上述第二实施例至第六实施例的微型发光二极管显示器的描述细节，在此不再重述。

综上所述，本发明实施例提供的微型发光二极管显示器，具备了半导体垫高部或绝缘垫高部，提供了使第一型半导体对应的接合区域与第二型半导体对应的接合区域共平面的功能。尤其，在具备半导体垫高部的微型发光二极管显示器中，半导体垫高部可以借由制造半导体发光平台的制程来制造，降低了制造微型发光二极管显示器的时间及成本，也同时避免了现有技艺中因垫高金属层的膜厚精度导致的接合良率问题。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (20)

1.一种微型发光二极管显示器，其特征在于，包括：

第一型半导体基底层；

多个半导体发光平台，分散地配置于所述第一型半导体基底层上；

半导体垫高部，配置于所述第一型半导体基底层上，其中所述半导体垫高部在背对所述第一型半导体基底层的顶面与所述多个半导体发光平台在背对所述第一型半导体基底层的多个顶面为共平面；

第一接合金属层，配置于所述半导体垫高部上，且包括外延段，其经由所述半导体垫高部的侧面延伸至所述第一型半导体基底层，其中所述半导体垫高部的所述顶面为连续且平坦的表面，所述顶面与所述第一接合金属层之间的接触面在所述连续且平坦的表面上；以及

多个第二接合金属层，分别配置于所述多个半导体发光平台上；

其中所述半导体垫高部的所述顶面形成与所述第一接合金属层相邻的第一接合面，所述多个半导体发光平台的所述多个顶面分别形成与所述多个第二接合金属层相邻的多个第二接合面，且所述第一接合面与所述多个第二接合面为共平面，每一半导体发光平台与所述半导体垫高部各自包括：

第二型半导体层；以及

主动层，位于所述第一型半导体基底层与所述第二型半导体层之间，其中所述半导体垫高部为虚设半导体层。

2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，所述第二型半导体层的电性相反于所述第一型半导体基底层的电性。

3.根据权利要求2所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，所述第一接合金属层的电性相反于所述多个第二接合金属层的电性。

4.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，还包括导电层，其为图案化结构，所述导电层配置于所述第一型半导体基底层上并与所述多个半导体发光平台交错分布，且所述外延段借由所述导电层电性连接所述第一型半导体基底层。

5.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，所述第一接合金属层在垂直于所述第一型半导体基底层的方向上的沉积厚度等于所述多个第二接合金属层在垂直于所述第一型半导体基底层的方向上的沉积厚度。

6.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，还包括：

电路基板；

第三接合金属层，将所述第一接合金属层与所述电路基板电性接合；以及

多个第四接合金属层，分别将所述多个第二接合金属层与所述电路基板电性接合，其中所述第一接合金属层与所述第三接合金属层之间的接合面共平面于每一第二接合金属层与对应的第四接合金属层之间的接合面。

7.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，还包括绝缘层，覆盖每一所述半导体发光平台的一部分，且暴露出每一所述半导体发光平台的另一部分以与对应的第二接合金属层接合。

8.根据权利要求7所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，所述绝缘层具有多个开口，以暴露出所述多个半导体发光平台的所述另一部分，且所述多个第二接合金属层分别嵌入所述多个开口中以与对应的所述多个半导体发光平台接合。

9.根据权利要求8所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，所述多个第二接合金属层的背对第一半导体基底层的顶面与所述绝缘层的背对所述第一半导体基底层的顶面齐平。

10.根据权利要求7所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，所述绝缘层更覆盖所述半导体垫高部。

11.根据权利要求10所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，所述绝缘层与所述第一接合金属层之间的接合面共平面于所述绝缘层与所述第二接合金属层之间的接合面。

12.根据权利要求7所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，还包括多个反射金属层，分别配置于所述多个半导体发光平台的侧面，其中所述绝缘层配置于每一反射金属层与对应的半导体发光平台之间。

13.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，还包括绝缘层，位于所述半导体垫高部与所述第一接合金属层之间，其中所述绝缘层在所述第一接合面接合所述半导体垫高部的所述顶面。

14.一种微型发光二极管显示器，其特征在于，包括：

第一型半导体基底层；

多个半导体发光平台，分散地配置于所述第一型半导体基底层上；

绝缘垫高部，配置于所述第一型半导体基底层上，其中所述绝缘垫高部在背对所述第一型半导体基底层的顶面与所述多个半导体发光平台在背对所述第一型半导体基底层的多个顶面为共平面；

第一接合金属层，配置于所述绝缘垫高部上，其中所述绝缘垫高部相对于所述第一接合金属层为绝缘；以及

多个第二接合金属层，分别配置于所述多个半导体发光平台上。

15.根据权利要求14所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，所述第一接合金属层包括外延段，其经由所述绝缘垫高部的侧面延伸至所述第一型半导体基底层。

16.根据权利要求15所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，还包括导电层，其为图案化结构，所述导电层配置于所述第一型半导体基底层上并与所述多个半导体发光平台交错分布，且所述外延段借由所述导电层电性连接所述第一型半导体基底层。

17.根据权利要求14所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，还包括：

电路基板；

第三接合金属层，将所述第一接合金属层与所述电路基板电性接合；以及

多个第四接合金属层，分别将所述多个第二接合金属层与所述电路基板电性接合，其中所述第一接合金属层与所述第三接合金属层之间的接合面共平面于每一第二接合金属层与对应的第四接合金属层之间的接合面。

18.根据权利要求14所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，还包括绝缘层，覆盖每一半导体发光平台的一部分，且暴露出每一半导体发光平台的另一部分以与对应的第二接合金属层接合。

19.根据权利要求18所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，所述绝缘层具有多个开口，以暴露出所述多个半导体发光平台的所述另一部分，且所述多个第二接合金属层分别嵌入所述多个开口中以与对应的所述多个半导体发光平台接合。

20.根据权利要求19所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，所述多个第二接合金属层的背对第一半导体基底层的顶面与所述绝缘层的背对所述第一半导体基底层的顶面齐平。

Images