DE102022116155A1 - Anzeigegerät - Google Patents

Anzeigegerät Download PDF

Info

Publication number
DE102022116155A1
DE102022116155A1 DE102022116155.2A DE102022116155A DE102022116155A1 DE 102022116155 A1 DE102022116155 A1 DE 102022116155A1 DE 102022116155 A DE102022116155 A DE 102022116155A DE 102022116155 A1 DE102022116155 A1 DE 102022116155A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
led cells
semiconductor layer
display device
layer
led
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102022116155.2A
Other languages
English (en)
Inventor
Jihye YEON
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of DE102022116155A1 publication Critical patent/DE102022116155A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/201—Filters in the form of arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Ein Anzeigegerät enthält ein Schaltungssubstrat (200) mit Treiberschaltungen und ersten Bondelektroden (298) und eine Pixelarray (100) mit LED-Zellen (110), wobei jede der LED-Zellen (110) eine Halbleiterschicht eines ersten und eine Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps (112, 116) mit einer aktiven Schicht (114) dazwischen aufweist, zweite Bondelektroden (198) auf den ersten Bondelektroden (298), Wellenlängenkonverter (160R, 160G, 160B) auf den LED-Zellen (110), eine obere Halbleiterschicht (111) auf den LED-Zellen (110) und eine Teilungsstruktur aufweisend, die Seitenflächen der Wellenlängenkonverter (160R, 160G, 160B) umgibt und die Wellenlängenkonverter (160R, 160G, 160B) trennt, eine erste reflektierende Elektrode (130) auf den Seitenflächen der LED-Zellen (110), die von den LED-Zellen (110) durch eine Passivierungsschicht (120) beabstandet ist und sich zwischen den LED-Zellen (110) erstreckt, zweite reflektierende Elektroden (150) auf den unteren Oberflächen der LED-Zellen (110) und verbunden mit den Halbleiterschichten des zweiten Leitfähigkeitstyps (116), eine gemeinsame Elektrode (145) auf zumindest einer Seite der LED-Zellen (110) und eine Kontaktstellen-Elektrode (199) außerhalb der LED-Zellen (110) und elektrisch verbunden mit den Treiberschaltungen.

Description

  • HINTERGRUND
  • 1, Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft ein Anzeigegerät, und insbesondere ein Anzeigegerät mit einer Leuchtdiode (LED).
  • 2. Beschreibung des Stands der Technik
  • Eine Halbleiterleuchtdiode (LED) kann nicht nur als Lichtquelle einer Beleuchtungsvorrichtung, sondern auch als Lichtquelle für verschiedene elektronische Produkte verwendet werden. Insbesondere kann die LED weit verbreitet als Lichtquelle für verschiedene Anzeigegeräte verwendet werden, beispielsweise für Fernsehgeräte (TVs), Mobiltelefone, Personal Computer (PCs), Notebooks, Persönlich Digitale Assistenten (PDAs) und dergleichen.
  • Ein Anzeigegerät kann zum Beispiel eine Anzeigefeld mit einer Flüssigkristallanzeige (LCD) und einer separaten Hintergrundbeleuchtung enthalten. In einem anderen Beispiel kann die Hintergrundbeleuchtung möglicherweise nicht separat sein, sondern kann stattdessen mit einer als Pixel verwendeten LED konfiguriert sein. Ein solches Anzeigegerät kann miniaturisiert werden, und es kann ein Anzeigegerät mit hoher Helligkeit und überlegener Lichteffizienz geschaffen werden.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die Erfindung ist durch die beigefügten Ansprüche definiert. Gemäß der Erfindung ist ein hocheffizientes Anzeigegerät vorgesehen, das in einem vereinfachten Verfahren hergestellt werden kann. Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung kann ein Anzeigegerät ein Schaltungssubstrat mit Treiberschaltungen (bzw. Antreibschaltungen) und ersten Bondelektroden enthalten, und ein Pixelarray auf dem Schaltungssubstrat, wobei das Pixelarray Leuchtdiodenzellen (LED-Zellen) aufweist, die Pixel bilden, wobei jede der LED-Zellen eine Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine aktive Schicht, und eine Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, die aufeinanderfolgend gestapelt sind, sowie zweite Bondelektroden, die mit den ersten Bondelektroden verbunden sind, Wellenlängenkonverter auf den oberen Oberflächen der LED-Zellen, eine obere Halbleiterschicht auf den LED-Zellen, wobei die obere Halbleiterschicht eine Teilungsstruktur aufweist, die Seitenflächen der Wellenlängenkonverter umgibt und die Wellenlängenkonverter voneinander trennt, eine Passivierungsschicht, die sich von unteren Oberflächen der LED-Zellen so erstreckt, dass sie Seitenflächen der LED-Zellen bedeckt, eine erste reflektierende Elektrode auf den Seitenflächen der LED-Zellen, wobei die erste reflektierende Elektrode durch die Passivierungsschicht von den LED-Zellen beabstandet ist und sich in einen Bereich zwischen den LED-Zellen erstreckt, zweite reflektierende Elektroden auf den unteren Oberflächen der LED-Zellen, die jeweils mit den Halbleiterschichten des zweiten Leitfähigkeitstyps verbunden sind, eine gemeinsame Elektrode auf mindestens einer Seite der LED-Zellen und eine Kontaktstellen-Elektrode außerhalb der LED-Zellen, die elektrisch mit den Treiberschaltungen verbunden ist.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthält ein Anzeigegerät ein Schaltungssubstrat mit Treiberschaltungen und ein Pixelarray auf dem Schaltungssubstrat, wobei das Pixelarray eine Mehrzahl an Pixeln aufweist, wobei Leuchtdiodenzellen (LED-Zellen) die Mehrzahl an Pixeln bilden, wobei jede der LED-Zellen eine Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine aktive Schicht und eine Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, die aufeinanderfolgend gestapelt sind, Wellenlängenkonverter auf oberen Oberflächen der LED-Zellen, eine erste reflektierende Elektrode, die sich von Seitenflächen der LED-Zellen zu einer Außenseite der LED-Zellen erstreckt, wobei sich die erste reflektierende Elektrode zwischen einander zugewandten Seitenflächen von benachbarten LED-Zellen erstreckt und eine Gitterform entlang eines Bereichs zwischen benachbarten LED-Zellen aufweist, und zweite reflektierende Elektroden auf unteren Oberflächen der LED-Zellen, die jeweils mit den Halbleiterschichten des zweiten Leitfähigkeitstyps verbunden sind.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthält ein Anzeigegerät ein Schaltungssubstrat mit Treiberschaltungen und ersten Bondelektroden, und ein Pixelarray auf dem Schaltungssubstrat, wobei das Pixelarray Leuchtdiodenzellen (LED-Zellen) aufweist, die eine Mehrzahl an Pixeln bilden, wobei jede der LED-Zellen eine Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine aktive Schicht und eine Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, die aufeinanderfolgend gestapelt sind, eine erste reflektierende Elektrode in einem Bereich zwischen benachbarten LED-Zellen, ohne die LED-Zellen vertikal zu überlappen, zweite reflektierende Elektroden, die mit den Halbleiterschichten des zweiten Leitfähigkeitstyps verbunden sind, eine erste reflektierende Elektrode in einem Bereich zwischen benachbarten LED-Zellen, ohne die LED-Zellen vertikal zu überlappen, zweite reflektierende Elektroden, die mit den Halbleiterschichten des zweiten Leitfähigkeitstyps verbunden sind, wobei jede der zweiten reflektierenden Elektroden so unterhalb einer unteren Oberfläche einer entsprechenden LED-Zelle liegt, dass sie die LED-Zellen vertikal überlappt, Wellenlängenkonverter auf oberen Oberflächen der LED-Zellen, wobei eine obere Halbleiterschicht eine Teilungsstruktur aufweist, die Seitenflächen der Wellenlängenkonverter umgibt und die Wellenlängenkonverter voneinander trennt, eine gemeinsame Elektrode auf mindestens einer Seite der LED-Zellen und zweite Bondelektroden, die mit den ersten Bondelektroden verbunden sind, wobei ein erster Teilbereich der zweiten Bondelektroden außerhalb der LED-Zellen über die gemeinsame Elektrode mit der ersten reflektierenden Elektrode verbunden ist, und ein zweiter Teilbereich der zweiten Bondelektroden direkt mit den zweiten reflektierenden Elektroden verbunden ist.
  • Figurenliste
  • Merkmale werden für den Fachmann durch die detaillierte Beschreibung von Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ersichtlich, in denen:
    • 1 eine perspektivische Ansicht eines Anzeigegerätes gemäß beispielhaften Ausführungsformen ist.
    • 2 eine schematische Draufsicht auf ein Anzeigegerät gemäß beispielhaften Ausführungsformen ist.
    • 3 eine Querschnittsansicht entlang der Linie I-I' von 1 und der Linie II-II' von 2 gemäß beispielhaften Ausführungsformen ist.
    • 4 eine perspektivische Ansicht einer ersten reflektierenden Elektrode eines Anzeigegerätes gemäß beispielhaften Ausführungsformen ist.
    • 5 eine Treiberschaltung ist, die in einem Anzeigegerät gemäß beispielhaften Ausführungsformen realisiert ist.
    • 6 eine Querschnittsansicht ist, die schematisch ein Anzeigegerät gemäß beispielhaften Ausführungsformen zeigt.
    • 7A bis 7C Querschnittsansichten und eine Draufsicht sind, die schematisch ein Anzeigegerät gemäß beispielhaften Ausführungsformen zeigen.
    • 8 eine Querschnittsansicht ist, die schematisch ein Anzeigegerät gemäß beispielhaften Ausführungsformen zeigt.
    • 9A bis 9O Querschnittsansichten von Schritten in einem Verfahren zur Herstellung eines Anzeigegeräts gemäß beispielhaften Ausführungsformen sind.
    • 10 ein Konzeptschema einer elektronischen Vorrichtung ist, die ein Anzeigegerät gemäß beispielhaften Ausführungsformen enthält.
  • DETAILIERTE BESCHREIBUNG
  • Im Folgenden werden beispielhafte Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Anzeigegeräts gemäß beispielhaften Ausführungsformen. 2 ist eine vergrößerte Draufsicht auf den Bereich „A“ von 1.
  • Sofern nicht anders angegeben, können in dieser Spezifikation Begriffe wie „auf”, „ober“, „oberer Teilbereich“, „obere Oberfläche“, „unter“, „unterer“, „unterer Teilbereich“, „untere Oberfläche“ und „Seitenfläche“ auf den Zeichnungen basieren und hängen tatsächlich von einer Richtung ab, in der ein Element angeordnet ist.
  • Bezugnehmend auf 1 und 2 kann ein Anzeigegerät 10 ein Schaltungssubstrat 200 mit Treiberschaltungen (bzw. Antreibschaltungen) und ein Pixelarray 100 enthalten, das auf dem Schaltungssubstrat 200 angeordnet ist und in dem eine Mehrzahl an Pixeln PX angeordnet sind. Beispielsweise kann die Mehrzahl an Pixeln PX auch als ein Pixelbereich PX bezeichnet werden, der die Mehrzahl an Pixeln PX enthält. Das Anzeigegerät 10 kann ferner einen Rahmen 11 enthalten, der das Schaltungssubstrat 200 und das Pixelarray 100 umgibt.
  • Das Schaltungssubstrat 200 kann ein Treiberschaltungssubstrat sein, das Dünnschichttransistorzellen (TFT) enthält. Bei einigen Ausführungsformen kann das Schaltungssubstrat 200 nur einige der Treiberschaltungen für das Anzeigegerät enthalten. In diesem Fall kann das Anzeigegerät 10 noch weitere Treibervorrichtungen (bzw. Antreibvorrichtungen) enthalten. Bei einigen Ausführungsformen kann das Schaltungssubstrat 200 ein Anzeigegerät mit einem gekrümmten Profil realisieren, dadurch dass es ein flexibles Substrat enthält.
  • Das Pixelarray 100 kann einem LED-Modul für eine Anzeige entsprechen. Das Pixelarray 100 kann ferner Verbindungskontaktstellen PAD, einen Verbindungsbereich CR, der die Mehrzahl an Pixeln PX und die Verbindungskontaktstellen PAD verbindet, und einen Randbereich ISO enthalten, zusätzlich zu der Mehrzahl an Pixeln PX.
  • Jedes aus der Mehrzahl an Pixeln PX kann ein erstes bis drittes Subpixel SP1, SP2 und SP3 enthalten, die dazu konfiguriert sind, Licht bestimmter Wellenlängen, beispielsweise bestimmter Farben, die sich voneinander unterscheiden, zu emittieren, um ein Farbbild bereitzustellen. Beispielsweise können die ersten bis dritten Subpixel SP1, SP2 und SP3 dazu konfiguriert sein, blaues (B) Licht, grünes (G) Licht bzw. rotes (R) Licht zu emittieren. In jedem Pixel PX können die ersten bis dritten Subpixel SP1, SP2 und SP3 beispielsweise in einem Bayer-Muster angeordnet sein. Konkret kann jedes der Pixel PX ein erstes und ein drittes Subpixel SP1 und SP3 enthalten, die in einer ersten diagonalen Richtung angeordnet sind, und zwei zweite Subpixel SP2, die in einer zweiten diagonalen Richtung angeordnet sind, die die erste diagonale Richtung schneidet.
  • In 2 ist jedes der Pixel PX so dargestellt, dass es eine Konfiguration aufweist, bei der die ersten bis dritten Subpixel SP1, SP2 und SP3 in einem 2×2-Bayer-Muster angeordnet sind, aber Ausführungsformen sind darauf nicht beschränkt. Bei anderen Ausführungsformen kann jedes der Pixel PX in einer anderen Anordnung konfiguriert sein, wie etwa 3×3, 4×4 oder dergleichen. Außerdem können bei Ausführungsformen einige Subpixel dazu konfiguriert sein, Licht zu emittieren, das eine andere Farbe als die dargestellten Farben (R, G und B) hat, beispielsweise gelbes Licht. In der Pixelmatrix 100 von 1 ist die Mehrzahl an Pixeln PX in einer 15 x 15-Anordnung dargestellt, aber die Anzahl der Spalten und Zeilen kann jede geeignete Anzahl sein, beispielsweise 1024 x 768 oder ähnliches. Beispielsweise kann die Mehrzahl an Pixeln PX in Übereinstimmung mit einer gewünschten Auflösung eine andere Anordnung aufweisen.
  • Die Verbindungskontaktstellen PAD können auf mindestens einer Seite der Mehrzahl an Pixeln PX entlang eines Rands des Anzeigegerätes 10 angeordnet sein. Die Verbindungskontaktstellen PAD können mit der Mehrzahl an Pixeln PX und den Treiberschaltungen des Schaltungssubstrats 200 elektrisch verbunden sein. Die Verbindungskontaktstellen PAD können eine externe Vorrichtung und das Anzeigegerät 10 elektrisch verbinden. Gemäß Ausführungsformen kann die Anzahl der Verbindungskontaktstellen PAD auf verschiedene Weise verändert sein, beispielsweise kann sie entsprechend der Anzahl der Pixel PX, einem Verfahren zur Ansteuerung der TFT-Schaltung in dem Schaltungssubstrat 200 oder ähnlichem bestimmt sein.
  • Der Verbindungsbereich CR kann ein Bereich sein, der zwischen der Mehrzahl an Pixeln PX und den Verbindungskontaktstellen PAD liegt, beispielsweise ein Bereich zwischen der Mehrzahl an Pixeln PX und den Verbindungskontaktstellen PAD in der X-Richtung von 1. Eine Verbindungsstruktur, die mit der Mehrzahl an Pixeln PX elektrisch verbunden ist, beispielsweise eine gemeinsame Elektrode oder dergleichen, kann in dem Verbindungsbereich CR angeordnet sein, beispielsweise kann sich zumindest ein Teilbereich der gemeinsamen Elektrode 145 von 3 in der Y-Richtung von 1 entlang der gesamten Länge des Pixelarrays 100 zwischen den Pixeln PX und den Verbindungskontaktstellen PAD erstrecken.
  • Der Randbereich ISO kann ein Bereich entlang Ränder des Pixelarrays 100 sein. Der Randbereich ISO kann ein Bereich sein, in dem eine obere Halbleiterschicht 111 nicht angeordnet ist, wie im Folgenden mit Bezug auf 3 beschrieben wird.
  • Der Rahmen 11 kann um das Pixelarray 100 herum angeordnet sein, um als Führung zur Definition eines Anordnungsraums des Pixelarrays 100 zu dienen. Der Rahmen 11 kann mindestens eines von beispielsweise einem Polymer, einer Keramik, einem Halbleiter oder einem Metall enthalten. Der Rahmen 11 kann zum Beispiel eine schwarze Matrix enthalten. Der Rahmen 11 ist nicht auf die schwarze Matrix beschränkt und kann je nach Zweck des Anzeigegeräts 10 auch eine weiße Matrix oder eine Struktur mit einer anderen Farbe aufweisen. Die weiße Matrix kann zum Beispiel ein reflektierendes oder ein streuendes Material enthalten. Obwohl das Anzeigegerät 10 in 1 mit einer rechteckigen, ebenen Struktur gezeigt wird, kann das Anzeigegerät 10 gemäß Ausführungsformen eine andere Form aufweisen.
  • 3 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Anzeigegerät gemäß beispielhaften Ausführungsformen zeigt. 3 zeigt einen Querschnitt von 1 entlang I-I', und einen Querschnitt von 2 entlang II-II'.
  • 4 ist eine perspektivische Ansicht, die schematisch eine erste reflektierende Elektrode eines Anzeigegeräts gemäß beispielhaften Ausführungsformen zeigt.
  • Bezugnehmend auf 3 kann das Anzeigegerät 10 das Schaltungssubstrat 200 und das auf dem Schaltungssubstrat 200 angeordnete Pixelarray 100 enthalten.
  • Das Schaltungssubstrat 200 kann ein Halbleitersubstrat 201, eine Treiberschaltung, die Treiberelementen (bzw. Antreibelementen) 220 mit den auf dem Halbleitersubstrat 201 ausgebildeten TFT-Zellen enthält, Verbindungsabschnitte 230, die elektrisch mit den Treiberelementen 220 verbunden sind, Verbindungsleitungen 240 auf den Verbindungsabschnitten 230 und eine Schaltungsisolierschicht 290, die die Treiberschaltung bedeckt, enthalten. Das Schaltungssubstrat 200 kann ferner eine erste Bondisolierschicht 295 auf der Schaltungsisolierschicht 290 und erste Bondelektroden 298, die in der ersten Bondisolierschicht 295 angeordnet und mit den Verbindungsleitungen 240 verbunden sind, enthalten.
  • Das Halbleitersubstrat 201 kann Störstellenbereiche mit Source/Drain-Bereichen 205 enthalten. Beispielsweise kann das Halbleitersubstrat 201 einen Halbleiter, beispielsweise Silizium (Si) oder Germanium (Ge), oder einen Verbindungshalbleiter, beispielsweise SiGe, SiC, GaAs, InAs oder InP, enthalten. Das Halbleitersubstrat 201 kann ferner Durchgangselektroden 250, beispielsweise eine Silizium-Durchkontaktierung (TSV), enthalten, die mit der Treiberschaltung verbunden sind, sowie erste und zweite Substratverbindungsleitungen 261 und 262, die mit den Durchgangselektroden 250 verbunden sind.
  • Die Treiberschaltung kann eine Schaltung zur Steuerung der Ansteuerung eines Pixels, beispielsweise eines Subpixels, enthalten. Beispielsweise kann ein Source-Bereich der Source/Drain-Bereiche 205 der TFT-Zellen über den Verbindungsabschnitt 230, die Verbindungsleitung 240 und die erste Bondelektrode 298 elektrisch mit einer Elektrode der Leuchtdiodenzellen (LED-Zellen) 110 verbunden sein. Beispielsweise kann ein Drain-Bereich der Source/Drain-Bereiche 205 der TFT-Zellen über die Durchgangselektrode 250 mit der ersten Substratverbindungsleitung 261 verbunden sein, und die erste Substratverbindungsleitung 261 kann mit einer Datenleitung verbunden sein. Gate-Elektroden der TFT-Zellen können über die Durchgangselektrode 250 mit der zweiten Substratverbindungsleitung 262 verbunden sein, und die zweite Substratverbindungsleitung 262 kann mit einer Gate-Leitung verbunden sein. Eine solche Schaltungskonfiguration und ihr Betrieb werden im Folgenden unter Bezugnahme auf 5 ausführlicher beschrieben.
  • Obere Oberflächen der ersten Bondelektroden 298 und obere Oberflächen der ersten Bondisolierschicht 295 können eine obere Oberfläche des Schaltungssubstrats 200 bilden. Die ersten Bondelektroden 298 können mit den zweiten Bondelektroden 198 des Pixelarrays 100 verbunden sein, um einen elektrischen Verbindungspfad bereitzustellen. Die ersten Bondelektroden 298 können ein leitfähiges Material enthalten, beispielsweise Kupfer (Cu). Die erste Bondisolierschicht 295 kann mit einer zweiten Bondisolierschicht 195 des Pixelarrays 100 verbunden sein. Die erste Bondisolierschicht 295 kann beispielsweise zumindest eines von SiO, SiN, SiCN, SiOC, SiON oder SiOCN enthalten.
  • Das Pixelarray 100 kann eine obere Halbleiterschicht 111, die LED-Zellen 110 auf einer unteren Oberfläche der oberen Halbleiterschicht 111, eine Passivierungsschicht 120, die Seitenflächen der LED-Zellen 110 bedeckt, erste und zweite reflektierende Elektroden 130 und 150, die mit den LED-Zellen 110 verbunden sind, Wellenlängenkonverter 160R, 160G und 160B auf den LED-Zellen 110, Farbfilter 180R, 180G und Mikrolinsen 185 enthalten. Das Pixelarray 100 kann ferner Kontaktschichten 155 auf den unteren Oberflächen der LED-Zellen 110, reflektierende Teilungsschichten 170, die Seitenflächen und untere Oberflächen der Wellenlängenkonverter 160R, 160G und 160B umgeben, eine Einkapselungsschicht 182 und eine Planarisierungsschicht 184 auf den Wellenlängenkonvertern 160R, 160G und 160B, eine gemeinsame Elektrode 145, eine erste Kontaktstellen-Elektrode 147, eine Verbindungsisolierschicht 190, die zweite Bondisolierschicht 195, die zweiten Bondelektroden 198 und eine zweite Kontaktstellen-Elektrode 199 enthalten.
  • Die obere Halbleiterschicht 111 kann auf den LED-Zellen 110 angeordnet sein. In den Pixeln PX kann die obere Halbleiterschicht 111 die Seitenflächen der Wellenlängenkonverter 160R, 160G und 160B umgeben und eine Teilungsstruktur aufweisen, die beispielsweise die Wellenlängenkonverter 160R, 160G und 160B vollständig voneinander trennt. Wie in 2 und 3 gezeigt, kann die obere Halbleiterschicht 111 beispielsweise eine Gitterstruktur aufweisen, die einen Umriss jeder der Wellenlängenkonverter 160R, 160G und 160B in einer Draufsicht (2) vollständig umgibt. Aufgrund der Teilungsstruktur der oberen Halbleiterschicht 111 kann das von den LED-Zellen 110 emittierte Licht durch die Wellenlängenkonverter 160R, 160G und 160B emittiert werden, ohne sich dabei gegenseitig zu stören. Die obere Halbleiterschicht 111 kann zwischen den Wellenlängenkonvertern 160R, 160G und 160B Seitenflächen aufweisen, die senkrecht zur Z-Richtung sind oder zur Z-Richtung geneigt sind. Zum Beispiel kann bei einigen Ausführungsformen die obere Halbleiterschicht 111 Seitenflächen aufweisen, die so geneigt sind, dass eine Breite eines oberen Teilbereichs im Vergleich zu einer Breite eines unteren Teilbereichs verringert ist. Die obere Halbleiterschicht 111 kann so angeordnet sein, dass sie sich so in den Verbindungsbereich CR erstreckt, dass sie eine durchgehende Schicht und keine Teilungsstruktur ausbildet, und kann sich beispielsweise auf die gemeinsame Elektrode 145 erstrecken. Die obere Halbleiterschicht 111 kann in der Verbindungskontaktstelle PAD so angeordnet sein, dass sie eine Konfiguration aufweist, bei der zumindest ein Teilbereich entfernt ist, und kann möglicherweise nicht in dem Randbereich ISO angeordnet sein.
  • Die obere Halbleiterschicht 111 kann einen Bereich enthalten, der in eine Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps 112 der LED-Zellen 110 integriert ist oder sich an diese anschließt. Die obere Halbleiterschicht 111 kann eine während eines Wachstumsprozesses der LED-Zellen 110 gewachsene Schicht sein. Beispielsweise kann die obere Halbleiterschicht 111 das gleiche Material wie die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112 enthalten, beispielsweise zumindest in einem Bereich, der an die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112 angrenzt. Beispielsweise kann die obere Halbleiterschicht 111 eine undotierte Schicht und eine dotierte Schicht enthalten. Beispielsweise kann die obere Halbleiterschicht 111 eine epitaktische Nitrid-Halbleiterschicht enthalten. Eine Grenzfläche zwischen der oberen Halbleiterschicht 111 und der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112 ist möglicherweise nicht zu unterscheiden. Die obere Halbleiterschicht 111 und die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112 können jedoch im Wesentlichen durch die Positionen der unteren Oberflächen der reflektierende Teilungsschichten 170 unterschieden und erkannt werden.
  • Die LED-Zellen 110 können die Mehrzahl an Pixeln PX bilden, beispielsweise kann jede der LED-Zellen 110 jeweils ein entsprechendes der ersten bis dritten Subpixel SP1, SP2 und SP3 bilden und jeweils eine Mikro-LED bilden. Die LED-Zellen 110 können in Spalten und Reihen angeordnet sein. Die LED-Zellen 110 können blaues Licht erzeugen, beispielsweise Licht, das eine Wellenlänge von 435 nm bis 460 nm aufweist. Jede der LED-Zellen 110 kann die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112, eine aktive Schicht 114 und eine Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 116 enthalten, die aufeinanderfolgend auf der unteren Oberfläche der oberen Halbleiterschicht 111 gestapelt sind.
  • Halbleiterschichten des ersten Leitfähigkeitstyps 112 können so angeordnet sein, dass sich obere Bereiche davon von dem Pixel PX zu dem Verbindungsbereich CR und einem Teilbereich der Verbindungskontaktstelle PAD entlang der oberen Halbleiterschicht 111 erstrecken, beispielsweise ist eine imaginäre Grenzfläche zwischen den Halbleiterschichten des ersten Leitfähigkeitstyps 112 und der oberen Halbleiterschicht 111 in 3 mit einer gestrichelten Linie angegeben. Die Halbleiterschichten des ersten Leitfähigkeitstyps 112 können durch die oberen Bereiche zwischen den ersten bis dritten Subpixeln SP1, SP2 und SP3 miteinander verbunden sein, so dass sie als eine Schicht, d. h. als eine einzelne Schicht, angeordnet sind, und können auch zwischen den Pixeln PX verbunden sein, so dass sie als eine Schicht, beispielsweise als eine durchgehende und verbundene Schicht, angeordnet sind. Eine Dicke T1 eines jeden der oberen Bereiche der Halbleiterschichten des ersten Leitfähigkeitstyps 112 kann beispielsweise in einem Bereich von etwa 0,1 µm bis etwa 1,0 µm liegen. Die aktiven Schichten 114 und die Halbleiterschichten des zweiten Leitfähigkeitstyps 116 können möglicherweise nur in dem Pixel PX angeordnet sein und können zwischen den LED-Zellen 110 so angeordnet sein, dass sie voneinander getrennt und beabstandet sind. Beispielsweise können, wie in 3 gezeigt, die aktiven Schichten 114 und die Halbleiterschichten des zweiten Leitfähigkeitstyps 116 benachbarter LED-Zellen 110 beispielsweise vollständig voneinander getrennt und beabstandet sein. Obwohl in dieser Beschreibung die Halbleiterschichten des ersten Leitfähigkeitstyps 112 zwischen den miteinander zu verbindenden LED-Zellen 110 angeordnet sind, kann jede der LED-Zellen 110 separat durch Seitenflächen der aktiven Schichten 114 und Seitenflächen der Halbleiterschichten des zweiten Leitfähigkeitstyps 116 definiert sein. Daher können in den Halbleiterschichten des ersten Leitfähigkeitstyps 112 die Halbleiterschichten des ersten Leitfähigkeitstyps 112 der LED-Zellen 110 als miteinander verbunden bezeichnet werden.
  • Die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112, die aktive Schicht 114 und die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 116 können aus einem Nitrid-Halbleiter ausgebildet sein und können eine Epitaxieschicht sein. Die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112 und die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 116 können Nitrid-Halbleiterschichten vom n-Typ bzw. p-Typ mit einer Zusammensetzung von InxAlyGa1-x-yN (0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1) sein. Die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112 kann beispielsweise eine mit Silizium (Si), Germanium (Ge) oder Kohlenstoff (C) dotierte Galliumnitridschicht des n-Typs (n-GaN) sein, und die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 116 kann eine mit Magnesium (Mg) oder Zink (Zn) dotierte Galliumnitridschicht des p-Typs (p-GaN) sein. Bei einigen Ausführungsformen können die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112 und die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 116 zudem aus einem Halbleiter auf Aluminium-Indium-Gallium-Phosphid-Basis (AlInGaP) oder einem Halbleiter auf Aluminium-Indium-Gallium-Arsenid-Basis (AlInGaAs) ausgebildet sein. Jede der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112 und der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 116 kann als eine einzelne Schicht ausgebildet sein oder eine Mehrzahl an Schichten mit unterschiedlichen Eigenschaften, beispielsweise Dotierungskonzentration, Zusammensetzung oder Ähnlichem, aufweisen.
  • Die aktive Schicht 114 kann durch die Rekombination von Elektronen und Löchern Licht mit einer vorbestimmten Energie emittieren. Die aktive Schicht 114 kann eine Einzelquantentopfstruktur (Singe-Quantum-Well; SQW) oder eine Mehrfachquantentopfstruktur (MQW) aufweisen, bei der Quantenbarriereschichten und Quantentopfschichten abwechselnd angeordnet sind. Beispielsweise können die Quantentopfschicht und die Quantenbarriereschicht eine InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) Schicht mit unterschiedlichen Zusammensetzungen sein. Beispielsweise kann die Quantentopfschicht eine InxGa1-xN (0<x≤1)-Schicht und die Quantenbarriereschicht eine GaN-Schicht oder eine AlGaN-Schicht sein.
  • In jeder der LED-Zellen 110 kann ein Winkel θ zwischen der unteren Oberfläche und den Seitenflächen davon ein rechter Winkel oder ein dem rechten Winkel ähnlicher Winkel sein. Beispielsweise kann der Winkel θ zwischen etwa 85 Grad und etwa 95 Grad liegen. Die LED-Zellen 110 können eine solche Struktur aufweisen, indem nacheinander ein Trockenätzverfahren und ein Nassätzverfahren durchgeführt wird, wie nachstehend unter Bezugnahme auf 9C beschrieben wird.
  • Die Passivierungsschicht 120 kann die Seitenflächen und einen Teilbereich der unteren Seitenflächen der LED-Zellen 110 bedecken und sich bis zum Verbindungsbereich CR und der Verbindungskontaktstelle PAD erstrecken. Die Passivierungsschicht 120 kann so angeordnet sein, dass sie die untere Oberfläche der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112 in dem Verbindungsbereich CR und der Verbindungskontaktstelle PAD bedeckt. Die Passivierungsschicht 120 kann ein isolierendes Material enthalten, beispielsweise mindestens eines von SiO2, SiN, SiCN, SiOC, SiON oder SiOCN.
  • Die erste reflektierende Elektrode 130 kann mit der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112 verbunden sein. Im Detail kann die erste reflektierende Elektrode 130 so auf den Seitenflächen der LED-Zelle 110 angeordnet sein, dass sie von der LED-Zelle 110 und der Passivierungsschicht 120 beabstandet ist, und sie kann sich bis zu einer Außenseite der LED-Zelle 110 erstrecken. Die erste reflektierende Elektrode 130, die sich nach außen erstreckt, kann in Bereichen zwischen den benachbarten LED-Zellen 110 so verbunden sein, dass sie als eine einzelne Schicht angeordnet ist, die erste reflektierende Elektrode 130 kann beispielsweise die erste Halbleiterschicht 112 des ersten Leitfähigkeitstyps in einem Bereich zwischen benachbarten LED-Zellen 110, der durch die Passivierungsschicht 120 freigelegt ist, direkt kontaktieren. Die erste reflektierende Elektrode 130 kann sich beispielsweise durchgehend von einer Seitenfläche einer LED-Zelle 110 zu einer gegenüberliegenden Seitenfläche einer benachbarten LED-Zelle 110 erstrecken. Die erste reflektierende Elektrode 130 kann in einer invertierten U-Form zwischen benachbarten LED-Zellen 110 angeordnet sein, die erste reflektierende Elektrode 130 kann beispielsweise einen invertierten U-förmigen Querschnitt in einem Bereich zwischen benachbarten LED-Zellen 110 aufweisen.
  • Bezugnehmend auf 4 kann die erste reflektierende Elektrode 130 Leitungen, beispielsweise lineare Teilbereiche, enthalten, die sich beispielsweise durchgehend entlang von Bereichen zwischen den Pixeln PX und den ersten bis dritten Subpixeln SP1, SP2 und SP3 in den X- und Y-Richtungen erstrecken (beispielsweise entsprechend den durchgezogenen Gitterlinien in 1). Beispielsweise kann die erste reflektierende Elektrode 130, wie in 4 gezeigt, eine einzelne Elektrode sein, die eine Gitterform mit einer im Wesentlichen flachen Oberseite aufweist, während jede Leitung des Rasters einen invertierten U-förmigen Querschnitt aufweisen kann. Bezugnehmend auf 3 und 4 kann sich beispielsweise jede invertierte U-förmige Leitung des Gitters (4) zwischen benachbarten LED-Zellen 110 (3) erstrecken, so dass die Seiten der invertierten U-förmigen Leitung die gegenüberliegenden Seitenwände der benachbarten LED-Zellen 110 berühren können, beispielsweise die gegenüberliegenden Seitenwände über die Passivierungsschicht 120 (3) berühren können. Die Leitungen der reflektierenden Elektrode 130 können sich entlang der Grenzen der LED-Zellen 110 erstrecken, beispielsweise so dass ein Umfang einer jeden der LED-Zellen 110 vollständig von der Gitterform der ersten reflektierenden Elektrode 130 umgeben sein kann. Die erste reflektierende Elektrode 130 kann eine Gitterform oder eine Maschenform aufweisen, die beispielsweise das gesamte Pixelarray 100 durchgehend überlappen kann, indem die Leitungen miteinander verbunden sind, beispielsweise in der Draufsicht. In der ersten reflektierenden Elektrode 130 kann eine äußerste Leitung, die sich von einer Seite der LED-Zelle 110 aus erstreckt und eine lineare Form aufweist, zudem an einer äußersten Seite der Leitungen angeordnet sein, und die äußerste Leitung kann mit der gemeinsamen Elektrode 145 verbunden sein, wie in 3 gezeigt.
  • Die erste reflektierende Elektrode 130 kann mit der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112 in einem Bereich zwischen den LED-Zellen 110 elektrisch verbunden sein. Beispielsweise kann ein Bereich, in dem die erste reflektierende Elektrode 130 mit der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112 in Kontakt ist, ein Bereich sein, der die Teilungsstruktur der oberen Halbleiterschicht 111 überlappt. Beispielsweise kann die erste reflektierende Elektrode 130 so angeordnet sein, dass sie die LED-Zellen 110 nicht überlappt, beispielsweise dass sie die aktive Schicht 114 und die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps nicht überlappt, und zwar in der Z-Richtung. Außerdem kann die erste reflektierende Elektrode 130 so angeordnet sein, dass sie die Wellenlängenkonverter 160R, 160G und 160B in der Z-Richtung nicht überlappt. Die erste reflektierende Elektrode 130 kann sich von einem äußersten Teilbereich des Pixels PX zum Verbindungsbereich CR erstrecken, kann mit der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112 verbunden sein und kann physikalisch und elektrisch mit der gemeinsamen Elektrode 145 verbunden sein. Leitungen, die die erste reflektierende Elektrode 130 bilden, können mit der gemeinsamen Elektrode 145 in Endabschnitten davon verbunden sein.
  • Die erste reflektierende Elektrode 130 kann mindestens ein Metall enthalten, beispielsweise Silber (Ag), Nickel (Ni), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Rhodium (Rh), Iridium (Ir), Palladium (Pd), Ruthenium (Ru), Magnesium (Mg), Zink (Zn), Platin (Pt), oder Gold (Au). Bei einigen Ausführungsformen kann die erste reflektierende Elektrode 130 als eine Einschichtstruktur oder als eine Mehrschichtstruktur mit einem leitfähigen Material ausgebildet sein.
  • Die Kontaktschichten 155 und die zweiten reflektierenden Elektroden 150 können aufeinanderfolgend auf unteren Oberflächen, die beispielsweise dem Schaltungssubstrat 200 zugewandt sind, der Halbleiterschichten des zweiten Leitfähigkeitstyps 116 so angeordnet sein, dass sie mit den Halbleiterschichten des zweiten Leitfähigkeitstyps 116 verbunden sind. Die Kontaktschicht 155 kann so angeordnet sein, dass sie eine untere Oberfläche der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 116 vollständig bedeckt. Die zweite reflektierende Elektrode 150 kann so unterhalb von jeder der LED-Zellen 110 angeordnet sein, dass sie die LED-Zellen 110 in der Z-Richtung überlappt. Die zweite reflektierende Elektrode 150 kann so unterhalb der Kontaktschicht 155 angeordnet sein, dass sie mit der Kontaktschicht 155 verbunden ist. Eine Länge der zweiten reflektierenden Elektrode 150 kann identisch oder ähnlich zu einer Länge der LED-Zellen 110 in X-Richtung sein, kann aber bei Ausführungsformen auch auf verschiedene Weise verändert sein. Bei einigen Ausführungsformen können die zweiten reflektierenden Elektroden 150 weggelassen sein, beispielsweise so dass die Kontaktschichten 155 direkt mit den zweiten Bondelektroden 198 unterhalb der Kontaktschichten 155 verbunden sein können. Die Kontaktschichten 155 und die zweiten reflektierenden Elektroden 150 können beispielsweise ein stark reflektierendes Metall enthalten, beispielsweise Silber (Ag), Nickel (Ni), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Rhodium (Rh), Iridium (Ir), Palladium (Pd), Ruthenium (Ru), Magnesium (Mg), Zink (Zn), Platin (Pt), oder Gold (Au).
  • Die Wellenlängenkonverter 160R, 160G und 160B können jeweils auf den LED-Zellen 110 angeordnet sein. Jeder der Wellenlängenkonverter 160R, 160G und 160B kann ein Bereich sein, in dem ein Wellenlängenkonversionsmaterial, beispielsweise ein Quantenpunkt, in einem flüssigen Bindemittelharz dispergiert und in die Teilungsstruktur der oberen Halbleiterschicht 111 gefüllt und ausgehärtet wird. Quantenpunkte zur jeweiligen Umwandlung von blauem Licht in rotes Licht und grünes Licht können in einem ersten Wellenlängenkonverter 160R und einem zweiten Wellenlängenkonverter 160G enthalten sein, und in einem dritten Wellenlängenkonverter 160B nur ein kann Bindemittelharz ohne Quantenpunkte enthalten sein, um einen transparenten Harzabschnitt zu bilden.
  • Die reflektierende Teilungsschichten 170 können so angeordnet sein, dass sie die Seitenflächen und unteren Oberflächen der Wellenlängenkonverter 160R, 160G und 160B in der Teilungsstruktur der oberen Halbleiterschicht 111 umgeben. Die reflektierende Teilungsschichten 170 können jeweils eine erste isolierende Teilungsschicht 172, eine metallische Teilungsschicht 174 und eine zweite isolierende Teilungsschicht 176 enthalten, die von unten aus aufeinanderfolgend angeordnet sind. Die metallische Teilungsschicht 174 kann möglicherweise nur auf den Seitenflächen der Wellenlängenkonverter 160R, 160G und 160B angeordnet sein und kann möglicherweise nicht unter den unteren Oberflächen der Wellenlängenkonverter 160R, 160G und 160B angeordnet sein. Untere Oberflächen der reflektierenden Teilungsschichten 170 können sich auf einem höheren Niveau befinden als eine oberste Oberfläche der ersten reflektierenden Elektrode 130. Die erste isolierende Teilungsschicht 172 und die zweite isolierende Teilungsschicht 176 können ein Isoliermaterial enthalten, beispielsweise zumindest eines von SiO2, SiN, SiCN, SiOC, SiON oder SiOCN. Die metallische Teilungsschicht 174 kann ein reflektierendes Metall enthalten, beispielsweise mindestens eines von Silber (Ag), Nickel (Ni) oder Aluminium (Al).
  • Die Einkapselungsschicht 182 kann so angeordnet sein, dass sie die oberen Oberflächen der Wellenlängenkonverter 160R, 160G und 160B bedeckt. Die Einkapselungsschicht 182 kann als Schutzschicht fungieren, die eine Verschlechterung der Wellenlängenkonverter 160R, 160G und 160B verhindert. Bei einigen Ausführungsformen kann die Einkapselungsschicht 182 weggelassen sein.
  • Die Farbfilter 180R und 180G können auf den Wellenlängenkonvertern 160R, 160G und 160B in den zweiten und dritten Subpixeln SP2 und SP3 angeordnet sein. Die Farbfilter 180R und 180G können die Farbreinheit des Lichts erhöhen, welches durch den ersten Wellenlängenkonverter 160R und den zweiten Wellenlängenkonverter 160G emittiert wird. Bei einigen Ausführungsformen kann ein Farbfilter auch auf dem dritten Wellenlängenkonverter 160B angeordnet sein.
  • Die Planarisierungsschicht 184 kann so angeordnet sein, dass sie die oberen Oberflächen der Farbfilter 180R und 180G und eine obere Oberfläche der Einkapselungsschicht 182 bedeckt. Die Planarisierungsschicht 184 kann eine transparente Schicht sein.
  • Die Mikrolinsen 185 können auf der Planarisierungsschicht 184 so angeordnet sein, dass sie den Wellenlängenkonvertern 160R, 160G bzw. 160B zugeordnet sind. Die Mikrolinsen 185 können das von den Wellenlängenkonvertern 160R, 160G und 160B einfallende Licht sammeln. Die Mikrolinsen 185 können zum Beispiel einen Durchmesser aufweisen, der größer ist als eine Breite einer jeden der LED-Zellen 110 in den X- und Y-Richtungen. Die Mikrolinsen 185 können beispielsweise aus einem transparenten Photoresistmaterial oder einem transparenten wärmehärtenden Harz ausgebildet sein.
  • Die gemeinsame Elektrode 145 und die erste Kontaktstellen-Elektrode 147 können in dem Verbindungsbereich CR bzw. der Verbindungskontaktstelle PAD angeordnet sein. Die gemeinsame Elektrode 145 kann auf einer unteren Fläche der ersten reflektierenden Elektrode 130, die sich von dem Pixel PX aus erstreckt, so angeordnet sein, dass sie die erste reflektierende Elektrode 130 mit der zweiten Bondelektrode 198 verbindet. Die gemeinsame Elektrode 145 kann zusammen mit der ersten reflektierenden Elektrode 130 eine gemeinsame Elektrodenstruktur bilden. Die gemeinsame Elektrode 145 kann so angeordnet sein, dass sie eine rechteckige Ringform oder eine Ringform aufweist, so dass sie das Pixel PX in einer Draufsicht vollständig umgibt, und kann mit Endabschnitten der ersten reflektierenden Elektrode 130 verbunden sein (beispielsweise 4). Eine Anordnung der gemeinsamen Elektrode 145 ist nicht darauf beschränkt und kann bei den Ausführungsformen auf verschiedene Weise verändert sein. Die erste Kontaktstellen-Elektrode 147 kann unterhalb der zweiten Kontaktstellen-Elektrode 199 in der Verbindungskontaktstelle PAD so angeordnet sein, dass sie die zweite Kontaktstellen-Elektrode 199 und die zweite Bondelektrode 198 verbindet. Die gemeinsame Elektrode 145 und die erste Kontaktstellen-Elektrode 147 können zumindest ein leitfähiges Material enthalten, beispielsweise Silber (Ag), Nickel (Ni), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Rhodium (Rh), Iridium (Ir), Palladium (Pd), Ruthenium (Ru), Magnesium (Mg), Zink (Zn), Platin (Pt), oder Gold (Au).
  • Die zweite Kontaktstellen-Elektrode 199 kann auf der ersten Kontaktstellen-Elektrode 147 in der Verbindungskontaktstelle PAD angeordnet sein. Die zweite Kontaktstellen-Elektrode 199 kann so angeordnet sein, dass sie zumindest eine obere Oberfläche davon in einer Aufwärtsrichtung durch eine Öffnung freilegt, die durch die obere Halbleiterschicht 111 und die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 112 hindurchgeht. Die zweite Kontaktstelle 199 kann mit einer externen Vorrichtung, beispielsweise einer externen Schaltung zum Anlegen eines elektrischen Signals an das Schaltungssubstrat 200 oder dergleichen, durch Drahtbonden oder anisotropes leitfähiges Filmbonden (AFC) verbunden sein. Die zweite Kontaktelektrode 199 kann die Treiberschaltungen des Schaltungssubstrats 200 und die externe Vorrichtung elektrisch verbinden. Die zweite Kontaktstelle 199 kann ein Metall enthalten, beispielsweise Gold (Au), Silber (Ag), Nickel (Ni) oder ähnliches.
  • Die zweiten Bondelektroden 198 können die zweiten reflektierenden Elektroden 150, die gemeinsame Elektrode 145 und die erste Kontaktstelle 147 mit den ersten Bondelektroden 298 des Schaltungssubstrats 200 verbinden. Die zweiten Bondelektroden 198 können mit den zweiten reflektierenden Elektroden 150 unterhalb der zweiten reflektierenden Elektroden 150 im Pixel PX verbunden sein, können mit der gemeinsamen Elektrode 145 im Verbindungsbereich CR verbunden sein, und können mit der ersten Kontaktstellen-Elektrode 147 in der Verbindungskontaktstelle PAD verbunden sein. Von den zweiten Bondelektroden 198 kann eine zweite Bondelektrode 198, die mit den zweiten reflektierenden Elektroden 150 verbunden ist, eine zweite Dicke T2 oder eine zweite Höhe, beispielsweise in der Z-Richtung, aufweisen, und eine zweite Bondelektrode 198, die mit der gemeinsamen Elektrode 145 und der ersten Kontaktstellen-Elektrode 147 verbunden ist, kann eine dritte Dicke T3 oder eine dritte Höhe, beispielsweise in der Z-Richtung, aufweisen, die größer als die zweite Dicke T2 ist. Die erste reflektierende Elektrode 130 kann mit den zweiten Bondelektroden 198 über die gemeinsame Elektrode 145 verbunden sein, und die zweiten reflektierenden Elektroden 150 können direkt mit den zweiten Bondelektroden 198 verbunden sein.
  • Die zweiten Bondelektroden 198 können so angeordnet sein, dass sie durch die Verbindungsisolierschicht 190 und die zweite Bondisolierschicht 195 hindurchgehen. Die zweiten Bondelektroden 198 können eine Säulenform aufweisen, beispielsweise eine Zylinderform oder dergleichen. Bei den Ausführungen können die zweiten Bondelektroden 198 Seitenwände aufweisen, die so geneigt sind, dass eine Größe einer oberen Oberfläche davon in Bezug auf eine Größe einer unteren Oberfläche davon verringert ist. Die zweiten Bondelektroden 198 können beispielsweise Kupfer (Cu) enthalten. Die zweiten Bondelektroden 198 können ferner eine Barrieremetallschicht, beispielsweise eine Tantal (Ta)-Schicht und/oder eine Tantalnitrid (TaN)-Schicht, auf ihren oberen Oberflächen und Seitenflächen enthalten.
  • Die Verbindungsisolierschicht 190 kann zusammen mit der zweiten Bondisolierschicht 195 unter den LED-Zellen 110 und der oberen Halbleiterschicht 111 angeordnet sein. Die Verbindungsisolierschicht 190 kann Siliziumoxid oder ein auf Siliziumoxid basierendes Isoliermaterial enthalten, beispielsweise Tetraethylorthosilikat (TEOS), undotiertes Silikatglas (USG), Phosphorsilikatglas (PSG), Borsilikatglas (BSG), Borophosphorsilikatglas (BPSG), Fluorsilikatglas (FSG), Spin-on-Glas (SOG), Tonen-Silazan (TOSZ) oder eine Kombination davon.
  • Untere Oberflächen der zweiten Bondisolierschicht 195 können zusammen mit unteren Oberflächen der zweiten Bondelektroden 198 so angeordnet sein, dass sie eine untere Oberfläche des Pixelarrays 100 bilden. Die zweite Bondisolierschicht 195 kann mit der ersten Bondisolierschicht 295 eine dielektrisch-dielektrisch Bondverbindung bilden. Das Schaltungssubstrat 200 und das Pixelarray 100 können durch Bonden der ersten Bondelektroden 298 und der zweiten Bondelektroden 198 sowie durch Bonden der ersten Bondisolierschicht 295 und der zweiten Bondisolierschicht 195 gebondet werden. Das Bonden der ersten Bondelektroden 298 und der zweiten Bondelektroden 198 kann beispielsweise ein Kupfer-(Cu)-Kupfer-(Cu)-Bonden sein, und das Bonden der ersten Bondisolierschicht 295 und der zweiten Bondisolierschicht 195 kann beispielsweise ein Dielektrikum-zu-Dielektrikum-Bonden wie etwa ein SiCN-SiCN-Bonden sein. Das Schaltungssubstrat 200 und das Pixelarray 100 können durch hybrides Bonden einschließlich des Kupfer-(Cu)-zu-Kupfer-(Cu)-Bondens und des Dielektrikum-zu-Dielektrikum-Bondens gebondet sein, und sie können ohne eine Adhäsionsschicht gebondet sein.
  • Ein Anzeigegerät 10 gemäß dieser Ausführungsform kann die Anordnung von Elektrodenstrukturen, die die erste reflektierende Elektrode 130 enthalten, optimieren und das Schaltungssubstrat 200 und das Pixelarray 100 unter Verwendung von Hybridbonden bonden, um eine miniaturisierte, hochauflösende Vorrichtung zu realisieren.
  • 5 ist eine Treiberschaltung, die in dem Anzeigegerät gemäß beispielhaften Ausführungsformen realisiert ist.
  • Bezugnehmend auf 5 wird ein Schaltbild des Anzeigegeräts 10, in dem n×n Subpixel angeordnet sind, gezeigt. Erste bis dritte Subpixel SP1, SP2 und SP3 können Datensignale über Datenleitungen D1 bis Dn, die Pfade in einer vertikalen Richtung von 5, beispielsweise in einer Spaltenrichtung, sein können, empfangen. Die ersten bis dritten Subpixel SP1, SP2 und SP3 können ein Steuersignal, beispielsweise ein Gate-Signal, über Gate-Leitungen G1 bis Gn, die Pfade in einer horizontalen Richtung von 5, beispielsweise in einer Zeilenrichtung, sein können, empfangen.
  • Die Mehrzahl an Pixeln PX, welche die ersten bis dritten Subpixel SP1, SP2 und SP3 enthalten, können einen aktiven Bereich DA für eine Anzeige bereitstellen, und der aktive Bereich DA kann als ein Anzeigebereich für einen Benutzer bereitgestellt sein. Ein nichtaktiver Bereich NA kann entlang zumindest eines Randes des aktiven Bereichs DA ausgebildet sein. Der nicht-aktive Bereich NA kann sich entlang eines peripheren Teilbereichs eines Felds des Anzeigegeräts 10 erstrecken, kann ein Bereich sein, in dem die Pixel PX nicht vorhanden sind, und kann dem Rahmen 11 (1) des Anzeigegeräts 10 entsprechen.
  • Erste und zweite Treiberschaltungen 12 und 13 können verwendet werden, um den Betrieb der Pixel PX, beispielsweise des ersten bis dritten Subpixels SP1, SP2 und SP3, zu steuern. Einige oder alle der ersten und zweiten Treiberschaltungen 12 und 13 können auf dem Schaltungssubstrat 200 implementiert sein. Die ersten und zweiten Treiberschaltungen 12 und 13 können beispielsweise aus einer integrierten Schaltung, einer Dünnschichttransistorfeldschaltung oder einer anderen geeigneten Schaltung ausgebildet sein und können im nicht-aktiven Bereich NA des Anzeigegeräts 10 angeordnet sein. Die ersten und zweiten Treiberschaltungen 12 und 13 können beispielsweise einen Mikroprozessor, einen Speicher wie etwa eine Speichereinheit, eine Verarbeitungsschaltung und eine Kommunikationsschaltung enthalten.
  • Um ein Bild mit den Pixeln PX anzuzeigen, liefert die erste Treiberschaltung 12 Bilddaten an die Datenleitungen D1 bis Dn, während sie ein Taktsignal und andere Steuersignale der zweiten Treiberschaltung 13 bereitstellt, die eine Gate-Treiberschaltung sein kann. Die zweite Treiberschaltung 13 kann unter Verwendung einer integrierten Schaltung und/oder einer Dünnschichttransistorschaltung realisiert sein. Das Gate-Signal zur Steuerung des ersten bis dritten Subpixels SP1, SP2 und SP3, die in Zeilenrichtung angeordnet sind, kann über die Gate-Leitungen G1 bis Gn des Anzeigegerätes 10 übertragen werden.
  • 6 ist eine Querschnittsansicht eines Anzeigegeräts gemäß beispielhaften Ausführungsformen. 6 zeigt einen Querschnitt entsprechend der 3.
  • Bezugnehmend auf 6 kann in dem Pixelarray 100 eines Anzeigegeräts 10a eine erste reflektierende Elektrode 130a so angeordnet sein, dass sie zwischen Passivierungsschichten 120 zwischen LED-Zellen 110 passt. Insbesondere kann die erste reflektierende Elektrode 130a so angeordnet sein, dass sie nicht wie bei der Ausführungsform von 3 eine im Wesentlichen gleichmäßige Dicke aufweist, sondern möglicherweise so ausgebildet ist, dass sie relativ dick ist, um einen Raum zwischen den LED-Zellen 110 zu füllen. Beispielsweise kann die erste reflektierende Elektrode 130a, wie in 6 gezeigt, den gesamten Raum zwischen den Passivierungsschichten 120 benachbarter LED-Zellen 110 ausfüllen (anstatt so konform auf den Passivierungsschichten 120 zu liegen, dass sie eine in 3 gezeigte invertierte U-Form definiert. Selbst in diesem Fall kann die erste reflektierende Elektrode 130a so angeordnet sein, dass sie Leitungen ausbildet, die sich entlang der Grenzen zwischen den LED-Zellen 110 erstrecken, und sie kann so angeordnet sein, dass sie eine Gitterform oder eine Netzform bildet. Als solche kann bei den Ausführungsformen eine relative Dicke, eine Teilform oder Ähnliches der ersten reflektierenden Elektrode 130a auf verschiedene Weise verändert sein.
  • 7A bis 7C sind Querschnittsansichten und eine Draufsicht, die schematisch ein Anzeigegerät gemäß beispielhaften Ausführungsformen zeigen. 7A zeigt einen Querschnitt entsprechend der 3, 7B zeigt eine Draufsicht auf ein Pixel, und 7C zeigt einen Querschnitt von 7B, entlang der Linie III-III'.
  • Bezugnehmend auf 7A bis 7C kann das Pixelarray 100 eines Anzeigegeräts 10b ferner eine ohmsche Kontaktschicht 132 enthalten, die mit einer ersten reflektierenden Elektrode 130b verbunden ist. Die erste reflektierende Elektrode 130b und die ohmsche Kontaktschicht 132 können beispielsweise zusammen eine N-Elektrodenstruktur bilden.
  • Die erste reflektierende Elektrode 130b kann möglicherweise nicht direkt mit der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112 verbunden sein, kann aber mit der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112 über die ohmschen Kontaktschichten 132 verbunden sein. Die ohmsche Kontaktschicht 132 kann sich in einem zentralen Bereich zwischen vier von den ersten bis dritten Subpixeln SP1, SP2 und SP3 befinden, die einander benachbart sind, wie in 7B gezeigt. Beispielsweise kann die ohmsche Kontaktschicht 132 in einem Bereich neben den Eckpunkten der vier von den ersten bis dritten Subpixel SP1, SP2 und SP3 angeordnet sein. Die ohmschen Kontaktschichten 132 können außerhalb der Eckpunkte eines jeden der ersten bis dritten Subpixel SP1, SP2 und SP3 angeordnet sein. Gemäß 7C können die ohmschen Kontaktschichten 132 zwischen der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112 und der ersten reflektierenden Elektrode 130b angeordnet sein. Bei dieser Ausführungsform können, selbst wenn es schwierig ist, die erste reflektierende Elektrode 130b so auszubilden, dass sie in allen Bereichen direkt mit der Halbleiterschicht 112 des ersten Leitfähigkeitstyps verbunden ist, die ohmschen Kontaktschichten 132 in Bereichen zwischen den ersten bis dritten Subpixeln SP1, SP2 und SP3 angeordnet sein, bei denen es sich um relativ breite Bereiche in einer diagonalen Richtung handeln kann, um eine elektrische Verbindung sicherzustellen.
  • Die ohmschen Kontaktschichten 132 können ein hochreflektierendes Metall enthalten, beispielsweise zumindest eines von Silber (Ag), Nickel (Ni), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Rhodium (Rh), Iridium (Ir), Palladium (Pd), Ruthenium (Ru), Magnesium (Mg), Zink (Zn), Platin (Pt) oder Gold (Au). Die ohmschen Kontaktschichten 132 können das gleiche oder ein anderes Material als die Kontaktschichten 155 enthalten. Der Einfachheit halber können die ohmschen Kontaktschichten 132 als eine erste Kontaktschicht und die Kontaktschichten 155 als eine zweite Kontaktschicht bezeichnet werden.
  • 8 ist eine Querschnittsansicht eines Anzeigegeräts gemäß beispielhaften Ausführungsformen. 8 zeigt einen Querschnitt, der 3 entspricht.
  • Bezugnehmend auf 8 können sich in dem Pixelarray 100 eines Anzeigegeräts 10c Formen von Halbleiterschichten des ersten Leitfähigkeitstyps 112c von LED-Zellen 110c und eine Form einer ersten reflektierenden Elektrode 130c von denen unterscheiden, die in 3 gezeigt sind.
  • Im Detail können die Halbleiterschichten des ersten Leitfähigkeitstyps 112c zwischen den LED-Zellen 110c voneinander getrennt sein. In jeder der LED-Zellen 110c kann die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112c einen nach außen vorstehenden Bereich aufweisen, und der vorstehende Bereich kann mit der ersten reflektierenden Elektrode 130c über deren Seitenflächen in Kontakt sein. Bei Ausführungsformen können die Formen der Seitenflächen der ersten Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112c, die weiter vorstehen, im Vergleich zu einer Seitenfläche einer aktiven Schicht 114 und einer Seitenfläche einer zweiten Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 116 auf verschiedene Weise verändert sein. Bei dieser Ausführungsform kann ein Niveau einer obersten Oberfläche der ersten reflektierenden Elektrode 130c im Wesentlichen identisch mit einem Niveau einer unteren Oberfläche der reflektierenden Teilungsschicht 170 sein.
  • Auch bei dieser Ausführungsform kann die erste reflektierende Elektrode 130c eine Gitterform aufweisen und als eine einzelne Schicht angeordnet sein. Daher kann ein Teilbereich der ersten reflektierenden Elektrode 130c, der sich in einen Verbindungsbereich CR erstreckt, auch mit Endabschnitten von Leitungen der ersten reflektierenden Elektrode 130c verbunden sein, die sich in der Gitterform in einem nicht dargestellten Bereich erstrecken. In 8 ist die erste reflektierende Elektrode 130c so gezeigt, dass sie mit einer oberen Halbleiterschicht 111 im Verbindungsbereich CR verbunden ist, aber darauf ist sie nicht beschränkt. Bei einigen Ausführungsformen kann die erste reflektierende Elektrode 130c in dem Verbindungsbereich CR so angeordnet sein, dass sie durch die Passivierungsschicht 120 von der oberen Halbleiterschicht 111 beabstandet ist.
  • 9A bis 9O sind Querschnittsansichten von Schritten in einem Verfahren zur Herstellung eines Anzeigegeräts gemäß beispielhaften Ausführungsformen. 9A bis 9O zeigen ein Verfahren zur Herstellung des Anzeigegeräts gemäß der Ausführungsform von 3.
  • Bezugnehmend auf 9A können die obere Halbleiterschicht 111, die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112, die aktive Schicht 114 und die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 116 aufeinanderfolgend auf einem Wachstumssubstrat GS gebildet werden, und die Kontaktschicht 155 kann gebildet werden.
  • Das Wachstumssubstrat GS kann für das Wachstum von Nitrid-Einkristallen sein und kann beispielsweise zumindest eines von Saphir, Si, SiC, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2 oder GaN enthalten. Bei Ausführungsformen kann das Wachstumssubstrat GS zur Verbesserung der Kristallinität und der Lichtextraktionseffizienz von Halbleiterschichten zumindest auf einem Teilbereich seiner oberen Oberfläche eine konkav-konvexe Struktur aufweisen. In diesem Fall kann eine konkav-konvexe Struktur auch in darauf gewachsenen Schichten gebildet werden.
  • Die obere Halbleiterschicht 111, die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112, die aktive Schicht 114 und die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 116 können beispielsweise durch ein metallorganisches chemisches Dampfabscheidungsverfahren (MOCVD), ein Hydrid-Gasphasenepitaxieverfahren (HVPE) oder ein Molekularstrahlepitaxieverfahren (MBE) gebildet werden. Die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112 kann eine Nitrid-Halbleiterschicht des n-Typs sein, beispielsweise GaN des n-Typs, und die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 116 kann eine Nitrid-Halbleiterschicht des p-Typs sein, beispielsweise GaN des p-Typs / AlGaN des p-Typs. Die aktive Schicht 114 kann eine Mehrfachquantentopfstruktur aufweisen, beispielsweise InGaN/GaN. Bei einigen Ausführungsformen kann die obere Halbleiterschicht 111 eine Pufferschicht enthalten. In diesem Fall kann die Pufferschicht dazu dienen, Gitterdefekte der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112 zu mildern, und kann einen undotierten Nitrid-Halbleiter enthalten, beispielsweise undotiertes GaN, undotiertes AlN und undotiertes InGaN.
  • Die Kontaktschicht 155 kann auf einer oberen Oberfläche der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 116 gebildet werden. Beispielsweise kann die Kontaktschicht 155 eine hochreflektierende ohmsche Kontaktschicht sein.
  • Bezugnehmend auf 9B können die LED-Zellen 110 durch Ätzen einer Stapelstruktur aus der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112, der aktiven Schicht 114, der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps 116 und der Kontaktschicht 155 gebildet werden.
  • Die Stapelstruktur kann bei diesem Vorgang durch ein Trockenätzverfahren teilweise entfernt werden und kann in Einheiten von ersten bis dritten Subpixeln SP1, SP2 und SP3 unterteilt werden (siehe 3). Bei diesem Vorgang kann die Stapelstruktur so geätzt werden, dass sie eine schräge Seitenfläche aufweist. Durch das Trockenätzen können auch partiell beschädigte Bereiche DR auf den Seitenflächen der LED-Zellen 110 gebildet werden.
  • Bezugnehmend auf 9C können die beschädigten Bereiche DR aus den LED-Zellen 110 entfernt werden.
  • Die beschädigten Bereiche DR können selektiv entfernt werden, beispielsweise durch ein Nassätzverfahren. Bei dem Nassätzverfahren können möglicherweise nur die beschädigten Bereiche DR selektiv entfernt werden, und zwar durch Steuerung der Prozessbedingungen, beispielsweise durch unterschiedliche Ätzselektivität zwischen den Kristallebenen. Daher kann der Winkel zwischen der oberen Oberfläche und den Seitenflächen der LED-Zellen 110 ein rechter Winkel oder nahe dem rechten Winkel sein, und die nicht-strahlende Rekombination aufgrund der beschädigten Bereiche DR kann reduziert werden, um die Leuchtdichte zu verbessern.
  • Bezugnehmend auf 9D kann die Passivierungsschicht 120 gebildet werden, und kann die obere Halbleiterschicht 111 teilweise von einem Randbereich ISO entfernt werden.
  • Nachdem die Passivierungsschicht 120 auf einer oberen Oberfläche der Stapelstruktur so gebildet wurde, dass sie eine einheitliche Dicke aufweist, kann die Passivierungsschicht 120 in Bereichen, in denen die erste reflektierende Elektrode 130 (siehe 3) ausgebildet werden soll, teilweise entfernt werden. Die Passivierungsschicht 120 kann beispielsweise zumindest eines von SiO2, SiN, SiCN, SiOC, SiON oder SiOCN enthalten. Die Passivierungsschicht 120 kann konform gebildet werden und somit eine im Wesentlichen gleichmäßige Dicke aufweisen.
  • In dem Randbereich ISO kann eine Halbleiterschicht, die die obere Halbleiterschicht 111 und die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112 bildet, so entfernt werden, dass sie eine vorgegebene Tiefe aufweist. Der Randbereich ISO kann ein Bereich sein, der in einem nachfolgenden Prozess geschnitten werden soll, und kann ein Bereich zum Trennen von Modulen sein. Um das Auftreten von Rissen beim Schneiden oder Würfeln zu verhindern, kann die Halbleiterschicht daher bei diesem Vorgang teilweise entfernt werden.
  • Bezugnehmend auf Fig. können die erste reflektierende Elektrode 130, die gemeinsame Elektrode 145, und die erste Kontaktstellen-Elektrode 147 gebildet werden.
  • Zuerst kann die erste reflektierende Elektrode 130 konform auf der Passivierungsschicht 120 und der ersten Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112 gebildet werden. Daher kann die erste reflektierende Elektrode 130 eine im Wesentlichen gleichmäßige Dicke aufweisen. Die erste reflektierende Elektrode 130 kann in einem Bereich, in dem die Pixel PX von 3 angeordnet sind, und im Verbindungsbereich CR gebildet werden.
  • Als nächstes können die gemeinsame Elektrode 145 und die erste Kontaktstellen-Elektrode 147 in dem Verbindungsbereich CR bzw. der Verbindungskontaktstelle PAD von 3 gebildet werden. Die gemeinsame Elektrode 145 kann auf der ersten reflektierenden Elektrode 130 gebildet werden, und die erste Kontaktstellen-Elektrode 147 kann auf der Passivierungsschicht 120 gebildet werden. Die gemeinsame Elektrode 145 und die erste Kontaktstellen-Elektrode 147 können gemeinsam durch dasselbe Verfahren gebildet werden. Die erste reflektierende Elektrode 130, die gemeinsame Elektrode 145 und die erste Kontaktstelle 147 können ein leitfähiges Material, beispielsweise ein Metall, enthalten.
  • Bezugnehmend auf 9F kann eine vorläufige Verbindungsisolierschicht 190P gebildet werden. Die vorläufige Verbindungsisolierschicht 190P kann so gebildet werden, dass sie alle in den vorherigen Arbeitsgängen ausgebildeten Strukturen, einschließlich der ersten reflektierenden Elektrode 130, bedeckt. Die vorläufige Verbindungsisolierschicht 190P kann beispielsweise aus einem Material mit niedriger Dielektrizitätszahl bestehen, beispielsweise aus Siliziumoxid.
  • Bezugnehmend auf 9G kann die vorläufige Verbindungsisolierschicht 190P teilweise entfernt werden, um die Verbindungsisolierschicht 190 auszubilden.
  • Beispielsweise kann die vorläufige Verbindungsisolierschicht 190P von oben teilweise entfernt werden unter Verwendung eines Planarisierungsverfahrens, beispielsweise eines chemisch-mechanischen Polierverfahrens (CMP) oder eines Rückätzverfahrens. Bei dem Vorgang des Entfernens der vorläufigen Verbindungsisolierschicht 190P kann die erste reflektierende Elektrode 130 auch von den oberen Oberflächen der LED-Zellen 110 entfernt werden und kann möglicherweise nur auf den Seitenflächen der LED-Zellen 110 verbleiben.
  • Bezugnehmend auf 9H können die zweiten reflektierenden Elektroden 150, die mit den Kontaktschichten 155 verbunden sind, gebildet werden.
  • Zuerst kann die Verbindungsisolierschicht 190 zusätzlich gebildet werden, und Kontaktlöcher, die durch die Verbindungsisolierschicht 190 und die Passivierungsschicht 120 hindurchgehen, können so gebildet werden, dass sie die Kontaktschichten 155 freizulegen. Durch Ausfüllen der Kontaktlöcher mit einem leitfähigen Material können Kontaktschichten 155 gebildet werden, die die Kontaktlöcher ausfüllen und sich bis auf die obere Oberfläche der Verbindungsisolierschicht 190 erstrecken.
  • Bezugnehmend auf 9I kann die zweite Bondisolierschicht 195 auf den zweiten reflektierenden Elektroden 150 gebildet werden, und können die zweiten Bondelektroden 198 gebildet werden.
  • Die zweite Bondisolierschicht 195 kann das gleiche Material wie die Verbindungsisolierschicht 190 oder ein anderes Material als diese enthalten. Auch kann, selbst wenn die zweite Bondisolierschicht 195 ein anderes Material als das der Verbindungsisolierschicht 190 enthält, bei den Ausführungsformen eine Dicke der zweiten Bondisolierschicht 195 auf verschiedene Weise in einem Umfang, in dem die zweite Bondisolierschicht 195 eine obere Oberfläche des Pixelarrays 100 (3) bildet, verändert werden.
  • Die zweiten Bondelektroden 198 können durch Bilden von Durchgangslöchern, die durch die zweite Bondisolierschicht 195 und die Verbindungsisolierschicht 190 hindurchgehen, und anschließendem Füllen der Durchgangslöcher mit einem leitfähigen Material hergestellt werden. Die zweiten Bondelektroden 198 können so gebildet werden, dass sie mit den zweiten reflektierenden Elektroden 150, der gemeinsamen Elektrode 145 und der ersten Kontaktstellen-Elektrode 147 verbunden sind.
  • Bezugnehmend auf 9J können eine die LED-Zellen 110 enthaltende Struktur und das Schaltungssubstrat 200 gebondet werden.
  • Zuerst kann das Schaltungssubstrat 200 in einem separaten Verfahren hergestellt werden. Die Struktur und das Schaltungssubstrat 200 können auf Waferebene durch ein Wafer-Bond-Verfahren, beispielsweise das oben beschriebene Hybrid-Bonden, gebondet werden. Erste Bondelektroden 298 können an die zweiten Bondelektroden 198 gebondet werden, und die erste Bondisolierschicht 295 kann an die zweite Bondisolierschicht 195 gebondet werden. Daher kann die die LED-Zellen 110 enthaltende Struktur und das Schaltungssubstrat 200 ohne Adhäsionsschicht verbunden werden.
  • Bezugnehmend auf 9K kann das Wachstumssubstrat GS von der oberen Halbleiterschicht 111 entfernt werden, und kann die obere Halbleiterschicht 111 teilweise entfernt werden. Zum besseren Verständnis ist in den folgenden Zeichnungen die die LED-Zellen 110 enthaltende Struktur so gezeigt, dass sie einen gebondeten Zustand spiegelbildlich zu der in 9J dargestellten Struktur aufweist.
  • Das Wachstumssubstrat GS kann durch verschiedene Verfahren entfernt werden, beispielsweise durch einen Laser-Lift-off-Prozess, einen mechanischen Polierprozess, einen mechanischen chemischen Polierprozess oder einen Ätzprozess. Die obere Halbleiterschicht 111 kann teilweise entfernt werden, um die vorgegebene Dicke zu verringern, zum Beispiel durch ein Polierverfahren wie CMP. Die obere Halbleiterschicht 111 kann beispielsweise bis zu einem Niveau entfernt werden, das der Höhe der oberen Oberflächen der Wellenlängenkonverter 160R, 160G und 160B entspricht (siehe 3), und sie kann so entfernt werden, dass sie nicht in dem Randbereich ISO verbleibt (siehe 3).
  • Bezugnehmend auf 9L können erste Öffnungen OP1 in der oberen Halbleiterschicht 111 gebildet werden.
  • Die ersten Öffnungen OP1 können durch Entfernen der oberen Halbleiterschicht 111 in einem Bereich, in dem die Wellenlängenkonverter 160R, 160G und 160B (3) angeordnet sind, gebildet werden. Bei dieser Ausführungsform können die ersten Öffnungen OP1 in diesem Vorgang so gebildet werden, dass die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112 zwischen den LED-Zellen 110 nicht vollständig getrennt ist. Daher kann die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112 durchgehend zwischen einer oberen Oberfläche der ersten reflektierenden Elektrode 130 und unteren Oberflächen der ersten Öffnungen OP1 angeordnet sein.
  • Bezugnehmend auf 9M können die reflektierende Teilungsschichten 170 und die Wellenlängenkonverter 160R, 160G, und 160B in den ersten Öffnungen OP1 gebildet werden. Die reflektierende Teilungsschichten 170 können durch Ausbilden der ersten isolierenden Teilungsschicht 172 und der metallischen Teilungsschicht 174, Entfernen der metallische Teilungsschicht 174 von den unteren Oberflächen der ersten Öffnungen OP1 und anschließendem Ausbilden der zweiten isolierenden Teilungsschicht 176 hergestellt werden.
  • Der dritte Wellenlängenkonverter 160B kann durch Bilden eines transparenten Harzes auf der reflektierenden Teilungsschicht 170 hergestellt werden, und der erste und der zweite Wellenlängenkonverter 160R und 160G können durch Bilden eines transparenten Harzes, das mit einem Wellenlängenkonversionsmaterial gemischt ist, hergestellt werden. Das Wellenlängenkonversionsmaterial kann im ersten und zweiten Wellenlängenkonverter 160R bzw. 160G blaues Licht in rotes bzw. grünes Licht umwandeln. Das transparente Harz kann beispielsweise ein Silikonharz oder ein Epoxidharz enthalten. Alternativ können bei Ausführungsformen die Wellenlängenkonverter 160R, 160G und 160B aus Siliziumoxid, beispielsweise SiO2, anstatt aus dem transparenten Harz gebildet werden.
  • Bezugnehmend auf 9N können die Farbfilter 180R und 180G und die Mikrolinsen 185 auf den Wellenlängenkonvertern 160R, 160G und 160B gebildet werden.
  • Zuerst kann die Einkapselungsschicht 182 auf den Wellenlängenkonvertern 160R, 160G und 160B gebildet werden, um die Wellenlängenkonverter 160R, 160G und 160B zu schützen, beispielsweise vor Feuchtigkeit, Sauerstoff oder ähnlichem. Die Farbfilter 180R und 180G können auf dem ersten bzw. zweiten Wellenlängenkonverter 160R bzw. 160G gebildet werden. Bei einigen Ausführungsformen können die Farbfilter 180R und 180G auch auf dem dritten Wellenlängenkonverter 160B gebildet werden. Anschließend kann die Planarisierungsschicht 184, die die Farbfilter 180R und 180G bedeckt, gebildet werden, und die Mikrolinsen 185 können gebildet werden.
  • Bezugnehmend auf 9O können die obere Halbleiterschicht 111 und die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps 112 von der ersten Kontaktstellen-Elektrode 147 entfernt werden, um eine zweite Öffnung OP2 zu bilden. Die zweite Öffnung OP2 kann so gebildet werden, dass sie die Passivierungsschicht 120 auf der ersten Kontaktstellen-Elektrode 147 in der Verbindungskontaktstelle PAD von 3 freilegt.
  • Bezugnehmend auf 3 kann als nächstes nach dem teilweisen Entfernen der Passivierungsschicht 120, die durch die zweite Öffnung OP2 freigelegt ist, die zweite Kontaktstellen-Elektrode 199 gebildet werden und können benachbarte Module im Randbereich ISO zerteilt werden, um die Herstellung des Anzeigegeräts 10 zu vollenden.
  • 10 ist ein Konzeptschema, das eine ein Anzeigegerät enthaltende elektronische Vorrichtung gemäß beispielhaften Ausführungsformen zeigt.
  • Bezugnehmend auf 10 kann eine elektronische Vorrichtung 1000 eine brillenartige Anzeige sein, die eine tragbare Vorrichtung sein kann. Die elektronische Vorrichtung 1000 kann ein Paar von Bügeln 1100, ein Paar von Lichtkopplungslinsen 1200 und einen Steg 1300 enthalten. Die elektronische Vorrichtung 1000 kann ferner eine Anzeigevorrichtung 10 enthalten, die einen Bilderzeuger enthält.
  • Die elektronische Vorrichtung 1000 kann eine kopfgetragene, brillenartige oder schutzbrillenartige Vorrichtung für virtuelle Realität (VR) sein, um virtuelle Realität bereitzustellen oder ein virtuelles Bild und eine externe reale Landschaft zusammen bereitzustellen, eine Vorrichtung für erweiterte Realität (AR) oder eine Vorrichtung für gemischte Realität (MR).
  • Die Bügel 1100 können sich in eine Richtung erstrecken. Die Bügel 1100 können voneinander beabstandet sein und sich parallel zueinander erstrecken. Die Bügel 1100 können so gefaltet werden, dass sie dem Steg 1300 zugewandt sind. Der Steg 1300 kann zwischen den Lichtkopplungslinsen 1200 bereitgestellt sein, um die Lichtkopplungslinsen 1200 miteinander zu verbinden. Die Lichtkopplungslinsen 1200 können jeweils eine Lichtleitplatte enthalten. Das Anzeigegerät 10 kann auf jedem der Bügel 1100 angeordnet sein und kann ein Bild auf den Lichtkopplungslinsen 1200 erzeugen. Das Anzeigegerät 10 kann ein Anzeigegerät gemäß den oben mit Bezug auf die 1 bis 8 beschriebenen Ausführungsformen sein.
  • Zusammenfassend und im Überblick stellt ein Aspekt der vorliegenden Offenbarung ein hocheffizientes Anzeigegerät bereit, das durch einen vereinfachten Prozess hergestellt werden kann. Das heißt, bei Ausführungsformen kann eine Anzeigevorrichtung eine gitterförmige reflektierende Elektrode, beispielsweise eine n-reflektierende Elektrode, mit einem invertierten U-förmigen Querschnitt entlang der einander zugewandten Seitenflächen benachbarter LED-Zellen enthalten, wobei eine obere Oberfläche des invertierten U-förmigen Querschnitts eine Teilungsstruktur überlappt, die beispielsweise aus einer GaN-Schicht besteht. Zudem kann das Anzeigegerät eine Struktur aufweisen, bei der ein Schaltungssubstrat und ein Pixelarray durch hybrides Bonden gebondet sind, und kann optimierte Strukturen einer gemeinsamen Elektrode und einer Kontaktstellen-Elektrode aufweisen.
  • Hier sind beispielhafte Ausführungsformen offenbart worden, und obwohl spezifische Begriffe verwendet werden, sind sie nur in einem allgemeinen und beschreibenden Sinn und nicht zum Zweck der Einschränkung zu verstehen. In einigen Fällen, wie es für einen Fachmann zum Zeitpunkt der Einreichung der vorliegenden Anmeldung offensichtlich ist, können Merkmale, Eigenschaften und/oder Elemente, die bei einer bestimmten Ausführungsform beschrieben sind, einzeln oder in Kombination mit Merkmalen, Eigenschaften und/oder Elementen, die bei anderen Ausführungsformen beschrieben sind, verwendet werden, sofern nicht ausdrücklich etwas anderes angegeben ist. Dementsprechend versteht der Fachmann, dass verschiedene Änderungen in Form und Details vorgenommen werden können, ohne vom Umfang der vorliegenden Erfindung, wie in den folgenden Ansprüchen angegeben, abzuweichen.

Claims (20)

  1. Anzeigegerät, das Folgendes aufweist: ein Schaltungssubstrat (200), das Treiberschaltungen und erste Bondelektroden (298) enthält; und ein Pixelarray (100) auf dem Schaltungssubstrat (200), wobei das Pixelarray (100) enthält: Leuchtdioden, LED, -Zellen (110; 110c), die Pixel (PX) bilden, wobei jede der LED-Zellen (110; 110c) eine Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps (112; 112c), eine aktive Schicht (114) und eine Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps (116) enthält, welche aufeinanderfolgend gestapelt sind, zweite Bondelektroden (198), die an die ersten Bondelektroden (298) gebondet sind, Wellenlängenkonverter (160R, 160G, 160B) auf oberen Oberflächen der LED-Zellen (110; 110c), eine obere Halbleiterschicht (111) auf den LED-Zellen (110; 110c), wobei die obere Halbleiterschicht (111) eine Teilungsstruktur aufweist, die Seitenflächen der Wellenlängenkonverter (160R, 160G, 160B) umgibt und die Wellenlängenkonverter (160R, 160G, 160B) voneinander trennt, eine Passivierungsschicht (120), die sich von unteren Oberflächen der LED-Zellen (110; 110c) so erstreckt, dass sie Seitenflächen der LED-Zellen (110; 1 10c) bedeckt, eine erste reflektierende Elektrode (130; 130a; 130b; 130c) auf den Seitenflächen der LED-Zellen (110; 110c), wobei die erste reflektierende Elektrode (130; 130a; 130b; 130c) durch die Passivierungsschicht (120) von den LED-Zellen (110; 110c) beabstandet ist und sich in einen Bereich zwischen den LED-Zellen (110; 110c) erstreckt, zweite reflektierende Elektroden (150) auf den unteren Oberflächen der LED-Zellen (110; 110c) und jeweils verbunden mit den Halbleiterschichten des zweiten Leitfähigkeitstyps (116), eine gemeinsame Elektrode (145) auf zumindest einer Seite der LED-Zellen (110; 110c), und eine Kontaktstellen-Elektrode (199), welche sich außerhalb der LED-Zellen (110; 110c) befindet und elektrisch mit den Treiberschaltungen verbunden ist.
  2. Anzeigegerät nach Anspruch 1, wobei: die LED-Zellen (110; 110c) in Spalten und Zeilen angeordnet sind, und die erste reflektierende Elektrode (130; 130a; 130b; 130c) eine einzelne Schicht ist, die eine Gitterform aufweist.
  3. Anzeigegerät nach Anspruch 2, wobei: die LED-Zellen (110; 110c) eine erste LED-Zelle und eine zweite LED-Zelle enthalten, die in einer Richtung zueinander benachbart sind, und die erste reflektierende Elektrode (130; 130a; 130b; 130c) sich von einer Seitenfläche der ersten LED-Zelle zu einer gegenüberliegenden Seitenfläche der zweiten LED-Zelle erstreckt.
  4. Anzeigegerät nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die erste reflektierende Elektrode (130; 130a; 130b; 130c) die aktive Schicht (114) und die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps (116) einer jeden der LED-Zellen (110; 110c) in einer Richtung senkrecht zu den oberen Oberflächen der LED-Zellen (110; 110c) nicht überlappt.
  5. Anzeigegerät nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die erste reflektierende Elektrode (130a) einen Raum zwischen benachbarten LED-Zellen (110; 110c) füllt.
  6. Anzeigegerät nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die obere Halbleiterschicht (111) mit der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps (112; 112c) verbunden ist und ein gleiches Material wie die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps (112; 112c) enthält.
  7. Anzeigegerät nach Anspruch 6, wobei die obere Halbleiterschicht (111) eine epitaktische Nitrid-Halbleiterschicht enthält.
  8. Anzeigegerät nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei: das Schaltungssubstrat (200) ferner eine erste Bondisolierschicht (295) enthält, die die ersten Bondelektroden (298) umgibt, wobei die erste Bondisolierschicht (295) eine obere Oberfläche des Schaltungssubstrats (200) definiert, und das Pixelarray (100) ferner eine zweite Bondisolierschicht (195) enthält, die die zweiten Bondelektroden (198) umgibt, wobei die zweite Bondisolierschicht (195) eine untere Oberfläche des Pixelarrays (100) definiert und die zweite Bondisolierschicht (295) an die erste Bondisolierschicht (295) gebondet ist.
  9. Anzeigegerät nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei: ein Teilbereich der zweiten Bondelektroden (198) mit den zweiten reflektierenden Elektroden (150) verbunden ist, wobei jeder der Teilbereiche der zweiten Bondelektroden (198) eine erste Höhe (T2) aufweist, und zumindest eine der zweiten Bondelektroden (198) mit der gemeinsamen Elektrode (145) verbunden ist, wobei die zumindest eine der zweiten Bondelektroden (198) eine zweite Höhe (T3) aufweist, die größer als die erste Höhe (T2) ist.
  10. Anzeigegerät nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei sich die obere Halbleiterschicht (111) auf die gemeinsame Elektrode (145) erstreckt.
  11. Anzeigegerät nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die Halbleiterschichten des ersten Leitfähigkeitstyps (112) zwischen den LED-Zellen (110) so miteinander verbunden sind, dass sie eine einzelne Schicht bilden.
  12. Anzeigegerät nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei die Kontaktstellen-Elektrode (199) durch eine Öffnung freigelegt ist, die durch die obere Halbleiterschicht (111) und die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps (112; 112c) hindurchgeht.
  13. Anzeigegerät nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei das Pixelarray (100) ferner enthält: Farbfilter (180R, 180G) auf den Wellenlängenkonvertern (160R, 160G, 160B); und Mikrolinsen (185) auf den Farbfiltern (180R, 180G).
  14. Anzeigegerät nach Anspruch 13, wobei jede der Mikrolinsen (185) einen Durchmesser aufweist, der größer ist als eine Breite jeder der LED-Zellen (110; 110c).
  15. Anzeigegerät nach einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei jedes der Pixel (PX) Subpixel (SP1, SP2, SP3) enthält, die in einem Bayer-Muster angeordnet sind.
  16. Anzeigegerät nach Anspruch 15, wobei das Pixelarray (100) ferner eine ohmsche Kontaktschicht (132) enthält, die mit der ersten reflektierenden Elektrode (130b) verbunden ist, wobei die ohmsche Kontaktschicht (132) in einem zentralen Bereich zwischen vier benachbarten Subpixeln (SP1, SP2, SP3) angeordnet ist.
  17. Anzeigegerät nach einem der Ansprüche 1 bis 16, wobei ein Winkel zwischen den unteren Oberflächen und den Seitenflächen der LED-Zellen (110; 110c) etwa 85 Grad bis etwa 95 Grad beträgt.
  18. Ein Anzeigegerät, das Folgendes aufweist: ein Schaltungssubstrat (200), das Treiberschaltungen enthält; und ein Pixelarray (100) auf dem Schaltungssubstrat (200), wobei das Pixelarray (100) Folgendes enthält: eine Mehrzahl an Pixeln (PX), Leuchtdioden, LED, -Zellen, die die Mehrzahl an Pixeln (PX) bilden, wobei jede der LED-Zellen (110; 110c) eine Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps (112; 112c), eine aktive Schicht (114) und eine Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps (116) enthält, welche aufeinanderfolgend gestapelt sind, Wellenlängenkonverter (160R, 160G, 160B) auf oberen Oberflächen der LED-Zellen (110; 110c), eine erste reflektierende Elektrode (130; 130a; 130b; 130c), die sich von Seitenflächen der LED-Zellen (110; 110c) zu einem Äußeren der LED-Zellen (110; 110c) erstreckt, wobei sich die erste reflektierende Elektrode (130; 130a; 130b; 130c) zwischen gegenüberliegenden Seitenflächen benachbarter LED-Zellen (110; 110c) erstreckt und eine Gitterform entlang eines Bereichs zwischen den benachbarten LED-Zellen (110; 110c) aufweist, und zweite reflektierende Elektroden (150) auf unteren Oberflächen der LED-Zellen (110; 110c) und jeweils mit den Halbleiterschichten des zweiten Leitfähigkeitstyps (116) verbunden.
  19. Anzeigegerät nach Anspruch 18, wobei die erste reflektierende Elektrode (130; 130b; 130c) eine Mehrzahl an Leitungen enthält, die sich in einer invertierten U-Form erstrecken.
  20. Ein Anzeigegerät, das Folgendes aufweist: ein Schaltungssubstrat (200), das Treiberschaltungen und erste Bondelektroden (298) enthält; und ein Pixelarray (100) auf dem Schaltungssubstrat (200), wobei das Pixelarray (100) enthält: Leuchtdioden, LED, -Zellen (110; 110c), die eine Mehrzahl an Pixeln (PX) bilden, wobei jede der LED-Zellen (110; 110c) eine Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps (112; 112c), eine aktive Schicht (114) und eine Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps (116) enthält, welche aufeinanderfolgend gestapelt sind, eine erste reflektierende Elektrode (130; 130a; 130b; 130c) in einem Bereich zwischen benachbarten der LED-Zellen (110; 110c), ohne die LED-Zellen (110; 110c) vertikal zu überlappen, zweite reflektierende Elektroden (150), die mit den Halbleiterschichten des zweiten Leitfähigkeitstyps (116) verbunden sind, wobei jede der zweiten reflektierenden Elektroden (150) so unterhalb einer unteren Oberfläche einer entsprechenden der LED-Zellen (110; 110c) ist, dass sie die LED-Zellen (110; 110c) vertikal überlappt, Wellenlängenkonverter (160R, 160G, 160B) auf den oberen Oberflächen der LED-Zellen (110; 110c), eine obere Halbleiterschicht (111), die eine Teilungsstruktur aufweist, die Seitenflächen der Wellenlängenkonverter (160R, 160G, 160B) umgibt und die Wellenlängenkonverter (160R, 160G, 160B) voneinander trennt, eine gemeinsame Elektrode (145) auf zumindest einer Seite der LED-Zellen (110; 110c), und zweite Bondelektroden (198), die an die ersten Bondelektroden (298) gebondet sind, wobei ein erster Teilbereich der zweiten Bondelektroden (198) außerhalb der LED-Zellen (110; 110c) mit der ersten reflektierenden Elektrode (130; 130a; 130b; 130c) über die gemeinsame Elektrode (145) verbunden ist und ein zweiter Teilbereich der zweiten Bondelektroden (198) direkt mit den zweiten reflektierenden Elektroden (150) verbunden ist.
DE102022116155.2A 2021-08-03 2022-06-29 Anzeigegerät Pending DE102022116155A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210102083A KR20230020236A (ko) 2021-08-03 2021-08-03 디스플레이 장치
KR10-2021-0102083 2021-08-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102022116155A1 true DE102022116155A1 (de) 2023-02-09

Family

ID=84975045

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102022116155.2A Pending DE102022116155A1 (de) 2021-08-03 2022-06-29 Anzeigegerät

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230037888A1 (de)
KR (1) KR20230020236A (de)
CN (1) CN115706106A (de)
DE (1) DE102022116155A1 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220061344A (ko) * 2020-11-05 2022-05-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230020236A (ko) 2023-02-10
CN115706106A (zh) 2023-02-17
US20230037888A1 (en) 2023-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102017105746B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE102019120380A1 (de) Verbund-bsi-aufbau und verfahren zu seiner herstellung
DE112017006432T5 (de) Hochzuverlässige lumineszenzdiode
DE112011103186T5 (de) Lichtemittierende Diodeneinheit auf Waferebene und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE112016000731T5 (de) Lichtaussendeelement und leuchtdiode
WO2014090605A1 (de) Anzeigevorrichtung und verfahren zur herstellung einer anzeigevorrichtung
DE102020108077A1 (de) Verfahren zur herstellung eines leuchtvorrichtungs-package und verfahren zur herstellung eines display-panels unter verwendung desselben
WO2014053445A1 (de) Verfahren zur herstellung eines leuchtdioden-displays und leuchtdioden-display
DE102007030129A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement
US20220139999A1 (en) Led display apparatus
DE102014011893A1 (de) Leuchtdiode
DE112018006775B4 (de) Anzeigevorrichtung, die lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet
DE102013108769A1 (de) Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
DE102020103935A1 (de) LED-Beleuchtungs-Vorrichtungspaket und Anzeigefeld dasselbe verwendend
DE112018006870T5 (de) Anzeigevorrichtung, die lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet
DE102017113745A1 (de) Halbleiterdisplay, optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung solcher
DE102022116155A1 (de) Anzeigegerät
US20220123047A1 (en) Light emitting device package
DE102021123846A1 (de) Lichtemittierende nitrid-halbleitervorrichtung und anzeigevorrichtung, die eine solche verwendet
DE112021003267T5 (de) Lichtemittierende Vorrichtung und Anzeigevorrichtung
DE102023101783A1 (de) Anzeigeeinrichtung
DE102022134933A1 (de) Anzeigevorrichtung
DE102023118935A1 (de) Anzeigevorrichtung
US20240021751A1 (en) Led module, method of manufacturing the same, and led display apparatus
US20240021661A1 (en) Display apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed