DE102013108769A1 - Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben - Google Patents

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Abstract

Eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung weist eine erste leitende Halbleiterschicht (102), eine aktive Schicht (103), eine zweite leitende Halbleiterschicht (104), eine erste Innenelektrode (105a), eine zweite Innenelektrode (105b), einen Isolationsbereich (106) und eine erste und eine zweite Pad-Elektrode (107a, 107b) auf. Die aktive Schicht (103) ist auf einem ersten Bereich der ersten leitenden Halbleiterschicht (102) angeordnet und weist die zweite leitende Schicht auf, die darauf angeordnet ist. Die erste Innenelektrode (105a) ist auf einem zweiten Bereich der ersten leitenden Halbleiterschicht (102) angeordnet, der von dem ersten Bereich getrennt ist. Die zweite Innenelektrode (105b) ist auf der zweiten leitenden Halbleiterschicht (104) angeordnet. Der Isolationsbereich (106) ist zwischen der ersten und der zweiten Innenelektrode (105a, 105b) angeordnet und die erste und die zweite Pad-Elektrode (107a, 107b) sind auf dem Isolationsbereich (106) angeordnet, um mit einer jeweiligen der ersten und der zweiten Innenelektrode (105a, 105b) verbunden zu sein.

Description

  • QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNGEN
  • Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der am 14. August 2012 bei dem Koreanischen Amt für geistiges Eigentum eingereichten koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2012-0089024 , deren Offenbarung hiermit durch Bezugnahme mit aufgenommen wird.
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung und eine lichtemittierende Vorrichtung.
  • Hintergrund
  • Eine Leuchtdiode (LED) ist eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung, die in der Lage ist, Licht in verschiedenen Farben aufgrund der Rekombination von Elektronen und Löchern bei einem Übergang zwischen p-Typ- und n-Typ-Halbleiterschichten abzugeben, wenn an sie ein Strom angelegt wird. Solch eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung ist im Vergleich zu einer auf einem Glühdraht basierenden lichtemittierenden Vorrichtung aufgrund einer verhältnismäßig längeren Lebensdauer, eines geringeren Leistungsverbrauches, überlegenen Inbetriebnahmeeigenschaften und dergleichen vorteilhaft. Diese Faktoren haben eine Nachfrage nach lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen kontinuierlich angekurbelt. Insbesondere ist in der letzten Zeit sehr viel Aufmerksamkeit den Gruppe III-Nitridhalbleitern gewidmet worden, die Licht in einem blauen Kurzlichtwellenlängebereich emittieren können.
  • Seit der Entwicklung von Nitridhalbleiter verwendenden LEDs haben technische Fortschritte den Anwendungsbereich von diesen vergrößert. Folglich sind viele Studien durchgeführt worden, um zu bestimmen wie Nitridhalbleitervorrichtungen in allgemeinen Beleuchtungsvorrichtungen und elektrischen Lichtquellen zu verwenden sind. Lichtemittierende Nitridvorrichtungen sind als Komponenten verwendet worden, die in Niederstrom- und mobilen Niederleistungsgeräten verwendet werden. Der Anwendungsbereich von lichtemittierenden Nitridvorrichtungen hat sich weiter vergrößert, um den Bereich von Starkstrom- und Hochleistungsgeräten zu umfassen.
  • Dementsprechend ist im Bereich von Verbesserungen einer Lichtabgabeeffizienz und einer Qualität von lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen geforscht worden und es sind insbesondere lichtemittierende Vorrichtungen mit unterschiedlichen Elektrodenstrukturen entwickelt worden, um Lichtausgaberaten und Zuverlässigkeiten davon zu verbessern.
  • KURZFASSUNG
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Anmeldung sieht eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung eine verbesserte Stromverteilungseffizienz und ein wesentlich selteneres Auftreten von Schichtablösungsfehler zwischen einer Elektrode und einer Halbleiterschicht vor.
  • Ein Aspekt der vorliegenden Offenbarung sieht ebenso eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit einer reduzierten Betriebsspannung und einer verbesserten Lichtabgabe vor.
  • Weitere Aspekte der vorliegenden Offenbarung sehen ebenso ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung und eine lichtemittierende Vorrichtung mit einer verbesserten Wärmeabstrahleffizienz und Zuverlässigkeit vor.
  • Die Gegenstände der vorliegenden Offenbarung sind nicht darauf beschränkt und es sind Gegenstände und Effekte, sogar wenn sie nicht ausdrücklich erwähnt sind, die von Ausführungsformen und Ansprüchen der vorliegenden Anmeldung abgeleitet sind, in dem Umfang dieser Offenbarung enthalten.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist eine lichtemittierende Halbleitervorrichtungen auf: eine erste leitende Halbleiterschicht; eine aktive Schicht, die auf einem ersten Bereich der ersten leitenden Halbleiterschicht angeordnet ist; eine zweite leitende Halbleiterschicht, die auf der aktiven Schicht angeordnet ist; eine erste Innenelektrode, die auf einem zweiten Bereich der ersten leitenden Halbleiterschicht getrennt von dem ersten Bereich angeordnet ist; eine zweite Innenelektrode, die auf mindestens einem Bereich der zweiten leitenden Halbleiterschicht angeordnet ist und mit der zweiten leitenden Halbleiterschicht verbunden ist; einen Isolierbereich, der zwischen der ersten und der zweiten Innenelektrode angeordnet ist und einen Öffnungsbereich aufweist, um mindestens einen Bereich von jeder der ersten und der zweiten Innenelektrode freizulegen; und eine erste und eine zweite Pad-Elektrode, die auf dem Isolierbereich angeordnet sind und, wobei jede mit einer jeweiligen von der ersten und der zweiten Innenelektrode verbunden ist, die durch den Öffnungsbereich freigelegt sind.
  • Die erste Innenelektrode kann aus einer Mehrzahl von Elektroden gebildet sein, die voneinander getrennt sind und auf dem zweiten Bereich der ersten leitenden Halbleiterschicht angeordnet sind und die erste Pad-Elektrode kann die Elektroden der Mehrzahl von Elektroden verbinden, die die erste Innenelektrode bilden. Der Isolierbereich kann mindestens einen Bereich jeder der Mehrzahl von Elektroden freilegen, die die erste Innenelektrode bilden.
  • Die erste Innenelektrode kann eine Mehrzahl von ersten Bereichen und eine Mehrzahl von zweiten Bereichen, die die Mehrzahl von ersten Bereichen verbinden, aufweisen und jeder der ersten Bereiche kann eine Breite aufweisen, die breiter als eine Breite jedes der zweiten Bereiche ist.
  • Die Mehrzahl von ersten Bereichen kann in einer Mehrzahl von Zeilen und einer Mehrzahl von Spalten angeordnet sein und, wobei jeder der zweiten Bereiche erste Bereiche verbinden kann, die in einer gleichen Zeile angeordnet sind.
  • Die erste Innenelektrode kann einen dritten Bereich aufweisen, der erste Bereiche in unterschiedlichen Zeilen unter der Mehrzahl von Zeilen verbindet. Die erste Innenelektrode kann mit einer gleichen Stärke in den ersten Bereichen und in den zweiten Bereichen davon gebildet sein. Der Isolierbereich kann eine Oberfläche der ersten Innenelektrode nicht bedecken. Die erste Innenelektrode und die erste Pad-Elektrode können aus dem gleichen Material gebildet sein.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung ein Bilden einer Nut in einer ersten leitenden Halbleiterschicht, einer aktiven Schicht, die auf der ersten leitenden Halbleiterschicht ausgebildet ist, und einer zweiten leitenden Halbleiterschicht, die auf der aktiven Schicht ausgebildet ist, durch Entfernen mindestens eines Bereiches der zweiten leitenden Halbleiterschicht und der aktiven Schicht, um einen ersten Bereich der ersten leitenden Halbleiterschicht freizulegen, auf. Eine erste Innenelektrode, die mit dem ersten Bereich der ersten leitenden Halbleiterschicht verbunden ist, wird durch Füllen eines Bereiches der Nut mit einem Elektrodenmaterial gebildet. Eine zweite Innenelektrode, die mit der zweiten leitenden Halbleiterschicht verbunden ist, wird auf mindestens einem Bereich der zweiten leitenden Halbleiterschicht gebildet. Ein Isolierbereich wird durch Füllen eines Restbereiches der Nut mit einem Isolationsmaterial gebildet, wobei der Isolationbereich zwischen den der ersten und der zweiten Innenelektrod gebildet wird und derart gebildet wird, dass er einen Öffnungsbereich aufweist, der den mindestens einen Bereich von jeder der ersten und der zweiten Innenelektrode freilegt. Eine erste und eine zweite Pad-Elektrode werden dann auf dem Isolierbereich gebildet und werden jeweils mit einer jeweiligen der ersten und der zweiten Innenelektrode verbunden, die durch den Öffnungsbereich freigelegt werden.
  • Entsprechend dem Verfahren kann die erste Innenelektrode derart gebildet werden, dass sie eine Form entsprechend einer Form der Nut aufweist. Die Nut kann derart gebildet werden, dass sie eine Mehrzahl von ersten Bereichen, die voneinander getrennt sind, und eine Mehrzahl von zweiten Bereichen aufweist, die die Mehrzahl von ersten Bereichen verbindet und, wobei jeder der ersten Bereiche eine Breite aufweisen kann, die breiter als eine Breite jedes der zweiten Bereiche ist.
  • Die Mehrzahl von ersten Bereichen kann in einer Mehrzahl von Zeilen und einer Mehrzahl von Spalten angeordnet werden und jeder der zweiten Bereiche kann erste Bereiche verbinden, die in der gleichen Zeile angeordnet werden.
  • Die Nut kann einen dritten Bereich aufweisen, der erste Bereiche verbindet, die in unterschiedlichen Zeilen unter der Mehrzahl von Zeilen angeordnet werden.
  • Die erste Innenelektrode kann derart gebildet werden, dass sie einen Bereich des dritten Bereiches füllt.
  • Die erste Innenelektrode kann derart gebildet werden, dass sie einen Bereich der ersten Bereiche und einen Bereich der zweiten Bereiche füllt.
  • Die erste Innenelektrode kann derart gebildet werden, dass sie Bereiche, die die ersten und zweiten Bereiche füllt, die gleiche Stärke aufweisen können.
  • Die erste Innenelektrode kann derart gebildet werden, dass sie einen Bereich von ersten Bereichen füllt und in den zweiten Bereichen nicht gebildet werden kann.
  • Die erste Innenelektrode kann derart gebildet werden, dass sie eine Mehrzahl von Kontaktbereichen aufweist, wobei jeder einen Bereich eines entsprechenden ersten Bereiches füllt und der Isolierbereich kann derart gebildet werden, dass er mindestens einen Bereich jedes der Mehrzahl von Kontaktbereichen freilegt und, um die zweiten Bereiche derart zu bedecken, dass die zweiten Bereiche nicht freigelegt werden.
  • Die Nut kann derart gebildet werden, dass sie eine Form aufweist, bei der eine Mehrzahl von Streifen parallel zueinander angeordnet werden, wenn sie von oberhalb der zweiten leitenden Halbleiterschicht betrachtet wird und die Mehrzahl von Streifen kann miteinander über einen weiteren Bereich der Nut, die in einer Richtung senkrecht zu der Mehrzahl von Streifen gebildet ist, verbunden werden.
  • Die Mehrzahl von Streifen kann eine einheitliche Breite aufweisen.
  • Der Isolierbereich kann eine Oberfläche der ersten Innenelektrode nicht bedecken.
  • Die erste Innenelektrode und die erste Pad-Elektrode können aus dem gleichen Material gebildet werden.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist eine lichtemittierende Vorrichtung auf: ein Montagesubstrat; und eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung, die auf dem Montagesubstrat angeordnet ist und derart konfiguriert ist, dass sie Licht emittiert, wenn ein elektrisches Signal auf sie aufgebracht wird, wobei die lichtemittierende Halbleitervorrichtung aufweist: eine erste leitende Halbleiterschicht; eine aktive Schicht, die auf einem ersten Bereich der ersten leitenden Halbleiterschicht angeordnet ist; eine zweite leitende Halbleiterschicht, die auf der aktiven Schicht angeordnet ist; eine erste Innenelektrode, die auf einem zweiten Bereich der ersten leitenden Halbleiterschicht angeordnet ist, der von dem ersten Bereich getrennt ist; eine zweite Innenelektrode, die auf mindestens einem Bereich der zweiten leitenden Halbleiterschicht angeordnet ist; einen Isolierbereich, der zwischen det ersten und der zweiten Innenelektrode angeordnet ist und einen Öffnungsbereich aufweist, um mindestens einen Bereich von jeder von der ersten und der zweiten Innenelektrode freizulegen; und eine erste und eine zweite Pad-Elektrode, die auf dem Isolierbereich angeordnet sind und, wobei jede mit einer jeweiligen einen von der ersten und der zweiten Innenelektrode verbunden ist, die durch den Öffnungsbereich freigelegt sind.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die obigen und weiteren Aspekte, Eigenschaften und weitere Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden durch die folgende detaillierte Beschreibung klarer werden, die in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen vorgenommen werden, in denen:
  • 1 eine schematische Draufsicht ist, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht;
  • 2 eine schematische Querschnittsanicht entlang einer Linie A-A' aus 1 ist, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
  • 3 eine schematische Querschnittsansicht entlang einer Linie B-B' aus 1 ist, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht;
  • Die 4 bis 15 schematische Verfahrensansichten sind, die Schritte eines Verfahrens zum Herstellen einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulichen;
  • Die 16, 17 und 18 schematische Querschnittsansichten sind, die eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulichen;
  • Die 19 bis 23 schematische Ansichten sind, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung gemäß weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung und Verfahrensansichten, die Schritte eines Verfahrens zum Herstellen derselben veranschaulicht, veranschaulichen; und
  • Die 24 und 25 schematische Verfahrens-Querschnittansichten sind, die Schritte eines Verfahrens zum Herstellen einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform/weiteren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung veranschaulichen.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Im Folgenden sind Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung detailliert in Bezug auf beigefügte Zeichnungen beschrieben. Die erfinderische Idee kann jedoch in vielen unterschiedlichen Formen verkörpert sein und sollte nicht als auf die hier zuvor vorgestellten Ausführungsformen beschränkt aufgefasst werden. Eher sind diese Ausführungsformen vorgesehen, dass diese Offenbarung gründlich und vollständig ist und den Umfang der erfinderischen Idee vollständig abdeckt. In den Zeichnungen können die Formen und Dimensionen von Elementen der Klarheit halber übertrieben sein und die gleichen Bezugszeichen werden im Allgemeinen durchgängig verwendet werden, um die gleichen oder ähnliche Elemente zu bezeichnen.
  • 1 ist eine schematische Draufsicht, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht; 2 ist eine schematische Querschnittsansicht entlang einer Linie A-A' aus 1; und 3 ist eine schematische Querschnittsansicht entlang einer Linie B-B' aus 1. In Bezug auf die 1, 2 und 3 kann eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100 eine lichtemittierende Struktur, die auf einem Substrat 101 angeordnet ist, dass heißt, einen lichtemittierenden Stapel mit einer ersten leitenden Halbleiterschicht 102, einer aktiven Schicht 103 und einer zweiten leitenden Halbleiterschicht 104 und einer Elektrodenstruktur mit einer ersten und einer zweiten Innenelektrode 105a und 105b und einer ersten und einer zweiten Pad-Elektrode 107a und 107b aufweisen. Im Folgenden werden jeweilige Komponenten der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 beschrieben werden.
  • Das Substrat 101 kann als ein Halbleiter-Wachstumssubstrat vorgesehen sein und aus einem Halbleitermaterialen mit Isolations- oder Leitungseigenschaften wie zum Beispiel Saphir, Siliziumkarbid (SiC), MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN oder derselben gebildet sein. Das Substrat 101 kann Eigenschaften aufweisen, die es ermöglichen, das mindestens ein Teil eines Lichts, das von der aktiven Schicht 103 emittiert wird, dadurch übertragen wird. Dementsprechend kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100 eine Flip-Chip-Form aufweisen, in der, wenn die Halbleitervorrichtungen in einer Schaltung montiert ist, das Substrat 101 nach oben ausgerichtet ist. In diesem Fall kann Saphir mit elektrischen Isolationseigenschaften am Bevorzugtesten als das Substrat 101 verwendet werden. Saphir ist ein Kristall mit einer Hexa-Rhombo-R3C-Symmetrie und weist eine Gitterkonstante von 13,001 Å entlang einer C-Achse und einer Gitterkonstante von 4,758 Å entlang einer A-Achse auf. Der Saphir weist eine C-(0001)-Ebene, eine A-(1120)-Ebene, eine R-(1102)-Ebene und dergleichen auf. In diesem Fall wird die C-Ebene hauptsächlich als ein Nitrid-Wachstumssubstrat verwendet, da die C-Ebene das Wachstum einer Nitridschicht verhältnismäßig vereinfacht und bei Hochtemperatur stabil ist. Unterdessen kann, so wie in 2 und 3 veranschaulicht ist, eine Mehrzahl von unebenen Strukturen auf einer Oberfläche des Substrats 101, nämlich eine Halbleiter-Wachstumsschicht, derart gebildet werden, dass die Strukturen eine Halbleiterschicht-Kristallinität und eine Lichtemissionseffizienz erhöhen. Jedoch sind unebene Strukturen nicht notwendigerweise erforderlich und in einigen Fällen können sie ausgeschlossen werden.
  • Die erste und die zweite leitende Halbleiterschicht 102 und 104 der lichtemittierenden Struktur können Halbleiter sein, die jeweils mit n-Typ- oder p-Typ-Verunreinigungen dotiert sind; jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt. Allgemeiner können die ersten und zweiten leitenden Halbleiterschichten 102 und 104 jeweils eine p-Typ- und eine n-Typ-Halbleiterschicht sein. Die erste und die zweite leitende Halbleiterschicht 102 und 104 können aus einem Nitrid-Halbleiter zum Beispiel einem Material mit einer Zusammensetzungsformel von AlxInyGa1-x-yN (0 ≤ X ≤ 1, 0 ≤ Y ≤ 1, 0 ≤ X + Y ≤ 1) gebildet werden. Außerdem kann ebenso ein AlGaInP-basierter Halbleiter oder ein AlGaAs-basierter Halbleiter verwendet werden. Zusätzlich kann die aktive Schicht 103, die zwischen der ersten und der zweiten leitenden Halbleiterschicht 102 und 104 angeordnet ist, eine Multi-Quantentopf-(MQW)-Struktur aufweisen, bei der Quantentopf-Schichten und Quantenbarriere-Schichten abwechselnd gestapelt sind und in diesem Fall eines Nitrid-Halbleiters kann hier eine GaN/InGaN-Struktur zum Beispiel verwendet werden. Währenddessen können die erste und zweite leitende Halbleiterschicht 102 und 104 und die aktive Schicht 103, die die lichtemittierende Struktur bildet, durch ein aus dem Stand der Technik bekanntes Verfahren wie zum Beispiel eine Metallorganische-Chemische-Dampfphasenabscheidung (MOCVD), eine Hydrid-Gasphasen-Epitaxie (HVPE), eine Molekularstrahlenepitaxie (MBE) oder dergleichen gewachsen werden.
  • Die erste Innenelektrode 105a kann auf einem Substrat 101 gebildet sein, auf dem die erste leitende Halbleiterschicht 102, die aktive Schicht 103 und die zweite leitende Halbleiterschicht 104 der Reihe nach gebildet worden sind. Die erste Innenelektrode 105a kann sodann durch Entfernen der ersten leitenden Halbleiterschicht 102, der aktiven Schicht 103 und der zweiten leitenden Halbleiterschicht 104 von einem Bereich des Substrats gebildet werden, sodass eine Nut gebildet wird, die die erste leitende Halbleiterschicht 102 erreicht und verbindet. Die erste Innenelektrode 105a kann sodann in der Nut auf dem freigelegten Bereich des Substrats gebildet werden und kann eine Form aufweisen, die der Nut entspricht. Zusätzlich kann die zweite Innenelektrode 105b auf mindestens einem Bereich der zweiten leitenden Halbleiterschicht 104 anders als der Bereich mit der darauf gebildeten ersten Innenelektrode 105a gebildet werden und die zweite Innenelektrode 105b kann derart gebildet werden, dass sie die zweite leitende Halbleiterschicht 104 verbindet. Alternativ kann die erste leitende Halbleiterschicht 102 nicht so entfernt werden, dass sie die Nut bildet, die die erste leitende Halbleiterschicht 102 freilegt. In solch einem Fall kann die erste Innenelektrode 105a eine höchste Oberfläche der ersten leitenden Halbleiterschicht 102 berühren. Währenddessen kann, wenn die Nut durch Entfernen eines Bereiches der lichtemittierenden Struktur gebildet wird, eine Seitenfläche der Nut geneigt sein, so wie es in 3 veranschaulicht ist. Jedoch kann, so wie es in 6 oder derselben veranschaulicht ist, die Seitenfläche der Nut nicht geneigt sein und der Neigungsgrad (oder Nicht-Neigung) kann gemäß eines Entfernungsverfahren der ersten leitenden Halbleiterschicht 102, der aktiven Schicht 103 und der zweiten leitenden Halbleiterschicht 104 bestimmt werden.
  • Die erste Innenelektrode 105a und die zweite Innenelektrode 105b können aus einem leitenden Material gebildet sein, dass Widerstandseigenschaften aufweist. Die erste Innenelektrode 105a und die zweite Innenelektrode 105b können jeweils in Bezug auf die erste und die zweite leitende Halbleiterschichte 102 und 104 gebildet werden und eine Einzelschichtstruktur oder eine Multilayer-Struktur aufweisen. Die erste und die zweite Innenelektrode 105a und 105b können zum Beispiel aus einem von Silber (Ag), Aluminium (Al), Nickel (Ni), Chrom (Cr), Palladium (Pd), Kupfer (Cu) und dergleichen oder einer Legierung davon gebildet werden unter Verwenden eines Beschichtungsverfahrens, eines Sputter-Verfahrens, eines Plattierungs-Verfahrens oder derselben gebildet werden. Die erste und die zweite Innenelektrode 105a und 105b können aus einem Hochreflektionsmaterial gebildet werden, derart, dass die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 100 dazu geeignet ist, in der Form eines wie oben beschriebenen Flip-Chips verwendet zu werden. Jedoch ist ein Bilden der ersten und der zweiten Innenelektrode 105a und 105b mit einem Reflektionsmaterial nicht unbedingt erforderlich und ein Bereich der Gesamtheit der ersten und der zweiten Innenelektrode 105a und 105b kann aus einem transparenten leitenden Oxid (TCO) oder derselben gebildet werden, wenn es erforderlich ist.
  • Bei einer Ausführungsform kann die erste Innenelektrode 105a eine Mehrzahl von Kontaktbereichen C aufweisen, die jeweils eine verhältnismäßig größere Breite als weitere Bereiche der ersten Innenelektrode 105a aufweisen, wenn sie von oben betrachtet werden, sowie es in 1 gezeigt ist, um dadurch ausreichende Kontaktbereiche mit der ersten Pad-Elektrode 107a sicherzustellen. Die Kontaktbereiche C können derart gebildet werden, dass sie durch die zweite leitende Halbleiterschicht 104 und die Schicht 103 derart durchdringen, dass die erste Innenelektrode 105a mit der ersten leitenden Halbleiterschicht 102 in den Kontaktbereichen C verbunden wird. Insbesondere kann die Mehrzahl von Kontaktbereichen C in Zeilen und Spalten so wie es in 1 dargestellt ist derart angeordnet werden, dass ein Stromfluss darin gleichmäßig sein kann. Zusätzlich kann die Mehrzahl von Kontaktbereichen C miteinander durch weitere Bereiche der ersten Innenelektrode 105a verbunden werden (wie zum Beispiel die Bereiche, die in gestrichelten Linien in 1 gezeigt sind und Bereiche zeigen, in die sich eine erste Innenelektrode 105a erstreckt und wie zum Beispiel die Zeile von vier Kontaktbereichen C, die durch die erste Innenelektrode 105a so wie in 2 dargestellt, verbunden sind). Die zweite Innenelektrode 105b kann in einem Bereich getrennt von und räumlich getrennt von einem Umfangsbereich der Kontaktbereiche C derart gebildet werden, dass eine Verspannung in dem Umfangsbereich der Kontaktbereiche C verringert werden kann, um eine Häufigkeit eines Auftretens eines Schichtablösungsphänomens der zweiten Innenelektrode 105b zu verringern. Ferner kann, wenn ein Bereich, der die Kontaktbereiche C verbindet, nicht vorhanden ist, die Gesamtheit von Kontaktbereichen C durch die zweite Innenelektrode 105b umgeben sein und in diesem Fall kann eine große Verspannung auf den Umfangsbereich der Kontaktbereiche C wirken und dadurch eine Wahrscheinlichkeit erhöhen, dass die zweite Innenelektrode 105b und die zweite leitende Halbleiterschicht 104 sich ablösen. Währenddessen ist es nicht nötigerweise in der Ausführungsform erforderlich, jedoch kann die erste Innenelektrode 105a einen linearen oder weiteren Bereich aufweisen, der Kontaktbereiche C in unterschiedlichen Zeilen unter der Mehrzahl von Kontaktbereichen C verbindet, so wie es in den gestrichelten Linien der 1 veranschaulicht ist und der lineare oder weitere Bereich kann in dem Umkreis der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung (wie weiter in 1 veranschaulicht ist) angeordnet werden.
  • Die erste Innenelektrode 105a kann von einem Isolierbereich 106 umgeben sein und von der aktiven Schicht 103 und der zweiten leitenden Halbleiterschicht 104 elektrisch isoliert sein. Zusätzlich kann so wie es in 2 veranschaulicht ist der Isolierbereich 106 Ausgewählten der Mehrzahl von Kontaktbereichen C (und einem entsprechenden Bereich/entsprechenden Bereichen der ersten Innenelektrode 105a) ermöglichen, dass diese freigelegt und mit der ersten Pad-Elektrode 107a verbunden sind, während ermöglicht wird, dass der Rest der ersten Innenelektrode 105a (das heißt Bereiche, die die Mehrzahl von Kontaktbereichen C verbinden) nicht freigelegt werden und stattdessen durch den Isolierbereich 106 bedeckt werden. Auf diese Weise kann die Mehrzahl von Kontaktbereichen C mit einer größeren Breite mit der ersten Pad-Elektrode 107a verbunden werden, während weitere Bereiche der ersten Innenelektrode 105a (zum Beispiel Bereiche, die die Mehrzahl von Bereichen C verbinden und Bereiche beinhalten, die eine reduzierte Breite aufweisen) nicht in direktem Kontakt mit oder in Verbindung mit der ersten Pad-Elektroden 107a sein können. Das Vorhandensein der weiteren Bereiche kann sicherstellen, dass die lichtemittierende Halbleitervorrichtung einen ausreichenden lichtemittierenden Bereich vorsieht und einen Lichtverlust aufgrund von Lichtabsorption der ersten Innenelektrode 105a reduziert.
  • Insbesondere kann, um die ersten Pad-Elektroden 107a und die erste Innenelektrode 105a zu verbinden, ein Verfahren zum Bilden eines Öffnungsbereiches in dem Isolierbereich 106 verwendet werden. Jedoch kann eine Begrenzung in einer Reduzierung der Breite der Kontaktbereiche C unter Berücksichtigung einer Verfahrensgrenze vorhanden sein. Da der Bereich von Bereichen der ersten Innenelektrode 105a, die über den Öffnungsbereichen des Isolierbereiches 106 freigelegt sind, zunimmt, kann der Bereich der ersten Elektrode 105a ebenso zunehmen, um dabei einen lichtemittierenden Bereich und eine Lichtabgabeeffizienz der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung zu reduzieren. Folglich werden bei einer Ausführungsform nur die Kontaktbereiche C, die mit den ersten Pad-Elektroden 107a verbunden sind, derart gebildet, dass sie eine verhältnismäßig große Breite aufweisen, um dadurch eine Lichtabgabeeffizienz zu verbessern. Währenddessen können in Bezug auf die Bereiche der ersten Innenelektrode 105a, die durch das gleiche Verfahren gebildet werden, die Kontaktbereiche C und weitere Bereiche der ersten Innenelektrode 105a die gleiche Stärke aufweisen und so wie später beschrieben können die Kontaktbereiche C einen Bereich bezeichnen, der einen ersten Bereich der Nut füllt und die weiteren Bereiche können einen Bereich bezeichnen, der einen zweiten Bereich der Nut füllt. Jedoch ist dies nicht unbedingt darauf beschränkt.
  • Der Isolierbereich 106 kann einen Bereich der Nut derart füllen, dass die erste Innenelektrode 105a nicht mit der aktiven Schicht 103 und der zweiten leitenden Halbleiterschicht 104 verbunden ist. Zusätzlich kann der Isolierbereich 106 auf und zwischen der ersten und der zweiten Innenelektrode 105a und 105b gebildet werden, um die erste und die zweiten Innenelektrode 105a und 105b voneinander zu isolieren. In diesem Fall kann der Isolierbereich 106 einen Öffnungsbereich aufweisen, um mindestens einen Bereich von jeder der ersten und der zweiten Innenelektrode 105a und 105b freizulegen und die erste und die zweite Pad-Elektrode 107a und 107b können auf/in dem Öffnungsbereich ausgebildet sein. Der Isolierbereich 106 kann aus irgendeinem Material ausgebildet sein, das elektrische Isolationseigenschaften aufweist, wie zum Beispiel ein elektrisches Isolationsmaterial wie zum Beispiel ein Siliziumoxid, ein Siliziumnitrid oder derselben. Zusätzlich sind lichtreflektierende Füller in dem elektrischen Isolationsmaterial verteilt, um eine lichtreflektierende Struktur zu bilden.
  • Die erste und die zweite Pad-Elektrode 107a und 107b können mit der ersten und der zweiten Innenelektrode 105a und 105b jeweils verbunden sein und können als externe Anschlüsse der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 100 dienen. Die erste und zweite Pad-Elektrode 107a und 107b können als Einzelschicht oder als Zwei- oder Mehrschichten gebildet werden und aus einem von Ag, Al, Ni, Cr, Pd, Cu und dergleichen, oder eine Legierung davon unter Verwenden eines Abscheidungsverfahrens, eines Sputter-Verfahrens, eines Plattierungsverfahren oder derselben gebildet werden. Zusätzlich oder alternativ können die erste und die zweite Pad-Elektrode 107a und 107b aus einem eutektischen Metall wie zum Beispiel AuSn, SnBi oder derselben gebildet werden oder dieses aufweisen. In solch einem Fall können, wenn sie in einem Gehäuse oder dergleichen montiert sind, die erste und zweite Pad-Elektrode 107a und 107b durch ein eutektisches Bonding verbunden werden, sodass kein Bedarf besteht, einen Löt-Bump zu verwenden, der gewöhnlich bei einem Flip-Chip-Bonding-Verfahren erforderlich ist. Im Vergleich zu Fällen, die den Löt-Bump verwenden, ermöglicht das Montageverfahren unter Verwenden des eutektischen Metalls eine bessere Wärmeableitung. In diesem Fall können, um eine höhere Wärmeableitung zu erhalten, die erste und die zweite Pad-Elektrode 107a und 107b derart gebildet werden, dass sie einen verhältnismäßig großen Bereich bedecken. Insbesondere kann der Bereich, der durch die erste und zweite Pad-Elektrode 107a und 107b bedeckt ist, 80% bis 95% in Bezug auf einen Gesamtbereich einer Oberfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung sein.
  • Die Struktur der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung kann spezieller durch die Beschreibung eines Herstellungsverfahrens davon, das weiter unten beschrieben wird, verstanden werden. Die 4 bis 15 sind schematische Verfahrensansichten, die Schritte eines Verfahrens zum Herstellen einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulichen. Bei dem Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsformen kann ein Halbleiterstapel zuerst durch Wachsen der ersten leitenden Halbleiterschicht 102, der aktiven Schicht 103 und der zweiten leitenden Halbleiterschicht 104 auf dem Substrat 101 unter Verwendung eines Verfahrens wie zum Beispiel MOCVD, HVPE oder derselben so wie in 4 dargestellt gebildet werden. Das Substrat 101 kann unebene Strukturen aufweisen, die auf einer Oberfläche davon ausgebildet sind (zum Beispiel eine Oberfläche, die eine erste leitende Halbleiterschicht 102 berührt) sowie in den Beispielen der 2 und 3 dargestellt oder das Substrat kann keine unebenen Strukturen auf einer Oberfläche davon aufweisen, so wie in dem Beispiel der 5 dargestellt ist.
  • Nachdem der Halbleiterstapel gebildet wurde, so wie in 5 (eine Draufsicht) und 6 (eine Querschnittsansicht) veranschaulicht ist, wird eine Nut G, die die erste leitende Halbleiterschicht 102 freilegt, durch Entfernen eines Bereiches der ersten leitenden Halbleiterschicht 102, der aktiven Schicht 103 und der zweiten leitenden Halbleiterschicht 104 gebildet. Die Schichten können durch ein Ätzen entfernt werden, sodass Seitenflächen der Nut G nicht geneigt sind, so wie es in 6 dargestellt ist. Alternativ können weitere Entfernungsverfahren verwendet werden, die eine Nut mit geneigten Rändern vorsehen so wie die in den 2 und 3 dargestellten. Währenddessen können so wie in 5 veranschaulicht ist die Schichten bei einem Randbereich der lichtemittierenden Struktur gleichzeitig oder getrennt von dem Bilden der Nut G entfernt werden, um einen Randbereich der ersten leitenden Halbleiterschicht 102 freizulegen. Der freigelegte Randbereich der ersten leitenden Halbleiterschicht 102 kann als eine Trennlinie während eines Trennens der lichtemittierenden Struktur in Chip-Einheiten verwendet werden. Jedoch ist das Bilden der Trennlinie bei der Ausführungsform nicht notwendig oder erforderlich und falls erforderlich können weitere Bereiche, die die erste leitende Halbleiterschicht 102 ausgenommen der Nut G freilegen, gebildet oder nicht gebildet werden.
  • Bei einer Ausführungsform kann die Nut G als ein Bereich zum Bilden der Innenelektrode 105a darin vorgesehen sein und kann eine Mehrzahl von ersten Bereichen ➀ mit einer verhältnismäßig großen Breite, um einen großen Bereich der ersten leitenden Halbleiterschicht 102 freizulegen, und zweite Bereiche ➁ aufweisen, die mindestens einige der ersten Bereiche ➀ verbinden und eine verhältnismäßig kleine Breite aufweisen. Die Innenelektrode 105a kann in der Nut G gebildet werden, um eine Form entsprechend der Nut G aufzuweisen. Im Allgemeinen ist die Form der jeweiligen ersten Bereiche ➀ nicht darauf beschränkt, eine kreisrunde Form aufzuweisen, wenn sie von oben betrachtet werden und weitere Formen wie zum Beispiel eine polygonale Form, ovale Form oder derselben kann verwendet werden.
  • So wie in 5 veranschaulicht kann die Mehrzahl von ersten Bereichen ➀ in Zeilen und Spalten angeordnet sein und die zweiten Bereiche ➁ können erste Bereiche ➀, die in einer gleichen Zeile unter der Mehrzahl von ersten Bereichen ➀ positioniert sind, verbinden. Zusätzlich kann die Nut G ferner einen dritten Bereich ➂ aufweisen, der erst Bereiche ➀, die in unterschiedlichen Zeilen unter der Mehrzahl von ersten Bereichen ➀ positioniert sind, verbindet. Dementsprechend kann eine einzelne Nut G verwendet werden, um alle der ersten Bereiche ➀ zu verbinden und die erste Innenelektrode 105a mit einer Form entsprechend der Nut G kann auf ähnliche Weise verbunden werden.
  • Als Nächstes kann, so wie es in 7 (eine Draufsicht) und 8 (eine Querschnittsansicht) veranschaulicht ist, die erste Innenelektrode 105a, die die erste leitende Halbleiterschicht 102 berührt und mit ihr verbunden ist, derart gebildet sein, dass sie der Form der Nut G entspricht. Dementsprechend kann die Mehrzahl von Kontaktbereichen C der ersten Innenelektrode 105a in der Mehrzahl von ersten Bereichen ➀ der Nut G gebildet werden und Bereiche der ersten Innenelektrode 105a, die in den zweiten Bereich ➁ und den dritten Bereich ➂ gebildet werden, können die Mehrzahl von Kontaktbereichen C verbinden. Jedoch kann bei einigen Beispielen so wie in 9 veranschaulicht ist die erste Innenelektrode 105a aus einer Mehrzahl von Elektroden, die voneinander getrennt sind, gebildet werden, sodass die erste Innenelektrode 105a nur in jedem der Kontaktbereiche C gebildet wird und nicht in den zweiten Bereichen ➁ und den dritten Bereich ➂ gebildet werden kann. In dem Fall, bei dem eine erste Innenelektrode 105a nur in den Kontaktbereichen C gebildet wird, kann in Anbetracht einer aktuellen Verteilung im Vergleich zu dem vorherigen Fall nachteilig sein, bei dem die erste Innenelektrode 105a in den ersten Bereichen ➀, den zweiten Bereichen ➁ und in dem dritten Bereich ➂ gebildet wird; jedoch kann ein Lichtverlust aufgrund der ersten Innenelektrode 105a reduziert werden. Zusätzlich kann die Trennung der zweiten Innenelektrode 105b aufgrund der Nut G zugelassen werden, sodass das Schichtablösungsphänomen der zweiten Innenelektrode 105b verringert wird.
  • So wie in 10 (eine Querschnittsansicht) und 11 (eine Draufsicht) veranschaulicht ist, wird die zweite Innenelektrode 105b auf der zweiten leitenden Halbleiterschicht 104 gebildet und danach kann der Isolierbereich 106 gebildet werden, um die Nut G und die ersten und zweiten Innenelektroden 105a und 105b zu bedecken (wie in 12 gezeigt ist). Der Isolierbereich 106 kann derart gebildet werden, dass er die Gesamtoberfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung bedeckt und kann aus einem Isoliermaterial wie zum Beispiel Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder derselben durch Verwenden eines Abscheidungsverfahrens, einem Spin-Coating-Verfahren oder dergleichen gebildet werden. Danach kann, so wie in 13 (eine Draufsicht) und der 14 (eine Querschnittsansicht) veranschaulicht ist, ein Öffnungsbereich O in dem Isolierbereich 106 gebildet werden, um mindestens einen Bereich der ersten und der zweiten Innenelektrode 105a und 105b freizulegen. In diesem Fall kann, so wie es oben beschrieben ist, die erste Innenelektrode 105a freigelegte Bereiche entsprechend den Kontaktbereichen C aufweisen. Sodann, so wie in 15 veranschaulicht ist, werden die erste und die zweite Pad-Elektrode 107a und 107b gebildet, um die erste und die zweite Innenelektrode 105a und 105b jeweils zu verbinden.
  • Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit der oben beschriebenen Struktur kann auf einem Montagesubstrat oder dergleichen aufgebracht werden, um dadurch in einer lichtemittierenden Vorrichtung zum Beispiel in einer Hintergrundbeleuchtungseinheit einer Anzeigevorrichtung, einer Innen-/Außenbeleuchtungsvorrichtung, eines Fahrzeugscheinwerfers oder derselben verwendet zu werden.
  • Insbesondere sind die 16, 17 und 18 schematische Querschnittsansichten, die eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulichen. Die lichtemittierende Vorrichtung gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann ein Montagesubstrat 108 und eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung aufweisen, die darauf montiert ist, und in diesem Fall kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung ein Substrat wie dieses, das oben in Bezug auf die 1 bis 15 beschrieben ist, aufweisen. Das Montagesubstrat 108 kann erste und zweite Oberflächenelektroden 109a und 109b und erste und zweite Unterseitenelektroden 111a und 111b aufweisen. So wie veranschaulicht können die ersten und zweiten Oberflächenelektroden 109a und 109b mit den ersten und zweiten Unterseitenelektroden 111a und 111b über erste und zweite Durchgangslöcher 110a und 110b verbunden sein. Die veranschaulichte Struktur des Montagesubstrats 108 ist ausnahmsweise beispielhaft vorgesehen und kann in unterschiedlichen Formen verwendet werden. Zusätzlich kann das Montagesubstrat 108 als ein Schaltungssubstrat 100 wie zum Beispiel PCB, MCPCB, MPCB, FPCB oder derselben vorgesehen sein oder als ein keramisches Substrat wie zum Beispiel AlN, Al2O3 oder dergleichen. Alternativ kann das Montagesubstrat 108 in der Form eines Bauelementerahmens vielmehr als die Form eines Substrats aufweisend vorgesehen sein.
  • Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung kann in der Form eines Flip-Chips so wie oben beschrieben vorgesehen sein. Anders ausgedrückt können die erste und die zweite Pad-Elektrode 107a und 107b in einer Richtung hin zu dem Montagesubstrat 108 angeordnet werden. Die erste und die zweite Pad-Elektrode 107a und 107b können Bonding-Schichten wie zum Beispiel eutektische Metallschichten auf ihren Oberflächen aufweisen, derart, dass die erste und die zweite Pad-Elektrode 107a und 107b mit der ersten und der zweiten Oberflächenelektrode 109a und 109b verbunden werden können. In Situationen, bei denen die erste und zweite Pad-Elektrode 107a und 107b keine Bonding-Schichten aufweisen können getrennte Bonding-Schichten wie zum Beispiel eine eutektische Metallschicht, leitende Epoxidschichten oder derselben zwischen der ersten und der zweiten Pad-Elektrode 107a und 107b und der ersten und der zweiten Oberflächenelektrode 109a und 109b gebildet werden. Währenddessen ist es bei der Ausführungsform nicht unbedingt erforderlich, jedoch kann ein Wellenlänge-Umwandlungsbereich 112 zum Umwandeln einer Wellenlänge von Licht, das von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen in eine andere Wellenlänge emittiert wird, gebildet werden oder auf Oberflächen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung angeordnet werden. Zu diesem Zweck kann der Wellenlänge-Umwandlungsbereich 112 eine fluoriszierende Substanz, einen Quantenpunkt oder derselben aufweisen.
  • Bei einem modifizierten Beispiel einer in 17 dargestellten lichtemittierenden Vorrichtung kann ein Wellenlängen-Umwandlungsbereich 112' auf der Oberfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gebildet werden. Insbesondere kann der Wellenlängen-Umwandlungsbereich 112' nur auf einer Oberfläche eines Substrats 101' gebildet werden und ein Reflektionsbereich 113 kann auf Seitenflächen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gebildet werden. In diesem Fall kann eine unebene Struktur zwischen dem Wellenlängen-Umwandlungsbereich 112' und dem Substrat 101' gebildet werden und solch eine unebene Struktur kann auf irgendeine der zuvor beschriebenen Ausführungsformen angewendet werden. Der Reflektionsbereich 113 kann eine Struktur aufweisen, in der Reflektionsfüller wie zum Beispiel Keramiken oder Metalle wie zum Beispiel TiO2, SiO2 und dergleichen in einem durchsichtigen Harz verteilt sind. Zusätzlich kann so wie in dem Beispiel einer lichtemittierenden Vorrichtung in 18 das Substrat 101' von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung entfernt werden und eine Unebenheit kann auf einer Oberfläche eine ersten leitenden Halbleiterschicht 102' gebildet werden (zum Beispiel eine Oberfläche gegenüber der Oberfläche mit der aktiven Schicht 103 und der ersten und der zweiten Innenelektrode 105a und 105b, die darauf gebildet werden). Einer oder beide des Wellenlänge-Umwandlungsbereiches und des Reflektionsbereiches, die in den vorhergehenden Ausführungsformen beschrieben wurden, kann/können in der lichtemittierenden Vorrichtung von 18 integriert sein.
  • In Bezug auf die 19 bis 23 sind eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung gemäß weiteren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung und ein Verfahren zum Herstellen derselben vorgesehen. Zuerst, so wie es in 19 dargestellt ist, unterscheidet sich eine Form einer Nut G', die die erste leitende Halbleiterschicht 102 bei der Ausführungsform freilegt, von dem Fall der vorhergehenden Ausführungsformen. Insbesondere kann die Nut G' eine Form aufweisen, bei der eine Mehrzahl von Streifen parallel zueinander angeordnet sind, wenn sie von oben betrachtet wird. In diesem Fall kann die Nut G' einen Bereich, der in einer Richtung senkrecht zu der Mehrzahl von Streifen gebildet wird und die Mehrzahl von Streifen verbindet, in einer ähnlichen Weise zu dem dritten Bereich ➂ der vorhergehenden Ausführungsformen aufweisen. Die Mehrzahl von Streifen kann eine im Wesentlichen gleichmäßige Breite aufweisen und die erste Innenelektrode 105a kann eine ihr entsprechende Form aufweisen. Entsprechend kann die erste Innenelektrode 105a keine Kontaktbereiche mit einer verhältnismäßig großen Breite aufweisen und folglich weist die ersten Elektroden 105a eine gleichmäßige Breite auf, um eine Gesamtgröße der ersten Elektroden 105a zu reduzieren, um dadurch ein Erhöhen des lichtemittierenden Bereiches und eine Lichtverlustreduzierung zu ermöglichen.
  • Als Nächstes kann, so wie es in 20 veranschaulicht ist, der Isolierbereich 106 vollständig oberhalb der Nut G' und der lichtemittierenden Struktur gebildet werden. Anders als bei den vorhergehenden Ausführungsformen kann der Isolierbereich 106 vor dem Bilden der ersten Innenelektrode 105a bei der Ausführungsform gebildet werden. Danach wird, so wie in 21 (eine Querschnittsansicht) und 24 (eine Draufsicht) veranschaulicht ist, ein Bereich des Isolierbereiches 106 entfernt, um den Öffnungsbereich O zu entfernen, derart, dass die erste leitende Halbleiterschicht 102 und die zweite Innenelektrode 105b durch die Öffnungsbereiche freigelegt werden. Sodann werden, wie es in 23 veranschaulicht ist, die erste Innenelektrode 105a und die erste Pad-Elektrode 107a und die zweite Pad-Elektrode 107b gebildet. Die erste Innenelektrode 105a und die erste Pad-Elektrode 107a und die zweite Pad-Elektrode 107b können durch ein einziges Verfahren gebildet werden. Alternativ können die Elektroden über getrennte Verfahren gebildet werden. In diesem Fall kann, da Masken für die jeweilige erste Innenelektrode 105a und die erste Pad-Elektrode 107a und die zweite Pad-Elektrode 107b bei der Ausführungsform nicht erforderlich sind, eine Verfahrenseffizienz im Vergleich zu dem Fall der vorhergehenden Ausführungsformen erhöht werden. Währenddessen können die erste Innenelektrode 105a und die erste Pad-Elektrode 107a und die zweite Pad-Elektrode 107b aus dem gleichen Material gebildet werden oder können aus unterschiedlichen Materialien je nach Erfordernis gebildet werden.
  • So wie in der Ausführungsform wird die erste Innenelektrode 105a nach dem Bilden des Öffnungsbereiches in dem Isolierbereich 106 gebildet, derart, dass eine Oberfläche der ersten Elektrode 105a nicht durch den Isolierbereich 106 bedeckt wird. Dementsprechend können sich die erste Innenelektrode 105a und die erste Pad-Elektrode 107a einander über den gesamten Bereich davon berühren, derart, dass eine gleichmäßige Stromeinspeisung vereinfacht wird und die Kontaktbereiche mit einer relativ großen Breite, so wie sie in den vorhergehenden Ausführungsformen beschrieben ist, nicht benötigt werden. So wie oben beschrieben gibt es in dem Fall, bei dem die erste Innenelektrode 105a zuerst gebildet wird und der Öffnungsbereich sodann in dem Isolierbereich 106 gebildet wird, eine Beschränkung bei der Reduzierung einer Breite der ersten Innenelektrode 105a in der Nähe des Öffnungsbereiches aufgrund einer Prozessgrenze. Im Gegensatz dazu kann in dem Fall der 19 bis 23, da ja der Öffnungsbereich in dem Isolierbereich 106 vor dem Bilden der ersten Innenelektrode 105a bei der Ausführungsform gebildet wird, die Breite der ersten Innenelektrode 105a nicht dadurch beeinträchtigt werden und dementsprechend kann die erste Innenelektrode 105a eine verhältnismäßig kleine Breite aufweisen. Zusätzlich kann die zweite Innenelektrode 105b nicht den Gesamtbereich der ersten Elektrode 105a umgeben, um das Schichtablösungsphänomen der zweiten Innenelektrode 105b zu verringern.
  • Die 24 und 25 sind schematische Verfahrens-Querschnittsansichten, die Schritte eines Verfahrens zum Herstellen einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung veranschaulichen. Bei der Ausführungsform werden, so wie es in 24 veranschaulicht ist, die erste leitende Halbleiterschicht 102, die aktive Schicht 103, die zweite leitende Halbleiterschicht 104 und die zweite Innenelektrode 105b der Reihe nach auf dem Substrat 101 gebildet. Danach wird, so wie es in 25 veranschaulicht ist, ein Bereich von jedem der ersten leitenden Halbleiterschicht 102, der aktiven Schicht 103, der zweiten leitenden Halbleiterschicht 104 und der zweiten Innenelektrode 105b von einer Nut G entfernt und es ist nicht erforderlich, eine Maske zum Bilden der zweiten Innenelektrode 105b vorzubereiten, um dadurch eine Verfahrenseffizienz zu verbessern. Nach dem Bilden der Nut G können Verfahren, die in den vorhergehenden Ausführungsformen durchgeführt werden, verwendet werden. Anders ausgedrückt werden das Bilden der ersten Innenelektrode in der Nut G, das Bilden des Isolierbereiches, das Bilden des Öffnungsbereiches in dem Isolierbereich und das Bilden der ersten und zweiten Pad-Elektroden der Reihe nach durchgeführt. Alternativ werden das Bilden des Isolierbereiches, das Bilden des Öffnungsbereiches in dem Isolierbereich, das Bilden der ersten Innenelektrode und das Bilden der ersten und zweiten Pad-Elektroden der Reihe nach durchgeführt.
  • Sowie zuvor weiter oben dargelegt ist, kann eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsformen der Offenbarung mit einer verbesserten Stromverteilungseffizienz so wie mit einem wesentlich reduzierten Schichtablösungsfehler zwischen einer Elektrode und einer Halbleiterschicht vorgesehen sein.
  • Zusätzlich kann eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit einer reduzierten Betriebsspannung und einer verbesserten Lichtabgabe vorgesehen sein.
  • Zusätzlich kann eine lichtemittierende Vorrichtung mit einer verbesserten Wärmeableiteffizienz und Zuverlässigkeit vorgesehen sein.
  • Die vorteilhaften Effekte, die sich aus der vorliegenden Offenbarung ergeben, sind nicht darauf beschränkt und sogar, wenn sie ausdrücklich erwähnt oder nicht ausdrücklich erwähnt werden, sind weitere Gegenstände und Effekte, die von den Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung hergeleitet werden, vorstellbar.
  • Während die vorliegende Offenbarung in Verbindung mit bestimmten veranschaulichenden Ausführungsformen gezeigt und beschrieben worden ist, ist es für Fachleute offensichtlich, dass Änderungen und Abweichungen gemacht werden können, ohne von dem Geist und Umfang der Offenbarung abzuweichen, so wie es durch die beigefügten Ansprüche definiert ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 10-2012-0089024 [0001]

Claims (10)

  1. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100), die aufweist: eine erste leitende Halbleiterschicht (102); eine aktive Schicht (103), die auf einem ersten Bereich der ersten leitenden Halbleiterschicht (102) angeordnet ist; eine zweite leitende Halbleiterschicht (104), die auf der aktiven Schicht (103) angeordnet ist; eine erste Innenelektrode (105a), die auf einem zweiten Bereich der ersten leitenden Halbleiterschicht (102) getrennt von dem ersten Bereich angeordnet ist; eine zweite Innenelektrode (105b), die auf mindestens einem Bereich der zweiten leitenden Halbleiterschicht (104) angeordnet ist und mit der zweiten leitenden Halbleiterschicht (104) verbunden ist; einen Isolierabschnitt (106), der jeweils auf einem Bereich des zweiten Bereiches, der ersten und zweiten Innenelektroden (105a, 105b) angeordnet ist, und einen offenen Bereich derart aufweist, dass mindestens ein Bereich jeder der ersten und zweiten Innenelektrode (105a, 105b) freigelegt ist; und eine erste und eine zweite Pad-Elektrode (107a, 107b), die auf dem Isolierabschnitt (106) angeordnet sind und, wobei jede mit einer jeweiligen der ersten und zweiten Innenelektrode (105a, 105b) verbunden ist, die durch den Öffnungsbereich freigelegt sind.
  2. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100) nach Anspruch 1, wobei: die erste Innenelektrode (105a) aus einer Mehrzahl von Elektroden gebildet ist, die voneinander getrennt sind und auf dem zweiten Bereich der ersten leitenden Halbleiterschicht (102) angeordnet sind, und die erste Pad-Elektrode (107a) die Elektroden der Mehrzahl von Elektroden verbindet, die die erste Innenelektrode (105a) bilden.
  3. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100) nach Anspruch 2, wobei der Isolierabschnitt (106) mindestens einen Bereich jeder der Mehrzahl von Elektroden freilegt, die die erste Innenelektrode (105a) bilden.
  4. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100) nach Anspruch 1, wobei: die erste Innenelektrode (105a) eine Mehrzahl von ersten Bereichen und eine Mehrzahl von zweiten Bereichen, die die Mehrzahl von ersten Bereichen verbinden, aufweist und jeder der ersten Bereiche eine Breite aufweist, die breiter als eine Breite jedes der zweiten Bereiche ist.
  5. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100) nach Anspruch 4, wobei die Mehrzahl von ersten Bereichen in einer Mehrzahl von Zeilen und einer Mehrzahl von Spalten angeordnet sind und jeder der zweiten Bereiche erste Bereiche verbindet, die in einer gleichen Zeile angeordnet sind.
  6. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100) nach Anspruch 4, wobei die erste Innenelektrode (105a) derart gebildet ist, dass sie eine gleiche Dicke in den ersten Bereichen und in den zweiten Bereichen davon aufweist.
  7. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Isolierabschnitt (106) eine Oberfläche der ersten Innenelektrode (105a) nicht bedeckt.
  8. Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung (100), die aufweist: Bilden einer Nut (G) in einer ersten leitenden Halbleiterschicht (102), einer aktiven Schicht (103), die auf der ersten leitenden Halbleiterschicht (102) gebildet wird, und einer zweiten leitenden Halbleiterschicht (104), die auf der aktiven Schicht (103) ausgebildet ist, durch Entfernen mindestens eines Bereiches der zweiten leitenden Halbleiterschicht (104) und der aktiven Schicht (103), um einen ersten Bereich der ersten leitenden Halbleiterschicht (102) freizulegen; Bilden einer ersten Innenelektrode (105a), die mit dem ersten Bereich der ersten leitenden Halbleiterschicht (102) verbunden ist, durch Füllen eines Bereiches der Nut (G) mit einem Elektrodenmaterial; Bilden einer zweiten Innenelektrode (105b), die mit der zweiten leitenden Halbleiterschicht (104) verbunden ist, auf mindestens einem Bereich der zweiten leitenden Halbleiterschicht (104); Bilden eines Isolierabschnitts (106) durch Füllen eines Restbereiches der Nut (G) mit einem Isoliermaterial, wobei der Isolierabschnitt (106) auf einem Bereich des zweiten Bereiches, der ersten und zweiten Innenelektrode (105a, 105b) jeweils gebildet wird und derart gebildet wird, dass er einen Öffnungsbereich aufweist, der mindestens einen Bereich von jeder der ersten und zweiten Innenelektrode (105a, 105b) freilegt; und Bilden einer ersten und einer zweiten Pad-Elektrode (107a, 107b) auf dem Isolierabschnitt (106) und wobei jede mit einer jeweiligen der ersten und zweiten Innenelektrode (105a, 105b) verbunden ist, die durch den Öffnungsbereich freigelegt werden.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei die erste Innenelektrode (105a) derart gebildet wird, dass sie eine Form entsprechend einer Form der Nut (G) aufweist.
  10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, wobei die Nut (G) eine Mehrzahl von ersten Bereichen aufweist, die voneinander getrennt sind und eine Mehrzahl von zweiten Bereichen aufweist, die die Mehrzahl von ersten Bereichen verbinden und, wobei jeder der ersten Bereiche eine Breite aufweist, die breiter als eine Breite jedes der zweiten Bereiche ist.
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