DE112018006870T5 - Anzeigevorrichtung, die lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anzeigevorrichtung und insbesondere eine Anzeigevorrichtung, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet. Eine Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung weist auf: ein Substrat mit einem unteren Draht; einen Rippenteil, der eine erste Rippe und eine zweite Rippe umfasst, die auf beiden Seiten des unteren Drahts angeordnet ist und ausgebildet sind, um von einer Oberfläche des Substrats vorzustehen; ein lötbares Metall, das zwischen die erste Rippe und die zweite Rippe gefüllt, um den unteren Draht zu bedecken; und mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen, die der Reihe nach entlang des Rippenteils angeordnet sind, wobei wenigstes ein Teil jeder der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen in das lötbare Metall eingesetzt ist, um mit dem unteren Draht elektrisch verbunden zu werden.

Description

  • Hintergrund
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Anzeigevorrichtung und insbesondere eine Anzeigevorrichtung, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet.
  • Beschreibung der verwandten Technik
  • In den letzten Jahren wurden Anzeigevorrichtungen mit hervorragenden Charakteristiken, wie etwa einem niedrigen Profil, Flexibilität und Ähnlichem auf dem technischen Gebiet von Anzeigen entwickelt. Im Gegensatz dazu werden aktuell vermarktete Hauptanzeigen durch Flüssigkristallanzeigen (LCDs) und aktive organische Matrix-Leuchtdioden (AMOLEDs) dargestellt.
  • Es bestehen jedoch Probleme, wie etwa eine nicht so schnelle Antwortzeit, eine schwierige Implementierung des niedrigen Profils, die Flexibilität im Fall von LCDs, und es bestehen Nachteile, wie etwa eine kurze Lebensdauer, eine nicht so gute Ausbeute ebenso wie eine Schwäche des niedrigen Profils, die Flexibilität im Fall von AMOLEDs.
  • Andererseits sind Leuchtdioden (LEDs) wohlbekannte lichtemittierende Vorrichtungen zur Umwandlung eines elektrischen Stroms in Licht und wurden als eine Lichtquelle zum Anzeigen eines Bilds in einer elektronischen Vorrichtung, die Informationskommunikationsvorrichtungen umfasst, seit rote LEDs unter Verwendung von GaAsP-Verbindungshalbleitern 1962 im Handel verfügbar gemacht wurden, zusammen mit GaP:N-basierten grünen LEDs verwendet. Folglich können die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen verwendet werden, um eine flexible Anzeige zu implementieren, wodurch ein Schema zur Lösung der Probleme vorgestellt wird.
  • Wenn andererseits während der Implementierung einer Anzeigevorrichtung, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet, eine sehr kleine lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit einer Verdrahtung verbunden wird, ergibt sich fortlaufend ein Problem, dass ein hoher Schwierigkeitsgrad ebenso wie hohe Kosten erforderlich sind. Überdies besteht auch die Schwierigkeit, die lichtemittierende Halbleitervorrichtung stabil zu befestigen, wenn die Fläche größer wird. Folglich wird in der vorliegenden Offenbarung eine Anzeigevorrichtung mit einer neuen Struktur, die fähig ist, die vorstehenden Probleme zu lösen, vorgeschlagen.
  • Zusammenfassung
  • Ein Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist es, einen neuen Mechanismus bereitzustellen, der fähig ist, in einer Anzeigevorrichtung, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet, eine große Fläche zu transferieren.
  • Ein anderer Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist es, eine Anzeigevorrichtung bereitzustellen, die fähig ist, eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung leicht an ein Verdrahtungssubstrat zu transferieren.
  • Als ein Mittel zum Lösen des Problems kann in der vorliegenden Offenbarung eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung zwischen Strukturen angeordnet werden und mit einer Verdrahtung verbunden werden, indem ein lötbares Metall hinein gefüllt wird.
  • Insbesondere kann eine Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung umfassen: ein Substrat mit einer unteren Verdrahtung, einen Rippenabschnitt, der auf beiden Seiten der unteren Verdrahtung angeordnet ist und mit einer ersten Rippe und einer zweiten Rippe versehen ist, die ausgebildet sind, um von einer Oberfläche des Substrats vorzustehen, ein lötbares Metall, das zwischen die erste Rippe und die zweite Rippe gefüllt ist und derart ausgebildet ist, dass es die untere Verdrahtung bedeckt, und mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen, die der Reihe nach entlang des Rippenabschnittes angeordnet sind, von denen wenigstes ein Teil in das lötbare Metall eingesetzt sind, um mit der unteren Verdrahtung elektrisch verbunden zu werden.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Anzeigevorrichtung eine Planarisierungsschicht umfassen, die ausgebildet ist, um das lötbare Metall zu bedecken. Eine obere Verdrahtung, die mit den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen elektrisch verbunden ist, kann auf der Planarisierungsschicht angeordnet sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Anzeigevorrichtung eine Leuchtstoffschicht umfassen, die ausgebildet ist, um die Planarisierungsschicht und die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen zu bedecken, um die Wellenlänge des Lichts umzuwandeln. Der Rippenabschnitt kann einer von mehreren Rippenabschnitten sein, die in vorgegebenen Abständen entlang einer Richtung angeordnet sind, und die Leuchtstoffschicht kann sich zwischen den Rippenabschnitten erstrecken.
  • Die mehreren Rippenabschnitte können einen ersten Rippenabschnitt und einen zweiten Rippenabschnitt umfassen, und eine Leuchtstoffschicht, die den ersten Rippenabschnitt bedeckt, kann zwischen den ersten Rippenabschnitt und den zweiten Rippenabschnitt gefüllt sein. Eine Rippe nahe dem zweiten Rippenabschnitt zwischen den Rippen des ersten Rippenabschnitts kann aus einem lichttransmittierenden Material hergestellt sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann eine der ersten Rippe und der zweiten Rippe derart ausgebildet sein, dass sie Licht transmittiert, und die andere davon kann derart ausgebildet sein, dass sie Licht reflektiert. Die erste Rippe und die zweite Rippe können derart konfiguriert sein, dass sie in Bezug auf die lichtemittierende Halbleitervorrichtung symmetrisch sind. Eine Höhe des Rippenabschnitts kann in Bezug auf die Oberfläche des Substrats größer als die der unteren Verdrahtung sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann der Rippenabschnitt einer von mehreren Rippenabschnitten sein, die entlang einer Richtung in vorgegebenen Abständen angeordnet sind, und ein Isoliermaterial kann zwischen die Rippenabschnitte gefüllt sein. Eine Leuchtstoffschicht zum Umwandeln der Wellenlänge des Lichts kann auf einer oberen Oberfläche des Rippenabschnitts ausgebildet sein, und die Leuchtstoffschicht kann sich derart erstrecken, dass sie das Isoliermaterial bedeckt.
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung mit der vorstehenden Konfiguration kann ein lötbares Metall durch einen Rippenabschnitt in eine flüssige Phase erhitzt werden, um eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung einzusetzen, um eine Verdrahtung zu vollenden, wodurch das Verfahren zum Verdrahten in einer Anzeigevorrichtung vereinfacht wird.
  • Da der Rippenabschnitt verwendet wird, kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung außerdem während des Transfers geschützt werden, wodurch der wahlweise Transfer zu niedrigen Kosten ermöglicht wird. Außerdem kann eine Fläche, auf der Leuchtstoff verteilt ist, ferner an einem transparenten Rippenabschnitt befestigt sein. Dadurch kann die Farbe von Licht in einem Raum zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen umgewandelt werden.
  • Außerdem kann die Verwendung eines anisotropen leitfähigen Films oder von Ähnlichem nicht erforderlich sein, wodurch die Kosten verringert werden und die Instabilität aufgrund des Fließens einer Klebstoffschicht während der Flächenbefestigung verhindert wird.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine Konzeptansicht, die eine Anzeigevorrichtung unter Verwendung einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 2 ist eine vergrößerte Teilansicht des Abschnitts „A“ in 1, und 3A und 3B sind entlang der Linien B-B und C-C in 2 genommene Querschnittansichten.
    • 4 ist eine Konzeptansicht, die eine lichtemittierende Flip-Chip-Halbleitervorrichtung in 3 zeigt.
    • 5A bis 5C sind Konzeptansichten, die vielfältige Formen zur Implementierung von Farben in Verbindung mit einer lichtemittierenden Flip-Chip-Halbleitervorrichtung darstellen.
    • 6 sind Querschnittansichten, die ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung darstellen, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung verwendet.
    • 7 ist eine Perspektivansicht, die eine Anzeigevorrichtung unter Verwendung einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
    • 8 ist eine entlang der Linie D-D in 7 genommene Querschnittansicht.
    • 9 ist eine Konzeptansicht, die eine vertikale lichtemittierende Halbleitervorrichtung in 8 zeigt.
    • 10 und 11 sind vergrößerte Draufsichten, die einen Abschnitt A in 1 zeigen, um eine andere Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zu erklären, auf welche eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit einer neuen Struktur gemäß der vorliegenden Offenbarung angewendet wird.
    • 12 und 13 sind entlang der Linie E-E und der Linie F-F in 10 genommene Querschnittansichten.
    • 14 ist eine vergrößerte Ansicht, die eine vertikale lichtemittierende Halbleitervorrichtung in 10 zeigt.
    • 15 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren zur Durchführung des wahlweisen Transfers in einem Herstellungsverfahren einer Anzeige in 10 zeigt.
    • 16 und 17 sind Konzeptansichten, die eine andere Ausführungsform einer Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung zeigen.
  • Detaillierte Beschreibung der Ausführungsformen
  • Hier nachstehend werden hier offenbarte Ausführungsformen unter Bezug auf die begleitenden Zeichnungen im Detail beschrieben, und die gleichen oder ähnlichen Elemente werden ungeachtet der Zahlen in den Zeichnungen mit den gleichen Bezugszahlen bezeichnet und ihre redundante Beschreibung wird weggelassen. Ein Suffix „Modul“ und „Einheit“, das für in der folgenden Beschreibung offenbarte Bestandteilelemente verwendet wird, ist lediglich zur einfacheren Beschreibung der Spezifikation gedacht, und das Suffix selbst bietet keine spezielle Bedeutung oder Funktion. Bei der Beschreibung einer hier offenbarten Ausführungsform wird überdies die detaillierte Beschreibung weggelassen, wenn eine spezifische Beschreibung öffentlich bekannter Technologien, welche die Erfindung betrifft, als den Geist der vorliegenden Erfindung verschleiernd beurteilt wird. Ebenso sollte bemerkt werden, dass die begleitenden Zeichnungen lediglich der Einfachheit der Erklärung des Konzepts der Erfindung halber dargestellt werden, und daher nicht als das hier durch die begleitenden Zeichnungen offenbarte technologische Konzept beschränkend ausgelegt werden sollten.
  • Außerdem versteht sich, dass, wenn auf ein Element, wie eine Schicht, einen Bereich oder ein Substrat als „auf“ einem anderen Element Bezug genommen wird, es direkt auf dem anderen Element sein kann oder auch ein Zwischenelement dazwischen eingefügt sein kann.
  • Eine hier offenbarte Anzeigevorrichtung kann ein tragbares Telefon, ein Smartphone, einen Laptop-Computer, ein digitales Rundfunkendgerät, einen persönlichen digitalen Assistenten (PDA), ein tragbares Multimedia-Abspielgerät (PMP), eine Navigationseinrichtung, einen Slate-PC, einen Tablet-PC, ein Ultrabook, ein digitales TV, einen Desktop-Computer und Ähnliche umfassen. Es wäre für Fachleute der Technik jedoch leicht zu verstehen, dass eine hier offenbarte Konfiguration auf jede Anzeigevorrichtung anwendbar sein kann, auch wenn sie ein neuer Produkttyp ist, der später entwickelt werden wird.
  • 1 ist eine Konzeptansicht, die eine Anzeigevorrichtung unter Verwendung einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
  • Gemäß der Zeichnung können in der Steuerung der Anzeigevorrichtung 100 verarbeitete Informationen unter Verwendung einer flexiblen Anzeige angezeigt werden.
  • Die flexible Anzeige kann eine flexible, biegsame, verdrehbare, faltbare und rollbare Anzeige umfassen. Zum Beispiel kann die flexible Anzeige eine Anzeige sein, die auf einem dünnen und flexiblen Substrat hergestellt ist, das wie ein Blatt Papier gekrümmt, gebogen oder gerollt werden kann, während die Anzeigecharakteristiken einer flachen Anzeige in der verwandten Technik aufrechterhalten werden.
  • Eine Anzeigefläche der flexiblen Anzeige wird in einer Konfiguration, in der die flexible Anzeige nicht gekrümmt ist (zum Beispiel einer Konfiguration mit einem unendlichen Krümmungsradius, auf die hier nachstehend als „erste Konfiguration“ Bezug genommen wird) eine Ebene. Ihre Anzeigefläche wird in einer Konfiguration, in der die flexible Anzeige durch eine äußere Kraft in der ersten Konfiguration gekrümmt wird (zum Beispiel eine Konfiguration mit einem endlichen Krümmungsradius, auf die hier nachstehend als eine „zweite Konfiguration“ Bezug genommen wird), eine gekrümmte Oberfläche. Wie in der Zeichnung dargestellt, können Informationen, die in der zweiten Konfiguration angezeigt werden, visuelle Informationen sein, die auf einer gekrümmten Oberfläche angezeigt werden. Die visuellen Informationen können durch einzelnes Steuern der Lichtemission von Teilbildpunkten, die in einer Matrixform angeordnet sind, implementiert werden. Der Teilbildpunkt bezeichnet eine minimale Einheit zum Implementieren einer Farbe.
  • Der Teilbildpunkt der flexiblen Anzeige kann durch eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung implementiert werden. Gemäß der vorliegenden Offenbarung wird eine Leuchtdiode (LED) als eine Art lichtemittierende Halbleitervorrichtung dargestellt. Die Leuchtdiode kann mit einer kleinen Größe ausgebildet werden, um dadurch selbst in der zweiten Konfiguration die Rolle eines Teilbildpunkts auszuführen.
  • Hier nachstehend wird eine flexible Anzeige, die unter Verwendung der Leuchtdiode implementiert ist, unter Bezug auf die begleitenden Zeichnungen detaillierter beschrieben.
  • 2 ist eine vergrößerte Teilansicht des Abschnitts „A“ in 1, und 3A und 3B sind entlang der Linien B-B und C-C in 2 genommene Querschnittansichten, 4 ist eine Konzeptansicht, die eine lichtemittierende Flip-Chip-Halbleitervorrichtung in 3A darstellt, und 5A bis SC sind Konzeptansichten, die vielfältige Formen zur Implementierung von Farben in Verbindung mit einer lichtemittierenden Flip-Chip-Halbleitervorrichtung darstellen.
  • Gemäß den Zeichnungen in 2, 3A und 3B wird eine Anzeigevorrichtung 100 dargestellt, die eine lichtemittierende Passivmatrix-, (PM-) Halbleitervorrichtung als eine Anzeigevorrichtung 100 unter Verwendung einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung verwendet. Ein nachstehend beschriebenes Beispiel kann jedoch auch auf eine lichtemittierende Aktivmatrix- (AM-) Halbleitervorrichtung angewendet werden.
  • Die Anzeigevorrichtung 100 kann ein Substrat 110, eine erste Elektrode 120, eine leitfähige Klebstoffschicht 130, eine zweite Elektrode 140 und mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen 150 umfassen.
  • Das Substrat 110 kann ein flexibles Substrat sein. Das Substrat 110 kann Glas oder Polyimid (PI) enthalten, um die flexible Anzeigevorrichtung zu implementieren. Wenn es außerdem ein isolierendes und flexibles Material ist, kann jedes, wie etwa Polyethylennaphthalen (PEN), Polyethylenterephthalat (PET) oder Ähnliches, verwendet werden. Außerdem kann das Substrat 110 entweder aus transparenten oder nichttransparenten Materialien sein.
  • Das Substrat 110 kann ein Verdrahtungssubstrat sein, das mit der ersten Elektrode 120 angeordnet ist, und somit kann die erste Elektrode 120 auf dem Substrat 110 angeordnet sein.
  • Gemäß der Zeichnung kann eine Isolierschicht 160 auf dem Substrat 110 angeordnet sein, das mit der ersten Elektrode 120 angeordnet ist, und eine Hilfselektrode 170 kann auf der Isolierschicht 160 angeordnet sein. In diesem Fall kann eine Konfiguration, in der die Isolierschicht 160 auf dem Substrat 110 abgelagert wird, ein einzelnes Verdrahtungssubstrat sein. Insbesondere kann die Isolierschicht 160 mit einem isolierenden und flexiblen Material, wie etwa Polyimid (PI), PET, PEN oder Ähnlichem in das Substrat 110 eingearbeitet werden, um ein einzelnes Verdrahtungssubstrat zu bilden.
  • Die Hilfselektrode 170 als eine Elektrode zum elektrischen Verbinden der ersten Elektrode 120 mit der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 ist auf der Isolierschicht 160 angeordnet und derart angeordnet, dass sie dem Ort der ersten Elektrode 120 entspricht. Zum Beispiel hat die Hilfselektrode 170 eine Punktform und kann mittels eines Elektrodenlochs 171, das durch die Isolierschicht 160 geht, mit der ersten Elektrode 120 elektrisch verbunden werden. Das Elektrodenloch 171 kann durch Füllen eines leitfähigen Materials in ein Durchkontaktierungsloch ausgebildet werden.
  • Bezugnehmend auf die Zeichnungen kann die leitfähige Klebstoffschicht 130 auf einer Oberfläche der Isolierschicht 160 ausgebildet werden, aber die vorliegende Offenbarung braucht nicht notwendigerweise auf dieses beschränkt zu sein. Zum Beispiel kann es möglich sein, auch eine Struktur zu haben, in der die leitfähige Klebstoffschicht 130 ohne Isolierschicht 160 auf dem Substrat 110 angeordnet ist. Die leitfähige Klebstoffschicht 130 kann in der Struktur, in der die leitfähige Klebstoffschicht 130 auf dem Substrat 110 angeordnet ist, die Rolle einer Isolierschicht ausführen.
  • Die leitfähige Klebstoffschicht 130 kann eine Schicht mit Haftfähigkeit und Leitfähigkeit sein, und zu diesem Zweck können ein leitfähiges Material und ein Klebstoffmaterial auf der leitfähigen Klebstoffschicht 130 vermischt werden. Außerdem kann die leitfähige Klebstoffschicht 130 Flexibilität haben, wodurch in der Anzeigevorrichtung eine flexible Funktion ermöglicht wird.
  • Für ein derartiges Beispiel kann die leitfähige Klebstoffschicht 130 ein anisotroper leitfähiger Film (ACF), eine anisotrope leitfähige Paste, eine Lösung, die leitfähige Partikel enthält, und Ähnliches sein. Die leitfähige Klebstoffschicht 130 kann die elektrische Verbindung in der z-Richtung, die durch ihre Dicke geht, ermöglichen, kann aber in ihrer horizontalen x-y-Richtung als eine Schicht mit elektrischer Isolierung konfiguriert werden. Folglich kann auf die leitfähige Klebstoffschicht 130 als eine leitfähige z-Achsen-Schicht Bezug genommen werden (wobei hier nachstehend jedoch als eine „leitfähige Klebstoffschicht“ auf sie Bezug genommen wird).
  • Der anisotrope leitfähige Film ist ein Film mit einer Form, in der ein anisotropes leitfähiges Medium mit einem isolierenden Basiselement vermischt ist, und wenn Wärme und Druck darauf angewendet werden, kann mittels des anisotropen leitfähigen Mediums somit nur ein spezifischer Abschnitt davon Leifähigkeit haben. Hier nachstehend werden Wärme und Druck auf den anisotropen leitfähigen Film angewendet, aber für den anisotropen leitfähigen Film können ebenso andere Verfahren verfügbar sein, um teilweise Leitfähigkeit zu haben. Die Verfahren können das Anwenden von Wärme und/oder Druck, UV-Härtung und Ähnlicher umfassen.
  • Außerdem kann das anisotrope leitfähige Medium leitfähige Kugeln oder Partikel sein. Gemäß der Zeichnung ist der anisotrope leitfähige Film in dem vorliegenden Beispiel ein Film mit einer Form, in der ein anisotropes leitfähiges Medium mit einem isolierenden Basiselement vermischt ist, und wenn Wärme und Druck darauf angewendet werden, kann somit mittels der leitfähigen Kugeln nur ein spezifischer Abschnitt davon Leifähigkeit haben. Der anisotrope leitfähige Film kann in einem Zustand sein, in dem ein Kern mit einem leitfähigen Material mehrere Partikel enthält, die durch eine Isolierschicht mit einem Polymermaterial beschichtet sind, und in diesem Fall kann er mittels des Kerns Leitfähigkeit haben, während eine Isolierschicht auf einem Abschnitt bricht, auf den Wärme und Druck angewendet werden. Hier kann ein Kern transformiert werden, um eine Schicht mit beiden Oberflächen zu implementieren, welche Objekte in der Dickenrichtung des Films kontaktieren. Für ein spezifischeres Beispiel werden Wärme und Druck auf einen anisotropen leitfähigen Film als Ganzes angewendet, und die elektrische Verbindung in der z-Achsenrichtung wird teilweise durch eine Höhendifferenz zu einem passenden Objekt, das unter Verwendung des anisotropen leitfähigen Films ausgebildet wird, ausgebildet.
  • Für ein anderes Beispiel kann ein anisotroper leitfähiger Film in einem Zustand sein, in dem er mehrere Partikel enthält, in denen ein leitfähiges Material auf isolierende Kerne beschichtet ist. In diesem Fall kann ein Abschnitt, auf den Wärme und Druck angewendet werden (der gedrückt und geklebt wird), in ein leitfähiges Material umgewandelt werden, so dass er in der Dickenrichtung des Films Leitfähigkeit hat. Für noch ein anderes Beispiel kann er derart ausgebildet werden, dass er in der Dickenrichtung des Films Leitfähigkeit hat, in der ein leitfähiges Material in der z-Richtung durch ein isolierendes Basiselement geht. In diesem Fall kann das leitfähige Material einen spitzen Endabschnitt haben.
  • Gemäß der Zeichnung kann der anisotrope leitfähige Film ein anisotroper leitfähiger Film mit fester Anordnung (ACF) sein, der mit einer Form konfiguriert ist, in der leitfähige Kugeln in eine Oberfläche des isolierenden Basiselements eingesetzt sind. Insbesondere ist das isolierende Basiselement aus einem Klebstoffmaterial ausgebildet und die leitfähigen Kugeln sind konzentriert an einem unteren Abschnitt des isolierenden Basiselements angeordnet, und wenn Wärme und Druck darauf angewendet werden, wird das Basiselement zusammen mit den leifähigen Kugeln modifiziert, wodurch es in seiner Vertikalrichtung Leitfähigkeit hat.
  • Die vorliegende Offenbarung darf jedoch nicht notwendigerweise darauf beschränkt werden, und es kann zugelassen werden, dass der anisotrope leitfähige Film eine Form, in der die leitfähigen Kugeln zufällig mit einem isolierenden Basiselement gemischt sind, oder eine Form, die mit mehreren Schichten konfiguriert ist, in denen leitfähige Kugeln auf irgendeiner Schicht (Doppel-ACF) angeordnet sind, und Ähnliche hat.
  • Die anisotrope leitfähige Paste als eine Form, die mit einer Paste und leitfähigen Kugeln gekoppelt wird, kann eine Paste sein, in der leitfähige Kugeln mit einem isolierenden und Klebstoffbasismaterial gemischt sind. Außerdem kann eine Lösung, die leitfähige Partikel enthält, eine Lösung in einer Form sein, die leitfähige Partikel oder Nanopartikel enthält.
  • Erneut Bezugnehmend auf die Zeichnung ist die zweite Elektrode 140 an der Isolierschicht 160 angeordnet, so dass sie von der Hilfselektrode 170 getrennt ist. Mit anderen Worten ist die leitfähige Klebstoffschicht 130 auf der Isolierschicht 160 angeordnet, die mit der Hilfselektrode 170 und der zweiten Elektrode 140 angeordnet ist.
  • Wenn die leitfähige Klebstoffschicht 130 in einem Zustand ausgebildet wird, in dem die Hilfselektrode 170 und die zweite Elektrode 140 angeordnet sind, und die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 dann in einer Flip-Chip-Form unter Anwendung von Wärme und Druck damit verbunden wird, wird die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 mit der ersten Elektrode 120 und der zweiten Elektrode 140 elektrisch verbunden.
  • Bezugnehmend auf 4 kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung eine lichtemittierende Flip-Chip-Halbleitervorrichtung sein.
  • Zum Beispiel kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung umfassen: eine p-Elektrode 156, eine p-Halbleiterschicht 155, die mit der p-Elektrode 156 ausgebildet ist, eine aktive Schicht 154, die auf der p-Halbleiterschicht 155 ausgebildet ist, eine n-Halbleiterschicht 153, die auf der aktiven Schicht 154 ausgebildet ist, und eine n-Elektrode 152, die derart angeordnet ist, dass sie von der p-Elektrode 156 in der Horizontalrichtung getrennt ist, auf der n-Halbleiterschicht 153. In diesem Fall kann die p-Elektrode 156 durch die leitfähige Klebstoffschicht 130 mit dem Schweißabschnitt 179 elektrisch verbunden sein und die n-Elektrode 152 kann mit der zweiten Elektrode 140 elektrisch verbunden sein.
  • Erneut Bezugnehmend auf 2, 3A und 3B kann die Hilfselektrode 170 in eine Richtung in einer länglichen Weise ausgebildet sein, um mit mehreren lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 elektrisch verbunden zu werden. Zum Beispiel können die linken und rechten p-Elektroden der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen um die Hilfselektrode herum mit einer Hilfselektrode elektrisch verbunden werden.
  • Insbesondere wird die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 in die leitfähige Klebstoffschicht 130 gedrückt und dadurch haben nur ein Abschnitt zwischen der p-Elektrode 156 und der Hilfselektrode 170 der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 und ein Abschnitt zwischen der n-Elektrode 152 und der zweiten Elektrode 140 der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 Leitfähigkeit, und der verbleibende Abschnitt hat keine Leitfähigkeit, da es kein Herunterdrücken der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gibt. Wie vorstehend beschrieben, kann die leitfähige Klebstoffschicht 130 eine elektrische Verbindung bilden ebenso wie eine wechselseitige Kopplung zwischen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 und der Hilfselektrode 170 und zwischen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 und der zweiten Elektrode 140 ermöglichen.
  • Außerdem bilden mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen 150 eine lichtemittierende Anordnung, und eine Leuchtstoffschicht 180 wird auf der lichtemittierenden Anordnung ausgebildet.
  • Die lichtemittierende Vorrichtungsanordnung kann mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen mit unterschiedlichen Selbstilluminanzwerten umfassen. Jede der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 bildet einen Teilbildpunkt und ist elektrisch mit der ersten Elektrode 120 verbunden. Zum Beispiel können mehrere erste Elektroden 120 vorhanden sein, und die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen sind zum Beispiel in mehrere Reihen angeordnet, und jede Reihe der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen kann mit einer beliebigen der mehreren ersten Elektroden elektrisch verbunden werden.
  • Außerdem können die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen in einer Flip-Chip-Form verbunden werden, und somit können lichtemittierende Halbleitervorrichtungen auf einem transparenten dielektrischen Substrat gezüchtet werden. Außerdem können die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen zum Beispiel lichtemittierende Nitridhalbleitervorrichtungen sein. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 kann hervorragende Helligkeitscharakteristiken haben, und somit kann es möglich sein, selbst mit ihrer kleinen Größe einzelne Teilbildpunkte zu konfigurieren.
  • Gemäß der Zeichnung kann eine Trennwand 190 zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 ausgebildet werden. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 kann hervorragende Helligkeitscharakteristiken haben, und somit kann es möglich sein, selbst mit ihrer kleinen Größe einzelne Teilbildpunkte zu konfigurieren. Zum Beispiel kann ein Basiselement des anisotropen leitfähigen Films die Trennwand bilden, wenn die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 in den anisotropen leitfähigen Film eingesetzt wird.
  • Wenn außerdem das Basiselement des anisotropen leitfähigen Films schwarz ist, kann die Trennwand 190 Reflexionscharakteristiken haben, während gleichzeitig der Kontrast ohne zusätzlichen schwarzen Isolator vergrößert wird.
  • Für ein anderes Beispiel kann eine reflektierende Trennwand getrennt mit der Trennwand 190 versehen sein. In diesem Fall kann die Trennwand 190 gemäß dem Zweck der Anzeigevorrichtung einen schwarzen oder weißen Isolator umfassen. Wenn eine Trennwand aus einem weißen Isolator verwendet wird, kann eine Wirkung zur Verbesserung des Reflexionsvermögens erhalten werden. Wenn eine Trennwand aus einem schwarzen Isolator verwendet wird, kann ein Kontrastverhältnis vergrößert werden, während sie eine Reflexionscharakteristik hat.
  • Die Leuchtstoffschicht 180 kann an einer Außenoberfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 angeordnet sein. Zum Beispiel ist die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 eine blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung, die blaues (B) Licht emittiert, und die Leuchtstoffschicht 180 führt die Rolle des Umwandelns des blauen (B) Lichts in die Farbe eines Teilbildpunkts aus. Die Leuchtstoffschicht 180 kann eine rote Leuchtstoffschicht 181 oder eine grüne Leuchtstoffschicht 182, die einzelne Bildpunkte bilden, sein.
  • Mit anderen Worten kann roter Leuchtstoff 181, der fähig ist, blaues Licht in rotes (R) Licht umzuwandeln, an einer Stelle, die einen roten Teilbildpunkt implementiert, auf der blauen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 151 abgeschieden werden, und ein grüner Leuchtstoff 182, der fähig ist, blaues Licht in grünes (G) Licht umzuwandeln, kann an einer Position, die einen grünen Teilbildpunkt implementiert, auf der blauen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 151 abgeschieden werden. Außerdem kann an einer Position, die einen blauen Teilbildpunkt implementiert, nur die blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung 151 allein verwendet werden. In diesem Fall können die roten (R), grünen (G) und blauen (B) Teilbildpunkte einen Bildpunkt implementieren. Insbesondere kann ein Farbleuchtstoff entlang jeder Linie der ersten Elektrode 120 abgeschieden werden. Folglich kann eine Linie auf der ersten Elektrode 120 eine Elektrode sein, die eine Farbe steuert. Mit anderen Worten können rot (R), grün (G) und blau (B) der Reihe nach entlang der zweiten Elektrode 140 angeordnet werden, wodurch Teilbildpunkte implementiert werden.
  • Die vorliegende Offenbarung darf nicht notwendigerweise auf dieses beschränkt werden, und die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 kann anstelle eines Leuchtstoffs mit einem Quantenpunkt (QD) kombiniert werden, um Teilbildpunkte, wie etwa rot (R), grün (G) und blau (B) zu implementieren.
  • Außerdem kann eine schwarze Matrix 191 zwischen jeder Leuchtstoffschicht angeordnet sein, um den Kontrast zu vergrößern. Mit anderen Worten kann die schwarze Matrix 191 den Kontrast der Beleuchtungsstärke zu vergrößern.
  • Die vorliegende Offenbarung darf jedoch nicht notwendigerweise auf dieses beschränkt werden, und eine andere Struktur zum Implementieren von blau, rot und grün kann ebenfalls darauf anwendbar sein.
  • Bezugnehmend auf 5A kann jede der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 mit einer lichtemittierenden Hochleistungsvorrichtung implementiert werden, die verschiedene Lichter emittiert, die blau umfassen, bei der hauptsächlich Galliumnitrid (GaN) verwendet wird, und wobei Indium (In) und oder Aluminium (Al) hinzugefügt wird.
  • In diesem Fall kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 jeweils rote, grüne und blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtungen sein, um jeden Teilbildpunkt zu implementieren. Zum Beispiel sind abwechselnd rote, grüne und blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtungen (R, G, B) angeordnet, und rote, grüne und blaue Teilbildpunkte implementieren einen Bildpunkt mittels roter, grüner und blauer lichtemittierender Halbleitervorrichtungen, wodurch eine vollständige Farbanzeige implementiert wird.
  • Bezugnehmend auf 5B kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung eine weiße lichtemittierende Vorrichtung (W) haben, die mit einer gelben Leuchtstoffschicht für jedes Element versehen ist. In diesem Fall können eine rote Leuchtstoffschicht 181, eine grüne Leuchtstoffschicht 182 und eine blaue Leuchtstoffschicht 183 auf der weißen lichtemittierenden Vorrichtung (W) bereitgestellt werden, um einen Teilbildpunkt zu implementieren. Außerdem kann ein Farbfilter, das mit rot, grün und blau auf der weißen lichtemittierenden Vorrichtung (W) wiederholt wird, verwendet werden, um einen Teilbildpunkt zu implementieren.
  • Bezugnehmend auf 5C kann es möglich sein, auch eine Struktur zu haben, in der eine rote Leuchtstoffschicht 181, eine grüne Leuchtstoffschicht 182 und eine blaue Leuchtstoffschicht 183 auf einer Ultraviolett-emittierenden Vorrichtung (UV) bereitgestellt werden. Auf diese Weise kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung über den gesamten Bereich bis zu Ultraviolett (UV) ebenso wie im sichtbaren Licht verwendet werden und kann zu einer Form einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung erweitert werden, in der Ultraviolett (UV) als eine Anregungsquelle verwendet werden kann.
  • Wenn man erneut das vorliegende Beispiel betrachtet, ist die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 auf der leitfähigen Klebstoffschicht 130 angeordnet, um einen Teilbildpunkt in der Anzeigevorrichtung zu bilden. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 kann hervorragende Helligkeitscharakteristiken haben, und somit kann es möglich sein, sogar mit ihrer kleinen Größe einzelne Teilbildpunkte zu konfigurieren. Die Größe der einzelnen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 kann in der Länge einer ihrer Seiten kleiner 80 µm sein, und sie kann mit einem rechteckig oder quadratisch geformten Element ausgebildet sein. Im Fall eines rechteckig geformten Elements kann seine Größe kleiner als 20 × 80 µm sein.
  • Außerdem, selbst wenn eine quadratförmige lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 mit einer Seitenlänge von 10 µm für einen Teilbildpunkt verwendet wird, wird sie eine ausreichende Helligkeit zur Implementierung einer Anzeigevorrichtung zeigen. Folglich wird zum Beispiel in dem Fall eines rechteckigen Bildpunkts, bei dem eine Seite eines Teilbildpunkts 600 µm groß ist und seine verbleibende Seite 300 µm groß ist, ein relativer Abstand zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen ausreichend groß. Folglich kann es in diesem Fall möglich sein, eine flexible Anzeigevorrichtung mit einer HD-Bildqualität zu implementieren.
  • Eine Anzeigevorrichtung, welche die vorangehende lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet, wird mit einer neuen Art von Herstellungsverfahren hergestellt. Hier nachstehend wird das Herstellungsverfahren unter Bezug auf 6 beschrieben.
  • 6 sind Querschnittansichten, die ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung zeigen, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform vorliegenden Offenbarung verwendet.
  • Bezugnehmend auf die Zeichnung wird zuerst die leitfähige Klebstoffschicht 130 auf der Isolierschicht 160 ausgebildet, die mit der Hilfselektrode 170 und der zweiten Elektrode 140 angeordnet ist. Die Isolierschicht 160 wird auf dem ersten Substrat 110 abgeschieden, um ein Substrat (oder Verdrahtungssubstrat) zu bilden, und die erste Elektrode 120, Hilfselektrode 170 und zweite Elektrode 140 werden an dem Verdrahtungssubstrat angeordnet. In diesem Fall können die erste Elektrode 120 und die zweite Elektrode 140 in einer senkrechten Richtung zueinander angeordnet sein. Außerdem können das erste Substrat 110 und die Isolierschicht 160 jeweils Glas oder Polyimid (PI) enthalten, um eine flexible Anzeigevorrichtung zu implementieren.
  • Die leitfähige Klebstoffschicht 130 kann zum Beispiel durch einen anisotropen leitfähigen Film implementiert werden, und zu diesem Zweck kann ein anisotroper leitfähiger Film auf ein Substrat beschichtet werden, das mit der Isolierschicht 160 angeordnet ist.
  • Als Nächstes wird ein zweites Substrat 112, das mit mehreren lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 angeordnet ist, die der Stelle der Hilfselektroden 170 und der zweiten Elektroden 140 entsprechen und einzelne Bildpunkte bilden, derart angeordnet, dass die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 der Hilfselektrode 170 und der zweiten Elektrode 140 zugewandt ist.
  • In diesem Fall kann das zweite Substrat 112 als ein Zuchtsubstrat zum Züchten der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 ein Saphirsubstrat oder ein Siliziumsubstrat sein.
  • Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung kann eine Lücke und eine Größe haben, die fähig ist, eine Anzeigevorrichtung zu implementieren, wenn sie in der Einheit des Wafers ausgebildet ist, und kann somit effektiv für eine Anzeigevorrichtung verwendet werden.
  • Als Nächstes wird das Verdrahtungssubstrat thermisch an das zweite Substrat 112 komprimiert. Zum Beispiel können das Verdrahtungssubstrat und das zweite Substrat 112 thermisch aneinander komprimiert werden, indem ein ACF-Presskopf angewendet wird. Das Verdrahtungssubstrat und das zweite Substrat 112 werden unter Verwendung der thermischen Kompression miteinander verbunden. Aufgrund der Charakteristiken eines anisotropen leitfähigen Films mit Leitfähigkeit durch thermische Kompression kann nur ein Abschnitt zwischen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 und der Hilfselektrode 170 und der zweiten Elektrode 140 Leitfähigkeit haben, wodurch ermöglicht wird, dass die Elektroden und die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 elektrisch miteinander verbunden werden. Zu dieser Zeit kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 in den anisotropen leitfähigen Film eingesetzt werden, wodurch eine Trennwand zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 gebildet wird.
  • Als Nächstes wird das zweite Substrat 112 entfernt. Zum Beispiel kann das zweite Substrat 112 unter Verwendung eines Laser-Abhebeverfahrens (LLO) oder eines chemischen Abhebeverfahrens (CLO) entfernt werden.
  • Schließlich wird das zweite Substrat 112 entfernt, um die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 150 nach außen freizulegen. Siliziumoxid (SiOx) oder Ähnliches kann auf das Verdrahtungssubstrat, das mit der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 gekoppelt ist, beschichtet werden, um eine (nicht gezeigte) transparente Isolierschicht zu bilden.
  • Außerdem kann es ferner das Verfahren zum Ausbilden einer Leuchtstoffschicht auf einer Oberfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 150 umfassen. Zum Beispiel kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 150 eine blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung zum Emittieren von blauem (B) Licht sein, und ein roter oder grüner Leuchtstoff zum Umwandeln des blauen (B) Lichts in die Farbe des Teilbildpunkts kann eine Schicht auf einer Oberfläche der blauen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung bilden.
  • Das Herstellungsverfahren oder die Struktur einer Anzeigevorrichtung, die die vorstehende lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet, kann in vielfältigen Formen modifiziert werden. Für ein derartiges Beispiel kann die vorstehende Anzeigevorrichtung auf eine vertikale lichtemittierende Halbleitervorrichtung anwendbar sein. Hier nachstehend wird die vertikale Struktur unter Bezug auf 5 und 6 beschrieben.
  • Außerdem werden gemäß dem folgenden modifizierten Beispiel oder der Ausführungsform die gleichen oder ähnlichen Bezugszahlen für die gleichen oder ähnlichen Konfigurationen wie in dem vorstehenden Beispiel verwendet und ihre Beschreibung wird durch die frühere Beschreibung ersetzt.
  • 7 ist eine Perspektivansicht, die eine Anzeigevorrichtung unter Verwendung einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. 8 ist eine entlang der Linie C-C in 7 genommene Querschnittansicht, und 9 ist eine Konzeptansicht, die eine vertikale lichtemittierende Halbleitervorrichtung in 8 darstellt.
  • Gemäß den Zeichnungen kann die Anzeigevorrichtung eine Anzeigevorrichtung sein, die eine lichtemittierende vertikale Passivmatrix- (PM-) Halbleitervorrichtung verwendet.
  • Die Anzeigevorrichtung kann ein Substrat 210, eine erste Elektrode 220, eine leifähige Klebstoffschicht 230, eine zweite Elektrode 240 und mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen 250 umfassen.
  • Das Substrat 210 als ein Verdrahtungssubstrat, das mit der ersten Elektrode 220 angeordnet ist, kann Polyimid (PI) umfassen, um eine flexible Anzeigevorrichtung zu implementieren. Außerdem kann Beliebiges verwendet werden, wenn es ein isolierendes und flexibles Material ist.
  • Die erste Elektrode 220 kann auf dem Substrat 210 angeordnet sein und mit einer streifenförmigen Elektrode ausgebildet sein, die in eine Richtung verlängert ist. Die erste Elektrode 220 kann ausgebildet sein, um die Rolle einer Datenelektrode auszuführen.
  • Die leitfähige Klebstoffschicht 230 ist auf dem Substrat 210 ausgebildet, das mit der ersten Elektrode 220 angeordnet ist. Ähnlich einer Anzeigevorrichtung, auf die eine lichtemittierende Flip-Chip-Vorrichtung angewendet wird, kann die leitfähige Klebstoffschicht 230 ein anisotroper leitfähiger Film (ACF), eine anisotrope leitfähige Paste, eine Lösung, die leitfähige Partikel enthält, und Ähnliches sein. Die vorliegende Ausführungsform stellt jedoch einen Fall dar, in dem die leitfähige Klebstoffschicht 230 durch einen anisotropen leitfähigen Film implementiert wird.
  • Wenn ein anisotroper leitfähiger Film in einem Zustand, in dem die erste Elektrode 220 auf dem Substrat 210 angeordnet ist, angeordnet wird und dann Wärme und Druck angewendet werden, um die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 damit zu verbinden, wird die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 mit der ersten Elektrode 220 elektrisch verbunden. Zu dieser Zeit kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 bevorzugt auf der ersten Elektrode 220 angeordnet sein.
  • Die elektrische Verbindung wird erzeugt, da ein anisotroper leitfähiger Film in der Dickenrichtung teilweise Leitfähigkeit hat, wenn, wie vorstehend beschrieben, Wärme und Druck angewendet werden. Der anisotrope Film wird entsprechend in einen Abschnitt mit Leitfähigkeit 231 und einen Abschnitt 232 ohne Leitfähigkeit in seiner Dickenrichtung unterteilt.
  • Außerdem enthält der anisotrope leifähige Film eine Klebstoffkomponente, und somit implementiert die leitfähige Klebstoffschicht 230 eine mechanische Kopplung ebenso wie eine elektrische Kopplung zwischen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 und der erste Elektrode 220.
  • Auf diese Weise wird die lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 auf der leitfähigen Klebstoffschicht 230 angeordnet, wodurch ein getrennter Teilbildpunkt in der Anzeigevorrichtung konfiguriert wird. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 kann hervorragende Helligkeitscharakteristiken haben, und es kann somit möglich sein, auch mit ihrer kleinen Größe einzelne Teilbildpunkte zu konfigurieren. Die Größe der einzelnen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 kann auf einer ihrer Seiten weniger als 80 µm lang sein, und sie kann mit einem rechteckig oder quadratisch geformten Element ausgebildet sein. Im Fall eines rechteckig geformten Elements kann seine Größe kleiner als 20 × 80 µm sein.
  • Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 kann eine vertikale Struktur haben.
  • Mehrere zweite Elektroden 240, die in einer Richtung angeordnet sind, welche die Längenrichtung der ersten Elektrode 220 kreuzt, und die mit der vertikalen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 elektrisch verbunden sind, können zwischen vertikalen lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 angeordnet sein.
  • Bezugnehmend auf 9 kann die vertikale lichtemittierende Halbleitervorrichtung eine p-Elektrode 256, eine p-Halbleiterschicht 255, die mit der p-Elektrode 256 ausgebildet ist, eine auf der p-Halbleiterschicht 255 ausgebildete aktive Schicht 254, eine auf der aktiven Schicht 254 ausgebildete n-Halbleiterschicht 253 und eine auf der n-Halbleiterschicht 253 ausgebildete n-Elektrode 252 umfassen. In diesem Fall kann die an ihrer Unterseite angeordnete p-Elektrode 256 durch die leitfähige Klebstoffschicht 230 mit der ersten Elektrode 220 elektrisch verbunden sein, und die auf ihrer Oberseite angeordnete n-Elektrode 252 kann mit der zweiten Elektrode 240 elektrisch verbunden sein, was später beschrieben wird. Die Elektroden können in der Aufwärts-/Abwärtsrichtung in der vertikalen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 angeordnet sein, wodurch ein großer Vorteil bereitgestellt wird, dass die Fähigkeit besteht, die Chipgröße zu verkleinern.
  • Erneut Bezugnehmend auf 8 kann eine Leuchtstoffschicht 280 auf einer Oberfläche der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 ausgebildet sein. Zum Beispiel ist die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 eine blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung 251, die blaues (B) Licht emittiert, und die Leuchtstoffschicht 280 zum Umwandeln des blauen (B) Lichts in die Farbe des Teilbildpunkts kann darauf bereitgestellt sein. In diesem Fall kann die Leuchtstoffschicht 280 ein roter Leuchtstoff 281 und ein grüner Leuchtstoff 282 sein, die einzelne Bildpunkte bilden.
  • Mit anderen Worten kann ein roter Leuchtstoff 281, der fähig ist, blaues Licht in rotes (R) Licht umzuwandeln, auf der blauen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 251 an einer Position abgeschieden werden, die einen roten Teilbildpunkt implementiert, und ein grüner Leuchtstoff 282, der fähig ist, blaues Licht in grünes (G) Licht umzuwandeln, kann auf der blauen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 251 an einer Stelle abgeschieden werden, die einen grünen Teilbildpunkt implementiert. Außerdem kann an einer Position, die einen blauen Teilbildpunkt implementiert, einzig die blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung 251 verwendet werden. In diesem Fall können die roten (R), grünen (G) und blauen (B) Teilbildpunkte einen Bildpunkt implementieren.
  • Die vorliegende Offenbarung darf jedoch nicht notwendigerweise auf dieses beschränkt werden, und eine andere Struktur zur Implementierung von blau, rot und grün kann, wie vorstehend beschrieben, ebenfalls in einer Anzeigevorrichtung, auf die eine lichtemittierende Flip-Chip-Halbleitervorrichtung angewendet wird, darauf anwendbar sein.
  • Wenn man erneut die vorliegende Ausführungsform betrachtet, ist die zweite Elektrode 240 zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 angeordnet und mit den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 elektrisch verbunden. Zum Beispiel können die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 in mehreren Reihen angeordnet sein und die zweite Elektrode 240 kann zwischen den Reihen der lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 angeordnet sein.
  • Da ein Abstand zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250, die einzelne Bildpunkte bilden, ausreichend groß ist, kann die zweite Elektrode 240 zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 angeordnet werden.
  • Die zweite Elektrode 240 kann mit einer streifenförmigen Elektrode, die in einer Richtung verlängert ist und in einer zu der ersten Elektrode senkrechten Richtung angeordnet ist, ausgebildet sein.
  • Außerdem kann die zweite Elektrode 240 durch eine Verbindungselektrode, die von der zweiten Elektrode 240 vorsteht, mit der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 elektrisch verbunden sein. Genauer kann die Verbindungselektrode eine n-Elektrode der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 sein. Zum Beispiel ist die n-Elektrode mit einer Ohmschen Elektrode für den Ohmschen Kontakt ausgebildet, und die zweite Elektrode bedeckt durch Drucken oder Abscheidung wenigstens einen Teil der Ohmschen Elektrode. Dadurch kann die zweite Elektrode 240 mit der n-Elektrode der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 elektrisch verbunden werden.
  • Gemäß der Zeichnung kann die zweite Elektrode 240 auf der leitfähigen Klebstoffschicht 230 angeordnet sein. Gemäß den Gegebenheiten kann eine (nicht gezeigte) transparente Isolierschicht, die Siliziumoxid (SiOx) enthält, auf dem Substrat 210 ausgebildet sein, das mit der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 ausgebildet ist. Wenn die transparente Isolierschicht ausgebildet wird und dann die zweite Elektrode 240 darauf angeordnet wird, kann die zweite Elektrode 240 auf der transparenten Isolierschicht angeordnet werden. Außerdem kann die zweite Elektrode 240 derart ausgebildet sein, dass sie von der leitfähigen Klebstoffschicht 230 oder der transparenten Isolierschicht getrennt ist.
  • Wenn eine transparente Elektrode, wie etwa Indiumzinnoxid (ITO) verwendet wird, um die zweite Elektrode 240 auf der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 anzuordnen, hat das ITO-Material ein Problem schlechten Haftvermögens mit einem n-Halbleiter. Folglich kann die zweite Elektrode 240 zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 angeordnet werden, wodurch ein Vorteil erhalten wird, bei dem die transparente Elektrode nicht erforderlich ist. Folglich können eine n-Halbleiterschicht und ein leitfähiges Material mit einem guten Haftvermögen als eine horizontale Elektrode verwendet werden, ohne durch die Auswahl eines transparenten Materials beschränkt zu sein, wodurch der Lichtextraktionswirkungsgrad erhöht wird.
  • Gemäß der Zeichnung kann eine Trennwand 290 zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Trennwand 290 zwischen den vertikalen lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 angeordnet sein, um die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250, die einzelne Bildpunkte bilden, zu isolieren. In diesem Fall kann die Trennwand 290 die Rolle des Unterteilens einzelner Teilbildpunkte voneinander ausführen und als ein integraler Körper mit der leitfähigen Klebstoffschicht 230 ausgebildet sein. Zum Beispiel kann ein Basiselement des anisotropen leitfähigen Films die Trennwand bilden, wenn die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 in den anisotropen leitfähigen Film eingesetzt wird.
  • Wenn das Basiselement des anisotropen leitfähigen Films schwarz ist, kann die Trennwand 290 außerdem Reflexionscharakteristiken haben, während gleichzeitig der Kontrast ohne zusätzlichen schwarzen Isolator vergrößert wird.
  • Für ein anderes Beispiel kann eine reflektierende Trennwand getrennt mit der Trennwand 290 bereitgestellt werden. Die Trennwand 290 kann gemäß dem Zweck der Anzeigevorrichtung einen schwarzen oder weißen Isolator umfassen.
  • Wenn die zweite Elektrode 240 genau auf der leitfähigen Klebstoffschicht 230 zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 angeordnet ist, kann die Trennwand 290 zwischen der vertikalen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 und der zweiten Elektrode 240 angeordnet werden. Entsprechend können unter Verwendung der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 250 einzelne Teilbildpunkte auch mit einer kleinen Größe konfiguriert werden, und ein Abstand zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 kann relativ ausreichend groß sein, um die zweite Elektrode 240 zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 250 anzuordnen, wodurch man die Wirkung der Implementierung einer flexiblen Anzeigevorrichtung mit einer HD-Bildqualität hat.
  • Außerdem kann gemäß der Zeichnung eine schwarze Matrix 291 zwischen jeder Leuchtstoffschicht angeordnet werden, um den Kontrast zu vergrößern. Mit anderen Worten kann die schwarze Matrix 291 den Helligkeitskontrast vergrößern.
  • Wie vorstehend beschrieben, ist die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 auf der leitfähigen Klebstoffschicht 230 angeordnet, wodurch einzelne Bildpunkte auf der Anzeige gebildet werden. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 250 kann hervorragende Helligkeitscharakteristiken haben, und somit kann es möglich sein, selbst mit ihrer kleinen Größe einzelne Teilbildpunkte zu konfigurieren. Als ein Ergebnis kann es möglich sein, eine vollständige Farbanzeige zu implementieren, in der die Teilbildpunkte aus rot (R), grün (G) und blau (B) mit Hilfe der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung einen Bildpunkt implementieren.
  • Andererseits besteht in einer Anzeigevorrichtung, die mit einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung versehen ist, ein Problem, dass der Preis aufgrund der vorangehenden leitfähigen Klebstoffschicht sehr hoch ist und die stabile Befestigung auf einer großen Fläche schwierig ist. Folglich schlägt die vorliegende Offenbarung eine neue Verdrahtungsstruktur vor, die fähig ist, eine Kostenzunahme unter Verwendung einer Struktur zu unterdrücken, ebenso wie mit einer großen Fläche zurecht zu kommen.
  • In einer neuen Struktur der vorliegenden Offenbarung wird die lichtemittierende Halbleitervorrichtung zwischen Rippen angeordnet und unter Verwendung eines lötbaren Metalls, das nachstehend im Detail beschrieben wird, verdrahtet.
  • Hier nachstehend wird eine Anzeigevorrichtung, auf die eine neue Struktur angewendet wird, unter Bezug auf die begleitenden Zeichnungen detaillierter beschrieben.
  • 10 und 11 sind vergrößert und Draufsichten, die einen Abschnitt A in 1 zeigen, um eine andere Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, auf die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit einer neuen Struktur gemäß der vorliegenden Offenbarung angewendet wird, zu erklären, und 12 und 13 sind entlang der Linie E-E und der Linie F-F in 10 genommene Querschnittansichten, und 14 ist eine vergrößerte Ansicht, die eine vertikale lichtemittierende Halbleitervorrichtung in 10 zeigt.
  • Gemäß den Darstellungen von 10, 11, 12, 13 und 14 wird eine Anzeigevorrichtung 1000, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet, als eine Anzeigevorrichtung 1000 unter Verwendung einer lichtemittierenden Passivmatrix-(PM-) Halbleitervorrichtung dargestellt. Jedoch kann ein nachstehend beschriebenes Beispiel auch auf eine lichtemittierende Aktivmatrix- (AM-) Halbleitervorrichtung anwendbar sein.
  • Die Anzeigevorrichtung 1000 kann ein Substrat 1010, eine erste Verdrahtung 1020, einen Rippenabschnitt 1030, eine zweite Verdrahtung 1090 und mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen 1050 umfassen. Hier können die erste Verdrahtung 1020 und die zweite Verdrahtung 1040 jeweils mehrere Elektrodenlinien umfassen.
  • Das Substrat 1010 kann als ein mit der ersten Elektrode 1020 versehenes Verdrahtungssubstrat Polyimid (PI) umfassen, um eine flexible Anzeigevorrichtung zu implementieren. Außerdem kann es als eine nicht flexible Anzeige oder ein Leitsystem implementiert werden, und auf diese Weise kann jedes isolierende oder flexible Material für das Substrat 1010 verwendet werden.
  • Die erste Verdrahtung 1020 kann auf dem Substrat 1010 angeordnet sein und mit einer streifenförmigen Elektrode, die in eine Richtung verlängert ist, ausgebildet sein. Die erste Verdrahtung 1020 kann ausgebildet sein, um die Rolle einer Datenelektrode durchzuführen. Außerdem kann die zweite Verdrahtung 1020 eine untere Verdrahtung sein, da sie an einem unteren Abschnitt der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung angeordnet ist.
  • Die Rippenabschnitte 1030 sind auf beiden Seiten der unteren Verdrahtung angeordnet und derart konfiguriert, dass sie von einer Oberfläche des Substrats 1010 vorstehen. Der Rippenabschnitt 1030 kann aus mehreren Linien ausgebildet sein, und jede Linie kann ein Paar von Rippen umfassen. Zum Beispiel können eine erste Rippe 1031 und eine zweite Rippe 1032, die voneinander beabstandet sind, eine Linie bilden. In diesem Fall kann der Rippenabschnitt 1030 derart angeordnet sein, dass ein Trennungsabstand zwischen den mehreren Linien größer als der zwischen der ersten Rippe 1031 und der zweiten Rippe 1032 ist.
  • Die erste Rippe 1031 und die zweite Rippe 1032 können in Bezug auf das Substrat die gleiche Höhe haben und können aus dem gleichen Material ausgebildet sein. Außerdem ist die Höhe des Rippenabschnitts 1030 in Bezug auf eine Oberfläche des Substrats 1010 höher als die untere Verdrahtung ausgebildet.
  • Für ein anderes Beispiel kann der Rippenabschnitt 1030 gemäß dem Zweck der Anzeigevorrichtung einen schwarzen oder weißen Isolator umfassen. Wenn der Rippenabschnitt 1030 mit einem weißen Isolator verwendet wird, kann eine Wirkung der Vergrößerung des Reflexionsvermögens erhalten werden, und wenn der Rippenabschnitt 1030 mit einem schwarzen Isolator verwendet wird, kann ein Kontrastverhältnis vergrößert werden, während man eine Reflexionscharakteristik hat.
  • Gemäß der Zeichnung kann die Klebstoffschicht zwischen dem Substrat 1010, auf dem die erste Verdrahtung 1020 angeordnet ist, und der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 angeordnet sein. Die Klebstoffschicht hat einen niedrigen Schmelzpunkt und kann ein lötbares Metall umfassen. Insbesondere wird das lötbare Metall 1090 zwischen die erste Rippe und die zweite Rippe gefüllt und wird derart angeordnet, dass es die untere Verdrahtung bedeckt.
  • Wie vorstehend beschrieben, kann das lötbare Metall 1090 derart angeordnet werden, dass es die erste Verdrahtung 1020 und die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 physikalisch verbindet. Folglich können die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 und die erste Verdrahtung 1020 für die elektrische Leitung miteinander verbunden werden.
  • Zum Beispiel kann das lötbare Metall 1090 aus einem Material mit einem niedrigen Schmelzpunkt ausgebildet werden und in der Form eines Punkts oder einer Linie auf den Rippenabschnitt 1030 aufgetragen werden.
  • Wenn es in der Form eines Punkts aufgetragen wird, kann es in dem gleichen Abstand wie die lichtemittierende Halbleitervorrichtung entlang einer Linie des Rippenabschnitts 1030 an einer Position angeordnet werden, die der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung entspricht. Wenn es in der Form einer Linie aufgetragen wird, kann es derart aufgetragen werden, dass es die gesamte Linie zwischen der ersten Rippe 1031 und der zweiten Rippe 1032 des Rippenabschnitts 1030 füllt.
  • Insbesondere wird die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 durch Löten unter Verwendung des lötbaren Metalls 1090 elektrisch und physikalisch mit dem Substrat verbunden. Löten bezieht sich auf das Miteinanderverbinden von Metallen unter Verwendung von Lot, Fließmittel und Hitze. Das lötbare Metall 1090 kann zum Beispiel wenigstens eines der Folgenden sein: Sn, Ag, Cu, Pb, Al, Bi, Cd, Fe, In, Ni, Sb, Zn, Co und Au.
  • Außerdem kann für ein anderes Beispiel die Klebstoffschicht aus Silberpaste, Zinnpaste und Lötpaste ausgebildet sein. Die Aufzählung für die Klebstoffschicht ist nur beispielhaft und die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt.
  • Gemäß der Darstellung werden die mehreren lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 1050 der Reihe nach entlang des Rippenabschnitts 1030 angeordnet und wenigstens ein Teil davon wird in das lötbare Metall 1090 eingesetzt, um mit der unteren Verdrahtung elektrisch verbunden zu werden. Zum Beispiel werden die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 1050 in einem vorgegebenen Abstand zwischen der ersten Rippe 1031 und der zweiten Rippe 1032 angeordnet, und in diesem Fall sind die erste Rippe 1031 und die zweite Rippe 1032 in Bezug auf die lichtemittierende Halbleitervorrichtung links und rechts symmetrisch konfiguriert.
  • Hier können die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 1050 in einer Richtung parallel zu mehreren Elektrodenlinien, die in der ersten Verdrahtung 1020 bereitgestellt sind, mehrere Spalten konfigurieren. Außerdem können die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 1050 in einer Richtung, welche die erste Verdrahtung 1020 schneidet, mehrere Reihen bilden.
  • Gemäß der Darstellung können die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 1050 entweder eine grüne lichtemittierende Halbleitervorrichtung oder eine blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung sein.
  • In diesem Fall sind die Strukturen der grünen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung und der blauen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung gleich, was zuerst unter Bezug auf 14 beschrieben wird.
  • Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung kann hauptsächlich aus Galliumnitrid (GaN) ausgebildet sein, und Indium (In) und/oder Aluminium (AI) können dazu hinzugefügt werden, um eine lichtemittierende Hochleistungsvorrichtung, die blaues oder grünes Licht emittiert, zu implementieren. Für ein derartiges Beispiel können die mehreren lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 1050 dünne Galliumnitridschichten sein, die mit verschiedenen Schichten, wie etwa n-GaN, p-GaN, AlGaN, n-GaN und Ähnlichen ausgebildet sind.
  • Außerdem kann die lichtemittierende Halbleitervorrichtung ein lichtemittierender Mikrodiodenchip sein. Hier kann der lichtemittierende Mikrodiodenchip eine Querschnittfläche haben, die kleiner als die des lichtemittierenden Bereichs in dem Teilbildpunkt ist, und kann für ein derartiges Beispiel eine Größenordnung von 1 bis 100 Mikrometer haben.
  • Bezugnehmend auf 14 umfasst die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 als eine vertikale lichtemittierende Halbleitervorrichtung eine erste leitfähige Elektrode 1156, eine erste leitfähige Halbleiterschicht 1155, die mit der ersten leitfähigen Elektrode 1156 angeordnet ist, eine aktive Schicht 1154, die auf der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 1155 angeordnet ist, eine zweite leitfähige Halbleiterschicht 1153, die auf der aktiven Schicht 1154 angeordnet ist, und eine zweite leitfähige Elektrode 1152, die auf der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 1153 angeordnet ist.
  • Die erste leitfähige Halbleiterschicht 1155 und die zweite leitfähige Halbleiterschicht 1152 überlappen einander, und die zweite leitfähige Elektrode 1152 ist auf einer oberen Oberfläche der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 1153 angeordnet, und die erste leitfähige Elektrode 1156 ist auf einer unteren Oberfläche der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 1155 angeordnet. In diesem Fall kann die obere Oberfläche der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 1153 eine Oberfläche der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 1153 sein, die am weitesten von der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 1155 entfernt ist, und die untere Oberfläche der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 1155 kann eine Oberfläche der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 1155 sein, die am weitesten von der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 1153 entfernt ist. Wie vorstehend beschrieben, werden die erste leitfähige Elektrode 1156 und die zweite leitfähige Elektrode 1152 jeweils über und unter der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 1155 und der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht 1153 angeordnet, indem sie zwischen ihnen eingefügt werden.
  • Außerdem kann eine Passivierungsschicht 1157 an der äußersten Seite der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 bereitgestellt werden, wodurch die Stabilisierungscharakteristiken der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 verbessert werden. Die Passivierungsschicht 1157 kann die erste leitfähige Halbleiterschicht 1155, die aktive Schicht 1154 und die zweite leitfähige Halbleiterschicht 1153 in der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050a bedecken.
  • Bezugnehmend auf 14 zusammen mit 10 bis 13, kann eine untere Oberfläche der ersten leitfähigen Halbleiterschicht 1155 eine Oberfläche sein, die am nächsten zu dem Verdrahtungssubstrat ist, und eine obere Oberfläche der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht kann eine Oberfläche sein, die am weitesten weg von dem Verdrahtungssubstrat ist.
  • Insbesondere können die erste leitfähige Elektrode 1156 und die erste leitfähige Halbleiterschicht 1155 jeweils eine p-Elektrode und eine p-Halbleiterschicht sein, und die zweite leitfähige Elektrode 1152 und die zweite leitfähige Halbleiterschicht 1153 können jeweils eine n-Elektrode und eine n-Halbleiterschicht sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf beschränkt, und der erste Leitfähigkeitstyp kann der n-Typ sein und der zweite Leitfähigkeitstyp kann der p-Typ sein. Jedoch kann die p-Halbleiterschicht p-GaN sein und die n-Halbleiterschicht kann n-GaN sein. Außerdem können gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung Verunreinigungen in ein intrinsisches oder ein dotiertes Halbleitersubstrat implantiert werden, um die erste und zweite leitfähige Halbleiterschicht zu bilden. Außerdem kann der Bereich, in dem durch die Verunreinigungsimplantierung ein pn-Übergang ausgebildet wird, als die aktive Schicht dienen.
  • In diesem Fall kann die p-Elektrode 1156, die an seiner Unterseite angeordnet ist, durch ein lötbares Metall mit der ersten Verdrahtung 1020 verbunden werden, und die n-Elektrode 1152, die an seiner Oberseite angeordnet ist, kann mit der zweiten Elektrode 1040 elektrisch verbunden werden. Hier kann die p-Elektrode mehrere Metallschichten umfassen, die aus verschiedenen Metallen ausgebildet sind. Zum Beispiel können mehrere Metallschichten, die aus Ti, Pt, Au, Ti, Cr und Ähnlichem hergestellt sind, abgeschieden werden, um die p-Elektrode zu bilden.
  • Die erste Verdrahtung 1020 und die zweite Verdrahtung 1040 können mit dazwischen eingefügten lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen angeordnet werden. Mehrere zweite Verdrahtungen 1040 können in einer Richtung angeordnet werden, die eine Längenrichtung der ersten Verdrahtung 1020 schneidet. Mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen 1050 werden durch die vorstehende Struktur mit dem Verdrahtungssubstrat 1010 verbunden und mit der ersten Elektrode 1020 und der zweiten Elektrode 1040 elektrisch verbunden.
  • Gemäß der Darstellung kann die zweite Verdrahtung 1040 auf einer Planarisierungsschicht 1060 angeordnet sein. Insbesondere ist der Rippenabschnitt mit einem Isoliermaterial gefüllt, um das lötbare Metall zu bedecken, um eine flache Schicht 1060 zu bilden, und die zweite Elektrode 1040, die eine obere Verdrahtung ist, ist auf einer Oberfläche der Planarisierungsschicht 1060 angeordnet. Mit anderen Worten ist die Planarisierungsschicht derart ausgebildet, dass sie das lötbare Metall bedeckt, und eine obere Verdrahtung, die mit den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen elektrisch verbunden ist, ist auf der Planarisierungsschicht angeordnet.
  • Insbesondere kann die Planarisierungsschicht 1060 mit einem isolierenden und flexiblen Material, wie etwa Polyimid (PI), PET, PEN, PDMS, PMPS oder Ähnlichem in das Substrat 1010 eingearbeitet sein, um ein einzelnes Verdrahtungssubstrat zu bilden.
  • Für ein spezifischeres Beispiel kann die Planarisierungsschicht 1060 eine PDMS- & PMPS-Mischung (0 ≤ PDMS ≤ 100) sein, die ein transparentes Harz oder ein weißes Material enthält. Durch die Isolierschicht kann der Chip vor einer äußeren Umgebung geschützt werden, und außerdem kann der Lichtextraktionswirkungsgrad verbessert werden. In diesem Fall kann die zweite Elektrode 1040 durch den Kontakt mit der zweiten leitfähigen Elektrode 1040 der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 elektrisch verbunden werden. Die Planarisierungsschicht kann derart ausgebildet werden, dass sie zwischen die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen gefüllt wird. Für ein derartiges Beispiel kann das isolierende Material der Planarisierungsschicht zwischen die mehreren Rippenabschnitte gefüllt werden.
  • Gemäß der Darstellung ist eine Leuchtstoffschicht 1080 auf einer oberen Oberfläche des Rippenabschnitts ausgebildet, und die Leuchtstoffschicht 1080 kann sich derart erstrecken, dass sie das Isoliermaterial bedeckt.
  • Die Leuchtstoffschicht 1080 kann derart ausgebildet sein, dass sie mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen 1050 bedeckt und als eine Struktur zum Umwandeln der Wellenlänge von Licht auf der Planarisierungsschicht angeordnet ist, um drei Primärfarben rot, grün und blau zu implementieren. Mit anderen Worten ist die Leuchtstoffschicht 1080 derart ausgebildet, dass sie die Planarisierungsschicht und die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen bedeckt, um die Wellenlänge des Lichts umzuwandeln.
  • Zum Beispiel ist die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 eine blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung, die blaues (B) Licht emittiert, und die Leuchtstoffschicht 1080 führt die Rolle des Umwandelns des blauen (B) Lichts in die Farbe eines Teilbildpunkts aus. Die Leuchtstoffschicht 1080 kann eine rote Leuchtstoffschicht 1081 oder eine grüne Leuchtstoffschicht 1082 sein, die einzelne Bildpunkte bildet. Mit anderen Worten kann ein roter Leuchtstoff 1081, der fähig ist, blaues Licht in rotes (R) Licht umzuwandeln, an einer Position, die einen roten Teilbildpunkt implementiert, auf der blauen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1151a abgeschieden werden, und ein grüner Leuchtstoff 1082, der fähig ist, blaues Licht in grünes (G) Licht umzuwandeln, kann an einer Position, die einen grünen Teilbildpunkt implementiert, auf der blauen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1151a abgeschieden werden. Außerdem kann in einem Abschnitt, der einen blauen Teilbildpunkt bildet, nur die blaue lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1051c allein verwendet werden. In diesem Fall können die roten (R), grünen (G) und blauen (B) Teilbildpunkte einen Bildpunkt implementieren. Insbesondere kann ein Farbstoff entlang jeder Linie der ersten Elektrode 1020 abgeschieden werden. Folglich kann eine Linie auf der ersten Elektrode 1020 eine Elektrode sein, die eine Farbe steuert. Mit anderen Worten können rot (R), grün (G) und blau (B) der Reihe nach entlang der zweiten Elektrode 1040 angeordnet werden, wodurch Teilbildpunkte implementiert werden. Die vorliegende Offenbarung darf jedoch nicht notwendigerweise auf dieses beschränkt werden, und die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 kann anstelle eines Leuchtstoffs mit einem Quantenpunkt (QD) implementiert werden, um Teilbildpunkte zu implementieren, die rot (R), grün (G) und blau (B) emittieren.
  • Um andererseits den Kontrast der Leuchtstoffschicht 1080 zu vergrößern, kann die Anzeigevorrichtung ferner eine schwarze Matrix 1083 umfassen, die zwischen jedem Leuchtstoff angeordnet ist. Die schwarze Matrix 1083 kann in einer derartigen Weise ausgebildet werden, dass zwischen den Leuchtstoffpunkten eine Lücke ausgebildet wird und ein schwarzes Material die Lücke füllt. Dadurch kann die schwarze Matrix 1083 den Kontrast zwischen hell und dunkel verbessern, während die äußere Lichtreflexion absorbiert wird. Die schwarze Matrix 1083 ist zwischen jeweiligen Leuchtstoffschichten entlang der zweiten Elektrode 1040 in einer Richtung angeordnet, in der die Leuchtstoffschichten 1080 abgeschieden werden. In diesem Fall kann an einer Position, die der blauen lichtemittierenden Halbleitervorrichtung entspricht, keine Leuchtstoffschicht ausgebildet werden, aber die schwarze Matrix 1083 kann jeweils auf ihren beiden Seiten mit einem Zwischenraum ausgebildet werden, der die Leuchtstoffschicht nicht dazwischen hat (oder mit der blauen lichtemittierenden Vorrichtung dazwischen).
  • Indessen können die Elektroden Bezugnehmend auf die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 1050 gemäß dem vorliegenden Beispiel in der vorliegenden Ausführungsform in einer Aufwärts-/Abwärtsrichtung in der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 angeordnet sein, wodurch man einen großen Vorteil hat, dass man fähig ist, die Chipgröße zu verringern. Die Elektrode kann jedoch oben und unten angeordnet werden, aber die lichtemittierende Halbleitervorrichtung kann eine lichtemittierende Flip-Chip-Halbleitervorrichtung sein.
  • Außerdem wird der wahlweise Transfer unter Verwendung einer Struktur, die den Rippenabschnitt, wie vorstehend beschrieben, verwendet, ermöglicht. 15 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren zum Durchführen des wahlweisen Transfers in einem Herstellungsverfahren einer Anzeige in 10 zeigt.
  • Bezugnehmend auf diese Zeichnung wird zuerst das lötbare Metall in den Rippenabschnitt 1030 gefüllt, um die erste Elektrode auf dem Verdrahtungssubstrat, auf dem die erste Elektrode 1020 angeordnet ist, zu bedecken. Dann wird Wärme angewendet, um das lötbare Metall in eine flüssige Phase umzuwandeln ((a) in 15).
  • Als Nächstes wird ein Substrat, auf dem die mehreren lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 1050, die einzelne Bildpunkte bilden, angeordnet sind, derart angeordnet, dass die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen 1050 dem Rippenabschnitt 1030 und der zweiten Elektrode 1020 zugewandt sind. In diesem Fall kann das Substrat als Zuchtsubstrat zum Züchten einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 1050 ein Saphirsubstrat oder ein Siliziumsubstrat sein.
  • Dann werden das Verdrahtungssubstrat und das Zuchtsubstrat gepresst. Ein unterer Abschnitt der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung wird in das flüssigphasige lötbare Metall eingesetzt, und die lichtemittierende Halbleitervorrichtung wird durch Härten des lötbaren Metalls mit dem Verdrahtungssubstrat gekoppelt ((b) in 15). Zu dieser Zeit werden von den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen auf dem Zuchtsubstrat lichtemittierende Vorrichtungen, die nicht dem Rippenabschnitt zugewandt sind, zwischen den Rippenabschnitten angeordnet, aber der Kontakt zwischen der Struktur und den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen tritt nicht auf, da eine Lücke zwischen den Rippenabschnitten ein leerer Raum ist.
  • Als Nächstes wird das Zuchtsubstrat entfernt ((c) in 15). Zum Beispiel kann das Zuchtsubstrat unter Verwendung eines Laser-Abhebeverfahrens (LLO) oder eines chemischen Abhebeverfahrens (CLO) entfernt werden. In diesem Fall wird die lichtemittierende Halbleitervorrichtung zwischen den Rippen unter Verwendung eines Reflektors bedeckt, um einen Laser nur auf die in das lötbare Metall eingesetzten lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen anzuwenden. Dadurch werden die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen auf dem Zuchtsubstrat wahlweise auf das Verdrahtungssubstrat transferiert.
  • Schließlich wird ein Isoliermaterial eingefüllt, um eine Planarisierungsschicht zu bilden und die obere Verdrahtung abzuscheiden ((d) in 15).
  • Andererseits kann eine Anzeigevorrichtung zum Verbinden einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung mit einem Verdrahtungssubstrat unter Verwendung eines Rippenabschnitts wie in der vorliegenden Offenbarung in verschiedenen Formen modifiziert werden. Hier nachstehend wird eine andere Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beschrieben.
  • 16 und 17 sind Konzeptansichten, die eine andere Ausführungsform einer Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung zeigen.
  • Gemäß der Darstellung von 16 wird eine Struktur, in der sich eine Leuchtstoffschicht zwischen Rippenabschnitten erstreckt, offenbart.
  • In diesem Fall kann die Anzeigevorrichtung wie in dem vorangehenden Beispiel 2050 ein Substrat 2010, eine erste Verdrahtung 2020, einen Rippenabschnitt 2020, eine zweite Verdrahtung 2040, eine Planarisierungsschicht 2060, eine Leuchtstoffschicht 2080, ein lötbares Metall 2090 und mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen 2050 umfassen.
  • In diesem Fall kann eine Struktur außer dem Rippenabschnitt 2030, der Planarisierungsschicht 2060, der Leuchtstoffschicht 2080 und dem lötbaren Metall 2090 die gleiche Struktur wie das vorangehende Beispiel haben, und folglich wird ihre Beschreibung durch den vorangehenden Inhalt, der unter Bezug auf 10 bis 14 beschrieben wurde, ersetzt.
  • Gemäß der Darstellung sind die Rippenabschnitte 2030 auf beiden Seiten der unteren Verdrahtung angeordnet und konfiguriert, um von einer Oberfläche des Substrats 1010 vorzustehen. Der Rippenabschnitt 2030 kann aus mehreren Linien ausgebildet sein, und jede Linie kann ein Paar Rippen umfassen. Zum Beispiel können eine erste Rippe 2031 und eine zweite Rippe 2032, die voneinander beabstandet sind, eine Linie bilden. In diesem Fall kann der Rippenabschnitt 2030 derart angeordnet sein, dass ein Trennungsabstand zwischen den mehreren Linie größer als der zwischen der ersten Rippe 2031 und der zweiten Rippe 2032 ist.
  • Die erste Rippe 2031 und die zweite Rippe 2032 können beide die gleiche Höhe in Bezug auf das Substrat haben, und die Höhe des Rippenabschnitts 2030 ist derart konfiguriert, dass sie höher als die der unteren Verdrahtung in Bezug auf eine Oberfläche des Substrats 2010 ist.
  • Gemäß der Zeichnung kann eine Klebstoffschicht zwischen dem Substrat 2010, auf dem die erste Verdrahtung 2020 angeordnet ist, und der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung 2050 angeordnet werden. Die Klebstoffschicht hat einen niedrigen Schmelzpunkt und kann ein lötbares Metall umfassen. Insbesondere wird das lötbare Metall 2090 zwischen die erste Rippe 2031 und die zweite Rippe 2032 gefüllt und konfiguriert, um die untere Verdrahtung zu bedecken.
  • Wie vorstehend beschrieben, kann das lötbare Metall 2090 derart angeordnet werden, dass es die erste Verdrahtung 2020 und die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 2050 physikalisch verbindet. Folglich können die lichtemittierende Halbleitervorrichtung 2050 und die erste Verdrahtung 2020 für die elektrische Leitung miteinander verbunden werden.
  • Zum Beispiel kann das lötbare Metall 2090 aus einem Material mit einem niedrigen Schmelzpunkt ausgebildet werden und in der Form eines Punkts oder einer Linie auf den Rippenabschnitt aufgetragen werden. In dem vorliegenden Beispiel kann das lötbare Metall 2090 aus einem lichttransmittierenden Material ausgebildet sein.
  • Indessen können gemäß der Darstellung einige der mehreren Rippenabschnitte aus einem lichttransmittierenden Material ausgebildet sein.
  • Zum Beispiel umfassen die mehreren Rippenabschnitte 2030 einen ersten Rippenabschnitt 2030a und einen zweiten Rippenabschnitt 2030b, und eine Leuchtstoffschicht 2081, die den ersten Rippenabschnitt 2030a bedeckt, ist zwischen den ersten Rippenabschnitt 2030a und den zweiten Rippenabschnitt 2030b gefüllt. Zu dieser Zeit ist von den Rippen des ersten Rippenabschnitts 2030a eine Rippe 2032a nahe dem zweiten Rippenabschnitt 2030b aus einem lichttransmittierenden Material ausgebildet. Das lichttransmittierende Material ist ein Material mit einer hohen Transmission in einem sichtbaren Lichtbereich, und zum Beispiel kann ein epoxidbasierter Photoresist (PR), Polydimetylsiloxan (PDMS), Harz oder Ähnliches verwendet werden. Diese Materialien sind für die Verwendung als ein Material für einen Rippenabschnitt, der auf eine flexible Anzeige angewendet wird, geeignet, da sie keine Eigenschaft haben, dass sie bei hohen Temperaturen starr sind.
  • Insbesondere ist eine Leuchtstoffschicht 2081 auf einer oberen Oberfläche des Rippenabschnitts 2030 ausgebildet, und die Leuchtstoffschicht 2081 wird zwischen die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen jenseits der lichttransmittierenden Rippe 2032a zwischen die Rippen gefüllt. Die Leuchtstoffschicht 2081 wird in einen leeren Raum auf der linken oder rechten Seite in Bezug auf die lichtemittierende Halbleitervorrichtung gefüllt und umgibt eine der ersten Rippe 2031a und der zweite Rippen 2032b vollständig. In dem vorliegenden Beispiel ist die Rippe 2031a links aus einem nichttransmittierenden Material hergestellt, und die Rippe 2031b rechts ist auf einem lichttransmittierenden Material ausgebildet. Wie vorstehend beschrieben, die die von der Leuchtstoffschicht umschlossene Rippe aus einem lichttransmittierenden Material ausgebildet, um die Wellenlänge von Licht, das von der lichtemittierenden Halbleitervorrichtung emittiert wird, sogar zwischen den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen umzuwandeln.
  • Andererseits kann Bezugnehmend auf 17 eine der ersten Rippe 3031a und der zweiten Rippe 3032a in dem Rippenabschnitt 3030 derart ausgebildet sein, dass sie Licht transmittiert, und die andere kann ausgebildet sein, um Licht zu reflektieren. Für ein derartiges Beispiel kann eine reflektierende Schicht 3033 auf der Rippe links ausgebildet sein.
  • Die reflektierende Schicht 3033 kann eine oder mehrere dünne Metallschichten sein, die auf einem Rand der Rippe ausgebildet sind. Zum Beispiel ist die reflektierende Schicht 3033 konfiguriert, um eine Seitenoberfläche der Rippe links zu bedecken, um Licht zu reflektieren. Die reflektierende Schicht 3033 ist aus einem Metallmaterial, wie etwa Aluminium oder Silber mit einem hohen Reflexionsvermögen in einem sichtbaren Lichtbereich ausgebildet, um Licht zu reflektieren, wodurch eine Farbmischung zwischen den Leuchtstoffschichten verhindert wird. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht notwendigerweise darauf beschränkt, und zum Beispiel kann die reflektierende Schicht 3033 durch einen dünnen Oxidfilm, wie etwa TiOx oder CrOx, ersetzt werden, oder eine verteilte Bragg-Reflektor- (DBR-) Struktur kann darauf aufbringbar sein.
  • Wie vorstehend beschrieben, kann in der vorliegenden Offenbarung eine Fläche, auf der Leuchtstoff verteilt ist, ferner unter Verwendung eines transparenten Rippenabschnitts befestigt werden.
  • Die Konfigurationen und Verfahren gemäß den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen werden nicht in einer beschränkten Weise auf die vorstehende Anzeigevorrichtung, die eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet anwendbar sein, und die gesamte oder ein Teil jeder Ausführungsform kann wahlweise kombiniert und konfiguriert werden, um verschiedene Modifikationen daran vorzunehmen.

Claims (12)

  1. Anzeigevorrichtung, die aufweist: ein Substrat mit einer unteren Verdrahtung; einen Rippenabschnitt, der auf beiden Seiten der unteren Verdrahtung angeordnet ist und mit einer ersten Rippe und einer zweiten Rippe versehen ist, die ausgebildet sind, um von einer Oberfläche des Substrats vorzustehen; ein lötbares Metall, das zwischen die erste Rippe und die zweite Rippe gefüllt ist und derart ausgebildet ist, dass es die untere Verdrahtung bedeckt; und mehrere lichtemittierende Halbleitervorrichtungen, die der Reihe nach entlang des Rippenabschnittes angeordnet sind, von denen wenigstes ein Teil in das lötbare Metall eingesetzt sind, um mit der unteren Verdrahtung elektrisch verbunden zu werden.
  2. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, die ferner aufweist: eine Planarisierungsschicht, die ausgebildet ist, um das lötbare Metall zu bedecken.
  3. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 2, wobei eine obere Verdrahtung, die mit den lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen elektrisch verbunden ist, auf der Planarisierungsschicht angeordnet ist.
  4. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 2, die ferner aufweist: eine Leuchtstoffschicht, die ausgebildet ist, um die Planarisierungsschicht und die lichtemittierenden Halbleitervorrichtungen zu bedecken, um die Wellenlänge des Lichts umzuwandeln.
  5. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 4, wobei der Rippenabschnitt einer von mehreren Rippenabschnitten ist, die in vorgegebenen Abständen entlang einer Richtung angeordnet sind, und wobei die Leuchtstoffschicht sich zwischen den Rippenabschnitten erstreckt.
  6. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5, wobei die mehreren Rippenabschnitte einen ersten Rippenabschnitt und einen zweiten Rippenabschnitt aufweisen, und wobei eine Leuchtstoffschicht, die den ersten Rippenabschnitt bedeckt, zwischen den ersten Rippenabschnitt und den zweiten Rippenabschnitt gefüllt ist.
  7. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 6, wobei eine Rippe nahe dem zweiten Rippenabschnitt zwischen den Rippen des ersten Rippenabschnitts aus einem lichttransmittierenden Material hergestellt ist.
  8. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine der ersten Rippe und der zweiten Rippe derart ausgebildet ist, dass sie Licht transmittiert, und die andere davon derart ausgebildet ist, dass sie Licht reflektiert.
  9. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste Rippe und die zweite Rippe derart konfiguriert sind, dass sie in Bezug auf die lichtemittierende Halbleitervorrichtung symmetrisch sind.
  10. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine Höhe des Rippenabschnitts in Bezug auf die Oberfläche des Substrats größer als die der unteren Verdrahtung ist.
  11. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Rippenabschnitt einer von mehreren Rippenabschnitten ist, die entlang einer Richtung in vorgegebenen Abständen angeordnet sind, und ein Isoliermaterial zwischen die Rippenabschnitte gefüllt ist.
  12. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 11, wobei eine Leuchtstoffschicht zum Umwandeln der Wellenlänge des Lichts auf einer oberen Oberfläche des Rippenabschnitts ausgebildet ist, und die Leuchtstoffschicht sich derart erstreckt, dass sie das Isoliermaterial bedeckt.
DE112018006870.6T 2018-01-16 2018-02-01 Anzeigevorrichtung, die lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet Pending DE112018006870T5 (de)

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102173094B1 (ko) * 2019-08-05 2020-11-03 (주)라이타이저 디스플레이 장치의 제조 방법 및 디스플레이 장치
KR102203639B1 (ko) * 2019-08-26 2021-01-15 (주)라이타이저 디스플레이 장치의 제조 방법 및 디스플레이 장치
KR102173090B1 (ko) * 2019-09-04 2020-11-03 (주)라이타이저 캐리어 기판의 선택적 전사 방법, 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조되는 디스플레이 장치
KR102203649B1 (ko) * 2019-09-10 2021-01-15 (주)라이타이저 서브 픽셀 csp, 서브 픽셀 csp의 제조 방법, 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조되는 디스플레이 장치
CN112838079B (zh) * 2020-12-31 2022-06-10 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示模组及其制作方法
KR20220159560A (ko) * 2021-05-25 2022-12-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20220169064A (ko) * 2021-06-17 2022-12-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100838087B1 (ko) * 2007-06-13 2008-06-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
US20140198528A1 (en) 2011-08-17 2014-07-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Wavelength conversion chip for a light emitting diode, and method for manufacturing same
KR20130087160A (ko) * 2012-01-27 2013-08-06 삼성전자주식회사 발광소자 어레이 및 이를 이용한 발광소자 패키지
JP5698808B2 (ja) 2013-07-26 2015-04-08 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
KR101521939B1 (ko) * 2013-12-17 2015-05-20 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US9831387B2 (en) * 2014-06-14 2017-11-28 Hiphoton Co., Ltd. Light engine array
TWI711787B (zh) * 2015-01-08 2020-12-01 韓商Ｌｇ伊諾特股份有限公司 光學透鏡及具有光學透鏡之發光模組
US10030825B2 (en) * 2015-08-03 2018-07-24 Philips Lighting Holding B.V. Lighting assembly with an optical element for reducing color over angle variation
KR102169275B1 (ko) * 2015-08-21 2020-10-23 엘지전자 주식회사 표시장치
US11605757B2 (en) * 2015-08-21 2023-03-14 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting diode
KR102184538B1 (ko) * 2015-08-26 2020-11-30 엘지전자 주식회사 표시장치
WO2017116136A1 (ko) * 2015-12-31 2017-07-06 서울반도체주식회사 디스플레이 장치
US10068884B2 (en) * 2016-04-01 2018-09-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and manufacturing method thereof
KR102605471B1 (ko) * 2016-06-30 2023-11-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치

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