DE202018006380U1 - Leuchtdiode, LED Modul und Anzeigevorrichtung damit - Google Patents

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Abstract

Eine Leuchtdiode, bestehend aus:eine Lichtquelleneinheit, die Licht auf eine Vorderseite ausstrahlt und ein lichtemittierendes Teil, ein erstes Elektrodenpad und ein zweites Elektrodenpad enthält; undeine Lead Frame Einheit, die auf einer Rückseite der Lichtquelleneinheit angeordnet ist und erste und zweite Leitungsanschlüsse enthält, die jeweils mit den ersten und zweiten Elektrodenpads verbunden sind,wobei mindestens einer der ersten und zweiten Leitungsanschlüsse eine obere leitende Schicht, eine leitende Zwischenschicht und eine untere leitende Schicht aufweist, die auf verschiedenen Schichten angeordnet und elektrisch miteinander verbunden sind.

Description

  • STAND DER TECHNIK
  • Gebiet der Technik
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Leuchtdiode, ein LED Modul und eine diese enthaltende Anzeigevorrichtung.
  • Beschreibung des verwandten Stands der Technik
  • Im Allgemeinen kann eine Leuchtdiode weitgehend in eine Leuchtdiode des oberen Typs und eine Leuchtdiode des seitlichen Typs eingeteilt werden. Das Gehäuse mit seitlichen Leuchtdioden wird häufig als Lichtquelle für die Hintergrundbeleuchtung einer Anzeigevorrichtung verwendet, bei der Licht auf eine Seite einer Lichtleiterplatte fällt. In letzter Zeit wurde das seitliche LED Gehäuse zusätzlich zur Hintergrundbeleuchtung des vorhandenen Anzeigegeräts weit verbreitet genutzt oder eingesetzt.
  • Da die Dicke der Anzeigevorrichtung dünn ist, ist in letzter Zeit auch die Dicke des Gehäuses der seitlichen Leuchtdioden eher dünn. Da jedoch die Dicke des herkömmlichen seitlichen LED Gehäuse dünner wird, wird der Abstand zwischen einem LED Chip und einem Reflektor enger und ein Wärmeableitungsdesign ist aufgrund des Temperaturanstiegs erforderlich.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung einer Leuchtdiode mit verbesserter Wärmeableitungsstruktur, eines LED Moduls und einer diese enthaltenden Anzeigevorrichtung.
  • Eine Leuchtdiode nach einer Ausführungsform der vorliegenden Anwendung hat eine verbesserte Wärmeabfuhrwirkung.
  • Eine Leuchtdiode gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst eine Lichtquelleneinheit, die ein Licht zu einer Vorderseite emittiert und einen lichtemittierenden Teil, ein erstes Elektrodenpad und ein zweites Elektrodenpad umfasst; und eine Lead Frame Einheit, die auf einer Rückseite der Lichtquelleneinheit angeordnet ist und erste und zweite Leitungsanschlüsse umfasst, die jeweils mit den ersten und zweiten Elektrodenpads verbunden sind, wobei mindestens einer der ersten und zweiten Leitungsanschlüsse eine obere leitende Schicht, eine leitende Zwischenschicht und eine untere leitende Schicht umfasst, die auf verschiedenen Schichten angeordnet und elektrisch miteinander verbunden sind.
  • In einer Ausführungsform enthält die Lead Frame Einheit ferner ein erstes isolierendes Substrat und ein zweites isolierendes Substrat, die obere leitende Schicht ist zwischen der Lichtquelleneinheit und dem ersten isolierenden Substrat angeordnet, die leitende Zwischenschicht ist zwischen dem ersten isolierenden Substrat und dem zweiten isolierenden Substrat angeordnet, und die untere leitende Schicht ist auf dem zweiten isolierenden Substrat angeordnet und auf einer Seite angeordnet, die einer Seite gegenüberliegt, auf der die leitende Zwischenschicht angeordnet ist.
  • In einer Ausführungsform enthält die Lead Frame Einheit außerdem einen von dem ersten und zweiten Leitungsanschluss isolierten Dummy-Anschluss.
  • In einer Ausführungsform ist der Dummy-Anschluss in der Draufsicht zwischen dem ersten und dem zweiten Leitungsanschluss angeordnet.
  • In einer Ausführung umfasst der Dummy-Anschluss eine zwischen dem ersten isolierenden Substrat und dem zweiten isolierenden Substrat angeordnete Dummy-Zwischenschicht und eine auf dem zweiten isolierenden Substrat angeordnete untere Dummy-Schicht, wobei die untere Dummy-Schicht auf einer Seite angeordnet ist, die einer Seite gegenüberliegt, auf der die Dummy-Zwischenschicht angeordnet ist.
  • Bei einer Ausführungsform sind die Dummy-Zwischenschicht und die leitende Zwischenschicht elektrisch voneinander isoliert, und die untere Dummy-Schicht und die untere leitende Schicht sind elektrisch voneinander isoliert.
  • Bei einer Ausführungsform wird das zweite isolierende Substrat teilweise entfernt, um eine Dummy-Lötöffnung zu erhalten, und die Dummy-Zwischenschicht und die untere Dummy-Schicht sind durch eine in der Dummy-Lötöffnung angeordnete Lotpaste elektrisch miteinander verbunden.
  • Bei einer Ausführungsform werden das erste und zweite isolierende Substrat teilweise entfernt, so dass sie jeweils mindestens ein Durchgangsloch aufweisen, und die obere leitende Schicht und die leitende Zwischenschicht sind durch ein im Durchgangsloch angeordnetes Kontaktteil elektrisch miteinander verbunden.
  • In einer Ausführungsform hat das zweite isolierende Substrat mindestens ein Lötloch, das eine Rückseite der leitenden Zwischenschicht freilegt.
  • Bei einer Ausführungsform hat die untere leitende Schicht die gleiche Öffnung wie die Lötöffnung.
  • In einer Ausführungsform enthält die Leuchtdiode außerdem eine Lotpaste, die in der Lötöffnung angeordnet ist.
  • Bei einer Ausführungsform bilden der lichtemittierende Teil, das erste Elektrodenpad und das zweite Elektrodenpad die Leuchtdiode, und die Leuchtdiode ist auf der Lead Frame Einheit angeordnet.
  • In einer Ausführungsform ist die Leuchtdiode vom Flip-Typ.
  • In einer Ausführungsform enthält die Leuchtdiode außerdem einen Wellenlängenkonverter, der die Leuchtdiode abdeckt und zumindest einen Teil des von der Leuchtdiode emittierten Lichts umwandelt.
  • In einer Ausführungsform enthält der Wellenlängenkonverter einen Leuchtstoff.
  • In einer Ausführungsform enthält die Leuchtdiode außerdem einen transparenten Teil, der den Wellenlängenkonverter abdeckt.
  • In einer Ausführungsform umfasst die Leuchtdiode außerdem einen isolierenden Teil, der den Umfang der Leuchtdiode, den Wellenlängenkonverter und den transparenten Teil in der Draufsicht umgibt.
  • In einer Ausführungsform, in der Draufsicht betrachtet, überlappt der isolierende Teil teilweise mit dem Wellenlängenkonverter.
  • Bei einer Ausführungsform ist in der Draufsicht der isolierende Teil vom Wellenlängenkonverter beabstandet.
  • In einer Ausführungsform, bei der, in Draufsicht betrachtet, der isolierende Teil mit dem Wellenlängenkonverter in Kontakt steht.
  • Bei einer Ausführungsform umfasst die obere leitende Schicht eine erste obere leitende Schicht, die elektrisch mit dem ersten Leitungsanschluss verbunden ist, und eine zweite obere leitende Schicht, die mit dem zweiten Leitungsanschluss verbunden ist, und mindestens eine der ersten und zweiten oberen leitenden Schichten ist nach außen hin freiliegend.
  • In einer Ausführungsform umfasst die leitende Zwischenschicht eine erste leitende Zwischenschicht, die elektrisch mit dem ersten Leitungsanschluss verbunden ist, und eine zweite leitende Zwischenschicht, die mit dem zweiten Leitungsanschluss verbunden ist, und mindestens eine der ersten und zweiten leitenden Zwischenschichten ist nach außen hin freiliegend.
  • Ein LED Modul gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Anwendung enthält eine Lichtquelleneinheit, die Licht auf eine Vorderseite ausstrahlt und einen lichtemittierenden Teil, ein erstes Elektrodenpad und ein zweites Elektrodenpad enthält; eine Lead Frame Einheit, die auf einer Rückseite der Lichtquelleneinheit angeordnet ist und erste und zweite Leitungsanschlüsse enthält, die mit den ersten bzw. zweiten Elektrodenpads verbunden sind; und ein Substrat, das auf Seitenflächen der Lichtquelleneinheit und der Lead Frame Einheit angeordnet und elektrisch mit dem ersten und zweiten Leiteranschluss verbunden ist, wobei mindestens einer der ersten und zweiten Leiteranschlüsse eine obere leitende Schicht, eine leitende Zwischenschicht und eine untere leitende Schicht aufweist, die auf verschiedenen Schichten angeordnet und elektrisch miteinander verbunden sind.
  • Eine Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Anwendung umfasst ein Anzeigefeld; eine Lichtleiterplatte, die auf einer Seite des Anzeigefelds angeordnet ist, mit einer ersten Oberfläche, auf die Licht einfällt, und einer zweiten Oberfläche, auf die das Licht emittiert wird, und die der Anzeigefelds zugewandt ist; und ein LED Modul, das das Licht an die erste Oberfläche der Lichtleiterplatte liefert, wobei das LED Modul eine Lichtquelleneinheit umfasst, die einen lichtemittierenden Teil, ein erstes Elektrodenpad und ein zweites Elektrodenpad umfasst und das Licht an eine Vorderseite emittiert; eine Lead Frame Einheit, die auf einer Rückseite der Lichtquelleneinheit angeordnet ist und erste und zweite Leitungsanschlüsse aufweist, die mit den ersten bzw. zweiten Elektrodenpads verbunden sind; und ein Substrat, das auf Seitenflächen der Lichtquelleneinheit und der Lead Frame Einheit angeordnet und elektrisch mit den ersten und zweiten Leitungsanschlüssen verbunden ist, wobei mindestens einer der ersten und zweiten Leitungsanschlüsse eine obere leitende Schicht, eine leitende Zwischenschicht und eine untere leitende Schicht aufweist, die auf verschiedenen Schichten angeordnet und elektrisch miteinander verbunden sind.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Leuchtdiode entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Anwendung kurz veranschaulicht;
    • 2A bis 2E sind Ansichten, die eine Lead Frame Einheit aus 1 näher veranschaulichen;
    • 3A bis 3E sind Ansichten, die eine Lichtquelleneinheit aus 1 näher erläutern;
    • 4A bis 4D sind Ansichten, die einen LED Chip einer Lichtquelleneinheit näher erläutern;
    • 5A bis 5D sind Ansichten, die ein LED Modul zeigen, das mit einer Leuchtdiode von 1 gebildet wurde;
    • 6A bis 6D sind Ansichten, die eine Leuchtdiode nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Anwendung darstellen;
    • 7A und 7B sind Ansichten, die ein LED Modul zeigen, das mit einer Leuchtdiode von 6 gebildet wurde;
    • 8A bis 8D sind Ansichten, die eine Leuchtdiode nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Anwendung darstellen;
    • 9A und 9B sind Ansichten, die eine Draufsicht auf eine zweite bzw. dritte leitende Schicht nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Anwendung darstellen;
    • 10A bis 100 sind Ansichten, die eine Leuchtdiode nach einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Anwendung darstellen;
    • 11A bis 11D sind Ansichten, die eine Leuchtdiode nach einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Anwendung darstellen;
    • 12A und 12B sind Ansichten, die ein LED Modul zeigen, das mit einer Leuchtdiode aus 11 gebildet wurde.
    • 13A bis 13D sind Ansichten, die eine Leuchtdiode gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Anwendung darstellen; und
    • 14 ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel für eine Anzeigevorrichtung mit einem LED Modul der vorliegenden Anwendung zeigt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Die vorliegende Erfindung kann auf verschiedene Weise modifiziert und durch verschiedene beispielhafte Ausführungsformen umgesetzt werden, so dass bestimmte beispielhafte Ausführungsformen in den Zeichnungen veranschaulicht werden und im Folgenden ausführlich beschrieben werden. Es ist jedoch zu verstehen, dass sich die vorliegende Erfindung nicht auf die spezifischen beispielhaften Ausführungsformen beschränkt, sondern alle Modifikationen, Äquivalente und Substitutionen umfasst, die im Geist und Umfang der vorliegenden Erfindung enthalten sind.
  • Bei der Beschreibung der Zeichnungen werden für gleichartige Elemente gleichartige Referenzzahlen verwendet. In den beiliegenden Zeichnungen sind die Abmessungen der Strukturen zur Verdeutlichung der Erfindung in einem größeren Maßstab als dem tatsächlichen dargestellt. Es wird verstanden, dass die Begriffe „erste“, „zweite“ usw. hier zwar zur Beschreibung verschiedener Elemente verwendet werden können, diese Elemente jedoch nicht durch diese Begriffe eingeschränkt werden sollten. Diese Begriffe werden nur verwendet, um ein Element von einem anderen zu unterscheiden. So könnte beispielsweise ein erstes Element als zweites Element bezeichnet werden, und ebenso könnte ein zweites Element als erstes Element bezeichnet werden, ohne vom Anwendungsbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Zu den singulären Ausdrücken gehören auch plurale Ausdrücke, sofern der Kontext nicht eindeutig etwas anderes angibt.
  • Es wird davon ausgegangen, dass die Begriffe „umfasst“ oder „schließt ein“, wenn sie hier verwendet werden, das Vorhandensein von angegebenen Merkmalen, ganzen Zahlen, Schritten, Operationen, Elementen und/oder Komponenten angeben, aber nicht das Vorhandensein oder die Hinzufügung von einem oder mehreren anderen Merkmalen, ganzen Zahlen, Schritten, Operationen, Elementen, Komponenten und/oder Gruppen davon ausschließen. Wenn eine Schicht, ein Bereich oder eine Platte als „auf“ einer anderen Schicht, einem anderen Bereich oder einer anderen Platte bezeichnet wird, kann sie direkt auf der anderen Schicht, dem anderen Bereich oder der anderen Platte liegen, oder es können dazwischenliegende Schichten, Bereiche oder Platten vorhanden sein. Umgekehrt können, wenn eine Schicht, ein Bereich oder eine Platte als „direkt auf“ einer anderen Schicht, einem Bereich oder einer Platte bezeichnet wird, dazwischenliegende Schichten, Bereiche oder Platten fehlen. Wenn eine Schicht, ein Bereich oder eine Platte als „unterhalb“ einer anderen Schicht, eines anderen Bereichs oder einer anderen Platte bezeichnet wird, kann sie direkt unter der anderen Schicht, dem anderen Bereich oder der anderen Platte liegen, oder es können dazwischenliegende Schichten, Bereiche oder Platten vorhanden sein. Umgekehrt können, wenn eine Schicht, ein Bereich oder eine Platte als „direkt unter“ einer anderen Schicht, einem Bereich oder einer Platte bezeichnet wird, dazwischenliegende Schichten, Bereiche oder Platten fehlen.
  • Im Folgenden wird eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung anhand der beiliegenden Zeichnungen ausführlich beschrieben.
  • 1 bis 4 sind Ansichten, die eine Leuchtdiode 10 entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Anwendung kurz darstellen. Konkret ist 1 eine perspektivische Ansicht, die die Leuchtdiode 10 entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Anwendung kurz darstellt, und 2 bis 4 sind Ansichten, die eine Lichtquelleneinheit 200 und eine Lead Frame Einheit 100 der Leuchtdiode 10 aus 1 im Detail darstellen. Bezüglich der 1 bis 4 enthält die Leuchtdiode 10 die Lead Frame Einheit 100 und die Lichtquelleneinheit 200.
  • Die Leuchtdiode 10 entsprechend der Ausführungsform der vorliegenden Anwendung umfasst die Lead Frame Einheit 100 und die Lichtquelleneinheit 200, die auf der Lead Frame Einheit 100 montiert ist, und die Lead Frame Einheit 100 umfasst mindestens drei leitende Schichten, die auf verschiedenen Schichten angeordnet sind. Insbesondere kann die Leuchtdiode 10 nach einer Ausführungsform der vorliegenden Anwendung durch die mindestens drei leitfähigen Schichten Wärme innerhalb der Leuchtdiode 10 nach außen abstrahlen und dadurch einen verbesserten Wärmeableitungseffekt erzielen.
  • In Bezug auf 1 ist die Lead Frame Einheit 100 mit der Lichtquelleneinheit 200 auf einer Oberseite und einer Leadframe-Struktur angeordnet, die einen in der Lichtquelleneinheit 200 enthaltenen LED Chip 210 mit einem externen Schaltkreis verbindet. Das heißt, die Lead Frame Einheit 100 ist mit den ersten und zweiten Elektrodenpads des in der Lichtquelleneinheit 200 enthaltenen LED Chips 210 verbunden und liefert die für die Lichtemission der Lichtquelleneinheit 200 erforderliche Leistung.
  • Die Lichtquelleneinheit 200 ist auf der Oberseite der Lead Frame Einheit 100 angeordnet und strahlt durch die von außen zugeführte Leistung ein Licht einer bestimmten Wellenlänge aus. Die Lichtquelleneinheit 200 kann z.B. den LED Chip 210, einen transparenten Teil 230, der auf der Vorderseite des LED Chips 210 angeordnet ist, und ein Gehäuse 240, das den LED Chip 210 und den transparenten Teil 230 umgibt, umfassen, wobei durch den transparenten Teil 230 Licht einer bestimmten Wellenlänge emittiert werden kann. Die Lichtquelleneinheit 200 kann beispielsweise einen Wellenlängenkonverter 220 zur Umwandlung der Wellenlänge des vom LED Chip 210 emittierten Lichts enthalten.
  • Die Lead Frame Einheit 100 umfasst ein erstes isolierendes Substrat 110, ein zweites isolierendes Substrat 120 und eine Vielzahl von leitenden Schichten. Die Mehrzahl der leitenden Schichten kann erste bis dritte leitende Schichten 130, 140 und 150 umfassen, die auf verschiedenen Schichten angeordnet sind.
  • Die erste leitende Schicht 130 wird auf der Oberseite des ersten isolierenden Substrats 110 gebildet. Die erste leitende Schicht 130 kann die erste und zweite obere leitende Schicht 131 und 132 enthalten, und ein Teil der ersten leitenden Schicht 130 kann nach außen hin freiliegen. Zum Beispiel kann, wie in 1 gezeigt, der Teil der ersten und zweiten oberen leitende Schicht 131 und 132 durch eine Öffnung, die im Gehäuse der Lichtquelleneinheit 200 ausgebildet ist, nach außen freigelegt werden. Inzwischen ist dies nur noch beispielhaft, und die Leuchtdiode nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Anwendung darf die erste und/oder zweite obere leitende Schicht 131 und 132 nicht nach außen freigeben.
  • Die zweite leitende Schicht 140 wird zwischen dem ersten isolierenden Substrat 110 und dem zweiten isolierenden Substrat 120 gebildet. Die zweite leitende Schicht 140 kann eine erste leitende Zwischenschicht 141, eine zweite leitende Zwischenschicht 142 und eine Dummy-Zwischenschicht (nicht abgebildet) enthalten, und ein Teil der zweiten leitenden Schicht 140 kann nach außen hin freiliegen. Zum Beispiel können, wie in 1 gezeigt, einige der ersten und zweiten leitfähigen Zwischenschichten 141 und 142 durch eine in einer Klebeschicht 180 gebildete Öffnung nach außen hin freiliegen und die Dummy-Zwischenschicht kann durch die Klebeschicht 180 blockiert und nicht nach außen hin freigelegt werden. Dies ist jedoch nur beispielhaft, und die Leuchtdiode nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Anwendung darf die erste leitende Zwischenschicht 141, die zweite leitende Zwischenschicht 142 und/oder die Dummy-Zwischenschicht nicht nach außen freigeben.
  • Die dritte leitende Schicht 150 wird auf einer unteren Fläche des zweiten isolierenden Substrats 120 gebildet. Die dritte leitende Schicht 150 umfasst eine erste untere leitende Schicht 151, eine zweite untere leitende Schicht 152 und eine untere Dummy-Schicht 153 und hat eine Form, die dem zweiten isolierenden Substrat 120 entspricht. Zum Beispiel kann, wie in 1 dargestellt, das zweite isolierende Substrat 120 halbkreisförmige Lötlöcher 171 bis 173 enthalten, die durch Entfernen eines Teils davon gebildet werden, und die erste untere leitende Schicht 151, die zweite untere leitende Schicht 152 und die untere Dummy-Schicht 153 können so gebildet werden, dass sie die gleichen Öffnungen wie die entsprechenden Lötlöcher aufweisen.
  • In einer Ausführung nach dem Geist der vorliegenden Anwendung können die erste obere leitende Schicht 131, die erste leitende Zwischenschicht 141 und die erste untere leitende Schicht 151 durch die in den ersten und zweiten isolierenden Substraten 110 und 120 gebildeten Durchgangslöcher elektrisch miteinander verbunden werden, um einen ersten Leitungsanschluss 191 zu bilden. Darüber hinaus können die zweite obere leitende Schicht 132, die zweite leitende Zwischenschicht 142 und die zweite untere leitende Schicht 152 durch die in den ersten und zweiten isolierenden Substraten 110 und 120 gebildeten Durchgangslöcher elektrisch miteinander verbunden werden, um einen zweiten Leitungsanschluss 192 zu bilden. Der erste Leitungsanschluss 191 und der zweite Leitungsanschluss 192 können durch ein isolierendes Material elektrisch isoliert und jeweils mit einem ersten Elektrodenpad und einem zweiten Elektrodenpad der Lichtquelleneinheit 200 verbunden werden.
  • Insbesondere können die ersten und zweiten Leitungsanschlüsse 191 und 192 nach einer Ausführungsform der vorliegenden Anwendung die ersten und zweiten leitenden Zwischenschichten 141 und 142 umfassen, die zwischen den ersten und zweiten isolierenden Substraten 110 und 120 angeordnet sind. Die Leuchtdiode 10 nach einer Ausführungsform der vorliegenden Anwendung kann durch die erste und zweite leitende Zwischenschicht 141 und 142 Wärme nach außen abstrahlen und damit die Wärmeabgabeleistung verbessern.
  • Darüber hinaus können in einer Ausführung nach der technischen Idee der vorliegenden Anwendung, wenn ein Substrat mit der Leuchtdiode 10 zu einem LED Modul verbunden wird, die Dummy-Zwischenschicht 143 und die untere Dummy-Schicht 153 durch eine in einer Dummy-Lötöffnung 173 angeordnete Lotpaste elektrisch verbunden werden, um einen Dummy-Anschluss 193 zu bilden (siehe 5D). Bei der Herstellung des LED Moduls darf der Dummy-Anschluss nach einer Ausführungsform der vorliegenden Anwendung nicht nur die Leuchtdiode 10 fest mit dem Substrat fixieren, sondern zusätzlich einen Wärmepfad zur Abstrahlung der Wärme der Leuchtdiode 10 auf das Substrat bilden. Dadurch kann die Wärmeableitung weiter verbessert werden.
  • In 1 ist die Leuchtdiode 10 im Wesentlichen in Form eines rechteckigen Parallelepipeds dargestellt. Dies ist jedoch nur beispielhaft, und die Leuchtdiode nach einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Anwendung kann neben einem rechteckigen Parallelepiped verschiedene Formen haben und im Rahmen der technischen Idee der vorliegenden Anwendung unterschiedlich verändert werden. Darüber hinaus wird verstanden, dass Begriffe, d.h. Vorder-, Seiten- und Rückseite, die im Folgenden beschrieben werden, relative Begriffe sind, die sich in Abhängigkeit von der Position oder Rotation der Leuchtdiode oder in Abhängigkeit von einem Referenzbauteil ändern.
  • Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf 2A bis 2E eine perspektivische Ansicht der Lead Frame Einheit 100 aus 1 dargestellt, und die Draufsicht auf die erste leitende Schicht 130, die zweite leitende Schicht 140 und die dritte leitende Schicht 150, die in der Lead Frame Einheit 100 enthalten sind, sind in 2B bis 2D dargestellt. 2E ist eine Querschnittsansicht der Lead Frame Einheit 100, aufgenommen entlang einer Linie I-I' von 2. Der Klarheit und Einfachheit halber wird in 2B hauptsächlich die Form der ersten leitenden Schicht 130 dargestellt, während die zweite leitende Schicht 140 und die dritte leitende Schicht 150 weggelassen werden. Ebenso veranschaulicht 2C hauptsächlich die Form der zweiten leitfähigen Schicht 140 und 2D hauptsächlich die Form der dritten leitfähigen Schicht 150.
  • In Bezug auf die 2A bis 2E enthält die Lead Frame Einheit 100 das erste isolierende Substrat 110, das zweite isolierende Substrat 120, die erste leitende Schicht 130, die zweite leitende Schicht 140 und die dritte leitende Schicht 150.
  • Zunächst werden, bezogen auf 2A, das erste isolierende Substrat 110 und das zweite isolierende Substrat 120 angeordnet. Das erste isolierende Substrat 110 und das zweite isolierende Substrat 120 bestehen aus einem isolierenden Material. Zum Beispiel kann das erste isolierende Substrat 110 und das zweite isolierende Substrat 120 ein organisches Polymermaterial enthalten. Als organisches Polymermaterial kann mindestens ein Harz, ausgewählt aus Acryl, Polyester, Polyurethan, Epoxid, Vinyl, Polystyrol, Polyamid und Harnstoff, verwendet werden. Dies ist jedoch beispielhaft, und das Material ist nicht besonders begrenzt, solange es isoliert ist.
  • In Bezug auf die 2A und 2B wird die erste leitende Schicht 130 auf der Oberseite des ersten isolierenden Substrats 110 gebildet. Die erste leitende Schicht 130 umfasst die erste obere leitende Schicht 131 und die zweite obere leitende Schicht 132. Die erste obere leitende Schicht 131 und die zweite obere leitende Schicht 132 sind elektrisch voneinander isoliert. Wie in 2B gezeigt, können beispielsweise die erste obere leitende Schicht 131 und die zweite obere leitende Schicht 132 so ausgebildet werden, dass sie einen bestimmten Abstand voneinander haben, und ein Material, das das Gehäuse der Lichtquelleneinheit 200 bildet, kann dazwischen gefüllt werden, um elektrisch isoliert zu werden.
  • Die erste obere leitende Schicht 131 und die zweite obere leitende Schicht 132 sind elektrisch mit dem ersten Elektrodenpad bzw. dem zweiten Elektrodenpad der Lichtquelleneinheit 200 verbunden. Die erste obere leitende Schicht 131 und die zweite obere leitende Schicht 132 werden aus einem leitenden Material gebildet. Die erste obere leitende Schicht 131 und die zweite obere leitende Schicht 132 können zum Beispiel aus einer einzelnen Schicht oder einer laminierten Schicht aus Au, Pt, Pd, Rh, Ni, W, Mo, Cr, Ti, Fe, Cu, Al, Ag oder einer Legierung davon gebildet werden.
  • Währenddessen kann, wie gezeigt, ein Teil der ersten oberen leitenden Schicht 131 und der zweiten oberen leitenden Schicht 132 nach außen freigelegt sein. Dies ist jedoch nur beispielhaft, und je nach Herstellungsverfahren kann der Teil der leitenden Schicht der ersten oberen leitenden Schicht 131 oder der zweiten oberen leitenden Schicht 132 nach außen hin freiliegen, und die erste obere leitende Schicht 131 und die zweite obere leitende Schicht 132 dürfen nicht nach außen hin freiliegen.
  • In 2A und 2C wird die zweite leitende Schicht 140 auf der Unterseite des ersten isolierenden Substrats 110 gebildet. Die zweite leitende Schicht 140 umfasst die erste leitende Zwischenschicht 141, die zweite leitende Zwischenschicht 142 und die Dummy-Zwischenschicht 143. Die erste leitende Zwischenschicht 141, die zweite leitende Zwischenschicht 142 und die Dummy-Zwischenschicht 143 sind elektrisch voneinander isoliert. Zum Beispiel sind, wie in 2A und 2C dargestellt, die erste leitende Zwischenschicht 141, die zweite leitende Zwischenschicht 142 und die Dummy-Zwischenschicht 143 so ausgebildet, dass sie in einem bestimmten Abstand voneinander angeordnet sind und ein Klebematerial, das die Klebeschicht 180 bildet, dazwischen gefüllt werden kann, um sich gegenseitig elektrisch zu isolieren.
  • Die erste leitende Zwischenschicht 141, die zweite leitende Zwischenschicht 142 und die Dummy-Zwischenschicht 143 können jeweils aus einem leitenden Material gebildet werden. Zum Beispiel können, ähnlich wie die erste obere leitende Schicht 131 und/oder die zweite obere leitende Schicht 132, die erste leitende Zwischenschicht 141, die Dummy-Zwischenschicht 143 und die zweite leitende Zwischenschicht 142 durch eine einzelne Schicht oder eine laminierte Schicht aus Au, Pt, Pd, Rh, Ni, W, Mo, Cr, Ti, Fe, Cu, Al, Ag bzw. einer Legierung davon gebildet werden.
  • Währenddessen kann, wie gezeigt, der Teil der ersten leitenden Zwischenschicht 141 und der zweiten leitenden Zwischenschicht 142 nach außen freigelegt sein. Dies ist jedoch beispielhaft und mindestens eine der ersten leitfähigen Zwischenschicht 141, der zweiten leitfähigen Zwischenschicht 142 und/oder der Dummy-Zwischenschicht 143 kann je nach Herstellungsverfahren nach außen hin freiliegen oder die erste leitfähige Zwischenschicht 141, die zweite leitfähige Zwischenschicht 142 und die Dummy-Zwischenschicht 143 dürfen nicht nach außen hin freiliegen.
  • 2A und 2D, die Klebeschicht 180 ist zwischen dem ersten isolierenden Substrat 110 und dem zweiten isolierenden Substrat 120 angeordnet. Die Klebeschicht 180 wird verwendet, um das erste isolierende Substrat 110 und das zweite isolierende Substrat 120 physikalisch zu koppeln. Zum Beispiel kann die erste leitende Schicht 130 und die zweite leitende Schicht 140 auf der oberen bzw. unteren Oberfläche des ersten isolierenden Substrats 110 gebildet werden, die dritte leitende Schicht 150 kann auf der unteren Oberfläche des zweiten isolierenden Substrats 120 gebildet werden, und dann können das erste isolierende Substrat 110 und das zweite isolierende Substrat 120 durch die Klebeschicht 180 physikalisch gekoppelt werden.
  • Ein Teil des zweiten isolierenden Substrats 120 wird entfernt, um die Vielzahl der Lötlöcher 171 bis 173 zu bilden. Zum Beispiel können, wie dargestellt, die erste Lötöffnung 171, die zweite Lötöffnung 172 und die Dummy-Lötöffnung 173, die jeweils eine halbkreisförmige Form haben, in dem zweiten isolierenden Substrat 120 gebildet werden.
  • Die dritte leitende Schicht 150 wird auf der Unterseite des zweiten isolierenden Substrats 120 gebildet. Die dritte leitende Schicht 150 umfasst die erste untere leitende Schicht 151, die zweite untere leitende Schicht 152 und die untere Dummy-Schicht 153. Die erste untere leitende Schicht 151, die zweite untere leitende Schicht 152 und die untere Dummy-Schicht 153 entsprechen der ersten Lötöffnung 171, der zweiten Lötöffnung 172 bzw. der Dummy-Lötöffnung 173 und sind so ausgebildet, dass sie jeweils eine Öffnung mit der gleichen halbkreisförmigen Form wie die entsprechende Lötöffnung aufweisen.
  • Die erste untere leitende Schicht 151, die zweite untere leitende Schicht 152 und die untere Dummy-Schicht 153 können jeweils aus einem leitenden Material gebildet werden, z.B. aus einer einzelnen Schicht oder einer laminierten Schicht aus Au, Pt, Pd, Rh, Ni, W, Mo, Cr, Ti, Fe, Cu, Al, Ag oder einer Legierung davon.
  • 2A und 2E, die erste obere leitende Schicht 131, die erste leitende Zwischenschicht 141 und die erste untere leitende Schicht 151 sind elektrisch miteinander verbunden. Zum Beispiel kann, wie gezeigt, ein Teil der ersten und zweiten isolierenden Substrate 110 und 120 entfernt werden, um ein erstes Durchgangsloch zu schaffen, und die erste obere leitende Schicht 131, die erste leitende Zwischenschicht 141 und die erste untere leitende Schicht 151 können durch ein erstes Kontaktteil 161, das in dem ersten Durchgangsloch angeordnet ist, elektrisch miteinander verbunden werden. In diesem Fall können die erste obere leitende Schicht 131, die erste leitende Zwischenschicht 141, die erste untere leitende Schicht 151 und das erste Kontaktteil 161, das sie durchdringt, als erster Leitungsanschluss 191 bezeichnet werden.
  • Zur Bildung des ersten Leitungsanschlusses 191 können die erste obere leitende Schicht 131, die erste leitende Zwischenschicht 141 und die erste untere leitende Schicht 151 in der Draufsicht an einer Stelle angeordnet werden, an der sie sich erheblich überlappen. Dies ist jedoch nur beispielhaft, und der Ort ist nicht besonders begrenzt, solange ein Strompfad zwischen der ersten oberen leitenden Schicht 131, der ersten leitenden Zwischenschicht 141 und der ersten unteren leitenden Schicht 151 gebildet werden kann.
  • Zum Beispiel kann sich ein Kontaktteil des ersten isolierenden Substrats 110, das die erste obere leitende Schicht 131 mit der ersten leitenden Zwischenschicht 141 elektrisch verbindet, und ein Kontaktteil, das die erste leitende Zwischenschicht 141 mit den unteren leitenden Schichten 151 verbindet, voneinander unterscheiden, und in diesem Fall können die Kontaktteile in der Draufsicht an nicht überlappenden Positionen angeordnet sein. Außerdem kann in diesem Fall die erste obere leitende Schicht 131 an einer Stelle angeordnet werden, die sich in der Draufsicht teilweise mit der ersten leitenden Zwischenschicht 141, aber nicht mit der ersten unteren leitenden Schicht 151 überlappt.
  • In ähnlicher Weise sind die zweite obere leitende Schicht 132, die zweite leitende Zwischenschicht 142 und die zweite untere leitende Schicht 152 elektrisch miteinander verbunden. Zum Beispiel können die ersten und zweiten isolierenden Substrate 110 und 120 teilweise entfernt werden, um ein zweites Durchgangsloch zu schaffen, und die zweite obere leitende Schicht 132, die zweite leitende Zwischenschicht 142 und die zweite untere leitende Schicht 152 können durch ein zweites Kontaktteil 162, das in dem zweiten Durchgangsloch angeordnet ist, elektrisch miteinander verbunden werden.
  • In diesem Fall können die zweite obere leitende Schicht 132, die zweite leitende Zwischenschicht 142 und die zweite untere leitende Schicht 152 in der Draufsicht an einer Stelle angeordnet werden, an der sie sich erheblich überlappen, und die zweite obere leitende Schicht 132, die zweite leitende Zwischenschicht 142, die zweite untere leitende Schicht 152 und das zweite Kontaktteil 162, das sie durchdringt, können als zweiter Leitungsanschluss 192 bezeichnet werden.
  • In einer Ausführung nach dem Geist der vorliegenden Anwendung enthalten der erste Leitungsanschluss 191 und der zweite Leitungsanschluss 192 die erste leitende Zwischenschicht 141 und die zweite leitende Zwischenschicht 142, die jeweils zwischen dem ersten isolierenden Substrat 110 und dem zweiten isolierenden Substrat 120 angeordnet sind. Daher kann die in der Leuchtdiode 10 erzeugte Wärme weit in die erste leitende Zwischenschicht 141 und die zweite leitende Zwischenschicht 142 verteilt werden. Zusätzlich können die erste leitende Zwischenschicht 141 und die zweite leitende Zwischenschicht 142 wie gezeigt teilweise nach außen exponiert werden, und da die exponierte Oberfläche mit einem Substrat 300 in Kontakt steht (siehe 5C), kann der Wärmepfad, über den die an der Leuchtdiode 10 erzeugte Wärme nach außen abgestrahlt wird, angeordnet werden. Dementsprechend kann die Leuchtdiode 10 nach der Ausführungsform der vorliegenden Anwendung die verbesserte Wärmeabfuhrleistung erbringen.
  • Dann, bezogen auf 2A und 2E, wird die Dummy-Zwischenschicht 143 zwischen der ersten leitenden Zwischenschicht 141 und der zweiten leitenden Zwischenschicht 142 angeordnet. Die untere Dummy-Schicht 153 ist zwischen der ersten unteren leitenden Schicht 151 und der zweiten unteren leitenden Schicht 152 angeordnet. Die Dummy-Zwischenschicht 143 und die untere Dummy-Schicht 153 sind in der Draufsicht an einer Stelle angeordnet, an der sie sich erheblich überlappen, und eine Unterseite der Dummy-Zwischenschicht 143 und eine Innenseite der unteren Dummy-Schicht 153 sind durch die Dummy-Lötöffnung 173 freigelegt. Bei der Herstellung des LED Moduls können die Unterseite der Dummy-Zwischenschicht 143 und die Innenfläche der unteren Dummy-Schicht 153, die freigelegt werden, mit einer auf dem Substrat angeordneten Metallplatte durch Lotpaste elektrisch verbunden werden.
  • Die Dummy-Zwischenschicht 143, die untere Dummy-Schicht 153 und die Lotpaste, die die Dummy-Zwischenschicht 143 mit der unteren Dummy-Schicht 153 verbindet, kann als Dummy-Anschluss 193 bezeichnet werden (siehe 5D). Der Dummy-Anschluss 193 kann von dem ersten Leitungsanschluss 191 und dem zweiten Leitungsanschluss 192 elektrisch isoliert werden und kann die in der Leuchtdiode 10 erzeugte Wärme effektiv an das Substrat 300 ableiten (siehe 5D). Gleichzeitig dient der Dummy-Anschluss 193 dazu, eine Klebefläche der Lotpaste bereitzustellen, die es ermöglicht, die Leuchtdiode 10 bei der Herstellung des LED Moduls fest auf dem Substrat 300 zu fixieren. Daher kann die Leuchtdiode 10 nach der Ausführungsform der vorliegenden Anwendung die verbesserte Wärmeabfuhrleistung weiter verbessern.
  • 3A bis 3E zeigen die Lichtquelleneinheit 200 von 1. Insbesondere 3A ist eine perspektivische Ansicht der Leuchtdiodeneinheit 10 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Anwendung und 3B bis 3F zeigen Querschnittsansichten der Lichtquelleneinheit 200, die entlang einer Linie II-II' von 3A aufgenommen wurden.
  • Erstens, bezogen auf die 3A und 3B, umfasst die Lichtquelleneinheit 200 den LED Chip 210, einen Wellenlängenkonverter 220, den transparenten Teil 230 und das Gehäuse 240.
  • Der LED Chip 210 ist auf der ersten oberen leitenden Schicht 131 und der zweiten oberen leitenden Schicht 132 montiert. Der LED Chip 210 ist in Form eines Flip-Chips montiert, das erste Elektrodenpad des LED Chips 210 ist auf der ersten oberen leitenden Schicht 131 montiert, und das zweite Elektrodenpad ist auf der zweiten oberen leitenden Schicht 132 ausgebildet. Der Aufbau des LED Chips 210 wird im Folgenden unter Bezugnahme auf 4 näher beschrieben.
  • Der Wellenlängenkonverter 220 kann durch Auftragen eines Harzes, das einen Leuchtstoff enthält, auf einen LED Chip mit Hilfe eines Druckverfahrens oder durch Auftragen eines Leuchtstoffpulvers mit Hilfe einer Aerosol-Injektionsvorrichtung oder einer Sprühvorrichtung gebildet werden. So ist es beispielsweise möglich, mit Hilfe einer Aerosolabscheidungsmethode oder eines Sprühverfahrens einen dünnen Leuchtstofffilm von gleichmäßiger Dicke auf dem LED Chip zu bilden und dadurch die Farbgleichmäßigkeit des vom LED Chip abgestrahlten Lichts zu verbessern. In einer anderen Ausführungsform kann der Wellenlängenkonverter 220 auf einem Chip mit Hilfe eines Leuchtstofffilms gebildet werden.
  • Wenn der Wellenlängenkonverter 220 einen Leuchtstoff enthält, kann zumindest ein Teil des schließlich vom LED Gehäuse emittierten Lichts ein anderes Wellenlängenband haben als ein Wellenlängenband des vom LED Chip emittierten Lichts. Mit anderen Worten, der LED Chip kann Licht mit einer ersten Wellenlänge aussenden und der Leuchtstoff kann nach der Absorption von Licht mit der ersten Wellenlänge Licht mit einer zweiten Wellenlänge aussenden, die länger als die erste Wellenlänge ist. Der LED Chip kann beispielsweise ultraviolettes oder blaues Licht aussenden, und der Leuchtstoff absorbiert ultraviolettes oder blaues Licht und kann dann Licht einer anderen Wellenlänge aussenden, das eine längere Wellenlänge als das ultraviolette oder blaue Licht hat, z.B. grünes oder rotes Licht.
  • Der transparente Teil 230 ist auf der Oberseite des Wellenlängenkonverters 220 ausgebildet, um den Wellenlängenkonverter 220 zu schützen. Das transparente Teil 230 kann beispielsweise aus transparentem Silikon geformt werden und kann das Eindringen von Feuchtigkeit in den Wellenlängenkonverter 220 verhindern.
  • Das Gehäuse 240 kann den LED Chip 210 umgeben, um den LED Chip 210 zu schützen. In der Draufsicht kann beispielsweise das Gehäuse 240 so geformt werden, dass es den transparenten Teil 230 und den Wellenlängenkonverter 220 teilweise überlappt.
  • Das Gehäuse 240 kann z.B. aus verschiedenen Isoliermaterialien bestehen. Beispiele für das Isoliermaterial können organische Polymere sein und können ein Silikon- oder Epoxidharz sein.
  • Das Gehäuse 240 kann auch aus einem Dichtungselement bestehen. Das Dichtungselement ist ein Element, das die Funktion hat, einen Teil des LED Chips 210 abzudichten (abzudecken) oder den LED Chip 210 an der Lead Frame Einheit 100 zu befestigen. Das Material des Dichtungselements ist nicht besonders begrenzt und kann aus Keramik, Harz, Dielektrikum, Zellstoff, Glas oder einem Verbundmaterial daraus bestehen. Insbesondere Harz ist insofern vorzuziehen, als sich Harz leicht in jede beliebige Form bringen lässt.
  • Beispiele für das Harz sind ein thermohärtendes Harz, ein thermoplastisches Harz, ein modifiziertes Harz davon oder ein Hybridharz, das eines oder mehrere dieser Harze enthält. Insbesondere kann das Harz eine Epoxidharzzusammensetzung, eine modifizierte Epoxidharzzusammensetzung (wie ein silikonmodifiziertes Epoxidharz), eine Silikonharzzusammensetzung, eine modifizierte Silikonharzzusammensetzung (wie ein epoxidmodifiziertes Silikonharz), ein hybrides Silikonharz, eine Polyimidharzzusammensetzung, eine modifizierte Polyimidharzzusammensetzung sein, ein Polyamidharz, ein Polyethylenterephthalatharz, ein Polybutylenterephthalatharz, ein Polycyclohexanterephthalatharz, Polyphthalamid (PPA), ein Polycarbonatharz, Polyphenylensulfid (PPS), Flüssigkristallpolymer (LCP), ein ABS-Harz, ein Phenolharz, ein Acrylharz, ein PBT-Harz, ein Harnstoffharz, ein BT-Harz und ein Polyurethanharz.
  • In einer Ausführung nach dem Geist der vorliegenden Anwendung kann das Gehäuse 240 einen Raum zwischen der ersten oberen leitenden Schicht 131 und der zweiten oberen leitenden Schicht 132 ausfüllen. Wenn eine Luftschicht zwischen der ersten oberen leitenden Schicht 131 und der zweiten oberen leitenden Schicht 132 besteht, kann die Luftschicht durch die vom LED Chip 210 erzeugte Wärme fließen, was zu einer Schwächung der Haftfestigkeit zwischen dem LED Chip 210 und der ersten und zweiten oberen leitenden Schicht 131 und 132 führt. Die Leuchtdiode 10 nach der exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Anwendung kann mit Hilfe des Gehäuses 240 den Raum zwischen der ersten oberen Leitende Schicht 131 und der zweiten oberen Leitende Schicht 132 ausfüllen und damit den Luftstrom durch die Luftschicht zwischen der ersten oberen leitende Schicht 131 und der zweiten oberen leitende Schicht 132 im Voraus blockieren.
  • Inzwischen ist die obige Beschreibung ein Beispiel, die Struktur der Lichtquelleneinheit 200 kann je nach Konstruktion unterschiedlich modifiziert und angewendet werden. Nachfolgend werden modifizierte Ausführungsformen der Lichtquelleneinheit 200 näher beschrieben.
  • In Bezug auf 3A und 3C kann der Wellenlängenkonverter 220 auf der Oberseite des LED Chips 210 angeordnet werden und ein transparentes Teil 230_1 kann so geformt werden, dass es die Vorder- und Seitenflächen des Wellenlängenkonverters 220 und die Seitenfläche des LED Chips 210 umgibt. Zusätzlich kann ein Gehäuse 240_1 gebildet werden, um die Seitenfläche des transparenten Teils 230_1 zu umgeben.
  • In diesem Fall kann der transparente Teil 230_1 mit der ersten oberen leitenden Schicht 131 und der zweiten oberen leitenden Schicht 132 in Kontakt sein. Außerdem können in der Draufsicht beide Enden des transparenten Teils 230_1 in Längsrichtung zwischen dem Gehäuse 240_1 und dem Gehäuse 240_1 angeordnet werden.
  • In Bezug auf 3A und 3D kann ein Wellenlängenkonverter 220_2 gebildet werden, der die Vorder- und Seitenflächen des LED Chips 210 umgibt. Darüber hinaus kann ein transparentes Teil 230_2 auf einer Oberseite des Wellenlängenkonverters 220_2 angeordnet und ein Gehäuse 240_2 gebildet werden, um die Seitenflächen des Wellenlängenkonverters 220_2 und des transparenten Teils 230_2 zu umgeben. In diesem Fall kann der Wellenlängenkonverter 220_2 mit der ersten oberen leitenden Schicht 131 und der zweiten oberen leitenden Schicht 132 in Kontakt sein.
  • In Bezug auf 3A und 3E kann ein Wellenlängenkonverter 220_3 die Vorder- und Seitenflächen des LED Chips 210 umgeben, und ein transparentes Teil 230_3 kann die Vorder- und Seitenflächen des Wellenlängenkonverters 220_3 umgeben. Zusätzlich kann ein Gehäuse 240_3 gebildet werden, um die Seitenfläche des transparenten Teils 230_3 zu umgeben. In diesem Fall können der Wellenlängenkonverter 220_3 und der transparente Teil 230_3 mit der ersten oberen leitenden Schicht 131 bzw. der zweiten oberen leitenden Schicht 132 in Kontakt sein.
  • Inzwischen ist die obige Beschreibung illustrativ, und es wird verstanden, dass der technische Geist der vorliegenden Anwendung nicht darauf beschränkt ist. Zum Beispiel kann, wie in 3F dargestellt, die Lichtquelleneinheit 200 so implementiert werden, dass sie kein transparentes Teil enthält. Der Aufbau der Lichtquelleneinheit 200 ohne den transparenten Teil ist ähnlich wie bei den 3B bis 3E und eine detaillierte Beschreibung davon wird der Einfachheit halber weggelassen.
  • 4A bis 4D zeigen den LED Chip 210 der Lichtquelleneinheit 200 im Detail. 4A ist eine schematische Draufsicht auf den LED Chip 210 nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 4B, 4C und 4D zeigen schematische Querschnittsansichten, die entlang der Linien A-A, B-B und C-C von 4A aufgenommen wurden.
  • Der LED Chip 210 enthält ein Substrat 21, eine erste Leuchtzelle C1, eine zweite Leuchtzelle C2, eine reflektierende Struktur 31, eine erste, zweite und dritte Kontaktschicht 35a, 35b und 35c, ein erstes Elektrodenpad 39a und ein zweites Elektrodenpad 39b, die in den 4A bis 4D dargestellt sind. Der LED Chip 210 kann auch eine vorläufige Isolierschicht 29, eine untere Isolierschicht 33 und eine Harzschicht 37 enthalten. Darüber hinaus enthalten die erste und zweite lichtemittierende Zelle C1 und C2 jeweils eine n-Typ-Halbleiterschicht 23, eine aktive Schicht 25 und eine p-Typ-Halbleiterschicht 27. Hier wird der LED Chip zwar als eine Reihen-Mehrfachverbindungsstruktur beschrieben, aber dies ist für ein Beispiel relevant, und natürlich kann er in einer anderen Form in einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung angeordnet werden.
  • Das Substrat 21 kann ein Wachstumssubstrat für das Aufwachsen einer III-V-Nitrid-Halbleiterschicht sein und kann z.B. ein Saphirsubstrat sein, insbesondere ein strukturiertes Saphirsubstrat. Das Substrat 21 ist vorzugsweise ein isolierendes Substrat, ist aber nicht auf das isolierende Substrat beschränkt. Wenn jedoch die auf dem Substrat 21 angeordneten lichtemittierenden Zellen in Reihe geschaltet sind, sollte das Substrat 21 von den lichtemittierenden Zellen isoliert sein. Wenn das Substrat 21 isolierend oder das Substrat 21 leitend ist, kann daher eine Schicht aus isolierendem Material zwischen den lichtemittierenden Zellen C1 und C2 und dem Substrat 21 angeordnet werden, um die lichtemittierenden Zellen C1 und C2 vom Substrat 21 zu isolieren. Das Substrat 21 kann ein rechteckiges Äußeres haben, wie in 4A dargestellt. Eine Seitenfläche des Substrats 21 kann durch Laserritzen und Rissbildung unter Verwendung desselben gebildet werden. Zusätzlich kann das Substrat 21 von den lichtemittierenden Zellen C1 und C2 mit einer Technik wie Laser Lift Off, chemischem Lift Off, Schleifen oder ähnlichem entfernt werden.
  • Die ersten und zweiten lichtemittierenden Zellen C1 und C2 sind auf dem Substrat 21 angeordnet. Die ersten und zweiten lichtemittierenden Zellen C1 und C2 sind durch eine Isolationsregion „I“, die das Substrat 21 belichtet, voneinander getrennt. Die Isolationsregion „I“ bezieht sich hier auf einen Bereich zur Trennung der lichtemittierenden Zellen C1 und C2 voneinander und wird von einem Ritz- oder Würfelbereich unterschieden, der das Substrat 21 trennt. Die Halbleiterschichten der ersten lichtemittierenden Zelle C1 und der zweiten lichtemittierenden Zelle C2 sind durch den Isolationsbereich „I“ voneinander getrennt. Die erste und zweite lichtemittierende Zelle C1 und C2 können einander gegenüberliegend angeordnet werden und jeweils eine quadratische oder rechteckige Form haben. Insbesondere können die erste und die zweite lichtemittierende Zelle C1 und C2 jeweils eine längliche, rechteckige Form in einer einander zugewandten Richtung haben.
  • Die ersten und zweiten lichtemittierenden Zellen C1 und C2 umfassen jeweils die n-Typ-Halbleiterschicht 23, die aktive Schicht 25 und die p-Typ-Halbleiterschicht 27. Die n-Typ-Halbleiterschicht 23, die aktive Schicht 25 und die p-Typ-Halbleiterschicht 27 können aus einem Nitrid-Halbleiter auf III-V-Basis gebildet werden, z.B. aus einem Nitrid-Halbleiter wie (AI, Ga, In)N. Die n-Typ-Halbleiterschicht 23, die aktive Schicht 25 und die p-Typ-Halbleiterschicht 27 können auf dem Substrat 21 in einer Kammer mit einer bekannten Methode wie der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) aufgewachsen und gebildet werden. Zusätzlich enthält die n-Typ-Halbleiterschicht 23 n-Typ-Verunreinigungen (z.B. Si, Ge, Sn) und die p-Typ-Halbleiterschicht 27 p-Typ-Verunreinigungen (z.B. Mg, Sr, Ba). So kann z.B. die n-Typ-Halbleiterschicht 23 GaN oder AlGaN mit Si als Dotierstoff und die p-Typ-Halbleiterschicht 27 GaN oder AlGaN mit Mg als Dotierstoff enthalten. Obwohl die n-Typ-Halbleiterschicht 23 und die p-Typ-Halbleiterschicht 27 in der Zeichnung jeweils als eine einzige Schicht dargestellt sind, können diese Schichten mehrere Schichten sein und auch eine Übergitterschicht enthalten. Die aktive Schicht 25 kann eine Einzel-Quantentopfstruktur oder eine Multi-Quantentopfstruktur enthalten und das Zusammensetzungsverhältnis eines Halbleiters auf Nitridbasis so einstellen, dass er eine gewünschte Wellenlänge emittiert. So kann die aktive Schicht 25 beispielsweise blaues oder ultraviolettes Licht ausstrahlen.
  • Die Isolationsregion „I“ trennt die lichtemittierenden Zellen C1 und C2 voneinander. Das Substrat 21 wird durch Halbleiterschichten in der Isolationsregion „I“ freigelegt. Der Isolationsbereich „I“ kann durch einen Fotolithografie- und Ätzprozess gebildet werden, und zu diesem Zeitpunkt kann ein Fotoresistmuster mit einer leichten Neigung durch Aufschmelzen von Fotoresist unter Verwendung eines Hochtemperatur-Backprozesses gebildet werden, und die Halbleiterschichten werden unter Verwendung des Fotoresists als Maske geätzt, was dazu führt, dass der Isolationsbereich „I“ relativ leicht geneigte Seiten aufweist. Darüber hinaus kann, wie in 4D gezeigt, in der Isolationsregion „I“ eine abgestufte schräge Fläche gebildet werden. Nach einem Mesa-Bildungsprozess, bei dem zunächst die n-Typ-Halbleiterschicht 23 belichtet wird, kann die das Substrat 21 belichtende Isolationsregion „I“ gebildet werden, um die abgestufte schräge Oberfläche in der Isolationsregion „I“ zu bilden.
  • Während sich die Isolationsregion „I“ zwischen den lichtemittierenden Zellen C1 und C2 befindet, stehen sich die lichtemittierenden Zellen C1 und C2 gegenüber. Die einander zugewandten Seitenflächen der lichtemittierenden Zellen C1 und C2 werden als Innenfläche definiert. Inzwischen werden die Seitenflächen der lichtemittierenden Zellen mit Ausnahme der Innenfläche als Außenfläche definiert. Daher umfassen die n-Typ-Halbleiterschichten 23 in der ersten und zweiten lichtemittierenden Zelle C1 und C2 auch innere und äußere Oberflächen.
  • Zum Beispiel kann die n-Typ-Halbleiterschicht 23 eine innere und drei äußere Oberflächen umfassen. Wie in 4D gezeigt, können die Außenflächen der n-Typ-Halbleiterschicht 23 gegenüber der Innenfläche stark geneigt sein. In der vorliegenden Ausführungsform werden alle Außenflächen der n-Typ-Halbleiterschicht 23 als scharf zur Innenfläche geneigt beschrieben, aber die vorliegende Erfindung ist nicht darauf beschränkt, und mindestens eine Außenfläche ist gegenüber der Innenfläche scharf geneigt. Darüber hinaus können die gegenüberliegenden Außenseiten senkrecht zur Isolationsregion „I“ relativ stark geneigt sein und die Außenfläche parallel zur Isolationsregion „I“ kann in gleicher Weise wie die Isolationsregion „I“ leicht geneigt sein.
  • Außerdem können die relativ scharf geneigten Außenflächen parallel zur Seite des Substrats 21 sein. Zum Beispiel können die Außenflächen der n-Typ-Halbleiterschichten 23 durch Ritzen der n-Typ-Halbleiterschicht 23 zusammen mit dem Substrat 21 gebildet werden, und somit zusammen mit den Seiten des Substrats 21 gebildet werden.
  • Auf jeder n-Typ-Halbleiterschicht 23 ist ein Mesa „M“ angeordnet. Die Mesa „M“ kann in begrenztem Umfang innerhalb eines von der n-Halbleiterschicht 23 umgebenen Bereichs angeordnet werden, so dass Bereiche in der Nähe von Kanten, die an die Außenflächen der n-Halbleiterschicht 23 angrenzen, nicht von der Mesa „M“ bedeckt und nach außen hin freiliegend sind. Außerdem sind an der Seitenwand der Isolationsregion „I“ die Seitenfläche der Mesa „M“ und die Seitenfläche der n-Typ-Halbleiterschicht 23 diskontinuierlich miteinander, so dass die abgestufte Neigung wie zuvor beschrieben gebildet werden kann.
  • Die Mesa „M“ umfasst die p-Typ-Halbleiterschicht 27 und die aktive Schicht 25. Die aktive Schicht 25 ist zwischen der n-Typ-Halbleiterschicht 23 und der p-Typ-Halbleiterschicht 27 angeordnet. In den Zeichnungen ist die Innenfläche der Mesa „M“ genauso geneigt wie die Außenflächen, aber die vorliegende Erfindung ist nicht darauf beschränkt, und die Innenfläche der Mesa „M“ kann sanfter als die Außenflächen sein. Daher kann die später beschriebene Stabilität einer zweiten Kontaktschicht 35b weiter verbessert werden.
  • Die Mesa „M“ kann ein Durchgangsloch 27a haben, das die p-Halbleiterschicht 27 und die aktive Schicht 25 durchdringt. Obwohl eine Vielzahl von Durchgangslöchern in der Mesa „M“ gebildet werden kann, wie in 4A dargestellt, kann das einzelne Durchgangsloch 27a gebildet werden. In diesem Fall kann jedes Durchgangsloch 27a in der Nähe des Zentrums der Mesa „M“ eine kreisförmige Form haben, ist aber nicht darauf beschränkt, und kann eine längliche Form haben, die durch das Zentrum der Mesa „M“ verläuft.
  • Die reflektierende Struktur 31 ist auf jeder der p-Typ-Halbleiterschichten 27 der ersten und zweiten lichtemittierenden Zelle C1 bzw. C2 angeordnet. Die reflektierende Struktur 31 steht in Kontakt mit der p-Typ-Halbleiterschicht 27. Die reflektierende Struktur 31 kann eine Öffnung haben, die das Durchgangsloch 27a freilegt und kann in fast der gesamten Fläche der Mesa „M“ im oberen Bereich der Mesa „M“ angeordnet werden. So kann die reflektierende Struktur 31 beispielsweise 80 % oder mehr und sogar 90 % oder mehr der oberen Mesa-„M“-Region abdecken.
  • Die reflektierende Struktur 31 kann eine reflektierende Metallschicht enthalten und somit Licht reflektieren, das in der aktiven Schicht 25 erzeugt wird und zur reflektierenden Struktur 31 in Richtung des Substrats 21 wandert. Die reflektierende Metallschicht kann zum Beispiel Ag oder AI enthalten. Zusätzlich kann eine Ni-Schicht zwischen der reflektierenden Metallschicht und der p-Halbleiterschicht 27 gebildet werden, um die reflektierende Struktur 31 in ohmschen Kontakt mit der p-Halbleiterschicht 27 zu bringen. Alternativ kann die reflektierende Struktur 31 eine transparente Oxidschicht wie z.B. Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder ZnO enthalten.
  • In der Zwischenzeit kann die vorläufige Isolierschicht 29 die Mesa „M“ um die reflektierende Struktur 31 bedecken. Die vorläufige Isolierschicht 29 kann z.B. aus SiO2 unter Verwendung einer chemischen Dampfabscheidungstechnik gebildet werden und kann die Seite der Mesa „M“ und weiter einen Teil der n-Typ-Halbleiterschicht 23 bedecken. Wie in 4D dargestellt, kann die vorläufige Isolierschicht 29 von der unteren schrägen Fläche entfernt werden und auf der oberen schrägen Fläche und einem abgestuften Teil des steilen Gefälles der Isolierregion „I“ verbleiben.
  • Die untere Isolierschicht 33 bedeckt die Mesas „M“ und bedeckt die reflektierende Struktur 31 und die vorläufige Isolierschicht 29. Die untere Isolierschicht 33 bedeckt auch die Seitenwände der Isolationsregion „I“ und der Mesa „M“ und bedeckt teilweise die n-Typ-Halbleiterschicht 23 um die Mesa „M“. Wie in der vergrößerten Querschnittsansicht von 4D gezeigt, kann, wenn das Substrat 21 ein gemustertes Saphirsubstrat ist, die untere Isolierschicht 33 entsprechend einer Form von Vorsprüngen auf dem Substrat 21 in der Isolierregion „I“ gebildet werden.
  • Die untere Isolierschicht 33 ist zwischen der ersten, zweiten und dritten Kontaktschicht 35a, 35b und 35c und den ersten und zweiten lichtemittierenden Zellen C1 und C2 angeordnet. Die erste, zweite und dritte Kontaktschicht 35a, 35b und 35c bieten einen Durchgang, durch den die n-Typ-Halbleiterschicht 23 oder die reflektierende Struktur 31 angeschlossen werden kann. Die untere Isolierschicht 33 kann beispielsweise ein Loch 33a enthalten, das die reflektierende Struktur 31 auf der ersten lichtemittierenden Zelle C1 freilegt, ein Loch 33b, das die reflektierende Struktur 31 auf der zweiten lichtemittierenden Zelle freilegt, und eine Öffnung 33c, die die n-Typ-Halbleiterschicht 23 im Durchgangsloch 27a freilegt. Darüber hinaus bedeckt die untere Isolierschicht 33 die Mesa „M“ und legt die Bereiche nahe dem Rand der n-Typ-Halbleiterschicht 23 frei.
  • Wie in 4A gezeigt, kann das Loch 33a eine längliche Form parallel zum Isolationsbereich „I“ haben und liegt näher am Isolationsbereich „I“ als das Durchgangsloch 27a. Daher kann in die reflektierende Struktur 31 auf der ersten lichtemittierenden Zelle C1 in einem weiten Bereich ein Strom eingespeist werden. Obwohl das einzelne Loch 33a so beschrieben wird, dass es die reflektierende Struktur 31 auf der ersten lichtemittierenden Zelle C1 in der vorliegenden Ausführungsform freilegt, kann eine Vielzahl von Löchern 33a angeordnet werden.
  • In der Zwischenzeit ist das Loch 33b auf der zweiten lichtemittierenden Zelle C2 angeordnet, wie in gezeigt, eine Vielzahl von Bohrungen 33b kann angeordnet werden. Obwohl in der vorliegenden Ausführung fünf Löcher 33b gezeigt werden, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt, und eine kleinere oder größere Anzahl von Löchern 33b kann angeordnet werden. Das Zentrum der Gesamtheit der Löcher 33b liegt weiter als das Zentrum der Mesa „M“ von der Isolationsregion „I“ entfernt. Dementsprechend kann verhindert werden, dass der Strom in der Nähe der Isolationsregion „I“ konzentriert wird, und der Strom kann in dem weiten Bereich der zweiten lichtemittierenden Zelle C2 gestreut werden.
  • Die Öffnung 33c legt die n-Typ-Halbleiterschicht 23 in dem Durchgangsloch 27a frei, um einen Weg zu schaffen, durch den die erste Kontaktschicht 35a und die zweite Kontaktschicht 35b mit der n-Typ-Halbleiterschicht 23 verbunden werden.
  • Die untere Isolierschicht 33 kann aus einem isolierenden Material wie SiO2 oder Si3N4 gebildet werden und kann aus einer einzigen oder mehreren Schichten bestehen. Ferner kann die untere Isolierschicht 33 einen verteilten Bragg-Reflektor enthalten, der durch wiederholtes Stapeln von Materialschichten mit unterschiedlichen Brechungsindizes, z.B. SiO2/TiO2, gebildet wird. Wenn die untere Isolierschicht 33 den verteilten Bragg-Reflektor enthält, kann Licht, das in einen anderen Bereich als die reflektierende Struktur 31 einfällt, reflektiert werden, um die Effizienz der Lichtauskopplung weiter zu verbessern.
  • Die erste Kontaktschicht 35a ist auf der ersten lichtemittierenden Zelle „C1“ angeordnet, die in ohmschem Kontakt mit der n-Typ-Halbleiterschicht 23 steht. Die erste Kontaktschicht 35a kann in ohmschem Kontakt mit der n-Typ-Halbleiterschicht 23 in einem Bereich zwischen der Außenfläche der n-Typ-Halbleiterschicht 23 und der Mesa „M“ entlang des Mesa „M“-Umfangs stehen. Außerdem kann die erste Kontaktschicht 35a in ohmschem Kontakt mit der n-Typ-Halbleiterschicht 23 stehen, die durch die Öffnung 33c der unteren Isolierschicht 33 im Durchgangsloch 27a der Mesa „M“ freigelegt wird. Außerdem kann die erste Kontaktschicht 35a den oberen Teil und die Seite der Mesa „M“ abdecken, mit Ausnahme eines Teilbereichs um das Loch 33a.
  • Die zweite Kontaktschicht 35b steht in ohmschem Kontakt mit der n-Typ-Halbleiterschicht 23 der zweiten lichtemittierenden Zelle C2 und ist mit der reflektierenden Struktur 31 der ersten lichtemittierenden Zelle C1 verbunden. Daher verbindet die zweite Kontaktschicht 35b elektrisch die p-Typ-Halbleiterschicht 27 der ersten lichtemittierenden Zelle C1 und die n-Typ-Halbleiterschicht 23 der zweiten lichtemittierenden Zelle C2.
  • Die zweite Kontaktschicht 35b kann in ohmschem Kontakt mit der n-Typ-Halbleiterschicht 23 in einem Bereich zwischen der Außenfläche der n-Typ-Halbleiterschicht 23 und der Mesa „M“ entlang des Mesa „M“-Umfangs stehen. Außerdem kann die zweite Kontaktschicht 35b in ohmschem Kontakt mit der n-Halbleiterschicht 23 stehen, die durch die Öffnung 33c der unteren Isolierschicht 33 im Durchgangsloch 27a der Mesa „M“ freigelegt wird. Außerdem ist die zweite Kontaktschicht 35b mit der reflektierenden Struktur 31 verbunden, die in der Bohrung 33a freigelegt ist. Zu diesem Zweck erstreckt sich die zweite Kontaktschicht 35b von der zweiten lichtemittierenden Zelle C2 bis zur ersten lichtemittierenden Zelle C1 durch den oberen Teil der Isolationsregion „I“. Zu diesem Zeitpunkt ist die zweite Kontaktschicht 35b, die über die Isolationsregion „I“ verläuft, innerhalb einer Breite der Mesa „M“ begrenzt, wie in 4A dargestellt. Dementsprechend kann verhindert werden, dass die zweite Kontaktschicht 35b mit der n-Typ-Halbleiterschicht 23 der ersten lichtemittierenden Zelle C1 kurzgeschlossen wird. Außerdem ist die zweite Kontaktschicht 35b relativ leicht geneigt und durchläuft den abgestuften Isolationsbereich „I“, um die Prozessstabilität zu verbessern. Die zweite Kontaktschicht 35b kann auf der unteren Isolierschicht 33 auf dem Isolationsbereich „I“ angeordnet werden und kann so geformt werden, dass sie Unregelmäßigkeiten aufweist, die der Form der unteren Isolierschicht 33 entsprechen.
  • Die dritte Kontaktschicht 35c ist auf der unteren Isolierschicht 33 auf der zweiten lichtemittierenden Zelle C2 angeordnet. Die dritte Kontaktschicht 35c ist durch die Löcher 33b der unteren Isolierschicht 33 mit der reflektierenden Struktur 31 verbunden und durch die reflektierende Struktur 31 mit der p-Halbleiterschicht 27 elektrisch verbunden. Die dritte Kontaktschicht 35c kann in einem Bereich angeordnet werden, der von der zweiten Kontaktschicht 35b umgeben ist, und kann eine Form haben, die das zweite Durchgangsloch 27a teilweise umgibt. Die dritte Kontaktschicht 35c befindet sich auf der gleichen Ebene wie die erste und zweite Kontaktschicht 35a und 35b, damit die Harzschicht 37 und die darauf gebildeten ersten und zweiten Elektrodenpads 39a und 39b leicht geformt werden können. Die dritte Kontaktschicht 35c kann weggelassen werden.
  • Die erste, zweite und dritte Kontaktschicht 35a, 35b und 35c können durch das gleiche Verfahren mit dem gleichen Material gebildet werden. Die ersten, zweiten und dritten Kontaktschichten 35a, 35b und 35c können eine hochreflektierende Metallschicht wie eine Al-Schicht enthalten, und die hochreflektierende Metallschicht kann auf einer Haftschicht wie Ti, Cr oder Ni gebildet werden. Zusätzlich kann auf der hochreflektierenden Metallschicht eine Schutzschicht aus einer einzelnen Schicht oder einer zusammengesetzten Schichtstruktur wie Ni, Cr, Au oder ähnlichem gebildet werden. Die ersten, zweiten und dritten Kontaktschichten 35a, 35b und 35c können beispielsweise eine Mehrschichtstruktur aus Cr/Al/Ni/Ti/Ni/Ti/Au/Ti aufweisen.
  • Die Harzschicht 37 ist auf der ersten Kontaktschicht 35a und der zweiten Kontaktschicht 35b angeordnet und enthält ein erstes Durchgangsloch 37a, die die erste Kontaktschicht 35a freilegt, und ein zweites Durchgangsloch 37b, die die dritte Kontaktschicht 35c freilegt. Die ersten und zweiten Durchgangslöcher 37a und 37b sind in einer Form ausgebildet, die in der Draufsicht das erste Durchgangsloch 27a und das zweite Durchgangsloch 27b teilweise umgibt. Wenn die dritte Kontaktschicht 35c weggelassen wird, werden die untere Isolierschicht 33 und die Löcher 33b der unteren Isolierschicht durch das zweite Durchgangsloch 37b freigelegt.
  • Die Harzschicht 37 kann an dem ersten Durchgangsloch 27a und an dem zweiten Durchgangsloch 27b Vertiefungen 37c aufweisen. Die Aussparungen 37c können so geformt werden, dass sie dem ersten Durchgangsloch 27a und dem zweiten Durchgangsloch 27b entsprechen.
  • Darüber hinaus bedeckt die Harzschicht 37 die ersten und zweiten Kontaktschichten 35a und 35b, die mit der n-Typ-Halbleiterschicht 23 um die Mesa „M“ herum verbunden sind. Wie in den 4B bis 4D gezeigt, kann der Bereich zwischen der ersten und zweiten Kontaktschicht 35a und 35b sowie der Rand der n-Typ-Halbleiterschicht 23 mit der Harzschicht 37 bedeckt sein. Daher können die erste und zweite Kontaktschicht 35a und 35b durch die Harzschicht 37 vor der äußeren Umgebung wie z.B. Feuchtigkeit geschützt werden. Die Harzschicht 37 kann auch die zweite Kontaktschicht 35b auf dem zu bildenden Isolationsbereich „I“ bedecken, so dass eine Aussparung 37d entsteht, die der Form der zweiten Kontaktschicht 35b auf dem Isolationsbereich „I“ entspricht.
  • Die Harzschicht 37 kann aus einem lichtempfindlichen Harz, wie z.B. einem Fotolack, gebildet werden, die mit einer Technik wie dem Spin-Coating-Verfahren hergestellt werden kann. In der Zwischenzeit können die erste und zweite Durchgangsloch 37a und 37b durch Foto und Entwicklung gebildet werden.
  • Das erste Elektrodenpad 39a füllt das erste Durchgangsloch 37a der Harzschicht 37 und ist elektrisch mit der ersten Kontaktschicht 35a verbunden. Zusätzlich füllt das zweite Elektrodenpad das zweite Durchgangsloch 37b und ist elektrisch mit der dritten Kontaktschicht 35c verbunden. Wenn die dritte Kontaktschicht 35c weggelassen wird, kann das zweite Elektrodenpad 39b direkt mit der reflektierenden Struktur 31 verbunden werden. Wie in 4A dargestellt, können das erste Elektrodenpad 39a und das zweite Elektrodenpad 39b in der Draufsicht das erste Durchgangsloch 27a bzw. das zweite Durchgangsloch 27b teilweise umgeben. So umschließen das erste Elektrodenpad 39a und das zweite Elektrodenpad 39b teilweise die Aussparungen 37c. Das erste Elektrodenpad 39a und das zweite Elektrodenpad 39b können mehr als 1/2 oder mehr als 2/3 des Umfangs des ersten Durchgangslochs 27a und des zweiten Durchgangslochs 27b umgeben. Zusätzlich können das erste Elektrodenpad 39a und das zweite Elektrodenpad 39b über die Harzschicht 37 hinausragen. Dementsprechend können in den ersten und zweiten Durchgangslöchern 27a und 27b tiefe Rillen gebildet werden, und wenn der LED Chip 210 mit einem leitfähigen Klebstoff wie z.B. Lot durch die Rillen geklebt wird, kann das Lot in den Rillen eingeschlossen werden, um ein Überlaufen des Lotes nach außen zu verhindern. Das erste Elektrodenpad 39a und das zweite Elektrodenpad 39b können jeweils begrenzt im oberen Bereich der Mesa „M“ angeordnet werden.
  • BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • 5A bis 5D sind Ansichten, die ein LED Modul zeigen, das mit der Leuchtdiode 10 aus 1 gebildet wurde. Im Detail zeigt 5A ein Beispiel für einen Prozess, bei dem die Leuchtdiode 10 mit einer Lotpaste „1“ auf das Substrat 300 geklebt wird. 5B ist eine Ansicht, die ein Beispiel für ein fertiges LED Modul zeigt. 5C ist eine Querschnittsansicht, die entlang einer Linie von A-A' von 5B aufgenommen wurde. 5D ist eine Querschnittsansicht, die entlang einer Linie B-B' von 5B aufgenommen wurde.
  • Zunächst werden, bezogen auf 5A, die Leuchtdiode 10, das Substrat 300 und die Lotpaste „1“ zum Verkleben der Leuchtdiode 10 mit dem Substrat 300 angeordnet.
  • Die Lotpaste „1“ wird in der ersten Lötöffnung 171 und der zweiten Lötöffnung 172 der Leuchtdiode 10 angeordnet. Der erste Leitungsanschluss 191 ist elektrisch mit einer ersten Elektrode 310 auf dem Substrat 300 durch die in der ersten Lötöffnung 171 angeordnete Lotpaste „1“ verbunden, und der zweite Leitungsanschluss 192 ist elektrisch mit einer zweiten Elektrode 320 auf dem Substrat 300 durch die in der zweiten Lötöffnung 172 angeordnete Lotpaste „1“ verbunden.
  • Zusätzlich wird die Lotpaste „1“ in der Dummy-Lötöffnung 173 der Leuchtdiode 10 angeordnet. Der Dummy-Anschluss 193 (siehe 5D) ist durch die in der Dummy-Lötöffnung 173 angeordnete Lotpaste „1“ elektrisch mit einer Metallplatte 330 auf dem Substrat 300 verbunden.
  • In einer Ausführung nach dem Geist der vorliegenden Anwendung wird die Lotpaste „1“ elektrisch mit der ersten leitenden Zwischenschicht 141 verbunden, die dem ersten Lötloch 171 ausgesetzt ist, um den Wärmepfad zwischen der ersten Elektrode 310 des Substrats 300 und der ersten leitenden Zwischenschicht 141 zu bilden. Zusätzlich wird die Lotpaste „1“ elektrisch mit der zweiten leitenden Zwischenschicht 142 verbunden, die dem zweiten Lötloch 172 ausgesetzt ist, um einen Wärmepfad zwischen der zweiten Elektrode 320 des Substrats 300 und der zweiten leitenden Zwischenschicht 142 zu bilden. Dementsprechend können die Wärmeableitungseigenschaften des LED Gehäuse und des LED Moduls verbessert werden.
  • Zusätzlich kann die Leuchtdiode 10 durch die im Dummy-Lötloch 173 angeordnete Lotpaste „1“ an der Metallplatte 330 auf dem Substrat 300 befestigt werden, um sie fester am Substrat zu fixieren. Zusätzlich kann die in der Dummy-Lötöffnung 173 angeordnete Lotpaste „1“ elektrisch verbunden werden, um den Wärmepfad zwischen der Metallplatte 330 des Substrats 300 und der Dummy-Zwischenschicht 143 zu bilden, wodurch die Wärmeableitungseigenschaften weiter verbessert werden.
  • Zusätzlich kann die Lotpaste „1“ in die im Inneren der Lead Frame Einheit 100 ausgebildeten Lötlöcher 171 bis 173 eingebracht werden und damit im LED Modul nach der technischen Idee der vorliegenden Anwendung Vorteile haben, dass eine von der Lotpaste „1“ belegte Fläche minimiert werden kann und eine Miniaturisierung möglich ist.
  • Unter „Lotpaste“ versteht man eine abschließende Klebeschicht, die mit einer Paste gebildet wird, die eine Mischung aus Metallpulver, Flussmittel und organischen Stoffen ist. Bei der Beschreibung des Herstellungsverfahrens des LED Moduls kann jedoch mit „Lotpaste“ eine Paste bezeichnet werden, die eine Mischung aus Metallpulver, Flussmittel und organischen Stoffen ist. Zum Beispiel kann die Lotpaste „1“ Sn und ein anderes Metall enthalten. Die Lotpaste „1“ kann mindestens 50%, mindestens 60% oder mindestens 90% Sn, bezogen auf das Gesamtmetallgewicht, enthalten. So kann die Lotpaste beispielsweise eine bleihaltige Lötlegierung wie Sn-Pb oder Sn-Pb-Ag-basiert oder eine bleifreie Lötlegierung wie Sn-Ag-basierte Legierung, Sn-Bi-basierte Legierung, Sn-Znbasierte Legierung, Sn-Sb-basiert oder Sn-Ag-Cu-Legierung enthalten.
  • Unter Bezugnahme auf 5B ist ein Beispiel eines LED Moduls nach einer Ausführungsform der vorliegenden Anwendung dargestellt. Wie gezeigt, kann das LED Modul Licht in einer Richtung parallel zum Substrat 300 aussenden, und daher kann das LED Modul als Seiten-LED Modul bezeichnet werden.
  • Bezogen auf 5C wird die Lotpaste „1“ in der ersten Lötöffnung 171 angeordnet. Wie gezeigt, wird die Lotpaste „1“ auf die Unterseite der ersten leitenden Zwischenschicht 141, die Innenfläche des zweiten isolierenden Substrats 120 und die Innenfläche der ersten unteren leitenden Schicht 151 geklebt, und so wird die Leuchtdiode 10 auf das Substrat 300 geklebt. Zusätzlich wird die erste leitende Zwischenschicht 141 durch die Lotpaste „1“ mit der ersten Elektrode 310 verbunden, damit die Wärme der Leuchtdiode 10 durch die erste leitende Zwischenschicht 141 auf das Substrat 300 abgestrahlt werden kann.
  • Bezogen auf 5D wird die Lotpaste „1“ in der ersten Lötöffnung 171 angeordnet. Wie gezeigt, wird die Lotpaste „1“ auf die Unterseite der Dummy-Zwischenschicht 143, die Innenfläche des zweiten isolierenden Substrats 120 und die Innenfläche der unteren Dummy-Schicht 153 geklebt, und damit die Leuchtdiode 10 auf das Substrat 300. Zusätzlich wird die Lotpaste „1“ elektrisch mit der Dummy-Zwischenschicht 143 und der unteren Dummy-Schicht 153 verbunden, um den Dummy-Anschluss 193 zu bilden, und die Wärme der Leuchtdiode 10 wird durch den Dummy-Anschluss 193 auf das Substrat 300 abgestrahlt.
  • Wie mit Bezug auf 1 bis 5 beschrieben, umfasst die Leuchtdiode 10 nach einer Ausführungsform der vorliegenden Anwendung die Lead Frame Einheit 100 und die Lichtquelleneinheit 200, die auf der Lead Frame Einheit 100 montiert ist, und die Lead Frame Einheit 100 umfasst die mindestens drei leitenden Schichten, die auf verschiedenen Schichten angeordnet sind. Insbesondere kann die Leuchtdiode 10 nach der Ausführungsform der vorliegenden Anwendung die Wärme im Inneren der Leuchtdiode 10 durch die mindestens drei leitenden Schichten nach außen abstrahlen, um den verbesserten Wärmeableitungseffekt zu erzielen.
  • Inzwischen ist die obige Beschreibung illustrativ und es wird verstanden, dass der technische Geist der vorliegenden Anwendung nicht darauf beschränkt ist. Im Rahmen der technischen Idee der vorliegenden Anwendung können verschiedene Design- und Strukturänderungen von Fachleuten vorgenommen werden. Im Folgenden werden verschiedene Änderungen, die in den Bereich des technischen Geistes der vorliegenden Anwendung fallen, näher beschrieben.
  • 6A bis 6D sind Ansichten, die die Leuchtdiode 10 nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Anwendung darstellen. Konkret ist 6A eine perspektivische Ansicht, die ein Gesamterscheinungsbild der Leuchtdiode 10 nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Anwendung zeigt. 6B bis 6D sind Draufsichten, die die erste leitende Schicht 130, die zweite leitende Schicht 140 und die dritte leitende Schicht 150 in einer Lead Frame Einheit 100' von 6A zeigen.
  • Die Leuchtdiode 20 der 6A bis 6D sind der Leuchtdiode 10 der 1 bis 4 ähnlich. Dementsprechend werden gleiche oder ähnliche Elemente mit gleichen oder ähnlichen Referenzzahlen beschrieben, und wiederholte oder sich überschneidende Beschreibungen werden im Folgenden aus Gründen der Klarheit weggelassen.
  • Im Vergleich zur Leuchtdiode 10 der 1 bis 4 mit den halbkreisförmigen Lötlöchern 171 bis 173 hat mindestens eines der Lötlöcher der Leuchtdiode 20 der 6 ein fächerförmiges Lötloch, in das ein Teil eines Randes eines isolierenden Substrats geätzt wird.
  • Mit anderen Worten, im Vergleich zu der Leuchtdiode 10 der bis mit den Lötlöchern 171 bis 173, die durch Entfernen des Teils des zweiten isolierenden Substrats 120 in einer halbkreisförmigen Form gebildet wurden, hat die Leuchtdiode 20 der die Lötlöcher, die durch Schneiden mindestens einer Kante eines zweiten isolierenden Substrats 120' gebildet wurden.
  • Zum Beispiel, bezogen auf die 6A bis 6D, können zwei Kanten der Kanten des zweiten isolierenden Substrats 120' geschnitten werden, um die ersten und zweiten Lötlöcher 171' und 172' zu bilden. In diesem Fall hat, wie dargestellt, eine erste untere leitende Schicht 151' eine Form, die dem ersten Lötloch 171' entspricht, d.h. eine Form, bei der eine Kante geschnitten wird. Eine zweite untere leitende Schicht 152' hat eine Form, die dem zweiten Lötloch 172' entspricht.
  • 7A und 7B sind Ansichten, die ein LED Modul zeigen, das mit der Leuchtdiode 20 aus 6 gebildet wurde. Im Detail zeigt 7A ein Beispiel für die Verbindung der Leuchtdiode 20 mit dem Substrat 300 unter Verwendung der Lotpaste „2“. 7B ist eine Ansicht, die ein Beispiel für ein fertiges LED Modul zeigt.
  • 7A und 7B zeigen die Leuchtdiode 20, das Substrat 300, das auf der Seite der Leuchtdiode 20 angeordnet ist, und die Lotpaste „2“, die die Leuchtdiode 20 auf dem Substrat 300 haftet. Die Lotpaste „2“ wird in der ersten Lötbohrung 171', der zweiten Lötbohrung 172' und der Blindlötbohrung 173' angeordnet.
  • In einer Ausführung nach dem Geist der vorliegenden Anwendung kann die in der ersten Lötöffnung 171' angeordnete Lotpaste „2“ so angeordnet werden, dass sie eine Seite des zweiten isolierenden Substrats 120' umgibt, und somit die Leuchtdiode 20 stabiler mit dem Substrat 300 verbunden werden kann. In ähnlicher Weise kann die Lotpaste „2“, die in der zweiten Lötöffnung 172' angeordnet ist, so angeordnet werden, dass sie die andere Seite des zweiten isolierenden Substrats 120' umgibt, und so kann die Leuchtdiode 20 stabiler mit dem Substrat 300 verbunden werden.
  • Wie oben beschrieben, wenn das erste Lötloch 171' und das zweite Lötloch 172' jeweils durch Schneiden eines Teils des zweiten isolierenden Substrats 120' gebildet werden, um einen Bereich zu erweitern, der mit der Lotpaste „2“ in Kontakt kommt, und somit die Leuchtdiode 20 stabiler am Substrat 300 befestigt werden kann.
  • 8A bis 8D sind Ansichten, die eine Leuchtdiode 30 nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Anwendung darstellen. Insbesondere 8A ist eine perspektivische Ansicht, die ein Gesamterscheinungsbild der Leuchtdiode 30 nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Anwendung zeigt. 8B bis 8D sind Draufsichten, die die erste leitende Schicht 130, die zweite leitende Schicht 140 und die dritte leitende Schicht 150 in einer Lead Frame Einheit 100" von 8A darstellen.
  • Die Leuchtdioden 30 der 8A bis 8D sind den Leuchtdioden 10 der 1 bis 4 ähnlich. Dementsprechend werden gleiche oder ähnliche Elemente mit gleichen oder ähnlichen Referenzzahlen beschrieben und wiederholte oder sich überschneidende Beschreibungen werden im Folgenden zur Verdeutlichung weggelassen.
  • Im Vergleich zu der Leuchtdiode 10 der 1 bis 4, in der das Dummy-Lötloch 173 gebildet wird, wird das Dummy-Lötloch in der Leuchtdiode 30 der 8 nicht gebildet. Das heißt, das Zwischen-Dummy-Loch wird nicht in einem zweiten isolierenden Substrat 120" der Leuchtdiode 30 von 8 gebildet.
  • Zum Beispiel, bezogen auf die 8A bis 8D, wird das dazwischenliegende Dummy-Loch nicht in dem zweiten isolierenden Substrat 120" gebildet. Darüber hinaus wird die untere Dummy-Schicht nicht auf der unteren Oberfläche des zweiten isolierenden Substrats 120" gebildet, und die Dummy-Zwischenschicht wird nicht zwischen dem ersten isolierenden Substrat 110 und dem zweiten isolierenden Substrat 120" gebildet. Das heißt, die Leuchtdiode 30 von 8 enthält nicht der Dummy-Anschluss.
  • Wie oben beschrieben, wird das Zwischen-Dummy-Loch nicht im zweiten isolierenden Substrat 120" gebildet, um die Festigkeit des zweiten isolierenden Substrats 120" und die Gehäusefestigkeit der Leuchtdiode 30 selbst zu erhöhen.
  • Mittlerweile sind die zweite leitende Schicht 140 und die dritte leitende Schicht 150, die in den 8A bis 8D gezeigt werden, beispielhaft, und der technische Geist der vorliegenden Anwendung ist nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel können die zweite leitende Schicht 140 und die dritte leitende Schicht 150 in verschiedenen Formen und Größen gebildet werden. Dies wird im Folgenden unter Bezugnahme auf 9 ausführlicher beschrieben.
  • 9A und 9B sind Ansichten, die eine Draufsicht auf eine zweite leitende Schicht 140" bzw. eine dritte leitende Schicht 150" gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Anwendung darstellen.
  • Erstens, bezogen auf 9A, wird die Dummy-Zwischenschicht nicht in der zweiten leitenden Schicht 140" gebildet. Das heißt, ähnlich wie in 8B enthält die zweite leitende Schicht 140" von 9A nur eine erste leitende Zwischenschicht 141" und eine zweite leitende Zwischenschicht 142".
  • In diesem Fall können die Formen der ersten leitfähigen Zwischenschicht 141" und einer zweiten leitfähigen Zwischenschicht 142" und ein Abstand d1 zwischen der ersten leitfähigen Zwischenschicht 141" und der zweiten leitfähigen Zwischenschicht 142" unterschiedlich ausgebildet sein. Zum Beispiel kann, wie in 9A gezeigt, die erste leitende Zwischenschicht 141" und die zweite leitende Zwischenschicht 142" so ausgebildet werden, dass sie eine große Fläche im Vergleich zu den ersten und zweiten leitenden Zwischenschichten 141 und 142 von 2 haben. In diesem Fall kann der Abstand d1 zwischen der ersten leitfähigen Zwischenschicht 141" und der zweiten leitfähigen Zwischenschicht 142" gleich oder größer sein als ein Rand, der sich nicht gegenseitig kurzschließt.
  • 9B, die untere Dummy-Schicht wird nicht in der dritten leitenden Schicht 150" gebildet. In diesem Fall können, ähnlich wie in 9A, die Formen der ersten unteren leitfähigen Schicht 151" und der zweiten unteren leitfähigen Schicht 152" und ein Abstand d2 zwischen der ersten unteren leitfähigen Schicht 151" und der zweiten unteren leitfähigen Schicht 152" unterschiedlich ausgebildet sein. Um die Kontaktfläche mit der Lotpaste zu vergrößern, können beispielsweise, wie gezeigt, die erste untere leitende Schicht 151" und die zweite untere leitende Schicht 152" so geformt werden, dass sie die größtmögliche Fläche haben
  • 10A bis 100 sind Ansichten, die eine Leuchtdiode 40 nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Anwendung darstellen. Konkret ist 10A eine perspektivische Ansicht, die ein Gesamterscheinungsbild der Leuchtdiode 40 nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Anwendung zeigt. 10B bis 10D sind Draufsichten, die eine erste leitende Schicht 130"', eine zweite leitende Schicht 140"' und die dritte leitende Schicht 150, die in einer Lead Frame Einheit 100'" von 10A enthalten sind, darstellen.
  • Die Leuchtdiode 40 aus 10A bis 100 ist der Leuchtdiode 10 aus 1 bis 4 ähnlich. Dementsprechend werden gleiche oder ähnliche Elemente mit gleichen oder ähnlichen Referenzzahlen beschrieben, und wiederholte oder sich überschneidende Beschreibungen werden im Folgenden aus Gründen der Klarheit weggelassen.
  • Im Vergleich zu der Leuchtdiode 10 der 1 bis 4 einschließlich der ersten und zweiten leitenden Schichten 130 und 140, die teilweise nach außen exponiert sind, belichtet die Leuchtdiode 40 der 10 die ersten und zweiten leitenden Schichten 130"' und 140"' nicht.
  • Zum Beispiel kann, bezogen auf die 10A und 10B, eine Länge der ersten leitenden Schicht 130"' in Breitenrichtung kleiner als eine Länge des ersten isolierenden Substrats 110 in Breitenrichtung gebildet werden. In diesem Fall darf eine Seitenfläche der ersten leitfähigen Schicht 130"' vom Gehäuse der Lichtquelleneinheit 200 umgeben sein und die erste leitfähige Schicht 130'" darf nicht nach außen hin freiliegen.
  • Außerdem kann, bezogen auf die 10A und 10C, eine Länge der zweiten leitfähigen Schicht 140'" in Breitenrichtung kleiner als die Länge des ersten isolierenden Substrats 110 in Breitenrichtung gebildet werden. In diesem Fall kann eine Seitenfläche der zweiten leitfähigen Schicht 140'" von der Klebeschicht 180 umgeben sein (siehe 1), so dass die zweite leitfähige Schicht 140"' nicht nach außen hin freiliegt.
  • Wie oben beschrieben, wird ein Teil der ersten und zweiten leitfähigen Schicht 130"' und 140'" nicht freigelegt, so dass die Leuchtdiode 40 entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Anwendung externe Feuchtigkeit blockieren kann, um die Zuverlässigkeit und Lebensdauer zu verbessern.
  • 11A bis 11D sind Ansichten, die eine Leuchtdiode 50 nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Anwendung darstellen. Konkret ist 11A eine perspektivische Ansicht, die ein Gesamterscheinungsbild der Leuchtdiode 50 nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Anwendung veranschaulicht. 11B bis 11D sind Draufsichten, die die erste leitende Schicht 130, eine zweite leitende Schicht 140"" und eine dritte leitende Schicht 150"" illustrieren, die jeweils in einer Lead Frame Einheit 100"" von 11A enthalten sind.
  • Die Leuchtdiode 50 der 11A bis 11D ist ähnlich der Leuchtdiode 10 der 1 bis 4. Dementsprechend werden gleiche oder ähnliche Elemente mit gleichen oder ähnlichen Referenzzahlen beschrieben und wiederholte oder sich überschneidende Beschreibungen werden im Folgenden aus Gründen der Klarheit weggelassen.
  • Im Vergleich zu der Leuchtdiode 10 der 1 bis 4 mit den Lötlöchern 171 bis 173 hat die Leuchtdiode 50 von 11 keine Lötlöcher. Das heißt, die Lötlöcher werden nicht in der Lead Frame Einheit 100"" der Leuchtdiode 50 von 11 gebildet. Wie oben beschrieben, ist, wenn die Lead Frame Einheit 100"" nicht über eine Vielzahl von Lötlöchern verfügt, der Herstellungsprozess für die Bildung der Lötlöcher nicht notwendig, und daher gibt es Vorteile, dass ein Prozess vereinfacht und die Festigkeit der Lead Frame Einheit 100"" erhöht wird. In diesem Fall dürfen, wie in 11C und 11D dargestellt, die Zwischenschicht und die untere Schicht des Dummys nicht gebildet werden.
  • 12A und 12B sind Ansichten, die ein LED Modul zeigen, das mit der Leuchtdiode 50 aus 11 gebildet wurde. Im Detail zeigt 12A ein Beispiel für die Verbindung der Leuchtdiode 50 mit dem Substrat 300 unter Verwendung einer Lotpaste „3“. 11B ist eine Ansicht, die eine Seite eines fertigen LED Moduls zeigt.
  • Unter Bezugnahme auf 12A und 12B bedeckt die Lotpaste „3“ eine erste untere leitende Schicht 151"" in Rückwärtsrichtung der Leuchtdiode 30, um die erste untere leitende Schicht 151"" an die erste Elektrode 310 des Substrats 300 zu kleben. In ähnlicher Weise bedeckt die Lotpaste „3“ eine zweite untere leitende Schicht 152"" in Rückwärtsrichtung der Leuchtdiode 30, um die zweite untere leitende Schicht 152"" an die zweite Elektrode 320 des Substrats 300 zu kleben.
  • Inzwischen ist die obige Beschreibung ein Beispiel, und der technische Geist der vorliegenden Anwendung ist nicht darauf beschränkt. Um z.B. die Haftung auf dem Substrat 300 zu erhöhen (siehe 12A), kann auf einer Unterseite eines zweiten isolierenden Substrats 120"" eine untere Dummy-Schicht weiter gebildet werden.
  • 13A bis 13D sind Ansichten, die eine Leuchtdiode 60 nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Anwendung darstellen. Konkret ist 13A eine perspektivische Ansicht, die ein Gesamterscheinungsbild der Leuchtdiode 60 nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Anwendung zeigt. 13B bis 13D sind Draufsichten, die die erste leitende Schicht 130, die zweite leitende Schicht 140 und die dritte leitende Schicht 150, die in der Lead Frame Einheit 100 von 13A enthalten sind, darstellen.
  • Die Leuchtdiode 60 der 13A bis 13D sind ähnlich der Leuchtdiode 10 der 1 bis 4. Dementsprechend werden gleiche oder ähnliche Elemente mit gleichen oder ähnlichen Referenzzahlen beschrieben und wiederholte oder sich überschneidende Beschreibungen werden im Folgenden zur Verdeutlichung weggelassen.
  • Verglichen mit der Leuchtdiode 10 der 1 bis 4 einschließlich der Vielzahl der Lötlöcher 170 bis 173 enthält die Leuchtdiode 60 von 13 nur das Blindlötloch 173. Das heißt, nur das Dummy-Lötloch 173 wird in einem zweiten isolierenden Substrat 120""' von 13 gebildet.
  • In diesem Fall, der sich auf die 13A und 13D bezieht, enthält die untere Dummy-Schicht 153 eine Öffnung, die dem Dummy-Lötloch 173 entspricht; in einer ersten unteren leitenden Schicht 151"'" und der zweiten unteren leitenden Schicht 152'"" wird keine Öffnung gebildet.
  • Wie oben beschrieben, kann, wenn nur das Dummy-Lötloch 173 gebildet wird, nicht nur die Wärmeableitungscharakteristik durch den Dummy-Anschluss verbessert werden, sondern auch die Festigkeit der Lead Frame Einheit 100 durch die vielen Lötlöcher vor einer Schwächung bewahrt werden.
  • 14 ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel für ein Anzeigegerät 1000 mit einem LED Modul der vorliegenden Anwendung zeigt. Gemäß 14 umfasst das Anzeigegerät 1000 eine Flüssigkristalltafel 1110, eine Hintergrundbeleuchtungseinheit 1120, einen Hauptträger 1130, eine untere Abdeckung 1150 und eine obere Abdeckung 1140.
  • Das Flüssigkristallpanel 1110 besteht aus einem ersten und einem zweiten Substrat 1112 und 1114, die mit einer dazwischenliegenden Flüssigkristallschicht als einem Teil, der eine Schlüsselrolle beim Bildausdruck spielt, miteinander verbunden sind. Die Hintergrundbeleuchtungseinheit ist hinter des Flüssigkristallpanel 1110 angeordnet.
  • Die Hintergrundbeleuchtungseinheit umfasst ein LED Modul, das entlang mindestens einer Seitenkante in Längsrichtung des Hauptträgers 1130 angeordnet ist, eine weiße oder silberne Reflektionsplatte 1125, die auf dem Deckelboden 1150 sitzt, eine Lichtleiterplatte 1123, die auf der Reflektionsplatte 1125 montiert ist, und eine Vielzahl von optischen Blättern, die darauf angeordnet sind.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Anwendung kann das LED Modul die Leuchtdioden 10, 20 und 30 enthalten, die mit Bezug auf die 1 bis 9 beschrieben werden, und kann als ein seitliches LED Modul implementiert werden.
  • Da das LED Modul, das an der Hintergrundbeleuchtungseinheit angeordnet ist, die Wärme effektiv abstrahlt, kann das Anzeigegerät 1000 von 10 selbst bei längerem Gebrauch einen geringen Temperaturanstieg aufweisen und ein FIGUR stabil anzeigen, ohne die Leuchtdichte zu verändern.
  • Obwohl oben mit Bezug auf eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben, werden diejenigen, die auf dem Gebiet der Technik oder der gewöhnlichen Fertigkeiten auf dem Gebiet der Technik bewandert sind, verstehen, dass verschiedene Modifikationen und Änderungen an der vorliegenden Erfindung vorgenommen werden können, ohne vom Geist und dem Umfang der Erfindung, wie sie in den nachfolgenden Ansprüchen dargelegt sind, abzuweichen.
  • Daher sollte der technische Umfang der vorliegenden Erfindung nicht auf den in der ausführlichen Beschreibung der Spezifikation beschriebenen Inhalt beschränkt werden, sondern durch die Ansprüche definiert werden.

Claims (24)

  1. Eine Leuchtdiode, bestehend aus: eine Lichtquelleneinheit, die Licht auf eine Vorderseite ausstrahlt und ein lichtemittierendes Teil, ein erstes Elektrodenpad und ein zweites Elektrodenpad enthält; und eine Lead Frame Einheit, die auf einer Rückseite der Lichtquelleneinheit angeordnet ist und erste und zweite Leitungsanschlüsse enthält, die jeweils mit den ersten und zweiten Elektrodenpads verbunden sind, wobei mindestens einer der ersten und zweiten Leitungsanschlüsse eine obere leitende Schicht, eine leitende Zwischenschicht und eine untere leitende Schicht aufweist, die auf verschiedenen Schichten angeordnet und elektrisch miteinander verbunden sind.
  2. Die Leuchtdiode nach Anspruch 1, wobei die Lead Frame Einheit ferner ein erstes isolierendes Substrat und ein zweites isolierendes Substrat enthält, wobei die obere leitende Schicht zwischen der Lichtquelleneinheit und dem ersten isolierenden Substrat angeordnet ist, wobei die leitende Zwischenschicht zwischen dem ersten isolierenden Substrat und dem zweiten isolierenden Substrat angeordnet ist, und wobei die untere leitende Schicht auf dem zweiten isolierenden Substrat angeordnet ist und auf einer gegenüberliegenden Seite zu einer Seite angeordnet ist, auf der die leitende Zwischenschicht angeordnet ist.
  3. Die Leuchtdiode nach Anspruch 2, wobei die Lead Frame Einheit ferner einen von den ersten und zweiten Leitungsanschlüssen isolierten Dummy-Anschluss aufweist.
  4. Die Leuchtdiode nach Anspruch 3, wobei der Dummy-Anschluss zwischen dem ersten Leitungsanschluss und dem zweiten Leitungsanschluss auf einer Ebene angeordnet ist.
  5. Die Leuchtdiode nach Anspruch 4, wobei der Dummy-Anschluss einschließt, eine zwischen dem ersten isolierenden Substrat und dem zweiten isolierenden Substrat angeordnete Dummy-Zwischenschicht; und eine untere Dummy-Schicht, die auf dem zweiten isolierenden Substrat angeordnet ist, wobei die untere Dummy-Schicht auf einer Seite angeordnet ist, die einer Seite gegenüberliegt, auf der die Dummy-Zwischenschicht angeordnet ist.
  6. Die Leuchtdiode nach Anspruch 5, bei der die Dummy-Zwischenschicht und die leitende Zwischenschicht elektrisch voneinander isoliert sind, und die untere Dummy-Schicht und die untere leitende Schicht elektrisch voneinander isoliert sind.
  7. die Leuchtdiode nach Anspruch 5, bei der das zweite isolierende Substrat teilweise entfernt ist, um ein Dummy-Lötloch zu erhalten, und wobei die Dummy-Zwischenschicht und die untere Dummy-Schicht durch eine in der Dummy-Lötöffnung angeordnete Lotpaste elektrisch miteinander verbunden sind.
  8. Die Leuchtdiode nach Anspruch 2, wobei das erste und das zweite isolierende Substrat teilweise entfernt sind, um jeweils mindestens ein Durchgangsloch zu haben, und die obere leitende Schicht und die leitende Zwischenschicht durch ein in dem Durchgangsloch angeordnetes Kontaktteil elektrisch miteinander verbunden sind.
  9. Die Leuchtdiode nach Anspruch 8, wobei das zweite isolierende Substrat mindestens ein Lötloch aufweist, das eine Rückseite der leitenden Zwischenschicht freilegt.
  10. Die Leuchtdiode nach Anspruch 9, wobei die untere leitende Schicht die gleiche Öffnung wie das Lötloch hat.
  11. Die Leuchtdiode nach Anspruch 9, die ferner umfasst: eine Lotpaste, die in der Lötöffnung angeordnet ist.
  12. Die Leuchtdiode nach Anspruch 1, wobei der lichtemittierende Teil, das erste Elektrodenpad und das zweite Elektrodenpad die Leuchtdiode bilden, und wobei die Leuchtdiode auf der Lead Frame Einheit angeordnet ist.
  13. Die Leuchtdiode nach Anspruch 12, wobei die Leuchtdiode vom Flip-Typ ist.
  14. Die Leuchtdiode nach Anspruch 13, die ferner umfasst: einen Wellenlängenkonverter, der die Leuchtdiode abdeckt und mindestens einen Teil des von der Leuchtdiode emittierten Lichts umwandelt.
  15. Die Leuchtdiode nach Anspruch 14, wobei der Wellenlängenkonverter einen Leuchtstoff enthält.
  16. Die Leuchtdiode nach Anspruch 14, die ferner umfasst: einen transparenten Teil, der den Wellenlängenkonverter abdeckt.
  17. Die Leuchtdiode nach Anspruch 16, die ferner umfasst: ein isolierendes Teil, das den Umfang der Leuchtdiode, des Wellenlängenkonverters und des transparenten Teils in der Draufsicht umgibt.
  18. Die Leuchtdiode nach Anspruch 17, bei der sich in einer Draufsicht der isolierende Teil teilweise mit dem Wellenlängenkonverter überlappt.
  19. Die Leuchtdiode nach Anspruch 17, bei der in Draufsicht der isolierende Teil vom Wellenlängenkonverter beabstandet ist.
  20. Die Leuchtdiode nach Anspruch 17, bei der in der Draufsicht der isolierende Teil mit dem Wellenlängenkonverter in Kontakt steht.
  21. Die Leuchtdiode nach Anspruch 1, wobei die obere leitende Schicht eine erste obere leitende Schicht, die elektrisch mit dem ersten Leitungsanschluss verbunden ist, und eine zweite obere leitende Schicht, die mit dem zweiten Leitungsanschluss verbunden ist, enthält, und wobei mindestens eine der ersten und zweiten oberen leitenden Schichten nach außen hin freiliegt.
  22. Die Leuchtdiode nach Anspruch 1, wobei die leitende Zwischenschicht eine erste leitende Zwischenschicht, die elektrisch mit dem ersten Leitungsanschluss verbunden ist, und eine zweite leitende Zwischenschicht, die mit dem zweiten Leitungsanschluss verbunden ist, enthält, und wobei mindestens eine der ersten und zweiten leitenden Zwischenschichten nach außen hin freiliegt.
  23. Ein LED Modul, bestehend aus: eine Lichtquelleneinheit, die Licht auf eine Vorderseite ausstrahlt und ein lichtemittierendes Teil, ein erstes Elektrodenpad und ein zweites Elektrodenpad enthält; eine Lead Frame Einheit, die auf einer Rückseite der Lichtquelleneinheit angeordnet ist und erste und zweite Leitungsanschlüsse enthält, die mit den ersten bzw. zweiten Elektrodenpad verbunden sind; und ein Substrat, das auf den Seitenflächen der Lichtquelleneinheit und der Lead Frame Einheit angeordnet und elektrisch mit dem ersten und zweiten Leiteranschluss verbunden ist, wobei mindestens einer der ersten und zweiten Leitungsanschlüsse eine obere leitende Schicht, eine leitende Zwischenschicht und eine untere leitende Schicht aufweist, die auf verschiedenen Schichten angeordnet und elektrisch miteinander verbunden sind.
  24. Eine Anzeigevorrichtung, bestehend aus: einem Anzeigefeld; eine Lichtleiterplatte, die auf einer Seite des Anzeigefelds angeordnet ist, eine erste Oberfläche aufweist, auf die Licht einfällt, und eine zweite Oberfläche, auf die das Licht emittiert wird, und die dem Anzeigefelds zugewandt ist; und ein LED Modul, das das Licht auf die erste Oberfläche der Lichtleiterplatte bringt, wobei das LED Modul enthält, eine Lichtquelleneinheit, die ein lichtemittierendes Teil, ein erstes Elektrodenpad und ein zweites Elektrodenpad enthält und das Licht auf eine Vorderseite emittiert; eine Lead Frame Einheit, die auf einer Rückseite der Lichtquelleneinheit angeordnet ist und erste und zweite Leitungsanschlüsse enthält, die mit den ersten bzw. zweiten Elektrodenpads verbunden sind; und ein Substrat, das auf den Seitenflächen der Lichtquelleneinheit und der Lead Frame Einheit angeordnet und elektrisch mit dem ersten und zweiten Leiteranschluss verbunden ist, wobei mindestens einer der ersten und zweiten Leitungsanschlüsse eine obere leitende Schicht, eine leitende Zwischenschicht und eine untere leitende Schicht aufweist, die auf verschiedenen Schichten angeordnet und elektrisch miteinander verbunden sind.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190037741A (ko) 2017-09-29 2019-04-08 서울반도체 주식회사 발광 다이오드, 발광 다이오드 모듈 및 그것을 갖는 표시 장치
KR20190098709A (ko) * 2018-02-14 2019-08-22 에피스타 코포레이션 발광 장치, 그 제조 방법 및 디스플레이 모듈
CN111739798A (zh) * 2020-05-21 2020-10-02 如皋市大昌电子有限公司 二极管高压硅堆的清洗封装方法
CN112086368A (zh) * 2020-08-05 2020-12-15 如皋市大昌电子有限公司 一种快速开关塑封高压硅堆的制备工艺
CN112331638B (zh) * 2020-09-28 2023-06-06 惠州市聚飞光电有限公司 发光二极管及背光模组

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080043444A1 (en) * 2004-04-27 2008-02-21 Kyocera Corporation Wiring Board for Light-Emitting Element
JP2008227139A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 静電気対策部品およびこれを用いた発光ダイオードモジュール
TWI423467B (zh) * 2007-06-06 2014-01-11 Epistar Corp 半導體發光裝置
KR101000860B1 (ko) * 2009-03-12 2010-12-14 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법
KR101645009B1 (ko) 2010-01-06 2016-08-03 서울반도체 주식회사 방열기판을 갖는 ｌｅｄ 패키지
DE112010002822T5 (de) * 2009-07-03 2012-06-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Gehäuse für licht emittierende dioden
KR101162541B1 (ko) * 2009-10-26 2012-07-09 주식회사 두산 패키지용 인쇄회로기판 및 그 제조방법
KR101824734B1 (ko) * 2010-11-12 2018-02-01 엘지이노텍 주식회사 발광모듈
KR20120083815A (ko) * 2011-01-18 2012-07-26 엘지이노텍 주식회사 인쇄회로기판 및 조명 장치
WO2012169717A1 (en) * 2011-06-08 2012-12-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
DE102012102114B4 (de) * 2012-03-13 2021-09-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil, Beleuchtungsvorrichtung und Anzeigevorrichtung
KR101907390B1 (ko) * 2012-04-23 2018-10-12 삼성전자주식회사 백색 발광 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치
JP6187201B2 (ja) * 2013-11-29 2017-08-30 日亜化学工業株式会社 発光装置用反射膜、並びに、それを備えるリードフレーム、配線基板、ワイヤ、及び発光装置
JP6524624B2 (ja) * 2014-09-19 2019-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6327232B2 (ja) * 2015-10-30 2018-05-23 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光モジュールの製造方法
KR20170075897A (ko) 2015-12-23 2017-07-04 삼성전자주식회사 발광 다이오드 패키지
KR20190037741A (ko) 2017-09-29 2019-04-08 서울반도체 주식회사 발광 다이오드, 발광 다이오드 모듈 및 그것을 갖는 표시 장치

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US12027657B2 (en) 2024-07-02
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