JP6187201B2 - 発光装置用反射膜、並びに、それを備えるリードフレーム、配線基板、ワイヤ、及び発光装置 - Google Patents

Description

本発明は、発光装置用反射膜、並びに、それを備えるリードフレーム、配線基板、ワイヤ、及び発光装置に関するものである。

従来、例えば特許文献１に記載されているように、発光ダイオード（ＬＥＤ）など、発光素子を光源とする発光装置には、表面にＡｇまたはＡｇ合金めっきの反射膜を設けたリードフレームが利用されている。

特開２０１１−２２２６０３号公報 特開２０１０−１５３８２５号公報

しかしながら、このような反射膜には、発光装置のアッセンブリ工程の熱履歴により、銀の結晶粒が成長し表面に凹凸化を生じて、反射率が低下する問題があった。

なお、特許文献２には、Ｃｕ又はＣｕを含んだ合金により構成された本体上にＡｇめっき膜が設けられたリードフレームであり、Ａｇめっき膜のＡｇ結晶粒の結晶粒間にナノ粒子が配置されたものが記載されているが、このＡｇめっき膜は発光装置用反射膜として検討されたものではない。

そこで、本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、熱履歴による表面の凹凸化が抑制された銀を主成分とする発光装置用反射膜、並びに／若しくは、その反射膜を備え光取り出し効率に優れたリードフレーム及び／又は配線基板及び／又はワイヤ及び／又は発光装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の反射膜は、発光装置に用いられる反射膜であって、銀を主成分とし、透光性酸化物のナノ粒子を含むことを特徴とする。

本発明によれば、反射膜中に存在するナノ粒子により、熱履歴による銀の結晶粒の成長を抑え、反射膜の表面の凹凸化を抑制することができる。

本発明の一実施の形態に係る発光装置の概略上面図（ａ）と、そのＡ−Ａ断面における概略断面図（ｂ）である。 銀反射膜の金添加量と反射率の関係を示すグラフである。 本発明の一実施の形態に係る発光装置の概略上面図（ａ）と、そのＢ−Ｂ断面における概略断面図（ｂ）である。 本発明の一実施例に係る反射膜の一断面において走査透過電子顕微鏡により観察される像である。

以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明する発光装置用反射膜、リードフレーム、配線基板、ワイヤ、及び発光装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。

＜実施の形態１＞
図１（ａ）は実施の形態１に係る発光装置の概略上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ断面を示す概略断面図である。図１に示すように、実施の形態１に係る発光装置１００は、発光素子１０と、発光素子１０の光を反射させる反射膜２０と、を備えている。

より詳細には、発光装置１００は、表面実装型ＬＥＤである。発光装置１００は、発光素子１０と、発光素子１０を収納する凹部が設けられたパッケージと、凹部の内側において発光素子１０を覆うように設けられた封止部材と、を備える。パッケージは、正負一対のリード電極３０と、このリード電極３０を一体的に保持する樹脂の成形体と、を有する。パッケージの凹部の底面の一部は、リード電極３０の表面により構成されている。発光素子１０は、ＬＥＤ素子であり、パッケージの凹部の底面に接着剤で接着され、リード電極３０にワイヤ５０で接続されている。なお、封止部材は、蛍光体や充填剤を含んでいてもよい。

反射膜２０は、このような発光装置に用いられるものである。本実施の形態１では、反射膜２０は、リード電極３０の表面に設けられている。反射膜２０は、銀を主成分とする。そして、反射膜２０は、透光性酸化物のナノ粒子２５を含んでいる。

ナノ粒子２５を構成する透光性酸化物は、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ビスマス、酸化イットリウム、酸化イリジウム、酸化インジウム、酸化スズ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＦＴＯの中から選択される少なくとも１つの物質であることが好ましい。なかでも、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタンは、入手しやすく、比較的安価である。また、導電性を有するものであれば、反射膜２０の電気抵抗の上昇を抑えることができる。

このように、反射膜２０中にナノ粒子２５が存在することにより、ピンニング効果を発現し、銀の結晶粒２１の成長を抑制することができる。これにより、発光装置のアッセンブリ工程の熱履歴による反射膜２０の表面の凹凸化が抑えられ、反射膜２０の鏡面を維持し、拡散反射を低減することができる。したがって、反射膜２０は、反射率の高い反射膜を得られ、それにより光取り出し効率に優れた発光装置を得ることができる。

なお、熱履歴による銀反射膜の表面の凹凸化の抑制手段として、ソリュートドラッグ効果を狙って銀に異種金属を添加することも提案されているが、異種金属は光吸収性が比較的高く、発光装置内の光散乱を考慮すれば無視できない光損失を生じる。しかしながら、本実施の形態におけるナノ粒子２５を構成する物質は、透光性に優れ、光損失を極めて小さく抑えることができる。

以下、反射膜２０の好ましい形態について説明する。

図１に示すように、ナノ粒子２５は、銀の結晶粒界に少なくとも存在していることが好ましい。ナノ粒子２５が銀の結晶粒界に存在することで、ピンニング効果により粒界移動を抑制しやすく、銀の結晶粒２１の成長を効果的に抑制することができる。また、反射膜２０の下地に存在する銅などの金属原子が反射膜２０の銀の結晶粒界を拡散することを抑制し、反射膜２０の表面に着色した酸化被膜が形成されることを抑制できる。さらに、空気中の酸素が反射膜２０中に浸入し銀の結晶粒界を拡散するのを抑制し、下地金属の酸化を防止でき、反射膜２０と下地金属との密着性を長期に維持することができる。したがって、反射膜２０は、発光装置のアッセンブリ工程や連続駆動を経ても、高い光取り出し効率を維持し且つ下地金属との層間剥離を抑制でき、信頼性に優れた反射膜を得られる。また、反射膜２０は、下地金属との間に別途バリア層を形成するよりも、このような効果を安価に得られると共に、本反射膜の上下の層構成を簡素にすることができる。

ナノ粒子２５の平均粒径は、０．１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましく、更には０．１ｎｍ以上１０ｎｍ未満であっても良い。このようにナノ粒子２５の粒径が小さければ、少量の添加で、多くのナノ粒子２５を反射膜２０中に分散でき、銀の結晶粒２１の成長を抑制しやすい。

反射膜２０のナノ粒子２５の含有量は、反射膜２０の反射率（初期反射率）の観点からは５ｗｔ％以下であることが好ましく、一方、銀の結晶成長の抑制の観点からは０ｗｔ％より大きければ良いが、０．２ｗｔ％以上であることが好ましい。また、反射膜２０のより好ましいナノ粒子２５の含有量は、反射膜２０の反射率（初期反射率）の観点からは１．５ｗｔ％以上、銀の結晶成長の抑制の観点からは４ｗｔ％以下である。

ナノ粒子２５の形状は、球状、不定形破砕状、針状、柱状、板状（鱗片状を含む）、繊維状、又は樹枝状などが挙げられる。中でも、ナノ粒子２５が球状であることにより、可視光と干渉するレベルの比較的大きいナノ粒子２５中へ光が進入しても、全反射を抑制し速やかに光を取り出すことができ、反射率に優れる反射膜２０を得やすい。

ナノ粒子２５には、セレン化合物、硫黄化合物のいずれか一方又は両方が付着していることが好ましい。セレン化合物、硫黄化合物は、銀との化学親和力が高く、ナノ粒子２５と銀との密着力を高めることができる。また、電解銀めっき、無電解銀めっき等の湿式法により銀膜を形成する場合には、ナノ粒子２５を反射膜２０中へ取り込みやすくすることができる。

銀は、異種金属の不純物と固溶体や金属間化合物を形成するばかりでなく、セレンや硫黄などの非金属の不純物とも化合物を形成する。これらの不純物は、ピンニング効果やソリュートドラッグ効果と呼ばれる結晶成長抑制現象を促すが、銀反射膜の反射率を低下させる要因となる。特に、蛍光体などの光拡散成分を有する発光装置は、反射膜の凹凸や光吸収の影響が光拡散により増大されるため、無視できない光損失を生じる。したがって、純銀と同水準の反射率を得るためには、銀の純度をある程度高く維持することが好ましい。同じ添加量であっても不純物の化学種により光吸収による損失は異なってくるが、ワイヤボンド実装性を確保可能な非酸化性の金属である金が唯一大量に添加可能な不純物である。金を例に取ることによって、実質的な不純物添加量の最大値を定義することができる。図２は、銀反射膜の金添加量と反射率の関係を示すグラフである。より詳細には、図２は、スパッタによって形成される銀反射膜の金添加量と反射率の関係を、加熱処理前後において示すグラフである。加熱処理の条件は、大気中で２５０℃、２時間である。図２から、銀の純度は９１％以上であることが好ましい。さらに、純銀と同等の反射率を得るためには、銀の純度は９９％以上であることがより好ましい。なお、銀の純度は、銀に合金化又は反応して化合物を形成する不純物を除く銀の割合を指す。また、ナノ粒子２５は、この不純物に含まれない。

銀は、多結晶体であり、結晶粒が立体的に成長するにつれて、表面が荒れ、拡散反射が増加し、目視で白化したかのごとく見えるようになる。高純度の銀であっても光吸収は僅かに存在するため、拡散反射による光吸収の増加により反射率は低下する。銀反射膜の表面を鏡面又は光沢度１．５以上とするには、銀の平均粒径を可視光との干渉が殆ど無い程度に小さくすることにより可能である。具体的には、可視光の最短波長である３８０ｎｍの１／４を大きく下回る平均粒径５０ｎｍ未満とすることにより達成可能である。しかしながら、例えば電解銀めっきの場合、平均粒径を小さくするためには、銀反射膜中の不純物濃度を上げて結晶性を抑制する必要がある。不純物濃度を上げると光吸収が増加するため、平均粒径を小さくし鏡面即ち高い光沢度を得ても反射率が低下してしまう。また、電解めっきよりも経済性に劣るスパッタでは、更に経済性の低い条件でしか達成できない。これらのことから、銀の平均粒径は、５０ｎｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以上０．５μｍ以下であることがより好ましい。

＜実施の形態２＞
図３（ａ）は実施の形態２に係る発光装置の概略上面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）におけるＢ−Ｂ断面を示す概略断面図である。図３に示すように、実施の形態２に係る発光装置２００は、発光素子１０と、発光素子１０の光を反射させる反射膜２０と、を備えている。

より詳細には、発光装置２００は、表面実装型ＬＥＤである。発光装置２００は、発光素子１０と、発光素子１０が載置される配線基板４０と、配線基板４０上において発光素子１０を覆うように設けられた封止部材と、を備える。配線基板４０は、正負一対の配線と、この配線を保持する母体と、を有する。発光素子１０は、ＬＥＤ素子であり、配線基板４０の配線に導電性接着剤で接続されている。なお、封止部材は、蛍光体や充填剤を含んでいてもよい。

反射膜２０は、このような発光装置にも用いられるものである。本実施の形態２では、反射膜２０は、配線基板４０の配線の表面に設けられている。反射膜２０は、銀を主成分とする。そして、反射膜２は、透光性酸化物のナノ粒子２５を含んでいる。なお、反射膜２０は、配線の表面に限らず、配線基板４０の表面に設けられていればよく、電気的に機能しなくてもよい。

このような発光装置２００及び配線基板４０の反射膜２０においても、実施の形態１の発光装置１００とリード電極３０と同様に、上述のような効果を奏することができる。

以下、本発明の発光装置の各構成要素について説明する。

（発光装置）
発光装置は、リード挿入型であってもよいが、表面実装型であることが好ましい。表面実装型発光装置は、リフロー半田付け等の熱履歴が厳しく、銀の結晶粒の成長が起こりやすいため、本発明が特に効果を奏する。

（発光素子１０）
発光素子は、ＬＥＤ素子などの半導体発光素子を用いることができる。発光素子は、種々の半導体で構成される素子構造に正負一対の電極が設けられたものであればよい。特に、蛍光体を効率良く励起可能な窒化物半導体（Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）の発光素子が好ましい。このほか、ガリウム砒素系、ガリウム燐系半導体の発光素子でもよい。正負一対の電極が同一面側に設けられた発光素子は、各電極をワイヤでリード電極や配線と接続するフェイスアップ実装されるか、各電極を導電性接着剤でリード電極や配線と接続するフェイスダウン（フリップチップ）実装される。正負一対の電極が互いに反対の面に各々設けられた発光素子は、下面電極が導電性接着剤でリード電極や配線に接着され、上面電極がワイヤでリード電極や配線と接続される。１つの発光装置に搭載される発光素子の個数は１つでも複数でもよい。複数の発光素子は、直列又は並列に接続することができる。

（反射膜２０）
反射膜は、電解めっき、無電解めっき、スパッタ、蒸着などにより形成することができる。反射膜の厚さは、任意に選択できるが、例えば０．１μｍ以上５．０μｍ以下であり、好ましくは０．２μｍ以上３．０μｍ以下である。

（リード電極３０）
リード電極の材料としては、発光素子に接続されて導電可能な金属を用いることができる。具体的には、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル、コバルト、モリブデン、又はこれらの合金、燐青銅、鉄入り銅などが挙げられる。リード電極は、これらの金属の積層体で構成されてもよいが、単層で構成されるのが簡便で良い。特に、銅を主成分とする銅合金が好ましい。リード電極の厚さは、任意に選択できるが、例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下であり、好ましくは０．２ｍｍ以上０．４ｍｍ以下である。

（リードフレーム）
リードフレームは、複数の発光装置用のリード電極３０が、マトリクス状に配置され、吊りリード部により互いに接続された板状部材である。言い換えれば、リード電極３０は、リードフレームがカット・フォーミングにより個々の発光装置の一部として個片化されたものである。リードフレームは、上記材料からなる金属板に、プレスやエッチング、圧延など各種の加工を施したものが母体となる。なお、リード電極３０上の反射膜２０は、通常、リードフレームの状態において形成される。

（成形体）
成形体は、リード電極と一体に成形され、パッケージを構成する。成形体の母材は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、又はこれらの変性樹脂やハイブリッド樹脂などの熱硬化性樹脂、若しくは、脂肪族ポリアミド樹脂、半芳香族ポリアミド樹脂、ポリシクロヘキサンテレフタレートなどの熱可塑性樹脂が挙げられる。また、成形体は、これらの母材中に、充填剤又は着色顔料として、ガラス、珪酸カルシウム、チタン酸カリウム、酸化チタン、カーボンブラックなどの粒子又は繊維を含有していてもよい。

（配線基板４０）
配線基板の母体は、電気的絶縁性のものがよいが、導電性であっても、絶縁膜などを介することで配線と電気的に絶縁させることができる。配線基板の母体の材料としては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム又はこれらの混合物を含むセラミックスや、銅、鉄、ニッケル、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン又はこれらの合金を含む金属や、エポキシ樹脂、ＢＴレジン、ポリイミド樹脂などの樹脂又はこれらの繊維強化樹脂（強化材はガラスなど）が挙げられる。配線基板は、母体の材質や厚さにより、リジッド基板、又は可撓性基板（フレキシブル基板）とすることができる。また、配線基板は、平板状の形態に限らず、上記パッケージと同様の凹部を有する形態とすることもできる。

配線は、母体の少なくとも上面に形成され、母体の内部、下面や側面にも形成されていてもよい。また、配線は、発光素子が接合されるランド（ダイパッド）部、外部接続用の端子部、これらを接続する引き出し配線部などを有するものでもよい。配線の材料としては、銅、ニッケル、パラジウム、タングステン、クロム、チタン、アルミニウム、銀、金又はそれらの合金が挙げられる。特に、放熱性の観点においては銅又は銅合金が好ましい。これらの配線は、電解めっき、無電解めっき、スパッタ、蒸着、印刷、塗布、コファイア法、ポストファイア法などにより形成することができる。

なお、配線基板は、複数の発光装置用の配線基板４０が、マトリクス状に配置され、互いに接続された複合基板の形態を含むものとする。

（封止部材）
封止部材の母材は、電気的絶縁性を有し、発光素子から出射される光を透過可能（好ましくは透過率７０％以上）であればよい。具体的には、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、又はこれらの変性樹脂やハイブリッド樹脂が挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂又はその変性樹脂は、耐熱性や耐光性に優れ、固化後の体積収縮が少ないため、好ましい。また、封止部材に含ませる充填剤は、シリカ（酸化珪素）などが挙げられる。

（蛍光体）
蛍光体は、発光素子から出射される一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を出射する。具体的には、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム、ユウロピウムで賦活されたサイアロン、ユウロピウムで賦活されたシリケート、マンガンで賦活されたフッ化珪酸カリウムなどが挙げられる。

（接着剤）
接着剤は、発光素子をリード電極や配線に接着する部材である。絶縁性接着剤は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、又はこれらの変性樹脂やハイブリッド樹脂などを用いることができる。導電性接着剤としては、銀、金、パラジウムなどの導電性ペーストや、錫−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀系、金−錫系などのはんだ、低融点金属などのろう材を用いることができる。

（ワイヤ５０）
ワイヤは、発光素子の電極と、リード電極や配線と、を接続する導線である。具体的には、金、銅、銀、白金、アルミニウム又はこれらの合金の金属線を用いることができる。特に、封止部材からの応力による破断が生じにくく、熱抵抗などに優れる金線が好ましい。また、光反射性を高めるために、少なくとも表面が銀で構成されているものでもよい。なお、このワイヤにも、反射膜２０を適用することができる。反射膜２０は、ナノ粒子２５の含有により銀の結晶粒が小さくなりやすく、ワイヤの強度を高めることができる。

以下、本発明に係る実施例について詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されないことは言うまでもない。

＜実施例１＞
実施例１として、スパッタ装置を使用して、アズワン社製スライドガラス（切放タイプ）１−９６４５−０１の成膜用基板上に、チタン膜を１００ｎｍの厚さに成膜し、その上に、発光装置用反射膜のサンプルとして、酸化アルミニウムのナノ粒子を４．１ｗｔ％含む銀膜を５００ｎｍの厚さに成膜する。

プロセス条件は、以下のとおりである。プロセス前の到達圧力は、５．０ｅ−４Ｐａである。成膜前には、ＲＦ２５０Ｗ、１ｍｉｎ、０．５Ｐａ、Ａｒ：５０ｓｃｃｍの条件の逆スパッタにて、基板の成膜面をクリーニングする。チタン膜は、Φ４ｉｎｃｈのチタンターゲットを用い、ＲＦ５００Ｗ、１８ｍｉｎ３５ｓｅｃ、０．５Ｐａ、Ａｒ：５０ｓｃｃｍの条件で成膜する。酸化アルミニウム含有銀膜は、Φ４ｉｎｃｈの酸化アルミニウムターゲットに対してＲＦ１００Ｗ、Φ４ｉｎｃｈの銀ターゲットに対してＲＦ６０Ｗ、１２０ｍｉｎ、０．５Ｐａ、Ａｒ：５０ｓｃｃｍの条件の同時スパッタにて成膜する。なお、成膜の際、基板ホルダは６ｒｐｍで回転し、常温程度に冷却されている。

図４は、実施例１に係る反射膜の一断面において走査透過電子顕微鏡（日本電子社製ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆ（Ｃｏｌｄ−ＦＥＧ））により観察される像である。図４に示すように、本実施例１の反射膜には、銀の結晶粒界に、酸化アルミニウムのナノ粒子（図４中では黒い斑点部）が存在している。また、酸化アルミニウムのナノ粒子は、反射膜中における銀の結晶粒界以外の領域にも存在している。酸化アルミニウムのナノ粒子の粒径は、１．０〜３．０ｎｍ程度である。

＜実施例２＞
実施例２のサンプルは、実施例１のサンプルにおいて、酸化アルミニウムのナノ粒子の含有量を２．５ｗｔ％に変えたものである。

＜比較例１＞
比較例１のサンプルは、実施例１のサンプルにおいて、ナノ粒子を添加せずに作製したものである。

＜評価＞
実施例１，２及び比較例１の各サンプルについて、加熱処理（条件：大気中、２５０℃、２時間）前後の反射率を測定する。表１にその測定結果を示す。

表１に示すように、実施例１，２の反射膜は、加熱処理前後において反射率の変化が殆ど無く、酸化アルミニウムのナノ粒子の存在により、銀膜の熱履歴による表面の凹凸化が抑制されている。さらに、ナノ粒子の含有量を例えば４ｗｔ％以下とすることで、高い初期反射率が得られやすく、またその反射率を維持しやすいことがわかる。

＜実施例３＞
実施例３のサンプルは、実施例１のサンプルにおいて、ナノ粒子を酸化ジルコニウムに変えたものである。実施例３の反射膜は、加熱処理（条件：上記と同じ）前の反射率は９２．６％、加熱処理後の反射率は８９．８％、反射率維持率は９７．０％である。実施例３の反射膜は、比較例１に比べ加熱処理前後における反射率の低下が抑えられており、酸化ジルコニウムのナノ粒子の存在により、銀膜の熱履歴による表面の凹凸化が抑制されている。

本発明に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置などに利用することができる。また、本発明に係る反射膜、リードフレーム、及び配線基板は、このような発光装置に利用することができる。

１０…発光素子、２０…反射膜（２１…銀の結晶粒、２５…ナノ粒子）、３０…リード電極（リードフレーム）、４０…配線基板、５０…ワイヤ、１００，２００…発光装置

Claims (12)

1. 発光装置に用いられる反射膜であって、
   銀を主成分とし、透光性酸化物のナノ粒子を含み、
   前記ナノ粒子の平均粒径は、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である反射膜。
2. 発光装置に用いられる反射膜であって、
   銀を主成分とし、透光性酸化物のナノ粒子を含み、
   前記ナノ粒子の平均粒径は、０．１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、
   前記ナノ粒子には、セレン化合物、硫黄化合物のいずれか一方又は両方が付着している反射膜。
3. 前記ナノ粒子には、セレン化合物、硫黄化合物のいずれか一方又は両方が付着している請求項１に記載の反射膜。
4. 前記ナノ粒子は、前記銀の結晶粒界に少なくとも存在している請求項１乃至３のいずれか一項に記載の反射膜。
5. 前記透光性酸化物は、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ビスマス、酸化イットリウム、酸化イリジウム、酸化インジウム、酸化スズ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＦＴＯの中から選択される少なくとも１つの物質である請求項１乃至４のいずれか一項に記載の反射膜。
6. 前記ナノ粒子の含有量は、４ｗｔ％以下である請求項１乃至５のいずれか一項に記載の反射膜。
7. 前記銀の純度は、９１％以上である請求項１乃至６のいずれか一項に記載の反射膜。
8. 前記銀の平均粒径は、５０ｎｍ以上１．０μｍ以下である請求項１乃至７のいずれか一項に記載の反射膜。
9. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の反射膜を備えるリードフレーム。
10. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の反射膜を備える配線基板。
11. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の反射膜を備えるワイヤ。
12. 発光素子と、前記発光素子の光を反射させる請求項１乃至８のいずれか一項に記載の反射膜と、を備える表面実装型発光装置。