JP2013182975A - 発光装置及びこれを用いたバックライトシステム - Google Patents
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- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 70
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 51
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 25
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- -1 rare earth activated phosphor Chemical class 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 26
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 abstract description 26
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 abstract description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000764773 Inna Species 0.000 description 1
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007709 nanocrystallization Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 1
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
【課題】 発光装置の銀部分とナノ結晶蛍光体が反応して基板が変色するのを防ぎ、発光効率低下を防止することができる、発光装置を実現する。
【解決手段】 一次光を発光する発光素子と、前記発光素子上に前記一次光の一部を吸収して二次光を発光する波長変換部を備えた発光装置において、前記波長変換部は、少なくとも、希土類付活蛍光体もしくは遷移金属元素付活蛍光体を含む樹脂層からなる第１の波長変換部と、ナノ結晶蛍光体を含む樹脂層からなる第２の波長変換部を含む複数の樹脂層からなり、前記第１の波長変換部は、前記第２の波長変換部より、前記発光素子に近い側に配置されていることを特徴とする。
【選択図】図１
【解決手段】 一次光を発光する発光素子と、前記発光素子上に前記一次光の一部を吸収して二次光を発光する波長変換部を備えた発光装置において、前記波長変換部は、少なくとも、希土類付活蛍光体もしくは遷移金属元素付活蛍光体を含む樹脂層からなる第１の波長変換部と、ナノ結晶蛍光体を含む樹脂層からなる第２の波長変換部を含む複数の樹脂層からなり、前記第１の波長変換部は、前記第２の波長変換部より、前記発光素子に近い側に配置されていることを特徴とする。
【選択図】図１
Description
本発明は、照明やディスプレイに用いられる発光装置に関し、特に、光源から直接出力される光と、この光源から出力された光の一部によって励起される蛍光体を用いた発光装置及びこれを用いたバックライトシステムに関するものである。
近年、発光ダイオード（以下、ＬＥＤと記す。）を用いた発光装置として、液晶ディスプレイのＬＥＤバックライトやＬＥＤ電球に注目が集まっている。ＬＥＤバックライトやＬＥＤ電球の発光部は、ＬＥＤの光の一部を蛍光体が波長変換した光と、前記ＬＥＤの前記蛍光体に波長変換されなかった光を混合して放出することにより、本来のＬＥＤの光とは異なる光を発光する構成となっている。
上記発光装置における蛍光体としては、従来は、希土類付活蛍光体が主に使用されてきたが、近年、演色性が高く、効率のよい発光装置の作製を可能にする半導体ナノ結晶からなる蛍光体（以下、ナノ結晶蛍光体と記す。）が注目を集めている。直接遷移型のエネルギーギャップを持つ半導体は、元来その物質に固有の波長を蛍光として発するが、粒子サイズをボーア半径と同程度に制限することで、価電子帯、伝導電子帯の双方とも取りうる運動エネルギーが不連続となり、発光波長は粒子寸法に応じて短くなる。そのため、従来蛍光体と異なり、ナノ結晶蛍光体では、粒子サイズを変えることで青（短波長）から赤（長波長）まで自在に発光する色を制御することが可能となり、様々な希望のスペクトルの発光を起こすことが可能となる。さらに、作製条件を最適化させることで、ナノ結晶の粒子サイズ分布のばらつきをなくし、ほぼ均一な粒子サイズのナノ結晶蛍光体が得られるため、半値幅の狭い発光スペクトルを得ることが出来る。
このようなナノ結晶蛍光体には、非特許文献１に示されるように、ナノ結晶コアとそれを被覆するシェル層を含む構成となるものがある。ナノ結晶蛍光体を用いた発光装置の一例が、特許文献１に開示されている。図８は、該文献に示された発光装置８００の概略側面図である。この発光装置８００では、基板８０１上に実装された発光素子８０２を覆うようにナノ結晶蛍光体８０３を分散したシリコーン樹脂８０４を塗布している。
Ｈｏｌｇｅｒ Ｂｏｒｃｈｅｒｔ，ｅｔ．ａｌ．，ＮＡＮＯ Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．２，Ｎｏ．２，１５１−１５４（２００２）
しかしながら、上記の文献に示されたナノ結晶蛍光体のシェル層には、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅが含まれることが一般的である。また発光装置の発光素子が実装されている基板、電極あるいは発光素子が電極と接続されるワイヤには、銀メッキが施されていたり、銀を含んでいることが多い。銀はＳ、Ｓｅ、Ｔｅと反応し易く、反応すると銀が黒っぽく着色してしまい、着色した基板、電極、ワイヤは、発光素子からの発光やナノ結晶蛍光体から発した発光を吸収する虜がある。これは、発光装置の発光効率低下につながり、問題となる。また、このような課題は、ナノ結晶蛍光体のコアにＳ、Ｓｅ、Ｔｅが含まれる場合でも同様に起こりうる。さらに、ナノ結晶蛍光体は通常トルエンなどの溶液に含有された形で取り扱われることが多く、これら溶液には、ナノ結晶蛍光体の製造工程で材料として使用するＳ、Ｓｅ、Ｔｅがそのままの状態で溶け込んでいることが多いため、この場合も銀が変色し、発光効率に悪影響を及ぼす可能性がある。
本発明は、前記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板、電極、ワイヤの銀部分とナノ結晶蛍光体または、これを含む溶液が反応して基板が変色するのを防ぎ、発光効率低下を防止することができる、発光装置及びこれを用いたバックライトシステムを実現することにある。
本発明に係る発光装置は、一次光を発光する発光素子と、前記発光素子上に前記一次光の一部を吸収して二次光を発光する波長変換部を備えた発光装置において、前記波長変換部は、少なくとも、希土類付活蛍光体もしくは遷移金属元素付活蛍光体を含む樹脂層からなる第１の波長変換部と、ナノ結晶蛍光体を含む樹脂層からなる第２の波長変換部を含む複数の樹脂層からなり、前記第１の波長変換部は、前記第２の波長変換部より、前記発光素子に近い側に配置されていることを特徴とする。
また、前記発光装置は、基板、電極、発光素子及び前記発光素子と前記電極を接続するワイヤを含み、前記基板、前記電極、前記ワイヤのうち少なくとも一つは銀を含む材料からなることを特徴としてもよい。前記第１の波長変換部には、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅのいずれも含まないことを特徴としてもよい。
また、前記発光装置は、基板、電極、発光素子及び前記発光素子と前記電極を接続するワイヤを含み、前記第１の波長変換部は、前記発光素子、前記基板、前記電極、前記ワイヤを覆っていることを特徴としてもよい。また、前記複数の樹脂層は、相対的に長い波長の二次光を発する順序で前記発光素子に近い側から配置されていてもよい。
本発明に係るバックライトシステムは、上記のいずれかに記載の発光装置を用いたことを特徴とする。
本発明によれば、発光装置の銀部分とナノ結晶蛍光体が反応して基板が変色するのを防ぎ、発効効率低下を防止することができる発光装置を実現することが可能となる。
本発明の実施の形態について、図１〜図７を用いて以下に説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。本明細書において、「ナノ結晶」とは結晶サイズを励起子ボーア半径程度まで小さくし、量子サイズ効果による励起子の閉じ込めやバンドギャップの増大が観測される結晶を指すものとする。
＜実施形態１＞
図１は、本発明の第１の実施形態に係る発光装置１００の断面図である。発光装置１００は、電極１及び銀メッキ層２が形成された基板３と、電極１上に設けられたパッケージ４および発光素子５と、発光素子５と電極１を接続するワイヤ６、発光素子５に近い側から希土類付活蛍光体もしくは遷移金属元素付活蛍光体を含有する第１の波長変換部７とナノ結晶蛍光体を含有する第２の波長変換部８が配置されたもので構成される。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る発光装置１００の断面図である。発光装置１００は、電極１及び銀メッキ層２が形成された基板３と、電極１上に設けられたパッケージ４および発光素子５と、発光素子５と電極１を接続するワイヤ６、発光素子５に近い側から希土類付活蛍光体もしくは遷移金属元素付活蛍光体を含有する第１の波長変換部７とナノ結晶蛍光体を含有する第２の波長変換部８が配置されたもので構成される。
電極１を形成する導体は、発光素子５を電気的に接続するための電導路としての機能を有し、ワイヤ６にて発光素子５と電気的に接続されている。導体としては、例えばＷ、Ｍｏ、Ｃｕ、またはＡｇ等の金属粉末を含むメタライズ層を用いることができる。基板３は熱伝導性が高く、かつ反射率の大きいことが求められるため、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム等のセラミックス材料のほかに、金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂が好適に用いられる。なお、発光素子５と電極１との接続方法については、図１で示したように発光素子５とｐ型電極あるいはｎ型電極のいずれか一方をワイヤ６で接続し、もう一方を発光素子と直接接続する方法以外に、ｐ型電極用、ｎ型電極用に２本のワイヤ６を用いて発光素子５からｐ型電極及びｎ型電極のそれぞれに接続する方法でもかまわない。
パッケージ４は、高い反射率を持ちつつ、封止樹脂との密着性がよいポリフタルアミドなどにより構成される。発光素子５は、光源として用いられ、ピーク波長としては３６０ｎｍから４７０ｎｍの範囲にあることが好ましく、例えば４５０ｎｍにピーク波長を有するＧａＮ系ＬＥＤ、ＺｎＯ系発光ＬＥＤ、ダイヤモンド系発光ＬＥＤ等を用いることができる。
第１の波長変換部７としては、例えば、希土類付活蛍光体もしくは遷移金属元素付活蛍光体が用いられる。これらは、銀と反応するＳ、Ｓｅ、Ｔｅが含まれていないので、銀が黒く変色することがなく、酸素や水分の影響で蛍光体の発光効率が低下しにくい蛍光体である。たとえば、蛍光体母体がイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）に付活剤としてセリウム（Ｃｅ）を導入したＹＡＧ：Ｃｅなどが挙げられる。
さらに、これらの蛍光体は希土類や遷移金属元素を付活された窒化物系蛍光体であることが望ましい。窒化物系蛍光体は、高温下でも発光効率の低下が起きにくい特徴を持つ。窒化物系蛍光体としては、たとえば、サイアロン蛍光体が考えられ、β型サイアロン（ＳｉＡｌＯＮ）に希土類元素や遷移金属元素を付活した蛍光体が知られている。Ｔｂ、Ｙｂ、Ａｇを付活したβ型サイアロンは５２５ｎｍから５４５ｎｍの緑色を発光する蛍光体となる。さらに、β型サイアロンにＥｕ２＋を付活した緑色の蛍光体が知られている。Ｅｕ付活β型サイアロン蛍光体は、従来の公知の方法にて製造することが出来る。具体的には、たとえばＥｕ２Ｏ３、ＥｕＮ等の光学活性元素Ｅｕを含有する金属化合物と窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粉末と窒化珪素粉末（Ｓｉ３Ｎ４）とを均一に混合し、１８００〜２０００℃程度の温度で焼成することで得られる。これら原料粉末の混合比は、焼成後の蛍光体の組成比を考慮して適宜選択される。
第２の波長変換部８としては、ＩｎＰ系のナノ結晶コアを用いることができる。ＩｎＰは粒径を小さく（ナノ結晶化）していくと量子効果によってバンドギャップを青色から赤色の範囲で制御することができる。例えば、波長６２０〜７５０ｎｍの赤色発光する粒径を有するＩｎＰ系ナノ結晶コアである赤色蛍光体をシリコーン樹脂中に混合し硬化させたものを用いることができる。
このほか、第２の波長変換部８として、ＩｎＰ以外のＩＩＩ―Ｖ族化合物半導体やＩＩ―ＶＩ化合物半導体よりなるナノ結晶コアである赤色蛍光体を用いてもよい。たとえば、ＩＩ―ＶＩ族化合物半導体やＩＩＩ―Ｖ族化合物半導体よりなるナノ結晶の化合物半導体としては、二元系では、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体として、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＰｂＳｅ、ＰｂＳ等が挙げられる。ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体としては、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ等が挙げられる。
また、三元系や四元系では、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＰＡｓ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＰＡｓ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＧａＮ、ＧａＡｌＮＰ、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＰＡｓ等が挙げられる。
そして、上述の中でも、第２の波長変換部８としては、ＩｎおよびＰを含むナノ結晶コア、または、ＣｄおよびＳｅを含むナノ結晶コアを用いることが好ましい。その理由は、ＩｎおよびＰを含むナノ結晶コア、または、ＣｄおよびＳｅを含むナノ結晶コアは、可視光域（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）で発光する粒径のナノ結晶コアを作製し易いためである。
その中でも特に、ＩｎＰ、またはＣｄＳｅを用いることが好ましい。理由としては、ＩｎＰとＣｄＳeは、構成する材料が少ないため作製がし易い上、高い量子収率を示す材料であり、ＬＥＤの光を照射した際、高い発光効率を示すからである。ここでの量子収率とは、吸収した光子数に対する蛍光として発光した光子数の割合のことである。
さらに言えば、第２の波長変換部８として、強い毒性を示すＣｄを含まないＩｎＰを用いることが好ましい。
さらにナノ結晶コアを覆うシェル層には、ＺｎＳを用いることが出来る。ＺｎＳはＩｎＰと格子整合性が良いため、シェル膜を厚くしても、ナノ結晶コア表面から剥がれることがない。そのため、ナノ結晶コア表面の欠陥部分をシェルが保護することが出来、また電子を閉じ込める効果が向上するので、ＩｎＰナノ結晶コアの発光効率を高めることが出来る。
このほか、シェル層を構成する半導体の組成として、ＺｎＳ以外のＩＩ―ＶＩ化合物族半導体、またはＩＩＩ―Ｖ化合物半導体を使用することができる。たとえば、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＮ、ＧａＳｂ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ等が挙げられる。
次に、発光装置１００の製造方法の一例を以下に説明する。図２および図３は、発光装置１００の製造工程を説明する図である。まず、図２に示されるように電極１、銀メッキ層２、基板３、パッケージ４、発光素子５、そしてワイヤ６が備わったＬＥＤパッケージを用意する。
次に、重量比でシリコーン樹脂：Ｅｕ付活β型サイアロン蛍光体＝１０００：２００の比で混合する。シリコーン樹脂は、信越化学工業株式会社製ＳＣＲ１０１１を使用した。ＳＣＲ１０１１以外でも、Ｅｕ付活β型サイアロン蛍光体が均一に分散される樹脂であって、透明であり、熱や光に強い樹脂であれば使用することが出来る。そして、図３に示すように、上記ＬＥＤパッケージにＥｕ付活β型サイアロン蛍光体を含有した樹脂を、ワイヤ６をすべて覆うように滴下し、所定の時間で硬化させることで第１の波長変換部７を作製した。
次に、重量比で樹脂：ナノ結晶である赤色蛍光体（以下赤色ナノ結晶蛍光体と記す。）＝１０００：４．６２の比になるよう樹脂と赤色ナノ結晶蛍光体を含有するトルエン溶液を混合する。赤色ナノ結晶蛍光体には、ＩｎＰ結晶からなるものを使用した。また、シリコーン樹脂は、信越化学工業株式会社製ＳＣＲ１０１１を使用した。ＳＣＲ１０１１以外でも、赤色ナノ結晶蛍光体が均一に分散される樹脂であって、透明であり、熱や光に強い樹脂であれば使用することが出来る。
その後、第１の波長変換部７が形成されているＬＥＤパッケージに赤色ナノ結晶蛍光体を含有する樹脂を滴下し、所定の時間で硬化させることで第２の波長変換部８を作製した。今回は、第１の波長変換部７と第２の波長変換部８の一次光の光路方向の厚みは、同じになるよう調整したが、所望の色バランスに応じて厚みを適宜設定すればよい。上記のようにして、図１に示すような発光装置１００が作製される。なお、製造方法については、第１の波長変換部７上に、第２の波長変換部８が形成される方法であれば、上記の方法に限られるものではない。
赤色ナノ結晶蛍光体及びこれを含有するトルエンの中にＳ、Ｓｅ、Ｔｅを含む化合物が含まれているため、これが銀と反応し、反応した部分が黒く変色するが、本実施形態によれば、銀と反応しないＥｕ付活β型サイアロン蛍光体が介在しているため、銀は変色することがない。このため、変色した銀が発光素子５や蛍光の発光を吸収することがなく、発光装置１００の明るさを保つことができる。さらに、Ｅｕ付活β型サイアロン蛍光体は、スペクトルが細いので、ナノ結晶蛍光体の赤のスペクトルとの重なりが少なく、色純度が良くなるという効果がある。
＜実施形態２＞
次に実施形態２について説明する。本実施形態では、第１の波長変換部にＣａＡｌＳｉＮ３赤色蛍光体（以下、ＣＡＳＮと記す。）を、第２の波長変換部に緑色ナノ結晶蛍光体を用いる点が実施形態１とは異なる。
次に実施形態２について説明する。本実施形態では、第１の波長変換部にＣａＡｌＳｉＮ３赤色蛍光体（以下、ＣＡＳＮと記す。）を、第２の波長変換部に緑色ナノ結晶蛍光体を用いる点が実施形態１とは異なる。
図４は、本発明の第２の実施形態に係る発光装置２００の断面図である。第１の波長変換部７１としてＣＡＳＮを含む樹脂層上に第２の波長変換部８１として緑色ナノ結晶蛍光体を含む樹脂層が形成されている。ＣＡＳＮは、熱に強く、また、銀と反応するＳ、Ｓｅ、Ｔｅが含まれていないので、銀が黒く変色することがない。
さらに、蛍光体はそれぞれの励起エネルギーより大きいエネルギーを有した光を吸収し、蛍光として二次光を発する。例えば、緑色蛍光体のように励起エネルギーの大きい蛍光体で発光した二次光は、例えば赤色蛍光体のように励起エネルギーの小さい蛍光体に吸収されてしまい、所望の色バランスを得るのが難しくなる。したがって、本実施形態のように、一次光を発する発光素子５に近い側にピーク波長のより長い蛍光体を配置することで、各蛍光体の発する二次光は、他色を発光する蛍光体に再度吸収されることがほとんどなく、色バランスのよい発光装置を容易に得ることが可能となる。
＜実施形態３＞
次に実施形態３について説明する。本実施形態では、波長変換部を３層で構成する点が上記実施形態のいずれとも異なる。
次に実施形態３について説明する。本実施形態では、波長変換部を３層で構成する点が上記実施形態のいずれとも異なる。
図５は、本発明の第３の実施形態に係る発光装置３００の断面図である。第１の波長変換部７２としてＣＡＳＮを含む樹脂層上に第２の波長変換部８２として赤色ナノ結晶蛍光体を含む樹脂層が形成され、第２の波長変換部８２上に、第３の波長変換部９２として緑色ナノ結晶蛍光体を含む樹脂層が形成されている。
本実施形態のように、発光素子５に近い側にＣＡＳＮを備えることで、ナノ結晶蛍光体が銀と反応して変色することがなく、かつ、赤色ナノ結晶蛍光体により、細い発光スペクトルを得ることができるので、色バランスのよい発光装置を容易に得ることが可能となる。
＜実施形態４＞
次に実施形態４について説明する。本実施形態では、波長変換部を３層で構成し、かつそれぞれの波長変換部から発せられる二次光の色が互いに異なる点が上記実施形態のいずれとも異なる。
次に実施形態４について説明する。本実施形態では、波長変換部を３層で構成し、かつそれぞれの波長変換部から発せられる二次光の色が互いに異なる点が上記実施形態のいずれとも異なる。
図６は、本発明の第４の実施形態に係る発光装置４００の断面図である。第１の波長変換部７３としてＣＡＳＮを含む樹脂層上に第２の波長変換部８３として黄色ナノ結晶蛍光体を含む樹脂層が形成され、第２の波長変換部８３上に、第３の波長変換部９３として緑色ナノ結晶蛍光体を含む樹脂層が形成されている。
本実施形態のように、発光素子５に近い側にＣＡＳＮを備えることで、ナノ結晶蛍光体が銀と反応して変色することがなく、かつ、一次光を発する発光素子５に近い側にピーク波長のより長い蛍光体を配置することで、各蛍光体の発する二次光は、他色を発光する蛍光体に再度吸収されることがほとんどなく、色バランスのよい発光装置を容易に得ることが可能となる。
＜実施形態５＞
次に、図７を参照して、本発明に係るサイドエッジ型バックライトシステムを説明する。本実施形態におけるサイドエッジ型バックライトシステムは、発光装置１００と導光板５０及び反射板５１とから構成される。本実施形態では、発光装置１００から出る一次光とニ次光が導光板５０に入り、反射板５１で反射されることで、反射板５１と対向している面から一次光とニ次光を取り出す構造になっている。
次に、図７を参照して、本発明に係るサイドエッジ型バックライトシステムを説明する。本実施形態におけるサイドエッジ型バックライトシステムは、発光装置１００と導光板５０及び反射板５１とから構成される。本実施形態では、発光装置１００から出る一次光とニ次光が導光板５０に入り、反射板５１で反射されることで、反射板５１と対向している面から一次光とニ次光を取り出す構造になっている。
発光装置１００は、銀と反応しないＥｕ付活β型サイアロン蛍光体層が発光素子５上に積層され、その上に赤色ナノ結晶蛍光体が積層されているため、銀は変色することがない。このため、発光素子５や蛍光の発光を銀が吸収することがなく、発光装置１００の明るさを保つことができるため、例えば、本実施形態をテレビのバックライトシステムに適用した場合、テレビの明るさを保ち、発光効率の低下を防止することができる。
なお、本実施形態ではサイドエッジ型のバックライトに本発明の照明装置を用いた例を説明したが、これに限らず、例えば、直下型バックライトとしても用いることもできる。本実施形態では発光装置１００を用いたが、上記実施形態で説明したいずれの発光装置を用いても構わない。
以上、それぞれの実施形態で説明したように、ナノ結晶蛍光体と発光素子の間に銀と反応しない蛍光体層を配置することにより、基板の銀部分とナノ結晶蛍光体が反応して基板が変色するのを防ぎ、発効効率低下を防止することができる発光装置を実現することが可能となる。
１ 電極
２ 銀メッキ層
３ 基板
４ パッケージ
５ 発光素子
６ ワイヤ
７、７１、７２、７３ 第１の波長変換部
８、８１、８２、８３ 第２の波長変換部
５０ 導光板
５１ 反射板
９２、９３ 第３の波長変換部
１００、２００、３００、４００ 発光装置
２ 銀メッキ層
３ 基板
４ パッケージ
５ 発光素子
６ ワイヤ
７、７１、７２、７３ 第１の波長変換部
８、８１、８２、８３ 第２の波長変換部
５０ 導光板
５１ 反射板
９２、９３ 第３の波長変換部
１００、２００、３００、４００ 発光装置
Claims (6)
- 一次光を発光する発光素子と、
前記発光素子上に前記一次光の一部を吸収して二次光を発光する波長変換部を備えた発光装置において、
前記波長変換部は、少なくとも、希土類付活蛍光体もしくは遷移金属元素付活蛍光体を含む樹脂層からなる第１の波長変換部と、
ナノ結晶蛍光体を含む樹脂層からなる第２の波長変換部を含む複数の樹脂層からなり、
前記第１の波長変換部は、前記第２の波長変換部より、前記発光素子に近い側に配置されていることを特徴とする発光装置。 - 前記発光装置は、基板、電極、発光素子及び前記発光素子と前記電極を接続するワイヤを含み、
前記基板、前記電極、前記ワイヤのうち少なくとも一つは銀を含む材料からなることを特徴とする請求項１記載の発光装置。 - 前記第１の波長変換部には、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅのいずれも含まないことを特徴とする請求項１または２記載の発光装置。
- 前記発光装置は、基板、電極、発光素子及び前記発光素子と前記電極を接続するワイヤを含み、
前記第１の波長変換部は、前記発光素子、前記基板、前記電極、前記ワイヤを覆っていることを特徴とする請求項１記載の発光装置。 - 前記複数の樹脂層は、相対的に長い波長の二次光を発する順序で前記発光素子に近い側から配置されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の発光装置。
- 請求項１から５のいずれかに記載の発光装置を用いたことを特徴とする映像機器のバックライトシステム。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| US13/778,281 US20130228812A1 (en) | 2012-03-01 | 2013-02-27 | Light emitting device and backlight system using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012045065A JP2013182975A (ja) | 2012-03-01 | 2012-03-01 | 発光装置及びこれを用いたバックライトシステム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013182975A true JP2013182975A (ja) | 2013-09-12 |
Family
ID=49042328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012045065A Pending JP2013182975A (ja) | 2012-03-01 | 2012-03-01 | 発光装置及びこれを用いたバックライトシステム |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130228812A1 (ja) |
| JP (1) | JP2013182975A (ja) |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140918 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150729 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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| A02 | Decision of refusal |
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