JP7022932B2 - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7022932B2
JP7022932B2 JP2018190608A JP2018190608A JP7022932B2 JP 7022932 B2 JP7022932 B2 JP 7022932B2 JP 2018190608 A JP2018190608 A JP 2018190608A JP 2018190608 A JP2018190608 A JP 2018190608A JP 7022932 B2 JP7022932 B2 JP 7022932B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
metal film
emitting device
light
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018190608A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020061426A (ja
Inventor
忠昭 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2018190608A priority Critical patent/JP7022932B2/ja
Priority to US16/594,846 priority patent/US10957834B2/en
Publication of JP2020061426A publication Critical patent/JP2020061426A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7022932B2 publication Critical patent/JP7022932B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting

Description

本開示は、発光装置に関する。
特許文献1には、発光面となる上面と、上面の反対側に位置する下面に外部電極となる一対の電極を有する発光装置が開示されている。
特開2014-110333号公報
このような発光装置を接合部材を介して実装基板上に実装する場合、実装基板等を組み込む応用装置のサイズや実装基板の寸法等の制約から、発光装置の上面と下面とを接続する側面と実装基板の上面とを対向して配置する(所謂、側面発光型の発光装置として配置する)場合がある。このような場合、特許文献1に記載の発光装置は、発光装置の下面側(背面側)に接する接合部材に引っ張られて傾倒してしまう可能性がある。
そこで、本発明の一実施形態では、実装基板等に実装したときに所望の姿勢となる発光装置を提供することを目的とする。
本発明の一実施形態の発光装置は、発光面となる上面と、上面の反対側に位置する下面と、上面と隣接し、上面と直交する第1側面とを有し、第1側面を実装面とする発光装置であって、発光装置は、下面に位置する一対の第1金属膜と、第1側面に位置する一対の第2金属膜とを有し、第2金属膜の面積は、第1金属膜の面積よりも大きい。
また、本発明の一実施形態の発光装置は、発光面となる上面と、上面の反対側に位置する下面と、上面と隣接し、上面と直交する第1側面と、第1側面の反対側に位置する第2側面とを有し、第1側面を実装面とする発光装置であって、発光装置は、下面および第1側面に接合部材と接する金属膜を有し、金属膜は、下面に位置する一対の第1金属膜と、第1側面に位置する一対の第2金属膜とを有し、下面から上面に向かう方向における第2金属膜の長さは、第1側面から第2側面に向かう方向における第1金属膜の長さよりも長い。
本発明の一実施形態により、実装基板等に実装したときに所望の姿勢となる発光装置を提供することが可能となる。
一実施形態に係る発光装置の模式的斜視図である。 一実施形態に係る発光装置の模式的斜視図である。 一実施形態に係る発光装置の模式的上面図である。 一実施形態に係る発光装置の模式的下面図である。 一実施形態に係る発光装置の模式的側面図である。 一実施形態に係る発光装置の模式的側面図である。 一実施形態に係る発光装置の模式的側面図である。 一実施形態に係る発光装置の模式的側面図である。 第1金属膜および第2金属膜の配置を示す模式的側面図である。 第1金属膜および第2金属膜の配置を示す模式的側面図である。 図2A中の4A-4A線における模式的端面図である。 図2A中の4B-4B線における模式的端面図である。 一実施形態に係る光源装置を示す模式的上面図である。 一実施形態に係る光源装置を示す模式的正面図である。 一実施形態に係る光源装置を示す模式的側面図である。 第1金属膜および第2金属膜の形成方法を説明する模式的側面図である。 変形例にかかる発光装置の模式的上面図である。 第1側面側から発光装置を見たときの模式的側面図である。 変形例にかかる発光装置の模式的上面図である。 第1側面側から発光装置を見たときの模式的側面図である。 第1側面側から発光装置を見たときの模式的側面図である。 第1側面側から発光装置を見たときの模式的側面図である。 第1側面側から発光装置を見たときの模式的側面図である。 変形例にかかる発光装置の模式的上面図である。 第1側面側から発光装置を見たときの模式的側面図である。
以下、図面を参照しながら、本開示の実施形態を詳細に説明する。以下の実施形態は、例示であり、本開示による発光装置は、以下の実施形態に限られない。例えば、以下の実施形態で示される数値、形状、材料などは、あくまでも一例であり、技術的に矛盾が生じない限りにおいて種々の改変が可能である。
図面が示す構成要素の寸法、形状等は、わかり易さのために誇張されている場合があり、実際の発光装置における、寸法、形状および構成要素間の大小関係を反映していない場合がある。また、図面が過度に複雑になることを避けるために、一部の要素の図示を省略することがある。
以下の説明において、実質的に同じ機能を有する構成要素は共通の参照符号で示し、説明を省略することがある。以下の説明では、特定の方向または位置を示す用語(例えば、「上」、「下」、「右」、「左」およびそれらの用語を含む別の用語)を用いる場合がある。しかしながら、それらの用語は、参照した図面における相対的な方向または位置をわかり易さのために用いているに過ぎない。参照した図面における「上」、「下」等の用語による相対的な方向または位置の関係が同一であれば、本開示以外の図面、実際の製品、製造装置等において、参照した図面と同一の配置でなくてもよい。本開示において「垂直」または「直交」とは、特に他の言及がない限り、2つの直線、辺、面等が90°から±3°程度の範囲にある場合を含む。
図1Aおよび図1Bは発光装置100の模式的斜視図であり、図2Aは発光装置100の模式的上面図であり、図2Bは発光装置100の模式的下面図であり、図2C~図2Fは発光装置100の模式的側面図である。
発光装置100は、発光面となる上面100aと、上面100aの反対側に位置する下面100bと、上面100aと隣接し、上面100aと直交する第1側面101とを有する。発光装置100は、第1側面101を実装面とし、第1側面101と後述する実装基板の上面とが対向して配置される側面発光型(サイドビュータイプ)の発光装置である。
発光装置100において、上面100aから下面100bまでの距離L1は、第1側面101から第2側面102までの距離L2よりも大きいことが好ましい。これにより、第1側面101を実装面とする発光装置100の実装の安定化が図れる。実装基板上に配置された発光装置100では、発光装置100の上面100aが正面となり、発光装置100の下面100bが背面となり、発光装置100の第1側面101が底面となる。そのため、実装基板上に配置された発光装置100では、上面100aを正面100aに、下面100bを背面100bに、第1側面101を底面101に言い換えて説明する場合がある。
図1Aおよび図1Bで示す発光装置100は、さらに、第1側面101の反対側に位置する第2側面102と、第3側面103と、第3側面103の反対側に位置する第4側面104を有する。
発光装置100は、下面100bに位置する一対の第1金属膜80と、第1側面101に位置する一対の第2金属膜90とを有する。一対の第1金属膜80および一対の第2金属膜90は、導電性を有し、外部電極として機能する。半田等の接合部材を用いて発光装置100を実装基板上に実装する際、接合部材は第1金属膜80および第2金属膜90の双方と接する。なお、発光装置100および実装基板は、接合部材に加えて後述するエポキシ樹脂等の接着部材を用いて接合することができる。
図2Bで示すように、下面100bは一対の第1金属膜80を有する。図2Bでは、下面100bにおいて、光反射性部材30と、一対の第1金属膜80のみが露出している。光反射性部材30は、例えば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等を含む樹脂部材とすることができる。一対の第1金属膜80が下面100bに位置することで、発光素子20が発する熱を下面100b側から効率的に放熱することができる。
下面視において、第1金属膜80は、第2側面102から離間していることが好ましい。これにより、半田等の接合部材を用いて発光装置100を実装基板上に実装する際に、発光装置100にツームストーン現象が起きたり、発光装置100の発光面となる上面100aが傾斜した状態で発光装置100が配置されたりする可能性を低減することができる。
なお、第1金属膜80は、第2側面102まで延出していてもよい。この場合、例えば、第1金属膜80の端部を第2側面102の端部と一致させることができる。また、第1金属膜80の一部を、下面100bに加えて第2側面102にも形成することができる。これにより、発光装置100の放熱性を向上させることができる。
また、下面視において、第1金属膜80は、第3側面103および第4側面104から離間していることが好ましい。これにより、接合部材を用いて発光装置100を実装基板上に実装する際、第3側面103および第4側面104の外側に接合部材が流れていくことを抑制することができる。その結果、接合部材を含んだ発光装置100の実装面積を小さくすることができる。例えば、エッジ型の液晶表示装置の光源として、実装基板上に複数の発光装置を配置したものを用いる場合、発光装置間は暗部になりやすい。しかし、第1金属膜80を上記の配置にした発光装置100では、実装基板上に一の発光装置の第3側面103と隣接する他の発光装置の第4側面104とが対向するように複数の発光装置を配置する場合に、各発光装置間の距離を短くすることができる。これにより、各発光装置間において、暗部となる領域を減らすことができる。また、第3側面103等と下面100bとの接続部分を含む発光装置100の隅部は、外力により欠けや変形が生じやすい。しかし、第1金属膜80が第3側面103等から離間していることで、発光装置100の隅部に上記の外力が生じたとしても、その外力が第1金属膜80に影響を及ぼす可能性を低減することができる。
なお、第1金属膜80は、第3側面103および第4側面104まで延出していてもよい。この場合、例えば、第1金属膜80の端部を第3側面103および第4側面104の端部と一致させることができる。また、第1金属膜80の一部を、下面100bに加えて第3側面103および第4側面104にも形成することができる。これにより、発光装置100の放熱性を向上させることができる。
図2Bで示すように、第3側面103から第4側面104に向かう方向(以下、第1方向という)における第1金属膜80の長さT1は、第1側面101から第2側面102に向かう方向(以下、第2方向という)における第1金属膜80の長さT2よりも長いことが好ましい。これにより、半田等の接合部材を用いて発光装置100を実装基板上に実装する際に、発光装置100にツームストーン現象が起きたり、発光装置100の発光面となる上面100aが傾斜した状態で発光装置100が配置されたりする可能性を低減することができる。本明細書における長さTとは、例えば、対象となる部材の長さのうち最長の長さとすることができる。長さT1は、例えば、長さT2の1.1倍~5倍であり、1.5倍~3倍であることが好ましい。また、長さT1は第1方向における第2側面102の長さT3の0.25倍~0.4倍とすることができ、長さT2は第2方向における第3側面103の長さT4の0.2倍~0.8倍とすることができる。
図2Cで示すように、第1側面101は一対の第2金属膜90を有する。図2Cでは、第1側面101において、光反射性部材30と、一対の第2金属膜90のみが露出している。一対の第2金属膜90が第1側面101に位置することで、発光素子20が発する熱を第1側面101側から効率的に放熱することができる。
第1側面101側から発光装置100を見たときに、第2金属膜90は、上面100aから離間していることが好ましい。これにより、接合部材を用いて発光装置100を実装基板上に実装する際、発光面となる上面100a側に接合部材が流れていくことを抑制することができる。その結果、発光装置100から出射される光が接合部材によって遮られる等の可能性を低減することができる。
なお、第2金属膜90は、上面100aまで延出していてもよい。この場合、例えば、第2金属膜90の端部を上面100aの端部と一致させることができる。また、第2金属膜90の一部を、第1側面101に加えて上面100aにも形成することができる。これにより、発光装置100の放熱性を向上させることができる。
また、第1側面101側から発光装置100を見たときに、第2金属膜90は、第3側面103および第4側面104から離間していることが好ましい。これにより、接合部材を用いて発光装置100を実装基板上に実装する際、第3側面103および第4側面104の外側に接合部材が流れていくことを抑制することができる。その結果、接合部材を含んだ発光装置100の実装面積を小さくすることができる。例えば、エッジ型の液晶表示装置の光源として、実装基板上に複数の発光装置を配置したものを用いる場合、発光装置間は暗部になりやすい。しかし、第2金属膜90を上記の配置にした発光装置100では、実装基板上に一の発光装置の第3側面103と隣接する他の発光装置の第4側面104とが対向するように複数の発光装置を配置する場合に、各発光装置間の距離を短くすることができる。これにより、各発光装置間において、暗部となる領域を減らすことができる。また、第3側面103等と第1側面101との接続部分を含む発光装置100の隅部は、外力により欠けや変形が生じやすい。しかし、第2金属膜90が第3側面103等から離間していることで、発光装置100の隅部に上記の外力が生じたとしても、その外力が第2金属膜90に影響を及ぼす可能性を低減することができる。
なお、第2金属膜90は、第3側面103および第4側面104まで延出していてもよい。この場合、例えば、第2金属膜90の端部を第3側面103および第4側面104の端部と一致させることができる。また、第2金属膜90の一部を、第1側面101に加えて第3側面103および第4側面104にも形成することができる。これにより、発光装置100の放熱性を向上させることができる。
図2Cで示すように、第1方向における第2金属膜90の長さT5は、上面100aから下面100bに向かう方向(以下、第3方向という)における第2金属膜90の長さT6よりも長いことが好ましい。これにより、半田等の接合部材を用いて発光装置100を実装基板上に実装する際に、発光装置100にツームストーン現象が起きたり、発光装置100の発光面となる上面100aが傾斜した状態で発光装置100が配置されたりする可能性を低減することができる。また、第1方向における第2金属膜90の長さT5を長くすることで、接合部材との接合面積が増加し、発光装置100の固着力を向上させることができる。長さT5は、例えば、長さT6の1.1倍~5倍であり、1.5倍~3倍であることが好ましい。また、長さT5は第1方向における上面100aの長さT7の0.2倍~0.4倍とすることができ、長さT6は第3方向における第3側面103の長さT8の0.4倍~0.85倍とすることができる。
第1金属膜80および第2金属膜90は、以下の第1条件~第3条件のいずれかを満たすように形成される。なお、第1条件~第3条件は、いずれか1つを満たしてもよく、2つ満たしてもよく、3つすべて満たしていてもよい。
第1条件としては、第2金属膜90の面積は、第1金属膜80の面積よりも大きい。換言すると、第2金属膜90の接合部材と接し得る領域は、第1金属膜80の接合部材と接し得る領域よりも大きい。これにより、実装基板上に接合部材を用いて発光装置100を実装する際、発光装置100が下面100b側(背面100b側)に接する接合部材に引っ張られて傾倒してしまうことを低減することができる。第2金属膜90の面積は、例えば、第1金属膜80の面積の1.15~6倍であり、1.4~2.9倍であることが好ましい。これにより、発光装置100が接合部材に引っ張られて傾倒してしまう可能性を効果的に低減することができる。
第1条件の変形例として、例えば、第1金属膜80および/または第2金属膜90の表面にレジスト膜等が位置する場合、第1金属膜80等の面積は外表面に露出する第1金属膜80等の面積に置き換えることができる。
第2条件としては、第3方向における第2金属膜90の長さT6は、第2方向における第1金属膜80の長さT2よりも長い。これにより、第2金属膜90の接合部材と接し得る領域は、第1金属膜80の接合部材と接し得る領域よりも長い距離に渡って接合部材と接することができる。その結果、接合部材を用いて発光装置100を実装基板上に実装する際、発光装置100が下面100b側(背面100b側)に接する接合部材に引っ張られて傾倒してしまうことを低減することができる。第3方向における第2金属膜90の長さT6は、例えば、第2方向における第1金属膜80の長さT2の1.15~6倍であり、1.4~2.9倍であることが好ましい。これにより、発光装置100が接合部材に引っ張られて傾倒してしまう可能性を効果的に低減することができる。
第3条件としては、接合部材を用いて発光装置100を実装基板上に実装した際、第2金属膜90と接合部材とが接する領域の面積は、第1金属膜80と接合部材とが接する領域の面積よりも大きい。これにより、接合部材を用いて発光装置100を実装基板上に実装する際、発光装置100が下面100b側(背面100b側)に接する接合部材に引っ張られて傾倒してしまうことを低減することができる。第2金属膜90と接合部材とが接する領域の面積は、例えば、第1金属膜80と接合部材とが接する領域の面積の1.15~6倍であり、1.4~2.9倍であることが好ましい。これにより、発光装置100が接合部材に引っ張られて傾倒してしまう可能性を効果的に低減することができる。
図1B等で示す発光装置100では、第1金属膜80および第2金属膜90は連続して配置されている。これにより、半田等の接合部材を用いて発光装置100を実装基板上に実装する際に、第1金属膜80と第2金属膜90との接続部分の半田濡れ性が良好となり、また第1金属膜80と第2金属膜90との間に気泡が生じる可能性を低減することができる。また、発光素子20が発する熱を効率的に放熱することができる。
なお、本開示の発光装置では、第1金属膜80および第2金属膜90は離間して配置してもよい。第1側面101と下面100bとの接続部分を含む発光装置100の隅部は、外力により欠けや変形が生じやすい。しかし、第1金属膜80および第2金属膜90を離間して配置することで、発光装置100の隅部に上記の外力が生じたとしても、その外力が第1金属膜80および第2金属膜90に影響を及ぼす可能性を低減することができる。第1金属膜80および第2金属膜90は、図3Aで示すように双方が第1側面101と下面100bとの接続部分から離間していてもよく、図3Bで示すように一方のみが第1側面101と下面100bとの接続部分から離間していてもよい。第1側面101と下面100bとの接続部分における第1金属膜80と第2金属膜90との離間距離は、例えば、溶融前におけるブロック状の接合部材(例えば半田)の厚みに対して半分以下とすることができる。また、第1金属膜80および第2金属膜90は、お互いに重なる部分を有していてもよい。
第1金属膜80および第2金属膜90は、ALD、CVD、スパッタ、めっき、導電性ペースト、蒸着等により形成することができる。また、第1金属膜80および第2金属膜90は、Ru、Mo、Ta等の高融点の金属を含むことが好ましい。これにより、第1金属膜等の耐熱性を効果的に向上させることができる。また、第1金属膜80および第2金属膜90を複数の金属層から構成し、これらの高融点の金属を、第1金属膜80等の最表面の層の内側に設けることで、半田に含まれるSnが発光装置内に拡散していくことを低減することができる。第1金属膜80および第2金属膜90は、例えば、Ni/Ru/Au、Ti/Pt/Au等の積層構造とすることができる。また、Ru等の高融点の金属を含む金属層の厚みとしては、10Å~1000Å程度が好ましい。
また、発光装置100の内部構造の例を、図4Aおよび図4Bに示す。図4Aは図2A中の4A-4A線における模式的端面図であり、図4Bは図2A中の4B-4B線における模式的端面図である。図4Aおよび図4Bで示す発光装置100は、発光素子20と、発光素子20の上面上に配置された透光性部材50と、発光素子20の側面に配置された導光部材40と、導光部材40の外面を覆う光反射性部材30とを備える。透光性部材50は、波長変換粒子を含む波長変換層50a、波長変換粒子を含む波長変換層50bおよび波長変換粒子を実質的に含有しない透明層50cを備えている。
発光装置100は、第1電極20aおよび第2電極20bを有する発光素子20を備える。図4Aおよび図4Bで示す発光装置100では、発光素子20は一の面に第1電極20aおよび第2電極20bを有し、第1電極20aおよび第2電極20bの下面は一対の第1金属膜80の上面と接合している。換言すると、発光素子20は、第1電極20aおよび第2電極20bの下面と一対の第1金属膜80の上面とが対向するように配置されている。発光素子20は、成長基板20cと半導体積層体20dとを備えることができる。
導光部材40は、発光素子20の側面を被覆し、発光素子20の側面から出射される光を発光装置100の上面方向に導光する。発光素子20の側面に導光部材40を配置することで、発光素子20の側面に到達した光の一部が該側面で反射され発光素子20内で減衰することを抑制することができる。図4Aおよび図4Bで示す発光装置100では、導光部材40は、発光素子20の側面に加えて上面も被覆している。導光部材40は、例えば、樹脂材料を母材として含む部材である。樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの透光性の樹脂を好適に用いることができる。なお、導光部材40は、光の透過率が高いことが好ましい。そのため、導光部材40は、光を反射、吸収又は散乱する物質は有していないことが好ましい。導光部材40は、光反射性部材30よりも発光素子20からの光の透過率が高い部材が選択される。
光反射性部材30は、発光装置100の外表面を構成する。図4Aおよび図4Bで示す発光装置100では、光反射性部材30は、上面100a、下面100b、第1側面101、第2側面102、第3側面103および第4側面104の何れの外表面にも位置している。また、光反射性部材30は、発光素子20の側面に設けられた導光部材40の外面と、発光素子20の側面の一部とを被覆している。光反射性部材30が発光素子20の側方に位置することで、発光素子20から発光素子20の側方に進む光を光反射性部材30で反射することができ、上方向に効率的に光を取り出すことができる。光反射性部材30は、発光素子20の下面も被覆することが好ましい。これにより、例えば、発光素子20から下方に出射される光を上方に反射させることができる。また、発光素子20の下面を光反射性部材30が被覆することで、発光素子20と光反射性部材30との密着強度を向上させることができる。
光反射性部材30は、例えば、導光部材40と発光素子20との熱膨張率差(これを「第1の熱膨張率差ΔT30」と称する)と、光反射性部材30と発光素子20との熱膨張率差(これを「第2の熱膨張率差ΔT40」と称する)とを比較したときに、ΔT40<ΔT30となるように、光反射性部材30の材料を選択することが好ましい。これにより、導光部材40が発光素子20から剥離することを抑制することができる。
発光装置100は、発光素子20の上面上に透光性部材50を備えることができる。発光素子20の上面上に透光性部材50を配置することで、外部応力から発光素子20を保護することができる。発光装置100が透光性部材50を備える場合は、透光性部材50の側面は、光反射性部材30に被覆されることが好ましい。これにより、発光領域と非発光領域とのコントラストが高い、所謂「見切り性」の良好な発光装置とすることができる。
波長変換層50aおよび波長変換層50bは波長変換粒子を含む。波長変換粒子は、発光素子20が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を発する部材である。波長変換層50aおよび波長変換層50bが波長変換粒子を含有することで、発光素子20が発する一次光と、波長変換粒子が発する二次光とが混色された混色光を出力することができる。
波長変換粒子は波長変換層50a等に均一に分散させてもよく、また、波長変換層50a等の上面よりも発光素子20の近傍に波長変換粒子を偏在させてもよい。波長変換層50a等の上面よりも発光素子20の近傍に波長変換粒子を偏在させることで、水分に弱い波長変換粒子の水分による劣化を容易に抑制することができる。水分に弱い波長変換粒子としては、例えばマンガン賦活フッ化物系蛍光体を挙げることができる。マンガン賦活フッ化物系蛍光体は、スペクトル線幅の比較的狭い発光が得られるため、色再現性の観点において好ましい蛍光体である。波長変換粒子は、1種の波長変換粒子であってもよく、また複数種の波長変換粒子であってもよい。
例えば、波長変換層50aはマンガン賦活フッ化物系蛍光体を含有し、波長変換層50bはβサイアロン系蛍光体を含有することができる。なお、波長変換層は単層でもよく、単層の波長変換層にマンガン賦活フッ化物系蛍光体およびβサイアロン系蛍光体が含有されてもよい。
図5Aは実装基板500上に発光装置100が配置された光源装置800を上面側(発光装置100の第2側面102側)から見たときの模式的上面図であり、図5Bは光源装置800を正面側(発光装置100の上面100a側)から見たときの模式的正面図であり、図5Cは光源装置800を側面側(発光装置100の第4側面104側)から見たときの模式的側面図である。図5Bおよび図5Cにおいて、接合部材6および接着部材7にはハッチングを施している。発光装置100は、第1側面101が実装面となるように実装基板500上に実装されている。
実装基板500は、基材と基材上に形成される配線パターンとを有する。実装基板500は、例えば、長手方向および短手方向を有する長尺状の部材である。実装基板500上には、複数の発光装置100を配置することができ、複数の発光装置100は、好適には実装基板500の長手方向に沿って実装基板500上に配置される。
発光装置100と実装基板500とは、接合部材6により主に接合される。接合部材6は、導電性を有し、半田等の部材が用いられる。また、発光装置100と実装基板500とは、接合部材6とは別に、さらに接着部材7を用いて接合することができる。図5Bで示す光源装置800では、接着部材7は、発光装置100の第1側面101(底面101)と実装基板500の上面とを接合している。接合部材6に加えて接着部材7を用いることで、発光装置100と実装基板500との接合強度をより強固にすることができる。
発光装置100の第1側面101(底面101)において、接着部材7が接する領域は、一の接合部材と他の接合部材との間に位置することが好ましい。これにより、接着部材7として絶縁性の接着材料を用いた場合に、例えば、一の接合部材6と他の接合部材6とが意図せず接することを抑制することができる。つまり、発光装置100の第1側面101(底面101)において、2つの接合部材6の間に絶縁性の接着部材7を配置することで、各端子の電気的な短絡を容易に抑制することができる。また、接着部材7が接合部材6よりも外側に位置しないことで、接着部材7が第3側面103および第4側面104の外側に流れ込むことを抑制することができる。特に、接着部材7となる材料の粘度が接合部材6となる材料の粘度よりも低い場合に特に有用である。これにより、接着部材7等を含んだ発光装置100の実装面積を小さくすることができる。
接着部材7は、例えば、エポキシ樹脂を用いることができる。これにより、例えば、光反射性部材30の母材となる樹脂材料としてエポキシ樹脂を用いることで、接着部材7と発光装置100との接合強度を高くすることができる。発光装置100の第1側面101(底面101)において、接着部材7は光反射性部材30のみと接していてよい。
以下、本発明の一実施形態に係る発光装置100および光源装置800の各構成要素について説明する。
(第1金属膜80、第2金属膜90)
第1金属膜80および第2金属膜90は、発光装置100の外部電極として機能する。第1金属膜80は発光装置100の下面100bに位置し、第2金属膜90は発光装置100の第1側面101に位置する。
第1金属膜80および第2金属膜90は、例えば、耐腐食性や耐酸化性に優れたものを用いることが好ましい。例えば、第1金属膜80および第2金属膜90の最表面の層は、金や白金等の白金族元素の金属を用いることができる。特に、第1金属膜80等の最表面は、はんだ付け性の良好な金であることが好ましい。
第1金属膜80および第2金属膜90は単一の材料の一層のみで構成されてもよく、異なる材料の層が積層されて構成されていてもよい。第1金属膜80および第2金属膜90は、金、銀、錫、白金、ロジウム、チタン、ルテニウム、モリブデン、タンタル、アルミニウム、タングステン、パラジウム、ニッケル又はこれらの合金を含む層で構成することができる。
第1金属膜80および第2金属膜90の平面形状は、矩形状、円形状、楕円形状、またはこれらの形状の組み合わせとすることができる。また、第1金属膜80および第2金属膜90の外縁は、直線、曲線または直線と曲線を組み合わせた形状とすることができる。第1金属膜80および第2金属膜90の平面形状は、例えば、L字状やT字状とすることができる。また、一対の第1金属膜80のうち、一方の第1金属膜80の平面形状と他方の第1金属膜80の平面形状とは異なっていてもよい。それぞれの金属膜の平面形状を異ならせることで、発光装置100の極性を認識させることができる。一対の第2金属膜90についても同様である。
第1金属膜80の厚みと第2金属膜90の厚みとは、同じでもよく、異なっていてもよい。第2金属膜90の厚みが第1金属膜80の厚みよりも厚い場合、発光素子20が発する熱を第2金属膜90を介して実装基板側に効率的に放熱することができる。第1金属膜80の厚みが第2金属膜90の厚みよりも厚い場合、発光素子20が発する熱を第1金属膜80を介して外側に効率的に放熱することができる。第1金属膜80および第2金属膜90の厚みは、例えば、0.03μm~0.1μmであり、0.05μm~0.08μmであることが好ましい。
また、第1金属膜80と第2金属膜90は、同じ材料から構成されてもよく、異なる材料から構成されてもよい。例えば、第2金属膜90として、第1金属膜80に比べて半田等の接合部材に対して濡れ性の高い材料を用いることができる。これにより、第2金属膜90と接合部材との接合強度は、第1金属膜80と接合部材との接合強度よりも高くなりやすい。その結果、発光装置100が接合部材により第1金属膜80側に引っ張られて傾倒してしまう可能性を低減することができる。
第1金属膜80および第2金属膜90は、同じ工程で形成されてもよく、異なる工程で形成されてもよい。例えば、第1金属膜80をスパッタ等で形成した後に、第2金属膜90をスパッタ等で形成してもよい。この場合、第2金属膜90は、第1金属膜80の一部と重なるように形成することができる。これにより、半田等の接合部材を用いて発光装置100を実装基板上に実装する際に、第1金属膜80と第2金属膜90との接続部分の半田濡れ性が良好となり、また第1金属膜80と第2金属膜90との間に気泡が生じる可能性を低減することができる。また、発光素子20が発する熱を効率的に放熱することができる。
第1金属膜80および第2金属膜90は、同じ工程で形成してもよい。第1金属膜80および第2金属膜90をスパッタ等により同時に形成することで、金属膜の形成工程が簡易になる。図6では、第1金属膜80および第2金属膜90をスパッタにより形成する場合の模式的側面図を示す。図6では、下面100b側(背面100b側)からスパッタが行われ、下面100bに第1金属膜80が形成され、それと同時に第1側面101に第2金属膜90が形成されている。これにより、第1金属膜80および第2金属膜90を同時に形成しつつ、下面100bにおいて第1金属膜80を形成することができる。第2金属膜90は、例えば、第1側面101のうち上端(第1側面101と下面100bとを接続する角部)から離れた部分が上端よりも薄くなるように形成してよい。第2金属膜90が斜面を有することで、第2金属膜90が略同じ膜厚である場合に比べて第2金属膜90の表面積が増え、接合部材と第2金属膜90との接合強度を向上させることができる。その結果、発光装置100が接合部材により第1金属膜80側に引っ張られて傾倒してしまう可能性を低減することができる。なお、第1側面101側からスパッタを行い、第1側面101に第2金属膜90を形成し、それと同時に下面100bに第1金属膜80を形成してもよい。
(発光素子20)
発光素子20は、例えばLEDチップである。発光素子20は、例えば、紫外~可視域の発光が可能な窒化物半導体(InAlGa1-x-yN、0≦x、0≦y、x+y≦1)を含む半導体積層構造を有し得る。発光素子20の発光ピーク波長は、発光装置の発光効率、波長変換粒子の励起スペクトル及び混色性等を考慮して、400nm以上530nm以下が好ましく、420nm以上490nm以下がより好ましく、450nm以上475nm以下がさらに好ましい。
発光素子は1つでもよく、2つ以上でもよい。発光素子が複数ある場合は、複数の発光素子は、例えば、青色光を出射する複数の青色発光素子、青色光、緑色光および赤色光をそれぞれ出射する3つの発光素子、または、青色光を出射する発光素子と緑色光を出射する発光素子とを組み合わせたものを用いることができる。発光装置100を液晶表示装置等の光源として用いる場合、発光素子として、青色光を出射する1つの発光素子、青色光を出射する2つの発光素子、青色光を出射する3つ以上の発光素子、または、青色光を出射する発光素子と緑色光を出射する発光素子とを組み合わせたものを用いることが好ましい。青色光を出射する発光素子と緑色光を出射する発光素子は、いずれも半値幅が40nm以下の発光素子を用いることが好ましく、半値幅が30nm以下の発光素子を用いることがより好ましい。これにより、青色光および緑色光が容易に鋭いピークを持つことができる。その結果、例えば、発光装置を液晶表示装置等の光源として用いる場合、液晶表示装置は高い色再現性を達成することができる。また、複数の発光素子は、直列、並列、または直列と並列を組み合わせた接続方法で電気的に接続することができる。
発光素子20の平面形状は、特に限定されないが、正方形状や一方向に長い長方形状とすることができる。また、発光素子20の平面形状として、六角形状やその他の多角形状としてもよい。発光素子20は、一対の正負電極を有する。正負電極は、金、銀、錫、白金、ロジウム、チタン、アルミニウム、タングステン、パラジウム、ニッケル又はこれらの合金で構成することができる。発光素子20の側面は、発光素子20の上面に対して垂直であってもよいし、内側又は外側に傾斜していてもよい。
(透光性部材50)
透光性部材50は発光素子20上に設けられ、発光素子20を保護する部材である。透光性部材50は、単層であってもよく多層であってもよい。透光性部材50が複数の層を有する場合、各層の母材は同じであってもよく、異なっていてもよい。
透光性部材50の母材としては、発光素子20の光に対して透光性を有するものが用いられる。本明細書において透光性を有するとは、発光素子20の発光ピーク波長における光透過率が、60%以上であることを指し、好ましくは70%以上であり、より好ましくは80%以上である。透光性部材50の母材は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂を用いることができる。また、透光性部材50の母材はガラスであってもよい。特に、シリコーン樹脂及びエポキシ樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れるため好適に用いられる。シリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル-メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂などが挙げられる。なお、本明細書における変性樹脂とは、ハイブリッド樹脂を含む。
透光性部材50は、光拡散粒子を含有していてもよい。光拡散粒子としては、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛などが挙げられる。光拡散粒子は、これらのうちの1種を単独で、又はこれらのうちの2種以上を組み合わせて用いることができる。特に、光拡散粒子として、線膨張係数の小さい酸化珪素を用いることが好ましい。また、光拡散粒子として、ナノ粒子を用いることが好ましい。これにより、発光素子が発する光の散乱が増大し、波長変換粒子の使用量を低減することができる。なお、ナノ粒子とは粒径が1nm以上100nm以下の粒子のことをいう。また、本明細書における粒径とは、主にD50で定義される。
透光性部材50は、波長変換粒子を含むことができる。波長変換粒子は、発光素子が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を発する部材である。波長変換粒子は、以下に示す蛍光体のうちの1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
波長変換粒子としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばY(Al,Ga)12:Ce)、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばLu(Al,Ga)12:Ce)、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばTb(Al,Ga)12:Ce)、シリケート系蛍光体(例えば(Ba,Sr)SiO:Eu)、クロロシリケート系蛍光体(例えばCaMg(SiOCl:Eu)、βサイアロン系蛍光体(例えばSi6-zAl8-z:Eu(0<z<4.2))、SGS系蛍光体(例えばSrGa:Eu)、アルカリ土類アルミネート系蛍光体(例えば(Ba,Sr,Ca)MgAl1017-x:Eu,Mn)、αサイアロン系蛍光体(例えばM(Si,Al)12(O,N)16(但し、0<z≦2であり、MはLi、Mg、Ca、Y、及びLaとCeを除くランタニド元素)、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体(例えば(Sr,Ca)AlSiN:Eu)、マンガン賦活フッ化物系蛍光体(一般式(I)A[M1-aMn]で表される蛍光体(但し、上記一般式(I)中、Aは、K、Li、Na、Rb、Cs及びNHからなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2を満たす))が挙げられる。イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、Yの一部をGdで置換することで発光ピーク波長を長波長側にシフトさせることができる。また、マンガン賦活フッ化物系蛍光体の代表例としては、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体(例えばKSiF:Mn)が挙げられる。
また、透光性部材50は、波長変換粒子と例えばアルミナなどの無機物との焼結体、又は波長変換粒子の板状結晶であってもよい。
透光性部材50は、波長変換粒子を含む波長変換層と、波長変換粒子を実質的に含有しない透明層を備えることができる。波長変換層の上面上に透明層を備えることで、透明層が保護層として機能を果たし波長変換層内の波長変換粒子の劣化を抑制することができる。なお、波長変換粒子を実質的に含有しないとは、波長変換粒子が不可避的に混入することを排除しないことを意味し、波長変換粒子の含有率は例えば0.05重量%以下である。
(光反射性部材30)
光反射性部材30は、発光装置100の上面方向への光取り出し効率の観点から、発光素子20の発光ピーク波長における光反射率が、70%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましく、90%以上であることがさらに好ましい。さらに、光反射性部材30は、白色であることが好ましい。光反射性部材30は、母材となる樹脂材料に光反射性物質を含有することができる。光反射性部材30は、液体状の樹脂材料を固体化することにより得ることができる。光反射性部材30は、トランスファ成形、射出成形、圧縮成形またはポッティング法などにより形成することができる。
光反射性部材30は、母材として樹脂材料を含むことができる。母材となる樹脂材料は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂などの変性エポキシ樹脂、エポキシ変性シリコーン樹脂などの変性シリコーン樹脂、変成シリコーン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、変性ポリイミド樹脂、ポリフタルアミド(PPA)、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、PBT樹脂等の樹脂を用いることができる。特に、光反射性部材30の樹脂材料として、耐熱性および耐光性に優れたエポキシ樹脂やシリコーン樹脂の熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。
光反射性部材30は、上記の母材となる樹脂材料に、光反射性物質を含有することが好ましい。光反射性物質としては、発光素子からの光を吸収しにくく、且つ、母材となる樹脂材料に対して屈折率差の大きい部材を用いることが好ましい。このような光反射性物質は、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等である。
(導光部材40)
導光部材40は、発光素子20の側面を被覆し、発光素子20の側面から出射される光を発光装置の上面方向に導光する。つまり、発光素子20の側面に到達した光の一部は側面で反射され発光素子20内で減衰するが、導光部材40はその光を導光部材40内に導光し発光素子20の外側に取り出すことができる。導光部材40は、光反射性部材30で例示した樹脂材料を用いることができる。特に、導光部材40として、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性の透光性樹脂を用いることが好ましい。なお、導光部材40は、光の透過率が高いことが好ましい。そのため、通常は、導光部材40に、光を反射、吸収又は散乱する添加物は実質的に含有しないことが好ましい。添加物を実質的に含有しないとは、添加物が不可避的に混入することを排除しないことを意味する。なお、導光部材40は、上述の透光性部材50と同様の光拡散粒子及び/又は波長変換粒子を含有してもよい。
光反射性部材30、導光部材40および透光性部材50は、母材となる樹脂材料としてエポキシ樹脂を選択することができる。固体化した際にシリコーン樹脂よりも強度の高いエポキシ樹脂を選択することで、発光装置100の強度を向上させることができる。また、各部材の母材を同一種の樹脂材料で形成することで、各部材の密着強度を向上させることができる。また、接着部材7としてエポキシ樹脂を選択した場合、接着部材7と光反射性部材30等との接合強度を向上させることができる。
(実装基板500)
実装基板500は、ガラスエポキシ樹脂、セラミック又はポリイミドなどからなる板状の母材を備えている。また、実装基板500は、母材上に、銅、金、銀、ニッケル、パラジウム、タングステン、クロム、チタン、又はこれらの合金などからなるランド部や配線パターンを備えている。ランド部や配線パターンは例えばメッキ、積層圧着、貼り付け、スパッタ、蒸着、エッチングなどの方法を用いて形成される。
(接合部材6、接着部材7)
接合部材6は、当該分野で公知の材料のいずれをも用いることができる。具体的には、接合部材6は、例えば、錫-ビスマス系、錫-銅系、錫-銀系、金-錫系等の半田(具体的には、AgとCuとSnとを主成分とする合金、CuとSnとを主成分とする合金、BiとSnとを主成分とする合金等)、共晶合金(AuとSnとを主成分とする合金、AuとSiとを主成分とする合金、AuとGeとを主成分とする合金等)、銀、金、パラジウム等の導電性ペースト、バンプ、異方性導電材、低融点金属等のろう材等が挙げられる。接着部材7は、例えば、透光性部材50で列挙したエポキシ樹脂等の樹脂材料や接合部材6で列挙した部材を用いることができる。接合部材6および接着部材7は、同一の部材であってもよく、別の部材であってもよい。接合部材6および接着部材7が異なる部材である場合、接合部材6は導電性の材料である半田を選択し、接着部材7はエポキシ樹脂等の樹脂材料を選択することができる。
(変形例)
図7Aは変形例にかかる発光装置200の模式的上面図であり、図7Bは第1側面101側から発光装置200を見たときの模式的側面図である。図7Aおよび図7Bで示すように、実装面となる第1側面101において、光反射性部材30は凹部2を有し、第2金属膜90は窪み3を有している。窪み3は、半田等の接合部材を用いて発光装置200を実装基板上に実装する際、接合部材がその内側に入り込み、発光装置200の接合強度を向上させる役割を持つ。第1側面101に凹部2を形成し、凹部2内に第2金属膜90を配置することで、第2金属膜90と光反射性部材30との密着面積を増加させることができる。これにより、第2金属膜90と光反射性部材30との密着強度を向上させることができる。また、スパッタ等で第2金属膜90を形成する場合に、第2金属膜90の外表面に窪み3を容易に形成することができる。第2金属膜90の外表面に窪み3があると、第2金属膜90と接合部材との接合面積が増加し、第2金属膜90と接合部材との接合強度が向上する。換言すると、実装面となる第1側面101に窪み3を形成することで、半田等の接合部材を用いて発光装置200を実装基板上に実装する際、発光装置200と実装基板との接合強度が向上する。
なお、発光装置200は、凹部2および窪み3の一方のみを備えることができる。例えば、凹部2を有さない光反射性部材30の平坦な表面に、スパッタまたはめっき法等により膜厚を変化させることで窪み3を有する第2金属膜90を形成することができる。また、光反射性部材30の凹部2内に第2金属膜90を配置させ、第1側面101において光反射性部材30の表面と第2金属膜90の表面とを略同一面になるようにしてもよい。これにより、凹部2内に膜厚の厚い第2金属膜90を配置しやすくなり、発光装置200の放熱性を向上させることができる。
図7Aおよび図7Bでは、凹部2および窪み3は、上面100aと、下面100bと、第3側面103または第4側面104とに開口している。また、第2金属膜90は、凹部2のすべてを被覆している。これにより、第2金属膜90と接合部材との接合面積が増加し、第2金属膜90と接合部材との接合強度が向上する。なお、凹部2および/または窪み3は、図7Cおよび図7Dで示すように、第3側面103または第4側面104に開口していなくてもよい。これにより、第3側面103および第4側面104よりも内側に位置する窪み3内に接合部材が配置されやすくなるため、第3側面103および第4側面104の外側に接合部材が流れていくことを抑制することができる。また、図7Eで示すように、凹部2および/または窪み3は、上面100aに開口していなくてもよい。これにより、上面100aよりも内側に位置する窪み3内に接合部材が配置されやすくなるため、上面100aの外側に接合部材が流れていくことを抑制することができる。
また、図8Aおよび図8Bで示すように、発光装置100の下面100b(背面100b)において、一対の第1金属膜80の間に極性を示す極性認識部61を形成することができる。これにより、一対の第1金属膜80のそれぞれおよび一対の第2金属膜90のそれぞれの極性を認識することができる。極性認識部61は、一対の第1金属膜80の間に位置する光反射性部材30の表面に直接形成したり、図8Aおよび図8Bで示すように一対の第1金属膜80の間にレジスト63を配置し、レジスト63の外表面に形成したりすることができる。極性認識部61は、凹部、凸部または凹部と凸部を組み合わせた形状とすることができる。図8Aおよび図8Bにおいて、レジスト63が形成されている領域にハッチングを施している。極性認識部61の平面形状は、各金属膜の極性が認識できれば種々の形状とすることができる。図8Aでは、極性認識部61の平面形状は、一方の第1金属膜80側に位置する短辺と他方の第1金属膜80側に位置する長辺とを有する台形形状となっている。図8Bでは、極性認識部61の平面形状は、一方の第1金属膜80側に位置する円弧または楕円弧と他方の第1金属膜80側に位置する直線部とを有する半円形状または半楕円形状となっている。
また、図4Aおよび図4Bでは、1つの発光素子20を備える場合の発光装置100を説明したが、図9Aおよび図9Bで示すように発光装置は2つ以上の発光素子20を備えていてもよい。図9Aは2つの発光素子20を備える場合の発光装置300の模式的上面図であり、図9Bは第1側面101側から発光装置300を見たときの模式的側面図である。発光装置300は、上面100aに2つの発光窓65を有し、各発光窓65の下方に発光素子20(外縁を破線で示す)がそれぞれ配置されている。発光装置が2つ以上の発光素子20を備えることで、明るい発光装置を提供することができる。2つ以上の発光素子20は、青色光を出射する複数の青色発光素子であってもよく、青色光、緑色光および赤色光をそれぞれ出射する3つの発光素子であってもよく、青色光を出射する発光素子と緑色光を出射する発光素子とを組み合わせたものであってもよい。
なお、2つ以上の発光素子20を備える発光装置において、第1金属膜80および第2金属膜90の配置および形状等は、発光装置100および発光装置200で説明をした配置および形状等とすることができる。
100 発光装置
200 発光装置
300 発光装置
500 実装基板
800 光源装置
2 凹部
3 窪み
6 接合部材
7 接着部材
80 第1金属膜
90 第2金属膜
100a 上面
100b 下面
101 第1側面
102 第2側面
103 第3側面
104 第4側面
20 発光素子
30 光反射性部材
40 導光部材
50 透光性部材
50a 波長変換層
50b 波長変換層
50c 透明層
61 極性認識部
63 レジスト
65 発光窓

Claims (4)

  1. 発光面となる上面と、前記上面の反対側に位置する下面と、前記上面と隣接し、前記上面と直交する第1側面とを有し、前記第1側面を実装面とする発光装置であって、
    前記発光装置は、
    前記下面に位置する一対の第1金属膜と、
    前記第1側面に位置する一対の第2金属膜と
    前記一対の第1金属膜の一方と接続された第1電極と、前記一対の第1金属膜の他方と接続された第2電極と、半導体積層構造とを有し、前記一対の第1金属膜の上に設けられた発光素子と、
    前記上面に設けられ、前記発光素子の上に位置する透光性部材と、
    前記発光素子及び前記透光性部材の側方に設けられ、前記下面及び前記第1側面に位置し、一部が前記発光素子と前記一対の第1金属膜との間に設けられ、前記下面において別の一部が前記一対の第1金属膜に覆われた光反射性部材と、
    を有し、
    前記第2金属膜の面積は、前記第1金属膜の面積よりも大きい、発光装置。
  2. 発光面となる上面と、前記上面の反対側に位置する下面と、前記上面と隣接し、前記上面と直交する第1側面と、前記第1側面の反対側に位置する第2側面とを有し、前記第1側面を実装面とする発光装置であって、
    前記発光装置は、
    前記下面に位置する一対の第1金属膜と、前記第1側面に位置する一対の第2金属膜とを有し、前記下面および前記第1側面において接合部材と接する金属膜と、
    前記一対の第1金属膜の一方と接続された第1電極と、前記一対の第1金属膜の他方と接続された第2電極と、半導体積層構造とを有し、前記一対の第1金属膜の上に設けられた発光素子と、
    前記上面に設けられ、前記発光素子の上に位置する透光性部材と、
    前記発光素子及び前記透光性部材の側方に設けられ、前記下面及び前記第1側面に位置し、一部が前記発光素子と前記一対の第1金属膜との間に設けられ、前記下面において別の一部が前記一対の第1金属膜に覆われた光反射性部材と、
    を有し、
    前記下面から前記上面に向かう方向における前記第2金属膜の長さは、前記第1側面から前記第2側面に向かう方向における前記第1金属膜の長さよりも長い、発光装置。
  3. 前記第1金属膜および前記第2金属膜は、連続して配置されている、請求項1または2に記載の発光装置。
  4. 前記第1金属膜および前記第2金属膜は、離隔して配置されている、請求項1または2に記載の発光装置。
JP2018190608A 2018-10-09 2018-10-09 発光装置 Active JP7022932B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018190608A JP7022932B2 (ja) 2018-10-09 2018-10-09 発光装置
US16/594,846 US10957834B2 (en) 2018-10-09 2019-10-07 Light-emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018190608A JP7022932B2 (ja) 2018-10-09 2018-10-09 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020061426A JP2020061426A (ja) 2020-04-16
JP7022932B2 true JP7022932B2 (ja) 2022-02-21

Family

ID=70052470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018190608A Active JP7022932B2 (ja) 2018-10-09 2018-10-09 発光装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10957834B2 (ja)
JP (1) JP7022932B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020136279A (ja) * 2019-02-12 2020-08-31 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012129272A (ja) 2010-12-14 2012-07-05 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2013110210A (ja) 2011-11-18 2013-06-06 Stanley Electric Co Ltd 半導体光学装置
JP2014107307A (ja) 2012-11-22 2014-06-09 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2015201605A (ja) 2014-04-10 2015-11-12 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US20160056350A1 (en) 2014-08-20 2016-02-25 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Led encapsulation structure
WO2016047417A1 (ja) 2014-09-24 2016-03-31 京セラ株式会社 電子モジュール
JP2017118098A (ja) 2015-12-21 2017-06-29 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2065940T3 (es) * 1989-05-31 1995-03-01 Siemens Ag Opto-componente montable en la superficie.
JP2002176184A (ja) 2000-12-11 2002-06-21 Rohm Co Ltd 赤外線データ通信モジュールおよびその製造方法
US6712529B2 (en) 2000-12-11 2004-03-30 Rohm Co., Ltd. Infrared data communication module and method of making the same
JP2002198572A (ja) 2000-12-27 2002-07-12 Rohm Co Ltd 赤外線データ通信モジュール、およびその製造方法
JP2002324916A (ja) 2001-04-24 2002-11-08 Rohm Co Ltd 赤外線データ通信モジュールおよびその製造方法
JP5482098B2 (ja) 2009-10-26 2014-04-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2013045842A (ja) 2011-08-23 2013-03-04 Sharp Corp 発光装置
JP5995695B2 (ja) 2012-12-03 2016-09-21 シチズンホールディングス株式会社 Led装置の製造方法
JP5708766B2 (ja) 2013-11-20 2015-04-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10199533B2 (en) 2015-12-21 2019-02-05 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device
JP6892261B2 (ja) 2016-12-22 2021-06-23 ローム株式会社 Ledパッケージ

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012129272A (ja) 2010-12-14 2012-07-05 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2013110210A (ja) 2011-11-18 2013-06-06 Stanley Electric Co Ltd 半導体光学装置
JP2014107307A (ja) 2012-11-22 2014-06-09 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2015201605A (ja) 2014-04-10 2015-11-12 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US20160056350A1 (en) 2014-08-20 2016-02-25 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Led encapsulation structure
WO2016047417A1 (ja) 2014-09-24 2016-03-31 京セラ株式会社 電子モジュール
JP2017118098A (ja) 2015-12-21 2017-06-29 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020136279A (ja) * 2019-02-12 2020-08-31 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP7223938B2 (ja) 2019-02-12 2023-02-17 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20200111940A1 (en) 2020-04-09
US10957834B2 (en) 2021-03-23
JP2020061426A (ja) 2020-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI766841B (zh) 發光裝置及其製造方法
JP7064129B2 (ja) 発光装置
US10276767B2 (en) Light emitting device
KR102498145B1 (ko) 발광 장치
KR102553755B1 (ko) 발광 장치
JP7208495B2 (ja) 光源装置
JP7022932B2 (ja) 発光装置
JP7144693B2 (ja) 発光装置
JP6326830B2 (ja) 発光装置及びそれを備える照明装置
JP6978697B2 (ja) 発光装置の製造方法
KR102255992B1 (ko) 발광 장치
JP7089159B2 (ja) 発光装置
JP2022007882A (ja) 発光装置
KR20200056934A (ko) 발광 장치의 제조 방법, 발광 장치 및 광원 장치
JP7132504B2 (ja) 発光装置
JP7393719B2 (ja) 発光装置
JP7295408B2 (ja) 発光装置の製造方法
CN111192944A (zh) 发光装置的制造方法
JP2020141062A (ja) 発光装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20190723

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200219

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210120

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210127

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210326

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210810

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210902

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220107

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220120

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7022932

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150