JP7089159B2 - 発光装置 - Google Patents

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Description

本発明は、発光装置に関する。
例えば特許文献１には、基板と、基板上に搭載されたＬＥＤチップと、ＬＥＤチップの上方の蛍光体層と、ＬＥＤチップを囲むダム材（第１反射部材）と、を有する発光装置が記載されている。
特開２０１４－０７２２１３号公報
本発明は、基板と第１反射部材の接合強度を向上させることができる発光装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る発光装置は、上面と、前記上面の反対側に位置する下面と、前記上面と前記下面の間に位置する側面と、前記上面及び前記側面に開口し、前記上面の外周を囲む凹部と、を有する基材と、前記上面に配置される第１配線と、を備える基板と、前記第１配線と電気的に接続され、前記第１配線上に載置される発光ピーク波長が４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満である第１発光素子と、前記第１配線と電気的に接続され、前記第１配線上に載置される発光ピーク波長が４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である第２発光素子と、前記第１発光素子、前記第２発光素子及び前記上面を被覆し、前記凹部から離間する導光部材と、前記凹部内に配置され、前記上面及び前記導光部材を囲み、前記導光部材と接する環状の第１反射部材と、を備え、前記基材の側面の少なくとも一部と、前記第１反射部材の外側面の少なくとも一部と、が面一である。
本発明に係る実施形態の発光装置によれば、基板と第１反射部材の接合強度を向上させることができる発光装置を提供することができる。
図１Ａは、実施形態１に係る発光装置の概略斜視図である。 図１Ｂは、実施形態１に係る発光装置の概略斜視図である。 図２Ａは、実施形態１に係る発光装置の概略上面図である。 図２Ｂは、図２ＡのＩＩＢ－ＩＩＢ線における概略断面図である。 図３は、実施形態１に係る基板の概略上面図である。 実施形態１に係る発光装置の変形例の概略断面図である。 実施形態１に係る発光装置の概略側面図である。 実施形態１に係る発光装置の概略側面図である。 実施形態１に係る発光装置の概略下面図である。 実施形態１に係る発光装置の変形例の概略断面図である。 実施形態２に係る発光装置の変形例の概略上面図である。 図１０は、図９のＸＡ－ＸＡ線における概略断面図である。 実施形態２に係る発光装置の概略下面図である。 実施形態２に係る発光装置の変形例の概略断面図である。
以下、発明の実施形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明する発光装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、一つの実施形態において説明する内容は、他の実施形態及び変形例にも適用可能である。さらに、図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。
＜実施形態１＞
本発明の実施形態１に係る発光装置１０００Ａ、１０００Ｂ、１０００Ｃを図１Ａから図８に基づいて説明する。発光装置１０００Ａは、基板１０と、第１発光素子２０Ａと、第２発光素子２０Ｂと、導光部材５０と、第１反射部材４０と、を備える。基板１０は、基材１１と、第１配線１２と、を備える。基材１１は、上面１１１と、上面１１１の反対側に位置する下面１１２と、上面１１１と下面１１２の間に位置する側面１１３と、を有する。更に、基材１１は、基材１１の上面１１１及び基材１１の側面１１３に開口し、基材１１の上面１１１の外周を囲む凹部１１５を備える。第１配線１２は、基材１１の上面１１１に配置される。第１発光素子２０Ａは、第１配線１２と電気的に接続され、第１配線１２上に載置される。第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長は４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満である。第２発光素子２０Ｂは、第１配線１２と電気的に接続され、第１配線１２上に載置される。第２発光素子２０Ｂの発光ピーク波長は４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である。導光部材５０は、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ及び基材１１の上面１１１を被覆し、基材１１の凹部１１５から離間する。第１反射部材４０は、上面視において環状であり、基材１１の凹部１１５内に配置され、基材１１の上面１１１及び導光部材５０を囲む。また、第１反射部材４０は、導光部材５０と接する。基材１１の側面１１３の少なくとも一部と、第１反射部材４０の外側面４１２の少なくとも一部と、が面一である。尚、本明細書において、面一とは、±５μｍ程度の変動は許容されることを意味する。
更に、基板１０は、基材１１の下面１１２と基材１１の側面１１３とに開口する窪み１６を備えていてもよい。更に、基板１０は、第２配線１３、第３配線１４及びビア１５を備えていてもよい。第２配線１３は、基材１１の下面１１２に配置される。第３配線１４は、基材１１の窪み１６の内壁を被覆し、第２配線１３と電気的に接続される。ビア１５は基材１１の上面１１１から下面１１２に貫通する孔内に設けられ、第１配線１２と第２配線１３を電気的に接続する。
第１反射部材４０は、基材１１の凹部１１５内に配置される。これにより、基材１１と、第１反射部材４０と、の接触面積が増えるので、基板１０と第１反射部材４０の接合強度を向上させることができる。導光部材は、基材の凹部から離間する。これにより、基材１１と、第１反射部材４０と、の接触面積が増えるので、基板１０と第１反射部材４０の接合強度を向上させることができる。第１反射部材４０は、基材１１の外周において一体に配置される。
図３に示すように、基材１１の凹部１１５は、基材１１の外周に配置される。つまり、基材１１の外周における厚みは、第１発光素子及び第２発光素子が載置される位置における基材の厚みよりも薄い。尚、基材の厚みとは、Ｚ方向における基材の厚みを意味する。Ｚ方向における凹部の深さは、５μｍ以上８０μｍ以下であることが好ましい。凹部の深さが５μｍ以上であることで、基材１１と、第１反射部材４０と、の接触面積を増やすことができる。凹部の深さが８０μｍ以下であることで、基材１１の強度が向上する。凹部の幅は、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。凹部の幅が１０μｍ以上であることで、基材１１と、第１反射部材４０と、の接触面積を増やすことができる。凹部の幅が５０μｍ以下であることで、基材１１の強度が向上する。尚、本明細書において、凹部の幅とは、上面視において、凹部の内周から外周までの最短距離を指す。Ｘ方向において、第１発光素子及び／又は第２発光素子が位置する部分の凹部の幅は同じであることが好ましい。Ｙ方向において、第１発光素子及び／又は第２発光素子が位置する部分の凹部の幅は同じであることが好ましい。このようにすることで、Ｘ方向及び／又はＹ方向における第１反射部材の幅を薄く設計しやすくなるので、発光装置を小型化することができる。凹部は、ブレードダイシングやレーザダイシング等によって形成することができる。尚、本明細書において、第１反射部材の幅とは、上面視において、第１反射部材の内側面４１１から外側面４１２までの最短距離を指す。
発光装置１０００Ａが、発光ピーク波長が４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満（青色領域の波長範囲）の範囲である第１発光素子と、発光ピーク波長が４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下（緑色領域の波長範囲）の範囲である第２発光素子と、を備えることで、発光装置の演色性を向上させることができる。例えば、図２Ｂに示すように、発光装置１０００Ａは、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ及び第３発光素子２０Ｃを備えていてもよい。Ｘ方向において、第１発光素子２０Ａと、第２発光素子２０Ｂと、第３発光素子２０Ｃと、が順に並んでいる場合には、第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長と第３発光素子２０Ｃの発光ピーク波長とが同じであることが好ましい。このようにすることで、例えば、第１発光素子２０Ａの出力が足りない場合に第３発光素子２０Ｃで補うことができる。また、第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長及び第３発光素子２０Ｃの発光ピーク波長と異なる発光ピーク波長を有する第２発光素子２０Ｂが、第１発光素子２０Ａと第３発光素子２０Ｃの間に位置することで、発光装置の演色性を高くし、且つ、第１発光素子２０Ａと、第３発光素子２０Ｃと、第２発光素子２０Ｂと、が順に並んでいる場合よりも色ムラを低減することができる。また、Ｘ方向において、第２発光素子２０Ｂと、第１発光素子２０Ａと、第３発光素子２０Ｃと、が順に並んでいる場合には、第２発光素子２０Ｂの発光ピーク波長と第３発光素子２０Ｃの発光ピーク波長とが同じであることが好ましい。このようにすることで、例えば、第２発光素子２０Ｂの出力が足りない場合に第３発光素子２０Ｃで補うことができる。尚、本明細書において、発光ピーク波長と同じとは±１０ｎｍ程度の変動は許容されることを意味する。
第１発光素子２０Ａは、第１素子光取り出し面２０１Ａと、第１素子光取り出し面の反対側にある第１素子電極形成面２０３Ａと、第１素子光取り出し面２０１Ａと第１素子電極形成面２０３Ａとの間にある第１素子側面２０２Ａと、第１素子電極形成面２０３Ａに一対の第１素子電極２１Ａ、２２Ａと、を備える。第１発光素子２０Ａは少なくとも第１素子半導体積層体２３Ａを含み、第１素子半導体積層体２３Ａには一対の第１素子電極２１Ａ、２２Ａが設けられている。なお、本実施形態では第１発光素子２０Ａは第１素子基板２４Ａを有するが、第１素子基板２４Ａは除去されていてもよい。第２発光素子２０Ｂは、第１発光素子２０Ａと同様に、第２素子光取り出し面２０１Ｂと、第２素子電極形成面２０３Ｂと、第２素子側面２０２Ｂと、一対の第２素子電極２１Ｂ、２２Ｂと、を備える。第２発光素子２０Ｂは、少なくとも第２素子半導体積層体２３Ｂを含んでいる。なお、本実施形態では第２発光素子２０Ａは第２素子基板２４Ｂを有するが、第２素子基板２４Ｂは除去されていてもよい。第３発光素子２０Ｃは、第１発光素子２０Ａと同様に、第３素子光取り出し面２０１Ｃと、第３素子電極形成面２０３Ｃと、第３素子側面２０２Ｃと、一対の第３素子電極と、を備える。第３発光素子２０Ｃは少なくとも第３素子半導体積層体を含んでいる。なお、本実施形態では第３発光素子２０Ｃは第３素子基板を有するが、第３素子基板は除去されていてもよい。第１素子光取り出し面２０１Ａを第１発光素子の上面と呼ぶことがある。第２素子光取り出し面２０１Ｂを第２発光素子の上面と呼ぶことがある。第３素子光取り出し面２０１Ｃを第３発光素子の上面と呼ぶことがある。第１素子電極形成面２０３Ａを第１発光素子の下面と呼ぶことがある。第２素子電極形成面２０３Ｂを第２発光素子の下面と呼ぶことがある。第３素子電極形成面２０３Ｃを第３発光素子の下面と呼ぶことがある。また、第１発光素子、第２発光素子及び／又は第３発光素子を発光素子２０と呼ぶことがある。
図２Ａに示すように、上面視において、第１素子光取り出し面及び第２素子光取り出し面が長方形の場合には、第１素子光取り出し面の短辺と、第２素子光取り出し面の短辺と、が対向することが好ましい。このようにすることで、Ｙ方向において発光装置１０００Ａを薄型化することができる。第２素子光取り出し面２０１Ｂ及び第３素子光取り出し面２０１Ｃが長方形の場合には、第２素子光取り出し面の短辺と、第３素子光取り出し面の短辺と、が対向することが好ましい。このようにすることで、Ｙ方向において発光装置１０００Ａを薄型化することができる。
図２Ｂに示すように、第１発光素子２０Ａの一対の第１素子電極２１Ａ、２２Ａと対応する位置に第１配線１２は凸部１２１を備えていることが好ましい。換言すると、上面視において、第１素子電極２１Ａ、２２Ａと重なる位置に第１配線１２は凸部１２１を備えていることが好ましい。第１配線１２が凸部１２１を備えることで、導電性接着部材６０を介して第１配線１２と、第１素子電極２１Ａ、２２Ａと、が接続する時に、セルフアライメント効果により第１発光素子と基板との位置合わせを容易に行うことができる。Ｚ方向における凸部１２１の厚みは１０μｍ以上３０μｍ以下が好ましい。尚、発光装置が第２発光素子２０Ｂ及び／又は第３発光素子２０Ｃを備える場合も同様に、発光素子の一対の電極と対応する位置に第１配線１２は凸部１２１を備えていることが好ましい。このようにすることで、セルフアライメント効果により発光素子と基板との位置合わせを容易に行うことができる。Ｘ方向及び／又はＹ方向における凸部１２１の幅は対向する発光素子の電極の大きさによって適宜変更してもよい。例えば、第１発光素子の第１素子電極２１Ａ、２２Ａと対応する凸部１２１のＸ方向の幅が、第２発光素子の第２素子電極２１Ｂ、２２Ｂと対応する凸部１２１のＸ方向の幅よりも短くてもよい。
導光部材５０は、第１発光素子、第２発光素子及び基材１１の上面１１１を被覆する。第１発光素子、第２発光素子が導光部材５０に被覆されることで、第１発光素子、第２発光素子を外部応力から保護することができる。発光装置が第３発光素子を備える場合には、導光部材は、第３発光素子を被覆する。導光部材５０は、発光素子２０の上面及び発光素子２０の側面を被覆することが好ましい。導光部材５０は、第１反射部材４０よりも発光素子２０からの光の透過率が高い。このため、導光部材５０が発光素子の上面及び発光素子の側面を被覆することで、導光部材５０を通して発光素子からの光を発光装置の外側に取り出しやすくなる。これにより、発光装置の光取り出し効率を高めることができる。
導光部材は、波長変換部材を含有してもよい。このようにすることで、発光装置の色調整が容易になる。波長変換部材は、発光素子２０が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を発する部材である。波長変換部材は導光部材中に均一に分散させてもよいし、導光部材の上面よりも基体の近傍に波長変換部材を偏在させてもよい。導光部材に含有する波長変換部材としては、例えば、発光ピーク波長が４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である緑色発光する波長変換部材や、発光ピーク波長が６１０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下である赤色発光する波長変換部材等を用いることができる。導光部材に含有する波長変換部材は１種類でもよく、複数の種類を含有させてもよい。例えば、緑色発光する波長変換部材と赤色発光する波長変換部材を導光部材に含有させてもよい。緑色発光する波長変換部材としては、例えば、βサイアロン系蛍光体（例えばＳｉ６－ｚＡｌｚＯｚＮ８－ｚ：Ｅｕ（０＜ｚ＜４．２）が挙げられる。赤色発光する波長変換部材としては、例えば、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体（例えばＫ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）が挙げられる。
発光装置１０００Ａは、導光部材を介して第１発光素子の上面及び第２発光素子の上面を被覆する透光性部材を備えることが好ましい。第１発光素子の上面及び第２発光素子の上面が透光性部材に被覆されることで、第１発光素子及び第２発光素子を外部応力から保護することができる。発光装置が、第３発光素子を備える場合には、透光性部材は、導光部材を介して第３発光素子の上面を被覆する。発光装置が透光性部材３０を備える場合には、透光性部材の側面は、第１反射部材４０に被覆されることが好ましい。このようにすることで、発光領域と非発光領域とのコントラストが高い、「見切り性」の良好な発光装置とすることができる。
透光性部材３０は波長変換部材を含有してもよい。このようにすることで、発光装置の色調整が容易になる。透光性部材に含有する波長変換部材の発光ピーク波長は、６１０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下（赤色領域の波長範囲）であることが好ましい。第１発光素子の発光ピーク波長が青色領域の波長範囲にあり、第２発光素子の発光ピーク波長が緑色領域の波長範囲にあるので、透光性部材に含有する波長変換部材の発光ピーク波長が赤色領域の波長範囲にあることで発光装置の演色性が向上する。透光性部材に含有する波長変換部材は１種類でもよく、複数の種類を含有させてもよい。例えば、緑色発光する波長変換部材と赤色発光する波長変換部材を透光性部材に含有させてもよい。透光性部材が緑色発光する波長変換部材を備えることで、発光装置の色調整が容易になる。緑色発光する波長変換部材としては、例えば、βサイアロン系蛍光体（例えばＳｉ６－ｚＡｌｚＯｚＮ８－ｚ：Ｅｕ（０＜ｚ＜４．２）が挙げられる。赤色発光する波長変換部材としては、例えば、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体（例えばＫ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）が挙げられる。
波長変換部材は透光性部材中に均一に分散させてもよいし、透光性部材の上面よりも発光素子の近傍に波長変換部材を偏在させてもよい。透光性部材の上面よりも発光素子の近傍に波長変換部材を偏在させることで、水分に弱い波長変換部材を使用しても透光性部材の母材が保護層としても機能を果たすので波長変換部材の劣化を抑制できる。また、透光性部材が波長変換部材を含有する層と、波長変換部材を実質的に含有しない層と、を備えていてもよい。Ｚ方向において、波長変換部材を実質的に含有しない層は、波長変換部材を含有する層よりも上側に位置する。このようにすることで、波長変換部材を実質的に含有しない層が保護層としても機能を果たすので波長変換部材の劣化を抑制できる。水分に弱い波長変換部材としては、例えばマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体が挙げられる。マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体は、スペクトル線幅の比較的狭い発光が得られ色再現性の観点において好ましい部材である。「波長変換部材を実質的に含有しない」とは、不可避的に混入する波長変換部材を排除しないことを意味し、波長変換部材の含有率が０．０５重量％以下であることが好ましい。
図２Ｂに示すように、透光性部材３０は、第１拡散層３１Ａと、第１拡散層３１Ａ上に配置される透光層３１Ｂと、透光層３１Ｂ上に配置される波長変換層３１Ｃ、波長変換層上に配置される第２拡散層３１Ｄと、を備えていることが好ましい。第１拡散層３１Ａは、母材と、拡散部材と、を含んでいる。透光層３１Ｂは、母材を含んでおり、実質的に波長変換部材及び拡散粒子を含んでいない。波長変換層３１Ｃは、母材と、波長変換部材と、を含んでいる。第２拡散層３１Ｄは、母材と、拡散部材と、を含んでいる。尚、「実質的に波長変換部材及び拡散部材を含んでいない」とは、不可避的に混入する波長変換部材及び拡散部材を排除しないことを意味し、波長変換部材及び拡散部材のそれぞれの含有率が０．０５重量％以下であることが好ましい。第１拡散層３１Ａ、透光層３１Ｂ、波長変換層３１Ｃ及び第２拡散層３１Ｄの母材は異なる材料でもよく、同じ材料でもよい。第１拡散層３１Ａ、透光層３１Ｂ、波長変換層３１Ｃ及び第２拡散層３１Ｄの母材が同じ材料であることで各層の接合強度が向上する。第１拡散層３１Ａ、透光層３１Ｂ、波長変換層３１及び第２拡散層３１Ｄの母材としては、例えば、シリコーン樹脂が挙げられる。
透光性部材が、第１拡散層及び第２拡散層を備えることで、第１発光素子及び第２発光素子からの光が第１拡散層及び第２拡散層により拡散される。これにより、第１発光素子及び第２発光素子からの光を透光性部材及び／又は導光部材内で混ぜることができるので発光装置１０００Ａの色ムラを低減することができる。
第１拡散層と波長変換層との間に透光層が位置することで、第１拡散層と波長変換層との剥がれを抑制することができる。第１拡散層と波長変換層との間に実質的に波長変換部材及び拡散粒子を含んでいない透光層が位置することで、透光層が接着剤の役割を果たし、第１拡散層と波長変換層の剥がれを抑制することができる。尚、透光層は、波長変換層と第２拡散層との間に位置してもよい。このようにすることで、波長変換層と第２拡散層との剥がれを抑制することができる。
透光性部材の波長変換層は単層でもよく、複数の層でもよい。例えば、図４に示す発光装置１０００Ｂのように、透光性部材３０が、第１波長変換層３１１Ｂと、第１波長変換層３１１Ｂを被覆する第２波長変換層３１２Ｂと、を備えていてもよい。第２波長変換層３１２Ｂは、第１波長変換層３１１Ｂを直接被覆してもよく、透光層等の別の層を介して第１波長変換層３１１Ｂを被覆してもよい。尚、第１波長変換層３１１Ｂは、第２波長変換層３１２Ｂよりも第１発光素子の上面及び第２発光素子の上面から近い位置に配置される。第１波長変換層３１１Ｂに含有される波長変換部材の発光ピーク波長は、第２波長変換層３１２Ｂに含有される波長変換部材の発光ピーク波長よりも短いことが好ましい。このようにすることで、第１発光素子及び／又は第２発光素子に励起された第１波長変換層からの光によって、第２波長変換層３１２Ｂの波長変換部材を励起することができる。これにより、第２波長変換層３１２Ｂの波長変換部材からの光を増加させることができる。
第１波長変換層３１１Ｂに含有される波長変換部材の発光ピーク波長は、５００ｎｍ以上５７０ｎｍ以下であり、第２波長変換層３１２Ｂに含有される波長変換部材の発光ピーク波長は、６１０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下であることが好ましい。このようにすることで、演色性の高い発光装置とすることができる。例えば、第１波長変換層３１１Ｂに含有される波長変換部材としてβサイアロン系蛍光体が挙げられ、第２波長変換層３１２Ｂに含有される波長変換部材としてマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体が挙げられる。第２波長変換層３１２Ｂに含有される波長変換部材としてマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体を用いる場合には、特に、透光性部材３０が、第１波長変換層３１１Ｂと、第２波長変換層３１２Ｂと、備えることが好ましい。マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体は輝度飽和を起こしやすいが、第２波長変換層３１２Ｂと発光素子との間に第１波長変換層３１１Ｂが位置することで発光素子からの光が過度にマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体に照射されることを抑制することができる。これにより、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体の劣化を抑制することができる。
図２Ａに示すように、第１反射部材４０は、上面視において環状であり、基材の上面及び導光部材を囲む。第１反射部材４０が、導光部材を囲むことにより、発光素子２０からＸ方向及び／又はＹ方向に進む光を第１反射部材が反射しＺ方向に進む光を増加させることができる。また、第１反射部材が基材の上面を囲むことにより、基材の上面が第１反射部材から露出されるので、上面視における導光部材の面積を大きくすることができる。これにより、発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。また、第１反射部材は、導光部材と接する。これにより、上面視における導光部材の面積を大きくすることができるので、発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。
第１反射部材として、母材中に白色顔料を含有した部材を用いることができる。第１反射部材の母材は、透光性部材の母材と同じ材料であることが好ましい。このようにすることで、第１反射部材と透光性部材の接合強度を向上させることができる。また、第１反射部材の母材と透光性部材の母材と導光材部材の母材が同じ材料であることが好ましい。このようにすることで、第１反射部材、透光性部材及び導光部材の接合強度を向上させることができる。第１反射部材の母材と導光材部材の母材が同じ材料であることで、第１反射部材、導光部材及び基板の接合強度を向上させることができる。
上面視において、第１反射部材の幅は、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。第１反射部材の幅が５０μｍ以下であることで発光装置を小型化できる。また、第１反射部材の幅が１０μｍ以上であることで発光素子からの光が第１反射部材を透過することを抑制することができる。
上面視において、第１反射部材と凹部は同じ形状であることが好ましい。このようにすることで、Ｘ方向及び／又はＹ方向における第１反射部材の幅を薄く設計しやすくなるので、発光装置を小型化することができる。尚、本明細書において、同じ形状とは、±５μｍ程度の変動は許容されることを意味する。
第１反射部材の形成方法としては、例えば、第１発光素子、第２発光素子及び基材の上面を被覆する導光部材を形成した後に、基材の一部及び導光部材をブレードダイシングによって除去し、除去することにより形成された凹部に第１反射部材を充填することにより形成することができる。
基板が長方形である場合には、第１反射部材４０は、長辺側の第１反射部４０１と、短辺側の第２反射部４０２と、を備える。例えば、第１反射部４０１の幅及び第２反射部４０２の幅が同じ長さでもよく、第１反射部４０１の幅が第２反射部４０２の幅よりも長くてもよい。第１反射部４０１の幅が第２反射部４０２の幅よりも長い場合には、長辺側の第１反射部の強度を向上させることができる。
基材１１の側面１１３の少なくとも一部と、第１反射部材４０の外側面４１２の少なくとも一部と、が面一である。このようにすることで、発光装置を小型化することができる。図５及び図６に示すように、基板が長方形である場合には、基材１１の側面１１３と、第１反射部の外側面４１２と、が面一であり、基材１１の側面１１３と、第２反射部の外側面４１２と、が面一であることが好ましい。このようにすることで、更に、発光装置を小型化することができる。
基板１０がビア１５を備える場合には、図７に示すように、ビア１５は、下面視において円形状であることが好ましい。このようにすることで、ドリル等により容易に形成することができる。ビア１５が、下面視において円形状である場合には、ビアの直径は１００μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。ビアの直径が１００μｍ以上であることで発光装置の放熱性が向上し、ビアの直径が１５０μｍ以下であることで基板の強度低下が低減される。本明細書において、円形状とは真円のみならず、これに近い形（例えば、楕円形状や四角形の四隅が大きく円弧状に面取りされたような形状であっても良い）を含むものである。
ビア１５は、基材の貫通孔内に導電性材料が充填されることで構成されてもよく、図２Ｂに示すように、基材の貫通孔の表面を被覆する第４配線１５１と第４配線１５１に囲まれた領域に充填された充填部材１５２とを備えていてもよい。充填部材１５２は、導電性でもよく、絶縁性でもよい。充填部材１５２には、樹脂材料を使用することが好ましい。一般的に硬化前の樹脂材料は、硬化前の金属材料よりも流動性が高いので第４配線１５１内に充填しやすい。このため、充填部材に樹脂材料を使用することで基板の製造が容易になる。充填しやすい樹脂材料としては、例えばエポキシ樹脂が挙げられる。充填部材として樹脂材料を用いる場合は、線膨張係数を下げるために添加部材を含有することが好ましい。このようにすることで、第４配線との線膨張係数の差が小さくなるので、発光素子からの熱によって第４配線と充填部材との間に隙間ができることを抑制できる。添加部材としては、例えば酸化ケイ素が挙げられる。また、充填部材１５２に金属材料を使用した場合には、放熱性を向上させることができる。また、ビア１５が基材の貫通孔内に導電性材料が充填されて構成される場合には、熱伝導性が高いＡｇ、Ｃｕ等の金属材料を用いることが好ましい。
基材１０が、基材の下面と基材の側面とに開口する窪み１６を備える場合には、窪みの数は１つでもよく、複数でもよい。窪みが複数あることで、発光装置１０００Ａと実装基板との接合強度を向上させることができる。発光装置１０００Ａが、基材１１の下面１１２と、実装基板と、を対向させて実装する上面発光型（トップビュータイプ）でも、基材１１の側面１１３と、実装基板と、を対向させて実装する側面発光型（サイドビュータイプ）でも、接合部材の体積が増加することで、実装基板との接合強度を向上させることができる。発光装置１０００Ａと実装基板の接合強度は、特に側面発光型の場合に向上させることができる。基板が長方形の場合には、上面視において、基材の窪みは、基材の短辺側の凹部と重なっていてもよい。
Ｚ方向における窪みの深さのそれぞれの最大は、Ｚ方向における基材の厚みの０．４倍から０．９倍であることが好ましい。窪みの深さが基材の厚みの０．４倍よりも深いことで、窪み内に形成される接合部材の体積が増加するので発光装置と実装基板の接合強度を向上させることができる。窪みの深さが基材の厚みの０．９倍よりも浅いことで、基材の強度低下を抑制することができる。
発光装置は、第２配線１３の一部を被覆する絶縁膜１８を備えてもよい。絶縁膜１８を備えることで、下面における絶縁性の確保及び短絡の防止を図ることができる。また、基材から第２配線が剥がれることを防止することができる。
図８に示す発光装置１０００Ｃのように、基板１０と第１発光素子の下面の間に第２反射部材４１を備えていてもよい。第２反射部材４１を備えることにより、第１発光素子からの光が基板に吸収されることを抑制することができる。これにより、発光装置の光取り出し効率が向上する。第２反射部材は、基板１０と第２発光素子の下面の間にも位置する。第２反射部材４１は、第１反射部材と接することが好ましい。このようにすることで、発光素子からの光が基板に吸収されることを抑制することができる。第２反射部材４１は、第１配線の凸部の側面を被覆する。第２反射部材４１の上面は、発光素子の下面と発光素子の上面の間に位置することが好ましい。第２反射部材４１の上面が、発光素子の下面よりも上に位置することで、発光素子からの光が発光素子の電極に吸収されることを抑制することができる。第２反射部材４１の上面が、発光素子の下面よりも上に位置することで、発光素子の側面からの光を取り出しやすくなるので発光装置の光取り出し効率が向上する。第２反射部材は、第１反射部材と同様の材料を用いることができる。第１反射部材の母材と第２反射部材の母材は同じ材料であることが好ましい。このようにすることで、第１反射部材と第２反射部材の接合強度を向上させることができる。
図８に示すように、第１発光素子、第２発光素子及び／又は第３発光素子の上面を被覆する被覆部材７０を備えていてもよい。例えば、被覆部材７０が、拡散部材を含んでいてもよい。このようにすることで、Ｚ方向に進む発光素子からの光を低減させ、Ｘ方向及び/又はＹ方向に進む光を増加させることができる。これにより、導光部材内で発光素子からの光を拡散させることができるので発光装置の輝度ムラを抑制できる。尚、被覆部材７０は、発光素子の上面と導光部材５０との間に位置している。被覆部材７０は、発光素子の側面の少なくとも一部を露出することが好ましい。このようにすることで、Ｘ方向及び/又はＹ方向に進む発光素子からの光が低減することを抑制できる。
被覆部材７０は波長変換部材を含有してもよい。このようにすることで、発光装置の色調整が容易になる。尚、被覆部材７０に含まれる波長変換部材は波長変換層に含まれる波長変換部材と同じでもよく、異なっていてもよい。例えば、発光素子の発光のピーク波長が、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下の範囲（緑色領域の波長範囲）である場合には、波長変換部材は４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下の範囲の光で励起するＣＡＳＮ系蛍光体及び／又はＳＣＡＳＮ系蛍光体が好ましい。他には、波長変換部材として、（Ｓｒ，Ｃａ）ＬｉＡｌ３Ｎ４：Ｅｕの蛍光体を用いてもよい。
＜実施形態２＞
本発明の実施形態２に係る発光装置２０００Ａ、２０００Ｂを図９から図１２に基づいて説明する。発光装置２０００Ａは、実施形態１に係る発光装置１０００Ａと比較して、基材が備える窪み、ビア及び第１反射部材が相違する。発光装置２０００Ｂは、実施形態１に係る発光装置１０００Ａと比較して、基材が備える窪み、ビア、第１反射部材及び発光素子の数が相違する。
図１０及び図１１に示すように、上面視において基板が長方形の場合には、上面視において、基材の窪み１６は、基材の短辺側の凹部から離間することができる。基材の短辺側の凹部１１５と、基材の窪み１６と、が離間することでＺ方向において基材の厚みが薄い部分を少なくすることができる。これにより、基材の強度が向上する。また、上面視において、基材が長方形の場合に、第１反射部材４０は、長辺側の第１反射部４０１と、短辺側の第２反射部４０２と、を有する。基材の短辺側の凹部１１５と、基材の窪み１６と、が離間する場合には、上面視において、第２反射部４０２と、基材の窪み１６と、が離間する。また、第２反射部４０２の幅は、第１反射部材の幅よりも長くてもよい。
発光素子の数は特に限定されず、図１２に示すよう第１発光素子２０Ａと第２発光素子２０Ｂの２つの発光素子を備えていてもよい。発光装置が、第１発光素子２０Ａと第２発光素子２０Ｂの２つのみを備えることにより発光装置を小型化できる。
以下、本発明の一実施形態に係る発光装置における各構成要素について説明する。
（基板１０）
基板１０は、発光素子を載置する部材である。基板１０は、基材１１と、第１配線１２と、を備える。基材１１は、基材の上面及び基材の側面に開口し、基材の上面の外周を囲む凹部を備える。基材１０は、更に、窪み１６、第２配線１３、第３配線１４、及び、ビア１５を備えていてもよい。
（基材１１）
基材１１は、樹脂若しくは繊維強化樹脂、セラミックス、ガラスなどの絶縁性部材を用いて構成することができる。樹脂若しくは繊維強化樹脂としては、エポキシ、ガラスエポキシ、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）、ポリイミドなどが挙げられる。また、基材１１に酸化チタン等の白色顔料を含有させてもよい。セラミックスとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン、若しくはこれらの混合物などが挙げられる。これらの基材のうち、特に発光素子の線膨張係数に近い物性を有する基材を使用することが好ましい。基材の厚さの下限値は、適宜選択できるが、基材の強度の観点から、０．０５ｍｍ以上であることが好ましく、０．２ｍｍ以上であることがより好ましい。また、基材の厚さの上限値は、発光装置の厚さ（奥行き）の観点から、０．５ｍｍ以下であることが好ましく、０．４ｍｍ以下であることがより好ましい。
（第１配線１２）
第１配線は、基板の上面に配置され、発光素子と電気的に接続される。第１配線は、銅、鉄、ニッケル、タングステン、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン、パラジウム、ロジウム、又はこれらの合金で形成することができる。これらの金属又は合金の単層でも多層でもよい。特に、放熱性の観点においては銅又は銅合金が好ましい。また、第１配線の表層には、導電性接着部材の濡れ性及び／若しくは光反射性などの観点から、銀、白金、アルミニウム、ロジウム、金若しくはこれらの合金などの層が設けられていてもよい。
（第２配線１３、第３配線１４）
第２配線は基板の下面に配置される。第３配線は、窪みの内壁を被覆し、第２配線と電気的に接続される。第２配線及び第３配線は、第１配線と同様の導電性部材を用いることができる。
（ビア１５）
ビア１５は基材１１の上面と下面とを貫通する孔内に設けられ、第１配線と第２配線を電気的に接続する部材である。ビア１５は基材の貫通孔の表面を被覆する第４配線１５１と、第４配線内１５１に充填された充填部材１５２と、によって構成されてもよい。第４配線１５１には、第１配線、第２配線及び第３配線と同様の導電性部材を用いることができる。充填部材１５２には、導電性の部材を用いても絶縁性の部材を用いてもよい。
（絶縁膜１８）
絶縁膜１８は、下面における絶縁性の確保及び短絡の防止を図る部材である。絶縁膜は、当該分野で使用されるもののいずれで形成されていてもよい。例えば、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂等が挙げられる。
（第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃ）
第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子は、電圧を印加することで自ら発光する半導体素子であり、窒化物半導体等から構成される既知の半導体素子を適用できる。第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子としては、例えばＬＥＤチップが挙げられる。第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子は、少なくとも半導体積層体を備え、多くの場合に素子基板をさらに備える。第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素の上面視形状は、矩形、特に正方形状又は一方向に長い長方形状であることが好ましいが、その他の形状であってもよく、例えば六角形状であれば発光効率を高めることもできる。第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子の側面は、上面に対して、垂直であってもよいし、内側又は外側に傾斜してもよい。また、第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子は、正負電極を有する。正負電極は、金、銀、錫、白金、ロジウム、チタン、アルミニウム、タングステン、パラジウム、ニッケル又はこれらの合金で構成することができる。第１発光素子の発光ピーク波長は、４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満である。第２発光素子の発光ピーク波長は、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である。半導体材料としては、窒化物半導体を用いることが好ましい。窒化物半導体は、主として一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）で表される。このほか、ＩｎＡｌＧａＡｓ系半導体、ＩｎＡｌＧａＰ系半導体、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、炭化珪素などを用いることもできる。第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子の素子基板は、主として半導体積層体を構成する半導体の結晶を成長可能な結晶成長用基板であるが、結晶成長用基板から分離した半導体素子構造に接合させる接合用基板であってもよい。素子基板が透光性を有することで、フリップチップ実装を採用しやすく、また光の取り出し効率を高めやすい。素子基板の母材としては、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、シリコン、炭化珪素、ガリウム砒素、ガリウム燐、インジウム燐、硫化亜鉛、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、ダイヤモンドなどが挙げられる。なかでも、サファイアが好ましい。素子基板の厚さは、適宜選択でき、例えば０．０２ｍｍ以上１ｍｍ以下であり、素子基板の強度及び／若しくは発光装置の厚さの観点において、０．０５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であることが好ましい。
（透光性部材３０）
透光性部材は発光素子上に設けられ、発光素子を保護する部材である。透光性部材は、少なくとも以下のような母材により構成される。また、透光性部材は、以下のような波長変換部材を母材中に含有することで、波長変換部材として機能させることができる。透光性部材の各層の母材は以下のように構成される。各層の母材は同じでもよく、異なっていてもよい。透光性部材が波長変換部材を有することは必須ではない。
（透光性部材の母材）
透光性部材の母材は、発光素子から発せられる光に対して透光性を有するものであればよい。なお、「透光性」とは、第１発光素子の発光ピーク波長における光透過率が、好ましくは６０％以上であること、より好ましくは７０％以上であること、よりいっそう好ましくは８０％以上であることを言う。透光性部材の母材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂を用いることができる。ガラスでもよい。なかでも、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れ、好ましい。具体的なシリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル－メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられる。透光性部材は、これらの母材のうちの１種を単層で、若しくはこれらの母材のうちの２種以上を積層して構成することができる。なお、本明細書における「変性樹脂」は、ハイブリッド樹脂を含むものとする。尚、透光性部材の母材とは、第１拡散層、透光層、波長変換層、第２拡散層の母材も含まれる。
透光性部材の母材は、上記樹脂若しくはガラス中に各種の拡散粒子を含有してもよい。拡散粒子としては、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛などが挙げられる。拡散粒子は、これらのうちの１種を単独で、又はこれらのうちの２種以上を組み合わせて用いることができる。特に、熱膨張係数の小さい酸化珪素が好ましい。また、拡散粒子として、ナノ粒子を用いることで、発光素子が発する光の散乱を増大させ、波長変換部材の使用量を低減することもできる。なお、ナノ粒子とは、粒径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の粒子とする。また、本明細書における「粒径」は、例えば、Ｄ５０で定義される。
（波長変換部材）
波長変換部材は、発光素子が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を発する。波長変換部材は、以下に示す具体例のうちの１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。透光性部材が複数の波長変換層を備える場合には、各波長変換層に含有される波長変換部材は同じでもよく、異なっていてもよい。
緑色発光する波長変換部材としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＬｕ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＴｂ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）系蛍光体、シリケート系蛍光体（例えば（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えばＣａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えばＳｉ６－ｚＡｌｚＯｚＮ８－ｚ：Ｅｕ（０＜ｚ＜４．２））、ＳＧＳ系蛍光体（例えばＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ）などが挙げられる。黄色発光の波長変換部材としては、αサイアロン系蛍光体（例えばＭｚ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６（但し、０＜ｚ≦２であり、ＭはＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、及びＬａとＣｅを除くランタニド元素）などが挙げられる。このほか、上記緑色発光する波長変換部材の中には黄色発光の波長変換部材もある。また例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、Ｙの一部をＧｄで置換することで発光ピーク波長を長波長側にシフトさせることができ、黄色発光が可能である。また、これらの中には、橙色発光が可能な波長変換部材もある。赤色発光する波長変換部材としては、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣＡＳＮ又はＳＣＡＳＮ）系蛍光体（例えば（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）などが挙げられる。このほか、マンガン賦活フッ化物系蛍光体（一般式（Ｉ）Ａ２［Ｍ１－ａＭｎａＦ６］で表される蛍光体である（但し、上記一般式（Ｉ）中、Ａは、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ及びＮＨ４からなる群から選ばれる少なくとも１種であり、Ｍは、第４族元素及び第１４族元素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、ａは０＜ａ＜０．２を満たす））が挙げられる。このマンガン賦活フッ化物系蛍光体の代表例としては、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体（例えばＫ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）がある。
（第１反射部材）
第１反射部材は、Ｚ方向への光取り出し効率の観点から、第１発光素子の発光ピーク波長における光反射率が、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがよりいっそう好ましい。さらに、第１反射部材は、白色であることが好ましい。よって、第１反射部材は、母材中に白色顔料を含有してなることが好ましい。第１反射部材は、硬化前には液状の状態を経る。第１反射部材は、トランスファ成形、射出成形、圧縮成形、ポッティングなどにより形成することができる。
（第１反射部材の母材）
第１反射部材の母材は、樹脂を用いることができ、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂が挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れ、好ましい。具体的なシリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル－メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられる。
（白色顔料）
白色顔料は、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、チタン酸バリウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素のうちの１種を単独で、又はこれらのうちの２種以上を組み合わせて用いることができる。白色顔料の形状は、適宜選択でき、不定形若しくは破砕状でもよいが、流動性の観点では球状が好ましい。また、白色顔料の粒径は、例えば０．１μｍ以上０．５μｍ以下程度が挙げられるが、光反射や被覆の効果を高めるためには小さい程好ましい。光反射性の反射部材中の白色顔料の含有量は、適宜選択できるが、光反射性及び液状時における粘度などの観点から、例えば１０ｗｔ％以上８０ｗｔ％以下が好ましく、２０ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下がより好ましく、３０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下がよりいっそう好ましい。なお、「ｗｔ％」は、重量パーセントであり、光反射性の反射部材の全重量に対する当該材料の重量の比率を表す。
（第２反射部材）
第２反射部材は、発光素子と基板の間に位置する部材である。第２反射部材には、第１反射部材と同様の反射部材を用いることができる。
（被覆部材７０）
被覆部材は、発光素子の光取り出し面を被覆し、発光素子の光を拡散させたり、発光素子のピーク波長の光とは異なるピーク波長の光に変換したりする。
（被覆部材の母材）
被覆部材の母材には、透光性部材の母材と同様の材料を用いることができる。
（被覆部材の拡散粒子）
被覆部材の拡散粒子には、透光性部材の拡散粒子と同様の材料を用いることができる。
（導光部材５０）
導光部材は、発光素子及び基材の上面を被覆する部材である。導光部材の母材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂が挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れ、好ましい。具体的なシリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル－メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられる。また、導光部材の母材は、上述の透光性部材と同様のフィラーを含有してもよい。
（導電性接着部材６０）
導電性接着部材とは、発光素子の電極と第１配線とを電気的に接続する部材である。導電性接着部材としては、金、銀、銅などのバンプ、銀、金、銅、プラチナ、アルミニウム、パラジウムなどの金属粉末と樹脂バインダを含む金属ペースト、錫－ビスマス系、錫－銅系、錫－銀系、金－錫系などの半田、低融点金属などのろう材のうちのいずれか１つを用いることができる。
本発明の一実施形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト装置、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、プロジェクタ装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置などに利用することができる。
１０００Ａ、１０００Ｂ、１０００Ｃ、２０００Ａ、２０００Ｂ 発光装置
１０ 基板
１１ 基材
１１５ 凹部
１２ 第１配線
１３ 第２配線
１４ 第３配線
１５ ビア
１５１ 第４配線
１５２ 充填部材
１６ 窪み
１８ 絶縁膜
２０Ａ 第１発光素子
２０Ｂ 第２発光素子
２０Ｃ 第３発光素子
３０ 透光性部材
４０ 第１反射部材
４１ 第２反射部材
５０ 導光部材
６０ 導電性接着部材

Claims (9)

  1. 上面、前記上面の反対側に位置する下面、及び、前記上面と前記下面との間に位置する側面を有する基材、並びに、前記上面に配置される第１配線を含む基板であって、前記基材は、前記上面及び前記側面に開口し前記上面の外周を囲む凹部を有する、基板と、
    前記第１配線と電気的に接続され、前記第１配線上に載置される、発光ピーク波長が４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満である第１発光素子と、
    前記第１配線と電気的に接続され、前記第１配線上に載置される、発光ピーク波長が４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である第２発光素子と、
    前記第１発光素子、前記第２発光素子及び前記上面を被覆し、前記凹部から離間する導光部材と、
    前記凹部内に配置され、前記上面及び前記導光部材を囲み、前記導光部材と接する環状の第１反射部材と、
    を備え、
    上面視において、前記基板、前記第１発光素子及び前記第２発光素子のそれぞれは、長方形状を有し、
    前記基板の長方形状の長辺は、第１方向に沿って延び、
    前記第１発光素子及び前記第２発光素子は、前記第１方向に並んで配置されており、
    前記第１発光素子の長方形状の短辺の１つは、前記第２発光素子の長方形状の短辺の１つと対向しており、
    前記基材の側面の少なくとも一部及び前記第１反射部材の外側面の少なくとも一部は、面一である、発光装置。
  2. 透光性部材をさらに備え、
    前記透光性部材は、前記導光部材を介して前記第１発光素子の上面及び前記第２発光素子の上面を被覆する、請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記透光性部材は、波長変換部材を含有している、請求項２に記載の発光装置。
  4. 前記透光性部材は、
    第１拡散層と、
    前記第１拡散層上に配置される透光層と、
    前記透光層上に配置される波長変換層と、
    前記波長変換層上に配置される第２拡散層と、
    を有する、請求項３に記載の発光装置。
  5. 前記第１反射部材は、
    前記基板の長方形状の長辺側の第１反射部と、
    前記基板の長方形状の短辺側の第２反射部と、
    を有し、
    上面視において、前記第１反射部の幅は、前記第２反射部の幅よりも大きい、請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置。
  6. 前記基材は、前記下面と前記側面とに開口する窪みを有し、
    上面視において、前記第２反射部は、前記窪みから離間する、請求項５に記載の発光装置。
  7. 上面視における前記第１反射部材の幅は、１０μｍ以上５０μｍ以下である、請求項１から６のいずれか１項に記載の発光装置。
  8. 前記基板と前記第１発光素子の下面との間に位置する第２反射部材をさらに備える、請求項１から７のいずれか１項に記載の発光装置。
  9. 前記第１方向において、前記第１発光素子及び前記第２発光素子と並んで配置される第３発光素子をさらに備え、
    前記第３発光素子の発光ピーク波長は、前記第１発光素子の発光ピーク波長と同じである、請求項１から８のいずれか１項に記載の発光装置。
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