CN110299352A - 发光装置 - Google Patents

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中林拓也
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Abstract

本发明提供一种发光装置，能够提高基板与第一反射部件的接合强度。具有：基板，其包括：具有上表面、位于上表面的相反一侧的下表面、位于上表面与下表面之间的侧面、以及在上表面及侧面开口且包围上表面的外周的凹部的基材、以及配置于上表面的第一配线；第一发光元件，其与第一配线电连接，在第一配线上载置的发光峰值波长为430nm以上、不足490nm；第二发光元件，其与第一配线电连接，在第一配线上载置的发光峰值波长为490nm以上、570nm以下；导光部件，其覆盖第一发光元件、第二发光元件以及上表面，与凹部分离；环状的第一反射部件，其配置于凹部内，包围上表面及导光部件，与导光部件相接。基材的侧面的至少一部分与第一反射部件的外侧面的至少一部分齐平。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及一种发光装置。
背景技术
例如专利文献1中说明了一种具有：基板、在基板上搭载的LED芯片、LED芯片的上方的荧光体层、以及包围LED芯片的遮挡材料(第一反射部件)的发光装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：(日本)特开2014-072213号公报
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够提高基板与第一反射部件的接合强度的发光装置。
本发明的一个方式的发光装置具有：基板，其包括具有上表面、位于所述上表面的相反一侧的下表面、位于所述上表面与所述下表面之间的侧面、以及在所述上表面及所述侧面开口且包围所述上表面的外周的凹部的基材、以及配置于所述上表面的第一配线；第一发光元件，其与所述第一配线电连接，在所述第一配线上载置的发光峰值波长为430nm以上、不足490nm；第二发光元件，其与所述第一配线电连接，在所述第一配线上载置的发光峰值波长为490nm以上、570nm以下；导光部件，其覆盖所述第一发光元件、所述第二发光元件以及所述上表面，与所述凹部分离；环状的第一反射部件，其配置在所述凹部内，包围所述上表面及所述导光部件，与所述导光部件相接。所述基材的侧面的至少一部分与所述第一反射部件的外侧面的至少一部分齐平。
根据本发明的实施方式的发光装置，能够提供一种可提高基板与第一反射部件的接合强度的发光装置。
附图说明
图1A是第一实施方式的发光装置的立体概要图。
图1B是第一实施方式的发光装置的立体概要图。
图2A是第一实施方式的发光装置的俯视概要图。
图2B是图2A的IIB-IIB线的剖视概要图。
图3是第一实施方式的基板的俯视概要图。
图4是第一实施方式的发光装置的变形例的剖视概要图。
图5是第一实施方式的发光装置的侧视概要图。
图6是第一实施方式的发光装置的侧视概要图。
图7是第一实施方式的发光装置的仰视概要图。
图8是第一实施方式的发光装置的变形例的剖视概要图。
图9是第二实施方式的发光装置的变形例的俯视概要图。
图10是图9的XA-XA线的剖视概要图。
图11是第二实施方式的发光装置的仰视概要图。
图12是第二实施方式的发光装置的变形例的剖视概要图。
附图标记说明
1000A，1000B，1000C，2000A，2000B发光装置；10基板；11基材；115凹部；12第一配线；13第二配线；14第三配线；15通孔；151第四配线；152填充部件；16凹陷；18绝缘膜；20A第一发光元件；20B第二发光元件；20C第三发光元件；30透光性部件；40第一反射部件；41第二反射部件；50导光部件；60导电性粘接部件。
具体实施方式
下面，适当参照附图，针对发明的实施方式进行说明。但是，下面所说明的发光装置为了使本发明的技术思想具体化，在未特别说明的情况下，本发明不限于下面的方式。另外，在一个实施方式中说明的内容也可以应用在其它实施方式及变形例中。此外，附图所示的部件的大小以及位置关系等为了明确地进行说明而有所夸张。
＜第一实施方式＞
基于图1A至图8，说明本发明的第一实施方式的发光装置1000A、1000B、1000C。发光装置1000A具有：基板10、第一发光元件20A、第二发光元件20B、导光部件50、以及第一反射部件40。基板10具有：基材11、以及第一配线12。基材11具有：上表面111、位于上表面111的相反一侧的下表面112、以及位于上表面111与下表面112之间的侧面113。此外，基材11具有在基材11的上表面111及基材11的侧面113开口、且包围基材11的上表面111的外周的凹部115。第一配线12配置在基材11的上表面111。第一发光元件20A与第一配线12电连接，载置在第一配线12上。第一发光元件20A的发光峰值波长为430nm以上、不足490nm。第二发光元件20B与第一配线12电连接，载置在第一配线12上。第二发光元件20B的发光峰值波长为490nm以上、570nm以下。导光部件50覆盖第一发光元件20A、第二发光元件20B以及基材11的上表面111，与基材11的凹部115分离。第一反射部件40俯视为环状，配置在基材11的凹部115内，包围基材11的上表面111以及导光部件50。另外，第一反射部件40与导光部件50相接。基材11的侧面113的至少一部分与第一反射部件40的外侧面412的至少一部分齐平。需要说明的是，在本说明书中，所谓的齐平，意味着容许±5μm左右的变化。
此外，基板10也可以具有在基材11的下表面112与基材11的侧面113开口的凹陷16。此外，基板10也可以具有：第二配线13、第三配线14、以及通孔15。第二配线13配置在基材11的下表面112。第三配线14覆盖基材11的凹陷16的内壁，与第二配线13电连接。通孔15设置在从基材11的上表面111贯通至下表面112的孔内，将第一配线12与第二配线13电连接。
第一反射部件40配置在基材11的凹部115内。由此，基材11与第一反射部件40的接触面积增加，所以能够提高基板10与第一反射部件40的接合强度。导光部件与基材的凹部分离。由此，基材11与第一反射部件40的接触面积增加，所以能够提高基板10与第一反射部件40的接合强度。第一反射部件40在基材11的外周一体地进行配置。
如图3所示，基材11的凹部115配置在基材11的外周。也就是说，基材11的外周的厚度比载置有第一发光元件及第二发光元件的位置上的基材的厚度薄。需要说明的是，所谓的基材的厚度，表示Z方向上的基材的厚度。Z方向上凹部的深度优选为5μm以上、80μm以下。通过使凹部的深度为5μm以上，能够增加基材11与第一反射部件40的接触面积。通过使凹部的深度为80μm以下，基材11的强度提高。凹部的宽度优选为10μm以上、50μm以下。通过使凹部的宽度为10μm以上，能够增加基材11与第一反射部件40的接触面积。通过使凹部的宽度为50μm以下，基材11的强度提高。需要说明的是，在本说明书中，凹部的宽度是指在俯视观察下凹部的内周至外周的最短距离。在X方向上，优选第一发光元件和/或第二发光元件所处的部分的凹部宽度相同。在Y方向上，优选第一发光元件和/或第二发光元件所处的部分的凹部宽度相同。这样，容易较薄地设计X方向和/或Y方向上的第一反射部件的宽度，所以能够使发光装置小型化。凹部可以通过刀片切割或激光切割等形成。需要说明的是，在本说明书中，第一反射部件的宽度是指在俯视观察下第一反射部件的内侧面411至外侧面412的最短距离。
发光装置1000A通过具有发光峰值波长为430nm以上、不足490nm(蓝色区域的波长范围)的范围内的第一发光元件、以及发光峰值波长为490nm以上、570nm以下(绿色区域的波长范围)的范围内的第二发光元件，能够提高发光装置的显色性。例如，如图2B所示，发光装置1000A也可以具有第一发光元件20A、第二发光元件20B、以及第三发光元件20C。在X方向上第一发光元件20A、第二发光元件20B、以及第三发光元件20C依次排列的情况下，优选第一发光元件20A的发光峰值波长与第三发光元件20C的发光峰值波长相同。这样，例如在第一发光元件20A的输出不足的情况下，能够由第三发光元件20C进行补充。另外，通过使具有与第一发光元件20A的发光峰值波长及第三发光元件20C的发光峰值波长不同的发光峰值波长的第二发光元件20B位于第一发光元件20A与第三发光元件20C之间，能够提高发光装置的显色性，并且能够比第一发光元件20A、第三发光元件20C、以及第二发光元件20B依次排列的情况减少颜色不均匀。另外，在X方向上第二发光元件20B、第一发光元件20A、以及第三发光元件20C依次排列的情况下，优选第二发光元件20B的发光峰值波长与第三发光元件20C的发光峰值波长相同。这样，例如在第二发光元件20B的输出不足的情况下能够由第三发光元件20C进行补充。需要说明的是，在本说明书中，所谓的发光峰值波长相同，意味着容许±10nm左右的变化。
第一发光元件20A具有：第一元件光输出面201A、位于第一元件光输出面的相反一侧的第一元件电极形成面203A、位于第一元件光输出面201A与第一元件电极形成面203A之间的第一元件侧面202A、以及在第一元件电极形成面203A上的一对第一元件电极21A、22A。第一发光元件20A至少包括第一元件半导体层压体23A，在第一元件半导体层压体23A设有一对第一元件电极21A、22A。需要说明的是，在本实施方式中，第一发光元件20A虽然具有第一元件基板24A，但也可以除去第一元件基板24A。第二发光元件20B与第一发光元件20A相同，具有：第二元件光输出面201B、第二元件电极形成面203B、第二元件侧面202B、以及一对第二元件电极21B、22B。第二发光元件20B至少包括第二元件半导体层压体23B。需要说明的是，在本实施方式中，虽然第二发光元件20A具有第二元件基板24B，但也可以除去第二元件基板24B。第三发光元件20C与第一发光元件20A相同，具有：第三元件光输出面201C、第三元件电极形成面203C、第三元件侧面202C、以及一对第三元件电极。第三发光元件20C至少包括第三元件半导体层压体。需要说明的是，在本实施方式中，虽然第三发光元件20C具有第三元件基板，但也可以除去第三元件基板。有时将第一元件光输出面201A称为第一发光元件的上表面。有时将第二元件光输出面201B称为第二发光元件的上表面。有时将第三元件光输出面201C称为第三发光元件的上表面。有时将第一元件电极形成面203A称为第一发光元件的下表面。有时将第二元件电极形成面203B称为第二发光元件的下表面。有时将第三元件电极形成面203C称为第三发光元件的下表面。另外，有时将第一发光元件、第二发光元件和/或第三发光元件称为发光元件20。
如图2A所示，在俯视观察下第一元件光输出面及第二元件光输出面为长方形的情况下，优选第一元件光输出面的短边与第二元件光输出面的短边对置。这样，能够在Y方向上使发光装置1000A薄型化。在第二元件光输出面201B及第三元件光输出面201C为长方形的情况下，优选第二元件光输出面的短边与第三元件光输出面的短边对置。这样，能够在Y方向上使发光装置1000A薄型化。
如图2B所示，优选第一配线12在与第一发光元件20A的一对第一元件电极21A、22A对应的位置具有凸部121。换言之，在俯视观察下，优选第一配线12在与第一元件电极21A、22A重合的位置具有凸部121。通过使第一配线12具有凸部121，在经由导电性粘接部件60连接第一配线12与第一元件电极21A、22A时，利用自对准效应能够容易地进行第一发光元件与基板的位置结合。Z方向上的凸部121的厚度优选为10μm以上、30μm以下。需要说明的是，发光装置具有第二发光元件20B和/或第三发光元件20C的情况也同样地，优选第一配线12在与发光元件的一对电极对应的位置具有凸部121。这样，利用自对准效应能够容易地进行发光元件与基板的位置结合。X方向和/或Y方向上的凸部121的宽度也可以根据对置的发光元件的电极大小适当改变。例如，与第一发光元件的第一元件电极21A、22A对应的凸部121的X方向的宽度也可以比与第二发光元件的第二元件电极21B、22B对应的凸部121的X方向的宽度短。
导光部件50覆盖第一发光元件、第二发光元件以及基材11的上表面111。通过使第一发光元件、第二发光元件被导光部件50覆盖，能够保护第一发光元件、第二发光元件免受外部应力。在发光装置具有第三发光元件的情况下，导光部件覆盖第三发光元件。导光部件50优选覆盖发光元件20的上表面及发光元件20的侧面。导光部件50对来自发光元件20的光的透射率比第一反射部件40高。因此，通过使导光部件50覆盖发光元件的上表面及发光元件的侧面，容易地通过导光部件50，将来自发光元件的光向发光装置的外侧输出。由此，能够提高发光装置的光输出效率。
导光部件也可以含有波长转换部件。这样，容易进行发光装置的颜色调节。波长转换部件是吸收发光元件20发出的一次光的至少一部分、并发出波长与一次光不同的二次光的部件。可以使波长转换部件在导光部件中均匀地分散，也可以使波长转换部件比导光部件的上表面更偏向于基体的附近。作为在导光部件中含有的波长转换部件，例如可以使用发光峰值波长为490nm以上、570nm以下的发绿色光的波长转换部件、或发光峰值波长为610nm以上、750nm以下的发红色光的波长转换部件等。在导光部件中含有的波长转换部件可以为一种，也可以含有多个种类。例如也可以在导光部件中含有发绿色光的波长转换部件与发红色光的波长转换部件。作为发绿色光的波长转换部件，例如可以举例为β塞隆类荧光体(例如Si6-zAlzOzN8-z：Eu(0＜z＜4.2)。作为发红色光的波长转换部件，例如可以举例为锰活化的氟硅酸钾的荧光体(例如K2SiF6：Mn)。
发光装置1000A优选具有经由导光部件而覆盖第一发光元件的上表面及第二发光元件的上表面的透光性部件。通过使第一发光元件的上表面及第二发光元件的上表面被透光性部件覆盖，能够保护第一发光元件及第二发光元件免受外部应力。在发光装置具有第三发光元件的情况下，透光性部件经由导光部件覆盖第三发光元件的上表面。在发光装置具有透光性部件30的情况下，优选透光性部件的侧面被第一反射部件40覆盖。这样，能够成为发光区域与非发光区域的对比度较高、“截止特性”良好的发光装置。
透光性部件30也可以含有波长转换部件。这样，容易进行发光装置的颜色调节。在透光性部件中含有的波长转换部件的发光峰值波长优选为610nm以上、750nm以下(红色区域的波长范围)。因为第一发光元件的发光峰值波长在蓝色区域的波长范围内，第二发光元件的发光峰值波长在绿色区域的波长范围内，所以，通过使透光性部件中含有的波长转换部件的发光峰值波长在红色区域的波长范围内，发光装置的显色性提高。透光性部件中含有的波长转换部件可以为一种，也可以含有多个种类。例如，可以在透光性部件中含有发绿色光的波长转换部件与发红色光的波长转换部件。通过使透光性部件具有发绿色光的波长转换部件，容易进行发光装置的颜色调节。作为发绿色光的波长转换部件，例如可以举例为β塞隆类荧光体(例如Si6-zAlzOzN8-z：Eu(0＜z＜4.2)。作为发红色光的波长转换部件，例如可以举例为锰活化的氟硅酸钾的荧光体(例如K2SiF6：Mn)。
波长转换部件可以在透光性部件中均匀地分散，也可以使波长转换部件比透光性部件的上表面更偏向于发光元件的附近。通过使波长转换部件比透光性部件的上表面更偏向于发光元件的附近，即使使用对湿度敏感的波长转换部件，透光性部件的母材也能作为保护层发挥作用，所以能够抑制波长转换部件劣化。另外，透光性部件也可以具有含有波长转换部件的层、以及实际上不含有波长转换部件的层。在Z方向上，实际上不含有波长转换部件的层比含有波长转换部件的层更位于上侧。这样，使实际上不含有波长转换部件的层也能够作为保护层发挥作用，所以能够抑制波长转换部件劣化。作为对湿度敏感的波长转换部件，例如可以举例为锰活化的氟硅酸钾的荧光体。锰活化的氟硅酸钾的荧光体在获得光谱线宽度较窄的发光、且颜色再现性的角度上是优选的部件。“实际上不含有波长转换部件”意味着不排除不可避免地混入的波长转换部件，波长转换部件的含有率优选为0.05重量％以下。
如图2B所示，透光性部件30优选具有：第一扩散层31A、配置在第一扩散层31A上的透光层31B、配置在透光层31B上的波长转换层31C、以及配置在波长转换层上的第二扩散层31D。第一扩散层31A包括母材、以及扩散部件。透光层31B包括母材，实际上不含有波长转换部件以及扩散粒子。波长转换层31C包括母材、以及波长转换部件。第二扩散层31D包括母材、以及扩散部件。需要说明的是，“实际上不含有波长转换部件以及扩散部件”，意味着不排除不可避免地混入的波长转换部件以及扩散部件，波长转换部件以及扩散部件各自的含有率优选为0.05重量％以下。第一扩散层31A、透光层31B、波长转换层31C以及第二扩散层31D的母材既可以为不同的材料，也可以为相同的材料。通过使第一扩散层31A、透光层31B、波长转换层31C以及第二扩散层31D的母材为相同的材料，各层的接合强度提高。作为第一扩散层31A、透光层31B、波长转换层31以及第二扩散层31D的母材，例如可以举例为硅树脂。
通过使透光性部件具有第一扩散层以及第二扩散层，使来自第一发光元件及第二发光元件的光通过第一扩散层及第二扩散层进行扩散。由此，能够在透光性部件和/或导光部件内混入来自第一发光元件及第二发光元件的光，所以能够减少发光装置1000A的颜色不均匀。
通过使透光层位于第一扩散层与波长转换层之间，能够抑制第一扩散层与波长转换层的剥离。通过使实际上不含有波长转换部件以及扩散粒子的透光层位于第一扩散层与波长转换层之间，能够使透光层发挥粘接剂的作用，抑制第一扩散层与波长转换层的剥离。需要说明的是，透光层也可以位于波长转换层与第二扩散层之间。这样，能够抑制波长转换层与第二扩散层的剥离。
透光性部件的波长转换层既可以为单层，也可以为多层。例如，如图4所示的发光装置1000B，透光性部件30也可以具有：第一波长转换层311B、以及覆盖第一波长转换层311B的第二波长转换层312B。第二波长转换层312B可以直接覆盖第一波长转换层311B，也可以经由透光层等其它的层覆盖第一波长转换层311B。需要说明的是，第一波长转换层311B配置在比第二波长转换层312B更接近第一发光元件的上表面及第二发光元件的上表面的位置。优选第一波长转换层311B中含有的波长转换部件的发光峰值波长比第二波长转换层312B中含有的波长转换部件的发光峰值波长短。这样，利用来自被第一发光元件和/或者第二发光元件激发的第一波长转换层的光，能够激发第二波长转换层312B的波长转换部件。由此，能够增加来自第二波长转换层312B的波长转换部件的光。
优选第一波长转换层311B中含有的波长转换部件的发光峰值波长为500nm以上、570nm以下，优选第二波长转换层312B中含有的波长转换部件的发光峰值波长为610nm以上、750nm以下。这样，能够成为显色性高的发光装置。例如，作为第一波长转换层311B中含有的波长转换部件，可以举例为β塞隆类荧光体，作为第二波长转换层312B中含有的波长转换部件，可以举例为锰活化的氟硅酸钾的荧光体。在作为第二波长转换层312B中含有的波长转换部件而使用锰活化的氟硅酸钾的荧光体的情况下，特别优选透光性部件30具有第一波长转换层311B、以及第二波长转换层312B。虽然锰活化的氟硅酸钾的荧光体容易产生亮度饱和，但通过使第一波长转换层311B位于第二波长转换层312B与发光元件之间，能够抑制来自发光元件的光过度向锰活化的氟硅酸钾的荧光体照射。由此，能够抑制锰活化的氟硅酸钾的荧光体劣化。
如图2A所示，第一反射部件40俯视为环状，包围基材的上表面及导光部件。通过使第一反射部件40包围导光部件，第一反射部件将从发光元件20在X方向和/或Y方向上行进的光进行反射，能够增加在Z方向上行进的光。另外，通过使第一反射部件包围基材的上表面，使基材的上表面从第一反射部件露出，所以，能够增大俯视观察下的导光部件的面积。由此，能够提高发光装置的光输出效率。另外，第一反射部件与导光部件相接。由此，因为能够增大俯视观察下的导光部件的面积，所以能够提高发光装置的光输出效率。
作为第一反射部件，能够使用在母材中含有白色颜料的部件。第一反射部件的母材优选为与透光性部件的母材相同的材料。这样，能够提高第一反射部件与透光性部件的接合强度。另外，优选第一反射部件的母材、透光性部件的母材、以及导光部件的母材为相同的材料。这样，能够提高第一反射部件、透光性部件以及导光部件的接合强度。通过使第一反射部件的母材与导光部件的母材为相同的材料，能够提高第一反射部件、导光部件以及基板的接合强度。
在俯视观察下，第一反射部件的宽度优选为10μm以上、50μm以下。通过使第一反射部件的宽度为50μm以下，能够使发光装置小型化。另外，通过使第一反射部件的宽度为10μm以上，能够抑制来自发光元件的光透过第一反射部件。
在俯视观察下，优选第一反射部件与凹部为相同的形状。这样，容易较薄地设计X方向和/或Y方向上的第一反射部件的宽度，所以能够使发光装置小型化。需要说明的是，在本说明书中，所谓的相同的形状，意味着容许±5μm左右的变化。
作为第一反射部件的形成方法，例如可以在形成覆盖第一发光元件、第二发光元件以及基材的上表面的导光部件后，通过刀片切割除去基材的一部分及导光部件，向通过除去而形成的凹部填充第一反射部件，由此而形成第一反射部件。
在基板为长方形的情况下，第一反射部件40具有长边侧的第一反射部401、以及短边侧的第二反射部402。例如，第一反射部401的宽度及第二反射部402的宽度可以为相同的大小，也可以使第一反射部401的宽度比第二反射部402的宽度大。在第一反射部401的宽度比第二反射部402的宽度大的情况下，能够提高长边侧的第一反射部的强度。
基材11的侧面113的至少一部分与第一反射部件40的外侧面412的至少一部分齐平。这样，能够使发光装置小型化。如图5及图6所示，在基板为长方形的情况下，优选基材11的侧面113与第一反射部的外侧面412齐平，并且优选基材11的侧面113与第二反射部的外侧面412齐平。这样，能够使发光装置进一步小型化。
如图7所示，在基板10具有通孔15的情况下，通孔15优选仰视为圆形状。这样，能够利用钻头等容易地形成。在通孔15仰视为圆形状的情况下，通孔的直径优选为100μm以上、150μm以下。通过使通孔的直径为100μm以上，发光装置的散热性提高，通过使通孔的直径为150μm以下，能够减少基板的强度降低。在本说明书中，所谓的圆形状，不但指正圆，也包括与之接近的形状(例如，可以为椭圆形状或四边形的四角较大地倒角为圆弧状的形状)。
通孔15可以通过在基材的贯通孔内填充导电性材料来构成，也可以如图2B所示，具有覆盖基材的贯通孔表面的第四配线151、以及在被第四配线151包围的区域填充的填充部件152。填充部件152可以具有导电性，也可以具有绝缘性。填充部件152优选使用树脂材料。通常，硬化前的树脂材料的流动性比硬化前的金属材料高，所以容易向第四配线151内填充。因此，通过在填充部件中使用树脂材料，容易进行基板的制造。作为易于填充的树脂材料，例如可以举例为环氧树脂。在使用树脂材料作为填充部件的情况下，为了降低线膨胀系数而优选含有添加材料。这样，因为与第四配线的线膨胀系数的差减小，所以，能够抑制由于来自发光元件的热而在第四配线与填充部件之间形成间隙。作为添加材料，例如可以举例为二氧化硅。另外，在填充部件152中使用了金属材料的情况下，能够提高散热性。另外，在向基材的贯通孔内填充导电性材料而构成通孔15的情况下，优选使用导热性高的Ag、Cu等金属材料。
在基材10具有在基材的下表面与基材的侧面开口的凹陷16的情况下，凹陷的个数可以为一个，也可以为多个。通过使凹陷为多个，能够提高发光装置1000A与安装基板的接合强度。发光装置1000A通过使基材11的下表面112与安装基板对置而安装的上表面发光型(俯视型)、基材11的侧面113与安装基板对置而安装的侧面发光型(侧视型)都增加接合部件的体积，能够提高与安装基板的接合强度。发光装置1000A与安装基板的接合强度特别能够在侧面发光型的情况下提高。在基板为长方形的情况下，在俯视观察下，基材的凹陷可以与基材的短边侧的凹部重合。
Z方向上凹陷的每个深度最大优选为Z方向上基材厚度的0.4倍至0.9倍。通过使凹陷的深度比基材的厚度的0.4倍深，在凹陷内形成的接合部件的体积增加，所以能够提高发光装置与安装基板的接合强度。通过使凹陷的深度比基材的厚度的0.9倍浅，能够抑制基材的强度降低。
发光装置也可以具有覆盖第二配线13的一部分的绝缘膜18。通过具有绝缘膜18，能够确保下表面的绝缘性以及防止短路。另外，能够防止第二配线被从基材上剥离。
如图8所示的发光装置1000C，可以在基板10与第一发光元件的下表面之间具有第二反射部件41。通过具有第二反射部件41，能够抑制来自第一发光元件的光被基板吸收。由此，发光装置的光输出效率提高。第二反射部件也位于基板10与第二发光元件的下表面之间。第二反射部件41优选与第一反射部件相接。这样，能够抑制来自发光元件的光被基板吸收。第二反射部件41覆盖第一配线的凸部的侧面。第二反射部件41的上表面优选位于发光元件的下表面与发光元件的上表面之间。通过使第二反射部件41的上表面位于比发光元件的下表面更向上，能够抑制来自发光元件的光被发光元件的电极吸收。通过使第二反射部件41的上表面位于比发光元件的下表面更向上，能够容易地输出来自发光元件的侧面的光，所以发光装置的光输出效率提高。第二反射部件可以使用与第一反射部件相同的材料。优选第一反射部件的母材与第二反射部件的母材为相同的材料。这样，能够提高第一反射部件与第二反射部件的接合强度。
如图8所示，也可以具有覆盖第一发光元件、第二发光元件和/或第三发光元件的上表面的涂层部件70。例如，涂层部件70也可以包括扩散部件。这样，能够减少在Z方向上行进的来自发光元件的光，增加在X方向和/或Y方向上行进的光。由此，能够在导光部件内使来自发光元件的光扩散，所以能够抑制发光装置的亮度不均匀。需要说明的是，涂层部件70位于发光元件的上表面与导光部件50之间。涂层部件70优选露出发光元件的侧面的至少一部分。这样，能够抑制在X方向和/或Y方向上行进的来自发光元件的光减少。
涂层部件70也可以含有波长转换部件。这样，容易进行发光装置的颜色调节。需要说明的是，涂层部件70中含有的波长转换部件与波长转换层中含有的波长转换部件可以相同，也可以不同。例如，在发光元件的发光峰值波长为490nm以上、570nm以下的范围(绿色区域的波长范围)内的情况下，波长转换部件优选为由490nm以上、570nm以下范围的光激发的CASN类荧光体和/或SCASN类荧光体。除此以外，作为波长转换部件，也可以使用(Sr，Ca)LiAl3N4：Eu的荧光体。
＜第二实施方式＞
基于图9至图12，说明本发明的第二实施方式的发光装置2000A、2000B。发光装置2000A与第一实施方式的发光装置1000A相比，不同之处在于基材所具有的凹陷、通孔以及第一反射部件。发光装置2000B与第一实施方式的发光装置1000A相比，不同之处在于基材所具有的凹陷、通孔、第一反射部件以及发光元件的数量。
如图10及图11所示，在俯视观察基板为长方形的情况下，在俯视观察下，基材的凹陷16可以与基材的短边侧的凹部分离。通过使基材的短边侧的凹部115与基材的凹陷16分离，能够减少在Z方向上基材的厚度较薄的部分。由此，基材的强度提高。另外，在俯视观察基材为长方形的情况下，第一反射部件40具有：长边侧的第一反射部401、以及短边侧的第二反射部402。在基材的短边侧的凹部115与基材的凹陷16分离的情况下，在俯视观察下，第二反射部402与基材的凹陷16分离。另外，第二反射部402的宽度也可以比第一反射部件的宽度大。
发光元件的数量未特别限定，可以如图12所示具有第一发光元件20A与第二发光元件20B两个发光元件。通过使发光装置只具有第一发光元件20A与第二发光元件20B两个发光元件，能够使发光装置小型化。
下面，针对本发明的一个实施方式的发光装置的各结构主要部件进行说明。
(基板10)
基板10是载置发光元件的部件。基板10具有基材11、以及第一配线12。基材11具有在基材的上表面及基材的侧面开口、且包围基材的上表面的外周的凹部。基材10此外也可以具有凹陷16、第二配线13、第三配线14、以及通孔15。
(基材11)
基材11可以利用树脂或纤维增强树脂、陶瓷、玻璃等绝缘性部件来构成。作为树脂或纤维增强树脂，可以举例出环氧、玻璃环氧、双马来酰亚胺三嗪(BT)、以及聚酰亚胺等。另外，也可以在基材11中含有二氧化钛等白色颜料。作为陶瓷，可以举例出氧化铝、氮化铝、氧化锆、氮化锆、二氧化钛、氮化钛、或上述的混合物等。在上述基材之中，特别优选使用具有与发光元件的线膨胀系数接近的物理特性的基材。基材厚度的下限值虽然可以适当选择，但从基材的强度的角度出发，优选为0.05mm以上，更优选为0.2mm以上。另外，基材厚度的上限值从发光装置的厚度(进深)的角度出发，优选为0.5mm以下，更优选为0.4mm以下。
(第一配线12)
第一配线配置在基板的上表面，与发光元件电连接。第一配线可以由铜、铁、镍、钨、铬、铝、银、金、钛、钯、铑、或者上述的合金形成。可以是上述金属或合金的单层，也可以是多层。在散热性的角度看，特别优选为铜或铜合金。另外，从导电性粘接部件的润湿性和/或光反射性等的角度出发，也可以在第一配线的表层设有银、铂、铝、铑、金或上述的合金等的层。
(第二配线13、第三配线14)
第二配线配置在基板的下表面。第三配线覆盖凹陷的内壁，与第二配线电连接。第二配线及第三配线可以使用与第一配线相同的导电性部件。
(通孔15)
通孔15设置在贯通基材11的上表面与下表面的孔内，是将第一配线与第二配线电连接的部件。通孔15可以由覆盖基材的贯通孔表面的第四配线151、以及向第四配线内151填充的填充部件152构成。第四配线151可以使用与第一配线、第二配线以及第三配线相同的导电性部件。填充部件152既可以使用导电性的部件，也可以使用绝缘性的部件。
(绝缘膜18)
绝缘膜18是确保下表面的绝缘性以及防止短路的部件。绝缘膜可以由该技术领域中所使用的任何材料形成。例如，可以举例出热硬化性树脂或热可塑性树脂等。
(第一发光元件20A、第二发光元件20B、第三发光元件20C)
第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件是通过施加电压而自身发光的半导体元件，可以应用由氮化物半导体等构成的已知的半导体元件。作为第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件，例如可以举例出LED芯片。第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件至少具有半导体层压体，在大多数情况下还具有元件基板。第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件的俯视形状虽然优选为长方形、特别是正方形状或者在一个方向上较长的长方形状，但也可以为其它的形状，例如六边形状也能够提高发光效率。第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件的侧面相对于上表面可以垂直，也可以向内侧或外侧倾斜。另外，第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件具有正负电极。正负电极可以由金、银、锡、铂、铑、钛、铝、钨、钯、镍或上述的合金构成。第一发光元件的发光峰值波长为430nm以上、不足490nm。第二发光元件的发光峰值波长为490nm以上、570nm以下。作为半导体材料，优选使用氮化物半导体。氮化物半导体主要由通式InxAlyGa1-x-yN(0≦x，0≦y，x+y≦1)表示。除此以外，也可以使用InAlGaAs类半导体、InAlGaP类半导体、硫化锌、硒化锌、碳化硅等。第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件的元件基板虽然主要为能够使构成半导体层压体的半导体晶体生成的晶体生长用基板，但也可以为与晶体生长用基板分离的、与半导体元件结构接合的接合用基板。通过使元件基板具有透光性，容易采用倒装片安装，而且容易提高光的输出效率。作为元件基板的母材，可以举例出蓝宝石、氮化镓、氮化铝、硅、碳化硅、砷化镓、镓磷、铟磷、硫化锌、氧化锌、硒化锌、金刚石等。其中，优选蓝宝石。元件基板的厚度可以适当选择，例如为0.02mm以上、1mm以下，在元件基板的强度和/或发光装置的厚度的角度看，优选为0.05mm以上、0.3mm以下。
(透光性部件30)
透光性部件设置在发光元件上，是保护发光元件的部件。透光性部件至少由如下所述的母材构成。另外，透光性部件通过在母材中含有如下所述的波长转换部件，能够作为波长转换部件发挥作用。透光性部件的各层的母材以如下方式构成。各层的母材既可以相同，也可以不同。透光性部件并非必须具有波长转换部件。
(透光性部件的母材)
透光性部件的母材只要对于从发光元件发出的光具有透光性即可。需要说明的是，所谓的“透光性”，是指第一发光元件的发光峰值波长的光透射率优选为60％以上，更优选为70％以上，进一步优选为80％以上。透光性部件的母材可以使用硅树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、或上述树脂的改性树脂。也可以为玻璃。其中，硅树脂及改性硅树脂的耐热性及耐光性良好，因而优选之。作为具体的硅树脂，可以举例出二甲基硅树脂、苯基-甲基硅树脂、二苯基硅树脂。透光性部件可以将上述母材之中的一种以单层来构成，或者层压上述母材之中的两种以上来构成。需要说明的是，本说明书中的“改性树脂”，是指包括混合树脂的树脂。需要说明的是，所谓的透光性部件的母材，也包括第一扩散层、透光层、波长转换层、第二扩散层的母材。
透光性部件的母材可以在上述树脂或玻璃中含有各种扩散粒子。作为扩散粒子，可以举例出二氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化锌等。扩散粒子可以单独使用上述粒子之中的一种，或者将上述粒子之中的两种以上进行组合而使用。特别优选热膨胀系数较小的二氧化硅。另外，作为扩散粒子，通过使用纳米粒子，能够使发光元件发出的光的散射增大，也能够减少波长转换部件的使用量。需要说明的是，纳米粒子为粒径在1nm以上、100nm以下的粒子。另外，本说明书中的“粒径”例如由D50进行定义。
(波长转换部件)
波长转换部件将发光元件发出的一次光的至少一部分进行吸收，发出波长与一次光不同的二次光。波长转换部件可以单独使用如下所示的具体例子之中的一种，或者将两种以上进行组合来使用。在透光性部件具有多个波长转换层的情况下，各波长转换层中含有的波长转换部件可以相同，也可以不同。
作为发绿色光的波长转换部件，可以举例出钇/铝/石榴石类荧光体(例如Y3(Al，Ga)5O12：Ce)、镥/铝/石榴石类荧光体(例如Lu3(Al，Ga)5O12：Ce)、铽/铝/石榴石类荧光体(例如Tb3(Al，Ga)5O12：Ce)类荧光体、硅酸盐类荧光体(例如(Ba，Sr)2SiO4：Eu)、氯硅酸盐类荧光体(例如Ca8Mg(SiO4)4Cl2：Eu)、β塞隆类荧光体(例如Si6-zAlzOzN8-z：Eu(0＜z＜4.2))、SGS类荧光体(例如SrGa2S4：Eu)等。作为发黄色光的波长转换部件，可以举例出α塞隆类荧光体(例如Mz(Si，Al)12(O，N)16(其中，0＜z≦2，M为Li、Mg、Ca、Y、以及除了La和Ce以外的镧系元素))等。除此以外，在上述发绿色光的波长转换部件之中也具有发黄色光的波长转换部件。另外，例如，钇/铝/石榴石类荧光体通过由Gd置换Y的一部分，能够使发光峰值波长转换为长波长侧，能够发黄色光。另外，在上述波长转换部件中，也具有能够发出橙色光的波长转换部件。作为发红色光的波长转换部件，可以举例出含氮硅铝酸盐(CASN或者SCASN)类荧光体(例如(Sr，Ca)AlSiN3：Eu)等。除此以外，可以举例出锰活化的氟化物类荧光体(由通式(I)A2[M1-aMnaF6]表示的荧光体(其中，上述通式(I)中，A为从由K、Li、Na、Rb、Cs以及NH4构成的组中选择的至少一种，M为从由第四族元素及第十四族元素构成的组中选择的至少一种元素，a满足0＜a＜0.2))。作为该锰活化的氟化物类荧光体的代表例子，具有锰活化的氟硅酸钾的荧光体(例如K2SiF6：Mn)。
(第一反射部件)
从向Z方向的光输出效率的角度出发，第一反射部件优选对第一发光元件的发光峰值波长的光反射率为70％以上，更优选为80％以上，进一步优选为90％以上。此外，第一反射部件优选为白色。因此，第一反射部件优选在母材中含有白色颜料。第一反射部件在硬化前经历过液态的状态。第一反射部件可以通过转移成型、注塑成型、压塑成型、灌封成型等形成。
(第一反射部件的母材)
第一反射部件的母材可以使用树脂，例如可以举例出硅树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、或者上述树脂的改性树脂。其中，硅树脂及改性硅树脂的耐热性及耐光性良好，因而优选之。作为具体的硅树脂，可以举例出二甲基硅树脂、苯基-甲基硅树脂、二苯基硅树脂。
(白色颜料)
白色颜料可以单独使用二氧化钛、氧化锌、氧化镁、碳酸镁、氢氧化镁、碳酸钙、氢氧化钙、硅酸钙、硅酸镁、钛酸钡、硫酸钡、氢氧化铝、氧化铝、氧化锆、二氧化硅之中的一种，或者将上述材料之中的两种以上进行组合来使用。白色颜料的形状可以适当选择，虽然也可以为不定形或粉碎状，但在流动性的角度看，优选球状。另外，白色颜料的粒径例如虽然举例为0.1μm以上、0.5μm以下程度，但为了提高光反射及涂层的效果，越小则越优选之。光反射性的反射部件中的白色颜料的含有量虽然可以适当选择，但从光反射性及液态时的粘度等角度出发，例如优选为10wt％以上、80wt％以下，更优选为20wt％以上、70wt％以下，进一步优选为30wt％以上、60wt％以下。需要说明的是，“wt％”是重量百分比，表示该材料的重量相对于光反射性的反射部件的总重量的比率。
(第二反射部件)
第二反射部件是位于发光元件与基板之间的部件。第二反射部件可以使用与第一反射部件相同的反射部件。
(涂层部件70)
涂层部件覆盖发光元件的光输出面，使发光元件的光扩散，或者转换为峰值波长与发光元件的光不同的光。
(涂层部件的母材)
涂层部件的母材可以使用与透光性部件的母材相同的材料。
(涂层部件的扩散粒子)
涂层部件的扩散粒子可以使用与透光性部件的扩散粒子相同的材料。
(导光部件50)
导光部件是覆盖发光元件及基材的上表面的部件。导光部件的母材可以举例出硅树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、或上述树脂的改性树脂。其中，硅树脂及改性硅树脂的耐热性及耐光性良好，因而优选之。作为具体的硅树脂，可以举例出二甲基硅树脂、苯基-甲基硅树脂、二苯基硅树脂。另外，导光部件的母材也可以含有与上述的透光性部件相同的填料。
(导电性粘接部件60)
导电性粘接部件是将发光元件的电极与第一配线电连接的部件。作为导电性粘接部件，可以使用金、银、铜等的凸起(バンプ)、含有银、金、铜、铂、铝、钯等的金属粉末与树脂粘合剂的金属膏、锡-铋类、锡-铜类、锡-银类、金-锡类等的焊料、以及低熔点金属等的钎料之中的任意一种。
工业实用性
本发明的一个实施方式的发光装置能够应用在液晶显示器的背光装置、各种照明装置、大型显示器、广告及目的地指南等各种显示装置、投影仪装置、以及数码摄像机、传真机、复印机、扫描仪等图像读取装置等中。

Claims (9)

1.一种发光装置，其特征在于，具有：
基板，其包括：具有上表面、位于所述上表面的相反一侧的下表面、位于所述上表面与所述下表面之间的侧面、以及在所述上表面及所述侧面开口且包围所述上表面的外周的凹部的基材、以及配置于所述上表面的第一配线；
第一发光元件，其与所述第一配线电连接，在所述第一配线上载置的发光峰值波长为430nm以上、不足490nm；
第二发光元件，其与所述第一配线电连接，在所述第一配线上载置的发光峰值波长为490nm以上、570nm以下；
导光部件，其覆盖所述第一发光元件、所述第二发光元件以及所述上表面，与所述凹部分离；
环状的第一反射部件，其配置于所述凹部内，包围所述上表面及所述导光部件，与所述导光部件相接；
所述基材的侧面的至少一部分与所述第一反射部件的外侧面的至少一部分齐平。
2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
具有透光性部件，该透光性部件经由所述导光部件覆盖所述第一发光元件的上表面以及所述第二发光元件的上表面。
3.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于，
所述透光性部件含有波长转换部件。
4.如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，
所述透光性部件具有：第一扩散层、配置在所述第一扩散层上的透光层、配置在所述透光层上的波长转换层、以及配置在所述波长转换层上的第二扩散层。
5.如权利要求1至4中任一项所述的发光装置，其特征在于，
在俯视观察下，所述基板为长方形，
所述第一反射部件具有长边侧的第一反射部、以及短边侧的第二反射部。
6.如权利要求5所述的发光装置，其特征在于，
在俯视观察下，所述第一反射部的宽度比所述第二反射部的宽度大。
7.如权利要求5或6所述的发光装置，其特征在于，
所述基材具有在所述下表面与所述侧面开口的凹陷，
在俯视观察下，所述第二反射部与所述凹陷分离。
8.如权利要求1至7中任一项所述的发光装置，其特征在于，
在俯视观察下，所述第一反射部件的宽度为10μm以上、50μm以下。
9.如权利要求1至8中任一项所述的发光装置，其特征在于，
在所述基板与所述第一发光元件的下表面之间具有第二反射部件。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7285439B2 (ja) * 2020-11-30 2023-06-02 日亜化学工業株式会社 面状光源

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007067204A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオード装置
CN101315963A (zh) * 2007-05-29 2008-12-03 岩谷产业株式会社 半导体发光装置
CN101855735A (zh) * 2007-11-19 2010-10-06 松下电器产业株式会社 半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法
US20110220927A1 (en) * 2010-06-01 2011-09-15 Min Bong Kul Light emitting device package
JP2011192738A (ja) * 2010-03-12 2011-09-29 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光装置
JP2012124191A (ja) * 2010-12-06 2012-06-28 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置及びその製造方法
CN103633079A (zh) * 2012-08-23 2014-03-12 Lg伊诺特有限公司 发光器件
CN104380489A (zh) * 2012-06-29 2015-02-25 夏普株式会社 发光装置、照明装置以及显示装置用背光灯
US20170062684A1 (en) * 2015-08-31 2017-03-02 Nichia Corporation Light-emitting device
JP2018022758A (ja) * 2016-08-03 2018-02-08 シチズン電子株式会社 発光装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007021042A1 (de) 2006-07-24 2008-01-31 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Suwon Leuchtdiodenmodul für Lichtquellenreihe
JP2009140835A (ja) 2007-12-08 2009-06-25 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置及び面状ライトユニット並びに表示装置
JP5692952B2 (ja) 2007-12-11 2015-04-01 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
JP2012080085A (ja) 2010-09-10 2012-04-19 Nichia Chem Ind Ltd 支持体及びそれを用いた発光装置
CN202111151U (zh) 2011-05-13 2012-01-11 佛山市国星光电股份有限公司 新型top led支架及由其制造的top led器件
JP5753446B2 (ja) 2011-06-17 2015-07-22 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法
JP2013143430A (ja) 2012-01-10 2013-07-22 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置及びそれを用いた照明装置
JP2013219260A (ja) 2012-04-11 2013-10-24 Sharp Corp 発光装置、照明装置及び発光装置の製造方法
JP5915483B2 (ja) 2012-09-27 2016-05-11 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JPWO2015056525A1 (ja) 2013-10-18 2017-03-09 シャープ株式会社 発光装置
JP6554914B2 (ja) 2015-06-01 2019-08-07 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法
JP6451579B2 (ja) 2015-09-30 2019-01-16 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6842234B2 (ja) 2015-10-13 2021-03-17 ローム株式会社 光半導体装置の製造方法および光半導体装置
US10304813B2 (en) 2015-11-05 2019-05-28 Innolux Corporation Display device having a plurality of bank structures
JP6825208B2 (ja) 2016-02-05 2021-02-03 大日本印刷株式会社 光波長変換組成物、波長変換部材、光波長変換シート、バックライト装置、および画像表示装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007067204A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオード装置
CN101315963A (zh) * 2007-05-29 2008-12-03 岩谷产业株式会社 半导体发光装置
CN101855735A (zh) * 2007-11-19 2010-10-06 松下电器产业株式会社 半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法
JP2011192738A (ja) * 2010-03-12 2011-09-29 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光装置
US20110220927A1 (en) * 2010-06-01 2011-09-15 Min Bong Kul Light emitting device package
JP2012124191A (ja) * 2010-12-06 2012-06-28 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置及びその製造方法
CN104380489A (zh) * 2012-06-29 2015-02-25 夏普株式会社 发光装置、照明装置以及显示装置用背光灯
CN103633079A (zh) * 2012-08-23 2014-03-12 Lg伊诺特有限公司 发光器件
US20170062684A1 (en) * 2015-08-31 2017-03-02 Nichia Corporation Light-emitting device
JP2018022758A (ja) * 2016-08-03 2018-02-08 シチズン電子株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP7089159B2 (ja) 2022-06-22
US11605617B2 (en) 2023-03-14
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