CN110098303A - 发光装置 - Google Patents

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Nichia Chemical Industries Ltd
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Abstract

提供一种能够抑制配光色度不均的发光装置。发光装置具备：发光元件，其具有第一面和位于所述第一面的相反侧的第二面；导光部件，其覆盖所述发光元件的侧面；第一波长转换部件，其覆盖所述第一面，并且具有第一母材以及第一波长转换粒子；反射部件，其覆盖所述发光元件的侧面、所述导光部件的侧面以及第一波长转换部件的侧面，并且与所述发光元件接触；所述第一波长转换部件的厚度为60μm以上且120μm以下，所述第一波长转换粒子的平均粒径为4μm以上且12μm以下，所述第一波长转换粒子的中心粒径为4μm以上且12μm以下，相对于所述第一波长转换部件的总重量，所述第一波长转换粒子为60重量％以上且75重量％以下。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及发光装置。
背景技术
已知一种发光装置，具有：发光元件；光学层，其配置在发光元件上，使发光元件所发出的光的至少一部分透过；板状光学部件，其搭载在光学层之上，使发光元件所发出的光的至少一部分透过(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2012-134355号公报
发明内容
在作为背光源或照明使用的情况下，谋求不管场所如何都能够获得均匀的色度的光。在这里，本发明实施方式的目的在于，提供一种能够抑制配光色度不均的发光装置。
本发明实施方式的发光装置具备：发光元件，其具有第一面和位于所述第一面的相反侧的第二面；导光部件，其覆盖所述发光元件的侧面；第一波长转换部件，其覆盖所述第一面，并且具有第一母材以及第一波长转换粒子；反射部件，其覆盖所述发光元件的侧面、所述导光部件的侧面以及第一波长转换部件的侧面，并且与所述发光元件接触；所述第一波长转换部件的厚度为60μm以上且120μm以下，所述第一波长转换粒子的平均粒径为4μm以上且12μm以下，所述第一波长转换粒子的中心粒径为4μm以上且12μm以下，相对于所述第一波长转换部件的总重量，所述第一波长转换粒子为60重量％以上且75重量％以下。
根据本发明实施方式的发光装置，能够提供一种能够抑制配光色度不均的发光装置。
附图说明
图1A是实施方式1的发光装置的概略立体图。
图1B是实施方式1的发光装置的概略立体图。
图1C是实施方式1的发光装置的概略主视图。
图2A是图1C的2A-2A线的概略剖视图。
图2B是图1C的2B-2B线的概略剖视图。
图2C是实施方式1的发光装置的变形例的概略剖视图。
图2D是实施方式1的发光装置的变形例的概略剖视图。
图3A是实施方式1的发光装置的概略后视图。
图3B是实施方式1的发光装置的概略底视图。
图3C是实施方式1的发光装置的概略侧视图。
图4是实施方式1的基板的概略侧视图。
图5A是实施方式1的发光装置的概略剖视图和将点线部内放大表示的放大图。
图5B是实施方式1的发光装置的变形例的概略剖视图和将点线部内放大表示的放大图。
附图标记说明
1000、1000A、1000B、1000C发光装置，10基板，11基材，12第一配线，13第二配线，14第三配线，15过孔，151第四配线，152填充部件，16凹部，18绝缘膜，20发光元件，31第一波长转换部件，32第二波长转换部件，33覆盖部件，34覆膜，40反射部件，50导光部件，60导电性粘接部件。
具体实施方式
以下，适当参照附图对本发明的实施方式进行说明。其中，以下说明的发光装置用于将本发明的技术构思具体化，只要没有特定的记载，不应将本发明限制为以下的内容。而且，在一个实施方式中说明的内容也能够适用于变形例。另外，附图所示的部件的大小或位置关系等存在为了使说明清楚而夸张表示的情况。
＜实施方式1＞
基于图1A至图5B对本发明实施方式的发光装置1000进行说明。发光装置1000具备发光元件20、导光部件50、第一波长转换部件31和反射部件40。发光元件20具有第一面201和位于第一面201的相反侧的第二面203。导光部件50覆盖发光元件的侧面202。第一波长转换部件31覆盖发光元件的第一面201。并且，第一波长转换部件31具有第一母材312以及第一波长转换粒子311。第一波长转换部件31的厚度为60μm以上且120μm以下。第一波长转换粒子311的平均粒径为4μm以上且12μm以下。第一波长转换粒子311的中心粒径为4μm以上且12μm以下。相对于第一波长转换部件31的总重量，第一波长转换粒子311为60重量％以上且75重量％以下。反射部件40覆盖发光元件的侧面、导光部件的侧面以及第一波长转换部件的侧面。并且，反射部件40与发光元件接触。发光装置具备至少一个发光元件即可。也就是说，发光装置可以仅具备一个发光元件，也可以具备多个发光元件。
第一波长转换部件31所包含的第一波长转换粒子311的平均粒径为4μm以上且12μm以下。通过使第一波长转换粒子311的平均粒径为12μm以下，在第一波长转换部件31所包含的第一波长转换粒子311的浓度相同的情况下，能够使第一母材312与第一波长转换粒子311的界面增大。通过使第一母材与第一波长转换粒子的界面增大，来自发光元件的光容易通过第一母材与第一波长转换粒子的界面扩散。由此，由于来自发光元件的光在第一波长转换部件内扩散，因而能够抑制发光装置的配光色度不均。通过使第一波长转换粒子的平均粒径为4μm以上，容易将来自发光元件的光取出，因此能够提高发光装置的光取出效率。
在本说明书中，第一波长转换粒子311的平均粒径是指通过FSSS法(费氏粒度测定仪：Fisher Sub-Sieve Sizer)测定的粒子径的平均值。通过费式法测定的平均粒径例如使用Fisher Sub-Sieve Sizer Model 95(Fisher Scientific公司制造)进行测定。
第一波长转换部件31所包含的第一波长转换粒子311的中心粒径为4μm以上且12μm以下。通过使第一波长转换粒子的中心粒径为12μm以下，在第一波长转换部件31所包含的第一波长转换粒子311的浓度相同的情况下，第一母材与第一波长转换粒子的界面增大。通过使第一母材与第一波长转换粒子的界面增大，来自发光元件的光容易通过第一母材与第一波长转换粒子的界面扩散。由此，由于来自发光元件的光在第一波长转换部件内扩散，因而能够抑制发光装置的配光色度不均。通过使第一波长转换粒子的平均粒径为4μm以上，容易将来自发光元件的光取出，因此能够提高发光装置的光取出效率。
在本说明书中，第一波长转换粒子311的中心粒径是体积平均粒径(中值粒径)，是从小径侧的体积累积频度达到50％的粒径(D50：中值粒径)。能够通过激光衍射式粒度分布测定装置(MALVERN公司制造的MASTERSIZER 2000)对中心粒径进行测定。
第一波长转换粒子的从小径侧的体积累积频度达到10％的粒径(D10)优选为6μm以上且10μm以下。第一波长转换粒子的从小径侧的体积累积频度达到90％的粒径(D90)优选为15μm以上且20μm以下。
第一波长转换粒子的基于体积基准的粒度分布的标准差(σlog)优选为0.3μm以下。通过使第一波长转换粒子的粒度不均小，容易形成均一厚度的波长转换部件31。
作为第一波长转换粒子，例如，能够举出锰激活氟化物类荧光体。锰激活氟化物类荧光体能够得到光谱线宽度较窄的发光，从颜色再现性的观点出发是优选的部件。
第一波长转换部件31的厚度为60μm以上且120μm以下。通过使第一波长转换部件的厚度为60μm以上，能够使在第一波长转换部件31中能够含有的第一波长转换粒子311增多。通过使第一波长转换部件31的厚度为120μm以下，能够使发光装置薄型化。需要说明的是，第一波长转换部件的厚度是指Z方向上的第一波长转换部件的厚度。
第一波长转换粒子311相对于第一波长转换部件31的总重量为60重量％且以上且75重量％以下。通过使第一波长转换粒子相对于第一波长转换部件的总重量为60重量％以上，第一波长转换粒子的含有量增加，因此第一母材与第一波长转换粒子的界面增大。通过使第一母材与第一波长转换粒子的界面增大，来自发光元件的光容易通过第一母材与第一波长转换粒子的界面变得容易扩散。由此，由于来自发光元件的光在第一波长转换部件内扩散，因此能够抑制发光装置的配光色度不均。由于通过使第一波长转换粒子相对于第一波长转换部件的总重量为75重量％以下，第一波长转换部件中的第一母材的比例增大，因此能够抑制第一波长转换部件断裂。需要说明的是，第一波长转换部件可以仅具有第一波长转换粒子作为波长转换粒子，也可以具有与第一波长转换粒子为不同材料的波长转换粒子。
发光装置可以如图2A所示的发光装置1000那样具备位于发光元件20与第一波长转换部件31之间的第二波长转换部件32，也可以如图2C所示的发光装置1000A那样不具备位于发光元件20与第一波长转换部件31之间的第二波长转换部件。第二波长转换部件32包含第二母材322以及第二波长转换粒子321。优选第一波长转换粒子311的平均粒径比第二波长转换粒子321的平均粒径小。通过使第二波长转换粒子的平均粒径比第一波长转换粒子的平均粒径大，来自发光元件的光容易导入第二波长转换部件32，因此发光装置的光取出效率提高。并且，通过使第一波长转换粒子311的平均粒径比第二波长转换粒子321的平均粒径小，来自发光元件的光容易在第一波长转换部件31内扩散，能够抑制发光装置的配光色度不均。第一波长转换粒子的材料和第二波长转换粒子的材料可以相同，也可以不同。并且，第一母材312的材料和第二母材322的材料可以相同，也可以不同。通过使第一母材312的材料和第二母材322的材料相同，第一波长转换部件31与第二波长转换部件32的接合强度提高。通过使第一母材312的材料与第二母材322的材料不同，在第一母材312与第二母材322之间产生折射率差。由此，由于来自发光元件的光容易在第一母材312与第二母材322的界面发生扩散，因此能够抑制发光装置的配光色度不均。优选第一母材312的折射率比第二母材322的折射率高。这样，能够抑制来自发光元件的光在第一母材312与第二母材322的界面发生全反射。由此，发光装置的光取出效率提高。
第二波长转换部件32的厚度优选为20μm以上且60μm以下。通过使第二波长转换部件32的厚度在20μm以上，能够使在第二波长转换部件32中能够含有的第二波长转换粒子321增多。通过使第二波长转换部件32的厚度为60μm以下，能够使发光装置薄型化。需要说明的是，第二波长转换部件的厚度是指Z方向上的第二波长转换部件的厚度。
优选第二波长转换部件32的厚度是第一波长转换部件31的厚度的一半以下。这样，与第二波长转换部件32厚的情况相比，来自发光元件的光容易照射到第一波长转换部件31。例如，在第一波长转换部件31为80±5μm的情况下，优选第二波长转换部件32的厚度为35±5μm。需要说明的是，后述覆盖第一波长转换部件31的覆盖部件33的厚度可以具有与第一波长转换部件31同等的厚度。例如，第一波长转换部件31的厚度为80±5μm，第二波长转换部件32的厚度为35±5μm，覆盖部件33的厚度可以是80±5μm。需要说明的是，在本说明书中，同等的厚度意味着允许5μm左右的变动。
优选来自被发光元件激发的第二波长转换粒子321的光的峰值波长比来自被发光元件激发的第一波长转换粒子311的光的峰值波长短。通过使来自被发光元件激发的第二波长转换粒子321的光的峰值波长比来自被发光元件激发的第一波长转换粒子311的光的峰值波长短，能够通过来自被发光元件激发的第二波长转换粒子的光来激发第一波长转换粒子。由此，能够使来自被激发的第一波长转换粒子的光增加。第一波长转换部件31配置在第二波长转换部件32上，因此来自被发光元件激发的第二波长转换粒子的光容易向第一波长转换粒子射出。
优选来自被发光元件激发的第一波长转换粒子311的光的峰值波长为610nm以上且750nm以下，来自被发光元件激发的第二波长转换粒子321的光的峰值波长为500nm以上且570nm以下。这样，能够得到演色性高的发光装置。通过对发光峰值波长为430nm以上且475nm以下的范围的发光元件(蓝色发光元件)、被发光元件激发的光的峰值波长为610nm以上且750nm以下的第一波长转换粒子、被发光元件激发的光的峰值波长为500nm以上且570nm以下的第二波长转换粒子进行组合，能够得到白色发光的发光装置。例如，作为第一波长转换粒子能够举出锰激活氟化硅酸钾荧光体，作为第二波长转换粒子能够举出β塞隆类荧光体。在使用锰激活氟化硅酸钾荧光体作为第一波长转换粒子的情况下，特别优选的是具备位于发光元件20与第一波长转换部件31之间的第二波长转换部件32。虽然锰激活氟化物荧光体即第一波长转换粒子容易引发辉度饱和，但通过使第二波长转换部件32位于第一波长转换部件31与发光元件20之间，能够抑制来自发光元件的光过度地向第一波长转换粒子照射。由此，能够抑制锰激活氟化物荧光体即第一波长转换粒子的劣化。
如图2A所示，发光元件20具备第一面201和与第一面201位于相反侧的第二面203。发光元件20至少包含半导体层叠体23，在半导体层叠体23上设有正负电极21、22。优选正负电极21、22在发光元件20的同一侧的面上形成，发光元件20倒装安装在安装基板上。由此，由于不需要向发光元件的正负电极供电的电线，因此能够使发光装置小型化。在发光元件倒装安装的情况下，发光元件的正负电极21、22位于第二面203。需要说明的是，在本实施方式中，发光元件20具有元件基板24，但也可以除去元件基板24。
导光部件50覆盖发光元件的侧面202。对于导光部件50来说，来自发光元件20的光的透过率比反射部件40高。因此，导光部件50覆盖到发光元件的侧面202，从发光元件20的侧面射出的光容易通过导光部件50而取出到发光装置的外侧，因此，能够提高光取出效率。并且，导光部件50可以位于发光元件的第一面201与透光性部件30之间，也可以不位于发光元件的第一面201与透光性部件30之间。导光部件是将发光元件与透光性部件粘接的部件，因此通过使导光部件位于发光元件的第一面201与透光性部件30之间，能够使发光元件与透光性部件的接合强度提高。
反射部件40覆盖发光元件的侧面、导光部件的侧面以及第一波长转换部件的侧面。这样，发光区域与非发光区域的对比度高，能够实现“通透性”好的发光装置。并且，反射部件40的至少一部分与发光元件接触。通过使反射部件40的至少一部分与发光元件接触，能够使发光装置小型化。优选反射部件40与发光元件的第二面203接触。这样，能够抑制来自发光元件的光被安装发光元件的基板吸收。
如图2A所示的发光装置1000那样，可以具备覆盖第一波长转换部件31的覆盖部件33。覆盖部件33实质上不含有波长转换粒子。通过具备覆盖第一波长转换部件31的覆盖部件33，即使使用不耐水分的第一波长转换粒子，覆盖部件33也能够作为保护层发挥作用，因此能够抑制第一波长转换粒子的劣化。作为不耐水分的波长转换粒子，例如能够举出锰激活氟化物荧光体。锰激活氟化物类荧光体能够实现光谱线宽度较窄的发光，从颜色再现性的观点出发是优选的部件。“实质上不含有波长转换粒子”是指不排除不可避免地混入的波长转换粒子，优选波长转换粒子的含有率在0.05重量％以下。需要说明的是，在本说明书中，对第一波长转换部件31、第二波长转换部件32和/或覆盖部件33进行组合而将其称作透光性部件30。
如图2D所示的发光装置1000C那样，可以具备覆盖透光性部件30的上表面的覆膜34。覆膜34是指作为纳米粒子的覆膜粒子的聚合体。需要说明的是，覆膜可以仅为覆膜粒子，也可以包括覆膜粒子以及树脂材料。通过使覆膜的折射率与位于最表面的透光性部件的母材的折射率不同，能够进行发光装置的发光色度的修正。位于最表面的透光性部件的母材是指透光性部件中形成与发光元件的光取出面侧的面相反的面的层的母材。例如，在覆膜34的折射率比位于最表面的透光性部件的母材的折射率大的情况下，覆膜与空气的界面处的反射光成分与位于最表面的透光性部件的母材与空气的界面处的反射光成分相比增多。因此，由于能够使返回到透光性部件中的反射光成分增多，因此容易激发波长转换粒子。由此，能够将发光装置的发光色度向长波长侧修正。并且，在覆膜34的折射率比位于最表面的透光性部件的母材的折射率小的情况下，覆膜与空气的界面处的反射光成分与透光部件的母材与空气的界面处的反射光成分相比减少。由此，能够使返回到透光性部件中的反射光成分减少，因此难以激发波长转换粒子。由此，能够将发光装置的发光色度向短波长侧修正。例如，在作为位于最表面的透光性部件的母材使用苯基类硅树脂的情况下，作为将发光装置的发光色度将长波长侧修正的覆膜粒子，能够举出氧化钛、氧化铝等。在位于最表面的透光性部件的母材使用苯基类硅树脂的情况下，作为将发光装置的发光色度向短波长侧修正的覆膜粒子，能够举出氧化硅等。在发光装置具备多个透光性部件的情况下，可以通过覆膜覆盖一方的透光性部件的上表面而使另一方的透光性部件的上表面不被覆膜覆盖。能够根据发光装置的发光色度的修正而适当地选择是否形成覆盖透光性部件的上表面的覆膜。并且，在发光装置具备多个透光性部件的情况下，可以通过具有比位于最表面的透光性部件的母材的折射率大的折射率的覆膜来覆盖一方的透光性部件的上表面，并且通过具有比位于最表面的透光性部件的母材的折射率小的折射率的覆膜来覆盖另一方的透光性部件的上表面。能够根据发光装置的发光色度的修正来适当地选择覆盖透光性部件的覆膜的材料。覆膜能够通过由分注器进行的灌封、喷墨或由喷雾进行的喷涂等公知的方法形成。
发光装置可以具备载置发光元件的基板10。例如，基板10具备基材11、第一配线12、第二配线13、第三配线14、过孔15。基材11具有在长边方向即第一方向和短边方向即第二方向上延长的正面111、位于正面的相反侧的背面112、与正面111相邻且与正面111正交的底面113、位于底面113的相反侧的顶面114。基材11还具有至少一个凹部16。第一配线12配置在基材11的正面111。第二配线13配置在基材11的背面112。发光元件20与第一配线12电连接，载置在第一配线12上。反射部件40覆盖发光元件20的侧面202以及基板的正面111。至少一个凹部在背面112和底面113开口。第三配线14覆盖凹部的内壁并且与第二配线电连接。过孔15与第一配线12以及第二配线接触。过孔15与第一配线12以及第二配线13电连接。并且，过孔15从基材11的正面111贯通背面112。需要说明的是，在本说明书中正交是指允许90°±3°左右的倾斜。
过孔15可以与第三配线接触，也可以与第三配线分开。通过使过孔15与第三配线接触，能够使来自发光元件的热从第一配线12经由过孔15向第二配线13和/或第三配线14传递，因此能够使发光装置1000的散热性提高。通过使过孔15与第三配线分开，从背面看过孔与凹部不重叠，因此基板的强度得以提高。在具有多个过孔15的情况下，可以使一方的过孔与第三配线接触，使另一方的过孔与第三配线分开。
在发光元件20倒装安装于基板10的情况下，发光元件的正负电极21、22经由导电性粘接部件60与基板10连接。在发光元件20倒装安装于基板10的情况下，优选第一配线12具备凸部121。通过使发光元件20的正负电极21、22位于第一配线12的凸部121上，在经由导电性粘接部件60连接第一配线12与发光元件的正负电极21、22时，能够通过自调节效果容易地进行发光元件与基板的对位。
优选从背面看过孔15为圆形。这样，能够通过钻头等容易地形成。在本说明书中，圆形不仅仅是正圆形，还包含与其接近的形状(例如，可以是椭圆形或四边形的四角倒角成大的圆弧状的形状)。
过孔15可以通过在基材的贯通孔内填充导电性材料来构成，也可以如图2A所示，具备覆盖基材的贯通孔的表面的第四配线151和在被第四配线151围成的区域中填充的填充部件152。填充部件152可以是导电性的，也可以是绝缘性的。优选在填充部件152使用树脂材料。一般来说，由于固化前的树脂材料比固化前的金属材料流动性高，因此容易填充到第四配线151内。因此，通过在填充部件中使用树脂材料，基板的制造变得容易。作为容易填充的树脂材料，例如能够举出环氧树脂。在作为填充部件使用树脂材料的情况下，为了使线膨张系数降低，优选含有添加部件。这样，与第四配线的线膨张系数的差变小，因此能够抑制由于来自发光元件的热使第四配线与填充部件之间产生间隙。作为添加部件，例如能够举出氧化硅。并且，在填充部件152中使用金属材料的情况下，能够使散热性提高。并且，在过孔15通过在基材的贯通孔内填充导电性材料而构成的情况下，优选使用导热性高的Ag、Cu等金属材料。
发光装置1000可以通过在凹部16内形成的焊料等接合部件固定于安装基板。基板具备的凹部的数量可以是一个，也可以是多个。通过使凹部为多个，能够使发光装置1000与安装基板的接合强度提高。凹部的深度可以在顶面侧和底面侧为相同的深度，也可以在底面侧比顶面侧深。如图2B所示，通过使Z方向上的凹部16的深度在底面侧比顶面侧深，能够在Z方向上使位于凹部的顶面侧的基材的厚度W1比位于凹部的底面侧的基材的厚度W2厚。由此，能够抑制基材的强度降低。并且，通过使底面侧的凹部的深度W3比顶面侧的凹部的深度W4深，在凹部内形成的接合部件的体积增加，因此能够提高发光装置1000与安装基板的接合强度。发光装置1000无论是在将基材11的背面112与安装基板对置安装的顶面发光型(顶视型)中，还是在将基材11的底面113与安装基板对置安装的侧面发光型(侧视型)中，通过使接合部件的体积增加，能够提高与安装基板的接合强度。
特别是在侧面发光型的情况下，能够提高发光装置1000与安装基板的接合强度。通过使Z方向上的凹部的深度在底面侧比顶面侧深，能够增加底面的凹部的开口部的面积。通过使与安装基板对置的底面的凹部的开口部的面积变大，能够增大位于底面的接合部件的面积。由此，能够增加位于与安装基板对置的面的接合部件的面积，因此能够提高发光装置1000与安装基板的接合强度。
优选Z方向上的凹部的深度的最大值为Z方向上的基材的厚度的0.4倍到0.9倍。通过使凹部的深度比基材的厚度的0.4倍深，在凹部内形成的接合部件的体积增加，因此能够提高发光装置与安装基板的接合强度。通过使凹部的深度比基材的厚度的0.9倍浅，能够抑制基材的强度降低。
如图2B所示，优选凹部16具备从背面112向与底面113平行的方向(Z方向)延伸的平行部161。通过具备平行部161，即使背面的凹部的开口部的面积相同也能够增大凹部的体积。通过增大凹部的体积能够使在凹部内形成的焊料等接合部件的量增加，因此能够提高发光装置1000与安装基板的接合强度。需要说明的是，在本说明书中平行是指允许±3°左右的倾斜。并且，凹部16具备在剖视观察时从底面113向基材11的厚度变厚的方向倾斜的倾斜部162。倾斜部162可以为直线，也可以弯曲。
优选Y方向的凹部的高度的最大值是Y方向的基材的厚度的0.3倍到0.75倍。通过使Y方向的凹部的深度比基材的厚度的0.3倍长，能够使在凹部内形成的接合部件的体积增大，因此能够使发光装置与安装基板的接合强度提高。通过使Y方向的凹部的长度比基材的厚度的0.75倍浅，能够抑制基材的强度下降。
如图3A所示，在背面有多个凹部16的情况下，优选相对于与Y方向平行的基材的中心线3C位于左右对称的位置。这样，在将发光装置经由接合部件安装于安装基板时自调节有效地发挥作用，能够高精度地将发光装置安装在安装范围内。
发光装置可以具备覆盖第二配线13的一部分的绝缘膜18。通过具备绝缘膜18，能够实现确保背面的绝缘性并且防止短路。另外，能够防止第二配线从基材剥离。
在底面，Z方向上的凹部的深度可以大致恒定，也可以是在中央和端部不同。如图3B所示，在底面，优选凹部16的中央的深度D1为Z方向上的凹部深度的最大值。这样，在底面，在X方向的凹部的端部，能够增厚Z方向上的基材的厚度D2，因此能够使基材的强度提高。需要说明的是，在本说明书中，中央是指允许5μm左右的波动。凹部16能够通过钻头或激光等公知的方法形成。
如图3C所示，优选位于底面113侧的反射部件40的长度方向的侧面403在Z方向上向发光装置1000的内侧倾斜。这样，在将发光装置1000安装于安装基板时，能够抑制反射部件40的侧面403与安装基板接触，发光装置1000的安装姿态容易稳定。优选位于顶面114侧的反射部件40的长度方向的侧面404在Z方向上向发光装置1000的内侧倾斜。这样，能够抑制反射部件40的侧面与吸附嘴(夹具)接触，能够抑制发光装置1000的吸附时反射部件40的损伤。这样，优选位于底面113侧的反射部件40的长度方向的侧面403以及位于顶面114侧的反射部件40的长度方向的侧面404在从背面向正面的方向(Z方向)上向发光装置1000的内侧倾斜。反射部件40的倾斜角度θ能够适当地选择，但从发挥这样的效果的难易度和反射部件40的强度的观点出发，优选为0.3°以上且3°以下，更优选的是0.5°以上2°以下，进一步优选为0.7°以上且1.5°以下。并且，优选发光装置1000的右侧面与左侧面为大致相同的形状。这样，能够使发光装置1000小型化。
如图4所示的基板10那样，优选第一配线12从正面看具备Y方向的长度短的小宽度部和Y方向的长度长的大宽度部。小宽度部的Y方向的长度D3比大宽度部的Y方向的长度D4短。小宽度部从正面看从过孔15的中心向X方向离开并且在X方向上位于发光元件的电极所在的部分。大宽度部从正面看位于过孔15的中心。通过使第一配线12具备小宽度部，能够减小将发光元件的电极与第一配线电连接的导电性粘接部件在第一配线上浸润而扩张的面积。由此，容易对导电性粘接部件的形状进行控制。需要说明的是，第一配线的周缘部可以是圆角形状。
如图5A所示，第一配线、第二配线和/或第三配线可以具有配线主部12A、在配线主部12A上形成的镀层12B。在本说明书中，配线是指第一配线、第二配线和/或第三配线。作为配线主部12A能够使用铜等公知的材料。通过使配线主部12A上具有镀层12B，能够使配线的表面的反射率提高或抑制硫化。例如，可以使含磷的镍镀层120A位于配线主部12A上。通过使镍含磷来使硬度提高，因此通过使含磷的镍镀层120A位于配线主部12A上，配线的硬度得以提高。由此，通过使发光装置单片化等，能够抑制切断配线时在配线上产生毛边。含磷的镍镀层可以通过电镀法，也可以通过非电镀法形成。
如图5A所示，优选金镀层120B位于镀层12B的最表面。通过使金镀层位于镀层的最表面，能够抑制在第一配线12、第二配线13和/或第三配线14的表面的氧化、腐蚀，能够得到良好的焊接性能。能够使反射率提高或抑制硫化等。优选位于镀层12B的最表面的金镀层120B通过电镀法形成。与非电镀法相比，电镀法能够减少硫等催化剂毒物的含量。在使利用了铂类催化剂的附加反应型硅树脂在与金镀层接触的位置固化的情况下，通过电镀法形成的金镀层的硫含量少，因此能够抑制硫与铂发生反应。由此，能够抑制导致利用了铂类催化剂的附加反应型硅树脂固化不良的情况。在形成与含磷的镍镀层120A接触的金镀层120B的情况下，优选含磷的镍镀层120A以及金镀层120B通过电镀法形成。通过使用相同的方法形成镀层，能够抑制发光装置的制造成本。需要说明的是，镍镀层含有镍、金镀层含有金即可，还可以含有其他材料。
优选含磷的镍镀层的厚度比金镀层的厚度厚。通过使含磷的镍镀层的厚度比金镀层的厚度厚，容易使第一配线12、第二配线13和/或第三配线14的硬度提高。优选含磷的镍镀层的厚度为金镀层的厚度的5倍以上且500倍以下，更优选的是10倍以上且100倍以下。
如图5B所示的发光装置1000C那样，配线可以形成在配线主部12A上将含磷的镍镀层120C、钯镀层120D、第一金镀层120E、第二金镀层120F层叠的镀层12B。通过将含磷的镍镀层120C、钯镀层120D、第一金镀层120E、第二金镀层120F层叠，例如在配线主部12A使用铜的情况下能够抑制铜在镀层12B中扩散。由此，能够抑制镀层的各层的密接性降低。也可以通过非电镀法在配线主部12A上形成含磷的镍镀层120C、钯镀层120D、第一金镀层120E，通过电镀法形成第二金镀层120F。通过使通过电镀法形成的第二金镀层120F位于最表面，能够抑制利用了铂系催化剂的附加反应型硅树脂的固化不良。
以下，对本发明一实施方式的发光装置的各构成要件进行说明。
(发光元件20)
发光元件20是通过施加电压而自发光的半导体元件，能够适用由氮化物半导体等构成的已知的半导体元件。作为发光元件20，例如能够举出LED芯片。发光元件20至少具备半导体层叠体23，在大多情况下还具备元件基板24。发光元件的俯视形状优选为矩形，尤其优选为正方形或在一个方向上长的长方形，但也可以是其他形状，例如如果是六角形也能够提高发光效率。发光元件的侧面可以相对于顶面垂直，也可以向内侧或外侧倾斜。并且，发光元件具有正负电极。正负电极能够通过金、银、锡、铂、铑、钛、铝、钨、钯、镍或者它们的合金构成。发光元件的发光峰值波长根据半导体材料及其混合比而能够从紫外域到红外域进行选择。作为半导体材料，优选使用能够发出有效地激发波长转换粒子的短波长的光的材料即氮化物半导体。氮化物半导体主要由通式InxAlyGa1-x-yN(0≤x、0≤y、x+y≤1)表示。发光元件的发光峰值波长从发光效率、波长转换粒子的激发及与其发光的混色关系等观点出发，优选为400nm以上且530nm以下，更优选的是420nm以上且490nm以下，进一步优选为450nm以上且475nm以下。此外，也可以使用InAlGaAs类半导体、InAlGaP类半导体、硫化锌、硒化锌、碳化硅等。发光元件的元件基板主要是能够将构成半导体层叠体的半导体的结晶成长的结晶成长用基板，但也可以是与从结晶成长用基板分离的半导体元件结构接合的接合用基板。通过使元件基板具有透光性，容易采用倒装安装容易，并且容易提高光的取出效率。作为元件基板的母材，能够举出蓝宝石、氮化镓、氮化铝、硅、碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、硫化锌、氧化锌、硒化锌、金刚石等。其中，优选为蓝宝石。元件基板的厚度能够适当选择，例如0.02mm以上且1mm以下，从元件基板的强度和/或发光装置的厚度的观点出发，优选为0.05mm以上且0.3mm以下。
(第一波长转换部件31)
第一波长转换部件是设置在发光元件上的部件。第一波长转换部件包含第一母材和第一波长转换粒子。
(第一波长转换粒子311)
第一波长转换粒子吸收发光元件发出的一次光的至少一部分并发出与一次光波长不同的二次光。第一波长转换粒子能够单独使用以下所示的具体例中的一种或将两种以上组合使用。
作为第一波长转换粒子能够使用绿色发光的波长转换粒子、黄色发光的波长转换粒子和/或红色发光的波长转换粒子等公知的波长转换粒子。例如，作为绿色发光的波长转换粒子，能够举出有钇铝石榴石类荧光体(例如Y3(Al，Ga)5O12:Ce)、镥铝石榴石类荧光体(例如Lu3(Al，Ga)5O12:Ce)、铽铝石榴石类荧光体(例如Tb3(Al，Ga)5O12:Ce)类荧光体、硅酸盐类荧光体(例如(Ba，Sr)2SiO4:Eu)、氯硅酸盐类荧光体(例如Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu)、β塞隆类荧光体(例如Si6-zAlzOzN8-z:Eu(0＜z＜4.2))、SGS类荧光体(例如SrGa2S4:Eu)等。作为黄色发光的波长转换粒子，能够举出α塞隆类荧光体(例如Mz(Si，Al)12(O，N)16(其中，0＜z≤2，M是Li、Mg、Ca、Y以及除了La和Ce之外的镧系元素)等。此外，在上述绿色发光的波长转换粒子中也存在黄色发光的波长转换粒子。并且，例如钇铝石榴石类荧光体通过用Gd置换Y的一部分能够使发光峰值波长向长波长侧偏移，能够以黄色发光。并且，它们之中也有能够以橙色发光的波长转换粒子。作为以红色发光的波长转换粒子，能够举出由含氮的硅酸钙铝(CASN或SCASN)类荧光体(例如(Sr，Ca)AlSiN3:Eu)等。除此之外，能够举出由锰激活氟化物类荧光体(以通式(I)A2[M1-aMnaF6]表示的荧光体(其中，上述通式式(I)中，A是从由K、Li、Na、Rb、Cs以及NH4构成的组中选择的至少一种，M是从由第4族元素以及第14族元素构成的组中选择的至少一种的元素，a满足0＜a＜0.2))。作为该锰激活氟化物类荧光体的代表例，包括锰激活氟化硅酸钾的荧光体(例如K2SiF6:Mn)。
(第一母材312)
第一母材312相对于从发光元件发出的光具有透光性即可。需要说明的是，“透光性”是指发光元件的发光峰值波长的光透过率优选为60％以上、更优选的是70％以上，更进一步优选为80％以上。第一母材能够使用硅树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂或者它们的改性树脂。也可以是玻璃。其中，硅树脂以及改性硅树脂的耐热性以及耐光性优异，因而优选。作为具体的硅树脂，能够举出二甲基硅树脂、甲基苯基硅树脂、二苯基硅树脂。需要说明的是，在本说明书中的“改性树脂”包含混合树脂。
第一母材可以在上述树脂或玻璃中含有各种扩散粒子。作为扩散粒子，能够举出氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化锌等。扩散粒子可以单独使用其中的一种或将它们之中的两种以上组合使用。尤其优选为热膨张系数小的氧化硅。并且，通过使用纳米粒子作为扩散粒子，能够使发光元件发出的光的散射增加，能够降低波长转换粒子的使用量。
(导光部件50)
导光部件是将发光元件与透光性部件粘接且将来自发光元件的光导向透光性部件的部件。导光部件的母材能够举出硅树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂或者它们的改性树脂。其中，硅树脂以及改性硅酮树脂的耐热性以及耐光性优异，因而优选。作为具体的硅酮树脂，能够举出二甲基硅树脂、甲基苯基硅树脂、二苯基硅树脂。并且，导光部件的母材可以与上述第一母材同样地含有扩散粒子。
(反射部件)
就反射部件而言，从向Z方向的光取出效率的观点出发，优选发光元件的发光峰值波长的光反射率为70％以上，更优选的是80％以上，更进一步优选为90％以上。而且，优选反射部件为白色。因此，优选反射部件在母材中含有白色颜料。反射部件在固化前经过液状的状态。反射部件能够通过传递成型、注塑成型、压缩成型、灌注等形成。
(反射部件的母材)
反射部件的母材能够使用树脂，例如能举出硅树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂或者它们的改性树脂。其中，硅树脂以及改性硅酮树脂的耐热性以及耐光性优异，因而优选。作为具体的硅树脂，能够举出二甲基硅树脂、甲基苯基硅树脂、二苯基硅树脂。
(白色颜料)
白色颜料能够将氧化钛、氧化锌、氧化镁、碳酸镁、氢氧化镁、碳酸钙、氢氧化钙、硅酸钙、硅酸镁、钛酸钡、硫酸钡、氢氧化铝、氧化铝、氧化锆、氧化硅中的一种单独使用或者将它们之中的两种以上组合使用。白色颜料的形状能够适当选择，可以是不定形或粉碎状，但从流动性的观点出发优选为球状。并且，白色颜料的粒径例如能够举出为0.1μm以上且0.5μm以下左右，但为了提高光反射或覆盖的效果越小越好。反射部件中的白色颜料的含量能够适当选择，但从光反射性以及液状时的粘度等观点出发，例如优选为10wt％以上且80wt％以下，更优选的是20wt％以上且70wt％以下，进一步优选为30wt％以上且60wt％以下。需要说明的是“wt％”是重量百分比，表示的是该材料的重量相对于反射部件的总重量的比例。
(第二波长转换部件32)
第二波长转换部件能够使用与第一波长转换部件同样的材料。
(覆盖部件33)
覆盖部件能够使用与第一母材同样的材料。
(基板10)
基板10是载置发光元件的部件。基板10由基材11、第一配线12、第二配线13、第三配线14、过孔15构成。
(基材11)
基材11能够使用树脂或纤维强化树脂、陶瓷、玻璃等绝缘性部件构成。作为树脂或纤维强化树脂，能够举出环氧树脂、玻璃环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂、聚酰亚胺树脂等。作为陶瓷，能够举出氧化铝、氮化铝、氧化锆、氮化锆、氧化钛、氮化钛或它们的混合物等。这些基材中，优选使用尤其是具有与发光元件的线膨张系数接近的物理性质的基材。基材的厚度的下限值能够适当选择，但从基材的强度的观点出发，优选为0.05mm以上，更优选的是0.2mm以上。并且，基材的厚度的上限值从发光装置的厚度(进深)的观点出发优选为0.5mm以下，更优选的是0.4mm以下。
(第一配线12、第二配线13、第三配线14)
第一配线配置在基板的正面，并且与发光元件电连接。第二配线配置在基板的背面，经由过孔与第一配线电连接。第三配线覆盖凹部的内壁，并且与第二配线电连接。第一配线、第二配线以及第三配线能够通过铜、铁、镍、钨、铬、铝、银、金、钛、钯、铑或它们的合金形成。这些金属或合金可以是单层也可以是多层。特别是从散热性的观点出发，优选为铜或铜合金。并且，在第一配线和/或第二配线的表层，从导电性粘接部件的浸润性和/或光反射性等观点出发，可以设置银、铂、铝、铑、金或它们的合金等的层。
(过孔15)
过孔15在贯穿基材11的正面和背面的孔内设置，是将第一配线与前述第二配线电连接的部件。过孔15可以通过覆盖基材的贯通孔的表面的第四配线151和在第四配线151内填充的填充部件152构成。在第四配线151能够使用与第一配线、第二配线以及第三配线同样的导电性部件。在填充部件152可以使用导电性的部件，也可以使用绝缘性的部件。
(绝缘膜18)
绝缘膜18是确保背面的绝缘性和防止短路的部件。绝缘膜可以通过在该领域中使用的任一材料形成。例如，能够举出热固性树脂或热塑性树脂等。
(导电性粘接部件60)
导电性粘接部件是将发光元件的电极与第一配线电连接的部件。作为导电性粘接部件，能够使用金、银、铜等的块形接头，包含银、金、铜、铂、铝、钯等金属粉末和树脂粘接剂的金属浆料，锡-铋类、锡-铜类、锡-银类、金-锡类等的焊料、低熔点金属等钎料中的任一种。
工业实用性
本发明一实施方式的发光装置能够适用于在液晶显示屏的背光装置、各种照明器具、大型显示屏、广告或目的地引导屏等各种显示装置、投影装置，另外，也能够适用于数字摄像机、传真机、复印机、扫描仪等图像读取装置等。

Claims (8)

1.一种发光装置，具备:
发光元件，其具有第一面和位于所述第一面的相反侧的第二面；
导光部件，其覆盖所述发光元件的侧面；
第一波长转换部件，其覆盖所述第一面，并且具有第一母材以及第一波长转换粒子；
反射部件，其覆盖所述发光元件的侧面、所述导光部件的侧面以及第一波长转换部件的侧面，并且与所述发光元件接触；
所述第一波长转换部件的厚度为60μm以上且120μm以下，
所述第一波长转换粒子的平均粒径为4μm以上且12μm以下，
所述第一波长转换粒子的中心粒径为4μm以上且12μm以下，
相对于所述第一波长转换部件的总重量，所述第一波长转换粒子为60重量％以上且75重量％以下。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中，
所述第一波长转换粒子为锰激活氟化物荧光体。
3.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，
具备第二波长转换部件，该第二波长转换部件位于所述发光元件和所述第一波长转换部件之间，并且包含第二母材以及第二波长转换粒子。
4.如权利要求3所述的发光装置，其中，
所述第一波长转换粒子的平均粒径比所述第二波长转换粒子的平均粒径小。
5.如权利要求3或4所述的发光装置，其中，
所述第二波长转换粒子为β塞隆类荧光体。
6.如权利要求3至5中任一项所述的发光装置，其中，
所述第二波长转换部件的厚度为20μm以上且60μm以下。
7.如权利要求1至6中任一项所述的发光装置，其中，
具备覆盖所述第一波长转换部件的覆盖部件。
8.如权利要求1至7中任一项所述的发光装置，其中，
所述第一波长转换部件的基于体积基准的粒度分布的标准差为0.3μm以下。
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