JP2020021823A - 発光装置 - Google Patents

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emitting element
light
emitting device
electrode
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啓 橋本
Hiroshi Hashimoto
啓 橋本
拓也 中林
Takuya Nakabayashi
拓也 中林
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Nichia Chemical Industries Ltd
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    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
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    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/30—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H01L2224/3001—Structure
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    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
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Abstract

【課題】色ムラを低減できる発光装置を提供する。【解決手段】発光装置１００は、第１発光素子２０Ａと、第１発光素子の発光ピーク波長と異なる発光ピーク波長を有する第２発光素子２０Ｂと、第１発光素子の光取り出し面２０１Ａ、第１発光素子の側面２０２Ａ、第２発光素子の光取り出し面２０１Ｂ及び第２発光素子の側面２０２Ｂを被覆する導光部材６０と、導光部材を介して、第１発光素子及び第２発光素子から離間して、第１発光素子の光取り出し面及び第２発光素子の光取り出し面を連続して覆う波長変換層３１Ａと、導光部材の外側面を被覆する第１反射部材４０と、を備え、第１発光素子の活性層と第２発光素子の活性層とがなす波長変換層側の角度が１８０°より小さい。【選択図】図２Ａ

Description

本開示は、発光装置に関する。
第１のリード端子上に、青色発光ダイオードチップと緑色発光ダイオードチップが実装され、青色発光ダイオードチップと緑色発光ダイオードチップがモールド部に封止され、モールド部内に赤色蛍光体が含まれる白色発光ダイオードが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００７−１５８２９６号公報
本発明に係る実施形態は、色ムラを低減できる発光装置を提供することを課題とする。
本開示の実施形態に係る発光装置は、光取り出し面と、前記光取り出し面の反対側にある電極形成面と、前記光取り出し面と前記電極形成面との間にある側面とを有する第１発光素子と、光取り出し面と、前記光取り出し面の反対側にある電極形成面と、前記光取り出し面と前記電極形成面との間にある側面とを有し、前記第１発光素子の発光ピーク波長と異なる発光ピーク波長を有する第２発光素子と、前記第１発光素子の光取り出し面、前記第１発光素子の側面、前記第２発光素子の光取り出し面及び前記第２発光素子の側面を被覆する導光部材と、前記導光部材を介して、前記第１発光素子及び前記第２発光素子から離間して、前記第１発光素子の光取り出し面及び前記第２発光素子の光取り出し面を連続して覆う波長変換層と、前記導光部材の外側面を被覆する第１反射部材と、を備え、前記第１発光素子の活性層と前記第２発光素子の活性層とがなす前記波長変換層側の角度が１８０°より小さい。
本発明に係る実施形態の発光装置によれば、色ムラを低減できる。
本実施形態に係る発光装置の概略斜視図である。 図１Ａの発光装置の一部を透過させて見た場合の概略斜視図である。 本実施形態に係る発光装置の概略上面図である。 本実施形態に係る発光装置の概略底面図である。 図１ＣのＩＩＡ−ＩＩＡ線における概略断面図である。 図１ＣのＩＩＢ−ＩＩＢ線における概略断面図である。 本実施形態に係る発光装置の発光素子の構造及び光軸の状態を示す概略模式図である。 本実施形態に係る発光装置の第１変形例の概略断面図である。 本実施形態に係る発光装置の第２変形例の概略断面図である。 本実施形態に係る発光装置の第３変形例の概略断面図である。 本実施形態に係る発光装置の第４変形例の概略断面図である。 本実施形態に係る発光装置の第５変形例の概略断面図である。 本実施形態に係る発光装置の第６変形例の概略断面図である。 本実施形態に係る発光装置の第７変形例の概略断面図である。 本実施形態に係る発光装置の第８変形例の概略断面図である。 本実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。 本実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子実装工程を示す断面図である。 本実施形態に係る発光装置の製造方法における導光部材形成工程を示す断面図である。 本実施形態に係る発光装置の製造方法における導光部材除去工程を示す断面図である。 本実施形態に係る発光装置の製造方法における透光性部材形成工程を示す断面図である。 本実施形態に係る発光装置の製造方法における凹部形成工程を示す断面図である。 本実施形態に係る発光装置の製造方法における反射部材形成工程を示す断面図である。 本実施形態に係る発光装置の製造方法における反射部材除去工程を示す断面図である。 本実施形態に係る発光装置の製造方法における発光装置個片化工程を示す断面図である。
以下、実施形態に係る発光装置、及びその製造方法について説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、或いは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。また、本明細書において、「上」、「下」などは構成要素間の相対的な位置を示すものであって、絶対的な位置を示すことを意図したものではない。
≪発光装置の構成≫
まず、図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図１Ｄ、図２Ａ、図２Ｂ、及び図２Ｃを参照して、本実施形態に係る発光装置１００の構成について説明する。図１Ａは、本実施形態に係る発光装置１００の概略斜視図であり、図１Ｂは、図１Ａの発光装置１００の一部を透過させて見た場合の概略斜視図であり、図１Ｃは、本実施形態に係る発光装置１００の概略上面図であり、図１Ｄは、本実施形態に係る発光装置１００の概略底面図である。図２Ａは、図１ＣのＩＩＡ−ＩＩＡ線における本実施形態に係る発光装置１００の構成を示す概略断面図であり、図２Ｂは、図１ＣのＩＩＢ−ＩＩＢ線における本実施形態に係る発光装置１００の構成を示す概略断面図であり、図２Ｃは、本実施形態に係る発光装置１００の発光素子の構造及び光軸の状態を示す概略模式図である。
ここで、発光装置の上面とは、発光装置の発光面側をさし、上面視とは発光装置の発光面側から見ることである。
発光装置１００は、長手方向（図１に示すＸ方向）と、長手方向と直交する短手方向（図１に示すＹ方向）とに沿って上面視がほぼ矩形に形成された長方体を有し、第１発光素子２０Ａと、第２発光素子２０Ｂと、透光性部材３０と、第１反射部材４０と、導光部材６０と、を駆体内に備えている。
発光装置１００は、１つ以上の発光素子を備え、ここでは、第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂの構成の一例として、第１発光素子２０Ａの構成について説明する。
第１発光素子２０Ａは、第１素子光取り出し面２０１Ａと、第１素子光取り出し面２０１Ａの反対側にある第１素子電極形成面２０３Ａと、第１素子光取り出し面２０１Ａと第１素子電極形成面２０３Ａとの間にある第１素子側面２０２Ａと、を有している。第１素子側面２０２Ａは、第１素子光取り出し面２０１Ａに対して、垂直であってもよいし、他の発光素子側又は発光装置１００の外側面側に傾斜していてもよい。
第１素子光取り出し面２０１Ａは、発光装置１００の上面と対向し、第１素子光取り出し面２０１Ａから出射した光が発光装置１００の上面から放出される。
また、第１発光素子２０Ａは、第１素子基板２４Ａと、第１素子基板２４Ａに接して形成される第１素子半導体積層体２３Ａと、第１素子半導体積層体２３Ａに接して形成される一対の素子電極（第１外側電極２１Ａ及び第１内側電極２２Ａ）と、を備えている。ここで、第１外側電極２１Ａは、一対の素子電極のうち発光装置１００の外側に位置し、第１内側電極２２Ａは、発光装置１００の中心側に位置する。なお、本実施形態では、第１発光素子２０Ａが第１素子基板２４Ａを備える構成を一例に挙げて説明するが、第１素子基板２４Ａは除去されていてもよい。
第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂは、光取り出し面の長手方向において、直線上に並んで配置されることが好ましい。第１発光素子２０Ａは、第１素子光取り出し面２０１Ａの一方の短辺２０１１Ａが第１反射部材４０と対向し、第１素子光取り出し面２０１Ａの他方の短辺２０１２Ａが第２素子光取り出し面２０１Ｂの一方の短辺２０１１Ｂと対向する。そして、第２発光素子２０Ｂは、第２素子光取り出し面２０１Ｂの一方の短辺２０１１Ｂが第１素子光取り出し面２０１Ａの一方の短辺２０１２Ａと対向し、第２素子光取り出し面２０１Ｂの他方の短辺２０１２Ｂが第１反射部材４０と対向する。そのため、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂは、Ｘ方向において並べて配置され、Ｙ方向において発光装置１００を薄型化することができる。
第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂは、透光性部材３０側からの上面視において、形状が、矩形、特に、正方形状又は一方向に長い長方形状であることが好ましいが、その他の形状であってもよい。また、発光素子２０の厚みは、８０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、より好ましくは１００μｍ以上１４０μｍ以下である。
第１外側電極２１Ａ、第１内側電極２２Ａ、第２外側電極２１Ｂ、第２内側電極２２Ｂは、例えば、金、銀、錫、白金、ロジウム、チタン、アルミニウム、タングステン、パラジウム、ニッケル、又はこれらのうちの少なくとも１種を含む合金などの材料で構成することができる。
第１素子基板２４Ａ、第２素子基板２４Ｂは、主として半導体積層体を構成する半導体の結晶を成長可能な結晶成長用基板であることが好ましいが、結晶成長用基板から分離した半導体素子構造に接合させる接合用基板であってもよい。
また、第１素子基板２４Ａ、第２素子基板２４Ｂは、透光性を有することが好ましい。これにより、フリップチップ実装を採用し易く、光の取り出し効率を高め易い発光装置１００を実現できる。
第１素子基板２４Ａ、第２素子基板２４Ｂの母材としては、例えば、サファイア、窒化ガリウム、炭化珪素、ダイヤモンドなどを用いることができ、特に、サファイア、窒化ガリウムを用いることが好ましい。
第１発光素子２０Ａの第１素子半導体積層体２３Ａは、例えば、ｐ型半導体層２３１Ａ、活性層２３２Ａ及びｎ型半導体層２３３Ａを備えている。第２発光素子２０Ｂの第２素子半導体積層体２３Ｂは、例えば、ｐ型半導体層２３１Ｂ、活性層２３２Ｂ及びｎ型半導体層２３３Ｂを備えている。
第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂは、電圧が印加されることで、自ら発光する半導体素子であり、窒化物半導体などから構成される既知の半導体素子を適用できる。第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂとしては、例えば、ＬＥＤチップなどが挙げられる。
この半導体素子に適用される半導体材料としては、波長変換物質（波長変換粒子）を効率良く励起でき、短波長の光を発光可能な材料である、窒化物半導体を用いることが好ましい。窒化物半導体は、主として一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）で表される。このほか、ＩｎＡｌＧａＡｓ系半導体、ＩｎＡｌＧａＰ系半導体、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、炭化珪素などを用いることもできる。
第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長は、４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満の範囲（青色領域の波長範囲）であることが好ましい。
第２発光素子２０Ｂの発光ピーク波長は、第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長と異なり、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の範囲（緑色領域の波長範囲）であることが好ましい。
第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長、第２発光素子２０Ｂの発光ピーク波長をそれぞれ上述のように規定することで、発光装置１００の色再現性を向上させることができる。
また、第２発光素子２０Ｂの半値幅は、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。第２発光素子２０Ｂの半値幅を５ｎｍ以上とすることで、第２発光素子２０Ｂの光出力を向上させることができ、第２発光素子２０Ｂの半値幅を４０ｎｍ以上とすることで、緑色光のピークを鋭くすることができる。
第１発光素子２０Ａ、及び、第２発光素子２０Ｂは、基板１０の第１配線１２上に導電性接着部材７０を介して載置され、これにより、基板１０上に載置されている。ここでは、一例として、第１発光素子２０Ａは青色発光素子であり、第２発光素子２０Ｂは緑色発光素子であるものとする。第１発光素子２０Ａは、第１素子電極形成面２０３Ａに設けられた第１外側電極２１Ａ及び第１内側電極２２Ａと基板１０とが導電性接着部材７０により接合されている。第２発光素子２０Ｂは、第２素子電極形成面２０３Ｂに設けられた第２外側電極２１Ｂ及び第２内側電極２２Ｂと基板１０とが導電性接着部材７０により接合されている。
そして、第１外側電極２１Ａに接合する導電性接着部材７０の高さが第１内側電極２２Ａに接合する導電性接着部材７０の高さよりも高い。そのため、第１発光素子２０Ａの活性層２３２Ａが、発光素子の載置面に対して発光装置１００の中心側に傾斜している。
また、第２外側電極２１Ｂに接合する導電性接着部材７０の高さが第２内側電極２２Ｂに接合する導電性接着部材７０の高さよりも高い。そのため、第２発光素子２０Ｂの活性層２３２Ｂが、発光素子の載置面に対して発光装置１００の中心側に傾斜している。
なお、発光装置１００の中心側とは、発光装置１００の内部の中央方向側をいい、本実施形態では、発光装置１００の長手方向（図１に示すＸ方向）の中央と、短手方向（図１に示すＹ方向）の中央と、奥行き方向（図１に示すＺ方向）の中央と、の交点側をいう。
これにより、第１発光素子２０Ａの活性層２３２Ａと第２発光素子２０Ｂの活性層２３２Ｂとがなす波長変換層３１Ａ側の角度θが１８０°より小さくなっている。具体的には、発光装置１００は、第１発光素子２０Ａの活性層２３２Ａ及び第２発光素子２０Ｂの活性層２３２Ｂが、発光素子の載置面に対して発光装置１００の中心側に傾斜している。ここでは、図２Ａに示すように、Ｘ方向とＺ方向とがなす面において、第１発光素子２０Ａ、及び、第２発光素子２０Ｂは、Ｚ方向の高さが異なるように傾斜している。これにより、図２Ｃに示すように、第１発光素子２０Ａの光軸Ｌ１が、第２発光素子２０Ｂの光軸Ｌ２と発光装置１００の発光面側で交差する。
第１発光素子２０Ａの活性層２３２Ａと第２発光素子２０Ｂの活性層２３２Ｂとがなす波長変換層３１Ａ側の角度θは、１７０°以上１７９．８°以下であることが好ましい。角度θが１７０°以上であれば、第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂから出射される光がより遮られにくくなり、色ムラを低減する効果がより高まる。一方、角度θが１７９．８°以下であれば、発光装置の高さを抑制でき、発光装置１００の小型化を図ることができる。角度θは、前記効果をより向上させる観点から、より好ましくは１７５°以上であり、発光装置１００の小型化を図る観点から、より好ましくは１７９°以下である。
角度θの調整は、導電性接着部材７０の高さを調整することにより行うことができる。
透光性部材３０は、導光部材６０を介して、第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂから離間して、第１素子光取り出し面２０１Ａ、第２素子光取り出し面２０１Ｂを連続して覆っている。
透光性部材３０は、第１素子光取り出し面２０１Ａ、第２素子光取り出し面２０１Ｂと対向する波長変換層３１Ａと、波長変換層３１Ａ上に配置される第１透光層３１Ｂと、を備えている。波長変換層３１Ａと第１透光層３１Ｂとは積層されている。
波長変換層３１Ａは、単層であってもよいし、異なる波長変換物質を含む複数の層であってもよい。波長変換層３１Ａは、例えば図２Ａに示す発光装置１００のように、第１波長変換層３０１Ａと、第１波長変換層３０１Ａ上に配置される第２波長変換層３０１Ｂと、を備えていてもよい。
波長変換層３１Ａは、ここでは、導光部材６０を介して、第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂから離間して、第１素子光取り出し面２０１Ａ、第２素子光取り出し面２０１Ｂを連続して覆っている。
波長変換層３１Ａ、第１透光層３１Ｂの母材は、同じ樹脂材料で形成されることが好ましい。波長変換層３１Ａの母材と第１透光層３１Ｂの母材とが、同じ樹脂材料で形成されることで、屈折率差を小さくすることができる。これにより、各発光素子の発する光が波長変換層３１Ａと第１透光層３１Ｂの界面によって反射することを抑制できるので、発光装置１００の光取り出し効率が向上する。
透光性部材３０の母材は、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂが発光する光に対して、透光性を有する材料であればよい。なお、本明細書において、「透光性」とは、各発光素子の発光ピーク波長における光透過率が、好ましくは６０％以上であること、より好ましくは７０％以上であること、更に好ましくは８０％以上であることを意味するものとする。
透光性部材３０の母材は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂、ガラスなどを用いることができる。特に、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れるため、透光性部材３０の母材として用いることが好ましい。具体的なシリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル−メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられる。なお、本明細書において、「変性樹脂」とは、ハイブリッド樹脂を含むものとする。
波長変換層３１Ａは、母材と、波長変換物質と、を含有することが好ましい。波長変換物質は、第１発光素子２０Ａが発光する光（一次光）、第２発光素子２０Ｂが発光する光（一次光）の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を発する。波長変換物質としては、以下に示す具体例のうちの１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。ここで、波長変換物質は、母材を１００質量部とした時に、母材に対し５０質量部以上２８０質量部以下含有していることが好ましい。また、波長変換層３１Ａの厚みは、３０μｍ以上１５０μｍ以下が好ましく、第１透光層３１Ｂの厚みは、１０μｍ以上５０μｍ以下が好ましい。
緑色発光する波長変換物質としては、例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＬｕ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＴｂ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）系蛍光体、シリケート系蛍光体（例えば（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えばＣａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えばＳｉ６−ｚＡｌｚＯｚＮ８−ｚ：Ｅｕ（０＜ｚ＜４．２））、ＳＧＳ系蛍光体（例えばＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ）、アルカリ土類アルミネート系蛍光体（例えば、（Ｂａ,Ｓｒ,Ｃａ）ＭｇｘＡｌ１０Ｏ１６＋ｘ:Ｅｕ，Ｍｎ（但し、０≦ｘ≦１である））などが挙げられる。
黄色発光の波長変換物質としては、例えば、αサイアロン系蛍光体（例えばＭｚ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６（但し、０＜ｚ≦２であり、ＭはＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、及びＬａとＣｅを除くランタニド元素））などが挙げられる。このほか、上記緑色発光する波長変換物質の中には黄色発光の波長変換物質もある。また、例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、Ｙの一部をＧｄで置換することで発光ピーク波長を長波長側にシフトさせることができ、黄色発光が可能である。また、これらの中には、橙色発光が可能な波長変換物質もある。
赤色発光する波長変換物質としては、例えば、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣＡＳＮ又はＳＣＡＳＮ）系蛍光体（例えば（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）などが挙げられる。このほか、マンガン賦活フッ化物系蛍光体（一般式（Ｉ）Ａ２［Ｍ１−ａＭｎａＦ６］で表される蛍光体である（但し、上記一般式（Ｉ）中、Ａは、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ及びＮＨ４からなる群から選ばれる少なくとも１種であり、Ｍは、第４族元素及び第１４族元素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、ａは０＜ａ＜０．２を満たす））が挙げられる。このマンガン賦活フッ化物系蛍光体の代表例としては、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体（例えばＫ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）がある。
例えば、第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長が、４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満の範囲（青色領域の波長範囲）にあり、第２発光素子２０Ｂの発光ピーク波長が、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の範囲（緑色領域の波長範囲）にある場合、波長変換物質の発光ピーク波長は、５８０ｎｍ以上６８０ｎｍ未満の範囲（赤色領域の波長範囲）にあることが好ましい。これにより、発光装置１００の色再現性を向上させることができる。
また、波長変換層３１Ａが、第１波長変換層３０１Ａと第２波長変換層３０１Ｂを備える場合、第１波長変換層３０１Ａと第２波長変換層３０１Ｂを、それぞれ異なる波長変換物質を含有する層とすることができる。以下、波長変換物質が蛍光体であるものとして説明する。
例えば、第１波長変換層３０１Ａ及び第２波長変換層３０１Ｂのいずれか一方の層をβサイアロン系蛍光体を含有する層とし、他方の層を他の波長変換物質、例えばマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体を含有する層とすることができる。
具体的には、例えば、第１波長変換層３０１Ａに含有される波長変換物質としてβサイアロン系蛍光体が挙げられ、第２波長変換層３０１Ｂに含有される波長変換物質としてマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体が挙げられる。
第２波長変換層３０１Ｂに含有される波長変換物質としてマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体を用いる場合には、特に、透光性部材３０が、第１波長変換層３０１Ａと、第２波長変換層３０１Ｂと、備えることが好ましい。マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体は輝度飽和を起こしやすいが、第２波長変換層３０１Ｂと各発光素子との間に第１波長変換層３０１Ａが位置することで各発光素子からの光が過度にマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体に照射されることを抑制することができる。これにより、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体の劣化を抑制することができる。
なお、ここでは、波長変換層３１Ａは２つの層としたが、異なる波長変換物質を含有する３つ以上の層としてもよい。また、複数の波長変換層の間に、波長変換物質を含有しない透光層を備えてもよい。
更に、ここでは波長変換層１層につき、1つの波長変換物質を含有するものとしたがこれに限らない。２以上の波長変換物質を混合してもよい。
なお、波長変換層３１Ａは、更に、拡散粒子を含有していてもよい。透光性部材３０が、拡散粒子を含有する波長変換層３１Ａを備えることで、各発光素子が発する光、各発光素子により励起された波長変換物質からの光を拡散させ易くすることができ、波長変換物質の使用量を低減することが可能になる。拡散粒子の粒径は、例えば、０．１μｍ以上３μｍ以下程度であることが好ましい。
第１透光層３１Ｂは、母材と、第１拡散粒子と、を含有することが好ましい。透光性部材３０が、第１拡散粒子を含有する第１透光層３１Ｂを備えることで、第１発光素子２０Ａが発光する光、第２発光素子２０Ｂが発光する光と、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂに励起された波長変換物質が発する光とを、第１透光層３１Ｂで効率的に混じり合わせることができる。これにより、発光装置１００の色ムラを低減させることができる。
また、第１透光層３１Ｂは、波長変換層３１Ａの保護層として機能する。これにより、波長変換層３１Ａが水分に弱い波長変換物質（例えば、マンガン賦活フッ化物系蛍光体）を含んでいても、波長変換層３１Ａの劣化を抑制することができる。
第１拡散粒子としては、例えば、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛などを用いることができる。
第１反射部材４０は、上面視において、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、及び導光部材６０の周りを囲む（図１Ｃ参照）ように設けられている。また、第１反射部材４０は、導光部材６０の外側面及び透光性部材３０の外側面を被覆するように設けられている。
第１反射部材４０は、第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０ＢにおいてＸ方向及び／又はＹ方向に進む光を、反射させて、Ｚ方向に進む光を増加させる。
即ち、第１反射部材４０を設けることで、第１発光素子２０Ａが発光する光、第２発光素子２０Ｂが発光する光を、より多く透光性部材３０へと反射させることが可能になる。これにより、発光装置１００の光取り出し効率を向上させることができる。
第１反射部材４０は、波長変換層３１Ａの側面、第１透光層３１Ｂの側面を被覆することが好ましい。これにより、発光領域と非発光領域とのコントラストが高く、見切り性の良好な発光装置１００を実現できる。
また、第１反射部材４０は、下面が基板１０内に入り込み、下面が基板１０内に存在する。これにより、発光装置１００の側面から光が漏れることを防止することができる。
第１反射部材４０は、Ｚ方向への光取り出し効率の観点から、各発光素子の発光ピーク波長における光反射率が、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましい。第１反射部材４０は、例えば、トランスファ成形、射出成形、圧縮成形、ポッティング、印刷などにより形成することができる。
第１反射部材４０の母材としては、樹脂を用いることが好ましく、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂などを用いることが好ましい。特に、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れるため用いることが好ましい。シリコーン樹脂としては、例えば、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル−メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂などが挙げられる。
第１反射部材４０は、白色であることが好ましく、母材中に白色顔料を含有することが好ましい。白色顔料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、チタン酸バリウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素などのうちの１種を単独で、又はこれらのうちの２種以上を組み合わせて用いることができる。また、第１反射部材４０における白色顔料の濃度は、２０質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましい。
なお、第１反射部材４０は、Ｚ方向において、発光装置１００の長手方向の実装側の側面１１３側に位置する側面が、発光装置１００の内側に傾斜していることが好ましい。これにより、発光装置１００を実装基板に実装する際に、第１反射部材４０の側面と実装基板との接触を抑えられるため、発光装置１００の実装姿勢を安定し易くすることができる。また、第１反射部材４０は、Ｚ方向において、発光装置１００の長手方向の実装側と反対側の側面１１４側に位置する側面が、発光装置１００の内側に傾斜していることが好ましい。これにより、製造時において、第１反射部材４０の側面と吸着ノズル（コレット）との接触が抑えられるため、発光装置１００の吸着時において、第１反射部材４０の損傷を抑制することができる。
第１反射部材４０の傾斜角度は、適宜選択できるが、０．３°以上３°以下であることが好ましく、０．５°以上２°以下であることがより好ましく、０．７°以上１．５°以下であることが更に好ましい。なお、発光装置１００では、側面を傾斜させた場合には、光を照射する向きを調整して接続する基板側に接続されることになる。
導光部材６０は、第１素子光取り出し面２０１Ａ、第１素子側面２０２Ａ、第２素子光取り出し面２０１Ｂ、第２素子側面２０２Ｂを被覆する。また、導光部材６０は、第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂと透光性部材３０とを接着し、各発光素子が発光する光を透光性部材３０へと導光する。導光部材６０を設けることで、第１発光素子２０Ａが発光する光、第２発光素子２０Ｂが発光する光を、導光部材６０内で混ざり易くすることができるため、発光装置１００の色ムラを低減させることができる。
導光部材６０は、母材中に波長変換物質を含有することが好ましい。導光部材６０に用いられる波長変換物質は、第１発光素子２０Ａが発光する光（一次光）、第２発光素子２０Ｂが発光する光（一次光）の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を発する。導光部材６０に用いられる波長変換物質としては、例えば、上記した波長変換層３１Ａに用いられる波長変換物質と同様の材料のうちの１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。ただし、導光部材６０は、母材中に波長変換物質を含有しないものであってもよい。なお、導光部材６０の厚みは、１３０μｍ以上２５０μｍ以下が好ましい。
また、導光部材６０の母材中の波長変換物質は、第１発光素子２０Ａと第２発光素子２０Ｂとの間に偏在させることが好ましい。このような構成とすることで、第１素子側面２０２Ａ及び／又は第２素子側面２０２Ｂから出る光を励起させ、色ムラの改善ができる。
導光部材６０の母材としては、第１反射部材４０と同じ樹脂を用いることができる。
導光部材６０に用いられる波長変換物質の発光ピーク波長は、５８０ｎｍ以上６８０ｎｍ未満であることが好ましく、５１５ｎｍ以上５５０ｎｍ未満であることがより好ましい。これにより、例えば、液晶ディスプレイとした時に広色域を拡大できるという効果を奏することができる。
導電性接着部材７０は、第１発光素子２０Ａに設けられる一対の素子電極（第１外側電極２１Ａ及び第１内側電極２２Ａ）と第１配線１２とを電気的に接続する。同様に、導電性接着部材７０は、第２発光素子２０Ｂに設けられる一対の素子電極（第２外側電極２１Ｂ及び第２内側電極２２Ｂ）と第１配線１２とを電気的に接続する。
導電性接着部材７０の材料としては、例えば、金、銀、銅などのバンプ、銀、金、銅、プラチナ、アルミニウム、パラジウムなどの金属粉末と樹脂バインダを含む金属ペースト、錫−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀系、金−錫系などの半田、低融点金属などのろう材のうちの何れか１つを用いることが好ましい。
基板１０は、基材１１と、第１配線１２と、第２配線１３と、ビア１５（第４配線１５１、充填部材１５２）と、を備えている。基板１０は、基材１１が窪み１６を有する場合、窪み１６の内壁を被覆する第３配線１４を備えていてもよい。
基材１１は、長手方向（図２Ｂに示すＸ方向）と短手方向（図２Ｂに示すＹ方向）とに延長する上面１１１と、上面１１１の反対側に位置する底面１１２と、上面１１１と隣接し上面１１１と直交する実装側の側面１１３と、実装側の側面１１３の反対側に位置する実装側と反対側の側面１１４と、を有する。
基材１１は、特に、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂの線膨張係数に近い物性を有する材料によって形成されることが好ましく、例えば、樹脂若しくは繊維強化樹脂、セラミックス、ガラスなどの絶縁性部材などが挙げられる。
基材１１の厚さの下限値は、強度の観点から、０．０５ｍｍ以上であることが好ましく、０．２ｍｍ以上であることがより好ましい。また、基材１１の厚さの上限値は、Ｚ方向における発光装置１００の厚さ（奥行き）の観点から、０．５ｍｍ以下であることが好ましく、０．４ｍｍ以下であることがより好ましい。
第１配線１２は、基材１１の上面１１１に配置され、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂと電気的に接続される。
また、第１配線１２は、上面視において、第１発光素子２０Ａの第１外側電極２１Ａと重なる位置に、第１発光素子２０Ａと接続する第１外側凸部１２１Ａを有し、第１内側電極２２Ａと重なる位置に、第１発光素子２０Ａと接続する第１内側凸部１２２Ａを有することが好ましい。また、第１配線１２は、上面視において、第２発光素子２０Ｂの第２外側電極２１Ｂと重なる位置に、第２発光素子２０Ｂと接続する第２外側凸部１２１Ｂを有し、第２内側電極２２Ｂと重なる位置に、第２発光素子２０Ｂと接続する第２内側凸部１２２Ｂを有することが好ましい。
これにより、導電性接着部材７０を介して、第１配線１２と第１外側電極２１Ａ及び第１内側電極２２Ａとを接続する際、第１配線１２と第２外側電極２１Ｂ及び第２内側電極２２Ｂとを接続する際、セルフアライメント効果により、各発光素子と基板１０との位置合わせを容易に行うことができる。
第１外側凸部１２１Ａ、第１内側凸部１２２Ａ、第２外側凸部１２１Ｂ、第２内側凸部１２２Ｂは、形状、高さ、大きさなどが、特に限定されるものではなく、基板１０の大きさ、第１配線１２の厚み、第１発光素子２０Ａの大きさ、第２発光素子２０Ｂの大きさなどによって、適宜調整されることが好ましい。
第１外側凸部１２１Ａ、第１内側凸部１２２Ａ、第２外側凸部１２１Ｂ、第２内側凸部１２２Ｂは、側面が、傾斜していてもよく、垂直でもよい。側面が垂直であることで、第１外側凸部１２１Ａ、第１内側凸部１２２Ａ、第２外側凸部１２１Ｂ、第２内側凸部１２２Ｂ上に載置される第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂを固定させ易くなり、各発光素子の実装を安定させることができる。
第２配線１３は、基材１１の底面１１２に配置され、ビア１５を介して第１配線１２と電気的に接続される。
第２配線１３は、第２配線１３の一部を被覆する絶縁膜１８を備えてもよい。絶縁膜１８は、当該分野で使用されるもの、例えば、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂などを用いて形成されることが好ましい。第２配線１３が絶縁膜１８を備えることで、底面１１２における絶縁性の確保及び短絡の防止をより確実に図ることができる。また、第２配線１３が絶縁膜１８を備えることで、基材１１から第２配線１３が剥がれることを防止することができる。
第１配線１２、第２配線１３、及び第３配線１４は、例えば、銅、鉄、ニッケル、タングステン、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン、パラジウム、ロジウム、又はこれらのうちの少なくとも１種を含む合金などで形成されることが好ましい。また、第１配線１２、第２配線１３及び第３配線１４は、これらの金属又は合金を単層で形成したものであってもよいし、多層で形成したものであってもよい。
ビア１５は、基材１１の上面１１１と基材１１の底面１１２とを貫通する貫通孔内に設けられ、第１配線１２と第２配線１３とを電気的に接続する。ビア１５は、Ｚ方向に形成される貫通孔の表面を被覆する第４配線１５１と、この第４配線１５１内に設けた充填部材１５２と、を備えている。
なお、基板１０にビア１５を設けない構成とすることも可能である。
第４配線１５１は、第１配線１２、第２配線１３、及び第３配線１４と同様の導電性材料によって形成されることが好ましい。例えば、銅、鉄、ニッケル、タングステン、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン、パラジウム、ロジウム、又はこれらのうちの少なくとも１種を含む合金などが挙げられる。
充填部材１５２は、上述した各配線で使用する導電性材料であってもよく、例えば、エポキシ樹脂などの絶縁性材料であってもよい。
基板１０に設けられている窪み１６は、１つであってもよいし、複数であってもよい。
窪み１６は、底面１１２において、開口形状が、略半円形状であることが好ましい（図１Ｄ参照）。底面１１２において、窪み１６の開口形状が角部のない形状であることにより、窪み１６に係る応力が集中することを抑制できるので、基材１１が割れることを抑制することができる。
窪み１６は、実装側の側面１１３側と実装側と反対側の側面１１４側とで同じ深さであってもよく、実装側の側面１１３側と実装側と反対側の側面１１４側とで異なる深さであってもよい。
なお、基板１０に窪み１６を設けない構成とすることも可能であるが、基板１０に窪み１６を設けることで、窪み１６内に形成される半田などの接合部材を介して、発光装置１００を実装基板に固定し易くすることができ、発光装置１００と実装基板との接合強度を向上させることができる。
上述のように、本実施形態に係る発光装置１００は、第１発光素子２０Ａの活性層２３２Ａと第２発光素子２０Ｂの活性層２３２Ｂとがなす波長変換層３１Ａ側の角度θが１８０°より小さくなっている。これにより、発光素子同士が影とならず、第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂから出射される光を遮ることがない。そのため、色ムラを低減させた発光装置１００を実現できる。
＜変形例＞
次に、図３〜図１０を参照して、本実施形態に係る発光装置１００における変形例について説明する。なお、各変形例において、上述の実施形態、他の変形例と共通する部分については、重複した説明を省略する。
（第１変形例）
図３は、本実施形態に係る発光装置１００の第１変形例の構成を示す断面図である。第１変形例に係る発光装置１００Ａについて、図３を参照して説明する。
第１変形例に係る発光装置１００Ａが、本実施形態に係る発光装置１００と異なる点は、第２反射部材８０を備えている点である。
また、第１反射部材４０の下面が第２反射部材８０中に存在する点で発光装置１００と異なる。
第２反射部材８０は、第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂの下面と基板１０の上面との間に連続して備えられている。具体的には、第２反射部材８０は、第１素子電極形成面２０３Ａと基板１０の上面との間、及び第２素子電極形成面２０３Ｂと基板１０の上面との間に設けられる。第１素子電極形成面２０３Ａ及び第２素子電極形成面２０３Ｂが、第２反射部材８０で被覆されることで、第１発光素子２０Ａが発光する光及び第２発光素子２０Ｂが発光する光が、基板１０に吸収されることを抑制することができる。これにより、発光装置１００Ａの光取り出し効率を向上させることができる。
第２反射部材８０は、第１発光素子２０Ａ及び／又は第２発光素子２０Ｂから発光装置１００Ａの外側面に向かい厚くなる傾斜部を備えることが好ましい。第２反射部材８０が傾斜部を備えることで、第１発光素子２０Ａ及び／又は第２発光素子２０Ｂからの光の取り出し効率を向上させることができる。
第２反射部材８０は、Ｚ方向への光取り出し効率の観点から、各発光素子の発光ピーク波長における光反射率が、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましい。
第２反射部材８０の母材としては、第１反射部材４０と同じ樹脂を用いることが好ましく、また、第１反射部材４０と同じ材料、同じ顔料を用いて同じ含有量で使用することができる。
また、発光装置１００Ａは、第２反射部材８０を設けているため、第１反射部材４０の下面が第２反射部材８０中に存在する形態としても、導光部材６０の外側面から光が漏れることがない。したがって、第２反射部材８０を設ける場合、第１反射部材４０の下面は、第２反射部材８０中に存在する形態としてもよい。
（第２変形例）
図４は、本実施形態に係る発光装置１００の第２変形例の構成を示す断面図である。第２変形例に係る発光装置１００Ｂについて、図４を参照して説明する。
第２変形例に係る発光装置１００Ｂが、本実施形態に係る発光装置１００と異なる点は、波長変換層３１Ａが１層であり、かつ、導光部材６０と波長変換層３１Ａとの間に第２透光層３１Ｃを備えている点である。
また、第２変形例に係る発光装置１００Ｂは、発光素子の光取り出し面が被覆部材３１Ｄで被覆されている点、及び、第２反射部材８０及び第３反射部材５０を備えている点で発光装置１００と異なる。
透光性部材３０は、第１素子光取り出し面２０１Ａ、第２素子光取り出し面２０１Ｂと対向する第２透光層３１Ｃと、第２透光層３１Ｃ上に配置される波長変換層３１Ａと、波長変換層３１Ａ上に配置される第１透光層３１Ｂと、を備えている。第２透光層３１Ｃと波長変換層３１Ａと第１透光層３１Ｂとは積層されている。
なお、波長変換層３１Ａ、第２透光層３１Ｃの母材は、同じ樹脂材料で形成してもよいし、異なる樹脂材料で形成してもよい。
第２透光層３１Ｃは、母材と、第２拡散粒子と、を含有することが好ましい。透光性部材３０が、第２拡散粒子を含有する第２透光層３１Ｃを備えることで、第１発光素子２０Ａが発光する光、第２発光素子２０Ｂが発光する光を、第２透光層３１Ｃで拡散させ易くすることができる。これにより、発光装置１００Ｂの色ムラを低減させることができる。
また、第２透光層３１Ｃの厚みは、１０μｍ以上５０μｍ以下が好ましい。
第２拡散粒子としては、例えば、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛などを用いることができる。
第１拡散粒子と第２拡散粒子とは、同じ材料であってもよく、異なる材料であってもよい。第２拡散粒子は、第１拡散粒子よりも屈折率の低い材料であることが好ましい。例えば、第１拡散粒子として、酸化チタンを選択し、第２拡散粒子として、酸化ケイ素を選択することができる。これにより、第２拡散粒子によって拡散される光が減少するので、発光装置１００の光取り出し効率を向上させることができる。
被覆部材３１Ｄは、第１発光素子２０Ａの第１素子光取り出し面２０１Ａを被覆する。また、被覆部材３１Ｄは、第２発光素子２０Ｂの第２素子光取り出し面２０１Ｂを被覆する。
被覆部材３１Ｄは、単数で構成され、第１発光素子２０Ａの第１素子光取り出し面２０１Ａ、第２発光素子２０Ｂの第２素子光取り出し面２０１Ｂを連続的に被覆してもよい。また、被覆部材３１Ｄは、複数で構成され、第１発光素子２０Ａの第１素子光取り出し面２０１Ａ、第２発光素子２０Ｂの第２素子光取り出し面２０１Ｂの一部を断続的に被覆してもよい。各発光素子における光取り出し面の一部を露出させることで、各発光素子の光取り出し効率を向上させることができる。
なお、被覆部材３１Ｄは、第１素子側面２０２Ａ、第２素子側面２０２Ｂの少なくとも一部を被覆していてもよいが、この際、第１素子側面２０２Ａ、第２素子側面２０２Ｂの少なくとも一部を露出させることが好ましい。これにより、第１発光素子２０Ａが発光する光において、Ｘ方向及び/又はＹ方向へと進む光、第２発光素子２０Ｂが発光する光において、Ｘ方向及び/又はＹ方向へと進む光が低減することを抑制できる。
被覆部材３１Ｄの母材としては、樹脂を用いることが好ましく、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂などを用いることが好ましい。特に、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れるため用いることが好ましい。シリコーン樹脂としては、例えば、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル−メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂などが挙げられる。
被覆部材３１Ｄは、母材中に、拡散粒子（第３拡散粒子）を含有することが好ましい。被覆部材３１Ｄが、拡散粒子（第３拡散粒子）を含有することで、Ｚ方向へと進む第１発光素子２０Ａが発光する光、Ｚ方向へと進む第２発光素子２０Ｂが発光する光を低減させて、Ｘ方向及び/又はＹ方向へと進む光を増加させることができる。これにより、導光部材６０内で、第１発光素子２０Ａが発光する光、第２発光素子２０Ｂが発光する光を拡散させることができるので発光装置１００Ｂの色ムラを抑制できる。
被覆部材３１Ｄは、母材中に、波長変換物質を含有していてもよい。被覆部材３１Ｄが波長変換物質を含有することで、発光装置１００Ｂの色調整が容易になる。なお、被覆部材３１Ｄに含まれる波長変換物質は、透光性部材３０に備わる波長変換層３１Ａに含まれる波長変換物質と同じでもよく、異なっていてもよい。例えば、第２発光素子２０Ｂの発光のピーク波長が、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下の範囲（緑色領域の波長範囲）である場合、当該波長変換物質は、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下の範囲の光で励起するＣＡＳＮ系蛍光体及び／又はＳＣＡＳＮ系蛍光体であることが好ましい。他には、波長変換物質として、（Ｓｒ，Ｃａ）ＬｉＡｌ３Ｎ４：Ｅｕなどの蛍光体を用いてもよい。
第３反射部材５０は、長手方向において、第１発光素子２０Ａと第１反射部材４０との間、及び、第２発光素子２０Ｂと第１反射部材４０との間に設けられている。更に、第３反射部材５０は、第１反射部材４０、及び、透光性部材３０に接して設けられている。
発光装置１００Ｂは、第３反射部材５０を備えることで、各発光素子の側面から出る光を透光性部材３０の方向に反射させ、光取り出し効率を向上させることができる。
第３反射部材５０は、各発光素子の発光ピーク波長における光反射率が、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましい。
第３反射部材５０の母材としては、第１反射部材４０と同じ樹脂を用いることが好ましく、また、第３反射部材５０は、第１反射部材４０と同じ材料、同じ顔料を用いて同じ含有量で使用することができる。
（第３変形例）
図５は、本実施形態に係る発光装置１００の第３変形例の構成を示す断面図である。第３変形例に係る発光装置１００Ｃについて、図５を参照して説明する。
第３変形例に係る発光装置１００Ｃが、本実施形態に係る発光装置１００と異なる点は、基板１０を備えていない構成を有する点である。
また、第２反射部材８０を備えている点で発光装置１００と異なる。
更に、第３変形例に係る発光装置１００Ｃは、電極の高さを調整することにより第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂを傾斜させている点で発光装置１００と異なる。
図５に示す発光装置１００Ｃのように、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂを載置する基板１０を備えていない場合、Ｚ方向において発光装置１００Ｃを更に薄型化することでできる。
また、図５に示す発光装置１００Ｃのように、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂを載置する基板１０を備えていない場合、第１素子電極形成面２０３Ａ、第２素子電極形成面２０３Ｂが、第２反射部材８０で被覆されることで、第１発光素子２０Ａが発光する光、第２発光素子２０Ｂが発光する光が、発光装置１００Ｃを実装する実装基板に吸収されることを抑制することができる。これにより、発光装置１００Ｃの光取り出し効率を向上させることができる。
ここでは、第２反射部材８０は、第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂの下面に連続して備えられている。
なお、図５に示す発光装置１００Ｃのように、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂを載置する基板１０を備えていない場合、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂは、スパッタなどにより形成された金属膜１２３によって接続されていることが好ましい。金属膜１２３を設けることにより、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂを電気的に接続することができる。
発光装置１００Ｃは、発光素子の一対の電極の高さを異ならせている。
第１発光素子２０Ａは、第１外側電極２１Ａの高さを、第１内側電極２２Ａの高さよりも高くすることで、第１発光素子２０Ａの活性層を、発光素子の載置面に対して（発光装置１００の発光面に対して）発光装置１００Ｃの中心側に傾斜させている。
また、第２発光素子２０Ｂは、第２外側電極２１Ｂの高さを、第２内側電極２２Ｂの高さよりも高くすることで、第２発光素子２０Ｂの活性層を、発光素子の載置面に対して（発光装置１００の発光面に対して）発光装置１００Ｃの中心側に傾斜させている。
これにより、第１発光素子２０Ａの活性層と第２発光素子２０Ｂの活性層とがなす波長変換層３１Ａ側の角度θが１８０°より小さくなっている。
なお、基板１０を備えていない場合であっても、他の方法により活性層を傾斜させてもよい。
（第４変形例）
図６は、本実施形態に係る発光装置１００の第４変形例の構成を示す断面図である。第４変形例に係る発光装置１００Ｄについて、図６を参照して説明する。
第４変形例に係る発光装置１００Ｄが、本実施形態に係る発光装置１００と異なる点は、基板１０の第１配線１２の凸部の高さを調整することにより第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂを傾斜させている点である。
発光装置１００Ｄは、発光素子の一対の電極に接続する凸部の高さを異ならせている。
第１発光素子２０Ａは、第１外側電極２１Ａに接続する第１外側凸部１２１Ａの高さを、第１内側電極２２Ａに接合する第１内側凸部１２２Ａの高さよりも高くすることで、第１発光素子２０Ａの活性層を、発光素子の載置面に対して発光装置１００Ｄの中心側に傾斜させている。
また、第２発光素子２０Ｂは、第２外側電極２１Ｂに接続する第２外側凸部１２１Ｂの高さを、第２内側電極２２Ｂに接続する第２内側凸部１２２Ｂの高さよりも高くすることで、第２発光素子２０Ｂの活性層を、発光素子の載置面に対して発光装置１００Ｄの中心側に傾斜させている。
これにより、第１発光素子２０Ａの活性層と第２発光素子２０Ｂの活性層とがなす波長変換層３１Ａ側の角度θが１８０°より小さくなっている。
（第５変形例）
図７は、本実施形態に係る発光装置１００の第５変形例の構成を示す断面図である。第５変形例に係る発光装置１００Ｅについて、図７を参照して説明する。
第５変形例に係る発光装置１００Ｅが、本実施形態に係る発光装置１００と異なる点は、基板１０の第１配線１２の一部の凸部を無くすとともに、導電性接着部材７０の高さを調整することにより第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂを傾斜させている点である。
第１発光素子２０Ａは、第１内側電極２２Ａに接続する第１内側凸部１２２Ａを無くすとともに、第１外側電極２１Ａに接合する導電性接着部材７０の高さを、第１内側電極２２Ａに接合する導電性接着部材７０の高さよりも高くしている。これにより、第１発光素子２０Ａの活性層を、発光素子の載置面に対して発光装置１００Ｅの中心側に傾斜させている。
また、第２発光素子２０Ｂは、第２内側電極２２Ｂに接続する第２内側凸部１２２Ｂを無くすとともに、第２外側電極２１Ｂに接合する導電性接着部材７０の高さを、第２内側電極２２Ｂに接合する導電性接着部材７０の高さよりも高くしている。これにより、第２発光素子２０Ｂの活性層を、発光素子の載置面に対して発光装置１００Ｅの中心側に傾斜させている。
これにより、第１発光素子２０Ａの活性層と第２発光素子２０Ｂの活性層とがなす波長変換層３１Ａ側の角度θが１８０°より小さくなっている。
なお、ここでは、第１内側凸部１２２Ａ及び第２内側凸部１２２Ｂを無くすとともに、導電性接着部材７０の高さを調整するものとしたが、各素子の各電極に接合する導電性接着部材７０の高さは同じとし、第１内側電極２２Ａに接合する第１内側凸部１２２Ａ、及び、第２内側電極２２Ｂに接合する第２内側凸部１２２Ｂを無くすことにより、第１発光素子２０Ａの活性層及び第２発光素子２０Ｂの活性層を傾斜させてもよい。
（第６変形例）
図８は、本実施形態に係る発光装置１００の第６変形例の構成を示す断面図である。第６変形例に係る発光装置１００Ｆについて、図８を参照して説明する。
第６変形例に係る発光装置１００Ｆが、本実施形態に係る発光装置１００と異なる点は、各外側電極の下面と基板１０の上面との間にスペーサ９０を入れることにより第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂを傾斜させている点である。
発光装置１００Ｆは、第１外側電極２１Ａ、及び、第２外側電極２１Ｂの下面と、基板１０の上面との間にスペーサ９０を備える。これにより、発光装置１００Ｆは、第１発光素子２０Ａの活性層及び第２発光素子２０Ｂの活性層を、発光素子の載置面に対して発光装置１００Ｆの中心側に傾斜させている。
これにより、第１発光素子２０Ａの活性層と第２発光素子２０Ｂの活性層とがなす波長変換層３１Ａ側の角度θが１８０°より小さくなっている。
スペーサ９０としては、例えば、銅、鉄、アルミニウム、チタン、又はこれらのうちの少なくとも１種を含む合金などからなるボールを用いることができる。
発光装置１００Ｆは、スペーサ９０の位置を調整することで、活性層の傾斜角度を調整することができる。例えば、第１外側電極２１Ａの下面と基板１０の上面との間のスペーサ９０、及び、第２外側電極２１Ｂの下面と基板１０の上面との間のスペーサ９０をより内側に配置することで、第１発光素子２０Ａの活性層と第２発光素子２０Ｂの活性層とがなす波長変換層３１Ａ側の角度θをより小さくすることができる。
また、スペーサ９０の大きさを調整することで、活性層の傾斜角度を調整することができる。例えば、第１外側電極２１Ａの下面と基板１０の上面との間のスペーサ９０、及び、第２外側電極の下面と基板１０の上面との間のスペーサ９０をより大きくすることで、第１発光素子２０Ａの活性層２３２Ａと第２発光素子２０Ｂの活性層２３２Ｂとがなす波長変換層３１Ａ側の角度θをより小さくすることができる。
（第７変形例）
図９は、本実施形態に係る発光装置１００の第７変形例の構成を示す断面図である。第６変形例に係る発光装置１００Ｇについて、図９を参照して説明する。
第７変形例に係る発光装置１００Ｇが、本実施形態に係る発光装置１００と異なる点は、各外側および内側電極の下面と基板１０の上面との間にスペーサ９０を入れることにより第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂを傾斜させている点である。
発光装置１００Ｇは、第１外側電極２１Ａ、第１内側電極２２Ａ、第２外側電極２１Ｂ、及び第２内側電極２２Ｂの下面と、基板１０の上面との間にスペーサ９０を備える。
第１発光素子２０Ａは、第１外側電極２１Ａの下面と基板１０の上面との間のスペーサ９０の大きさを、第１内側電極２２Ａの下面と基板１０の上面との間のスペーサ９０の大きさよりも大きくすることで、第１発光素子２０Ａの活性層を、発光素子の載置面に対して発光装置１００Ｇの中心側に傾斜させている。
また、第２発光素子２０Ｂは、第２外側電極２１Ｂの下面と基板１０の上面との間のスペーサ９０の大きさを、第２内側電極２２Ｂの下面と基板１０の上面との間のスペーサ９０の大きさよりも大きくすることで、第２発光素子２０Ｂの活性層を、発光素子の載置面に対して発光装置１００Ｇの中心側に傾斜させている。
これにより、第１発光素子２０Ａの活性層と第２発光素子２０Ｂの活性層とがなす波長変換層３１Ａ側の角度θが１８０°より小さくなっている。
発光装置１００Ｇは、発光装置１００Ｆで説明したように、スペーサ９０の位置や大きさを調整することで、活性層の傾斜角度を調整することができる。
（第８変形例）
図１０は、本実施形態に係る発光装置１００の第８変形例の構成を示す断面図である。第８変形例に係る発光装置１００Ｈについて、図１０を参照して説明する。
第８変形例に係る発光装置１００Ｈが、本実施形態に係る発光装置１００と異なる点は、発光素子が３個搭載されている点である。
発光装置１００Ｈは、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃの３つを有している。
第３発光素子２０Ｃは、第３素子光取り出し面２０１Ｃと、第３素子光取り出し面の反対側にある第３素子電極形成面２０３Ｃと、第３素子光取り出し面２０１Ｃと第３素子電極形成面２０３Ｃとの間にある第３素子側面２０２Ｃと、を有している。第３発光素子２０Ｃは、第１発光素子２０Ａと略同じ構成であるため、ここでは説明を省略する。
導光部材６０は、第１素子光取り出し面２０１Ａ、第１素子側面２０２Ａ、第２素子光取り出し面２０１Ｂ、第２素子側面２０２Ｂ、第３素子光取り出し面２０１Ｃ、第３素子側面２０２Ｃを被覆する。波長変換層３１Ａは、ここでは、導光部材６０を介して、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ及び第３発光素子２０Ｃから離間して、第１素子光取り出し面２０１Ａ、第２素子光取り出し面２０１Ｂ、第３素子光取り出し面２０１Ｃを連続して覆っている。
第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、及び、第３発光素子２０Ｃは、基板１０の第１配線１２上に導電性接着部材７０を介して載置され、これにより、基板１０上に載置されている。ここでは、一例として、第１発光素子２０Ａ及び第３発光素子２０Ｃは青色発光素子であり、第２発光素子２０Ｂは緑色発光素子であるものとする。
発光装置１００Ｈは、上面視において、第１発光素子２０Ａと第３発光素子２０Ｃの間に第２発光素子２０Ｂが位置している。
そして、第１外側電極２１Ａに接合する導電性接着部材７０の高さが第１内側電極２２Ａに接合する導電性接着部材７０の高さよりも高い。そのため、第１発光素子２０Ａの活性層が、発光素子の載置面に対して発光装置１００Ｈの中心側に傾斜している。
また、第３外側電極２１Ｃに接合する導電性接着部材７０の高さが第３内側電極２２Ｃに接合する導電性接着部材７０の高さよりも高い。そのため、第３発光素子２０Ｃの活性層が、発光素子の載置面に対して発光装置１００Ｈの中心側に傾斜している。
これにより、第１発光素子２０Ａの活性層と第２発光素子２０Ｂの活性層とがなす波長変換層３１Ａ側の角度θが１８０°より小さくなっている。また、第３発光素子２０Ｃの活性層と第２発光素子２０Ｂの活性層とがなす波長変換層３１Ａ側の角度θが１８０°より小さくなっている。具体的には、発光装置１００Ｈは、第１発光素子２０Ａの活性層及び第３発光素子２０Ｃの活性層が、発光素子の載置面に対して発光装置１００Ｈの中心側に傾斜している。ここでは、図１０に示すように、Ｘ方向とＺ方向とがなす面において、第１発光素子２０Ａ、及び、第３発光素子２０Ｃは、Ｚ方向の高さが異なるように傾斜している。これにより、第１発光素子２０Ａの光軸、第２発光素子２０Ｂの光軸、及び、第３発光素子２０Ｃの光軸が、発光装置１００Ｈの発光面側で交差する。
角度θについては、本実施形態に係る発光装置１００で説明したとおりである。
第３発光素子２０Ｃの発光ピーク波長は、第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長と同じであり、第２発光素子２０Ｂの発光ピーク波長と異なることが好ましく、４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満の範囲（青色領域の波長範囲）であることが好ましい。なお、本明細書において、「発光ピーク波長と同じ」とは±１０ｎｍ程度の変動は許容されることを意味する。
なお、第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長が、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の範囲（緑色領域の波長範囲）であり、第２発光素子２０Ｂの発光ピーク波長が、４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満の範囲（青色領域の波長範囲）であり、第３発光素子２０Ｃの発光ピーク波長が、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の範囲（緑色領域の波長範囲）であってもよい。即ち、第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長、第２発光素子２０Ｂの発光ピーク波長、第３発光素子２０Ｃの発光ピーク波長は、半導体材料やその混晶比によって、紫外域から赤外域まで選択することができるが、第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長と第３発光素子２０Ｃの発光ピーク波長とが同じであり、第２発光素子２０Ｂの発光ピーク波長が、第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長及び第３発光素子２０Ｃの発光ピーク波長と異なることが好ましい。
なお、第３発光素子２０Ｃの発光ピーク波長が、４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満の範囲（青色領域の波長範囲）にある場合、波長変換物質の発光ピーク波長は、５８０ｎｍ以上６８０ｎｍ未満の範囲（赤色領域の波長範囲）にあることが好ましい。
ただし、各発光素子の発光ピーク波長にかかわらず、波長変換物質の発光ピーク波長は、５８０ｎｍ以上６８０ｎｍ未満の範囲（赤色領域の波長範囲）としてもよい。
（その他の変形例）
発光装置１００などでは、第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂのいずれの活性層も発光素子の載置面に対して傾斜しているものとしたが、第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂの少なくとも一方の発光素子の活性層が、発光素子の載置面に対して傾斜していればよい。第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂのいずれか一方の発光素子の活性層を発光素子の載置面に対して傾斜させる場合、例えば、前記した発光素子の活性層を傾斜させる各方法において、第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂのいずれか一方の発光素子側に各方法を適用すればよい。
また、図１０において発光装置１００Ｈでは、第１発光素子２０Ａ及び第３発光素子２０Ｃのいずれの活性層も発光素子の載置面に対して傾斜しているものとしたが、第３発光素子２０Ｃは、発光素子の載置面に対して傾斜していないものであってもよい。
また、発光装置１００Ｈでは、上面視において、第１発光素子２０Ａと第３発光素子２０Ｃの間に第２発光素子２０Ｂが位置しているものとしたが、第１発光素子２０Ａと第２発光素子２０Ｂの間に第３発光素子２０Ｃが位置しているものとし、第１発光素子２０Ａの活性層及び第２発光素子２０Ｂの活性層を、発光素子の載置面に対して発光装置１００Ｈの中心側に傾斜させてもよい。
また、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ及び第３発光素子２０Ｃのうちの２以上の発光素子の光軸が発光装置の発光面側で交差することが好ましい。
また、第１透光層３１Ｂ、第２透光層３１Ｃ、被覆部材３１Ｄ、第２反射部材８０、第３反射部材５０は、前記した実施形態及び変形例において、必要に応じて設ければよく、これらを設けない形態であってもよい。
また、発光素子の活性層を傾斜させる方法として、導電性接着部材７０の高さを調整したり、第１配線１２の凸部の高さを調整したり、スペーサ９０を用いたり、発光素子の電極の高さを調整したりすることを挙げたが、発光装置の構造などにより、これらの方法から適宜選択すればよい。また、前記した複数の方法を組み合わせてもよく、また、他の方法により傾斜させてもよい。
また、前記した実施形態及び変形例では、発光素子は、Ｘ方向とＺ方向とがなす面において、Ｚ方向の高さが異なるように傾斜しているものとした。しかしながら、発光素子は、Ｙ方向とＺ方向とがなす面において、Ｚ方向の高さが異なるように傾斜しているものであってもよい。
また、発光素子の個数は、少なくとも２つ以上であれば、特に限定されるものではない。
以上説明した変形例に係る発光装置においても、色ムラを低減させた発光装置を実現できる。
≪発光装置の製造方法≫
次に、図１１及び図１２を参照して、本実施形態に係る発光装置１００の製造方法について説明する。なお、本実施形態に係る発光装置の製造方法において、一部の工程は、順序が限定されるものではなく、順序が前後してもよい。
本実施形態に係る発光装置の製造方法は、発光素子実装工程（Ｓ６０１）と、導光部材形成工程（Ｓ６０２）と、導光部材除去工程（Ｓ６０３）と、透光性部材形成工程（Ｓ６０４）と、凹部形成工程（Ｓ６０５）と、反射部材形成工程（Ｓ６０６）と、反射部材除去工程（Ｓ６０７）と、発光装置個片化工程（Ｓ６０８）と、を含む。
発光素子実装工程（Ｓ６０１）は、図１２Ａに示すように、基板１０に、第１発光素子２０Ａ（例えば、青色発光素子）及び第２発光素子２０Ｂ（例えば、緑色発光素子）を実装する工程である。
本工程において、発光素子の実装方法は、リフロー法を用いた半田によるフリップチップ実装であることが好ましい。
本工程では、まず、基板１０の第１配線１２上に導電性接着部材７０を配置する。その際、第１発光素子２０Ａにおける第１外側電極２１Ａに接合する導電性接着部材７０の量を、第１内側電極２２Ａに接合する導電性接着部材７０の量よりも多くする。同様に、第２発光素子２０Ｂにおける第２外側電極２１Ｂに接合する導電性接着部材７０の量を、第２内側電極２２Ｂに接合する導電性接着部材７０の量よりも多くする。
また、第１配線１２上に設けた導電性接着部材７０は、例えば、板状の部材などで熱を加えて押すことで、上面を平坦にすることが好ましい。このようにすることで、実装する発光素子のぐらつきが防止され、発光素子が安定し易くなる。
次に、導電性接着部材７０を介して、基板１０上に第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂを載置する。次に、導電性接着部材７０を硬化させる。これにより、導電性接着部材７０の少ない部位が導電性接着部材７０の多い部位よりも高さが低くなり、第１発光素子２０Ａの活性層及び第２発光素子２０Ｂの活性層が、発光素子の載置面に対して基板１０の内側に傾斜する。なお、導電性接着部材７０の量や配置する部位などは、第１発光素子２０Ａの活性層及び第２発光素子２０Ｂの活性層が傾斜するように適宜調整する。なお、導電性接着部材７０の量を調整することにより、傾斜角度を調整することができる。
導光部材形成工程（Ｓ６０２）は、図１２Ｂに示すように、第１発光素子２０Ａの第１素子光取り出し面２０１Ａ、第１素子側面２０２Ａ、第２発光素子２０Ｂの第２素子光取り出し面２０１Ｂ、第２素子側面２０２Ｂを被覆する導光部材６０を形成する工程である。本工程では、図１２Ｂに示すように、各発光素子の側面及び光取り出し面をすべて覆い、導光部材６０の上面が略面一になるように被覆することが好ましい。
本工程において、導光部材６０は、例えば、母材と波長変換物質とを含む液状樹脂材料を、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂが実装された実装面の上に滴下することによって形成される。また、圧縮成形、トランスファ成形によっても行うことができる。或いは、導光部材６０は、例えば、波長変換物質を、噴霧（スプレー）法、電着法などによって、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂが実装された実装面の上に付着させた後、母材を滴下して波長変換物質に含浸させ、固化させることで形成される。なお、波長変換物質は、導光部材６０の一部分に形成されてもよいし、導光部材６０の全体に形成されてもよい。また、波長変換物質は含有させなくてもよい。
導光部材除去工程（Ｓ６０３）は、図１２Ｃに示すように、第１発光素子２０Ａの第１素子光取り出し面２０１Ａ、第１素子側面２０２Ａ、第２発光素子２０Ｂの第２素子光取り出し面２０１Ｂ、第２素子側面２０２Ｂを被覆する導光部材６０の一部を除去する工程である。本工程は、導光部材６０を薄くするために実施される工程である。
本工程において、導光部材６０は、研削等の公知の方法を用いることができる。
透光性部材形成工程（Ｓ６０４）は、図１２Ｄに示すように、導光部材６０を介して、第１発光素子２０Ａの第１素子光取り出し面２０１Ａ、第２発光素子２０Ｂの第２素子光取り出し面２０１Ｂを連続して覆う透光性部材３０を形成する工程である。
本工程において、まず、導光部材６０上に第１波長変換層３０１Ａが形成され、次に、第１波長変換層３０１Ａ上に第２波長変換層３０１Ｂが形成されて波長変換層３１Ａが形成される。次に、第２波長変換層３０１Ｂ上（波長変換層３１Ａ上）に第１透光層３１Ｂが形成される。
本工程において、第１波長変換層３０１Ａは、シート状の波長変換部材を導光部材６０上に配置することで形成される。或いは、母材と波長変換物質とを含有する液状樹脂材料を、ディスペンサなどを用いて、導光部材６０上に塗布し、その後、液状樹脂材料を加熱などによって硬化させることで形成される。また、本工程において、第２波長変換層３０１Ｂは、例えば、母材と波長変換物質とを含有する液状樹脂材料を、ディスペンサなどを用いて、第１波長変換層３０１Ａ上に塗布し、その後、液状樹脂材料を加熱などによって硬化させることで形成される。また、本工程において、第１透光層３１Ｂは、例えば、母材と第１拡散粒子とを含有する液状樹脂材料を、ディスペンサなどを用いて、第２波長変換層３０１Ｂ上に塗布し、その後、液状樹脂材料を加熱などによって硬化させることで形成される。なお、液状樹脂材料の粘度及び塗布量は、透光性部材３０が図１２Ｄに示す層形状となるように、適宜調整される。
凹部形成工程（Ｓ６０５）は、図１２Ｅに示すように、透光性部材３０及び導光部材６０を貫通し、基材１１の一部にかかるように凹部Ｒ１及び凹部Ｒ２を形成する工程である。
本工程において、凹部Ｒ１は、破線Ｓ１に沿って、透光性部材３０及び導光部材６０が、ブレードやレーザによって切断されることで形成される。また、凹部Ｒ２は、破線Ｓ２に沿って、透光性部材３０及び導光部材６０が、ブレードやレーザによって切断されることで形成される。
凹部Ｒ１、凹部Ｒ２を形成することで、上面視において、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、及び、導光部材６０を囲む第１反射部材４０を、次工程において、精度良く製造することができる。なお、凹部Ｒ１、凹部Ｒ２は、凹部形状に限定されるものではなく、例えば、Ｖ字形状、Ｕ字形状などであってもよい。
反射部材形成工程（Ｓ６０６）は、図１２Ｆに示すように、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、及び、導光部材６０を囲む第１反射部材４０を形成する工程である。
本工程において、第１反射部材４０は、例えば、まず、ディスペンサを用いたポッティングなどによって、光反射性物質を分散させた未硬化の樹脂を、透光性部材３０の上に滴下、或いは、凹部Ｒ１、凹部Ｒ２に充填する。若しくは、印刷などによって凹部内及び透光性部材３０上に第１反射部材４０を形成する。その後、透光性部材３０の上に滴下、或いは、凹部Ｒ１、凹部Ｒ２に充填された未硬化の樹脂を、ヒーターなどの加熱装置によって、所定温度で所定時間加熱し、硬化させることにより形成される。
反射部材除去工程（Ｓ６０７）は、図１２Ｇに示すように、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、及び、導光部材６０を囲む第１反射部材４０の一部を除去する工程である。本工程は、透光性部材３０上に形成される第１反射部材４０を除去するために実施される工程である。
本工程において、第１反射部材４０は、例えば、砥石や切削刃により研削される。或いは、第１反射部材４０は、例えば、グラインダ及びポリッシャを用いて研磨される。これにより、導光部材６０を介して、第１発光素子２０Ａの第１素子側面２０２Ａ、第２発光素子２０Ｂの第２素子側面２０２Ｂ被覆し、凹部Ｒ１、凹部Ｒ２に沿った形状を有する第１反射部材４０を形成することができる。
発光装置個片化工程（Ｓ６０８）は、図１２Ｈに示すように、破線Ｓ３、破線Ｓ４に沿って、発光装置１００を個片化する工程である。
本工程において、発光装置１００は、ブレードダイシング法やレーザダイシング法などによって、隣接する発光装置１００の中間を通る破線Ｓ３に沿って、第１反射部材４０及び基板１０が切断され、また、隣接する発光装置１００の中間を通る破線Ｓ４に沿って、第１反射部材４０及び基板１０が切断されることで個片化される。本工程において、発光装置１００は、例えば、刃の厚さが２０μｍのダイシングソーなどで、破線Ｓ３及び破線Ｓ４に沿って、すなわち、各分離溝の中央部で分離溝に沿って切断される。
以上、説明したように上述の各工程を行うことにより、発光装置１００が製造される。
なお、図３に示す発光装置１００Ａのように、第２反射部材８０を設ける場合は、発光素子実装工程（Ｓ６０１）の後、かつ導光部材形成工程（Ｓ６０２）の前に第２反射部材形成工程を行えばよい。
第２反射部材８０は、例えば、トランスファ成形、射出成形、圧縮成形、ポッティングなどにより形成することができる。
第２反射部材８０は、一部が発光素子の側面に這い上がる場合がある。その場合、ブラストなどで側面の第２反射部材８０を取り除いたり、第２反射部材８０を２回に分けて配置したりすることで、発光素子の側面への這い上がりを抑制することができる。
また、第３反射部材５０を設ける場合は、発光素子実装工程（Ｓ６０１）の後、かつ導光部材形成工程（Ｓ６０３）の前に第３反射部材形成工程を行えばよい。
第３反射部材５０は、例えば、トランスファ成形、射出成形、圧縮成形、ポッティングなどにより形成することができる。
図４に示す発光装置１００Ｂのように、第２透光層３１Ｃを設ける場合は、透光性部材形成工程（Ｓ６０４）において、第２透光層３１Ｃは、例えば、母材と第２拡散粒子とを含む液状樹脂材料を、ディスペンサなどを用いて、導光部材６０上に塗布し、その後、液状樹脂材料を加熱などによって硬化させることで形成される。なお、第２透光層３１Ｃを設ける場合は、波長変換層３１Ａは１層としてもよい。
また、図４に示す発光装置１００Ｂのように、被覆部材３１Ｄを設ける場合は、発光素子実装工程（Ｓ６０１）の前、又は、発光素子実装工程（Ｓ６０１）の後、かつ導光部材形成工程（Ｓ６０２）の前に被覆部材形成工程を行えばよい。
被覆部材３１は、例えば、トランスファ成形、射出成形、圧縮成形、ポッティングなどにより形成することができる。
なお、各工程は、必ずしも上述の順序で実施する必要はなく、例えば、発光素子実装工程（Ｓ６０１）を実施する前に、第２反射部材形成工程を実施してもよい。また、第３反射部材形成工程を実施した後に、発光素子実装工程（Ｓ６０１）を実施してもよい。
発光装置の製造方法では、発光素子実装工程（Ｓ６０１）において、第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂの少なくとも一方の発光素子の活性層を、発光素子の載置面に対して傾斜させればよい。
第３発光素子２０Ｃを実装する場合は、発光素子実装工程（Ｓ６０１）において、基板１０に、第３発光素子２０Ｃ（例えば、青色発光素子）を実装する。
第３発光素子２０Ｃを実装する場合は、発光素子実装工程（Ｓ６０１）において、第３発光素子２０Ｃの活性層を、発光素子の載置面に対して傾斜させてもよい。
また、上面視において、第１発光素子２０Ａと第３発光素子２０Ｃの間に第２発光素子２０Ｂを配置し、第１発光素子２０Ａ及び第３発光素子２０Ｃの活性層を、発光素子の載置面に対して発光装置１００の中心側（第２発光素子２０Ｂ側）に傾斜させてもよい。
また、導光部材形成工程（Ｓ６０２）において、第１発光素子２０Ａの第１素子光取り出し面２０１Ａ、第１素子側面２０２Ａ、第２発光素子２０Ｂの第２素子光取り出し面２０１Ｂ、第２素子側面２０２Ｂ、第３発光素子２０Ｃの第３素子光取り出し面２０１Ｃ、第３素子側面２０２Ｃを被覆する導光部材６０を形成する。
また、透光性部材形成工程（Ｓ６０４）において、導光部材６０を介して、第１発光素子２０Ａの第１素子光取り出し面２０１Ａ、第２発光素子２０Ｂの第２素子光取り出し面２０１Ｂ、第３発光素子２０Ｃの第３素子光取り出し面２０１Ｃを連続して覆う透光性部材３０を形成する。
以上、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。
本開示の実施形態に係る発光装置は、車載用発光装置などに利用することができる。
１０ 基板
２０Ａ 第１発光素子
２０Ｂ 第２発光素子
２０Ｃ 第３発光素子
２１Ａ 第１外側電極
２１Ｂ 第２外側電極
２１Ｃ 第３外側電極
２２Ａ 第１内側電極
２２Ｂ 第２内側電極
２２Ｃ 第３内側電極
２３Ａ 第１素子半導体積層体
２３Ｂ 第２素子半導体積層体
２３Ｃ 第３素子半導体積層体
２４Ａ 第１素子基板
２４Ｂ 第２素子基板
２４Ｃ 第３素子基板
３０ 透光性部材
３１Ａ 波長変換層
３１Ｂ 第１透光層
３１Ｃ 第２透光層
４０ 第１反射部材
５０ 第３反射部材
６０ 導光部材
７０ 導電性接着部材
８０ 第２反射部材
９０ スペーサ
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ 発光装置
１００Ｅ，１００Ｆ，１００Ｇ，１００Ｈ 発光装置
１２１Ａ 第１外側凸部
１２１Ｂ 第２外側凸部
１２１Ｃ 第３外側凸部
１２２Ａ 第１内側凸部
１２２Ｂ 第２内側凸部
１２２Ｃ 第３内側凸部
２０１Ａ 第１素子光取り出し面
２０１Ｂ 第２素子光取り出し面
２０１Ｃ 第３素子光取り出し面
２０２Ａ 第１素子側面
２０２Ｂ 第２素子側面
２０２Ｃ 第３素子側面
２０３Ａ 第１素子電極形成面
２０３Ｂ 第２素子電極形成面
２０３Ｃ 第３素子電極形成面
２３１Ａ，２３１Ｂ ｐ型半導体層
２３２Ａ，２３２Ｂ 活性層
２３３Ａ，２３３Ｂ ｎ型半導体層
３０１Ａ 第１波長変換層
３０１Ｂ 第２波長変換層

Claims (15)

  1. 光取り出し面と、前記光取り出し面の反対側にある電極形成面と、前記光取り出し面と前記電極形成面との間にある側面とを有する第１発光素子と、
    光取り出し面と、前記光取り出し面の反対側にある電極形成面と、前記光取り出し面と前記電極形成面との間にある側面とを有し、前記第１発光素子の発光ピーク波長と異なる発光ピーク波長を有する第２発光素子と、
    前記第１発光素子の光取り出し面、前記第１発光素子の側面、前記第２発光素子の光取り出し面及び前記第２発光素子の側面を被覆する導光部材と、
    前記導光部材を介して、前記第１発光素子及び前記第２発光素子から離間して、前記第１発光素子の光取り出し面及び前記第２発光素子の光取り出し面を連続して覆う波長変換層と、
    前記導光部材の外側面を被覆する第１反射部材と、を備え、
    前記第１発光素子の活性層と前記第２発光素子の活性層とがなす前記波長変換層側の角度が１８０°より小さい発光装置。
  2. 前記第１発光素子の活性層と前記第２発光素子の活性層とがなす前記波長変換層側の角度が１７０°以上１７９．８°以下である、請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記第１発光素子及び前記第２発光素子の下面に連続して第２反射部材を備える、請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
  4. 前記第１発光素子及び前記第２発光素子を載置する基板を備える、請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
  5. 前記第１発光素子及び前記第２発光素子の下面と前記基板の上面との間に連続して第２反射部材を備える、請求項４に記載の発光装置。
  6. 前記第１発光素子の電極形成面は、第１外側電極及び第１内側電極を有し、
    前記第２発光素子の電極形成面は、第２外側電極及び第２内側電極を有し、
    前記第１外側電極、前記第１内側電極、前記第２外側電極及び前記第２内側電極と前記基板とを接合する導電性接着部材を備え、
    前記第１外側電極に接合する前記導電性接着部材の高さが前記第１内側電極に接合する前記導電性接着部材の高さよりも高い、及び、前記第２外側電極に接合する前記導電性接着部材の高さが前記第２内側電極に接合する前記導電性接着部材の高さよりも高い、のうちの少なくとも一方である、請求項４又は請求項５に記載の発光装置。
  7. 前記基板は、前記第１発光素子と接続する第１外側凸部及び第１内側凸部と、前記第２発光素子と接続する第２外側凸部及び第２内側凸部とを有し、
    前記第１外側凸部の高さが前記第１内側凸部の高さよりも高い、及び、前記第２外側凸部の高さが前記第２内側凸部の高さよりも高い、のうちの少なくとも一方である、請求項４又は請求項５に記載の発光装置。
  8. 前記基板は、前記第１発光素子と接続する第１外側凸部、及び、前記第２発光素子と接続する第２外側凸部のうちの少なくとも一方を有する、請求項４又は請求項５に記載の発光装置。
  9. 前記第１発光素子の電極形成面は、第１外側電極及び第１内側電極を有し、
    前記第２発光素子の電極形成面は、第２外側電極及び第２内側電極を有し、
    前記第１外側電極及び前記第２外側電極のうちの少なくとも一方の電極の下面と前記基板の上面との間にスペーサを備える、請求項４又は請求項５に記載の発光装置。
  10. 前記第１発光素子の電極形成面は、第１外側電極及び第１内側電極を有し、
    前記第２発光素子の電極形成面は、第２外側電極及び第２内側電極を有し、
    前記第１外側電極、前記第１内側電極、前記第２外側電極、及び前記第２内側電極の下面と前記基板の上面との間にスペーサを備え、
    前記第１外側電極の下面と前記基板の上面との間の前記スペーサの大きさが前記第１内側電極の下面と前記基板の上面との間の前記スペーサの大きさよりも大きい、又は、前記第２外側電極の下面と前記基板の上面との間の前記スペーサの大きさが前記第２内側電極の下面と前記基板の上面との間の前記スペーサの大きさよりも大きい、のうちの少なくとも一方である、請求項４又は請求項５に記載の発光装置。
  11. 前記第１発光素子の電極形成面は、第１外側電極及び第１内側電極を有し、
    前記第２発光素子の電極形成面は、第２外側電極及び第２内側電極を有し、
    前記第１外側電極の高さが前記第１内側電極の高さよりも高い、及び、前記第２外側電極の高さが前記第２内側電極の高さよりも高い、のうちの少なくとも一方である、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の発光装置。
  12. 前記第１発光素子の光軸は、前記第２発光素子の光軸と発光装置の発光面側で交差する、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の発光装置。
  13. 前記第１発光素子の発光ピーク波長が４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満の範囲であり、前記第２発光素子の発光ピーク波長が４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ未満の範囲である、請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の発光装置。
  14. 前記波長変換層は波長変換物質を含み、
    前記波長変換物質の発光ピーク波長が５８０ｎｍ以上６８０ｎｍ未満の範囲である、請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の発光装置。
  15. 前記第１反射部材は、前記波長変換層の外側面を更に被覆する、請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の発光装置。
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