JP2020013986A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】光取り出し効率を向上させることができる発光装置を提供する。【解決手段】上面を有する基材と、上面に配置される第１配線と、を有する基板と、第１光取り出し面と、第１電極形成面と、第１側面と、を有し、第１電極形成面と第１配線とが対向して第１配線上に載置される第１発光素子と、第１光取り出し面を露出し、基材の上面を被覆し、反射粒子を含有する第１反射部材と、第１光取り出し面を露出し、第１反射部材及び第１側面の少なくとも一部を被覆し、第１反射部材よりも反射粒子の濃度が低い第１被覆部材と、第１側面の少なくとも一部を被覆する第２被覆部材と、上面視において第２被覆部材を囲み、第２被覆部材及び第１反射部材と接する第２反射部材と、を備え、第２反射部材は、断面視において、第１反射部材と接する幅狭部と、幅広部と、を有する発光装置。【選択図】図２Ｂ

Description

本発明は、発光装置及びその製造方法に関する。

近年、発光ダイオード等の発光素子を含む発光装置が種々の用途に使用されており、より光取り出し効率が高い発光装置が求められている。例えば特許文献１には、半導体発光素子のシリコン基板の側面を覆い、且つ半導体発光素子の上面が露出するように設けられるフィラ含有樹脂を備えることで光取り出し効率を向上させた発光装置が記載されている。

特開２０１４−２４１３４１号公報

本発明は、フィラ含有樹脂（反射粒子含有部材）を備えた発光装置において更に光取り出し効率を向上させることができる発光装置及び発光装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様に係る発光装置は、上面を有する基材と、前記上面に配置される第１配線と、を有する基板と、第１光取り出し面と、前記第１光取り出し面の反対側にある第１電極形成面と、前記第１光取り出し面と前記第１電極形成面との間にある第１側面と、前記第１電極形成面に一対の第１電極と、を有し、前記第１電極形成面と前記第１配線とが対向して前記第１配線上に載置される第１発光素子と、前記第１光取り出し面を露出し、前記基材の上面を被覆し、反射粒子を含有する第１反射部材と、前記第１光取り出し面を露出し、前記第１反射部材及び前記第１側面の少なくとも一部を被覆し、前記第１反射部材よりも前記反射粒子の濃度が低い第１被覆部材と、前記第１側面の少なくとも一部を被覆する第２被覆部材と、上面視において前記第２被覆部材を囲み、前記第２被覆部材及び前記第１反射部材と接する第２反射部材と、を備え、前記第２反射部材は、断面視において、前記第１反射部材と接する幅狭部と、前記幅狭部よりも上に配置される幅広部と、を有する。

また、本発明の一態様に係る発光装置の製造方法は、上面を有する基材と、前記上面に配置される第１配線と、を備える基板を準備する工程と、前記第１光取り出し面と、前記第１光取り出し面の反対側にある第１電極形成面と、前記第１光取り出し面と前記第１電極形成面との間にある第１側面と、前記第１電極形成面に一対の第１電極と、を有する第１発光素子を準備する工程と、前記第１電極形成面と前記第１配線とを対向させて、前記第１配線上に第１発光素子を載置する工程と、上面視において、前記第１発光素子と重なる前記基材の上面の少なくとも一部が露出するように前記反射粒子含有部材を前記基材の上面に配置する工程と、前記第１発光素子と重なる前記基材の上面に前記反射粒子含有部材を遠心力により広げる工程と、を含む。

本発明に係る実施形態の発光装置によれば、光取り出し効率を向上させた発光装置を提供することができる。

図１Ａは、実施形態１に係る発光装置の概略斜視図である。 図１Ｂは、実施形態１に係る発光装置の概略斜視図である。 図２Ａは、実施形態１に係る発光装置の概略上面図である。 図２Ｂは、図２ＡのＩＩＢ−ＩＩＢ線における概略断面図である。 図２Ｃは、図２ＡのＩＩＣ−ＩＩＣ線における概略端面図である。 図３は、実施形態１に係る発光装置の変形例の概略断面図である。 図４は、実施形態１に係る発光装置の変形例の概略断面図である。 図５は、実施形態１に係る発光装置の変形例の概略断面図である。 図６は、実施形態１に係る基板の概略上面図である。 図７は、実施形態１に係る発光装置の概略背面図である。 図８は、実施形態１に係る発光装置の概略正面図である。 図９は、実施形態１に係る発光装置の概略側面図である。 図１０は、実施形態２に係る発光装置の概略断面図である。 図１１は、実施形態１に係る発光装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図１２は、実施形態１に係る発光装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図１３は、実施形態１に係る発光装置の製造方法を説明するための概略模式図である。 図１４は、実施形態１に係る発光装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図１５は、実施形態１に係る発光装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図１６は、実施形態１に係る発光装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図１７は、実施形態１に係る発光装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図１８は、実施形態１に係る発光装置の製造方法を説明するための概略断面図である。

以下、発明の実施形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明する発光装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。一つの実施形態において説明する内容は、他の実施形態及び変形例にも適用可能である。また、図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。さらに、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。

＜実施形態１＞
本発明の実施形態に係る発光装置１０００を図１Ａから図９に基づいて説明する。発光装置１０００は、基板１０と、少なくとも１つの第１発光素子２０Ａと、第１反射部材３１と、第１被覆部材３２と、第２被覆部材３３と、第２反射部材４０と、を備える。基板１０は、上面１１１を有する基材１１と、基材１１の上面１１１に配置される第１配線１２と、を備える。第１発光素子２０Ａは、第１光取り出し面２０１Ａと、第１光取り出し面の反対側にある第１電極形成面２０３Ａと、第１光取り出し面と第１電極形成面との間にある第１側面２０２Ａと、第１電極形成面２０３Ａに一対の第１電極２１Ａ、２２Ａと、を有する。第１発光素子２０Ａは、第１電極形成面２０３Ａと、第１配線１２と、が対向して、第１配線１２上に載置される。第１発光素子２０Ａは、第１配線１２と電気的に接続される。第１反射部材３１は、第１光取り出し面２０１Ａを露出し、基材１１の上面１１１を被覆する。また、第１反射部材３１は、反射粒子を含有する。第１被覆部材３２は、第１光取り出し面２０１Ａを露出し、第１反射部材３１及び第１側面２０２Ａの少なくとも一部を被覆する。また、第１被覆部材３２は、第１反射部材３１よりも反射粒子の濃度が低い。第２被覆部材３３は、第１側面２０２Ａの少なくとも一部を被覆する。第２反射部材４０は、上面視において第２被覆部材３３を囲む。また、第２反射部材４０は、第２被覆部材３３及び第１反射部材３１と接する。第２反射部材４０は、断面視において、第１反射部３１と接する幅狭部４２と、幅狭部４２よりも上に配置される幅広部４１と、を有する。尚、後述する第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃ及び第１発光素子２０Ａ、を発光素子と呼ぶことがある。

第１被覆部材３２は、第１反射部材３１よりも反射粒子の濃度が低いために第１反射部材３１よりも光透過率が高い。このため、第１側面２０２Ａを被覆する第１被覆部材３２を備えることで、第１発光素子２０Ａからの光を光透過率が高い第１被覆部材３２から取り出すことができる。これにより、発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。

反射粒子を含有し、反射率の高い第１反射部材３１で基材１１の上面を被覆することにより、第１発光素子２０Ａからの光が基板１０に吸収されることを抑制できる。これにより、発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。

第１反射部材３１及び第１被覆部材３２を形成する手順としては、第１反射部材を形成した後に第１反射部材を被覆する第１被覆部材を形成してもよく、第１反射部材及び第１被覆部材を同じ工程で形成してもよい。例えば、第１反射部材を形成した後に硬化前の第１被覆部材をポッティング等で基材の上面に配置し、第１被覆部材を硬化する。これにより、第１反射部材を被覆する第１被覆部材を形成してもよい。第１反射部材及び第１被覆部材を同じ工程で形成する場合には、例えば、反射粒子を含有する硬化前の反射粒子含有部材を基板上に配置し、反射粒子含有部材の反射粒子を遠心力等で沈降させる。反射粒子含有部材の反射粒子を沈降させた場合には、反射粒子含有部材内において反射粒子が偏在する反射部と、反射部の上に位置し反射粒子が偏在していない透光部と、が形成される。尚、反射粒子含有部材において反射粒子が偏在する反射部を第１反射部材３１と、呼び、反射部の上に位置し反射粒子が偏在していない透光部を第１被覆部材３２と、呼ぶことがある。反射粒子含有部材の反射粒子を沈降させて第１被覆部材を形成する場合には、第１被覆部材３２に粒径等によって沈降しない反射粒子を含んでいてもよい。反射粒子含有部材の反射粒子を沈降させることで、第１反射部材３１の厚みを薄くさせやすくなる。これにより、第１発光素子２０Ａからの第１被覆部材３２から取り出しやすくなるので、発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。反射粒子含有部材の反射粒子を沈降させた場合には、第１反射部材３１とは、反射粒子含有部材において反射粒子の含有率が１０ｗｔ％以上の部分であり、第１被覆部材３２とは、反射粒子含有部材において反射粒子の含有率が１０ｗｔ％より低い部分である。なお、「ｗｔ％」は、重量パーセントであり、反射粒子含有部材の全重量に対する反射粒子の重量の比率を表す。

第１被覆部材３２の母材は、透光性を有していればよく、例えば、シリコーン樹脂等公知の部材を用いることができる。なお、「透光性」とは、第１発光素子の発光ピーク波長における光透過率が、６０％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましく、８０％以上であることがよりいっそう好ましい。第１反射部材３１と第１被覆部材３２を同じ工程で形成する場合に、用いる反射粒子含有部材としては、透光性の公知の母材中に反射粒子を含有した部材を用いることができる。第１反射部材３１には、母材中に反射粒子を含有する部材を用いることができる。反射粒子としては、酸化チタン等の公知の材料を用いることができる。第１反射部材３１は、第１発光素子からの光を反射する反射性を有していればよく、例えば、母材中に反射粒子を含有した部材を用いることができる。第１反射部材の第１発光素子の発光ピーク波長における反射率は、６０％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましく、８０％以上であることがよりいっそう好ましい。

第１被覆部材３２は第２反射部材４０と接していてもよく、第１被覆部材３２は第２反射部材４０と接していなくてもよい。第１被覆部材３２が第２反射部材４０と接している場合には、上面視において、光透過率が高い第１被覆部材３２の面積を増加させることができるので、第１発光素子２０Ａの光を第１被覆部材３２によってＸ方向及びＹ方向に広げやすくなるので、発光装置の輝度ムラを抑制することができる。

図２Ｂ及び図２Ｃに示す発光装置１０００ように、第１被覆部材３２は第１発光素子２０Ａと接する部分の第１被覆部材３２の厚みが、第１発光素子２０Ａから離間する部分の第１被覆部材３２の厚みより厚くてもよい。例えば、第１被覆部材３２と第２反射部材４０とが接する場合には、第１被覆部材３２は第１発光素子２０Ａと接する部分の第１被覆部材３２の厚みが、第２反射部材４０と接する部分の第１被覆部材３２の厚みよりも厚くてもよい。また、図３に示す発光装置１０００Ａのように、第１被覆部材３２の上面が平坦になるようにしてもよい。第１発光素子２０Ａと接する部分の第１被覆部材３２の厚みが、第１発光素子２０Ａから離間する部分の第１被覆部材３２の厚みよりも厚い場合には、第１側面２０２Ａと第１被覆部材３２の接合面積を増加させやすくなる。これにより、第１発光素子２０Ａからの光を第１被覆部材３２から取り出しやすくなるので発光装置の光取り出し効率が向上する。第１被覆部材の上面が平坦な場合には、発光装置毎の第１被覆部材３２の形状のバラツキを抑制しやすくなる。これにより、発光装置の歩留りを向上させることができる。第１被覆部材３２の形状は、例えば、第１被覆部材及び／又は反射粒子含有部材の粘度を調整することにより変えることができる。尚、本明細書において、平坦とは±５μｍ程度の変動は許容されることを意味する。

発光装置は、１つの発光素子を備えていてもよく、図２Ｂに示すように、発光装置は、第１発光素子２０Ａと、第２発光素子２０Ｂと、の２つの発光素子を備えていてもよい。発光装置が第１発光素子及び第２発光素子を備える場合には、第１被覆部材３２は第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂと接することが好ましい。このようにすることで、第１発光素子からの光及び第２発光素子からの光を第１被覆部材に導光することができる。例えば、第１発光素子及び第２発光素子の発光ピーク波長が同じ場合には、第１発光素子からの光、及び、第２発光素子からの光が第１被覆部材に導光されることで、第１発光素子と第２発光素子の間の輝度の低減を抑制することができる。これにより、発光装置の輝度ムラを抑制することができる。また、第１発光素子及び第２発光素子の発光ピーク波長が異なる場合には、第１発光素子からの光、及び、第２発光素子からの光が第１被覆部材に導光されることで、発光装置の混色性を向上させることができる。尚、本明細書において、発光ピーク波長が同じとは±１０ｎｍ程度の変動は許容されることを意味する。

第１反射部材３１は、第１発光素子２０Ａと接していてもよく、第１発光素子２０Ａと接していなくてもよい。図２Ｂに示すように、第１反射部材３１と、第１発光素子２０Ａと、が接している場合には、第１反射部材３１は一対の第１電極２１Ａ、２２Ａを直接被覆することが好ましい。このようにすることで、第１発光素子２０Ａからの光が第１電極２１Ａ、２２Ａに吸収されることを抑制することができる。また、第１反射部材３１と、第１発光素子２０Ａと、が接している場合には、第１反射部材３１は、第１発光素子２０Ａの第１半導体層２３Ａの側面を被覆することが好ましい。このようにすることで、Ｚ方向における第１反射部材３１の厚みを厚くすることができるので、第１反射部材３１が一対の第１電極２１Ａ、２２Ａを被覆しやすくなる。

第１反射部材３１は、第１電極形成面２０３Ａを被覆してもよい。第１反射部材３１は、第１電極形成面２０３Ａを直接被覆してもよく、第１被覆部材３２を介して第１電極形成面２０３Ａを被覆してもよい。このようにすることで、第１発光素子２０Ａからの光が第１反射部材３１によって反射されるので、第１発光素子２０Ａからの光が基板１０に吸収されることを抑制することができる。これにより、発光装置の光取り出し効率が向上する。

図２Ｂに示すように、発光装置１０００が第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂを備える場合には、第１反射部材３１は第１電極形成面２０３Ａ及び第２電極形成面２０３Ｂを被覆することが好ましい。このようにすることで、第１発光素子２０Ａからの光、及び、第２発光素子２０Ｂからの光を第１反射部材３１が反射するので、発光装置１０００の光取り出し効率を向上させることができる。

第１反射部材３１が、第１発光素子２０Ａの第１側面２０２Ａを被覆する場合には、Ｚ方向における第１反射部材３１と第１側面２０２Ａとが接する長さＨ１が、第１側面２０２Ａの長さＨ２の０．５倍以下が好ましく、０．３倍以下がより好ましい。このようにすることで、第１発光素子２０ＡからＸ方向及び／又はＹ方向に進む光が遮られにくいので発光装置の輝度ムラを抑制することができる。

Ｚ方向における第１反射部材３１の最大厚みは、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。第１反射部材３１の最大厚みが１０μｍ以上であれば、第１反射部材３１を形成しやすくなる。また、第１反射部材３１の最大厚みが２００μｍ以下であれば、前記した第１発光素子２０Ａの第１側面の一部と対向しない第１反射部材３１を形成しやすくなる。このようにすることで、第１発光素子２０ＡからＸ方向及び／又はＹ方向に進む光が遮られにくいので発光装置の輝度ムラを抑制することができる。

発光装置が複数の発光素子を備える場合には、複数の発光素子の発光ピーク波長は、同じでもよく、異なっていてもよい。複数の発光素子の発光ピーク波長が異なることで発光装置の色再現性を向上させることができる。例えば、第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長が４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満（青色領域の波長範囲）の範囲であり、第２発光素子２０Ｂの発光ピーク波長が４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下（緑色領域の波長範囲）の範囲であってもよい。発光素子の構成の一例として、第１発光素子２０Ａを説明する。

第１発光素子２０Ａは、第１光取り出し面２０１Ａと、第１光取り出し面の反対側にある第１電極形成面２０３Ａと、第１光取り出し面２０１Ａと第１電極形成面２０３Ａとの間にある第１側面２０２Ａと、を有している。第１側面２０２Ａは、第１光取り出し面２０１Ａに対して、垂直であってもよいし、内側又は外側に傾斜していてもよい。第１電極形成面２０３Ａには一対の第１電極２１Ａ、２２Ａが設けられている。

第１発光素子２０Ａは、第１素子基板２４Ａと、第１素子基板２４Ａに接して形成される第１半導体層２３Ａと、を備えている。一対の第１電極２１Ａ、２２Ａは、第１半導体層２３Ａと電気的に接続されている。なお、本実施形態では、第１発光素子２０Ａが第１素子基板２４Ａを備える構成を一例に挙げて説明するが、第１素子基板２４Ａは除去されていてもよい。

第１発光素子２０Ａは、上面視における形状は、三角形でもよく、四角形でもよく、六角形でもよく、その他の形状であってもよい。図２Ａに示すように、発光装置１０００が第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂを備え、上面視において第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂが長方形形状である場合には、第１発光素子の第１光取り出し面２０１Ａの一方の短辺２０１１Ａと、第２発光素子の第２光取り出し面２０１Ｂの一方の短辺２０１１Ｂとが対向して配置されることが好ましい。このようにすることで、Ｙ方向において発光装置１０００を薄型化することができる。

第１光取り出し面２０１Ａ及び第２光取り出し面２０１Ｂは、Ｚ方向において、略同じ高さであってもよく、異なる高さであってもよい。また、上面視において、第１光取り出し面２０１Ａ及び第２光取り出し面２０１Ｂの面積は同じでもよく、異なっていてもよい。特に発光装置が波長変換部材を備える場合には、波長変換部材を励起させやすい発光ピーク波長を有する発光素子の光取り出し面が大きいことが好ましい。波長変換部材とは、発光素子が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を発する部材である。例えば、発光装置が赤色発光する波長変換部材であるマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体（例えばＫ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）を備え、第１発光素子の発光ピーク波長が４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満（青色領域の波長範囲）の範囲であり、第２発光素子の発光ピーク波長が４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下（緑色領域の波長範囲）の範囲である場合には、第１発光素子２０Ａの第１光取り出し面２０１Ａが第２発光素子２０Ｂの第２光取り出し面２０１Ｂよりも大きいことが好ましい。例えば、第１発光素子２０Ａの第１光取り出し面２０１Ａが第２発光素子２０Ｂの第２光取り出し面２０１Ｂの１．２倍以上２倍以下であることが好ましい。マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体（例えばＫ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）は、４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下の光よりも４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満の光で励起されやすい。第１発光素子の第１光取り出し面２０１Ａが第２発光素子の第２光取り出し面２０１Ｂよりも大きいことで、第１発光素子２０Ａからの光の割合を増やすことができるので、第１発光素子からの光の一部がマンガン賦活フッ化物系蛍光体によって変換されても発光装置から出射される第１発光素子からの光の割合が低減することを抑制できる。これにより、発光装置１０００の色再現性を向上させることができる。

第２被覆部材３３は、透光性であり、第１側面２０２Ａの少なくとも一部を被覆する。第２被覆部材３３が第１側面２０２Ａを被覆することで第１発光素子２０Ａからの光を第２被覆部材３３から取り出すことができるので発光装置の光取り出し効率が向上する。第２被覆部材３３は、第１側面２０２Ａを直接被覆してもよく、第１被覆部材３２を介して第１側面２０２Ａを被覆してもよい。また、第２被覆部材３３は、第１側面２０２Ａを直接被覆する部分と、第１被覆部材３２を介して第１側面２０２Ａを被覆する部分の両方を備えていてもよい。第１被覆部材３２の母材と第１素子基板２４Ａの屈折率差が、第２被覆部材３３の母材と第１素子基板２４Ａの屈折率差よりも小さい場合には、第２被覆部材３３が第１被覆部材３２を介して第１素子基板２４Ａの側面を含む第１側面を２０２Ａ被覆することが好ましい。このようにすることで、第１被覆部材３２と第１素子基板２４Ａとの接合面積を増加させやすくなるので、第１発光素子からの光を１被覆部材３２から取り出しやすくなる。第１被覆部材３２の母材と第１半導体層２３Ａの屈折率差が、第２被覆部材３３の母材と第１素子基板２４Ａの屈折率差よりも小さい場合には、第２被覆部材３３が第１被覆部材３２を介して第１半導体層２３Ａの側面を含む第１側面を２０２Ａ被覆する部分を備えることが好ましい。このようにすることで、第１発光素子からの光を第１被覆部材３２から取り出しやすくなる。

図４に示す発光装置１０００Ｂように、第２被覆部材３３は第１光取り出し面２０１Ａを被覆してもよく、図２Ｂに示す発光装置１０００のように、第２被覆部材３３は第１光取り出し面２０１Ａを露出してもよい。第２被覆部材３３が第１光取り出し面２０１Ａを被覆する場合には、第１光取り出し面２０１Ａからの外力から第１発光素子２０Ａを保護できる。第１光取り出し面２０１Ａが第２被覆部材３３から露出される場合には、発光装置のＺ方向における厚みを薄くできるので発光装置を小型化できる。

発光装置が、第２発光素子２０Ｂを備える場合には、第２被覆部材３３は第１側面２０２Ａ及び第２側面２０２Ｂを被覆することが好ましい。このようにすることで、第１発光素子２０Ａからの光と、第２発光素子２０Ｂからの光が第２被覆部材３３に導光されやすくなる。例えば、第１発光素子及び第２発光素子の発光ピーク波長が同じ場合には、第１発光素子からの光と、第２発光素子からの光が第２被覆部材に導光されることで、第１発光素子と第２発光素子の間の輝度ムラを抑制することができる。また、第１発光素子及び第２発光素子の発光ピーク波長が異なる場合には、第１発光素子からの光と、第２発光素子からの光が第２被覆部材に導光されることで、発光装置の混色性を向上させることができる。第２被覆部材は第１側面及び／又は第２側面と接していてもよく、第１被覆部材を介して第１側面及び／又は第２側面を被覆してもよい。

第２被覆部材３３は、波長変換部材を含有してもよい。このようにすることで、発光装置の色調整が容易になる。波長変換部材は第２被覆部材３３中に均一に分散させてもよく、第２被覆部材の上面よりも第１被覆部材側に波長変換部材を偏在させてもよい。第２被覆部材に含有する波長変換部材としては、例えば、発光ピーク波長が４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である緑色発光する波長変換部材や、発光ピーク波長が６１０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下である赤色発光する波長変換部材等を用いることができる。第２被覆部材に含有する波長変換部材は１種類でもよく、複数の種類を含有させてもよい。例えば、緑色発光する波長変換部材と赤色発光する波長変換部材を導光部材に含有させてもよい。緑色発光する波長変換部材としては、例えば、βサイアロン系蛍光体（例えばＳｉ_６−ｚＡｌ_ｚＯ_ｚＮ_８−ｚ：Ｅｕ（０＜ｚ＜４．２）が挙げられる。赤色発光する波長変換部材としては、例えば、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体（例えばＫ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）が挙げられる。

第２反射部材４０は、上面視において第２被覆部材３３を囲み、第２被覆部材３３及び第１反射部材３１と接する。また、第２反射部材４０は、断面視において、第１反射部材３１と接する幅狭部４２と、幅狭部４２よりも上に配置される幅広部４１と、を有する。第２反射部材４０は内側面４０１と外側面４０２とを有する。幅狭部４２及び幅広部４１の幅とは、内側面４０１から外側面４０２までの最短距離を意味する。

第２反射部材４０は、上面視において環状である。また、第２反射部材４０が第２被覆部材３３を囲むことにより、第１発光素子２０ＡからＸ方向及び／又はＹ方向に進む光を第２反射部材４０が反射しＺ方向に進む光を増加させることができる。

第２反射部材４０として、例えば、母材中に反射粒子を含有した樹脂材料等の公知の部材を用いることができる。第２反射部材４０の形成方法としては、例えば、第１反射部材３１及び第２被覆部材３３に切り欠きを形成し、その切り欠き内に硬化前の第２反射部材を充填し、硬化前の第２反射部材を硬化することで第２反射部材を形成してもよい。例えば、幅狭部と幅広部を有するブレードを使用することで、ブレードで形成した切り欠きも幅狭部と幅広部を有することができる。尚、ブレードの先端が幅狭部である。ブレードの先端を幅狭部にすることで、幅が一定のブレードを使用する場合よりも、第１反射部材３１及び第２被覆部材３３に切り欠きを形成することが容易になる。

第２反射部材４０の幅狭部４２は、第１反射部材３１と接する。これにより、厚みの薄い第２反射部材４０の幅狭部４２から第１発光素子２０Ａからの光が第２反射部材４０の幅狭部を透過することを抑制できる。このため、発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。

上面視において、第２反射部材４０の幅広部４１の幅は、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。第１反射部材の幅が５０μｍ以下であることで、発光装置を小型化できる。また、第１反射部材の幅が１０μｍ以上であることで、第１発光素子からの光が第２反射部材４０の幅広部４１を透過することを抑制することができる。

基板１０は、基材１１と、第１配線１２と、を有する。基材１１は、上面１１１と、上面の反対側にある下面１１２と、上面１１１と隣接し上面１１１と直交する背面１１３と、背面１１３の反対側に位置する正面１１４と、を有する。また、基材１１は、上面１１１と下面１１２の間に側面１１５を有する。

基材１１は、特に、第１発光素子２０Ａの線膨張係数に近い物性を有する材料によって形成されることが好ましく、例えば、樹脂若しくは繊維強化樹脂、セラミックス、ガラスなどの絶縁性部材、などが挙げられる。樹脂若しくは繊維強化樹脂としては、例えば、エポキシ、ガラスエポキシ、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）、ポリイミド、などを用いることができ、セラミックスとしては、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン、若しくはこれらの混合物、などを用いることができる。
基材１１の厚さの下限値は、強度の観点から、０．０５ｍｍ以上であることが好ましく、０．２ｍｍ以上であることがより好ましい。また、基材１１の厚さの上限値は、Ｚ方向における発光装置の厚さ（奥行き）の観点から、０．５ｍｍ以下であることが好ましく、０．４ｍｍ以下であることがより好ましい。

図２Ｂに示すように、基板１０は、下面１１２に配置される第２配線１３を備えていてもよい。基板１０が、第１配線１２及び第２配線１３を備える場合には、基板１０は、第１配線１２及び第２配線１３を接続するビア１５を備えていてもよい。ビア１５は、上面視において円形状であることが好ましい。このようにすることで、ドリル等により容易に形成することができる。ビア１５が、上面視において円形状である場合には、ビアの直径は１００μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。ビアの直径が１００μｍ以上であることで発光装置の放熱性が向上し、ビアの直径が１５０μｍ以下であることで基材の強度低下が低減される。本明細書において、円形状とは真円のみならず、これに近い形（例えば、楕円形状や四角形の四隅が大きく円弧状に面取りされたような形状であっても良い）を含むものである。

ビア１５は、基材１１の貫通孔内に導電性材料が充填されることで構成されてもよく、図２Ｂに示すように、基材１１の貫通孔の表面を被覆する第４配線１５１と第４配線１５１に囲まれた領域に充填された充填部材１５２とを備えていてもよい。充填部材１５２は、導電性でもよく、絶縁性でもよい。充填部材１５２には、樹脂材料を使用することが好ましい。一般的に硬化前の樹脂材料は、硬化前の金属材料よりも流動性が高いので第４配線１５１内に充填しやすい。このため、充填部材に樹脂材料を使用することで基板の製造が容易になる。充填しやすい樹脂材料としては、例えばエポキシ樹脂が挙げられる。充填部材として樹脂材料を用いる場合は、線膨張係数を下げるために添加部材を含有することが好ましい。このようにすることで、第４配線との線膨張係数の差が小さくなるので、発光素子からの熱によって第４配線と充填部材との間に隙間ができることを抑制できる。添加部材としては、例えば酸化ケイ素が挙げられる。また、充填部材１５２に金属材料を使用した場合には、放熱性を向上させることができる。また、ビア１５が基材の貫通孔内に導電性材料が充填されて構成される場合には、熱伝導性が高いＡｇ、Ｃｕ等の金属材料を用いることが好ましい。

図２Ｂに示すように、第１発光素子２０Ａの一対の第１電極２１Ａ、２２Ａと対応する位置に第１配線１２は凸部１２１を備えていることが好ましい。換言すると、上面視において、第１電極２１Ａ、２２Ａと重なる位置に第１配線１２は凸部１２１を備えていることが好ましい。第１配線１２が凸部１２１を備えることで、導電性接着部材６０を介して第１配線１２と、第１電極２１Ａ、２２Ａと、が接続する時に、セルフアライメント効果により第１発光素子と基板との位置合わせを容易に行うことができる。Ｚ方向における凸部１２１の厚みは１０μｍ以上３０μｍ以下が好ましい。Ｘ方向及び／又はＹ方向における凸部１２１の幅は対向する発光素子の電極の大きさによって適宜変更してもよい。

導電性接着部材６０は、第１発光素子２０Ａに設けられる一対の第１電極２１Ａ、２２Ａと第１配線１２とを電気的に接続する部材である。導電性接着部材６０の材料としては、例えば、金、銀、銅などのバンプ、銀、金、銅、プラチナ、アルミニウム、パラジウムなどの金属粉末と樹脂バインダを含む金属ペースト、錫−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀系、金−錫系などの半田、低融点金属などのろう材等公知の材料を用いることができる。

発光装置が第２発光素子２０Ｂを備える場合には、第２発光素子の一対の電極２１Ｂ、２２Ｂと対応する位置に第１配線１２は凸部１２１を備えていることが好ましい。このようにすることで、セルフアライメント効果により発光素子と基板との位置合わせを容易に行うことができる。

基材１１が、基材の下面１１２と基材の背面１１３とに開口する窪み１６を備えていてもよく、窪み１６を備えていなくてもよい。窪み１６を備える場合には、発光装置１０００Ａと実装基板との接合強度を向上させることができる。発光装置１０００が、基材１１の下面１１２と、実装基板と、を対向させて実装する上面発光型（トップビュータイプ）でも、基材１１の背面１１３と、実装基板と、を対向させて実装する側面発光型（サイドビュータイプ）でも、接合部材の体積が増加することで、実装基板との接合強度を向上させることができる。発光装置１０００と実装基板の接合強度は、特に側面発光型の場合に向上させることができる。基材の窪みの数は１つでもよく、複数でもよい。窪みが複数あることで、更に発光装置１０００と実装基板との接合強度を向上させることができる。

Ｚ方向における窪み１６の深さのそれぞれの最大は、Ｚ方向における基材１１の厚みの０．４倍から０．９倍であることが好ましい。窪みの深さが基材の厚みの０．４倍よりも深いことで、窪み内に形成される接合部材の体積が増加するので発光装置と実装基板の接合強度を向上させることができる。窪みの深さが基材の厚みの０．９倍よりも浅いことで、基材の強度低下を抑制することができる。

図２Ｂに示す発光装置１０００のように、基材１１の上面１１１は、凹部１１８を有していてもよく、図５に示す発光装置１０００Ｃのように、基材１１の上面１１１は、凹部１１８を有していなくてもよい。基材１１の上面１１１が凹部１１８を有する場合には、第２反射部材４０の一部は凹部１１８内に配置されることが好ましい。このようにすることで、基材１１と第２反射部材４０とが接するので、基材と第２反射部材の接合強度が向上する。基材１１の上面１１１に形成された凹部１１８は、図６に示すように、基材１１の上面１１１の外周を囲むように形成されることが好ましい。このようにすることで、基材１１と第２反射部材４０とが接する面積が増加するので、基材と第２反射部材の接合強度が向上する。

図７、図８及び図９に示す発光装置１０００のように基材の外縁と、第２反射部材の外側面４０２と、が面一であることが好ましい。このようにすることで、Ｘ方向及び／又はＹ方向において発光装置を小型化することができる。

発光装置１０００は、第２配線１３の一部を被覆する絶縁膜１８を備えてもよい。絶縁膜１８を備えることで、下面１１２における絶縁性の確保及び短絡の防止を図ることができる。また、基材１１から第２配線１３が剥がれることを防止することができる。

発光装置は、第１光取り出し面を被覆する透光性部材５０を備えていてもよい。第１発光素子の第１光取り出し面２０１Ａが透光性部材５０に被覆されることで、第１発光素子２０Ａを外部応力から保護することができる。透光性部材５０は、第１光取り出し面に接して被覆していてもよく、図２Ｂに示すように、透光性の接着層３４を介して第１光取り出し面を被覆していてもよい。発光装置が第２発光素子２０Ｂを備える場合には、１つの透光性部材５０が第１光取り出し面２０１Ａ及び第２光取り出し面２０１Ｂを被覆してもよい。また、発光装置が複数の透光性部材を備えていてもよい。例えば、発光装置が第１透光性部材及び第２透光性部材を備え、第１透光性部材が第１光取り出し面を被覆し、第２透光性部材が第２光取り出し面を被覆するようにしてもよい。１つの透光性部材５０によって第１光取り出し面２０１Ａ及び第２光取り出し面２０１Ｂを被覆される場合には、第１発光素子からの光及び第２発光素子からの光が透光性部材５０に導光されることで、第１発光素子と第２発光素子の間の輝度の低減を抑制することができる。これにより、発光装置の輝度ムラを抑制することができる。

発光装置が透光性部材５０を備える場合には、透光性部材の側面は、第２反射部材に被覆されることが好ましい。このようにすることで、発光領域と非発光領域とのコントラストが高い、「見切り性」の良好な発光装置とすることができる。

透光性部材５０は波長変換部材を含有してもよい。このようにすることで、発光装置の色調整が容易になる。透光性部材に含有する波長変換部材の発光ピーク波長は、６１０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下（赤色領域の波長範囲）であることが好ましい。例えば、第１発光素子の発光ピーク波長が青色領域の波長範囲にあり、第２発光素子の発光ピーク波長が緑色領域の波長範囲にあるので、透光性部材に含有する波長変換部材の発光ピーク波長が赤色領域の波長範囲にあることで発光装置の色再現性が向上する。透光性部材に含有する波長変換部材は１種類でもよく、複数の種類を含有させてもよい。例えば、緑色発光する波長変換部材と赤色発光する波長変換部材を透光性部材に含有させてもよい。透光性部材が緑色発光する波長変換部材を備えることで、発光装置の色調整が容易になる。緑色発光する波長変換部材としては、例えば、βサイアロン系蛍光体（例えばＳｉ_６−ｚＡｌ_ｚＯ_ｚＮ_８−ｚ：Ｅｕ（０＜ｚ＜４．２）が挙げられる。赤色発光する波長変換部材としては、例えば、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体（例えばＫ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）が挙げられる。

波長変換部材は透光性部材中に均一に分散させてもよいし、透光性部材の上面よりも第１発光素子の近傍に波長変換部材を偏在させてもよい。透光性部材の上面よりも第１発光素子の近傍に波長変換部材を偏在させることで、水分に弱い波長変換部材を使用しても透光性部材の母材が保護層としても機能を果たすので波長変換部材の劣化を抑制できる。図２Ｂに示す発光装置１０００のように、透光性部材５０が波長変換部材を含有する層５１と、波長変換部材を実質的に含有しない層５２と、を備えていてもよい。Ｚ方向において、波長変換部材を実質的に含有しない層は、波長変換部材を含有する層よりも上側に位置する。このようにすることで、波長変換部材を実質的に含有しない層が保護層としても機能を果たすので波長変換部材の劣化を抑制できる。水分に弱い波長変換部材としては、例えばマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体が挙げられる。マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体は、スペクトル線幅の比較的狭い発光が得られ色再現性の観点において好ましい部材である。「波長変換部材を実質的に含有しない」とは、不可避的に混入する波長変換部材を排除しないことを意味し、波長変換部材の含有率が０．０５重量％以下であることが好ましい。

透光性部材５０の波長変換部材を含有する層５１は単層でもよく、複数の層でもよい。例えば、図３に示す発光装置１０００Ａのように、透光性部材５０が、第１波長変換層５１Ａと、第１波長変換層５１Ａを被覆する第２波長変換層５１Ｂと、を備えていてもよい。第２波長変換層５１Ｂは、第１波長変換層５１Ａを直接被覆してもよく、透光性の別の層を介して第１波長変換層５１Ａを被覆してもよい。尚、第１波長変換層５１Ａは、第２波長変換層５１Ｂよりも第１発光素子２０Ａの第１光取り出し面２０１Ａから近い位置に配置される。第１波長変換層５１Ａに含有される波長変換部材の発光ピーク波長は、第２波長変換層５１Ｂに含有される波長変換部材の発光ピーク波長よりも短いことが好ましい。このようにすることで、第１発光素子に励起された第１波長変換層５１Ａからの光によって、第２波長変換層５１Ｂの波長変換部材を励起することができる。これにより、第２波長変換層５１Ｂの波長変換部材からの光を増加させることができる。

第１波長変換層５１Ａに含有される波長変換部材の発光ピーク波長は、５００ｎｍ以上５７０ｎｍ以下であり、第２波長変換層５１Ｂに含有される波長変換部材の発光ピーク波長は、６１０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下であることが好ましい。このようにすることで、色再現性の高い発光装置とすることができる。例えば、第１波長変換層５１Ａに含有される波長変換部材としてβサイアロン系蛍光体が挙げられ、第２波長変換層５１Ｂに含有される波長変換部材としてマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体が挙げられる。第２波長変換層５１Ｂに含有される波長変換部材としてマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体を用いる場合には、特に、透光性部材５０が、第１波長変換層５１Ａと、第２波長変換層５１Ｂと、備えることが好ましい。マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体は輝度飽和を起こしやすいが、第２波長変換層５１Ｂと第１発光素子２０Ａとの間に第１波長変換層５１Ａが位置することで第１発光素子からの光が過度にマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体に照射されることを抑制することができる。これにより、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体の劣化を抑制することができる。

＜実施形態２＞
本発明の実施形態２に係る発光装置２０００を図１０に基づいて説明する。発光装置２０００は、実施形態１に係る発光装置１０００比較して、発光素子の数が相違する。

図１０に示すように、発光装置２０００は、第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ及び第３発光素子２０Ｃを備える。第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ及び／又は第３発光素子の発光ピーク波長は同じでもよく、発光ピーク波長は異なっていてもよい。尚、発光装置は発光素子を４個以上備えていてもよい。

Ｘ方向において、第１発光素子２０Ａと、第２発光素子２０Ｂと、第３発光素子２０Ｃと、が順に並んでいる場合には、第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長と第３発光素子２０Ｃの発光ピーク波長とが同じであることが好ましい。このようにすることで、例えば、第１発光素子２０Ａの出力が足りない場合に第３発光素子２０Ｃで補うことができる。また、第１発光素子２０Ａの発光ピーク波長及び第３発光素子２０Ｃの発光ピーク波長と異なる発光ピーク波長を有する第２発光素子２０Ｂが、第１発光素子２０Ａと第３発光素子２０Ｃの間に位置することで、第１発光素子２０Ａと、第３発光素子２０Ｃと、第２発光素子２０Ｂと、が順に並んでいる場合よりも色ムラを低減することができる。例えば、発光装置が、発光ピーク波長が４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満（青色領域の波長範囲）の範囲である第１発光素子と、発光ピーク波長が４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下（緑色領域の波長範囲）の範囲である第２発光素子と、発光ピーク波長が４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満（青色領域の波長範囲）の範囲である第３発光素子と、を備えていてもよい。

以下、本発明の一実施形態に係る発光装置における各構成要素について説明する。

（基板１０）
基板１０は、発光素子を載置する部材である。基板１０は、基材１１と、第１配線１２と、を備える。

（基材１１）
基材１１は、樹脂若しくは繊維強化樹脂、セラミックス、ガラスなどの絶縁性部材を用いて構成することができる。樹脂若しくは繊維強化樹脂としては、エポキシ、ガラスエポキシ、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）、ポリイミドなどが挙げられる。また、基材１１に酸化チタン等の白色顔料を含有させてもよい。セラミックスとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン、若しくはこれらの混合物などが挙げられる。これらの基材のうち、特に発光素子の線膨張係数に近い物性を有する基材を使用することが好ましい。

（第１配線１２）
第１配線は、基材の上面に配置され、発光素子と電気的に接続される。第１配線は、銅、鉄、ニッケル、タングステン、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン、パラジウム、ロジウム、又はこれらの合金で形成することができる。これらの金属又は合金の単層でも多層でもよい。特に、放熱性の観点においては銅又は銅合金が好ましい。また、第１配線の表層には、導電性接着部材の濡れ性及び／若しくは光反射性などの観点から、銀、白金、アルミニウム、ロジウム、金若しくはこれらの合金などの層が設けられていてもよい。

（第２配線１３、第３配線１４）
第２配線は基板の下面に配置される。第３配線は、窪みの内壁を被覆し、第２配線と電気的に接続される。第２配線及び第３配線は、第１配線と同様の導電性部材を用いることができる。

（ビア１５）
ビア１５は基材１１の上面１１１と下面１１２とを貫通する孔内に設けられ、第１配線と第２配線を電気的に接続する部材である。ビア１５は基材の貫通孔の表面を被覆する第４配線１５１と、第４配線内１５１に充填された充填部材１５２と、によって構成されてもよい。第４配線１５１には、第１配線、第２配線及び第３配線と同様の導電性部材を用いることができる。充填部材１５２には、導電性の部材を用いても絶縁性の部材を用いてもよい。

（絶縁膜１８）
絶縁膜１８は、下面における絶縁性の確保及び短絡の防止を図る部材である。絶縁膜は、当該分野で使用されるもののいずれで形成されていてもよい。例えば、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂等が挙げられる。

（第１発光素子２０Ａ、第２発光素子２０Ｂ、第３発光素子２０Ｃ）
第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子は、電圧を印加することで自ら発光する半導体素子であり、窒化物半導体等から構成される既知の半導体素子を適用できる。第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子としては、例えばＬＥＤチップが挙げられる。第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子は、少なくとも半導体層を備え、多くの場合に素子基板をさらに備える。第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子は、正負電極を有する。正負電極は、金、銀、錫、白金、ロジウム、チタン、アルミニウム、タングステン、パラジウム、ニッケル又はこれらの合金で構成することができる。半導体材料としては、窒化物半導体を用いることが好ましい。窒化物半導体は、主として一般式Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）で表される。このほか、ＩｎＡｌＧａＡｓ系半導体、ＩｎＡｌＧａＰ系半導体、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、炭化珪素などを用いることもできる。第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子の素子基板は、主として半導体積層体を構成する半導体の結晶を成長可能な結晶成長用基板であるが、結晶成長用基板から分離した半導体素子構造に接合させる接合用基板であってもよい。素子基板が透光性を有することで、フリップチップ実装を採用しやすく、また光の取り出し効率を高めやすい。素子基板の母材としては、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、シリコン、炭化珪素、ガリウム砒素、ガリウム燐、インジウム燐、硫化亜鉛、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、ダイヤモンドなどが挙げられる。なかでも、サファイアが好ましい。素子基板の厚さは、適宜選択でき、例えば０．０２ｍｍ以上１ｍｍ以下であり、素子基板の強度及び／若しくは発光装置の厚さの観点において、０．０５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であることが好ましい。

（第１反射部材）
第１反射部材は、第１発光素子からの光が基板に吸収されることを抑制する部材である。第１反射部材は、基材の上面を被覆し、第１発光素子からの光を反射する。発光装置の光取り出し効率の観点から、第１発光素子の発光ピーク波長における第１反射部材の光反射率は、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがよりいっそう好ましい。第１反射部材は、母材中に反射粒子を含有している。

（第１反射部材の母材）
第１反射部材の母材には、樹脂を用いることができ、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂が挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れ、好ましい。具体的なシリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル−メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられる。

（反射粒子）
反射粒子は、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、チタン酸バリウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素のうちの１種を単独で、又はこれらのうちの２種以上を組み合わせて用いることができる。例えば、反射粒子として、酸化チタンの表面がジルコニア等公知の部材に被覆されているものを使用してもよい。反射粒子の形状は、適宜選択でき、不定形若しくは破砕状でもよいが、流動性の観点では球状が好ましい。また、反射粒子の粒径は、例えば０．１μｍ以上０．５μｍ以下程度が挙げられるが、光反射や被覆の効果を高めるためには小さい程好ましい。光反射性の反射部材中の反射粒子の含有量は、適宜選択できるが、光反射性及び液状時における粘度などの観点から、例えば１０ｗｔ％以上８０ｗｔ％以下が好ましく、２０ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下がより好ましく、３０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下がよりいっそう好ましい。

（第１被覆部材）
第１被覆部材は、第１光取り出し面を露出し、第１反射部材及び第１側面の少なくとも一部を被覆する透光性の部材である。第１被覆部材としては、透光性の部材を用いることができ、例えば、樹脂を用いることができる。第１被覆部材に用いることができる樹脂としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂が挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れ、好ましい。

第１被覆部材は、各種の拡散粒子を含有していてもよい。拡散粒子としては、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛などが挙げられる。拡散粒子は、これらのうちの１種を単独で、又はこれらのうちの２種以上を組み合わせて用いることができる。特に、熱膨張係数の小さい酸化珪素が好ましい。また、拡散粒子として、ナノ粒子を用いることで、発光素子が発する光の散乱を増大させ、波長変換部材の使用量を低減することもできる。なお、ナノ粒子とは、粒径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の粒子とする。また、本明細書における「粒径」は、例えば、Ｄ_５０で定義される。

（反射粒子含有部材）
反射粒子含有部材は、透光性の部材中に反射粒子を含有する部材である。反射粒子含有部材において反射粒子が偏在する反射部と、反射部の上に位置し反射粒子が偏在していない透光部と、を備えていてもよい。

反射粒子含有部材の母材としては、第１被覆部材と同様の材料を用いることができる。また、反射粒子含有部材の反射粒子としては、第１反射部材の反射粒子と同様の材料を用いることができる。

（第２被覆部材）
第２被覆部材は、第１側面の少なくとも一部を被覆する部材である。第２被覆部材の母材としては、第１被覆部材と同様の材料を用いることができる。

（第２反射部材）
第２反射部材は、上面視において第２被覆部材を囲む部材である。第２反射部材は、第１反射部材と同様の材料を用いることができる。

（透光性部材５０）
透光性部材は第１光取り出し面を被覆し、第１発光素子を保護する部材である。透光性部材の母材としては、第１被覆部材と同様の材料を用いることができる。

（接着層３４）
接着層は、透光性部材と第１発光素子の第１光取り出し面とを接着する部材のことである。第１光取り出し面が第２被覆部材で被覆されている場合には、接着層は透光性部材と第２被覆部材とを接着する部材のことである。接着層は、透光性を有する。接着層には、第１被覆部材と同様の材料を用いることができる。

（波長変換部材）
波長変換部材は、発光素子が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を発する。波長変換部材は、以下に示す具体例のうちの１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。透光性部材が複数の波長変換層を備える場合には、各波長変換層に含有される波長変換部材は同じでもよく、異なっていてもよい。

緑色発光する波長変換部材としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＹ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＬｕ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＴｂ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）系蛍光体、シリケート系蛍光体（例えば（Ｂａ，Ｓｒ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えばＣａ_８Ｍｇ（ＳｉＯ_４）_４Ｃｌ_２：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えばＳｉ_６−ｚＡｌ_ｚＯ_ｚＮ_８−ｚ：Ｅｕ（０＜ｚ＜４．２））、ＳＧＳ系蛍光体（例えばＳｒＧａ_２Ｓ_４：Ｅｕ）、アルカリ土類アルミネート系蛍光体（Ｂａ,Ｓｒ,Ｃａ）Ｍｇ_ｘＡｌ_１０Ｏ_１７−ｘ:Ｅｕ,Ｍｎなどが挙げられる。黄色発光の波長変換部材としては、αサイアロン系蛍光体（例えばＭ_ｚ（Ｓｉ，Ａｌ）_１２（Ｏ，Ｎ）_１６（但し、０＜ｚ≦２であり、ＭはＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、及びＬａとＣｅを除くランタニド元素）などが挙げられる。このほか、上記緑色発光する波長変換部材の中には黄色発光の波長変換部材もある。また例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、Ｙの一部をＧｄで置換することで発光ピーク波長を長波長側にシフトさせることができ、黄色発光が可能である。また、これらの中には、橙色発光が可能な波長変換部材もある。赤色発光する波長変換部材としては、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣＡＳＮ又はＳＣＡＳＮ）系蛍光体（例えば（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ）などが挙げられる。このほか、マンガン賦活フッ化物系蛍光体（一般式（Ｉ）Ａ_２［Ｍ_１−ａＭｎ_ａＦ_６］で表される蛍光体である（但し、上記一般式（Ｉ）中、Ａは、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ及びＮＨ_４からなる群から選ばれる少なくとも１種であり、Ｍは、第４族元素及び第１４族元素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、ａは０＜ａ＜０．２を満たす））が挙げられる。このマンガン賦活フッ化物系蛍光体の代表例としては、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体（例えばＫ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）がある。

（発光装置１０００の製造方法）
次に、実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を図１１から図１８に基づいて説明する。

［基板及び第１発光素子を準備する工程］
まず、基板及び第１発光素子を準備する。基板は、上面を有する基材と、上面に配置される第１配線と、を備える。第１発光素子は、第１光取り出し面と、第１光取り出し面の反対側にある第１電極形成面と、第１光取り出し面と第１電極形成面との間にある第１側面と、第１電極形成面に一対の第１電極と、を有する。発光装置が複数の発光素子を備える場合には、複数の発光素子を準備する。基板を準備する工程と、発光素子を準備する工程はどちらを先に行ってもよい。また、基板は発光装置毎に個片化されていてもよく、個片化前の集合基板の状態のものでもよい。

［第１発光素子を載置する工程］
図１１に示すように、第１発光素子２０Ａの第１電極形成面２０３Ａと基板１０の第１配線１２とを対向させて、第１配線１２上に第１発光素子２０Ａを載置する。第１配線１２と、第１電極２１Ａ、２２Ａと、を導電性接着部材６０により接着させることができる。発光装置が第２発光素子２０Ｂを備える場合には、第２発光素子２０Ｂの第２電極形成面２０３Ｂと基板１０の第１配線１２とを対向させて、第１配線１２上に第２発光素子２０Ｂを載置する。

［反射粒子含有部材を配置する工程］
図１２に示すように、上面視において、第１発光素子２０Ａと重なる基材１１の上面１１１の少なくとも一部が露出するように反射粒子含有部材３０を基材１１の上面１１１に配置する。上面視において、第１発光素子と重なる基材の上面の少なくとも一部が露出する反射粒子含有部材を形成することで、第１発光素子と重なる基材の上面が露出しない反射粒子含有部材を形成する場合よりも反射粒子含有部材の量を少なくしやすくなる。これにより、後述する反射粒子含有部材を遠心力により広げる工程の後でも反射粒子含有部材が第１発光素子の第１光取り出し面に形成されることを抑制することができる。これにより、第１発光素子からの光を取り出し出しやすくなるので発光装置の光取り出し効率が向上する。

反射粒子含有部材３０は第１発光素子２０Ａの第１側面２０２Ａと接して配置してもよく、第１発光素子２０Ａの第１側面２０２Ａと離間して配置してもよい。第１側面２０２Ａの少なくとも一部と離間するように反射粒子含有部材３０を配置することが好ましい。このようにすることで、後述する反射粒子含有部材を遠心力により広げる工程の後でも反射粒子含有部材が第１発光素子の第１光取り出し面に形成されることを抑制することができる。また、第１側面の全面が反射粒子含有部材と離間するように配置してもよい。

反射粒子含有部材３０として、１液硬化性樹脂を使用してもよく、２液硬化性樹脂を使用してもよい。２液硬化性樹脂を使用する場合には、２液硬化性の樹脂材料の主剤と反射粒子とを混合し、一定時間以上経過後に硬化剤を混合することが好ましい。このようすることで、反射粒子と主剤との間にある空気を抜くことができる。これにより、後述する遠心力を加えた時に反射粒子を沈降させやくなる。２液硬化性の樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂等が挙げられる。２液硬化性の樹脂材料の主剤と反射粒子とを混合して経過させる時間は、反射粒子をより沈降させ易くする観点から、好ましくは２時間以上である。また、経過させる時間は、製造時間を短縮させる観点から、好ましくは８時間以下である。なお、硬化剤を混合した後は、反射粒子含有部材が硬化する前に反射粒子含有部材を遠心力により広げる工程に移る。

［反射粒子含有部材を遠心力により広げる工程］
第１発光素子２０Ａと重なる基材１１の上面１１１に反射粒子含有部材３０を遠心力により広げる。図１３に示すように、基材１１の上面１１１に遠心力がかかる方向に基板１０及び反射粒子含有部材３０を含む中間体１００を遠心回転させる。尚、図１３に示す中間体１００は簡易図面であり、中間体１００が複数の第１発光素子及び／又は第２発光素子を備えていてもよい。遠心回転させる場合には、基材の上面１１１が基材の下面１１２よりも内側に位置する回転軸８０を中心に中間体１００を遠心回転させる。換言すると、中間体１００の上面側に回転軸８０が位置し、回転軸８０を軸として公転するＡ方向に中間体１００を移動させる。なお、図１３におけるＢ方向は、基材の上面１１１に平行な方向である。反射粒子含有部材３０に遠心力がかかることで、反射粒子含有部材３０が広げられ、図１４に示すように、反射粒子含有部材から露出していた基材の上面１１１を反射粒子含有部材３０で被覆することができる。これにより、第１発光素子からの光が基板に吸収されることを抑制できるので発光装置の光取り出し効率が向上する。反射粒子含有部材から露出していた基材の上面１１１の少なくとも一部が反射粒子含有部材３０で被覆されてもよく、第１発光素子と重なる基材の上面の全面が反射粒子含有部材３０で被覆されてもよい。第１発光素子と重なる基材の上面の全面が反射粒子含有部材３０で被覆されることにより、更に、第１発光素子からの光が基板に吸収されることを抑制することができる。

また、遠心力を利用して、反射粒子含有部材３０の反射粒子をＺ−方向に強制的に沈降させることにより、図１４に示すように、反射粒子が偏在する第１反射部材３１と、第１反射部材３１上に位置し第１反射部材よりも反射粒子の濃度が低い第１被覆部材３２を形成することができる。第１発光素子２０Ａの第１側面２０２Ａが第１被覆部材３２に被覆されることで発光装置の光取り出し効率が向上する。Ｚ軸上におけるＺ＋方向は、基材１１の下面１１２から基材１１の上面１１１に向かう方向とし、Ｚ＋方向の反対方向はＺ−方向とする。中間体１００を遠心回転させる際の回転速度や回転数は、反射粒子の含有量や粒径等にもよるが、例えば２００ｘｇ以上の遠心力がかかるように、回転数や回転半径を調整すればよい。

なお、中間体１００は、発光装置毎に個片化されていてもよく、個片化前の集合基板の状態のものでもよい。中間体が集合基板である場合には、中間体の平面積が大きくなる。中間体の平面積が大きい場合には、中間体１００の中心と、中間体１００の中心から離れた位置と、で遠心力のかかり方の違いが大きくなる傾向にある。このために、中間体１００の中心と、中間体１００の中心から離れた位置と、に位置する各発光装置の反射粒子含有部材の形状にバラツキが生じるおそれがある。この反射粒子含有部材の形状にバラツキは、回転半径を大きくすることで抑制することができる。具体的には、回転方向に配置される中間体１００の長さの７０倍以上の回転半径とすることで、反射粒子含有部材の形状にバラツキを抑制することができる。なお、遠心力により、中間体が回転半径の円周に沿って撓むような可撓性を有する場合には、回転軸８０からの距離の差が低減できる。

反射粒子含有部材３０を硬化する時には、反射粒子含有部材に遠心力をかけながら反射粒子含有部材を硬化することが好ましい。反射粒子は、光反射の観点から粒径の小さいものを使用することが好ましいが、粒径が小さくなるほど沈降しにくくなる。遠心力を利用することで、反射粒子をＺ−方向に沈降させることができる。反射粒子を沈降させた状態で硬化させるためには、遠心力をかけたまま、つまり中間体１００を回転させながら反射粒子含有部材の硬化工程を行うことが好ましい。このようにすることで、反射粒子含有部材内において反射粒子がＺ＋方向に移動することを抑制できる。

反射粒子含有部材を硬化させる温度は、４０℃以上２００℃以下が挙げられる。硬化させる温度を高くすることで、反射粒子含有部材を硬化させる時間を短縮でき効率的である。また、遠心沈降させる装置の金属が熱により膨張することで回転軸８０の位置が移動することを考慮すると、硬化させる温度はなるべく低いことが好ましい。つまり、反射粒子含有部材を硬化させる温度は、効率性の観点から、好ましくは５０℃以上である。また、反射粒子含有部材を硬化させる温度は、回転軸８０が移動することを考慮し、好ましくは６０℃以下である。８０℃以上で硬化する際には、少なくとも遠心回転装置の金属部分が８０℃以上とならないように、装置を調整することが好ましい。なお、反射粒子含有部材を構成する樹脂材料としては、回転する中間体を４０℃以上の温度に保つことで少なくとも仮硬化状態が得られる樹脂材料を選択することが好ましい。反射粒子を沈降させながら反射粒子含有部材を硬化させる方法としては、例えば、熱風をかけたり、パネルヒータ等を用いたりすることが挙げられる。

［第２被覆部材を形成する工程］
図１５に示すように、反射粒子含有部材３０を被覆する第２被覆部材３３を形成する。第２被覆部材３３は、第１発光素子２０Ａの第１側面２０２Ａの少なくとも一部を被覆する。第２被覆部材３３は、第１発光素子２０Ａの第１光取り出し面２０１を被覆してもよく、第１光取り出し面２０１を露出してもよい。本工程において、第２被覆部材３３は、例えば、母材と波長変換部材とを含む液状樹脂材料を、反射粒子含有部材３０上に滴下することによって、形成される。他の形成方法としては、例えば、第２被覆部材３３は、波長変換部材を、噴霧（スプレー）法、電着法、などによって、反射粒子含有部材３０上に付着させた後、母材を滴下して蛍光体に含浸させ、固化させることで、形成される。波長変換部材は、第２被覆部材の一部分に偏在していてもよいし、第２被覆部材内に均一に分散されていてもよい。

［透光性部材を形成する工程］
図１６に示すように、第１発光素子２０Ａの第１光取り出し面２０１Ａを被覆する透光性部材５０を形成する。透光性部材は、予め透光性部材を準備しておき第１光取り出し面２０１Ａ上に配置して第１光取り出し面２０１Ａを被覆する透光性部材を形成してもよく、第１光取り出し面２０１Ａを被覆するようにポッティング等公知の方法によって透光性部材を形成してもよい。第１光取り出し面２０１Ａ上に透光性部材を配置する場合には、透光性の接着層３４を介して第１光取り出し面２０１Ａを被覆してもよい。

［切り欠きを形成する工程］
図１７に示すように、第２被覆部材３３を貫通し、少なくとも反射粒子含有部材３０と接する切り欠き７０を形成する。切り欠き７０は、上面視において第１発光素子２０Ａを囲むように形成される。発光装置が第２発光素子２０Ｂを備える場合には、切り欠き７０は、上面視において第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂを囲むように形成される。反射粒子含有部材３０が、反射粒子が偏在する第１反射部材３１と、第１反射部材３１上に位置し第１反射部材よりも反射粒子の濃度が低い第１被覆部材３２と、を備える場合には、切り欠き７０が第１反射部材及３２及び第２被覆部材３３を貫通し、少なくとも第１反射部材３１と接する切り欠き７０を形成する。切り欠き７０は、第１反射部材３１を貫通してもよく、貫通していなくてもよい。また、切り欠き７０が第１反射部材３１を貫通する場合には、切り欠き７０と基材の上面１１１とが接していてもよい。基材１１の上面１１１の切り欠きを凹部１１８とも呼ぶ。発光装置が透光性部材５０を備える場合には、切り欠き７０は透光性部材５０を貫通するように形成される。例えば、切り欠きは、ブレードダイシング法やレーザダイシング法など公知の方法によって形成することができる。尚、本明細書において、エッチングで形成されたものも切り欠きと呼ぶ。また、切り欠きは幅狭部と幅広部を有しており、Ｚ−方向の側に幅狭部が位置し、Ｚ＋方向の側に幅広部が位置する。幅狭部と幅広部はブレードの形状等により形成することができる。

［第２反射部材を形成する工程］
図１８に示すように、第２被覆部材３３及び反射粒子含有部材３０と接する第２反射部材４０を形成する。第２反射部材４０は、上面視において第１発光素子２０Ａを囲む。発光装置が第２発光素子２０Ｂを備える場合に、第２反射部材４０は、上面視において第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂを囲む。第２反射部材４０は、硬化前の第２反射部材を切り欠き７０に充填し、硬化前の第２反射部材を硬化することで第２反射部材４０を形成することができる。切り欠き７０に硬化前の第２反射部材を充填する方法としては、トランスファ成形、射出成形、圧縮成形、ポッティング等の公知の方法を用いることができる。第２反射部材４０は、所望の厚みに調整するために研削等の公知の方法を用いて第２反射部材の一部を除去してもよい。発光装置が透光性部材を備える場合には、透光性部材の上面及び／又は側面を被覆するように第２反射部材を形成してもよい。透光性部材の上面の全てを被覆する第２反射部材を形成した場合には、透光性部材の少なくとも一部が第２反射部材から露出するように第２反射部材の一部を除去する。また、第２反射部材４０を所望の厚みに調整するために第２反射部材の一部を除去する時に、透光性部材の一部も除去してもよい。第２反射部材の一部及び透光性部材の一部を除去する場合には、第２反射部材の上面及び透光性部材の上面が面一になるようにしてもよい。

［個片化する工程］
中間体１００が、集合基板の状態の場合には、図１８に示すように、破線Ｓ_３、破線Ｓ_４に沿って、第２反射部材４０及び基板１０の一部を除去し各発光装置を個片化する。例えば、ブレードダイシング法やレーザダイシング法などによって、第２反射部材４０及び基板１０を切断することで各発光装置を個片化することができる。

以上、説明したように上述の各工程を行うことにより、発光装置１０００が製造される。

本発明の一実施形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト装置、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、プロジェクタ装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置などに利用することができる。

１０００Ａ、１０００Ｂ、１０００Ｃ、２０００ 発光装置
１０ 基板
１１ 基材
１１８ 凹部
１２ 第１配線
１３ 第２配線
１４ 第３配線
１５ ビア
１５１ 第４配線
１５２ 充填部材
１６ 窪み
１８ 絶縁膜
２０Ａ 第１発光素子
２０Ｂ 第２発光素子
２０Ｃ 第３発光素子
３０ 反射粒子含有部材
３１ 第１反射部材
３２ 第１被覆部材
３３ 第２被覆部材
３４ 接着層
４０ 第２反射部材
５０ 透光性部材
６０ 導電性接着部材
７０ 切り欠き
８０ 回転軸

Claims (13)

1. 上面を有する基材と、前記上面に配置される第１配線と、を有する基板と、
   第１光取り出し面と、前記第１光取り出し面の反対側にある第１電極形成面と、前記第１光取り出し面と前記第１電極形成面との間にある第１側面と、前記第１電極形成面に一対の第１電極と、を有し、前記第１電極形成面と前記第１配線とが対向して前記第１配線上に載置される第１発光素子と、
   前記第１光取り出し面を露出し、前記基材の上面を被覆し、反射粒子を含有する第１反射部材と、
   前記第１光取り出し面を露出し、前記第１反射部材及び前記第１側面の少なくとも一部を被覆し、前記第１反射部材よりも前記反射粒子の濃度が低い第１被覆部材と、
   前記第１側面の少なくとも一部を被覆する第２被覆部材と、
   上面視において前記第２被覆部材を囲み、前記第２被覆部材及び前記第１反射部材と接する第２反射部材と、を備え、
   前記第２反射部材は、断面視において、前記第１反射部材と接する幅狭部と、前記幅狭部よりも上に配置される幅広部と、を有する発光装置。
2. 前記第１発光素子と異なる発光ピーク波長を有する第２発光素子を備える請求項１に記載の発光装置。
3. 前記第１被覆部材が前記第２反射部材と接する、請求項１又は２に記載の発光装置。
4. 前記第１発光素子と接する部分の前記第１被覆部材の厚みが、前記第２反射部材と接する部分の前記第１被覆部材の厚みよりも厚い請求項３に記載の発光装置。
5. 前記基材の上面は外周を囲む凹部を有し、前記第２反射部材の一部は前記凹部内に配置される請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置。
6. 前記基材の外縁と、前記第２反射部材の外側面と、が面一である、請求項１から５のいずれか１項に記載の発光装置。
7. 前記第１発光素子は第１半導体層を備え、前記第１半導体層の側面が前記第１反射部材に被覆される、請求項１から６のいずれか１項に記載の発光装置。
8. 前記第１光取り出し面を被覆する透光性部材を備える、請求項１から７のいずれか１項に記載の発光装置。
9. 上面を有する基材と、前記上面に配置される第１配線と、を備える基板を準備する工程と、
   前記第１光取り出し面と、前記第１光取り出し面の反対側にある第１電極形成面と、前記第１光取り出し面と前記第１電極形成面との間にある第１側面と、前記第１電極形成面に一対の第１電極と、を有する第１発光素子を準備する工程と、
   前記第１電極形成面と前記第１配線とを対向させて、前記第１配線上に第１発光素子を載置する工程と、
   上面視において、前記第１発光素子と重なる前記基材の上面の少なくとも一部が露出するように前記反射粒子含有部材を前記基材の上面に配置する工程と、
   前記第１発光素子と重なる前記基材の上面に前記反射粒子含有部材を遠心力により広げる工程と、
   を含む発光装置の製造方法。
10. 前記反射粒子含有部材を遠心力により広げる工程において、前記第１発光素子と重なる前記基材の上面の全面を前記反射粒子含有部材で被覆する、請求項９に記載の発光装置の製造方法。
11. 前記反射粒子含有部材を遠心力により広げる工程の後に、前記反射粒子含有部材を被覆する第２被覆部材を形成する工程を有する、請求項９又は１０に記載の発光装置の製造方法。
12. 前記第２被覆部材を形成する工程の後に、上面視において前記第１発光素子を囲み、前記第２被覆部材及び前記反射粒子含有部材と接する第２反射部材を形成する工程を有する、請求項１１に記載の発光装置の製造方法。
13. 前記第２反射部材及び前記基板の一部を除去し個片化する工程と、を含む、請求項１２に記載の発光装置の製造方法。

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