JP2013219260A - 発光装置、照明装置及び発光装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】導光板との接触による傷を防止できる発光装置を提供する。
【解決手段】端子部11aを有する素子基板11と、素子基板11上に設置してワイヤ13により端子部11aに接続される発光素子12と、素子基板11上に配して発光素子12を囲む環状に形成されるとともに発光素子12の出射光を反射するリフレクタ14と、リフレクタ14よりも軟質な透明樹脂から成るとともにリフレクタ14の内部に充填して発光素子12及びワイヤ13を封止する封止材15とを備えた発光装置10において、リフレクタ14上に封止材15を延設して突起部16を形成した。
【選択図】図3
【解決手段】端子部11aを有する素子基板11と、素子基板11上に設置してワイヤ13により端子部11aに接続される発光素子12と、素子基板11上に配して発光素子12を囲む環状に形成されるとともに発光素子12の出射光を反射するリフレクタ14と、リフレクタ14よりも軟質な透明樹脂から成るとともにリフレクタ14の内部に充填して発光素子12及びワイヤ13を封止する封止材15とを備えた発光装置10において、リフレクタ14上に封止材15を延設して突起部16を形成した。
【選択図】図3
Description
本発明は、リフレクタの内部に発光素子を封止した発光装置及びそれを用いた照明装置に関する。また本発明は、リフレクタの内部に発光素子を封止した発光装置の製造方法に関する。
図16は従来の発光装置を備えた照明装置の概略平面図を示している。照明装置1は側端面に入射面2aを有した平面視矩形の透明樹脂から成る導光板2と、入射面2aに対向する光源部3とを備えている。光源部3は実装基板4上に複数の発光装置10が入射面2aに沿って並設される。実装基板4の背面にはヒートシンク5が設けられる。
発光装置10は素子基板11上にLEDから成る発光素子12が設置される。素子基板11は金属により形成され、樹脂から成る絶縁部11bを介して一対の端子部11aが設けられる。発光素子12はワイヤ13を介して端子部11aに接続される。
素子基板11上には発光素子12を囲む環状のリフレクタ14が配される。リフレクタ14は硬質の白色樹脂により素子基板11の絶縁部11bと一体に形成される。これにより、リフレクタ14は発光素子12から側方に出射された光を入射面2aの方向に反射させる。
リフレクタ14の内部には軟質の透明樹脂から成る封止材15が充填され、発光素子12及びワイヤ13が封止材15により封止される。この時、リフレクタ14の上端面は封止材15の上面よりも突出し、導光板2の入射面2aに当接する。これにより、発光素子12と入射面2aとの距離が一定に維持される。
発光素子12から出射された光は入射面2aから導光板2に入射して導光板2を導光し、出射面2bから照明光が出射される。これにより、照明装置1による照明が行われる。
しかしながら、上記従来の発光装置10によると、リフレクタ14の上端面が導光板2の入射面2aに当接するため、照明装置1の振動等によってリフレクタ14が入射面と摺動する。入射面2aは硬質のリフレクタ14が摺動すると傷が発生し、入射面2aにおける乱反射や透過率の低下によって照明装置1の光学特性が劣化する問題があった。
本発明は、導光板との接触による傷を防止できる発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。また本発明は、導光板の傷を防止して光学特性を向上できる照明装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明は、端子部を有する素子基板と、前記素子基板上に設置してワイヤにより前記端子部に接続される発光素子と、前記素子基板上に配して前記発光素子を囲む環状に形成されるとともに前記発光素子の出射光を反射するリフレクタと、前記リフレクタよりも軟質な透明樹脂から成るとともに前記リフレクタの内部に充填して前記発光素子及び前記ワイヤを封止する封止材とを備えた発光装置において、前記リフレクタ上に前記封止材を延設して突起部を形成したことを特徴としている。
この構成によると、端子部を介して発光素子に電圧が印加されると発光素子が発光する。発光素子の出射光は封止材を介して上面から出射され、一部の光はリフレクタで反射した後に出射される。リフレクタの上面には封止材を延設して形成される突起部が設けられる。発光装置を導光板の入射面に面して配置した際に突起部が入射面に近接または当接する。
また本発明は、上記構成の発光装置において、前記突起部が底部に対して頂部が狭い断面形状を有した線状またはドット状に形成されることを特徴としている。
また本発明は、上記構成の発光装置において、前記リフレクタがポリフタルアミド樹脂またはポリエチレンテレフタレート樹脂により形成され、前記封止材がシリコーン樹脂またはエポキシ樹脂により形成されることを特徴としている。
また本発明の照明装置は、上記各構成の複数の発光装置と、複数の前記発光装置を並設して実装する実装基板と、前記突起部に近接または当接する入射面を有した導光板とを備え、前記入射面から前記導光板に入射した光を導光して照明光を出射することを特徴としている。この構成によると、突起部が導光板の入射面に近接または当接して配置され、発光装置の出射光は入射面から導光板に入射する。導光板に入射した光は導光板を導光し、照明光が出射される。
また本発明の発光装置の製造方法は、基板上に複数の貫通孔を有したリフレクタ部材を形成するリフレクタ部材形成工程と、各前記貫通孔の内部の前記基板上にそれぞれ発光素子を設置する素子設置工程と、各前記貫通孔の内部に前記リフレクタ部材よりも軟質な透明樹脂から成る封止材を充填して前記発光素子を封止する充填工程と、隣接する前記貫通孔間で切断して複数のチップに個片化する切断工程とを備え、前記充填工程で前記リフレクタ部材上に延設した前記封止材により凹部を介して隣接する複数の突起部を形成するとともに、前記切断工程で前記凹部上を切断したことを特徴としている。
この構成によると、リフレクタ部材形成工程で基板上に樹脂成形等によってリフレクタ部材が形成され、素子設置工程でリフレクタ部材の貫通孔内に発光素子が設置される。充填工程では貫通孔内に封止材が充填されるとともにリフレクタ部材の上面に封止材によって突起部が形成される。この時、突起部は隣接する貫通孔間に凹部を介して複数形成される。切断工程ではブレードによって封止材から成る凹部上で切断され、リフレクタ部材及び基板を切断して複数のチップに個片化する。これにより、環状のリフレクタ上に封止材から成る突起部を有したチップ状の発光装置が得られる。
本発明によると、リフレクタよりも軟質な樹脂から成る封止材によりリフレクタ上に突起部を形成したので、導光板の入射面に突起部が近接または当接して配され、振動等によって軟質な突起部が入射面と摺動する。これにより、導光板の入射面の傷を防止し、導光板を備えた照明装置の光学特性を向上することができる。
また本発明によると、封止材の充填工程でリフレクタ部材上に凹部を介して隣接する複数の突起部を封止材により形成し、切断工程で凹部上を切断して個片化する。これにより、封止材から成る凹部の底面が薄く形成され、硬さの異なる封止材とリフレクタ部材とを容易に同時切断することができる。
以下に本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図1は第1実施形態の発光装置を備えた照明装置の概略平面図を示している。説明の便宜上、前述の図16に示す従来例と同様の部分には同一の符号を付している。
照明装置1は導光板2と光源部3とを備えている。導光板2は平面視矩形の透明樹脂から成り、側端面に入射面2aを有して前面に照明光の出射面2bを有する。光源部3は入射面2aに対向配置され、実装基板4上に複数の発光装置10が入射面2aに沿って並設される。入射面2aには詳細を後述する発光装置10の突起部16が当接して配される。実装基板4の背面にはヒートシンク5が設けられる。
図2は発光装置10の平面図を示している。図3、図4はそれぞれ図2のA−A断面図及びB−B断面図を示している。また、図5は発光装置10の底面図を示している。発光装置10は素子基板11上に発光素子12が設置される。素子基板11は金属から成るフレーム20(図6参照)により形成され、樹脂から成る絶縁部11bを介して一対の端子部11aが設けられる。
発光素子12はLEDから成り、ワイヤ13を介して端子部11aの上面に接続される。尚、端子部11aの下面が実装基板4(図1参照)に半田付けされる。また、一方の端子部11aに連続した放熱部11c上に発光素子12が設置され、発光素子12の発熱が金属の放熱部11cを介して放熱される。
素子基板11上には発光素子12を囲む環状のリフレクタ14が配される。リフレクタ14はポリフタルアミド樹脂やポリエチレンテレフタレート樹脂等の硬質の白色樹脂により、素子基板11の絶縁部11bと一体に形成される。これにより、リフレクタ14は発光素子12から側方に出射された光を入射面2a(図1参照)の方向に反射させる。
リフレクタ14の内部にはシリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の軟質の透明樹脂から成る封止材15が充填され、発光素子12及びワイヤ13が封止材15により封止される。封止材15はリフレクタ14の上端面に延設され、封止材15によりリフレクタ14上に突起部16(図2においてハッチングで示す)が形成される。
突起部16は環状の線状に形成され、延びた方向に垂直な断面形状が底部に対して頂部が狭い半円状になっている。突起部16の高さHは例えば、0.1mm以上に形成される。突起部16は導光板2の入射面2a(図1参照)に当接し、発光素子12と入射面2aとの距離が一定に維持される。
上記構成の照明装置1において、端子部11aを介して発光素子12に電圧が印加されると発光素子12が発光する。発光素子12から上方に出射された光は封止材15を介して入射面2aから導光板2に直接入射する。また、発光素子12から側方に出射された光はリフレクタ14で反射し、封止材15を介して入射面2aから導光板2に入射する。導光板2に入射した光は導光板2を導光し、出射面2bから照明光が出射される。これにより、照明装置1による照明が行われる。
また、導光板2の入射面2aに突起部16が当接して配され、照明装置1が振動した際に突起部16が入射面2aと摺動する。突起部16はリフレクタ14よりも軟質な樹脂から成るため、摺動による入射面2aの傷を防止することができる。従って、傷による入射面2aにおける乱反射や透過率の低下を防止し、照明装置1の光学特性を向上することができる。
図6〜図11は発光装置10の製造工程を示す側面図である。図6〜図8はリフレクタ部材形成工程を示している。リフレクタ部材形成工程は上金型30a及び下金型30bから成る成形金型30を備えている。図6に示すように、上金型30aには格子状の溝部30cが設けられる。下金型30b上には貫通孔20a及び溝部20bを有した金属から成るフレーム20が設置される。
次に、図7に示すように上金型30aがフレーム20に密着し、溝部20b、30c内及び貫通孔20a内に白色樹脂が充填される。そして、図8に示すように上金型30aがフレーム20から離れ、成形品が取り出される。貫通孔20aに充填された樹脂によって絶縁部11bが形成され、複数の素子基板11(図3参照)が連続したフレーム20(基板)が形成される。また、溝部20b、30cに充填された樹脂によってフレーム20上にリフレクタ部材21が形成される。
リフレクタ部材21は溝部30cによって格子状に形成され、複数の貫通孔21aを有している。リフレクタ部材21を後述する切断工程で切断して環状のリフレクタ14(図3参照)が形成される。
図9は発光素子12を設置する素子設置工程を示している。素子設置工程ではリフレクタ部材21の貫通孔21内に露出したフレーム20から成る放熱部11c上に発光素子12が熱伝導性接着剤等により固着される。また、フレーム20により形成される端子部11aと発光素子12とがワイヤ13により接続される。
図10は充填工程を示している。充填工程は環状の溝部31aを複数有する成形金型31を備えている。成形金型31をリフレクタ部材21に対して所定の隙間を有して配置し、リフレクタ部材21の貫通孔21a内にシリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の封止材15が充填される。これにより、発光素子12及びワイヤ13が封止される。
この時、封止材15はリフレクタ部材21の上面に延設され、溝部31aによって突起部16が形成される。成形金型31の隣接する溝部31aはリフレクタ部材21の隣接する貫通孔21a間の隔壁上に配置される。これにより、突起部16は隣接する貫通孔21a間の一の隔壁上に凹部17を介して複数形成される。
図11は切断工程を示している。切断工程はダイシングソー等を用いてダイヤモンド砥石等のブレード32により凹部17上で切断して複数のチップに個片化する。これにより、リフレクタ部材21を切断してリフレクタ14が形成され、フレーム20を切断して所定形状の素子基板11が形成される。そして、環状のリフレクタ14上に封止材15から成る突起部16を有したチップ状の発光装置10が得られる。
充填工程で隣接する突起部16間に凹部17を設けているので、凹部17の底面の封止材15を薄く(例えば、0.1mm以下)形成することができる。これにより、硬さの異なる封止材15とリフレクタ部材21とを容易に同時切断することができる。
本実施形態によると、リフレクタ14よりも軟質な樹脂から成る封止材15によりリフレクタ14上に突起部16を形成したので、導光板2の入射面2aに突起部16を当接した照明装置1の振動時に突起部16が入射面2aと摺動する。この時、突起部16がリフレクタ14よりも軟質な樹脂から成るため、摺動による入射面2aの傷を防止することができる。従って、傷による入射面2aにおける乱反射や透過率の低下を防止し、照明装置1の光学特性を向上することができる。
尚、発光装置10の突起部16が入射面2aに当接して配置されるが、突起部16が入射面2aに近接して配置されていてもよい。この場合も同様に、照明装置1の振動によって突起部16と入射面2aとが摺動し、入射面2aの傷を防止することができる。
また、突起部16が底部に対して頂部が狭い半円状の断面形状を有した線状に形成されるため、入射面2aとの接触面積を少なくすることができる。従って、入射面2aの傷をより確実に防止することができる。尚、突起部16が底部に対して頂部が狭い楕円弧、三角形、台形等の断面形状であってもよく、幅が狭い矩形の断面形状であってもよい。
また、リフレクタ14がポリフタルアミド樹脂やポリエチレンテレフタレート樹脂等により形成され、封止材15がシリコーン樹脂やエポキシ樹脂等により形成される。これにより、発光素子12の出射光を反射する白色樹脂から成るリフレクタ14及びリフレクタ14よりも軟質な透明樹脂から成る封止材15を容易に実現することができる。尚、リフレクタ14を樹脂以外のセラミック等により形成し、封止材15をシリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の軟質樹脂により形成してもよい。
また、充填工程でリフレクタ部材21上に凹部17を介して隣接する複数の突起部16を封止材15により形成し、切断工程で凹部17上を切断して個片化する。これにより、封止材15から成る凹部17の底面が薄く形成され、硬さの異なる封止材15とリフレクタ部材21とを容易に同時切断することができる。
次に、図12は第2実施形態の発光装置10の平面図を示している。また、図13は図12のC−C断面図を示している。説明の便宜上、前述の図1〜図11に示す第1実施形態と同様の部分には同一の符号を付している。本実施形態は突起部16の形状が第1実施形態と異なっている。その他の部分は第1実施形態と同一である。
突起部16(図12においてハッチングで示す)は一部を分断した環状の線状に形成され、延びた方向に垂直な断面形状が底部に対して頂部が狭い半円状になっている。これにより、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。また、突起部16を分断した線状に形成するため、入射面2aとの接触面積をより少なくすることができる。
次に、図14は第3実施形態の発光装置10の平面図を示している。また、図15は図14のD−D断面図を示している。説明の便宜上、前述の図1〜図11に示す第1実施形態と同様の部分には同一の符号を付している。本実施形態は突起部16の形状が第1実施形態と異なっている。その他の部分は第1実施形態と同一である。
突起部16(図14においてハッチングで示す)はリフレクタ14上に配置された複数の円形のドット状に形成され、素子基板11に垂直な断面形状が底部に対して頂部が狭い半円状になっている。これにより、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。また、突起部16をドット状に形成するため、入射面2aとの接触面積をより少なくすることができる。尚、突起部16を平面視多角形のドット状に形成してもよい。
本発明によると、導光板を備えた照明装置に利用することができる。
1 照明装置
2 導光板
2a 入射面
3 光源部
4 実装基板
5 ヒートシンク
10 発光装置
11 素子基板
11a 端子部
11b 絶縁部
11c 放熱部
12 発光素子
13 ワイヤ
14 リフレクタ
15 封止材
16 突起部
17 凹部
20 フレーム
21 リフレクタ部材
21a 貫通孔
30、31 成形金型
30c、31a 溝部
32 ブレード
2 導光板
2a 入射面
3 光源部
4 実装基板
5 ヒートシンク
10 発光装置
11 素子基板
11a 端子部
11b 絶縁部
11c 放熱部
12 発光素子
13 ワイヤ
14 リフレクタ
15 封止材
16 突起部
17 凹部
20 フレーム
21 リフレクタ部材
21a 貫通孔
30、31 成形金型
30c、31a 溝部
32 ブレード
Claims (5)
- 端子部を有する素子基板と、前記素子基板上に設置してワイヤにより前記端子部に接続される発光素子と、前記素子基板上に配して前記発光素子を囲む環状に形成されるとともに前記発光素子の出射光を反射するリフレクタと、前記リフレクタよりも軟質な透明樹脂から成るとともに前記リフレクタの内部に充填して前記発光素子及び前記ワイヤを封止する封止材とを備えた発光装置において、前記リフレクタ上に前記封止材を延設して突起部を形成したことを特徴とする発光装置。
- 前記突起部が底部に対して頂部が狭い断面形状を有した線状またはドット状に形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記リフレクタがポリフタルアミド樹脂またはポリエチレンテレフタレート樹脂により形成され、前記封止材がシリコーン樹脂またはエポキシ樹脂により形成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光装置。
- 請求項1〜請求項3のいずれかに記載の複数の発光装置と、複数の前記発光装置を並設して実装する実装基板と、前記突起部に近接または当接する入射面を有した導光板とを備え、前記入射面から前記導光板に入射した光を導光して照明光を出射することを特徴とする照明装置。
- 基板上に複数の貫通孔を有したリフレクタ部材を形成するリフレクタ部材形成工程と、各前記貫通孔の内部の前記基板上にそれぞれ発光素子を設置する素子設置工程と、各前記貫通孔の内部に前記リフレクタ部材よりも軟質な透明樹脂から成る封止材を充填して前記発光素子を封止する充填工程と、隣接する前記貫通孔間で切断して複数のチップに個片化する切断工程とを備え、前記充填工程で前記リフレクタ部材上に延設した前記封止材により凹部を介して隣接する複数の突起部を形成するとともに、前記切断工程で前記凹部上を切断したことを特徴とする発光装置の製造方法。
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---|---|---|---|
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ID=49591019
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