JP2011114341A - 発光素子パッケージ及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】発光素子パッケージ及びその製造方法が提供される。
【解決手段】本発明による発光素子パッケージはＬＥＤチップと、上記ＬＥＤチップを実装する本体部と、上記ＬＥＤチップを介し互いに向かい合うように 上記本体部から延長されて夫々具備され、上記ＬＥＤチップから放出される光を反射させる一対の反射部と、上記ＬＥＤチップを封止するように上記一対の反射部の間に形成され、中央領域が凹んだ上部面を具備するモールディング部と、を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光素子パッケージ及びその製造方法に関するもので、より詳細にはバックライトユニットに光源として使用される発光素子パッケージ及びその製造方法に関する。
現在様々な種類の薄型表示装置が使用されており、このような薄型表示装置の主流を成しているものは液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）だと言える。
ＬＣＤは薄型の壁掛け型テレビ、ノートブックやデスクトップパソコン用のモニター、航法装置、ＰＤＡ、携帯電話、ゲーム機に至るまで多様な装置に応用されている。このような液晶表示装置の表示素子を構成する液晶は自ら発光することができず、印加される電気信号によって単純に光を透過させたり遮断する機能を行うだけである。
従って、液晶パネルに情報を表示するためには、液晶パネルを後方から照明するための面発光装置、いわゆるバックライトユニット（Ｂａｃｋ Ｌｉｇｈｔ Ｕｎｉｔ）が液晶表示装置内に別途で備えられなければならない。このようなバックライトユニットは光の輝度を高め均等な面光源を形成し、液晶パネルを均一に照射しなければならず、これは製品の品質面において非常に重要だと言える。
一般的なバックライトユニットは、光源、導光板、拡散シート、プリズム及び保護シートを含み、光源としては小型で寿命が長く、電気エネルギーが光エネルギーに直接変換するためエネルギー効率が高いと同時に動作電圧が低いという長所を有する発光素子（ＬＥＤ）が光源として使用されている。
このような発光素子パッケージは、複数がＰＣＢ上に表面実装されて導光板の側面に設置され、発光素子パッケージから出射される光は全反射原理により導光板の内部に入射され前面に放出されるように構成されている。
しかし、従来の発光素子パッケージは、ＬＥＤチップを取り囲む反射壁により短軸方向と長軸方向の全てが制限された範囲の指向角を有する。
従って、短軸方向の場合、指向角が広いために光が導光板を超える光漏れ現象が発生し、バックライトユニットの重要品質である均一度（Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が低下するという問題を発生させ、長軸方向の場合、指向角が狭いために光源の間の間隔が狭くなり、無駄に光源の数が増加するようになるという問題を発生させる。
本発明の目的は、ＬＥＤチップを実装するパッケージの構造を変更し、ＬＥＤチップから放出される光の直進性を確保しながら、短軸方向の指向角は狭くし、長軸方向の指向角は広くして軸の方向によって異なる指向角を有する発光素子パッケージ及びその製造方法を提供することにある。
本発明の実施例による発光素子パッケージは、ＬＥＤチップと、上記ＬＥＤチップを実装する本体部と、上記ＬＥＤチップを介し互いに向かい合うように上記本体部から延長されて夫々具備され、上記ＬＥＤチップから放出される光を反射させる一対の反射部と、上記ＬＥＤチップを封止するように上記一対の反射部の間に形成され、中央領域が凹んだ上部面を具備するモールディング部と、を含むことができる。
また、上記反射部は、上記本体部の短軸方向の側面より長い長軸方向の側面の縁に沿って具備されることができる。
また、上記モールディング部は、上記一対の反射部を垂直に横切る上部面の中心が上記本体部の両短軸方向の側面と平行に所定の深さだけ陥没し、上記短軸方向の側面から上記中心に向かってなだらかな曲線を描く傾きで形成されることができる。
また、上記反射部は、その上部面が上記モールディング部の上部面と対応する形状を有することができる。
また、上記反射部は、その上部面が上記モールディング部の上部面の凹んだ中央の頂点まで上記本体部の上部に延長され形成されることができる。
また、上記反射部は、上部面が上記モールディング部の上部面の長軸方向 側面の両端まで上記本体部の上部に延長され形成されることができる。
また、上記モールディング部は、上記ＬＥＤチップから放出される光の波長を変換する蛍光物質を含有することができる。
また、上記ＬＥＤチップから放出される光の波長を変換するように上記ＬＥＤチップを取り囲む蛍光層をさらに具備することができる。
また、上記モールディング部は、上記ＬＥＤチップから放出される光を分散させる光分散剤をさらに含有することができる。
一方、本発明の実施例による発光素子パッケージの製造方法は、金属プレートに複数のリード端子をパターニングして具備する段階と、上記各リード端子にＬＥＤチップを実装し、上記リード端子と電気的に連結する段階と、上記各リード端子の周囲に本体部を形成し、上記ＬＥＤチップを介し互いに向かい合う反射部を上記本体部上に形成する段階と、上記ＬＥＤチップと上記リード端子を封止するように上記反射部の間にモールディング部を形成する段階と、各ＬＥＤチップの位置に対応し上記モールディング部の上部面に凹んで陥没した頂点を形成する段階と、カッティングラインに沿ってダイシングする段階と、を含むことができる。
また、上記反射部を形成する段階は、パターニングされた上記各リード端子 の周囲の溝に樹脂等をモールディングして形成される上記本体部上に、長軸方向の側面に沿って上記反射部材を複数形成することを含むことができる。
また、上記モールディング部の上部面に頂点を形成する段階は、上記頂点に対応する形状が加工された枠をプレスして形成することを含むことができる。
本発明の実施例によると、短軸方向の指向角を狭くすることによってＬＥＤチップから放出される光の直進性を向上させ、同時に光が導光板を超える光漏れ現象の発生を防ぎ、バックライトユニットの輝度の均一度が向上されるという効果を有する。
また、長軸方向の指向角を広くすることによって、実装される発光素子パッケージの数を減らすことができ、装置の小型化及び製造工程の簡素化が可能で、製造原価を減らすことができるという効果を有する。
本発明の実施例による発光素子パッケージを示す斜視図である。 （ａ）は、図１の発光素子パッケージの短軸方向の側面の断面図であり、（ｂ）は、図１の発光素子パッケージの長軸方向の側面の断面図である。 （ａ）と（ｂ）は、図１の発光素子パッケージの変形例を示す断面図である。 指向角の分布状態を示すグラフである。 図１の発光素子パッケージの他の実施例を示す斜視図である。 図１の発光素子パッケージの他の実施例を示す斜視図である。 図１の発光素子パッケージの他の実施例を示す斜視図である。 本発明の実施例による発光素子パッケージの製造工程を段階別に説明する斜視図である。 本発明の実施例による発光素子パッケージの製造工程を段階別に説明する斜視図である。 本発明の実施例による発光素子パッケージの製造工程を段階別に説明する斜視図である。 本発明の実施例による発光素子パッケージの製造工程を段階別に説明する斜視図である。 本発明の実施例による発光素子パッケージの製造工程を段階別に説明する斜視図である。 本発明の実施例による発光素子パッケージの製造工程を段階別に説明する斜視図である。
本発明による発光素子パッケージ及びその製造方法の実施例に関する具体的な事項を図面を参照して説明する。
しかし、本発明の実施例は、様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下で説明される実施例に限定されるものではない。本発明の実施例は本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
従って、図面に図示された構成要素の形状及び大きさ等はより明確な説明のために誇張されることもあり、図面上で実質的に同一の構成と機能を有する構成要素は同一の参照符号を使用する。
図１から図７を参照し、本発明の実施例による発光素子パッケージに対して説明する。
図１は、本発明の実施例による発光素子パッケージを示す斜視図であり、図２（ａ）は、図１の発光素子パッケージの短軸方向の側面の断面図であり、図２（ｂ）は、図１の発光素子パッケージの長軸方向の側面の断面図である。
図１及び図２を参照すると、本発明の実施例による発光素子パッケージ１はＬＥＤチップ１０、本体部２０、一対の反射部３０、モールディング部４０を含んで構成される。
上記ＬＥＤチップ１０は、外部から印加される電源により所定の波長の光を出射する半導体素子の一種であり、本発明による実施例では単一のＬＥＤチップ１０が具備されるものとして図示しているが、これに限定されず複数のＬＥＤチップを具備することも可能である。
上記ＬＥＤチップ１０が実装される上記本体部２０は、合成樹脂またはセラミック材質からなることができ、一対のリード端子５０を具備して上記ＬＥＤチップ１０と電気的な接続を成すようにする。
上記一対のリード端子５０は、上記ＬＥＤチップ１０が実装される第１リード５０ａ及び上記第１リード５０ａと分離された第２リード５０ｂを含み、上記第１リード５０ａと第２リード５０ｂは夫々上部面が上記本体部２０上に露出されて上記ＬＥＤチップ１０と接続され、下部面と側断面は上記本体部２０の下部面と側面に夫々露出され発光素子パッケージ１が装着される基板（不図示）上の回路パターン（不図示）と接続される。
この場合、上記ＬＥＤチップ１０から発生する熱は、上記リード端子５０を通じて上記本体部２０から外部に直接放出されるため放熱効率が向上されるという長所を有する。特に、上記本体部２０から外部に露出される上記リード端子５０の面積が増加することによって熱放出効率がさらに増加することができる。
図面では図示されていない接着剤を通じて上記第１リード５０ａ上に実装される上記ＬＥＤチップ１０が上記第１リード５０ａ及び第２リード５０ｂと夫々ワイヤーで連結されるツータップワイヤー構造（ｔｗｏ−ｔａｐ ｗｉｒｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）で連結されるものとして図示しているが、これに限定するものではなく、上記第１リード５０ａ上に実装された状態で上記第２リード５０ｂとワイヤーで連結されるワンタップワイヤー構造（ｏｎｅ−ｔａｐ ｗｉｒｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）で連結されることもできる。
また、ＬＥＤチップ１０の特性及び工程条件に従って、ソルダーバンプを通じてフリップチップボンディング方式で連結されることも可能である。
上記反射部３０は、上記ＬＥＤチップ１０から放出される光を反射させるために、上記ＬＥＤチップ１０を基準に互いに向かい合うように上記本体部２０から延長されて夫々具備される。
反射部３０の内壁は、垂直方向に対して外側に傾いている。例えば、本体部２０は、第１リード５０ａとモールディング部４０とが接する面からの距離が大きいほど薄く形成される。
上記反射部３０は上記本体部２０の射出成形時、一体で形成されるか、上記本体部２０上に付着され具備されることができ、一対が互いに平行に配置される構造を有する。
特に、本発明の実施例のように上記本体部２０が一側面の長さがそれと垂直を成す側面の長さより長い構造の長方形の断面構造を有する場合、上記反射部３０は上記本体部２０の短軸方向の側面より長い長軸方向の側面の端部に沿って具備される。
このように、反射部３０が本体部２０の長軸方向の側面に沿って具備され、短軸方向の側面には具備されない構造を有することによって長軸方向の指向角を大きくすることが可能である。そして、短軸方向の指向角は上記反射部３０の長さ及び上記反射部の内側の傾斜面を通じて調節することができる。
上記ＬＥＤチップ１０が実装された上記本体部２０上には、上記モールディング部４０が上記ＬＥＤチップ１０及び上記第１リード５０ａと第２リード５０ｂを封止するように上記一対の反射部３０の間に形成される。
そして、上記モールディング部４０は、上記ＬＥＤチップ１０から放出される光を外部に透過させるため透明樹脂からなることが好ましい。
特に、上記モールディング部４０は、上記ＬＥＤチップ１０の位置と対応する上部面４１の中央が凹んだ構造を有するが、上部面４１が長軸方向の側面の両端から中央の頂点Ｐに向かってなだらかな曲線を描き傾斜して陥没した形態（じょうご形態）の構造を有することが特徴である。従って、図２（ｂ）のように、上記モールディング部４０の上部面４１は上記ＬＥＤチップ１０と同一の光軸線上に位置する中央の頂点Ｐを基準に対称を成す。
このような構造を通じて上記ＬＥＤチップ１０から放出される光は一部がモールディング部４０を透過し、上面（前面）に向かって発光するようになり、他の一部は上記モールディング部４０の短軸方向の側面に向かって曲面を描く上部面４１により全反射され短軸方向の側面に発光することができるようになる。
特に、上記反射部３０が従来と違って短軸方向の側面には具備されず、短軸方向の側面に向かって全反射される光は反射部によって反射せずにそのまま放出されることができるため光指向特性が向上するという長所がある。
また、上部面４１には、反射材料が形成される。上部面４１は空気と接してよい。
また上部面４１の各位置の傾斜角は、ＬＥＤチップ１０の中央から照射された光が全反射しない角度であってよい。上部面41は、頂点Ｐから書く端部に向かう曲線が上に凸の曲線となるように形成される。
上記モールディング部４０は、上記ＬＥＤチップ１０から放出される光の波長を変換する蛍光物質を含有することができ、上記ＬＥＤチップ１０から放出される光を分散させる光分散剤をさらに含有することもできる。
また、図３（ａ）のように、上記ＬＥＤチップ１０から放出される光の波長を変換するように上記ＬＥＤチップ１０を取り囲む蛍光層６０を具備することができる。この場合、上記モールディング部４０は透明な樹脂のみで成されるか、上記蛍光物質の代わりに光分散剤を含有することができる。
そして、上記蛍光層６０は、塗布または蒸着を通じて上記ＬＥＤチップ１０の表面に形成されるか、レイヤー形態で付着されることができ、所定の間隔で離隔され上記ＬＥＤチップ１０を囲むように配置されることもできる。
また、図３（ｂ）のように、上記蛍光物質の代わりに上記光分散剤のみを含有することも可能である。
図４は指向角の分布状態を示すグラフであり、従来の発光素子パッケージと本発明による発光素子パッケージにおける指向角の分布状態を比較することができる。
従来の発光素子パッケージでは、長軸方向の指向角が狭く、制限された範囲 内において光が分布されることがわかる。これに対し、本発明による発光素子パッケージの場合は従来に比べて長軸方向の指向角がさらに大きくなり、側面により広い範囲において光が分布されることがわかる。
この場合、光源の間隔を広く配置することが可能であり、装着される発光素子パッケージの数を減らすことができ、製造費用が節減されるのは勿論、小型化が可能である。
一方、図５から図７を参照し、本発明による発光素子パッケージ（１−１,１−２,１−３）の他の実施例を説明する。
図５のように、発光素子パッケージ（１−１）は、上記モールディング部４０が上記一対の反射部３０を垂直に横切る上部面の中心が上記本体部２０の短軸方向の側面と平行に所定の深さだけ陥没した構造を有することができる。すなわち、上部面４１が短軸方向の側面から上記中心である頂点Ｐに向かってなだらかな曲線を描く傾きで陥没するように形成される。
このとき、上記反射部３０はその上部面が上記モールディング部４０の上部面４１と対応する形状を有することができる。
また、図６のように発光素子パッケージ（１−２）は、上記反射部３０の上部面が上記モールディング部４０の上部面４１の長軸方向の側面の両端まで 上記本体部２０の上部に延長されて形成されることができる。
反射部３０は、上端の一部が上部面４１よりも上に突出するように形成される。本例では、反射部３０の長軸方向における中央部が頂点Ｐよりも突出する。また、長軸方向の全体に亘って、反射部３０が上部面４１よりも上に突出していてもよい。
また、図７のように発光素子パッケージ（１−３）は、上記反射部３０の上部面が上記モールディング部４０の上部面４１の凹んだ中央の頂点Ｐまで上記本体部２０の上部に延長されて形成されることができる。
上部面４１の少なくとも一部は、反射部３０の上端よりも上に突出して形成される。本例では、頂点Ｐは、反射部３０の上端と同一の高さに形成され、他の部分は反射部３０の上端よりも上に突出する。
一方、図８から図１３を参照し、本発明の実施例による発光素子パッケージの製造方法を説明する。
図８から図１３は、本発明の実施例による発光素子パッケージの製造工程を段階別に説明する斜視図である。
先ず、図８のように金属プレート６０に複数のリード端子５０をパターニングして具備する。
上記金属プレート６０は電気伝導性と熱伝導性に優れた材質の金属であることが好ましく、上記リード端子５０は第１リード５０ａ及び上記第１リードと分離された第２リード５０ｂが繰り返しパターニングされて具備されることができる。
このとき、上記リード端子５０の周囲にはパターニングにより溝６１が形成されることができる。
それぞれのリード端子５０は、長方形状を有する。それぞれのリード端子５０は、金属プレート６０の外枠の内側において、その長軸方向および短軸方向のそれぞれに沿ったマトリクス状に配置される。長軸方向および短軸方向のそれぞれにおいて、隣接するリード端子５０の間、および、リード端子５０と金属プレート６０との間には、溝部６１が形成される。
ただし、短軸方向において隣接するリード端子５０は、連結部により連結される。リード端子５０の長軸方向における当該連結部の幅は、リード端子５０の幅よりも小さい。例えば連結部の幅は、リード端子５０の幅の１０分の１程度であってよい。
また、当該連結部は、金属プレート６０の外枠に隣接するリード端子５０との間にも更に設けられる。それぞれの連結部は、それぞれのリード端子５０の長軸方向の中央よりも、リード端子５０のいずれかの短辺に偏った位置に設けられる。
また、金属プレート６０の外枠の各短辺には、隣接するリード端子５０と対向する位置に、当該リード端子５０に向かう方向に突出する突出部が形成される。金属プレート６０の一方の短辺に形成される突出部は、他方の短辺に形成される突出部よりも長い。また、それぞれのリード端子５０には、長軸方向において、長い突出部側に偏った位置に連結部が接続される。
次に、図９のように、上記各リード端子５０にＬＥＤチップ１０を実装し、上記リード端子５０とワイヤーボンディングを通じて電気的に連結する。
ＬＥＤチップ１０は、それぞれのリード端子５０の短辺のうち、連結部からの距離が大きい短辺側に実装される。また、金属プレート６０の短辺に形成される突出部のうち、長い突出部の端部にも、ＬＥＤチップ１０が実装される。それぞれのＬＥＤチップ１０は、実装されたリード端子５０とＬＥＤチップ１０の表面を接続する第１ワイヤーと、長軸方向に隣接するリード端子５０とＬＥＤチップ１０の表面を接続する第２ワイヤーとを有する。
第１ワイヤーは、当該リード端子５０において、連結部よりもＬＥＤチップ１０側の表面に接続される。第２ワイヤーは、隣接するリード端子５０において、連結部よりも当該ＬＥＤチップ１０側の表面に接続される。なお、突出部に実装されたＬＥＤチップ１０の第１ワイヤーは、当該突出部の表面に接続される。
次に、図１０のように、上記各リード端子５０の周囲に本体部２０を形成し、上記ＬＥＤチップ１０を介して互いに向かい合う反射部３０を上記本体部２０上に形成する。
このとき、上記本体部２０はパターニングされた上記各リード端子５０の周囲の溝６１に樹脂等をモールディングして形成するが、上記リード端子５０のＬＥＤチップ１０およびワイヤーが実装される領域における上部面と下部面が露出されるように形成する。
長軸方向において、複数のＬＥＤチップ１０に対する反射部３０が一体に形成される。反射部３０は金属プレート６０の長軸方向と略同一の長さを有してよい。
そして、上記本体部２０上に長軸方向の側面に沿って互いに向かい合う上記反射部材３０を複数形成する。
次に、図１１のように、上記ＬＥＤチップ１０と上記リード端子５０の上部面を封止するようにそれぞれの反射部３０の間にモールディング部４０を形成する。
それぞれのモールディング部４０は、上面が平面となるように形成される。モールディング部４０は、それぞれの反射部３０の間に樹脂等を射出することで形成してよい。
そして、図１２のように、各ＬＥＤチップ１０の位置に対応し、上記各ＬＥＤチップ１０の直上部に位置するように型部材Ｍをプレスして上記モールディング部４０の上部面４１に陥没した頂点Ｐを形成する。
具体的には、それぞれの反射部３０の間にモールディング部４０を形成する樹脂等を射出した後、当該樹脂が硬化する前に、型部材Ｍをモールディング部４０の上面に圧接させることで、モールディング部４０の上面部４１を形成してよい。型部材Ｍの底面には、図１から図７に関連して説明した上面部４１に対応する凹凸が形成される。型部材Ｍは、金属プレート６０の長軸方向に配列された複数のＬＥＤチップ１０に対して、一括して上面部４１を形成してよい。つまり、型部材Ｍは、複数の上面部４１に対応する凹凸が形成される。
また、複数のＬＥＤチップ１０に対応する複数の頂点Ｐの深さは、それぞれ異なっていてもよい。例えば、金属プレート６０の長軸方向に配列された複数の頂点Ｐの深さは同一であり、短軸方向に配列された複数の頂点Ｐの深さは異なっていてよい。
次に、図１３のようにカッティングラインＣに沿ってダイシングし、複数の発光素子パッケージを製造する。
金属プレート６０の長軸方向におけるカッティングラインＣは、それぞれの反射部３０を、短軸方向に２分割するラインであってよい。ただし、金属プレート６０の外枠に隣接する反射部３０には、カッティングラインＣが設けられない。金属プレート６０の短軸方向におけるカッティングラインＣは、図８において説明した連結部を、金属プレート６０の長軸方向に２分割するラインであってよい。
なお、図５に図示される発光パッケージ（１−１）を製造する場合には、図１３に図示されるような複数の発光パッケージを製造した後、反射部の上部面がモールディング部の上部面と対応する形状を有するように反射部の上部を除去する。つまり、反射部の、短軸方向に隣り合うモールディング部の上部面よりも高い部分を除去する。
また、図７に図示される発光パッケージ（１−３）を製造する場合には、図１３に図示されるような複数の発光パッケージを製造した後、反射部の上部面がモールディング部の上部面の凹んだ中央の頂点まで本体部の上部に延長されるように、反射部の上部を除去する。つまり、反射部の、モールディング部の上部面の凹んだ中央の頂点よりも高い部分を除去する。
また、図１３に示した複数のＬＥＤチップ１０のユニットをカッティングせずに、バックライト等に実装してもよい。例えば当該ユニットの光射出面を、バックライトの導光板の側面に対向して配置してよい。このとき、金属プレート６０の長軸方向が、導光板の長手方向と一致してよい。
また、金属プレート６０の短軸方向に配列される頂点Ｐの深さは、導光板の光射出面に近いほど浅く形成されてよい。つまり、導光板の光射出面に近いＬＥＤチップ１０ほど、指向角が広くてよい。また、導光板の光射出面に遠い（導光板の底面に近い）ＬＥＤチップ１０ほど、指向角が狭くてよい。
以上のように、本発明による発光素子パッケージは短軸方向の側面に反射部を具備せず長軸方向の指向角の大きさを向上させることができ、同時にＬＥＤチップを密封するモールディング部の上部面の中央が上記ＬＥＤチップに向かって所定の深さだけ陥没して長軸方向の側面に沿って対称を成す構造を有することによって、ＬＥＤチップから放出される光が、短軸方向の両側面により多く発光するようにすることができる。

Claims (12)

  1. ＬＥＤチップと、
    前記ＬＥＤチップを実装する本体部と、
    前記ＬＥＤチップを介し互いに向かい合うように前記本体部から延長されて夫々具備され、前記ＬＥＤチップから放出される光を反射させる一対の反射部と、
    前記ＬＥＤチップを封止するように前記一対の反射部の間に形成され、中央領域が凹んだ上部面を具備するモールディング部と、
    を含む発光素子パッケージ。
  2. 前記反射部は、前記本体部の短軸方向の側面より長さが長い長軸方向の側面の縁に沿って具備されることを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
  3. 前記モールディング部は、前記一対の反射部を垂直に横切る上部面の中心が前記本体部の両短軸方向の側面と平行に所定の深さだけ陥没し、前記短軸方向側面から前記中心に向かってなだらかな曲線を描く傾きで形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子パッケージ。
  4. 前記反射部は、その上部面が前記モールディング部の上部面と対応する形状を有することを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の発光素子パッケージ。
  5. 前記反射部は、その上部面が前記モールディング部の上部面の凹んだ中央の頂点まで前記本体部の上部に延長されて形成されることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の発光素子パッケージ。
  6. 前記反射部は、上部面が前記モールディング部の上部面の長軸方向の側面の両端まで前記本体部の上部に延長され形成されることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の発光素子パッケージ。
  7. 前記モールディング部は、前記ＬＥＤチップから放出される光の波長を変換する蛍光物質を含有することを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の発光素子パッケージ。
  8. 前記ＬＥＤチップから放出される光の波長を変換するように前記ＬＥＤチップを取り囲む蛍光層をさらに具備することを特徴とする請求項１から７の何れか１項に記載の発光素子パッケージ。
  9. 前記モールディング部は、前記ＬＥＤチップから放出される光を分散させる光分散剤をさらに含有することを特徴とする請求項１から８の何れか１項に記載の発光素子パッケージ。
  10. 金属プレートに複数のリード端子をパターニングして具備する段階と、
    前記リード端子の各々にＬＥＤチップを実装し、前記リード端子と電気的に連結する段階と、
    前記リード端子の各々の周囲に本体部を形成し、前記ＬＥＤチップを介し互いに向かい合う反射部を前記本体部上に形成する段階と、
    前記ＬＥＤチップと前記リード端子を封止するように前記反射部の間にモールディング部を形成する段階と、
    前記ＬＥＤチップの各々の位置に対応し前記モールディング部の上部面に凹んで陥没した頂点を形成する段階と、
    ダイシングする段階と、
    を含む発光素子パッケージの製造方法。
  11. 前記反射部を形成する段階は、パターニングされた前記リード端子の各々の周囲の溝に樹脂等をモールディングして形成される前記本体部上に、前記発光素子パッケージの長軸方向の側面に沿って反射部材を複数形成することを含む請求項１０に記載の発光素子パッケージの製造方法。
  12. 前記モールディング部の上部面に頂点を形成する段階は、前記頂点に対応する形状が加工された枠をプレスして形成することを含む請求項１０または１１に記載の発光素子パッケージの製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101763893B1 (ko) * 2015-06-03 2017-08-01 주식회사 굿엘이디 광원 유닛 및 이의 제조 방법
JP2017168819A (ja) * 2016-01-28 2017-09-21 マブン オプトロニックス カンパニー リミテッドＭａｖｅｎ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 非対称放射パターンを有する発光素子およびその製造方法
JP2022031318A (ja) * 2019-12-11 2022-02-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置を用いた面発光装置
US11664479B2 (en) 2020-12-17 2023-05-30 Nichia Corporation Light emitting device and planar light source

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013121800A1 (en) * 2012-02-16 2013-08-22 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode and lighting device including the same
KR102242660B1 (ko) * 2013-09-11 2021-04-21 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 소자 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 이의 제조 방법
KR101488454B1 (ko) * 2013-09-16 2015-01-30 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
EP3086029A1 (en) * 2015-04-22 2016-10-26 Lumens Co., Ltd. Light emitting device package, backlight unit, and method of manufacturing light emitting apparatus
KR102374529B1 (ko) * 2015-05-29 2022-03-17 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지와 그의 제조 방법, 이를 이용한 백라이트 유닛과 액정 표시 장치
KR101665102B1 (ko) 2015-06-10 2016-10-12 주식회사 레다즈 발광소자 패키지 및 그의 제조방법
US10008648B2 (en) 2015-10-08 2018-06-26 Semicon Light Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR102426861B1 (ko) * 2015-12-02 2022-07-29 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지
US10230030B2 (en) * 2016-01-28 2019-03-12 Maven Optronics Co., Ltd. Light emitting device with asymmetrical radiation pattern and manufacturing method of the same
KR102116988B1 (ko) * 2016-08-11 2020-06-01 삼성전자 주식회사 광원 모듈, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR101865786B1 (ko) * 2016-11-09 2018-06-11 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법
KR101863538B1 (ko) * 2017-04-19 2018-06-04 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법
KR101877241B1 (ko) * 2017-06-29 2018-07-11 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR20190074233A (ko) * 2017-12-19 2019-06-27 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 모듈
KR20200019514A (ko) * 2018-08-14 2020-02-24 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 발광 다이오드 패키지를 포함하는 디스플레이 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004039778A (ja) * 2002-07-02 2004-02-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明用発光素子
JP2008166462A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2008226928A (ja) * 2007-03-08 2008-09-25 Sharp Corp 発光装置およびその製造方法、ならびに照明装置
KR20090047306A (ko) * 2007-11-07 2009-05-12 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
WO2009093498A1 (ja) * 2008-01-22 2009-07-30 Alps Electric Co., Ltd. Ｌｅｄパッケージおよびその製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100586965B1 (ko) * 2004-05-27 2006-06-08 삼성전기주식회사 발광 다이오드 소자
KR100586968B1 (ko) * 2004-05-28 2006-06-08 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 이를 구비한 액정표시장치용 백라이트어셈블리
KR100576866B1 (ko) * 2004-06-16 2006-05-10 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 그 제조방법
US7352011B2 (en) 2004-11-15 2008-04-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wide emitting lens for LED useful for backlighting
KR100631901B1 (ko) * 2005-01-31 2006-10-11 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지 프레임 및 이를 채용하는 ｌｅｄ 패키지
DE102005061431B4 (de) * 2005-02-03 2020-01-02 Samsung Electronics Co., Ltd. LED-Einheit der Art Seitenausstrahlung
KR100691179B1 (ko) * 2005-06-01 2007-03-09 삼성전기주식회사 측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR100674871B1 (ko) * 2005-06-01 2007-01-30 삼성전기주식회사 측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
US8168989B2 (en) * 2005-09-20 2012-05-01 Renesas Electronics Corporation LED light source and method of manufacturing the same
KR20070055152A (ko) 2005-11-25 2007-05-30 서울반도체 주식회사 발광소자 및 이를 이용한 백라이트 유닛
KR100790741B1 (ko) * 2006-09-07 2008-01-02 삼성전기주식회사 엘이디 패키지용 렌즈의 제작 방법
JP2008135709A (ja) * 2006-10-31 2008-06-12 Sharp Corp 発光装置、画像表示装置、およびその製造方法
KR100930171B1 (ko) * 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
US8258526B2 (en) * 2008-07-03 2012-09-04 Samsung Led Co., Ltd. Light emitting diode package including a lead frame with a cavity
JP2013005709A (ja) * 2011-06-20 2013-01-07 Hiromichi Kinoshita バッテリー大型発電システム

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004039778A (ja) * 2002-07-02 2004-02-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明用発光素子
JP2008166462A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2008226928A (ja) * 2007-03-08 2008-09-25 Sharp Corp 発光装置およびその製造方法、ならびに照明装置
KR20090047306A (ko) * 2007-11-07 2009-05-12 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
WO2009093498A1 (ja) * 2008-01-22 2009-07-30 Alps Electric Co., Ltd. Ｌｅｄパッケージおよびその製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101763893B1 (ko) * 2015-06-03 2017-08-01 주식회사 굿엘이디 광원 유닛 및 이의 제조 방법
JP2017168819A (ja) * 2016-01-28 2017-09-21 マブン オプトロニックス カンパニー リミテッドＭａｖｅｎ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 非対称放射パターンを有する発光素子およびその製造方法
JP2022031318A (ja) * 2019-12-11 2022-02-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置を用いた面発光装置
JP7440780B2 (ja) 2019-12-11 2024-02-29 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置を用いた面発光装置
US11664479B2 (en) 2020-12-17 2023-05-30 Nichia Corporation Light emitting device and planar light source

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