DE102014202424A1

DE102014202424A1 - Optoelektronisches Bauelement mit einer reflektierenden Schichtenfolge und Verfahren zum Erzeugen einer reflektierenden Schichtenfolge

Info

Publication number: DE102014202424A1
Application number: DE102014202424.2A
Authority: DE
Inventors: Alexander Pfeuffer
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2014-02-11
Filing date: 2014-02-11
Publication date: 2015-08-13
Also published as: DE112015000745A5; WO2015121205A1; US20170012187A1; US9865784B2

Abstract

Es wird ein optoelektronisches Bauelement (10) mit einer ersten Schichtenfolge (30) und einer zweiten Schichtenfolge (32) beschrieben. Die erste Schichtenfolge (30) ist dazu eingerichtet, elektromagnetische Strahlung zu emittieren oder zu detektieren. Die zweite Schichtenfolge (32) ist an einer ersten Seite der ersten Schichtenfolge (30) angeordnet und ist dazu eingerichtet, die von der ersten Schichtenfolge (30) emittierte oder zu detektierende elektromagnetische Strahlung zu reflektieren. Die zweite Schichtenfolge (32) weist eine erste Reflektorschicht (38) eine zweite Reflektorschicht (40) und eine Haftvermittlungsschicht (42) auf. Die erste Reflektorschicht (38) enthält ein erstes Material und ist an einer der ersten Seite der ersten Schichtenfolge (30) zugewandten ersten Seite der zweiten Schichtenfolge (32) angeordnet. Die Haftvermittlungsschicht (42) enthält ein zweites Material und ist an einer von der ersten Seite der ersten Schichtenfolge (30) abgewandten zweiten Seite der zweiten Schichtenfolge (32) angeordnet. Die zweite Reflektorschicht (40) enthält das erste Material und ist zwischen der ersten Reflektorschicht (38) und der Haftvermittlungsschicht (42) angeordnet.

Description

Der hier beschriebene Gegenstand betrifft ein optoelektronisches Bauelement in dem eine reflektierende Schichtenfolge angeordnet ist, um emittierte oder zu detektierende elektromagnetische Strahlung zu reflektieren. Ferner wird ein Verfahren zum Erzeugen einer reflektierenden Schichtenfolge für ein optoelektronisches Bauelement beschrieben.
Optoelektronische Bauelemente enthalten häufig reflektierende Strukturen, um die Effizienz des optoelektronischen Bauelements zu steigern. Zum Beispiel kann elektromagnetische Strahlung, die von einer aktiven Schicht des Bauelements in Richtung eines opaken Trägers emittiert wird, durch die reflektierende Struktur in eine gewünschte Abstrahlrichtung des optoelektronischen Bauelements umgelenkt werden.
Um einen möglichst großen Anteil der elektromagnetischen Strahlung zu reflektieren, werden die reflektierenden Strukturen häufig aus Materialien geformt, die für den von dem optoelektronischen Bauelement emittierten oder zu detektierenden Wellenlängenbereich der elektromagnetischen Strahlung einen hohen Reflexionsgrad aufweisen. Dabei besteht allgemein das Problem, dass einige Materialien mit besonders guten reflektierenden Eigenschaften, wie zum Beispiel Silber oder Gold, das Halbleitermaterial des optoelektronischen Bauelements nur schlecht benetzen. Ferner können die reflektierenden Materialien nur eine geringe Haftung auf dem Halbleitermaterial aufweisen. Zwar kann durch Tempervorgänge die Haftung der reflektierenden Struktur an dem Halbleitermaterial des optoelektronischen Bauelements verbessert werden, allerdings können dadurch Materialfehler, wie zum Beispiel Löcher oder Risse, in der reflektierenden Struktur entstehen. Derartige Materialfehler – nachstehend vereinfacht als Löcher bezeichnet – können die Qualität und/oder die Funktion der reflektierenden Struktur beeinträchtigen. Dies gilt insbesondere für Löcher die die reflektierende Struktur in vertikaler Richtung – also parallel zur Aufwachsrichtung der Schichtenfolge – vollständig durchdringen.
Eine Aufgabe besteht somit darin, die Bildung von Löchern in der reflektierenden Struktur zu verhindern oder zumindest zu begrenzen. Insbesondere soll ein optoelektronisches Bauelement ohne die Funktion und/oder die Qualität beeinträchtigende Löcher in der reflektierenden Struktur bereitgestellt werden. Ferner soll ein Verfahren zum Erzeugen eines entsprechenden optoelektronischen Bauelements angegeben werden.
Vorgeschlagene Lösung
Zur Lösung dieser Aufgabe wird ein optoelektronisches Bauelement mit einer ersten Schichtenfolge und einer zweiten Schichtenfolge vorgeschlagen. Die erste Schichtenfolge ist dazu eingerichtet, elektromagnetische Strahlung zu emittieren oder zu detektieren. Die zweite Schichtenfolge ist an einer ersten Seite der ersten Schichtenfolge angeordnet und dazu eingerichtet, die von der ersten Schichtenfolge emittierte oder zu detektierende elektromagnetische Strahlung zu reflektieren. Die zweite Schichtenfolge weist eine erste Reflektorschicht, eine zweite Reflektorschicht und eine Haftvermittlungsschicht auf. Die erste Reflektorschicht enthält ein erstes Material und ist an einer der ersten Seite der ersten Schichtenfolge zugewandten ersten Seite der zweiten Schichtenfolge angeordnet. Die Haftvermittlungsschicht enthält ein zweites Material und ist an einer von der ersten Seite der ersten Schichtenfolge abgewandten zweiten Seite der zweiten Schichtenfolge angeordnet. Die zweite Reflektorschicht enthält das erste Material und ist zwischen der ersten Reflektorschicht und der Haftvermittlungsschicht angeordnet.
Das Vorsehen separater Reflektorschichten kann die Bildung von Löchern in der zweiten Schichtenfolge verhindern oder zumindest begrenzen. So konnte zum Beispiel beobachtet werden, dass die Löcherbildung häufig an der Grenzfläche zwischen den Reflektorschichten endet. Dies kann dadurch begründet werden, dass die Grenzfläche zwischen den Reflektorschichten eine Barriere für die sich durch die Reflektorschicht ausbreitenden Löcher darstellt. In einer einzelnen Reflektorschicht kann hingegen, auch wenn deren Schichtdicke im Wesentlichen der Summe der Schichtdicken der zwei separaten Reflektorschichten entspricht, die Löcherbildung in vertikaler Richtung im Wesentlichen ungehindert erfolgen.
Indem die Löcherbildung verhindert oder zumindest begrenzt wird, kann die Qualität der Reflektorschichten erhöht werden. Ein Aspekt einer höheren Qualität kann zum Beispiel in einer hohen Reflektivität bestehen. Ein weiterer Aspekt kann darin bestehen, dass die Reflektorschichten in Summe undurchlässig sind. Zum Beispiel können die in Summe undurchlässigen Reflektorschichten als Barriere für ein Strukturierungsverfahren dienen, das bei der Herstellung des Bauelements vorgesehene ist. So können die in Summe undurchlässigen Reflektorschichten zum Beispiel als Barriere für nasschemische Ätzvorgänge vorgesehen sein. Ein weiterer Aspekt kann in einer verbesserten elektrischen Querleitfähigkeit bestehen, die sich aus der begrenzten Löcherbildung ergibt.
Zur Lösung der Aufgabe wird ferner ein Verfahren zum Erzeugen einer Schichtenfolge eines optoelektronischen Bauelements vorgeschlagen. Die Schichtenfolge weist eine ein erstes Material enthaltende erste Reflektorschicht, eine das erste Material enthaltende zweite Reflektorschicht und eine ein zweites Material enthaltende Haftvermittlungsschicht auf. Bei dem Verfahren zum Erzeugen der Schichtenfolge wird zwischen dem Aufbringen des ersten Materials für die erste Reflektorschicht und dem Aufbringen des ersten Materials für die zweite Reflektorschicht zumindest in einer der Reflektorschichten ein horizontaler Korngrenzenbereich erzeugt.
Der horizontale Korngrenzenbereich kann zum Beispiel durch eine Wachstumspause beim Erzeugen der Reflektorschichten, durch einen Materialabtrag währen der Erzeugung der Reflektorschichten und/oder durch das Einbringen einer Zwischenschicht erzeugt werden. Der erzeugte horizontale Korngrenzenbereich bildet eine Barriere innerhalb der Reflektorschichten und wirkt somit der Löcherbildung entgegen. Entsprechend kann durch die genannten Maßnahmen die Qualität der Reflektorschichten erhöht werden.
Weitere Ausgestaltungen
Die zweite Schichtenfolge kann eine dritte Reflektorschicht aufweisen. Durch das Vorsehen von drei separaten Reflektorschichten kann die Löcherbildung durch eine weitere Grenzfläche zwischen den Reflektorschichten behindert werden.
Die dritte Reflektorschicht kann das erste Material enthalten. Die erste, zweite und dritte Reflektorschicht können im Wesentlichen die gleiche Schichtdicke aufweisen. Die Gesamtschichtdicke der Reflektorschichten der zweiten Schichtenfolge kann weniger als 500 nm betragen. Zum Beispiel kann die Gesamtschichtdicke der Reflektorschichten zwischen 400 nm und 200 nm betragen. Ferner können die erste, die zweite sowie die optionale dritte Reflektorschicht im Wesentlichen aus dem gleichen Material gebildet sein. Zum Beispiel können die Reflektorschichten mindestens 80% des ersten Materials enthalten. In einigen Ausführungsbeispielen können die Reflektorschichten mindestens 95% des ersten Materials enthalten. Das erste Material kann zum Beispiel Silber, Gold, Aluminium, Rhodium oder eine diese Materialien enthaltende Verbindung umfassen.
Die Haftvermittlungsschicht kann dazu eingerichtet sein, die Haftung der Reflektorschicht auf einem Halbleitermaterial der ersten Schichtenfolge zu erhöhen. Das zweite Material kann zum Beispiel Zinkoxid, Platin, Nickel, Titan, Indiumzinnoxid oder eine diese Materialien enthaltende Verbindung umfassen. Insbesondere wenn das erste Material Gold oder Silber umfasst, kann das zweite Material auch Aluminium oder Rhodium umfassen. Die Haftvermittlungsschicht kann direkt an einer der Reflektorschichten angeordnet sein.
Die Schichtdicke der Haftvermittlungsschicht kann zwischen 5 nm und 100 nm betragen. In einigen Ausführungsbeispielen kann die Schichtdicke der Haftvermittlungsschicht zwischen 20 nm und 70 nm betragen. Ferner kann die Schichtdicke der Haftvermittlungsschicht zwischen 40 nm und 60 nm betragen.
Die Haftvermittlungsschicht kann eine Diffusionsbarriere bilden. Dies kann zum Beispiel dann der Fall sein, wenn das zweite Material neben den haftvermittelnden Eigenschaften auch eine Diffusion von Material in die reflektierenden Schichten verhindert. Eine als Diffusionsbarriere wirkende Haftvermittlungsschicht kann durchgehend geformt sein. Zum Beispiel kann die Haftvermittlungsschicht durchgehend zwischen der Reflektorschicht und einer weiteren Schicht des optoelektronischen Bauelements angeordnet sein. Bei einigen Ausführungsbeispielen kann die weitere Schicht zum Beispiel zur elektrischen Kontaktierung einer der Schichten der ersten Schichtenfolge vorgesehen sein. Es können vertikal in dem Bauelement angeordnete elektrisch leitfähige Strukturen vorgesehen sein, die dazu eingerichtet sind, die weitere Schicht und eine Halbleiterschicht der ersten Schichtenfolge elektrisch leitend zu verbinden. Die Haftvermittlungsschicht kann so angeordnet sein, dass zwischen der Reflektorschicht und der weiteren Schicht und/oder den vertikalen elektrisch leitenden Strukturen kein direkter Kontakt besteht. Entsprechend kann die Haftvermittlungsschicht die Seitenflanken und/oder Teile der Seitenflanken der zumindest zwei Reflektorschichten durchgehend bedecken.
In einem Ausführungsbeispiel ist Zinkoxid als Material für die Haftvermittlungsschicht vorgesehen. Eine aus Zinkoxid geformte Haftvermittlungsschicht kann eine Diffusion von Material von der weiteren Schicht durch die Haftvermittlungsschicht in die Reflektorschichten verhindern. Entsprechend kann eine aus Zinkoxid gebildete Haftvermittlungsschicht eine Diffusionsbarriere bilden.
Die zweite Schichtenfolge kann eine zwischen den Reflektorschichten angeordnete Zwischenschicht aufweisen. Im Vergleich zur Reflektorschicht kann die Zwischenschicht relativ dünn sein. Zum Beispiel kann die Schichtdicke der Zwischenschicht maximal 10% der Schichtdicke einer der Reflektorschichten betragen. So kann die Zwischenschicht eine Schichtdicke kleiner oder gleich 10 nm aufweisen. Ferner kann die Zwischenschicht eine Schichtdicke kleiner oder gleich 5 nm aufweisen. Bei einigen Ausführungsbeispielen kann die Zwischenschicht eine Schichtdicke von 3 nm aufweisen. Die Zwischenschicht kann eine durchgängige Struktur oder eine Struktur mit lokalen Öffnungen sein. Als durchgängige Struktur kann zum Beispiel eine Schicht bezeichnet werden, die eine Reflektorschicht vollständig bedeckt. Als Struktur mit lokalen Öffnungen kann zum Beispiel eine Schicht bezeichnet werden, bei der die Zwischenschicht, zum Beispiel wegen der geringen Schichtdicke, die Reflektorschicht nicht vollständig bedeckt. Die Struktur mit lokalen Öffnungen kann zum Beispiel verteilt angeordnete Materialanhäufungen aufweisen. Ferner kann die Zwischenschicht zwischen die Reflektorschichten interkaliert werden.
Die Zwischenschicht kann das zweite Material und/oder ein drittes Material enthalten. Das dritte Material kann zum Beispiel aus der gleichen Materialgruppe wie das zweite Material ausgewählt werden. Somit kann das dritte Material zum Beispiel Zinkoxid, Platin, Nickel, Titan, Indiumzinnoxid, Rhodium, Chrom oder eine diese Materialien enthaltende Verbindung umfassen. Die Zwischenschicht kann elektrisch leitend sein. Zum Beispiel kann die Zwischenschicht ein dotiertes Halbleitermaterial enthalten. In einem Ausführungsbeispiel kann dotiertes Zinkoxid als Material für die Zwischenschicht vorgesehen sein. Zum Beispiel kann die elektrische Leitfähigkeit von Zinkoxid durch eine Dotierung mit Aluminium oder Gallium erhöht werden.
Die Reflektorschichten können jeweils horizontale Korngrenzenbereiche aufweisen.
Kurze Beschreibung der Figuren
Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele anhand der Figuren näher erläutert. Die gleichen Bezugszeichen werden für gleichartige oder gleich wirkende Elemente bzw. Eigenschaften in allen Figuren verwendet. Die Figuren sind nicht maßstabsgetreu.
Es zeigen:
1 eine schematische Darstellung eines Querschnitts eines optoelektronischen Bauelements;
2 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch Schichtenfolgen gemäß eines ersten Ausführungsbeispiels;
2a eine schematische Darstellung eines vergrößerten Ausschnitts der 2;
3 eine schematische Darstellungen eines Querschnitts durch Schichtenfolgen gemäß eines zweiten Ausführungsbeispiels;
4 eine schematische Darstellungen eines Querschnitts durch Schichtenfolgen gemäß eines dritten Ausführungsbeispiels;
5 eine schematische Darstellungen eines Querschnitts durch Schichtenfolgen gemäß eines vierten Ausführungsbeispiels;
6 eine schematische Darstellungen eines Querschnitts durch Schichtenfolgen gemäß eines fünften Ausführungsbeispiels.
Detaillierte Beschreibung von Ausführungsbeispielen
Der Begriff „optoelektronisches Bauelement“ kann zum Beispiel Bauelemente umfassen, die dazu eingerichtet sind, elektromagnetische Strahlung zu emittieren und/oder elektromagnetische Strahlung zu detektieren. Nachfolgend wird die vorgeschlagene Lösung am Beispiel einer Licht emittierenden Diode (LED) erläutert, wobei die für eine LED erläuterten Merkmale auch bei anderen optoelektronischen Bauelementen vorgesehen sein können.
Die 1 zeigt eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch ein erstes Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 10. Die Darstellung der 1 ist insbesondere zur schematischen Veranschaulichung vorgesehen.
Das in 1 dargestellte Bauelement kann zum Beispiel eine LED sein. Das Bauelement 10 umfasst einen Chip 12, einen ersten Anschlusskontakt 14 und einen zweiten Anschlusskontakt 16. Der erste und der zweite Anschlusskontakt 14, 16 sind dazu eingerichtet, das Bauelement 10 mechanisch und elektrisch mit anderen Bauelementen, wie zum Beispiel einer Leiterplatte, zu verbinden. Der Chip 12 ist mit einer seiner Seitenflächen auf dem ersten Anschlusskontakt 14 angeordnet und über eine Bondverbindung 18 elektrisch leitend mit dem zweiten Anschlusskontakt 16 verbunden. Ferner umfasst das Bauelement 10 ein Strukturelement 19. Das Strukturelement 19 kann zum Beispiel aus einem elektrisch isolierenden Kunststoff geformt sein. Das Strukturelement 19 ist dazu eingerichtet, die Elemente des Bauelements 10, wie zum Beispiel den ersten und den zweiten Anschlusskontakt 14, 16 mechanisch zu verbinden. Ferner umfasst das Bauelement 10 ein Auskoppelelement 20. Das Auskoppelelement 20 ist dazu eingerichtet, die von dem Bauelement 10 emittierte elektromagnetische Strahlung auszukoppeln. Bei dem in 1 dargestellten Ausführungsbeispiel ist ein linsenförmiges Auskoppelelement 20 vorgesehen.
Der in 1 dargestellte Chip 12 umfasst eine erste Schichtenfolge 30, eine zweite Schichtenfolge 32 und einen Träger 44. Der Träger 44 kann zum Beispiel mittels einer Lotschicht auf dem ersten Anschlusskontakt 14 des Bauelements aufgebracht sein. Die zweite Schichtenfolge 32 ist auf der vom ersten Anschlusskontakt 14 abgewandten Seite des Trägers 44 angeordnet. Auf der vom Träger 44 abgewandten Seite der zweiten Schichtenfolge 32 ist die erste Schichtenfolge 30 angeordnet. Als Material für den Träger 44 können zum Beispiel Halbleitermaterialien vorgesehen sein. Der Chip 12 kann eine Vielzahl weiterer Schichten oder Strukturen enthalten. Um das Verständnis zu erleichtern, sind diese in der schematischen Darstellung der 1 nicht dargestellt.
Weitere Merkmale der ersten und der zweiten Schichtenfolge 30, 32 werden in Verbindung mit 2 erläutert. Die 2 ist eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch die erste und die zweite Schichtenfolge 30, 32. Die in 2 vereinfacht als vertikal gestapelte planare Strukturen dargestellten Schichten der ersten und der zweiten Schichtenfolge 30, 32 können bei realen Bauelementen wesentlich komplexere Formen aufweisen. Zum Beispiel können in der Schichtenfolge vertikal angeordnete elektrisch leitende Strukturen sowie dazugehörige elektrisch isolierende Strukturen angeordnet sein, die dazu vorgesehen sind, beabstandet angeordnete Schichten elektrisch leitend zu verbinden.
Die erste Schichtenfolge 30 umfasst zumindest zwei Schichten. Bei dem in 2 dargestellten Ausführungsbeispiel ist eine n-dotierte Halbleiterschicht 34 und eine p-dotierte Halbleiterschicht 36 vorgesehen. Dabei bildet die n-dotierte Halbleiterschicht 34 die Oberfläche der ersten Schichtenfolge 30 und somit des in 1 dargestellten Chips 12. Die p-dotierte Halbleiterschicht 36 ist in der Schichtenfolge unter der n-dotierten Halbleiterschicht 34 angeordnet. Die n-dotierte Halbleiterschicht 34 und die p-dotierte Halbleiterschicht 36 können zum Beispiel aus III-V Halbleitermaterialien gebildet sein. Es kann ein nitridisches Verbindungshalbleitermaterial wie zum Beispiel Galliumnitrid vorgesehen sein. Neben nitridischen Verbindungshalbleitermaterial kann ferner auch ein Verbindungshalbleitermaterial auf InGaAlPoder Galliumarsenid-Basis vorgesehen sein.
Die erste Schichtenfolge 30 ist dazu eingerichtet, elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Die von der ersten Schichtenfolge 30 emittierte elektromagnetische Strahlung soll im Wesentlichen über die Oberfläche der ersten Schichtenfolge 30, also der Oberfläche der n-dotierten Halbleiterschicht 34 abgestrahlt werden. Die erste Schichtenfolge 30 wird zur zweiten Schichtenfolge 32 hin durch die erste Seite der ersten Schichtenfolge 30 begrenzt. In der Darstellung der 2 bildet die Unterseite der p-dotierten Halbleiterschicht 36 die erste Seite der ersten Schichtenfolge 30.
An der ersten Seite der ersten Schichtenfolge 30 ist die zweite Schichtenfolge 32 angeordnet. Die zweite Schichtenfolge 32 kann, so wie zum Beispiel in 2 dargestellt, direkt an der p-dotierten Halbleiterschicht 36 angeordnet sein. Die zweite Schichtenfolge 32 umfasst eine erste Reflektorschicht 38, eine zweite Reflektorschicht 40 und eine Haftvermittlungsschicht 42. Die erste Reflektorschicht 38 ist direkt an der ersten Seite der ersten Schichtenfolge 30 angeordnet. In der Darstellung der 2 bildet die Oberseite der ersten Reflektorschicht 38 die erste Seite der zweiten Schichtenfolge 32. Bei der Darstellung der 2 ist die zweite Reflektorschicht 40 unter der ersten Reflektorschicht 38 angeordnet. Die erste und die zweite Reflektorschicht 38, 40 enthalten jeweils ein erstes Material. Enthalten jeweils ein erstes Material kann dabei bedeuten, dass zum Beispiel der Gewichtsanteil des ersten Materials an der ersten und zweiten Reflektorschicht 38, 40 jeweils mehr als 80 % beträgt. Ferner können die erste und die zweite Reflektorschicht 38, 40 im Wesentlichen aus dem gleichen Material gebildet sein. Im Wesentlichen aus dem gleichen Material gebildet kann zum Beispiel bedeuten, dass der Gewichtsanteil des ersten Materials an der ersten und zweiten Reflektorschicht 38, 40 jeweils mehr als 95% beträgt. In einigen Ausführungsbeispielen können die erste und die zweite Reflektorschicht 38, 40 vollständig aus dem gleichen Material gebildet sein. Das erste Material kann zum Beispiel Silber, Gold, Aluminium, Rhodium oder eine diese Materialien enthaltende Verbindung umfassen.
Auch wenn die erste und die zweite Reflektorschicht 38, 40 direkt aneinander angrenzen und im Wesentlichen das gleiche Material enthalten, so handelt es sich bei der ersten und der zweiten Reflektorschicht 38, 40 um voneinander getrennte Schichten. Anhaltspunkte dafür, dass es sich um separate Schichten handelt, sind zum Beispiel die jeweils an der Grenzfläche zwischen den Reflektorschichten 38, 40 angeordneten horizontalen Korngrenzenbereiche 38a, 40a. So weist die erste Reflektorschicht 38 an ihrer der zweiten Reflektorschicht 40 zugewandten Seite einen horizontalen Korngrenzenbereich 38a auf. Die zweite Reflektorschicht 40 weist eine an ihrer der ersten Reflektorschicht 38 zugewandten Seite einen horizontalen Korngrenzenbereich 40a auf.
In den horizontalen Korngrenzenbereichen 38a, 40a bilden die ansonsten im Wesentlichen ungeordnet erscheinenden Kornstrukturen 46 des ersten Materials die erkennbare übergeordnete Struktur der Grenzfläche 48. Dies ist in dem Ausschnitt der 2a schematisch dargestellt. Die Grenzfläche 48 der Reflektorschicht setzt sich aus den im Wesentlichen horizontal verlaufenden Abschnitten der Korngrenzen der jeweiligen Körner zusammen. So wie zum Beispiel in 2a dargestellt, müssen diese Abschnitte nicht exakt horizontal verlaufen. Entsprechend kann auch die Grenzfläche 48 Unregelmäßigkeiten und Abweichungen von einer ebenen Form aufweisen.
Auf der von der ersten Schichtenfolge 30 abgewandten Seite der zweiten Schichtenfolge 32 ist eine Haftvermittlungsschicht 42 angeordnet. Die Haftvermittlungsschicht 42 enthält ein zweites Material. Das zweite Material kann zum Beispiel Zinkoxid, Platin, Nickel, Titan, Indiumzinnoxid oder eine diese Materialien enthaltende Verbindung umfassen. Sofern die Reflektorschichten Silber oder Gold enthalten, kann das zweite Material auch Aluminium oder Rhodium umfassen. Enthält ein zweites Material kann zum Beispiel bedeuten, dass der Gewichtsanteil des zweiten Materials in der Haftvermittlungsschicht 42 mehr als 80 % beträgt. Die Haftvermittlungsschicht 42 ist vorgesehen, um die Qualität der Reflektorschichten zu erhöhen. Die Eigenschaften des Materials der Haftvermittlungsschicht 42 können die Eigenschaften des Materials der Reflektorschichten 38, 40 dahingehend beeinflussen, dass die Schichtqualität der direkt an dem Halbleitermaterial der ersten Schichtenfolge 30 angeordneten Reflektorschicht 38 erhöht wird. Die Haftvermittlungsschicht 42 ist dazu eingerichtet, die Haftung der ersten und/oder der zweiten Reflektorschicht 38, 40 auf dem Halbleitermaterial der ersten Schichtenfolge 30 zu erhöhen. Für die Verbesserung der Schichtqualität der Reflektorschichten 38, 40 ist es nicht erforderlich, dass das zweite Material zwischen dem Halbleitermaterial der ersten Schichtenfolge und den Reflektorschichten angeordnet ist. Vielmehr kann beobachtet werden, dass eine an der von der ersten Seite der ersten Schichtenfolge 30 abgewandten Seite der zweiten Schichtenfolge 32 angeordnete Haftvermittlungsschicht 42 die Schichtqualität der Reflektorschichten erhöht.
Zudem kann die Haftvermittlungsschicht 42 dazu eingerichtet sein, eine Diffusionsbarriere zu bilden. Eine als Diffusionsbarriere wirkende Haftvermittlungsschicht kann zum Beispiel vorgesehen sein, um Diffusion in die Halbleiterschichten der ersten Schichtenfolge 30 und/oder in die Reflektorschichten 38, 40 zu verhindern oder zumindest zu begrenzen. Eine als Diffusionsbarriere vorgesehene Haftvermittlungsschicht 42 kann die angrenzenden Reflektorschichten vollständig bedecken. Insbesondere wenn die Reflektorschichten sich nicht über die gesamte Grundfläche erstrecken, also wenn die Reflektorschichten strukturiert sind, kann die Haftvermittlungsschicht 42 auch die Seitenflächen der Reflektorschichten bedecken. Zum Beispiel kann eine als Diffusionsbarriere vorgesehene Haftvermittlungsschicht 42 dazu eingerichtet sein, die Reflektorschichten 38, 40 von elektrisch leitenden Strukturen, die sich vertikal durch die erste und zweite Reflektorschicht 38, 40 erstrecken, zu trennen.
Die erste und zweite Reflektorschicht 38, 40 können in Summe eine Schichtdicke von weniger als 500 nm aufweisen. Zum Beispiel kann die Summe der Schichtdicken der Reflektorschichten 200 nm bis 400 nm betragen. Ferner können die erste und die zweite Reflektorschicht 38, 40 im Wesentlichen die gleiche Schichtdicke aufweisen. Zum Beispiel können die erste und die zweite Reflektorschicht 38, 40 jeweils Silberschichten mit einer Schichtdicke von ungefähr 150 nm sein. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispielen kann die Haftvermittlungsschicht 42 eine Zinkoxidschicht mit einer Schichtdicke von ungefähr 50 nm sein. Allgemein kann die Schichtdicke der Haftvermittlungsschicht 42 in einem Bereich von 5 nm bis 100 nm liegen. In weiteren Ausführungsbeispielen kann die Schichtdicke der Haftvermittlungsschicht 42 in einem Bereich von 20 nm bis 70 nm liegen.
Beim Erzeugen der zweiten Schichtenfolge kann zwischen dem Aufbringen der ersten Reflektorschicht 38 und dem Aufbringen der zweiten Reflektorschicht 40 eine Wachstumspause und/oder ein Abtrag von bereits aufgebrachtem Material der Reflektorschicht vorgesehen sein. Während der Wachstumspause und/oder durch den Materialabtrag können sich in der Reflektorschicht horizontale Korngrenzen bilden oder das Material wird bis zu einer bereits ausgebildeten Korngrenze abgetragen. Wird nach der Wachstumspause oder nach dem Materialabtrag das Material für die nächste Reflektorschicht aufgebracht, lagert sich das aufgebrachte Material an den bereits bestehenden Korngrenzen der bereits aufgebrachten Reflektorschicht an. Entsprechend bildet sich auch in dieser Reflektorschicht ein horizontaler Korngrenzenbereich.
Das erste Material für die erste Reflektorschicht 38 kann zum Beispiel mit Sputtern oder Aufdampfen direkt auf eine Schicht der ersten Schichtenfolge aufgebracht werden. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel werden ungefähr 150 nm Silber mittels Sputtern direkt auf die p-dotierte Halbleiterschicht 36 aufgebracht. Nachdem die erste Reflektorschicht 38 mit der gewünschten Schichtstärke aufgebracht wurde, ist eine Wachstumspause vorgesehen. Für die Wachstumspause kann zum Beispiel der Sputtervorgang für ein bestimmtes Zeitintervall unterbrochen werden. Zum Beispiel kann eine Wachstumspause von mindestens 10 Sekunden vorgesehen sein, während der kein Material aufgebracht wird. Nach der Wachstumspause wird dann der Sputtervorgang für die zweite Reflektorschicht 40 fortgesetzt. Für das Aufbringen der zweiten Reflektorschicht 40 können die gleichen Parameter oder ähnliche Parameter wie für das Aufbringen der ersten Reflektorschicht 38 vorgesehen sein. Die erste und die zweite Reflektorschicht 38, 40 können in der gleichen Anlage aufgebracht werden. Das herzustellende Bauelement kann während der Wachstumspause in der Anlage verbleiben.
Ein zum Erzeugen der horizontalen Korngrenzenbereiche vorgesehener Materialabtrag kann zum Beispiel durch Rücksputtern erfolgen. Das Rücksputtern kann in der gleichen Anlage wie das Sputtern erfolgen, dabei werden die Elektroden der Anlage umgepolt. Zum Beispiel kann eine Silberschicht für die erste Reflektorschicht 38 mit einer Schichtstärke von ungefähr 160 nm direkt auf die p-dotierte Halbleiterschicht 36 aufgebracht werden. Dann wird die Sputteranlage umgepolt und 10 nm der aufgebrachten ersten Reflektorschicht 38 werden wieder abgetragen. Nach dem Rücksputtern weist die erste Reflektorschicht 38 eine Schichtdicke von ungefähr 150 nm auf. Nachdem die für die erste Reflektorschicht 38 vorgesehene Schichtstärke erreicht wurde, können die Elektroden der Anlage erneut umgepolt werden. Zusätzlich zum Umpolen der Elektroden kann eine Wachstumspause vorgesehen sein. Anschließend kann das erste Material für die zweite Reflektorschicht 40 aufgebracht werden.
Nach dem Aufbringen der zweiten Reflektorschicht 40 wird das zweite Material für die Haftvermittlungsschicht 42 aufgebracht. Das zweite Material kann zum Beispiel durch Sputtern oder Aufdampfen auf die zweite Reflektorschicht 40 aufgebracht werden. Vor dem Aufbringen der Haftvermittlungsschicht 42 kann eine Strukturierung der Reflektorschichten 38, 40 vorgesehen sein.
Nach dem Aufbringen der Haftvermittlungsschicht 42 kann eine Temperaturbehandlung vorgesehen sein. Zum Beispiel können die Schichtenfolgen getempert werden. Für das Tempern können die Schichtenfolgen für 1 Stunde bei Temperaturen zwischen 200°C und 300°C gelagert werden. Nach dem Tempern können weitere Bearbeitungsschritte für die Herstellung des optoelektronischen Bauelements vorgesehen sein. Zum Beispiel können nasschemische Strukturierungsverfahren zur Strukturierung der ersten Schichtenfolge vorgesehen sein, bei denen die Reflektorschichten 38, 40 als Barriere dienen.
3 ist eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch eine erste und zweite Schichtenfolge 30, 52 gemäß eines zweiten Ausführungsbeispiels. Der Gegenstand des zweiten Ausführungsbeispiels basiert auf dem Gegenstand des ersten Ausführungsbeispiels, wobei zusätzlich zwischen der ersten Reflektorschicht 58 und der zweiten Reflektorschicht 60 eine Zwischenschicht 64 angeordnet ist. Die Zwischenschicht 64 kann zum Beispiel dazu vorgesehen sein, um ein Zurückbilden der horizontalen Korngrenzenbereiche 58a, 60a der ersten und der zweiten Reflektorschicht 58, 60 während nachfolgenden Temperaturbehandlungen zu verhindern. Die Materialien und die Schichtdicken der in 3 dargestellten Reflektorschichten 58, 60 und der Haftvermittlungsschicht 42 können im Wesentlichen den in Verbindung mit dem vorhergehenden Ausführungsbeispiel erläuterten Materialien und Schichtdicken entsprechen.
Die Zwischenschicht 64 kann eine relativ dünne Schicht sein. Zum Beispiel kann die Schichtdicke der Zwischenschicht maximal 10% der Schichtdicke einer der Reflektorschichten betragen. Die Schichtdicke der Zwischenschicht 64 kann kleiner oder gleich 10 nm sein. Ferner kann die Schichtdicke der Zwischenschicht 64 kleiner oder gleich 5 nm sein. Bei einigen Ausführungsbeispielen kann die Schichtdicke der Zwischenschicht 64 zum Beispiel 3 nm sein.
Die Zwischenschicht 64 kann eine durchgehende Fläche oder eine Fläche mit lokalen Öffnungen bilden. Während eine durchgehende Fläche die Reflektorschicht vollständig bedeckt, die Schicht also geschlossen ist, bedeckt eine Fläche mit lokalen Öffnungen die Reflektorschicht nicht vollständig. Zum Beispiel kann sich das Material der Zwischenschicht beim Erzeugen geringer Schichtdicken derart anordnen, dass sich die Zwischenschicht 64 nicht durchgängig ausbildet. Dazu kann zum Beispiel das Aufbringen des Materials der Zwischenschicht beendet werden, bevor sich die Zwischenschicht durchgehend ausbilden kann. Dies kann zum Beispiel bei Schichtdicken auftreten, die kleiner als 5 nm sind. Dabei kann sich das Material als Vielzahl voneinander getrennter Materialanhäufungen anordnen. Die Materialanhäufungen können zumindest zum Teil miteinander verbunden sein. Das Material der Zwischenschicht kann zufällig verteilt angeordnet sein. Ferner kann das Material der Zwischenschicht zwischen die Reflektorschichten interkaliert sein.
Die Zwischenschicht 64 kann das zweiten Material und/oder ein drittes Material umfassen. Das dritte Material kann zum Beispiel ein transparentes, elektrisch leitfähiges Oxid oder ein dielektrisches Material sein. Ein transparentes, elektrisch leitfähiges Oxid kann zum Beispiel dann vorgesehen sein, wenn die Zwischenschicht eine durchgehende Fläche bildet. Ein dielektrisches Material kann zum Beispiel dann vorgesehen sein, wenn die Zwischenschicht eine Fläche mit lokalen Öffnungen ist. Ferner kann das dritte Material zum Beispiel aus einer ähnlichen Gruppe ausgewählt werden wie das zweite Material. Entsprechend kann das dritte Material Zinkoxid, Platin, Nickel, Titan, Indiumzinnoxid, Rhodium, Chrom oder eine diese Materialien enthaltende Verbindung umfassen. Die Zwischenschicht 64 kann durch Verfahren der physikalischen Gasphasenabscheidung, wie zum Beispiel Sputtern oder Aufdampfen, oder durch chemische Gasphasenabscheidung aufgebracht werden. Ferner kann zum Erzeugen der Zwischenschicht 64 während einer Wachstumspause zum Beispiel Sauerstoff in die Anlage eingebracht werden. Dadurch kann sich an der Oberfläche der Reflektorschicht eine Oxidschicht des ersten Materials bilden. Dementsprechend kann das dritte Material auch ein Oxid des ersten Materials sein.
Bei der in 3 dargestellten zweiten Schichtenfolge 52 können die erste und die zweite Reflektorschicht 58, 60 jeweils Silberschichten sein. Für Anwendung im infraroten Wellenlängenbereich können zum Beispiel auch Goldschichten vorgesehen sein. Die Reflektorschichten 58, 60 können in Summe eine Dicke von weniger als 500 nm aufweisen. Die Zwischenschicht 64 kann eine dotierte Zinkoxidschicht mit einer Schichtdicke kleiner oder gleich 10 nm sein. Der Dotierstoff für die Zinkoxidschicht kann so gewählt werden, dass die dotierte Zinkoxidschicht elektrisch leitend ist. Zum Beispiel kann die Zinkoxidschicht mit Gallium oder Aluminium dotiert werden. Die dargestellte Haftvermittlungsschicht 42 kann eine undotierte Zinkoxidschicht mit einer Schichtdicke kleiner oder gleich 20 nm sein. Es konnte beobachtet werden, dass bei Ausführungsbeispielen mit einer Zwischenschicht die zum Erreichen einer gewünschten Schichtqualität der Reflektorschichten erforderliche Schichtdicke der Haftvermittlungsschicht geringer sein kann als bei Ausführungsbeispielen ohne Zwischenschicht. Ferner konnte beobachtet werden, dass durch das Einbringen einer Zwischenschicht die Schichtdicke der Schichtenfolge insgesamt reduziert werden kann. Zum Beispiel kann die Summe der Schichtdicken der Zwischenschicht 64 und der Haftvermittlungsschicht 42 kleiner oder gleich 20 nm sein.
Falls bei einem optoelektronischen Bauelement 10 die Reflektorschichten 38, 40 zusätzlich auch zur elektrischen Kontaktierung einer der Halbleiterschichten 34, 36 vorgesehen sind, ist es in der Regel wünschenswert, dass die elektrische Leitfähigkeit der Reflektorschichten durch eine Zwischenschicht nicht beeinträchtigt wird. Ergänzend oder alternativ zur Dotierung eines halbleitenden Materials kann, um die elektrisch Leitfähigkeit der Zwischenschicht zu steigern, die Zwischenschicht besonders dünn aufgebracht werden. Zum Beispiel konnte bei Zwischenschichten mit einer Schichtdicken von weniger als 5 nm beobachtet werden, dass die Zwischenschicht, trotz der Verwendung eines Materials mit geringer elektrischer Leitfähigkeit, die elektrische Leitfähigkeit zwischen der ersten und zweiten Reflektorschicht nicht oder nicht erheblich beeinträchtigt wird. Auf eine zusätzliche Dotierung des Materials der Zwischenschicht kann daher verzichtet werden.
4 ist eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch eine erste und zweite Schichtenfolge 30, 72 gemäß eines dritten Ausführungsbeispiels. Der Gegenstand des dritten Ausführungsbeispiels basiert auf dem Gegenstand des ersten Ausführungsbeispiels, wobei zusätzlich eine dritte Reflektorschicht 82 vorgesehen ist. Die dritte Reflektorschicht 82 ist zwischen der zweiten Reflektorschicht 80 und der Haftvermittlungsschicht 42 angeordnet. An den Grenzflächen zwischen der ersten und zweiten Reflektorschicht 78, 80 sind die horizontalen Korngrenzenbereiche 78a, 80a angeordnet. An den Grenzflächen zwischen der zweiten und dritten Reflektorschicht 80, 82 sind horizontalen Korngrenzenbereiche 80b, 82b angeordnet. Diese Korngrenzenbereiche können im Wesentlichen den in Verbindung mit den 2 und 2a beschriebenen Korngrenzenbereichen entsprechen.
Die erste, zweite und dritte Reflektorschicht 78, 80, 82 können in Summe eine Schichtdicke von weniger als 500 nm aufweisen. Die Summe der Schichtdicken der Reflektorschichten des dritten Ausführungsbeispiels kann im Wesentlichen der Summe der Schichtdicken der Reflektorschichten des ersten und zweiten Ausführungsbeispiels entsprechen. Entsprechend können die in Verbindung mit dem dritten Ausführungsbeispiel erläuterten Reflektorschichten dünner sein, als die in Verbindung mit dem ersten und zweiten Ausführungsbeispiel erläuterten Reflektorschichten. Ferner konnte beobachtet werden, dass bei ansonsten vergleichbaren Parametern dünnere Reflektorschichten nach einem Tempervorgang weniger Löcher aufweisen als dickere Reflektorschichten. Zum Beispiel konnte beobachtet werden, dass eine 150 nm dicke Reflektorschicht weniger Löcher als eine 300 nm dicke Reflektorschicht aufweist. Daher wird vermutet, dass das Entnetzen der Reflektorschichten abhängig von den Schichtdicken der Reflektorschichten ist.
Als Material für die erste, zweite und dritte Reflektorschicht 78, 80, 82 kann zum Beispiel Silber vorgesehen sein. Das Material und die Schichtdicke der Haftvermittlungsschicht 42 können dem in Verbindung mit dem ersten und zweiten Ausführungsbeispiel erläuterten Material und Schichtdicken entsprechen.
Zum Erzeugen der in 4 dargestellten zweiten Schichtenfolge 72 können ähnliche Verfahrensschritte vorgesehen sein, wie zum Erzeugen der in 2 dargestellten zweiten Schichtenfolge 32. Im Unterschied zur in 2 dargestellten Schichtenfolge sind zwei Wachstumspausen und/oder ein zweimaliger Materialabtrag vorgesehen. Ferner kann zum Erzeugen einer ersten Grenzfläche eine Wachstumspause und zum Erzeugen einer zweiten Grenzfläche einen Materialabtrag vorgesehen sein.
Die 5 und 6 sind schematische Darstellungen von Querschnitten von an das dritte Ausführungsbeispiel angelehnten Ausführungsbeispielen. Bei dem in 5 dargestellten Ausführungsbeispiel ist zwischen der ersten und zweiten Reflektorschicht 78, 80 eine erste Zwischenschicht 84 angeordnet. Zwischen der zweiten und dritten Reflektorschicht 80, 82 ist eine zweite Zwischenschicht 86 angeordnet. An der dritten Reflektorschicht 82 ist die Haftvermittlungsschicht 42 angeordnet. Das Material und die Schichtdicke der Haftvermittlungsschicht 42 können dem in Verbindung mit dem ersten und zweiten Ausführungsbeispiel erläuterten Material und Schichtdicken entsprechen. Das Material und die Schichtdicken erste und zweite Zwischenschicht 84, 86 können im Wesentlichen den in Verbindung mit dem zweiten Ausführungsbeispiel offenbarten Materialien und Schichtdicken entsprechen. Ferner können für die erste und zweite Zwischenschicht 84, 86 jeweils die gleichen Materialien und Schichtdicken vorgesehen sein. Es ist aber auch möglich, dass unterschiedliche Materialien und Schichtdicken vorgesehen sind.
In einem konkreten Ausführungsbeispiel können die erste und zweite Zwischenschicht 80, 82 jeweils eine Schichtdicke von weniger als 10 nm aufweisen. Ferner können die erste und zweite Zwischenschicht 80, 82 jeweils aus Zinkoxid gebildet sein. Die erste, zweite und dritte Reflektorschicht 78, 80, 82 können jeweils aus Silber gebildet sein. Die Reflektorschichten 78, 80, 82 können eine Gesamtschichtdicke von ungefähr 300 nm aufweisen. Die Haftvermittlungsschicht 42 kann aus Zinkoxid gebildet sein. Die Summe der Schichtdicken der ersten und zweiten Zwischenschicht 84, 86 sowie der Haftvermittlungsschicht 42 kann kleiner oder gleich 20 nm sein. Die Haftvermittlungsschicht, die erste, zweite und dritte Reflektorschicht sowie die Zwischenschichten können jeweils durch Sputtern erzeugt werden.
Bei dem Ausführungsbeispiel der 6 sind drei Reflektorschichten 78, 80, 82 und eine Zwischenschicht 84 vorgesehen. Die Zwischenschicht 84 kann dabei zwischen der ersten und zweiten Reflektorschicht 78, 80 oder zwischen der zweiten und dritten Reflektorschicht 80, 82 angeordnet sein. Bei der Darstellung der 6 ist die Zwischenschicht 84 zwischen der ersten und der zweiten Reflektorschicht 78, 80 angeordnet. Abgesehen von der abweichenden Anordnung können die in 6 dargestellten Schichten im Wesentlichen den in 5 dargestellten Schichten entsprechen.
Zum Erzeugen des in 6 dargestellten Ausführungsbeispiels können zum Beispiel 100 nm des ersten Materials durch Sputtern auf die erste Seite der ersten Schichtenfolge 30 aufgebracht werden. Dadurch kann die erste Reflektorschicht 78 erzeugt werden. Danach kann eine Wachstumspause von zum Beispiel mindestens 10 Sekunden vorgesehen sein. Nach der Wachstumspause können 100 nm des ersten Materials auf die erste Reflektorschicht 78 aufgebracht werden. Dadurch kann die zweite Reflektorschicht 80 erzeugt werden. Nach dem Erzeugen der zweiten Reflektorschicht kann eine Zwischenschicht 84 erzeugt werden. Die Zwischenschicht kann zum Beispiel durch die gezielte Oxidation des ersten Materials der zweiten Reflektorschicht oder durch das Aufbringen eines zweiten und/oder dritten Materials erzeugt werden. Nach dem Erzeugen der Zwischenschicht 84 werden 100 nm des ersten Materials auf die Zwischenschicht 84 aufgebracht, um die dritte Reflektorschicht 82 zu erzeugen. Auf die dritte Reflektorschicht 82 werden dann 10 nm des zweiten Materials aufgesputtert, um die Haftvermittlungsschicht 42 zu erzeugen. Nach dem Aufbringen der einzelnen Schichten der zweiten Schichtenfolge ist ein Tempervorgang vorgesehen. Für das Tempern kann eine Temperaturlagerung bei Temperaturen zwischen 200°C und 300°C für eine Stunde vorgesehen sein.
In nicht dargestellten Ausführungsbeispielen können auch mehr als drei Reflektorschichten vorgesehen sein. Dabei kann die Summe der Schichtdicken für Ausführungsbeispiele mit mehr als drei Reflektorschichten auch kleiner als 500 nm sein. Auch bei Ausführungsbeispielen mit mehr als drei Reflektorschichten können eine oder mehrere Zwischenschichten vorgesehen sein.
Das optoelektronische Bauelement und das Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements wurden zur Veranschaulichung des zugrundeliegenden Gedankens anhand einiger Ausführungsbeispiele beschrieben. Die Ausführungsbeispiele sind dabei nicht auf bestimmte Merkmalskombinationen beschränkt. Auch wenn einige Merkmale und Ausgestaltungen nur im Zusammenhang mit einem besonderen Ausführungsbeispiel oder einzelnen Ausführungsbeispielen beschrieben wurden, können sie jeweils mit anderen Merkmalen aus anderen Ausführungsbeispielen kombiniert werden. Es ist ebenso möglich, in Ausführungsbeispielen einzelne dargestellte Merkmale oder besondere Ausgestaltungen wegzulassen oder hinzuzufügen, soweit die allgemeine technische Lehre realisiert bleibt.
Auch wenn die Schritte des Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements in einer bestimmten Reihenfolge beschrieben sind, so ist es selbstverständlich, dass jedes der in dieser Offenbarung beschriebenen Verfahren in jeder anderen, sinnvollen Reihenfolge durchgeführt werden kann, wobei auch Verfahrensschritte ausgelassen oder hinzugefügt werden können, soweit nicht von dem Grundgedanken der beschriebenen technischen Lehre abgewichen wird.

Claims

Optoelektronisches Bauelement (10) mit – einer ersten Schichtenfolge (30), die dazu eingerichtet ist, elektromagnetische Strahlung zu emittieren oder zu detektieren, und – einer an einer ersten Seite der ersten Schichtenfolge (30) angeordneten zweiten Schichtenfolge (32), die dazu eingerichtet ist, die von der ersten Schichtenfolge (30) emittierte oder zu detektierende elektromagnetische Strahlung zu reflektieren, – wobei die zweite Schichtenfolge (32) eine erste Reflektorschicht (38, 58, 78) eine zweite Reflektorschicht (40, 60, 80) und eine Haftvermittlungsschicht (42) aufweist, und wobei – die erste Reflektorschicht (38, 58, 78) ein erstes Material enthält und an einer der ersten Seite der ersten Schichtenfolge (30) zugewandten ersten Seite der zweiten Schichtenfolge (32) angeordnet ist, – die Haftvermittlungsschicht (42) ein zweites Material enthält und an einer von der ersten Seite der ersten Schichtenfolge (30) abgewandten zweiten Seite der zweiten Schichtenfolge (32) angeordnet ist, und – die zweite Reflektorschicht (40, 60, 80) das erste Material enthält und zwischen der ersten Reflektorschicht (38, 58, 78) und der Haftvermittlungsschicht (42) angeordnet ist.
Optoelektronisches Bauelement (10) nach Anspruch 1, wobei die zweite Schichtenfolge (32) eine dritte Reflektorschicht (82) aufweist.
Optoelektronisches Bauelement (10) nach Anspruch 2, wobei die dritte Reflektorschicht (82) das erste Material enthält.
Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Haftvermittlungsschicht (42) eine Diffusionsbarriere bildet.
Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die zweite Schichtenfolge (32) eine zwischen der ersten Reflektorschicht (38, 58, 78) und zweiten Reflektorschicht (40, 60, 80) und/oder der zweiten Reflektorschicht (40, 60, 80) und dritten Reflektorschicht (82) angeordnete Zwischenschicht (64, 84, 86) aufweist.
Optoelektronisches Bauelement (10) nach Anspruch 5, wobei die Zwischenschicht (64, 84, 86) eine durchgängige Struktur oder eine Struktur mit lokalen Öffnungen bildet.
Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der Ansprüche 5 oder 6, wobei die Zwischenschicht (64, 84, 86) das zweite Material und/oder ein drittes Material enthält.
Optoelektronisches Bauelement (10) nach Anspruch 7, wobei das dritte Material elektrisch leitend ist.
Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Reflektorschichten (38, 40, 58, 60, 78, 80, 82) zumindest einen horizontalen Korngrenzenbereich (38a, 40a, 58a, 60a, 78a, 78b, 80a, 80b, 82b) aufweisen.
Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Haftvermittlungsschicht (42) eine Schichtdicke in einem Bereich zwischen 5 und 100 nm aufweist.
Verfahren zum Erzeugen einer Schichtenfolge eines optoelektronischen Bauelements, wobei die Schichtenfolge eine ein erstes Material enthaltende erste Reflektorschicht, eine das erste Material enthaltende zweite Reflektorschicht und eine ein zweites Material enthaltende Haftvermittlungsschicht aufweist, und wobei zwischen dem Aufbringen des ersten Materials für die erste Reflektorschicht und dem Aufbringen des ersten Materials für die zweite Reflektorschicht in einer der Reflektorschichten ein horizontaler Korngrenzenbereich erzeugt wird.
Verfahren nach Anspruch 11, wobei eine dritte Reflektorschicht aufgebracht wird.
Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, wobei der horizontale Korngrenzenbereich durch eine Wachstumspause zwischen dem Aufbringen der ersten Reflektorschicht und dem Aufbringen der zweiten Reflektorschicht erzeugt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei der horizontale Korngrenzenbereich durch das Aufbringen einer Zwischenschicht erzeugt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei zwischen dem Aufbringen der ersten Reflektorschicht und dem Aufbringen der zweiten Reflektorschicht ein Teil der bereits aufgebrachten Reflektorschicht entfernt wird.