DE112013001641T5 - Solarzelle und Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle - Google Patents

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Abstract

Eine Solarzelle mit verbesserter Zuverlässigkeit wird geschaffen. Eine Solarzelle 1 umfasst einen fotoelektrischen Wandlerkörper 20 und eine Elektrode 14. Eine Hauptfläche 20b des fotoelektrischen Wandlerkörpers umfasst eine Siliziumoberfläche, die aus Silizium besteht. Die Elektrode 14 ist auf dem fotoelektrischen Wandlerkörper 20 angeordnet. Die Elektrode 14 umfasst eine Zinnoxidschicht 16 und eine Metallschicht 17. Die Zinnoxidschicht 16 ist auf der Siliziumoberfläche angeordnet. Die Metallschicht ist auf der Zinnoxidschicht 16 angeordnet. Die Zinnoxidschicht 16 umfasst eine erste Zinnoxidschicht 16a und eine zweite Zinnoxidschicht 16b. Die zweite Zinnoxidschicht 16b ist auf die erste Zinnoxidschicht 16a geschichtet. Die Sauerstoffkonzentration in der zweiten Zinnoxidschicht 16b ist geringer als die in der ersten Zinnoxidschicht 16a. Zumindest eine der Flächen der Zinnoxidschicht 16 umfasst die zweite Zinnoxidschicht 16b.

Description

  • TECHNISCHES FELD
  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Solarzelle und ein Verfahren der Herstellung einer Solarzelle.
  • HINTERGRUNDTECHNIK
  • Solarzellen haben in den letzten Jahren als Energiequellen mit geringen Umweltbelastungen eine erhöhte Aufmerksamkeit auf sich gezogen. Im Allgemeinen umfasst eine Solarzelle einen fotoelektrischen Wandlerkörper und Elektroden. Patentdokument 1 beschreibt beispielsweise, dass eine Elektrode eine Kernschicht und eine Kontaktplattierung aufweist.
  • DOKUMENT ZUM STAND DER TECHNIK
  • PATENTDOKUMENT
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • DURCH DIE ERFINDUNG ZU LÖSENDE AUFGABE
  • In den letzten Jahren bestand eine wachsende Nachfrage nach einer weiteren Verbesserung hinsichtlich der Zuverlässigkeit von Solarzellen.
  • Eine Hauptaufgabe der Erfindung liegt in der Schaffung einer Solarzelle mit verbesserter Zuverlässigkeit.
  • MITTEL ZUM LÖSEN DES PROBLEMS
  • Eine Solarzelle gemäß der Erfindung umfasst einen fotoelektrischen Wandlerkörper und Elektroden. Eine Hauptfläche des fotoelektrischen Wandlerkörpers umfasst Siliziumoberflächen, die aus Silizium gefertigt sind. Die Elektroden sind auf dem fotoelektrischen Wandlerkörper angeordnet. Die Elektroden umfassen jeweils eine Zinnoxidschicht und eine Metallschicht. Die Zinnoxidschicht ist auf jeder Siliziumoberfläche ausgebildet. Die Metallschicht ist auf der Zinnoxidschicht ausgebildet. Die Zinnoxidschicht umfasst eine erste Zinnoxidschicht und eine zweite Zinnoxidschicht. Die zweite Zinnoxidschicht ist auf die erste Zinnoxidschicht aufgeschichtet. Die Sauerstoffkonzentration in der zweiten Zinnoxidschicht ist geringer als die in der ersten Zinnoxidschicht. Zumindest eine der Schichten der Zinnoxidschicht umfasst die zweite Zinnoxidschicht.
  • Bei einem Verfahren der Herstellung einer Solarzelle gemäß der Erfindung werden die Zinnoxidschicht und die Metallschicht in dieser Reihenfolge auf den Sillziumflächen, die aus Silizium gefertigt sind, des fotoelektrischen Wandlerkörpers ausgebildet, dessen eine Hauptfläche die Siliziumoberflächen aufweist. Die Zinnoxidschicht und die Metallschicht werden durch Ätzen strukturiert. Dadurch werden die Elektroden, die jeweils die strukturierten Zinnoxidschicht und die strukturierte Metallschicht umfassen, ausgebildet. Die Zinnoxidschicht wird in einer Weise gebildet dass: die Zinnoxidschicht, die erste Zinnoxidschicht und die zweite Zinnoxidschicht aufweist, die auf die erste Zinnoxidschicht aufgeschichtet ist und deren Sauerstoffkonzentration geringer ist als die der ersten Zinnoxidschicht, und zumindest eine der Flächen der Zinnoxidschicht umfasst die zweite Zinnoxidschicht.
  • EFFEKTE DER ERFINDUNG
  • Die Erfindung kann eine Solarzelle mit verbesserter Zuverlässigkeit schaffen.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine schematische Rückansicht einer Solarzelle eines ersten Ausführungsbeispiels.
  • 2 ist eine schematische Querschnittsdarstellung der Solarzelle des ersten Ausführungsbeispiels.
  • 3 ist eine schematische Querschnittsdarstellung zum Erläutern eines Verfahrens der Herstellung der Solarzelle des ersten Ausführungsbeispiels.
  • 4 ist eine schematische Querschnittsdarstellung einer Solarzelle eines Bezugsbeispiels 2.
  • 5 ist eine schematische Querschnittsdarstellung einer Solarzelle eines zweiten Ausführungsbeispiels.
  • 6 ist eine schematische Querschnittsdarstellung zum Erläutern eines Verfahrens der Herstellung der Solarzelle des zweiten Ausführungsbeispiels.
  • 7 ist eine schematische Querschnittsdarstellung einer Solarzelle eines dritten Ausführungsbeispiels.
  • 8 ist eine schematische Querschnittsdarstellung zum Erläutern eines Verfahrens der Herstellung der Solarzelle des dritten Ausführungsbeispiels.
  • METHODEN ZUM UMSETZEN DER ERFINDUNG
  • Im Folgenden werden Beispiele bevorzugter Ausführungsbeispiele zur Ausführung der Erfindung beschrieben. Es soll festgestellt werden, dass die folgenden Ausführungsbeispiele lediglich zu illustrativen Zwecken vorgesehen sind. Die Erfindung soll nicht in irgendeiner Weise auf die folgenden Ausführungsbeispiele beschränkt werden.
  • In den Zeichnungen, auf die in den Ausführungsbeispielen und anderen Teilen Bezug genommen wird, sind Komponenten, die im Wesentlichen die gleiche Funktion haben, mit den gleichen Bezugsziffern versehen. Des Weiteren sind die Zeichnungen, auf die in den Ausführungsbeispielen und anderen Teilen Bezug genommen wird, schematisch illustriert, und das Dimensionsverhältnis und dergleichen von Objekten, die in den Zeichnungen dargestellt sind, unterscheiden sich in einigen Fällen von denen von aktuellen Objekten. Das Dimensionsverhältnis dergleichen von Objekten ist in manchen Fällen auch unter den Zeichnungen unterschiedlich. Das spezielle Dimensionsverhältnis und dergleichen von Objekten soll unter Berücksichtigung der folgenden Beschreibung bestimmt werden.
  • (Erstes Ausführungsbeispiel)
  • Wie in den 1 und 2 dargestellt ist, umfasst die Solarzelle 1 einen fotoelektrischen Wandlerkörper 20. Der fotoelektrische Wandlerkörper 20 umfasst eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche 20b. Von der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche 20b bildet die erste Hauptfläche eine Lichtempfangsfläche, und die zweite Hauptfläche 20b bildet eine Rückfläche. Dies bezüglich ist die „Lichtempfangsfläche” eine Fläche, die eine führende Rolle beim Empfangen von Licht spielt.
  • Der fotoelektrische Wandlerkörper 20 ist ein Element, das ausgebildet ist, um bei Empfang von Licht Träger wie Löcher und Elektroden zu erzeugen. Der fotoelektrische Wandlerkörper 20 kann ausgebildet sein, um Träger nur dann zu erzeugen, wenn Licht von der ersten Hauptfläche, die die Lichtempfangsfläche bildet, empfangen wird. Andererseits kann der fotoelektrische Wandlerkörper 20 ausgebildet sein, um Träger dann zu erzeugen, wenn Licht nicht nur von der ersten Hauptfläche sondern auch von der zweiten Hauptfläche 20b, die die Rückfläche bildet, empfangen wird.
  • Der fotoelektrische Wandlerkörper hat eine p-Typ-Oberfläche 20bp und eine n-Typ-Oberfläche 20bn in der zweiten Hauptfläche 20b. Jede der p-Typ-Oberfläche 20bp und der n-Typ-Oberfläche 20bn ist eine Siliziumfläche, die aus Silizium hergestellt ist.
  • Eine p-seitige Elektrode 14 ist auf der p-Typ-Oberfläche 20bp angeordnet. Eine n-seitige Elektrode 15 ist auf der n-Typ-Oberfläche 20bn ausgebildet. Die Elektroden 14, 15 sind jeweils in Form von Kammzähnen ausgebildet. Um konkret zu werden umfasst jede der Elektroden 14, 15: Fingerteile, die sich in eine Richtung erstrecken, und einen Sammelschienenteil, der die Fingerteile schneidet und die Fingerteile elektrisch verbindet. Nichtsdestotrotz verlangt die Erfindung keine bestimmten Beschränkungen hinsichtlich der Konfiguration der Elektroden. Jede Elektrode kann beispielsweise nur aus Fingern bestehen.
  • Der fotoelektrische Wandlerkörper 20 kann aufweisen: Beispielsweise ein Substrat aus einem Halbleitermaterial, eine p-Typ-Halbleiterschicht, die auf einer Hauptfläche des Substrats ausgebildet ist und die p-Typ-Oberfläche 20bp bildet, und eine n-Typ-Halbleiterschicht, die auf der einen Hauptfläche des Substrats ausgebildet ist und die n-Typ-Oberfläche 20bn bildet. Die p-Typ-Oberfläche 20bp kann beispielsweise aus einem p-Typ dotierten Diffusionsbereich gebildet sein, der in dem Substrat vorgesehen ist. Die n-Typ-Fläche 20bn kann beispielsweise aus einem n-Typ dotierten Diffusionsbereich gebildet sein, der in dem Substrat vorgesehen ist.
  • Jede der Elektroden 14, 15 umfasst: eine Zinnoxidschicht 16, die auf der p-Typ-Oberfläche 20bp oder der n-Typ-Oberfläche 20bn vorgesehen ist, eine Metallschicht 17, die auf der Zinnoxidschicht 16 vorgesehen ist, und eine plattierte Schicht 18. Die Zinnoxidschicht 16 ist direkt auf der p-Typ-Oberfläche 20bp oder der n-Typ-Oberfläche 20bn angeordnet.
  • Die Zinnoxidschicht 16 umfasst: eine erste Zinnoxidschicht 16a und eine zweite Zinnoxidschicht 16b, die auf die erste Zinnoxidschicht 16a geschichtet ist. Zumindest eine der Oberflächen der Zinnoxidschicht 16 umfasst eine zweite Zinnoxidschicht 16b. Um konkret zu werden, in der Solarzelle 1 umfasst eine Metallschicht 17-seitige Oberfläche der Zinnoxidschicht 16 die zweite Zinnoxidschicht 16b. Die Sauerstoffkonzentration in der zweiten Zinnoxidschicht 16b ist geringer als die in der ersten Zinnoxidschicht 16a. Es ist wünschenswert, dass die Dicke der Zinnoxidschicht 16a dünner ist als die der Zinnoxidschicht 16b.
  • Die Metallschicht 17 ist direkt auf der Zinnoxidschicht 16 ausgebildet. Es ist wünschenswert, dass die Metallschicht 17 Cu aufweist. Um konkret zu werden ist es wünschenswert, dass die Metallschicht aus Cu, Ti, Al, Ag, Ni oder einer Legierung, die zumindest zwei von ihnen aufweist, hergestellt ist.
  • Die plattierte Schicht 18 ist auf der Metallschicht 17 vorgesehen. Um konkret zu werden ist die plattierte Schicht 18 zum Abdecken der oberen und der Seitenflächen der Metallschicht 17 angeordnet. Die plattierte Schicht ist eine Schicht, die durch Plattieren wie Elektroplattieren gebildet ist. Keine bestimmte Beschränkung wird hinsichtlich der Bestandteilsmaterialen der plattierten Schicht 18 auferlegt. Die plattierte Schicht kann aus Cu, einer Cu enthaltende Legierung, Si, Ni, Ag oder dergleichen gebildet sein.
  • Im Folgenden wird ein Beispiel eines Verfahrens der Herstellung der Solarzelle 1 beschrieben.
  • Zunächst wird der fotoelektrische Wandlerkörper 20 vorbereitet. Anschließend, wie in 3 dargestellt ist, werden ein erster Zinnoxidfilm 26a zum Bilden der ersten Zinnoxidschicht 16a, ein zweiter Zinnoxidfilm 26b zum Bilden der zweiten Zinnoxidschicht 16b und ein Metallfilm 27 zum Bilder der Metallschicht 17 in dieser Reihenfolge im Wesentlichen auf der gesamten Fläche der zweiten Hauptfläche 20b des fotoelektrischen Wandlerkörpers ausgebildet.
  • Beispielsweise wird ein Zinnoxidfilm mit einer vorgegebenen Oxidkonzentration auf der zweiten Hauptfläche 20b des fotoelektrischen Wandlerkörpers 20 ausgebildet. Anschließend wird ein oberer Oberflächenseitenteil des Zinnoxidfilms einer Reduktionsbehandlung unterzogen, und die Sauerstoffkonzentration in dem oberen oberflächenseitigen Teil wird reduziert. Somit werden der erste und der zweite Zinnoxidfilm 26a, 26b gebildet. Anschließend wird der Metallfilm 27 auf dem zweiten Zinnoxidfilm 26b ausgebildet. Hinsichtlich der Reduktionsbehandlung ist es möglich irgendeine eines Verfahrens des Sputterns der oberen Fläche des Zinnoxidfilms mit einem Target zu verwenden, das Elemente enthält, die eine Reduktionsaktion verursachen, ein Verfahren der Bestrahlung der oberen Fläche des Zinnoxidfilms mit einem Wasserstoffplasma und Eintauchen der oberen Fläche des Zinnoxidfilms in eine Flüssigkeit, die eine Reduktionsaktion verursacht, beispielsweise. Der Zinnoxidfilm und der Metallfilm können durch Sputtern, CVD (chemische Dampfabscheidung) oder dergleichen gebildet werden.
  • Das Verfahren zum Bilden des ersten und des zweiten Zinnoxidfilms 26a, 26b sowie der Metallschicht 17 ist nicht auf die oben erwähnten beschränkt. Beispielsweise können der erste und der zweite Zinnoxidfilm 26a, 26b und die Metallschicht gebildet werden durch: Ausbilden des ersten und des zweiten Zinnoxidfilms 26a, 26b unter unterschiedlichen Filmformungsbedingungen wie beispielsweise zugefügte Gasanteile und anschließend durch Ausbilden der Metallschicht 17.
  • Anschließend werden der erste und der zweite Zinnoxidfilm 26a, 26b und der Metallfilm durch Ätzen strukturiert. Auf diese Weise werden strukturierte erste und zweite Zinnoxidschichten 16a, 16b und die strukturierte Metallschicht 17 ausgebildet. Konkrete Beispiele eines Ätzmittels, das zum Ätzen des ersten und des zweiten Zinnoxidfilms 26a, 26b und des Metallfilms 27 verwendet wird, umfassen Salzsäure, Oxalsäure, Königswasser und eine flüssige Mischung von Salzsäure und Eisenchlorid oder dergleichen.
  • Anschließend wird Leistung an der ersten und der zweiten Zinnoxidschicht 16a, 16b und die Metallschicht 17 unter Verwendung der ersten und zweiten Zinnoxidschichten 16a, 16b und der Metallschichten 17 als Kernschichten angelegt. Auf diese Weise wird die plattierte Schicht 18 gebildet. Dadurch werden die Elektronen 14, 15, die jeweils die erste und die zweite Zinnoxidschicht 16a, 16b, die Metallschicht 17 und die plattierte Schicht 18 umfassen, ausgebildet, und die Solarzelle 1 ist vervollständigt. Es ist eher vorzuziehen, dass die plattierte Schicht 18 beispielsweise durch Elektroplattierung gebildet wird.
  • Falls beispielsweise der Zinnoxidfilm eine einzelne Zinnoxidschicht aufweist, deren Sauerstoffkonzentration höher ist, und virtuell gleichmäßig über die Schicht ist, ist nur die Zinnoxidschicht geeignet, um in ihrer Querrichtung von ihren Seiten selektiv geätzt zu werden, während das Strukturieren durch Ätzen in der Zinnoxidschicht und der Metallschicht durchgeführt wird. Dies macht es wahrscheinlicher, dass die Zinnoxidschicht sich von den Siliziumoberflächen löst, und es wird wahrscheinlicher, dass die Zinnoxidschicht und die Metallschicht sich voneinander separieren. Dies kann zu Fällen wie einer Verschlechterung in der Zuverlässigkeit der hergestellten Solarzelle führen und zu einer Abnahme in der fotoelektrischen Wandlereffizienz der Solarzelle.
  • In der Solarzelle 1 des Ausführungsbeispiels umfasst jedoch die Metallschicht 17-seitige Oberfläche der Zinnoxidschicht 16 die schwer zu ätzende zweite Zinnoxidschicht 16b, deren Sauerstoffkonzentration geringer ist. Dies macht es möglich zu verhindern, dass die Metallschicht 17-seitige Oberfläche der Zinnoxidschicht 16 zu einem großen Ausmaß geätzt wird und eine Abnahme in der Bindungsstärke zwischen der Zinnoxidschicht 16 und der Metallschicht 17 zu verhindern.
  • Um konkret zu werden, wie in 4 dargestellt ist, unterscheiden sich die erste und die zweite Zinnoxidschicht 16a, 16b in dem Ausführungsbeispiel voneinander hinsichtlich der Länge (im Folgenden als „Breite” bezeichnet) in einer Richtung rechtwinklig zur Längsrichtung der Elektroden 14, 15. Die Breite der zweiten Zinnoxidschicht 16b, die näher an der Metallschicht 17 ist, ist größer als die der ersten Zinnoxidschicht 16a, die näher am fotoelektrischen Wandlerkörper 20 ist. Dies erhöht eine Kontaktfläche zwischen der unteren Fläche der Metallschicht 17 und der oberen Fläche der Zinnoxidschicht 16 im Vergleich mit dem Fall, bei dem eine einzelne Zinnoxidschicht verwendet wird, deren Sauerstoffkonzentration höher und virtuell gleichmäßig über die Schicht ist, und erhöht die Bindungsstärke an der Schnittstelle zwischen der Metallschicht 17 und der Zinnoxidschicht 16. Dementsprechend ist es möglich, eine Solarzelle mit verbesserter Zuverlässigkeit und mit erhöhter fotoelektrischer Wandlereffizienz zu schaffen.
  • Hinsichtlich der Verbesserung der Bindungsstärke zwischen der Zinnoxidschicht und der Metallschicht ist des Weiteren eine denkbare Option eine Reduktion in der Saustoffkonzentration in der gesamten Zinnoxidschicht. In diesem Fall wird jedoch der elektrische Widerstand in der Zinnoxidschicht höher. Dies kann zu einem Fall führen, in dem die fotoelektrische Wandlereffizienz der erhaltenen Solarzelle geringer wird.
  • Im Gegensatz dazu umfasst in der Solarzelle 1 die Zinnoxidschicht 16 die zweite Zinnoxidschicht 16b, deren Saustoffkonzentration geringer ist, und die erste Zinnoxidschicht 16a, deren Sauerstoffkonzentration höher ist. Dies verhindert den Anstieg in dem elektrischen Widerstand der Zinnoxidschicht 16. Dementsprechend ist es möglich, eine Verminderung der fotoelektrischen Wandlereffizienz zu verhindern.
  • Im Folgenden werden Beschreibungen für weitere Beispiele des bevorzugten Ausführungsbeispiels der Erfindung gegeben. In den folgenden Beschreibungen sind Elemente, die im Wesentlichen dieselbe Funktion wie die des ersten Ausführungsbeispiels haben, mit denselben Bezugsziffern versehen, und Erläuterungen solcher Elemente sind weggelassen.
  • (Zweites und drittes Ausführungsbeispiel)
  • Das erste Ausführungsbeispiel beschreibt das Beispiel, wobei nur die Metallschicht 17-seitige Oberfläche der Zinnoxidschicht 16 die zweite Oxidschicht 16b aufweist, deren Sauerstoffkonzentration geringer ist. Die Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Wie beispielsweise in 5 dargestellt ist, kann nur die fotoelektrische Wandlerkörper 20-seitige Oberfläche der Zinnoxidschicht 16 aus der zweiten Zinnoxidschicht 16b gebildet sein, deren Sauerstoffkonzentration geringer ist. Mit anderen Worten können die zweite Zinnoxidschicht 16b und die erste Zinnoxidschicht 16a in dieser Reihenfolge auf dem fotoelektrischen Wandlerkörper 20 geschichtet sein. In diesem Fall ist es wünschenswert, dass die Breite der ersten Zinnoxidschicht 16a von der zweiten Zinnoxidschicht 16b in Richtung auf die Metallschicht 17 in der Dickenrichtung der ersten Zinnoxidschicht 16a graduell schmaler wird. Auf diese Weise wird die plattierte Schicht 18 zur Abdeckung der oberen und der Seitenflächen der Metallschicht 17 und zusätzlich der unteren Oberflächenbereiche der Metallschicht 17, die von dem ersten Zinnoxidfilm 16a frei hegen, ausgebildet. Als Ergebnis ist es möglich, den Kontaktbereich zwischen der Metallschicht 17 und der plattierten Schicht 18 zu vergrößern und den Kontaktwiderstand zwischen der Metallschicht 17 und der plattierten Schicht 18 zu vermindern.
  • In diesem Fall, wie in 6 dargestellt ist, kann der erste Zinnoxidfilm 26b gebildet werden, nachdem der zweite Zinnoxidfilm 26b gebildet wurde. Ein Verfahren der Änderung der Breite der ersten Zinnoxidschicht 16a kann beispielsweise realisiert werden durch graduelles Ändern des Anteils an Sauerstoffgas, das zuzufügen ist. Es soll festgestellt werden dass die Breite der ersten Zinnoxidschicht 16a gleichmäßig in der Dickenrichtung der Schicht sein kann.
  • Wie beispielsweise in 7 dargestellt ist, können sowohl die Metallschicht 17-seitige Oberfläche als auch die fotoelektrische Wandlerkörper 20-seitige Oberfläche der Zinnoxidschicht 16 aus der zweiten Zinnoxidschicht 16b gebildet sein, deren Sauerstoffkonzentration geringer ist. Mit anderen Worten können die zweite Zinnoxidschicht 16b, die erste Zinnoxidschicht 16a und die zweite Zinnoxidschicht 16b in dieser Reihenfolge auf dem fotoelektrischen Wandlerkörper 20 geschichtet sein. Die Breite der ersten Zinnoxidschicht 16a ist schmaler als die der zweiten Zinnoxidschicht 16b, die näher an der Metallschicht 17 liegt, und der der zweiten Zinnoxidschicht 16b, die näher am fotoelektrischen Wandlerkörper 20 liegt. Dies macht es möglich, dass die Zinnoxidschicht 16 in der Lage ist, das Ansteigen im elektrischen Widerstand zu verhindert, während die Bindungsstärke zwischen der zweiten Zinnoxidschicht 16b und der Metallschicht 17 und zwischen der zweiten Zinnoxidschicht 16b und dem fotoelektrischen Wandlerkörper 20 beibehalten wird. Dementsprechend ist es möglich, das Vermindern in der fotoelektrischen Wandlereffizienz zu verhindern.
  • In diesem Fall, wie in 8 dargestellt ist, kann der zweite Zinnoxidfilm 26b zunächst ausgebildet werden, dann kann der erste Zinnoxidfilm 26a gebildet werden, und der zweite Zinnoxidfilm 26b kann erneut gebildet werden.
  • Des Weiteren kann die Sauerstoffkonzentration in der ersten Zinnoxidschicht 16 sich graduell entlang der Dickenrichtung der Zinnoxidschicht 16 ändern, und eine Fläche der Zinnoxidschicht 16 kann mit einem Teil versehen sein, dessen Sauerstoffkonzentration geringer ist.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Solarzellenmodul
    14
    p-seitige Elektrode
    15
    n-seitige Elektrode
    16
    Zinnoxidschicht
    16a
    erste Zinnoxidschicht
    16b
    zweite Zinnoxidschicht
    17
    Metallschicht
    20
    fotoelektrischer Wandlerkörper
    20b
    zweite Hauptfläche
    20bn
    n-Typ-Oberfläche
    20bp
    p-Typ-Oberfläche
    26a, 26b
    Zinnoxidfilm
    27
    Metallfilm

Claims (7)

  1. Solarzelle mit: einem fotoelektrischen Wandlerkörper, dessen eine Hauptfläche eine Siliziumfläche aufweist, die aus Silizium gefertigt ist, und einer Elektrode, die auf dem fotoelektrischen Wandlerkörper angeordnet ist, wobei die Elektrode eine Zinnoxidschicht aufweist, die auf der Siliziumfläche ausgebildet ist, und eine Metallschicht, die auf der Zinnoxidschicht ausgebildet ist, wobei die Zinnoxidschicht eine erste Zinnoxidschicht und eine zweite Zinnoxidschicht aufweist, die auf die erste Zinnoxidschicht geschichtet ist und deren Sauerstoffkonzentration geringer ist als die in der ersten Zinnoxidschicht, und wobei zumindest eine Fläche der Zinnoxidschicht die zweite Zinnoxidschicht aufweist.
  2. Solarzelle nach Anspruch 1, wobei eine Metallschicht-seitige Fläche der Zinnoxidschicht die zweite Zinnoxidschicht aufweist.
  3. Solarzelle nach Anspruch 1 oder 2, wobei eine Siliziumflächen-seitige Fläche der Zinnoxidschicht die zweite Zinnoxidschicht aufweist.
  4. Solarzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Dicke der zweiten Zinnoxidschicht geringer ist als die der ersten Zinnoxidschicht.
  5. Solarzellen nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Metallschicht Cu aufweist.
  6. Verfahren der Herstellung einer Solarzelle mit: Ausbilden einer Zinnoxidschicht und einer Metallschicht in dieser Reihenfolge auf einer Siliziumfläche eines fotoelektrischen Wandlerkörpers, die eine Hauptfläche ist, die Silizium aufweist, und Strukturieren der Zinnoxidschicht und der Metallschicht durch Ätzen und dabei Ausbilden einer Elektrode, die die strukturierte Zinnoxidschicht und die strukturierte Metallschicht aufweist, wobei die Zinnoxidschicht so ausgebildet ist, dass die Zinnoxidschicht eine erste Zinnoxidschicht und eine zweite Zinnoxidschicht aufweist, die auf die erste Zinnoxidschicht geschichtet ist und deren Sauerstoffkonzentration geringer ist als die der ersten Zinnoxidschicht, wobei zumindest eine Fläche der Zinnoxidschicht die zweite Zinnoxidschicht aufweist.
  7. Verfahren der Herstellung einer Solarzelle nach Anspruch 6, wobei die Zinnoxidschicht und die Metallschicht unter Verwendung irgendeines von Salzsäure, Oxalsäure, Königswasser und einer flüssigen Mischung von Salzsäure und Eisenchlorid geätzt werden.
DE112013001641.9T 2012-03-23 2013-03-19 Solarzelle und Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle Withdrawn DE112013001641T5 (de)

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JP2012067170 2012-03-23
JP2012067170 2012-03-23
PCT/JP2013/057795 WO2013141232A1 (ja) 2012-03-23 2013-03-19 太陽電池及びその製造方法

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