WO2015121205A1 - Optoelektronisches bauelement mit einer reflektierenden schichtenfolge und verfahren zum erzeugen einer reflektierenden schichtenfolge - Google Patents

Optoelektronisches bauelement mit einer reflektierenden schichtenfolge und verfahren zum erzeugen einer reflektierenden schichtenfolge Download PDF

Info

Publication number
WO2015121205A1
WO2015121205A1 PCT/EP2015/052660 EP2015052660W WO2015121205A1 WO 2015121205 A1 WO2015121205 A1 WO 2015121205A1 EP 2015052660 W EP2015052660 W EP 2015052660W WO 2015121205 A1 WO2015121205 A1 WO 2015121205A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
reflector
sequence
layers
layer sequence
Prior art date
Application number
PCT/EP2015/052660
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Alexander Pfeuffer
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority to US15/117,739 priority Critical patent/US9865784B2/en
Priority to DE112015000745.8T priority patent/DE112015000745A5/de
Publication of WO2015121205A1 publication Critical patent/WO2015121205A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators

Definitions

  • Optoelectronic component in which a reflective layer sequence is arranged to reflect emitted or to be detected electromagnetic radiation. Furthermore, a method for generating a reflective layer sequence for an optoelectronic component is described.
  • Optoelectronic devices often include reflective structures to increase the efficiency of the optoelectronic device. For example, electromagnetic
  • Radiation emitted by an active layer of the device in the direction of an opaque carrier, are deflected by the re ⁇ inflecting structure in a desired emission direction of the optoelectronic component.
  • the reflective structures are often formed of materials that have a high reflectance for the wavelength range of the electromagnetic radiation emitted or to be detected by the optoelectronic component.
  • materials with particularly good re ⁇ inflecting properties such as silver or gold
  • the semiconductor material of the optoelectronic Bauele ⁇ ments wet poorly.
  • the reflective materials can only have a low adhesion to the semiconductor material. It is true that tempering can tion of the reflective structure on the semiconductor material of the optoelectronic device can be improved, however, this can cause material defects, such as holes or cracks, in the reflective structure.
  • An object is therefore to prevent or at least limit the formation of holes in the reflective structure.
  • an optoelectronic component is to be provided without the function and / or the quality-impairing holes in the reflective structure.
  • a method for producing a corresponding optoelectronic component is to be specified.
  • an optoelectronic component is ⁇ with a first layer sequence and a second
  • the first layer sequence is configured to emit or detect electromagnetic radiation.
  • the second layer sequence is arranged on a first side of the first layer sequence and is configured to reflect the electromagnetic radiation emitted or to be detected by the first layer sequence.
  • the second layer sequence has a first one
  • the first reflector layer contains a first material and is arranged on one of the first side of the first layer sequence facing the first side of the second layer sequence.
  • the adhesion-promoting layer contains a second material and is arranged on a second side of the second layer sequence facing away from the first side of the first layer sequence.
  • Reflector layer contains the first material and is disposed between the first reflector layer and the adhesion promoting layer.
  • Reflector layers corresponds, the holes are formed in the vertical direction substantially unhindered.
  • the quality of the reflector layers can be increased.
  • one aspect of higher quality may be high reflectivity.
  • Another aspect may be that the reflector layers are impermeable in total. For example, the total impermeable
  • Reflector layers serve as a barrier for a structuring process, which is provided in the manufacture of the device. So the total impermeable
  • Reflector layers for example, as a barrier for wet chemical see etch processes be provided. Another aspect may be improved transverse electrical conductivity resulting from the limited formation of holes.
  • a method for generating a layer sequence of an optoelectronic component is also proposed.
  • the layer sequence comprises a first mate rial containing ⁇ first reflector layer, a second reflector layer, the first mate rial containing ⁇ and a second material-containing adhesion-promoting layer.
  • a method for generating the layer sequence is between the application of the first material for the first
  • Reflector layers generates a horizontal grain boundary area.
  • the horizontal grain boundary region can be characterized, for example, by a growth pause in the production of the reflector layers, by a material removal during the production of the
  • Grain boundary area forms a barrier within the
  • Reflector layers and thus counteracts the formation of holes. Accordingly, the quality of the reflector layers can be increased by the measures mentioned.
  • the second layer sequence may comprise a third reflector layer.
  • the hole formation can be hindered by a further interface between the reflector layers.
  • the first, second and third reflector layer may have substantially the same layer thickness.
  • the total ⁇ layer thickness of the reflector layers of the second Schichtenfol- ge may be less than 500 nm.
  • the first, the second and the optional third reflector layer can be formed substantially from the same material.
  • the reflector layers can keep at least 80% of the first material ⁇ ent.
  • the first, the second and the optional third reflector layer can be formed substantially from the same material.
  • the reflector layers can keep at least 80% of the first material ⁇ ent.
  • Reflector layers ent ⁇ hold at least 95% of the first material.
  • the first material may comprise, for example, silver, gold, aluminum, rhodium or a compound containing these materials.
  • the adhesion-promoting layer can be designed to increase the adhesion of the reflector layer to a semiconductor material of the first layer sequence.
  • the second material may comprise, for example, zinc oxide, platinum, nickel, titanium, indium tin oxide or a compound containing these materials.
  • the first material comprises gold or silver
  • the second material may also comprise aluminum or rhodium.
  • the adhesion-promoting layer can be arranged directly on one of the reflector layers.
  • the layer thickness of the adhesion-promoting layer can be between 5 nm and 100 nm. In some embodiments, the layer thickness of the primer layer may be between 20 nm and 70 nm. Furthermore, the layer thickness of the adhesion-promoting layer can be between 40 nm and 60 nm.
  • the adhesive layer, a diffusion barrier bil ⁇ This may for example be the case when the second material in addition to the adhesion-promoting properties, a diffusion of material in the reflective
  • An adhesion-promoting layer acting as a diffusion barrier can be formed continuously.
  • the bonding layer through Zvi ⁇ rule of the reflector layer and a further layer of the optoelectronic component can be located.
  • the further layer may be provided, for example, for electrical contacting of one of the layers of the first layer sequence. It may be vertical in the device arranged electrically conductive structures be seen ⁇ which are adapted to connect the further layer and a semiconductor layer of the first layer sequence elekt ⁇ driven conductive.
  • the adhesion-promoting layer may be arranged so that there is no direct contact between the reflector layer and the further layer and / or the vertical electrically conductive structures. Accordingly, the primer layer, the side edges and / or
  • zinc oxide is provided as the material for the primer layer.
  • a zinc oxide ge ⁇ formed adhesive layer can prevent the reflector layers is a diffusion of mate rial ⁇ from the other layer by the adhesion promoting layer ⁇ . Accordingly, an adhesion-promoting layer formed from zinc oxide can form a diffusion barrier.
  • the second layer sequence can be one between the
  • the intermediate layer can be rela ⁇ tively thin.
  • the layer thickness of the intermediate layer can not exceed 10% of the layer thickness of one of the
  • the intermediate layer may have a layer thickness less than or equal to 10 nm. Furthermore, the intermediate layer may have a layer thickness of less than or equal to 5 nm. In some embodiments, the intermediate layer may have a layer thickness of 3 nm.
  • the intermediate layer may be a continuous structure or a structure with local openings. As a continuous structure, for example, a layer may be referred to, the egg ⁇ ne reflector layer completely covered. As a structure with lo ⁇ kalen openings, for example, a layer may be referred to, in which the intermediate layer, for example because of the small layer thickness, the reflector layer is not completely covered.
  • the structure with local openings may, for example, have distributed material accumulations.
  • the intermediate layer can be intercalated between the reflector layers.
  • the intermediate layer may contain the second material and / or a third material.
  • the third material can be selected for the case ⁇ game from the same material group as the second material.
  • the third material may be, for examples game zinc oxide, platinum, nickel, titanium, indium tin oxide, Rhodi ⁇ to, chromium or comprise a compound containing these materials.
  • the intermediate layer can be electrically conductive.
  • the intermediate layer may comprise a doped semiconducting ⁇ termaterial.
  • do- patented zinc oxide may be regarded as pre-material for the intermediate layer ⁇ .
  • the electrical conductivity of zinc oxide can be increased by doping with aluminum or gallium.
  • the reflector layers may each have horizontal grain boundary regions. Brief description of the figures
  • FIG. 1 shows a schematic representation of a cross section of an optoelectronic component
  • FIG. 2 shows a schematic representation of a cross section through layer sequences according to a first exemplary embodiment
  • Fig. 2a is a schematic representation of an enlarged
  • FIG. 3 shows a schematic representation of a cross section through layer sequences according to a second embodiment
  • FIG. 4 shows a schematic representation of a cross section through layer sequences according to a third exemplary embodiment
  • FIG. 5 shows a schematic representation of a cross section through layer sequences according to a fourth exemplary embodiment
  • 6 shows schematic representations of a cross section through layer sequences according to a fifth exemplary embodiment.
  • optical device may for example comprise elements which are adapted to emit electromag ⁇ -magnetic radiation and / or to detect electromagnetic radiation.
  • LED light emitting diode
  • Fig. 1 shows a schematic representation of a cross section ⁇ through a first embodiment of a
  • Optoelectronic component 10 The illustration of FIG. 1 is provided in particular for schematic illustration.
  • the component shown in Fig. 1 may be, for example, an LED.
  • the device 10 includes a chip 12, a ers ⁇ th terminal contact 14 and a second connection contact 16.
  • the first and the second terminal contact 14, 16 are as ⁇ to set up the device 10 is mechanically and electrically with other components such as a printed circuit board , connect to.
  • the chip 12 is arranged with one of its side surfaces on the first connection contact 14 and is electrically conductively connected to the second connection contact 16 via a bond connection 18.
  • the component 10 comprises a structural member 19.
  • the structural member 19 may be shaped to match At ⁇ from an electrically insulating plastic.
  • the structural member 19 is adapted to the Ele ⁇ elements of the device 10, such as the first and second contact pad 14 to mechanically connect the sixteenth Moreover, the device 10 includes an output coupling element 20.
  • the extraction element 20 is arranged to redesignkop emitted from the construction element 10 ⁇ electromagnetic radiation ⁇ PelN. In the embodiment shown in Fig. 1, a lenticular decoupling element 20 is provided.
  • the chip 12 shown in Fig. 1 comprises a first Schich ⁇ tenate 30, a second stack of layers 32 and a carrier 44.
  • the carrier 44 may be, for example, by means of a solder layer to the first terminal contact 14 of the device up ⁇ introduced.
  • the second layer sequence 32 is arranged on the side of the carrier 44 facing away from the first connection contact 14.
  • the first layer sequence 30 is arranged.
  • the material for the carrier 44 for example
  • the chip 12 may include a variety of other layers or structures. To facilitate understanding, these are not shown in the schematic representation of FIG. 1.
  • FIG. 2 is a schematic representation of a cross-section through the first and second stack of layers 30, 32.
  • the in Fig. 2 in simplified form as vertically stacked planar structures Darge ⁇ presented layers of the first and second sequence of layers 30, 32 may be essential in real components complex Shapes have.
  • vertically arranged electrically conductive structures, as well as associated ⁇ electrically insulating structures can be arranged in the layer sequence, which are adapted to connect spaced-apart layers of electrically conductive.
  • the first layer sequence 30 comprises at least two layers.
  • an n-doped semiconductor layer 34 and a p-doped semiconductor layer 36 are provided.
  • the p-type semiconductor layer 36 is arranged in the layer sequence below the n-type semiconductor layer 34.
  • the n-doped semiconductor layer 34 and the p-doped semiconductors ⁇ layer 36 may be formed, for example, III-V semiconductor material ⁇ lien. It may be provided a nitridic Mattier ⁇ conductor material such as gallium nitride.
  • a compound semiconductor material based on InGaAlP or gallium arsenide may also be provided.
  • the first sequence of layers 30 is adapted to emit electromagnetic ⁇ magnetic radiation.
  • Layer sequence 30 emitted electromagnetic radiation is to be radiated substantially over the surface of the first layer sequence 30, ie the surface of the n-doped semiconductor layer 34.
  • the first layer sequence 30 is limited to the second layer sequence 32 through the first side of the first layer sequence 30.
  • the underside of the p-doped semiconductor layer 36 forms the first side of the first layer sequence 30.
  • the second layer sequence 32 is arranged on the first side of the first layer sequence 30.
  • the second Schivierfol ⁇ ge 32 can, as for example in Fig. 2, may be arranged directly on the p-type semiconductor layer 36.
  • the second stack of layers 32 includes a first reflector layer 38, a second reflector layer 40 and a Haftvermitt ⁇ mediate layer 42.
  • the first reflector layer 38 is disposed directly on the first side of the first layer sequence 30th In the illustration of Fig. 2, the top of the first forms
  • Reflector layer 38 the first side of the second Schichtfol ⁇ GE 32.
  • the first and second reflector layers 38, 40 each contain a first material. Each containing a first material may mean that, for example, the proportion by weight of the first material at the first and second reflector layer 38, 40 is more than 80% in each case. Further, the first and second reflector layers 38, 40 may be formed substantially of the same material. For example, formed substantially from the same material, the weight ratio of the first material to the first and second reflector layers 38, 40 may each be more than 95%. In some embodiments, the first and second reflector layers 38, 40 may be formed entirely of the same material. The first material may comprise, for example, silver, gold, aluminum, rhodium or a compound containing these materials.
  • first and second reflector layers 38, 40 are directly adjacent to each other and contain substantially the same material, the first and second reflector layers 38, 40 are separated from each other Layers. Evidence that these are separate layers are, for example, each at the
  • the first reflector layer 38 has at its the second
  • the second reflector layer 40 has an associated wall ⁇ th at its the first reflector layer 38 side on a horizontal grain boundary area 40a.
  • the otherwise essentially disordered grain structures 46 of the first material form the recognizable superordinate structure of the interface 48. This is illustrated schematically in the detail of FIG. 2a.
  • Reflector layer is composed of the substantially horizontally extending portions of the grain boundaries of the respective grains. For example, as shown in Fig. 2a, these sections do not have to be exactly horizontal. Accordingly, the interface 48 may also have irregularities and deviations from a planar shape.
  • the primer layer 42 contains a second material.
  • the second material may comprise, for example, zinc oxide, platinum, nickel, titanium, indium tin oxide or a compound containing these materials. If the reflector layers contain silver or gold, the second material may also comprise aluminum or rhodium. Contains a second material can mean for example that the Ge ⁇ weight proportion of the second material in the Haftvars- Layer 42 is more than 80%.
  • the primer layer 42 is provided to increase the quality of the reflector layers.
  • the adhesion-promoting layer 42 is configured to increase the adhesion of the first and / or the second reflector layer 38, 40 on the semiconductor material of the first layer sequence 30.
  • adhesion-promoting layer 42 may be configured to form a diffusion barrier.
  • ⁇ adhesion promoting layer can for example be provided to, 40 to prevent diffusion into the semiconductor layers of the first sequence of layers 30 and / or in the reflector layers 38, or at least limit.
  • An adhesion-promoting layer 42 provided as a diffusion barrier can completely cover the adjacent reflector layers. In particular, when the reflector layers do not extend over the entire base area, so if the
  • the Haftvermitt ⁇ treatment layer 42 may also cover the side surfaces of the reflector layers.
  • an adhesion- promoting layer 42 which is provided as a diffusion barrier, can be set up to the reflector layers 38, 40 of electrically conductive structures extending vertically through the first and second
  • Reflector layer 38, 40 extend to separate.
  • the reflector layers can be laterally structured differently.
  • the first reflector layer may have a larger area than the second reflector layer.
  • the difference union under ⁇ surfaces may for example result from the fact that the reflector layers are patterned with different masks. Side surfaces of the second
  • Reflector layer may be reset compared to the side surfaces of the first reflector layer, wherein the first and second reflector layer form a step. Due to the different surfaces of the reflector layers, a more favorable aspect ratio can be generated for a subsequent overmoulding of the reflector layers.
  • the first and second reflector layers 38, 40 may have a total layer thickness of less than 500 nm. To match at ⁇ the sum of the layer thicknesses of the reflector layers may be 200 nm to 400 nm. Furthermore, the first and second reflector layers 38, 40 may have substantially the same layer thickness. For example, the first and second reflector layers 38, 40 may each be silver layers having a layer thickness of approximately 150 nm. In the illustrated embodiments, the primer layer 42 may be a zinc oxide layer having a layer thickness of about 50 nm. Generally, the layer thickness of the adhesion promoting layer 42 may be in a range of 5 nm to 100 nm. In further embodiments, the Layer thickness of the adhesion-promoting layer 42 in a range of 20 nm to 70 nm.
  • Reflector layer may be provided. During the growth break and / or due to the material removal can in the
  • Forming reflector layer horizontal grain boundaries or the Ma ⁇ TERIAL is already formed up to a grain boundary formed From ⁇ . If, after the pause in growth or after the removal of material, the material for the next reflector layer be applied ⁇ , the material applied to the existing grain boundaries of the already applied overlaid
  • Reflector layer on. Accordingly, a horizontal grain boundary region also forms in this reflector layer.
  • the first material for the first reflector layer 38 may, for example, be applied by sputtering or vapor deposition directly onto a layer of the first layer sequence.
  • Darge ⁇ approximately 150 nm of silver by sputtering will be applied directly to the p-doped semiconductor layer 36th
  • a wax ⁇ tumspause is provided.
  • For the growth pause for can ⁇ When playing the sputtering for a certain time interval un ⁇ interrupted be. For example, a growth break of at least 10 seconds may be provided during which no material is applied. After the pause in growth of sputtering for the second reflector layer 40 is then ⁇ fortge sets.
  • the same parameters or similar parameters as for the application of the first reflector layer 38 may be provided.
  • the first and second reflector layers 38, 40 can be applied in the same system.
  • the device to be manufactured can remain in the system during the growth break .
  • the reflector layers can also be applied with different process parameters in order to achieve a horizontal position between the reflector layers
  • Grain boundary area to produce For example, the pressure in the process chamber, the performance of the system and / or the electrical bias of the substrate can be changed.
  • a material removal provided for producing the horizontal grain boundary regions can be effected, for example, by back sputtering.
  • the back sputtering can be done in the same system as sputtering, while the electrodes of the system are reversed.
  • a silver layer for the first reflector layer 38 with a layer thickness of approximately 160 nm can be applied directly to the p-doped semiconductor layer 36. Then the sputtering system is reversed and 10 nm of the applied first reflector layer 38 are removed again. After sputtering, the first one points
  • Reflector layer 38 has a layer thickness of about 150 nm. After the layer thickness provided for the first reflector layer 38 has been reached, the electrodes of the system can be reversed again. In addition to reversing the polarity of the electrodes, a growth pause may be provided. Subsequently, the first material for the second
  • Reflector layer 40 are applied.
  • the second material for the adhesion-promoting layer 42 is applied.
  • the second material may be, for example, by sputtering or vapor deposition on the second reflector layer 40 positioned ⁇ introduced.
  • a structuring of the reflector layers 38, 40 may be provided.
  • a temperature treatment may be provided.
  • the layer sequences can be tempered.
  • the layer sequences can be stored for 1 hour at temperatures between 200 ° C and 300 ° C. After annealing, further processing steps for the production of the
  • wet-chemical structuring methods for structuring the first layer sequence may be provided, in which the reflector layers 38, 40 serve as a barrier.
  • FIG 3 is a schematic representation of a cross section through a first and a second layer sequence 30, 52 according to a second exemplary embodiment.
  • the object of the second exemplary embodiment is based on the subject matter of the first exemplary embodiment, wherein additionally between the first
  • the intermediate layer 64 may be provided, for example, to prevent back to form the horizontal grain boundary areas 58a, 60a of the first and the second reflector layer 58,60 during subsequent Tem ⁇ peratur awarenessen.
  • the materials and the layer thicknesses of the reflector layers 58, 60 and of the adhesion- promoting layer 42 illustrated in FIG. 3 can essentially correspond to the materials and layer thicknesses explained in connection with the preceding exemplary embodiment.
  • the intermediate layer 64 may be a relatively thin layer.
  • the layer thickness of the intermediate layer can maxi ⁇ gene by 10% of the layer thickness of the reflector layers betra-.
  • the layer thickness of the intermediate layer 64 may be less than or equal to 10 nm.
  • the layer thickness of the intermediate layer 64 may be less than or equal to 5 nm.
  • the layer thickness of the intermediate layer 64 may be 3 nm.
  • the intermediate layer 64 can form a continuous surface or egg ⁇ ne surface with local openings. While a Runaway ⁇ rising surface, the reflector layer completely covering the layer is thus closed, covers an area having local openings, the reflector layer is not complete.
  • the material of the intermediate layer in Erzeu ⁇ gen small layer thicknesses can be arranged such that the intermediate layer 64 is not formed continuously.
  • the application of the material of the intermediate layer can be terminated before the intermediate layer can continuously form. This can occur, for example, at layer thicknesses that are smaller than 5 nm.
  • the material can be arranged as a plurality of separate material accumulations. The accumulations of material may be at least partially interconnected.
  • the material of the intermediate layer may be randomly distributed.
  • the mate ⁇ rial of the intermediate layer between the reflector layers may be intercalated.
  • the intermediate layer 64 may comprise the second material and / or a third material.
  • the third material may for In ⁇ play a transparent electrically conductive oxide, or a be dielectric material.
  • a transparent, electrically conductive oxide may be provided, for example, when the intermediate layer forms a continuous surface.
  • a ⁇ lectric material may be provided, for example, when the intermediate layer is an area with local openings.
  • the third material may be selected, for example, from a similar group as the second material. Accordingly, the third material is zinc oxide, platinum, Ni ⁇ ckel, titanium, indium, rhodium, chromium or a compound containing these materials may comprise.
  • the intermediate layer 64 may be deposited by physical vapor deposition techniques, such as sputtering or vapor deposition, or by chemical vapor deposition. Further, oxygen can be ⁇ introduced into the plant to produce the intermediate layer 64 during a pause in growth, for example. This can be on the surface of the
  • Reflector layer bil ⁇ an oxide layer of the first material. Accordingly, the third material may also be an oxide of the first material.
  • the second layer sequence 52, the first and the second reflector layer 58, 60 each ⁇ wells be silver layers.
  • gold layers can also be provided.
  • the reflector layers 58, 60 may have a total thickness of less than 500 nm.
  • the intermediate layer 64 may comprise a doped zinc oxide layer having a
  • Layer thickness be less than or equal to 10 nm.
  • the dopant for the zinc oxide layer can be chosen such that the doped zinc oxide layer is electrically conductive.
  • the zinc oxide layer can be doped with gallium or aluminum.
  • the illustrated adhesion promoting layer 42 may be an undoped zinc oxide layer having a layer thickness smaller or equal to 20 nm. It has been observed that, in embodiments having an intermediate layer, to achieve a desired layer quality of the
  • Reflector layers required layer thickness of the adhesion-promoting layer may be less than inParksbei ⁇ games without interlayer. Furthermore, it was observed ⁇ to that by the introduction of an intermediate layer, the layer thickness of the layer sequence a whole can be reduced. For example, the sum of the layer thicknesses of the intermediate layer 64 and the adhesion promoting layer 42 may be less than or equal to 20 nm.
  • Reflector layers 38, 40 are additionally provided for electrically contacting one of the semiconductor layers 34, 36, it is generally desirable that the electrical conductivity of the reflector layers is not affected by an intermediate layer.
  • the intermediate layer can be applied particularly thinly. For example, in intermediate layers with a layer thickness of less than 5 nm, it could be observed that, despite the use of a material having a low electrical conductivity, the interlayer does not or does not significantly impair the electrical conductivity between the first and second reflector layers. An additional Do ⁇ orientation of the material of the intermediate layer can therefore be verzich ⁇ tet.
  • FIG 4 is a schematic representation of a cross section through a first and a second layer sequence 30, 72 according to FIG third embodiment.
  • the object of the third exemplary embodiment is based on the subject matter of the first exemplary embodiment, with a third additionally being provided
  • Reflector layer 82 is provided. The third
  • Reflector layer 82 is disposed between second reflector layer 80 and primer layer 42. At the interfaces between the first and second reflector layers 78, 80, the horizontal grain boundary regions 78a, 80a are arranged on ⁇ . At the interfaces between the second and third reflector layers 80, 82 are horizontal
  • Grain boundary regions 80b, 82b arranged.
  • Grain boundary regions may substantially correspond to the grain boundary regions described in connection with FIGS. 2 and 2a.
  • the first, second and third reflector layer 78, 80, 82 Kgs ⁇ NEN a layer thickness of less than 500 nm in sum aufwei ⁇ sen.
  • the sum of the layer thicknesses of the reflector layers of the third exemplary embodiment may substantially correspond to the sum of the layer thicknesses of the reflector layers of the first and second exemplary embodiments. Accordingly, the reflector layers explained in connection with the third embodiment may be thinner than those explained in connection with the first and second embodiments
  • Reflector layers have less holes after a tempering than thicker reflector layers. For example, it could be observed that a 150 nm thick reflector layer has fewer holes than a 300 nm thick reflector layer on ⁇ . Therefore, it is believed that the Entnetzen the
  • Reflector layers is. As material for the first, second and third
  • Reflector layer 78, 80, 82 may for example be silver vorgese ⁇ hen.
  • Layer sequence two growth pauses and / or a sauma ⁇ liger material removal are provided. Furthermore, a growth break can be provided for producing a first boundary surface and a removal of material for producing a second boundary surface.
  • FIGS. 5 and 6 are schematic representations of cross sections of embodiments that are similar to the third exemplary embodiment. In the embodiment shown in Fig. 5 is between the first and second
  • Reflector layer 78, 80, a first intermediate layer 84 is arranged ⁇ .
  • a second intermediate layer 86 is arranged at the third reflector layer 82.
  • the adhesion-promoting layer 42 is arranged.
  • the material and the layer thickness of the adhesion promoter ⁇ mediate layer 42 may correspond to the material and layer thicknesses explained in connection with the first and second embodiments.
  • the material and layer thicknesses of first and second intermediate layers 84, 86 can ⁇ chen in the Wesentli in connection with the second embodiment disclosed materials and layer thicknesses correspond. Further, 86 may be provided depending ⁇ wells the same materials and layer thicknesses for the first and second intermediate layer 84. However, it is also possible that different materials and layer thicknesses are provided.
  • first and second intermediate layers 80, 82 may each have a layer thickness of less than 10 nm. Further, the first and second intermediate layers 80, 82 may each be formed of zinc oxide. The first, second and third reflector layers 78, 80, 82 may each be formed of silver.
  • Reflector layers 78, 80, 82 may have a total layer thickness of approximately 300 nm.
  • the adhesion promoting layer 42 may be formed of zinc oxide.
  • the sum of the layer thicknesses of the first and second intermediate layers 84, 86 and of the adhesion- promoting layer 42 can be less than or equal to 20 nm.
  • the adhesion-promoting layer, the first, second and third reflector layers and the intermediate layers can each be produced by sputtering.
  • the layer thickness of the first intermediate layer may be greater than that
  • Layer thickness of the second intermediate layer may be about twice as large as that of the second intermediate layer.
  • the layer thickness of the first reflector layer may be smaller than the layer thickness of the second reflector layer.
  • Reflector layer be half as large as the second
  • Reflector layer In the embodiment of FIG. 6, three reflector layers 78, 80, 82 and an intermediate layer 84 are provided.
  • the intermediate layer 84 may be arranged between the first and second reflector layer 78, 80 or between the second and third reflector layer 80, 82.
  • the intermediate layer 84 is disposed between the first and second reflector layers 78, 80.
  • the layers shown in FIG. 6 may substantially correspond to the layers shown in FIG.
  • the first reflector layer 78 can be produced. Thereafter, a growth break of, for example, at least 10 seconds may be provided. After the break in growth, 100 nm of the first material can be applied to the first reflector layer 78. As a result, the second reflector layer 80 can be produced. After he ⁇ witness the second reflector layer, an intermediate layer can be produced 84th The intermediate layer can be produced, for example, by the targeted oxidation of the first material of the second reflector layer or by the application of a second and / or third material. After forming the intermediate layer 84, 100 nm of the first material is applied to the intermediate layer 84 to form the third
  • Reflector layer 82 is then sputtered on 10 nm of the second material to produce the primer layer 42. After applying the individual layers of the second
  • Layer sequence is provided a tempering process.
  • For the pern can be provided for a temperature storage at temperatures between 200 ° C and 300 ° C for one hour.
  • more than three reflector layers can be provided.
  • the sum of the layer thicknesses for embodiments with more than three reflector layers can also be less than 500 nm. Also in embodiments with more than three
  • Reflector layers may be provided one or more intermediate layers.
  • the optoelectronic component and the method for producing an optoelectronic component have been described with reference to some embodiments in order to illustrate the underlying idea.
  • the embodiments are not be limited to particular combinations of features ⁇ . Although some features and configurations have been described only in connection with a particular embodiment or individual embodiments, they can each be combined with other features from otherParksbei ⁇ play. It is also possible to omit or add in individual embodiments illustrated features or particular embodiments, as far as the general technical teaching is realized.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Es wird ein optoelektronisches Bauelement (10) mit einer ersten Schichtenfolge (30) und einer zweiten Schichtenfolge (32) beschrieben. Die erste Schichtenfolge (30) ist dazu eingerichtet, elektromagnetische Strahlung zu emittieren oder zu detektieren. Die zweite Schichtenfolge (32) ist an einer ersten Seite der ersten Schichtenfolge (30) angeordnet und ist dazu eingerichtet, die von der ersten Schichtenfolge (30) emittierte oder zu detektierende elektromagnetische Strahlung zu reflektieren. Die zweite Schichtenfolge (32) weist eine erste Reflektorschicht (38) eine zweite Reflektorschicht (40) und eine Haftvermittlungsschicht (42) auf. Die erste Reflektorschicht (38) enthält ein erstes Material und ist an einer der ersten Seite der ersten Schichtenfolge (30) zugewandten ersten Seite der zweiten Schichtenfolge (32) angeordnet. Die Haftvermittlungsschicht (42) enthält ein zweites Material und ist an einer von der ersten Seite der ersten Schichtenfolge (30) abgewandten zweiten Seite der zweiten Schichtenfolge (32) angeordnet. Die zweite Reflektorschicht (40) enthält das erste Material und ist zwischen der ersten Reflektorschicht (38) und der Haftvermittlungsschicht (42) angeordnet.

Description

Optoelektronisches Bauelement mit einer reflektierenden
Schichtenfolge und Verfahren zum Erzeugen einer reflektieren¬ den Schichtenfolge
Der hier beschriebene Gegenstand betrifft ein
optoelektronisches Bauelement in dem eine reflektierende Schichtenfolge angeordnet ist, um emittierte oder zu detek- tierende elektromagnetische Strahlung zu reflektieren. Ferner wird ein Verfahren zum Erzeugen einer reflektierenden Schich- tenfolge für ein optoelektronisches Bauelement beschrieben.
Optoelektronische Bauelemente enthalten häufig reflektierende Strukturen, um die Effizienz des optoelektronischen Bauelements zu steigern. Zum Beispiel kann elektromagnetische
Strahlung, die von einer aktiven Schicht des Bauelements in Richtung eines opaken Trägers emittiert wird, durch die re¬ flektierende Struktur in eine gewünschte Abstrahlrichtung des optoelektronischen Bauelements umgelenkt werden.
Um einen möglichst großen Anteil der elektromagnetischen
Strahlung zu reflektieren, werden die reflektierenden Strukturen häufig aus Materialien geformt, die für den von dem optoelektronischen Bauelement emittierten oder zu detektie- renden Wellenlängenbereich der elektromagnetischen Strahlung einen hohen Reflexionsgrad aufweisen. Dabei besteht allgemein das Problem, dass einige Materialien mit besonders guten re¬ flektierenden Eigenschaften, wie zum Beispiel Silber oder Gold, das Halbleitermaterial des optoelektronischen Bauele¬ ments nur schlecht benetzen. Ferner können die reflektieren- den Materialien nur eine geringe Haftung auf dem Halbleitermaterial aufweisen. Zwar kann durch Tempervorgänge die Haf- tung der reflektierenden Struktur an dem Halbleitermaterial des optoelektronischen Bauelements verbessert werden, allerdings können dadurch Materialfehler, wie zum Beispiel Löcher oder Risse, in der reflektierenden Struktur entstehen. Derar- tige Materialfehler - nachstehend vereinfacht als Löcher be¬ zeichnet - können die Qualität und/oder die Funktion der re¬ flektierenden Struktur beeinträchtigen. Dies gilt insbesondere für Löcher die die reflektierende Struktur in vertikaler Richtung - also parallel zur Aufwachsrichtung der Schichten- folge - vollständig durchdringen.
Eine Aufgabe besteht somit darin, die Bildung von Löchern in der reflektierenden Struktur zu verhindern oder zumindest zu begrenzen. Insbesondere soll ein optoelektronisches Bauele- ment ohne die Funktion und/oder die Qualität beeinträchtigende Löcher in der reflektierenden Struktur bereitgestellt werden. Ferner soll ein Verfahren zum Erzeugen eines entsprechenden optoelektronischen Bauelements angegeben werden.
Vorgeschlagene Lösung
Zur Lösung dieser Aufgabe wird ein optoelektronisches Bauele¬ ment mit einer ersten Schichtenfolge und einer zweiten
Schichtenfolge vorgeschlagen. Die erste Schichtenfolge ist dazu eingerichtet, elektromagnetische Strahlung zu emittieren oder zu detektieren. Die zweite Schichtenfolge ist an einer ersten Seite der ersten Schichtenfolge angeordnet und dazu eingerichtet, die von der ersten Schichtenfolge emittierte oder zu detektierende elektromagnetische Strahlung zu reflek- tieren. Die zweite Schichtenfolge weist eine erste
Reflektorschicht, eine zweite Reflektorschicht und eine Haft¬ vermittlungsschicht auf. Die erste Reflektorschicht enthält ein erstes Material und ist an einer der ersten Seite der ersten Schichtenfolge zugewandten ersten Seite der zweiten Schichtenfolge angeordnet. Die Haftvermittlungsschicht ent¬ hält ein zweites Material und ist an einer von der ersten Seite der ersten Schichtenfolge abgewandten zweiten Seite der zweiten Schichtenfolge angeordnet. Die zweite
Reflektorschicht enthält das erste Material und ist zwischen der ersten Reflektorschicht und der Haftvermittlungsschicht angeordnet .
Das Vorsehen separater Reflektorschichten kann die Bildung von Löchern in der zweiten Schichtenfolge verhindern oder zumindest begrenzen. So konnte zum Beispiel beobachtet werden, dass die Löcherbildung häufig an der Grenzfläche zwischen den Reflektorschichten endet. Dies kann dadurch begründet werden, dass die Grenzfläche zwischen den Reflektorschichten eine Barriere für die sich durch die Reflektorschicht ausbreiten¬ den Löcher darstellt. In einer einzelnen Reflektorschicht kann hingegen, auch wenn deren Schichtdicke im Wesentlichen der Summe der Schichtdicken der zwei separaten
Reflektorschichten entspricht, die Löcherbildung in vertikaler Richtung im Wesentlichen ungehindert erfolgen.
Indem die Löcherbildung verhindert oder zumindest begrenzt wird, kann die Qualität der Reflektorschichten erhöht werden. Ein Aspekt einer höheren Qualität kann zum Beispiel in einer hohen Reflektivität bestehen. Ein weiterer Aspekt kann darin bestehen, dass die Reflektorschichten in Summe undurchlässig sind. Zum Beispiel können die in Summe undurchlässigen
Reflektorschichten als Barriere für ein Strukturierungsver- fahren dienen, das bei der Herstellung des Bauelements vorgesehene ist. So können die in Summe undurchlässigen
Reflektorschichten zum Beispiel als Barriere für nasschemi- sehe Ätzvorgänge vorgesehen sein. Ein weiterer Aspekt kann in einer verbesserten elektrischen Querleitfähigkeit bestehen, die sich aus der begrenzten Löcherbildung ergibt. Zur Lösung der Aufgabe wird ferner ein Verfahren zum Erzeugen einer Schichtenfolge eines optoelektronischen Bauelements vorgeschlagen. Die Schichtenfolge weist eine ein erstes Mate¬ rial enthaltende erste Reflektorschicht, eine das erste Mate¬ rial enthaltende zweite Reflektorschicht und eine ein zweites Material enthaltende Haftvermittlungsschicht auf. Bei dem
Verfahren zum Erzeugen der Schichtenfolge wird zwischen dem Aufbringen des ersten Materials für die erste
Reflektorschicht und dem Aufbringen des ersten Materials für die zweite Reflektorschicht zumindest in einer der
Reflektorschichten ein horizontaler Korngrenzenbereich erzeugt .
Der horizontale Korngrenzenbereich kann zum Beispiel durch eine Wachstumspause beim Erzeugen der Reflektorschichten, durch einen Materialabtrag währen der Erzeugung der
Reflektorschichten und/oder durch das Einbringen einer Zwischenschicht erzeugt werden. Der erzeugte horizontale
Korngrenzenbereich bildet eine Barriere innerhalb der
Reflektorschichten und wirkt somit der Löcherbildung entge- gen. Entsprechend kann durch die genannten Maßnahmen die Qualität der Reflektorschichten erhöht werden.
Weitere Ausgestaltungen Die zweite Schichtenfolge kann eine dritte Reflektorschicht aufweisen. Durch das Vorsehen von drei separaten
Reflektorschichten kann die Löcherbildung durch eine weitere Grenzfläche zwischen den Reflektorschichten behindert werden. Die dritte Reflektorschicht kann das erste Material enthal¬ ten. Die erste, zweite und dritte Reflektorschicht können im Wesentlichen die gleiche Schichtdicke aufweisen. Die Gesamt¬ schichtdicke der Reflektorschichten der zweiten Schichtenfol- ge kann weniger als 500 nm betragen. Zum Beispiel kann die
Gesamtschichtdicke der Reflektorschichten zwischen 400 nm und 200 nm betragen. Ferner können die erste, die zweite sowie die optionale dritte Reflektorschicht im Wesentlichen aus dem gleichen Material gebildet sein. Zum Beispiel können die Reflektorschichten mindestens 80% des ersten Materials ent¬ halten. In einigen Ausführungsbeispielen können die
Reflektorschichten mindestens 95% des ersten Materials ent¬ halten. Das erste Material kann zum Beispiel Silber, Gold, Aluminium, Rhodium oder eine diese Materialien enthaltende Verbindung umfassen.
Die Haftvermittlungsschicht kann dazu eingerichtet sein, die Haftung der Reflektorschicht auf einem Halbleitermaterial der ersten Schichtenfolge zu erhöhen. Das zweite Material kann zum Beispiel Zinkoxid, Platin, Nickel, Titan, Indiumzinnoxid oder eine diese Materialien enthaltende Verbindung umfassen. Insbesondere wenn das erste Material Gold oder Silber um- fasst, kann das zweite Material auch Aluminium oder Rhodium umfassen. Die Haftvermittlungsschicht kann direkt an einer der Reflektorschichten angeordnet sein.
Die Schichtdicke der Haftvermittlungsschicht kann zwischen 5 nm und 100 nm betragen. In einigen Ausführungsbeispielen kann die Schichtdicke der Haftvermittlungsschicht zwischen 20 nm und 70 nm betragen. Ferner kann die Schichtdicke der Haftvermittlungsschicht zwischen 40 nm und 60 nm betragen. Die Haftvermittlungsschicht kann eine Diffusionsbarriere bil¬ den. Dies kann zum Beispiel dann der Fall sein, wenn das zweite Material neben den haftvermittelnden Eigenschaften auch eine Diffusion von Material in die reflektierenden
Schichten verhindert. Eine als Diffusionsbarriere wirkende Haftvermittlungsschicht kann durchgehend geformt sein. Zum Beispiel kann die Haftvermittlungsschicht durchgehend zwi¬ schen der Reflektorschicht und einer weiteren Schicht des optoelektronischen Bauelements angeordnet sein. Bei einigen Ausführungsbeispielen kann die weitere Schicht zum Beispiel zur elektrischen Kontaktierung einer der Schichten der ersten Schichtenfolge vorgesehen sein. Es können vertikal in dem Bauelement angeordnete elektrisch leitfähige Strukturen vor¬ gesehen sein, die dazu eingerichtet sind, die weitere Schicht und eine Halbleiterschicht der ersten Schichtenfolge elekt¬ risch leitend zu verbinden. Die Haftvermittlungsschicht kann so angeordnet sein, dass zwischen der Reflektorschicht und der weiteren Schicht und/oder den vertikalen elektrisch leitenden Strukturen kein direkter Kontakt besteht. Entsprechend kann die Haftvermittlungsschicht die Seitenflanken und/oder
Teile der Seitenflanken der zumindest zwei Reflektorschichten durchgehend bedecken.
In einem Ausführungsbeispiel ist Zinkoxid als Material für die Haftvermittlungsschicht vorgesehen. Eine aus Zinkoxid ge¬ formte Haftvermittlungsschicht kann eine Diffusion von Mate¬ rial von der weiteren Schicht durch die Haftvermittlungs¬ schicht in die Reflektorschichten verhindern. Entsprechend kann eine aus Zinkoxid gebildete Haftvermittlungsschicht eine Diffusionsbarriere bilden.
Die zweite Schichtenfolge kann eine zwischen den
Reflektorschichten angeordnete Zwischenschicht aufweisen. Im Vergleich zur Reflektorschicht kann die Zwischenschicht rela¬ tiv dünn sein. Zum Beispiel kann die Schichtdicke der Zwischenschicht maximal 10% der Schichtdicke einer der
Reflektorschichten betragen. So kann die Zwischenschicht eine Schichtdicke kleiner oder gleich 10 nm aufweisen. Ferner kann die Zwischenschicht eine Schichtdicke kleiner oder gleich 5 nm aufweisen. Bei einigen Ausführungsbeispielen kann die Zwischenschicht eine Schichtdicke von 3 nm aufweisen. Die Zwischenschicht kann eine durchgängige Struktur oder eine Struktur mit lokalen Öffnungen sein. Als durchgängige Struktur kann zum Beispiel eine Schicht bezeichnet werden, die ei¬ ne Reflektorschicht vollständig bedeckt. Als Struktur mit lo¬ kalen Öffnungen kann zum Beispiel eine Schicht bezeichnet werden, bei der die Zwischenschicht, zum Beispiel wegen der geringen Schichtdicke, die Reflektorschicht nicht vollständig bedeckt. Die Struktur mit lokalen Öffnungen kann zum Beispiel verteilt angeordnete Materialanhäufungen aufweisen. Ferner kann die Zwischenschicht zwischen die Reflektorschichten interkaliert werden.
Die Zwischenschicht kann das zweite Material und/oder ein drittes Material enthalten. Das dritte Material kann zum Bei¬ spiel aus der gleichen Materialgruppe wie das zweite Material ausgewählt werden. Somit kann das dritte Material zum Bei- spiel Zinkoxid, Platin, Nickel, Titan, Indiumzinnoxid, Rhodi¬ um, Chrom oder eine diese Materialien enthaltende Verbindung umfassen. Die Zwischenschicht kann elektrisch leitend sein. Zum Beispiel kann die Zwischenschicht ein dotiertes Halblei¬ termaterial enthalten. In einem Ausführungsbeispiel kann do- tiertes Zinkoxid als Material für die Zwischenschicht vorge¬ sehen sein. Zum Beispiel kann die elektrische Leitfähigkeit von Zinkoxid durch eine Dotierung mit Aluminium oder Gallium erhöht werden. Die Reflektorschichten können jeweils horizontale Korngrenzenbereiche aufweisen. Kurze Beschreibung der Figuren
Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele anhand der Figuren näher erläutert. Die gleichen Bezugszeichen werden für gleichartige oder gleich wirkende Elemente bzw. Eigenschaften in allen Figuren verwendet. Die Figuren sind nicht maßstabs¬ getreu .
Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung eines Querschnitts eines optoelektronischen Bauelements; Fig. 2 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch Schichtenfolgen gemäß eines ersten Ausführungsbeispiels;
Fig. 2a eine schematische Darstellung eines vergrößerten
Ausschnitts der Fig. 2;
Fig. 3 eine schematische Darstellungen eines Querschnitts durch Schichtenfolgen gemäß eines zweiten Ausführungsbeispiels;
Fig. 4 eine schematische Darstellungen eines Querschnitts durch Schichtenfolgen gemäß eines dritten Ausfüh- rungsbeispiels ;
Fig. 5 eine schematische Darstellungen eines Querschnitts durch Schichtenfolgen gemäß eines vierten Ausführungsbeispiels; Fig. 6 schematische Darstellungen eines Querschnitts durch Schichtenfolgen gemäß eines fünften Ausführungsbeispiels . Detaillierte Beschreibung von Ausführungsbeispielen
Der Begriff „optoelektronisches Bauelement" kann zum Beispiel Bauelemente umfassen, die dazu eingerichtet sind, elektromag¬ netische Strahlung zu emittieren und/oder elektromagnetische Strahlung zu detektieren. Nachfolgend wird die vorgeschlagene Lösung am Beispiel einer Licht emittierenden Diode (LED) erläutert, wobei die für eine LED erläuterten Merkmale auch bei anderen optoelektronischen Bauelementen vorgesehen sein können .
Die Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung eines Quer¬ schnitts durch ein erstes Ausführungsbeispiel eines
optoelektronischen Bauelements 10. Die Darstellung der Fig. 1 ist insbesondere zur schematischen Veranschaulichung vorgese- hen .
Das in Fig. 1 dargestellte Bauelement kann zum Beispiel eine LED sein. Das Bauelement 10 umfasst einen Chip 12, einen ers¬ ten Anschlusskontakt 14 und einen zweiten Anschlusskontakt 16. Der erste und der zweite Anschlusskontakt 14, 16 sind da¬ zu eingerichtet, das Bauelement 10 mechanisch und elektrisch mit anderen Bauelementen, wie zum Beispiel einer Leiterplatte, zu verbinden. Der Chip 12 ist mit einer seiner Seitenflächen auf dem ersten Anschlusskontakt 14 angeordnet und über eine Bondverbindung 18 elektrisch leitend mit dem zweiten Anschlusskontakt 16 verbunden. Ferner umfasst das Bauelement 10 ein Strukturelement 19. Das Strukturelement 19 kann zum Bei¬ spiel aus einem elektrisch isolierenden Kunststoff geformt sein. Das Strukturelement 19 ist dazu eingerichtet, die Ele¬ mente des Bauelements 10, wie zum Beispiel den ersten und den zweiten Anschlusskontakt 14, 16 mechanisch zu verbinden. Ferner umfasst das Bauelement 10 ein Auskoppelelement 20. Das Auskoppelelement 20 ist dazu eingerichtet, die von dem Bau¬ element 10 emittierte elektromagnetische Strahlung auszukop¬ peln. Bei dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel ist ein linsenförmiges Auskoppelelement 20 vorgesehen.
Der in Fig. 1 dargestellte Chip 12 umfasst eine erste Schich¬ tenfolge 30, eine zweite Schichtenfolge 32 und einen Träger 44. Der Träger 44 kann zum Beispiel mittels einer Lotschicht auf dem ersten Anschlusskontakt 14 des Bauelements aufge¬ bracht sein. Die zweite Schichtenfolge 32 ist auf der vom ersten Anschlusskontakt 14 abgewandten Seite des Trägers 44 angeordnet. Auf der vom Träger 44 abgewandten Seite der zweiten Schichtenfolge 32 ist die erste Schichtenfolge 30 ange- ordnet. Als Material für den Träger 44 können zum Beispiel
Halbleitermaterialien vorgesehen sein. Der Chip 12 kann eine Vielzahl weiterer Schichten oder Strukturen enthalten. Um das Verständnis zu erleichtern, sind diese in der schematischen Darstellung der Fig. 1 nicht dargestellt.
Weitere Merkmale der ersten und der zweiten Schichtenfolge 30, 32 werden in Verbindung mit Fig. 2 erläutert. Die Fig. 2 ist eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch die erste und die zweite Schichtenfolge 30, 32. Die in Fig. 2 vereinfacht als vertikal gestapelte planare Strukturen darge¬ stellten Schichten der ersten und der zweiten Schichtenfolge 30, 32 können bei realen Bauelementen wesentlich komplexere Formen aufweisen. Zum Beispiel können in der Schichtenfolge vertikal angeordnete elektrisch leitende Strukturen sowie da¬ zugehörige elektrisch isolierende Strukturen angeordnet sein, die dazu vorgesehen sind, beabstandet angeordnete Schichten elektrisch leitend zu verbinden.
Die erste Schichtenfolge 30 umfasst zumindest zwei Schichten. Bei dem in Fig. 2 dargestellten Ausführungsbeispiel ist eine n-dotierte Halbleiterschicht 34 und eine p-dotierte Halblei- terschicht 36 vorgesehen. Dabei bildet die n-dotierte Halb¬ leiterschicht 34 die Oberfläche der ersten Schichtenfolge 30 und somit des in Fig. 1 dargestellten Chips 12. Die p- dotierte Halbleiterschicht 36 ist in der Schichtenfolge unter der n-dotierten Halbleiterschicht 34 angeordnet. Die n- dotierte Halbleiterschicht 34 und die p-dotierte Halbleiter¬ schicht 36 können zum Beispiel aus III-V Halbleitermateria¬ lien gebildet sein. Es kann ein nitridisches Verbindungshalb¬ leitermaterial wie zum Beispiel Galliumnitrid vorgesehen sein. Neben nitridischen Verbindungshalbleitermaterial kann ferner auch ein Verbindungshalbleitermaterial auf InGaAlP- oder Galliumarsenid-Basis vorgesehen sein.
Die erste Schichtenfolge 30 ist dazu eingerichtet, elektro¬ magnetische Strahlung zu emittieren. Die von der ersten
Schichtenfolge 30 emittierte elektromagnetische Strahlung soll im Wesentlichen über die Oberfläche der ersten Schichtenfolge 30, also der Oberfläche der n-dotierten Halbleiterschicht 34 abgestrahlt werden. Die erste Schichtenfolge 30 wird zur zweiten Schichtenfolge 32 hin durch die erste Seite der ersten Schichtenfolge 30 begrenzt. In der Darstellung der Fig. 2 bildet die Unterseite der p-dotierten Halbleiterschicht 36 die erste Seite der ersten Schichtenfolge 30. An der ersten Seite der ersten Schichtenfolge 30 ist die zweite Schichtenfolge 32 angeordnet. Die zweite Schichtenfol¬ ge 32 kann, so wie zum Beispiel in Fig. 2 dargestellt, direkt an der p-dotierten Halbleiterschicht 36 angeordnet sein. Die zweite Schichtenfolge 32 umfasst eine erste Reflektorschicht 38, eine zweite Reflektorschicht 40 und eine Haftvermitt¬ lungsschicht 42. Die erste Reflektorschicht 38 ist direkt an der ersten Seite der ersten Schichtenfolge 30 angeordnet. In der Darstellung der Fig. 2 bildet die Oberseite der ersten
Reflektorschicht 38 die erste Seite der zweiten Schichtenfol¬ ge 32. Bei der Darstellung der Fig. 2 ist die zweite
Reflektorschicht 40 unter der ersten Reflektorschicht 38 an¬ geordnet. Die erste und die zweite Reflektorschicht 38, 40 enthalten jeweils ein erstes Material. Enthalten jeweils ein erstes Material kann dabei bedeuten, dass zum Beispiel der Gewichtsanteil des ersten Materials an der ersten und zweiten Reflektorschicht 38, 40 jeweils mehr als 80 % beträgt. Ferner können die erste und die zweite Reflektorschicht 38, 40 im Wesentlichen aus dem gleichen Material gebildet sein. Im Wesentlichen aus dem gleichen Material gebildet kann zum Beispiel bedeuten, dass der Gewichtsanteil des ersten Materials an der ersten und zweiten Reflektorschicht 38,40 jeweils mehr als 95% beträgt. In einigen Ausführungsbeispielen können die erste und die zweite Reflektorschicht 38, 40 vollständig aus dem gleichen Material gebildet sein. Das erste Material kann zum Beispiel Silber, Gold, Aluminium, Rhodium oder eine diese Materialien enthaltende Verbindung umfassen.
Auch wenn die erste und die zweite Reflektorschicht 38, 40 direkt aneinander angrenzen und im Wesentlichen das gleiche Material enthalten, so handelt es sich bei der ersten und der zweiten Reflektorschicht 38, 40 um voneinander getrennte Schichten. Anhaltspunkte dafür, dass es sich um separate Schichten handelt, sind zum Beispiel die jeweils an der
Grenzfläche zwischen den Reflektorschichten 38, 40 angeordneten horizontalen Korngrenzenbereiche 38a, 40a. So weist die erste Reflektorschicht 38 an ihrer der zweiten
Reflektorschicht 40 zugewandten Seite einen horizontalen Korngrenzenbereich 38a auf. Die zweite Reflektorschicht 40 weist eine an ihrer der ersten Reflektorschicht 38 zugewand¬ ten Seite einen horizontalen Korngrenzenbereich 40a auf.
In den horizontalen Korngrenzenbereichen 38a, 40a bilden die ansonsten im Wesentlichen ungeordnet erscheinenden Kornstrukturen 46 des ersten Materials die erkennbare übergeordnete Struktur der Grenzfläche 48. Dies ist in dem Ausschnitt der Fig. 2a schematisch dargestellt. Die Grenzfläche 48 der
Reflektorschicht setzt sich aus den im Wesentlichen horizontal verlaufenden Abschnitten der Korngrenzen der jeweiligen Körner zusammen. So wie zum Beispiel in Fig. 2a dargestellt, müssen diese Abschnitte nicht exakt horizontal verlaufen. Entsprechend kann auch die Grenzfläche 48 Unregelmäßigkeiten und Abweichungen von einer ebenen Form aufweisen.
Auf der von der ersten Schichtenfolge 30 abgewandten Seite der zweiten Schichtenfolge 32 ist eine Haftvermittlungs- schicht 42 angeordnet. Die Haftvermittlungsschicht 42 enthält ein zweites Material. Das zweite Material kann zum Beispiel Zinkoxid, Platin, Nickel, Titan, Indiumzinnoxid oder eine diese Materialien enthaltende Verbindung umfassen. Sofern die Reflektorschichten Silber oder Gold enthalten, kann das zwei- te Material auch Aluminium oder Rhodium umfassen. Enthält ein zweites Material kann zum Beispiel bedeuten, dass der Ge¬ wichtsanteil des zweiten Materials in der Haftvermittlungs- Schicht 42 mehr als 80 % beträgt. Die Haftvermittlungsschicht 42 ist vorgesehen, um die Qualität der Reflektorschichten zu erhöhen. Die Eigenschaften des Materials der Haftvermitt¬ lungsschicht 42 können die Eigenschaften des Materials der Reflektorschichten 38, 40 dahingehend beeinflussen, dass die Schichtqualität der direkt an dem Halbleitermaterial der ers¬ ten Schichtenfolge 30 angeordneten Reflektorschicht 38 erhöht wird. Die Haftvermittlungsschicht 42 ist dazu eingerichtet, die Haftung der ersten und/oder der zweiten Reflektorschicht 38, 40 auf dem Halbleitermaterial der ersten Schichtenfolge 30 zu erhöhen. Für die Verbesserung der Schichtqualität der Reflektorschichten 38, 40 ist es nicht erforderlich, dass das zweite Material zwischen dem Halbleitermaterial der ersten Schichtenfolge und den Reflektorschichten angeordnet ist. Vielmehr kann beobachtet werden, dass eine an der von der ersten Seite der ersten Schichtenfolge 30 abgewandten Seite der zweiten Schichtenfolge 32 angeordnete Haftvermittlungs¬ schicht 42 die Schichtqualität der Reflektorschichten erhöht.
Zudem kann die Haftvermittlungsschicht 42 dazu eingerichtet sein, eine Diffusionsbarriere zu bilden. Eine als Diffusions¬ barriere wirkende Haftvermittlungsschicht kann zum Beispiel vorgesehen sein, um Diffusion in die Halbleiterschichten der ersten Schichtenfolge 30 und/oder in die Reflektorschichten 38, 40 zu verhindern oder zumindest zu begrenzen. Eine als Diffusionsbarriere vorgesehene Haftvermittlungsschicht 42 kann die angrenzenden Reflektorschichten vollständig bedecken. Insbesondere wenn die Reflektorschichten sich nicht über die gesamte Grundfläche erstrecken, also wenn die
Reflektorschichten strukturiert sind, kann die Haftvermitt¬ lungsschicht 42 auch die Seitenflächen der Reflektorschichten bedecken. Zum Beispiel kann eine als Diffusionsbarriere vor¬ gesehene Haftvermittlungsschicht 42 dazu eingerichtet sein, die Reflektorschichten 38, 40 von elektrisch leitenden Strukturen, die sich vertikal durch die erste und zweite
Reflektorschicht 38, 40 erstrecken, zu trennen.
In einem nicht dargestellten Ausführungsbeispiel können die Reflektorschichten lateral unterschiedlich strukturiert sein. Zum Beispiel kann die erste Reflektorschicht eine größere Fläche aufweisen als die zweite Reflektorschicht. Die unter¬ schiedlichen Flächen können zum Beispiel daraus resultieren, dass die Reflektorschichten mit unterschiedlichen Masken strukturiert werden. Seitenflächen der zweiten
Reflektorschicht können im Vergleich zu den Seitenflächen der ersten Reflektorschicht zurückgesetzt sein, wobei die erste und zweite Reflektorschicht eine Stufe bilden. Durch die un- terschiedlichen Flächen der Reflektorschichten kann ein günstigeres Aspektverhältnis für eine nachfolgende Überformung der Reflektorschichten erzeugt werden.
Die erste und zweite Reflektorschicht 38, 40 können in Summe eine Schichtdicke von weniger als 500 nm aufweisen. Zum Bei¬ spiel kann die Summe der Schichtdicken der Reflektorschichten 200 nm bis 400 nm betragen. Ferner können die erste und die zweite Reflektorschicht 38, 40 im Wesentlichen die gleiche Schichtdicke aufweisen. Zum Beispiel können die erste und die zweite Reflektorschicht 38, 40 jeweils Silberschichten mit einer Schichtdicke von ungefähr 150 nm sein. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispielen kann die Haftvermittlungsschicht 42 eine Zinkoxidschicht mit einer Schichtdicke von ungefähr 50 nm sein. Allgemein kann die Schichtdicke der Haftvermittlungsschicht 42 in einem Bereich von 5 nm bis 100 nm liegen. In weiteren Ausführungsbeispielen kann die Schichtdicke der Haftvermittlungsschicht 42 in einem Bereich von 20 nm bis 70 nm liegen.
Beim Erzeugen der zweiten Schichtenfolge kann zwischen dem Aufbringen der ersten Reflektorschicht 38 und dem Aufbringen der zweiten Reflektorschicht 40 eine Wachstumspause und/oder ein Abtrag von bereits aufgebrachtem Material der
Reflektorschicht vorgesehen sein. Während der Wachstumspause und/oder durch den Materialabtrag können sich in der
Reflektorschicht horizontale Korngrenzen bilden oder das Ma¬ terial wird bis zu einer bereits ausgebildeten Korngrenze ab¬ getragen. Wird nach der Wachstumspause oder nach dem Materialabtrag das Material für die nächste Reflektorschicht aufge¬ bracht, lagert sich das aufgebrachte Material an den bereits bestehenden Korngrenzen der bereits aufgebrachten
Reflektorschicht an. Entsprechend bildet sich auch in dieser Reflektorschicht ein horizontaler Korngrenzenbereich.
Das erste Material für die erste Reflektorschicht 38 kann zum Beispiel mit Sputtern oder Aufdampfen direkt auf eine Schicht der ersten Schichtenfolge aufgebracht werden. Bei dem darge¬ stellten Ausführungsbeispiel werden ungefähr 150 nm Silber mittels Sputtern direkt auf die p-dotierte Halbleiterschicht 36 aufgebracht. Nachdem die erste Reflektorschicht 38 mit der gewünschten Schichtstärke aufgebracht wurde, ist eine Wachs¬ tumspause vorgesehen. Für die Wachstumspause kann zum Bei¬ spiel der Sputtervorgang für ein bestimmtes Zeitintervall un¬ terbrochen werden. Zum Beispiel kann eine Wachstumspause von mindestens 10 Sekunden vorgesehen sein, während der kein Ma- terial aufgebracht wird. Nach der Wachstumspause wird dann der Sputtervorgang für die zweite Reflektorschicht 40 fortge¬ setzt. Für das Aufbringen der zweiten Reflektorschicht 40 können die gleichen Parameter oder ähnliche Parameter wie für das Aufbringen der ersten Reflektorschicht 38 vorgesehen sein. Die erste und die zweite Reflektorschicht 38,40 können in der gleichen Anlage aufgebracht werden. Das herzustellende Bauelement kann während der Wachstumspause in der Anlage ver¬ bleiben. Ferner können die Reflektorschichten auch mit unterschiedlichen Prozessparametern aufgebracht werden, um zwischen den Reflektorschichten einen horizontalen
Korngrenzenbereich zu erzeugen. Zum Beispiel kann der Druck in der Prozesskammer, die Leistung der Anlage und/oder die elektrische Vorspannung des Substrates verändert werden.
Ein zum Erzeugen der horizontalen Korngrenzenbereiche vorgesehener Materialabtrag kann zum Beispiel durch Rücksputtern erfolgen. Das Rücksputtern kann in der gleichen Anlage wie das Sputtern erfolgen, dabei werden die Elektroden der Anlage umgepolt. Zum Beispiel kann eine Silberschicht für die erste Reflektorschicht 38 mit einer Schichtstärke von ungefähr 160 nm direkt auf die p-dotierte Halbleiterschicht 36 aufge- bracht werden. Dann wird die Sputteranlage umgepolt und 10 nm der aufgebrachten ersten Reflektorschicht 38 werden wieder abgetragen. Nach dem Rücksputtern weist die erste
Reflektorschicht 38 eine Schichtdicke von ungefähr 150 nm auf. Nachdem die für die erste Reflektorschicht 38 vorgesehe- ne Schichtstärke erreicht wurde, können die Elektroden der Anlage erneut umgepolt werden. Zusätzlich zum Umpolen der Elektroden kann eine Wachstumspause vorgesehen sein. Anschließend kann das erste Material für die zweite
Reflektorschicht 40 aufgebracht werden.
Nach dem Aufbringen der zweiten Reflektorschicht 40 wird das zweite Material für die Haftvermittlungsschicht 42 aufge- bracht. Das zweite Material kann zum Beispiel durch Sputtern oder Aufdampfen auf die zweite Reflektorschicht 40 aufge¬ bracht werden. Vor dem Aufbringen der Haftvermittlungsschicht 42 kann eine Strukturierung der Reflektorschichten 38, 40 vorgesehen sein.
Nach dem Aufbringen der Haftvermittlungsschicht 42 kann eine Temperaturbehandlung vorgesehen sein. Zum Beispiel können die Schichtenfolgen getempert werden. Für das Tempern können die Schichtenfolgen für 1 Stunde bei Temperaturen zwischen 200°C und 300 °C gelagert werden. Nach dem Tempern können weitere Bearbeitungsschritte für die Herstellung des
optoelektronischen Bauelements vorgesehen sein. Zum Beispiel können nasschemische Strukturierungsverfahren zur Strukturie- rung der ersten Schichtenfolge vorgesehen sein, bei denen die Reflektorschichten 38, 40 als Barriere dienen.
Fig. 3 ist eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch eine erste und zweite Schichtenfolge 30, 52 gemäß eines zweiten Ausführungsbeispiels. Der Gegenstand des zweiten Aus¬ führungsbeispiels basiert auf dem Gegenstand des ersten Aus¬ führungsbeispiels, wobei zusätzlich zwischen der ersten
Reflektorschicht 58 und der zweiten Reflektorschicht 60 eine Zwischenschicht 64 angeordnet ist. Die Zwischenschicht 64 kann zum Beispiel dazu vorgesehen sein, um ein Zurückbilden der horizontalen Korngrenzenbereiche 58a, 60a der ersten und der zweiten Reflektorschicht 58,60 während nachfolgenden Tem¬ peraturbehandlungen zu verhindern. Die Materialien und die Schichtdicken der in Fig. 3 dargestellten Reflektorschichten 58, 60 und der Haftvermittlungsschicht 42 können im Wesentli¬ chen den in Verbindung mit dem vorhergehenden Ausführungsbeispiel erläuterten Materialien und Schichtdicken entsprechen. Die Zwischenschicht 64 kann eine relativ dünne Schicht sein. Zum Beispiel kann die Schichtdicke der Zwischenschicht maxi¬ mal 10% der Schichtdicke einer der Reflektorschichten betra- gen. Die Schichtdicke der Zwischenschicht 64 kann kleiner oder gleich 10 nm sein. Ferner kann die Schichtdicke der Zwischenschicht 64 kleiner oder gleich 5 nm sein. Bei einigen Ausführungsbeispielen kann die Schichtdicke der Zwischenschicht 64 zum Beispiel 3 nm sein.
Die Zwischenschicht 64 kann eine durchgehende Fläche oder ei¬ ne Fläche mit lokalen Öffnungen bilden. Während eine durchge¬ hende Fläche die Reflektorschicht vollständig bedeckt, die Schicht also geschlossen ist, bedeckt eine Fläche mit lokalen Öffnungen die Reflektorschicht nicht vollständig. Zum Bei¬ spiel kann sich das Material der Zwischenschicht beim Erzeu¬ gen geringer Schichtdicken derart anordnen, dass sich die Zwischenschicht 64 nicht durchgängig ausbildet. Dazu kann zum Beispiel das Aufbringen des Materials der Zwischenschicht be- endet werden, bevor sich die Zwischenschicht durchgehend aus¬ bilden kann. Dies kann zum Beispiel bei Schichtdicken auftreten, die kleiner als 5 nm sind. Dabei kann sich das Material als Vielzahl voneinander getrennter Materialanhäufungen anordnen. Die Materialanhäufungen können zumindest zum Teil miteinander verbunden sein. Das Material der Zwischenschicht kann zufällig verteilt angeordnet sein. Ferner kann das Mate¬ rial der Zwischenschicht zwischen die Reflektorschichten interkaliert sein.
Die Zwischenschicht 64 kann das zweiten Material und/oder ein drittes Material umfassen. Das dritte Material kann zum Bei¬ spiel ein transparentes, elektrisch leitfähiges Oxid oder ein dielektrisches Material sein. Ein transparentes, elektrisch leitfähiges Oxid kann zum Beispiel dann vorgesehen sein, wenn die Zwischenschicht eine durchgehende Fläche bildet. Ein die¬ lektrisches Material kann zum Beispiel dann vorgesehen sein, wenn die Zwischenschicht eine Fläche mit lokalen Öffnungen ist. Ferner kann das dritte Material zum Beispiel aus einer ähnlichen Gruppe ausgewählt werden wie das zweite Material. Entsprechend kann das dritte Material Zinkoxid, Platin, Ni¬ ckel, Titan, Indiumzinnoxid, Rhodium, Chrom oder eine diese Materialien enthaltende Verbindung umfassen. Die Zwischenschicht 64 kann durch Verfahren der physikalischen Gasphasenabscheidung, wie zum Beispiel Sputtern oder Aufdampfen, oder durch chemische Gasphasenabscheidung aufgebracht werden. Ferner kann zum Erzeugen der Zwischenschicht 64 während einer Wachstumspause zum Beispiel Sauerstoff in die Anlage einge¬ bracht werden. Dadurch kann sich an der Oberfläche der
Reflektorschicht eine Oxidschicht des ersten Materials bil¬ den. Dementsprechend kann das dritte Material auch ein Oxid des ersten Materials sein.
Bei der in Fig. 3 dargestellten zweiten Schichtenfolge 52 können die erste und die zweite Reflektorschicht 58, 60 je¬ weils Silberschichten sein. Für Anwendung im infraroten Wellenlängenbereich können zum Beispiel auch Goldschichten vor- gesehen sein. Die Reflektorschichten 58, 60 können in Summe eine Dicke von weniger als 500 nm aufweisen. Die Zwischenschicht 64 kann eine dotierte Zinkoxidschicht mit einer
Schichtdicke kleiner oder gleich 10 nm sein. Der Dotierstoff für die Zinkoxidschicht kann so gewählt werden, dass die do- tierte Zinkoxidschicht elektrisch leitend ist. Zum Beispiel kann die Zinkoxidschicht mit Gallium oder Aluminium dotiert werden. Die dargestellte Haftvermittlungsschicht 42 kann eine undotierte Zinkoxidschicht mit einer Schichtdicke kleiner oder gleich 20 nm sein. Es konnte beobachtet werden, dass bei Ausführungsbeispielen mit einer Zwischenschicht die zum Erreichen einer gewünschten Schichtqualität der
Reflektorschichten erforderliche Schichtdicke der Haftver- mittlungsschicht geringer sein kann als bei Ausführungsbei¬ spielen ohne Zwischenschicht. Ferner konnte beobachtet wer¬ den, dass durch das Einbringen einer Zwischenschicht die Schichtdicke der Schichtenfolge insgesamt reduziert werden kann. Zum Beispiel kann die Summe der Schichtdicken der Zwi- schenschicht 64 und der Haftvermittlungsschicht 42 kleiner oder gleich 20 nm sein.
Falls bei einem optoelektronischen Bauelement 10 die
Reflektorschichten 38, 40 zusätzlich auch zur elektrischen Kontaktierung einer der Halbleiterschichten 34, 36 vorgesehen sind, ist es in der Regel wünschenswert, dass die elektrische Leitfähigkeit der Reflektorschichten durch eine Zwischenschicht nicht beeinträchtigt wird. Ergänzend oder alternativ zur Dotierung eines halbleitenden Materials kann, um die elektrisch Leitfähigkeit der Zwischenschicht zu steigern, die Zwischenschicht besonders dünn aufgebracht werden. Zum Bei¬ spiel konnte bei Zwischenschichten mit einer Schichtdicken von weniger als 5 nm beobachtet werden, dass die Zwischenschicht, trotz der Verwendung eines Materials mit geringer elektrischer Leitfähigkeit, die elektrische Leitfähigkeit zwischen der ersten und zweiten Reflektorschicht nicht oder nicht erheblich beeinträchtigt wird. Auf eine zusätzliche Do¬ tierung des Materials der Zwischenschicht kann daher verzich¬ tet werden.
Fig. 4 ist eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch eine erste und zweite Schichtenfolge 30, 72 gemäß eines dritten Ausführungsbeispiels. Der Gegenstand des dritten Aus¬ führungsbeispiels basiert auf dem Gegenstand des ersten Aus¬ führungsbeispiels, wobei zusätzlich eine dritte
Reflektorschicht 82 vorgesehen ist. Die dritte
Reflektorschicht 82 ist zwischen der zweiten Reflektorschicht 80 und der Haftvermittlungsschicht 42 angeordnet. An den Grenzflächen zwischen der ersten und zweiten Reflektorschicht 78, 80 sind die horizontalen Korngrenzenbereiche 78a, 80a an¬ geordnet. An den Grenzflächen zwischen der zweiten und drit- ten Reflektorschicht 80, 82 sind horizontalen
Korngrenzenbereiche 80b, 82b angeordnet. Diese
Korngrenzenbereiche können im Wesentlichen den in Verbindung mit den Fig. 2 und 2a beschriebenen Korngrenzenbereichen entsprechen .
Die erste, zweite und dritte Reflektorschicht 78, 80, 82 kön¬ nen in Summe eine Schichtdicke von weniger als 500 nm aufwei¬ sen. Die Summe der Schichtdicken der Reflektorschichten des dritten Ausführungsbeispiels kann im Wesentlichen der Summe der Schichtdicken der Reflektorschichten des ersten und zweiten Ausführungsbeispiels entsprechen. Entsprechend können die in Verbindung mit dem dritten Ausführungsbeispiel erläuterten Reflektorschichten dünner sein, als die in Verbindung mit dem ersten und zweiten Ausführungsbeispiel erläuterten
Reflektorschichten. Ferner konnte beobachtet werden, dass bei ansonsten vergleichbaren Parametern dünnere
Reflektorschichten nach einem Tempervorgang weniger Löcher aufweisen als dickere Reflektorschichten. Zum Beispiel konnte beobachtet werden, dass eine 150 nm dicke Reflektorschicht weniger Löcher als eine 300 nm dicke Reflektorschicht auf¬ weist. Daher wird vermutet, dass das Entnetzen der
Reflektorschichten abhängig von den Schichtdicken der
Reflektorschichten ist. Als Material für die erste, zweite und dritte
Reflektorschicht 78, 80, 82 kann zum Beispiel Silber vorgese¬ hen sein. Das Material und die Schichtdicke der Haftvermitt- lungsschicht 42 können dem in Verbindung mit dem ersten und zweiten Ausführungsbeispiel erläuterten Material und Schicht¬ dicken entsprechen.
Zum Erzeugen der in Fig. 4 dargestellten zweiten Schichten- folge 72 können ähnliche Verfahrensschritte vorgesehen sein, wie zum Erzeugen der in Fig. 2 dargestellten zweiten Schichtenfolge 32. Im Unterschied zur in Fig. 2 dargestellten
Schichtenfolge sind zwei Wachstumspausen und/oder ein zweima¬ liger Materialabtrag vorgesehen. Ferner kann zum Erzeugen ei- ner ersten Grenzfläche eine Wachstumspause und zum Erzeugen einer zweiten Grenzfläche einen Materialabtrag vorgesehen sein .
Die Fig. 5 und 6 sind schematische Darstellungen von Quer- schnitten von an das dritte Ausführungsbeispiel angelehnten Ausführungsbeispielen. Bei dem in Fig. 5 dargestellten Ausführungsbeispiel ist zwischen der ersten und zweiten
Reflektorschicht 78, 80 eine erste Zwischenschicht 84 ange¬ ordnet. Zwischen der zweiten und dritten Reflektorschicht 80, 82 ist eine zweite Zwischenschicht 86 angeordnet. An der dritten Reflektorschicht 82 ist die Haftvermittlungsschicht 42 angeordnet. Das Material und die Schichtdicke der Haftver¬ mittlungsschicht 42 können dem in Verbindung mit dem ersten und zweiten Ausführungsbeispiel erläuterten Material und Schichtdicken entsprechen. Das Material und die Schichtdicken erste und zweite Zwischenschicht 84, 86 können im Wesentli¬ chen den in Verbindung mit dem zweiten Ausführungsbeispiel offenbarten Materialien und Schichtdicken entsprechen. Ferner können für die erste und zweite Zwischenschicht 84, 86 je¬ weils die gleichen Materialien und Schichtdicken vorgesehen sein. Es ist aber auch möglich, dass unterschiedliche Materi- alien und Schichtdicken vorgesehen sind.
In einem konkreten Ausführungsbeispiel können die erste und zweite Zwischenschicht 80, 82 jeweils eine Schichtdicke von weniger als 10 nm aufweisen. Ferner können die erste und zweite Zwischenschicht 80, 82 jeweils aus Zinkoxid gebildet sein. Die erste, zweite und dritte Reflektorschicht 78, 80, 82 können jeweils aus Silber gebildet sein. Die
Reflektorschichten 78, 80, 82 können eine Gesamtschichtdicke von ungefähr 300 nm aufweisen. Die Haftvermittlungsschicht 42 kann aus Zinkoxid gebildet sein. Die Summe der Schichtdicken der ersten und zweiten Zwischenschicht 84, 86 sowie der Haft¬ vermittlungsschicht 42 kann kleiner oder gleich 20 nm sein. Die Haftvermittlungsschicht, die erste, zweite und dritte Reflektorschicht sowie die Zwischenschichten können jeweils durch Sputtern erzeugt werden.
In einem nicht dargestellten Ausführungsbeispiel kann die Schichtdicke der ersten Zwischenschicht größer als die
Schichtdicke der zweiten Zwischenschicht sein. Zum Beispiel kann die Schichtdicke der ersten Zwischenschicht ungefähr doppelt so groß sein, wie die der zweiten Zwischenschicht. Ferner kann die Schichtdicke der ersten Reflektorschicht kleiner als die Schichtdicke der zweiten Reflektorschicht sein. Zum Beispiel kann die Schichtdicke der ersten
Reflektorschicht halb so groß sein, wie die der zweite
Reflektorschicht . Bei dem Ausführungsbeispiel der Fig. 6 sind drei Reflektorschichten 78, 80, 82 und eine Zwischenschicht 84 vorgesehen. Die Zwischenschicht 84 kann dabei zwischen der ersten und zweiten Reflektorschicht 78, 80 oder zwischen der zweiten und dritten Reflektorschicht 80, 82 angeordnet sein. Bei der Darstellung der Fig. 6 ist die Zwischenschicht 84 zwischen der ersten und der zweiten Reflektorschicht 78, 80 angeordnet. Abgesehen von der abweichenden Anordnung können die in Fig. 6 dargestellten Schichten im Wesentlichen den in Fig. 5 dargestellten Schichten entsprechen.
Zum Erzeugen des in Fig. 6 dargestellten Ausführungsbeispiels können zum Beispiel 100 nm des ersten Materials durch
Sputtern auf die erste Seite der ersten Schichtenfolge 30 aufgebracht werden. Dadurch kann die erste Reflektorschicht 78 erzeugt werden. Danach kann eine Wachstumspause von zum Beispiel mindestens 10 Sekunden vorgesehen sein. Nach der Wachstumspause können 100 nm des ersten Materials auf die erste Reflektorschicht 78 aufgebracht werden. Dadurch kann die zweite Reflektorschicht 80 erzeugt werden. Nach dem Er¬ zeugen der zweiten Reflektorschicht kann eine Zwischenschicht 84 erzeugt werden. Die Zwischenschicht kann zum Beispiel durch die gezielte Oxidation des ersten Materials der zweiten Reflektorschicht oder durch das Aufbringen eines zweiten und/oder dritten Materials erzeugt werden. Nach dem Erzeugen der Zwischenschicht 84 werden 100 nm des ersten Materials auf die Zwischenschicht 84 aufgebracht, um die dritte
Reflektorschicht 82 zu erzeugen. Auf die dritte
Reflektorschicht 82 werden dann 10 nm des zweiten Materials aufgesputtert , um die Haftvermittlungsschicht 42 zu erzeugen. Nach dem Aufbringen der einzelnen Schichten der zweiten
Schichtenfolge ist ein Tempervorgang vorgesehen. Für das Tem- pern kann eine Temperaturlagerung bei Temperaturen zwischen 200°C und 300°C für eine Stunde vorgesehen sein.
In nicht dargestellten Ausführungsbeispielen können auch mehr als drei Reflektorschichten vorgesehen sein. Dabei kann die Summe der Schichtdicken für Ausführungsbeispiele mit mehr als drei Reflektorschichten auch kleiner als 500 nm sein. Auch bei Ausführungsbeispielen mit mehr als drei
Reflektorschichten können eine oder mehrere Zwischenschichten vorgesehen sein.
Das optoelektronische Bauelement und das Verfahren zum Her¬ stellen eines optoelektronischen Bauelements wurden zur Veranschaulichung des zugrundeliegenden Gedankens anhand einiger Ausführungsbeispiele beschrieben. Die Ausführungsbeispiele sind dabei nicht auf bestimmte Merkmalskombinationen be¬ schränkt. Auch wenn einige Merkmale und Ausgestaltungen nur im Zusammenhang mit einem besonderen Ausführungsbeispiel oder einzelnen Ausführungsbeispielen beschrieben wurden, können sie jeweils mit anderen Merkmalen aus anderen Ausführungsbei¬ spielen kombiniert werden. Es ist ebenso möglich, in Ausführungsbeispielen einzelne dargestellte Merkmale oder besondere Ausgestaltungen wegzulassen oder hinzuzufügen, soweit die allgemeine technische Lehre realisiert bleibt.
Auch wenn die Schritte des Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements in einer bestimmten Reihenfolge beschrieben sind, so ist es selbstverständlich, dass jedes der in dieser Offenbarung beschriebenen Verfahren in jeder anderen, sinnvollen Reihenfolge durchgeführt werden kann, wobei auch Verfahrensschritte ausgelassen oder hinzugefügt wer- den können, soweit nicht von dem Grundgedanken der beschriebenen technischen Lehre abgewichen wird.

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Bauelement (10) mit
einer ersten Schichtenfolge (30), die dazu eingerichtet ist, elektromagnetische Strahlung zu emittieren oder zu de- tektieren, und
einer an einer ersten Seite der ersten Schichtenfolge (30) angeordneten zweiten Schichtenfolge (32), die dazu eingerichtet ist, die von der ersten Schichtenfolge (30) emit- tierte oder zu detektierende elektromagnetische Strahlung zu reflektieren,
wobei die zweite Schichtenfolge (32) eine erste
Reflektorschicht (38,58,78) eine zweite Reflektorschicht (40,60,80) und eine Haftvermittlungsschicht (42) aufweist, und wobei
die erste Reflektorschicht (38,58,78) ein erstes Materi¬ al enthält und an einer der ersten Seite der ersten Schichtenfolge (30) zugewandten ersten Seite der zweiten Schichtenfolge (32) angeordnet ist,
- die Haftvermittlungsschicht (42) ein zweites Material enthält und an einer von der ersten Seite der ersten Schichtenfolge (30) abgewandten zweiten Seite der zweiten Schichtenfolge (32) angeordnet ist, und
die zweite Reflektorschicht (40,60,80) das erste Materi- al enthält und zwischen der ersten Reflektorschicht
(38,58,78) und der Haftvermittlungsschicht (42) angeordnet ist .
2. Optoelektronisches Bauelement (10) nach Anspruch 1, wo- bei die zweite Schichtenfolge (32) eine dritte
Reflektorschicht (82) aufweist.
3. Optoelektronisches Bauelement (10) nach Anspruch 2, wo¬ bei die dritte Reflektorschicht (82) das erste Material ent¬ hält .
4. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Haftvermittlungsschicht (42) eine Diffusi¬ onsbarriere bildet.
5. Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der An- sprüche 1 bis 4, wobei die zweite Schichtenfolge (32) eine zwischen der ersten Reflektorschicht (38,58,78) und zweiten Reflektorschicht (40,60,80) und/oder der zweiten
Reflektorschicht (40,60,80) und dritten Reflektorschicht (82) angeordnete Zwischenschicht (64,84,86) aufweist.
6. Optoelektronisches Bauelement (10) nach Anspruch 5, wo¬ bei die Zwischenschicht (64,84,86) eine durchgängige Struktur oder eine Struktur mit lokalen Öffnungen bildet.
7. Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der An¬ sprüche 5 oder 6, wobei die Zwischenschicht (64,84,86) das zweite Material und/oder ein drittes Material enthält.
8. Optoelektronisches Bauelement (10) nach Anspruch 7, wo- bei das dritte Material elektrisch leitend ist.
9. Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der An¬ sprüche 1 bis 8, wobei die Reflektorschichten
(38,40,58,60,78,80,82) zumindest einen horizontalen
Korngrenzenbereich (38a, 40a, 58a, 60a, 78a, 78b, 80a, 80b, 82b) auf¬ weisen .
10. Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der An¬ sprüche 1 bis 9, wobei die Haftvermittlungsschicht (42) eine Schichtdicke in einem Bereich zwischen 5 und 100 nm aufweist.
11. Verfahren zum Erzeugen einer Schichtenfolge eines optoelektronischen Bauelements, wobei die Schichtenfolge eine ein erstes Material enthaltende erste Reflektorschicht, eine das erste Material enthaltende zweite Reflektorschicht und eine ein zweites Material enthaltende Haftvermittlungsschicht aufweist, und wobei zwischen dem Aufbringen des ersten Mate¬ rials für die erste Reflektorschicht und dem Aufbringen des ersten Materials für die zweite Reflektorschicht in einer der Reflektorschichten ein horizontaler Korngrenzenbereich erzeugt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei eine dritte
Reflektorschicht aufgebracht wird.
13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, wobei der horizonta- le Korngrenzenbereich durch eine Wachstumspause zwischen dem
Aufbringen der ersten Reflektorschicht und dem Aufbringen der zweiten Reflektorschicht erzeugt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei der horizontale Korngrenzenbereich durch das Aufbringen einer
Zwischenschicht erzeugt wird.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei zwischen dem Aufbringen der ersten Reflektorschicht und dem Auf- bringen der zweiten Reflektorschicht ein Teil der bereits aufgebrachten Reflektorschicht entfernt wird.
PCT/EP2015/052660 2014-02-11 2015-02-09 Optoelektronisches bauelement mit einer reflektierenden schichtenfolge und verfahren zum erzeugen einer reflektierenden schichtenfolge WO2015121205A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/117,739 US9865784B2 (en) 2014-02-11 2015-02-09 Optoelectronic component including a reflective layer sequence and method for producing a reflective layer sequence
DE112015000745.8T DE112015000745A5 (de) 2014-02-11 2015-02-09 Optoelektronisches Bauelement mit einer reflektierenden Schichtenfolge und Verfahren zum Erzeugen einer reflektierenden Schichtenfolge

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014202424.2A DE102014202424A1 (de) 2014-02-11 2014-02-11 Optoelektronisches Bauelement mit einer reflektierenden Schichtenfolge und Verfahren zum Erzeugen einer reflektierenden Schichtenfolge
DE102014202424.2 2014-02-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015121205A1 true WO2015121205A1 (de) 2015-08-20

Family

ID=52477786

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2015/052660 WO2015121205A1 (de) 2014-02-11 2015-02-09 Optoelektronisches bauelement mit einer reflektierenden schichtenfolge und verfahren zum erzeugen einer reflektierenden schichtenfolge

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9865784B2 (de)
DE (2) DE102014202424A1 (de)
WO (1) WO2015121205A1 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014202424A1 (de) * 2014-02-11 2015-08-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer reflektierenden Schichtenfolge und Verfahren zum Erzeugen einer reflektierenden Schichtenfolge

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006131087A1 (de) * 2005-06-10 2006-12-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-halbleiterkörper
US20100065869A1 (en) * 2008-09-12 2010-03-18 Hitachi Cable, Ltd. Light emitting device and method for fabricating the same
US20100289040A1 (en) * 2007-12-28 2010-11-18 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50107958A (de) * 1974-01-31 1975-08-25
JP3384398B2 (ja) * 2000-05-25 2003-03-10 セイコーエプソン株式会社 液晶装置、その製造方法および電子機器
KR101438812B1 (ko) * 2008-01-16 2014-09-05 엘지이노텍 주식회사 반사 구조물 및 이를 구비하는 발광 장치
CN101552241B (zh) * 2008-04-03 2010-11-03 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法和液晶显示装置
EP2352042B1 (de) * 2010-01-29 2017-05-17 Dexerials Corporation Optisches Element und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102010009717A1 (de) 2010-03-01 2011-09-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip
DE102010024079A1 (de) 2010-06-17 2011-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
DE102010036269A1 (de) * 2010-09-03 2012-03-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip
US10243121B2 (en) * 2011-06-24 2019-03-26 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip with improved reliability
JP6058897B2 (ja) * 2012-02-21 2017-01-11 スタンレー電気株式会社 半導体素子の製造方法
EP2881648B1 (de) * 2012-08-02 2018-01-03 Nichia Corporation Wellenlängenumwandlungsvorrichtung
EP2803715B1 (de) * 2013-05-16 2020-02-26 LG Innotek Co., Ltd. Phosphor und lichtemittierendes Vorrichtungsgehäuse damit
TWI514628B (zh) * 2013-10-24 2015-12-21 Lextar Electronics Corp 電極結構與具有電極結構的發光二極體結構
JP6187201B2 (ja) * 2013-11-29 2017-08-30 日亜化学工業株式会社 発光装置用反射膜、並びに、それを備えるリードフレーム、配線基板、ワイヤ、及び発光装置
DE102014202424A1 (de) * 2014-02-11 2015-08-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer reflektierenden Schichtenfolge und Verfahren zum Erzeugen einer reflektierenden Schichtenfolge
US10042110B2 (en) * 2014-07-21 2018-08-07 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and manufacturing method thereof
TWI548123B (zh) * 2014-12-03 2016-09-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體結構
TWI583019B (zh) * 2015-02-17 2017-05-11 新世紀光電股份有限公司 Light emitting diode and manufacturing method thereof
US9643386B2 (en) * 2015-03-09 2017-05-09 Electronics And Telecommunications Research Institute Low emissivity film and window having the same
US10526694B2 (en) * 2015-04-30 2020-01-07 Iowa State University Research Foundation, Inc. Method of preparing metal surfaces
TWI565098B (zh) * 2015-06-10 2017-01-01 隆達電子股份有限公司 發光元件

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006131087A1 (de) * 2005-06-10 2006-12-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-halbleiterkörper
US20100289040A1 (en) * 2007-12-28 2010-11-18 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same
US20100065869A1 (en) * 2008-09-12 2010-03-18 Hitachi Cable, Ltd. Light emitting device and method for fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
US9865784B2 (en) 2018-01-09
DE112015000745A5 (de) 2017-01-26
DE102014202424A1 (de) 2015-08-13
US20170012187A1 (en) 2017-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2553726B1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip
EP2980864B1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
DE112015002796B4 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip
WO2015121062A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils sowie optoelektronisches halbleiterbauteil
DE112015002379B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips sowie optoelektronischer Halbleiterchip
DE102011056140A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102004021175B4 (de) Halbleiterchips für die Optoelektronik und Verfahren zu deren Herstellung
EP2599131A1 (de) Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips
WO2006034686A2 (de) Verfahren zur herstellung eines dünnfilmhalbleiterchips
DE102012105772A1 (de) Halbleiter-Leuchtdiodenvorrichtungs-Verpackung
DE102013200509A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip
EP2304816B1 (de) Elektrolumineszierende vorrichtung und verfahren zur herstellung einer elektrolumineszierenden vorrichtung
WO2015121205A1 (de) Optoelektronisches bauelement mit einer reflektierenden schichtenfolge und verfahren zum erzeugen einer reflektierenden schichtenfolge
WO2022184414A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung zumindest eines optoelektronischen halbleiterbauelements
DE102016101612A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102015107591B4 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
WO2017140615A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
WO2022074246A1 (de) Optoelektronische vorrichtung mit einer kontaktschicht und einer darüber angeordneten aufrauschicht sowie herstellungsverfahren
DE112021007840T5 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung desselben
DE102020124258A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung zumindest eines optoelektronischen halbleiterbauelements
WO2023025453A1 (de) Schichtenstapel für einen halbleiterchip, halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines schichtenstapels für einen halbleiterchip
DE102022119108A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung zumindest eines optoelektronischen halbleiterbauelements
WO2021013738A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
DE102018112255A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102018122492A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit einer ersten und zweiten metallschicht sowie verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15704987

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15117739

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 112015000745

Country of ref document: DE

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R225

Ref document number: 112015000745

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15704987

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1