DE102012106131B4

DE102012106131B4 - Organische lichtemittierende anzeigevorrichtung und verfahren zum herstellen derselben

Info

Publication number: DE102012106131B4
Application number: DE102012106131.9A
Authority: DE
Inventors: Jin-Goo Kang; Joo-Hwan Shin
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2011-09-20
Filing date: 2012-07-09
Publication date: 2021-09-09
Anticipated expiration: 2032-07-10
Also published as: US20140234998A1; US8748914B2; CN103022369A; US20130069085A1; KR101421168B1; DE102012106131A1; KR20130031092A; CN103022369B; US9287530B2

Abstract

Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung, aufweisend:ein erstes Substrat (10), das eine Mehrzahl von Pixeln aufweist, wobei jedes Pixel einen Dünnfilmtransistor, eine organische lichtemittierende Einheit (23), die dazu ausgebildet ist, Licht zu emittieren, und eine Pixelelektrode aufweist, die elektrisch mit der organischen lichtemittierenden Einheit (23) gekoppelt ist, wobei das erste Substrat (10) eine gemeinsame Elektrode (25) aufweist, die mit jeder Pixelelektrode elektrisch gekoppelt ist,eine Haftschicht (42), die auf der gemeinsamen Elektrode (25) über den organischen lichtemittierenden Einheiten (23) ausgebildet ist,ein zweites Substrat (50), das auf der Haftschicht (42) ausgebildet ist; wobei die Haftschicht (42) das erste Substrat (10) an dem zweiten Substrat (50) befestigt, wobei die Haftschicht (42) eine Mehrzahl von Eckbereichen aufweist, wobei jeder Eckbereich eine abgerundete Form hat,eine erste metallische Struktur (54), die auf dem ersten Substrat (10) ausgebildet ist, wobei die erste metallische Struktur (54) elektrisch mit einer Pixelelektrode verbunden ist, die elektrisch mit jedem der Pixel verbunden ist;eine zweite metallische Struktur (56), die über dem zweiten Substrat (50) ausgebildet ist; undeine Mehrzahl von Hilfselektroden (52), die zwischen dem ersten Substrat (10) und dem zweiten Substrat (50) ausgebildet sind, um die erste und die zweite metallische Struktur (54, 56) elektrisch miteinander zu verbinden,wobei die Haftschicht (42) in Form einer alternierenden Struktur ausgebildet ist,wobei die alternierende Struktur eine Mehrzahl von Einschnitten aufweist, undwobei jede Hilfselektrode (52) in einem der Einschnitte der alternierenden Struktur ausgebildet ist.

Description

Hintergrund
Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Offenbarung betrifft eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung und insbesondere Gestaltungen von Haftschichten einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung, um das Einbringen (Einführen) von Rissen in die Haftschicht zu kontrollieren.
Diskussion bezogener Technik
Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen wurden als ein möglicher Typ einer nächsten Generation von Anzeigevorrichtungen erkannt aufgrund der Vorteile die deren Gestaltung (Design) inhärent sind, beispielsweise deren hohe Lichtemissionseffizienz, Einfachheit der Konstruktion einer Großflächen-Vorrichtung, vereinfachte Herstellungsprozesse, deren Fähigkeit blaues Licht zu erzeugen und deren inhärente physikalische Flexibilität. Es wird ein großer Aufwand bei der Forschung bezüglich einer lichtemittierenden Aktive-Matrix-Anzeigevorrichtung betrieben, die eine aktive Treibervorrichtung (Ansteuervorrichtung) in jedem Pixel hat. Eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung weist eine Anode, eine Kathode und eine organische lichtemittierende Einheit auf, die zwischen der Anode und der Kathode ausgebildet ist. Die organische lichtemittierende Einheit emittiert ein weißes Licht. Die organische lichtemittierende Einheit weist übereinander Materialien auf zum Emittieren roten, grünen und blauen Lichts, so dass ein so synthetisiertes Licht weiß erscheinen kann.
Bei einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung sind die Anode, die Kathode und die organische lichtemittierende Einheit im Allgemeinen auf einem ersten transparenten Substrat, wie beispielsweise Glas, ausgebildet. Ein zweites Substrat ist über dem ersten Substrat ausgebildet. Das erste und das zweite Substrat sind aneinander befestigt durch eine Haftschicht in Form einer Einkapselung. Dementsprechend werden fremde Materialien, wie beispielsweise Feuchtigkeit, daran gehindert, in die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung einzudringen.
Um das erste und das zweite Substrat aneinander zu befestigen, wird ein Anpressdruck auf das erste und das zweite Substrat ausgeübt. Bei bekannten (existierenden) organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtungen erzeugt der Anpressdruck auf die Substrate eine Anpressdruckspannung (Anpressdruckstress), die in den Eckbereichen der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung größer ist als in einem zentralen Bereich oder an den vier Seiten der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung. Dies kann bewirken, dass die Haftschicht in den Eckbereichen stärker konzentriert ist. Infolgedessen ist es möglich, dass sich in der Haftschicht in den Eckbereichen Risse bilden, wenn die Haftschicht gehärtet wird. Feuchtigkeit kann durch die Risse in die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung eindringen. Dies kann die Qualität der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung negativ beeinflussen, beispielsweise durch Verkürzen der Lebensdauer der Vorrichtung.
Kurze Beschreibung
Eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung wird beschrieben, die in der Lage ist, das Auftreten von Rissen in einer Haftschicht in Eckbereichen zu verhindern. Die Gestaltung (das Design) der Vorrichtung weist Eckbereiche auf, die eine runde Form haben, so dass Risse, die in der Haftschicht aufgrund des Ausübens von Druck gebildet werden, in besser kontrollierter Art und Weise entstehen. Bei abgerundeten Eckbereichen ist es unwahrscheinlicher, dass sich Risse bilden, die groß genug sind, dass sie ermöglichen, dass Feuchtigkeit in den aktiven Bereich eintritt. Als Folge davon, wird Feuchtigkeit daran gehindert, den aktiven Bereich der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung zu erreichen.
Es wird eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1 bereitgestellt.
Die organische lichtemittierende Einheit kann aufweisen eine organische lichtemittierende Schicht; eine Elektroneninjektionsschicht, die dazu ausgebildet ist, ein Elektron zu injizieren; eine Elektronentransportschicht, die dazu ausgebildet ist, ein Elektron zu transportieren, das über die Elektroneninjektionsschicht in die organische lichtemittierende Schicht injiziert wird; eine Lochinjektionsschicht, die dazu ausgebildet ist, ein Loch zu injizieren; und eine Lochtransportschicht, die dazu ausgebildet ist, ein Loch zu transportieren, das über die Lochinjektionsschicht injiziert wird. Hierbei kann die Pixelelektrode eine Anode und die gemeinsame Elektrode eine Kathode sein.
Die Haftschicht kann aus einem Material aus einer Gruppe von Materialien gebildet sein, die Gruppe beispielsweise aufweisend einen auf Epoxid basierenden Verbund oder Verbundstoff, einen auf Acrylat basierenden Verbund und/oder einen auf Acryl basierenden Gummi. Die Haftschicht kann in einer Dicke von 5 µm bis 100 µm aufgebracht werden. Die runde Form an den Eckbereichen kann eine Kreisform, eine ovale Form oder eine Wellenform aufweisen. Im Falle der Kreisform oder ovalen Form kann der Radius eines Eckbereichs im Bereich von 0,5 mm bis 5 mm liegen. Um eine Signalverzögerung in größeren organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtungen zu verhindern, können zusätzliche metallische Verbindungen hinzugefügt werden, um zusätzliche elektrische Verbindungen bereitzustellen, die die Signalverzögerung reduzieren. In einer Ausführungsform kann eine erste metallische Struktur, die mit der Pixelelektrode verbunden ist, auf einem äußeren Randbereich des ersten Substrats ausgebildet sein. Eine zweite metallische Struktur kann auf einem äußeren Randbereich des zweiten Substrats ausgebildet sein. Die erste metallische Struktur und die zweite metallische Struktur sind miteinander durch eine Hilfselektrode verbunden, wodurch eine zusätzliche elektrische Verbindung bereitgestellt ist. Die Hilfselektrode kann als ein Silber (Ag) -Punkt implementiert sein und die Haftschicht kann zwischen der ersten und der zweiten metallischen Struktur ausgebildet sein.
Ferner wird ein Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 9 bereitgestellt.
Figurenliste
Die beigefügten Zeichnungen, welche eingeschlossen sind, um ein weiteres Verständnis der Erfindung bereitzustellen, und in dieser Beschreibung aufgenommen sind und einen Teil dieser Beschreibung darstellen, stellen beispielhafte Ausführungsformen dar und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien der Erfindung zu erläutern.

1 ist eine Ansicht, die einen Ersatzschaltkreis einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung zeigt.
2 ist eine Schnittansicht, die eine Struktur einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung zeigt.
3 ist eine Draufsicht auf eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung.
4A bis 4E sind Ansichten, die ein Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung zeigen.

Beschreibung spezifischer Ausführungsformen
Es werden nun beispielhafte Ausführungsformen im Detail beschrieben mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen, Aus Gründen einer kurzen Beschreibung mit Bezug zu den Zeichnungen werden gleiche oder äquivalente Komponenten mit den gleichen Bezugszeichen versehen und deren Beschreibung wird nicht wiederholt. Die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung kontrolliert das Ausbilden von Rissen in der Haftschicht durch Abrunden der Eckbereiche der Haftschicht. Das Abrunden der Eckbereiche verhindert das Bilden von großen Rissen in der Haftschicht, die ansonsten ermöglichen würden, dass Feuchtigkeit den aktiven Bereich der Anzeigevorrichtung erreicht.
1 ist eine Ansicht, die einen Ersatzschaltkreis einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung zeigt. Wie in 1 gezeigt, weist die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung eine Mehrzahl von Pixeln auf, die durch Gateleitungen (G) und Datenleitungen (D), die einander in horizontaler und vertikaler Richtung kreuzen, definiert sind. In jedem Pixel ist eine Energieleitung (P) (Powerleitung) parallel zu der Datenleitung (D) ausgebildet.
Jedes Pixel ist mit einem schaltenden Dünnfilmtransistor (Ts) (switching thinfilm transistor), einem Treiberdünnfilmtransistor (Td) (Ansteuerdünnfilmtransistor), einem Kondensator (C) und einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung (E) darin bereitgestellt. Eine Gateelektrode des Ts ist mit der Gateleitung (G) verbunden, eine Sourceelektrode des Ts ist mit der Datenleitung (D) verbunden und eine Drainelektrode des Ts ist mit einer Gateelektrode des Td verbunden. Eine Sourceelektrode des Td ist verbunden mit der Energieleitung (P) und eine Drainelektrode des Td ist verbunden mit der lichtemittierenden Vorrichtung (E). Sobald ein Scansignal in die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung über die Gateleitung (G) eingegeben wird, wird das Scansignal der Gateelektrode des Ts bereitgestellt, um den Ts anzusteuern. Sowie der Ts angesteuert ist, wird ein Datensignal, das in die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung über die Gateleitung (D) eingegeben ist, der Gateelektrode des Td bereitgestellt über die Sourceelektrode und die Drainelektrode, Als Folge davon wird der Td angesteuert. Sowie der Td angesteuert wird, wird ein Strom, der auf der Energieleitung (P) fließt, der lichtemittierenden Vorrichtung (E) über die Sourceelektrode und die Drainelektrode bereitgestellt. Hierbei nimmt ein Strom, der von dem Td ausgegeben wird, unterschiedliche Größen an in Übereinstimmung mit einer Spannung zwischen der Gateelektrode und der Drainelektrode.
Die lichtemittierende Vorrichtung (E), beispielsweise eine organische lichtemittierende Vorrichtung, zeigt ein Bild an durch Emittieren von Licht, wenn derselben über den Td ein Strom bereitgestellt wird. Hierbei wird die Intensität eines emittierten Lichts variiert in Übereinstimmung mit der Intensität des bereitgestellten Stroms. Dementsprechend kann die Intensität eines emittierten Lichts gesteuert werden durch Steuern der Intensität des bereitgestellten Stroms.
2 ist eine Schnittansicht, die eine Struktur einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung in Übereinstimmung mit der vorliegenden Offenbarung zeigt. Die Struktur der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung wird mit Bezug zu 2 erläutert. Wie in 2 gezeigt, weist die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung ein R Pixel zum Ausgeben von rotem Licht, ein G Pixel zum Ausgeben von grünem Licht und ein B Pixel zum Ausgeben von blauem Licht auf. Obwohl nicht gezeigt, kann die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung ferner aufweisen ein W Pixel zum Ausgeben von weißem Licht. Das W Pixel kann weißes Licht ausgeben, um eine Gesamthelligkeit der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung zu verbessern.
Jedes R, G und B Pixel wird mit einer Farbfilterschicht ausgestattet, wodurch Licht einer spezifischen Farbe ausgegeben wird, das von einem organischen lichtemittierenden Pixel als weißes Licht ausgeben wird. Jedoch gibt das W Pixel ein weißes Licht aus, das von einer organischen lichtemittierenden Einheit (Vorrichtung) ausgegeben wird wie es ist, ohne eine Farbfilterschicht.
Wie in 2 gezeigt, ist ein erstes Substrat, das auf einem transparentem Material, wie beispielsweise Glas oder Plastik, ausgebildet ist, in R, G und B Pixel unterteilt und jedes R, G und B Pixel ist mit einem Treiber TFT (Ansteuer TFT, Ansteuer - Dünnfilmtransistor) ausgestattet.
Der Treiber TFT weist auf Gateelektroden 11R, 11G und 11B, die auf den R, G und B Pixeln des ersten Substrats 10 ausgebildet sind, Halbleiterschichten 12R, 12G und 12B, die über dem ersten Substrat 10 ausgebildet sind, wo die Gateelektroden 11R, 11G und 11B ausgebildet sind, und Sourceelektroden 14R, 14G und 14B und Drainelektroden 15R, 15G und 15B, die auf den Halbleiterschichten 12R, 12G und 12B ausgebildet sind. Obwohl nicht gezeigt, kann ein Ätzstopp ausgebildet sein auf einer oberen Oberfläche der Halbleiterschichten 12R, 12G und 12B, wodurch verhindert wird, dass die Halbleiterschichten 12R, 12G und 12B geätzt werden, während die Sourceelektroden 14R, 14G und 14B und die Drainelektroden 15R, 15G und 15B geätzt werden. Die Gateelektroden 11R, 11G und 11B können aus einem metallischen Material wie beispielsweise Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al und/oder einer Al-Legierung gebildet sein. Eine Gateisolierungsschicht 22 kann eine einzelne Schicht sein, die aus einem anorganischen Isolierungsmaterial wie beispielsweise SiO₂ oder SiN_x, gebildet ist oder eine Doppelschicht, die aus SiO₂ und/oder SiN_x gebildet ist. Die Halbleiterschichten 12R, 12G und 12B können aus einem kristallinen Halbleiter, wie beispielsweise amorphem Silicium (a-Si), oder einem transparenten Oxidhalbleiter, wie beispielsweise Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO) gebildet sein. Ferner können die Sourceelektroden 14R, 14G und 14B und die Drainelektroden 15R, 15G und 15B aus Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al oder einer Al-Legierung gebildet sein.
Eine erste Isolierungsschicht 24 ist auf dem ersten Substrat 10 ausgebildet, wo der Treiber TFT ausgebildet wurde. Die erste Isolierungsschicht 24 kann aus einem anorganischen Isolierungsmaterial, wie beispielsweise SiO₂, in einer Dicke von ungefähr 4500 Å ausgebildet sein. R, G und B Pixel der ersten Isolierungsschicht 24 sind ausgestattet mit einer R-Farbfilterschicht 17R, einer G-Farbfilterschicht 17G beziehungsweise einer B-Farbfilterschicht 17B.
Eine zweite Isolierungsschicht 26 ist ausgebildet auf der R-Farbfilterschicht 17R, der G-Farbfilterschicht 17G und der B-Farbfilterschicht 17B. Die zweite Isolierungsschicht 26 ist eine Mantelschicht zum Planarisieren des ersten Substrats 10, welche aus einem organischen Isolierungsmaterial, wie beispielsweise Foto-Acryl, mit einer Dicke von ungefähr 3 µm ausgebildet sein kann.
In der ersten Isolierungsschicht 24 und der zweiten Isolierungsschicht 26 sind Kontaktlöcher 29 ausgebildet, welche über den Drainelektroden 15R, 15G und 15B des Treiber TFTs bei dem R, G bzw. B Pixel ausgebildet sind. Über die Kontaktlöcher 29 sind die Pixelelektroden 21R, 21G und 21B mit den Drainelektroden 15R, 15G bzw. 15B des Treiber TFTs verbunden.
Eine Bankschicht 28 ist an jeder Grenze zwischen den Pixeln auf der zweiten Isolierungsschicht 26 ausgebildet. Die Bankschicht 28 dient als Barriere, die die Pixel voneinander trennt, wodurch verhindert wird, dass Licht, das von einem Pixel ausgegeben wird, mit dem Licht einer spezifischen Farbe gemischt wird, welches von dem benachbarten Pixel ausgegeben wird. Ferner füllt die Bankschicht 28 einen Teil des Kontaktlochs 29, wodurch das Auftreten eines gestuften Abschnitts reduziert wird. Dies kann eine Minderwertigkeit einer organischen lichtemittierenden Einheit 23 (einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung) aufgrund eines exzessiven gestuften Abschnitts verhindern, der auftritt, wenn die organische lichtemittierende Einheit 23 ausgebildet wird.
Die Pixelelektroden 21R, 21G und 21B sind aus einem transparenten metallischen Oxid gebildet, wie beispielsweise ITO (Indium Zinn Oxid) oder IZO (Indium Zink Oxid). In der vorliegenden Offenbarung können die Pixelelektroden 21R, 21G und 21B bei den R, G bzw. B Pixeln mit einer Dicke von ungefähr 500 Å ausgebildet sein.
Die organische lichtemittierende Einheit 23 weist eine weiße organische lichtemittierende Schicht zum Emittieren von weißem Licht auf. Die weiße organische lichtemittierende Schicht kann ausgebildet werden durch Mischen einer Mehrzahl von organischen Materialien miteinander, jedes organische Material zum Emittieren einer einzelnen Farbe von R oder G oder B. Alternativ dazu kann die weiße organische lichtemittierende Schicht ausgebildet werden durch Aufbringen einer Mehrzahl von organischen Materialien übereinander, jedes organische Material zum Emittieren eines einzelnen Lichts von R oder G oder B. Obwohl nicht gezeigt, kann auf der organischen lichtemittierenden Einheit 23 nicht nur eine organische lichtemittierende Schicht ausgebildet sein, sondern auch eine Elektroneninjektionsschicht und eine Lochinjektionsschicht zum Injizieren eines Elektrons bzw. eines Lochs in die organische lichtemittierende Schicht und eine Elektronentransportschicht und eine Lochtransportschicht zum Transportieren eines injizierten Elektrons bzw. eines injizierten Lochs zu der organischen lichtemittierenden Schicht.
Eine gemeinsame Elektrode 25 ist auf der organischen lichtemittierenden Einheit 23 über dem ersten Substrat 10 ausgebildet. Die gemeinsame Elektrode 25 ist aus Ca, Ba, Mg, Al, Ag, etc. gebildet. Die gemeinsame Elektrode 25 ist eine Kathode der organischen lichtemittierenden Einheit 23 und die Pixelelektroden 21R, 21G und 21B sind Anoden. Wenn eine Spannung an die gemeinsame Elektrode 25 und die Pixelelektroden 21R, 21G und 21B angelegt wird, wird ein Elektron, das von der gemeinsamen Elektrode 25 ausgegeben wird, in die organische lichtemittierende Einheit 23 injiziert und ein Loch, das von den Pixelelektroden 21R, 21G und 21B ausgegeben wird, wird in die organische lichtemittierende Einheit 23 injiziert. Als Folge davon wird ein Exziton in der organischen lichtemittierenden Schicht erzeugt. Sowie das Exziton zerfällt, wird Licht erzeugt entsprechend einem Energieunterschied zwischen einem niedrigsten unbesetzten Orbital eines Moleküls (LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital)) und einem höchsten besetzten Molekülorbital (HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital)). Das erzeugte Licht wird nach außen emittiert (durch das erste Substrat 10 in den Zeichnungen). Die R, G und B lichtemittierenden Schichten, die in der organischen lichtemittierenden Schicht angeordnet sind, emittieren ein rotes Licht, ein grünes Licht und ein blaues Licht. Da das emittierte R, G und B Licht miteinander gemischt wird, wird weißes Licht emittiert. Sowie das emittierte weiße Licht die R-Farbfilterschicht 17R, die G-Farbfilterschicht 17G und die B-Farbfilterschicht 17B passiert, wird lediglich Licht, das eine Farbe des entsprechenden Pixels hat, ausgegeben.
Ein Haftmittel ist auf der gemeinsamen Elektrode 25 angeordnet, wodurch eine Haftschicht 42 gebildet ist. Ein zweites Substrat 50 ist auf der Haftschicht 42 ausgebildet und das zweite Substrat 50 ist an dem ersten Substrat befestigt mittels der Haftschicht 42. Als Haftmittel kann jedes Material, das eine hohe Bindungskraft hat und das ferner hitzebeständig und wasserbeständig ist, verwendet werden. Beispiele weisen einen thermisch härtenden Klebstoff, wie beispielsweise einen auf Epoxid basierenden Verbund, einen auf Acrylat basierenden Verbund oder einen auf Acryl basierenden Gummi auf. In einer Ausführungsform wird die Haftschicht 42 mit einer Dicke von ungefähr 5 µm bis 100 µm aufgebracht und wird bei einer Temperatur von ungefähr 80°C bis 170°C gehärtet. Die Haftschicht 42 dient zum Befestigen des ersten Substrats 10 und des zweiten Substrats 50 aneinander und dient als ein Einkapselungsmittel zum Verhindern, dass Feuchtigkeit in die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung eindringt. In der vorliegenden Offenbarung kennzeichnet zur Zweckdienlichkeit Bezugszeichen 42 ein Haftmittel. Jedoch kann Bezugszeichen 42 ein Einkapselungsmittel bezeichnen.
Das zweite Substrat 50 fungiert als eine Einkapselungskappe zum Verkapseln der Haftschicht 42. Das zweite Substrat 50 kann aus einem Passivierungsfilm, wie beispielsweise einem PS (Polystyren) -Film, einem PE (Polyethylen) -Film, einem PEN (Polyethylen Naphtalat) -Film oder einem PI (Polyimid) -Film gebildet sein. Das zweite Substrat 50 kann ferner gebildet sein aus Plastik, Glas, Metall oder einem anderen Material, das die Komponenten schützen kann, die auf dem ersten Substrat 10 ausgebildet sind.
Eine Hilfselektrode 52 kann ausgebildet sein zwischen dem ersten Substrat 10 und dem zweiten Substrat 50 auf einem äußeren Randbereich der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung. Eine erste metallische Struktur 54 ist bei dem ersten Substrat 10 und eine zweite metallische Struktur 56 ist bei dem zweiten Substrat 50 ausgebildet. Die erste metallische Struktur 54 ist elektrisch mit den Datenleitungen des ersten Substrats 10 verbunden über Kontaktlöcher (nicht gezeigt) der ersten Isolierungsschicht 24 und der zweiten Isolierungsschicht 26. Da die Hilfselektrode 52 mit der ersten metallischen Struktur 54 und der zweiten metallischen Struktur 56 verbunden ist, ist die Hilfselektrode 52 elektrisch mit den Pixelelektroden 21R, 21G und 21B des ersten Substrats 10 verbunden.
Die Hilfselektrode 52 reduziert eine Signalverzögerung bei der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung, Ein Bildsignal, das an eine Seite der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung angelegt wird, wird einer anderen Seite der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung über die Datenleitungen zugeführt. Im Allgemeinen ist die Datenleitung aus einem metallischen Material gebildet. Wenn die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung klein ist, ist ein Weg zu den Pixelelektroden 21R, 21G und 21B kurz und daher tritt eine Signalverzögerung aufgrund eines metallischen Widerstandes nicht auf. Jedoch, wenn die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung groß ist, ist ein Weg zu den Pixelelektroden 21R, 21G und 21B lang und daher tritt eine Signalverzögerung aufgrund eines metallischen Widerstandes auf. Diese Signalverzögerung kann die Qualität der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung verringern.
Aufgrund der Hilfselektrode 52 ist ein weiterer Signalpfad zwischen den Pixelelektroden 21R, 21G und 21B ausgebildet. Dies kann die Signalverzögerung aufgrund des metallischen Widerstands verringern. Wenn ein Bildsignal an die Pixelelektroden 21R, 21G und 21B angelegt wird, wird ein Teil des Bildsignals den Pixelelektroden 21R, 21G und 21B zugeführt entlang der Datenleitung auf dem äußeren Randbereich einer Seite des ersten Substrats 10. Ein anderer Teil des Bildsignals wird den Datenleitungen auf dem äußeren Randbereich einer anderen Seite des ersten Substrats 10 zugeführt über die erste metallische Struktur 54, die Hilfselektrode 52 und die zweite metallische Struktur 56. Dieser Teil des Bildsignals erreicht auch die Pixelelektroden 21R, 21G und 21B.
Die erste metallische Struktur 54 und die zweite metallische Struktur 56 können aus Aluminium (Al) oder einer Aluminiumlegierung gebildet sein, die eine hohe elektrische Leitfähigkeit hat. Die Hilfselektrode 52 kann aus Silber (Ag) gebildet sein. Die Hilfselektrode 52 kann als ein Punkt ausgebildet sein, der eine Fläche hat. Die Fläche kann vorbestimmt sein. Die Lücke zwischen den Hilfselektroden 52 ist mit der Haftschicht 42 gefüllt. Alternativ dazu ist die Haftschicht 42 ein haftender leitender Film, der als Haftschicht 42 und auch als die Hilfselektrode 52 fungiert. Der Haftleitfilm kann aus einem einzigen Material gebildet sein, das sowohl elektrisch als auch körperlich (physisch) koppelt oder der Haftleitfilm kann aus einer Mehrzahl von Materialien gebildet sein, von denen jedes entweder die elektrische oder die körperliche (physische) Kopplung ermöglicht.
Ein Druck wird auf das erste Substrat 10 und das zweite Substrat 50 ausgeübt, welcher bewirkt, dass die Haftschicht 42, das erste Substrat 10 und das zweite Substrat 50 aneinander befestigt werden.
3 ist eine Draufsicht auf eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung, bei der das erste Substrat 10 und das zweite Substrat 50 aneinander befestigt wurden in Übereinstimmung mit der vorliegenden Offenbarung. Wie in 3 gezeigt, hat die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung einen aktiven Bereich (A/A), in dem im Wesentlichen ein Bild implementiert wird, und einen Dummy-Bereich (D), der den aktiven Bereich (A/A) an allen Seiten begrenzt. Der Dummy-Bereich (D) weist ein Pad zum Verbinden der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung mit einem externen System auf. Das erste Substrat 10 ist mittels der Haftschicht 42 an dem zweiten Substrat 50 befestigt und das erste und das zweite befestigte Substrat 10, 50 sind eingekapselt. In einer Ausführungsform sind eine Mehrzahl von Hilfselektroden 52 auf einem äußeren Randbereich der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung ausgebildet.
Die Haftschicht 42 ist so ausgebildet, dass sie bei Eckbereichen eine rundliche Form hat. Im Allgemeinen ist die Haftschicht 42 in anderen Bereichen als den Eckbereichen in der gleichen Form wie die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung ausgebildet. Die abgerundete Form der Haftschicht 42 kann eine Kreisform haben, die einen Radius von ungefähr 0,5 mm bis 5 mm hat. Die abgerundete Form der Haftschicht 42 kann auch beispielsweise eine ovale Form oder eine Wellenform haben. Eine Wellenform weist eine Kreisform oder eine ovale Form auf mit einigen kleiner skalierten Wellenformen (undulation), die die Gleichförmigkeit der insgesamt abgerundeten Form aufbrechen.
Die abgerundete Form verteilt die Bildung von Rissen nahe den Eckbereichen gleichmäßiger als eine ähnliche rechteckig geformte Ecke. Wenn das erste Substrat 10 und das zweite Substrat 50 der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung aneinander befestigt werden, kann die Haftschicht 42 aufgrund des Kontakts mit Luft an der äußeren Oberfläche Risse haben. Um Feuchtigkeit daran zu hindern, den aktiven Bereich (A/A) zu erreichen, wird die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung so gestaltet, dass die Risse der Haftschicht 42 lediglich in dem Dummy-Bereich (D) existieren können.
Bei bekannten (existierenden) organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtungen bewirkt der Anpressdruck, der an den Eckbereichen der Haftschicht konzentriert ist, die Bildung von Rissen in der Haftschicht. Wenn die Haftschicht gehärtet ist, können Luft und Feuchtigkeit in die Risse eintreten. Wenn die Eckbereiche in naher Nachbarschaft zu den aktiven Bereichen der Anzeigevorrichtung sind, kann Feuchtigkeit in den aktiven Bereich über die Risse eintreten.
In einer Ausführungsform ist die Lücke zwischen dem ersten Substrat 10 und dem zweiten Substrat 50 in den abgerundeten Eckbereichen der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung vollständig mit einem Haftmittel gefüllt. Wenig bis kein leerer Raum ist zwischen dem ersten Substrat 10 und dem zweiten Substrat 50 bei den Eckbereichen gebildet. Als Folge davon treten keine Risse bei den Eckbereichen auf. Risse können auftreten entlang der Außenseite der abgerundeten Haftschicht und diese Risse können mit Luft in Kontakt kommen. Diese Risse können die gleiche Größe haben, wie Risse, die an den vier Seiten der Haftschicht 42 auftreten. Jedoch sind diese Risse lediglich in dem Dummy-Bereich (D) vorhanden. Da der Dummy-Bereich (D) körperlich von dem aktiven Bereich (A/A) getrennt ist, kommen die Risse nicht in Kontakt mit dem aktiven Bereich. Dies verhindert, dass Feuchtigkeit mit dem aktiven Bereich in Kontakt kommt.
Wie in 3 gezeigt, hat die Haftschicht 42 mehrere Einschnitte (Lücken), die ausgebildet sind, wo seitliche Oberflächen (oder Kanten) des ersten Substrats 10 und des zweiten Substrats 50 teilweise entfernt sind. Die Hilfselektrode 52 kann in diesen Einschnitten ausgebildet sein. In einem Fall ist die Haftschicht 42 zwischen den Hilfselektroden 52 ausgebildet, um eine Biegung des ersten Substrats 10 und des zweiten Substrats 52 zu verhindern. In einer Ausführungsform ist das Haftmittel über dem gesamten Bereich zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat 10, 50 ausgebildet, vielmehr als nur um den Bereich herum, wo die Hilfselektrode 52 angeordnet ist, um die Anzahl von leeren Räumen zwischen den beiden Substraten 10, 50 zu verringern.
Wenn die Haftschicht 42 nicht zwischen den Hilfselektroden 52 ausgebildet ist oder wenn der Einschnitt zwischen den Substraten 10, 50 nicht im Wesentlichen gefüllt ist, verbleibt der Einschnitt als ein leerer Raum aufgrund der Dicken der Hilfselektrode 52 und der Haftschicht 42. In diesem Fall werden das erste Substrat 10 und das zweite Substrat 50 gebogen in Richtung des leeren Raums, wenn das erste Substrat 10 und das zweite Substrat aneinander befestigt werden aufgrund des Anpressdrucks. In einer Ausführungsform wird zuerst die Haftschicht 42 hinzugefügt und dann entfernt an der Position, wo die Hilfselektrode 52 hinzugefügt werden soll. Ferner weist in diesem Fall jeder Einschnitt Eckbereiche auf. Ähnlich zu den Eckbereichen der Haftschicht 42 haben die Eckbereiche der Einschnitte abgerundete Ecken, um die Bildung von Rissen in den Einschnitten der Haftschicht 42 zu kontrollieren. In einer weiteren Ausführungsform können die Einschnitte rechteckige Ecken (beispielsweise mit einem Winkel von 90° oder einem ähnlichen Winkel) haben anstatt abgerundeter Ecken.
Die 4A bis 4E sind Ansichten, die ein Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung zeigen. Wie in 4A gezeigt, wird ein erstes Substrat 10 aus einem transparentem Material wie beispielsweise Glas oder Plastik gebildet. Als nächstes wird ein undurchsichtiges metallisches Material, das eine hervorragende Leitfähigkeit hat, wie beispielsweise Cr, Mo, Ta, Cu, Ti und/oder Al oder eine AI-Legierung, auf dem ersten Substrat 10 mit Hilfe eines Sputter-Prozesses aufgebracht. Als nächstes wird das undurchsichtige metallische Material mit Hilfe eines photolithographischen Prozesses geätzt, wodurch die Gateelektroden 11R, 11G und 11B ausgebildet werden.
Als nächstes wird ein anorganisches Isolierungsmaterial auf dem ersten Substrat 10 in einem chemischen Gasphasenabscheidungsverfahren (CVD) aufgebracht, wo die Gateelektroden 11R, 11G und 11B ausgebildet wurden, wodurch eine Gateisolierungsschicht 22 ausgebildet wird. Hierbei kann die Gateisolierungsschicht 22 aus SiN_x mit einer Dicke von ungefähr 2000 Å gebildet werden.
Als nächstes wird ein Halbleitermaterial, wie beispielsweise amorphes Silicium (a-Si), oder ein transparenter Oxid-Halbleiter, wie beispielsweis Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO), auf dem ersten Substrat 10 in einem CVD- Verfahren aufgebracht und dann geätzt, wodurch die Halbleiterschichten 12R, 12G und 12B gebildet werden. Obwohl nicht gezeigt kann eine Ohm'sche Kontaktschicht gebildet werden durch Dotieren von Fremdatomen (impurities) in Teile der Halbleiterschichten 12R, 12G und 12B oder durch Aufbringen von Fremdatomen aufweisendem amorphen Silicium auf die Halbleiterschichten 12R, 12G und 12B.
Als nächstes wird in einem Sputter-Prozesses ein undurchsichtiges metallisches Material, welches eine hohe Leitfähigkeit hat, wie beispielsweise Cr, Mo, Ta, Cu, Ti und/oder Al oder eine AI-Legierung, auf das erste Substrat 10 aufgebracht und dann geätzt, wodurch die Sourceelektroden 14R, 14G und 14B und die Drainelektroden 15R, 15G und 15B auf den Halbleiterschichten 12R, 12G und 12B, insbesondere der Ohm'schen Kontaktschicht, gebildet werden.
Wie in 4B gezeigt, ist ein anorganisches Isolierungsmaterial über dem ersten Substrat 10 aufgebracht, wo die Sourceelektroden 14R, 14G und 14B und die Drainelektroden 15R, 15G und 15B ausgebildet wurden, wodurch eine erste Isolierungsschicht 24 gebildet ist. Wenn ein Teil der ersten Isolierungsschicht 24 geätzt wird, wird ein Kontaktloch 29 ausgebildet. Hierbei kann die erste Isolierungsschicht 24 aus SiO₂ mit einer Dicke von ungefähr 4500 Å ausgebildet werden. Über das Kontaktloch 29 sind die Drainelektroden 15R, 15G und 15B des TFTs nach außen exponiert. Als nächstes werden eine R-Farbfilterschicht 17R, eine G-Farbfilterschicht 17G und eine B-Farbfilterschicht 17B auf der ersten Isolierungsschicht 24 in dem R, G und B Pixel ausgebildet.
Als nächstes, wie in 4c gezeigt, wird ein organisches Isolierungsmaterial, wie beispielsweise Photo-Acryl über dem ersten Substrat 10 aufgebracht, wo die R-Farbfilterschicht 17R, die G-Farbfilterschicht 17G und die B-Farbfilterschicht 17B ausgebildet wurden, wodurch eine zweite Isolierungsschicht 26 aufgebracht wird, die das Kontaktloch 29 aufweist. Hierbei kann die zweite Isolierungsschicht 26 mit einer Dicke von ungefähr 3 µm ausgebildet werden und kann geätzt werden. Über das Kontaktloch 29 der zweiten Isolierungsschicht 26 sind die Drainelektroden 15R, 15G und 15B nach außen exponiert.
Bei der vorstehenden Beschreibung sind die Kontaktlöcher 29 so implementiert, wie wenn die erste Isolierungsschicht 24 und die zweite Isolierungsschicht 26 separat ausgebildet werden. Jedoch können die Kontaktlöcher 29 gleichzeitig ausgebildet werden. Genauer gesagt können die Kontaktlöcher 29 ausgebildet werden durch Aufbringen der ersten Isolierungsschicht 24 und der zweiten Isolierungsschicht 26 übereinander und dann durch Ätzen der ersten und der zweiten Isolierungsschicht durch einen einzigen Ätzprozess.
Als nächstes wird ein transparentes leitendes Material, wie beispielsweise ITO oder IZO auf der zweiten Isolierungsschicht 26 in einem Sputter-Verfahren aufgebracht und dann wird es geätzt, wodurch die Pixelelektroden 21R, 21G und 21B gebildet werden. Hierbei werden die Pixelelektroden 21R, 21G und 21B ausgedehnt bis zu der Innenseite des Kontaktlochs 29 und elektrisch verbunden mit den Drainelektroden 15R, 15G und 15B des TFT. Die Pixelelektroden 21R, 21G und 21B eines Pixels sind elektrisch isoliert von den Pixelelektroden 21R, 21G und 21B eines benachbarten Pixels.
Eine erste metallische Struktur 54 ist auf der zweiten Isolierungsschicht 26 auf dem äußeren Randbereich des ersten Substrats 10 ausgebildet. Die erste metallische Struktur 54 kann aus einem metallischen Material gebildet sein, das eine hohe Leitfähigkeit hat. Alternativ dazu kann die erste metallische Struktur 54 aus einem transparenten leitenden Material, wie beispielsweise ITO oder IZO, gebildet sein und kann gleichzeitig mit den Pixelelektroden 21R, 21G und 21B ausgebildet werden.
Wie in 4D gezeigt, wird eine Bankschicht 28 zwischen den Pixeln ausgebildet. Die Bankschicht 28 trennt die Pixel voneinander ab, wodurch verhindert wird, dass Licht, das von einem Pixel ausgegeben wird, mit dem Licht einer spezifischen Farbe gemischt wird, die von einem benachbarten Pixel ausgegeben wird. Ferner füllt die Bankschicht 28 einen Teil des Kontaktlochs 29, wodurch das Auftreten eines gestuften Abschnitts reduziert wird. Die Bankschicht 28 kann ausgebildet werden durch Aufbringen eines anorganischen Isolierungsmaterials in einem CVD-Verfahren und dann durch Ätzen des anorganischen Isolierungsmaterials. Alternativ dazu kann die Bankschicht 28 ausgebildet werden durch Aufbringen eines organischen Isolierungsmaterials und dann durch Ätzen des organischen Isolierungsmaterials.
Eine organische lichtemittierende Einheit 23 wird über dem ersten Substrat 10 ausgebildet, wo die Bankschicht 28 und die Pixelelektroden 21R, 21G und 21B ausgebildet wurden. Die organische lichtemittierende Einheit 23 kann aufweisen eine Elektroneninjektionsschicht, eine Elektronentransportschicht, eine weiße organische lichtemittierende Schicht, eine Lochtransportschicht und eine Lochinjektionsschicht. Die weiße organische lichtemittierende Schicht kann eine gemischte Schicht eines R-organischen lichtemittierenden Materials, eines G-organischen lichtemittierenden Materials und eines B-organischen lichtemittierenden Materials sein. Alternativ dazu kann die weiße organische lichtemittierende Schicht eine Struktur haben, bei der eine R-organische lichtemittierende Schicht, eine G-organische lichtemittierende Schicht und eine B-organische lichtemittierende Schicht übereinander angeordnet sind. Die Elektroneninjektionsschicht, die Elektronentransportschicht, die organische lichtemittierende Schicht, die Lochtransportschicht und die Lochinjektionsschicht können aus unterschiedlichen Materialien gebildet sein, die übereinander angeordnet sind.
Als nächstes wird ein metallisches Material, wie beispielsweise Cu, Ba, Mg, Al und/oder Ag auf der organischen lichtemittierenden Einheit 23 angeordnet, wodurch eine gemeinsame Elektrode 25 ausgebildet wird.
Wie in 4E gezeigt, wird ein zweites Substrat 50 bereitgestellt und dann wird eine zweite metallische Struktur 56 auf dem zweiten Substrat 50 ausgebildet. Die zweite metallische Struktur 56 kann aus einem metallischen Material ausgebildet werden, das eine hohe Leitfähigkeit hat. Dann kann eine Haftschicht 42 ausgebildet werden aus einem thermisch härtenden Harz, wie beispielsweise einem auf Epoxid basierenden Verbund, einem auf Acrylat basierenden Verbund oder einem auf Acryl basierenden Gummi, welcher aufgebracht wird mit einer Dicke von ungefähr 5 µm bis 100 µm. Dann wird ein Silber (Ag) - Punkt auf dem zweiten Substrat 50 ausgebildet, um eine Hilfselektrode 52 zu bilden. Die Haftschicht 42 kann ausgebildet werden nachdem die Hilfselektrode 52 auf dem zweiten Substrat 50 ausgebildet wurde.
Die Haftschicht 42 wird in der gleichen Form wie das erste Substrat 10 und das zweite Substrat 50 ausgebildet. Jedoch sind Eckbereiche der Haftschicht 42 mit einer abgerundeten Form ausgebildet. In Bereichen, in denen die Hilfselektroden 52 angeordnet werden sollen, wird die Haftschicht 42 entfernt. Als Haftschicht 42 kann ein Haftfilm verwendet werden. In diesem Fall wird der Haftfilm nach dem Prozessieren der Eckbereiche der Haftschicht 42 in die abgerundete Form angeordnet und dann werden die Bereiche entfernt, in denen die Hilfselektroden 52 ausgebildet werden sollen.
Als nächstes wird das zweite Substrat 50 über dem ersten Substrat angeordnet und ein Anpressdruck wird auf das erste Substrat 10 und das zweite Substrat 50 ausgeübt, um das erste Substrat 10 und das zweite Substrat 50 aneinander zu befestigen. Das Haftmittel oder der Haftfilm wird auf das erste Substrat 10 aufgebracht und dann kann zur Befestigung das zweite Substrat 50 auf dem ersten Substrat 10 angeordnet werden. In einer anderen Ausführungsform kann das Haftmittel oder der Haftfilm auf das zweite Substrat 50 aufgebracht werden und das erste Substrat 10 kann zur Befestigung auf dem zweiten Substrat 50 angeordnet werden.
Das zweite Substrat 50 kann ausgebildet werden aus Glas oder Plastik oder einem Passivierungsfilm, wie beispielsweise einem PS (Polystyren) -Film, einem PE (Polyethylen) - Film, einem PEN (Polyethylen Naphtalat) -Film oder einem PI (Polyimid) -Film. Nachdem das erste Substrat 10 und das zweite Substrat 50 aneinander befestigt wurden, wird die Haftschicht 42 auf eine Temperatur von ungefähr 80°C bis 100°C geheizt, um gehärtet zu werden. Sowie die Haftschicht 42 gehärtet ist, ist die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung eingekapselt, um ein Eindringen von Feuchtigkeit etc. von außen zu verhindern. Das zweite Substrat 50 dient als eine Einkapselungskappe zum Einkapseln der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung, wodurch die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung geschützt wird.
Die Eckbereiche der Haftschicht sind in einer runden Form ausgebildet, die einen Radius (R) von ungefähr 0,5 mm bis 5 mm hat. Wenn der Radius der runden Form 0,5 mm ist, sind Risse der Haftschicht, die in den Eckbereichen auftreten, auf ein Viertel bis ein Zehntel der Rate des Auftretens bei bekannten (existierenden) Vorrichtungen verringert. Mit zunehmendem Radius der runden Form nimmt eine Oberfläche der Eckbereiche zu und der Anpressdruck, der auf die Eckbereiche ausgeübt wird, nimmt ab.
Die vorstehenden Ausführungsformen und Vorteile sind lediglich exemplarisch und sind nicht dazu gedacht, die vorliegende Offenbarung zu beschränken. Die vorliegenden Lehren können direkt angewendet werden auf andere Typen von Vorrichtungen. Diese Beschreibung ist dazu gedacht, darzustellen und nicht den Umfang der Ansprüche zu beschränken. Viele Alternativen, Modifikationen und Variationen werden den Fachmännern auf diesem Gebiet offensichtlich. Die Merkmale, Strukturen, Verfahren und andere Charakteristiken der beispielhaften Ausführungsformeln, die hierin beschrieben sind, können auf unterschiedliche Arten kombiniert werden, um zusätzliche und/oder alternative beispielhafte Ausführungsformen zu erhalten.
Da die vorliegenden Merkmale in unterschiedlichen Formen ausgeführt werden können, ohne von deren Charakteristiken abzuweichen, ist es ferner zu verstehen, dass die vorstehenden Ausführungsformen nicht beschränkt sind, soweit nicht anders spezifiziert, durch irgendwelche der Details der vorstehenden Beschreibung, sondern sollten eher breit ausgelegt werden innerhalb des Umfangs, wie er in den angehängten Ansprüchen definiert ist, und deshalb ist beabsichtigt, dass alle Änderungen und Modifikationen, die in die Grenzen und die Abgrenzungen der Ansprüche oder deren Äquivalente von derartigen Grenzen und Abgrenzungen fallen, von den angehängten Ansprüchen umfasst sind.

Claims

Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung, aufweisend: ein erstes Substrat (10), das eine Mehrzahl von Pixeln aufweist, wobei jedes Pixel einen Dünnfilmtransistor, eine organische lichtemittierende Einheit (23), die dazu ausgebildet ist, Licht zu emittieren, und eine Pixelelektrode aufweist, die elektrisch mit der organischen lichtemittierenden Einheit (23) gekoppelt ist, wobei das erste Substrat (10) eine gemeinsame Elektrode (25) aufweist, die mit jeder Pixelelektrode elektrisch gekoppelt ist, eine Haftschicht (42), die auf der gemeinsamen Elektrode (25) über den organischen lichtemittierenden Einheiten (23) ausgebildet ist, ein zweites Substrat (50), das auf der Haftschicht (42) ausgebildet ist; wobei die Haftschicht (42) das erste Substrat (10) an dem zweiten Substrat (50) befestigt, wobei die Haftschicht (42) eine Mehrzahl von Eckbereichen aufweist, wobei jeder Eckbereich eine abgerundete Form hat, eine erste metallische Struktur (54), die auf dem ersten Substrat (10) ausgebildet ist, wobei die erste metallische Struktur (54) elektrisch mit einer Pixelelektrode verbunden ist, die elektrisch mit jedem der Pixel verbunden ist; eine zweite metallische Struktur (56), die über dem zweiten Substrat (50) ausgebildet ist; und eine Mehrzahl von Hilfselektroden (52), die zwischen dem ersten Substrat (10) und dem zweiten Substrat (50) ausgebildet sind, um die erste und die zweite metallische Struktur (54, 56) elektrisch miteinander zu verbinden, wobei die Haftschicht (42) in Form einer alternierenden Struktur ausgebildet ist, wobei die alternierende Struktur eine Mehrzahl von Einschnitten aufweist, und wobei jede Hilfselektrode (52) in einem der Einschnitte der alternierenden Struktur ausgebildet ist.
Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei jeder Einschnitt eine Mehrzahl von Eckbereichen aufweist, wobei die Eckbereiche eine abgerundete Form haben.
Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 2, wobei die jede Hilfselektrode (52) einen Silberpunkt aufweist.
Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Haftschicht (42) eine adhäsive leitende Schicht ist, die zwischen der ersten und der zweiten metallischen Struktur (54, 56) ausgebildet ist.
Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Haftschicht (42) ausgebildet ist aus einem auf Epoxid basierenden Verbund, einem auf Acrylat basierenden Verbund und/oder einem auf Acryl basierenden Gummi.
Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Haftschicht (42) eine Dicke von 5 µm bis 100 µm hat.
Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die abgerundete Form eine Kreisform, eine ovale Form und/oder eine Wellenform aufweist.
Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 7, wobei die Kreisform einen Radius im Bereich von einschließlich 0,5 mm bis einschließlich 5 mm hat.
Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung, das Verfahren aufweisend: Ausbilden eines Dünnfilmtransistors bei jedem Pixel einer Mehrzahl von Pixeln eines ersten Substrats (10); Ausbilden einer organischen lichtemittierenden Einheit (23) bei jedem Pixel des ersten Substrats (10); Ausbilden einer Pixelelektrode, die elektrisch mit der organischen lichtemittierenden Einheit (23) gekoppelt ist, über dem ersten Substrat (10), Ausbilden einer gemeinsamen Elektrode (25), die mit jeder Pixelelektrode elektrisch gekoppelt ist, Ausbilden einer Haftschicht (42) zwischen dem ersten Substrat (10) und einem zweiten Substrat (50), wobei die Haftschicht (42) eine Mehrzahl von Eckbereichen aufweist und jeder Eckbereich eine abgerundete Form hat; Befestigen des ersten Substrats (10) an dem zweiten Substrat (50) mit Hilfe der Haftschicht (42), wobei die Haftschicht (42) so ausgebildet wird, dass sie über den organischen lichtemittierenden Einheiten (23) angeordnet ist, Ausbilden einer ersten metallischen Struktur (54) über dem ersten Substrat (10); Ausbilden einer zweiten metallischen Struktur (56) über dem zweiten Substrat (50); und Ausbilden einer Hilfselektrode (52) zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat (10, 50), um die erste und die zweite metallische Struktur (54, 56) elektrisch miteinander zu verbinden, wobei die Haftschicht (42) in Form einer alternierenden Struktur ausgebildet wird, wobei die alternierende Struktur eine Mehrzahl von Einschnitten aufweist, und wobei jede Hilfselektrode (52) in einem der Einschnitte der alternierenden Struktur ausgebildet wird.
Verfahren gemäß Anspruch 9, wobei das Befestigen des ersten Substrats (10) an dem zweiten Substrat (50) mit Hilfe der Haftschicht (42) aufweist: Druckausüben auf das erste Substrat (10) und/oder auf das zweite Substrat (50).
Verfahren gemäß Anspruch 10, aufweisend ein Aufheizen der Haftschicht (42) auf eine Temperatur von 80°C bis 170°C.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei das Ausbilden der Haftschicht (42) aufweist, Befestigen der Haftschicht (42) auf dem ersten und/oder zweiten Substrat (10, 50).
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 bis 12, wobei die Hilfselektrode (52) ausgebildet wird, bevor oder nachdem die Haftschicht (42) ausgebildet wird.