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GEBIET DER ERFINDUNG
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Die vorliegende Erfindung betrifft eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung (OLED), und insbesondere eine OLED-Vorrichtung, der es möglich ist, eine Farbtongleichheit von weißem (W) Licht zu verbessern.
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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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In letzter Zeit zieht die Flachtafelanzeigevorrichtung (flat panel display, FPD) in ihrer Eigenschaft als Mittelpunkt beim Fortschritt in der Multimediatechnologie großes Interesse auf sich. Dabei werden in der Praxis verschiedenste Flachtafelanzeigevorrichtungen verwendet, wie eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD), eine Plasmaanzeigetafel (PDP), eine Feldemissionsanzeigevorrichtung (FED) und OLED-Vorrichtungen, die organische lichtemittierende Dioden verwenden.
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Insbesondere bietet die OLED-Vorrichtung eine schnelle Ansprechzeit von einer Millisekunde oder weniger, sie weist einen geringen Energieverbrauch auf und sie ist vom selbstemittierenden Typ. Zusätzlich weist die OLED-Vorrichtung einen weiten Betrachtungswinkel auf und ist dementsprechend als ein Anzeigemedium für bewegte Bilder unabhängig von ihrer Größe von Vorteil. Weiter kann die OLED-Vorrichtung bei geringer Temperatur hergestellt werden, sie kann basierend auf einer vorhandenen Aktivschicht-Verarbeitungstechnik einfach hergestellt werden, und sie zieht somit als eine Flachtafelanzeigevorrichtung der nächsten Generation große Aufmerksamkeit auf sich.
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Die OLED-Vorrichtung erfasst eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine Emissionsschicht zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode. Löcher, die von der ersten Elektrode zugeführt werden, und Elektronen, die von der zweiten Elektrode zugeführt werden, binden sich in der Emissionsschicht aneinander, so dass sie ein Exziton bilden, das ein Paar aus einem Loch und einem Elektron ist, und die OLED-Vorrichtung emittiert Licht durch die Energie, die erzeugt wird, wenn das Exziton in seinen Grundzustand übergeht.
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Solche OLED-Vorrichtungen sind mit verschiedenen Strukturen entwickelt worden, und unter diesen realisiert eine weiße OLED-Vorrichtung ein weißes Licht, in dem sie rote, grüne und blaue Unterpixel umfasst, oder sie realisiert ein weißes Licht, in dem sie weiter weiße Unterpixel zusätzlich zu den roten, grünen und blauen Unterpixeln umfasst.
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Das Realisieren von weißem Licht ist jedoch problematisch, da unter der Emissionsschicht der OLED-Vorrichtung anorganische Filme ausgebildet sind. Dies führt zu einer Verschlechterung hinsichtlich der Eigenschaften eines Betrachtungswinkels und der Farbtongleichheit der OLED-Vorrichtung. Dementsprechend wäre eine bessere Realisierung des weißen Lichts bei der Herstellung einer OLED mit einem weiteren Betrachtungswinkel und/oder einer besseren Farbtongleichheit von Vorteil.
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US 2005/0 258 443 A1 beschreibt ein Substrat auf dem ein Dünnschichttransistor ausgebildet ist. Der Dünnschichttransistor setzt sich aus einer Aktivschicht, einer Gate-Elektrode, einer Gate-Isolationsschicht, einer Zwischenisolationsschicht und einer Source- und einer Drainelektrode zusammen. Im Lichtpfad befindet sich nur eine Überzugsschicht, die auch den Dünnschichttransistor überdeckt.
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US 2008/0 030 833 A1 beschreibt eine Anzeigetafel einer Flachbildschirm-Anzeigevorrichtung einer Vierfarbstruktur, bei der Farbmischungen nicht in einem weißen Subpixel und auftreten.
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US 7 397 180 B2 beschreibt eine lichtemittierende Vorrichtung mit einem lietfähigen Polymer und Farbschichten.
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JP 2010/160 494 A beschreibt eine lichtemittierende Vorrichtung mit zwei Transistoren mit unterschiedlichen Eigenschaften, die in Reihe mit einem lichtemittierenden Element verbunden sind.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Die Aufgabe wird durch die Merkmale des unabhängigen Anspruchs gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
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Die vorliegende Erfindung betrifft eine OLED-Vorrichtung, die Eigenschaften hinsichtlich eines Betrachtungswinkels und/oder einer Farbtongleichheit verbessern kann. Die vorliegende Erfindung betrifft weiter eine OLED-Vorrichtung mit roten (R), grünen (G), blauen (B) und weißen (W) Unterpixeln. Insbesondere umfasst die OLED-Vorrichtung i) ein Substrat; ii) eine Dünnschichttransistor (TFT)-Aktivschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist, umfassend eine Gateelektrode, eine Gateisolationsschicht, eine Aktivschicht, eine Zwischenisolationsschicht, eine Sourceelektrode und eine Drainelektrode; iii) eine Überzugsschicht, die über dem Dünnschichttransistor angeordnet ist; und iv) eine Passivierungsschicht, die zwischen dem Dünnschichttransistor und der Überzugsschicht angeordnet ist, wobei die Passivierungsschicht in einem Lichtpfad nicht vorhanden ist, oder wobei die Passivierungsschicht im Lichtpfad als eine einzelne Schicht, die Siliziumnitrid umfasst, angeordnet ist.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Die angehängten Zeichnungen, welche enthalten sind, um ein weiteres Verständnis der Erfindung zu bieten und eingefügt sind, einen Teil dieser Beschreibung bilden, zeigen Ausführungsformen der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung der Erläuterung der Prinzipien der Erfindung.
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1 zeigt eine OLED-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
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2 zeigt ein Unterpixel einer OLED-Vorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung.
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3 ist eine Schnittansicht, die ein W-Unterpixel einer OLED-Vorrichtung gemäß einer zusätzlichen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
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4 ist eine Schnittansicht, die ein R-Unterpixel der OLED-Vorrichtung gemäß einer weiteren zusätzlichen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
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5 ist eine Schnittansicht, die ein W-Unterpixel einer OLED-Vorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
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6 ist eine Schnittansicht, die ein R-Unterpixel der OLED-Vorrichtung zeigt.
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7 ist ein Diagramm, das Spektren von weißem Licht zeigt, bezogen auf i) eine OLED-Vorrichtung mit dem W-Unterpixel gemäß der Ausführungsform in 3 und dem R-Unterpixel gemäß der Ausführungsform in 4, und ii) eine OLED-Vorrichtung mit dem W-Unterpixel gemäß der Ausführungsform in 5 und dem R-Unterpixel gemäß 6.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
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Nun wird detailliert auf einige Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung Bezug genommen, von denen Beispiele in den angehängten Zeichnungen gezeigt sind.
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Die vorliegenden Figuren, Ausführungsformen und Beispiele sind enthalten, um einen Leitfaden für den Fachmann für das Ausüben von repräsentativen Ausführungsformen des hier offen gelegten Gegenstands bereitzustellen. Im Lichte der vorliegenden Offenbarung und dem allgemeinen Fachwissen kann der Fachmann verstehen, dass die folgenden Beispiele lediglich als beispielhaft beabsichtigt sind, und dass zahlreiche Veränderungen, Modifikationen und/oder Änderungen durchgeführt werden können, ohne vom Schutzumfang des hier offengelegten Gegenstandes abzuweichen.
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In 1 umfasst die OLED-Vorrichtung 100 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mehrere Einheitspixel mit roten Unterpixeln 110R, grünen Unterpixeln 110G, blauen Unterpixeln 110B und weißen Unterpixeln 110W. Jedes der Einheitspixel emittiert rotes, grünes, blaues und weißes Licht und realisiert dementsprechend eine weiße Farbe.
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2 zeigt eine Struktur des Unterpixels einer OLED-Vorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wobei das Unterpixel durch einen Abtastleitung SL, eine Datenleitung DL und eine Leitung VL für eine gemeinsame Spannung definiert ist, die in einer Matrix angeordnet sind.
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Das Unterpixel umfasst einen Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) T1, einen Treiber-TFT T2, einen Kondensator Cst, eine erste Elektrode FE, eine Emissionsschicht (nicht gezeigt) und eine zweite Elektrode (nicht gezeigt).
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Im Unterpixel wird gemäß einiger Ausführungsformen, wenn Signale von der Abtastleitung SL und der Datenleitung DL initiiert werden, ein Ansteuerungssignal vorn Schalt-TFT T1 über den Kondensator Cst an den Treiber-TFT T2 übertragen. Der Treiber-TFT T2 überträgt Ströme an die erste Elektrode FE aufgrund des vom Schalt-TFT T1 angelegten Signals und des von der Leitung VL für eine gemeinsame Spannung angelegten Signals. Zusätzlich emittiert eine organische Schicht (nicht gezeigt) Licht aufgrund der Ströme, die von der ersten Elektrode FE und der zweiten Elektrode (nicht gezeigt) zugeführt werden.
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In 3 umfasst das W-Unterpixel einer OLED-Vorrichtung gemäß einer zusätzlichen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Pufferschicht 215 auf einem Substrat 210. Das Substrat 210 kann aus Materialien bestehen, die Glas, Plastik und ein leitendes Material umfassen, die jedoch nicht hierauf beschränkt sind. Die Pufferschicht 215 ist optional ausgebildet, um die hier beschriebenen TFTs vor Verunreinigungen zu schützen, wie vor Alkaliionen, die aus dem Substrat 210 austreten. Die Pufferschicht 215 kann aus Materialien bestehen, umfassend Siliziumoxid SiOx und Siliziumnitrid SiNx, jedoch besteht keine Beschränkung hierauf.
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Eine Aktivschicht 220 ist auf der Pufferschicht 215 angeordnet. Die Aktivschicht 220 kann amorphes Silizium und/oder Polysilizium umfassen, das aus dem amorphen Silizium kristallisiert. Obwohl es nicht gezeigt ist, kann die Aktivschicht 220 einen Kanalbereich, einen Sourcebereich und einen Drainbereich umfassen, wobei der Sourcebereich und der Drainbereich mit P- oder N-Störstellen dotiert sein können.
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Eine Gateisolationsschicht 225 ist auf dem Substrat 210 mit der Aktivschicht 220 angeordnet. Die Gateisolationsschicht 225 isoliert die Aktivschicht 220, und sie kann optional ausgebildet sein unter Verwendung von Siliziumoxid SiOx und/oder Siliziumnitrid SiNx.
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Eine Gateelektrode 230 ist auf einem gleichmäßigen Bereich der Aktivschicht 220 angeordnet, also auf der Gateisolationsschicht 225, entsprechend dem Kanalbereich. Die Gateelektrode 230 kann aus einem oder mehreren Materialien aus einer Gruppe bestehen, die Aluminium Al, eine Aluminiumlegierung, Titan Ti, Silber Ag, Molybdän Mo, eine Molybdänlegierung, Wolfram W und Wolframsilizid WSi2 umfasst, die jedoch nicht hierauf begrenzt ist.
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Eine Zwischenisolationsschicht 235 ist auf dem Substrat 210 mit der Gateelektrode 230 angeordnet. Die Zwischenisolationsschicht 235 kann eine organische Schicht oder eine anorganische Schicht sein, oder sie kann eine daraus zusammengesetzte Schicht sein. Die anorganische Schicht kann Materialien enthalten, umfassend Siliziumnitrid SiNx und SOG (Silikat auf Glas), jedoch besteht keine Beschränkung hierauf. Die organische Schicht kann Materialien enthalten, umfassend acrylbasiertes Harz, polymidbasiertes Harz und benzocyclobutene (BCB)-basiertes Harz, jedoch besteht keine Beschränkung hierauf.
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Eine Sourceelektrode 245a, eine Drainelektrode 245b und Signalleitungen 245c und 245d sind auf der Zwischenisolationsschicht 235 angeordnet. Insbesondere können die Signalleitungen 245c und 245d eine Leitung für eine gemeinsame Spannung bzw. eine Datenleitung sein.
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Die Sourceelektrode 245a, die Drainelektrode 245b und die Leitung 245c für eine gemeinsame Spannung und die Datenleitung 245d können ein Material mit geringem Widerstand umfassen, um einen Leitungswiderstand zu reduzieren, und sie können aus einem Mehrschichtfilm gebildet sein, der ein Material enthält, umfassend Molybdän Wolfram MoW, Titan Ti, Aluminium Al und eine Aluminiumlegierung, jedoch besteht keine Beschränkung hierauf. Der Mehrschichtfilm kann eine laminierte Struktur aus Titan/Aluminium/Titan (Ti/Al/Ti) oder Molybdän-Wolfram/Aluminium/Molybdän-Wolfram (MoW/Al/MoW) aufweisen.
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Die Sourceelektrode 245a und die Drainelektrode 245b sind über Kontaktlöcher 240a und 240b mit der Aktivschicht 220 verbunden, die die Zwischenisolationsschicht 235 und die Gateisolationsschicht 225 durchdringen. Dementsprechend umfasst ein Dünnschichttransistor (TFT) die Gateelektrode 230, die Aktivschicht 220, die Sourceelektrode 245a und die Drainelektrode 245b.
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Eine Passivierungsschicht 250 ist auf der Sourceelektrode 245a, der Drainelektrode 245b, der Leitung 245c für eine gemeinsame Spannung und der Datenleitung 245d angeordnet. Die Passivierungsschicht 250 bedeckt die Sourceelektrode 245a, die Drainelektrode 245b, die Leitung 245c für eine gemeinsame Spannung und die Datenleitung 245d. Dementsprechend ist die Passivierungsschicht 250 in einigen Ausführungsformen nicht in anderen Bereichen als der Sourceelektrode 245a, der Drainelektrode 245b, der Leitung 245c für eine gemeinsame Spannung und der Datenleitung 245d ausgebildet, und die Zwischenisolationsschicht 235 ist darauf angeordnet.
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Die Passivierungsschicht 250 umfasst ein Material, umfassend Siliziumoxid SiOx und Siliziumnitrid SiNx, das jedoch nicht hierauf begrenzt ist, und sie kann durch eine einzelne Schicht, durch Doppelschichten oder durch andere multiple Schichten ausgebildet sein. Die OLED-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine OLED-Vorrichtung mit Emission einer rückseitigen Oberfläche, bei der Licht von der Lichtemissionsschicht hin zum Substrat 210 läuft, und sie weist somit einen Vorteil bei der Verhinderung einer Reduzierung der Farbtongleichheit von Licht auf, da die Passivierungsschicht 250 nicht im Pfad (P) des Lichts positioniert ist, das von der Emissionsschicht einer organischen Schicht 280 emittiert wird.
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Eine Überzugsschicht 255 ist auf der Passivierungsschicht 250 und der Zwischenisolationsschicht 235 angeordnet. Die Überzugsschicht 255 schützt Farbfilter und gleicht einen Stufenunterschied aufgrund der Farbfilter aus. Das in 3 gezeigte W-Unterpixel einiger Ausführungsformen ist nicht mit einem Farbfilter versehen, da weißes Licht realisiert ist. Deshalb ist nur die Überzugsschicht 255 auf der Zwischenisolationsschicht 235 und der Passivierungsschicht 250 angeordnet.
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Eine erste Schicht 265 ist auf der Überzugsschicht 255 angeordnet. Die erste Schicht 265 kann ein transparenter leitender Film aus einem Material sein, umfassend ITO (Indiumzinnoxid) und IZO (Indiumzinkoxid), ist jedoch nicht hierauf begrenzt. Die erste Schicht 265 ist über ein Kontaktloch 260, das die Überzugsschicht 255 und die Passivierungsschicht 250 durchdringt, elektrisch mit der Drainelektrode 245b des TFT verbunden.
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Eine Dammschicht 270 ist auf dem Substrat 210 und insbesondere auf der ersten Schicht 265 angeordnet. Die Dammschicht 270 definiert einen Emissionsbereich des Unterpixels und kann acrylbasiertes Harz, polymidbasiertes Harz, benzocyclobutene (BCB)-basiertes Harz oder eine Mischung davon umfassen. Weiter weist die Dammschicht 270 eine Öffnung 275 auf, die einen Teil der ersten Schicht 265 freilegt.
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Eine organische Schicht 280 ist auf der ersten Schicht 265, die durch die Öffnung 275 freigelegt ist, und optional auf der Dammschicht 270 angeordnet. Die organische Schicht 280 umfasst wenigstens eine Emissionsschicht und kann wenigstens eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Elektronentransportschicht oder eine Elektroneninjektionsschicht umfassen.
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Das in 3 gezeigte W-Unterpixel emittiert gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung weißes Licht, und die Emissionsschicht der organischen Schicht 280 kann weißes Licht realisieren. Insbesondere kann die Emissionsschicht weißes Licht emittieren, in dem sie Materialien umfasst, die rotes, grünes und blaues Licht emittieren.
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Eine zweite Elektrode 285 ist auf dem Substrat 210 und insbesondere auf der organischen Schicht 280 angeordnet. Die zweite Elektrode 285 ist auf der gesamten Oberfläche des zweiten Substrats 210 positioniert und kann aus einem Material bestehen, umfassend Magnesium Mg, Silber Ag, Kalzium Ca oder ein Gemisch davon, es besteht jedoch keine Beschränkung hierauf.
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Wie oben beschrieben, ist das W-Unterpixel der OLED-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ausgebildet, in dem die Passivierungsschicht von einem Bereich entfernt wird, von dem Licht emittiert wird. Die Erfinder haben überraschender Weise herausgefunden, dass das Anordnen der Überzugsschicht 255, der Zwischenisolationsschicht 235 und der Gateisolationsschicht 225 unter der ersten Schicht 265 verhindert, dass die Farbtongleichheit des weißen Lichts vermindert wird und die hervorragende Farbtongleichheit des weißen Lichts erhalten bleibt.
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Auf der anderen Seite können die R, G und B-Unterpixel einiger Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung weiter Farbfilter umfassen, im Unterschied zum W-Unterpixel, das weißes Licht emittiert. Im Folgenden wird das R-Unterpixel aus der Gruppe der R, G und B-Unterpixel repräsentativ beschrieben. Die Bestandselemente, die dieselben wie in 3 sind, weisen dieselben Bezugszeichen auf, und die Beschreibung derselben ist im Nachfolgenden weggelassen.
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In 4 ist gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Unterschied zum W-Unterpixel im R-Unterpixel weiter ein R-Farbfilter 290 auf der Zwischenisolationsschicht 235 dort ausgebildet, wo die Passivierungsschicht 250 nicht ausgebildet ist.
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Insbesondere ist der R-Farbfilter 290 in einem Pfad (P) von Licht angeordnet, das von der organischen Schicht 280 emittiert wird, also unter der ersten Schicht 265. Der R-Farbfilter 290 wandelt das weiße Licht, das von der organischen Schicht 280 emittiert wird, in rotes Licht um. Hierdurch kann das R-Unterpixel rotes Licht realisieren, in dem das weiße Licht durch den R-Farbfilter 290 in rotes Licht gewandelt wird.
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Auf dieselbe Weise wie beim oben beschriebenen W-Unterpixel ist die Passivierungsschicht 250 nicht im Pfad (P) des emittierten Lichts ausgebildet. Die Erfinder haben überraschender Weise festgestellt, dass das Anordnen der Überzugsschicht 255, des R-Farbfilters 290, der Zwischenisolationsschicht 235 und der Gateisolationsschicht 225 unter der ersten Schicht 265 die Farbtongleichheit des roten Lichts verbessert, in dem verhindert wird, dass die Farbtongleichheit des weißen Lichts reduziert wird.
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Obwohl das R-Unterpixel unter Bezugnahme auf 4 beschrieben wurde, können das G-Unterpixel und das B-Unterpixel dieselbe Struktur aufweisen wie das R-Unterpixel, und sie können einen G-Farbfilter bzw. einen B-Farbfilter anstelle des R-Farbfilters umfassen.
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In 5 umfasst das W-Unterpixel der OLED-Vorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Pufferschicht 315 auf einem Substrat 310. Eine Aktivschicht 320 ist auf der Pufferschicht 315 angeordnet, und eine Gateisolationsschicht 325 ist auf dem Substrat 310 mit der Aktivschicht 320 angeordnet.
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Eine Gateelektrode 330 ist auf der Gateisolationsschicht 325 angeordnet, und eine Zwischenisolationsschicht 335 ist auf dem Substrat 310 und insbesondere auf der Gateelektrode 330 angeordnet. Eine Sourceelektrode 345a, eine Drainelektrode 345b und Signalleitungen 345c und 345d sind auf der Zwischenisolationsschicht 335 angeordnet.
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Insbesondere können die Signalleitungen 345c und 345d eine Leitung für eine gemeinsame Spannung bzw. eine Datenleitung sein.
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Die Sourceelektrode 345a und die Drainelektrode 345b sind über Kontaktlöcher 340a und 340b, die die Zwischenisolationsschicht 335 und die Gateisolationsschicht 325 durchdringen, mit der Aktivschicht 320 verbunden. Eine Passivierungsschicht 350 ist auf der Sourceelektrode 345a, der Drainelektrode 345b, der Leitung 345c für eine gemeinsame Spannung und der Datenleitung 345d angeordnet.
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Die Passivierungsschicht 350 ist auf dem gesamten Substrat 310 mit der Sourceelektrode 345a, der Drainelektrode 345b, der Leitung 345c für eine gemeinsame Spannung und der Datenleitung 345d angeordnet. Die Passivierungsschicht 350 kann aus einer einzelnen Schicht aus Siliziumnitrid SiNx ausgebildet sein. Die Erfinder haben herausgefunden, dass die Eigenschaften des Siliziumnitrids SiNx für das Verhindern einer Verminderung der Farbtongleichheit von Licht von Vorteil sind. Die Passivierungsschicht 350 kann auch als eine einzelne Schicht aus Siliziumnitrid ausgebildet sein, und sie kann im Pfad (P) von Licht angeordnet sein, das von einer nachfolgenden Emissionsschicht emittiert wird.
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Eine Überzugsschicht 355 ist auf der Passivierungsschicht 350 angeordnet, und eine erste Elektrode 365 ist auf der Überzugsschicht 355 angeordnet. Die erste Schicht 365 ist elektrisch mit der Drainelektrode 345b des TFT über ein Kontaktloch 360 verbunden, das die Überzugsschicht 355 und die Passivierungsschicht 350 durchdringt.
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Eine Dammschicht 370 ist auf dem Substrat 310 mit der ersten Schicht 365 angeordnet, und die Dammschicht 370 weist eine Öffnung 375 auf, die einen Teil der ersten Schicht 365 freilegt. Eine organische Schicht 380 ist auf der ersten Schicht 365 und der Dammschicht 370, die durch die Öffnung 375 freigelegt ist, angeordnet. Das in 5 gezeigte W-Unterpixel einiger Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung emittiert weißes Licht, und die Emissionsschicht der organischen Schicht 380 kann weißes Licht realisieren. Insbesondere kann die Emissionsschicht weißes Licht emittieren, in dem sie Materialien umfasst, die rotes, grünes und blaues Licht emittieren. Eine zweite Elektrode 385 ist auf dem Substrat 310 mit der organischen Schicht 380 angeordnet.
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Wie oben beschrieben ist, weist das W-Unterpixel der OLED-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Passivierungsschicht, die aus einer einzelnen Schicht aus Siliziumnitrid ausgebildet ist, in dem Bereich auf, aus dem Licht emittiert wird. Die Erfinder haben überraschender Weise herausgefunden, dass das Anordnen der Überzugsschicht 355, der Passivierungsschicht 350, der Zwischenisolationsschicht 335 und der Gateisolationsschicht 325 unter der ersten Schicht 365 verhindert, dass die Farbtongleichheit des weißen Lichts vermindert wird, und dass die hervorragende Farbtongleichheit des weißes Lichts erhalten bleibt.
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Auf der anderen Seite können die R, G und B-Unterpixel einiger Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung im Unterschied zum W-Unterpixel, das weißes Licht emittiert, weiter Farbfilter umfassen. Im Folgenden wird repräsentativ das R-Unterpixel aus der Gruppe der R, G und B-Unterpixel beschrieben. Die Bestandselemente, die dieselben wie oben in 5 sind, weisen dieselben Bezugszeichen auf, und eine Beschreibung derselben wird im Folgenden weggelassen.
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In 6, im Unterschied zum W-Unterpixel, im R-Unterpixel weiter ein R-Farbfilter 390 auf der Passivierungsschicht 350 ausgebildet.
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Insbesondere ist der R-Farbfilter 390 im Pfad (P) von Licht, das von der organischen Schicht 380 emittiert wird, also unter der ersten Schicht 365, angeordnet. Der R-Farbfilter 390 wandelt das von der organischen Schicht 380 emittierte weiße Licht in rotes Licht. Dadurch kann das R-Unterpixel rotes Licht realisieren, in dem weißes Licht durch die R-Farbfilter 390 in rotes Licht gewandelt wird.
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Zusätzlich ist, auf dieselbe Weise wie beim oben beschriebenen W-Unterpixel, die Passivierungsschicht 350 aus einer einzelnen Schicht aus Siliziumnitrid im Pfad (P) des emittierten Lichts ausgebildet. Die Erfinder haben überraschenderweise herausgefunden, dass das Anordnen der Überzugsschicht 355, des R-Farbfilters 390, der Passivierungsschicht 350, der Zwischenisolationsschicht 335 und der Gateisolationsschicht 325 unter der ersten Schicht 365 die Farbtongleichheit des roten Lichts verbessert, in dem verhindert wird, das die Farbtongleichheit des weißen Lichts reduziert wird.
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Obwohl in Bezug auf 6 das R-Unterpixel beschrieben wurde, können das G-Unterpixel und das B-Unterpixel ebenfalls dieselbe Struktur wie das R-Unterpixel aufweisen, und sie können einen G-Farbfilter bzw. einen B-Farbfilter anstelle des R-Farbfilters umfassen.
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In 7 zeigt Beispiel 1 ein Spektrum von weißem Licht bezogen auf eine OLED-Vorrichtung mit dem W-Unterpixel gemäß der Ausführungsform in 3 und dem R-Unterpixel gemäß der Ausführungsform in 4. Das Beispiel 2 zeigt ein Spektrum von weißem Licht bezogen auf eine OLED-Vorrichtung mit dem W-Unterpixel gemäß der Ausführungsform in 5 und dem R-Unterpixel gemäß der Ausführungsform in 6. Das Vergleichsbeispiel zeigt ein Spektrum von weißem Licht bezogen auf eine OLED-Vorrichtung, bei dem die Passivierungsschicht im Beispiel 2 aus Doppelschichten von Siliziumoxid SiOx und Siliziumnitrid SiNx auf der gesamten Oberfläche des Substrats ausgebildet ist.
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Wie in 7 gezeigt ist, tritt ein Schwankungsphänomen in den OLEDs gemäß einiger Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung im Vergleich zum Vergleichsbeispiel weniger stark auf. Die Erfinder haben überraschender Weise herausgefunden, dass das Nicht-Ausbilden der Passivierungsschicht im Bereich, aus dem Licht emittiert wird, oder das Ausbilden lediglich einer einzelnen Schicht der Passivierungsschicht das Auftreten des Schwankungsphänomens des weißen Lichts reduziert. Die Passivierungsschicht mit der einzelnen Schicht ist vorzugsweise aus Siliziumnitrid ausgebildet.
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Dementsprechend kann gemäß der vorliegenden Erfindung die Farbtongleichheit des weißen Lichts verbessert werden, und damit können wiederum die Eigenschaften hinsichtlich des Betrachtungswinkels der OLED-Vorrichtung verbessert werden.
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Die vorstehenden Ausführungsformen und Vorteile sind lediglich beispielhaft. Die vorliegende Lehre kann leicht bei anderen Arten von Vorrichtungen angewandt werden.
