BR112020009088B1 - Unidade de led para exibição e aparelho de exibição utilizando a mesma - Google Patents

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Abstract

A presente invenção refere-se a uma unidade de diodo emissor de luz para exibição, uma pluralidade de pixels, cada pixel incluindo: uma primeira célula emissora de luz, uma segunda célula emissora de luz e uma terceira célula emissora de luz, incluindo uma primeira camada semicondutora do tipo condutiva, uma camada ativa e uma segunda camada semicondutora tipo condutiva; pads conectados eletricamente à primeira até a terceira célula emissora de luz, de modo a acioná-las independentemente; um segundo conversor de comprimento de onda para converter um comprimento de onda de luz emitida a partir da segunda célula emissora de luz; e um terceiro conversor de comprimento de onda para converter um comprimento de onda de luz emitida a partir da terceira célula emissora de luz, em que o terceiro conversor de comprimento de onda converte um comprimento de onda de luz em um comprimento de onda mais longo que o segundo conversor de comprimento de onda.

Description

Campo Técnico
[001] Modalidades exemplificativas se referem a um diodo emissor de luz para uma tela de próxima geração e um aparelho de exibição com o mesmo.
Estado da Técnica
[002] Como fonte de luz inorgânica, os diodos emissores de luz têm sido utilizados em vários campos técnicos, como dispositivos de exibição, lâmpadas veiculares, iluminação geral e semelhantes. Com várias vantagens dos diodos emissores de luz, como vida útil mais longa, menor consumo de energia e resposta mais rápida do que as fontes de luz existentes, os diodos emissores de luz têm substituído as fontes de luz existentes.
[003] Os diodos emissores de luz convencionais têm sido usados principalmente como fonte de luz de fundo em aparelhos de exibição. No entanto, um micro LED foi desenvolvido recentemente como um dispositivo de exibição de próxima geração que diretamente realiza uma imagem usando diodos emissores de luz.
[004] Em geral, um aparelho de exibição exibe várias cores através da mistura de luz azul, verde e vermelha. Cada pixel do aparelho de exibição inclui subpixels azul, verde e vermelho, em que uma cor de um pixel específico é determinada pelas cores desses subpixels e uma imagem é realizada por uma combinação desses pixels.
[005] No caso de um aparelho de exibição de micro LED, os micro LEDs são dispostos em subpixels respectivos e, portanto, um grande número de micro LEDs precisa ser disposto em um substrato único. No entanto, um micro LED é extremamente pequeno, com 200 μm ou menos e outro de 100 μm ou menos, e esses tamanhos pequenos causam vários problemas. Em particular, é difícil manusear o diodo emissor de luz com um tamanho pequeno e também é difícil substituir um LED com falha dos micro LEDs montados por um LED de boa qualidade.
[006] O pedido de patente US2017294479 intitulado Light Emitting Diode Module, Display Panel Having the Same and Method of Manufacturing the Same, refere-se a um dispositivo semicondutor formado por um chip semicondutor compreendendo uma pluralidade de pixels, cada pixel formado por uma pluralidade de subpixels, como um subpixel vermelho, um subpixel verde e um subpixel azul. Cada subpixel pode compreender um diodo emissor de luz. Uma primeira linha de sinal pode se conectar aos terminais de sinal de um primeiro grupo de subpixels (por exemplo, dispostos na mesma linha) e uma segunda linha de sinal pode se conectar a terminais comuns de um segundo grupo de subpixels (por exemplo, dispostos na mesma coluna). O número de pads (ilhas de contato) pode assim ser reduzido para proporcionar maior flexibilidade de design na localização e/ou permitir um aumento no tamanho dos pads. Em algumas concretizações, um material transmissor de luz pode ser configurado como aberturas no substrato semicondutor no qual as células emissoras de luz dos subpixels foram formadas. O material transmissor de luz de alguns dos subpixels pode compreender um material de conversão de comprimento de onda e/ou um filtro. Esse pedido descreve ainda painéis de exibição e métodos de fabricação de dispositivos semicondutores.
[007] O documento de patente KR20170108623, cujo título é Light Emitting Device and Display Device Having Thereof revela um dispositivo emissor de luz e um dispositivo de exibição utilizando o mesmo. O dispositivo emissor de luz inclui: uma estrutura emissora de luz que inclui uma primeira camada semicondutora do tipo condutividade, uma pluralidade de camadas ativas dispostas na primeira camada semicondutora do tipo condutividade e uma pluralidade de segundas camadas semicondutoras do tipo condutividade dispostas na pluralidade de camadas ativas, respectivamente; um primeiro eletrodo conectado eletricamente à primeira camada semicondutora condutora; e uma pluralidade de segundos eletrodos respectivamente conectados eletricamente à pluralidade de segundas camadas semicondutoras do tipo condutividade. A pluralidade de camadas ativas inclui uma primeira camada ativa e uma segunda camada ativa. A primeira camada ativa emite luz de uma faixa de comprimento de onda azul. A segunda camada ativa emite luz de uma banda de comprimento de onda verde, confirmando a possibilidade de implementar cada uma das várias cores a nível de chip.
[008] A publicação WO2017034379 intitulada Transfer Head and Transfer System for Semiconductor Light-Emitting Device and Method for Transferring Semiconductor Light-Emitting Device refere-se a um dispositivo de exibição e, mais particularmente, a um cabeçote de transferência para um dispositivo emissor de luz semicondutor aplicado ao dispositivo de exibição e um método para transferir um dispositivo emissor de luz semicondutor. A cabeça de transferência para um dispositivo emissor de luz semicondutor, de acordo com a presente invenção, compreende: um substrato de base; e uma unidade de eletrodo disposta no substrato de base para gerar uma força eletrostática carregando uma camada semicondutora não dopada do dispositivo emissor de luz semicondutor com cargas elétricas, em que o substrato de base e a unidade de eletrodo são formados por materiais transmissores de luz de modo que pelo menos uma parte do dispositivo emissor de luz semicondutor é visível através do substrato de base e da unidade de eletrodo em sequência.
[009] O documento de patente JP2002217454 intitulado LED Array and LED Display Using the Same diz respeito à redução do tamanho de um display LED colorido usando LEDs. Baseia-se numa matriz de LEDs de cor azul GaN e LEDs de cor verde GaN formados em um substrato de safira, uma substância fluorescente que é formada em parte dos LEDs de cor azul e é excitada pela luz azul para emitir uma luz de cor vermelha e um filtro passa-banda que permite que a passagem da luz de cor vermelha.
[010] O pedido de patente US2017236866 intitulado Light Source Module, Display Panel, Display Apparatus and Methods for Manufacturing the Same, refere-se a um pixel de um módulo de diodo emissor de luz, painel de exibição ou outro dispositivo podendo compreender subpixels de cores diferentes, onde um dos subpixels compreende um material de conversão de comprimento de onda, tal como fósforo, para converter a luz emitida de um diodo emissor de luz associado desse subpixel em uma cor diferente da cor principal da luz emitida por esse subpixel. O material de conversão de comprimento de onda pode ter uma quantidade selecionada para ajustar as coordenadas de cor do pixel. A quantidade de material de conversão de comprimento de onda pode ser determinada em resposta à medição da intensidade do espectro de luz emitida pelo diodo emissor de luz do subpixel, ou subpixels fabricados de forma semelhante, nos quais o material de conversão de comprimento de onda deve ser formado. Métodos de fabricação do mesmo também são descritos.
[011] O pedido de patente JP2016154213 intitulado Semiconductor Light-Emitting Device se refere ao provimento de um dispositivo emissor de luz semicondutor de alta definição, compreendendo: uma primeira camada semicondutora de um primeiro tipo de condutividade; uma segunda camada semicondutora de um segundo tipo de condutividade; uma terceira camada semicondutora fornecida entre a primeira camada semicondutora e a segunda camada semicondutora; e um primeiro transistor. O primeiro transistor inclui um primeiro eletrodo de porta e uma primeira camada semicondutora amorfa. A primeira camada semicondutora amorfa se sobrepõe ao primeiro eletrodo de porta em uma primeira direção da primeira camada semicondutora em direção à segunda camada semicondutora. O primeiro eletrodo de porta se sobrepõe à segunda camada semicondutora na primeira direção.
[012] O diodo emissor de luz geralmente emite luz ultravioleta ou azul e pode ser combinado com um fósforo para criar luz verde e luz vermelha. Além disso, um filtro de cores é usado para cada subpixel para melhorar a pureza de cada cor e cada filtro de cores também tem uma diferença na eficiência do filtro. Por conseguinte, mesmo quando o mesmo diodo emissor de luz é operado para emitir luz da mesma intensidade, diferenças na intensidade da luz de um subpixel azul, um subpixel verde e um subpixel vermelho ocorrem. Para superar as diferenças, uma densidade da corrente operacional de cada diodo emissor de luz pode ser alterada, mas uma diminuição na eficiência da emissão do diodo emissor de luz pode ocorrer devido à alteração na densidade da corrente.
Descrição Resumida da Invenção O Problema Técnico
[013] Modalidades exemplificativas fornecem um diodo emissor de luz para um aparelho de exibição que é fácil de ser montado e substituído e um aparelho de exibição tendo o mesmo.
[014] Modalidades exemplificativas fornecem um diodo emissor de luz para um aparelho de exibição que é capaz de operar diodos emissores de luz de cada subpixel sob uma condição ideal de eficiência de emissão de luz e um aparelho de exibição com o mesmo.
A Solução Técnica
[015] Uma unidade de LED para um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplar inclui uma pluralidade de pixels. Cada um dos pixels inclui: uma primeira célula emissora de luz, uma segunda célula emissora de luz e uma terceira célula emissora de luz, cada uma das primeira, segunda e terceira células emissoras de luz, incluindo uma primeira camada semicondutora do tipo condutiva, uma camada ativa e uma segunda camada semicondutora do tipo condutiva; pads conectados eletricamente às primeira, segunda e terceira células emissoras de luz para acionar independentemente as primeira, segunda e terceira células emissoras de luz; um segundo conversor de comprimento de onda que converte um comprimento de onda da luz emitida a partir da segunda célula emissora de luz; e um terceiro conversor de comprimento de onda que converte um comprimento de onda de luz emitido a partir da terceira célula emissora de luz, em que o terceiro conversor de comprimento de onda converte um comprimento de onda de luz em um comprimento de onda mais longo do que um comprimento de onda de luz convertido pelo segundo conversor de comprimento de onda, a segunda célula emissora de luz possui uma área maior que a da primeira célula emissora de luz e a terceira célula emissora de luz tem uma área maior que a da segunda célula emissora de luz.
[016] Um aparelho de exibição de acordo com outra modalidade exemplar inclui: uma placa de circuito; e uma pluralidade de unidades de LED dispostas na placa de circuito, em que cada uma da pluralidade de unidades de LED é a unidade de LED para uma exibição de acordo com a modalidade exemplar acima.
Efeitos vantajosos
[017] De acordo com modalidades exemplares da presente invenção, uma pluralidade de pixels que inclui subpixels incluindo uma primeira, segunda e terceira células emissoras de luz e emitindo luz de cores diferentes é disposta em uma unidade de LED e, portanto, uma unidade de LED para um é aparelho de exibição fornecida um que pode ser fácil de montar e substituir. Além disso, variando as áreas da primeira, segunda e terceira células emissoras de luz, as células emissoras de luz de cada um dos subpixels podem ser acionadas sob uma condição ideal de eficiência de emissão de luz.
[018] Outras características e vantagens da presente invenção tornar-se-ão evidentes a partir da seguinte descrição detalhada.
Descrição das Figuras
[019] A FIG. 1 é uma vista esquemática em corte transversal que ilustra um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplar.
[020] A FIG. 2 é uma vista plana esquemática que ilustra uma unidade de LED para uma exibição de acordo com uma modalidade exemplar.
[021] A FIG. 3 é uma vista plana ampliada de um pixel na unidade de LED para uma exibição da FIG. 2.
[022] A FIG. 4 é uma vista esquemática em corte transversal ao longo de uma linha A-A da FIG. 3.
[023] A FIG. 5 é uma vista esquemática em corte transversal de um pixel em uma unidade de LED para uma exibição de acordo com outra modalidade exemplar.
[024] A FIG. 6 é um diagrama de circuito esquemático que ilustra uma maneira de acionar um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplar.
[025] A FIG. 7 é um diagrama de circuito esquemático que ilustra uma maneira de acionar um aparelho de exibição de acordo com outra modalidade exemplar.
[026] A FIG. 8 é um diagrama de circuito esquemático que ilustra uma maneira de acionar um aparelho de exibição de acordo com outra modalidade exemplar.
[027] A FIG. 9 é um diagrama de circuito esquemático que ilustra uma maneira de acionar um aparelho de exibição de acordo com outra modalidade exemplar.
[028] A FIG. 10 é um diagrama de circuito esquemático que ilustra uma maneira de acionar um aparelho de exibição de acordo com outra modalidade exemplar.
[029] A FIG. 11 é uma vista esquemática em corte transversal de um pixel em uma unidade de LED para uma exibição de acordo com outra modalidade exemplar.
[030] A FIG. 12 é uma vista esquemática em corte transversal de um pixel em uma unidade de LED para uma exibição de acordo com outra modalidade exemplar.
[031] A FIG. 13 é uma vista esquemática em corte transversal de um pixel em uma unidade de LED para uma exibição de acordo com outra modalidade exemplar.
[032] A FIG. 14 é uma vista plana esquemática que ilustra uma unidade de LED para um aparelho de exibição de acordo com outra modalidade exemplar.
[033] A FIG. 15 é uma vista plana esquemática que ilustra uma unidade de LED para uma exibição de acordo com uma modalidade exemplar.
[034] A FIG. 16 é uma vista plana esquemática que ilustra uma unidade de LED para uma exibição de acordo com uma modalidade exemplar.
[035] A FIG. 17 é uma vista plana esquemática que ilustra uma unidade de LED para uma exibição de acordo com uma modalidade exemplar.
[036] As FIGs. 18A e 18B são vistas em corte transversal que ilustram um filme incluindo um conversor de comprimento de onda.
Descrição Detalhada da Invenção e das Modalidades Ilustradas
[037] A seguir, as modalidades serão descritas em detalhes com relação às figuras anexas. As seguintes modalidades são fornecidas como exemplos para transmitir suficientemente o espírito da presente invenção aos especialistas na técnica a que a presente invenção pertence. Por conseguinte, a presente invenção não está limitada às modalidades descritas abaixo e pode ser implementada de outras formas. Nas figuras, larguras, comprimentos, espessuras e semelhantes de dispositivos podem ser exagerados para fins de clareza e descrição. Quando um elemento ou camada é referido como "disposto acima" ou "disposto sobre" outro elemento ou camada, este pode estar diretamente "disposto acima" ou "disposto sobre" o outro elemento ou camada ou dispositivos ou camadas intervenientes podem estar presentes. Em todo relatório, números de referência iguais denotam dispositivos semelhantes com funções iguais ou semelhantes.
[038] Uma unidade de LED para um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplar inclui uma pluralidade de pixels. Cada um dos pixels inclui: uma primeira célula emissora de luz, uma segunda célula emissora de luz e uma terceira célula emissora de luz, cada uma das primeira, segunda e terceira células emissoras de luz, incluindo uma primeira camada semicondutora do tipo condutiva, uma camada ativa e uma segunda camada semicondutora do tipo condutiva; pads conectados eletricamente às primeira, segunda e terceira células emissoras de luz para acionar independentemente as primeira, segunda e terceira células emissoras de luz; um segundo conversor de comprimento de onda que converte um comprimento de onda da luz emitida a partir da segunda célula emissora de luz; e um terceiro conversor de comprimento de onda que converte um comprimento de onda de luz emitido a partir da terceira célula emissora de luz, em que o terceiro conversor de comprimento de onda converte um comprimento de onda de luz em um comprimento de onda mais longo do que um comprimento de onda de luz convertido pelo segundo conversor de comprimento de onda, a segunda célula emissora de luz possui uma área maior que a da primeira célula emissora de luz e a terceira célula emissora de luz tem uma área maior que a da segunda célula emissora de luz.
[039] Uma pluralidade de pixels é disposta em uma unidade de LED e três células emissoras de luz são dispostas em cada um dos pixels para obter luz de cores diferentes em cada pixel. Como tal, uma pluralidade de pixels que inclui três subpixels pode ser formada usando uma unidade de LED. Por conseguinte, um tamanho da unidade de LED é relativamente aumentado em comparação com o do micro LED convencional e, portanto, pode ser fácil de montar e substituir a unidade de LED. Além disso, as áreas das células emissoras de luz são definidas para serem diferentes uma da outra, considerando uma eficiência de conversão de um conversor de comprimento de onda e semelhantes e, assim, as células emissoras de luz podem ser acionadas sob uma condição ideal de eficiência de emissão de luz.
[040] Na especificação, "unidade de LED" se refere a uma unidade de um diodo emissor de luz montado em uma placa de circuito. Os pixels em uma unidade de LED são fisicamente conectados um ao outro, para que os pixels na unidade de LED sejam montados ou substituídos juntos. Portanto, os pixels em uma unidade de LED não são usados separadamente. Por conseguinte, uma unidade de LED inclui um elemento que conecta os pixels internos entre si e o elemento é espaçado de outra unidade de LED.
[041] As primeira, segunda e terceira células emissoras de luz podem emitir luz azul, o segundo conversor de comprimento de onda pode converter a luz azul em luz verde e o terceiro conversor de comprimento de onda pode converter a luz azul em luz vermelha. A luz azul emitida a partir da primeira célula emissora de luz é usada sem conversão do comprimento de onda.
[042] As proporções de área da segunda célula emissora de luz e a terceira célula emissora de luz para a primeira célula emissora de luz podem ser definidas em consideração de uma eficiência de conversão de luz do segundo conversor de comprimento de onda e uma eficiência de conversão de luz do terceiro conversor de comprimento de onda, respectivamente. Em particular, à medida que a eficiência de conversão da luz do conversor de comprimento de onda aumenta, a área da célula emissora de luz aumenta. Por exemplo, as proporções de área da segunda célula emissora de luz e da terceira célula emissora de luz à primeira célula emissora de luz podem ser inversamente proporcionais à eficiência de conversão de luz do segundo conversor de comprimento de onda e à eficiência de conversão de luz do terceiro conversor de comprimento de onda, respectivamente.
[043] A unidade de LED para um aparelho de exibição pode ainda incluir um primeiro conversor de comprimento de onda que converte um comprimento de onda de uma luz emitida a partir da primeira célula emissora de luz em uma luz de um primeiro comprimento de onda, em que o primeiro conversor de comprimento de onda pode converter um comprimento de onda de luz em um comprimento de onda menor que o do segundo conversor de comprimento de onda e a primeira, segunda e terceira células emissoras de luz podem emitir luz ultravioleta.
[044] O primeiro conversor de comprimento de onda pode converter a luz ultravioleta em luz azul, o segundo conversor de comprimento de onda pode converter a luz ultravioleta em luz verde e o terceiro conversor de comprimento de onda pode converter a luz ultravioleta em luz vermelha.
[045] As proporções de área da segunda célula emissora de luz e a terceira célula emissora de luz para a primeira célula emissora de luz podem ser definidas em consideração às eficiências de conversão de luz do segundo conversor de comprimento de onda e o terceiro conversor de comprimento de onda. Por exemplo, as proporções de área da segunda célula emissora de luz e da terceira célula emissora de luz para a primeira célula emissora de luz podem ser inversamente proporcionais à eficiência de conversão de luz do segundo conversor de comprimento de onda e à eficiência de conversão de luz do terceiro conversor de comprimento de onda,respectivamente.
[046] A unidade de LED para um aparelho de exibição pode incluir um segundo filtro de cor disposto no segundo conversor de comprimento de onda; e um terceiro filtro de cor disposto no terceiro conversor de comprimento de onda. O segundo filtro de cor pode filtrar luz diferente da luz verde e o terceiro filtro de cor pode filtrar luz diferente da luz vermelha. O diodo emissor de luz para um aparelho de exibição pode ainda incluir um primeiro filtro de cor disposto no primeiro conversor de comprimento de onda e o primeiro filtro de cor filtra outra luz que não a luz azul.
[047] As proporções de área da primeira célula emissora de luz, da segunda célula emissora de luz e da terceira célula emissora de luz podem ser 1: 2: 7.
[048] As primeira, segunda e terceira células emissoras de luz de cada pixel podem compartilhar uma primeira camada semicondutora do tipo condutiva. Além disso, pelo menos dois pixels podem compartilhar a primeira camada semicondutora do tipo condutiva. As células ou pixels emissores de luz podem compartilhar a primeira camada semicondutora do tipo condutiva, proporcionando assim uma unidade de LED com um processo e estrutura simples de fabricação.
[049] Pelo menos um pad pode ser conectado eletricamente à primeira camada semicondutora do tipo condutiva ou à segunda camada semicondutora do tipo condutiva da primeira, segunda e terceira células emissoras de luz. Como tal, o número de pads necessários pode ser reduzido.
[050] A unidade de LED para um aparelho de exibição pode ainda incluir: camadas refletoras ôhmicas dispostas nas segundas camadas semicondutoras do tipo condutiva da primeira, segunda e terceira células emissoras de luz; uma camada de isolamento inferior cobrindo as primeira, segunda e terceira células emissoras de luz da pluralidade de pixels e incluindo pelo menos uma primeira abertura expondo uma primeira camada semicondutora do tipo condutiva e segundas aberturas expondo as camadas refletoras ôhmicas. Além disso, a unidade de LED para um aparelho de exibição pode incluir ainda: um primeiro eletrodo de pad disposto na camada de isolamento inferior e conectado eletricamente à primeira camada semicondutora do tipo condutiva através da primeira abertura da camada de isolamento inferior; um segundo eletrodo de pad espaçado do primeiro eletrodo de pad a ser disposto na camada de isolamento inferior e conectado eletricamente à camada refletora ôhmica através da segunda abertura; e uma camada de isolamento superior cobrindo o primeiro e o segundo eletrodos de pad, na qual os pads podem ser conectados aos primeiro e segundo eletrodos do pad através de aberturas da camada de isolamento superior.
[051] A primeira camada isolante pode incluir um refletor de Bragg distribuído. A camada de isolamento inferior pode cobrir superfícies laterais das células emissoras de luz e, assim, a interferência entre as células emissoras de luz pode ser evitada.
[052] Os pads podem incluir um primeiro pad comumente conectado às primeiras camadas semicondutoras do tipo condutiva da primeira, segunda e terceira células emissoras de luz e três segundos pads conectados às segundas camadas semicondutoras do tipo condutiva da primeira, segunda e terceira células emissoras de luz, respectivamente. O primeiro pad pode ser comumente conectado às primeiras camadas semicondutoras do tipo condutiva de pelo menos dois pixels.
[053] Em outra modalidade exemplar, os pads podem incluir primeiros pads conectados às primeiras camadas semicondutoras do tipo condutiva da primeira, segunda e terceira células emissoras de luz, respectivamente, e um segundo pad comumente conectado às segundas camadas semicondutoras do tipo condutiva da primeira, segunda e terceira células emissoras de luz. O pad de um segundo pode ser comumente conectado a segundas camadas semicondutoras do tipo condutiva de pelo menos dois pixels.
[054] Um aparelho de exibição de acordo com outra modalidade exemplar inclui: uma placa de circuito; e uma pluralidade de unidades de LED dispostas na placa de circuito, em que cada uma da pluralidade de unidades de LED é a unidade de LED para uma exibição de acordo com a modalidade exemplar acima.
[055] As primeira, segunda e terceira células emissoras de luz podem ainda ser acionadas de uma forma de matriz passiva ou matriz ativa.
[056] Doravante, as modalidades exemplares da presente invenção serão descritas em detalhes com referência às figuras anexas.
[057] FIG. 1 é uma vista esquemática em corte transversal que ilustra um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplar, a FIG. 2 é uma vista plana esquemática que ilustra uma unidade de LED para um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplar, a FIG. 3 é uma vista plana ampliada de um pixel na unidade de LED para uma exibição da FIG. 2, e FIG. 4 é uma vista esquemática em corte transversal ao longo de uma linha A-A da FIG. 3.
[058] Referindo à FIG. 1, o aparelho de exibição inclui uma placa de circuito 100 e uma unidade de LED 200 para uma exibição. Embora o aparelho de exibição de acordo com a modalidade exemplar seja descrito que uma pluralidade de unidades de LED 200 está disposta na placa de circuito 100, os conceitos inventivos não são necessariamente limitados a estes e uma única unidade de LED 200 pode ser disposta na placa de circuito 100.
[059] A placa de circuito 100 inclui um circuito para acionar células emissoras de luz na unidade de LED 200 de uma maneira de matriz passiva ou matriz ativa. Por exemplo, para acionar a unidade de LED de maneira de matriz passiva, a placa de circuito 100 pode ser uma placa de circuito impresso incluindo dispositivos passivos, como resistores. Alternativamente, para acionar de uma maneira matriz ativa, a placa de circuito 100 pode incluir dispositivos ativos, como transistores de filme fino.
[060] A unidade de LED 200 para um aparelho de exibição inclui uma pluralidade de pixels F1, F2, F3 e F4, como mostrado na FIG. 2. Na modalidade exemplar ilustrada, quatro pixels são mostrados, mas os conceitos inventivos não são limitados a estes, e o número de pixels dispostos em uma unidade de LED 200 pode ser dois ou três, ou pode ser cinco ou mais. Cada pixel F1, F2, F3 ou F4 inclui três células emissoras de luz e os conversores de comprimento de onda são dispostos em cada uma das células emissoras de luz para obter luz azul, verde e vermelha. As estruturas dos pixels F1, F2, F3 e F4 são geralmente iguais ou semelhantes. A seguir, o pixel F1 como um representante será descrito será descrito em detalhes com referência à FIG. 3 e FIG. 4.
[061] Referindo à FIG. 3 e FIG. 4, o pixel F1 pode incluir um substrato 21, primeira, segunda e terceira células emissoras de luz 30 (30a, 30b, 30c), uma camada refletora ôhmica 31 e uma camada de isolamento inferior 33, primeiro e segundo eletrodos de pad 35a e 35b, uma camada de isolamento superior 37, um primeiro conversor de comprimento de onda 51a, um segundo conversor de comprimento de onda 51b, um terceiro conversor de comprimento de onda 51c, um primeiro filtro de cor 53a, um segundo filtro de cor 53b, um segundo filtro de cor 53b, um terceiro filtro de cor 53c e uma camada de material de bloqueio de luz 55 (ou uma parede divisória). Cada uma das primeira, segunda e terceira células emissoras de luz 30a, 30b e 30c inclui uma primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23, uma camada ativa 25 e uma segunda camada semicondutora do tipo condutiva 27. O pixel F1 inclui os subpixels 10B, 10G e 10R, em que cada um dos subpixels 10B, 10G e 10R incluem as células emissoras de luz 30, os conversores de comprimento de onda 51a, 51b e 51c e o filtros de cores 53a, 53b e 53c.
[062] O substrato 21 não é particularmente limitado desde que seja um substrato capaz de crescer uma camada semicondutora à base de nitreto de gálio. Exemplos do substrato 21 podem ser vários, como substrato de safira, um substrato de nitreto de gálio, um substrato de SiC e o substrato 21 pode ser um substrato de safira padronizado. Uma pluralidade de pixels F1, F2, F3 e F4 pode ser fornecida em um substrato 21, e o substrato 21 pode ter uma forma retangular ou quadrada, mas os conceitos inventivos não são necessariamente limitados a estes. Um tamanho geral do substrato 21 pode variar dependendo do número de pixels.
[063] As primeira, segunda e terceira células emissoras de luz 30a, 30b e 30c estão espaçadas uma da outra. Um intervalo entre as células emissoras de luz no pixel F1 pode ser menor que o entre os pixels F1, F2, F3 e F4, mas pode ser o mesmo.
[064] Como mostrado na Fig. 3 e FIG. 4, as primeira, segunda e terceira células emissoras de luz 30a, 30b e 30c têm áreas diferentes umas das outras. A segunda célula emissora de luz 30b tem uma área maior que a primeira célula emissora de luz 30a, e a terceira célula emissora de luz 30c tem uma área maior que a segunda célula emissora de luz 30b. As áreas da primeira, segunda e terceira células emissoras de luz 30a, 30b e 30c podem ser determinadas considerando as eficiências de conversão da luz dos conversores de comprimento de onda 51a, 51b e 51c, que serão descritos mais adiante.
[065] As primeira, segunda e terceira células emissoras de luz 30a, 30b e 30c podem ser dispostas adjacentes umas às outras. Mais particularmente, a primeira célula emissora de luz 30a pode ser adjacente à segunda e terceira células emissoras de luz 30b e 30c, a segunda célula emissora de luz 30b pode ser adjacente às primeira e terceira células emissoras de luz 30a e 30c e a terceira célula emissora de luz 30c pode estar adjacente à primeira célula emissora de luz e segunda célula emissora de luz 30a e 30b. Como mostrado na Fig. 3, a primeira e a segunda células emissoras de luz 30a e 30b podem ser dispostas ao longo de um eixo longo da terceira célula emissora de luz 30c. No entanto, os conceitos inventivos não estão limitados a estes e podem ser dispostos de forma variada em outras formas. Por exemplo, uma célula emissora de luz pode ser disposta entre duas células emissoras de luz remanescentes. Além disso, as primeira, segunda e terceira células emissoras de luz 30a, 30b e 30c podem ter uma forma retangular, mas os conceitos inventivos não estão limitados a estes e podem ter várias formas.
[066] Cada uma das primeira, segunda e terceira células emissoras de luz 30a, 30b e 30c inclui a primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23, a camada ativa 25 e a segunda camada semicondutora do tipo condutiva 27. A primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23 é disposta debaixo do substrato 21. A primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23 é uma camada cultivada no substrato 21 e pode ser uma camada semicondutora à base de nitreto de gálio dopada com impurezas, como o Si.
[067] A camada ativa 25 e a segunda camada semicondutora do tipo condutiva 27 são dispostas na primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23. A camada ativa 25 é disposta entre a primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23 e a segunda camada semicondutora do tipo condutiva 27. A camada ativa 25 e a segunda camada semicondutora do tipo condutiva 27 podem ter uma área menor do que a da primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23. A camada ativa 25 e a segunda camada semicondutora do tipo condutiva 27 podem ser parcialmente removidas para expor uma parte da primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23. Como mostrado na Fig. 4, um orifício completo pode ser formado através da camada ativa 25 e a segunda camada semicondutora do tipo condutiva 27 para expor a primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23. Alternativamente, a camada ativa 25 e a segunda camada semicondutora do tipo condutiva 27 podem ser formadas em forma de mesa e a primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23 em torno da mesa pode ser exposta.
[068] A camada ativa 25 pode ter uma única estrutura de poço quântico ou estrutura de múltiplos poços quânticos. A composição e espessura de uma camada de poço na camada ativa 25 determina o comprimento de onda da luz emitida é gerada. Em particular, é possível fornecer uma camada ativa que gere luz ultravioleta ou azul ajustando a composição da camada de poço. Na modalidade exemplar, a camada ativa 25 da primeira célula emissora de luz 30a, da segunda célula emissora de luz 30b e da terceira célula emissora de luz 30c são crescidas no mesmo substrato 21 sob as mesmas condições e tem as mesmas condições e tem substancialmente a mesma composição e espessura, emitindo assim a luz do mesmo comprimento de onda.
[069] A segunda camada semicondutora do tipo condutiva 27 pode ser uma camada semicondutora à base de nitreto de gálio dopada com impureza do tipo p, por exemplo Mg. Cada uma da primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23 e da segunda camada semicondutora do tipo condutiva 27 pode ser uma camada única, mas os conceitos inventivos não estão limitados a estes, e pode ser uma camada multicamada ou pode incluir uma camada superestrutura. A primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23, a camada ativa 25 e a segunda camada semicondutora do tipo condutiva 27 podem ser formadas aumentando no substrato 21 em uma câmara usando um método conhecido como deposição de vapor químico orgânico de metal (MOCVD) ou epitaxia de feixe molecular (MBE).
[070] A camada refletora ôhmica 31 está em contato ôhmico com a segunda camada semicondutora do tipo condutiva 27 de cada célula emissora de luz 30a, 30b e 30c. A camada refletora ôhmica 31 pode incluir uma camada ôhmica como Ni ou ITO e uma camada refletora como Ag ou Al. A camada refletora ôhmica 31 também pode incluir uma camada de óxido transparente como ITO e uma camada de isolamento como SiO2 entre as camadas refletoras e a camada refletora pode se conectar à camada de óxido transparente através da camada isolante.
[071] A primeira camada isolante inferior 33 cobre as células emissoras de luz 30a, 30b e 30c e cobre as superfícies laterais da segunda expostas da segunda camada semicondutora tipo condutiva 27 e a camada ativa 25. A camada isolante inferior 33 tem aberturas que expõem a primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23 e a camada refletora ôhmica 31. A camada isolante inferior 33 pode incluir uma única camada tais como SiO2 ou Si3N4, mas os conceitos inventivos não estão limitados a estes, e podem incluir múltiplas camadas. Em particular, a camada isolante inferior 33 pode incluir um refletor de Bragg distribuído.
[072] O primeiro eletrodo de pad 35a e o segundo eletrodo de pad 35b são dispostos na camada isolante inferior 33. O primeiro eletrodo de pad 35a e o segundo eletrodo de pad 35b estão dispostos em cada célula emissora de luz, o primeiro eletrodo de pad 35a é eletricamente conectado à primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23 e o segundo eletrodo de pad 35b é eletricamente conectado à camada refletora ôhmica 31 O primeiro eletrodo de pad 35a e o segundo eletrodo de pad 35b podem ser formados juntos no mesmo processo e, portanto, podem ser posicionados substancialmente no mesmo nível. O segundo eletrodo de pad 35b pode ser omitido.
[073] Na modalidade exemplar, o primeiro eletrodo de pad 35a pode ser disposto para envolver o segundo eletrodo de pad 35b. Além disso, os eletrodos de pad 35a e 35b de um subpixel podem ser afastados dos eletrodos de pad 35a e 35b de um subpixel adjacente. Como tal, a primeira, segunda e terceira células emissoras de luz 30a, 30b e 30c na unidade de LED 200 são eletricamente estão espaçadas uma da outra. Além disso, os eletrodos de pad 35a e 35b no pixel F1 também são espaçados dos eletrodos de pad 35a e 35b nos outros pixels F2, F3 e F4. No entanto, os conceitos inventivos não se limitam a estes, e são possíveis várias modalidades nas quais as células emissoras de luz 30a, 30b e 30c estão eletricamente conectadas umas às outras, e são possíveis várias modalidades nas quais as células emissoras de luz estão eletricamente conectadas entre pixels. Isso será descrito em detalhes em outras modalidades.
[074] A camada de isolamento superior 37 cobre o primeiro e o segundo eletrodos de pad 35a e 35b e possui aberturas que expõem o primeiro e o segundo eletrodos de pad 35a e 35b. A camada de isolamento superior 37 pode incluir uma única camada tais como SiO2 ou Si3N4, mas os conceitos inventivos não estão limitados a estes, e podem incluir múltiplas camadas. Em particular, a camada isolante inferior 33 pode incluir um refletor de Bragg distribuído.
[075] Enquanto isso, os primeiro e segundo pads de impacto 43a e 43b são formados em cada célula emissora de luz 30a, 30b e 30c e conectados aos primeiro e segundo eletrodos de pad 35a e 35b através das aberturas da segunda camada isolante 37. Mais particularmente, o primeiro pad de impacto 43a é conectado ao primeiro eletrodo de pad 35a , e o segundo pad de impacto 43b é conectado ao segundo eletrodo de pad 35b. Dois pads de impacto 43a e 43b são fornecidos para cada uma das células emissoras de luz 30a, 30b e 30c.
[076] Os pads de impacto 43a e 43b ocupam uma área relativamente grande e as larguras máximas dos pads de impacto 43a e 43b podem exceder pelo menos 1/2 da largura mínima da célula emissora de luz. Os pads de impacto 43a e 43b podem um ter uma forma retangular como ilustrado, mas não estão limitados a estas, e podem ter uma forma circular ou elíptica. Os pads de impacto 43a e 43b podem ser usados para montar a unidade de LED 200 na placa de circuito 100 e podem incluir Au ou AuSn, por exemplo.
[077] Um pad de impacto simulado (não mostrado) além dos pads de impacto 43a e 43b, podem ser dispostos em pelo menos uma célula emissora de luz. Uma vez que as células emissoras de luz têm áreas diferentes, o pad de impacto simulado pode ser disposto nas células emissoras de luz 30b ou 30c que têm uma área relativamente grade. O pad de impacto simulado pode ser disposto na camada de isolamento superior 37 para ser eletricamente isolado dos pads de impacto 43a e 43b. O pad de impacto simulado pode ser usado como um caminho de dissipação de calor para dissipar o calor gerado nas células emissoras de luz, melhorando assim a eficiência luminosa da unidade de LED 200.
[078] Um membro de suporte 45 pode cobrir superfícies laterais dos pads de impacto 43a e 43b. O elemento de suporte 45 também pode cobrir superfícies laterais do pad de impacto simulado. O elemento de suporte 45 pode incluir uma resina termoendurecível ou termoplástica.
[079] Os primeiro, segundo e terceiro conversores de comprimento de onda 51a, 51b e 51c são dispostos no substrato 21 para facear as células emissoras de luz 30a, 30b e 30c. O primeiro conversor de comprimento de onda 51a está disposto na primeira célula emissora de luz 30a, o segundo conversor de comprimento de onda 51b está disposto na segunda célula emissora de luz 30b e o terceiro conversor de comprimento de onda 51c está disposto na terceira célula emissora de luz 30c.
[080] O primeiro conversor de comprimento de onda 51a converte um comprimento de onda da luz emitida a partir da primeira célula emissora de luz 30a, e o segundo conversor de comprimento de onda 51b converte o comprimento de onda da luz emitida a partir da segunda célula emissora de luz 30b e o terceiro conversor de comprimento de onda 51c converte o comprimento de onda de a luz emitida a partir da terceira célula emissora de luz 30c. Aqui, o segundo conversor de comprimento de onda 51b converte a luz a um comprimento de onda maior do que um comprimento de onda de luz convertida pelo primeiro conversor do comprimento de onda 51a, e o terceiro conversor do comprimento de onda 51c converte a luz a um comprimento de onda maior do que um comprimento de onda da luz convertida pelo segundo conversor de comprimento de onda 51b. Por exemplo, as primeira, segunda e terceira células emissoras de luz 30a, 30b e 30c podem emitir luz ultravioleta, o primeiro conversor de comprimento de onda 51a converter a luz ultravioleta em luz azul e o segundo conversor de comprimento de onda 51b converte a luz ultravioleta em luz verde e o terceiro conversor de comprimento de onda 51c pode converter a luz ultravioleta na luz vermelha.
[081] O primeiro filtro de cor 53a, o segundo filtro de cor 53b e o terceiro filtro de cor 53c são dispostos no primeiro, segundo e terceiro conversores de comprimento de onda 51a, 51b e 51c, respectivamente, e filtrar luzes emitidas pelos conversores de comprimento de onda emitidos a partir deste. Por exemplo, o primeiro filtro de cor 53a filtra outras luzes que não a luz azul, o segundo filtro de cor 53b filtra outras luzes que não a luz verde e o terceiro filtro de cor 53c filtra outras luzes que não a luz vermelha. Usando o primeiro, segundo e terceiro filtros de cores 53a, 53b e 53c, a pureza da cor da luz azul, luz verde e luz vermelha pode ser melhorada.
[082] Embora seja descrito de modo exemplar que a camada ativa 25 emite a luz ultravioleta a camada ativa 25 pode emitir a luz azul. Neste caso, o primeiro conversor de comprimento de onda 51a pode ser omitido e uma resina transparente pode ser disposta no lugar do primeiro conversor de comprimento de onda 51a. Enquanto isso, o segundo conversor de comprimento de onda 51b converte a luz azul em luz verde e o terceiro conversor de comprimento de onda 51c converte a luz azul em luz vermelha.
[083] A camada de material de bloqueio de luz 55 pode ser disposta entre os conversores de comprimento de onda 51a, 51b e 51c. A camada de material de bloqueio de luz 55 bloqueia a luz de progredir de um conversor de comprimento de onda para outro conversor de comprimento de onda, evitando assim a interferência da luz entre os subpixels 10B, 10G e 10R. A camada de material de bloqueio de luz 55 pode incluir resina branca ou PSR que é capaz de refletir luz. A camada isolante inferior 33 pode incluir o refletor de Bragg distribuído, ou o primeiro eletrodo de pad 35a e/ou o segundo eletrodo de pad 35b podem ser dispostos para cobrir as paredes laterais das células emissoras de luz, e, assim, a interferência de luz entre as células emissoras de luz entre as células emissoras de luz 30a, 30b e 30c é impedida.
[084] O pixel F1 da modalidade exemplar tem três subpixels 10B, 10G e 10R, e os subpixels são fixos no substrato 21. Por exemplo, o subpixel 10B pode perceber a luz azul pela célula emissora de luz 10a ou por uma combinação da primeira célula emissora de luz 10a e o primeiro conversor de comprimento de onda 51a, e o subpixel 10G pode perceber a luz verde por uma combinação de a célula emissora de luz 10b e o segundo conversor de comprimento de onda 51b e o subpixel 10R podem perceber a luz vermelha por uma combinação da terceira célula emissora de luz 10c e o terceiro conversor de comprimento de onda 51c.
[085] Na modalidade exemplar, os pixels F2, F3 e F3 incluem subpixels possuindo substancialmente a mesma estrutura que a do pixel F1. Além disso, o substrato 21, a camada isolante inferior 33 e a camada isolante superior 37 podem ser formados continuamente sobre todos os pixels F1, F2, F3 e F4.
[086] De acordo com a modalidade exemplar, é possível fornecer a unidade de LED 200 com células emissoras de luz do tipo flip e, portanto, é possível melhorar a eficiência da emissão de luz de cada célula emissora de luz.
[087] Uma pluralidade de pixels F1, F2, F3 e F4 em conjunto com o substrato 21 pode ser montada na placa de circuito 100. No caso de um micro LED convencional, porque os subpixels individuais são montados, o número de processos é grande e é difícil realizar o processo de montagem. No entanto, na modalidade exemplar, uma vez que uma unidade de LED inclui a pluralidade de pixels F1, F2, F3 e F4, um tamanho da unidade de LED é relativamente maior que o do micro LED convencional e, portanto, o número de processos de montagem é reduzido e a montagem fica fácil.
[088] As primeira, segunda e terceira células emissoras de luz 30a, 30b e 30c na modalidade exemplar têm áreas diferentes umas das outras. Além disso, os conversores de comprimento de onda 51a, 51b e 51c dispostos nessas células emissoras de luz têm áreas diferentes umas das outras. Uma área relativa das células emissoras de luz pode estar intimamente relacionada às eficiências de conversão de luz dos conversores de comprimento de onda e também pode estar relacionada às eficiências de filtragem de cores dos filtros de cores 53a, 53b e 53c.
[089] Os conversores de comprimento de onda podem geralmente incluir fósforo. Por exemplo, beta sialon (SiAlON) é apropriado para emitir luz verde, e um fósforo baseado em CASN (CaAlSiN) é apropriado para emitir luz vermelha.
[090] No entanto, os fósforos não podem converter toda a luz azul em verde ou vermelha e cada fósforo tem uma eficiência de conversão de luz constante. Em particular, um fósforo vermelho que converte luz ultravioleta ou azul do mesmo comprimento de onda em luz vermelha tem uma eficiência de conversão de luz menor do que a de um fósforo verde que se converte em luz verde clara. Além disso, luz vermelha também tem menor visibilidade que luz verde. Portanto, quando as primeira, segunda e terceira células emissoras de luz 30a, 30b e 30c são formadas para ter a mesma área, a terceira célula emissora de luz 30c do subpixel 10R que realiza a luz vermelha deve ser conduzida sob uma densidade de corrente mais alta para realizar uma sensibilidade semelhante à de outros subpixels 10B ou 10G. A segunda célula emissora de luz 30b do subpixel 10G que realiza a luz verde também deve ser acionada sob uma densidade de corrente mais alta que a primeira célula emissora de luz 30a. Mais particularmente, há uma diferença na densidade de corrente necessária para realizar uma imagem para cada célula emissora de luz e, consequentemente, há um problema que é impossível acionar a primeira, segunda e terceira células emissoras de luz 30a, 30b e 30c sob uma condição ideal de eficiência de emissão de luz.
[091] Na modalidade exemplar, as células emissoras de luz são fornecidas substancialmente com a mesma ou similar densidade de corrente para acionar as células emissoras de luz variando as áreas das primeira, segunda e terceira células emissoras de luz 30a, 30b e 30c e, portanto, as células emissoras de luz podem ser acionadas sob a condição ideal de eficiência de emissão de luz.
[092] As áreas relativas das primeira, segunda e terceira células emissoras de luz 30a, 30b e 30c podem ser determinadas considerando a eficiência de conversão de luz relativa dos primeiro, segundo e terceiro conversores de comprimento de onda 51a, 51b e 51c. À medida que a eficiência de conversão de luz do conversor de comprimento de onda se torna menor, a área da célula emissora de luz correspondente é ajustada para ser maior.
[093] Por exemplo, quando as primeira, segunda e terceira células emissoras de luz 30a, 30b e 30c emitem a luz azul, o primeiro conversor de comprimento de onda 51a pode ser omitido e as proporções de área da segunda célula emissora de luz 30b e da terceira célula emissora de luz 30c para a primeira célula emissora de luz 30a pode ser inversamente proporcional à eficiência de conversão de luz do segundo conversor de comprimento de onda 51b e à eficiência de conversão de luz do terceiro conversor de comprimento de onda 51c, respectivamente. Em um caso que o segundo conversor de comprimento de onda 51b inclui beta sialon e o terceiro conversor de comprimento de onda 51c inclui CASN, proporções de área relativas da primeira célula emissora de luz 30a, a segunda célula emissora de luz 30b e a terceira célula emissora de luz 30c podem ser 1: 2: 7.
[094] Em um caso que a primeira, segunda e terceira células emissoras de luz 30a, 30b e 30c emitem luz ultravioleta, as proporções de área da segunda célula emissora de luz 30b e da terceira célula emissora de luz 30c em relação à primeira célula emissora de luz 30a podem ser inversamente proporcionais à eficiência de conversão de luz do segundo conversor de comprimento de onda 51b para o primeiro conversor de onda de luz 51a e a proporção de eficiência de conversão da luz do terceiro conversor do comprimento de onda 51c para o primeiro conversor de comprimento de onda 51a, respectivamente.
[095] No entanto, é descrito que a área das células emissoras de luz é determinação em consideração às eficiências de conversão de luz dos conversores de comprimento de onda, quando as eficiências de filtragem do primeiro, segundo e terceiro filtro de cores 53a, 53b, 53c são diferentes umas das outras, é possível determinar as áreas das células emissoras de luz em consideração às diferenças nas eficiências de filtragem.
[096] De acordo com a modalidade exemplar, as áreas da primeira, segunda e terceira células emissoras de luz 30a, 30b e 30c são definidas como sendo diferentes umas das outras, e, assim, as células emissoras de luz podem ser acionadas sob substancialmente a mesma densidade de corrente. Como tal, a densidade de corrente pode ser definida com a condição ideal para acionar as células emissoras de luz, melhorando assim a eficiência da emissão de luz.
[097] FIG. 5 é uma vista esquemática em corte transversal de um pixel que ilustra uma unidade de LED para uma exibição de acordo com outra modalidade exemplar.
[098] Referindo à FIG. 5, a unidade de LED de acordo com a modalidade exemplar é geralmente semelhante à unidade de LED descrita com referência às FIG. 3 e FIG. 4, mas o substrato 21 é omitido. O primeiro, segundo e terceiro conversores de comprimento de onda 51a, 51b e 51c são dispostos nas células emissoras luz 30a, 30b e 30c em vez de serem dispostos no substrato 21. O substrato 21 pode ser removido usando uma técnica como decolagem a laser ou semelhante, ou a rugosidade pode ser formada em uma superfície de uma primeira camada semicondutora exposta do tipo condutiva 23.
[099] De acordo com a modalidade exemplar, uma vez que o substrato 21 é removido, a interferência de luz que pode ser gerada entre subpixels adjacentes e entre os pixels adjacentes F1, F2, F3 e F4 causados pela luz transmitida na direção lateral através do substrato 21 pode ser suprimido ainda mais.
[0100] FIG. 6 é um diagrama de circuito esquemático que ilustra uma maneira de acionar um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplar. Aqui, uma região indicada pela linha em negrito representa um pixel que possui três células emissoras de luz.
[0101] Referindo à FIG. 6, uma pluralidade de unidades de LED pode ser disposta na placa de circuito 100 da FIG. 1 e, consequentemente, as células emissoras de luz podem ser dispostas em forma de matriz. Os pixels F1, F2, F3 e F4 em uma unidade de LED 200 podem ser conectados a uma linha de varredura e uma linha de dados, como mostrado na FIG. 6. A linha de varredura e a linha de dados podem ser fornecidas na placa de circuito 100 e os blocos 35a e 35b podem ser ligados na placa de circuito 100 para formar um circuito, como mostrado na FIG. 6. Mais particularmente, os anodos de três células emissoras de luz no pixel F1 e três células emissoras de luz no pixel F3 são comumente conectados a uma linha de dados Vdata1 e os catodos são conectados às linhas de varredura Vscan1, Vscan2, Vscan3, Vscan4, Vscan5 e Vscan6 que são diferentes um do outro. Os anodos de três células emissoras de luz no pixel F2 e três células emissoras de luz no pixel F4 são comumente conectados a uma linha de dados Vdata2, e os catodos são conectados às linhas de varredura Vscan1, Vscan2, Vscan3, Vscan4, Vscan5 e Vscan6 que são diferentes um do outro. Como mostrado na figura, o catodo de cada célula emissora de luz do pixel F1 é conectado à mesma linha de varredura juntamente com o catodo de cada célula emissora de luz do pixel F2.
[0102] Um subpixel que emite luz pode ser selecionado pela linha de varredura e pela linha de dados, e as imagens podem ser realizadas pela seleção sequencial de subpixels. Além disso, a intensidade da luz emitida por um subpixel pode ser ajustada usando um método de modulação por largura de pulso (PWM) ou alterando uma voltagem (ou corrente) entre a linha de dados e a linha de varredura.
[0103] FIG. 7 é um diagrama de circuito esquemático que ilustra uma maneira de acionar um aparelho de exibição de acordo com outra modalidade exemplar.
[0104] Referindo à FIG. 7, foi descrito que os anodos das células emissoras de luz em um pixel estão conectados à mesma linha de dados e os catodos estão conectados a diferentes linhas de varredura na modalidade exemplar anterior, mas os anodos das células emissoras de luz são conectados a diferentes linhas de dados e catodos são conectados à mesma linha de varredura na modalidade exemplar. Além disso, os pixels F1, F2, F3 e F4 em uma unidade de LED são dispostos em forma de matriz em um circuito de acionamento.
[0105] FIG. 8 é um diagrama de circuito esquemático que ilustra uma maneira de acionar um aparelho de exibição de acordo com outra modalidade exemplar.
[0106] Referindo à FIG. 8, os pixels F1, F2, F3 e F4 nas modalidades exemplares da FIG. 6 e FIG. 7 são dispostos em uma forma de matriz no circuito de acionamento, mas os anodos de todas as células emissoras de luz na modalidade exemplar estão conectados à mesma linha de dados. Os pixels F1, F2, F3 e F4 podem ser dispostos em uma forma de matriz no substrato 21, mas um circuito como mostrado na FIG. 8 também pode ser formado através da conexão elétrica entre os pixels F1, F2, F3 e F4 e uma placa de circuito 100.
[0107] FIG. 9 é um diagrama de circuito esquemático que ilustra uma maneira de acionar um aparelho de exibição de acordo com outra modalidade exemplar.
[0108] Referindo à FIG. 9, os anodos de todas as células emissoras de luz dos pixels F1, F2, F3 e F4 na modalidade da FIG. 8 são conectados à mesma linha de dados, mas os anodos de todas as células emissoras de luz na modalidade exemplar são conectados a diferentes linhas de dados umas das outras dentro de um circuito de acionamento, e os catodos são conectados à mesma linha de varredura.
[0109] FIG. 10 é um diagrama de circuito esquemático que ilustra uma maneira de acionar um aparelho de exibição de acordo com outra modalidade exemplar. As modalidades exemplares anteriores são para a maneira de acionar a matriz passiva, enquanto a presente modalidade é para a maneira de acionar a matriz ativa.
[0110] Referindo à FIG. 10, um circuito de acionamento de acordo com a modalidade exemplar inclui dois ou mais transistores Tr1 e Tr2 e um capacitor. Quando a energia é conectada às linhas de seleção Vrow1, Vrow2 e Vrow3 e uma voltagem de dados é aplicada às linhas de dados Vdata1, Vdata2 e Vdata3, as voltagens são aplicadas às células emissoras de luz correspondentes dos LED1, LED2 ou LED3. Além disso, as cargas são carregadas nos capacitores correspondentes de acordo com os valores de Vdata1, Vdata2 e Vdata3. Como o estado de ativação do Tr2 pode ser mantido pela voltagem de carga do capacitor, a voltagem do capacitor pode ser mantida e a voltagem pode ser aplicada às células emissoras de luz dos LED1, LED2 e LED3, mesmo quando o Vrow1 é desligado. Além disso, a corrente que flui através dos LED1, LED2 e LED3 pode ser alterada de acordo com os valores de Vdata1, Vdata2 e Vdata3. A corrente sempre pode ser fornecida por fontes de corrente comuns Vdd e, portanto, é possível a emissão contínua de luz.
[0111] Os transistores Tr1 e Tr2 e os capacitores podem ser formados em uma placa de circuito 100. Por exemplo, um transistor de filme fino formado sobre um substrato de silício pode ser usado para acionamento ativo da matriz.
[0112] Os anodos das células emissoras de luz são conectados ao transistor Tr2 e os seus catodos são aterrados.
[0113] Na modalidade exemplar, embora uma modalidade para acionar a matriz ativa seja ilustrada, outros circuitos podem ser usados. Além disso, embora seja descrito que os anodos das células emissoras de luz estão conectados a diferentes transistores Tr2 entre si e os seus catodos são aterrados, os anodos de uma pluralidade de células emissoras de luz podem ser conectados à mesma fonte de corrente comum Vdd, e os seus catodos podem ser conectados a diferentes transistores um do outro.
[0114] Vários circuitos para o acionamento passivo da matriz e acionamento ativo da matriz foram descritos acima. Nos circuitos, os anodos ou catodos das células emissoras de luz podem ser comumente conectados eletricamente. As primeira, segunda e terceira células emissoras de luz 30a, 30b e 30c da unidade de LED 200 descritas acima são eletricamente separadas uma da outra na unidade de LED 200 e são eletricamente conectadas uma à outra através da placa de circuito 100. No entanto, algumas ou todas as células emissoras de luz na unidade de LED 200 podem ser eletricamente conectadas umas às outras na unidade de LED, e sua conexão elétrica será descrita abaixo.
[0115] FIG. 11 é uma vista esquemática em corte transversal de um pixel F1 em uma unidade de LED para uma exibição de acordo com outra modalidade exemplar.
[0116] Referindo à FIG. 11, o pixel F1 de acordo com a modalidade exemplar é substancialmente semelhante ao descrito com referência à FIG. 4, mas as primeiras camadas semicondutoras do tipo condutiva 23 das células emissoras de luz 30a, 30b e 30c na modalidade exemplar são conectadas umas às outras por um primeiro pad de eletrodo 35a.
[0117] Mais particularmente, um único primeiro eletrodo 35a é formado sobre as células emissoras de luz 30a, 30b e 30c e conectado eletricamente às primeiras camadas semicondutoras do tipo condutiva 23 em cada região das células emissoras de luz 30a, 30b e 30c. Por conseguinte, os catodos das células emissoras de luz 30a, 30b e 30c são eletricamente conectados um ao outro.
[0118] Uma vez que as primeiras camadas semicondutoras do tipo condutiva 23 das células emissoras de luz 30a, 30b e 30c estão conectadas umas às outras pelo primeiro pad de eletrodo 35a, pode não ser necessário dispor os pads de proteção 43a nas respectivas células emissoras de luz e a corrente pode ser fornecida a cada uma das células emissoras de luz 30a, 30b e 30c usando um único pad de impacto 43a.
[0119] Além disso, os catodos das células emissoras de luz em pelo menos dois dos pixels F1, F2, F3 e F4 podem ser conectados um ao outro pelo primeiro pad de eletrodos 35a e, consequentemente, o número de pads de impacto 43a necessários no LED a unidade 200 pode ser reduzido ainda mais.
[0120] Uma vez que o número de pads de impacto 43a pode ser reduzido, a possibilidade de ocorrência de falha de montagem pode ser reduzida ao montar a unidade de LED 200 na placa de circuito 100.
[0121] Embora as células emissoras de luz 30a, 30b e 30c estejam dispostas sob o substrato 21 na modalidade exemplar ilustrada, o substrato 21 pode ser omitido como descrito com referência à FIG. 5.
[0122] FIG. 12 é uma vista esquemática em corte transversal de um pixel em uma unidade de LED para uma exibição de acordo com outra modalidade exemplar.
[0123] Referindo à FIG. 12, embora tenha sido descrito que as primeiras camadas semicondutoras do tipo condutiva 23 das células emissoras de luz 30a, 30b e 30c na modalidade da FIG. 11 são conectadas eletricamente usando o primeiro pad de eletrodo 35a, as células emissoras de luz 30a, 30b e 30c, na modalidade exemplar, compartilham uma primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23. Mais particularmente, as primeiras camadas de semicondutores do tipo condutiva 23 são espaçadas uma da outra e o primeiro pad de eletrodo 35a conecta eletricamente as primeiras camadas de semicondutor de tipo condutivo 23 na modalidade da FIG. 11, mas, uma vez que as células emissoras de luz 30a, 30b e 30c na modalidade exemplar compartilham a primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23, um primeiro pad de eletrodo 35a na modalidade exemplar pode ser conectado à primeira camada semicondutora 23 do tipo condutiva em qualquer lugar. Por exemplo, o primeiro pad de eletrodo 35a pode ser conectado à primeira camada semicondutora 23 do tipo condutiva através de um orifício de passagem, como mostrado na FIG. 11, ou o primeiro pad de eletrodo 35a pode ser conectado à primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23 em uma região entre as células emissoras de luz 30a, 30b e 30c ou uma região em torno das células emissoras de luz 30a, 30b e 30c, como mostrado na FIG. 12.
[0124] De acordo com a modalidade exemplar, uma vez que as células emissoras de luz 30a, 30b e 30c compartilham a primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23, as regiões de conexão do primeiro pad de eletrodo 35a podem ser selecionadas de várias maneiras e, assim, áreas emissoras de luz das células emissoras de luz 30a, 30b e 30c podem ser aumentadas dentro de uma área limitada da unidade de LED 200.
[0125] Os pixels F1, F2, F3 e F4 também podem compartilhar a primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23, que será descrita em detalhes posteriormente com referência às FIGS. 14 à 17.
[0126] Embora as células emissoras de luz 30a, 30b e 30c estejam dispostas sob o substrato 21 na modalidade exemplar, o substrato 21 pode ser omitido como descrito com referência à FIG. 5.
[0127] FIG. 13 é uma vista esquemática em corte transversal de um pixel F1 em uma unidade de LED para uma exibição de acordo com outra modalidade exemplar.
[0128] Referindo à FIG. 13, as modalidades anteriores descreveram que os catodos das células emissoras de luz 30a, 30b e 30c estão eletricamente conectados um ao outro, mas os anodos das células emissoras de luz 30a, 30b e 30c na modalidade exemplar estão conectados eletricamente a um outro.
[0129] Mais particularmente, uma segunda camada semicondutora do tipo condutiva 27 das células emissoras de luz 30a, 30b e 30c são conectadas eletricamente uma à outra por um segundo pad de eletrodo 35b. Em contraste, as primeiras camadas semicondutoras do tipo condutiva 23 das células emissoras de luz 30a, 30b e 30c são eletricamente separadas umas das outras.
[0130] O segundo pad de eletrodo 35b pode ser formado continuamente na primeira, segunda e terceira células emissoras de luz 30a, 30b e 30c e conectado eletricamente às camadas refletoras ôhmica 31 em cada célula emissora de luz. O segundo pad de eletrodo 35b na modalidade exemplar também pode envolver os primeiros pads de eletrodo 35a.
[0131] Como as segundas camadas semicondutoras do tipo condutiva 27 das células emissoras de luz 30a, 30b e 30c são conectadas umas às outras pelo segundo pad de eletrodo 35b, os pads de impacto 43b não precisam ser dispostos em cada célula emissora de luz, e a corrente pode ser fornecida a cada uma das células emissoras de luz 30a, 30b e 30c usando um único pad de impacto 43b.
[0132] Os anodos das células emissoras de luz em pelo menos dois dos pixels F1, F2, F3 e F4 podem ser conectados um ao outro pelo segundo pad de eletrodo 35b e, consequentemente, o número de pads de proteção 43b necessários na unidade de LED 200 pode ser reduzido ainda mais.
[0133] Uma vez que o número de pads de impacto 43b pode ser reduzido, a possibilidade de ocorrência de falha de montagem pode ser reduzida ao montar a unidade de LED 200 na placa de circuito 100.
[0134] Embora as células emissoras de luz 30a, 30b e 30c na modalidade exemplar ilustrada estejam dispostas sob o substrato 21, o substrato 21 pode ser omitido como descrito com referência à FIG. 5.
[0135] FIG. 14 é uma vista plana esquemática que ilustra uma unidade de LED para um aparelho de exibição de acordo com outra modalidade exemplar.
[0136] Como descrito acima com referência à FIG. 12, as células emissoras de luz 30a, 30b e 30c em cada pixel F1, F2, F3 ou F4 podem compartilhar uma primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23. No entanto, como mostrado na figura, as primeiras camadas semicondutoras do tipo condutiva podem ser espaçadas umas das outras entre os pixels.
[0137] De acordo com a modalidade exemplar, uma vez que os catodos das células emissoras de luz em um pixel estão conectados um ao outro, um circuito para conectar as células emissoras de luz pode não precisar ser fornecido em uma placa de circuito 100, e o número de pads de impacto 43a pode também ser reduzido. Mais particularmente, um pad de impacto 43a e três pads de impacto 43b podem ser dispostos para cada pixel.
[0138] Para a condução da matriz passiva, os catodos das células emissoras de luz no mesmo pixel serão conectados à mesma linha de dados ou linha de varredura. Para a condução da matriz ativa, os catodos das células emissoras de luz no mesmo pixel serão aterrados.
[0139] Como os pixels F1, F2, F3 e F4 são eletricamente separados um do outro, os pixels podem ser dispostos de várias formas no circuito de acionamento.
[0140] FIG. 15 é uma vista plana esquemática que ilustra uma unidade de LED para um aparelho de exibição de acordo com outra modalidade exemplar.
[0141] Referindo à FIG. 15, na modalidade exemplar, um pixel F1 e um pixel F3 compartilham uma primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23 e um pixel F2 e um pixel F4 também compartilham a primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23. Por conseguinte, um pad de impacto 43a que é comum aos pixels F1 e F3 pode ser disposto e um pad de impacto 43a que é comum aos pixels F2 e F4 pode ser disposto e, assim, o número dos pads de impacto 43a pode ser ainda mais reduzido em comparação com a modalidade exemplar 14.
[0142] Para a condução da matriz passiva, os catodos das células emissoras de luz no pixel F1 e no pixel F3 serão todos conectados à mesma linha de dados ou linha de varredura, e os das células emissoras de luz no pixel F2 e no pixel F4 serão conectados ao mesma linha de dados ou linha de varredura. Para a condução da matriz ativa, os catodos das células emissoras de luz nos pixels F1, F2, F3 e F4 serão aterrados.
[0143] FIG. 16 é uma vista plana esquemática que ilustra uma unidade de LED para um aparelho de exibição de acordo com outra modalidade exemplar.
[0144] Referindo à FIG. 16, os pixels F1 e F2 compartilham uma primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23 e os pixels F3 e F4 também compartilham a primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23 na modalidade exemplar. Por conseguinte, um pad de impacto 43a que é comum aos pixels F1 e F2 pode ser disposto e um pad de impacto 43a que é comum aos pixels F3 e F4 pode ser disposto e, assim, o número dos pads de impacto 43a pode ser ainda mais reduzido em comparação com a modalidade exemplar 14.
[0145] Para a condução da matriz passiva, os catodos das células emissoras de luz no pixel F1 e no pixel F2 serão todos conectados à mesma linha de dados ou linha de varredura, e os das células emissoras de luz no pixel F3 e no pixel F4 serão conectados ao mesma linha de dados ou linha de varredura. Para a condução da matriz ativa, os catodos das células emissoras de luz nos pixels F1, F2, F3 e F4 serão aterrados.
[0146] FIG. 17 é uma vista plana esquemática que ilustra uma unidade de LED para um aparelho de exibição de acordo com outra modalidade exemplar.
[0147] Referindo à FIG. 17, todos os pixels F1, F2, F3 e F4 na unidade de LED 200 podem compartilhar uma primeira camada semicondutora do tipo condutiva 23. Por conseguinte, um pad de impacto 43a que é comum aos pixels F1, F2, F3 e F4 pode ser disposto, reduzindo ainda mais o número de pads de impacto 43a em comparação com as modalidades da FIG. 15 e FIG. 16.
[0148] FIG. 18A e FIG. 18B são vistas em corte transversal que ilustram um filme incluindo um conversor de comprimento de onda.
[0149] Primeiro, com referência à FIG. 18A, o primeiro, segundo e terceiro conversores de comprimento de onda 51a, 51b e 51c nas modalidades acima podem ser espaçados um do outro para serem ligados ou formados separadamente nas células emissoras luz 30a, 30b e 30c, mas o primeiro, segundo e terceiro conversores de comprimento de onda 51a, 51b e 51c de podem ser dispostos, na modalidade exemplar, são dispostos em uma camada em um filme. Uma resina transparente ou opaca 151 pode ser disposta em uma região entre os conversores de comprimento de onda 51a, 51b e 51c. A resina opaca 151 pode funcionar como uma camada de bloqueio de luz 55.
[0150] Na modalidade exemplar, em m caso que as células emissoras de luz emitem a luz azul, o primeiro conversor de comprimento de onda 51a pode ser omitido e, neste caso, a resina transparente 151 pode ser disposta em uma localização onde o primeiro conversor de comprimento de onda 51a está disposto.
[0151] Um filme incluindo conversores de comprimento de onda 51a, 51b e 51c pode ser disposto em cada pixel, ou um filme pode cobrir dois ou mais pixels.
[0152] Referindo à FIG. 18B, o filme de acordo com a modalidade exemplar é um filme laminado de múltiplas camadas. Por exemplo, a primeira camada 151a pode incluir o primeiro conversor de comprimento de onda 51a, uma segunda camada 151b pode incluir o segundo conversor de comprimento de onda 51b e uma terceira camada 151c pode incluir o terceiro conversor de comprimento de onda 51c. As primeira, segunda e terceira camadas 151a, 151b e 151c podem ser compostas de uma combinação da resina transparente 151 e dos conversores de comprimento de onda 51a, 51b e 51c, respectivamente. Em um caso que as células emissoras de luz emitem a luz azul, a primeira camada 151a pode ser omitida.
[0153] O filme laminado pode ser disposto em cada pixel, ou um único filme laminado pode cobrir uma pluralidade de pixels.
[0154] Na modalidade exemplar, embora alguns exemplos sejam descritos, filmes com várias estruturas podem ser usados.
[0155] Embora algumas modalidades exemplares tenham sido descritas neste documento, deve-se entender que essas modalidades exemplares são fornecidas apenas para ilustração e não devem ser interpretadas de forma alguma como limitantes da presente invenção. Deve-se entender que características ou componentes de uma modalidade exemplar também podem ser aplicados a outras modalidades exemplares sem se afastar do espírito e do escopo da presente invenção.

Claims (20)

1. Unidade de LED para exibição, caracterizada pelo fato de compreender uma pluralidade de pixels (F1, F2, F3, F4), cada um dos pixels incluindo: - uma primeira célula emissora de luz (30a), uma segunda célula emissora de luz (30b) e uma terceira célula emissora de luz (30c), cada uma das primeira, segunda e terceira células emissoras de luz incluindo uma primeira camada semicondutora do tipo condutiva (23), uma camada ativa (25) e uma segunda camada semicondutora do tipo condutiva (27; - pads (43a, 43b) conectados eletricamente às primeira, segunda e terceira células emissoras de luz (30a, 30b, 30c) para acionar independentemente as ditas primeira, segunda e terceira células emissoras de luz; - um primeiro conversor de comprimento de onda (51a) configurado para converter um comprimento de onda de luz emitida a partir da primeira célula emissora de luz (30a; e - um segundo conversor de comprimento de onda (51b) que converte um comprimento de onda de uma luz emitida a partir da segunda célula emissora de luz (30b); em que o primeiro conversor de comprimento de onda (51a) converte o comprimento de onda de luz em um comprimento de onda mais longo que um comprimento de onda da luz convertida pelo segundo conversor de comprimento de onda (51b), a segunda célula emissora de luz (30b) tem uma área maior que a terceira célula emissora de luz (30c), e a primeira célula emissora de luz (30a) tem uma área maior que a segunda célula emissora de luz (30b).
2. Unidade de LED para exibição, de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pelo fato de as primeira, segunda e terceira células emissoras de luz (30a, 30b, 30c) emitirem luz azul, o segundo conversor de comprimento de onda (51b) converter a luz azul em luz verde e o terceiro conversor de comprimento de onda(51c) converter a luz azul em luz vermelha.
3. Unidade de LED para exibição, de acordo com a reivindicação 2, caracterizada pelo fato de as proporções de área da primeira célula emissora de luz (30a) e da segunda célula emissora de luz (30b) para a terceira célula emissora de luz (30c) serem inversamente proporcionais à eficiência de conversão de luz do primeiro conversor de comprimento de onda (51a) e à eficiência de conversão de luz do segundo conversor de comprimento de onda (51b), respectivamente.
4. Unidade de LED para exibição, de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pelo fato de compreender ainda um terceiro conversor de comprimento de onda (51c) que converte um comprimento de onda da luz emitida a partir da terceira célula emissora de luz (30c) para a luz de um primeiro comprimento de onda, em que o dito terceiro conversor de comprimento de onda converte um comprimento de onda de luz em um comprimento de onda mais curto do que o comprimento de onda da luz convertida pelo segundo conversor de comprimento de onda de luz (51b), e as primeira, segunda e terceira células emissoras de luz (30a, 30b, 30c) emitirem luz ultravioleta.
5. Unidade de LED para exibição, de acordo com a reivindicação 4, caracterizada pelo fato de o terceiro conversor de comprimento de onda (51c) converter a luz ultravioleta em luz azul, o segundo conversor de comprimento de onda (51b) converter a luz ultravioleta em luz verde, e o primeiro conversor de comprimento de onda (51a) converter a luz ultravioleta em luz vermelha.
6. Unidade de LED para exibição, de acordo com a reivindicação 5, caracterizada por as proporções de área da primeira célula emissora de luz (30a) e da segunda célula emissora de luz (30b) para a terceira célula emissora de luz (30c) serem inversamente proporcionais à eficiência de conversão de luz do primeiro conversor de comprimento de onda (51a) para o terceiro conversor de comprimento de onda (51b) e à eficiência de conversão de luz do segundo conversor de comprimento de onda (51b) para o terceiro conversor de comprimento de onda (51c), respectivamente.
7. Unidade de LED para exibição, de acordo com a reivindicação 4, caracterizada pelo fato de compreender ainda um primeiro filtro de cor (53a) disposto no primeiro conversor de comprimento de onda (51a), um segundo filtro de cor (53b) disposto no segundo conversor de comprimento de onda (51b) e um terceiro filtro de cor (53c) disposto no terceiro conversor de comprimento de onda (51c).
8. Unidade de LED para exibição, de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pelo fato de compreender ainda um primeiro filtro de cor (53a) disposto no primeiro conversor de comprimento de onda (51a) me um segundo filtro de cor (53b) disposto no segundo conversor de comprimento de onda (51b).
9. Unidade de LED para exibição, de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pelo fato de as proporções de área da primeira célula emissora de luz (30a), da segunda célula emissora de luz (30b) e da terceira célula emissora de luz (30c) serem 7: 2: 1.
10. Unidade de LED para exibição, de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pelo fato de a primeira, segunda e terceira células emissoras de luz (30a, 30b, 30c) de cada pixel compartilharem a mesma primeira camada semicondutora do tipo condutiva (23).
11. Unidade de LED para exibição, de acordo com a reivindicação 10, caracterizada pelo fato de pelo menos dois pixels compartilharem a mesma primeira camada semicondutora do tipo condutiva (23).
12. Unidade de LED para exibição, de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pelo fato de pelo menos um pad (43a, 43b) ser comumente conectado eletricamente à primeira camada semicondutora do tipo condutiva (23) ou à segunda camada semicondutora do tipo condutiva (27) da primeira, segunda e terceira células emissoras de luz (30a, 30b, 30c).
13. Unidade de LED para exibição, de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pelo fato de compreender ainda: - camadas refletoras ôhmicas (31) dispostas nas segundas camadas semicondutoras do tipo condutiva (27) da primeira, segunda e terceira células emissoras de luz (30a, 30b, 30c); - uma camada de isolamento inferior (33) cobrindo as primeira, segunda e terceira células emissoras de luz (30a, 30b, 30c) da pluralidade de pixels e incluindo pelo menos uma primeira abertura expondo uma primeira camada semicondutora do tipo condutiva (23) e segundas aberturas expondo as camadas refletoras ôhmicas (31); - um primeiro eletrodo de pad (35a) disposto na camada de isolamento inferior (33) e conectado eletricamente à primeira camada semicondutora do tipo condutiva (23) através da primeira abertura da camada de isolamento inferior (33); - um segundo eletrodo de pad (35b) afastado do primeiro eletrodo de pad (35a) disposto na camada de isolamento inferior (33) e conectado eletricamente à camada refletora ôhmica (31) através da uma das segundas aberturas; e - uma camada de isolamento superior (37) cobrindo o primeiro e o segundo eletrodos (35a, 35b) do pad,em que os pads (43a, 43b) estão conectados ao primeiro e segundo eletrodos do pad (35a, 35b) através de aberturas da camada de isolamento superior (37).
14. Unidade de LED para exibição, de acordo com a reivindicação 13, caracterizada por a camada isolante inferior (33) incluir um refletor de Bragg distribuído.
15. Unidade de LED para exibição, de acordo com a reivindicação 13, caracterizada pelo fato de os pads (43a, 43b) de cada pixel incluírem um primeiro pad (43a) que é comumente conectado às primeiras camadas semicondutoras do tipo condutiva (23) da primeira, segunda e terceira células emissoras de luz (30a, 30b, 30c) e três segundos pads (43b) que são conectados às segundas camadas semicondutoras do tipo condutiva (27) da primeira, segunda e terceira células emissora de luz (30a, 30b, 30c) respectivamente.
16. Unidade de LED para exibição, de acordo com a reivindicação 15, caracterizada pelo fato de o primeiro pad (43a) ser comumente conectado às primeiras camadas semicondutoras do tipo condutiva (23) de pelo menos dois pixels (F1. F2, F3, F4)
17. Unidade de LED para exibição, de acordo com a reivindicação 13, caracterizada pelo fato de os pads (43a, 43b) de cada pixel (F1, F2, F3, F4) incluírem primeiros pads (43a) conectados às primeiras camadas semicondutoras do tipo condutiva (23) da primeira, segunda e terceira células emissoras de luz (30a, 30b, 30c), respectivamente, e um segundo pad (43b) comumente conectado às segundas camadas semicondutoras do tipo condutiva(23) da primeira, segunda e terceira células emissoras de luz (30a, 30b, 30c).
18. Unidade de LED para exibição, de acordo com a reivindicação 17, caracterizada pelo fato de um segundo pad (43b) ser comumente conectado às segundas camadas semicondutoras do tipo condutiva (27) de pelo menos dois pixels (F1, F2, F3, F4).
19. Aparelho de exibição, caracterizado por compreender uma placa de circuito (100) e uma pluralidade de unidades de LED (200) dispostas na placa de circuito, em que cada uma da pluralidade de ditas unidades de LED é uma unidade de LED para exibição, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 18.
20. Aparelho de exibição, de acordo com a reivindicação 19, caracterizado pelo fato de que a primeira, segunda e terceira células emissoras de luz (30a, 30b, 30c) são acionadas de uma maneira de matriz passiva ou matriz ativa.
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI707491B (zh) * 2019-12-04 2020-10-11 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板
KR102650950B1 (ko) 2017-09-29 2024-03-26 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 그것을 갖는 표시 장치
CN108828841B (zh) * 2018-07-26 2021-01-15 武汉华星光电技术有限公司 Led背光装置及led显示装置
US11688710B2 (en) * 2019-03-25 2023-06-27 Innolux Corporation Electronic device
US11282893B2 (en) * 2019-07-29 2022-03-22 Beijing Xiaomi Mobile Software Co., Ltd. Nanjing Branch Display panel, display screen, and electronic device
TWI717871B (zh) * 2019-10-22 2021-02-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置
US11489002B2 (en) * 2019-10-29 2022-11-01 Seoul Viosys Co., Ltd. LED display apparatus
CN111812888A (zh) * 2020-07-10 2020-10-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Mini LED背光模组及其制备方法、显示面板
US11317065B2 (en) 2020-08-05 2022-04-26 Jade Bird Display (shanghai) Limited Scan needle and scan display system including same
US11270632B2 (en) * 2020-08-05 2022-03-08 Jade Bird Display (shanghai) Limited Scan needle and scan display system including same
US11308848B2 (en) * 2020-08-05 2022-04-19 Jade Bird Display (shanghai) Limited Scan needle and scan display system including same
US11527572B2 (en) 2020-08-05 2022-12-13 Jade Bird Display (shanghai) Limited Scan needle and scan display system including same
US11270620B2 (en) 2020-08-05 2022-03-08 Jade Bird Display (shanghai) Limited Scan needle and scan display system including same
US11308862B2 (en) * 2020-08-05 2022-04-19 Jade Bird Display (shanghai) Limited Scan needle and scan display system including same
CN112117297A (zh) * 2020-10-22 2020-12-22 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 全彩色Micro LED阵列结构及其制备方法
US20220406764A1 (en) * 2021-05-14 2022-12-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emiting module and display apparatus having the same
KR20230023886A (ko) * 2021-08-10 2023-02-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP7233128B1 (ja) * 2021-12-21 2023-03-06 ナイトライド・セミコンダクター株式会社 マイクロｌｅｄディスプレイ及びその製造方法
CN115394216B (zh) * 2022-10-20 2023-07-14 季华实验室 一种显示装置和显示设备

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3589187B2 (ja) * 2000-07-31 2004-11-17 日亜化学工業株式会社 発光装置の形成方法
JP2002217545A (ja) 2001-01-18 2002-08-02 Kyocera Corp 多層配線基板
JP2002217454A (ja) 2001-01-19 2002-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄアレー及びこれを用いたｌｅｄ表示装置
TWI466266B (zh) * 2009-02-24 2014-12-21 Epistar Corp 陣列式發光元件及其裝置
KR101601624B1 (ko) 2010-02-19 2016-03-09 삼성전자주식회사 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
EP2367203A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-21 Samsung LED Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having multi-cell array and method for manufacturing the same
KR20110098600A (ko) * 2010-02-26 2011-09-01 삼성엘이디 주식회사 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치 및 이의 제조방법
KR101761834B1 (ko) 2011-01-28 2017-07-27 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
KR101476207B1 (ko) * 2012-06-08 2014-12-24 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR101422037B1 (ko) * 2012-09-04 2014-07-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20140083488A (ko) * 2012-12-26 2014-07-04 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
US9111464B2 (en) * 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
KR102098245B1 (ko) * 2014-02-11 2020-04-07 삼성전자 주식회사 광원 패키지 및 그를 포함하는 표시 장치
JP6612119B2 (ja) 2015-02-16 2019-11-27 株式会社東芝 半導体発光装置
JP2016218151A (ja) * 2015-05-15 2016-12-22 シャープ株式会社 波長変換基板、発光装置並びにこれを備えた表示装置、照明装置および電子機器
DE102015108532A1 (de) 2015-05-29 2016-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung mit einer Mehrzahl getrennt voneinander betreibbarer Bildpunkte
WO2017019675A1 (en) 2015-07-29 2017-02-02 California Institute Of Technology Hydroxide-catalyzed formation of silicon-oxygen bonds by dehydrogenative coupling of hydrosilanes and alcohols
KR102342556B1 (ko) * 2015-07-31 2021-12-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
US10950583B2 (en) 2015-08-26 2021-03-16 Lg Electronics Inc. Transfer head and transfer system for semiconductor light-emitting device and method for transferring semiconductor light-emitting device
KR102465382B1 (ko) * 2015-08-31 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
KR102524805B1 (ko) * 2016-02-12 2023-04-25 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
KR102455084B1 (ko) * 2016-02-23 2022-10-14 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 이를 갖는 표시장치
KR102462658B1 (ko) * 2016-03-18 2022-11-03 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 표시장치
KR102480220B1 (ko) * 2016-04-08 2022-12-26 삼성전자주식회사 발광 다이오드 모듈 및 이를 구비한 디스플레이 패널
KR101873505B1 (ko) * 2017-08-30 2018-07-02 서울반도체 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지
WO2019066491A1 (ko) 2017-09-29 2019-04-04 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 그것을 갖는 표시 장치
KR102650950B1 (ko) 2017-09-29 2024-03-26 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 그것을 갖는 표시 장치

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