KR20140083488A - 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 - Google Patents
반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20140083488A KR20140083488A KR1020120153304A KR20120153304A KR20140083488A KR 20140083488 A KR20140083488 A KR 20140083488A KR 1020120153304 A KR1020120153304 A KR 1020120153304A KR 20120153304 A KR20120153304 A KR 20120153304A KR 20140083488 A KR20140083488 A KR 20140083488A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- semiconductor light
- electrode
- display device
- emitting device
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 106
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 13
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 208000032005 Spinocerebellar ataxia with axonal neuropathy type 2 Diseases 0.000 description 2
- 208000033361 autosomal recessive with axonal neuropathy 2 spinocerebellar ataxia Diseases 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- -1 Nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005311 autocorrelation function Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
Abstract
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 질화물 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 반도체 발광 소자를 이용하는 디스플레이 장치에 있어서, 단위 화소를 구성하는 것으로서, 제 1발광 영역과 제 2발광 영역을 가지며, 각각 상기 제 1발광 영역 및 제 2발광 영역과 연결되는 두 개의 제 1전극과, 상기 제 1발광 영역과 제 2발광 영역에 공통되는 제 2전극을 구비하는 반도체 발광 소자; 상기 반도체 발광 소자의 두 개의 제 1전극이 각각 연결되도록 단위 화소당 한 쌍이 구비되는 스캔 전극, 상기 반도체 발광 소자의 제 2전극과 연결되는 데이터 전극; 및 상기 반도체 발광 소자 상에 위치하는 형광체층을 포함하여 구성될 수 있다.
Description
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 질화물 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다.
질화 갈륨(GaN)으로 대표되는 질화물계 화합물 반도체(Nitride Compound Semiconductor)는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭(0.8 ~ 6.2 eV)을 가지고 있어, LED를 포함한 고출력 전자부품 소자 개발 분야에서 많은 주목을 받아왔다.
이에 대한 이유 중 하나는 GaN이 타 원소들(인듐(In), 알루미늄(Al) 등)과 조합되어 녹색, 청색 및 백색광을 방출하는 반도체 층들을 제조할 수 있기 때문이다.
이와 같이 방출 파장을 조절할 수 있기 때문에 특정 장치 특성에 맞추어 재료의 특징들에 맞출 수 있다. 예를 들어, GaN을 이용하여 광 기록에 유익한 청색 LED와 백열등을 대치할 수 있는 백색 LED를 만들 수 있다.
따라서, 현재 질화물계 반도체는 청색/녹색 레이저 다이오드와 발광 다이오드(LED)의 제작에 기본물질로 사용되고 있다. 특히 고출력 LED는 백색 조명용 광원으로 주목받고 있어 앞으로 LED 조명 또는 디스플레이로서의 응용이 더욱 확대될 것으로 예상된다.
최근 이용되는 평판 디스플레이 장치는 액정 디스플레이 장치, 플라즈마 디스플레이 장치 및 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치 등이 있으나, 각각의 문제점들을 극복할 수 있는 디스플레이 장치가 요구된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 반도체 발광 소자를 단위 화소로 구현할 수 있고 계조 및 색상 표현력을 향상시킬 수 있는 질화물 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치를 제공하고자 한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 제 1관점으로서, 본 발명은, 반도체 발광 소자를 이용하는 디스플레이 장치에 있어서, 단위 화소를 구성하는 것으로서, 제 1발광 영역과 제 2발광 영역을 가지며, 각각 상기 제 1발광 영역 및 제 2발광 영역과 연결되는 두 개의 제 1전극과, 상기 제 1발광 영역과 제 2발광 영역에 공통되는 제 2전극을 구비하는 반도체 발광 소자; 상기 반도체 발광 소자의 두 개의 제 1전극이 각각 연결되도록 단위 화소당 한 쌍이 구비되는 스캔 전극, 상기 반도체 발광 소자의 제 2전극과 연결되는 데이터 전극; 및 상기 반도체 발광 소자 상에 위치하는 형광체층을 포함하여 구성될 수 있다.
여기서, 스캔 전극과 반도체 발광 소자의 제 1전극 및 상기 데이터 전극과 반도체 발광 소자의 제 2전극 중 적어도 어느 하나를 전기적으로 연결하는 비등방성 전도성 필름(ACF)을 더 포함할 수 있다.
여기서, 반도체 발광 소자는, 상기 스캔 전극과 데이터 전극에 플립칩 본딩되어 구성될 수 있다.
이때, 제 2전극은, 상기 두 개의 제 1전극 사이에 위치할 수 있다.
한편, 데이터 전극은, 상기 반도체 발광 소자에 대하여, 상기 스캔 전극의 반대측에 위치할 수 있다.
이때, 반도체 발광 소자는, 상기 스캔 전극과 데이터 전극 사이에 결합되는 수직형 발광 소자일 수 있다.
여기서, 개별 반도체 발광 소자 사이에는, 격벽을 더 포함할 수 있다.
한편, 반도체 발광 소자는, 청색 발광 소자이고, 상기 형광체층은, 황색 형광체층일 수 있다.
이때, 황색 형광체층 상에는 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 더 포함할 수 있다.
한편, 반도체 발광 소자는, 청색 발광 소자이고, 상기 형광체층은, 개별 화소를 구성하는 적색 형광체 및 녹색 형광체일 수 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 제 2관점으로서, 본 발명은, 반도체 발광 소자를 이용하는 디스플레이 장치에 있어서, 기판 상에 위치하고, 소스 및 드레인 영역, 상기 소스 및 드레인 영역 사이에 게이트 전극을 포함하고, 단위 화소당 한 쌍이 구비되는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터를 피복하도록 상기 기판 상에 위치하는 층간 절연막; 단위 화소를 구성하며, 제 1발광 영역과 제 2발광 영역을 가지며, 각각 상기 제 1발광 영역 및 제 2발광 영역과 연결되는 두 개의 제 1전극과, 상기 제 1발광 영역과 제 2발광 영역에 공통되는 제 2전극을 구비하는 반도체 발광 소자; 상기 한 쌍의 소스 영역과 두 개의 제 1전극 사이에서 전기적으로 연결되도록 단위 화소당 한 쌍이 구비되는 스캔 전극; 상기 반도체 발광 소자의 제 2전극이 연결되는 데이터 전극; 및 상기 반도체 발광 소자 상에 위치하는 형광체층을 포함하여 구성될 수 있다.
여기서, 스캔 전극과 반도체 발광 소자의 제 1전극 및 상기 데이터 전극과 반도체 발광 소자의 제 2전극 중 적어도 어느 하나를 전기적으로 연결하는 비등방성 전도성 필름(ACF)을 더 포함할 수 있다.
본 발명은 다음과 같은 효과가 있는 것이다.
반도체 발광 소자를 이용하여 디스플레이 장치를 구현함에 있어서, 반도체 발광 소자는 전류 구동으로 구동될 수 있으며, 따라서 로드 특성에 크게 영향받지 않으므로, 크기가 작은 것이 유리하며, 이러한 발광 소자는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다.
또한, 다른 디스플레이 장치는 디스플레이 장치의 전체 크기에 따라 구동하기 위한 전력이 크게 증가할 수 있으나, 위에서 설명한 반도체 발광 소자를 이용하는 디스플레이 장치는 크기에 따라 전력이 크게 증가하지 않는 특성을 갖는다. 따라서 대면적 디스플레이 장치로의 응용이 효과적이다.
이때, 두 개의 발광 영역을 가지는 반도체 발광 소자를 이용하여 디스플레이 장치를 구현하면 통상의 발광 소자를 이용하는 경우에 비하여 두 배의 계조 표현이 가능하며, 저계조를 가지는 화면의 세부 표현력을 향상시킬 수 있다.
예를 들면, 패시브 매트릭스 구조를 가지는 64 컬러를 표현하는 디스플레이 구조를 이용하여, 그 두 배인 128 컬러의 표현이 가능한 효과가 있다.
한편, 박막 트랜지스터에 의하여 AM 구동되는 경우, 개별 박막 트랜지스터 사이의 간격도 클 수 있으며, 개별 화소 사이의 거리가 크므로, 개별 박막 트랜지스터와 발광 소자 및 그 외의 구성 요소가 휘어짐에 대하여 대항력이 큰 특성을 가지며, 따라서 휘어질 수 있는 디스플레이(flexible display) 장치에 이용될 수 있는 효과가 있는 것이다.
도 1은 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 3은 디스플레이 장치에 이용되는 수평형 발광 소자의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 4는 디스플레이 장치에 이용되는 수직형 발광 소자의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 5 내지 도 8은 두 개의 발광 영역을 가지는 반도체 발광 소자의 예를 나타내는 사시도이다.
도 9는 디스플레이 장치에 이용되는 수평형 발광 소자의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 10은 디스플레이 장치에 이용되는 수직형 발광 소자의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 11은 발광 소자 배열 및 그 구동을 나타내는 개략도이다.
도 12는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 또 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 2는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 3은 디스플레이 장치에 이용되는 수평형 발광 소자의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 4는 디스플레이 장치에 이용되는 수직형 발광 소자의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 5 내지 도 8은 두 개의 발광 영역을 가지는 반도체 발광 소자의 예를 나타내는 사시도이다.
도 9는 디스플레이 장치에 이용되는 수평형 발광 소자의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 10은 디스플레이 장치에 이용되는 수직형 발광 소자의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 11은 발광 소자 배열 및 그 구동을 나타내는 개략도이다.
도 12는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 또 다른 예를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명이 여러 가지 수정 및 변형을 허용하면서도, 그 특정 실시예들이 도면들로 예시되어 나타내어지며, 이하에서 상세히 설명될 것이다. 그러나 본 발명을 개시된 특별한 형태로 한정하려는 의도는 아니며, 오히려 본 발명은 청구항들에 의해 정의된 본 발명의 사상과 합치되는 모든 수정, 균등 및 대용을 포함한다.
층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
비록 제1, 제2 등의 용어가 여러 가지 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들을 설명하기 위해 사용될 수 있지만, 이러한 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들은 이러한 용어에 의해 한정되어서는 안 된다는 것을 이해할 것이다.
도 1에서 도시하는 바와 같이, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일례는, 기판(100) 상에 단위 화소당 한 쌍의 스캔 전극(231, 232)과 하나의 데이터 전극(240)이 구비되고, 이 한 쌍의 스캔 전극(231, 232)과 데이터 전극(240)에 전기적으로 연결되고, 개별 화소를 구성하는 반도체 발광 소자(300)를 포함하여 구성된다.
이와 같은 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(passive matrix; PM) 방식의 디스플레이 장치를 나타내고 있으며, 동일한 수의 통상의 발광 소자를 사용하는 경우에 비하여 색상 표현력 및 계조 표현력을 향상시킬 수 있다.
반도체 발광 소자(300)는 발광 다이오드(light emitting diode)가 이용될 수 있으며, 이러한 다이오드 구조를 이루는 반도체층(310)을 포함한다. 특히, 질화 갈륨을 포함하는 질화물계 반도체 발광 소자가 이용될 수 있다.
이러한 반도체 발광 소자(300)는 개별 소자가 제 1발광 영역과 제 2발광 영역을 포함하는 발광 영역을 가지며, 각각 제 1발광 영역 및 제 2발광 영역과 연결되는 두 개의 제 1전극(321, 322)이 구비된다. 반도체 발광 소자(300)에 대한 자세한 사항은 후술한다.
도 1에서는 수평형 발광 소자(300)가 한 쌍의 스캔 전극(231, 232)과 데이터 전극(240) 사이에서 플립칩 본딩된 예를 나타내고 있으며, 이러한 두 개의 제 1전극(321, 322)은 한 쌍의 스캔 전극(231, 232)과 각각 연결된다.
또한, 이러한 두 개의 제 1전극(321, 322) 사이에 위치하는 제 2전극(330)은 데이터 전극(240)에 연결된다.
이때, 경우에 따라, 제 2전극(330)과 데이터 전극(240) 사이에는 연결 전극(331)이 더 구비될 수 있다.
한편, 플립칩 본딩된 수평형 발광 소자(300)의 반사율 향상을 위하여 제 1전극(321, 322) 및 제 2전극(330) 중 적어도 어느 하나의 면적은 더 증가할 수 있다.
또는, 이와 접속되는 스캔 전극(231, 232) 및 데이터 전극(240) 중 적어도 어느 하나의 면적이 더 증가할 수 있다. 즉, 도 1에서 도시된 면적 비율보다 상대적으로 더 커질 수 있다.
이러한 스캔 전극(231, 232)과 데이터 전극(240)은 기판(100) 상에 위치하며, 스캔 전극(231, 232)과 제 1전극(321, 322)과의 전기적 연결 및 데이터 전극(240)과 제 2전극(330)과의 전기적 연결은 비등방성 전도성 필름(anistropy conductive film; ACF; 250, 251)에 의하여 이루어질 수 있다.
이러한 비등방성 전도성 필름(250, 251)은, 전도성 물질의 코어가 절연막에 의하여 피복된 다수의 입자로 이루어진 상태이고, 이러한 비등방성 전도성 필름(250, 251)은 압력 또는 열이 가해지면 이와 같이, 압력 또는 열이 가해진 부분만 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 전기적으로 연결되는 것이다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다.
따라서, 기판(100) 상에, 스캔 전극(231, 232) 및 데이터 전극(240)이 위치하는 상태에서, 이러한 기판(100), 스캔 전극(231, 232) 및 데이터 전극(240) 상에 ACF(250)를 위치시킨 후에, 반도체 발광 소자(300)를 열 또는 압력을 가하여 접속시키면, 이러한 열 또는 압력이 가해진 반도체 발광 소자(300)의 제 1전극(321, 322)과 스캔 전극(231, 232) 사이, 그리고 제 2전극(330)(또는 연결 전극; 331)과 데이터 전극(240) 사이의 부분만 전도성을 띠는 ACF(251)로 되어, 이들 사이의 전기적 연결이 이루어질 수 있는 것이다.
그러므로, 반도체 발광 소자(300)와 기판(100) 사이의 적어도 일부분에는 이러한 ACF(250)가 위치할 수 있다.
이와 같이, 단위 화소를 이루는 개별 반도체 발광 소자(300)는 두 개의 발광 영역을 가지므로 동일한 화소를 가지는 경우에 비하여 두 배의 계조 표현이 가능하며, 화면의 세밀한 표현력을 향상시킬 수 있다.
이러한 반도체 발광 소자(300) 상에는 발광 소자(300)에서 발광된 빛의 파장을 변환시킬 수 있는 형광체층(400)이 위치할 수 있다.
일례로서, 반도체 발광 소자(300)는, 청색을 발광하는 발광 소자가 이용될 수 있고, 이때, 형광체층(400)은, 청색 광과 혼합되어 청색 광을 백색 광으로 변환시킬 수 있는 황색 형광체층(400)이 이용될 수 있다.
이러한 경우에는, 형광체층(400)에 의하여 변환된 백색 광을 이용하여 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B)의 3원색을 구현하는 컬러 필터(500)가 더 구비될 수 있다.
즉, 적색(R) 필터(510), 녹색(G) 필터(520), 및 청색(B) 필터(530)가 구비되어, 각각의 발광 소자(300)에 의하여 이루어지는 화소는 단위 화소(서브 픽셀; sub-pixel)을 이루고, 이러한 3색의 단위 화소가 하나의 화소(pixel)를 이룰 수 있다.
한편, 형광체층(400)은 발광 소자(300)에서 방출되는 청색 광을 각각 적색(R) 광으로 변환하는 형광체 및 녹색(G) 광으로 변환하는 형광체가 구비될 수 있고(도 2 참고), 백색 광을 발광하는 발광 소자(300)와 적색(R) 형광체, 녹색(G) 형광체 및 청색(B) 형광체가 구비될 수도 있음은 물론이다.
이와 같은 개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(300)의 사이에는 이들 개별 반도체 발광 소자(300)를 서로 분리하는 격벽(260)이 구비될 수 있다.
이러한 격벽(260)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 이 격벽(260)은 반사성 격벽(260)이 이용될 수 있다. 즉, 격벽(260)을 고 반사성 재료로 구비함으로써, 반사판으로 작용할 수 있는 것이다.
경우에 따라, 이 격벽(260)은 회색 계열의 색상을 가지도록 함으로써, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.
이와 같은 개별 반도체 발광 소자(300)의 크기는 한 변이 150 ㎛ 이하인 직사각형 또는 정사각형 소자로 구성할 수 있다.
반도체 발광 소자(300)는 전류 구동으로 구동될 수 있으며, 따라서 로드 특성에 크게 영향받지 않으므로, 크기가 작은 것이 유리하다. 또한, 이러한 발광 소자(300)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다.
예를 들어, 단위 픽셀의 크기가 한 변이 600 ㎛, 나머지 한 변이 300 ㎛인 직사각형 픽셀이라 한다면, 이 단위 픽셀에 배치되는 개별 반도체 발광 소자(300)의 크기는 한 변의 길이가 10 ㎛인 정사각형 발광 소자(300)를 이용해도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기를 보일 수 있다.
또한, 다른 디스플레이 장치는 디스플레이 장치의 전체 크기에 따라 구동하기 위한 전력이 크게 증가할 수 있으나, 위에서 설명한 반도체 발광 소자(300)를 이용하는 디스플레이 장치는 크기에 따라 전력이 크게 증가하지 않는 특성을 갖는다. 따라서, 대면적 디스플레이 장치를 구현하는데 적합할 수 있다.
위에서는, 하나의 발광 소자(300)가 두 개의 발광 영역을 가지고 이에 대응하는 한 쌍의 스캔 전극(231, 232)을 구비하는 예를 설명하였으나, 하나의 발광 소자(300)가 두 개 이상의 발광 영역을 가질 수 있고, 이에 대응하는 두 개 이상의 스캔 전극을 가질 수도 있음은 물론이다.
도 2는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 예를 나타내고 있다. 즉, 이러한 예는, 기판(100) 상에 단위 화소당 한 쌍의 스캔 전극(233, 234)과 공통의 데이터 전극(241)이 구비되고, 이 한 쌍의 스캔 전극(233, 234)과 데이터 전극(241)에 전기적으로 연결되고, 개별 화소를 구성하는 수직형 반도체 발광 소자(300)를 포함하여 구성된다.
이러한 반도체 발광 소자(300)는 개별 소자가 제 1발광 영역과 제 2발광 영역을 포함하는 발광 영역을 가지며, 각각 제 1발광 영역 및 제 2발광 영역과 연결되는 두 개의 제 1전극(371, 372)이 구비된다. 반도체 발광 소자(300)에 대한 자세한 사항은 후술한다.
도 2에서는 수직형 발광 소자(300)가 한 쌍의 스캔 전극(233, 234)과 데이터 전극(241) 사이에서 결합된 예를 나타내고 있으며, 이러한 두 개의 제 1전극(371, 372)은 한 쌍의 스캔 전극(233, 234)과 각각 연결된다.
또한, 이러한 두 개의 제 1전극(371, 372)과 반대측에 위치하는 전도성 캐리어(350)는 데이터 전극(241)에 연결된다. 여기서 데이터 전극(241)은 투명 전극이 이용될 수 있다.
이러한 스캔 전극(233, 234)과 데이터 전극(241)은 기판(100) 상에 위치하며, 스캔 전극(233, 234)과 제 1전극(371, 372)과의 전기적 연결 및 데이터 전극(241)과 전도성 캐리어(350)와의 전기적 연결은 비등방성 전도성 필름(anistropy conductive film; ACF; 250, 251)에 의하여 이루어질 수 있고, 이는 도 1의 경우와 동일하다.
이때, 두 개의 발광 영역 사이에는 절연 및 소자 보호를 위한 패시베이션층(380)이 구비될 수 있다.
이러한 반도체 발광 소자(300) 상에는 발광 소자(300)에서 발광된 빛의 파장을 변환시킬 수 있는 형광체층(400)이 위치할 수 있다.
여기서, 형광체층(400)은 발광 소자(300)에서 방출되는 청색 광을 각각 적색(R) 광으로 변환하는 형광체 및 녹색(G) 광으로 변환하는 형광체가 구비될 수 있다.
그러나, 경우에 따라, 백색 광을 발광하는 발광 소자(300)와 적색(R) 형광체, 녹색(G) 형광체 및 청색(B) 형광체가 구비될 수도 있음은 물론이다.
또한, 도 1의 경우와 같이, 백색 광이 발광하도록 색을 변환하는 형광체층(400)과 컬러필터(510, 520, 530)가 이용될 수도 있음은 물론이다.
기타 설명되지 않은 부분은 도 1의 경우의 설명이 동일하게 적용될 수 있다.
이와 같은 구조를 가지는 디스플레이 장치를 이용하면 통상의 발광 소자를 이용하는 경우에 비하여 두 배의 계조 표현이 가능하며, 저계조를 가지는 화면의 세부 표현력을 향상시킬 수 있다.
따라서, 그 일례로서, 패시브 매트릭스 구조를 가지는 64 컬러를 표현하는 디스플레이 구조를 이용하여 두 배인 128 컬러의 표현이 가능한 효과가 있다.
이와 같은 패시브 매트릭스(PM) 방식의 디스플레이 장치는, 박막 트랜지스터를 위한 구성이 필요 없으므로, 보다 단순한 구조를 가질 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이, 반도체 발광 소자는 높은 휘도를 낼 수 있으므로, 패시브 매트릭스 방식으로 구동하여도 자연스러운 계조 표시가 가능하며, 이를 위한 최소 휘도를 제공할 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이, 개별 단위 화소를 이루는 반도체 발광 소자(300)는 수평형 구조와 수직형 구조를 가질 수 있다.
도 3은 도 1에서 도시하는 디스플레이 장치의 예에서 이용되는 수평형 구조를 가지는 발광 소자(300)의 예를 나타내고 있다.
이러한 수평형 구조를 가지는 반도체 발광 소자(300)는, 위에서 설명한 바와 같이, 두 개의 발광 영역(A, B)을 가질 수 있다.
즉, 성장 기판(340) 상에 n-형 반도체층(311), 활성층(312) 및 p-형 반도체층(313)으로 이루어지는 반도체층(310)이 위치하고, 이러한 p-형 반도체층(313) 상에는 투명 전극(323)이 구비될 수 있다(도 1에서는 이 투명 전극(323)이 생략되어 있다.).
이때, 성장 기판(340)은 사파이어 기판이 이용될 수 있다. 그러나, 이러한 사파이어 기판이 이외의 다양한 물질의 투명 유전체 물질이 이용될 수 있음은 물론이다.
그리고, 이 투명 전극(323) 상에는 각 영역(A, B)에 대응되는 p-형 전극(321, 322)이 위치하고, 이 p-형 전극(321, 322)은 스캔 전극(231, 232)과 ACF(251)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있는 것이다.
또한, 위에서 언급한 바와 같이, 플립칩 본딩된 수평형 발광 소자(300)의 반사율 향상을 위하여 제 1전극(321, 322) 및 제 2전극(330) 중 적어도 어느 하나의 면적은 상대적으로 더 증가할 수 있다.
이와 같이, 두 개의 영역(A, B)으로 나누어지는 수평형 발광 소자는 제 1전극(321, 322)과 제 2전극(330) 사이의 거리가 상대적으로 짧아지므로, 두 전극 사이에서 한정된 전류 채널을 가지게 되는 수평형 소자의 단점이 극복될 수 있다.
한편, 도 4와 같은 수직형 발광 소자가 이용될 수도 있다. 즉, 수직형 발광 소자는, 위에서 설명한 바와 같이, 두 개의 발광 영역(A, B)을 가질 수 있다.
즉, 하나의 전도성 캐리어(350) 상에 두 개로 구분된 발광 영역을 가진다. 각 영역에서는 제 2전극(360)이 구비되고, 이 제 2전극(360) 상에 n-형 반도체층(311), 활성층(312), 및 p-형 반도체층(313)을 포함하는 반도체층(310)이 위치한다. 그리고 두 개의 제 1전극(371, 372)가 구비된다.
여기서, n-형 반도체층(311)과 p-형 반도체층(313)의 위치는 서로 바뀌어 위치할 수도 있다. 즉, 제 2전극(360) 바로 위쪽에 n-형 반도체층(311)이 위치할 수도 있다.
또한, 위에서 언급한 바와 같이, 두 영역(A, B) 사이에는 패시베이션층(도 2 참고)이 위치할 수 있다.
도 5 내지 도 8에서는 두 개의 발광 영역을 가지는 발광 소자의 다양한 구조의 예를 나타내고 있다.
도 5는 도 3에서 설명한 구조를 나타내고 있다. 즉, 기판(340) 상에 두 영역으로 나누어지는 반도체층(310)이 위치하고, 이 영역 사이에 제 2전극(330)이 위치한다. 도 6은 발광 영역이 길이 방향으로 길게 구획된 것이 다르다.
또한, 반도체층(310) 상에는 투명 전극(323)과 두 개의 제 1전극(321, 322)이 위치하고 있음을 알 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이, 이러한 두 영역을 모두 발광시키거나 둘 중 하나의 영역만을 발광시킴으로써 디스플레이의 계조 및 색상 표현력을 효율적으로 확장시킬 수 있다.
도 7은 도 5에서 도시하는 구조와 유사하나, 발광 영역이 완전히 나누어져 구획되지 않고 제 2전극(330)의 단부측에서 서로 연결된 상태를 나타내고 있다.
그러나 이러한 구조에 있어서, 실제 발광되는 구역은 서로 구분되어 표현될 수 있다.
도 8에서는 반도체층(310)이 중앙측에 대부분 위치하고, 이 반도체층(310) 상에 제 2전극(330)이 위치하며, 반도체층(310)의 양 단부측에 제 1전극(321, 322)이 서로 이격되어 위치하는 구조를 나타내고 있다.
이러한 경우에도 실질적인 발광은 제 2전극(330)의 양측으로 서로 구분되어 일어날 수 있다. 따라서, 도 5 내지 도 7에서 도시하는 구조와 실질적으로 동일한 발광이 일어날 수 있다.
한편, 도 9 및 도 10에서 도시하는 바와 같이, 경우에 따라, 발광 소자의 두 영역(A, B)의 면적을 서로 다르게 구성할 수도 있다.
따라서, 서로 다른 점등 면적을 가질 수 있으며, 이러한 발광 소자를 이용하는 경우에는, 경우에 따라 더 높은 표현력을 구현할 수 있다.
기타 설명되지 않은 부분은 도 3 및 도 4의 경우와 동일한 사항이 적용될 수 있다.
도 11은 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 패시브 매트릭스(PM) 방식의 디스플레이의 발광 소자 배열 및 그 구동을 나타내는 개략도이다.
도시하는 바와 같이, 각 발광 소자에서 하나의 데이터(data) 전극에 대하여 두 개의 스캔 전극(scan 1, scan 2)이 연결되어 구동될 수 있으므로 외부 스위칭 기능에 의하여 계조 표현을 두 배로 향상시키는 것이 가능하다.
이러한 발광 소자의 배열은 디스플레이의 일부를 표시한 것이다. 여기서, 첫 번째, 두 번째, 및 네 번째 스캔 라인은 scan 1 전극만이 연결되어 발광 소자의 한 영역만 구동되는 상태이다.
반면, 세 번째 및 다섯 번째 스캔 라인은 scan 1 및 scan 2 전극이 모두 연결되어 발광 소자의 두 영역이 모두 구동되는 상태를 나타내고 있다.
따라서, 이와 같은 구동을 통하여 계조의 표현을 두 배로 향상시킬 수 있는 것이다.
한편, 도 12에서 도시하는 바와 같이, 스캔 전극(231, 232)은 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT; 200)와 연결되어, 액티브 매트릭스(active matrix; AM) 형태의 디스플레이를 구현할 수도 있다.
즉, 박막 트랜지스터(200)는, 소스 영역(201) 및 드레인 영역(203), 그리고 채널 영역(204)을 가지며, 채널 영역(204) 상에는 게이트 전극(202)이 위치하게 된다.
이때, 소스 영역(201)은 화소 전극(230)과 전기적으로 연결되어, 이러한 박막 트랜지스터(200)의 구동에 의하여 발광될 화소 및 이 화소의 색상을 능동적으로 구동할 수 있는 것이다.
이러한 박막 트랜지스터(200)는 층간 절연막(220)에 의하여 피복될 수 있고, 이러한 층간 절연막(220)은, 그 위에 스캔 전극(231, 232)과 데이터 전극(240)을 포함하는 디스플레이를 위한 요소들이 구성될 수 있도록 평탄화된 면을 제공할 수 있다.
이때, 소스 영역(201)과 스캔 전극(231, 232)은 층간 절연막(220)을 관통하는 관통 전극(210)에 의하여 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 하나의 두 개의 스캔 전극(231, 232)에 연결되는 두 개의 박막 트랜지스터(200)가 하나의 발광 소자에 대응하여 위치할 수 있다.
따라서, 발광 소자의 두 발광 영역에 의한 발광을 독립적으로 능동적으로 제어할 수 있는 것이다.
위에서 설명한 바와 같이, 작은 크기의 반도체 발광 소자(300)로 충분한 밝기를 가지는 단위 화소를 구성할 수 있으며, 따라서, 반도체 발광 소자(300) 사이의 거리는 상대적으로 크다.
따라서, 개별 박막 트랜지스터(200) 사이의 간격도 클 수 있으며, 이 간격에는 층간 절연막(220)이 차지하는 부분이다. 이와 같이, 개별 화소 사이의 거리가 크므로, 개별 박막 트랜지스터(200)와 발광 소자(300) 및 그 외의 구성 요소가 휘어짐에 대하여 대항력이 큰 특성을 가지며, 따라서 휘어질 수 있는 디스플레이(flexible display) 장치에 이용될 수 있는 특성을 가질 수 있다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시 예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
100: 기판 200: 박막 트랜지스터
210: 관통 전극 231, 232: 스캔 전극
240: 데이터 전극 250, 251: ACF
260: 격벽 300: 반도체 발광 소자
400: 형광체층 500: 컬러 필터
210: 관통 전극 231, 232: 스캔 전극
240: 데이터 전극 250, 251: ACF
260: 격벽 300: 반도체 발광 소자
400: 형광체층 500: 컬러 필터
Claims (12)
- 반도체 발광 소자를 이용하는 디스플레이 장치에 있어서,
단위 화소를 구성하는 것으로서, 제 1발광 영역과 제 2발광 영역을 가지며, 각각 상기 제 1발광 영역 및 제 2발광 영역과 연결되는 두 개의 제 1전극과, 상기 제 1발광 영역과 제 2발광 영역에 공통되는 제 2전극을 구비하는 반도체 발광 소자;
상기 반도체 발광 소자의 두 개의 제 1전극이 각각 연결되도록 단위 화소당 한 쌍이 구비되는 스캔 전극,
상기 반도체 발광 소자의 제 2전극과 연결되는 데이터 전극; 및
상기 반도체 발광 소자 상에 위치하는 형광체층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치. - 제 1항에 있어서, 상기 스캔 전극과 반도체 발광 소자의 제 1전극 및 상기 데이터 전극과 반도체 발광 소자의 제 2전극 중 적어도 어느 하나를 전기적으로 연결하는 비등방성 전도성 필름(ACF)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 반도체 발광 소자는, 상기 스캔 전극과 데이터 전극에 플립칩 본딩된 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 2전극은, 상기 두 개의 제 1전극 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 데이터 전극은, 상기 반도체 발광 소자에 대하여, 상기 스캔 전극의 반대측에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.
- 제 5항에 있어서, 상기 반도체 발광 소자는, 상기 스캔 전극과 데이터 전극 사이에 결합되는 수직형 발광 소자인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 개별 반도체 발광 소자 사이에는, 격벽을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 반도체 발광 소자는, 청색 발광 소자이고, 상기 형광체층은, 황색 형광체층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.
- 제 8항에 있어서, 상기 황색 형광체층 상에는 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 반도체 발광 소자는, 청색 발광 소자이고, 상기 형광체층은, 개별 화소를 구성하는 적색 형광체 및 녹색 형광체인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.
- 반도체 발광 소자를 이용하는 디스플레이 장치에 있어서,
기판 상에 위치하고, 소스 및 드레인 영역, 상기 소스 및 드레인 영역 사이에 게이트 전극을 포함하고, 단위 화소당 한 쌍이 구비되는 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터를 피복하도록 상기 기판 상에 위치하는 층간 절연막;
단위 화소를 구성하며, 제 1발광 영역과 제 2발광 영역을 가지며, 각각 상기 제 1발광 영역 및 제 2발광 영역과 연결되는 두 개의 제 1전극과, 상기 제 1발광 영역과 제 2발광 영역에 공통되는 제 2전극을 구비하는 반도체 발광 소자;
상기 한 쌍의 소스 영역과 두 개의 제 1전극 사이에서 전기적으로 연결되도록 단위 화소당 한 쌍이 구비되는 스캔 전극;
상기 반도체 발광 소자의 제 2전극이 연결되는 데이터 전극; 및
상기 반도체 발광 소자 상에 위치하는 형광체층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치. - 제 11항에 있어서, 상기 스캔 전극과 반도체 발광 소자의 제 1전극 및 상기 데이터 전극과 반도체 발광 소자의 제 2전극 중 적어도 어느 하나를 전기적으로 연결하는 비등방성 전도성 필름(ACF)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120153304A KR20140083488A (ko) | 2012-12-26 | 2012-12-26 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120153304A KR20140083488A (ko) | 2012-12-26 | 2012-12-26 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140083488A true KR20140083488A (ko) | 2014-07-04 |
Family
ID=51733916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120153304A KR20140083488A (ko) | 2012-12-26 | 2012-12-26 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20140083488A (ko) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170023533A (ko) * | 2015-08-24 | 2017-03-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| KR20170064775A (ko) * | 2015-12-02 | 2017-06-12 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR20170095418A (ko) * | 2016-02-12 | 2017-08-23 | 삼성전자주식회사 | 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치 |
| WO2017160119A1 (ko) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 및 이를 포함하는 표시장치 |
| KR20170108623A (ko) * | 2016-03-18 | 2017-09-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 포함하는 표시장치 |
| KR20170116296A (ko) * | 2016-04-08 | 2017-10-19 | 삼성전자주식회사 | 발광 다이오드 모듈 및 이를 구비한 디스플레이 패널 |
| KR20180030455A (ko) * | 2016-09-15 | 2018-03-23 | 일룩스 아이엔씨. | 표면 실장 발광 소자를 구비하는 디스플레이 |
| KR20190014430A (ko) * | 2017-08-02 | 2019-02-12 | 서울반도체 주식회사 | 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그의 제조 장치 |
| KR20200007558A (ko) * | 2018-07-13 | 2020-01-22 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자, 발광 소자의 제조 방법 및 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치 |
| KR20200007739A (ko) * | 2018-07-13 | 2020-01-22 | 나노마테리얼 레버러토리 코., 엘티디. | 발광소자의 제조방법 및 발광소자 |
| CN112119445A (zh) * | 2018-05-17 | 2020-12-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
| JP2021511528A (ja) * | 2017-11-08 | 2021-05-06 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 複数のピクセルを含むディスプレイ用発光ダイオードユニット及びそれを有する表示装置 |
-
2012
- 2012-12-26 KR KR1020120153304A patent/KR20140083488A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170023533A (ko) * | 2015-08-24 | 2017-03-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| KR20170064775A (ko) * | 2015-12-02 | 2017-06-12 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR20170095418A (ko) * | 2016-02-12 | 2017-08-23 | 삼성전자주식회사 | 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치 |
| CN109417082A (zh) * | 2016-03-18 | 2019-03-01 | Lg伊诺特有限公司 | 半导体器件以及包括半导体器件的显示装置 |
| KR20170108623A (ko) * | 2016-03-18 | 2017-09-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 포함하는 표시장치 |
| WO2017160119A1 (ko) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 및 이를 포함하는 표시장치 |
| US11239394B2 (en) | 2016-03-18 | 2022-02-01 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the same |
| KR20170116296A (ko) * | 2016-04-08 | 2017-10-19 | 삼성전자주식회사 | 발광 다이오드 모듈 및 이를 구비한 디스플레이 패널 |
| KR20180030455A (ko) * | 2016-09-15 | 2018-03-23 | 일룩스 아이엔씨. | 표면 실장 발광 소자를 구비하는 디스플레이 |
| KR20190014430A (ko) * | 2017-08-02 | 2019-02-12 | 서울반도체 주식회사 | 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그의 제조 장치 |
| JP2021511528A (ja) * | 2017-11-08 | 2021-05-06 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 複数のピクセルを含むディスプレイ用発光ダイオードユニット及びそれを有する表示装置 |
| US11764253B2 (en) | 2017-11-08 | 2023-09-19 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light-emitting diode unit for display comprising plurality of pixels and display device having same |
| CN112119445A (zh) * | 2018-05-17 | 2020-12-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
| US20210118855A1 (en) * | 2018-05-17 | 2021-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| KR20200007558A (ko) * | 2018-07-13 | 2020-01-22 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자, 발광 소자의 제조 방법 및 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치 |
| KR20200007739A (ko) * | 2018-07-13 | 2020-01-22 | 나노마테리얼 레버러토리 코., 엘티디. | 발광소자의 제조방법 및 발광소자 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101476207B1 (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 | |
| KR20140083488A (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 | |
| JP7209051B2 (ja) | ディスプレイ装置 | |
| EP3439042B1 (en) | Display device and manufacturing method therefor | |
| US11764253B2 (en) | Light-emitting diode unit for display comprising plurality of pixels and display device having same | |
| KR101452768B1 (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 | |
| US10615313B2 (en) | Display device | |
| US10096750B2 (en) | Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing | |
| CN107393940B (zh) | Led显示设备及其制造方法 | |
| KR101476686B1 (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 | |
| US20180012949A1 (en) | Display apparatus | |
| KR102039838B1 (ko) | 마이크로 ｌｅｄ 디스플레이 화소 조립체 및 이의 제조방법 | |
| KR102145207B1 (ko) | 발광장치, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치 | |
| KR20180133192A (ko) | 디스플레이 장치 | |
| TW201301365A (zh) | 有機發光顯示裝置 | |
| KR20210102842A (ko) | 디스플레이 장치 | |
| US10276632B2 (en) | Display device using semiconductor light-emitting diodes, and manufacturing method therefor | |
| US10644205B2 (en) | Light-emitting diode package and method of manufacturing the same | |
| TWI640075B (zh) | 像素發光裝置 | |
| US20210384254A1 (en) | Full-Color Display Module with Ultra-Wide Color Gamut | |
| TW201824530A (zh) | 顯示裝置 | |
| CN115458549A (zh) | 一种实现全彩色发光二极管显示装置 | |
| CN112670324A (zh) | 一种发光二极管显示装置的器件结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |