DE102022127714A1 - Organische Leuchtdiodenanzeige - Google Patents

Organische Leuchtdiodenanzeige Download PDF

Info

Publication number
DE102022127714A1
DE102022127714A1 DE102022127714.3A DE102022127714A DE102022127714A1 DE 102022127714 A1 DE102022127714 A1 DE 102022127714A1 DE 102022127714 A DE102022127714 A DE 102022127714A DE 102022127714 A1 DE102022127714 A1 DE 102022127714A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
emitting diode
layer
light emitting
organic light
diode display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102022127714.3A
Other languages
English (en)
Inventor
Se-Jong Seong
Se-Hong Park
Seung-Kyeom KIM
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of DE102022127714A1 publication Critical patent/DE102022127714A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/331Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]

Abstract

Eine organische Leuchtdiodenanzeige umfasst: ein Substrat, das mehrere Unterpixel aufweist, die jeweils einen Emissionsbereich und einen Nichtemissionsbereich aufweisen; einen Dünnschichttransistor, der sich in dem Nichtemissionsbereich befindet; eine Passivierungsschicht, die auf dem Substrat so angeordnet ist, dass sie den Dünnschichttransistor bedeckt, und auf einer ihrer Oberflächen zufällige Nanomuster aufweist; eine erste Überzugsschicht, die auf der Passivierungsschicht angeordnet ist, einen ersten Brechungsindex aufweist und auf einer ihrer Oberflächen mehrere Mikrolinsen aufweist; eine zweite Überzugsschicht, die auf der ersten Überzugsschicht angeordnet ist und einen zweiten Brechungsindex aufweist, der höher als der erste Brechungsindex ist, wobei eine Oberfläche der zweiten Überzugsschicht flach ist; und eine Leuchtdiode, die sich auf der zweiten Überzugsschicht befindet.

Description

  • Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2021-0142650 , die am 25. Oktober 2021 eingereicht wurde.
  • Hintergrund
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Leuchtdiodenanzeige und insbesondere auf eine Leuchtdiodenanzeige, die den Wirkungsgrad der Lichtextraktion erhöht.
  • Erörterung des Standes der Technik
  • Da die Gesellschaft in jüngster Zeit in ein vollentwickeltes Informationszeitalter eingetreten ist, ist das Interesse an Informationsanzeigen gestiegen, die eine große Menge an Informationen verarbeiten und anzeigen, und da die Nachfrage nach der Verwendung tragbarer Informationsmedien gestiegen ist, wurden verschiedene leichte, dünne und flache Anzeigen entwickelt und standen im Rampenlicht.
  • Unter den verschiedenen flachen Anzeigen geht in einer organischen Leuchtdiodenanzeigevorrichtung ein erheblicher Anteil des von einer organischen lichtemittierenden Schicht emittierten Lichts beim Durchgang durch verschiedene Komponenten der organischen Leuchtdiodenanzeige und der Emission nach außen verloren. Das nach außen aus der organischen Leuchtdiodenanzeige emittierte Licht macht nur etwa 20 % des in der organischen Leuchtdiodenschicht erzeugten Lichts aus.
  • Da eine von der organischen lichtemittierenden Schicht emittierte Lichtmenge zusammen mit einer an die organische Leuchtdiodenanzeige angelegten Stromstärke steigt, ist es möglich, eine Leuchtdichte der organischen Leuchtdiodenanzeige durch Anlegen von mehr Strom an die organische Leuchtdiodenanzeige zu erhöhen. Dies erhöht jedoch die Leistungsaufnahme und reduziert auch die Lebensdauer der organischen Leuchtdiodenanzeige.
  • Dementsprechend wurde kürzlich, um einen Wirkungsgrad der Lichtextraktion der organischen Leuchtdiodenanzeige zu verbessern, ein Verfahren zum Anbringen einer Mikrolinsenanordnung (MLA) an einer Außenseite eines Substrats der organischen Leuchtdiodenanzeige oder Bilden einer Mikrolinse an einer Überzugsschicht der organischen Leuchtdiodenanzeige vorgeschlagen.
  • Zusammenfassung
  • Dementsprechend ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Leuchtdiodenanzeige zu schaffen, die eines oder mehrere der Probleme aufgrund von Beschränkungen und Nachteilen des Standes der Technik im Wesentlichen vermeidet.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Leuchtdiodenanzeige zu schaffen, die Licht, das innerhalb eines Elements eingefangen wird, nach außen extrahieren kann, selbst wenn eine Mikrolinsenanordnung an einer Außenseite eines Substrats eingeführt ist oder eine Mikrolinse innerhalb der Anzeige ausgebildet ist, und somit einen Wirkungsgrad der Lichtextraktion verbessern und eine Lebensdauer erhöhen kann.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Leuchtdiodenanzeige zu schaffen, die das Auftreten einer Regenbogen-Unregelmäßigkeit (oder eines Regenbogenflecks), die die Sichtbarkeit verringern und eine Augenermüdung verursachen kann, verhindern kann.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Leuchtdiodenanzeige zu schaffen, die ein Kontrastverhältnis verbessern kann, indem eine Verringerung der Sichtbarkeit einer schwarzen Farbe aufgrund eines hohen Reflexionsgrads verhindert wird.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Leuchtdiodenanzeige zu schaffen, die ein Bild mit ausgezeichneter Farbempfindlichkeit verwirklichen kann.
  • Eine oder mehrere dieser Aufgaben werden durch die Merkmale des unabhängigen Anspruchs gelöst. Zusätzliche Merkmale und Vorteile der Offenbarung werden in der folgenden Beschreibung dargelegt und gehen teilweise aus der Beschreibung hervor oder können durch praktische Anwendung der Offenbarung erlernt werden. Diese und andere Vorteile der Offenbarung werden durch die Struktur verwirklicht und erzielt, die insbesondere in der schriftlichen Beschreibung und den Ansprüchen hiervon sowie den beigefügten Zeichnungen aufgezeigt wird.
  • Gemäß einem Aspekt umfasst eine organische Leuchtdiodenanzeige: ein Substrat, das mehrere Unterpixel aufweist, die jeweils einen Emissionsbereich und einen Nichtemissionsbereich aufweisen; einen Dünnschichttransistor, der sich in dem Nichtemissionsbereich befindet; eine Passivierungsschicht, die auf dem Substrat so angeordnet ist, dass sie den Dünnschichttransistor bedeckt, und die auf einer ihrer Oberflächen zufällige Nanomuster aufweist; eine erste Überzugsschicht, die auf der Passivierungsschicht angeordnet ist, einen ersten Brechungsindex aufweist und auf einer ihrer Oberflächen mehrere Mikrolinsen aufweist; eine zweite Überzugsschicht, die auf der ersten Überzugsschicht angeordnet ist und einen zweiten Brechungsindex aufweist, der höher als der erste Brechungsindex ist, wobei eine Oberfläche der zweiten Überzugsschicht flach ist; und eine Leuchtdiode, die sich auf der zweiten Überzugsschicht befindet.
  • Die Mikrolinsen können auf oder in der Oberfläche der ersten Überzugsschicht, z. B. der der Leuchtdiode zugewandten Fläche, ausgebildet sein.
  • Die zufälligen Nanomuster können in oder auf der Oberfläche der Passivierungsschicht, z. B. der Oberfläche, die der ersten Überzugsschicht und/oder der Leuchtdiode zugewandt ist, ausgebildet sein. Die zufälligen Nanomuster können eine unregelmäßig angeordnete konkav-konvexe Form haben und/oder können eine Größe und/oder eine Teilung eines Wellenlängenbandes von sichtbarem Licht oder weniger haben. Die konkav-konvexe Form kann abwechselnd angeordnete konkave Formen und konvexe Formen umfassen. Beispielsweise kann der Abstand zwischen benachbarten konkaven Formen und/oder benachbarten konvexen Formen einer Wellenlänge von sichtbarem Licht entsprechen, z. B. im Bereich von 400 nm bis 700 nm liegen. Alternativ oder zusätzlich kann die Größe der konkaven Formen und/oder der konvexen Formen einer Wellenlänge von sichtbarem Licht entsprechen, z. B. im Bereich von 400 nm bis 700 nm liegen.
  • Eine Größe des zufälligen Nanomusters kann kleiner sein als die der Mikrolinse. Das heißt, die Mikrolinse kann eine Größe von mehr als 700 nm, vorzugsweise mehr als 1 µm haben.
  • Die Größe des zufälligen Nanomusters kann mehrere Nanometer betragen und/oder die Größe der Mikrolinse kann mehrere Mikrometer betragen.
  • Die zufälligen Nanomuster können unregelmäßig, d. h. zufällig, angeordnet sein und/oder die Mikrolinsen können einen konkaven Abschnitt und einen regelmäßig angeordneten konvexen Abschnitt aufweisen.
  • Der erste Brechungsindex kann 1,43 bis 1,57 betragen und/oder der zweite Brechungsindex kann 1,57 bis 1,8 betragen.
  • Eine Differenz zwischen dem ersten Brechungsindex und dem zweiten Brechungsindex kann 0,2 oder mehr betragen.
  • Eine Anode der Leuchtdiode kann einen Brechungsindex von 1,7 bis 1,8 aufweisen und/oder der Brechungsindex der Anode kann ähnlich oder gleich dem zweiten Brechungsindex sein. Der Brechungsindex der Anode kann im Bereich von 0,9 bis 1,0 des zweiten Brechungsindex liegen. Die Anode kann mit dem Dünnschichttransistor verbunden und/oder auf der zweiten Überzugsschicht angeordnet sein.
  • Die Passivierungsschicht kann einen Brechungsindex von 1,4 bis 1,5 aufweisen und/oder der Brechungsindex der Passivierungsschicht kann ähnlich oder gleich dem ersten Brechungsindex sein. Der Brechungsindex der Passivierungsschicht kann im Bereich von 0,9 bis 1,0 des ersten Brechungsindex liegen.
  • Die zufälligen Nanomuster können so angeordnet sein, dass sie dem Emissionsbereich entsprechen.
  • Die organische Leuchtdiodenanzeige kann ferner eine Wellenlängenumwandlungsschicht aufweisen, die sich zwischen den zufälligen Nanomustern und den Mikrolinsen befindet. Die Wellenlängenumwandlungsschicht kann auf den zufälligen Nanomustern angeordnet sein.
  • Ein Lichtextraktionsbereich, in dem ein von der Leuchtdiode emittiertes Licht ausgegeben wird, kann breiter sein als der Emissionsbereich.
  • Die zufälligen Nanomuster können so angeordnet sein, dass sie dem Emissionsbereich entsprechen, und/oder die Mikrolinsen können so angeordnet sein, dass sie dem Unterpixel entsprechen. Das heißt, die zufälligen Nanomuster sind möglicherweise nur innerhalb des Emissionsbereichs der Unterpixel angeordnet.
  • Die erste und die zweite Überzugsschicht können eine Nut aufweisen. Die Nut kann die Passivierungsschicht freilegen und/oder an einer Grenze zwischen dem Emissionsbereich und einem Abschnitt des Nichtemissionsbereichs angeordnet sein, der einen Schaltbereich aufweist, in dem sich der Dünnschichttransistor befindet.
  • Die Passivierungsschicht und die erste und die zweite Überzugsschicht können ein Drain-Kontaktloch aufweisen, das an der Nut bereitgestellt ist und eine Drain-Elektrode des Dünnschichttransistors freilegt.
  • Die Nut und/oder das Drain-Kontaktloch können eine geneigte Oberfläche aufweisen, die von dem Nichtemissionsbereich zu dem Emissionsbereich hin geneigt ist. Auf der geneigten Oberfläche kann sich eine reflektierende Schicht befinden. Die reflektierende Schicht kann zwischen der geneigten Oberfläche und einer Elektrode, z. B. der Anode, der Leuchtdiode, die mit der Drain-Elektrode des Dünnschichttransistors verbunden ist, angeordnet sein. Das heißt, die reflektierende Schicht kann auf der geneigten Oberfläche zwischen einer Elektrode, z. B. der Anode, der Leuchtdiode, die mit der Drain-Elektrode des Dünnschichttransistors verbunden ist, und mindestens einer der ersten Überzugsschicht, der zweiten Überzugsschicht und der Passivierungsschicht angeordnet sein. Alternativ kann die reflektierende Schicht auf der Elektrode, z. B. der Anode, der Leuchtdiode, die auf der geneigten Oberfläche angeordnet ist, angeordnet sein und/oder mindestens einen Teil des Drain-Kontaktlochs füllen.
  • Ein Rand der Nut in Richtung des Schaltbereichs und der andere Rand der Nut in Richtung des Emissionsbereichs können asymmetrisch zueinander sein.
  • Eine Steigung des einen Rands der Nut kann größer sein als eine Steigung des anderen Rands der Nut.
  • Die zufälligen Nanomuster können so ausgebildet sein, dass sie dem Nichtemissionsbereich, in dem die reflektierende Schicht bereitgestellt ist, und dem Emissionsbereich entsprechen. Die zufälligen Nanomuster können auf der gesamten Oberfläche der Passivierungsschicht ausgebildet sein.
  • Ein Lichtextraktionsbereich, in dem ein von der Leuchtdiode emittiertes Licht ausgegeben wird, kann den Emissionsbereich und/oder den Nichtemissionsbereich, in dem die reflektierende Schicht bereitgestellt ist, aufweisen. Das heißt, der Lichtextraktionsbereich kann als ein Bereich der Anzeigetafel definiert sein, der lichtemittiert. Der Emissionsbereich kann als der Bereich, in dem die Leuchtdiode lichtemittiert, d. h. der Bereich, in dem die Anode, die Emissionsschicht und die Kathode der Leuchtdiode miteinander in Kontakt stehen, definiert sein.
  • Die Leuchtdiode kann umfassen: eine Anode, die auf der zweiten Überzugsschicht angeordnet und mit dem Dünnschichttransistor verbunden ist; eine organische lichtemittierende Schicht auf der Anode; und eine Kathode auf der organischen lichtemittierenden Schicht.
  • Es versteht sich, dass sowohl die vorstehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende genaue Beschreibung beispielhaft und erläuternd sind und eine weitere Erläuterung der beanspruchten Offenbarung liefern sollen.
  • Figurenliste
  • Die beigefügten Zeichnungen, die enthalten sind, um ein besseres Verständnis der Offenbarung bereitzustellen, und die in diese Anmeldung aufgenommen sind und einen Teil davon bilden, veranschaulichen Ausführungsformen der Offenbarung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, das Prinzip der Offenbarung zu erläutern; es zeigen:
    • 1 eine Draufsicht, die eine Struktur eines Einheitspixels mit vier Unterpixeln in einer organischen Leuchtdiodenanzeige gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
    • 2 eine Querschnittsansicht entlang einer Linie II-II' in 1, die eine Struktur eines Einheitspixels mit vier Unterpixeln einer organischen Leuchtdiodenanzeige gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
    • 3 und 4 vergrößerte Querschnittsansichten entlang der Linien III-III' und IV-IV' in 1, die jeweils eine Struktur eines Unterpixels gemäß der vorliegenden Erfindung darstellen;
    • 5A eine Fotografie einer Regenbogen-Unregelmäßigkeit einer herkömmlichen organischen Leuchtdiodenanzeige;
    • 5B und 5C Ergebnisse der Simulation des Reflexionsvermögens aufgrund einer Regenbogen-Unregelmäßigkeit.
    • 6A eine vergrößerte Ansicht eines in 2 gezeigten Abschnitts A zur Veranschaulichung eines Lichtwegs eines weißen Unterpixels;
    • 6B eine vergrößerte Ansicht eines in 2 gezeigten Abschnitts B zur Veranschaulichung eines Lichtwegs eines grünen Unterpixels;
    • 7A und 7B vergrößerte Fotografien einer Anordnung zufälliger Nanomuster;
    • 8A bis 8D Graphen, die Leuchtdichte-Betrachtungswinkel je nach Vorhandensein oder Fehlen von zufälligen Nanomustern in einer Passivierungsschicht messen;
    • 9 eine vergrößerte Fotografie einer Mikrolinse;
    • 10 ein Simulationsergebnis der Messung einer Wirkungsgradverbesserungsrate aufgrund einer Differenz im Brechungsindex zwischen einer ersten und einer zweiten Überzugsschicht;
    • 11 eine Draufsicht, die eine Struktur eines Einheitspixels mit vier Unterpixeln in einer organischen Leuchtdiodenanzeige gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
    • 12 eine Querschnittsansicht entlang einer Linie XII-XII' in 11, die ein Unterpixel einer organischen Leuchtdiodenanzeige gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
    • 13 eine Querschnittsansicht entlang einer Linie XIII-XIII' in 11; und
    • 14 eine Querschnittsansicht eines Unterpixels einer organischen Leuchtdiodenanzeige entlang einer Linie XIV -XIV' in 11 gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Genaue Beschreibung der veranschaulichten Ausführungsformen
  • Nachfolgend wird eine Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert.
  • 1 ist eine Draufsicht, die eine Struktur eines Einheitspixels mit vier Unterpixeln in einer organischen Leuchtdiodenanzeige gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • 2 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie II-II' in 1, die eine Struktur eines Einheitspixels mit vier Unterpixeln einer organischen Leuchtdiodenanzeige gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • 3 und 4 sind vergrößerte Querschnittsansichten entlang der Linien III-III' und IV-IV' in 1, die jeweils eine Struktur eines Unterpixels gemäß der vorliegenden Erfindung darstellen. 5A ist eine Fotografie einer Regenbogen-Unregelmäßigkeit einer herkömmlichen organischen Leuchtdiodenanzeige und 5B und 5C sind Ergebnisse der Simulation des Reflexionsvermögens aufgrund einer Regenbogen-Unregelmäßigkeit.
  • Die organische Leuchtdiodenanzeige 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird gemäß einer Durchlassrichtung eines emittierten Lichts in einen Typ mit Emission nach oben und einen Typ mit Emission nach unten kategorisiert. Nachfolgend wird in der vorliegenden Erfindung der Typ mit Emission nach unten als ein Beispiel beschrieben.
  • Wie es in 1 gezeigt ist, kann in der organischen Leuchtdiodenanzeige 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Einheitspixel P ein rotes, weißes, grünes und blaues Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP, B-SP umfassen, jedes der Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP und B-SP kann einen Emissionsbereich EA aufweisen und eine Bank 119 kann entlang eines Rands jedes Emissionsbereichs EA angeordnet sein, um einen Nichtemissionsbereich NEA zu bilden.
  • Hier sind zur Erleichterung der Erläuterung die Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP und B-SP so dargestellt, als seien sie Seite an Seite mit der gleichen Breite positioniert, aber die Unterpixel R-SP , W-SP, G-SP und B-SP können verschiedene Strukturen mit unterschiedlichen Breiten haben.
  • Dabei können ein Schalt-Dünnschichttransistor STr und ein Ansteuer-Dünnschichttransistor DTr auf dem Nichtemissionsbereich NEA jedes der Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP und B-SP angeordnet sein und eine Leuchtdiode E mit einer Anode 111, einer organischen lichtemittierenden Schicht 113 und einer Kathode 115 kann auf dem Lichtemissionsbereich EA in jedem der Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP und B-SP angeordnet sein.
  • Hier können der Schalt-Dünnschichttransistor STr und der Ansteuer-Dünnschichttransistor DTr miteinander verbunden sein und der Ansteuer-Dünnschichttransistor DTr kann mit der Leuchtdiode E verbunden sein.
  • Genauer können mehrere Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP und B-SP auf dem Substrat 101 definiert sein und jedes der Unterpixel R-SP, W-SP , G-SP und B-SP kann durch eine sich kreuzende Struktur von Gate-Leitungen SL, Datenleitungen DL und Leistungsleitungen VDD definiert sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Der Schalt-Dünnschichttransistor STr kann an dem Kreuzungspunkt der Gate-Leitung SL und der Datenleitung DL ausgebildet sein und der Schalt-Dünnschichttransistor STr kann dazu dienen, sein Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP oder B-SP auszuwählen.
  • Der Schalt-Dünnschichttransistor STr kann eine Gate-Elektrode SG, die von der Gate-Leitung SL abzweigt, eine (nicht gezeigte) Halbleiterschicht, eine Source-Elektrode SS und eine Drain-Elektrode SD aufweisen.
  • Der Ansteuer-Dünnschichttransistor DTr kann dazu dienen, die Leuchtdiode E des Unterpixels R-SP, W-SP, G-SP oder B-SP anzusteuern, das durch den Schalt-Dünnschichttransistor STr ausgewählt wird. Der Ansteuer-Dünnschichttransistor DTr kann eine Gate-Elektrode DG, die mit der Drain-Elektrode SD des Schalt-Dünnschichttransistors STr verbunden ist, eine Halbleiterschicht 103, eine Source-Elektrode DS, die mit der Leistungsleitung VDD verbunden ist, und eine Drain-Elektrode DD aufweisen.
  • Die Drain-Elektrode DD des Ansteuer-Dünnschichttransistors DTr kann mit der Anode 111 der Leuchtdiode E durch ein Drain-Kontaktloch PH verbunden sein und die organische lichtemittierende Schicht 113 kann zwischen der Anode 111 und der Kathode 115 angeordnet sein.
  • Unter Bezugnahme auf 2 und 3 kann die Halbleiterschicht 103 auf einem Schaltbereich TrA jedes der Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP und B-SP auf dem Substrat 101 angeordnet sein. Die Halbleiterschicht 103 kann aus Silicium hergestellt sein und kann einen aktiven Bereich 103a , der einen Kanal bildet, an einem mittleren Abschnitt davon und einen Source- und Drain-Bereich 103b und 103c, die mit hohen Konzentrationen von Fremdstoffen dotiert sind, an beiden Seiten des aktiven Bereichs 103a aufweisen.
  • Eine Gate-Isolierschicht 105 kann auf der Halbleiterschicht 103 positioniert sein.
  • Die Gate-Elektrode DG, die dem aktiven Bereich 103a der Halbleiterschicht 103 entspricht, und die sich in einer Richtung erstreckende Gate-Leitung SL können sich auf der Gate-Isolierschicht 105 befinden.
  • Zusätzlich kann eine Zwischenschicht-Isolierschicht 106 auf der Gate-Elektrode DG und der Gate-Leitung SL positioniert sein. In diesem Fall können die Zwischenschicht-Isolierschicht 106 und die Gate-Isolierschicht 105 darunter ein erstes und zweites Halbleiterschicht-Kontaktloch 116 aufweisen, die jeweils den Source- und Drain-Bereich 103b und 103c freilegen, die sich auf beiden Seiten des aktiven Bereichs 103a befinden.
  • Als Nächstes können die Source- und Drain-Elektrode DS und DD, die voneinander beabstandet sind, auf der Zwischenschicht-Isolierschicht 106, die das erste und zweite Halbleiterschicht-Kontaktloch 116 aufweist, angeordnet sein und können jeweils den Source- und Drain-Bereich 103b und 103c kontaktieren, die durch das erste und zweite Halbleiterschicht-Kontaktloch 116 freigelegt sind.
  • Dann kann eine Passivierungsschicht 210 auf der Source- und Drain-Elektrode DS und DD und auf der Zwischenschicht-Isolierschicht 106, die zwischen der Source- und Drain-Elektrode DS und DD freigelegt ist, angeordnet sein und kann ein Drain-Kontaktloch PH aufweisen, das die Drain-Elektrode DD des Ansteuer-Dünnschichttransistors DTr freilegt.
  • Dabei können die Source- und Drain-Elektrode DS und DD, die Halbleiterschicht 103, die den Source- und Drain-Bereich 103b und 103c aufweist, die in Kontakt mit der Source- und Drain-Elektrode DS und DD sind, und die Gate-Isolierschicht 105 und die Gate Elektrode DG, die sich auf der Halbleiterschicht 103 befinden, einen Ansteuer-Dünnschichttransistor DTr bilden.
  • Obwohl es in den Zeichnungen nicht gezeigt ist, kann der Schalt-Dünnschichttransistor STr die gleiche Struktur wie der Ansteuer-Dünnschichttransistor DTr haben und mit dem Ansteuer-Dünnschichttransistor DTr verbunden sein.
  • Außerdem ist für den Schalt-Dünnschichttransistor (STr) und den Ansteuer-Dünnschichttransistor (DTr) in den Zeichnungen als Beispiel ein Typ mit oberem Gate gezeigt, bei dem die Halbleiterschicht 103 aus einer Polysilicium-Halbleiterschicht oder einer Oxid-Halbleiterschicht gebildet ist, und als Abwandlung davon kann ein Typ mit unterem Gate verwendet werden, der aus reinem und verunreinigtem amorphem Silicium gebildet ist.
  • In diesem Fall besteht das Substrat 101 hauptsächlich aus einem Glasmaterial, kann aber auch aus einem transparenten Kunststoffmaterial, das gebogen oder gekrümmt werden kann, beispielsweise einem Polyimidmaterial bestehen. Wenn ein Kunststoffmaterial für das Substrat 101 verwendet wird, kann ein Polyimid mit ausgezeichneter Wärmebeständigkeit, das hohen Temperaturen widerstehen kann, unter Berücksichtigung eines Hochtemperatur-Abscheidungsprozesses, der über dem Substrat 101 durchgeführt wird, verwendet werden. Die gesamte vordere Oberfläche des Substrats 101 kann von einer oder mehreren Pufferschichten (nicht gezeigt) bedeckt sein.
  • Indes kann der Ansteuer-Dünnschichttransistor DTr in dem Schaltbereich TrA die Eigenschaft haben, dass eine Schwellenspannung durch Licht verschoben wird. Um dies zu verhindern, kann die organische Leuchtdiodenanzeige 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ferner eine (nicht gezeigte) Lichtblockierschicht unter der Halbleiterschicht 103 aufweisen.
  • Die Lichtblockierschicht (nicht gezeigt) kann zwischen dem Substrat 101 und der Halbleiterschicht 103 bereitgestellt sein, um Licht, das durch das Substrat 101 auf die Halbleiterschicht 103 einfällt, zu blockieren, und somit kann eine Änderung der Schwellenspannung des Ansteuer-Dünnschichttransistors DTr durch äußeres Licht minimiert oder verhindert werden. Eine derartige Lichtblockierschicht (nicht gezeigt) kann von einer Pufferschicht (nicht gezeigt) bedeckt sein.
  • Hier kann die Passivierungsschicht 210 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dadurch gekennzeichnet sein, dass zufällige Nanomuster 213 an der Oberfläche der Passivierungsschicht 210 so ausgebildet sein können, dass sie dem Emissionsbereich EA entsprechen.
  • Die zufälligen Nanomuster 213 können eine feine konkav-konvexe Form haben und können jeweils in Größe und Form unterschiedlich sein und eine unregelmäßige Anordnung haben. Das zufällige Nanomuster 213 kann vorzugsweise so ausgebildet sein, dass es eine Größe und eine Teilung von mindestens einem Wellenlängenband von sichtbarem Licht oder weniger hat.
  • Zusätzlich können Wellenlängenumwandlungsschichten 108r, 108g und 108b auf der Passivierungsschicht 210 entsprechend den Emissionsbereichen EA der jeweiligen Unterpixel R-SP, G-SP und B-SP positioniert sein.
  • Die Wellenlängenumwandlungsschichten 108r, 108g und 108b können Farbfilter aufweisen, die nur Wellenlängen von farbigem Licht, das in dem roten, grünen und blauen Unterpixel R-SP, G-SP und B-SP eingestellt ist, unter dem von den Leuchtdioden E in Richtung des Substrats 101 emittierten weißen Licht durchlassen.
  • Hier können die Wellenlängenumwandlungsschichten 108r, 108g und 108b nur rote, grüne und blaue Wellenlängen übertragen. Die in dem roten Unterpixel R-SP bereitgestellte Wellenlängenumwandlungsschicht 108r kann einen roten Farbfilter aufweisen, die in dem grünen Unterpixel G-SP bereitgestellte Wellenlängenumwandlungsschicht 108g kann einen grünen Farbfilter aufweisen und die in dem blauen Unterpixel B-SP bereitgestellte Wellenlängenumwandlungsschicht 108b kann einen blauen Farbfilter aufweisen.
  • Außerdem ist in dem weißen Unterpixel W-SP möglicherweise keine separate Wellenlängenumwandlungsschicht angeordnet und ein weißes Licht, das aus seiner lichtemittierenden Diode E emittiert wird, kann durchgelassen werden, wie es ist.
  • In diesem Fall können die Wellenlängenumwandlungsschichten 108r, 108g und 108b , die in dem roten, grünen und blauen Unterpixel R-SP, G-SP und B-SP positioniert sind, jeweils Quantenpunkte aufweisen, die eine Größe zum Emittieren von farbigem Licht aufweisen, das in dem roten, grünen und blauen Unterpixel R-SP, G-SP und B-SP eingestellt ist, indem sie entsprechend dem von den Leuchtdioden E emittierten weißen Licht in Richtung des Substrats 101 wiederemittieren. Zum Beispiel kann die Wellenlängenumwandlung Schicht 108r des roten Unterpixels R-SP einen Quantenpunkt aus CdSe oder InP aufweisen, die Wellenlängenumwandlungsschicht 108g des grünen Unterpixels G-SP kann einen Quantenpunkt aus CdZnSeS aufweisen und die Wellenlängenumwandlungsschicht 108b des blauen Unterpixels B-SP kann einen Quantenpunkt aus ZnSe aufweisen. Daher kann die organische Leuchtdiodenanzeige 100, in der die Wellenlängenumwandlungsschichten 108r, 108g und 108b die Quantenpunkte aufweisen, eine hohe Farbwiedergabefähigkeit aufweisen.
  • Die Wellenlängenumwandlungsschichten 108r, 108g und 108b gemäß einem weiteren Beispiel können aus Farbfiltern gebildet sein, die Quantenpunkte aufweisen.
  • Die erste Überzugsschicht 220 kann auf der Passivierungsschicht 210 und den Wellenlängenumwandlungsschichten 108r, 108g und 108b positioniert sein. Die erste Überzugsschicht 220 kann eine Oberfläche aufweisen, in der mehrere konkave Abschnitte 118 und mehrere konvexe Abschnitte 117 abwechselnd angeordnet sind, um Mikrolinsen ML zu bilden.
  • Hier können die konvexen Abschnitte 117 eine Struktur aufweisen, die jeden konkaven Abschnitt 118 definiert oder umgibt. Der konvexe Abschnitt 117 kann einen unteren Abschnitt (117a von 9), einen oberen Abschnitt (117b von 9) und einen Seitenflächenabschnitt (117c von 9) aufweisen.
  • Hier kann der Seitenflächenabschnitt (117c von 9) ein Bereich sein, der eine maximale Steigung (Smax) des konvexen Abschnitts 117 enthält, und kann eine gesamte geneigte Oberfläche sein, die den oberen Abschnitt (117b von 9) bildet.
  • Ein Pfad eines aus der organischen lichtemittierenden Schicht 113 emittierten Lichts wird durch den konvexen Abschnitt 117 zu dem Substrat 101 hin geändert, so dass die organische Leuchtdiodenanzeige 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung einen Wirkungsgrad der Lichtextraktion verbessern kann.
  • Eine zweite Überzugsschicht 230 kann auf der ersten Überzugsschicht 220, die die Mikrolinsen ML aufweist, positioniert sein und kann das Drain-Kontaktloch PH, das die Drain-Elektrode DD zusammen mit der ersten Überzugsschicht 220 und der Passivierungsschicht 210 darunter freilegt, aufweisen. Die zweite Überzugsschicht 230 kann die Mikrolinsen ML der ersten Überzugsschicht 220 so bedecken, dass sie eine flache Oberfläche haben.
  • Die zweite Überzugsschicht 230 und die erste Überzugsschicht 220 können unterschiedliche Brechungsindizes aufweisen. Vorzugsweise ist der Brechungsindex der zweiten Überzugsschicht 230 größer als der der ersten Überzugsschicht 220.
  • Die Anode 111 der Leuchtdiode E, die beispielsweise aus einem Material mit einem relativ hohen Austrittsarbeitswert hergestellt ist, kann auf der zweiten Überzugsschicht 230 mit der flachen Oberfläche angeordnet sein und mit der Drain-Elektrode DD des Ansteuer-Dünnschichttransistors DTr verbunden sein.
  • Die Anode 111 kann für jedes der Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP und B-SP positioniert sein und die Bank 119 kann zwischen den Anoden 111, die in den jeweiligen Unterpixeln R-SP, W-SP, G-SP und B-SP positioniert sind, positioniert sein. Mit anderen Worten kann die Anode 111 durch Verwenden der Bank 119 als Grenze für jedes der Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP und B-SP eine Struktur haben, die für jedes der Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP und B-SP getrennt ist.
  • Die organische lichtemittierende Schicht 113 kann auf der Anode 111 positioniert sein. Die organische lichtemittierende Schicht 113 kann aus einer einzelnen Schicht aus einem emittierenden Material gebildet sein. Alternativ kann die organische lichtemittierende Schicht 113 zum Erhöhen eines Emissionswirkungsgrads aus mehreren Schichten einer Lochinjektionsschicht, einer Lochtransportschicht, einer Emissionsmaterialschicht, einer Elektronentransportschicht und einer Elektroneninjektionsschicht gebildet sein.
  • Hier können sowohl die Anode 111 als auch die organische lichtemittierende Schicht 113, die nacheinander über der zweiten Überzugsschicht 230 positioniert sind, so ausgebildet sein, dass sie entlang der flachen Oberfläche der zweiten Überzugsschicht 230 flach sind.
  • Da die organische lichtemittierende Schicht 113 so ausgebildet ist, dass sie eine gleichförmige Dicke für jedes der Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP und B-SP aufweist, kann dementsprechend auch eine Emissionscharakteristik für jedes der Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP und B-SP gleichmäßig sein und dadurch kann ein Wirkungsgrad der organischen lichtemittierenden Schicht 113 für jeden Bereich innerhalb jedes der Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP und B-SP erhöht und auch die Lebensdauer verbessert werden.
  • Außerdem kann die Kathode 115 vollständig auf der organischen lichtemittierenden Schicht 113 positioniert sein.
  • Die Kathode 115 kann zudem so ausgebildet sein, dass sie entlang der flachen Oberfläche der zweiten Überzugsschicht 230 flach ist.
  • Dementsprechend werden in der organischen Leuchtdiodenanzeige 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dann, wenn gemäß einem ausgewählten Signal vorbestimmte Spannungen an die Anode 111 und die Kathode 115 angelegt werden, aus der Anode 111 injizierte Löcher und aus der Kathode 115 gelieferte Elektronen zu der organischen lichtemittierenden Schicht 113 transportiert, um Exzitonen zu bilden. Wenn die Exzitonen von einem angeregten Zustand in einen Grundzustand übergehen, wird Licht erzeugt und in Form von sichtbarem Licht emittiert.
  • Da hier das emittierte Licht die transparente Anode 111 durchläuft und hinausgeht, verwirklicht die organische Leuchtdiodenanzeige 100 ein beliebiges Bild.
  • Nach dem Platzieren eines Schutzfilms 102 in Form eines Dünnfilms über dem Ansteuer-Dünnschichttransistor DTr und der Leuchtdiode E werden der Schutzfilm 102 und das Substrat 101 miteinander verbunden, indem eine Flächendichtung 104. die aus einem organischen oder anorganischen Isoliermaterial hergestellt ist, das transparent ist und eine Hafteigenschaft hat, zwischen der Leuchtdiode E und dem Schutzfilm 102 angeordnet wird, so dass die organische Leuchtdiodenanzeige 100 eingekapselt ist.
  • Hier wird der Schutzfilm 102 verwendet, indem mindestens zwei anorganische Schutzfilme laminiert werden, um zu verhindern, dass Sauerstoff und Feuchtigkeit von außen in die organische Leuchtdiodenanzeige 100 eindringen, und in diesem Fall ist es bevorzugt, dass ein organischer Schutzfilm zwischen den beiden anorganischen Schutzfilmen angeordnet wird, um die Aufprallfestigkeit der anorganischen Schutzfilme zu unterstützen.
  • In einer solchen Struktur, in der der organische Schutzfilm und der anorganische Schutzfilm abwechselnd und wiederholt laminiert sind, ist es bevorzugt, dass der anorganische Schutzfilm den organischen Schutzfilm vollständig umschließt, weil es notwendig ist, das Eindringen von Feuchtigkeit und Sauerstoff durch eine Seitenfläche des organischen Schutzfilms zu verhindern.
  • Dementsprechend kann die organische Leuchtdiodenanzeige 100 verhindern, dass Feuchtigkeit und Sauerstoff von außen in die organische Leuchtdiodenanzeige 100 eindringen.
  • Hier wird in der organischen Leuchtdiodenanzeige 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Leuchtdichte-Betrachtungswinkel verbessert, indem das zufällige Nanomuster 213 an der Oberfläche der Passivierungsschicht 210 bereitgestellt wird.
  • Außerdem können in der organischen Leuchtdiodenanzeige 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die erste und die zweite Überzugsschicht 220 und 230 mit unterschiedlichen Brechungsindizes aufeinander gestapelt sein, die erste Überzugsschicht 220 kann Mikrolinsen ML aufweisen, und die zweite Überzugsschicht 230 kann die einzuebnenden Mikrolinsen ML bedecken, wodurch ein Wirkungsgrad der Lichtextraktion nach außen verbessert und das Auftreten einer Regenbogen-Unregelmäßigkeit verhindert wird.
  • Hier kann die Regenbogen-Unregelmäßigkeit durch eine Reflexionssichtbarkeit aufgrund einer Interferenz von sichtbarem Licht erzeugt werden, wenn ein Licht, das aus jeder organischen lichtemittierenden Schicht 113 emittiert wird, durch eine gekrümmte Oberfläche gebrochen wird und ein Weg des Lichts geändert wird. Da in der organischen Leuchtdiodenanzeige 100 gemäß der vorliegenden Erfindung die organische lichtemittierende Schicht 113 auf der zweiten Überzugsschicht 230 mit der flachen Oberfläche angeordnet ist, tritt die Regenbogen-Unregelmäßigkeit nicht auf.
  • 5A ist eine Fotografie einer Regenbogen-Unregelmäßigkeit einer herkömmlichen organischen Leuchtdiodenanzeige und 5B ist ein Ergebnis der Simulation eines Reflexionsgrads aufgrund der Fotografie von 5A.
  • Wie es in 5B gezeigt ist, ist ersichtlich, dass die Reflexionssichtbarkeit aufgrund der Regenbogen-Unregelmäßigkeit hoch ist und ein gemessener Reflexionsgrad mit etwa 34,49 % sehr hoch ist.
  • Andererseits ist 5C ein Ergebnis der Simulation eines Reflexionsgrads der organischen Leuchtdiodenanzeige 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und ist zu sehen, dass die Reflexionssichtbarkeit geringer ist als die in 5B.
  • Der gemessene Reflexionsgrad der organischen Leuchtdiodenanzeige 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung von 5C beträgt 8,15 %, was um etwa 26 % oder mehr im Vergleich zu dem Reflexionsgrad von 5B reduziert ist. Dies bedeutet, dass in der organischen Leuchtdiodenanzeige 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung keine Regenbogen-Unregelmäßigkeit auftritt.
  • Da außerdem die organische lichtemittierende Schicht 113 mit einer gleichmäßigen Dicke für jedes der Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP und B-SP ausgebildet sein kann, kann jedes der Unterpixel R -SP, W-SP, G-SP und B-SP eine gleichmäßige Emissionscharakteristik aufweisen, wodurch ein Wirkungsgrad der organischen lichtemittierenden Schicht 113 verbessert und auch eine Lebensdauer erhöht wird.
  • Außerdem ist es durch Reduzieren der Reflexionssichtbarkeit auf die obige Weise möglich, das Auftreten eines hohen Reflexionsgrads zu verhindern. Im Ergebnis wird verhindert, dass eine Sichtbarkeit einer schwarzen Farbe verschlechtert wird, und somit wird ein Kontrastverhältnis verbessert.
  • Hier kann eine Größe des Zufalls-Nanomusters 213 kleiner als die der Mikrolinse ML sein und es kann feiner als ein Mikrometer (µm) ausgebildet sein.
  • Mit anderen Worten kann die Größe des zufälligen Nanomusters 213 dann, wenn die Mikrolinse ML möglicherweise eine Größe von mehreren Mikrometern hat, mehrere Nanometer betragen. Dementsprechend wird ein von der organischen lichtemittierenden Schicht 113 emittiertes Licht ohne Verlust durch das zufällige Nanomuster 213 gestreut, wodurch ein Leuchtdichte-Betrachtungswinkel verbessert wird. Dies wird später im Einzelnen beschrieben.
  • Bei der organischen Leuchtdiodenanzeige 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass die zufälligen Nanomuster 213, die an der Oberfläche der Passivierungsschicht 210 ausgebildet sind, nur in dem Emissionsbereich EA jedes der Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP und B-SP ausgebildet sein können. Wenn die zufälligen Nanomuster 213 nicht so ausgebildet sind, dass sie dem Emissionsbereich EA jedes der Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP und B-SP entsprechen, kann ein Licht (L von 6A), das durch das zufällige Nanomuster 213 gebrochen und gestreut wird, auf benachbarte Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP und B-SP einfallen, so dass eine Farbmischung in benachbarten Unterpixeln R-SP, W-SP, G-SP und B-SP auftreten kann. Dies verringert eine Farbwiedergabetreue der organischen Leuchtdiodenanzeige 100.
  • Außerdem ist es bevorzugt, dass: durch Ausbilden der Mikrolinsen ML an der Oberfläche der ersten Überzugsschicht 220 so, dass sie breiter als der Emissionsbereich EA sind, wird unter dem Licht (L von 6A), das von der organischen lichtemittierenden Schicht 113 emittiert wird, ein seitlich emittiertes Licht oder ein Licht L, das in dem Nichtemissionsbereich NEA durch wiederholte Totalreflexionen zwischen der ersten und der zweiten Überzugsschicht 220 und 230 ausgelöscht wird, in einem Laufweg geändert und ein Wirkungsgrad der Extraktion des Lichts (L von 6A) wird weiter verbessert.
  • Mit anderen Worten wird die Mikrolinse ML sowohl in dem Emissionsbereich EA als auch in dem Nichtemissionsbereich NEA verwendet, so dass ein Wirkungsgrad der Extraktion des Lichts (L von 6A) maximiert werden kann.
  • 6A ist eine vergrößerte Ansicht eines in 2 gezeigten Abschnitts A zur Veranschaulichung eines Lichtwegs eines weißen Unterpixels. 6B ist eine vergrößerte Ansicht eines in 2 gezeigten Abschnitts B zur Veranschaulichung eines Lichtwegs eines grünen Unterpixels.
  • 7A und 7B sind vergrößerte Fotografien einer Anordnung zufälliger Nanomuster. 8A bis 8D sind Graphen, die Leuchtdichte-Betrachtungswinkel je nach Vorhandensein oder Nichtvorhandensein von zufälligen Nanomustern in einer Passivierungsschicht messen.
  • 9 ist eine vergrößerte Fotografie einer Mikrolinse und 10 ist ein Simulationsergebnis der Messung einer Wirkungsgradverbesserungsrate aufgrund einer Differenz im Brechungsindex zwischen einer ersten und zweiten Überzugsschicht.
  • Wie es in 6A und 6B gezeigt ist, können die zufälligen Nanomuster 213 an der Oberfläche der Passivierungsschicht 210 ausgebildet sein und die zufälligen Nanomuster 213 können entsprechend dem Emissionsbereich EA jedes der Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP und B-SP ausgebildet sein.
  • Die zufälligen Nanomuster 213 können eine feine konkav-konvexe Form haben und, wie es in 7A und 7B gezeigt ist, können die zufälligen Nanomuster 213 in Größe und Form unterschiedlich sein und ihre Anordnung kann unregelmäßig sein.
  • Das zufällige Nanomuster 213 kann so ausgebildet sein, dass es eine Größe von mehreren Nanometern hat, und kann vorzugsweise so ausgebildet sein, dass es eine Größe und eine Teilung von mindestens einem Wellenlängenband von sichtbarem Licht oder weniger hat. Mit anderen Worten kann jedes der Zufalls-Nanomuster 213 eine Größe, die 1/10 einer Wellenlänge von sichtbarem Licht ist, oder eine Größe eines Wellenlängenbands von sichtbarem Licht haben, so dass ein Licht, das aus der organischen lichtemittierenden Schicht 113 emittiert wird, ohne Verlust gestreut werden kann.
  • Wenn hier die Größe des zufälligen Nanomusters 213 kleiner als 1/10 des sichtbaren Lichtwellenlängenbands ist, wird eine Lichtdurchlässigkeit erhöht, so dass eine Streuung nicht wirksam auftritt. Wenn die Größe des zufälligen Nanomusters 213 größer als das Wellenlängenband sichtbaren Lichts ist, wird eine Gerichtetheit eines Lichts, das durch das zufällige Nanomuster 213 tritt, erzeugt und das zufällige Nanomuster 213 kann visuell erkannt werden.
  • Es ist bevorzugt, die zufälligen Nanomuster 213 unregelmäßig anzuordnen. Wenn die zufälligen Nanomuster 213 eine gewisse Regelmäßigkeit aufweisen, können aufgrund eines Beugungsgittereffekts unterschiedliche Farben bei unterschiedlichen Betrachtungswinkeln angezeigt werden. Daher sind die zufälligen Nanomuster 213 vorzugsweise unregelmäßig.
  • Mit anderen Worten können sich die zufälligen Nanomuster 213 jeweils im Durchmesser und in der Höhe voneinander unterscheiden. Genauer muss bei drei benachbarten Zufalls-Nanomustern 213 mindestens eines dieser Nanomuster eine andere Form (d. h. Durchmesser oder Höhe) haben, um einen durch wiederholte Muster erzeugten Beugungsgittereffekt zu reduzieren.
  • Die zufälligen Nanomuster 213 können Licht, das aufgrund einer Totalreflexion unter einem von der organischen lichtemittierenden Schicht 113 emittierten Licht ausgelöscht werden kann, in einer Richtung, in der es ausgegeben wird, brechen und streuen, wodurch es ein Leuchtdichte-Betrachtungswinkel verbessert wird.
  • 8A bis 8D sind Graphen zum Messen eines Leuchtdichte-Betrachtungswinkels je nach Vorhandensein oder Nichtvorhandensein des zufälligen Nanomusters 213 der Passivierungsschicht 210. 8A ist ein Versuchsergebnis der Messung eines relativen Leuchtdichteverhältnisses gemäß einem Betrachtungswinkel von weißem Licht; 8B ist ein Versuchsergebnis der Messung eines relativen Leuchtdichteverhältnisses gemäß einem Betrachtungswinkel von grünem Licht; 8C ist ein Versuchsergebnis der Messung eines relativen Leuchtdichteverhältnisses gemäß einem Betrachtungswinkel von rotem Licht, und 8D ist ein Versuchsergebnis der Messung eines relativen Leuchtdichteverhältnisses gemäß einem Betrachtungswinkel von blauem Licht.
  • In den Graphen von 8A bis 8D zeigt eine horizontale Achse einen Betrachtungswinkel und eine vertikale Achse ein relatives Leuchtdichteverhältnis (w.E. (willkürliche Einheit)) zu einer Vorderseite an.
  • Die folgende Tabelle 1 ist ein Ergebnis der Zusammenfassung von 8A bis 8D. [Tabelle 1]
    W R G B
    Probe Ref_W/R/G/B 55° 53° 50° 63°
    Probe W/R/G/B 59° 59° 56° 69°
    Differenz +4° +6° +6° +6°
  • In 8A bis 8D und Tabelle 1 stellen Probe W, Probe R, Probe G und Probe B jeweils ein weißes Licht, ein rotes Licht, ein grünes Licht und ein blaues Licht dar, die von der organischen Leuchtdiodenanzeige (100 von 2) gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung emittiert werden. Probe Ref_W, Probe Ref_R, Probe Ref_G und Probe Ref_B stellen jeweils ein weißes Licht, ein rotes Licht, ein grünes Licht und ein blaues Licht dar, die von einer organischen Leuchtdiodenanzeige emittiert werden, in der keine zufälligen Nanomuster in einer Passivierungsschicht bereitgestellt sind.
  • Zunächst weist unter Bezugnahme auf W in 8A und Tabelle 1 Probe Ref_W einen Betrachtungswinkel von 55 Grad auf, der ein Leuchtdichteverhältnis von 0,5 implementieren kann, während Probe W einen Betrachtungswinkel von 59 Grad aufweist, der ein Leuchtdichteverhältnis von 0,5 implementieren kann. Es ist ersichtlich, dass der Betrachtungswinkel von Probe W im Vergleich zu Probe Ref_W um etwa 4 Grad erhöht ist.
  • Unter Bezugnahme auf G in 8B und Tabelle 1 weist Probe Ref_G einen Betrachtungswinkel von 50 Grad auf, der ein Leuchtdichteverhältnis von 0,5 implementieren kann, während Probe G einen Betrachtungswinkel von 56 Grad aufweist, der ein Leuchtdichteverhältnis von 0,5 implementieren kann. Es ist ersichtlich, dass der Betrachtungswinkel von Probe G im Vergleich zu Probe Ref_G um etwa 6 Grad erhöht ist. Unter Bezugnahme auf R in 8C und Tabelle 1 weist Probe Ref_R einen Betrachtungswinkel von 53 Grad auf, der ein Leuchtdichteverhältnis von 0,5 implementieren kann, während Probe R einen Betrachtungswinkel von 59 Grad aufweist, der ein Leuchtdichteverhältnis von 0,5 implementieren kann. Es ist ersichtlich, dass der Betrachtungswinkel von Probe R im Vergleich zu Probe Ref_R um etwa 6 Grad erhöht ist.
  • Unter Bezugnahme auf B in 8D und Tabelle 1 weist Probe Ref_B zudem einen Betrachtungswinkel von 63 Grad auf, der ein Leuchtdichteverhältnis von 0,5 implementieren kann, während Probe B einen Betrachtungswinkel von 69 Grad aufweist, der ein Leuchtdichteverhältnis von 0,5 implementieren kann. Es ist ersichtlich, dass der Betrachtungswinkel von Probe B im Vergleich zu Probe Ref_B um etwa 6 Grad erhöht ist.
  • Daher kann, wenn die zufälligen Nanomuster 213 an der Passivierungsschicht 210 bereitgestellt sind, ein Licht, das aufgrund einer Totalreflexion ausgelöscht werden kann, unter einem Licht, das von der organischen lichtemittierenden Schicht 113 emittiert wird, in einer Richtung, in der es ausgegeben wird, gebrochen und gestreut werden, wodurch ein Betrachtungswinkel verbessert wird.
  • In diesem Fall kann die Passivierungsschicht 210 aus einem isolierenden Material mit einem Brechungsindex von etwa 1,4 bis 1,5 bestehen. Beispielsweise kann die Passivierungsschicht 210 aus einem Acrylharz, einem Epoxidharz, einem Phenolharz, einem Harz auf Polyamidbasis, einem Harz auf Polyimidbasis, einem Harz auf Basis eines ungesättigten Polyesters, einem Harz auf Polyphenylenbasis, einem Harz auf Polyphenylensulfidbasis, einem Benzocyclobuten und einem Fotolack bestehen, ist aber nicht darauf beschränkt, und kann aus einem beliebigen isolierenden Material mit einem Brechungsindex von etwa 1,4 bis 1,5 gebildet sein.
  • Außerdem kann sich die erste Überzugsschicht 220 auf der Passivierungsschicht 210, die die zufälligen Nanomuster 213 aufweist, befinden und kann mehrere konkave Abschnitte 118 und mehrere konvexe Abschnitte 117 aufweisen, die abwechselnd an der Oberfläche der ersten Überzugsschicht 220 angeordnet sind, so dass die Oberfläche der ersten Überzugsschicht 220 die Mikrolinsen ML bildet. Die zweite Überzugsschicht 230 kann über der ersten Überzugsschicht 220 positioniert sein und die Mikrolinsen ML der ersten Überzugsschicht 220 so bedecken, dass sie eine flache Oberfläche aufweisen.
  • Hier kann, wie es in 9 gezeigt ist, in den Mikrolinsen ML der ersten Überzugsschicht 220 der konvexe Abschnitt 117 in einen unteren Abschnitt 117a, einen oberen Abschnitt 117b und einen Seitenflächenabschnitt 117c, der den unteren Abschnitt 117a und den oberen Abschnitt 117b verbindet, unterteilt sein, um die gesamte geneigte Oberfläche zu bilden, die den oberen Abschnitt 117b bildet.
  • Dabei kann eine zwischen einer Tangente C1 des Seitenflächenabschnitts 117c und einer horizontalen Ebene (d. h. dem Bodenabschnitt 117a) gebildete Neigung θ 20 bis 60 Grad betragen. Wenn die Neigung θ weniger als 20 Grad beträgt, unterscheidet sich ein Lichtausbreitungswinkel durch die Mikrolinse ML nicht wesentlich von demjenigen der organischen Leuchtdiodenanzeige, bei der die erste Überzugsschicht 220 flach ist, so dass es nur eine geringe Verbesserung des Wirkungsgrads gibt.
  • Außerdem wird, wenn die Neigung θ 60 Grad übersteigt, der Lichtausbreitungswinkel so gebildet, dass er größer ist als ein Totalreflexionswinkel zwischen dem Substrat 101 und einer Luftschicht außerhalb des Substrats 101, und eine innerhalb der organischen Leuchtdiodenanzeige eingeschlossene Lichtmenge wird stark erhöht. Somit ist ein Wirkungsgrad eher niedriger als der der organischen Leuchtdiodenanzeige, bei der die erste Überzugsschicht 220 flach ist.
  • Wie es oben beschrieben ist, können, das die zwischen der Tangentenlinie C1 des Seitenflächenabschnitts 117c und der horizontalen Ebene (d. h. dem Bodenabschnitt 117a ) ausgebildete Neigung θ als mit 20 bis 60 Grad definiert ist, der konkave Abschnitt 118 und der obere Abschnitt 117b als Bereiche definiert sein, in denen die zwischen der Tangentenlinie C1 und der horizontalen Ebene (d. h. dem Bodenabschnitt 117a) gebildete Neigung θ weniger als 20 Grad beträgt, und der Seitenflächenabschnitt 117c kann als ein Bereich definiert sein, in dem die zwischen der Tangentenlinie C1 und der horizontalen Ebene (d. h. dem Bodenabschnitt 117a) gebildete Neigung θ 20 Grad oder mehr beträgt.
  • In dem konvexen Abschnitt 117 der ersten Überzugsschicht 220 kann der obere Abschnitt 117b in einer spitz zulaufenden Struktur ausgebildet sein, um einen Wirkungsgrad der Lichtextraktion der organischen lichtemittierenden Schicht 113 weiter zu erhöhen. Der konvexe Abschnitt 117 kann eine dreieckige Querschnittsstruktur mit einem Scheitel, der dem oberen Abschnitt 117b entspricht, einer Basis, die dem unteren Abschnitt 117a entspricht, und einer Hypotenuse, die dem Seitenflächenabschnitt 117c entspricht, aufweisen.
  • Wie es oben beschrieben ist, wird in der organischen Leuchtdiodenanzeige (100 von 2) gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung durch Bilden der Mikrolinsen ML in der ersten Überzugsschicht 220 ein Laufweg von Licht, das aufgrund wiederholter Totalreflexionen innerhalb der organischen Leuchtdiodenanzeige (100 von 2) nicht nach außen extrahiert wird, in Richtung des Substrats 101 verändert und somit kann ein Wirkungsgrad der Lichtextraktion verbessert werden.
  • Hier sind die an der Oberfläche der Passivierungsschicht 210 bereitgestellten zufälligen Nanomuster 213 in einer feinen konkav-konvexen Form ausgebildet, haben unterschiedliche Größen und Formen und sind unregelmäßig angeordnet, während die Mikrolinsen ML in der ersten Überzugsschicht 220 regelmäßig ausgebildet sind, in der die mehreren konkaven Abschnitte 118 und die mehreren konvexen Abschnitte 117 abwechselnd an der Oberfläche der ersten Überzugsschicht 220 angeordnet sind.
  • Dementsprechend dienen die zufälligen Nanomuster 213 dazu, Licht zu streuen, und die Mikrolinse ML kann das Auftreten einer Regenbogen-Unregelmäßigkeit verhindern, während sie einen Wirkungsgrad der nach außen gerichteten Lichtextraktion verbessert.
  • Dabei ist die Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass durch Bilden der zweiten Überzugsschicht 230, die unter der Anode 111 positioniert ist, aus einem Material mit hohem Brechungsindex, das einen Brechungsindex von ungefähr (oder ähnlich) einem Brechungsindex der Anode 111 aufweist, um den Brechungsindex mit der Anode 111 abzugleichen, eine Totalreflexion aufgrund einer Differenz im Brechungsindex zwischen den beiden Medien, d. h. zwischen der Anode 111 und der zweiten Überzugsschicht 230, verhindert werden kann.
  • Da der Brechungsindex der transparenten Anode 111 aus ITO etwa 1,7 bis 1,8 beträgt, ist es mit anderen Worten vorzuziehen, dass durch Aufbringen eines Materials mit hohem Brechungsindex, das den Brechungsindex der zweiten Überzugsschicht 230 auf 1,57 bis 1,8 verbessert, um den Brechungsindex mit der Anode 111 abzugleichen, ein Auftreten einer Totalreflexion an einer Grenze zwischen der Anode 111 und der zweiten Überzugsschicht 230 verhindert wird. In der Beschreibung kann sich der in Bezug auf die Brechungsindizes der Anode 111 und der zweiten Überzugsschicht 230 verwendete Begriff „ungefähr“ auf Werte beziehen, die innerhalb einer Schwellendifferenz gleich sind oder nahe beieinander liegen. Beispielsweise kann eine Differenz im Brechungsindex zwischen der Anode 111 und der zweiten Überzugsschicht 230 0,13 oder weniger betragen.
  • Da die zweite Überzugsschicht 230 wie oben beschrieben aus einem Material mit hohem Brechungsindex besteht, weist die erste Überzugsschicht 220 vorzugsweise einen Brechungsindex von 1,43 bis 1,57 auf und eine Brechungsindexdifferenz zwischen der ersten Überzugsschicht auf 220 und der zweiten Überzugsschicht 230 beträgt vorzugsweise etwa 0,2 oder mehr.
  • Wenn Licht von der organischen lichtemittierenden Schicht 113 emittiert wird, die auf der flachen Oberfläche der zweiten Überzugsschicht 230 positioniert ist, tritt dementsprechend das Licht durch die zweite Überzugsschicht 230 hindurch und fällt auf die erste Überzugsschicht 220 ein. Da dabei der Brechungsindex der zweiten Überzugsschicht 230 höher als der der ersten Überzugsschicht 220 ist, ist es bei einem Einfallswinkel von Licht, der größer ist als ein kritischer Winkel einer Totalreflexion, üblich, dass Licht nicht nach außen emittiert wird, sondern aufgrund eines Phänomens der internen Totalreflexion in einem Element absorbiert wird. Bei der organischen Leuchtdiodenanzeige (100 in 2) gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann jedoch ein Laufweg von Licht, das aufgrund wiederholter Totalreflexionen innerhalb der ersten und zweiten Überzugsschicht 220 und 230 nicht nach außen extrahiert wird, in Richtung des Substrats 101 geändert werden.
  • Mit anderen Worten wird in der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung (100 in 2) gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung durch Bereitstellen der Mikrolinsen ML an der Oberfläche der ersten Überzugsschicht 220 ein Licht, das innerhalb der organischen Leuchtdiodenanzeige (100 in 2) fortlaufend totalreflektiert und eingefangen wird, unter dem von der organischen Leuchtdiode 113 emittierten Licht durch Mehrfachreflexionen nach außen extrahiert, während es sich in einem Winkel bewegt, der kleiner als der kritische Winkel der Totalreflexion durch die Mikrolinse ML der ersten Überzugsschicht 220 ist.
  • Da dementsprechend ein Wirkungsgrad der nach außen gerichteten Emission erhöht wird, kann ein Wirkungsgrad der Lichtextraktion der organischen Leuchtdiodenanzeige (100 in 2) verbessert werden.
  • Da insbesondere eine Differenz im Brechungsindex zwischen der zweiten Überzugsschicht 230 und der ersten Überzugsschicht 220 0,2 oder mehr beträgt, kann ein Wirkungsgrad der Lichtextraktion weiter verbessert werden.
  • 10 ist ein Simulationsergebnis des Messens einer Wirkungsgradverbesserungsrate aufgrund einer Differenz im Brechungsindex der ersten und zweiten Überzugsschicht 220 und 230 und Tabelle 2 ist ein Versuchsergebnis des Messens eines Emissionswirkungsgrads je nach Differenz im Brechungsindex der ersten und zweiten Überzugsschicht 220 und 230. [Tabelle 2]
    Probe 1 Probe 2 Probe 3 Probe 4
    2. Überzugsschicht 1,67 1,67 1,67 1,67
    1. Überzugsschicht 1,57 1,45 1,43 1,40
    Emissionswirkungsgrad (%) 3%↑ 12%↑ 16%↑ 20%↑
  • In 10 und Tabelle 2 weist Probe 1 eine Differenz im Brechungsindex der ersten und zweiten Überzugsschicht 220 und 230 von 0,1 auf, Probe 2 eine Differenz im Brechungsindex zwischen der ersten und zweiten Überzugsschicht 220 und 230 von 0,23 auf, Probe 3 eine Differenz im Brechungsindex zwischen der ersten und zweiten Überzugsschicht 220 und 230 von 0,24 auf und Probe 4 eine Differenz im Brechungsindex zwischen der ersten und zweiten Überzugsschicht 220 und 230 von 0,27 auf.
  • Unter Bezugnahme auf 10 und Tabelle 2 ist ersichtlich, dass dann, wenn die Differenz im Brechungsindex zwischen der ersten und der zweiten Überzugsschicht 220 und 230 0,2 oder weniger beträgt, ein Grad an Verbesserung des Emissionswirkungsgrads unbedeutend ist. Dies liegt daran, dass ein wesentlicher Lichtbündelungseffekt kaum auftritt, während ein Licht, das durch die zweite Überzugsschicht 230 tritt, durch die erste Überzugsschicht 220 hindurchtritt.
  • Andererseits ist ersichtlich, dass dann, wenn die Differenz im Brechungsindex zwischen der ersten und der zweiten Überzugsschicht 220 und 230 0,2 oder mehr beträgt, ein Emissionswirkungsgrad aufgrund eines Lichtbündelungseffekts um 12% oder mehr verbessert wird.
  • Wenn hier eine Emissionswirkungsgrad um etwa 12% oder mehr verbessert wird, kann eine Erhöhung der Kosten und eine Verringerung der Ausbeute zum Bilden der ersten und zweiten Überzugsschicht 220 und 230 ausgeglichen werden. Um einen Emissionswirkungsgrad um etwa 12 % oder mehr zu erhöhen, ist es daher bevorzugt, die Differenz im Brechungsindex zwischen der ersten und der zweiten Überzugsschicht 220 und 230 auf 0,2 oder mehr auszulegen.
  • Außerdem wird die erste Überzugsschicht 220 vorzugsweise ungefähr (oder ähnlich) im Brechungsindex wie die Passivierungsschicht 210, die unter der ersten Überzugsschicht 220 positioniert ist, ausgebildet, um den Brechungsindex abzugleichen. Mit anderen Worten es ist vorzuziehen, eine Totalreflexion aufgrund einer Differenz im Brechungsindex zwischen der ersten Überzugsschicht 220 und der Passivierungsschicht 210 zu verhindern. In der Beschreibung kann sich der Begriff „ungefähr“ bei Verwendung in Bezug auf die Brechungsindizes der ersten Überzugsschicht 220 und der Passivierungsschicht 210 auf Werte beziehen, die innerhalb einer Schwellendifferenz gleich sind oder nahe beieinander liegen. Beispielsweise kann eine Differenz im Brechungsindex zwischen der ersten Überzugsschicht 220 und der Passivierungsschicht 210 0,07 oder weniger betragen.
  • Unter erneuter Bezugnahme auf 4A kann im Fall des weißen Unterpixels W-SP, in dem keine separate Wellenlängenumwandlungsschicht (108r , 108g oder 108b von 2) bereitgestellt ist, in einem Prozess, in dem ein Licht L, das durch die erste Überzugsschicht 220 auf die Passivierungsschicht 210 auftrifft, verhindert werden, dass eine interne Totalreflexion an einer Grenzfläche aufgrund einer Differenz im Brechungsindex zwischen der ersten Überzugsschicht 220 und der Passivierungsschicht 210 auftritt.
  • Dementsprechend kann das gesamte Licht L, das durch die erste Überzugsschicht 220 tritt, auf die Passivierungsschicht 210 einfallen.
  • Genauer können die Passivierungsschicht 210 und die erste Überzugsschicht 220 einen Brechungsindex von 1,43 bis 1,57 aufweisen und die zweite Überzugsschicht 230 kann einen Brechungsindex von 1,57 bis 1,8 aufweisen. In diesem Fall kann eine Differenz im Brechungsindex zwischen der ersten Überzugsschicht 220 und der zweiten Überzugsschicht 230 etwa 0,2 oder mehr betragen.
  • Wenn das Licht L aus der organischen lichtemittierenden Schicht 113 emittiert wird, die auf der flachen Oberfläche der zweiten Überzugsschicht 230 positioniert ist, läuft das Licht L dementsprechend durch die zweite Überzugsschicht 230 hindurch und fällt dann auf die erste Überzugsschicht 220 ein. In diesem Fall umfasst die organische Leuchtdiodenanzeige 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung (100 in 2) die Mikrolinsen ML an der Oberfläche der ersten Überzugsschicht 220, so dass der Laufweg des Lichts L, das durch wiederholte Totalreflexionen innerhalb der ersten und zweiten Überzugsschicht 220 und 230 nicht nach außen extrahiert wird, in Richtung des Substrats 101 verändert werden.
  • Dabei wird das Licht L, das von der zweiten Überzugsschicht 230 zu der ersten Überzugsschicht 220 läuft, gebündelt.
  • Das Licht L, das durch die erste Überzugsschicht 220 tritt, fällt auf die Passivierungsschicht 210 ein, die einen ungefähren (oder ähnlichen) Brechungsindex hat wie diese. Da dabei die zufälligen Nanomuster 213 an der Oberfläche der Passivierungsschicht 210 bereitgestellt sind, wird das Licht L gebrochen und in eine Ausgaberichtung gestreut.
  • Wie es in 6B gezeigt ist, kann die Wellenlängenumwandlungsschicht 108g dann, wenn die Wellenlängenumwandlungsschicht 108g über der Passivierungsschicht 210 positioniert ist, einen Brechungsindex von etwa 1,6 bis 1,8 aufweisen. Wenn das Licht L, das durch Durchgang durch die erste und die zweite Überzugsschicht 220 und 230 gebündelt wird, auf die Wellenlängenumwandlungsschicht 108g einfällt, fällt dementsprechend das Licht L von einem niedrigen Medium auf ein hohes Medium ein. Somit wird gemäß dem Snellius-Gesetz das Licht L gebrochen und breitet sich basierend auf der Normallinie an dem Einfallspunkt des Lichts L unter einem größeren Winkel aus.
  • Mit anderen Worten wird das Licht L, das von der ersten Überzugsschicht 220 auf die Wellenlängenumwandlungsschicht 108g einfällt, gebündelt.
  • Obwohl das von der Wellenlängenumwandlungsschicht 108g auf die Passivierungsschicht 210 einfallende Licht L auch von einem hohen Medium auf ein niedriges Medium einfällt, wird durch die an der Oberfläche der Passivierungsschicht 210 bereitgestellten zufälligen Nanomuster 213 keine interne Totalreflexion verursacht und der Laufweg wird in Richtung des Substrats 101 geändert.
  • Aufgrund der zufälligen Nanomuster 213 wird insbesondere das Licht L, das von der Wellenlängenumwandlungsschicht 108g auf die Passivierungsschicht 210 einfällt, in eine Ausgaberichtung gebrochen, während der Laufweg des Lichts L geändert wird.
  • Daher wird in dem roten, grünen und blauen Unterpixel (R-SP, G-SP und B-SP von 2), die mit den Wellenlängenumwandlungsschichten (108r, 108g und 108b von 2) versehen sind, das Licht L weiter von der ersten Überzugsschicht 220 zu den Wellenlängenumwandlungsschichten (108r, 108g und 108b von 2) und von den Wellenlängenumwandlungsschichten (108r, 108g und 108b von 2) zu der Passivierungsschicht 210 gebündelt und ein Extraktionswirkungsgrad des Lichts L wird weiter verbessert.
  • Zusammenfassend wird in der organischen Leuchtdiodenanzeige (100 von 2) gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung auch dann, wenn die Wellenlängenumwandlungsschichten (108r , 108g und 108b von 2) bereitgestellt sind oder nicht, der Laufweg des Lichts L, das aus der organischen lichtemittierenden Schicht 113 emittiert und aufgrund einer internen Totalreflexion nicht nach außen extrahiert wird, durch die erste Überzugsschicht 220 einschließlich der Mikrolinse ML und der zweiten Überzugsschicht 230 in Richtung des Substrats 101 geändert ein Extraktionswirkungsgrad des Lichts L wird verbessert.
  • Zusätzlich wird durch Bilden der zufälligen Nanomuster 213 an der Oberfläche der Passivierungsschicht 210 das Licht L gebrochen und in einer Ausgaberichtung gestreut, so dass ein Lichtextraktionsbereich OP gebildet wird, der breiter ist als der Emissionsbereich EA.
  • Mit anderen Worten wird in der organischen Leuchtdiodenanzeige 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung das von der organischen lichtemittierenden Schicht 113 des Emissionsbereichs EA emittierte Licht beim Durchlaufen durch die erste und zweite Überzugsschicht 220 und 230 und die Passivierungsschicht 210 gebündelt, gebrochen und gestreut. Somit wird Licht aus allen Bereichen mit Ausnahme des Schaltbereichs TrA, in dem die Elektroden des Nichtemissionsbereichs NEA ausgebildet sind, und Bereichen, die von Signalleitungen bedeckt sind, ausgegeben (oder abgegeben).
  • Da dementsprechend der Lichtextraktionsbereich OP breiter ausgebildet ist als der Emissionsbereich EA, wird ein Leuchtdichte-Betrachtungswinkel verbessert. Dadurch wird ein Öffnungsverhältnis verbessert und somit kann auch eine hohe Leuchtdichte realisiert werden.
  • Insbesondere ermöglicht im Fall des roten, grünen und blauen Unterpixels (R-SP, G-SP und B-SP von 2), die ferner mit den Wellenlängenumwandlungsschichten (108r, 108g und 108b von 2) versehen sind, die Brechungsindexbeziehung der ersten Überzugsschicht 220 und der Passivierungsschicht 210, die auf und unter den Wellenlängenumwandlungsschichten (108r , 108g und 108b in 2) positioniert sind, dass das Licht L stärker gebündelt wird. Daher ist es möglich, den Wirkungsgrad der Lichtextraktion (L) weiter zu verbessern.
  • Das Licht L kann durch eine Brechungsindexbeziehung zwischen den Wellenlängenumwandlungsschichten (108r, 108g und 108b in 2) und der ersten Überzugsschicht 220 und der Passivierungsschicht 210, die auf und unter den Wellenlängenumwandlungsschichten (108r, 108g und 108b in 2) positioniert sind, weiter gebündelt werden. Somit kann der Extraktionswirkungsgrad des Lichts L weiter verbessert werden.
  • Daher wird in der obigen Beschreibung als Beispiel beschrieben, dass eine separate Wellenlängenumwandlungsschicht nicht in dem weißen Unterpixel W-SP angeordnet ist. Jedoch kann eine (nicht gezeigte) Wellenlängenumwandlungsschicht auch in dem weißen Unterpixel W-SP positioniert sein, um den Extraktionswirkungsgrad des Lichts L weiter zu verbessern. Mit anderen Worten kann in dem weißen Unterpixel W-SP ferner ein weißer Farbfilter angeordnet sein.
  • In diesem Fall können die erste und die zweite Überzugsschicht 220 und 230 aus einem isolierenden Material mit einem Brechungsindex von etwa 1,4 bis 1,8 bestehen. Beispielsweise können die erste und die zweite Überzugsschicht 220 und 230 aus einem Acrylharz, einem Epoxidharz, einem Phenolharz, einem Harz auf Polyamidbasis, einem Harz auf Polyimidbasis, einem Harz auf Basis eines ungesättigten Polyesters, einem Harz auf Polyphenylenbasis, einem Harz auf Polyphenylensulfidbasis, einem Benzocyclobuten und einem Fotolack bestehen, sind aber nicht darauf beschränkt und können aus einem beliebigen Isoliermaterial mit einem Brechungsindex von etwa 1,4 bis 1,8 bestehen.
  • Wie es oben beschrieben ist, wird in der organischen Leuchtdiodenanzeige (100 von 2) gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung durch Bereitstellen der zufälligen Nanomuster 213 auf der Oberfläche der Passivierungsschicht 210 die Leuchtdichte-Betrachtungswinkel verbessert. Dementsprechend wird das Öffnungsverhältnis verbessert und somit kann auch eine hohe Leuchtdichte realisiert werden.
  • Außerdem sind in der organischen Leuchtdiodenanzeige (100 von 2) gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die erste und die zweite Überzugsschicht 220 und 230 mit unterschiedlichen Brechungsindizes aufeinander gestapelt und die erste Überzugsschicht 220 weist die Mikrolinsen ML auf und die zweite Überzugsschicht 230 bedeckt die einzuebnenden Mikrolinsen ML, wodurch der Extraktionswirkungsgrad des Lichts L verbessert wird und das Auftreten einer Regenbogen-Unregelmäßigkeit verhindert wird.
  • Zusätzlich ist es durch Verhindern des Auftretens eines hohen Reflexionsgrads möglich, eine Verschlechterung der Sichtbarkeit einer schwarzen Farbe zu verhindern, wodurch ein Kontrastverhältnis verbessert wird.
  • Insbesondere haben die Passivierungsschicht 210 und die erste Überzugsschicht 220 einen ungefähren (oder ähnlichen) Brechungsindex, die zweite Überzugsschicht 230 hat einen ungefähren (oder ähnlichen) Brechungsindex wie die Anode 111 und eine Differenz im Brechungsindex zwischen der ersten Überzugsschicht 220 und der zweiten Überzugsschicht 230 beträgt vorzugsweise etwa 0,2 oder mehr. Dementsprechend kann der Extraktionswirkungsgrad des Lichts L weiter verbessert werden.
  • Zudem kann die organische lichtemittierende Schicht 113 mit gleichmäßiger Dicke für jedes Unterpixel (R-SP, W-SP, G-SP und B-SP in 2) ausgebildet sein, so dass jedes Unterpixel (R-SP, W-SP, G-SP und B-SP in 2) eine gleichmäßige Lichtemissionscharakteristik aufweisen kann, wodurch der Wirkungsgrad der organischen Lichtemissionsschicht 113 verbessert wird und auch die Lebensdauer verlängert wird.
  • Da die organische lichtemittierende Schicht 113 so ausgebildet ist, dass sie für jedes der Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP und B-SP eine gleichförmige Dicke aufweist, kann eine Emissionscharakteristik auch für jedes der Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP und B-SP gleichförmig sein und dadurch wird ein Wirkungsgrad der organischen lichtemittierenden Schicht 113 erhöht und auch eine Lebensdauer kann verbessert werden.
  • 11 ist eine Draufsicht, die eine Struktur eines Einheitspixels mit vier Unterpixeln in einer organischen Leuchtdiodenanzeige gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • 12 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie XII-XII' in 11, die ein Unterpixel einer organischen Leuchtdiodenanzeige gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. 13 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie XIII-XIII' in 11. 14 ist eine Querschnittsansicht eines Unterpixels der organischen Leuchtdiodenanzeige entlang einer Linie XIV-XIV' in 11 gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Hier sind, um wiederholte Erläuterungen zu vermeiden, die gleichen Bezugszeichen den gleichen Teilen, die die gleichen Rollen wie diejenigen der oben beschriebenen Ausführungsform spielen, zugeordnet und der in dieser Ausführungsform zu beschreibende kennzeichnende Inhalt kann beschrieben werden.
  • Wie es in 11 gezeigt ist, können mehrere Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP und B-SP auf einem Substrat 101 definiert sein und jedes der Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP und B-SP kann durch eine kreuzende Struktur von Gate-Leitungen SL, Datenleitungen DL und Leistungsleitungen VDD definiert sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Ein Schalt-Dünnschichttransistor STr, der sich in einem Schaltbereich TrA befindet, kann an dem Kreuzungspunkt der Gate-Leitung SL und der Datenleitung DL ausgebildet sein. Der Schalt-Dünnschichttransistor STr kann eine Gate-Elektrode SG, die von der Gate-Leitung SL abzweigt, eine (nicht gezeigte) Halbleiterschicht, eine Source-Elektrode SS und eine Drain-Elektrode SD umfassen.
  • Ein Ansteuer-Dünnschichttransistor DTr kann eine Gate-Elektrode DG, die mit der Drain-Elektrode SD des Schalt-Dünnschichttransistors STr verbunden ist, eine Halbleiterschicht 103, eine Source-Elektrode DS, die mit der Leistungsleitung VDD verbunden ist, und eine Drain-Elektrode DD umfassen.
  • Die Drain-Elektrode DD des Ansteuer-Dünnschichttransistors DTr kann mit einer Anode 111 einer Leuchtdiode E durch ein Drain-Kontaktloch PH verbunden sein und eine organische lichtemittierende Schicht 113 kann zwischen der Anode 111 und einer Kathode 115 angeordnet sein.
  • Hier kann die organische Leuchtdiodenanzeige 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ferner eine Nut H aufweisen, die eine Passivierungsschicht 210 freilegt, die einer Grenze zwischen einem Emissionsbereich EA und einem mit dem Schaltbereich TrA versehenen Nichtemissionsbereich NEA entspricht, und ein Drain-Kontaktloch PH, das die Drain-Elektrode DD freilegt, kann in der Nut H bereitgestellt sein.
  • Zusätzlich kann ferner eine reflektierende Schicht 240 in einem Abschnitt der Nut H, der benachbart zu dem Emissionsbereich EA ist, ausgebildet sein.
  • Unter Bezugnahme auf 12 bis 13 kann der Ansteuer-Dünnschichttransistor DTr auf dem Schaltbereich TrA des Nichtemissionsbereichs NEA jedes der Unterpixel W-SP, R-SP, G-SP und B-SP auf dem Substrat positioniert sein. Der Dünnschichttransistor DTr kann die Halbleiterschicht 103 mit Source- und Drain-Bereich 103b und 103c, eine Gate-Isolierschicht 105 und die Gate-Elektrode DG, die auf der Halbleiterschicht 103 positioniert ist, sowie Source- und Drain-Elektrode DS und DD aufweisen.
  • Außerdem kann die Passivierungsschicht 210 auf der Source- und Drain-Elektrode DS und DD und der zwischen den zwei Elektroden DS und DD freigelegte Isolierschicht 106 positioniert sein.
  • Sie ist dadurch gekennzeichnet, dass die Passivierungsschicht 210a zufällige Nanomuster 213 an ihrer Oberfläche aufweist.
  • Die zufälligen Nanomuster 213 können eine feine konkav-konvexe Form haben und können jeweils unterschiedlich in Größe und Form sein und eine unregelmäßige Anordnung haben. Das zufällige Nanomuster 213 kann vorzugsweise so ausgebildet sein, dass es eine Größe und eine Teilung eines Wellenlängenbands von sichtbarem Licht oder weniger aufweist.
  • Wellenlängenumwandlungsschichten 108r, 108g und 108b können auf der Passivierungsschicht 210 so positioniert sein, dass sie den Emissionsbereichen EA der jeweiligen Unterpixel R-SP, G-SP und B-SP entsprechen. Die Wellenlängenumwandlungsschichten 108r, 108g und 108b können Farbfilter aufweisen, die nur Wellenlängen von farbigem Licht, das in dem roten, grünen und blauen Unterpixeln R-SP, G-SP und B-SP festgelegt ist, unter dem aus den Leuchtdioden E emittierten weißen Licht in Richtung des Substrats 101 durchlassen.
  • In diesem Fall kann ein weißer Farbfilter in dem weißen Unterpixel W-SP angeordnet sein oder ein weißes Licht, das aus der organischen lichtemittierenden Schicht 113 emittiert wird, kann unverändert ohne einen weißen Farbfilter durchgelassen werden.
  • Eine erste Überzugsschicht 220, die eine Mikrolinsen ML bildende Oberfläche aufweist, kann auf der Passivierungsschicht 210 positioniert sein, die die Wellenlängenumwandlungsschichten 108r, 108g und 108b aufweist. Die Mikrolinsen ML können mehrere konkave Abschnitte 118 und mehrere konvexe Abschnitte 117 aufweisen, die abwechselnd angeordnet sind. Die konvexen Abschnitte 117 können eine Struktur aufweisen, die jeden konkaven Abschnitt 118 definiert oder umgibt. Der konvexe Abschnitt 117 kann einen unteren Abschnitt (117a von 9), einen oberen Abschnitt (117b von 9) und einen Seitenflächenabschnitt (117c von 9) aufweisen.
  • Hier kann eine Größe des zufälligen Nanomusters 213, das an der Oberfläche der Passivierungsschicht 210 bereitgestellt ist, kleiner als die der Mikrolinse ML sein und es kann feiner als ein Mikrometer (µm) ausgebildet sein.
  • Mit anderen Worten kann die Größe des zufälligen Nanomusters 213 dann, wenn die Mikrolinse ML möglicherweise eine Größe von mehreren Mikrometern hat, mehrere Nanometer betragen. Dementsprechend wird ein aus der organischen lichtemittierenden Schicht 113 emittiertes Licht ohne Verlust durch das zufällige Nanomuster 213 gestreut, wodurch ein Leuchtdichte-Betrachtungswinkel verbessert wird.
  • Außerdem sind die an der Oberfläche der Passivierungsschicht 210 bereitgestellten zufälligen Nanomuster 213 in einer feinen konkav-konvexen Form ausgebildet, haben unterschiedliche Größen und Formen und sind unregelmäßig angeordnet, während die Mikrolinsen ML in der ersten Überzugsschicht 220, in der die mehreren konkaven Abschnitte 118 und die mehreren konvexen Abschnitte 117 abwechselnd an der Oberfläche der ersten Überzugsschicht 220 angeordnet sind, regelmäßig ausgebildet sind.
  • Dementsprechend dienen die zufälligen Nanomuster 213 dazu, Licht zu streuen, und die Mikrolinse ML kann das Auftreten einer Regenbogen-Unregelmäßigkeit verhindern, während sie einen Wirkungsgrad der nach außen gerichteten Lichtextraktion verbessert.
  • Wie in 12 und 13gezeigt ist, kann auf der ersten Überzugsschicht 220 mit den Mikrolinsen ML die zweite Überzugsschicht 230 zusammen mit der ersten Überzugsschicht 220 mit der Nut H, die die darunter positionierte Passivierungsschicht 210 freilegt, positioniert sein.
  • Wie es in 14 gezeigt ist, kann zudem das Drain-Kontaktloch PH, das die Drain-Elektrode DD freilegt, in der Nut H ausgebildet sein. Das Drain-Kontaktloch PH kann in der ersten und zweiten Überzugsschicht 220 und 230 und der Passivierungsschicht 210 ausgebildet sein. Die zweite Überzugsschicht 230 kann die Mikrolinsen ML der ersten Überzugsschicht 220 so bedecken, dass sie eine flache Oberfläche haben.
  • Die zweite Überzugsschicht 230 und die erste Überzugsschicht 220 können unterschiedliche Brechungsindizes aufweisen. Vorzugsweise ist der Brechungsindex der zweiten Überzugsschicht 230 größer als der der ersten Überzugsschicht 220. Mit anderen Worten ist es vorzuziehen, dass die Passivierungsschicht 210 und die erste Überzugsschicht 220 einen Brechungsindex von 1,4 bis 1,5 haben, die zweite Überzugsschicht 230 einen Brechungsindex von 1,6 bis 1,8 hat und eine Differenz im Brechungsindex zwischen der ersten Überzugsschicht 220 und der zweiten Überzugsschicht 230 etwa 0,2 oder mehr beträgt.
  • Die Anode 111 der Leuchtdiode E, die beispielsweise aus einem Material mit einem relativ hohen Austrittsarbeitswert hergestellt ist, kann auf der zweiten Überzugsschicht 230 mit der flachen Oberfläche angeordnet sein und mit der Drain-Elektrode DD des Ansteuer-Dünnschichttransistors DTr verbunden sein. Eine Bank 119 kann zwischen den Anoden 111 positioniert sein, die in den jeweiligen Unterpixeln R-SP, W-SP, G-SP und B-SP positioniert sind.
  • Die organische lichtemittierende Schicht 113 und die Kathode 115 können nacheinander auf der Anode 111 positioniert sein. Die Anode 111, die organische lichtemittierende Schicht 113 und die Kathode 115, die nacheinander auf der zweiten Überzugsschicht 230 positioniert sind, können alle zusammen entlang der flachen Oberfläche der zweiten Überzugsschicht 230 flach ausgebildet sein.
  • Hier ist die organische Leuchtdiodenanzeige 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass ein Abschnitt der Nut H und des Drain-Kontaktlochs PH, der zu dem Emissionsbereich EA benachbart ist, eine geneigte Oberfläche S bilden kann.
  • Mit anderen Worten kann unter den Seitenflächen, die die Nut H und das Drain-Kontaktloch PH bilden, zumindest ein Abschnitt der Seitenfläche, der benachbart zu dem Emissionsbereich EA positioniert ist, die geneigte Oberfläche S aufweisen, die zu dem Emissionsbereich EA hin geneigt ist.
  • Die geneigte Oberfläche S der Nut H und des Drain-Kontaktlochs PH kann so ausgebildet sein, dass sie sich von einem Ende des Schaltbereichs TrA zu einem Ende des Emissionsbereichs EA erstreckt, und eine reflektierende Schicht 240 kann auf der geneigten Oberfläche S der Nut H und des Drain-Kontaktlochs PH bereitgestellt sein.
  • Dementsprechend können die Nut H und das Drain-Kontaktloch PH so ausgebildet sein, dass eine Neigung eines Rands H_1 in Richtung des Schaltbereichs TrA in Bezug auf eine horizontale Ebene größer ist als die des anderen Rands H_2 in Richtung des Emissionsbereichs EA. Dementsprechend können der eine Rand H_1 in Richtung des Schaltbereichs TrA und der andere Rand H_2 in Richtung des Emissionsbereichs EA asymmetrisch zueinander sein.
  • Die reflektierende Schicht 240 auf der geneigten Oberfläche S, die an dem anderen Rand H_2 der Nut H und des Drain-Kontaktlochs PH in Richtung des Emissionsbereichs EA bereitgestellt ist, kann aus einem beliebigen Material bestehen, das Licht reflektieren kann, und kann ein Metallmaterial mit einem hervorragenden Reflexionsvermögen enthalten. Beispielsweise kann die enthalten 240 Molybdän (Mo), eine Legierung aus Molybdän und Titan (MoTi), Aluminium (Al), Silber (Ag), APC (Ag;Pb;Cu) und/oder Platin (Pt) enthalten.
  • Die reflektierende Schicht 240 , die auf der geneigten Oberfläche S der Nut H und des Drain-Kontaktlochs PH ausgebildet ist, kann dazu dienen, ein Licht L2, das zu dem Nichtemissionsbereich NEA läuft, nach außen zu extrahieren.
  • Genauer strahlt die organische lichtemittierende Schicht 113, die das Licht L1 und L2 in sich direkt erzeugt, das Licht L1 und L2 radial ab. Das erste Licht L1, das ein Teil des von der organischen lichtemittierenden Schicht 113 emittierten Lichts L1 und L2 ist, geht durch die Anode 111 und fällt auf die zweite Überzugsschicht 230 ein. Das erste Licht L1, das durch die zweite Überzugsschicht 230 tritt, erfährt ein Änderung an seinen Laufweg zu dem Substrat 101 hin durch die in der ersten Überzugsschicht 220 bereitgestellte Mikrolinse ML und verläuft durch die erste und zweite Überzugsschicht 220 und 230, um gebündelt zu werden.
  • Das erste Licht L1 wird erneut gebündelt, wenn es durch die Wellenlängenumwandlungsschicht 108r geht, und fällt dann auf die Passivierungsschicht 210 ein. Das erste Licht L1 fällt auf die Passivierungsschicht 210 aus der Wellenlängenumwandlungsschicht 108r ein. Das erste Licht L1, das aus der Wellenlängenumwandlungsschicht 108r auf die Passivierungsschicht 210 einfällt, wird gebrochen und in eine Ausgaberichtung gestreut, während der Laufweg des ersten Lichts L1 durch die zufälligen Nanomuster 213 geändert wird.
  • Dementsprechend ist bei der organischen Leuchtdiodenanzeige 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Wirkungsgrad der Lichtextraktion verbessert und der Lichtextraktionsbereich OP ist breiter ausgebildet als der Emissionsbereich EA.
  • Dementsprechend ist ein Leuchtdichte-Betrachtungswinkel verbessert und somit ist ein Öffnungsverhältnis verbessert und es kann auch eine hohe Leuchtdichte realisiert werden.
  • Indem die zweite Überzugsschicht 230 die Mikrolinse ML so bedeckt, dass sie planarisiert wird, ist es außerdem möglich, das Auftreten einer Regenbogen-Unregelmäßigkeit zu verhindern. Außerdem ist es durch Verhindern des Auftretens eines hohen Reflexionsgrads möglich, eine Abnahme der Sichtbarkeit einer schwarzen Farbe zu verhindern, wodurch ein Kontrastverhältnis verbessert wird.
  • Da das zweite Licht L2, das ein Teil des radial emittierten Lichts ist, in der organischen Leuchtdiodenanzeige 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung einen Winkel aufweist, der größer ist als ein kritischer Winkel der Totalreflexion, geht das zweite Licht L2 indes nicht durch das Substrat 101 hindurch, sondern wird an einer Grenze des Substrats 101 totalreflektiert und pflanzt sich zu dem Nichtemissionsbereich NEA fort.
  • Das zweite Licht L2, das zu dem Nichtemissionsbereich NEA läuft, kann innerhalb der organischen Leuchtdiodenanzeige 100 eingefangen werden. In der organischen Leuchtdiodenanzeige 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird jedoch das zweite Licht L2, das innerhalb des Nichtemissionsbereichs NEA eingefangen ist, von der reflektierenden Schicht 240 reflektiert, um es aus dem Substrat 101 zu extrahieren.
  • Dementsprechend wird in der organischen Leuchtdiodenanzeige 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Wirkungsgrad der Lichtextraktion weiter verbessert.
  • Da insbesondere das zweite Licht L2, das von der reflektierenden Schicht 240 reflektiert wird und aus dem Substrat 101 extrahiert wird, aus dem Nichtemissionsbereich NEA nach außen ausgegeben wird, bildet der Nichtemissionsbereich NEA, in dem die reflektierende Schicht 240 gebildet ist, auch den Lichtextraktionsbereich OP.
  • Mit anderen Worten kann der Lichtextraktionsbereich OP so definiert sein, dass er sowohl den Nichtemissionsbereich NEA, in dem sich die reflektierende Schicht 240 der Nut H und des Drain-Kontaktlochs PH befinden, als auch den Lichtemissionsbereich EA umfasst.
  • Dementsprechend kann die organische Leuchtdiodenanzeige 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung den breiten Lichtextraktionsbereich OP aufweisen, obwohl der Emissionsbereich EA durch einen Entwurfsbereich des Dünnschichttransistors DTr verschmälert ist und dergleichen, so dass ein Öffnungsverhältnis weiter verbessert und eine höhere Leuchtdichte realisiert werden kann.
  • Zusammenfassend kann in der organischen Leuchtdiodenanzeige 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung durch Bereitstellen der zufälligen Nanomuster 213 an der Oberfläche der Passivierungsschicht 210 der Lichtextraktionsbereich OP verbreitert werden, wodurch ein Leuchtdichte-Betrachtungswinkel und ein Öffnungsverhältnis verbessert werden.
  • Außerdem sind die erste und die zweite Überzugsschicht 220 und 230 mit unterschiedlichen Brechungsindizes so positioniert, dass sie aufeinander gestapelt sind, die erste Überzugsschicht 220 weist die Mikrolinsen ML auf und die zweite Überzugsschicht 230 bedeckt die Mikrolinsen ML so, dass sie planarisiert sind. Somit kann der Extraktionswirkungsgrad von Licht L verbessert werden und das Auftreten einer Regenbogen-Unregelmäßigkeit verhindert werden.
  • Zusätzlich ist es durch Verhindern des Auftretens eines hohen Reflexionsgrads möglich, eine Verschlechterung der Sichtbarkeit einer schwarzen Farbe zu verhindern. Somit kann ein Kontrastverhältnis verbessert werden. Außerdem haben die Passivierungsschicht 210 und die erste Überzugsschicht 220 einen ungefähren (oder ähnlichen) Brechungsindex, die zweite Überzugsschicht 230 hat einen ungefähren (oder ähnlichen) Brechungsindex wie die Anode 111 und eine Differenz im Brechungsindex zwischen der ersten Überzugsschicht 220 und der zweiten Überzugsschicht 230 beträgt vorzugsweise etwa 0,2 oder mehr, so dass ein Wirkungsgrad der Lichtextraktion weiter verbessert werden kann.
  • Insbesondere wird das zu dem Nichtemissionsbereich NEA laufende zweite Licht L2 auch durch die reflektierende Schicht 240 reflektiert, die auf der geneigten Oberfläche S der Nut H und des Drain-Kontaktlochs PH bereitgestellt ist, und aus dem Substrat 101 extrahiert. Dementsprechend wird ein Wirkungsgrad der Lichtextraktion der organischen Leuchtdiodenanzeige 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weiter verbessert.
  • In der organischen Leuchtdiodenanzeige 100 kann die Bank 119, die zwischen den Anoden 111 positioniert ist, die für die jeweiligen Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP und B-SP positioniert sind, so positioniert sein, dass sie sowohl die Nut H als auch das Drain-Kontaktloch PH abdeckt. Nach dem Aufbringen eines Schutzfilms 102 in Form eines dünnen Films auf dem Ansteuer-Dünnschichttransistor DTr und der Leuchtdiode E wird eine Flächendichtung 104, die aus einem organischen oder anorganischen isolierenden Material hergestellt, das transparent ist und eine Hafteigenschaft hat, zwischen der Leuchtdiode E und dem Schutzfilm 102 angeordnet und der Schutzfilm 102 und das Substrat 101 werden durch die Flächenabdichtung 104 miteinander verbunden, wodurch die organische Leuchtdiodenanzeige 100 eingekapselt wird.
  • Indes ist es bevorzugt, dass in der organischen Leuchtdiodenanzeige 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung durch Bilden der zufälligen Nanomuster 213, die an der Oberfläche der Passivierungsschicht 210 so angeordnet sind, dass sie dem Nichtemissionsbereich NEA entsprechen, in dem die reflektierende Schicht 240 bereitgestellt ist, ein Licht, das zu dem Nichtemissionsbereich NEA läuft, ohne Verluste gebrochen und gestreut werden kann und somit wird ein Wirkungsgrad der Lichtextraktion weiter verbessert.
  • Dabei fällt das von den zufälligen Nanomustern 213 gebrochene und gestreute Licht durch Ausbilden der zufälligen Nanomuster 213 so, dass sie dem Nichtemissionsbereich NEA entsprechen, auch dann, wenn die zufälligen Nanomuster 213 benachbart zu den benachbarten Unterpixeln R-SP, W-SP, G-SP und B-SP angeordnet sind, durch die reflektierende Schicht 240 nicht auf die benachbarten Unterpixel R-SP, W-SP, G-SP und B-SP ein. Daher gibt es kein Problem dahingehend, dass eine Farbwiedergabefähigkeit aufgrund einer Farbmischung verringert wird, die in den benachbarten Unterpixeln R-SP, W-SP, G-SP und B-SP auftritt.
  • Fachleuten wird klar sein, dass verschiedene Abwandlungen und Variationen an der vorliegenden Erfindung vorgenommen werden können, ohne vom Umfang der Erfindung abzuweichen. Somit soll die vorliegende Erfindung die Abwandlungen und Variationen dieser Erfindung abdecken, solange sie unter den Umfang der beigefügten Ansprüche und ihrer Äquivalente fallen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 1020210142650 [0001]

Claims (13)

  1. Organische Leuchtdiodenanzeige, die umfasst: ein Substrat (101), das mehrere Unterpixel (SP) enthält, die jeweils einen Emissionsbereich (EA) und einen Nichtemissionsbereich (NEA) enthalten; einen Dünnschichttransistor (STr, DTr), der sich in dem Nichtemissionsbereich (NEA) befindet; eine Passivierungsschicht (210), die den Dünnschichttransistor (STr, DTr) bedeckt und auf einer ihrer Oberflächen zufällige Nanomuster (213) aufweist; eine erste Überzugsschicht (220) auf der Passivierungsschicht (210), die einen ersten Brechungsindex besitzt und auf einer ihrer Oberflächen mehrere Mikrolinsen (ML) aufweist; eine zweite Überzugsschicht (230) auf der ersten Überzugsschicht (220), die einen zweiten Brechungsindex besitzt, der höher als der erste Brechungsindex ist, wobei eine Oberfläche der zweiten Überzugsschicht (230) flach ist; und eine Leuchtdiode (E) auf der zweiten Überzugsschicht (230).
  2. Organische Leuchtdiodenanzeige nach Anspruch 1, wobei die zufälligen Nanomuster (213) eine unregelmäßig angeordnete konkav-konvexe Form und/oder eine Größe und eine Teilung von einem Wellenlängenband sichtbaren Lichts oder weniger aufweisen.
  3. Organische Leuchtdiodenanzeige nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Größe des zufälligen Nanomusters (213) kleiner als die der Mikrolinse (ML) ist.
  4. Organische Leuchtdiodenanzeige nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zufälligen Nanomuster (213) unregelmäßig angeordnet sind und/oder die Mikrolinsen (ML) regelmäßig angeordnet sind.
  5. Organische Leuchtdiodenanzeige nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der erste Brechungsindex 1,43 bis 1,57 beträgt und/oder der zweite Brechungsindex 1,57 bis 1,8 beträgt und/oder wobei eine Differenz zwischen dem ersten Brechungsindex und dem zweiten Brechungsindex 0,2 oder mehr beträgt.
  6. Organische Leuchtdiodenanzeige nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Anode (111) der Leuchtdiode (E) einen Brechungsindex von 1,7 bis 1,8 aufweist und/oder der Brechungsindex der Anode (111) ungefähr dem zweiten Brechungsindex entspricht.
  7. Organische Leuchtdiodenanzeige nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Passivierungsschicht (210) einen Brechungsindex von 1,4 bis 1,5 aufweist und/oder der Brechungsindex der Passivierungsschicht (210) ungefähr dem ersten Brechungsindex entspricht.
  8. Organische Leuchtdiodenanzeige nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner eine Wellenlängenumwandlungsschicht (108) aufweist, die sich zwischen den zufälligen Nanomustern (213) und den Mikrolinsen (ML) befindet.
  9. Organische Leuchtdiodenanzeige nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zufälligen Nanomuster (213) innerhalb des Emissionsbereichs (EA) jedes Unterpixels (SP) angeordnet sind, und/oder wobei sich die Mikrolinsen (ML) über mehrere der Unterpixel (SP) erstrecken.
  10. Organische Leuchtdiodenanzeige nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Passivierungsschicht (210) und die erste und die zweite Überzugsschicht (220, 230) ein Drain-Kontaktloch (PH) aufweisen, das eine Drain-Elektrode (DD) des Dünnschichttransistors (DTr) in dem Nichtemissionsbereich (NEA) freilegt, wobei das Drain-Kontaktloch (PH) eine geneigte Oberfläche (S) aufweist, die von dem Nichtemissionsbereich (NEA) in Richtung des Emissionsbereichs (EA) geneigt ist, und wobei eine reflektierende Schicht (240) auf der geneigten Oberfläche (S) angeordnet ist.
  11. Organische Leuchtdiodenanzeige nach Anspruch 10, wobei die reflektierende Schicht (240) zwischen der geneigten Oberfläche (S) der ersten und zweiten Überzugsschicht (220, 230) und einer Anode (111) der Leuchtdiode (E), die mit der Drain-Elektrode (DD) des Dünnschichttransistors (DTr) verbunden ist, angeordnet ist und/oder zwischen einer Anode (111) der Leuchtdiode (E), die mit der Drain-Elektrode (DD) des Dünnschichttransistors (DTr) verbunden ist, und einer Bank (119) angeordnet ist.
  12. Organische Leuchtdiodenanzeige nach Anspruch 10 oder 11, wobei eine Oberfläche des Drain-Kontaktlochs (PH), die dem Nichtemissionsbereich (NEA) zugewandt ist, steiler ist als die geneigte Oberfläche (S), die dem Emissionsbereich (EA) zugewandt ist.
  13. Organische Leuchtdiodenanzeige nach Anspruch 10, 11 oder 12, wobei die zufälligen Nanomuster (213) auf der Oberfläche der Passivierungsschicht (210) in einem Abschnitt, der der reflektierenden Schicht (240) zugewandt ist, und in dem Emissionsbereich (EA) ausgebildet sind.
DE102022127714.3A 2021-10-25 2022-10-20 Organische Leuchtdiodenanzeige Pending DE102022127714A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210142650A KR20230058882A (ko) 2021-10-25 2021-10-25 유기발광표시장치
KR10-2021-0142650 2021-10-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102022127714A1 true DE102022127714A1 (de) 2023-04-27

Family

ID=85795776

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102022127714.3A Pending DE102022127714A1 (de) 2021-10-25 2022-10-20 Organische Leuchtdiodenanzeige

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230126988A1 (de)
KR (1) KR20230058882A (de)
CN (1) CN116033792A (de)
DE (1) DE102022127714A1 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117255594B (zh) * 2023-11-17 2024-04-23 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及电子设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210142650A (ko) 2019-03-25 2021-11-25 바텔리 메모리얼 인스티튜트 활성탄 재생 시스템 및 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210142650A (ko) 2019-03-25 2021-11-25 바텔리 메모리얼 인스티튜트 활성탄 재생 시스템 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230058882A (ko) 2023-05-03
US20230126988A1 (en) 2023-04-27
CN116033792A (zh) 2023-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102016123108B4 (de) Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen und Verfahren zu deren Herstellung
DE102016116269B4 (de) Organische-licht-emittierende-diode-anzeigevorrichtungen
DE102017128844B4 (de) Matrixsubstrat umfassend eine Vielzahl von Leuchteinheiten und eine Vielzahl von Fingerabdruckerkennungseinheiten, Anzeigefeld und Anzeigevorrichtung
DE102017125292A1 (de) Anzeigefeld und elektronisches Gerät
DE112017001717B4 (de) Anzeigevorrichtung und elektronische einrichtung
DE102014108432B4 (de) OLED-Anzeigepanel, Verfahren zu dessen Herstellung und Anzeigevorrichtung
DE102018127272B4 (de) Anzeigevorrichtung mit Prozessschlüssel
DE102013114150B4 (de) Organische Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE102020130702A1 (de) Mikro-leuchtdioden-anzeigepanel
DE102019135788A1 (de) Transparente Anzeigevorrichtung
DE102017131412A1 (de) In-cell berührungsempfindliche organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung
DE102017125293A1 (de) Anzeigefeld und Anzeigevorrichtung
DE102016117918A1 (de) Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung
DE102018130712A1 (de) Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung
DE102013111943A1 (de) Flexible organische Elektrolumineszenz-Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE102018121100A1 (de) Organische lichtemittierende anzeigevorrichtung
EP1887634A2 (de) Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
DE102014116438A1 (de) Organische Leuchtdiodenanzeigevorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102016118470A1 (de) Organische lichtemittierende anzeigevorrichtung und verfahren zum herstellen derselben
DE102020210774A1 (de) Anzeigegerät
DE102019120820B4 (de) Anzeigevorrichtung
DE112020007036T5 (de) Gegensubstrat, Anzeigefeld und Anzeigevorrichtung
DE102017111706A1 (de) Lichtemissionsvorrichtung
DE102022127714A1 (de) Organische Leuchtdiodenanzeige
DE102019121857A1 (de) Organische-lichtemittierende-diode-anzeigevorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0027320000

Ipc: H10K0059000000