DE102019121857A1 - Organische-lichtemittierende-diode-anzeigevorrichtung - Google Patents

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Kang-Ju Lee
Seung-Ryong Joung
Seong-Su Jeon
Tae-Shick Kim
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Abstract

Eine Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung (100) weist auf: ein Substrat (101), das einen emittierenden Bereich (EA) und einen nicht-emittierenden Bereich (NEA) aufweist; eine Überzugschicht (108) auf dem Substrat (101), die eine Mehrzahl von konvexen Bereichen (117) und eine Mehrzahl von konkaven Bereichen (118) aufweist; eine erste Elektrode (111) auf der Überzugschicht (108); eine lichtemittierende Schicht (113) auf der ersten Elektrode (111), die eine erste Emittierendes-Material-Schicht (203a) aufweist; und eine zweite Elektrode (115) auf der lichtemittierenden Schicht (113), wobei die lichtemittierende Schicht (113) nacheinander eine erste Emittierendes-Material-Schicht (203a), eine zweite Emittierendes-Material-Schicht (203b) und eine dritte Emittierendes-Material-Schicht (203c) unter der zweiten Elektrode (115) aufweist, und wobei die erste Emittierendes-Material-Schicht (203a) ein Licht einer ersten Wellenlänge emittiert, die zweite Emittierendes-Material-Schicht (203b) das erste Licht der ersten Wellenlänge emittiert, und die dritte Emittierendes-Material-Schicht (203c) ein zweites Licht einer zweiten Wellenlänge, die verschieden ist von der ersten Wellenlänge, emittiert.

Description

  • QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNG
  • Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der Koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2018-0095139 , eingereicht in der Republik Korea am 14. August 2018.
  • HINTERGRUND DER OFFENBARUNG
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung, und betrifft insbesondere eine Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung, in der eine Lichtauskopplungseffizienz verbessert ist.
  • Beschreibung der bezogenen Technik
  • In letzter Zeit ist, mit dem Aufkommen einer an Informationen orientierten Gesellschaft, da das Interesse an Informationsanzeigen zum Weiterverarbeiten und Anzeigen einer großen Menge von Informationen und die Nachfrage nach tragbaren Informationsmedien zugenommen haben, ein Anzeigengebiet schnell fortgeschritten. Somit sind verschiedene leichte und dünne Flachpanel-Anzeigevorrichtungen entwickelt worden und ins Rampenlicht getreten.
  • Unter den verschiedenen Flachpanel-Anzeigevorrichtungen ist eine Organische-lichtemittierende-Diode (OLED)-Anzeigevorrichtung eine Vorrichtung des emittierenden Typs und erfordert keine Hintergrundbeleuchtungseinheit, die in einer Vorrichtung des nicht-emittierenden Typs, wie beispielsweise einer Flüssigkristallanzeige (LCD)-Vorrichtung, verwendet wird. Als ein Ergebnis weist die OLED-Anzeigevorrichtung ein geringes Gewicht und ein dünnes Profil auf.
  • Außerdem weist die OLED-Anzeigevorrichtung Vorteile eines Betrachtungswinkels, eines Kontrastverhältnisses und des Energieverbrauchs im Vergleich zu der LCD-Vorrichtung auf. Des Weiteren kann die OLED-Anzeigevorrichtung mit einer niedrigen Gleichstrom (DC)-Spannung angesteuert werden und weist eine schnelle Antwortgeschwindigkeit auf. Außerdem weist die OLED-Anzeigevorrichtung, da innere Bauteile der OLED-Anzeigevorrichtung einen festen Aggregatszustand aufweisen, eine hohe Widerstandskraft gegenüber äußeren Einflüssen auf und weist einen breiten zur Verfügung stehenden Temperaturbereich auf.
  • In der OLED-Anzeigevorrichtung geht, während Licht, das von einer lichtemittierenden Schicht emittiert wird, durch verschiedene Komponenten hindurchtritt und nach außen emittiert wird, eine große Menge des Lichts verloren. Als ein Ergebnis beträgt das von der OLED-Anzeigevorrichtung nach außen emittierte Licht nur 20% des von der lichtemittierenden Schicht emittierten Lichts.
  • Hierbei ist es, da die Menge des von der lichtemittierenden Schicht emittierten Lichts mit der Zunahme eines Stroms, der an die OLED-Anzeigevorrichtung angelegt wird, zunimmt, möglich, die Helligkeit der OLED-Anzeigevorrichtung mittels Anlegens höherer Ströme an die lichtemittierende Schicht zu erhöhen. Jedoch ist in diesem Falle ein Energieverbrauch erhöht, und eine Lebensdauer der OLED-Anzeigevorrichtung ist ebenso reduziert.
  • Deshalb ist eine OLED-Anzeigevorrichtung, in der eine Mikrolinsen-Matrix (MLA) an einer äußeren Oberfläche eines Substrats angebracht ist oder eine Mikrolinse in einer Überzugschicht gebildet ist, vorgeschlagen worden, um eine Lichtauskopplungseffizienz der OLED-Anzeigevorrichtung zu verbessern.
  • Jedoch ist, selbst wenn die Mikrolinsen-Matrix an der äußeren Oberfläche der OLED-Anzeigevorrichtung angebracht ist oder die Mikrolinse in der OLED-Anzeigevorrichtung gebildet ist, eine große Menge von Licht in der OLED-Anzeigevorrichtung eingeschlossen und nur eine kleine Menge an Licht wird nach außen ausgekoppelt.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER OFFENBARUNG
  • Dementsprechend ist die vorliegende Offenbarung auf eine Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung gerichtet, die im Wesentlichen eines oder mehrere der Probleme aufgrund von Beschränkungen und Nachteilen der bezogenen Technik verhindert.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung ist es, eine Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung bereitzustellen, in der eine Lichtauskopplungseffizienz verbessert ist und eine Lebensdauer verlängert ist.
  • Zusätzliche Merkmale und Vorteile der Offenbarung werden in der folgenden Beschreibung bekannt gemacht und sind teilweise aus der Beschreibung ersichtlich oder können durch Anwendung der Offenbarung erlernt werden. Diese Ziele und andere Vorteile der Offenbarung können mittels der in der schriftlichen Beschreibung und den sich daraus ergebenden Ansprüchen sowie den angehängten Zeichnungen besonders hervorgehobenen Struktur realisiert und erreicht werden.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine Organische-lichtemittierende-Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1 bereitgestellt. Weitere Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
  • Zum Erreichen dieser und anderer Vorteile und in Übereinstimmung mit dem Ziel der Erfindung, wie hierin ausgeführt und ausführlich beschrieben, weist eine Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung auf: ein Substrat; eine Überzugschicht auf dem Substrat, die eine Mehrzahl von konvexen Bereichen und eine Mehrzahl von konkaven Bereichen aufweist; eine erste Elektrode auf der Überzugschicht; eine lichtemittierende Schicht auf der ersten Elektrode; und eine zweite Elektrode auf der lichtemittierenden Schicht, wobei die lichtemittierende Schicht eine erste Emittierendes-Material-Schicht, eine zweite Emittierendes-Material-Schicht und eine dritte Emittierendes-Material-Schicht, die nacheinander unter der zweiten Elektrode angeordnet sind, aufweist, und wobei die erste Emittierendes-Material-Schicht ein erstes Licht einer ersten Wellenlänge emittiert, die zweite Emittierendes-Material-Schicht das erste Licht der ersten Wellenlänge emittiert, und die dritte Emittierendes-Material-Schicht ein zweites Licht einer zweiten Wellenlänge, die verschieden ist von der ersten Wellenlänge, emittiert.
  • Es ist zu bemerken, dass beide, die vorgehende allgemeine Beschreibung und die nachstehende detaillierte Beschreibung exemplarisch und erläuternd sind und vorgesehen sind, weitere Erklärungen der Offenbarung wie beansprucht bereitzustellen.
  • Figurenliste
  • Die begleitenden Zeichnungen, die beigefügt sind, um ein weitergehendes Verständnis der Offenbarung zu liefern, und die eingefügt sind in und einen Teil dieser Anmeldung darstellen, illustrieren Ausführungsformen der Offenbarung und dienen zusammen mit der Beschreibung, um die Prinzipien der Offenbarung zu erklären. Es zeigen:
    • 1 eine Querschnittansicht, die eine Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 2 eine vergrößerte Ansicht von A der 1;
    • 3 eine Höhenliniendarstellung, die Licht einer Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel darstellt;
    • 4 eine Querschnittansicht, die eine lichtemittierende Diode einer Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt; und
    • 5 ein Schaubild, das eine externe Quantenausbeute eines Lichts blauer Farbe einer Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Bezug wird nun im Detail genommen auf die vorliegende Offenbarung, wobei Beispiele derselben in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind.
  • 1 zeigt eine Querschnittansicht, die eine Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. Alle Bauteile der Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung gemäß allen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind betriebsfähig gekoppelt und eingerichtet.
  • In 1 kann eine Organische-lichtemittierende-Diode (OLED)-Anzeigevorrichtung 100 entsprechend einer Emissionsrichtung des Lichts einen Top-Emission-Typ oder einen Bottom-Emission-Typ aufweisen. Im Folgenden kann beispielhaft eine OLED-Anzeigevorrichtung des Bottom-Emission-Typs dargestellt sein.
  • Die OLED-Anzeigevorrichtung 100 weist ein Substrat, das einen Ansteuerungsdünnschichttransistor (TFT) DTr und eine lichtemittierende Diode E darauf aufweist, und eine Schutzschicht 102, die das Substrat 101 verkapselt, auf.
  • Das Substrat 101 weist eine Mehrzahl von Pixelbereichen P auf, und jeder Pixelbereich P weist einen emittierenden Bereich EA, in dem die lichtemittierende Diode E angeordnet ist und im Wesentlichen ein Bild angezeigt wird, und einen nicht-emittierenden Bereich NEA entlang einer Kante des emittierenden Bereichs EA auf. Der nicht-emittierende Bereich NEA weist einen Schaltbereich TrA, in dem der Ansteuerungs-TFT DTr angeordnet ist, auf.
  • Eine Halbleiterschicht 103 ist in dem Schaltbereich TrA des nicht-emittierenden Bereichs NEA des Pixelbereichs P auf dem Substrat 101 angeordnet. Die Halbleiterschicht 103 kann Silizium aufweisen und kann einen aktiven Bereich 103a in einem zentralen Bereich aufweisen und einen Source-Bereich 103b und Drain-Bereich 103c in beiden Seitenbereichen des aktiven Bereichs 103a aufweisen. Der aktive Bereich 103a kann als ein Kanal des Ansteuerungs-TFTs DTr wirken, und der Source-Bereich 103b und Drain-Bereich 103c können mit Verunreinigungen einer relativ hohen Konzentration dotiert sein.
  • Eine Gate-isolierende Schicht 105 ist auf der Halbleiterschicht 103 angeordnet.
  • Eine Gate-Elektrode 107 und eine Gate-Leitung (nicht dargestellt) sind auf der Gate-isolierenden Schicht 105 angeordnet. Die Gate-Elektrode 107 entspricht dem aktiven Bereich 103a der Halbleiterschicht 103, und die Gate-Leitung ist mit der Gate-Elektrode 107 derart verbunden, dass sie sich entlang einer Richtung erstreckt.
  • Eine erste Zwischenschicht-isolierende Schicht 109a ist auf der Gate-Elektrode 107 und der Gate-Leitung angeordnet. Die erste isolierende Schicht 109a und die Gate-isolierende Schicht 105 weisen ein erstes Halbleiter-Kontaktloch 116 und ein zweites Halbleiter-Kontaktloch 116, die in beiden Seitenbereichen des aktiven Bereichs 103a den Source-Bereich 103b und den Drain-Bereich 103c freilegen, auf.
  • Eine Source-Elektrode 110a und eine Drain-Elektrode 110b sind in einem Abstand voneinander auf der ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 109a, die das erste Halbleiter-Kontaktloch 116 und zweite Halbleiter-Kontaktloch 116 aufweist, angeordnet. Die Source-Elektrode 110a ist durch das erste Halbleiter-Kontaktloch 116 hindurch mit dem Source-Bereich 103b verbunden, und die Drain-Elektrode 110b ist durch das zweite Halbleiter-Kontaktloch 116 hindurch mit dem Drain-Bereich 103c verbunden.
  • Eine zweite Zwischenschicht-isolierende Schicht 109b ist auf der Source-Elektrode 110a und Drain-Elektrode 110b und der ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 109a, die zwischen der Source-Elektrode 110a und Drain-Elektrode 110b freigelegt ist, angeordnet.
  • Die Source-Elektrode 110a und Drain-Elektrode 110b, die Halbleiterschicht 103, die den Source-Bereich 103b und Drain-Bereich 103c, die die Source-Elektrode 110a bzw. Drain-Elektrode 110b kontaktieren, die Gate-isolierende Schicht 105 und die Gate-Elektrode 107 bilden den Ansteuerungs-TFT DTr.
  • Obwohl nicht dargestellt, kann auf der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 109b eine Datenleitung angeordnet sein. Die Datenleitung kann zum Definieren jedes Pixelbereichs P die Gate-Leitung überkreuzen. Ein Schalt-TFT, der die gleiche Struktur wie der Ansteuerungs-TFT DTr aufweist, kann mit dem Ansteuerungs-TFT DTr verbunden sein.
  • Der Schalt-TFT und der Ansteuerungs-TFT DTr können beispielhaft eines von einem, der Halbleiterschicht 103 entsprechenden, amorphem Silizium (a-Si)-TFT, einem polykristallinen Silizium (p-Si)-TFT, einem Einkristall-Silizium (c-Si)-TFT und einem Oxid-TFT, aufweisen. Obwohl der Schalt-TFT und der Ansteuerungs-TFT DTr in der ersten Ausführungsform der 1 einen Top-Gate-Typ, in dem die Halbleiterschicht 103 polykristallines Silizium oder ein Oxid-Halbleitermaterial aufweist, aufweisen, können der Schalt-TFT und der Ansteuerungs-TFT DTr einen Bottom-Gate-Typ, in dem die Halbleiterschicht 103 intrinsisches amorphes Silizium und Verunreinigung-dotiertes amorphes Silizium in einer weiteren Ausführungsform aufweist, aufweisen.
  • Wenn die Halbleiterschicht 103 das Oxid-Halbleitermaterial aufweist, kann eine Lichtabschirmungsschicht (nicht dargestellt) unter der Halbleiterschicht 103 des Oxid-Halbleitermaterials angeordnet sein, und eine Pufferschicht (nicht dargestellt) kann zwischen der Lichtabschirmungsschicht und der Halbleiterschicht 103 angeordnet sein.
  • Eine Wellenlängenumwandlungsschicht 106 ist zwischen der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 109b, die dem emittierenden Bereich EA jedes Pixelbereichs P entspricht, angeordnet.
  • Die Wellenlängenumwandlungsschicht 106 kann einen Farbfilter, der nur Licht, das eine Wellenlänge einer vorher festgelegten Farbe entsprechend jedem Pixelbereich P aus einem weißen Licht, das von der lichtemittierenden Diode E des Substrats 101 emittiert wird, hindurchtreten lässt, aufweisen.
  • Die Wellenlängenumwandlungsschicht 106 kann nur Licht hindurchtreten lassen, das eine Wellenlänge aufweist, die einer roten Farbe, einer grünen Farbe oder einer blauen Farbe entspricht. Beispielsweise kann in der OLED-Anzeigevorrichtung 100 ein einzelner Einheitspixelbereich einen roten Pixelbereich P, grünen Pixelbereich P und blauen Pixelbereich P aufweisen, und die Wellenlängenumwandlungsschicht 106 in dem roten Pixelbereich P, grünen Pixelbereich P und blauen Pixelbereich P kann einen roten Farbfilter, grünen Farbfilter bzw. blauen Farbfilter aufweisen.
  • In der OLED-Anzeigevorrichtung 100 kann der einzelne Einheitspixelbereich des Weiteren einen weißen Pixelbereich, in dem die Wellenlängenumwandlungsschicht 106 nicht angeordnet ist, aufweisen.
  • In einer weiteren Ausführungsform kann die Wellenlängenumwandlungsschicht 106 einen Quantenpunkt, der eine Größe aufweist, die es ermöglicht, ein Licht einer vorher festgelegten Farbe entsprechend jedem Pixelbereich P gemäß einem weißen Licht, das von der lichtemittierenden Diode E des Substrats 101 emittiert wird, aufweisen. Hierbei kann der Quantenpunkt mindestens eines ausgewählt aus einer Gruppe aufweisend CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, GaN, GaP, GaAs, AIN, AIP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AINP, AINAs, AIPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAINP, GaAINAs, GaAIPAs, GalnNP, GaInNAs, GalnPAs, InAlNP, InAINAs, InAIPAs und SbTe aufweisen. Jedoch ist ein Material des Quantenpunkts nicht hierauf beschränkt.
  • Beispielsweise kann die Wellenlängenumwandlungsschicht 106 in dem roten Pixelbereich einen Quantenpunkt aus CdSe oder InP aufweisen, die Wellenlängenumwandlungsschicht 106 in dem grünen Pixelbereich kann einen Quantenpunkt aus CdZnSeS aufweisen, und die Wellenlängenumwandlungsschicht 106 in dem blauen Pixelbereich kann einen Quantenpunkt aus ZnSe aufweisen. Die OLED-Anzeigevorrichtung 100, in der die Wellenlängenumwandlungsschicht 106 einen Quantenpunkt aufweist, kann eine relativ hohe Farbreproduzierbarkeit aufweisen.
  • In einer weiteren Ausführungsform kann die Wellenlängenumwandlungsschicht 106 einen Farbfilter, der einen Quantenpunkt enthält, aufweisen.
  • Eine Überzugschicht 108, die ein erstes Drain-Kontaktloch 108a, das die Drain-Elektrode 110b mit der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 109b freilegt, ist auf der Wellenlängenumwandlungsschicht 106 angeordnet. Die Überzugschicht 108 weist eine Mehrzahl von konkaven Bereichen 118 und eine Mehrzahl von konvexen Bereichen 117 auf einer oberen Oberfläche davon auf. Die Mehrzahl von konkaven Bereichen 118 und die Mehrzahl von konvexen Bereichen 117 sind zum Ausbilden einer Mikrolinse ML abwechselnd zueinander angeordnet.
  • Die Überzugschicht 108 kann ein isolierendes Material, das einen Brechungsindex von 1,5 aufweist, aufweisen. Beispielsweise kann die Überzugschicht 108 eines von Acrylharz, Epoxyharz, Phenolharz, Polyamidharz, Polyimidharz, ungesättigtem Polyesterharz, Polyphenylenharz, Polyphenylensulfidharz, Benzocyclobuten und Fotolack aufweisen. Jedoch ist ein Material der Überzugschicht 108 nicht hierauf beschränkt.
  • Die Mehrzahl von konvexen Bereichen 117 können eine Struktur zum Definieren bzw. Umgeben der Mehrzahl von konkaven Bereichen 118 aufweisen und können einen unteren Oberflächenbereich 117a, einen oberen Oberflächenbereich 117b und einen Seitenoberflächenbereich 117c aufweisen.
  • Der Seitenoberflächenbereich 117c kann eine gesamte geneigte Oberfläche, die den Seitenoberflächenbereich 117b bildet, sein. Eine Steigung des Seitenoberflächenbereichs 117c kann von dem unteren Oberflächenbereich 117a zu dem oberen Oberflächenbereich 117b derart zunehmen, dass der Seitenoberflächenbereich 117c in einem Bereich, der an den oberen Oberflächenbereich 117b angrenzt, eine maximale Steigung Smax aufweisen.
  • Da mittels der Mehrzahl von konvexen Bereichen 117 ein Pfad des von der lichtemittierenden Schicht 113 emittierten Lichts in Richtung des Substrats 101 geändert wird, nimmt die Lichtauskopplungseffizienz der OLED-Anzeigevorrichtung 100 zu.
  • Eine erste Elektrode 111, die mit der Drain-Elektrode 110b des Ansteuerungs-TFTs DTr verbunden ist, ist auf der Überzugschicht 108, die die Mikrolinse ML ausbildet, angeordnet. Beispielsweise kann die erste Elektrode 111 eine Anode der lichtemittierenden Diode E sein und kann ein Material, das eine relativ hohe Austrittsenergie aufweist, aufweisen.
  • Die erste Elektrode 111 ist in jedem Pixelbereich P angeordnet, und ein Damm 119 ist zwischen den ersten Elektroden 111 in den benachbarten Pixelbereichen P angeordnet. Die erste Elektrode 111 ist in jedem Pixelbereich P mit dem Damm 119 als eine Grenze zwischen den benachbarten Pixelbereichen P unterteilt.
  • Der Damm 119 weist eine Öffnung, die die erste Elektrode 111 freilegt, auf, und die Öffnung des Damms 119 ist derart angeordnet, dass sie dem emittierenden Bereich EA entspricht. Die Mehrzahl von konvexen Bereichen 117 und die Mehrzahl von konkaven Bereichen 118, die die Mikrolinse ML ausbilden, sind in einer gesamten Öffnung des Damms 119 angeordnet. Beispielsweise können die Mehrzahl von konvexen Bereichen 117 und die Mehrzahl von konkaven Bereichen 118 einen Kantenbereich des Damms 119 kontaktieren.
  • Des Weiteren ist die Öffnung des Damms 119 derart angeordnet, dass sie der Wellenlängenumwandlungsschicht 106 entspricht. Beispielsweise kann der Kantenbereich des Damms 119 einen Kantenbereich der Wellenlängenumwandlungsschicht 106 überlappen. Da die Wellenlängenumwandlungsschicht 106 den Damm 119 überlappt, kann eine Leckage von Licht, das nicht durch die Wellenlängenumwandlungsschicht 106 hindurchtritt, verhindert werden.
  • Eine lichtemittierende Schicht 113 ist auf der ersten Elektrode 111 angeordnet. Die lichtemittierende Schicht 113 kann eine einzelne Schicht eines emittierenden Materials aufweisen. Alternativ dazu kann die lichtemittierende Schicht 113 eine mehrlagige Schicht, die zum Erhöhen einer Emissionsausbeute eine Löcherinjektionsschicht, eine Löchertransportschicht, eine Emittierendes-Material-Schicht, eine Elektronentransportschicht und eine Elektroneninjektionsschicht aufweist, aufweisen.
  • Die erste Elektrode 111 und die lichtemittierende Schicht 113, die nacheinander auf der Überzugschicht 108 angeordnet sind, können zum Ausbilden der Mikrolinse ML eine Form aufweisen, die einer Morphologie der Mehrzahl von konvexen Bereichen 117 und der Mehrzahl von konkaven Bereichen 118 auf der oberen Oberfläche der Überzugschicht 108, entspricht.
  • Die lichtemittierende Schicht 113 kann Dickenunterschiede in dem konvexen Bereich 117 und dem konkaven Bereich 118 der Mikrolinse ML aufweisen.
  • Die Dicke der lichtemittierenden Schicht 113 in einem Bereich, der dem Seitenoberflächenbereich 117c des konvexen Bereichs 117 der Mikrolinse ML entspricht, kann kleiner sein als die Dicke der lichtemittierenden Schicht 113 in einem Bereich, der dem konkaven Bereich 118 der Mikrolinse ML entspricht. Die Dicke der lichtemittierenden Schicht 113 kann als eine Länge senkrecht zu einer Tangentiallinie C1 und C2 (der 2) der oberen Oberfläche und unteren Oberfläche der lichtemittierenden Schicht 113 definiert sein.
  • In der OLED-Anzeigevorrichtung 100 ist, da die lichtemittierende Schicht 113 in dem konvexen Bereich 117 und dem konkaven Bereich 118, die die Mikrolinse ML ausbilden, verschiedene Dicken aufweist, ein Abstand von der zweiten Elektrode 115 zu den Emittierendes-Material-Schichten 203a, 203b und 203c (der 3) der lichtemittierenden Schicht 113 in dem konkaven Bereich 118 der Mikrolinse ML verschieden von einem Abstand von der zweiten Elektrode 115 zu den Emittierendes-Material-Schichten 203a, 203b und 203c der lichtemittierenden Schicht 113 in dem Seitenoberflächenbereich 117c des konvexen Bereichs 117 der Mikrolinse ML.
  • Dementsprechend sind in der OLED-Anzeigevorrichtung 100 die Emittierendes-Material-Schichten 203a, 203b und 203c an einer vorher festgelegten Position in der lichtemittierenden Schicht 113, die die Mikrolinse ML ausbildet, angeordnet.
  • Da die Emittierendes-Material-Schichten 203a, 203b und 203c an spezifischen Positionen in der lichtemittierenden Schicht 113, die die Mikrolinse ML ausbildet, angeordnet sind, nimmt die Lichtauskopplungseffizienz des Lichts, das von der lichtemittierenden Diode E emittiert wird, zu.
  • Eine zweite Elektrode 115 ist auf einer gesamten lichtemittierenden Schicht 113 angeordnet. Beispielsweise kann die zweite Elektrode 115 eine Kathode sein.
  • Die zweite Elektrode 115 kann zum Ausbilden der Mikrolinse ML eine Form, die einer Morphologie der Mehrzahl von konvexen Bereichen 117 und der Mehrzahl von konkaven Bereichen 118 der oberen Oberfläche der Überzugschicht 108 entspricht, aufweisen.
  • Wenn entsprechend einem Signal eine Spannung an die erste Elektrode 111 und zweite Elektrode 115 angelegt wird, werden ein Loch, das von der ersten Elektrode 111 injiziert wird, und ein Elektron, das von der zweiten Elektrode 115 injiziert wird, zum Ausbilden eines Exzitons zu der lichtemittierenden Schicht 113 übertragen. Wenn das Exziton von einem angeregten Zustand in einen Grundzustand übergeht, kann von der lichtemittierenden Schicht 113 Licht als eine sichtbare Strahlung emittiert werden.
  • Das Licht der lichtemittierenden Schicht 113 kann durch die lichtdurchlässige erste Elektrode 111 derart hindurchtreten, dass es derart auf eine Außenseite emittiert wird, dass ein Bild angezeigt wird.
  • Da die Überzugschicht 108 die Mikrolinse ML ausbildet, kann das Licht, das aufgrund einer Totalreflexion in dem Inneren der lichtemittierenden Schicht 113 eingeschlossen ist, mittels der Mikrolinse ML der Überzugschicht 108 in einem Winkel, der kleiner ist als ein kritischer Winkel der Totalreflexion, derart übertragen werden, dass es mittels einer Mehrfachreflexion auf die Außenseite ausgekoppelt wird. Als ein Ergebnis ist die Lichtauskopplungseffizienz der OLED-Beleuchtungsvorrichtung 100 verbessert.
  • Außerdem wird, da die Mikrolinse ML der Überzugschicht 108, der ersten Elektrode 111, der lichtemittierenden Schicht 113 und der zweiten Elektrode 115 in einer gesamten Öffnung des Damms 119, die dem emittierenden Bereich EA entspricht, angeordnet ist, der gesamte emittierende Bereich EA für die Mikrolinse ML verwendet, und die Lichtauskopplungseffizienz ist maximiert.
  • Eine Schutzschicht 102 eines Dünnschichttyps ist auf dem Ansteuerungs-TFT DTr und der lichtemittierenden Diode E angeordnet, und eine Vorderseitenabdichtung 104 ist zwischen der lichtemittierenden Diode E und der Schutzschicht 102 angeordnet. Die Vorderseitenabdichtung 104 kann ein organisches Material oder ein anorganisches Material, das lichtdurchlässig ist und eine Adhäsionseigenschaft aufweist, aufweisen. Die Schutzschicht 102 und das Substrat 101 können mittels der Vorderseitenabdichtung 104 zum Verkapseln der OLED-Anzeigevorrichtung 100 aneinander befestigt sein.
  • Um ein Eindringen von externem Sauerstoff und Feuchtigkeit in ein Inneres der OLED-Anzeigevorrichtung 100 zu verhindern, kann die Schutzschicht 102 mindestens zwei anorganische Schutzschichten aufweisen. Eie organische Schutzschicht zum Unterstützen einer Stoßbeständigkeit der mindestens zwei anorganischen Schutzschichten kann zwischen den mindestens zwei anorganischen Schutzschichten eingeschoben sein.
  • In der Struktur, in der die organische Schutzschicht und die anorganische Schutzschicht abwechselnd miteinander laminiert sind, kann die anorganische Schutzschicht die organische Schutzschicht derart vollständig einhüllen, dass ein Eindringen von Feuchtigkeit und Sauerstoff durch eine Seitenoberfläche der organischen Schutzschicht verhindert wird.
  • Als ein Ergebnis kann das Eindringen von Feuchtigkeit und Sauerstoff von der Außenseite auf die Innenseite der OLED-Anzeigevorrichtung 100 verhindert werden.
  • In der OLED-Anzeigevorrichtung 100 kann eine Polarisationsplatte (nicht dargestellt) zum Verhindern einer Reduktion eines Kontrastverhältnisses aufgrund von externem Licht auf einer äußeren Oberfläche des lichtdurchlässigen Substrats 101 angeordnet sein. Da die Polarisationsplatte, die das externe Licht blockiert, auf einer Oberfläche der OLED-Anzeigevorrichtung 100 in einem Ansteuerungsmodus, in dem Licht von der lichtemittierenden Schicht 113 emittiert wird, angeordnet ist, nimmt das Kontrastverhältnis zu.
  • In der OLED-Anzeigevorrichtung 100 nimmt, da die Emittierendes-Material-Schichten 203a, 203b und 203c an aufgrund der Überzugschicht 108 vorher festgelegten Positionen in der lichtemittierenden Schicht 113, die die Mikrolinse ML ausbildet, angeordnet sind, die Lichtauskopplungseffizienz des Lichts, das von der lichtemittierenden Diode E emittiert wird, zu.
  • 2 ist eine vergrößerte Ansicht von A der 1.
  • In 2 sind die erste Elektrode 111, die lichtemittierende Schicht 113 und die zweite Elektrode 115 nacheinander auf der Überzugschicht 108, die die Mikrolinse ML der Mehrzahl von konkaven Bereichen 118 und der Mehrzahl von konvexen Bereichen 117, die einander abwechseln, aufweist, angeordnet. Die erste Elektrode 111, die lichtemittierende Schicht 113 und die zweite Elektrode 115 bilden die lichtemittierende Diode E aus.
  • Die erste Elektrode 111, die lichtemittierende Schicht 113 und die zweite Elektrode 115, die nacheinander auf der Überzugschicht 108 angeordnet sind, weisen zum Ausbilden der Mikrolinse ML eine Form entsprechend einer Morphologie der oberen Oberfläche der Überzugschicht 108 auf.
  • Jeder konvexe Bereich 117 kann einen unteren Oberflächenbereich 117a, einen oberen Oberflächenbereich 117b und einen Seitenoberflächenbereich 117c aufweisen. Der Seitenoberflächenbereich 117c kann eine gesamte geneigte Oberfläche, die den oberen Oberflächenbereich 117c ausbildet, sein.
  • Der Seitenoberflächenbereich 117c kann in einen unteren Bereich LA, einen mittleren Bereich MA und einen oberen Bereich UA entsprechend einer Gesamthöhe H zwischen dem unteren Oberflächenbereich 117a und dem oberen Oberflächenbereich 117b unterteilt sein. Der untere Bereich LA kann als ein Bereich von dem unteren Oberflächenbereich 117a bis zu einer Hälfte der Gesamthöhe H (H/2) definiert sein. Der mittlere Bereich MA zwischen dem unteren Bereich LA und dem oberen Bereich UA kann als ein Bereich von der Hälfte der Gesamthöhe H (H/2) bis zu vier Fünfteln der Gesamthöhe H (4H/5) definiert sein. Der obere Bereich UA kann als ein Bereich von vier Fünfteln der Gesamthöhe H (4H/5) bis zu dem oberen Oberflächenbereich 117b definiert sein.
  • Um die Lichtauskopplungseffizienz der lichtemittierenden Schicht 113 weiter zu steigern, kann der konvexe Bereich 117 der Überzugschicht 108 eine Struktur aufweisen, in der der obere Oberflächenbereich 117b eine scharfkantige Form aufweist. Beispielsweise kann der konvexe Bereich 117 einen Querschnitt einer Dreiecksform, die einen Scheitelpunkt, der dem oberen Oberflächenbereich 117b entspricht, eine Unterseite, die dem unteren Oberflächenbereich 117a entspricht, und eine Hypotenuse, die dem Seitenoberflächenbereich 117c entspricht, aufweist, aufweisen.
  • Ein Winkel θ1 und θ2 des Seitenoberflächenbereichs 117c des konvexen Bereichs 117 der Überzugschicht 108 kann von dem unteren Oberflächenbereich 117a bis zu dem oberen Oberflächenbereich 117b graduell zunehmen. Der Winkel θ1 und θ2 ist als ein Winkel zwischen der Tangentiallinie C1 und C2 des Seitenoberflächenbereichs 117c und einer horizontalen Oberfläche (d.h. dem unteren Oberflächenbereich 117a) definiert. Der Seitenoberflächenbereich 117c kann die maximale Steigung Smax aufweisen, wenn der Winkel θ1 und θ2 den Maximalwert annimmt. Die Steigung kann als ein Tangens des Winkels (tan θ) definiert sein.
  • Da der Winkel θ1 und θ2 des Seitenoberflächenbereichs 117c von dem unteren Oberflächenbereich 117a zu dem oberen Oberflächenbereich 117b graduell zunimmt, weist der Seitenoberflächenbereich 117c des konvexen Bereichs 117 der Überzugschicht 108 die maximale Steigung Smax in dem oberen Bereich UA angrenzend an den oberen Oberflächenbereich 117b auf.
  • Die erste Elektrode 111, die lichtemittierende Schicht 113 und die zweite Elektrode 115 auf der Überzugschicht 108, die die Mikrolinse ML des konkaven Bereichs 118 und des konvexen Bereichs 117 aufweist, weisen die Mikrolinse ML auf der oberen Oberfläche davon auf. Der konvexe Bereich 117 kann den unteren Oberflächenbereich 117a, den oberen Oberflächenbereich 117b und den Seitenoberflächenbereich 117c aufweisen, und der Seitenoberflächenbereich 117c kann den oberen Bereich UA, den mittleren Bereich MA und den unteren Bereich LA aufweisen.
  • In der OLED-Anzeigevorrichtung 100 kann, da die lichtemittierende Schicht 113 auf der Überzugschicht 108, die die Mikrolinse ML ausbildet, angeordnet ist, die lichtemittierende Schicht 113 in verschiedenen Bereichen verschiedene Dicken d1, d2, d3 und d4 aufweisen. Die lichtemittierende Schicht 113 kann derart ausgebildet sein, dass sie die verschiedenen Dicken d1, d2, d3 und d4 entsprechend dem konkaven Bereich 118 und dem konvexen Bereich 117 der Mikrolinse ML aufweist.
  • Die Dicke der lichtemittierenden Schicht 113 kann als eine Länge senkrecht zu der Tangentiallinie C1 und C2 der lichtemittierenden Schicht 113 definiert sein. Beispielsweise können die dritte Dicke d3 und vierte Dicke d4 der lichtemittierenden Schicht 113 des Seitenoberflächenbereichs 117c des konvexen Bereichs 117 der Mikrolinse ML kleiner sein als die erste Dicke d1 und zweite Dicke d2 der lichtemittierenden Schicht 113 des konkaven Bereichs 118 und des oberen Oberflächenbereichs 117b des konvexen Bereichs 117.
  • Die Dicke d3 und d4 der lichtemittierenden Schicht 113 des Seitenoberflächenbereichs 117c des konvexen Bereichs 117 kann von dem unteren Bereich LA zu dem oberen Bereich UA graduell abnehmen.
  • Da die lichtemittierende Schicht 113 auf der Überzugschicht 108, die die Mikrolinse ML aufweist, gebildet ist, kann der Seitenoberflächenbereich 117c des konvexen Bereichs 117 der Überzugschicht 108 den Winkel θ1 und θ2, der von der unteren Oberfläche 117a zu dem oberen Oberflächenbereich 117b zunimmt, aufweisen. Als ein Ergebnis sind die dritte Dicke d3 und vierte Dicke d4 der lichtemittierenden Schicht 113 des Seitenoberflächenbereichs 117c kleiner als die erste Dicke d1 und zweite Dicke d2 der lichtemittierenden Schicht 113 des konkaven Bereichs 118 und des oberen Oberflächenbereichs 117b.
  • Da der Winkel θ1 und θ2 des Seitenoberflächenbereichs 117c von dem unteren Bereich LA zu dem oberen Bereich UA graduell zunimmt, kann die lichtemittierende Schicht 113 des Seitenoberflächenbereichs 117c die vierte Dicke d4 als den Minimalwert in dem oberen Bereich UA, in dem der Winkel θ2 einen relativ großen Wert aufweist, aufweisen und kann die dritte Dicke d3 als den Maximalwert in dem mittleren Bereich MA, in dem der Winkel θ1 einen relativ kleinen Wert aufweist, aufweisen.
  • Beispielsweise kann die erste Dicke d1 gleich oder größer als die zweite Dicke d2 sein, die zweite Dicke d2 kann größer als die dritte Dicke d3 sein, und die dritte Dicke d3 kann größer als die vierte Dicke d4 sein, beispielsweise d1 ≥ d2 > d3 > d4.
  • In der lichtemittierenden Diode E tritt die Lichtemission in einem Bereich auf, der eine relativ hohe Stromdichte aufweist. Da die lichtemittierende Schicht 113 in dem oberen Bereich UA des konvexen Bereichs 117 eine relativ geringe Dicke d4 aufweist, kann die lichtemittierende Schicht 113 eine relativ hohe Stromdichte und eine relativ starke Lichtemission in dem oberen Bereich UA des konvexen Bereichs 117 aufweisen. Außerdem kann, da die lichtemittierende Schicht 113 in dem unteren Bereich LA des konvexen Bereichs 117 eine relativ große Dicke d1 aufweist, die lichtemittierende Schicht 113 in dem unteren Bereich LA des konvexen Bereichs 117 eine relativ niedrige Stromdichte und eine relativ schwache Lichtemission aufweisen. Als ein Ergebnis kann der obere Bereich UA von jedem der Bereiche der Mehrzahl von konvexen Bereichen 117, in dem die relativ starke Lichtemission auftritt, als ein effektiver Emissionsbereich B definiert sein. Wenn die lichtemittierende Diode E angesteuert wird, wird ein elektrisches Feld auf dem effektiven Emissionsbereich B lokal konzentriert. Als ein Ergebnis wird in dem effektiven Emissionsbereich B ein Hauptstrompfad ausgebildet und eine Hauptemission tritt auf.
  • Die lichtemittierende Schicht 113 weist in dem effektiven Emissionsbereich B, der eine relativ geringe Dicke d4 im Vergleich zu dem oberen Oberflächenbereich 117b des konvexen Bereichs 117 und des konkaven Bereichs 118 aufweist, auf. Da die Emittierendes-Material-Schichten 203a, 203b und 203c basierend auf der Dicke der lichtemittierenden Schicht 113 in dem effektiven Emissionsbereich B an vorher festgelegten Positionen in der lichtemittierenden Schicht 113 angeordnet werden, nimmt die Lichtauskopplungseffizienz des Lichts, das von der lichtemittierenden Diode E emittiert wird, zu.
  • Wenn die Positionen der Emittierendes-Material-Schichten 203a, 203b und 203c basierend auf dem effektiven Emissionsbereich B der lichtemittierenden Schicht 113, die die Mikrolinse ML ausbildet, festgelegt werden, können die Position der Emittierendes-Material-Schichten 203a, 203b und 203c derart festgelegt werden, dass sie eine Bedingung für einen Kavitätspeak einer optischen Eigenschaft erfüllen.
  • Der Kavitätspeak kann als eine maximale optische Intensität definiert sein. Beispielsweise kann Licht, das zwischen zwei Spiegeln erzeugt wird, den Kavitätspeak an einer Position aufweisen, an der das Licht aufgrund einer konstruktiven Interferenz des reflektierten Lichts eine maximale Intensität aufweist.
  • Die Position des Kavitätspeaks kann entsprechend einer Wellenlänge des Lichts festgelegt sein. Die Position des Kavitätspeaks in der ersten Elektrode 111, der lichtemittierenden Schicht 113 und der zweiten Elektrode 115, die eine flache Struktur aufweisen, ist verschieden von der Position des Kavitätspeaks in der ersten Elektrode 111, der lichtemittierenden Schicht 113 und der zweiten Elektrode 115, die die Mikrolinse ML ausbilden.
  • In der OLED-Anzeigevorrichtung 100 nimmt, da die Emittierendes-Material-Schichten 203a, 203b und 203c sowohl basierend auf dem Kavitätspeak der Emittierendes-Material-Schichten 203a, 203b und 203c als auch dem effektiven Emissionsbereich B der lichtemittierenden Schicht 113 an vorher festgelegten Positionen in der lichtemittierenden Schicht 113 angeordnet sind, die Lichtauskopplungseffizienz weiter zu.
  • Als ein Ergebnis sind die Lichtausbeute und die Lebensdauer der OLED-Anzeigevorrichtung 100 weiter verbessert.
  • 3 ist eine Höhenliniendarstellung, die ein Licht einer Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel darstellt, 4 ist eine Querschnittansicht, die eine lichtemittierende Diode eine Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, und 5 ist ein Schaubild, das eine externe Quantenausbeute eines Lichts blauer Farbe einer Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • In 3 zeigt eine Höhenliniendarstellung eine Intensität eines Lichts entsprechend eine Farbe (einer Wellenlänge) und eine Position als eine Höhenlinienkurve in eine OLED-Anzeigevorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel, in dem jede von einer ersten Elektrode, einer lichtemittierenden Schicht und einer zweiten Elektrode eine flache Form aufweist. Die x-Achse gibt eine Wellenlänge (Farbe) eines Lichts wieder, und die y-Achse gibt einen Abstand von der zweiten Elektrode wieder.
  • Wenn Emittierendes-Material-Schichten, die farbiges Licht emittieren, an Positionen, die eine relative Maximalintensität für entsprechende Wellenlängen aufweisen, angeordnet sind, nimmt die Lichtausbeute zu.
  • Die lichtemittierende Schicht emittiert weißes Licht mittels Mischens eines Lichts blauer Farbe, das eine Wellenlänge von 440 nm bis 480 nm aufweist, und eines Lichts gelb-grüner Farbe, das eine Wellenlänge von 510 nm bis 590 nm aufweist. Entsprechend der Höhenliniendarstellung weist das Licht blauer Farbe, das eine Wellenlänge von 440 nm bis 480 nm aufweist, an Positionen, die Abstände von 250 Å, 1500 Å, 2700 Å und 4000 Å von der zweiten Elektrode aufweisen, Kavitätspeaks auf. Die Kavitätspeaks können als ein erster blauer Kavitätspeak B1, zweiter blauer Kavitätspeak B2, dritter blauer Kavitätspeak B3 und vierter blauer Kavitätspeak B4 definiert werden.
  • Das Licht gelb-grüner Farbe, das eine Wellenlänge von 510 nm bis 590 nm aufweist, weist an Positionen, die Abstände von 300 Å, 1800 Å und 3400 Å von der zweiten Elektrode aufweisen, Kavitätspeaks auf. Die Kavitätspeaks können als ein erster gelb-grüner Kavitätspeak YG1, zweiter gelb-grüner Kavitätspeak YG2 und dritter gelb-grüner Kavitätspeak YG3 definiert werden.
  • Die lichtemittierende Schicht kann zum Erhöhen einer Leuchtstärke des Lichts blauer Farbe zwei blaue Emittierendes-Material-Schichten, die jeweils ein Licht blauer Farbe emittieren, und eine gelb-grüne Emittierendes-Material-Schicht, die ein Licht gelb-grüner Farbe emittiert, aufweisen. Da das Licht blauer Farbe, das eine relativ kurze Wellenlänge aufweist, aufgrund einer Materialeigenschaft eine relativ geringe Emissionseffizienz aufweist, kann die Emissionseffizienz des Lichts blauer Farbe etwa die Hälfte der Emissionseffizienz des Lichts gelb-grüner Farbe betragen. Als ein Ergebnis kann das einheitliche Licht weißer Farbe aus einer Kombination der zwei blauen Emittierendes-Material-Schichten und einer gelb-grünen Emittierendes-Material-Schicht erzeugt werden.
  • Dementsprechend, wenn sowohl die erste blaue Emittierendes-Material-Schicht als auch zweite blaue Emittierendes-Material-Schicht, die Licht blauer Farbe emittieren, derart angeordnet sind, dass sie einem des ersten blauen Kavitätspeaks B1, zweiten blauen Kavitätspeaks D2, dritten blauen Kavitätspeaks B3 und vierten blauen Kavitätspeaks B4 entsprechen, und eine gelb-grüne Emittierendes-Material-Schicht, die gelb-grünes Licht emittiert, derart angeordnet ist, dass sie einem des ersten Kavitätspeaks YG1, zweiten gelb-grünen Kavitätspeaks YG2 und dritten gelb-grünen Kavitätspeaks YG3 entspricht, können die erste blaue Emittierendes-Material-Schicht und zweite blaue Emittierendes-Material-Schicht und die gelb-grüne Emittierendes-Material-Schicht der lichtemittierenden Schicht eine maximale Emissionsausbeute aufweisen.
  • Außerdem ist, da die erste blaue Emittierendes-Material-Schicht und zweite blaue Emittierendes-Material-Schicht und die gelb-grüne Emittierendes-Material-Schicht dichter an der zweiten Elektrode angeordnet sind, eine Gesamtdicke der lichtemittierenden Diode reduziert, und die Emissionsausbeute nimmt weiter zu. Beispielsweise können, basierend auf Dicken von organischen Schichten, wie beispielsweise einer Löchertransportschicht und einer Elektronentransportschicht zwischen den Emittierendes-Material-Schichten, die erste blaue Emittierendes-Material-Schicht und zweite blaue Emittierendes-Material-Schicht derart angeordnet sein, dass sie dem ersten blauen Kavitätspeak B1 bzw. dritten blauen Kavitätspeak B3 entsprechen, und die gelb-grüne Emittierendes-Material-Schicht kann derart angeordnet sein, dass sie dem zweiten gelb-grünen Kavitätspeak YG2 entspricht.
  • Wenn die erste blaue Emittierendes-Material-Schicht derart angeordnet ist, dass sie dem ersten blauen Kavitätspeak B1 entspricht, und die gelb-grüne Emittierendes-Material-Schicht derart angeordnet ist, dass sie dem ersten gelb-grünen Kavitätspeak YG1 entspricht, ist es schwierig, die organischen Schichten zwischen der ersten blauen Emittierendes-Material-Schicht und der gelb-grünen Emittierendes-Material-Schicht anzuordnen, da die erste blaue Emittierendes-Material-Schicht und die gelb-grüne Emittierendes-Material-Schicht mittels eines geringen Abstands getrennt sind.
  • Des Weiteren ist es, wenn die erste blaue Emittierendes-Material-Schicht derart angeordnet ist, dass sie dem zweiten blauen Kavitätspeak B2 entspricht, und die gelb-grüne Emittierendes-Material-Schicht derart angeordnet ist, dass sie dem zweiten gelb-grünen Kavitätspeak YG2 entspricht, schwierig, die organischen Schichten zwischen der ersten blauen Emittierendes-Material-Schicht und der gelb-grünen Emittierendes-Material-Schicht anzuordnen, weil die erste blaue Emittierendes-Material-Schicht und die gelb-grüne Emittierendes-Material-Schicht mittels eines geringen Abstands getrennt sind.
  • Als ein Ergebnis können die erste blaue Emittierendes-Material-Schicht und zweite blaue Emittierendes-Material-Schicht derart angeordnet sein, dass sie dem ersten blauen Kavitätspeak B1 bzw. dritten blauen Kavitätspeak B3 entsprechen, und die gelb-grüne Emittierendes-Material-Schicht kann derart angeordnet sein, dass sie dem zweiten gelb-grünen Kavitätspeak YG2 entspricht.
  • Dementsprechend wird in der OLED-Anzeigevorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel, in dem die erste Elektrode, die lichtemittierende Schicht und die zweite Elektrode eine flache Form aufweisen, die maximale Emissionsausbeute mittels Anordnens der ersten blauen Emittierendes-Material-Schicht und zweiten blauen Emittierendes-Material-Schicht und der gelb-grünen Emittierendes-Material-Schicht derart, dass sie den Kavitätspeaks entsprechen, d.h., Anordnen der ersten blauen Emittierendes-Material-Schicht, die Licht blauer Farbe emittiert, derart, dass sie einen Abstand von 250 Å von der zweiten Elektrode aufweist, Anordnen der zweiten blauen Emittierendes-Material-Schicht, die Licht blauer Farbe emittiert, derart, dass sie einen Abstand von 2700 Å von der zweiten Elektrode aufweist, und Anordnen der gelb-grünen Emittierendes-Material-Schicht, die Licht gelb-grüner Farbe emittiert, derart, dass sie einen Abstand von 1800 Å von der zweiten Elektrode aufweist, erzielt.
  • In der OLED-Anzeigevorrichtung 100 (der 1) gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, in der die erste Elektrode 111 (der 1), die lichtemittierende Schicht 113 (der 1) und die zweite Elektrode 115 (der 1) eine Mikrolinse ML (der 1) zum Verbessern einer Lichtauskopplungseffizienz ausbilden, kann, da die lichtemittierende Schicht 113 eine relativ geringe Dicke in dem effektiven Emissionsbereich B (der 2) aufweist, zum Kompensieren der relativ geringen Dicke der lichtemittierenden Schicht 113 in dem effektiven Emissionsbereich B basierend auf der Höhenliniendarstellung die erste blaue Emittierendes-Material-Schicht einen Abstand von 260 Å bis 460 Å von der zweiten Elektrode 115 aufweisen, die zweite blaue Emittierendes-Material-Schicht kann einen Abstand von 3500 Å von der zweiten Elektrode 115 aufweisen, und die gelb-grüne Emittierendes-Material-Schicht kann einen Abstand von 2500 Å von der zweiten Elektrode 115 aufweisen.
  • Als ein Ergebnis sind in der OLED-Anzeigevorrichtung 110 gemäß einer ersten Ausführungsform, in der die erste Elektrode 111, die lichtemittierende Schicht 113 und die zweite Elektrode 115 eine Mikrolinse ML (der 1) ausbilden, die erste blaue Emittierendes-Material-Schicht, die gelb-grüne Emittierendes-Material-Schicht und die zweite blaue Emittierendes-Material-Schicht des Lichts blauer/gelb-grüner/blauer Farbe nacheinander unter der zweiten Elektrode 115 angeordnet.
  • In einer lichtemittierenden Diode E (der 1) einer Organische-lichtemittierende-Diode (OLED)-Anzeigevorrichtung 100 (der 1) gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird die maximale Emissionsausbeute erzielt, und eine Gesamtdicke der lichtemittierenden Diode E ist mittels Anordnens der ersten Emittierendes-Material-Schicht, zweiten Emittierendes-Material-Schicht und dritten Emittierendes-Material-Schicht, die Licht blauer Farbe, Licht blauer Farbe bzw. Licht gelb-grüner Farbe emittieren, derart nacheinander unter einer zweiten Elektrode 115 angeordnet, dass sie Kavitätspeaks erfüllen. Als ein Ergebnis wird die maximale Emissionsausbeute erzielt, und eine Gesamtdicke der lichtemittierenden Diode E ist reduziert.
  • In 4 weist eine lichtemittierende Diode E eine erste Elektrode 111 und zweite Elektrode 115 und eine lichtemittierende Schicht 113 zwischen der ersten Elektrode 111 und der zweiten Elektrode 115 auf, und die lichtemittierende Schicht 113 weist eine erste Emittierendes-Material-Schicht (EML) 203a, zweite Emittierendes-Material-Schicht (EML) 203b und dritte Emittierendes-Material-Schicht (EML) 203c und eine erste Hilfsschicht 208 und zweite Hilfsschicht 209 zwischen der ersten Emittierendes-Material-Schicht (EML) 203a, zweiten Emittierendes-Material-Schicht (EML) 203b und dritten Emittierendes-Material-Schicht (EML) 203c auf.
  • Die erste Elektrode 111 kann eine Anode sein, die ein Loch zuführt, und kann eine relativ hohe Austrittsenergie aufweisen. Beispielsweise kann die erste Elektrode 111 eines von einem Metalloxid, wie beispielsweise Indiumzinnoxid (ITO) und Indiumzinkoxid (IZO), einer Mischung aus einem Metall und einem Oxid, wie beispielsweise Zinkoxid und Aluminium (ZnO:Al) und Zinnoxid und Antimon (SnO2:Sb), und einem leitfähigen Polymer, wie beispielsweise Poly(3-methylthiophen), Poly[3,4-(ethylen-1,2-dioxy)thiophen] (PEDT), Polypyrrol and Polyanilin, aufweisen. Außerdem kann die erste Elektrode 111 eines von einer Kohlenstoff-Nanoröhre (CNT), Graphen und Silber-Nanodraht aufweisen.
  • Die zweite Elektrode 115 kann eine Kathode sein, die ein Elektron zuführt, und kann eine relativ geringe Austrittsenergie aufweisen. Beispielsweise kann die zweite Elektrode 115 eine einzelne Schicht einer Legierung eines ersten Metalls (beispielsweise Ag), das eine relativ geringe Austrittsenergie aufweist, und eines zweiten Metalls (zum Beispiel Mg), eine Doppelschicht des ersten Metalls und zweiten Metalls oder eine mehrlagige Schicht der Legierung des ersten Metalls und zweiten Metalls sein.
  • Die zweite Elektrode 115 kann eine reflektierende Elektrode sein, und die erste Elektrode 111 kann eine transflektive Elektrode sein. Alternativ dazu kann die erste Elektrode 111 eine reflektierende Elektrode sein, und die zweite Elektrode 115 kann eine lichtdurchlässige Elektrode sein. Beispielsweise kann mindestens eine der ersten Elektrode 111 und zweiten Elektrode 115 eine reflektierende Elektrode sein.
  • Die zweite Elektrode 115 kann ein Material aufweisen, das eine Reflektivität aufweist, die gleich oder größer als 90% in einem sichtbaren Strahlenbereich beträgt, und die erste Elektrode 111 kann ein Material aufweisen, das eine Lichtdurchlässigkeit aufweist, die gleich oder größer als 80% in dem sichtbaren Strahlenbereich beträgt. Beispielsweise kann der sichtbare Strahlenbereich ein Wellenlängenbereich von 380 nm bis 800 nm sein.
  • Wenn die zweite Elektrode 115 eine Reflektivität aufweist, die gleich oder größer als 90% ist, kann das meiste des Lichts, das von der lichtemittierenden Schicht 113 zu der zweiten Elektrode 115 reflektiert wird, derart mittels der zweiten Elektrode 115 reflektiert werden, dass es sich in Richtung der ersten Elektrode 111 in der lichtemittierenden Diode E ausbreitet. Außerdem kann, wenn die erste Elektrode 111 eine Lichtdurchlässigkeit gleich oder größer als 80% beträgt, ein großer Anteil des Lichts durch die erste Elektrode 111 hindurchtreten.
  • Die zweite Elektrode 115 kann zum Erhöhen einer Reflektivität in dem sichtbaren Strahlenbereich eine Dicke von 90 nm bis 120 nm aufweisen. Jedoch ist eine Dicke der zweiten Elektrode 115 nicht hierauf beschränkt und kann entsprechend einem Material der zweiten Elektrode 115 variieren. Die erste Elektrode 111 kann zum Erhöhen einer Lichtdurchlässigkeit in dem sichtbaren Strahlenbereich eine Dicke von 115 nm bis 135 nm aufweisen. Jedoch ist eine Dicke der ersten Elektrode 111 nicht hierauf beschränkt und kann entsprechend einem Material der ersten Elektrode 111 variieren.
  • Eine erste Elektronentransportschicht (ETL1) 205 ist zwischen der zweiten Elektrode 115 und der ersten Emittierendes-Material-Schicht 203a angeordnet, und eine erste Hilfsschicht 208 ist zwischen der ersten Emittierendes-Material-Schicht 203a und der zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b angeordnet. Eine zweite Hilfsschicht 209 ist zwischen der zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b und der dritten Emittierendes-Material-Schicht 203c angeordnet, und eine erste Löchertransportschicht (HTL1) 207 ist zwischen der dritten Emittierendes-Material-Schicht 203c und der ersten Elektrode 111 angeordnet.
  • Eine Elektroneninjektionsschicht (EIL) (nicht dargestellt) kann zwischen der zweiten Elektrode 115 und der ersten Elektronentransportschicht 205 angeordnet sein. Die Elektroneninjektionsschicht kann das Injizieren des Elektrons von der zweiten Elektrode 115 zu der ersten Elektronentransportschicht 205 unterstützen.
  • Die erste Elektronentransportschicht 205 kann mindestens zwei Schichten aufweisen oder kann mindestens zwei Materialien aufweisen. Eine Löcher blockierende Schicht (HBL) (nicht dargestellt) kann zwischen der ersten Elektronentransportschicht 205 und der ersten Emittierendes-Material-Schicht 203a angeordnet sein. Da die Löcher blockierende Schicht eine Übertragung eines in die erste Emittierendes-Material-Schicht 203a injizierten Lochs zu der ersten Elektronentransportschicht 205 verhindert, ist eine Kombination eines Lochs und eines Elektrons in der ersten Emittierendes-Material-Schicht 203a verbessert, und eine Emissionsausbeute der ersten Emittierendes-Material-Schicht 203a ist verbessert.
  • Die erste Elektronentransportschicht 205 und die Löcher blockierende Schicht können als eine einzelne Schicht gebildet sein. Die Elektroneninjektionsschicht, die erste Elektronentransportschicht 205 und die Löcher blockierende Schicht können als eine Elektronenübertragungsschicht bezeichnet werden.
  • Ein Elektron wird von der zweiten Elektrode 115 durch die erste Elektronentransportschicht 205 hindurch zu der ersten Emittierendes-Material-Schicht 203a zugeführt, und ein Loch wird von der ersten Hilfsschicht 208 zu der ersten Emittierendes-Material-Schicht 203a zugeführt. Das durch die erste Elektronentransportschicht 205 hindurch zugeführte Elektron und das von der ersten Hilfsschicht 208 zugeführte Loch werden zum Erzeugen von Licht in der ersten Emittierendes-Material-Schicht 203a rekombiniert.
  • Die erste Hilfsschicht 208 kann eine zweite Löchertransportschicht (HTL2) (nicht dargestellt) benachbart zu der ersten Emittierendes-Material-Schicht 203a und eine zweite Elektronentransportschicht (ETL2) (nicht dargestellt) benachbart zu der zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b aufweisen.
  • Eine Löcherinjektionsschicht (HIL) (nicht dargestellt) kann zwischen der zweiten Löchertransportschicht und der zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b angeordnet sein, und eine Elektroneninjektionsschicht (EIL) (nicht dargestellt) kann zwischen der zweiten Elektronentransportschicht und der ersten Emittierendes-Material-Schicht 203a angeordnet sein.
  • Eine Elektronen blockierende Schicht (EBL) (nicht dargestellt) kann zwischen der ersten Emittierendes-Material-Schicht 203a und der zweiten Löchertransportschicht angeordnet sein. Da die Elektronen blockierende Schicht eine Übertragung eines in die erste Emittierendes-Material-Schicht 203a injizierten Elektrons zu der zweiten Löchertransportschicht blockiert, ist eine Kombination eines Lochs und eines Elektrons in der ersten Emittierendes-Material-Schicht 203a verbessert, und eine Emissionsausbeute der ersten Emittierendes-Material-Schicht 203a ist verbessert.
  • Eine Löcher blockierende Schicht (HBL) (nicht dargestellt) kann zwischen der zweiten Elektronentransportschicht und der zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b angeordnet sein. Da die Löcher blockierende Schicht eine Übertragung eines in die zweite Emittierendes-Material-Schicht 203b injizierten Lochs zu der zweiten Elektronentransportschicht verhindert, ist eine Kombination eines Lochs und eines Elektrons in der zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b verbessert, und eine Emissionsausbeute der zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b ist verbessert.
  • Die Elektronen blockierende Schicht und die zweite Löchertransportschicht können als eine einzelne Schicht gebildet sein, und die zweite Elektronentransportschicht und die Löcher blockierende Schicht können als eine einzelne Schicht gebildet sein. Die Löcherinjektionsschicht, die zweite Löchertransportschicht und die Elektronen blockierende Schicht können als eine Löchertransportschicht bezeichnet werden, und die Elektroneninjektionsschicht, die zweite Elektronentransportschicht und die Löcher blockierende Schicht können als eine Elektronenübertragungsschicht bezeichnet werden.
  • Eine erste Ladungserzeugungsschicht (CGL1) kann zwischen der zweiten Löchertransportschicht und der zweiten Elektronentransportschicht der ersten Hilfsschicht 208 angeordnet sein. Die erste Ladungserzeugungsschicht kann ein Ladungsgleichgewicht zwischen der ersten Emittierendes-Material-Schicht 203a und der zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b anpassen. Beispielsweise kann die Löcherinjektionsschicht zwischen der zweiten Löchertransportschicht und der ersten Ladungserzeugungsschicht angeordnet sein, und die Elektroneninjektionsschicht kann zwischen der ersten Ladungserzeugungsschicht und der zweiten Elektronentransportschicht angeordnet sein.
  • Die erste Ladungserzeugungsschicht kann eine Ladungserzeugungsschicht eines positiven Typs (P-CGL) und eine Ladungserzeugungsschicht eines negativen Typs (N-CGL) aufweisen. Die Ladungserzeugungsschicht des positiven Typs kann der ersten Emittierendes-Material-Schicht 203a ein Loch zuführen, und die Ladungserzeugungsschicht des negativen Typs kann der zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b ein Elektron zuführen.
  • Ein Elektron wird von der ersten Hilfsschicht 208 zu der zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b zugeführt, und ein Loch wird von der zweiten Hilfsschicht 209 zu der zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b zugeführt. Das von der ersten Hilfsschicht 208 zugeführte Elektron und das von der zweiten Hilfsschicht 209 zugeführte Loch werden zum Erzeugen von Licht in der zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b rekombiniert.
  • Die zweite Hilfsschicht 209 kann eine dritte Löchertransportschicht (HTL3) benachbart zu der zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b und eine dritte Elektronentransportschicht (ETL3) benachbart zu der dritten Emittierendes-Material-Schicht 203c aufweisen.
  • Eine Löcherinjektionsschicht (HIL) kann zwischen der dritten Löchertransportschicht und der dritten Emittierendes-Material-Schicht 203c angeordnet sein, und eine Elektroneninjektionsschicht (EIL) kann zwischen der dritten Elektronentransportschicht und der zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b angeordnet sein.
  • Eine Elektronen blockierende Schicht (EBL) kann zwischen der zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b und der dritten Löchertransportschicht angeordnet sein. Da die Elektronen blockierende Schicht eine Übertragung eines in die dritte zweite Emittierendes-Material-Schicht 203b injizierten Elektrons zu der dritten Löchertransportschicht verhindert, ist eine Kombination eines Lochs und eines Elektrons in der zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b verbessert, und eine Emissionsausbeute der zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b ist verbessert.
  • Eine Löcher blockierende Schicht (HBL) kann zwischen der dritten Elektronentransportschicht und der dritten Emittierendes-Material-Schicht 203c angeordnet sein. Da die Löcher blockierenden Schicht eine Übertragung eines in die dritte Emittierendes-Material-Schicht 203c injizierten Lochs zu der dritten Elektronentransportschicht verhindert, ist eine Kombination eines Lochs und eines Elektrons in der dritten Emittierendes-Material-Schicht 203c verbessert, und eine Emissionsausbeute der dritten Emittierendes-Material-Schicht 203c ist verbessert.
  • Die Elektronen blockierenden Schicht und die dritte Löchertransportschicht können als eine einzelne Schicht gebildet sein, und die dritte Elektronentransportschicht und die Löcher blockierende Schicht können als eine einzelne Schicht gebildet sein. Die Löcherinjektionsschicht, die dritte Löchertransportschicht und die Elektronen blockierende Schicht können als eine Löchertransportschicht bezeichnet werden, und die Elektroneninjektionsschicht, die dritte Elektronentransportschicht und die Löcher blockierende Schicht können als eine Elektronenübertragungsschicht bezeichnet werden.
  • Eine zweite Ladungserzeugungsschicht (CGL2) kann zwischen der dritten Löchertransportschicht und der dritten Elektronentransportschicht der zweiten Hilfsschicht 209 angeordnet sein. Die zweite Ladungserzeugungsschicht kann ein Ladungsgleichgewicht zwischen der zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b und der dritten Emittierendes-Material-Schicht 203c anpassen. Beispielsweise kann die Löcherinjektionsschicht zwischen der dritten Löchertransportschicht und der zweiten Ladungserzeugungsschicht angeordnet sein, und die Elektroneninjektionsschicht kann zwischen der zweiten Ladungserzeugungsschicht und der dritten Elektronentransportschicht angeordnet sein.
  • Die zweite Ladungserzeugungsschicht kann eine Ladungserzeugungsschicht eines positiven Typs (P-CGL) und eine Ladungserzeugungsschicht eines negativen Typs (N-CGL) aufweisen. Die Ladungserzeugungsschicht des positiven Typs kann ein Loch zu der zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b zuführen, und die Ladungserzeugungsschicht des negativen Typs kann ein Elektron zu der dritten Emittierendes-Material-Schicht 203c zuführen.
  • Ein Elektron wird von der zweiten Hilfsschicht 209 zu der dritten Emittierendes-Material-Schicht 203c zugeführt und ein Loch wird von der ersten Elektrode 111 durch die erste Löchertransportschicht 207 hindurch zu der dritten Emittierendes-Material-Schicht 203c zugeführt. Das von der zweiten Hilfsschicht 209 zugeführte Elektron und das von der ersten Löchertransportschicht 207 zugeführte Loch werden zum Erzeugen von Licht in der dritten Emittierendes-Material-Schicht 203c rekombiniert.
  • In der lichtemittierenden Schicht 113 der OLED-Anzeigevorrichtung 100 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung emittiert jede der ersten Emittierendes-Material-Schicht und zweiten Emittierendes-Material-Schicht, die benachbart zu der zweiten Elektrode 115 angeordnet sind, eines von einem Licht blauer Farbe und einem Licht himmelblauer Farbe, die eine Wellenlänge von 440 nm bis 480 nm aufweisen, und die dritte Emittierendes-Material-Schicht 203c, die benachbart zu der ersten Elektrode 111 angeordnet ist, emittiert ein Licht gelb-grüner Farbe, das eine Wellenlänge von 510 nm bis 590 nm aufweist. Als ein Ergebnis emittiert die lichtemittierende Diode E mittels Mischens des Lichts blauer Farbe und des Lichts gelb-grüner Farbe von der ersten Emittierendes-Material-Schicht 203a, zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b und dritten Emittierendes-Material-Schicht 204c weißes Licht.
  • Die erste Emittierendes-Material-Schicht 203a und zweite Emittierendes-Material-Schicht 203b, die das Licht blauer Farbe emittieren, weisen im Vergleich zu der dritten Emittierendes-Material-Schicht 203c, die das Licht gelb-grüner Farbe emittiert, eine relativ geringe Emissionsausbeute auf. Da zwei der erstn Emittierendes-Material-Schicht 203a und zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b das Licht blauer Farbe emittieren und eine der dritten Emittierendes-Material-Schicht 203c das Licht gelb-grüner Farbe emittiert, nimmt eine Helligkeit des Lichts blauer Farbe einer relativ geringen Emissionsausbeute zu, und ein einheitlich weißes Licht wird erzielt.
  • In einer lichtemittierenden Diode E der Organische-lichtemittierende-Diode (OLED)-Anzeigevorrichtung 100 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung sind die erste Emittierendes-Material-Schicht 203a, zweite Emittierendes-Material-Schicht 203b und dritte Emittierendes-Material-Schicht 203c, die Licht blauer Farbe, Licht blauer Farbe bzw. Licht gelb-grüner Farbe emittieren, nacheinander unter der zweiten Elektrode 115 angeordnet.
  • Jede der ersten Emittierendes-Material-Schicht 203a, zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b und dritten Emittierendes-Material-Schicht 203c kann mindestens einen Host und mindestens ein Dotiermittel oder einen gemischten Host, in dem mindestens zwei Hosts gemischt sind, und mindestens ein Dotiermittel aufweisen. Wenn der gemischte Host einen Host, der eine Löchertransporteigenschaft aufweist, und einen Host, der eine Elektronentransporteigenschaft aufweist, aufweist, kann ein Ladungsgleichgewicht von jeder der ersten Emittierendes-Material-Schicht 203a, zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b und dritten Emittierendes-Material-Schicht 203c angepasst werden, und eine Ausbeute von jeder der ersten Emittierendes-Material-Schicht 203a, zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b und dritten Emittierendes-Material-Schicht 203c kann verbessert werden. Das Dotiermittel kann ein fluoreszierendes Dotiermittel oder ein phosphoreszierendes Dotiermittel aufweisen.
  • Hierbei sind die erste Emittierendes-Material-Schicht 203a, zweite Emittierendes-Material-Schicht 203b und dritte Emittierendes-Material-Schicht 203c, die Licht blauer Farbe, Licht blauer Farbe bzw. Licht gelb-grüner Farbe emittieren, an Positionen angeordnet, die eine maximale Emissionsausbeute in einem effektiven Emissionsbereich B (der 2) der lichtemittierenden Schicht 113, die eine Mikrolinse ML (der 2) ausbildet, aufweisen.
  • In 5 weist das Licht blauer Farbe der lichtemittierenden Schicht 113, die mit der ersten Elektrode 111 und zweiten Elektrode 115 die Mikrolinse ML ausbildet, zusätzlich einen fünften blauen Kavitätspeak B5, einen sechsten blauen Kavitätspeak B6 und einen siebten blauen Kavitätspeak B7 zwischen dem ersten blauen Kavitätspeak B1 und zweiten blauen Kavitätspeak B2 (der 3) auf.
  • Die x-Achse gibt einen Abstand von der zweiten Elektrode 115 wieder, und die y-Achse gibt eine externe Quantenausbeute (EQE) wieder. Die EQE ist eine externe Lichtausbeute, die eine Lichtausbeute ist, wenn Licht von einer ersten Emittierendes-Material-Schicht 203a und zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b zu einer Außenseite emittiert wird. Relative Maximalwerte der EQE entsprechen den Kavitätspeaks.
  • Eine Kurve C gibt ein Experimentalergebnis, das mittels Messens der EQE der Emittierendes-Material-Schicht, die das Licht blauer Farbe emittiert, in Abhängigkeit von dem Abstand von der zweiten Elektrode in der OLED-Anzeigevorrichtung gemäß dem Vergleichsbeispiel, in der die erste Elektrode, die lichtemittierende Schicht und die zweite Elektrode eine flache Form aufweisen, wieder. Eine Kurve D gibt ein Experimentalergebnis, das mittels Messens der EQE der Emittierendes-Material-Schicht 203a und Emittierendes-Material-Schicht 203b, die das Licht blauer Farbe emittieren, in Abhängigkeit von dem Abstand von der zweiten Elektrode 115 in der OLED-Anzeigevorrichtung 100 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wieder.
  • Die Kurve C weist den ersten blauen Kavitätspeak B1 und zweiten blauen Kavitätspeak B2, die eine relativ hohe EQE aufweisen, in dem Abstand von 250 Å bzw. 1500 A von der zweiten Elektrode auf. Die Kurve D weist den fünften blauen Kavitätspeak B5, sechsten blauen Kavitätspeak B6 und siebten blauen Kavitätspeak B7 als auch den ersten blauen Kavitätspeak B1 und zweiten blauen Kavitätspeak B2 auf. Der fünfte blaue Kavitätspeak B5 kann dem Abstand eines Bereichs von 350 Å bis 460 Å von der zweiten Elektrode 115 entsprechen, der sechste blaue Kavitätspeak B6 kann dem Abstand eines Bereichs von 1000 Å bis 1300 Å von der zweiten Elektrode 115 entsprechen, und der siebte blaue Kavitätspeak B7 kann dem Abstand eines Bereichs von 1700 Å bis 2300 Å von der zweiten Elektrode 115 entsprechen.
  • In der OLED-Anzeigevorrichtung 100, in der die erste Elektrode 111, die lichtemittierende Schicht 113 und die zweite Elektrode 115 die Mikrolinse ML zum Erhöhen der EQE ausbilden, können mittels der Mikrolinse ML der zusätzliche fünfte blaue Kavitätspeak B5, sechste blaue Kavitätspeak B6 und siebte blaue Kavitätspeak B7 aufgrund einer teilweisen Verzerrung des Abstands und der Position der Emittierendes-Material-Schicht 203a und 203b für den blauen Kavitätspeak erzeugt werden.
  • Als ein Ergebnis können die erste Emittierendes-Material-Schicht 203a, zweite Emittierendes-Material-Schicht 203b und dritte Emittierendes-Material-Schicht 203c mittels Anordnens der zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b, die das Licht blauer Farbe emittiert, derart, dass sie einem des fünften blauen Kavitätspeaks B5, sechsten blauen Kavitätspeaks B6 und siebten blauen Kavitätspeaks B7, die mittels der Mikrolinse ML hinzugefügt werden, entsprechen, die Kavitätspeaks erfüllen. Als ein Ergebnis ist die maximale Emissionsausbeute in der OLED-Anzeigevorrichtung 100 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung erzielt.
  • In der lichtemittierenden Diode E gemäß der zweiten Ausführungsform kann die erste Emittierendes-Material-Schicht 203a, die das Licht blauer Farbe emittiert, zwischen der zweiten Elektrode 115 und der zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203a, die das Licht blauer Farbe emittiert, derart angeordnet sein, dass sie einem des ersten blauen Kavitätspeaks B1 und fünften blauen Kavitätspeaks B5 entspricht.
  • Beispielsweise kann die erste Emittierendes-Material-Schicht 203a von einer unteren Oberfläche der zweiten Elektrode 115 einer Kathode mittels eines ersten Abstands L1 innerhalb eines Bereichs von 290 Å bis 460 Å getrennt angeordnet sein.
  • Die zweite Emittierendes-Material-Schicht 203b, die das Licht blauer Farbe emittiert, kann zwischen der ersten Emittierendes-Material-Schicht 203a, die das Licht blauer Farbe emittiert, und der dritten Emittierendes-Material-Schicht 203c, die das Licht gelb-grüner Farbe emittiert, derart angeordnet sein, dass sie einem des sechsten blauen Kavitätspeaks B6 und siebten blauen Kavitätspeaks B7 entspricht.
  • Beispielsweise kann die zweite Emittierendes-Material-Schicht 203b von einer unteren Oberfläche der zweiten Elektrode 115 einer Kathode mittels eines zweiten Abstands L2 innerhalb eines Bereichs von 1060 Å bis 1260 Å oder innerhalb eines Bereichs von 1860 Å bis 2260 Å angeordnet sein.
  • Die dritte Emittierendes-Material-Schicht 203c, die das Licht gelb-grüner Farbe emittiert, kann im Vergleich zu der ersten Emittierendes-Material-Schicht 203a und zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b, die das Licht blauer Farbe emittieren, benachbart zu der ersten Elektrode 111 derart angeordnet sein, dass sie dem zweiten gelb-grünen Kavitätspeak YG2 (der 3) entspricht.
  • Beispielsweise kann die dritte Emittierendes-Material-Schicht 203c von einer unteren Oberfläche der zweiten Elektrode 115 einer Kathode mittels eines dritten Abstands L3 innerhalb eines Bereichs von 2500 Å bis 2700 Å angeordnet sein.
  • In der OLED-Anzeigevorrichtung 100 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die erste Emittierendes-Material-Schicht 203a, die das Licht blauer Farbe emittiert, derart angeordnet sein, dass sie einem des ersten blauen Kavitätspeaks B1 und fünften blauen Kavitätspeaks B5 entspricht. Die zweite Emittierendes-Material-Schicht 203b, die das Licht blauer Farbe emittiert, kann derart angeordnet sein, dass sie einem des sechsten blauen Kavitätspeaks B6 und siebten blauen Kavitätspeaks B7 entspricht. Die dritte Emittierendes-Material-Schicht 203c, die das Licht gelb-grüner Farbe emittiert, kann derart angeordnet sein, dass sie dem zweiten gelb-grünen Kavitätspeak YG2 entspricht.
  • Da die erste Emittierendes-Material-Schicht 203a, zweite Emittierendes-Material-Schicht 203b und dritte Emittierendes-Material-Schicht 203c derart angeordnet sind, dass sie den Kavitätspeaks entsprechen, kann in der OLED-Anzeigevorrichtung 100, in der die erste Elektrode 111, die lichtemittierende Schicht 113 und die zweite Elektrode 115 die Mikrolinse ML ausbilden, die maximale Emissionsausbeute erzielt werden.
  • Insbesondere kann die erste Emittierendes-Material-Schicht 203a an einer Position des ersten Abstands L1 innerhalb eines Bereichs von 290 Å bis 460 A angeordnet sein, die zweite Emittierendes-Material-Schicht 203b kann an einer Position des zweiten Abstands L2 innerhalb eines Bereichs von 1060 Å bis 1260 Å oder innerhalb eines Bereichs von 1860 Å bis 2260 Å angeordnet sein, und die dritte Emittierendes-Material-Schicht 203c kann an einer Position des dritten Abstands L3 innerhalb eines Bereichs von 2500 Å bis 2700 Å angeordnet sein. Als ein Ergebnis wird die maximale Emissionsausbeute erzielt, und eine Gesamtdicke der lichtemittierenden Schicht 113 ist gleichzeitig reduziert. Beispielsweise kann die lichtemittierende Schicht 113 eine Gesamtdicke von weniger als 4000 Å aufweisen, beispielsweise die Dicke innerhalb eines Bereichs von 3600 Å bis 4000 Å.
  • In der OLED-Anzeigevorrichtung 100 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung nimmt, da die erste Elektrode 111, die lichtemittierende Schicht 113 und die zweite Elektrode 115 die Mikrolinse ML ausbilden, die Lichtauskopplungseffizienz zu. Außerdem weist, da die erste Emittierendes-Material-Schicht 203a, zweite Emittierendes-Material-Schicht 203b und dritte Emittierendes-Material-Schicht 203c derart angeordnet sind, dass sie den Kavitätspeaks auf dem effektiven Emissionsbereich B der lichtemittierenden Schicht 113, die die Mikrolinse ML ausbildet, entsprechen, jede der ersten Emittierendes-Material-Schicht 203a, zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b und dritten Emittierendes-Material-Schicht 203c die maximale Emissionsausbeute auf, und die Emissionsausbeute der OLED-Anzeigevorrichtung 100 nimmt weiter zu.
  • Des Weiteren ist die Gesamtdicke der lichtemittierenden Schicht 113 der OLED-Anzeigevorrichtung 100 mit einer Zunahme der Lichtauskopplungseffizienz und der Emissionsausbeute reduziert.
  • Wenn die Dicke der lichtemittierenden Schicht 113 zunimmt, ist die Emissionsausbeute der lichtemittierenden Diode E aufgrund der Absorption des Lichts von der ersten Emittierendes-Material-Schicht 203a, zweiten Emittierendes-Material-Schicht 203b und dritten Emittierendes-Material-Schicht 203c mittels der organischen Schicht reduziert, oder die Prozesseffizienz ist derart reduziert, dass die Herstellungszeit für die lichtemittierende Schicht 113 zunimmt. In der OLED-Anzeigevorrichtung 100 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird, da die vierte Dicke L4 der lichtemittierenden Schicht 113 reduziert ist, die Reduktion der Emissionsausbeute und Prozesseffizienz verhindert.
  • Außerdem sind, da die Abstände von der zweiten Elektrode 115 zu den Emittierendes-Material-Schichten 203a, 203b und 203c in den konkaven Bereichen 118 (der 2) der lichtemittierenden Schicht 113, die die Mikrolinse ML ausbildet, verschieden von den Abständen von der zweiten Elektrode 115 zu den Emittierendes-Material-Schichten 203a, 203b und 203c in dem effektiven Emissionsbereich B des Seitenoberflächenbereichs 117c (der 2) der konvexen Bereiche 117 (der 2) festgelegt werden, die Emittierendes-Material-Schichten 203a, 203b und 203c derart angeordnet, dass sie basierend auf dem effektiven Emissionsbereich B (der 2) der lichtemittierenden Schicht 113 die Kavitätspeaks der optischen Eigenschaft erfüllen. Als ein Ergebnis nimmt die Lichtauskopplungseffizienz der OLED-Anzeigevorrichtung 100 zu.
  • Des Weiteren wird, da die Gesamtdicke der lichtemittierenden Schicht 113 und/oder der lichtemittierenden Diode E reduziert ist, die Reduktion der Emissionsausbeute und Prozesseffizienz verhindert.
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft ebenso und ist nicht beschränkt auf die folgenden Aspekte.
  • In verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist eine Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung auf: ein Substrat, das einen emittierenden Bereich und einen nicht-emittierenden Bereich aufweist; eine Überzugschicht auf dem Substrat, die eine Mehrzahl von konvexen Bereichen und eine Mehrzahl von konkaven Bereichen aufweist; eine erste Elektrode auf der Überzugschicht; eine lichtemittierende Schicht auf der ersten Elektrode; und eine zweite Elektrode auf der lichtemittierenden Schicht, wobei die lichtemittierende Schicht nacheinander eine erste Emittierendes-Material-Schicht, zweite Emittierendes-Material-Schicht und dritte Emittierendes-Material-Schicht unter der zweiten Elektrode aufweist, und wobei die erste Emittierendes-Material-Schicht ein erstes Licht einer ersten Wellenlänge emittiert, die zweite Emittierendes-Material-Schicht das erste Licht der ersten Wellenlänge emittiert, und die dritte Emittierendes-Material-Schicht ein zweites Licht einer zweiten Wellenlänge, die verschieden ist von der ersten Wellenlänge, emittiert.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung liegt die erste Wellenlänge innerhalb eines Bereichs von 440 nm bis 480 nm, und die zweite Wellenlänge liegt innerhalb eines Bereichs von 510 nm bis 590 nm.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist die erste Emittierendes-Material-Schicht derart angeordnet, dass sie einen Abstand von 290 Å bis 460 A von einer unteren Oberfläche der zweiten Elektrode aufweist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist die zweite Emittierendes-Material-Schicht derart angeordnet, dass sie einen Abstand von 1060 Å bis 1260 Å von einer unteren Oberfläche der zweiten Elektrode aufweist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist die zweite Emittierendes-Material-Schicht derart angeordnet, dass sie einen Abstand von 1860 Å bis 2260 Å von einer unteren Oberfläche der zweiten Elektrode aufweist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist die dritte Emittierendes-Material-Schicht derart angeordnet, dass sie einen Abstand von 2500 Å bis 2700 A von einer unteren Oberfläche der zweiten Elektrode aufweist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die lichtemittierende Schicht eine Dicke innerhalb eines Bereichs von 3600 Å bis 4000 Å auf.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist eine Dicke der lichtemittierenden Schicht, die der Mehrzahl von konvexen Bereichen entspricht, geringer als eine Dicke der lichtemittierenden Schicht, die der Mehrzahl von konkaven Bereichen entspricht.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist das erste Licht eines von einem Licht blauer Farbe und einem Licht himmelblauer Farbe auf, und das zweite Licht weist ein Licht gelb-grüner Farbe auf.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung des Weiteren eine Wellenlängenumwandlungsschicht, die zwischen dem Substrat und der Überzugschicht eingeschoben ist, auf, und ein Kantenbereich der Wellenlängenumwandlungsschicht erstreckt sich über einen Kantenbereich der Mehrzahl von konvexen Bereichen und der Mehrzahl von konkaven Bereichen hinaus in Richtung des nicht-emittierenden Bereichs.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung des Weiteren einen Damm auf der Überzugschicht auf, der eine Öffnung, die die erste Elektrode freilegt, auflegt, und die Mehrzahl von konvexen Bereichen und die Mehrzahl von konkaven Bereichen sind in der Öffnung ausgebildet.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kontaktieren die Mehrzahl von konvexen Bereichen und die Mehrzahl von konkaven Bereichen einen Kantenbereich des Damms.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung überlappt der Damm einen Kantenbereich der Mehrzahl von konvexen Bereichen und der Mehrzahl von konkaven Bereichen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung überlappen ein Kantenbereich der Wellenlängenumwandlungsschicht, ein Kantenbereich der Mehrzahl von konvexen Bereichen und der Mehrzahl von konkaven Bereichen und ein Kantenbereich des Damms einander in dem nicht-emittierenden Bereich.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung überlappt ein Grenzbereich des emittierenden Bereichs und des nicht-emittierenden Bereichs einen Kantenbereich der Mehrzahl von konvexen Bereichen und der Mehrzahl von konkaven Bereichen.
  • Es ist offensichtlich für den Fachmann, dass verschiedene Modifikationen und Variationen in der vorliegenden Offenbarung vorgenommen werden können, ohne von dem Anwendungsbereich der Offenbarung abzuweichen. Folglich ist es beabsichtigt, dass die vorliegende Offenbarung die Modifikationen und Variationen dieser Offenbarung abdeckt, sofern sie sich innerhalb des Anwendungsbereiches der beigefügten Ansprüche befinden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 1020180095139 [0001]

Claims (15)

  1. Eine Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung (100), aufweisend: ein Substrat (101), das einen emittierenden Bereich (EA) und einen nicht-emittierenden Bereich (NEA) aufweist; eine Überzugschicht (108) auf dem Substrat (101), die eine Mehrzahl von konvexen Bereichen (117) und eine Mehrzahl von konkaven Bereichen (118) aufweist; eine erste Elektrode (111) auf der Überzugschicht (108); eine lichtemittierende Schicht (113) auf der ersten Elektrode (111); und eine zweite Elektrode (115) auf der lichtemittierenden Schicht (113), wobei die lichtemittierende Schicht (113) nacheinander eine erste Emittierendes-Material-Schicht (203a), eine zweite Emittierendes-Material-Schicht (203b) und eine dritte Emittierendes-Material-Schicht (203c) unter der zweiten Elektrode (115) aufweist, und wobei die erste Emittierendes-Material-Schicht (203a) ein Licht einer ersten Wellenlänge emittiert, die zweite Emittierendes-Material-Schicht (203b) das erste Licht der ersten Wellenlänge emittiert, und die dritte Emittierendes-Material-Schicht (203c) ein zweites Licht einer zweiten Wellenlänge, die verschieden ist von der ersten Wellenlänge, emittiert.
  2. Die Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die erste Wellenlänge innerhalb eines Bereichs von 440 nm bis 480 nm liegt, und die zweite Wellenlänge innerhalb eines Bereichs von 510 nm bis 590 nm liegt.
  3. Die Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die erste Emittierendes-Material-Schicht (203a) derart angeordnet ist, dass sie einen Abstand (L1) von 290 Å bis 460 Å von einer unteren Oberfläche der zweiten Elektrode (115) aufweist.
  4. Die Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die zweite Emittierendes-Material-Schicht (203b) derart angeordnet ist, dass sie einen Abstand (L2) von 1060 Å bis 1260 Å von einer unteren Oberfläche der zweiten Elektrode (115) aufweist.
  5. Die Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die zweite Emittierendes-Material-Schicht (203b) derart angeordnet ist, dass sie einen Abstand (L2) von 1860 Å bis 2260 Å von einer unteren Oberfläche der zweiten Elektrode (115) aufweist.
  6. Die Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die dritte Emittierendes-Material-Schicht (203c) derart angeordnet ist, dass sie einen Abstand (L3) von 2500 Å bis 2700 Å von einer unteren Oberfläche der zweiten Elektrode (115) aufweist.
  7. Die Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die lichtemittierende Schicht (113) eine Dicke innerhalb eines Bereichs von 3600 Å bis 4000 Å aufweist.
  8. Die Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei eine Dicke der lichtemittierenden Schicht (113), die der Mehrzahl von konvexen Bereichen (117) entspricht, geringer ist als eine Dicke der lichtemittierenden Schicht (113), die der Mehrzahl von konkaven Bereichen (118) entspricht.
  9. Die Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei das erste Licht eines von einem Licht blauer Farbe und einem Licht himmelblauer Farbe aufweist, und das zweite Licht ein gelb-grünes Licht aufweist.
  10. Die Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, ferner aufweisend eine Wellenlängenumwandlungsschicht (106), die zwischen dem Substrat (101) und der Überzugschicht (108) eingeschoben ist, wobei ein Kantenbereich der Wellenlängenumwandlungsschicht (106) sich über einen Kantenbereich der Mehrzahl von konvexen Bereichen (117) und der Mehrzahl von konkaven Bereichen (118) hinaus in Richtung des nicht-emittierenden Bereichs (NEA) erstreckt.
  11. Die Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 10, ferner aufweisend einen Damm (119) auf der Überzugschicht (108), der eine Öffnung, die die erste Elektrode (111) freilegt, aufweist, wobei die Mehrzahl von konvexen Bereichen (117) und die Mehrzahl von konkaven Bereichen (118) in der Öffnung gebildet sind.
  12. Die Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 11, wobei die Mehrzahl von konvexen Bereichen (117) und die Mehrzahl von konkaven Bereichen (118) einen Kantenbereich des Damms (119) berühren.
  13. Die Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 11 oder 12, wobei der Damm (119) einen Kantenbereich der Mehrzahl von konvexen Bereichen (117) und der Mehrzahl von konkaven Bereichen (118) überlappt.
  14. Die Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei ein Kantenbereich der Wellenlängenumwandlungsschicht (106), ein Kantenbereich der Mehrzahl von konvexen Bereichen (117) und der Mehrzahl von konkaven Bereichen (118) und ein Kantenbereich des Damms (119) einander in dem nicht-emittierenden Bereich (NEA) überlappen.
  15. Die Organische-lichtemittierende-Diode-Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei ein Grenzbereich des emittierenden Bereichs (EA) und des nicht-emittierenden Bereichs (NEA) einen Kantenbereich der Mehrzahl von konvexen Bereichen (110) und der Mehrzahl von konkaven Bereichen (118) überlappt.
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