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QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNGEN
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Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der
koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2018-0094903 , die in der Republik Korea am 14. August 2018 eingereicht wurde.
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HINTERGRUND DER OFFENBARUNG
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Gebiet der Offenbarung
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Die vorliegende Offenbarung betrifft eine organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtung, und insbesondere eine organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtung, in der die Lichtauskopplungseffizienz verbessert ist.
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Diskussion der bezogenen Technik
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In jüngster Zeit, mit der Einführung einer informationsorientierten Gesellschaft, da das Interesse an Informationsanzeigen zum Bearbeiten und Anzeigen einer massiven Menge von Informationen und die Nachfrage nach portablen Informationsmedien zugenommen haben, hat sich das Gebiet der Anzeigen schnell weiterentwickelt. Daher sind verschiedene leichte und dünne, flache Panelanzeigevorrichtungen entwickelt und herausgestellt worden.
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Unter den verschiedenen flachen Panelanzeigevorrichtungen ist eine organische lichtemittierende Dioden(OLED)-Anzeigevorrichtung eine Vorrichtung vom Emissionstyp und benötigt nicht eine Hintergrundbeleuchtungseinheit, die in einer Vorrichtung vom Nicht-Emissionstyp, wie beispielsweise in einer Flüssigkristallanzeige(LCD)-Vorrichtung, verwendet wird. Daher weist eine OLED-Anzeigevorrichtung ein leichtes Gewicht und ein dünnes Profil auf.
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Weiterhin weist eine OLED-Anzeigevorrichtung Vorteile bei einem Betrachtungswinkel, einem Kontrastverhältnis und einem Stromverbrauch auf verglichen mit der LCD-Vorrichtung. Außerdem kann die OLED-Anzeigevorrichtung mit einer niedrigen Gleichstrom (DC) Spannung angetrieben werden und weist eine schnelle Reaktionsgeschwindigkeit auf. Ferner, da die Innenelemente einer OLED-Anzeigevorrichtung eine feste Phase aufweisen, weist die OLED-Anzeigevorrichtung eine hohe Beständigkeit gegen eine Einwirkungen von außen auf und weist einen breiten verfügbaren Temperaturbereich auf.
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In der OLED-Anzeigevorrichtung, während Licht, das von einer lichtemittierenden Schicht emittiert wird, durch verschiedene Bestandteile durchläuft und nach außen emittiert wird, geht ein großer Teil des Lichtes verloren. Dadurch beträgt das nach außen emittierte Licht der OLED-Anzeigevorrichtung nur 20% des Lichts, das von der lichtemittierenden Schicht emittiert wird.
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Hier, da die Menge des Lichts, das von der lichtemittierenden Schicht emittiert wird, mit der Menge eines an die OLED-Anzeigevorrichtung angelegten Stroms zunimmt, ist es möglich, die Leuchtdichte der OLED-Anzeigevorrichtung weiter zu erhöhen mittels Anlegens von mehr Strom an die lichtemittierende Schicht. Allerdings steigt in diesem Fall der Stromverbrauch, und die Lebensdauer der OLED-Anzeigevorrichtung wird auch reduziert.
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Daher, um die Lichtauskopplungseffizienz der OLED-Anzeigevorrichtung zu verbessern, wurde eine OLED-Anzeigevorrichtung vorgeschlagen, bei der ein Mikrolinsenarray (MLA) an einer Außenoberfläche eines Substrats angebracht ist oder eine Mikrolinse in einer Abdeckungsschicht ausgebildet ist.
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Allerdings, selbst wenn das Mikrolinsenarray an der Außenoberfläche der OLED-Anzeigevorrichtung angebracht ist oder die Mikrolinse in der OLED-Anzeigevorrichtung ausgebildet ist, bleibt eine große Menge von Licht in der OLED-Anzeigevorrichtung eingesperrt und wird nur eine kleine Menge von Licht nach außen ausgekoppelt.
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ZUSAMMENFASSUNG DER OFFENBARUNG
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Dementsprechend ist die vorliegende Offenbarung auf eine organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtung gerichtet, die ein oder mehrere Probleme, die durch Beschränkungen und Nachteile der bezogenen Technik bedingt sind, wesentlich vermeidet.
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Ein Ziel der vorliegenden Offenbarung ist es, eine organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtung bereitzustellen, in der eine Lichtauskopplungseffizienz verbessert ist.
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Zusätzliche Merkmale und Vorteile der Offenbarung werden in der folgenden Beschreibung dargelegt und werden teilweise aus der Beschreibung ersichtlich, oder können durch die Anwendung der Offenbarung erlernt werden. Diese und weitere Vorteile der Offenbarung werden realisiert und erreicht mittels der Struktur, die insbesondere in der schriftlichen Beschreibung und in den Ansprüchen hiervon sowie in den beigefügten Figuren herausgestellt ist.
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Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1 bereitgestellt. Weitere Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben. Um diese und weitere Vorteile zu erreichen, und gemäß dem Zweck der vorliegenden Offenbarung, wie hier verkörpert und breit beschrieben, weist eine organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtung auf: ein Substrat mit einem emittierenden Gebiet und einem nicht-emittierenden Gebiet; eine Abdeckungsschicht auf dem Substrat und mit einem konvexen Bereich und einem konkaven Bereich, wobei der konvexe Bereich einen unteren Oberflächenbereich, einen oberen Oberflächenbereich und einen Seitenoberflächenbereich zwischen dem unteren Oberflächenbereich und dem oberen Oberflächenbereich aufweist; eine erste Elektrode auf der Abdeckungsschicht; eine lichtemittierende Schicht auf der ersten Elektrode; und eine zweite Elektrode auf der lichtemittierenden Schicht, wobei der Seitenoberflächenbereich ein Hauptemissionsbereich mit einem ersten Emissionsspektrum ist und der konkave Bereich ein Hilfsemissionsbereich mit einem zweiten Emissionsspektrum ist, das sich von dem ersten Emissionsspektrum unterscheidet. Der Hauptemissionsbereich und der Hilfsemissionsbereich können ein effektiver Emissionsbereich sein.
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Es wird verstanden, dass sowohl die vorstehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende detaillierte Beschreibung exemplarisch und erläuternd sind und vorgesehen sind, um eine weitere Erläuterung der Offenbarung wie beansprucht zu geben.
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Figurenliste
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Die beigefügten Figuren, die enthalten sind, um ein weiteres Verständnis der Offenbarung zu liefern, und in der Beschreibung aufgenommen sind und einen Teil dieser Beschreibung bilden, verdeutlichen Ausführungsformen der Offenbarung und dienen zusammen mit der Beschreibung zur Erläuterung der Grundsätze der Offenbarung. In den Figuren:
- 1 ist eine Querschnittansicht, die eine organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt;
- 2 ist eine Draufsicht, die eine organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt;
- 3 ist eine Querschnittansicht entlang der Linie II-II der 2;
- 4 ist eine Grafik, die ein Emissionsspektrum eines weißen Lichts zeigt, das emittiert wird von einem Hauptemissionsbereich und einem Hilfsemissionsbereich einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
- 5A bis 5D sind Grafiken, die jeweils ein Emissionsspektrum von einem Hilfsemissionsbereich einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigen.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Es wird jetzt im Detail auf die vorliegende Offenbarung Bezug genommen, wobei Beispiele davon in den beigefügten Figuren veranschaulicht sind.
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1 ist eine Querschnittansicht, die eine organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt. Alle Bestandteile der organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtungen gemäß aller Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind betriebsfähig gekoppelt und ausgestaltet.
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In 1 kann eine organische lichtemittierende Dioden(OLED)-Anzeigevorrichtung 100 von einem Top-Emissionstyp oder von einem Bottom-Emissionstyp gemäß einer Emissionsrichtung eines Lichts sein. Eine OLED-Anzeigevorrichtung vom Bottom-Emissionstyp kann im Folgenden beispielhaft dargestellt werden.
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Die OLED-Anzeigevorrichtung 100 weist ein Substrat 101 mit einem Ansteuerungs-Dünnfilmtransistor (TFT) DTr und einer lichtemittierenden Diode E darauf auf, und einen Schutzfilm 102, der das Substrat 101 verkapselt.
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Das Substrat 101 weist eine Vielzahl von Pixelbereichen P auf, und jeder Pixelbereich P weist ein emittierendes Gebiet EA auf, in dem die lichtemittierende Diode E angeordnet ist und ein Bild im Wesentlichen angezeigt wird, und ein nicht-emittierendes Gebiet NEA entlang einer Randes des emittierenden Gebiets EA. Das nicht-emittierende Gebiet NEA weist ein Schaltgebiet TrA auf, in dem der Ansteuerungs-TFT DTr angeordnet ist.
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Eine Halbleiterschicht 103 ist in dem Schaltgebiet TrA des nicht-emittierenden Gebiets NEA des Pixelbereichs P auf dem Substrat 101 angeordnet. Die Halbleiterschicht 103 kann Silizium aufweisen und kann einen aktiven Bereich 103a in einem zentralen Bereich und einen Source-Bereich 103b und einen Drain-Bereich 103c in beiden Seitenbereichen des aktiven Bereiches 103a aufweisen. Der aktive Bereich 103a kann als ein Kanal des Ansteuerungs-TFT DTr fungieren, und der Source-Bereich 103b und der Drain-Bereich 103c können mit Verunreinigungen von einer relativ hohen Konzentration dotiert sein.
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Eine Gate-Isolierschicht 105 ist auf der Halbleiterschicht 103 angeordnet.
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Eine Gate-Elektrode 107 und eine Gate-Leitung (nicht gezeigt) sind auf der Gate-Isolierschicht 105 angeordnet. Die Gate-Elektrode 107 entspricht dem aktiven Bereich 103a der Halbleiterschicht 103, und die Gate-Leitung ist mit der Gate-Elektrode 107 verbunden, um sich entlang einer Richtung zu erstrecken.
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Eine erste Zwischenschichtisolierschicht 109a ist auf der Gate-Elektrode 107 und der Gate Leitung angeordnet. Die erste Isolierschicht 109a und die Gate-Isolierschicht 105 weisen ein erstes Halbleiterkontaktloch 116 und ein zweites Halbleiterkontaktloch 116 auf, die den Source-Bereich 103b und den Drain-Bereich 103c in beiden Seitenbereichen des aktiven Bereichs 103a freilegen.
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Die Source-Elektrode 110a und die Drain-Elektrode 110b, die voneinander beabstandet sind, sind auf der ersten Zwischenschichtisolierschicht 109a mit dem ersten Halbleiterkontaktloch 116 und dem zweiten Halbleiterkontaktloch 116 angeordnet. Die Source-Elektrode 110a ist mit dem Source-Bereich 103b durch das erste Halbleiterkontaktloch 116 verbunden, und die Drain-Elektrode 110b ist mit dem Drain-Bereich 103c durch das zweite Halbleiterkontaktloch 116 verbunden.
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Eine zweite Zwischenschichtisolierschicht 109b ist auf der Source-Elektrode 110a und der Drain-Elektrode 110b und der zwischen der Source-Elektrode 110a und der Drain-Elektrode 110b freigelegten ersten Zwischenschichtisolierschicht 109a angeordnet.
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Die Source-Elektrode 110a und die Drain-Elektrode 110b, die Halbleiterschicht 103 mit dem Source-Bereich 103b und dem Drain-Bereich 103c, die in Kontakt mit der Source-Elektrode 110a bzw. der Drain-Elektrode 110b sind, die Gate-Isolierschicht 105 und die Gate-Elektrode 107 bilden den Ansteuerungs-TFT DTr.
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Obwohl nicht gezeigt, kann eine Datenleitung auf der zweiten Zwischenschichtisolierschicht 109b angeordnet sein. Die Datenleitung kann die Gate-Leitung kreuzen, um jeden Pixelbereich P zu definieren. Ein Schalt-TFT mit der gleichen Struktur wie der Ansteuerungs-TFT DTr kann mit dem Ansteuerungs-TFT DTr verbunden sein.
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Der Schalt-TFT und der Ansteuerungs-TFT DTr können beispielsweise einen von einem amorphen Silizium (a-Si) TFT, einem polykristallinen Silizium (p-Si) TFT, einem einkristallinen Silizium (c-Si) TFT und einem Oxid-TFT gemäß der Halbleiterschicht 103 aufweisen. Obwohl der Schalt-TFT und der Ansteuerungs-TFT in der ersten Ausführungsform der 1 einen Top-Gate-Typ aufweisen, in dem die Halbleiterschicht 103 polykristallines Silizium oder ein Oxid-Halbleitermaterial aufweist, können der Schalt-TFT und der Ansteuerungs-TFT in einer anderen Ausführungsform einen Bottom-Gate-Typ aufweisen, bei dem die Halbleiterschicht 103 intrinsisch amorphes Silizium und mit Verunreinigungen dotiertes amorphes Silizium aufweist.
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Das Substrat 101 kann ein Glas oder einen transparenten flexiblen (biegbaren, faltbaren, rollbaren) Kunststoff aufweisen. Wenn das Substrat 101 einen transparenten Kunststoff aufweist, kann Polyimid mit einer hervorragenden Wärmebeständigkeit für das Substrat 101 verwendet werden, basierend auf einem Hochtemperatur-Abscheidungsverfahren. Eine ganze Oberfläche des Substrats 101 kann mit einer Pufferschicht (nicht gezeigt) beschichtet sein.
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Der Ansteuerungs-TFT DTr in dem Schaltgebiet TrA kann eine Eigenschaft aufweisen, dass eine Schwellspannung mittels Lichts verschoben wird. Um das Verschieben der Schwellspannung zu vermeiden, kann eine Licht-Abschirmschicht (nicht gezeigt) in der OLED-Anzeigevorrichtung 100 unter der Halbleiterschicht 103 angeordnet sein.
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Da die Licht-Abschirmschicht zwischen dem Substrat 101 und der Halbleiterschicht 103 das durch das Substrat 101 auf die Halbleiterschicht 103 einfallende Licht blockiert, kann das durch das externe Licht bedingte Verschieben der Schwellspannung des Ansteuerungs-TFT DTr minimiert oder vermieden werden. Die Licht-Abschirmschicht kann mit der Pufferschicht beschichtet sein.
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Eine Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 ist auf der zweiten Zwischenisolierschicht 109b entsprechend dem emittierenden Gebiet EA jedes Pixelbereichs P angeordnet.
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Die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 kann einen Farbfilter aufweisen, der aus einem weißen Licht, das von der lichtemittierenden Diode E zu dem Substrat 101 emittiert wird, nur ein Licht mit einer Wellenlänge einer vorbestimmten Farbe durchlässt, entsprechend jedem Pixelbereich P.
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Die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 kann nur ein Licht weiterleiten, das eine Wellenlänge aufweist, die einer roten Farbe, einer grünen Farbe oder einer blauen Farbe entspricht. Beispielsweise kann in der OLED-Anzeigevorrichtung 100 ein einzelner Einheitspixelbereich einen roten Pixelbereich P, einen grünen Pixelbereich P und einen blauen Pixelbereich P aufweisen, und die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 in dem roten Pixelbereich P, in dem grünen Pixelbereich P und in dem blauen Pixelbereich P kann einen roten Filter, einen grünen Filter bzw. einen blauen Filter aufweisen.
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In der OLED-Anzeigevorrichtung 100 kann der einzelne Einheitspixelbereich ferner einen weißen Pixelbereich aufweisen, in dem die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 nicht angeordnet ist.
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In einer anderen Ausführungsform kann die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 einen Quantenpunkt aufweisen, der eine Größe aufweist, die zum Emittieren eines Lichts einer vorbestimmten Farbe fähig ist, entsprechend jedem Pixelbereich P gemäß einem weißen Licht, das von der lichtemittierenden Diode E zu dem Substrat 101 emittiert wird. Hier kann der Quantenpunkt wenigstens eines aufweisen, ausgewählt aus der Gruppe aufweisend CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, Hgs, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPas, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs, InAlPAs und SbTe. Allerdings ist ein Material des Quantenpunkts nicht darauf beschränkt.
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Beispielsweise kann die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 in dem roten Pixelbereich einen Quantenpunkt aus CdSe oder InP aufweisen, die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 in dem grünen Pixelbereich kann einen Quantenpunkt aus CdZnSeS aufweisen, und die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 in dem blauen Pixelbereich kann einen Quantenpunkt aus ZnSe aufweisen. Die OLED-Anzeigevorrichtung 100, in der die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 einen Quantenpunkt aufweist, kann eine relativ hohe Farbreproduzierbarkeit aufweisen.
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In einer anderen Ausführungsform kann die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 einen Farbfilter mit einem Quantenpunkt aufweisen.
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Eine Abdeckungsschicht 108, die ein erstes Drain-Kontaktloch 108a aufweist, das die Drain-Elektrode 110b mit der zweiten Zwischenschichtisolierschicht 109b freilegt, ist auf der Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 angeordnet. Die Abdeckungsschicht 108 weist eine Vielzahl von konkaven Bereichen 118 und eine Vielzahl von konvexen Bereichen 117 auf einer oberen Oberfläche davon auf. Die Vielzahl von konkaven Bereichen 118 und die Vielzahl von konvexen Bereichen 117 sind abwechselnd zueinander angeordnet, um eine Mikrolinse ML zu bilden.
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Die Abdeckungsschicht 108 kann ein Isoliermaterial mit einem Brechungsindex von 1,5 aufweisen. Beispielsweise kann die Abdeckungsschicht 108 eines von Acrylharz, Epoxid-Harz, Phenolharz, Polyamid-Harz, Polyimid-Harz, ungesättigtem Polyesterharz, Polyphenylen-Harz, Polyphenylensulfid-Harz, Benzozyklobuten und Fotolack aufweisen. Allerdings ist ein Material der Abdeckungsschicht 108 nicht darauf beschränkt.
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Die Vielzahl von konvexen Bereichen 117 können eine Struktur solche aufweisen, dass sie jeweils die Vielzahl von konkaven Bereichen 118 definieren oder umgeben, und können einen unteren Oberflächenbereich 117a, einen oberen Oberflächenbereich 117b und einen Seitenoberflächenbereich 117c aufweisen.
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Der Seitenoberflächenbereich 117c kann eine gesamte schräge Oberfläche sein, die den oberen Oberflächenbereich 117b bildet. Eine Neigung des Seitenoberflächenbereichs 117c kann von dem unteren Oberflächenbereich 117a zu dem oberen Oberflächenbereich 117b hin zunehmen, derart, dass der Seitenoberflächenbereich 117c eine maximale Neigung Smax an einem zu dem oberen Oberflächenbereich 117b benachbarten Bereich aufweist.
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Da ein Pfad von von der lichtemittierenden Schicht 113 emittiertem Licht mittels der Vielzahl von konvexen Bereichen 117 in Richtung des Substrats 101 hin geändert wird, steigt die Lichtauskopplungseffizienz der OLED-Anzeigevorrichtung 100.
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Eine erste Elektrode 111, die mit der Drain-Elektrode 110b des Ansteuerungs-TFT DTr verbunden ist, ist auf der Abdeckungsschicht 108 angeordnet, die die Mikrolinse ML bildet. Beispielsweise kann die erste Elektrode 111 eine Anode der lichtemittierenden Diode E sein und kann ein Material mit einer relativ hohen Austrittsarbeit aufweisen.
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Die erste Elektrode 111 ist in jedem Pixelbereich P angeordnet, und eine Bank 119 ist zwischen den ersten Elektroden 111 in den benachbarten Pixelbereichen P angeordnet. Die erste Elektrode 111 ist in jedem Pixelbereich P getrennt, mit der Bank 119 als eine Grenze zwischen den benachbarten Pixelbereichen P.
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Die Bank 119 weist eine Öffnung auf, die die erste Elektrode 111 freilegt, und die Öffnung der Bank 119 ist so angeordnet, dass sie zu dem emittierenden Gebiet EA korrespondiert. Die Vielzahl von konvexen Bereichen 117 und die Vielzahl von konkaven Bereichen 118, die die Mikrolinse ML bilden, sind in der gesamten Öffnung der Bank 119 angeordnet. Beispielsweise können die Vielzahl von konvexen Bereichen 117 und die Vielzahl von konkaven Bereichen 118 einen Randbereich der Bank 119 kontaktieren.
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Ferner ist die Öffnung der Bank 119 so angeordnet, dass sie zu der Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 korrespondiert. Beispielsweise kann der Randbereich der Bank 119 einen Randbereich der Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 überlappen. Da die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 die Bank 119 überlappt, wird eine Leckage eines Lichts, das nicht durch die Wellenlängen-Umwandlungsschicht 106 läuft, vermieden.
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Eine lichtemittierende Schicht 113 ist auf der ersten Elektrode 111 angeordnet. Die lichtemittierende Schicht 113 kann eine einzige Schicht eines emittierenden Materials aufweisen. Alternativ kann die lichtemittierende Schicht 113 eine mehrlagige Schicht aufweisend eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine emittierende Materialschicht, eine Elektrontransportschicht und eine Elektroninjektionsschicht zum Erhöhen der Emissionseffizienz aufweisen.
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Die erste Elektrode 111 und die lichtemittierende Schicht 113 sequenziell auf der Abdeckungsschicht 108 können eine Form aufweisen entsprechend einer Morphologie der Vielzahl von konvexen Bereichen 117 und der Vielzahl von konkaven Bereichen 118 der oberen Oberfläche der Abdeckungsschicht 108, um die Mikrolinse ML zu bilden.
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Eine zweite Elektrode 115 ist auf der gesamten lichtemittierenden Schicht 113 angeordnet. Beispielsweise kann die zweite Elektrode 115 eine Kathode sein.
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Die zweite Elektrode 115 kann eine Form entsprechend einer Morphologie der Vielzahl von konvexen Bereichen 117 und der Vielzahl von konkaven Bereichen 118 der oberen Oberfläche der Abdeckungsschicht 108 aufweisen, um die Mikrolinse ML zu bilden.
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Wenn eine Spannung an die erste Elektrode 111 und an die zweite Elektrode 115 gemäß einem Signal angelegt wird, werden ein von der ersten Elektrode 111 injiziertes Loch und ein von der zweiten Elektrode 115 injiziertes Loch in die lichtemittierende Schicht 113 weitergeleitet, um ein Exziton zu bilden. Wenn das Exziton von einem angeregten Zustand in einen Grundzustand übergeht, kann ein Licht aus der lichtemittierenden Schicht 113 als ein sichtbarer Strahl emittiert werden.
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Das Licht der lichtemittierenden Schicht 113 kann durch die transparente erste Elektrode 111 durchdringen, um nach außen emittiert zu werden, so dass ein Bild angezeigt wird.
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Da die Abdeckungsschicht 108 die Mikrolinse ML bildet, kann das Licht, das in dem Inneren der lichtemittierenden Schicht 113 wegen einer Totalreflexion eingesperrt ist, mittels der Mikrolinse ML aus der Abdeckungsschicht 108 mit einem Winkel, der kleiner ist als ein Grenzwinkel der Totalreflektion, weitergeleitet werden, um nach außen mittels einer Vielfachreflektion ausgekoppelt zu werden. Dadurch wird die Lichtauskopplungseffizienz der OLED-Anzeigevorrichtung 100 verbessert.
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Weiterhin, da die Mikrolinse ML aus der Abdeckungsschicht 108, der ersten Elektrode 111, der lichtemittierenden Schicht 113 und der zweiten Elektrode 115 in der gesamten Öffnung der Bank 119 entsprechend dem emittierenden Gebiet EA angeordnet ist, wird das gesamte emittierende Gebiet EA für die Mikrolinse ML verwendet und die Lichtauskopplungseffizienz wird maximiert.
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Ein Schutzfilm 102 von einem Dünnfilm-Typ ist auf dem Ansteuerungs-TFT DTr und auf der lichtemittierenden Diode E angeordnet, und eine Oberflächenabdichtung 104 ist zwischen der lichtemittierenden Diode E und dem Schutzfilm 102 angeordnet. Die Oberflächenabdichtung 104 kann ein organisches Material oder ein anorganisches Material, das transparent ist und eine klebende Eigenschaft aufweist, aufweisen. Der Schutzfilm 102 und das Substrat 101 können miteinander durch die Oberflächenabdichtung 104 befestigt sein, um die OLED-Anzeigevorrichtung 100 zu verkapseln.
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Um das Eindringen von externem Sauerstoff und Feuchtigkeit in ein Inneres der OLED-Anzeigevorrichtung zu vermeiden, kann der Schutzfilm 102 mindestens zwei anorganische Schutzfilme aufweisen. Ein organischer Schutzfilm zur ergänzenden Stoßbeständigkeit der mindestens zwei anorganischen Schutzfilme kann zwischen den mindestens zwei anorganischen Schutzfilmen eingefügt sein.
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In der Struktur, in der der organische Schutzfilm und der anorganische Schutzfilm abwechselnd zusammenlaminiert sind, kann der anorganische Schutzfilm den organischen Schutzfilm vollständig einwickeln, so dass das Eindringen von Feuchtigkeit und Sauerstoff durch eine Seitenoberfläche des organischen Schutzfilms verhindert wird.
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Dadurch kann das Eindringen von Feuchtigkeit und Sauerstoff von außen ins Innere der OLED-Anzeigevorrichtung 100 verhindert werden.
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In der OLED-Anzeigevorrichtung 100 kann eine Polarisationsscheibe (nicht gezeigt) zum Verhindern einer Verringerung eines Kontrastverhältnisses wegen einem externen Licht auf einer Außenoberfläche des transparenten Substrats 101 angeordnet sein. Da die Polarisationsscheibe, die das externe Licht blockiert, auf einer Oberfläche der OLED-Anzeigevorrichtung 100 angeordnet ist, steigt in einem Betriebsmodus, in dem ein Licht von der lichtemittierenden Schicht 113 emittiert wird, das Kontrastverhältnis.
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In der OLED-Anzeigevorrichtung 100, da die Oberfläche der Abdeckungsschicht 108 die Mikrolinse ML bildet, bilden die erste Elektrode 111, die lichtemittierende Schicht 113 und die zweite Elektrode 115 sequentiell auf der Abdeckungsschicht 108 die Mikrolinse ML. Dadurch steigt die Lichtauskopplungseffizienz des Lichts, das von der lichtemittierenden Diode E emittiert wird.
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Insbesondere, da ein effektiver Emissionsbereich B (der 3) der lichtemittierenden Schicht 113 sowohl an dem konkaven Bereich 118 als auch an dem Seitenoberflächenbereich 117c des konvexen Bereichs 117 gebildet ist, kann der effektive Emissionsbereich B in einen Hauptemissionsbereich C (der 3) und einen Hilfsemissionsbereich D (der 3) unterteilt werden. Dadurch kann ein gesamter Emissionsbereich der lichtemittierenden Schicht 113, der die Mikrolinse ML bildet, vergrößert werden, und die Lichtauskopplungseffizienz kann steigen.
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Da das Emissionsspektrum des Hilfsemissionsbereichs D so angepasst wird, dass es unterschiedliche Werte aufweist, kann die Effizienz gemäß einem Zweck und einem Effekt unterschiedlich steigen.
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2 ist eine Draufsicht, die eine organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt, und 3 ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie II-II der 2.
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In 2 kann ein Bereich mit der Mikrolinse ML der OLED-Anzeigevorrichtung 110 (der 1) eine sechseckige Form in einer Draufsicht aufweisen. Beispielsweise kann der Bereich mit der Mikrolinse ML eine sechseckige Wabenstruktur in einer Draufsicht aufweisen. Ferner können die konkaven Bereiche 118 in einer Linie entlang einer ersten Richtung (einer horizontalen Richtung) und einer diagonalen Richtung angeordnet sein, und können entlang einer zweiten Richtung (einer vertikalen Richtung) versetzt sein. Ferner können die benachbarten konkaven Bereiche 118 mittels eines Verbindungsbereichs (des konvexen Bereichs 117) miteinander verbunden sein, und der Verbindungsbereich (der konvexe Bereich 117) kann eine sechseckige Form oder eine Wabenstruktur in einer Draufsicht bilden.
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Allerdings ist der Bereich mit der Mikrolinse ML nicht darauf beschränkt und kann verschiedene Formen wie eine Halbkreisform, eine Halbellipsenform und eine rechteckige Form aufweisen.
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Der Bereich mit der Mikrolinse ML kann in einen ersten Bereich E1, der zu dem oberen Oberflächenbereich 117b des konvexen Bereichs 117 der Abdeckungsschicht 108 korrespondiert, einen zweiten Bereich E2, der zu dem Seitenoberflächenbereich 117c des konvexen Bereichs 117 der Abdeckungsschicht 108 zwischen dem konvexen Bereich 117 und dem konkaven Bereich 118 korrespondiert, und einen dritten Bereich E3, der zu dem konkaven Bereich 118 der Abdeckungsschicht 108 korrespondiert, unterteilt sein.
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In 3 kann der konvexe Bereich 117 der Abdeckungsschicht 108, die die Mikrolinse ML bildet, einen unteren Oberflächenbereich 117a, einen oberen Oberflächenbereich 117b und einen Seitenoberflächenbereich 117c aufweisen. Der Seitenoberflächenbereich 117c kann eine gesamte schräge Oberfläche sein, die den oberen Oberflächenbereich 117b mittels Verbindens des unteren Oberflächenbereichs 117a mit dem oberen Oberflächenbereich 117b bildet.
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Der obere Oberflächenbereich 117b des konvexen Bereichs 117 der Abdeckungsschicht 108 entspricht dem ersten Bereich E1 in einer Draufsicht. Der Seitenoberflächenbereich 117c entspricht dem zweiten Bereich E2, und der konkave Bereich 118 entspricht dem dritten Bereich E3.
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Beispielsweise kann ein Winkel θ einer tangentialen Linie C1 des Seitenoberflächenbereichs 117c bezüglich einer horizontalen Oberfläche (d.h., des unteren Oberflächenbereichs 117a) in einem Bereich von 20 Grad bis 60 Grad liegen. Wenn der Winkel θ kleiner ist als 20 Grad, ist der Weiterleitungswinkel des Lichts in der lichtemittierenden Schicht 113 mit der Mikrolinse ML nur unwesentlich verändert im Vergleich zu dem Weiterleitungswinkel des Lichts in einer flachen lichtemittierenden Schicht. Dadurch wird die Lichtauskopplungseffizienz unzureichend verbessert.
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Wenn der Winkel größer ist als 60 Grad, wird der Weiterleitungswinkel des Lichts in der lichtemittierenden Schicht 113 größer als der Grenzwinkel der Totalreflektion an einer Grenzfläche des Substrats 101 (der 1) und einer äußeren Luftschicht. Dadurch steigt die Menge von Licht, das in der OLED-Anzeigevorrichtung 100 eingesperrt ist, und die Lichtauskopplungseffizienz der lichtemittierenden Schicht 113 mit der Mikrolinse ML verringert sich im Vergleich zu der Lichtauskopplungseffizienz einer flachen lichtemittierenden Schicht.
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Dementsprechend kann der Winkel θ der tangentialen Linie C1 des Seitenoberflächenbereichs 117c bezüglich der horizontalen Oberfläche (d.h., des unteren Oberflächenbereichs 117a) in einem Bereich von 20 Grad bis 60 Grad bestimmt werden. Beispielsweise kann der Winkel θ der tangentialen Linie C1 des konkaven Bereichs 118 und des oberen Oberflächenbereichs 117b bezüglich der horizontalen Oberfläche (d.h., des unteren Oberflächenbereichs 117a) kleiner sein als 20 Grad, und der Winkel θ der tangentialen Linie C1 des Seitenoberflächenbereichs 117c kann bezüglich der horizontalen Oberfläche (d.h., des unteren Oberflächenbereichs 117a) größer sein als 20 Grad.
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Um die Lichtauskopplungseffizienz der lichtemittierenden Schicht 113 weiter zu erhöhen, kann der konvexe Bereich 117 der Abdeckungsschicht 108 eine Struktur aufweisen, in der der obere Oberflächenbereich 117b eine spitze Form aufweist. Beispielsweise kann der konvexe Bereich 117 einen Querschnitt einer dreieckigen Form mit einem Eckpunkt entsprechend dem oberen Oberflächenbereich 117b, eine untere Seite entsprechend dem unteren Oberflächenbereich 117a und eine Hypotenuse entsprechend dem Seitenoberflächenbereich 117c aufweisen.
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Der Winkel θ des Seitenoberflächenbereichs 117c des konvexen Bereichs 117 der Abdeckungsschicht 108 kann allmählich von dem unteren Oberflächenbereich 117a zu dem oberen Oberflächenbereich 117b hin zunehmen. Der Winkel θ ist als ein Winkel zwischen der tangentialen Linie C1 des Seitenoberflächenbereichs 117c und einer horizontalen Oberfläche (d.h., dem unteren Oberflächenbereich 117a) definiert. Der Seitenoberflächenbereich 117c kann die maximale Neigung Smax aufweisen, wenn der Winkel θ den maximalen Wert beträgt. Die Neigung kann durch einen Tangens-Wert (tanθ) des Winkels definiert sein.
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In der OLED-Anzeigevorrichtung 100, da die lichtemittierende Schicht 113 auf der Abdeckungsschicht 108 angeordnet ist, die die Mikrolinse ML bildet, kann die lichtemittierende Schicht 113 unterschiedliche Dicken d1, d2 und d3 in unterschiedlichen Bereichen aufweisen. Die lichtemittierende Schicht 113 kann derart ausgebildet sein, dass sie die unterschiedlichen Dicken d1, d2 und d3 entsprechend dem konkaven Bereich 118 und dem konvexen Bereich 117 der Mikrolinse ML aufweist.
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Die Dicke der lichtemittierenden Schicht 113 kann als eine Länge definiert sein, die senkrecht zu der tangentialen Linie C1 der lichtemittierenden Schicht 113 ist. Beispielsweise kann die dritte Dicke d3 der lichtemittierenden Schicht 113 des Seitenoberflächenbereichs 117c des konvexen Bereichs 117 der Mikrolinse ML kleiner sein als die erste Dicke d1 und die zweite Dicke d2 der lichtemittierenden Schicht 113 des konkaven Bereichs 118 und des oberen Oberflächenbereichs 117b des konvexen Bereichs 117.
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Da die lichtemittierende Schicht 113 auf der Abdeckungsschicht 108 mit der Mikrolinse ML ausgebildet ist, kann der Seitenoberflächenbereich 117c des konvexen Bereichs 117 der Abdeckungsschicht 108 den Winkel θ aufweisen, der allmählich von der unteren Oberfläche 117a zu dem oberen Oberflächenbereich 117b hin zunimmt. Dadurch ist die dritte Dicke d3 der lichtemittierenden Schicht 113 des Seitenoberflächenbereichs 117c kleiner als die erste Dicke d1 und die zweite Dicke d2 der lichtemittierenden Schicht 113 des konkaven Bereichs 118 und des oberen Oberflächenbereichs 117b.
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In der lichtemittierenden Diode E erfolgt die Lichtemission in einem Bereich mit einer relativ hohen Stromdichte. Da die lichtemittierende Schicht 113 in dem Seitenoberflächenbereich 117c des konvexen Bereichs 117 im Vergleich zu dem konkaven Bereich 118 und dem oberen Oberflächenbereich 117b des konvexen Bereichs 117 eine relativ kleine Dicke d3 aufweist, kann die lichtemittierende Schicht 113 eine relativ hohe Stromdichte und eine relativ starke Lichtemission in dem Seitenoberflächenbereich 117c des konvexen Bereichs 117 aufweisen. Ferner, da die lichtemittierende Schicht 113 eine relativ hohe Dicke d1 in dem konkaven Bereich 118 und dem oberen Oberflächenbereich 117b des konvexen Bereichs 117 aufweist, kann die lichtemittierende Schicht 113 eine relativ niedrige Stromdichte und eine relativ schwache Lichtemission in dem konkaven Bereich 118 und dem oberen Oberflächenbereich 117b des konvexen Bereichs 117 aufweisen.
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Dadurch kann in der OLED-Anzeigevorrichtung 100 der Seitenoberflächenbereich 117c des konvexen Bereichs 117, in dem die starke Lichtemission erfolgt, als ein Hauptemissionsbereich C definiert werden. Wenn die lichtemittierende Diode E angesteuert wird, konzentriert sich ein elektrisches Feld lokal in dem Hauptemissionsbereich C, um einen Hauptstrompfad zu erzeugen, und eine Hauptemission erfolgt.
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Der konkave Bereich 118 und der obere Oberflächenbereich 117b des konvexen Bereichs 117, in dem die im Vergleich zu dem Hauptemissionsbereich C schwache Lichtemission erfolgt, kann als ein Hilfsemissionsbereich D definiert werden. Der Hauptemissionsbereich C und der Hilfsemissionsbereich D bilden einen effektiven Emissionsbereich B der OLED-Anzeigevorrichtung 100.
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In der OLED-Anzeigevorrichtung 100, wenn eine Fläche (ein Durchmesser), die zu einem Abstand zwischen den benachbarten oberen Oberflächenbereichen 117b des konvexen Bereichs 117 korrespondiert, als eine Einheitszelle UNIT definiert wird, bildet eine Gesamtheit der Einheitszelle UNIT den Hauptemissionsbereich B.
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Ein Stromdichtenunterschied des Hauptemissionsbereichs C und des Hilfsemissionsbereichs D kann in einem Bereich von 0,0001 A/cm2 bis 0,05 A/cm2 sein.
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Wenn der Stromdichtenunterschied des Hauptemissionsbereichs C und des Hilfsemissionsbereichs D kleiner als 0,0001 A/cm2 ist oder der Stromdichtenunterschied des Hauptemissionsbereichs C und des Hilfsemissionsbereichs D größer als 0,05 A/cm2 ist, kann die Lichtemission in dem Hilfsemissionsbereich D im Wesentlichen nicht erfolgen, oder ein relativ hoher Strom kann an den Hauptemissionsbereich C angelegt sein.
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Beispielsweise, wenn ein Strom von 0,06 A/cm2 an den Hauptemissionsbereich C angelegt wird, kann ein Strom von 0,01 A/cm2 bis 0,0599 A/cm2 an den Hilfsemissionsbereich D angelegt werden, so dass der Stromdichtenunterschied des Hauptemissionsbereichs C und des Hilfsemissionsbereichs D in einem Bereich von 0,0001 A/cm2 bis 0,05 A/cm2 ist.
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Wenn ein Strom mit einer Stromdichte kleiner als 0,01 A/cm2 an den Hilfsemissionsbereich D angelegt wird, kann die Lichtemission in dem Hilfsemissionsbereich D im Wesentlichen nicht erfolgen. Wenn ein Strom mit einer Stromdichte größer als 0,05 A/cm2 an den Hilfsemissionsbereich D angelegt wird, steigt der an den Hauptemissionsbereich C angelegte Strom und der gesamte Ansteuerungsstrom zum Ansteuern der OLED-Anzeigevorrichtung 100 steigt.
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Wenn der gesamte Ansteuerungsstrom steigt, wird die OLED-Anzeigevorrichtung 100 beschädigt und die Emissionseffizienz der OLED-Anzeigevorrichtung 100 wird reduziert. Dadurch wird die Lebensdauer der OLED-Anzeigevorrichtung 100 verkürzt. Ferner, da die Beschädigung der OLED-Anzeigevorrichtung 100 unterschiedlich ist für den Pixelbereich P (der 1), kann der Beschädigungsunterschied des Pixelbereichs P zu einer Leuchtdichteabweichung führen.
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Dementsprechend kann der Stromdichtenunterschied zwischen dem Hauptemissionsbereich C und dem Hilfsemissionsbereich D in einem Bereich von 0,0001 A/cm2 bis 0,05 A/cm2 sein.
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In der OLED-Anzeigevorrichtung 100, in der der Hauptemissionsbereich C und der Hilfsemissionsbereich D den effektiven Emissionsbereich B bilden, da der effektive Emissionsbereich B der lichtemittierenden Schicht 113, die die Mikrolinse ML bildet, vergrößert ist, kann die Lichtauskopplungseffizienz steigen.
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Obwohl die Emissionsmenge des Hilfsemissionsbereichs D kleiner ist als die Emissionsmenge des Hauptemissionsbereichs C, steigt die gesamte Emissionsmenge der OLED-Anzeigevorrichtung 100 im Vergleich zu einer OLED-Anzeigevorrichtung, die nur den Hauptemissionsbereich C enthält.
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Insbesondere, in der OLED-Anzeigevorrichtung 100, da die Dicke d1, die Dicke d2 und die Dicke d3 der lichtemittierenden Schicht 113 unterschiedlich sind in dem Hauptemissionsbereich C und dem Hilfsemissionsbereich D, weist die lichtemittierende Schicht 113 unterschiedliche Emissionsspektren in dem Hauptemissionsbereich C und in dem Hilfsemissionsbereich D auf.
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Dementsprechend wird in der OLED-Anzeigevorrichtung 100 das von dem Hauptemissionsbereich C emittierte Licht zum Anzeigen eines Bildes verwendet und wird das von dem Hilfsemissionsbereich D emittierte Licht zum Unterstützen oder zum Kompensieren des von dem Hauptemissionsbereich C emittierten Lichts verwendet.
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4 ist eine Grafik, die ein Emissionsspektrum eines weißen Lichts zeigt, das von einem Hauptemissionsbereich und von einem Hilfsemissionsbereich einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung emittiert wird.
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In 4 stellt die X-Achse eine Wellenlänge eines Lichts dar und die Y-Achse stellt eine Lichtintensität dar. Die Intensität ist ein relativer Wert in Bezug auf das Maximum des Emissionsspektrums. Beispielsweise kann der Wert von 0,34 (beliebige Einheit: a.u.) des blauen Emissionsspektrums das Maximum sein, und der relative Wert des gelb-grünen Emissionsspektrums in Bezug auf das Maximum kann gezeigt sein.
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Eine Kurve F stellt ein Emissionsspektrum eines weißen Lichts dar, das von dem Hauptemissionsbereich C emittiert wird, und eine Kurve G stellt ein Emissionsspektrum eines weißen Lichts dar, das von dem Hilfsemissionsbereich D emittiert wird. Da die Intensität der lichtemittierenden Schicht 113 von dem angelegten Strom abhängt, werden die Emissionsspektren der Kurven F und G mittels Anlegens des gleichen Stroms an die lichtemittierende Diode E gemessen. Das Emissionsspektrum der Kurve F kann Peaks aufweisen, die einem roten Licht, einem grünen Licht und einem blauen Licht entsprechen.
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Das Emissionsspektrum der Kurve G ist kleiner als das Emissionsspektrum der Kurve F. Dadurch weisen der Hauptemissionsbereich C und der Hilfsemissionsbereich D unterschiedliche Emissionsspektren auf.
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Ferner erfolgt eine relativ starke Lichtemission in dem Hauptemissionsbereich C im Vergleich zu dem Hilfsemissionsbereich D, und eine relativ schwache Lichtemission erfolgt in dem Hilfsemissionsbereich D im Vergleich zu dem Hauptemissionsbereich C.
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In dem Hauptemissionsbereich C, da die lichtemittierende Schicht 113 mit einer relativ kleinen Dicke d3 eine relativ hohe Stromdichte aufweist, erfolgt die Hauptlichtemission. In dem Hilfsemissionsbereich D, da die lichtemittierende Schicht 113 mit einer relativ großen Dicke d1 und d2 eine relativ niedrige Stromdichte aufweist, erfolgt die Hilfslichtemission.
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Eine Kurve H stellt ein Emissionsspektrum eines gesamten weißen Lichts dar, das von der OLED-Anzeigevorrichtung 100 emittiert wird. Das Emissionsspektrum der Kurve H, das zu dem Hauptemissionsbereich C und dem Hilfsemissionsbereich D korrespondiert, ist größer als das Emissionsspektrum der Kurve F, das zu dem Hauptemissionsbereich C korrespondiert. (H = F + G)
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In der OLED-Anzeigevorrichtung 100, da der Hauptemissionsbereich C und der Hilfsemissionsbereich D den effektiven Emissionsbereich B bilden, ist der effektive Emissionsbereich B der lichtemittierenden Schicht 113, die die Mikrolinse ML bildet, vergrößert und die Lichtauskopplungseffizienz nimmt zu.
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Das Emissionsspektrum des Hilfsemissionsbereichs D kann divers eingestellt werden mittels Änderns des an die lichtemittierende Diode E angelegten Stroms, der Dicken d1 und d2 des konkaven Bereichs 118 und des oberen Oberflächenbereichs 117b des konvexen Bereichs 117 der Mikrolinse ML und der Form der Mikrolinse ML.
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5A ist eine Grafik, die ein Emissionsspektrum eines Hilfsemissionsbereichs einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
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In 5A ist der Hilfsemissionsbereich D derart ausgestaltet, dass die Emissionseffizienzen eines blauen Lichts und eines roten Lichts in gleicher Weise zunehmen. Das Emissionsspektrum der 5A kann zwei Peaks entsprechend einem roten Licht und einem blauen Licht aufweisen.
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5B ist eine Grafik, die ein Emissionsspektrum eines Hilfsemissionsbereichs einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
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In 5B ist der Hilfsemissionsbereich D derart ausgestaltet, dass die Emissionseffizienzen eines blauen Lichts, eines grünen Lichts und eines roten Lichts in gleicher Weise zunehmen. Das Emissionsspektrum der 5B kann drei Peaks entsprechend einem roten Licht, einem grünen Licht und einem blauen Licht aufweisen.
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5C ist eine Grafik, die ein Emissionsspektrum eines Hilfsemissionsbereichs einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
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In 5C ist der Hilfsemissionsbereich D derart ausgestaltet, dass die Emissionseffizienz eines roten Lichts weiter zunimmt als die Emissionseffizienz eines grünen Lichts, und die Emissionseffizienz eines blauen Lichts weiter zunimmt als die Emissionseffizienz eines roten Lichts. Das Emissionsspektrum der 5C kann drei Peaks entsprechend einem roten Licht, einem grünen Licht und einem blauen Licht aufweisen.
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5D ist eine Grafik, die ein Emissionsspektrum eines Hilfsemissionsbereichs einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt. Das Emissionsspektrum der 5D kann einen Peak entsprechend einem blauen Licht aufweisen.
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In 5D ist der Hilfsemissionsbereich D derart ausgestaltet, dass nur die Emissionseffizienz eines blauen Lichts zunimmt.
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Der Hauptemissionsbereich C weist dasselbe Emissionsspektrum in 5A bis 5D auf. Eine x-Farb-Koordinate (Wx) und eine y-Farb- Koordinate (Wy) des weißen Lichts der OLED-Anzeigevorrichtung mit dem Hilfsemissionsbereich D der 5A sind verringert im Vergleich zu der OLED-Anzeigevorrichtung mit dem Hilfsemissionsbereich D der 5C und 5D. Eine x-Farb-Koordinate und eine y-Farb-Koordinate des weißen Lichts der OLED-Anzeigevorrichtung mit dem Hilfsemissionsbereich D der 5B sind unverändert. Nur eine x-Farb-Koordinate des weißen Lichts der OLED-Anzeigevorrichtung mit dem Hilfsemissionsbereich D der 5C ist verringert.
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Eine x-Farb-Koordinate und eine y-Farb-Koordinate des weißen Lichts der OLED-Anzeigevorrichtung mit dem Hilfsemissionsbereich D der 5D sind verringert, und eine Variation (ΔWx) in einer x-Farb-Koordinate ist kleiner als eine Variation (ΔWy) in einer y-Farb-Koordinate in der OLED-Anzeigevorrichtung mit dem Hilfsemissionsbereich D der 5D.
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Das Emissionsspektrum des Hilfsemissionsbereichs D kann Einfluss auf das gesamte Emissionsspektrum der OLED-Anzeigevorrichtung 100 haben. Insbesondere kann das Emissionsspektrum des Hilfsemissionsbereichs D unterschiedlich ausgestaltet sein gemäß dem Zweck und dem Effekt.
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Beispielsweise, da in der OLED-Anzeigevorrichtung 100 mit dem Hilfsemissionsbereich D der 5B die Effizienzen des roten Lichts, des grünen Lichts und des blauen Lichts im Vergleich zu der OLED-Anzeigevorrichtung 100 mit nur dem Hauptemissionsbereich C steigen, steigt die Emissionseffizienz und die Effizienz der Vollfarb-Ansteuerung steigt.
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Ferner, da die Effizienz des blauen Lichts in der OLED-Anzeigevorrichtung 100 mit dem Hilfsemissionsbereich D der 5D steigt, steigt eine Farbtemperatur der OLED-Anzeigevorrichtung 100.
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Dadurch kann das von dem Hilfsemissionsbereich D emittierte Licht die Eigenschaft des von dem Hauptemissionsbereich C emittierten Lichts unterstützen oder kompensieren.
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In der OLED-Anzeigevorrichtung 100, da der effektive Emissionsbereich B den Hauptemissionsbereich C und den Hilfsemissionsbereich D aufweist, wird der gesamte effektive Emissionsbereich B der lichtemittierenden Schicht 113, die die Mikrolinse ML bildet, vergrößert und die Lichtauskopplungseffizienz steigt.
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Ferner, da der Hauptemissionsbereich C und der Hilfsemissionsbereich D unterschiedliche Emissionsspektren aufweisen und das Emissionsspektrum des Hilfsemissionsbereichs D unterschiedlich gestaltet ist gemäß dem Zweck und dem Effekt, kann das von dem Hilfsemissionsbereich D emittierte Licht das von dem Hauptemissionsbereich C emittierte Licht unterstützen oder kompensieren. Dadurch steigt die Emissionseffizienz und das Licht mit unterschiedlichen Eigenschaften wird emittiert.
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Obwohl die Mikrolinse ML in einer Ausführungsform in dem emittierenden Gebiet EA (der 1) angeordnet ist, kann die Mikrolinse ML so angeordnet sein, dass sie sich in einer anderen Ausführungsform zu dem nicht-emittierenden Gebiet NEA (der 1) erstreckt.
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Wenn die Mikrolinse ML in dem nicht-emittierenden Gebiet NEA angeordnet ist, steigt die Lichtauskopplungseffizienz weiter aufgrund einer Pfadänderung des Lichts in Richtung des nicht-emittierenden Gebiets NEA, und eine Lichtleckage in Richtung des benachbarten Pixelbereichs P (der 1) wird verhindert.
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Folglich, in der OLED-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, da der effektive Emissionsbereich sowohl den Hauptemissionsbereich als auch den Hilfsemissionsbereich aufweist, wird der gesamte effektive Emissionsbereich der lichtemittierenden Schicht, die die Mikrolinse bildet, vergrößert und die Lichtauskopplungseffizienz wird weiter verbessert.
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Ferner weisen der Hauptemissionsbereich und der Hilfsemissionsbereich unterschiedliche Emissionsspektren auf. Insbesondere, da das Emissionsspektrum des Hilfsemissionsbereichs unterschiedlich gestaltet wird gemäß dem Zweck und dem Effekt, unterstützt oder kompensiert das von dem Hilfsemissionsbereich emittierte Licht das von dem Hauptemissionsbereich emittierte Licht. Dadurch wird die Emissionseffizienz weiter verbessert und das Licht mit unterschiedlichen Eigenschaften wird emittiert.
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Die vorliegende Offenbarung betrifft auch und ist nicht beschränkt auf die folgenden Aspekte.
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In der vorliegenden Offenbarung weist eine organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen auf: ein Substrat mit einem emittierenden Gebiet und einem nicht-emittierenden Gebiet; eine Abdeckungsschicht auf dem Substrat und mit einem konvexen Bereich und einem konkaven Bereich, wobei der konvexe Bereich einen unteren Oberflächenbereich, einen oberen Oberflächenbereich und einen Seitenoberflächenbereich zwischen dem unteren Oberflächenbereich und dem oberen Oberflächenbereich aufweist; eine erste Elektrode auf der Abdeckungsschicht; eine lichtemittierende Schicht auf der ersten Elektrode; und eine zweite Elektrode auf der lichtemittierenden Schicht, wobei der Seitenoberflächenbereich ein Hauptemissionsbereich mit einem ersten Emissionsspektrum ist und der konkave Bereich ein Hilfsemissionsbereich mit einem zweiten Emissionsspektrum ist, das sich von dem ersten Emissionsspektrum unterscheidet. Der Hauptemissionsbereich und der Hilfsemissionsbereich können ein effektiver Emissionsbereich sein.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung entspricht der obere Oberflächenbereich einem Emissionsbereich mit dem zweiten Emissionsspektrum.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist der Seitenoberflächenbereich einen Winkel in einem Bereich von 20 Grad bis 60 Grad in Bezug auf eine horizontale Oberfläche auf, und der konkave Bereich und der obere Oberflächenbereich weisen einen Winkel auf, der kleiner ist als 20 Grad in Bezug auf die horizontale Oberfläche.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung liegt ein Stromdichteunterschied des Hauptemissionsbereichs und des Hilfsemissionsbereichs in einem Bereich von 0,0001 A/cm2 bis 0,05 A/cm2.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unterstützt oder kompensiert das zweite Emissionsspektrum das erste Emissionsspektrum.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nimmt eine Neigung des Seitenoberflächenbereichs von dem unteren Oberflächenbereich zu dem oberen Oberflächenbereich hin zu.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung verringert sich eine Dicke der lichtemittierenden Schicht mit der zunehmenden Neigung.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist eine Dicke der lichtemittierenden Schicht, die zu dem konvexen Bereich korrespondiert, kleiner als eine Dicke der lichtemittierenden Schicht, die zu dem konkaven Bereich korrespondiert.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist das erste Emissionsspektrum Peaks auf, die einem roten Licht, einem grünen Licht und einem blauen Licht entsprechen, und das zweite Emissionsspektrum weist mindestens einen Peak auf, der mindestens einem von dem roten Licht, dem grünen Licht und dem blauen Licht entspricht.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist das zweite Emissionsspektrum zwei Peaks auf, die dem roten Licht und dem blauen Licht entsprechen, oder das zweite Emissionsspektrum weist drei Peaks auf, die dem roten Licht, dem grünen Licht und dem blauen Licht entsprechen, oder das zweite Emissionsspektrum weist einen Peak auf, der dem blauen Licht entspricht.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weist die organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtung ferner auf: eine Wellenlängen-Umwandlungsschicht eingefügt zwischen dem Substrat und der Abdeckungsschicht; und eine Bank über der Abdeckungsschicht und mit einer Öffnung, die die erste Elektrode freilegt, wobei ein Randbereich der Wellenlängen-Umwandlungsschicht sich über einen Randbereich des konvexen Bereichs und des konkaven Bereichs in Richtung des nicht-emittierenden Gebiets hinauserstreckt, wobei der konvexe Bereich und der konkave Bereich in der Öffnung ausgebildet sind, wobei der konvexe Bereich und der konkave Bereich einen Randbereich der Bank kontaktieren, wobei die Bank einen Randbereich des konvexen Bereichs und des konkaven Bereichs überdeckt, wobei ein Randbereich der Wellenlängen-Umwandlungsschicht, ein Randbereich des konvexen Bereichs und des konkaven Bereichs und ein Randbereich der Bank in dem nicht-emittierenden Gebiet einander überlappen oder ein Grenzbereich des emittierenden Gebiets und des nicht-emittierenden Gebiets einen Randbereich des konvexen Bereichs und des konkaven Bereichs überlappt.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist der konkave Bereich entlang einer ersten Richtung in einer Linie angeordnet und ist entlang einer zweiten Richtung versetzt.
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In einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bildet der konvexe Bereich eine von einer sechseckigen Form und einer Wabenstruktur in einer Draufsicht.
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Es wird für den Fachmann ersichtlich sein, dass verschiedene Änderungen und Variationen in der vorliegenden Offenbarung gemacht werden können, ohne von dem Umfang der Offenbarung abzuweichen. Daher ist es beabsichtigt, dass die vorliegende Offenbarung die Änderungen und Variationen dieser Offenbarung abdeckt, unter der Voraussetzung, dass sie innerhalb des Bereichs der beigefügten Ansprüche liegen.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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